JP2003124089A - 荷電粒子線露光装置及び露光方法 - Google Patents
荷電粒子線露光装置及び露光方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットの低下を抑えることができる荷
電粒子線露光装置及び露光方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 真空容器内でパターンが形成されたレチ
クルに荷電粒子線を照射して、前記パターンの像を感応
基板上に結像する荷電粒子線露光装置において、 前記
真空容器の内壁及び真空容器内に配置された部材のうち
の少なくとも一部の表面に光触媒層を設けていること、
前記真空容器内に紫外線を照射する手段を配置してい
ること、を特徴とする荷電粒子線露光装置とした。
電粒子線露光装置及び露光方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 真空容器内でパターンが形成されたレチ
クルに荷電粒子線を照射して、前記パターンの像を感応
基板上に結像する荷電粒子線露光装置において、 前記
真空容器の内壁及び真空容器内に配置された部材のうち
の少なくとも一部の表面に光触媒層を設けていること、
前記真空容器内に紫外線を照射する手段を配置してい
ること、を特徴とする荷電粒子線露光装置とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レチクル上に形成
された回路パターンを投影光学系を介してウェハ等の感
応基板上に転写する際に好適な荷電粒子線露光装置及び
露光方法に関するものである。
された回路パターンを投影光学系を介してウェハ等の感
応基板上に転写する際に好適な荷電粒子線露光装置及び
露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、より
微細な回路パターンを作成するために、光を用いた光縮
小投影露光装置に代わって、荷電粒子線（例えば、電子
線やイオンビーム等）あるいはＸ線を利用する新しい露
光装置の開発が行われている。このうち、荷電粒子線と
して電子線を利用した電子線露光装置は、電子線そのも
のを細く絞ることができるため、微細な形状を有するパ
ターンを作製できるという大きな特徴を有している。
微細な回路パターンを作成するために、光を用いた光縮
小投影露光装置に代わって、荷電粒子線（例えば、電子
線やイオンビーム等）あるいはＸ線を利用する新しい露
光装置の開発が行われている。このうち、荷電粒子線と
して電子線を利用した電子線露光装置は、電子線そのも
のを細く絞ることができるため、微細な形状を有するパ
ターンを作製できるという大きな特徴を有している。
【０００３】従来の電子線露光装置は、電子線を細く絞
り、電子線に感度を持つレジストが塗布された半導体基
板上を走査して、回路パターンを描画するものであっ
た。しかしながら、回路パターンを一本の電子線で一筆
書きしているため、一つのチップを作製するのに描画時
間が長くなり、一括して回路パターンを基板上に転写露
光する光縮小投影露光装置に比べて、生産性が低いとい
う問題があった。
り、電子線に感度を持つレジストが塗布された半導体基
板上を走査して、回路パターンを描画するものであっ
た。しかしながら、回路パターンを一本の電子線で一筆
書きしているため、一つのチップを作製するのに描画時
間が長くなり、一括して回路パターンを基板上に転写露
光する光縮小投影露光装置に比べて、生産性が低いとい
う問題があった。
【０００４】そこで、現在では、減圧排気された真空容
器内で、予め露光すべき回路パターンを形成したレチク
ル上に電子線を照射し、そのパターンをウェハ等の感応
基板上に縮小投影する技術が開発されつつある。この縮
小投影する電子線露光装置では、一度に露光できる面積
が大きい（例えば、ウェハ上で０．２５ｍｍ角）ので、
従来の一筆書きの露光装置に比べると、生産性は飛躍的
に向上する。
器内で、予め露光すべき回路パターンを形成したレチク
ル上に電子線を照射し、そのパターンをウェハ等の感応
基板上に縮小投影する技術が開発されつつある。この縮
小投影する電子線露光装置では、一度に露光できる面積
が大きい（例えば、ウェハ上で０．２５ｍｍ角）ので、
従来の一筆書きの露光装置に比べると、生産性は飛躍的
