JP2003115381A - 有機材料の取扱い方法及び有機層の形成方法 - Google Patents
有機材料の取扱い方法及び有機層の形成方法Info
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機発光デバイス(OLED)の一部となる構造体
の上に有機層を形成させるのに適した有機材料の取扱い
方法を提供すること。 【解決手段】 有機発光デバイスの一部となる構造体の
上に有機層を形成させるのに適した有機材料の取扱い方
法であって、 a)当該有機材料を粉末形態で用意し、 b)該有機粉末をダイに入れ、該ダイ内の該有機粉末に、
該有機粉末が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかけ、そして c)該ペレットを該ダイから取り出すことを特徴とする方
法。
の上に有機層を形成させるのに適した有機材料の取扱い
方法を提供すること。 【解決手段】 有機発光デバイスの一部となる構造体の
上に有機層を形成させるのに適した有機材料の取扱い方
法であって、 a)当該有機材料を粉末形態で用意し、 b)該有機粉末をダイに入れ、該ダイ内の該有機粉末に、
該有機粉末が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかけ、そして c)該ペレットを該ダイから取り出すことを特徴とする方
法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に有機発光デ
バイス(OLED)の製造方法に関し、より詳細には、有機材
料粉末から固形ペレットを形成する方法、及びこのよう
なペレットを熱物理蒸着法において使用してOLEDの一部
となる構造体の上に有機層を形成する方法に関する。
バイス(OLED)の製造方法に関し、より詳細には、有機材
料粉末から固形ペレットを形成する方法、及びこのよう
なペレットを熱物理蒸着法において使用してOLEDの一部
となる構造体の上に有機層を形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】有機発光デバイスは、有機エレクトロル
ミネセントデバイスとも呼ばれているが、2以上の有機
層を第1電極と第2電極との間に挟み込むことにより構
築することができる。従来構成のパッシブ型有機発光デ
バイス(OLED)では、ガラス基板のような透光性基板の上
に第1電極として複数の透光性アノード、例えば、イン
ジウム錫酸化物(ITO)アノードを、横方向に間隔を置い
て並べて形成する。次いで、2以上の有機層を、減圧
(典型的には10-3Torr未満に)保持されたチャンバ内
で、それぞれの蒸着源からそれぞれの有機材料を続けて
蒸着することにより形成する。これら有機層の最上部の
ものの上に、第2電極として複数のカソードを横方向に
間隔を置いて並べて蒸着する。カソードは、アノードに
対して一定の角度で、典型的には直角に、配向される。
ミネセントデバイスとも呼ばれているが、2以上の有機
層を第1電極と第2電極との間に挟み込むことにより構
築することができる。従来構成のパッシブ型有機発光デ
バイス(OLED)では、ガラス基板のような透光性基板の上
に第1電極として複数の透光性アノード、例えば、イン
ジウム錫酸化物(ITO)アノードを、横方向に間隔を置い
て並べて形成する。次いで、2以上の有機層を、減圧
(典型的には10-3Torr未満に)保持されたチャンバ内
で、それぞれの蒸着源からそれぞれの有機材料を続けて
蒸着することにより形成する。これら有機層の最上部の
ものの上に、第2電極として複数のカソードを横方向に
間隔を置いて並べて蒸着する。カソードは、アノードに
対して一定の角度で、典型的には直角に、配向される。
【0003】このような従来のパッシブ型有機発光デバ
イスは、特定のカラム(アノード)と、順次方式で各ロ
ウ(カソード)との間に電場(駆動電圧とも呼ばれる)
を印加することにより動作する。アノードに対してカソ
ードを負にバイアスすると、カソードとアノードの重な
り領域により画定された画素から光が放出され、そして
放出された光はアノードと基板を通って観察者に到達す
る。
イスは、特定のカラム(アノード)と、順次方式で各ロ
ウ(カソード)との間に電場(駆動電圧とも呼ばれる)
を印加することにより動作する。アノードに対してカソ
ードを負にバイアスすると、カソードとアノードの重な
り領域により画定された画素から光が放出され、そして
放出された光はアノードと基板を通って観察者に到達す
る。
【0004】アクティブ型有機発光デバイス(OLED)で
は、対応する透光部に接続されている薄膜トランジスタ
(TFT)によって第1電極としてアレイ状のアノードが設
けられる。2以上の有機層は、上述したパッシブ型デバ
イスの構築法と実質的に同様に、蒸着法により続けて形
成される。有機層の最上部のものの上には、第2電極と
して、共通のカソードを蒸着する。アクティブ型有機発
光デバイスの構成及び機能については米国特許第5,550,
066号に記載されており、これを参照することによりそ
の開示内容を本明細書の一部とする。
は、対応する透光部に接続されている薄膜トランジスタ
(TFT)によって第1電極としてアレイ状のアノードが設
けられる。2以上の有機層は、上述したパッシブ型デバ
イスの構築法と実質的に同様に、蒸着法により続けて形
成される。有機層の最上部のものの上には、第2電極と
して、共通のカソードを蒸着する。アクティブ型有機発
光デバイスの構成及び機能については米国特許第5,550,
066号に記載されており、これを参照することによりそ
の開示内容を本明細書の一部とする。
【0005】有機発光デバイスを構築する上で有用とな
る有機材料、蒸着有機層の厚さ、及び層構成について
は、例えば、米国特許第4,356,429号、同第4,539,507
号、同第4,720,432号及び同第4,769,292号に記載されて
おり、これらを参照することによりその開示内容を本明
細書の一部とする。
る有機材料、蒸着有機層の厚さ、及び層構成について
は、例えば、米国特許第4,356,429号、同第4,539,507
号、同第4,720,432号及び同第4,769,292号に記載されて
おり、これらを参照することによりその開示内容を本明
細書の一部とする。
【0006】OLEDの製造に有用な有機材料、例えば、有
機正孔輸送材料、有機ドーパントを予備ドーピングした
有機発光材料、及び有機電子輸送材料は、比較的分子構
造が複雑な上、分子結合力が弱いものもあるため、当該
有機材料が蒸着工程で分解しないように注意しなければ
ならない。
機正孔輸送材料、有機ドーパントを予備ドーピングした
有機発光材料、及び有機電子輸送材料は、比較的分子構
造が複雑な上、分子結合力が弱いものもあるため、当該
有機材料が蒸着工程で分解しないように注意しなければ
ならない。
【0007】上述の有機材料は、比較的高純度のものと
して合成され、また粉末、フレーク又はグラニュールの
形態で提供される。従来、このような粉末やフレークを
使用して熱物理蒸着源に入れることにより当該有機材料
の昇華又は気化による蒸気形成を行い、その蒸気を構造
体表面に凝縮させてその上に有機層を設けていた。
して合成され、また粉末、フレーク又はグラニュールの
形態で提供される。従来、このような粉末やフレークを
使用して熱物理蒸着源に入れることにより当該有機材料
の昇華又は気化による蒸気形成を行い、その蒸気を構造
体表面に凝縮させてその上に有機層を設けていた。
【0008】熱物理蒸着法において有機粉末、フレーク
又はグラニュールを使用することにはいくつかの問題が
認められている。 (1)粉末、フレーク又はグラニュールは、摩擦帯電と呼
ばれる過程により静電気を帯び易いため、取扱いが困難
である。 (2)一般に粉末、フレーク又はグラニュール状の有機材
料は、物理的密度(単位容積当たりの質量)が約0.05〜
約0.2 g/m3の範囲にあり、理想的な固体の有機材料の物
理的密度約1g/m3に比べ低くなる。 (3)粉末、フレーク又はグラニュール状の有機材料は、
特に10-6Torr程度にまで減圧されたチャンバ内に配置さ
れた蒸着源に入れられた場合、熱伝導性が望ましくない
ほど低くなる。このため、粉末粒子、フレーク又はグラ
ニュールは、加熱された蒸着源からの輻射加熱と、蒸着
源の加熱表面に直に接している粒子やフレークの伝導加
熱とによってのみ加熱される。蒸着源の加熱表面に接し
ていない粉末粒子、フレーク又はグラニュールは、粒子
間の接触面積が比較的小さいため、伝導加熱によっては
効果的に加熱されない。 (4)粉末、フレーク又はグラニュールは、当該粒子の表
面積/体積比が比較的高く、これに相応して周囲条件下
で粒子間に空気及び/又は水分を連行する傾向も高くな
る。このため、チャンバ内に配置された蒸着源に装入さ
れた有機粉末、フレーク又はグラニュールは、該チャン
バを排気して減圧にした後、該蒸着源を予備加熱するこ
