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JP2003249536A - 被処理体の支持機構及び支持方法 - Google Patents

被処理体の支持機構及び支持方法

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JP2003249536A
JP2003249536A JP2002047509A JP2002047509A JP2003249536A JP 2003249536 A JP2003249536 A JP 2003249536A JP 2002047509 A JP2002047509 A JP 2002047509A JP 2002047509 A JP2002047509 A JP 2002047509A JP 2003249536 A JP2003249536 A JP 2003249536A
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Hiroaki Saeki
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 状況に応じて択一的使用が可能な被処理体の
支持機構を提供する。 【解決手段】 被処理体Ｗを移載するための前記被処理
体の支持機構において、複数の昇降アクチュエータ４
６、４８の昇降ロッド５０、５２に個別に連結されて昇
降可能になされた複数の昇降ベース３８、４０と、前記
各昇降ベースより起立されてその先端が前記被処理体を
支持する複数のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ、４０Ａ〜４
０Ｃと、前記昇降アクチュエータを独立して制御する昇
降制御部６８とを備え、前記各昇降ベースのリフトピン
は水平座標における実質的に同一領域にある前記被処理
体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記各昇降ベー
スのリフトピンが択一的に前記被処理体を支持するよう
に前記昇降アクチュエータを制御する。これにより、上
記リフトピンをグループ毎に状況に応じて択一的使用が
可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体に所定の処理を施すためにこれを搬送する時に
用いる被処理体の支持機構及び支持方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
にはウエハに対して成膜、エッチング、酸化、拡散等の
各種の処理が行なわれる。そして、半導体集積回路の微
細化及び高集積化によって、スループット及び歩留りを
向上させるために、同一処理を行なう複数の処理装置、
或いは異なる処理を行なう複数の処理装置を、共通の搬
送室を介して相互に結合して、ウエハを大気に晒すこと
なく各種工程の連続処理を可能とした、いわゆるクラス
タ化された処理システム装置が、例えば特開２０００−
２０８５８９号公報や特開２０００−２９９３６７号公
報等に開示されているように、すでに知られている。
【０００３】この場合、上述のようにクラスタ化された
処理システム装置内にて半導体ウエハを、例えばカセッ
トから処理装置側へ、或いはこの逆に搬送するために、
この処理システム装置内には、通常は、屈伸、旋回、或
いは水平移動等が可能になされた複数の搬送アームが設
けられており、これらの搬送アーム間を順次受け渡すこ
とにより、上記半導体ウエハを搬送するようになってい
る。一般的に、搬送アーム間でウエハを受け渡す場合に
は、搬送アーム間同士でウエハを直接的に受け渡すこと
はせず、ウエハを昇降する支持機構や、この支持機構を
有するバッファ台に一時的にウエハを保持させ、この支
持機構やバッファ台を介在させて、ウエハを順次搬送し
て行く。
【０００４】また、ウエハの処理態様によっては、搬送
途中に設けられる搬送室内において、一時的にウエハを
待避させておいて、他のウエハを優先的に搬送させたい
場合もあり、このような場合にも、上記したような支持
機構やバッファ台を設けて、これらにウエハを保持させ
たまま待避させる場合もある。このような支持機構やバ
ッファ台としては、例えば特開平４−６９９１７号公
報、特開平９−２２３７２７号公報、特開２００１−１
７６９４７号公報等にて開示されている。
【０００５】
【発明や解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハを取り扱う場合、例えば成膜処理を例にとれば処理済
みの半導体ウエハは、その表面は勿論のこと、場合によ
っては裏面にも薄膜が付着している場合があり、この裏
面に昇降ピン等を直接接触させて未処理の半導体ウエハ
を取り扱うと、上記昇降ピン等に付着した膜片等により
未処理の半導体ウエハが汚染される場合もある。また、
上記した各公報に開示されている装置例にあっては、ウ
エハを昇降させるために２つのリフタを有しているが、
ウエハ搬送時には、これらの２つのリフタを同時に使用
する構造となっているため、状況に応じた自由度の高い
使用が困難であった。本発明は、以上のような問題点に
着目し、これを有効に解決すべく創案されたものであ
る。本発明の目的は、状況に応じて択一的な使用が可能
な被処理体の支持機構及び支持方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
被処理体を移載するための前記被処理体の支持機構にお
いて、複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に
連結されて昇降可能になされた複数の昇降ベースと、前
記各昇降ベースより起立されてその先端が前記被処理体
を支持する複数のリフトピンと、前記昇降アクチュエー
タを独立して制御する昇降制御部とを備え、前記各昇降
ベースのリフトピンは水平座標における実質的に同一領
域にある前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御
部は前記各昇降ベースのリフトピンが択一的に前記被処
理体を支持するように前記昇降アクチュエータを制御す
ることを特徴とする被処理体の支持機構である。これに
より、複数の昇降アクチュエータに個別に昇降ベースを
設けて、これらを独立的に昇降可能とすることにより、
昇降ベースに設けたリフトピンで被処理体を支持させる
ようにしたので、状況に応じて昇降ベースを択一的に使
用でき、例えば未処理の被処理体に対して専用に用いる
昇降ベースと処理済みの被処理体に対して専用に用いる
昇降ベースとを区別して使用することが可能となる。そ
の結果、被処理体の取り扱いの自由度を大きくすること
ができる。
【０００７】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、前記リフトピンは、前記昇降ベースに対して少なく
とも３本設けられる。請求項３に係る発明は、被処理体
を移載するための前記被処理体の支持機構において、複
数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に連結され
て昇降可能になされると共に、その上面で前記被処理体
を支持する複数の昇降ベースと、前記各昇降アクチュエ
ータを独立して制御する昇降制御部とを備え、前記各昇
降ベースは水平座標における実質的に同一領域にある前
記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記各
昇降ベースが択一的に前記被処理体を支持するように前
記昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処
理体の支持機構である。これにより、複数の昇降アクチ
ュエータに個別に昇降ベースを設けて、これらを独立的
に昇降可能とすることにより、昇降ベースで被処理体を
支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベースを
択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して専
用に用いる昇降ベースと処理済みの被処理体に対して専
用に用いる昇降ベースとを区別して使用することが可能
となる。その結果、被処理体の取り扱いの自由度を大き
くすることができる。
【０００８】また、例えば請求項４に規定するように、
前記各昇降ベースは、上下方向への移動に対して互いに
干渉しないようにするために平面的に見て互いに重なら
ないように配置されている。この場合には、各昇降ベー
スが平面的に重ならないように配置されているので上下
方向のサイズを小さくでき、従って、真空引き可能な気
密室に支持機構が配置された場合には、この気密室の上
下方向のサイズを小さくでき、真空引きに要する時間を
短縮できる。また、例えば請求項５に規定するように、
前記各昇降ベースは、真空引き可能になされた気密室内
に設けられており、前記各昇降ロッドは、前記気密室の
底部を貫通させて設けられると共に、前記底部の貫通部
には前記気密室内の気密性を保持するために伸縮可能に
なされたベローズが介在される。
【０００９】請求項６に係る発明は、被処理体を移載す
るための前記被処理体の支持機構において、第１昇降ア
クチュエータの第１昇降ロッドに連結されて昇降可能に
なされると共に、その上面で前記被処理体を支持する第
１昇降ベースと、前記第１昇降ベースの下方に配置さ
れ、第２昇降アクチュエータの第２昇降ロッドに連結さ
れて昇降可能になされた第２昇降ベースと、前記第２昇
降ベースより起立されてその先端が前記第１昇降ベース
の上方まで延び、その先端で前記被処理体を支持する複
数のリフトピンと、前記第１及び第２昇降アクチュエー
タを独立して制御する昇降制御部とを備え、前記第１昇
降ベース及び前記リフトピンは水平座標における実質的
に同一領域にある前記被処理体を支持可能であり、前記
昇降制御部は前記第１昇降ベース又は前記リフトピンが
択一的に前記被処理体を支持するように前記第１、第２
昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理
体の支持機構である。この場合、例えば請求項７に規定
するように、前記第１昇降ベースより起立されてその先
端が前記被処理体を支持する複数のリフトピンを更に備
える。また、例えば請求項８に規定するように、前記第
１昇降ロッドと前記第２昇降ロッドとは同軸構造になっ
ている。
【００１０】請求項９に係る発明は、被処理体を移載す
るために前記被処理体を保持して昇降させる被処理体の