に向上する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】荷電粒子線を利用した
露光装置では、真空容器内の残留ガス、真空容器内に配
置されている各部材の表面に吸着している物質、又はレ
ジストからのアウトガスが露光に用いる荷電粒子線と反
応することにより、炭化水素系の汚染物質が真空容器の
内壁や真空容器内の各部材に付着することがある。露光
装置内にこれらの汚染物質が付着すると、例えば、チャ
ージアップによって荷電粒子線の軌道に乱れが生じ、回
路パターンをウエハ上に正確に転写することが困難にな
る。そこで、汚染物質を除去するために、露光装置を分
解し、汚染物質が付着している各部材を真空容器内から
取り出して洗浄を行っていた。
露光装置では、真空容器内の残留ガス、真空容器内に配
置されている各部材の表面に吸着している物質、又はレ
ジストからのアウトガスが露光に用いる荷電粒子線と反
応することにより、炭化水素系の汚染物質が真空容器の
内壁や真空容器内の各部材に付着することがある。露光
装置内にこれらの汚染物質が付着すると、例えば、チャ
ージアップによって荷電粒子線の軌道に乱れが生じ、回
路パターンをウエハ上に正確に転写することが困難にな
る。そこで、汚染物質を除去するために、露光装置を分
解し、汚染物質が付着している各部材を真空容器内から
取り出して洗浄を行っていた。
【０００６】しかしながら、露光装置を分解して汚染物
質が付着している各部材を洗浄し、再度組み立てを行う
場合、洗浄を行っている間は露光装置を停止させること
になり、スループットが大きく低下するという問題が生
じる。
質が付着している各部材を洗浄し、再度組み立てを行う
場合、洗浄を行っている間は露光装置を停止させること
になり、スループットが大きく低下するという問題が生
じる。
【０００７】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、スループットの低下を抑えることがで
きる荷電粒子線露光装置及び露光方法を提供することを
目的とする。
たものであって、スループットの低下を抑えることがで
きる荷電粒子線露光装置及び露光方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る態様の荷電粒子線露光装置は、 真空
容器内でパターンが形成されたレチクルに荷電粒子線を
照射して、前記パターンの像を感応基板上に結像する荷
電粒子線露光装置において、 前記真空容器の内壁及び
真空容器内に配置された部材のうちの少なくとも一部の
表面に光触媒層を設けていること、 前記真空容器内に
紫外線を照射する手段を配置していること、を特徴とす
る。
め、本発明に係る態様の荷電粒子線露光装置は、 真空
容器内でパターンが形成されたレチクルに荷電粒子線を
照射して、前記パターンの像を感応基板上に結像する荷
電粒子線露光装置において、 前記真空容器の内壁及び
真空容器内に配置された部材のうちの少なくとも一部の
表面に光触媒層を設けていること、 前記真空容器内に
紫外線を照射する手段を配置していること、を特徴とす
る。
【０００９】本発明においては、 前記光触媒層は酸化
チタンからなる層であることが好ましい。
チタンからなる層であることが好ましい。
【００１０】酸化チタン等の光触媒には、紫外線の照射
により、炭化水素系の汚染物質を化学的に分解する作用
がある。汚染物質が付着する部材表面に光触媒層を設
け、真空容器内に配置された紫外線の照射手段で紫外線
を照射することにより、汚染物質を除去することができ
る。本発明によれば、露光装置を分解する必要がなくな
るので、スループットの低下を抑えることができる。
により、炭化水素系の汚染物質を化学的に分解する作用
がある。汚染物質が付着する部材表面に光触媒層を設
け、真空容器内に配置された紫外線の照射手段で紫外線
を照射することにより、汚染物質を除去することができ
る。本発明によれば、露光装置を分解する必要がなくな
るので、スループットの低下を抑えることができる。
【００１１】本発明においては、 前記真空容器の内部
に酸素を導入する手段を有することが好ましい。
に酸素を導入する手段を有することが好ましい。
【００１２】また、本発明においては、 前記真空容器
の内部に水蒸気を導入する手段を有することが好まし
い。
