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JP2003114832A - Semiconductor storage device - Google Patents

Semiconductor storage device

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Publication number
JP2003114832A
JP2003114832A JP2001310781A JP2001310781A JP2003114832A JP 2003114832 A JP2003114832 A JP 2003114832A JP 2001310781 A JP2001310781 A JP 2001310781A JP 2001310781 A JP2001310781 A JP 2001310781A JP 2003114832 A JP2003114832 A JP 2003114832A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory device
semiconductor memory
contents
writing
capacity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001310781A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiteru Chiba
吉輝 千葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP2001310781A priority Critical patent/JP2003114832A/en
Publication of JP2003114832A publication Critical patent/JP2003114832A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor storage device in which the own memory capacity of a RAM is compared with a preliminarily ensured capacity of the semiconductor storage device when restarting a system, and the writing area of a nonvolatile memory is increased when it is differed therefrom. SOLUTION: This semiconductor storage device comprises a RAM 10 connected to a hard disc 11 through a comparator 12, in which its own memory capacity of the RAM is compared with the preliminarily ensured capacity of the semiconductor storage device when starting the system, and the wiring area of the semiconductor storage device is increased when it is differed therefrom.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体記憶装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、パーソナルコンピュータ等に用い
られる半導体記憶装置では、メモリーモジュールが追加
されるなどして容量が増加する場合がある。このような
場合、それまでの予め用意されている不揮発性記憶装置
(ハードデイスク)のデータ書き出しエリアでは増加分
が足りなくなるという問題があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor memory device used in a personal computer or the like, the capacity may be increased by adding a memory module. In such a case, there has been a problem that the increase is insufficient in the data writing area of the previously prepared non-volatile storage device (hard disk).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な問
題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、システム起動時に自己のメモリ容量と予め確保され
ている不揮発性記憶装置の容量を比較し、異なっている
場合には、外部の不揮発性記憶装置の書き出しエリアを
増加させる半導体記憶装置、或いはそのような機能を有
するソフトウェアを内蔵した半導体記憶装置を提供す
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a memory capacity of itself and a non-volatile storage device secured in advance when the system is started. There is provided a semiconductor memory device for increasing the writing area of an external non-volatile memory device or a semiconductor memory device incorporating software having such a function when the capacities are compared and different.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明によ
れば、メモリーモジュールを利用し、それらを内部に増
設することにより記憶容量を増加させる事が出来ること
を特徴とする半導体記憶装置を提供することで達成され
る。
According to the present invention, there is provided a semiconductor memory device characterized in that it is possible to increase the storage capacity by utilizing memory modules and adding them internally. Achieved by providing.

【0005】また、上記課題は本発明によれば、請求項
1記載の半導体記憶装置において、メモリの内容が消え
ないよう随時読み出し、書き込みを行うリフレッシュ手
段を内蔵していることを特徴とする半導体記憶装置を提
供することで達成される。
Further, according to the present invention, the above-mentioned problem is the semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that the semiconductor memory device has a built-in refreshing means for reading and writing as needed so that the contents of the memory are not erased. This is accomplished by providing a storage device.

【0006】更に、上記課題は本発明によれば、請求項
1記載の半導体記憶装置において、電源がOFFになっ
た場合でもメモリの内容を一定期間保持できる充電可能
なバッテリー手段を内蔵していることを特徴とする半導
体記憶装置を提供することで達成される。
Further, according to the present invention, according to the present invention, the semiconductor memory device according to claim 1 has a built-in rechargeable battery means capable of holding the contents of the memory for a certain period even when the power is turned off. This is achieved by providing a semiconductor memory device characterized by the above.

【0007】更にまた、上記課題は本発明によれば、請
求項1記載の半導体記憶装置において、メモリの内容を
一度にコピーする複写手段を備えたことを特徴とする半
導体記憶装置を提供することで達成される。
Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that the semiconductor memory device further comprises copying means for copying the contents of the memory at one time. Is achieved in.

【0008】また、上記課題は本発明によれば、請求項
1記載の半導体記憶装置において、ボタンを押すと予め
設定された該半導体記憶装置の内容と外部の不揮発性記
憶手段の内容を比較して更新された部分だけ書き出す複
写手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置を提供
することで達成される。
Further, according to the present invention, in the semiconductor memory device according to claim 1, the contents of the semiconductor memory device preset when the button is pressed are compared with the contents of the external nonvolatile memory means. It is achieved by providing a semiconductor memory device characterized by including a copying means for writing only the updated portion.

【0009】更に、上記課題は本発明によれば、請求項
1記載の半導体記憶装置において、電源を落とすとき、
予め設定された不揮発性記憶装置にメモリーの内容を書
き出す複写手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装
置を提供することで達成される。
Further, according to the present invention, in the semiconductor memory device according to claim 1, when the power source is turned off,
This is achieved by providing a semiconductor memory device characterized by comprising a copying means for writing the contents of the memory into a preset nonvolatile memory device.

