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JP2003108541A - Processor, memory test method and memory test system - Google Patents

Processor, memory test method and memory test system

Info

Publication number
JP2003108541A
JP2003108541A JP2001295185A JP2001295185A JP2003108541A JP 2003108541 A JP2003108541 A JP 2003108541A JP 2001295185 A JP2001295185 A JP 2001295185A JP 2001295185 A JP2001295185 A JP 2001295185A JP 2003108541 A JP2003108541 A JP 2003108541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
memory
data memory
instruction code
processor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001295185A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiya Sakamoto
俊哉 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2001295185A priority Critical patent/JP2003108541A/en
Publication of JP2003108541A publication Critical patent/JP2003108541A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processor, a memory test method, and a memory test system capable of an operation test of a built-in data memory by a passage similar to a case of making access to the built-in data memory at ordinary operation time (command executing time). SOLUTION: In a processor 1, a program executing command code 5a is supplied to a selecting means (MUXC) 8 via an instruction register (IR) 5 from a program memory 3, and a memory test executing pseudo-command code 7a is supplied to the selecting means (MUXC) 8 from a test circuit 7. When executing a test of the data memory 2, the selecting means 8 selects the pseudo- command code 7a, and supplies the code to a decoder 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、内蔵データメモリ
のテスト回路を備えたプロセッサ、内蔵データメモリを
備えた半導体装置におけるメモリテスト方法及び内蔵デ
ータメモリを備えた半導体装置におけるメモリテストシ
ステムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processor having a test circuit for a built-in data memory, a memory test method for a semiconductor device having a built-in data memory, and a memory test system for a semiconductor device having a built-in data memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】プロセッサ等の半導体装置に内蔵された
データメモリ等のメモリの動作テストをする場合に、デ
ータメモリ等のメモリを直接制御できる外部端子をプロ
セッサ等の半導体装置のチップに設け、チップ外部から
テスト信号を直接入力して、データメモリ等のメモリを
直接的にテストしていた。
2. Description of the Related Art When an operation test of a memory such as a data memory built in a semiconductor device such as a processor is performed, an external terminal that can directly control the memory such as the data memory is provided on the chip of the semiconductor device such as the processor. A test signal was directly input from the outside to directly test a memory such as a data memory.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法を
採用したプロセッサ等の半導体装置では、データメモリ
の動作テスト実行時における各テスト信号の経路が、実
際にプロセッサ等の半導体装置を駆動して内蔵データメ
モリにアクセスする場合と異なることから、プロセッサ
のコア部(制御部等を含むプロセッサの中枢部)とデー
タメモリとの間の経路上の不具合を検出することができ
ないという問題があった。
However, in the semiconductor device such as a processor which adopts the conventional method, the path of each test signal when the operation test of the data memory is executed actually drives the semiconductor device such as the processor. Since this is different from the case of accessing the built-in data memory, there is a problem in that it is not possible to detect a defect on the path between the core unit of the processor (central part of the processor including the control unit) and the data memory.

【0004】本発明は斯かる事情に鑑みなされたもので
あり、その目的とするところは通常の動作時(命令実行
時)に内蔵メモリにアクセスする場合と同様の経路によ
り内蔵メモリの動作テストが可能なプロセッサを提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to perform an operation test of the internal memory by the same route as when accessing the internal memory during normal operation (when executing an instruction). To provide a possible processor.

【0005】また、本発明の他の目的は、内蔵メモリを
備えた半導体装置のメモリテスト方法において、半導体
装置における通常の動作時の経路と同一の経路を用いて
テスト対象のデータメモリにアクセスすることにより、
半導体装置における信頼性の高いメモリテスト方法を提
供することにある。
Another object of the present invention is, in a memory test method for a semiconductor device having a built-in memory, to access a data memory to be tested by using the same path as a normal operation path in the semiconductor device. By
An object of the present invention is to provide a highly reliable memory test method for a semiconductor device.