の内部に水蒸気を導入する手段を有することが好まし
い。
【００１３】真空容器の内部を酸素又は水蒸気雰囲気と
することにより、汚染物質を分解する反応を促進するこ
とができる。
することにより、汚染物質を分解する反応を促進するこ
とができる。
【００１４】本発明に係る態様の露光方法は、 上記態
様の荷電粒子線露光装置を用いて、レチクルに形成され
たパターンを感応基板上に投影結像することを特徴とす
る。本発明によれば、スループットの低下を抑えなが
ら、回路パターンをウエハ上に正確に転写することがで
きる。
様の荷電粒子線露光装置を用いて、レチクルに形成され
たパターンを感応基板上に投影結像することを特徴とす
る。本発明によれば、スループットの低下を抑えなが
ら、回路パターンをウエハ上に正確に転写することがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明す
る。なお、本発明の実施の形態では、荷電粒子線の一種
である電子線を用いる露光を例として説明しているが、
本発明はこれに限定されるものではなく、イオンビーム
等を含む全ての荷電粒子線に適用することができる。
る。なお、本発明の実施の形態では、荷電粒子線の一種
である電子線を用いる露光を例として説明しているが、
本発明はこれに限定されるものではなく、イオンビーム
等を含む全ての荷電粒子線に適用することができる。
【００１６】図１は、本発明の実施の形態に係る電子線
露光装置の構成図である。
露光装置の構成図である。
【００１７】電子線露光装置１７の上部には、電子銃１
が配置されており、下方に向けて電子線２を放射する。
電子銃１の下方には、コンデンサレンズや電子線偏向器
等を含む照明光学系３、レチクル４が配置されている。
が配置されており、下方に向けて電子線２を放射する。
電子銃１の下方には、コンデンサレンズや電子線偏向器
等を含む照明光学系３、レチクル４が配置されている。
【００１８】電子銃１から放射された電子線２は、照明
光学系３によって収束、走査（スキャン）され、照明光
学系３の視野内にあるレチクル４の各小領域（サブフィ
ールド）の照明が行われる。なお、図面の簡略化のため
照明光学系３は一段で示しているが、実際の照明光学系
には、数段のレンズやビーム成形開口等が設けられてい
る。
光学系３によって収束、走査（スキャン）され、照明光
学系３の視野内にあるレチクル４の各小領域（サブフィ
ールド）の照明が行われる。なお、図面の簡略化のため
照明光学系３は一段で示しているが、実際の照明光学系
には、数段のレンズやビーム成形開口等が設けられてい
る。
【００１９】レチクル４は、レチクルステージ５の上部
に設けられたチャック（不図示）に静電吸着等により固
定されている。レチクル４の下方には、コンデンサレン
ズや偏向器等を含む投影光学系６、コントラスト開口
７、及びウエハ８が配置されている。ウエハ８は、ウエ
ハステージ９の上部に設けられたチャック（不図示）に
静電吸着等により固定されている。
に設けられたチャック（不図示）に静電吸着等により固
定されている。レチクル４の下方には、コンデンサレン
ズや偏向器等を含む投影光学系６、コントラスト開口
７、及びウエハ８が配置されている。ウエハ８は、ウエ
ハステージ９の上部に設けられたチャック（不図示）に
静電吸着等により固定されている。
【００２０】レチクル４を通過した電子線２は、投影光
学系６によって収束、偏向されて、ウエハ８上の所定の
位置にレチクル４のパターン像が結像される。このと
き、検出器１５でウエハステージ９上のアライメントマ
ークを検出して、ウエハ８の位置合わせを行っている。
なお、実際の投影光学系には、数段のレンズや収差補正
用のレンズやコイルが設けられている。また、光学系、
開口、レチクル、ウエハ及びステージ等の部材は、真空
容器１０内に納められており、露光時には真空容器１０
内は真空に保たれる。
学系６によって収束、偏向されて、ウエハ８上の所定の
位置にレチクル４のパターン像が結像される。このと
き、検出器１５でウエハステージ９上のアライメントマ
ークを検出して、ウエハ８の位置合わせを行っている。
なお、実際の投影光学系には、数段のレンズや収差補正
用のレンズやコイルが設けられている。また、光学系、
開口、レチクル、ウエハ及びステージ等の部材は、真空
容器１０内に納められており、露光時には真空容器１０