【0010】更にまた、上記課題は本発明によれば、請
求項1記載の半導体記憶装置において、電源を落とすと
きに予め設定された不揮発性記憶装置のメモリーの内容
を書き出す機能を備えたソフトウェアを内蔵しているこ
とを特徴とする半導体記憶装置を提供することで達成さ
れる。
Still further, according to the present invention, the above object is to provide a semiconductor memory device according to claim 1 with software having a function of writing out the contents of a memory of a nonvolatile memory device set in advance when the power is turned off. This is achieved by providing a semiconductor memory device characterized by being built-in.

【0011】また、上記課題は本発明によれば、請求項
1記載の半導体記憶装置において、電源OFF用ボタン
を備え、該ボタンが押されるとメモリーの内容を不揮発
性記憶装置に書き出して電源OFFの処理にはいる機能
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置を提供するこ
とで達成される。
Further, according to the present invention, in the semiconductor memory device according to the present invention, a power-off button is provided, and when the button is pressed, the contents of the memory are written to the nonvolatile memory device and the power is turned off. The present invention is achieved by providing a semiconductor memory device having a function of being included in the process.

【0012】更に、上記課題は本発明によれば、記憶容
量が増設されたときメモリーの内容を書き出すエリアと
のチェック機能を有することを特徴とする請求項4ない
し6記載の半導体記憶装置を提供することで達成され
る。
Further, according to the present invention, there is provided a semiconductor memory device according to any one of claims 4 to 6, characterized in that it has a function of checking an area for writing the contents of the memory when the memory capacity is expanded. It is achieved by doing.

【0013】更にまた、上記課題は本発明によれば、シ
ステム起動時に自分のメモリー容量と、予め確保されて
いる不揮発性記憶装置の容量を比較し、異なっている場
合は、自分で不揮発性記憶装置の書き出しエリアを増
加させる機能を有することを特徴とする請求項4ないし
6記載の半導体記憶装置を提供することで達成される。
Further, according to the present invention, the above-mentioned problem is that when the system is started, the memory capacity of oneself is compared with the capacity of the non-volatile memory device secured in advance. Increase the writing area of the device
This is achieved by providing a semiconductor memory device according to any one of claims 4 to 6, which has a function of adding.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】<第1の実施形態>図1は本実施
形態の説明に使用する半導体記憶装置を含むシステム全
体図である。同図において、パーソナルコンピュータ1
の本体2には半導体記憶装置5が接続されている。尚、
3はキーボードであり、4は表示部である。本体2の内
部にはハードディスクが内蔵されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION <First Embodiment> FIG. 1 is an overall view of a system including a semiconductor memory device used to describe the present embodiment. In the figure, a personal computer 1
A semiconductor memory device 5 is connected to the main body 2. still,
Reference numeral 3 is a keyboard, and 4 is a display unit. A hard disk is built in the main body 2.

【0015】図2は、本実施形態の半導体記憶装置を説
明するシステムブロック図である。同図に示すように、
RAM8に充電可能なバッテリ9を接続し、電源がOF
F(オフ)になった場合でもバッテリ9によりRAM8
に記憶される情報を一定期間保持する構成である。
FIG. 2 is a system block diagram for explaining the semiconductor memory device of this embodiment. As shown in the figure,
The rechargeable battery 9 is connected to the RAM 8 and the power is turned off.
Even if it becomes F (off), the battery 9 causes the RAM 8
The information stored in the above is retained for a certain period of time.

【0016】このように構成することにより、電源が切
れるとRAM8に記憶されている内容はバッテリ9から
供給される電源によって保持され、記憶内容を保持する
ことができる。
With this configuration, when the power is turned off, the contents stored in the RAM 8 are held by the power source supplied from the battery 9, and the stored contents can be held.

【0017】<第2の実施形態>図3は、本発明に係わ
る第2実施形態の半導体記憶装置を示すシステムブロッ
ク図である。
<Second Embodiment> FIG. 3 is a system block diagram showing a semiconductor memory device according to a second embodiment of the present invention.

【0018】同図に示すように、不図示のボタンを押下
するとRAM10に記憶される情報を予め設定されたハ
ードデイスク11に一度に書き出すよう構成されてい
る。
As shown in the figure, when a button (not shown) is pressed, the information stored in the RAM 10 is written to the preset hard disk 11 at once.

【0019】尚、不図示のボタンを押下すると予め設定
されたハードデイスク11とRAM10の内容を比較
し、更新された部分だけをハードデイスク11に書き出
すよう構成してもよい。
It should be noted that when a button (not shown) is pressed, the preset contents of the hard disk 11 and the RAM 10 may be compared and only the updated portion may be written to the hard disk 11.