とにより徹底的にガス抜きする必要がある。ガス抜きを
省いたり、ガス抜きが不完全であると、構造体上に有機
層を蒸着する際に蒸着源から蒸気流と共に粒子が押し出
されてくる場合がある。複数の有機層を有するOLEDは、
このような層が粒子や粒状物を含むと、機能しなくなる
おそれがある。
又はグラニュールを使用することにはいくつかの問題が
認められている。 (1)粉末、フレーク又はグラニュールは、摩擦帯電と呼
ばれる過程により静電気を帯び易いため、取扱いが困難
である。 (2)一般に粉末、フレーク又はグラニュール状の有機材
料は、物理的密度(単位容積当たりの質量)が約0.05〜
約0.2 g/m3の範囲にあり、理想的な固体の有機材料の物
理的密度約1g/m3に比べ低くなる。 (3)粉末、フレーク又はグラニュール状の有機材料は、
特に10-6Torr程度にまで減圧されたチャンバ内に配置さ
れた蒸着源に入れられた場合、熱伝導性が望ましくない
ほど低くなる。このため、粉末粒子、フレーク又はグラ
ニュールは、加熱された蒸着源からの輻射加熱と、蒸着
源の加熱表面に直に接している粒子やフレークの伝導加
熱とによってのみ加熱される。蒸着源の加熱表面に接し
ていない粉末粒子、フレーク又はグラニュールは、粒子
間の接触面積が比較的小さいため、伝導加熱によっては
効果的に加熱されない。 (4)粉末、フレーク又はグラニュールは、当該粒子の表
面積/体積比が比較的高く、これに相応して周囲条件下
で粒子間に空気及び/又は水分を連行する傾向も高くな
る。このため、チャンバ内に配置された蒸着源に装入さ
れた有機粉末、フレーク又はグラニュールは、該チャン
バを排気して減圧にした後、該蒸着源を予備加熱するこ
とにより徹底的にガス抜きする必要がある。ガス抜きを
省いたり、ガス抜きが不完全であると、構造体上に有機
層を蒸着する際に蒸着源から蒸気流と共に粒子が押し出
されてくる場合がある。複数の有機層を有するOLEDは、
このような層が粒子や粒状物を含むと、機能しなくなる
おそれがある。
【0009】上述した有機粉末、フレーク又はグラニュ
ールの側面のそれぞれが、又は組合せが、物理蒸着源内
の当該有機材料の不均一な加熱を招き、ひいては有機材
料が空間的に不均一に昇華又は気化することになり得る
ため、構造体上に形成される蒸着有機層が不均一となる
おそれがある。
ールの側面のそれぞれが、又は組合せが、物理蒸着源内
の当該有機材料の不均一な加熱を招き、ひいては有機材
料が空間的に不均一に昇華又は気化することになり得る
ため、構造体上に形成される蒸着有機層が不均一となる
おそれがある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、有機
発光デバイス(OLED)の一部となる構造体の上に有機層を
形成させるのに適した有機材料の取扱い方法を提供する
ことにある。本発明の別の目的は、有機粉末を団結させ
て固形ペレットにする方法を提供することにある。本発
明のさらに別の目的は、OLEDの一部となる構造体の上に
有機材料の固形ペレットから有機層を形成する方法を提
供することにある。本発明のさらに別の目的は、昇華性
有機材料粉末と熱伝導性非昇華性材料粉末との混合物を
団結させて固形ペレットにする方法を提供することにあ
る。
発光デバイス(OLED)の一部となる構造体の上に有機層を
形成させるのに適した有機材料の取扱い方法を提供する
ことにある。本発明の別の目的は、有機粉末を団結させ
て固形ペレットにする方法を提供することにある。本発
明のさらに別の目的は、OLEDの一部となる構造体の上に
有機材料の固形ペレットから有機層を形成する方法を提
供することにある。本発明のさらに別の目的は、昇華性
有機材料粉末と熱伝導性非昇華性材料粉末との混合物を
団結させて固形ペレットにする方法を提供することにあ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、一側面とし
て、有機発光デバイスの一部となる構造体の上に有機層
を形成させるのに適した有機材料の取扱い方法であっ
て、 a)当該有機材料を粉末形態で用意し、 b)該有機粉末をダイに入れ、該ダイ内の該有機粉末に、
該有機粉末が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかけ、そして c)該ペレットを該ダイから取り出すことを特徴とする方
法を提供するものである。本発明は、別の側面として、
有機発光デバイスの一部となる構造体の上に有機材料か
ら有機層を形成する方法であって、 a)当該有機材料を粉末形態で用意し、 b)該有機粉末をダイに入れ、該ダイ内の該有機粉末に、
該有機粉末が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかけ、 c)該ペレットを該ダイから取り出し、 d)該ペレットを、チャンバ内に配置された熱物理蒸着源
に入れ、 e)該構造体を、該チャンバ内に、該蒸着源から一定の間
隔を置いて配置し、 f)該チャンバを排気して減圧にし、そして g)該蒸着源を加熱して該ペレットの一部を昇華させるこ
とにより該有機材料の蒸気を提供し、該蒸気により該構
造体の上に該有機層を形成させることを特徴とする方法
を提供するものである。
て、有機発光デバイスの一部となる構造体の上に有機層
を形成させるのに適した有機材料の取扱い方法であっ
て、 a)当該有機材料を粉末形態で用意し、 b)該有機粉末をダイに入れ、該ダイ内の該有機粉末に、
該有機粉末が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかけ、そして c)該ペレットを該ダイから取り出すことを特徴とする方
法を提供するものである。本発明は、別の側面として、
有機発光デバイスの一部となる構造体の上に有機材料か
ら有機層を形成する方法であって、 a)当該有機材料を粉末形態で用意し、 b)該有機粉末をダイに入れ、該ダイ内の該有機粉末に、
該有機粉末が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかけ、 c)該ペレットを該ダイから取り出し、 d)該ペレットを、チャンバ内に配置された熱物理蒸着源
に入れ、 e)該構造体を、該チャンバ内に、該蒸着源から一定の間
隔を置いて配置し、 f)該チャンバを排気して減圧にし、そして g)該蒸着源を加熱して該ペレットの一部を昇華させるこ
とにより該有機材料の蒸気を提供し、該蒸気により該構
造体の上に該有機層を形成させることを特徴とする方法
を提供するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】本明細書中の用語「粉末」及び
「粉末形態」は、フレーク形、グラニュール形又は粒子
形態が異なるものの混合物であってもよい個別粒体の集
まりをさす。
「粉末形態」は、フレーク形、グラニュール形又は粒子
形態が異なるものの混合物であってもよい個別粒体の集
まりをさす。
【0013】図1に、各種層を示すため要素の一部を剥
ぎ取ったパッシブ型有機発光デバイス(OLED)10の略透
視図を示す。透光性基板11の表面に、横方向に間隔を
置いて並べられた複数の第1電極12(アノードとも呼
ばれる)が形成されている。詳しく後述するように、有
機正孔輸送層(HTL)13と、有機発光層(LEL)14と、有
機電子輸送層(ETL)15とが物理蒸着法により逐次形成
されている。横方向に間隔を置いて並べられた第2電極
(カソードとも呼ばれる)は、有機電子輸送層15の上
に、該第1電極12と実質的に直交する方向において形
成されている。当該構造体の環境的影響を受ける部分を
封入体又はカバー18でシールすることにより、OLED完
成品10が提供される。
ぎ取ったパッシブ型有機発光デバイス(OLED)10の略透
視図を示す。透光性基板11の表面に、横方向に間隔を
置いて並べられた複数の第1電極12(アノードとも呼
ばれる)が形成されている。詳しく後述するように、有
機正孔輸送層(HTL)13と、有機発光層(LEL)14と、有
機電子輸送層(ETL)15とが物理蒸着法により逐次形成
されている。横方向に間隔を置いて並べられた第2電極
(カソードとも呼ばれる)は、有機電子輸送層15の上
に、該第1電極12と実質的に直交する方向において形
成されている。当該構造体の環境的影響を受ける部分を
封入体又はカバー18でシールすることにより、OLED完
成品10が提供される。
【0014】図2に、比較的多数の有機発光デバイスを
製造するのに適した装置であって、緩衝ハブ102及び
移送ハブ104から延在する複数のステーション間で基
板又は構造体を輸送又は移送するための自動化手段又は
ロボット手段(図示なし)を使用する装置100の略透
視図を示す。ハブ102、104の内部及びこれらのハ
ブから延在する各ステーションの内部の減圧は、ポンプ
口107を介して真空ポンプ106が提供する。装置1
00の内部の減圧は、圧力ゲージ108が指示する。当
該圧力は約10-3〜10-6Torrの範囲内とすることがで