内は真空に保たれる。
【００２１】次に、電子線露光装置内の汚染物質除去の
原理について説明する。
原理について説明する。
【００２２】図２は、酸化チタン（ＴｉＯ2）のエネル
ギーバンド構造を示す図である。酸化チタンは光触媒材
料として知られており、紫外線２１を照射すると、部材
表面等に付着した有機汚染物質を分解する作用がある。
酸化チタンは約３．２ｅＶのバンドギャップを持つｎ型
半導体である。３．２ｅＶを光の波長に換算すると３８
０ｎｍに相当する。よって、３８０ｎｍよりも短波長の
光を吸収すると、価電子帯２２から伝導帯２３に電子２
４が励起され、価電子帯２２には正孔（ホール）２５が
生成される。正孔２５は真空容器内の水分子２６を酸化
してヒドロキシラジカル（・ＯＨ）２７を生成する。一
方、伝導帯２３の電子２４は酸素分子２８を還元してス
ーパーオキサイドイオン（Ｏ2 -）２９を生成する。真空
容器内に水蒸気又は酸素を導入し、紫外線を照射する
と、発生したヒドロキシラジカル２７やスーパーオキサ
イドイオン２９は、真空容器の内壁や真空容器内に配置
された部材に付着した炭化水素系の汚染物質と反応して
汚染物質を分解する。
ギーバンド構造を示す図である。酸化チタンは光触媒材
料として知られており、紫外線２１を照射すると、部材
表面等に付着した有機汚染物質を分解する作用がある。
酸化チタンは約３．２ｅＶのバンドギャップを持つｎ型
半導体である。３．２ｅＶを光の波長に換算すると３８
０ｎｍに相当する。よって、３８０ｎｍよりも短波長の
光を吸収すると、価電子帯２２から伝導帯２３に電子２
４が励起され、価電子帯２２には正孔（ホール）２５が
生成される。正孔２５は真空容器内の水分子２６を酸化
してヒドロキシラジカル（・ＯＨ）２７を生成する。一
方、伝導帯２３の電子２４は酸素分子２８を還元してス
ーパーオキサイドイオン（Ｏ2 -）２９を生成する。真空
容器内に水蒸気又は酸素を導入し、紫外線を照射する
と、発生したヒドロキシラジカル２７やスーパーオキサ
イドイオン２９は、真空容器の内壁や真空容器内に配置
された部材に付着した炭化水素系の汚染物質と反応して
汚染物質を分解する。
【００２３】再び図１を参照すると、本発明の電子線露
光装置では、真空容器１０の内壁及び真空容器１０内の
部材（例えば、コントラスト開口７やウエハステージ９
等）の表面に酸化チタンからなる光触媒層１６が成膜さ
れている。光触媒層１６は酸化チタンからなる層に限定
されるものではなく、上記の光触媒作用を有する物質か
らなる層であれば何でも良い。光触媒としては、酸化チ
タンの他に、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）や硫化カドミウ
ム（ＣｄＳ）等を用いることができる。また、光触媒層
は酸化チタン単体からなる層でも良いし、酸化チタンに
白金（Ｐｔ）やクロム（Ｃｒ）等の金属を添加した層と
しても良い。
光装置では、真空容器１０の内壁及び真空容器１０内の
部材（例えば、コントラスト開口７やウエハステージ９
等）の表面に酸化チタンからなる光触媒層１６が成膜さ
れている。光触媒層１６は酸化チタンからなる層に限定
されるものではなく、上記の光触媒作用を有する物質か
らなる層であれば何でも良い。光触媒としては、酸化チ
タンの他に、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）や硫化カドミウ
ム（ＣｄＳ）等を用いることができる。また、光触媒層
は酸化チタン単体からなる層でも良いし、酸化チタンに
白金（Ｐｔ）やクロム（Ｃｒ）等の金属を添加した層と
しても良い。
【００２４】さらに、紫外線照射装置１１が真空容器１
０内に配置されており、紫外線照射装置１１からの紫外
線を真空容器１０の内壁及び真空容器１０内の部材に照
射できるようになっている。紫外線照射装置１１として
は、例えば、水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、Ｘｅ
Ｃｌエキシマレーザ、窒素レーザ等の紫外線を照射する
手段を用いることができる。
０内に配置されており、紫外線照射装置１１からの紫外
線を真空容器１０の内壁及び真空容器１０内の部材に照
射できるようになっている。紫外線照射装置１１として
は、例えば、水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、Ｘｅ