支持機構において、前記被処理体を昇降させる昇降領域
の下方に配置された複数の昇降アクチュエータと、前記
複数の昇降アクチュエータの各昇降ロッドに設けられ
て、その先端が前記被処理体を支持するリフトピンと、
前記複数の昇降アクチュエータを複数のグループに分
け、各グループ毎に独立して動作可能に制御すると共
に、同一グループ内の前記各昇降アクチュエータは同期
させて制御する昇降制御部とを備え、前記各リフトピン
は水平座標における実質的に同一領域にある前記被処理
体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記各リフトピ
ンが前記グループ毎に択一的に前記被処理体を支持する
ように前記昇降アクチュエータを制御することを特徴と
する被処理体の支持機構である。これにより、複数の昇
降アクチュエータに個別にリフトピンを設けて、このリ
フトピンをグループ毎に独立して動作可能とすると共
に、グループ内では同時させて昇降するようにしたの
で、状況に応じてグループ毎にリフトピンを択一的に使
用でき、例えば未処理の被処理体に対して用いるリフト
ピングループと処理済みの被処理体に対して用いるリフ
トピングループとを区別して使用することが可能とな
る。
【００１１】この場合、例えば請求項１０に規定するよ
うに、前記昇降アクチュエータは、少なくとも６本設け
られると共に、前記１つのグループには少なくとも３つ
の昇降アクチュエータが含まれる。また、例えば請求項
１１に規定するように、前記各リフトピンは、各グルー
プ毎に実質的に同一円周上に実質的に等ピッチ間隔で配
置される。また、例えば請求項１２に規定するように、
前記各リフトピンは、真空引き可能になされた気密室内
に設けられており、前記各昇降ロッドは、前記気密室の
底部を貫通させて設けられると共に、前記底部の貫通部
には前記気密室内の気密性を保持するために伸縮可能に
なされたベローズが介在される。
【００１２】請求項１３に係る発明は、被処理体を移載
するために前記被処理体を保持して昇降させる被処理体
の支持機構において、複数の昇降アクチュエータの昇降
ロッドに個別に連結されて昇降可能になされると共に、
その上面が前記被処理体を支持する複数の昇降ベース
と、複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に設
けられて、その先端が前記被処理体を支持する複数のリ
フトピンと、前記一の昇降ベースの昇降アクチュエータ
と前記一のリフトピンの昇降アクチュエータとが同一グ
ループに属するように、前記各昇降アクチュエータを複
数のグループに分け、各グループ毎に独立して動作可能
に制御すると共に、同一グループ内の前記昇降アクチュ
エータは同期させて制御する昇降制御部とを備え、前記
各昇降ベース及び前記各リフトピンは水平座標における
実質的に同一領域にある前記被処理体を支持可能であ
り、前記昇降制御部は前記各昇降ベース及び前記各リフ
トピンが前記グループ毎に択一的に前記被処理体を支持
するように前記昇降アクチュエータを制御することを特
徴とする被処理体の支持機構である。
【００１３】これにより、複数の昇降アクチュエータに
個別に昇降ベースとリフトピンをそれぞれ設けて、これ
らの組み合わせを独立的に昇降可能とすることにより、
昇降ベース及びリフトピンとの組み合わせで被処理体を
支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベースと
リフトピンとの組み合わせを択一的に使用でき、例えば
未処理の被処理体に対して専用に用いる昇降ベース及び
リフトピンとの組み合わせと、処理済みの被処理体に対
して専用に用いる昇降ベース及びリフトピンとの組み合
わせとを区別して使用することが可能となる。その結
果、被処理体の取り扱いの自由度を大きくすることがで
きる。
【００１４】この場合、例えば請求項１４に規定するよ
うに、前記各昇降ベースは、上下方向への移動に対して
互いに干渉しないようにするために平面的に見て互いに
重ならないように配置されている。また、例えば請求項
１５に規定するように、前記各昇降ベース及び前記各リ
フトピンは、真空引き可能になされた気密室内に設けら
れており、前記各昇降ロッドは、前記気密室の底部を貫
通させて設けられると共に、前記底部の貫通部には前記
気密室内の気密性を保持するために伸縮可能になされた
ベローズが介在される。また、例えば請求項１６に規定
するように、前記被処理体の昇降領域の外側に配置され
て、昇降可能になされた一対の補助昇降ロッドと、前記
各補助昇降ロッドにそれぞれ連結されて、これより水平
方向へ延在されてその上面が被処理体の裏面と直接的に
接して保持する一対の補助被処理体支持板と、を備え
る。これによれば、一対の補助被処理体支持板により、
更に他の被処理体を支持させることが可能となり、被処
理体の取り扱いの自由度を更に向上させることができ
る。
【００１５】請求項１７に規定する発明は、上記被処理
体の支持機構を用いた被処理体の支持方法であって、被
処理体を支持する前記各昇降ベースまたは前記各リフト
ピンが支持する前記被処理体の枚数が略等しくなるよう
に制御することを特徴とする被処理体の支持方法であ
る。請求項１８に規定する発明は、上記被処理体の支持
機構を用いた被処理体の支持方法であって、前記被処理
体の状態に応じて被処理体を支持する前記各昇降ベース
または前記各リフトピンが使い分けられることを特徴と
する被処理体の支持方法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る被処理体の
支持機構及び支持方法の一実施例を添付図面に基づいて
詳述する。 ＜第１の実施例＞まず、本発明の第１の実施例について
説明する。図１は本発明に係る被処理体の支持機構を有
する処理システムの一例を示す概略平面図、図２は支持
機構が取り付けられたロードロック機能を有する搬送室
を示す断面図、図３は支持機構を示す斜視図、図４は支
持機構を示す平面図、図５は支持機構の昇降ロッドの取
付部を示す部分拡大図である。図示するように、この処
理システム２は、複数、例えば４つの処理装置４Ａ、４
Ｂ、４Ｃ、４Ｄと、略六角形状の共通搬送室６と、ロー
ドロック機能を有する第１及び第２の中間搬送室（ロー
ドロック室）８Ａ、８Ｂと、細長い導入側搬送室１０
と、上記各中間搬送室８Ａ、８Ｂ内に設けられた本発明
の第１の実施例である支持機構１２Ａ、１２Ｂとを主に
有している。尚、上記共通搬送室６や第１及び第２の中
間搬送室８Ａ、８Ｂは、真空引き可能な気密室となって
いる。
【００１７】具体的には、略六角形状の上記共通搬送室
６の４辺に上記各処理装置４Ａ〜４Ｄが接合され、他側
の２つの辺に、上記第１及び第２の中間搬送室８Ａ、８
Ｂがそれぞれ接合される。そして、この第１及び第２の
中間搬送室８Ａ、８Ｂに、上記導入側搬送室１０が共通
に接続される。上記共通搬送室６と上記４つの各処理装
置４Ａ〜４Ｄとの間及び上記共通搬送室６と上記第１及
び第２の中間搬送室８Ａ、８Ｂとの間は、それぞれ気密
に開閉可能になされたゲートバルブＧ１〜Ｇ４及びＧ
５、Ｇ６が介在して接合されて、クラスタツール化され
ており、必要に応じて共通搬送室６内と連通可能になさ
れている。また、上記第１及び第２の各中間搬送室８
Ａ、８Ｂと上記導入側搬送室１０との間にも、それぞれ
気密に開閉可能になされたゲートバルブＧ７、Ｇ８が介
在されている。
【００１８】上記４つの処理装置４Ａ〜４Ｄでは、被処
理体である半導体ウエハＷに対して同種の、或いは異種
の処理を施すようになっている。そして、この共通搬送
室６内の一側においては、上記２つの各中間搬送室８
Ａ、８Ｂ及び４つの各処理装置４Ａ〜４Ｄにアクセスで
きる位置に、屈伸、昇降及び旋回可能になされた多関節
アームよりなる第１の搬送手段１４が設けられており、
これは、互いに反対方向へ独立して屈伸できる２つのピ
ック１４Ａ、１４Ｂを有しており、一度に２枚のウエハ
を取り扱うことができるようになっている。尚、上記第
１の搬送手段１４として１つのみのピックを有している
ものも用いることができる。
【００１９】上記導入側搬送室１０は、Ｎ2 ガス等の不
活性ガスや清浄空気が循環される横長の箱体により形成
されており、この横長の一側には、カセット容器を載置
する１つ乃至複数の、図示例では３台のカセット台１６
Ａ、１６Ｂ、１６Ｃが設けられ、ここにそれぞれ１つず
つカセット１８Ａ〜１８Ｃを載置できるようになってい
る。各カセット１８Ａ〜１８Ｃには、最大例えば２５枚
のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるよう
になっており、内部は例えばＮ2 ガス雰囲気で満たされ
た密閉構造となっている。そして、導入側搬送室１０内
へは、各カセット台１６Ａ〜１６Ｃに対応させて設けた
ゲートドア２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃを介してウエハを搬
出入可能になされている。
【００２０】この導入側搬送室１０内には、ウエハＷを
その長手方向に沿って搬送するための導入側搬送手段２
２が設けられる。この導入側搬送手段２２は、導入側搬
送室１０内の中心部を長さ方向に沿って延びるように設
けた案内レール２４上にスライド移動可能に支持されて
いる。この案内レール２４には、移動機構として例えば
リニアモータが内蔵されており、このリニアモータを駆
動することにより上記導入側搬送手段２２は案内レール
２４に沿ってＸ方向へ移動することになる。また、導入
側搬送室１０の他端には、ウエハの位置合わせを行なう
位置合わせ装置としてのオリエンタ２６が設けられ、更
に、導入側搬送室１０の長手方向の途中には、前記２つ
の中間搬送室８Ａ、８Ｂがそれぞれ開閉可能になされた
前記ゲートバルブＧ７、Ｇ８を介して設けられる。
【００２１】上記オリエンタ２６は、駆動モータ（図示
せず）によって回転される回転台２８を有しており、こ
の上にウエハＷを載置した状態で回転するようになって
いる。この回転台２８の外周には、ウエハＷの周縁部を
検出するための光学センサ３０が設けられ、これにより
ウエハＷのノッチやオリエンテーションフラットの位置
方向や位置ずれを検出できるようになっている。また、
上記導入側搬送手段２２は、上下２段に配置された多関
節形状になされた２つの搬送アーム３２、３４を有して
いる。この各搬送アーム３２、３４の先端にはそれぞれ
２股状になされたピック３２Ａ、３４Ａを取り付けてお
り、このピック３２Ａ、３４Ａ上にそれぞれウエハＷを
直接的に保持するようになっている。従って、各搬送ア
ーム３２、３４は、この中心より半径方向へ向かうＲ方