きる。
製造するのに適した装置であって、緩衝ハブ102及び
移送ハブ104から延在する複数のステーション間で基
板又は構造体を輸送又は移送するための自動化手段又は
ロボット手段(図示なし)を使用する装置100の略透
視図を示す。ハブ102、104の内部及びこれらのハ
ブから延在する各ステーションの内部の減圧は、ポンプ
口107を介して真空ポンプ106が提供する。装置1
00の内部の減圧は、圧力ゲージ108が指示する。当
該圧力は約10-3〜10-6Torrの範囲内とすることがで
きる。
【0015】該ステーションには、基板又は構造体を装
填するための装填ステーション110、有機正孔輸送層
(HTL)を形成するための蒸着ステーション130、有機
発光層(LEL)を形成するための蒸着ステーション14
0、有機電子輸送層(ETL)を形成するための蒸着ステー
ション150、複数の第2電極(カソード)を形成する
ための蒸着ステーション160、構造体を緩衝ハブ10
2から移送ハブ104(これが順に保存ステーション1
70を提供する)へ移送するための取出ステーション1
03及び該ハブ104に接合口105を介して連結され
ている封入ステーション180が含まれる。これらステ
ーションの各々は、それぞれハブ102及び104の中
に延在する開放口を有し、そして各ステーションは、洗
浄用、材料補充用、及び部品交換・修理用のステーショ
ンへのアクセスを提供するための真空シールされたポー
ト(図示なし)を有する。各ステーションは、チャンバ
を画定するハウジングを含む。
填するための装填ステーション110、有機正孔輸送層
(HTL)を形成するための蒸着ステーション130、有機
発光層(LEL)を形成するための蒸着ステーション14
0、有機電子輸送層(ETL)を形成するための蒸着ステー
ション150、複数の第2電極(カソード)を形成する
ための蒸着ステーション160、構造体を緩衝ハブ10
2から移送ハブ104(これが順に保存ステーション1
70を提供する)へ移送するための取出ステーション1
03及び該ハブ104に接合口105を介して連結され
ている封入ステーション180が含まれる。これらステ
ーションの各々は、それぞれハブ102及び104の中
に延在する開放口を有し、そして各ステーションは、洗
浄用、材料補充用、及び部品交換・修理用のステーショ
ンへのアクセスを提供するための真空シールされたポー
ト(図示なし)を有する。各ステーションは、チャンバ
を画定するハウジングを含む。
【0016】図3は、図2の分断線3−3に沿って切断
された装填ステーション110の略断面図である。装填
ステーション110は、チャンバ110Cを画定するハ
ウジング110Hを有する。該チャンバの内部には、予
め第1電極12を形成しておいた複数の基板11(図1
参照)を担持するように設計されたキャリヤ111が配
置されている。複数のアクティブ型構造体を支持するた
めの別のキャリヤ111を提供することもできる。キャ
リヤ111は、取出ステーション103及び保存ステー
ション170においても提供されることができる。
された装填ステーション110の略断面図である。装填
ステーション110は、チャンバ110Cを画定するハ
ウジング110Hを有する。該チャンバの内部には、予
め第1電極12を形成しておいた複数の基板11(図1
参照)を担持するように設計されたキャリヤ111が配
置されている。複数のアクティブ型構造体を支持するた
めの別のキャリヤ111を提供することもできる。キャ
リヤ111は、取出ステーション103及び保存ステー
ション170においても提供されることができる。
【0017】図4(A)〜(F)に、ダイプレス500の中に
配置された金型520において有機正孔輸送材料13a
の粉末を団結させることにより有機正孔輸送材料の固形
ペレット13pを形成するための一連の処理工程を略示
する。ダイプレス500は、支持体516に取り付けら
れた可動プラットフォーム514と固定プラットフォー
ム512を含む。可動プラットフォーム514は液圧手
段(図示なし)によって駆動されることができ、そして
金型520及び下部ダイ522を支持する。
配置された金型520において有機正孔輸送材料13a
の粉末を団結させることにより有機正孔輸送材料の固形
ペレット13pを形成するための一連の処理工程を略示
する。ダイプレス500は、支持体516に取り付けら
れた可動プラットフォーム514と固定プラットフォー
ム512を含む。可動プラットフォーム514は液圧手
段(図示なし)によって駆動されることができ、そして
金型520及び下部ダイ522を支持する。
【0018】図4(A)において、粉末状、フレーク状又
はグラニュール状の有機正孔輸送材料13aを金型52
0の中に下部ダイ522の上のレベル13bまで充填す
る。加熱コイル530は金型520を約20℃の周囲温
度から約300℃の温度にまで加熱することができ、ま
た少なくとも1つの冷却コイル540は、加熱された金
型を相対的に迅速に、例えば300℃の温度から80℃
の温度又は周囲温度にまで、冷却することができる。金
型はまた、誘導加熱されることもできる。
はグラニュール状の有機正孔輸送材料13aを金型52
0の中に下部ダイ522の上のレベル13bまで充填す
る。加熱コイル530は金型520を約20℃の周囲温
度から約300℃の温度にまで加熱することができ、ま
た少なくとも1つの冷却コイル540は、加熱された金
型を相対的に迅速に、例えば300℃の温度から80℃
の温度又は周囲温度にまで、冷却することができる。金
型はまた、誘導加熱されることもできる。
【0019】図4(B)において、上部ダイ524を金型
520内に配置して、有機粉末13aの上面(充填レベ
ル13b)と接触させる。金型520の内面521は磨
き面であり、そして少なくとも下部ダイ522の表面5
23及び上部ダイ524の表面525は磨き面である。
本明細書では、金型と下部ダイと上部ダイをまとめてダ
イと称する場合もある。
520内に配置して、有機粉末13aの上面(充填レベ
ル13b)と接触させる。金型520の内面521は磨
き面であり、そして少なくとも下部ダイ522の表面5
23及び上部ダイ524の表面525は磨き面である。
本明細書では、金型と下部ダイと上部ダイをまとめてダ
イと称する場合もある。
【0020】図4(C)に、可動プラットフォーム514
を固定プラットフォーム512に向けて上方に駆動させ
た状態を示す。ダイプレス500で上部ダイ及び下部ダ
イに圧力をかけることにより、金型内部の有機粉末材料
13aを団結させて固形ペレット13pにする。図4
(D)に、可動プラットフォーム514を下降させ、そし
て上部ダイ524を金型から取り外した状態を示す。ペ
レットの形成前又は形成中に金型を加熱した場合には、
少なくとも1つの冷却コイル540により温度を80℃
〜20℃の範囲内に冷却した上で金型から上部ダイ52
4を取り外す。
を固定プラットフォーム512に向けて上方に駆動させ
た状態を示す。ダイプレス500で上部ダイ及び下部ダ
イに圧力をかけることにより、金型内部の有機粉末材料
13aを団結させて固形ペレット13pにする。図4
(D)に、可動プラットフォーム514を下降させ、そし
て上部ダイ524を金型から取り外した状態を示す。ペ
レットの形成前又は形成中に金型を加熱した場合には、
少なくとも1つの冷却コイル540により温度を80℃
〜20℃の範囲内に冷却した上で金型から上部ダイ52
4を取り外す。
【0021】図4(E)に、ダイプレス500から金型5
20を取り外し、そして金型520から下部ダイ522
を取り外した状態を示す。例示目的にすぎないが、有機
正孔輸送材料のペレット13pは、金型の内面521に
付着した状態で示されている。図4(F)に、金型から固
形ペレット13pを取り外すためにペレットプランジャ
550を使用している状態を示す。ペレットは、ペレッ
トへのダメージを極力抑えるため、コンプライアントな
容器560に捕捉される。
20を取り外し、そして金型520から下部ダイ522
を取り外した状態を示す。例示目的にすぎないが、有機
正孔輸送材料のペレット13pは、金型の内面521に
付着した状態で示されている。図4(F)に、金型から固
形ペレット13pを取り外すためにペレットプランジャ
550を使用している状態を示す。ペレットは、ペレッ
トへのダメージを極力抑えるため、コンプライアントな
容器560に捕捉される。
【0022】ダイプレス500において加圧前又は加圧
中に金型520を加熱すると、短期の加圧インターバル
中に、又はその代わりに一層低い圧力で、ペレットの密
度を高めることができる。金型温度の好適な範囲は20
℃〜300℃に及ぶ。ペレット13pを金型520から
取り出す前に、好ましくは上部ダイ524を金型520
から取り外す前に、金型を80℃〜20℃の好適な温度
範囲に冷却する。
中に金型520を加熱すると、短期の加圧インターバル
中に、又はその代わりに一層低い圧力で、ペレットの密