【0020】<第3の実施形態>図4は、本発明に係わ
る第3実施形態の半導体記憶装置を示すシステムブロッ
ク図である。
<Third Embodiment> FIG. 4 is a system block diagram showing a semiconductor memory device according to a third embodiment of the present invention.

【0021】同図に示すように、RAM12の記憶内容
は電源スイッチ13を切断する際、予め設定されたハー
ドデイスク14に書き出すよう構成されている。このよ
うに構成することにより、何らかの原因によって電源が
落ちた場合でもデータを安全に保護することができる。
As shown in the figure, the contents stored in the RAM 12 are written to a preset hard disk 14 when the power switch 13 is turned off. With this configuration, the data can be safely protected even if the power is turned off for some reason.

【0022】尚、電源スイッチ13を切断する際、予め
設定されたハードデイスク14にRAM12の内容を書
き出す機能を備えた不図示のソフトウェアを格納しても
よい。
Incidentally, when the power switch 13 is cut off, software (not shown) having a function of writing the contents of the RAM 12 may be stored in a preset hard disk 14.

【0023】また、不図示の電源OFF用ボタンを備
え、このボタンが押されるとRAM12の情報をハード
デイスク14に書き出し、電源OFF処理に入るよう構
成してもよい。
A power-off button (not shown) may be provided so that when the button is pressed, the information in the RAM 12 is written to the hard disk 14 and the power-off process is started.

【0024】<第4の実施形態>図5は、本発明に係わ
る第4実施形態の半導体記憶装置を示すシステムブロッ
ク図である。
<Fourth Embodiment> FIG. 5 is a system block diagram showing a semiconductor memory device according to a fourth embodiment of the present invention.

【0025】同図に示す通り、RAM15とハードデイ
スク16は比較器17の入力端子に接続されている。こ
のように構成することにより、メモリーモジュールが追
加されるなどして記憶容量が増えた場合、予め用意され
ているハードデイスク16のデータ書き出しでは増加分
に対応できない。
As shown in the figure, the RAM 15 and the hard disk 16 are connected to the input terminal of the comparator 17. With this configuration, when the memory capacity is increased by adding a memory module or the like, the data writing of the hard disk 16 prepared in advance cannot handle the increase.

【0026】そこで、メモリ容量が足りない場合、シス
テム起動時においてRAM15の記憶容量を比較器17
を用いて比較し、異なっている場合、ハードデイスク1
6の書き出しエリアを増加するよう構成し、又はそのよ
うな機能を備えた不図示のソフトウェアを格納するよう
構成する。
Therefore, when the memory capacity is insufficient, the storage capacity of the RAM 15 is compared with that of the comparator 17 when the system is started.
And compare if different, hard disk 1
The writing area 6 is increased, or software (not shown) having such a function is stored.

【0027】尚、上記実施形態例では1つの半導体記憶
装置を接続した構成であったが、図6に示すようにパー
ソナルコンピュータに接続された半導体記憶装置19に
対し、更に接続線20を介して不揮発性記憶装置(ハー
ドディスク)21を接続する構成としてもよい。
In the above embodiment, one semiconductor memory device is connected, but as shown in FIG. 6, the semiconductor memory device 19 connected to the personal computer is further connected via the connecting line 20. A non-volatile storage device (hard disk) 21 may be connected.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明の半導体記憶装置によれば、シス
テム起動時に自分のメモリ容量と予め確保されている半
導体記憶装置の容量を比較し、異なっている場合、半導
体記憶装置の書き出しエリアを増加させることのできる
機能を提供することができる。
According to the semiconductor memory device of the present invention, when the system is started up, the memory capacity of the semiconductor memory device is compared with the capacity of the semiconductor memory device secured in advance. It is possible to provide a function that can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係わる第1実施形態の半導体記憶装置
を示すシステムブロック図である。
FIG. 1 is a system block diagram showing a semiconductor memory device of a first embodiment according to the present invention.

【図2】本発明に係わる第1実施形態の半導体記憶装置
を示すシステムブロック図である。
FIG. 2 is a system block diagram showing a semiconductor memory device of a first embodiment according to the present invention.

【図3】本発明に係わる第2実施形態の半導体記憶装置
を示すシステムブロック図である。
FIG. 3 is a system block diagram showing a semiconductor memory device of a second embodiment according to the present invention.

【図4】本発明に係わる第3実施形態の半導体記憶装置
を示すシステムブロック図である。
FIG. 4 is a system block diagram showing a semiconductor memory device according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明に係わる第4実施形態の半導体記憶装置
を示すシステムブロック図である。
FIG. 5 is a system block diagram showing a semiconductor memory device of a fourth embodiment according to the present invention.