向へ屈伸自在になされており、また、各搬送アーム３
２、３４の屈伸動作は個別に制御可能になされている。
上記搬送アーム３２、３４の各回転軸は、それぞれ基台
３６に対して同軸状に回転可能に連結されており、例え
ば基台３６に対する旋回方向であるθ方向へ一体的に回
転できるようになっている。
【００２２】次に、上記各中間搬送室８Ａ、８Ｂに設け
られた本発明の支持機構１２Ａ、１２Ｂについて説明す
る。これらの両支持機構１２Ａ、１２Ｂは、全く同様に
形成されているので、ここでは一方の支持機構、例えば
支持機構１２Ａを例にとって説明する。図２乃至図４に
示すように、この支持機構１２Ａは、数字の”７”のよ
うに屈曲して成形された薄い、例えばアルミニウム製、
或いはセラミック製の複数、図示例では２つの昇降ベー
ス３８、４０を有している。これらの両昇降ベース３
８、４０は、これらが上下方向へ移動した際に互いに衝
突して干渉しないように、平面的に見て互いに重なり合
わないような状態で相互に屈曲部に組み込ませて配置さ
れている。
【００２３】そして、各昇降ベース３８、４０からは、
それぞれ複数本の、図示例にあってはそれぞれ３本のリ
フトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃが上方へ起
立させて設けられている。これらのリフトピン３８Ａ〜
３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃは例えばＡｌ2 Ｏ3 等のセラ
ミックスよりなり、図４にも示すように、各グループ毎
のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃは、同
一の円周４２上にそれぞれグループ毎に等ピッチ（略１
２０度間隔）となるように設定されており、これらのリ
フトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃの先端が上
記半導体ウエハＷの裏面に直接的に接してウエハＷを支
持できるようになっている。図４では、同一の円周４２
上に両グループのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ
〜４０Ｃを配置しているが、これらをグループ毎に異な
る円周上に配置するようにしてもよい。尚、このリフト
ピンは、上記１つの昇降ベース３８、或いは４０に、そ
れぞれ少なくとも３本以上設けるようにする。
【００２４】そして、この中間搬送室８Ａを区画する底
部４４（図２参照）の下方には、２つの上記昇降ベース
３８、４０の数に対応させて、ここでは２つの昇降アク
チュエータ４６、４８が設けられており、各昇降アクチ
ュエータ４６、４８の昇降ロッド５０、５２は、上記底
部４４に設けた貫通孔５４、５６を挿通されて、その先
端が上記各昇降ベース３８、４０の下面に取り付け固定
されている。これにより、上記昇降アクチュエータ４
６、４８を駆動することにより、上記各昇降ベース３
８、４０を別個独立して上下方向へ昇降させ得るように
なっている。そして、上記各昇降ロッド５０、５２の底
部４４に対する貫通部には、例えば金属製の伸縮可能な
蛇腹管よりなるベローズ５８、６０が設けられる。具体
的には、図５にも示すように、上記各昇降ロッド５０、
５２をそれぞれベローズ５８、６０内に挿通させた状態
で、各ベローズ５８、６０の上端は上記昇降ベース３
８、４０の下面にそれぞれ気密状態で取り付け、その下
端は、底部４４の下面に、シール部材６２と取り付けリ
ング６４を介して、ネジ６６により気密性を維持して取
り付け固定されている。
【００２５】このベローズ５８、６０を取り付けること
により、この中間搬送室８Ａ内の気密性を維持しつつ上
記昇降ロッド５０、５２を昇降することができる。そし
て、上記各昇降アクチュエータ４６、４８は、例えばマ
イクロコンピュータ等よりなる昇降制御部６８によりそ
の動作が制御されることになる。また、各中間搬送室８
Ａ、８Ｂの例えば底部には、Ｎ2 ガス等の不活性ガス導
入口７０と、図示しない真空系に接続された排気口７２
が設けられており、室内を真空雰囲気と大気圧雰囲気と
に必要に応じて択一的に設定できるようになっている。
【００２６】次に、以上のような処理システムの動作に
ついて説明する。まず、半導体ウエハＷの概略的な流れ
について説明する。３つのカセット台１６Ａ〜１６Ｃの
内のいずれか１つのカセット台、例えばカセット台１６
Ｃ上のカセット容器１８Ｃ内から未処理の半導体ウエハ
Ｗを、導入側搬送手段２２のいずれか一方の搬送アー
ム、例えば搬送アーム３２を駆動することによってこの
ピック３２Ａで取り上げて保持し、この導入側搬送手段
２２をＸ方向へ移動することによってこのウエハＷをオ
リエンタ２６まで搬送する。
【００２７】次に、すでに先に搬送されてオリエンタ２
６にて位置合わせされている回転台２６上の未処理の半
導体ウエハＷを、空状態の他方の搬送アーム３４を駆動
することによってこのピック３４Ａで取り上げて保持
し、これによって回転台２６上を空にする。次に、搬送
アーム３２のピック３２Ａに保持していた未処理のウエ
ハを、先に空状態になった回転台２６上に載置する。
尚、このウエハは次に別の未処理のウエハが搬送されて
くるまでに位置合わせされることになる。次に、上述の
ように他方の搬送アーム３４で保持された未処理のウエ
ハは、導入側搬送手段２２をＸ方向へ移動させることに
より、２つの中間搬送室８Ａ、８Ｂの内のいずれか一方
の中間搬送室、例えば８Ａまで移動される。
【００２８】この中間搬送室８Ａ内のいずれか一方のグ
ループのリフトピン、例えばリフトピン４０Ａ〜４０Ｃ
上には、すでに処理装置内にて所定の処理、例えば成膜
処理やエッチング処理等が施された処理済みのウエハが
支持されて待機しており、ここでゲートバルブＧ７を開
くことによってすでに圧力調整されている中間搬送室８
Ａ内を開放する。そして、まず、空状態の搬送アーム３
２を駆動してこのピック３２Ａ側に待機している処理済
みのウエハＷを移載して保持する。次に、他方の搬送ア
ーム３４を駆動してこのピック３４Ａに保持していた未
処理のウエハＷを他方のグループのリフトピン３８Ａ〜
３８Ｃ上に移載してウエハを置き替える。尚、上記処理
済みのウエハは導入側搬送手段２２により元のカセット
へ戻される。
【００２９】このように、リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ上
へ未処理のウエハＷを移載したならば、ゲートバルブＧ
７を閉じることによってこの中間搬送室８Ａ内を密閉し
た後に、この中間搬送室８Ａ内を真空引きして圧力調整
した後、ゲートバルブＧ５を開放することにより、予め
真空雰囲気になされている共通搬送室６内と連通する。
そして、上記未処理のウエハＷは、共通搬送室６内の第
１の搬送手段１４によって受け取られる。この際、この
第１の搬送手段１４は２つのピック１４Ａ、１４Ｂを有
しているので、処理済みのウエハを保持している場合に
は、この処理済みのウエハと上記未処理のウエハとの置
き替えが行われる。
【００３０】未処理のウエハＷは、次に例えば各処理装
置４Ａ〜４Ｄにおいて、順次必要な処理が行われる。そ
して、必要な処理が完了したならば、この処理済みのウ
エハＷは、前述したと逆の経路を通って元のカセットに
戻される。この場合、２つある中間搬送室８Ａ、８Ｂの
内、何れを通ってもよいし、また、各中間搬送室８Ａ、
８Ｂ内にて処理済みのウエハＷを保持する場合には、未
処理のウエハＷを保持したグループとは異なったグルー
プのリフトピン４０Ａ〜４０Ｃで保持するようにし、未
処理のウエハＷが薄膜等の汚染物により汚染されること
をできるだけ抑制する。ここで、具体的に中間搬送室８
Ａ内におけるウエハＷの受け渡しについて説明する。
尚、他方の中間搬送室８Ｂ内においても同様にウエハの
受け渡しが行われる。
【００３１】本実施例では、上述したように、未処理の
ウエハＷと処理済みのウエハＷとでは異なるグループの
リフトピンを用いてウエハＷの汚染を防止するようにな
っている。ここでは、例えば一方の昇降ベース３８に設
けた３本のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃで未処理のウエハ
Ｗを専用に支持し、他方の昇降ベース４０に設けた３本
のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃで処理済みのウエハＷを専
用に支持するようになっている。具体的には、導入側搬
送室１０側より未処理のウエハＷを導入して処理済みの
ウエハＷと未処理のウエハとを差し替える場合を例にと
って説明する。まず、処理済みのウエハＷを支持してい
る一方の昇降ベース４０のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃを
上昇させ、他方の昇降ベース３８の空のリフトピン３８
Ａ〜３８Ｃを降下させておく。
【００３２】そして、この状態で、空のピック３２Ａを
中間搬送室８Ａ内へ水平方向に進出させて、これを上昇
されている処理済みのウエハＷの下方（ウエハＷと昇降
ベース４０との間）に挿入する。次に、このリフトピン
４０Ａ〜４０Ｃを降下させることにより処理済みのウエ
ハＷをピック３２Ａ側へ移し替える。そして、このピッ
ク３２Ａを後退させて中間搬送室８Ａ内から撤去する。
次に、未処理のウエハＷを保持している他方のピック３
４Ａを中間搬送室８Ａ内へ水平方向に進出させる。次
に、今まで降下していた他方の昇降ベース３８を上昇さ
せて、このリフトピン３８Ａ〜３８Ｃにより未処理のウ
エハＷをその下方より突き上げて支持することにより、
このウエハＷを移し替えることができる。そして、空に
なったピック３４Ａを後退させて中間搬送室８Ａ内から
撤去する。このように、第１の搬送手段１４又は導入側
搬送手段２２からリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ又はリフト
ピン４０Ａ〜４０Ｃのいずれか一方に移載されたウエハ
Ｗは、その後に第１の搬送手段１４又は導入側搬送手段
２２に移載されるまでは，そのリフトピンによって継続
的に支持される。つまり、この間、他方のリフトピンは
ウエハＷを支持することはない。この点に関しては、後
述する各実施例も同様である。
【００３３】このようにして、処理済みのウエハＷと未
処理のウエハＷとを差し替えることができる。尚、共通
搬送室６との間でウエハＷを移し替える場合も、基本的
には上述したと同様な動きとなる。このように、複数、
例えば２つの昇降ベース３８、４０を設けて、各昇降ベ
ース３８、４０に複数、例えば３本のリフトピン３８Ａ