Ｃｌエキシマレーザ、窒素レーザ等の紫外線を照射する
手段を用いることができる。
【００２５】また、ボンベ１２からガス導入管１３を通
して、水蒸気及び／又は酸素を真空容器１０の内部に導
入できるようになっている。
して、水蒸気及び／又は酸素を真空容器１０の内部に導
入できるようになっている。
【００２６】電子線露光装置内に付着した汚染物質の量
を検出し、あるレベルに達した場合、露光工程を停止し
て水蒸気及び／又は酸素を真空容器１０の内部に導入す
る。次に、紫外線照射装置１１から真空容器１０の内壁
及び真空容器１０内の部材に紫外線を照射する。内壁や
部材の表面には光触媒層１６が成膜されているので、そ
の光触媒作用によって炭化水素系の汚染物質を分解する
ことができる。分解された汚染物質はポンプ１４によっ
て真空容器１０の外に排気される。汚染物質を除去する
ために露光装置を分解する必要がないので、その後すぐ
に露光工程を再開することができる。
を検出し、あるレベルに達した場合、露光工程を停止し
て水蒸気及び／又は酸素を真空容器１０の内部に導入す
る。次に、紫外線照射装置１１から真空容器１０の内壁
及び真空容器１０内の部材に紫外線を照射する。内壁や
部材の表面には光触媒層１６が成膜されているので、そ
の光触媒作用によって炭化水素系の汚染物質を分解する
ことができる。分解された汚染物質はポンプ１４によっ
て真空容器１０の外に排気される。汚染物質を除去する
ために露光装置を分解する必要がないので、その後すぐ
に露光工程を再開することができる。
【００２７】また、３８０ｎｍ以下の波長の紫外線を照
射する際に、同時に電子線を照射しても良い。水蒸気や
酸素雰囲気中で電子線を照射すると、ヒドロキシラジカ
ルや酸素ラジカルが生じ、真空容器内の汚染物質を分解
することができる。この電子線照射による汚染物質の分
解と、酸化チタンの光触媒作用を併用することで、分解
効率はさらに高くなり、汚染物質の除去に要する時間を
短縮することができる。
射する際に、同時に電子線を照射しても良い。水蒸気や
酸素雰囲気中で電子線を照射すると、ヒドロキシラジカ
ルや酸素ラジカルが生じ、真空容器内の汚染物質を分解
することができる。この電子線照射による汚染物質の分
解と、酸化チタンの光触媒作用を併用することで、分解
効率はさらに高くなり、汚染物質の除去に要する時間を
短縮することができる。
【００２８】（実施例１）電子線露光装置１７の真空容
器１０内に、厚さ２０００Åの酸化チタンからなる光触
媒層１６を成膜したコントラスト開口７を配置し、電子
線照射によって炭化水素系の汚染物質を付着させた。汚
染物質によるチャージアップのために、電子線２の軌道
に乱れが生じてしまった。そこで、ボンベ１２からガス
導入管１３を通して、真空容器１０内に水蒸気を導入し
（水蒸気圧６００Ｐａ）、水銀ランプで波長２５４ｎｍ
の紫外線をコントラスト開口７に照射したところ、コン
トラスト開口７に付着していた汚染物質を分解して除去
することができた。その結果、電子線２の軌道の乱れが
無くなり、回路パターンをウエハ上に正確に転写するこ
とができるようになった。
器１０内に、厚さ２０００Åの酸化チタンからなる光触
媒層１６を成膜したコントラスト開口７を配置し、電子
線照射によって炭化水素系の汚染物質を付着させた。汚
染物質によるチャージアップのために、電子線２の軌道
に乱れが生じてしまった。そこで、ボンベ１２からガス
導入管１３を通して、真空容器１０内に水蒸気を導入し
（水蒸気圧６００Ｐａ）、水銀ランプで波長２５４ｎｍ
の紫外線をコントラスト開口７に照射したところ、コン
トラスト開口７に付着していた汚染物質を分解して除去
することができた。その結果、電子線２の軌道の乱れが
無くなり、回路パターンをウエハ上に正確に転写するこ
とができるようになった。
【００２９】（実施例２）電子線露光装置１７のウエハ
ステージ９上のアライメントマークに、厚さ２０００Å
の酸化チタンからなる光触媒層１６を成膜し、電子線照
射によって炭化水素系の汚染物質を付着させた。汚染物
質により、アライメントマークを検出器１５で検出する
ことが困難になり、正確な位置合わせを行うことができ
なくなった。そこで、ボンベ１２からガス導入管１３を
通して、真空容器１０内に水蒸気を導入し（水蒸気圧４