度を高めることができる。金型温度の好適な範囲は20
℃〜300℃に及ぶ。ペレット13pを金型520から
取り出す前に、好ましくは上部ダイ524を金型520
から取り外す前に、金型を80℃〜20℃の好適な温度
範囲に冷却する。
【0023】有機正孔輸送材料13aの粉末、フレーク
又はグラニュールは、1種以上の正孔輸送ホスト材料と
1種以上の有機ドーパント材料との混合物を含むことが
できる。このような混合物を団結させたペレット13p
を熱物理蒸着源の中に配置することにより、ドープされ
た有機正孔輸送層13(図1参照)を構造体の上に形成
することができる。このようなドープされた層又は二次
層は、譲受人共通のTukaram K. Hatwarらの米国特許出
願第09/875,646号(出願日:2001年6月6日、発明の名
称「Organic Light-Emitting Device Having a Color-N
eutral Dopantin a Hole-Transport Layer and/or in a
n Electron-Transport Layer」)に開示されているよう
に、OLEDの発光動作安定性を高めることが示されてい
る。
又はグラニュールは、1種以上の正孔輸送ホスト材料と
1種以上の有機ドーパント材料との混合物を含むことが
できる。このような混合物を団結させたペレット13p
を熱物理蒸着源の中に配置することにより、ドープされ
た有機正孔輸送層13(図1参照)を構造体の上に形成
することができる。このようなドープされた層又は二次
層は、譲受人共通のTukaram K. Hatwarらの米国特許出
願第09/875,646号(出願日:2001年6月6日、発明の名
称「Organic Light-Emitting Device Having a Color-N
eutral Dopantin a Hole-Transport Layer and/or in a
n Electron-Transport Layer」)に開示されているよう
に、OLEDの発光動作安定性を高めることが示されてい
る。
【0024】ドープされた有機発光層を構造体上に蒸着
するのに有効なドーパントは、譲受人共通のChing W. T
angらの米国特許第4,769,292号及び同第5,294,870号に
記載されている。予備ドープされた有機発光材料、及び
それから蒸着法により形成されたドープ型発光層は、譲
受人共通のJianmin Shiの米国特許出願第09/574,949号
(出願日:2000年5月19日、発明の名称「Predoped Mat
erials for Making an Organic Light-Emitting Devic
e」)に記載されている。
するのに有効なドーパントは、譲受人共通のChing W. T
angらの米国特許第4,769,292号及び同第5,294,870号に
記載されている。予備ドープされた有機発光材料、及び
それから蒸着法により形成されたドープ型発光層は、譲
受人共通のJianmin Shiの米国特許出願第09/574,949号
(出願日:2000年5月19日、発明の名称「Predoped Mat
erials for Making an Organic Light-Emitting Devic
e」)に記載されている。
【0025】下部ダイ522と、金型520と、上部ダ
イ524の少なくとも一部とを取り囲むために着脱可能
なシュラウド(図示なし)を使用してもよい。シュラウ
ド及びこれに囲まれた要素は、排気されて減圧にされる
ことができる。別法として、シュラウド内に不活性ガス
を導入してシュラウド内部の雰囲気を不活性に、すなわ
ち化学的に非反応性にすることにより、金型を300℃
まで加熱する場合に有機粉末(例、13a)及びそれか
ら形成されるペレット(例、13p)を分解から保護す
ることもできる。
イ524の少なくとも一部とを取り囲むために着脱可能
なシュラウド(図示なし)を使用してもよい。シュラウ
ド及びこれに囲まれた要素は、排気されて減圧にされる
ことができる。別法として、シュラウド内に不活性ガス
を導入してシュラウド内部の雰囲気を不活性に、すなわ
ち化学的に非反応性にすることにより、金型を300℃
まで加熱する場合に有機粉末(例、13a)及びそれか
ら形成されるペレット(例、13p)を分解から保護す
ることもできる。
【0026】ダイ表面523及び525は平面とするこ
とができる。別法として、下部ダイ522の表面523
もしくは上部ダイ524の表面525を凸形面とするこ
と、又は表面523及び525の両方を凸形とすること
により、固形ペレットが、それぞれ、主要共平面、1つ
の主要平面と1つの主要凸形面、又は2つの主要凸形面
を有することもできる。
とができる。別法として、下部ダイ522の表面523
もしくは上部ダイ524の表面525を凸形面とするこ
と、又は表面523及び525の両方を凸形とすること
により、固形ペレットが、それぞれ、主要共平面、1つ
の主要平面と1つの主要凸形面、又は2つの主要凸形面
を有することもできる。
【0027】図5(A)〜(E)に、図4(A)〜(D)のダイプレ
ス500において、金型520並びに対応する上部ダイ
524及び下部ダイ522を選定することにより容易に
形成することができる有機材料の固形ペレットの形状を
例示する。図5(A)は、2つの主要共平面13pA−1
及び13pA−2を有する有機正孔輸送材料の円形ペレ
ット13pAを示す。図5(B)は、1つの主要平面13
pB−1と1つの対向する主要凸形面13pB−2とを
有する円形ペレット13pBを示す。図5(C)は、2つ
の主要凸形面13pC−1及び13pC−2を有する円
形ペレット13pCを示す。図5(D)は、2つの主要共
平面13pD−1及び13pD−2を有する細長いペレ
ット13pDを示す。図5(E)は、1つの主要平面13
pE−1と1つの対向する主要凸形面13pE−2とを
有する細長いペレット13pEを示す。
ス500において、金型520並びに対応する上部ダイ
524及び下部ダイ522を選定することにより容易に
形成することができる有機材料の固形ペレットの形状を
例示する。図5(A)は、2つの主要共平面13pA−1
及び13pA−2を有する有機正孔輸送材料の円形ペレ
ット13pAを示す。図5(B)は、1つの主要平面13
pB−1と1つの対向する主要凸形面13pB−2とを
有する円形ペレット13pBを示す。図5(C)は、2つ
の主要凸形面13pC−1及び13pC−2を有する円
形ペレット13pCを示す。図5(D)は、2つの主要共
平面13pD−1及び13pD−2を有する細長いペレ
ット13pDを示す。図5(E)は、1つの主要平面13
pE−1と1つの対向する主要凸形面13pE−2とを
有する細長いペレット13pEを示す。
【0028】ペレットを配置する個別具体的な蒸着源に
適合するようにペレットの具体的形状を選定する。例え
ば、底面が平らなシリンダ形蒸着源においては、ペレッ
ト13pA(図5(A)参照)を利用することができる。
細長いシリンダ形管状蒸着源においては、ペレット13
pE(図5(E)参照)を、その主要凸形面13pE−2
の曲率を当該シリンダ形管状蒸着源のキャビティの丸み
にほぼ適合させて利用することができる。
適合するようにペレットの具体的形状を選定する。例え
ば、底面が平らなシリンダ形蒸着源においては、ペレッ
ト13pA(図5(A)参照)を利用することができる。
細長いシリンダ形管状蒸着源においては、ペレット13
pE(図5(E)参照)を、その主要凸形面13pE−2
の曲率を当該シリンダ形管状蒸着源のキャビティの丸み
にほぼ適合させて利用することができる。
【0029】図6に、図2の分断線6−6で切断したと
きのHTL蒸着ステーション130の略横断面図を示す。
ハウジング130Hがチャンバ130Cを画定する。基
板11又は構造体(図1参照)は、マスクフレームとし
て構成することができるホルダ131に保持される。蒸
着源134は断熱性支持体132の上に配置される。蒸
着源134は、有機正孔輸送材料のペレット13p、例
えば図5(A)のペレット13pAで、充填されている。
蒸着源134は、リード線245,247を介して蒸着
源電源240の対応する出力端子244,246に接続
されている加熱要素135により加熱される。
きのHTL蒸着ステーション130の略横断面図を示す。
ハウジング130Hがチャンバ130Cを画定する。基
板11又は構造体(図1参照)は、マスクフレームとし
て構成することができるホルダ131に保持される。蒸
着源134は断熱性支持体132の上に配置される。蒸
着源134は、有機正孔輸送材料のペレット13p、例
えば図5(A)のペレット13pAで、充填されている。
蒸着源134は、リード線245,247を介して蒸着
源電源240の対応する出力端子244,246に接続
されている加熱要素135により加熱される。
【0030】蒸着源温度が十分に高くなると、ペレット
の一部が昇華又は気化して、破線及び矢印で略示したよ