〜３８Ｃ、４０Ａ〜４０Ｃをそれぞれ設け、一方のグル
ープのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃを未処理のウエハＷに
対して専用に用いるようにし、他方のグループのリフト
ピン４０Ａ〜４０Ｃを処理済みのウエハＷに対して専用
に用いるようにしたので、未処理のウエハＷが薄膜の物
質やパーティクルによって汚染されることを防止するこ
とが可能となる。
【００３４】また万一、一方の昇降ベースや昇降アクチ
ュエータが故障しても、他方の昇降ベースを連続的に昇
降させることにより、上述したと同様なウエハＷの移し
替えを行うことができ、従って、自由度の大きな使用形
態をとることができる。この第１の実施例では２つの昇
降ベース３８、４０を設けたが、両昇降ベース３８、４
０と干渉しないように更に第３番目、或いはそれ以上の
昇降ベースを設置して、それらに、同様なリフトピンを
設けて使用するようにしてもよい。また、前述した各公
報に開示されている装置例にあっては、ウエハを昇降さ
せるために２つのリフタを有しているが、ウエハ搬送時
には、これらの２つのリフタを同時に使用する構造とな
っているため、状況に応じた自由度の高い使用が困難で
あった。具体的には、例えば特開平９−２２３７２７号
公報等においては、独立に動作する２組の被処理体の支
持手段（支持ピン）を有しており、そして、それらの２
組の支持手段は、協働して同時に１枚の被処理体を支持
したり、又は一方の支持手段が処理前の被処理体を支持
すると同時に他方の支持手段が処理後の被処理体を支持
するようになっている。
【００３５】それに対して、上述した本発明に係る被処
理体の支持機構では、水平座標における実質的に同一領
域にある被処理体Ｗを搬送装置との間で移載し、且つそ
れを支持するために、水平座標における実質的に同一領
域内に互いに干渉しないように２組（複数）の被処理体
の支持手段（ここでは２つ昇降ベース３８、４０が対
応）を設けている。この２組（複数）の被処理体の支持
手段は、択一的に被処理体を支持する（同時には一の支
持手段のみが被処理体を支持する）。つまり、一方の支
持手段が被処理体を支持しているときには、他方の支持
手段は被処理体を支持しない構造となっており、従っ
て、本願の支持機構は上記先行技術とは構造的に全く異
なった構成になっている。この点に関しては、後述する
各実施例も同様である。
【００３６】＜第２の実施例＞上記した第１の実施例に
あっては、昇降アクチュエータ４６、４８にそれぞれが
連結された２つの昇降ベース３８、４０を設けて、それ
ぞれに３本ずつのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ
〜４０Ｃを設けるようにしたが、これに限定されず、各
リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃに対して
１対１で昇降アクチュエータを設けるようにしてもよ
い。図６はこのような第２の実施例の昇降アクチュエー
タの配列を模式的に示す図、図７はこの第２の実施例の
リフトピンの配列を示す平面図である。尚、図１〜図５
を参照して先に説明した部分と同一構成部分について
は、同一参照符号を付してその説明を省略する。図示す
るように、各リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４
０Ｃは２つのグループ、すなわち第１のグループのリフ
トピン３８Ａ〜３８Ｃと第２のグループのリフトピン４
０Ａ〜４０Ｃとに分けられ、各リフトピンの下方、すな
わちこれらの昇降領域の下方には、各リフトピンに対応
させて昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び８２Ａ〜
８２Ｃが配置されている。
【００３７】各昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び
８２Ａ〜８２Ｃは同一円周上に配置されているが、図６
では理解を用意にするために平面的に配置して記載して
いる。尚、また、一方の昇降アクチュエータ８０Ａ〜８
０Ｃ同士及び他方のアクチュエータ８２Ａ〜８２Ｃ同士
をそれぞれ異なる同心円上に配置してもよい。そして、
上記各リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃ
は、上記各昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び８２
Ａ〜８２Ｃの各昇降ロッド８４Ａ〜８４Ｃ及び８６Ａ〜
８６Ｃの先端にそれぞれ連結されている。そして、各昇
降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び８２Ａ〜８２Ｃ
は、昇降制御部６８によりその昇降動作が制御される。
尚、各昇降ロッド８４Ａ〜８４Ｃ及び８６Ａ〜８６Ｃの
中間搬送室底部４４に対する貫通部には、それぞれベロ
ーズ８８が設けられる。
【００３８】この場合、一方のグループ内のリフトピン
３８Ａ〜３８Ｃに連結される昇降アクチュエータ８０Ａ
〜８０Ｃ及び他方のグループ内のリフトピン４０Ａ〜４
０Ｃに連結される昇降アクチュエータ８２Ａ〜８２Ｃ
は、それぞれ同期して昇降させるのに対して、各グルー
プ毎は、別個独立して昇降動作が制御できるようになっ
ている。この場合にも、リフトピンを１グループ毎に、
すなわちリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ毎、或いはリフトピ
ン４０Ａ〜４０Ｃ毎にその昇降動作を同期させて制御す
ることにより、先の第１の実施例の場合と同様な作用効
果を発揮することができ、例えば一方のグループのリフ
トピン３８Ａ〜３８Ｃを、未処理のウエハＷの移載時専
用に用い、他方のグループのリフトピン４０Ａ〜４０Ｃ
を処理済みのウエハＷの移載時専用に用いるようにすれ
ばよい。
【００３９】＜第３の実施例＞また、前述した第１の実
施例にあっては、昇降アクチュエータ４６、４８にそれ
ぞれが連結された２つの昇降ベース３８、４０を設け
て、それぞれに３本ずつのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及
び４０Ａ〜４０Ｃを設けるようにしたが、これに限定さ
れず、全てのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４
０Ｃを設けないでおき、この昇降ベース３８、４０の上
面を、ウエハＷの裏面に直接的に接するようにして、こ
のウエハＷを支持するようにしてもよい。図８はこのよ
うな第３の実施例の昇降ベースを示す平面図である。
尚、図４を参照して先に説明した部分と同一構成部分に
ついては、同一参照符号を付してその説明を省略する。
【００４０】図示するように、この第３の実施例の場合
には、２つの昇降ベース３８、４０の表面には何らリフ
トピンを設けておらず、この上面をウエハＷの裏面に直
接的に接触させて、このウエハＷを支持するようになっ
ている。ただし、ここで注意されたい点は、ウエハの移
載時に両昇降ベース３８、４０とピック、例えばピック
３２Ａとが干渉しないようにするために、図８に示す昇
降ベース３８、４０は、図３に示す第１の実施例の昇降
ベース３８、４０よりもサイズが小さく設定されてい
る。この場合にも、先の第１の実施例と同様な作用効果
を発揮することができる。
【００４１】＜第４の実施例＞また、先の第２の実施例
では昇降ベースを設けずに、リフトピンを直接的に昇降
ロッドに接合し、先の第３の実施例ではリフトピンを設
けずに昇降ベースで直接的にウエハを支持させるように
したが、これらの両者を組み合わせてもよい。図９はこ
のような第４の実施例の昇降アクチュエータの配列を示
す図、図１０はこの第４の実施例の平面図である。図示
するように、この第４の実施例にあっては、リフトピン
３８Ａ、４０Ａに関連する構造に関しては、図６及び図
７に示したと同様な構造になっており、すなわち、両リ
フトピン３８Ａ、４０Ａはそれぞれ昇降アクチュエータ
８０Ａの昇降ロッド８４Ａ及び昇降アクチュエータ８２
Ａの昇降ロッド８６Ａに直接的に連結されている。これ
に対して、他のリフトピン３８Ｂ、３８Ｃ及び４０Ｂ、
４０Ｃ（図３参照）は設けておらず、この部分の機能を
図８の第３の実施例にて説明したと同様に昇降ベース３
８、４０で行うようにしており、ウエハＷの裏面を昇降
ベース３８、４０の裏面で直接的に支持するようになっ
ている。ただし、この場合、各昇降ベース３８、４０は
図４に示すような数字の”７”のような形状ではなく、
上記リフトピン３８Ａ、４０Ａを支持した部分を削除し
て取り除いたような、例えば”コ”字状の形状となって
いる。
【００４２】この場合には、一方のリフトピン３８Ａと
昇降ベース３８とがグループ化されて同期して昇降し、
また、他方のリフトピン４０Ａと昇降ベース４０とがグ
ループ化されて同期して昇降する。この場合にも、先の
第１の実施例の場合と同様な作用効果を発揮することが
できる。
【００４３】＜第５の実施例＞以上の第１〜第４の各実
施例にあっては、常に１枚のウエハしか取り扱うことが
できず、同時には２枚のウエハを取り扱うことができな
かったが、別途に補助的にウエハを支持する部分を設け
て、同時に複数枚、例えば２枚のウエハを取り扱うこと
ができるようにしてもよい。図１１はこのような第５の
実施例を示す斜視図、図１２は第５の実施例を示す平面
図である。尚、先に説明した構成部分と、同一構成部分
については同一参照符号を付してその説明を省略する。
【００４４】図示するように、この第５の実施例の場合
には、中間搬送室８Ａの中央部に、前記第１の実施例〜
第４の実施例の内の、いずれか１つの実施例の構成を設
けており、この実施例の構成でウエハＷが昇降される昇
降領域の外側に一対の補助昇降ロッド９０、９２を設け
ている。各補助昇降ロッド９０、９２は、この中間搬送
室８Ａの両側に設けた各ゲートバルブＧ５、Ｇ６とは９
０度異ならせた方向に配置されており、ウエハ搬出入時
に挿入されるピック１４Ａ、１４Ｂ及び３４Ａ、３４Ｂ
と干渉しないようになっている。尚、図示例の場合に
は、中間搬送室８Ａの中央部に先の第１実施例の構成を
配置している場合を示している。そして、この補助昇降
ロッド９０、９２の中間搬送室底部４４の貫通部には、
この室内の気密性を保持しつつ補助昇降ロッド９０、９
２の昇降を許容するベローズ９４、９６がそれぞれ介設
されている。
【００４５】この両補助昇降ロッド９０、９２の下部に
は、これらを昇降させる図示しない昇降アクチュエータ
がそれぞれ設けられて、両者は同期して昇降される。こ
こで、両補助昇降ロッド９０、９２は、前記各昇降ロッ