００Ｐａ）、窒素レーザで波長３３７ｎｍの光をアライ
メントマーク部に照射したところ、アライメントマーク
に付着していた汚染物質を分解して除去することができ
た。その結果、高精度な位置合わせを行うことができる
ようになり、回路パターンをウエハ上に正確に転写する
ことができるようになった。
ステージ９上のアライメントマークに、厚さ２０００Å
の酸化チタンからなる光触媒層１６を成膜し、電子線照
射によって炭化水素系の汚染物質を付着させた。汚染物
質により、アライメントマークを検出器１５で検出する
ことが困難になり、正確な位置合わせを行うことができ
なくなった。そこで、ボンベ１２からガス導入管１３を
通して、真空容器１０内に水蒸気を導入し（水蒸気圧４
００Ｐａ）、窒素レーザで波長３３７ｎｍの光をアライ
メントマーク部に照射したところ、アライメントマーク
に付着していた汚染物質を分解して除去することができ
た。その結果、高精度な位置合わせを行うことができる
ようになり、回路パターンをウエハ上に正確に転写する
ことができるようになった。
【００３０】以上、本発明の実施の形態に係る荷電粒子
線露光装置及び露光方法について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、様々な変更を加えるこ
とができる。
線露光装置及び露光方法について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、様々な変更を加えるこ
とができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の荷電粒子
線露光装置及び露光方法によれば、真空容器内に付着し
た汚染物質を除去する場合に、露光装置を分解する必要
がないので、スループットの低下を抑えることができ
る。
線露光装置及び露光方法によれば、真空容器内に付着し
た汚染物質を除去する場合に、露光装置を分解する必要
がないので、スループットの低下を抑えることができ
る。
【図１】本発明の実施の形態に係る電子線露光装置の構
成図である。
成図である。
【図２】酸化チタン（ＴｉＯ2）のエネルギーバンド構
造を示す図である。
造を示す図である。
１・・・電子銃
２・・・電子線
３・・・照明光学系
４・・・レチクル
５・・・レチクルステージ
６・・・投影光学系
７・・・コントラスト開口
８・・・ウェハ
９・・・ウェハステージ
１０・・・真空容器
１１・・・紫外線照射装置
１２・・・ボンベ
１３・・・ガス導入管
１４・・・ポンプ
１５・・・検出器
１６・・・光触媒層
１７・・・電子線露光装置
２１・・・紫外線
２２・・・価電子帯
２３・・・伝導帯
２４・・・電子
２５・・・正孔（ホール）
２６・・・水分子
２７・・・ヒドロキシラジカル（・ＯＨ）
２８・・・酸素分子
２９・・・スーパーオキサイドイオン（Ｏ2 -）
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器内でパターンが形成されたレチ
クルに荷電粒子線を照射して、前記パターンの像を感応
基板上に結像する荷電粒子線露光装置において、 前記真空容器の内壁及び真空容器内に配置された部材の
うちの少なくとも一部の表面に光触媒層を設けているこ
と、 前記真空容器内に紫外線を照射する手段を配置している
こと、を特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の荷電粒子線露光装置に
おいて、 前記光触媒層は酸化チタンからなる層であることを特徴
とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の荷電粒子線露光
装置において、 前記真空容器の内部に酸素を導入する手段を有すること
を特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の荷電
粒子線露光装置において、 前記真空容器の内部に水蒸気を導入する手段を有するこ
とを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の荷電
粒子線露光装置を用いて、レチクルに形成されたパター
ンを感応基板上に投影結像することを特徴とする露光方
法。
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