うに、有機正孔輸送材料の蒸気による蒸着ゾーン13v
が提供される。基板又は構造体11及び従来のクリスタ
ル質量センサ200が蒸着ゾーン内に配置され、そして
これら各要素の上に、破線で示した記号13fが示すよ
うに、有機正孔輸送層が形成される。
の一部が昇華又は気化して、破線及び矢印で略示したよ
うに、有機正孔輸送材料の蒸気による蒸着ゾーン13v
が提供される。基板又は構造体11及び従来のクリスタ
ル質量センサ200が蒸着ゾーン内に配置され、そして
これら各要素の上に、破線で示した記号13fが示すよ
うに、有機正孔輸送層が形成される。
【0031】当該技術分野で周知であるように、クリス
タル質量センサ200は、リード線210を介して蒸着
速度モニタ220の入力端子216に接続される。該セ
ンサ200は、該モニタ220に配備される発振器回路
の一部である。該回路は、層13fの形成による荷重の
ような当該クリスタルの積載質量にほぼ反比例する周波
数において発振する。モニタ220は、積載質量速度に
比例する、すなわち層13fの蒸着速度に比例する信号
を発生する示差回路を含む。この信号は、蒸着速度モニ
タ220によって指示され、そしてその出力端子222
において提供される。リード線224がこの信号をコン
トローラ又は増幅器230の入力端子226に接続す
る。コントローラ又は増幅器は、出力端子232におい
て出力信号を提供する。後者の出力信号は、リード線2
34及び入力端子236を介して蒸着源電源240への
入力信号となる。
タル質量センサ200は、リード線210を介して蒸着
速度モニタ220の入力端子216に接続される。該セ
ンサ200は、該モニタ220に配備される発振器回路
の一部である。該回路は、層13fの形成による荷重の
ような当該クリスタルの積載質量にほぼ反比例する周波
数において発振する。モニタ220は、積載質量速度に
比例する、すなわち層13fの蒸着速度に比例する信号
を発生する示差回路を含む。この信号は、蒸着速度モニ
タ220によって指示され、そしてその出力端子222
において提供される。リード線224がこの信号をコン
トローラ又は増幅器230の入力端子226に接続す
る。コントローラ又は増幅器は、出力端子232におい
て出力信号を提供する。後者の出力信号は、リード線2
34及び入力端子236を介して蒸着源電源240への
入力信号となる。
【0032】このように、蒸着ゾーン13vの内部の蒸
気流が一時的に安定な場合には、層13fの質量蓄積、
すなわち成長は、一定速度で進行する。速度モニタ22
0は出力端子222に一定信号を提供し、そして蒸着源
電源240はリード線245,247を介して蒸着源1
34の加熱要素135に一定電流を提供し、よって蒸着
ゾーン内部の蒸気流は一時的に安定に維持される。安定
な蒸着条件下、すなわち蒸着速度が一定である条件下で
は、有機正孔輸送層13(図1参照)の所望の最終厚さ
が一定蒸着期間中に構造体及びクリスタル質量センサ2
00の上に達成され、その時点で、蒸着源134の加熱
を止める、又は蒸着源の上にシャッター(図示なし)を
配置する、ことにより、蒸着を停止させる。
気流が一時的に安定な場合には、層13fの質量蓄積、
すなわち成長は、一定速度で進行する。速度モニタ22
0は出力端子222に一定信号を提供し、そして蒸着源
電源240はリード線245,247を介して蒸着源1
34の加熱要素135に一定電流を提供し、よって蒸着
ゾーン内部の蒸気流は一時的に安定に維持される。安定
な蒸着条件下、すなわち蒸着速度が一定である条件下で
は、有機正孔輸送層13(図1参照)の所望の最終厚さ
が一定蒸着期間中に構造体及びクリスタル質量センサ2
00の上に達成され、その時点で、蒸着源134の加熱
を止める、又は蒸着源の上にシャッター(図示なし)を
配置する、ことにより、蒸着を停止させる。
【0033】図6には例示目的につき比較的単純なるつ
ぼ蒸着源134が示されているが、蒸着ゾーン内部に有
機材料の蒸発又は昇華した蒸気を提供するためにその他
多数の蒸着源構成を有効利用できることは認識される。
有用な蒸着源として、譲受人共通のRobert G. Spahnに
よる米国特許出願第09/518,600号(2000年3月3日出
願)に開示されている拡張型又は線形型物理蒸着源が挙
げられる。特に有用な熱物理蒸着源は、譲受人共通のSt
even A. Van Slykeらによる米国特許出願第09/843,489
号(2001年4月26日出願)に開示されている細長い管状
蒸着源である。
ぼ蒸着源134が示されているが、蒸着ゾーン内部に有
機材料の蒸発又は昇華した蒸気を提供するためにその他
多数の蒸着源構成を有効利用できることは認識される。
有用な蒸着源として、譲受人共通のRobert G. Spahnに
よる米国特許出願第09/518,600号(2000年3月3日出
願)に開示されている拡張型又は線形型物理蒸着源が挙
げられる。特に有用な熱物理蒸着源は、譲受人共通のSt
even A. Van Slykeらによる米国特許出願第09/843,489
号(2001年4月26日出願)に開示されている細長い管状
蒸着源である。
【0034】図6では、図面の明瞭さを確保するため、
単一のクリスタル質量センサ200が示されている。譲
受人共通のMichael A. Marcusらによる米国特許出願第0
9/839,886号(2001年4月20日出願)に開示されている
ように、OLED製造における物理蒸着による有機層形成の
監視制御を1つ又は複数の可動クリスタル質量センサに
より行えることは認識されている。OLED製造において有
機層の厚さを制御するための他の装置が、譲受人共通の
Steven A. Van Slykeらによる米国特許出願第09/839,88
5号(2001年4月20日出願)に開示されている。
単一のクリスタル質量センサ200が示されている。譲
受人共通のMichael A. Marcusらによる米国特許出願第0
9/839,886号(2001年4月20日出願)に開示されている
ように、OLED製造における物理蒸着による有機層形成の
監視制御を1つ又は複数の可動クリスタル質量センサに
より行えることは認識されている。OLED製造において有
機層の厚さを制御するための他の装置が、譲受人共通の
Steven A. Van Slykeらによる米国特許出願第09/839,88
5号(2001年4月20日出願)に開示されている。
【0035】図7に、シリンダ形管状熱物理蒸着源集成
体700の長手方向略断面図を示す。該集成体は、中心
線CLを有する管状蒸着源710を含む。管状蒸着源7
10は、断熱性かつ電気絶縁性のエンドキャップ732
及び734によって支持されている。該エンドキャップ
は、熱反射面742を有するヒートシールド740をも
支持する。
体700の長手方向略断面図を示す。該集成体は、中心
線CLを有する管状蒸着源710を含む。管状蒸着源7
10は、断熱性かつ電気絶縁性のエンドキャップ732
及び734によって支持されている。該エンドキャップ
は、熱反射面742を有するヒートシールド740をも
支持する。
【0036】管状蒸着源710は、ヒートシールド支持
体及びエンドキャップ732、734と共に、キャビテ
ィ712を画定し、その内部に、着脱可能なキャビティ
シール758を介して、有機正孔輸送材料の細長い固形
ペレット13pが3個配置されている。
体及びエンドキャップ732、734と共に、キャビテ
ィ712を画定し、その内部に、着脱可能なキャビティ
シール758を介して、有機正孔輸送材料の細長い固形
ペレット13pが3個配置されている。
【0037】管状蒸着源710は、キャビティ712の
中にまで延在する複数の開口部714を含む。開口部7
14は長さ寸法Lのライン状に配置されている。Lは、
管状蒸着源の高さ寸法Hの3倍以上である(シリンダ形
管状蒸着源の場合、Hはキャビティ712の直径に相当
する)。開口部714は直径d及び中心間隔lを有す
る。
中にまで延在する複数の開口部714を含む。開口部7
14は長さ寸法Lのライン状に配置されている。Lは、
管状蒸着源の高さ寸法Hの3倍以上である(シリンダ形
管状蒸着源の場合、Hはキャビティ712の直径に相当
する)。開口部714は直径d及び中心間隔lを有す
る。
【0038】グライドブラケット760は、ヒートシー
ルド740に取り付けられ、そしてZ形タング760T
及びねじ込みボア762を有する。ねじ込みボア762
は、譲受人共通のSteven A. Van Slykeらによる米国特
許出願第09/843,489号(2001年4月26日出願)に詳細に
記載されているように、当該チャンバに配置された基板
又は構造体に関して集成体700をチャンバ内で並進、
移動又は走査できるように、親ネジ(図示なし)によっ
て係合される。
ルド740に取り付けられ、そしてZ形タング760T
及びねじ込みボア762を有する。ねじ込みボア762
は、譲受人共通のSteven A. Van Slykeらによる米国特