ド５０、５２よりも大きいストロークで昇降される。
尚、この場合、補助昇降ロッド９０、９２の下端部を連
結して昇降アクチュエータは１基だけ設けるようにして
もよい。そして、上記各補助昇降ロッド９０、９２の上
端部には、中間搬送室８Ａの中心に向けて水平方向へ延
在された、例えばセラミックス製の補助被処理体支持板
９８、１００がそれぞれ取り付け固定されている。各補
助被処理体支持板９８、１００は、図示例にあっては”
Ｔ”字状に成形されており、その上面でウエハＷの裏面
と直接的に接してこのウエハＷを保持し得るようになっ
ている。尚、他方の中間搬送室８Ｂの支持機構について
も、上記した中間搬送室８Ａの支持機構と同様に構成さ
れている。
【００４６】このように構成されたこの第５の実施例に
あっては、図１１にも示すように、例えば未処理のウエ
ハＷを、上記一対の補助被処理体支持板９８、１００に
より保持し、これを上方に高く持ち上げた状態で、リフ
トピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃで、先に第１
の実施例で説明したような動作を行うことができる。す
なわち、特定のウエハＷを補助被処理体支持板９８、１
００で高く持ち上げて待機させた状態で、この下方で他
のウエハの搬出入を行うことができる。従って、被処理
体の取り扱いの自由度を向上させることができる。
【００４７】＜第６の実施例＞上記各実施例において
は、複数、具体的には２個の昇降ベース３８、４０を用
いた場合には、これらが平面的に見て重ならないような
位置に配置するようにしたが、これに限定されず、平面
的な占有スペースを減少させるために、両昇降ベース３
８、４０を平面的に見て重なるように、すなわち上下方
向で両昇降ベース３８、４０が重なるように配置しても
よい。図１３はこのような本発明の第６の実施例を示す
図であり、図１３（Ａ）は斜視図を示し、図１３（Ｂ）
は平面図を示す。
【００４８】図示するように、この第６の実施例では、
第１昇降ベース、例えば昇降ベース３８と第２昇降ベー
ス、例えば昇降ベース４０とは上下方向に重なるように
配置されており、図示例では第１昇降ベース３８が第２
昇降ベース４０の上方に位置されている。そして、上記
第１昇降ベース３８は、その中央部で第１昇降ロッド、
例えば昇降ロッド５０により支持され、また、上記第２
昇降ベース４０は、その中央部で第２昇降ロッド、例え
ば昇降ロッド５２により支持される。また、上記両第１
及び第２昇降ロッド５０、５２は同軸構造になって、互
いに上下方向へ個別に昇降可能になされている。そし
て、上記第１昇降ロッド５０の下端は、第１昇降アクチ
ュエータ、例えば昇降アクチュエータ４６（図２参照）
に連結され、第２昇降ロッド５２の下端は、第２昇降ア
クチュエータ、例えば昇降アクチュエータ４８（図２参
照）に連結される。
【００４９】そして、上記第１昇降ベース３８と上記第
２昇降ベース４０との間には、上記第１昇降ロッド５０
を覆うようにして伸縮可能になされた第１ベローズ１１
０が介設されており、また、上記第２昇降ベース４０と
搬送室の底部（図示せず）との間には上記第２昇降ロッ
ド５２を覆うようにして伸縮可能になされた第２ベロー
ズ１１２が介設されている。上記第２昇降ベース４０は
略円板状に形成されており、その周縁部より起立された
複数本、図示例では３本のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃが
設けられて、その上端は上記第１昇降ベース３８よりも
上方へ延びていてこの上端でウエハＷを支持できるよう
になっている。上記リフトピン４０Ａ〜４０Ｃは、上記
第２昇降ベース４０の周縁部に、その周方向へ略等間隔
で配置されている。
【００５０】これに対して、上記第１昇降ベース３８
は、上記３本のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃと干渉しない
ように、例えば正三角形の各辺を中心側へ屈曲して成形
したような変形三角形状になされている。そして、この
第１昇降ベース３８の上面でウエハＷと接触してこれを
支持できるようになっている。この実施例においては、
下方の第２昇降ベース４０のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃ
の上端は、ウエハＷを移載・支持するときには、第１昇
降ベース３８の上方まで上昇することになる。この第６
の実施例の場合にも、第１の実施例で説明したと同様な
動作を行うことができる。すなわち、第１昇降ベース３
８の上面と、第２昇降ベース４０に設けたリフトピン４
０Ａ〜４０Ｃとで、ウエハＷを択一的に支持することが
できる。
【００５１】また、２つの昇降ベース３８、４０を上下
方向に重なるように配置したため、各昇降ベース３８、
４０を小さく且つその占める平面的な領域を小さくでき
る。この結果、ウエハを移載するときにピック先端の開
きの小さいピックを使用しても、ピックと昇降ベース３
８、４０とが干渉しない。また、ウエハ移載の際に支持
機構の昇降制御が容易になる。また、上記第６の実施例
では、第１昇降ベース３８の上面でウエハＷを支持する
ようにしたが、これに限定されず、図１４に示す第６の
実施例の変形例のように、第１昇降ベース３８の周縁部
に複数、図示例では３本のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃを
起立させて設け、この上端でウエハＷを支持させるよう
にしてもよい。尚、上記各実施例では、真空引き可能な
気密室である中間搬送室８Ａ、８Ｂ内に支持機構を設け
る場合について説明したが、これに限定されず、導入側
搬送室１０内の空いた空間や共通搬送室６内の空いた空
間等に設置して、半導体ウエハの一時待機場所として用
いるようにしてもよい。
【００５２】また、以上の各実施例では、昇降ベース３
８、４０又は補助被処理体支持板９８、１００でウエハ
Ｗを支持する場合には、それらの上面でウエハＷの裏面
と直接的に接してウエハＷを支持する側について示した
が、それらの上面に高さ１ｍｍ程度、直径５ｍｍ程度の
複数の凸部を設け、この凸部でウエハの裏面を支持する
ようにしてもよい。また、それらの上面に凹部を設け、
ウエハＷを凹部内に収容して支持してもよい。また、以
上の各実施例では、一方のリフトピン又は昇降ベースで
未処理のウエハＷを支持し、他のリフトピン又は昇降ベ
ースで処理済みのウエハを支持する場合について示した
が、共通搬送室６等で本発明の支持機構を使用する場合
も含めると、ウエハＷに施される処理の種類（成膜、エ
ッチング等）に応じて、或いはウエハＷの温度に応じて
（ウエハＷの加熱の前後または冷却の前後）、或いはそ
の他ウエハＷの状態に応じて複数のリフトピン又は昇降
ベースを使い分けてもよい。
【００５３】また、以上の各実施例では、各リフトピン
又は昇降ベースの材質は同じである場合について示した
が、支持されるウエハＷの状態に応じて、リフトピン又
は昇降ベース毎に材質（例えば耐熱性のある材質、伝熱
性の良い材質等）を使い分けてもよい。また、各リフト
ピン又は昇降ベースが支持するウエハの枚数が略等しく
なるように制御してもよい。これにより、ウエハ接触部
のクリーニングサイクルを長くすることができ、ベロー
ズなどの支持機構の部材の寿命を長くすることができ
る。また、本発明の支持機構にウエハＷを回転させる機
構を付加してもよい。また、以上の各実施例では被処理
体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに
限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも本発明を適
用することができる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の被処理体
の支持機構及び支持方法によれば、次のように優れた作
用効果を発揮することができる。請求項１、２、５〜８
に係る発明によれば、複数の昇降アクチュエータに個別
に昇降ベースを設けて、これらを独立的に昇降可能とす
ることにより、昇降ベースに設けたリフトピンで被処理
体を支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベー
スを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対し
て専用に用いる昇降ベースと処理済みの被処理体に対し
て専用に用いる昇降ベースとを区別して使用することが
可能となる。その結果、被処理体の取り扱いの自由度を
大きくすることができる。請求項３に係る発明によれ
ば、複数の昇降アクチュエータに個別に昇降ベースを設
けて、これらを独立的に昇降可能とすることにより、昇
降ベースで被処理体を支持させるようにしたので、状況
に応じて昇降ベースを択一的に使用でき、例えば未処理
の被処理体に対して専用に用いる昇降ベースと処理済み
の被処理体に対して専用に用いる昇降ベースとを区別し
て使用することが可能となる。その結果、被処理体の取
り扱いの自由度を大きくすることができる。
【００５５】請求項４に係る発明によれば、各昇降ベー
スが平面的に重ならないように配置されているので上下
方向のサイズを小さくでき、従って、真空引き可能な気
密室に支持機構が配置された場合には、この気密室の上
下方向のサイズを小さくでき、真空引きに要する時間を
短縮できる。請求項９〜１２に係る発明によれば、複数
のアクチュエータに個別にリフトピンを設けて、このリ
フトピンをグループ毎に独立して動作可能とすると共
に、グループ内では同時させて昇降するようにしたの
で、状況に応じてグループ毎にリフトピンを択一的に使
用でき、例えば未処理の被処理体に対して用いるリフト
ピングループと処理済みの被処理体に対して用いるリフ
トピングループとを区別して使用することができる。
【００５６】請求項１３〜１５に係る発明によれば、複
数の昇降アクチュエータに個別に昇降ベースとリフトピ
ンをそれぞれ設けて、これらの組み合わせを独立的に昇
降可能とすることにより、昇降ベース及びリフトピンと
の組み合わせで被処理体を支持させるようにしたので、
状況に応じて昇降ベースとリフトピンとの組み合わせを
択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して専
用に用いる昇降ベース及びリフトピンとの組み合わせ
と、処理済みの被処理体に対して専用に用いる昇降ベー
ス及びリフトピンとの組み合わせとを区別して使用する
ことが可能となる。その結果、被処理体の取り扱いの自
由度を大きくすることができる。請求項１６に係る発明