【図6】本発明に係わる変形例の半導体記憶装置を示す
システムブロック図である。
FIG. 6 is a system block diagram showing a modified semiconductor memory device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パーソナルコンピュータ 2 本体 3 キーボード 4 表示部 5 記憶装置 8,10,12,15 RAM 9 バッテリ 11,14,16 ハードデイスク 13 電源スイッチ 17 比較器 19,21 記憶装置 20 接続部 22 スイッチ 1 personal computer 2 body 3 keyboard 4 Display 5 storage devices 8, 10, 12, 15 RAM 9 battery 11,14,16 Hard Disk 13 Power switch 17 Comparator 19,21 Storage device 20 connection 22 switch

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 メモリーモジュールを利用し、それらを
内部に増設することにより記憶容量を増加させることを
特徴とする半導体記憶装置。
1. A semiconductor memory device characterized in that a memory module is utilized, and a storage capacity is increased by internally adding them.
【請求項2】 請求項1記載の半導体記憶装置におい
て、 メモリ内容が消去されないよう随時読み出し、書き込み
を行うリフレッシュ手段を内蔵することを特徴とする半
導体記憶装置。
2. The semiconductor memory device according to claim 1, further comprising a refreshing means for performing reading and writing at any time so that the memory contents are not erased.
【請求項3】 請求項1記載の半導体記憶装置におい
て、 電源がオフになった場合、メモリの内容を一定期間保持
できる充電可能なバッテリ手段を内蔵していることを特
徴とする半導体記憶装置。
3. The semiconductor memory device according to claim 1, further comprising a rechargeable battery means capable of holding the contents of the memory for a certain period when the power is turned off.
【請求項4】 請求項1記載の半導体記憶装置におい
て、 メモリの内容を一度にコピーする複写手段を備えたこと
を特徴とする半導体記憶装置。
4. The semiconductor memory device according to claim 1, further comprising a copying means for copying the contents of the memory at one time.
【請求項5】 請求項1記載の半導体記憶装置におい
て、 ボタンを押すと予め設定された該半導体記憶装置の内容
とメモリーの内容を比較して更新された部分だけ書き出
す複写手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
5. The semiconductor memory device according to claim 1, further comprising a copying unit that, when a button is pressed, compares the preset contents of the semiconductor memory device with the contents of the memory and writes only the updated portion. A characteristic semiconductor memory device.
【請求項6】 請求項1記載の半導体記憶装置におい
て、 電源がオフされるとき、予め設定された不揮発性記憶装
置にメモリー内容を書き出す複写手段を備えたことを特
徴とする半導体記憶装置。
6. The semiconductor memory device according to claim 1, further comprising a copy unit for writing the memory contents to a preset nonvolatile memory device when the power is turned off.
【請求項7】 請求項1記載の半導体記憶装置におい
て、 電源がオフされるとき、予め設定された不揮発性記憶装
置にメモリーの内容を書き出す機能を備えたソフトウェ
アを内蔵していることを特徴とする半導体記憶装置。
7. The semiconductor memory device according to claim 1, further comprising software having a function of writing the contents of the memory in a preset nonvolatile memory device when the power is turned off. Semiconductor memory device.
【請求項8】 請求項1記載の半導体記憶装置におい
て、 電源オフ用ボタンを備え、該ボタンが押されるとメモリ
の内容を不揮発性記憶装置に書き出し、電源オフの処理
に入る機能を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
8. The semiconductor memory device according to claim 1, further comprising a power-off button, and when the button is pressed, the content of the memory is written to the nonvolatile memory device, and the power-off process is started. A semiconductor memory device characterized by:
【請求項9】 記憶容量が増設されたときメモリの内容
を書き出すエリアとのチェック機能を有することを特徴
とする請求項4、5、又は6記載の半導体記憶装置。
9. The semiconductor memory device according to claim 4, 5 or 6, having a check function with an area for writing the contents of the memory when the memory capacity is expanded.
【請求項10】 システム起動時に自分のメモリー容量
と、予め確保されている不揮発性記憶装置の容量を比較
し、異なっている場合、不揮発性記憶装置の書き出しエ
リアを増加させる機能を有することを特徴とする請求項
4、5、又は6記載の半導体記憶装置。
10. The system has a function of comparing its own memory capacity with the capacity of a non-volatile memory device secured in advance at the time of system startup, and increasing the writing area of the non-volatile memory device if they are different. 7. The semiconductor memory device according to claim 4, 5, or 6.
【請求項11】 不揮発性記憶装置を内蔵した請求項1
乃至請求項10記載の半導体記憶装置。
11. A non-volatile storage device is built-in.
11. The semiconductor memory device according to claim 10.
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