許出願第09/843,489号(2001年4月26日出願)に詳細に
記載されているように、当該チャンバに配置された基板
又は構造体に関して集成体700をチャンバ内で並進、
移動又は走査できるように、親ネジ(図示なし)によっ
て係合される。
【0039】10-3Torr未満の減圧に保持されたチャン
バ(例えば、図2のHTL蒸着ステーションのチャンバ1
30C)に配置されると、ランプリード線757a及び
757bを介してヒートランプ757のフィラメント7
57Fに電力を供給することによりペレット13pの有
機正孔輸送材料の昇華又は蒸発を操作する。ヒートラン
プは、キャビティ712の内側に配置され、そしてヒー
トシールド支持体及びエンドキャップ732、734に
より、管状蒸着源710の開口部714の方向において
中心線CLから上方の位置に、支持される。キャビティ
712の中でこうして形成された蒸気雲はキャビティか
ら開口部714を通って出てくる。
バ(例えば、図2のHTL蒸着ステーションのチャンバ1
30C)に配置されると、ランプリード線757a及び
757bを介してヒートランプ757のフィラメント7
57Fに電力を供給することによりペレット13pの有
機正孔輸送材料の昇華又は蒸発を操作する。ヒートラン
プは、キャビティ712の内側に配置され、そしてヒー
トシールド支持体及びエンドキャップ732、734に
より、管状蒸着源710の開口部714の方向において
中心線CLから上方の位置に、支持される。キャビティ
712の中でこうして形成された蒸気雲はキャビティか
ら開口部714を通って出てくる。
【0040】細長いペレット13pは、主要凸形面がシ
リンダ形管状蒸着源710の内面と接触し、かつ、該ペ
レットの主要平面がヒートランプ757の方へ上向きと
なるように、図5(E)のペレット13pEと同等の形状
にすることができる。蒸着源の例を2種類図示したが
(図6及び図7)、団結した固形ペレットを提供し、こ
れをOLEDの製造に使用する本発明による有機材料の取扱
い方法は、種々の熱物理蒸着源及びシステムに適用可能
であることが認識される。
リンダ形管状蒸着源710の内面と接触し、かつ、該ペ
レットの主要平面がヒートランプ757の方へ上向きと
なるように、図5(E)のペレット13pEと同等の形状
にすることができる。蒸着源の例を2種類図示したが
(図6及び図7)、団結した固形ペレットを提供し、こ
れをOLEDの製造に使用する本発明による有機材料の取扱
い方法は、種々の熱物理蒸着源及びシステムに適用可能
であることが認識される。
【0041】図4(A)〜(F)、図5(A)〜(E)、図6及び図
7において、固形ペレットの製造方法及び使用方法を、
有機正孔輸送材料とそれから製造されたペレット13p
に関して説明してきた。本発明の方法は、図2のOLED装
置100の各蒸着ステーション140(LEL)及び15
0(ETL)において製造される、それぞれ図1に示した
層14(LEL)及び層15(ETL)のような、ドープ型又は非
ドープ型有機発光層及びドープ型又は非ドープ型有機電
子輸送層を製造するための対応するペレットを提供する
ためのドープ型又は非ドープ型有機発光材料及びドープ
型又は非ドープ型有機電子輸送材料の取扱い方法を包含
する。
7において、固形ペレットの製造方法及び使用方法を、
有機正孔輸送材料とそれから製造されたペレット13p
に関して説明してきた。本発明の方法は、図2のOLED装
置100の各蒸着ステーション140(LEL)及び15
0(ETL)において製造される、それぞれ図1に示した
層14(LEL)及び層15(ETL)のような、ドープ型又は非
ドープ型有機発光層及びドープ型又は非ドープ型有機電
子輸送層を製造するための対応するペレットを提供する
ためのドープ型又は非ドープ型有機発光材料及びドープ
型又は非ドープ型有機電子輸送材料の取扱い方法を包含
する。
【0042】図8は、昇華性有機OLED材料粉末と非昇華
性熱伝導性材料粉末の混合物から固形ペレットを製造す
る工程を示すプロセスフローチャートである。該プロセ
スは工程800から開始する。工程810において、昇
華性有機OLED材料を粉末形態で用意する。昇華性有機材
料には、有機正孔輸送材料、ドープ型又は非ドープ型有
機発光材料、及びドープ型又は非ドープ型有機電子輸送
材料が含まれる。
性熱伝導性材料粉末の混合物から固形ペレットを製造す
る工程を示すプロセスフローチャートである。該プロセ
スは工程800から開始する。工程810において、昇
華性有機OLED材料を粉末形態で用意する。昇華性有機材
料には、有機正孔輸送材料、ドープ型又は非ドープ型有
機発光材料、及びドープ型又は非ドープ型有機電子輸送
材料が含まれる。
【0043】工程812において、有機OLED材料粉末の
(形成すべき混合物の)質量分率を選定する。有機OLED
材料粉末の好適な質量分率は50〜99%の範囲内にあ
る。工程820において、熱伝導性非昇華性材料を粉末
形態で用意する。好適な熱伝導性非昇華性材料には、粉
末状の炭素、珪素、二酸化珪素、金属、金属酸化物及び
合金が含まれる。
(形成すべき混合物の)質量分率を選定する。有機OLED
材料粉末の好適な質量分率は50〜99%の範囲内にあ
る。工程820において、熱伝導性非昇華性材料を粉末
形態で用意する。好適な熱伝導性非昇華性材料には、粉
末状の炭素、珪素、二酸化珪素、金属、金属酸化物及び
合金が含まれる。
【0044】工程822において、熱伝導性非昇華性材
料粉末の(形成すべき混合物の)質量分率を、1.0〜
50%の好適な範囲内で選定する。工程830におい
て、選定された質量分率の昇華性有機OLED材料粉末と熱
伝導性非昇華性材料粉末を混合又はブレンドし、比較的
均一な混合物を提供する。
料粉末の(形成すべき混合物の)質量分率を、1.0〜
50%の好適な範囲内で選定する。工程830におい
て、選定された質量分率の昇華性有機OLED材料粉末と熱
伝導性非昇華性材料粉末を混合又はブレンドし、比較的
均一な混合物を提供する。
【0045】工程840において、当該混合物(又はそ
の一部)をダイに入れ、ダイ内の混合物に、該混合物が
団結して固形ペレットとなるように十分な圧力をかけ
る。該ダイは、ダイ内の混合物に十分な圧力をかける前
に、又は圧力をかけている間に、20℃〜300℃の範
囲内で選定された温度に加熱されることができる。工程
850において、固形ペレットをダイから取り出す。ダ
イを加熱した場合には、当該ダイから固形ペレットを取
り出す前に、ダイの温度を80℃〜20℃の範囲内の温
度にまで冷却する。ここでプロセスが完了する(86
0)。
の一部)をダイに入れ、ダイ内の混合物に、該混合物が
団結して固形ペレットとなるように十分な圧力をかけ
る。該ダイは、ダイ内の混合物に十分な圧力をかける前
に、又は圧力をかけている間に、20℃〜300℃の範
囲内で選定された温度に加熱されることができる。工程
850において、固形ペレットをダイから取り出す。ダ
イを加熱した場合には、当該ダイから固形ペレットを取
り出す前に、ダイの温度を80℃〜20℃の範囲内の温
度にまで冷却する。ここでプロセスが完了する(86
0)。
【0046】当該ペレットをチャンバ内に配置された熱
物理蒸着源に入れ、有機発光デバイス(OLED)の一部と
なる構造体の上に有機層を形成することができる。図9
は、第1に昇華性OLEDホスト材料粉末を昇華性有機ドー
パント材料粉末と混合し、第2に当該ホスト/ドーパン
ト混合物を熱伝導性非昇華性材料粉末と混合することに
より固形ペレットを製造する工程を示すプロセスフロー
チャートである。
物理蒸着源に入れ、有機発光デバイス(OLED)の一部と
なる構造体の上に有機層を形成することができる。図9
は、第1に昇華性OLEDホスト材料粉末を昇華性有機ドー
パント材料粉末と混合し、第2に当該ホスト/ドーパン
ト混合物を熱伝導性非昇華性材料粉末と混合することに
より固形ペレットを製造する工程を示すプロセスフロー
チャートである。
【0047】該プロセスは工程900から開始する。工
程902において、昇華性OLEDホスト材料を粉末形態で
用意する。昇華性OLEDホスト材料には、有機正孔輸送ホ
スト材料、有機発光ホスト材料及び有機電子輸送ホスト
材料が含まれる。
程902において、昇華性OLEDホスト材料を粉末形態で
用意する。昇華性OLEDホスト材料には、有機正孔輸送ホ
スト材料、有機発光ホスト材料及び有機電子輸送ホスト
材料が含まれる。
【0048】工程904において、選定された質量分率
の昇華性有機ドーパント材料粉末を用意する。選定され
る質量分率は、ドープ対象のOLEDホスト材料、選ばれた
ドーパントの種類、及び構造体上に形成される層がホス
ト材料中に所定のドーパント濃度を有するように当該ホ
スト材料中で達成されるべきドーパント濃度、によって
左右される。工程906において、選定された質量分率
の有機ドーパント材料を有機ホスト材料と混合又はブレ
ンドすることにより第1混合物を提供する。