によれば、一対の補助被処理体支持板により、更に他の
被処理体を支持させることが可能となり、被処理体の取
り扱いの自由度を更に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る被処理体の支持機構を有する処理
システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】支持機構が取り付けられたロードロック機能を
有する搬送室を示す断面図である。
【図３】支持機構を示す斜視図である。
【図４】支持機構を示す平面図である。
【図５】支持機構の昇降ロッドの取付部を示す部分拡大
図である。
【図６】第２の実施例の昇降アクチュエータの配列を模
式的に示す図である。
【図７】第２の実施例のリフトピンの配列を示す平面図
である。
【図８】第３の実施例の昇降ベースを示す平面図であ
る。
【図９】第４の実施例の昇降アクチュエータの配列を示
す図である。
【図１０】第４の実施例の平面図である。
【図１１】第５の実施例を示す斜視図である。
【図１２】第５の実施例を示す平面図である。
【図１３】第６の実施例を示す図である。
【図１４】第６の実施例の変形例を示す図である。
【符号の説明】
２ 処理システム ４Ａ〜４Ｄ 処理装置 ６ 共通搬送室 ８Ａ，８Ｂ 中間搬送室（気密室） １０ 導入側搬送室 １２Ａ，１２Ｂ 支持機構 ３８，４０ 昇降ベース ３８Ａ〜３８Ｃ，４０Ａ〜４０Ｃ リフトピン ４６，４８ 昇降アクチュエータ ５０，５２ 昇降ロッド ５８，６０ ベローズ ６８ 昇降制御部 ８０Ａ〜８０Ｃ，８２Ａ〜８２Ｃ 昇降アクチュエータ ８４Ａ〜８４Ｃ，８６Ａ〜８６Ｃ 昇降ロッド ８８ ベローズ ９０，９２ 保持昇降ロッド ９４，９６ ベローズ ９８，１００ 補助被処理体支持板 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA11 FA12 FA15 GA03 GA47 GA48 GA50 MA04 MA28 MA32 NA04 NA05 NA09

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被処理体を移載するための前記被処理体
    の支持機構において、 複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に連結さ
    れて昇降可能になされた複数の昇降ベースと、 前記各昇降ベースより起立されてその先端が前記被処理
    体を支持する複数のリフトピンと、 前記昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部
    とを備え、 前記各昇降ベースのリフトピンは水平座標における実質
    的に同一領域にある前記被処理体を支持可能であり、前
    記昇降制御部は前記各昇降ベースのリフトピンが択一的
    に前記被処理体を支持するように前記昇降アクチュエー
    タを制御することを特徴とする被処理体の支持機構。
  2. 【請求項２】 前記各リフトピンは、前記昇降ベースに
    対して少なくとも３本設けられることを特徴とする請求
    項１記載の被処理体の支持機構。
  3. 【請求項３】 被処理体を移載するための前記被処理体
    の支持機構において、 複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に連結さ
    れて昇降可能になされると共に、その上面で前記被処理
    体を支持する複数の昇降ベースと、 前記各昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御
    部とを備え、 前記各昇降ベースは水平座標における実質的に同一領域
    にある前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部
    は前記各昇降ベースが択一的に前記被処理体を支持する
    ように前記昇降アクチュエータを制御することを特徴と
    する被処理体の支持機構。
  4. 【請求項４】 前記各昇降ベースは、上下方向への移動
    に対して互いに干渉しないようにするために平面的に見
    て互いに重ならないように配置されていることを特徴と
    する請求項１乃至３のいずれかに記載の被処理体の支持
    機構。
  5. 【請求項５】 前記各昇降ベースは、真空引き可能にな
    された気密室内に設けられており、前記各昇降ロッド
    は、前記気密室の底部を貫通させて設けられると共に、
    前記底部の貫通部には前記気密室内の気密性を保持する
    ために伸縮可能になされたベローズが介在されることを
    特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の被処理体
    の支持機構。
  6. 【請求項６】 被処理体を移載するための前記被処理体
    の支持機構において、 第１昇降アクチュエータの第１昇降ロッドに連結されて
    昇降可能になされると共に、その上面で前記被処理体を
    支持する第１昇降ベースと、 前記第１昇降ベースの下方に配置され、第２昇降アクチ
    ュエータの第２昇降ロッドに連結されて昇降可能になさ
    れた第２昇降ベースと、 前記第２昇降ベースより起立されてその先端が前記第１
    昇降ベースの上方まで延び、その先端で前記被処理体を
    支持する複数のリフトピンと、 前記第１及び第２昇降アクチュエータを独立して制御す
    る昇降制御部とを備え、 前記第１昇降ベース及び前記リフトピンは水平座標にお
    ける実質的に同一領域にある前記被処理体を支持可能で
    あり、前記昇降制御部は前記第１昇降ベース又は前記リ
    フトピンが択一的に前記被処理体を支持するように前記
    第１、第２昇降アクチュエータを制御することを特徴と
    する被処理体の支持機構。
  7. 【請求項７】 前記第１昇降ベースより起立されてその
    先端が前記被処理体を支持する複数のリフトピンを更に
    備えることを特徴とする請求項６記載の被処理体の支持
    機構。
  8. 【請求項８】 前記第１昇降ロッドと前記第２昇降ロッ
    ドとは同軸構造になっていることを特徴とする請求項６
    または７記載の被処理体の支持機構。
  9. 【請求項９】 被処理体を移載するために前記被処理体
    を保持して昇降させる被処理体の支持機構において、 前記被処理体を昇降させる昇降領域の下方に配置された
    複数の昇降アクチュエータと、 前記複数の昇降アクチュエータの各昇降ロッドに設けら
    れて、その先端が前記被処理体を支持するリフトピン
    と、 前記複数の昇降アクチュエータを複数のグループに分
    け、各グループ毎に独立して動作可能に制御すると共
    に、同一グループ内の前記各昇降アクチュエータは同期
    させて制御する昇降制御部とを備え、 前記各リフトピンは水平座標における実質的に同一領域
    にある前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部
    は前記各リフトピンが前記グループ毎に択一的に前記被
    処理体を支持するように前記昇降アクチュエータを制御
    することを特徴とする被処理体の支持機構。
  10. 【請求項１０】 前記昇降アクチュエータは、少なくと
    も６本設けられると共に、前記１つのグループには少な
    くとも３つの昇降アクチュエータが含まれることを特徴
    とする請求項９記載の被処理体の支持機構。
  11. 【請求項１１】 前記各リフトピンは、各グループ毎に
    実質的に同一円周上に実質的に等ピッチ間隔で配置され
    ることを特徴とする請求項９または１０記載の被処理体
    の支持機構。
  12. 【請求項１２】 前記各リフトピンは、真空引き可能に
    なされた気密室内に設けられており、前記各昇降ロッド
    は、前記気密室の底部を貫通させて設けられると共に、
    前記底部の貫通部には前記気密室内の気密性を保持する
    ために伸縮可能になされたベローズが介在されることを
    特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載の被処理
    体の支持機構。
  13. 【請求項１３】 被処理体を移載するために前記被処理
    体を保持して昇降させる被処理体の支持機構において、 複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に連結さ
    れて昇降可能になされると共に、その上面が前記被処理
    体を支持する複数の昇降ベースと、 複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に設けら
    れて、その先端が前記被処理体を支持する複数のリフト
    ピンと、 前記一の昇降ベースの昇降アクチュエータと前記一のリ
    フトピンの昇降アクチュエータとが同一グループに属す
    るように、前記各昇降アクチュエータを複数のグループ
    に分け、各グループ毎に独立して動作可能に制御すると
    共に、同一グループ内の前記昇降アクチュエータは同期
    させて制御する昇降制御部とを備え、 前記各昇降ベース及び前記各リフトピンは水平座標にお
    ける実質的に同一領域にある前記被処理体を支持可能で
    あり、前記昇降制御部は前記各昇降ベース及び前記各リ
    フトピンが前記グループ毎に択一的に前記被処理体を支
    持するように前記昇降アクチュエータを制御することを
    特徴とする被処理体の支持機構。
  14. 【請求項１４】 前記各昇降ベースは、上下方向への移
    動に対して互いに干渉しないようにするために平面的に
    見て互いに重ならないように配置されていることを特徴
    とする請求項９乃至１３のいずれかに記載の被処理体の
    支持機構。
  15. 【請求項１５】 前記各昇降ベース及び前記各リフトピ
    ンは、真空引き可能になされた気密室内に設けられてお
    り、前記各昇降ロッドは、前記気密室の底部を貫通させ
    て設けられると共に、前記底部の貫通部には前記気密室
    内の気密性を保持するために伸縮可能になされたベロー
    ズが介在されることを特徴とする請求項１乃至１４のい
    ずれかに記載の被処理体の支持機構。
  16. 【請求項１６】 前記被処理体の昇降領域の外側に配置
    されて、昇降可能になされた一対の補助昇降ロッドと、 前記各補助昇降ロッドにそれぞれ連結されて、これより
    水平方向へ延在されてその上面が前記被処理体を支持す
    る一対の補助被処理体支持板とを備え、 前記一対の補助被処理体支持板は、前記各昇降ベースま
    たは前記各リフタピンが前記被処理体を支持する位置よ
    りも上方で前記被処理体を支持することを特徴とする請
    求項１乃至１５のいずれかに記載の被処理体の支持機
    構。
  17. 【請求項１７】 請求項１乃至１６のいずれかに記載の
    被処理体の支持機構を用いた被処理体の支持方法であっ
    て、被処理体を支持する前記各昇降ベースまたは前記各
    リフトピンが支持する前記被処理体の枚数が略等しくな
    るように制御することを特徴とする被処理体の支持方
    法。
  18. 【請求項１８】 請求項１乃至１６のいずれかに記載の
    被処理体の支持機構を用いた被処理体の支持方法であっ
    て、前記被処理体の状態に応じて被処理体を支持する前
    記各昇降ベースまたは前記各リフトピンが使い分けられ
    ることを特徴とする被処理体の支持方法。
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US10/503,947 US20050155823A1 (en) 2002-02-25 2003-01-29 Substrate support mechanism for semiconductor processing system
EP03703076A EP1482545A4 (en) 2002-02-25 2003-01-29 SUBSTRATE CARRIER MECHANISM FOR A SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEM
CNB038045842A CN1300834C (zh) 2002-02-25 2003-01-29 半导体处理系统中的基板支持机构
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TW092103798A TWI246145B (en) 2002-02-25 2003-02-24 Substrate support mechanism in semiconductor processing system
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259870A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2006286682A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2011525717A (ja) * 2008-06-24 2011-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 大型足部リフトピン
US8353986B2 (en) 2005-03-31 2013-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2013080812A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置
CN106340478A (zh) * 2016-10-09 2017-01-18 无锡宏纳科技有限公司 晶圆喷淋装置的支撑台
KR101903338B1 (ko) 2015-07-23 2018-10-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송실, 기판 처리 시스템, 및 기판 반송실 내의 가스 치환 방법
JP2021022638A (ja) * 2019-07-26 2021-02-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
WO2022202529A1 (ja) * 2021-03-23 2022-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板昇降装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7161663B2 (en) * 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4440178B2 (ja) * 2005-07-25 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 基板の搬送装置
JP4754304B2 (ja) * 2005-09-02 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、ロードロック室ユニット、および搬送装置の搬出方法
KR100779027B1 (ko) * 2006-05-25 2007-11-23 세크론 주식회사 반도체 칩 승강장치
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US8245663B2 (en) * 2006-08-22 2012-08-21 Nordson Corporation Apparatus and methods for handling workpieces in a processing system
US8485507B2 (en) 2007-11-13 2013-07-16 Ulvac, Inc. Movable table and processing stage
JP5185054B2 (ja) * 2008-10-10 2013-04-17 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、制御プログラム及び記憶媒体
US8666551B2 (en) * 2008-12-22 2014-03-04 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus equipped with robot diagnostic module
CN102148176B (zh) * 2010-02-09 2013-02-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 升降装置及具有该装置的半导体器件加工设备
JP5141707B2 (ja) * 2010-03-24 2013-02-13 株式会社安川電機 被処理体の支持機構、支持方法およびそれを備えた搬送システム
US8420554B2 (en) * 2010-05-03 2013-04-16 Memc Electronic Materials, Inc. Wafer support ring
US9368381B2 (en) * 2010-12-24 2016-06-14 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Transfer robot, its substrate transfer method and substrate transfer relay device
US8657352B2 (en) 2011-04-11 2014-02-25 International Business Machines Corporation Robotic device for substrate transfer applications
US8936293B2 (en) 2011-12-21 2015-01-20 International Business Machines Corporation Robotic device for substrate transfer applications
TWM431163U (en) * 2012-01-31 2012-06-11 Shengjia Prec Co Ltd Glass substrate transportation device
GB201202262D0 (en) * 2012-02-09 2012-03-28 Aes Eng Ltd Mechanical seal faces synthetic diamond coating fixture
US10892180B2 (en) * 2014-06-02 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
CN106356317A (zh) * 2015-07-15 2017-01-25 英属开曼群岛商精曜有限公司 取放腔室
JP6639175B2 (ja) * 2015-09-29 2020-02-05 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
KR102615853B1 (ko) * 2015-10-15 2023-12-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 캐리어 시스템
JP6650841B2 (ja) * 2016-06-27 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 基板昇降機構、基板載置台および基板処理装置
JP6618876B2 (ja) * 2016-09-26 2019-12-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 基板処理装置、搬送方法およびサセプタ
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
KR102095984B1 (ko) * 2018-02-23 2020-04-02 피에스케이홀딩스 (주) 기판 정렬 장치 및 기판 처리 방법
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
JP7321768B2 (ja) 2018-05-23 2023-08-07 信越化学工業株式会社 化学気相成長装置および被膜形成方法
JP7220030B2 (ja) * 2018-07-25 2023-02-09 株式会社ジャパンディスプレイ マスクユニットの製造装置
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