の昇華性有機ドーパント材料粉末を用意する。選定され
る質量分率は、ドープ対象のOLEDホスト材料、選ばれた
ドーパントの種類、及び構造体上に形成される層がホス
ト材料中に所定のドーパント濃度を有するように当該ホ
スト材料中で達成されるべきドーパント濃度、によって
左右される。工程906において、選定された質量分率
の有機ドーパント材料を有機ホスト材料と混合又はブレ
ンドすることにより第1混合物を提供する。
【0049】開始の指令900から遅延905の後、遅
延開始指令915により、工程920において熱伝導性
非昇華性材料を粉末形態で用意する。好適な熱伝導性非
昇華性材料には、粉末状の炭素、珪素、二酸化珪素、金
属、金属酸化物及び合金が含まれる。工程912におい
て、第1ホスト/ドーパント混合物の(形成すべき第2
混合物の)質量分率を選定する。この有機混合物の好適
な質量分率は50〜99%の範囲内である。
延開始指令915により、工程920において熱伝導性
非昇華性材料を粉末形態で用意する。好適な熱伝導性非
昇華性材料には、粉末状の炭素、珪素、二酸化珪素、金
属、金属酸化物及び合金が含まれる。工程912におい
て、第1ホスト/ドーパント混合物の(形成すべき第2
混合物の)質量分率を選定する。この有機混合物の好適
な質量分率は50〜99%の範囲内である。
【0050】工程922において、熱伝導性非昇華性材
料粉末の(形成すべき第2混合物の)質量分率を、1〜
50%の好適な範囲内で選定する。工程930におい
て、選定された質量分率の第1有機ホスト/ドーパント
粉末混合物と熱伝導性非昇華性材料粉末を混合又はブレ
ンドし、比較的均一な第2混合物を提供する。
料粉末の(形成すべき第2混合物の)質量分率を、1〜
50%の好適な範囲内で選定する。工程930におい
て、選定された質量分率の第1有機ホスト/ドーパント
粉末混合物と熱伝導性非昇華性材料粉末を混合又はブレ
ンドし、比較的均一な第2混合物を提供する。
【0051】工程940において、当該第2混合物(又
はその一部)をダイに入れ、ダイ内の第2混合物に、該
第2混合物が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかける。該ダイは、ダイ内の第2混合物に十分な
圧力をかける前に、又は圧力をかけている間に、20℃
〜300℃の範囲内で選定された温度に加熱されること
ができる。工程950において、固形ペレットをダイか
ら取り出す。ダイを加熱した場合には、当該ダイから固
形ペレットを取り出す前に、ダイの温度を80℃〜20
℃の範囲内の温度にまで冷却する。ここでプロセスが完
了する(960)。
はその一部)をダイに入れ、ダイ内の第2混合物に、該
第2混合物が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかける。該ダイは、ダイ内の第2混合物に十分な
圧力をかける前に、又は圧力をかけている間に、20℃
〜300℃の範囲内で選定された温度に加熱されること
ができる。工程950において、固形ペレットをダイか
ら取り出す。ダイを加熱した場合には、当該ダイから固
形ペレットを取り出す前に、ダイの温度を80℃〜20
℃の範囲内の温度にまで冷却する。ここでプロセスが完
了する(960)。
【0052】当該ペレットをチャンバ内に配置された熱
物理蒸着源に入れ、有機発光デバイス(OLED)の一部と
なる構造体の上にドープ型有機層を形成することができ
る。
物理蒸着源に入れ、有機発光デバイス(OLED)の一部と
なる構造体の上にドープ型有機層を形成することができ
る。
【0053】ドープ型有機正孔輸送層又は二次層及びド
ープ型有機電子輸送層又は二次層はOLEDの発光動作安定
性を高めることができ、またドープ型有機発光層はOLED
の発光動作安定性並びに可視スペクトル領域内の発光の
発光効率を高めることができる。さらに、ドープされた
層又は二次層は、低い駆動電圧レベルで動作することが
できるOLEDを提供する。
ープ型有機電子輸送層又は二次層はOLEDの発光動作安定
性を高めることができ、またドープ型有機発光層はOLED
の発光動作安定性並びに可視スペクトル領域内の発光の
発光効率を高めることができる。さらに、ドープされた
層又は二次層は、低い駆動電圧レベルで動作することが
できるOLEDを提供する。
【0054】粉末形態にある1種以上の有機ホスト材料
と粉末形態にある1種以上の有機ドーパント材料とを混
合又はブレンドすることにより有機材料の第1混合物を
用意し、次いでこれを熱伝導性非昇華性材料粉末と混合
することにより第2混合物を用意し、これから固形ペレ
ットを形成する。
と粉末形態にある1種以上の有機ドーパント材料とを混
合又はブレンドすることにより有機材料の第1混合物を
用意し、次いでこれを熱伝導性非昇華性材料粉末と混合
することにより第2混合物を用意し、これから固形ペレ
ットを形成する。
【0055】
【発明の効果】本発明の特徴は、有機粉末を団結させて
固形ペレットにする方法を、比較的簡単な道具で、しか
も蒸着装置における当該ペレットの使用場所から離れた
場所で実施できる点にある。本発明の別の特徴は、有機
粉末を団結させて固形ペレットにする方法により、様々
な場所で、またその間に、有機材料を取扱い、移し、又
は輸送することが、実質的に容易になる点にある。本発
明の別の特徴は、本発明の方法により製造された複数の
ペレット状の有機材料を、同等の質量を有する粉末形態
の有機材料を取扱い、移し、又は輸送するための容器よ
りも実質的に容量が小さい容器において取扱い、移し、
又は輸送することができる点にある。本発明の別の特徴
は、本発明の方法により、少なくとも1種のOLEDホスト
材料粉末と少なくとも1種のドーパント材料粉末とを混
合又はブレンドして混合物を提供した後に該混合物を団
結させて固形ペレットにすることにより、OLED材料の固
形ペレットを製造できる点にある。本発明の別の特徴
は、粉末を団結させて固形ペレットにする方法と、蒸着
源において固形ペレットの一部を気化させることにより
構造体の上に有機層を形成する方法とによって、蒸着源
から粉末粒子が押出されることが実質的になくなり、よ
って粒状物を実質的に包含しない有機層が得られる点に
ある。本発明の別の特徴は、粉末を団結させて固形ペレ
ットにする方法を、構造体上に有機層を形成するために
ペレットの一部を気化させる熱物理蒸着源の形状と一致
するように選ばれた形状を有するペレットを提供するよ
うに調節することができる点にある。
固形ペレットにする方法を、比較的簡単な道具で、しか
も蒸着装置における当該ペレットの使用場所から離れた
場所で実施できる点にある。本発明の別の特徴は、有機
粉末を団結させて固形ペレットにする方法により、様々
な場所で、またその間に、有機材料を取扱い、移し、又
は輸送することが、実質的に容易になる点にある。本発
明の別の特徴は、本発明の方法により製造された複数の
ペレット状の有機材料を、同等の質量を有する粉末形態
の有機材料を取扱い、移し、又は輸送するための容器よ
りも実質的に容量が小さい容器において取扱い、移し、
又は輸送することができる点にある。本発明の別の特徴
は、本発明の方法により、少なくとも1種のOLEDホスト
材料粉末と少なくとも1種のドーパント材料粉末とを混
合又はブレンドして混合物を提供した後に該混合物を団
結させて固形ペレットにすることにより、OLED材料の固
形ペレットを製造できる点にある。本発明の別の特徴
は、粉末を団結させて固形ペレットにする方法と、蒸着
源において固形ペレットの一部を気化させることにより
構造体の上に有機層を形成する方法とによって、蒸着源
から粉末粒子が押出されることが実質的になくなり、よ
って粒状物を実質的に包含しない有機層が得られる点に
ある。本発明の別の特徴は、粉末を団結させて固形ペレ
ットにする方法を、構造体上に有機層を形成するために
ペレットの一部を気化させる熱物理蒸着源の形状と一致
するように選ばれた形状を有するペレットを提供するよ
うに調節することができる点にある。
【図1】各種層を示すため要素の一部を剥ぎ取ったパッ
シブ型有機発光デバイスを示す略透視図である。
シブ型有機発光デバイスを示す略透視図である。
【図2】比較的多数の有機発光デバイス(OLED)を製造す
るのに適した装置であって複数のステーションがハブか
ら延在しているものを示す略透視図である。
るのに適した装置であって複数のステーションがハブか
ら延在しているものを示す略透視図である。
【図3】比較的多数の基板又は構造体を含有するキャリ
ヤであって、図2の分断線3−3が示す図2の装置の装
填ステーションに配置されるものを示す略断面図であ
る。
ヤであって、図2の分断線3−3が示す図2の装置の装
填ステーションに配置されるものを示す略断面図であ
る。
【図4】(A)〜(F)は、本発明により、ダイプレスに配置
された金型の中で有機粉末材料から固形有機ペレットを
形成する一連の処理工程を示す略図である。ここで、図
4(A)は、下部ダイの上に有機粉末材料を充填した金型