JP7475337B2 (ja) * 2018-09-28 2024-04-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 動的水平化を備えた同軸リフト装置
CN109343248A (zh) * 2018-12-06 2019-02-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 真空贴合装置及其脱离显示面板的方法
JP7135841B2 (ja) * 2018-12-25 2022-09-13 株式会社Sumco ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
KR102188777B1 (ko) * 2019-02-12 2020-12-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7418241B2 (ja) * 2020-02-27 2024-01-19 東京エレクトロン株式会社 位置決め装置、処理システム及び位置決め方法
CN115074671A (zh) * 2021-03-11 2022-09-20 鑫天虹(厦门)科技有限公司 遮挡机构及具有遮挡机构的基板处理腔室
CN117457572B (zh) * 2023-12-25 2024-03-15 上海谙邦半导体设备有限公司 一种用于真空反应腔的晶圆交换装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3260427B2 (ja) * 1991-09-10 2002-02-25 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理装置における基板搬送方法
JPH0469917A (ja) 1990-07-10 1992-03-05 Nec Corp 多室構造型真空処理装置
KR0162102B1 (ko) * 1991-05-29 1999-02-01 이노우에 아키라 반도체 제조장치
JPH0687507A (ja) 1992-09-09 1994-03-29 Nikon Corp 基板搬送装置
JP3174691B2 (ja) * 1994-08-25 2001-06-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板交換装置
JPH08203986A (ja) 1995-01-20 1996-08-09 Ulvac Japan Ltd 真空プラズマ処理装置
JP3350278B2 (ja) * 1995-03-06 2002-11-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3005461B2 (ja) * 1995-11-24 2000-01-31 日本電気株式会社 静電チャック
US6140256A (en) * 1995-11-28 2000-10-31 Tokyo Electron Limited Method and device for treating semiconductor with treating gas while substrate is heated
JP3650495B2 (ja) 1995-12-12 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法
TW318258B (ja) * 1995-12-12 1997-10-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5885353A (en) * 1996-06-21 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Thermal conditioning apparatus
JP3735175B2 (ja) * 1997-03-04 2006-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW401582B (en) * 1997-05-15 2000-08-11 Tokyo Electorn Limtied Apparatus for and method of transferring substrates
JP3850951B2 (ja) * 1997-05-15 2006-11-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
US5899653A (en) * 1997-06-23 1999-05-04 Applied Materials, Inc. Two-stage vacuum bellows
JP4253365B2 (ja) * 1997-10-17 2009-04-08 オリンパス株式会社 ウェハ搬送装置
JPH11288995A (ja) * 1998-04-04 1999-10-19 Tokyo Electron Ltd 搬送システム及び処理装置
US6109677A (en) * 1998-05-28 2000-08-29 Sez North America, Inc. Apparatus for handling and transporting plate like substrates
US6231716B1 (en) * 1998-11-09 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber with rapid wafer exchange
JP2000208589A (ja) 1998-11-09 2000-07-28 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP4204128B2 (ja) * 1999-01-18 2009-01-07 東京応化工業株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP2000299367A (ja) 1999-04-15 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び被処理体の搬送方法
JP4343326B2 (ja) * 1999-05-14 2009-10-14 キヤノン株式会社 基板搬送装置および露光装置
KR100551806B1 (ko) * 1999-09-06 2006-02-13 동경 엘렉트론 주식회사 반도체 처리용 반송 장치 및 수용 장치와, 반도체 처리시스템
JP2001110793A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置および基板処理装置
JP2001176947A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Nikon Corp 基板支持装置および基板処理装置
US6913243B1 (en) * 2000-03-30 2005-07-05 Lam Research Corporation Unitary slot valve actuator with dual valves
JP4470274B2 (ja) 2000-04-26 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
US6485248B1 (en) * 2000-10-10 2002-11-26 Applied Materials, Inc. Multiple wafer lift apparatus and associated method
EP1274121A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-08 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Wafer chuck for supporting a semiconductor wafer
US7301623B1 (en) * 2003-12-16 2007-11-27 Nanometrics Incorporated Transferring, buffering and measuring a substrate in a metrology system

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259870A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nikon Corp 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2006286682A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US8353986B2 (en) 2005-03-31 2013-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2011525717A (ja) * 2008-06-24 2011-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 大型足部リフトピン
JP2013080812A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置
KR101903338B1 (ko) 2015-07-23 2018-10-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송실, 기판 처리 시스템, 및 기판 반송실 내의 가스 치환 방법
CN106340478A (zh) * 2016-10-09 2017-01-18 无锡宏纳科技有限公司 晶圆喷淋装置的支撑台
JP2021022638A (ja) * 2019-07-26 2021-02-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
JP7285157B2 (ja) 2019-07-26 2023-06-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
WO2022202529A1 (ja) * 2021-03-23 2022-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板昇降装置

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