を示し、同(B)は、上部ダイを金型内に配置して有機粉
末材料の上面と接触させた状態を示し、同(C)は、上部
ダイと下部ダイにダイプレスで圧力をかけて有機粉末材
料を団結させて固形ペレットにする工程を示し、同(D)
は、金型から上部ダイを取り外した状態を示し、同(E)
は、ダイプレスから金型を取り外してその金型から下部
ダイを取り外した後、ペレットが金型の側面に付着して
いる状態を示し、そして同(F)は、金型からペレットを
取り出してこれをコンプライアントな容器に捕捉するの
に有用なペレットプランジャを示す。
された金型の中で有機粉末材料から固形有機ペレットを
形成する一連の処理工程を示す略図である。ここで、図
4(A)は、下部ダイの上に有機粉末材料を充填した金型
を示し、同(B)は、上部ダイを金型内に配置して有機粉
末材料の上面と接触させた状態を示し、同(C)は、上部
ダイと下部ダイにダイプレスで圧力をかけて有機粉末材
料を団結させて固形ペレットにする工程を示し、同(D)
は、金型から上部ダイを取り外した状態を示し、同(E)
は、ダイプレスから金型を取り外してその金型から下部
ダイを取り外した後、ペレットが金型の側面に付着して
いる状態を示し、そして同(F)は、金型からペレットを
取り出してこれをコンプライアントな容器に捕捉するの
に有用なペレットプランジャを示す。
【図5】(A)〜(E)は、図4(A)〜(D)のダイプレスにおい
て所望の金型並びに対応する下部ダイ及び上部ダイを選
定することにより形成することができる固形ペレットの
形状を例示するものである。ここで、図5(A)は、2つ
の主要共平面を有する円形ペレットを示し、同(B)は、
1つの主要平面と1つの対向する主要凸形面とを有する
円形ペレットを示し、同(C)は、2つの主要凸形面を有
する円形ペレットを示し、同(D)は、2つの主要共平面
を有する細長いペレットを示し、そして同(E)は、1つ
の主要平面と1つの対向する主要凸形面とを有する細長
いペレットを示す。
て所望の金型並びに対応する下部ダイ及び上部ダイを選
定することにより形成することができる固形ペレットの
形状を例示するものである。ここで、図5(A)は、2つ
の主要共平面を有する円形ペレットを示し、同(B)は、
1つの主要平面と1つの対向する主要凸形面とを有する
円形ペレットを示し、同(C)は、2つの主要凸形面を有
する円形ペレットを示し、同(D)は、2つの主要共平面
を有する細長いペレットを示し、そして同(E)は、1つ
の主要平面と1つの対向する主要凸形面とを有する細長
いペレットを示す。
【図6】図2の分断線6−6が示す図2の装置内で構造
体上に有機正孔輸送層(HTL)を形成するのに供する蒸着
ステーションの略横断面図であって、本発明により蒸着
源内に有機正孔輸送材料の固形ペレットを配置した状態
を示すものである。
体上に有機正孔輸送層(HTL)を形成するのに供する蒸着
ステーションの略横断面図であって、本発明により蒸着
源内に有機正孔輸送材料の固形ペレットを配置した状態
を示すものである。
【図7】キャビティを有する管状蒸着源の部分横断面図
であって、キャビティ内に有機正孔輸送材料の細長い固
形ペレットを3個配置した状態のものを示す。
であって、キャビティ内に有機正孔輸送材料の細長い固
形ペレットを3個配置した状態のものを示す。
【図8】本発明の別の側面により、昇華性有機材料粉末
と熱伝導性非昇華性材料粉末の混合物から固形ペレット
を製造する工程を示すプロセスフローチャートである。
と熱伝導性非昇華性材料粉末の混合物から固形ペレット
を製造する工程を示すプロセスフローチャートである。
【図9】本発明の別の側面により、第1に昇華性OLEDホ
スト材料粉末を昇華性有機ドーパント材料粉末と混合
し、第2に当該ホスト/ドーパント混合物を熱伝導性非
昇華性材料粉末と混合することにより固形ペレットを製
造する工程を示すプロセスフローチャートである。
スト材料粉末を昇華性有機ドーパント材料粉末と混合
し、第2に当該ホスト/ドーパント混合物を熱伝導性非
昇華性材料粉末と混合することにより固形ペレットを製
造する工程を示すプロセスフローチャートである。
10…パッシブ型有機発光デバイス
11…透光性基板又は構造体
12…第1電極又はアノード
13…有機正孔輸送層(HTL)
13a…有機正孔輸送材料粉末
13p…固形ペレット
13v…蒸気
14…有機発光層(LEL)
15…有機電子輸送層(ETL)
16…第2電極又はカソード
18…封入体又はカバー
100…有機発光デバイス製造装置
102…緩衝ハブ
104…移送ハブ
106…真空ポンプ
108…圧力ゲージ
110…装填ステーション
111…キャリヤ
130…蒸着ステーション
131…ホルダ
132…断熱性支持体
134…蒸着源
135…加熱要素
200…クリスタル質量センサ
220…蒸着速度モニタ
230…コントローラ
240…電源
500…ダイプレス
512…固定プラットフォーム
514…可動プラットフォーム
516…支持体
520…金型
522…下部ダイ
524…上部ダイ
550…ペレットプランジャ
560…コンプライアント容器
700…シリンダ形管状熱物理蒸着源集成体
710…管状蒸着源
712…キャビティ
714…開口部
732、734…エンドキャップ
740…ヒートシールド
757…ヒートランプ
758…キャビティシール
760…グライドブラケット
762…ねじ込みボア
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H05B 33/14 H05B 33/14 A
// B29L 11:00 B29L 11:00
(72)発明者 シャマル ケイ.ゴシュ
アメリカ合衆国,ニューヨーク 14612,
ロチェスター,クレイトン レーン 42
(72)発明者 ドン ビー.カールトン
アメリカ合衆国,ニューヨーク 14464,
ハムリン,モスコー ロード 518
Fターム(参考) 3K007 AB18 DB03 FA01
4F204 AC01 AC04 AG14 AG19 AH73
FA01 FB01 FN11 FN18 FW21
4K029 AA09 BA62 BC07 BD00 CA01
DB06 DB08 DB17
Claims (4)
- 【請求項1】 有機発光デバイスの一部となる構造体の
上に有機層を形成させるのに適した有機材料の取扱い方
法であって、 a)当該有機材料を粉末形態で用意し、 b)該有機粉末をダイに入れ、該ダイ内の該有機粉末に、
該有機粉末が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかけ、そして c)該ペレットを該ダイから取り出すことを特徴とする方
法。 - 【請求項2】 有機発光デバイスの一部となる構造体の
上に有機材料から有機層を形成する方法であって、 a)当該有機材料を粉末形態で用意し、 b)該有機粉末をダイに入れ、該ダイ内の該有機粉末に、
該有機粉末が団結して固形ペレットとなるように十分な
圧力をかけ、 c)該ペレットを該ダイから取り出し、 d)該ペレットを、チャンバ内に配置された熱物理蒸着源
に入れ、 e)該構造体を、該チャンバ内に、該蒸着源から一定の間
隔を置いて配置し、 f)該チャンバを排気して減圧にし、そして g)該蒸着源を加熱して該ペレットの一部を昇華させるこ
とにより該有機材料の蒸気を提供し、該蒸気により該構
造体の上に該有機層を形成させることを特徴とする方
法。 - 【請求項3】 有機発光デバイスの一部となる構造体の
上に有機層を形成させるのに適した昇華性有機材料の取
扱い方法であって、 a)当該昇華性有機材料を粉末形態で用意し、 b)熱伝導性非昇華性材料を粉末形態で用意し、 c)該昇華性有機材料粉末と該熱伝導性非昇華性材料粉末
とを所定の割合で含む混合物を形成し、 d)該混合物をダイに入れ、該ダイ内の該混合物に、該粉
末混合物が団結して固形ペレットとなるように十分な圧
力をかけ、そして e)該ペレットを該ダイから取り出すことを特徴とする方
法。 - 【請求項4】 有機発光デバイスの一部となる構造体の
上に有機材料から有機層を形成する方法であって、 a)昇華性有機材料を粉末形態で用意し、 b)熱伝導性非昇華性材料を粉末形態で用意し、 c)該昇華性有機材料粉末と該熱伝導性非昇華性材料粉末
とを所定の割合で含む混合物を形成し、 d)該混合物をダイに入れ、該ダイ内の該混合物に、該粉
末混合物が団結して固形ペレットとなるように十分な圧
力をかけ、 e)該ペレットを該ダイから取り出し、 f)該ペレットを、チャンバ内に配置された熱物理蒸着源
に入れ、 g)該構造体を、該チャンバ内に、該蒸着源から一定の間
隔を置いて配置し、 h)該チャンバを排気して減圧にし、そして i)該蒸着源を加熱して該ペレットの一部を昇華させるこ
とにより該有機材料の蒸気を提供し、該蒸気により該構
造体の上に該有機層を形成させることを特徴とする方
法。
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