【0006】また、本発明の他の目的は、内蔵メモリを
備えた半導体装置におけるメモリテストシステムにおい
て、テスト実行時においても、半導体装置における通常
の動作時(命令実行時)の経路と同一の経路によりテス
ト対象のデータメモリにアクセスすることにより、半導
体装置における信頼性の高いメモリテストシステムを提
供することにある。
Another object of the present invention is to provide, in a memory test system for a semiconductor device having a built-in memory, a path that is the same as a path during normal operation (instruction execution) of the semiconductor device even during test execution. In order to provide a highly reliable memory test system for a semiconductor device by accessing the data memory to be tested.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】第1発明に係るプロセッ
サは、データメモリ及びプログラムメモリを備えたプロ
セッサにおいて、前記プログラムメモリの命令コードを
解読するデコーダと、前記データメモリをテストするた
めの擬似命令コードを出力するテスト回路と、前記命令
コード及び擬似命令コードのいずれかを選択する選択手
段とを備え、該選択手段は、命令実行時には前記命令コ
ードを、テスト実行時には前記擬似命令コードを各々選
択して前記デコーダへ与える構成としたことを特徴とす
る。
A processor according to a first aspect of the present invention is a processor including a data memory and a program memory, a decoder for decoding an instruction code of the program memory, and a pseudo instruction for testing the data memory. A test circuit that outputs a code and a selection unit that selects one of the instruction code and the pseudo instruction code are included. The selection unit selects the instruction code when executing an instruction and the pseudo instruction code when performing a test. It is characterized in that it is configured to be provided to the decoder.

【0008】第2発明に係るプロセッサは、第1発明に
おいて、前記選択手段は、前記命令コード及び擬似命令
コードを入力とし、前記命令実行時には命令コードを、
前記テスト実行時には擬似命令コードを各々選択して前
記デコーダへ与えるマルチプレクサであることを特徴と
する。
A processor according to a second aspect of the present invention is the processor according to the first aspect, wherein the selecting means receives the instruction code and the pseudo instruction code as input, and outputs the instruction code when the instruction is executed.
The multiplexer is characterized in that it is a multiplexer which selects each pseudo instruction code and gives it to the decoder during the test execution.

【0009】第3発明に係るプロセッサは、第1発明又
は第2発明において、前記プロセッサは、前記テスト実
行時に前記データメモリへのアクセスアドレスを格納す
るアドレスレジスタを備えたことを特徴とする。
A processor according to a third invention is characterized in that, in the first invention or the second invention, the processor comprises an address register for storing an access address to the data memory at the time of executing the test.

【0010】第4発明に係るメモリテスト方法は、デー
タメモリと、プログラムメモリと、テスト回路とを備え
た半導体装置におけるメモリテスト方法において、前記
プログラムメモリから出力される命令コード及び前記テ
スト回路から出力される擬似命令コードのいずれかを選
択する選択手段を設け、該選択手段はテスト実行時に前
記擬似命令コードを選択することにより前記データメモ
リのテストを行うことを特徴とする。
A memory test method according to a fourth aspect of the present invention is a memory test method in a semiconductor device including a data memory, a program memory, and a test circuit, wherein an instruction code output from the program memory and an output from the test circuit. Selecting means for selecting one of the pseudo instruction codes to be performed, and the selecting means tests the data memory by selecting the pseudo instruction code at the time of test execution.

【0011】第5発明に係るメモリテストシステムは、
データメモリと、プログラムメモリと、テスト回路とを
備えた半導体装置におけるメモリテストシステムにおい
て、前記プログラムメモリから出力される命令コード及
び前記テスト回路からデータメモリをテストするために
出力される擬似命令コードのいずれかを選択して出力す
る選択手段を備え、該選択手段は、命令実行時には前記
命令コードを、テスト実行時には前記擬似命令コードを
選択する構成としたことを特徴とする。
A memory test system according to the fifth invention is
In a memory test system in a semiconductor device including a data memory, a program memory, and a test circuit, an instruction code output from the program memory and a pseudo instruction code output to test the data memory from the test circuit It is characterized in that it comprises a selecting means for selecting and outputting any one of them, and the selecting means is configured to select the instruction code at the time of instruction execution and the pseudo instruction code at the time of test execution.

【0012】第1発明においては、命令実行時には命令
コードを、テスト実行時には擬似命令コードを各々選択
してデコーダに出力する構成とし、データメモリをテス
トするための擬似命令コードをプロセッサ内部のデコー
ダに供給するので、テスト実行時においても、プロセッ
サにおける通常の動作時(命令実行時)の経路と同一の
経路によりテスト対象のデータメモリにアクセスでき、
プロセッサ実動作と同様な状況でのデータメモリのアク
セス動作テストができる。
According to the first aspect of the present invention, the instruction code is selected when the instruction is executed and the pseudo instruction code is selected and output to the decoder when the test is executed, and the pseudo instruction code for testing the data memory is output to the decoder inside the processor. Since it is supplied, the data memory to be tested can be accessed through the same path as the path during normal operation (instruction execution) in the processor even during test execution,
The data memory access operation test can be performed under the same conditions as the actual processor operation.

【0013】第2発明においては、マルチプレクサによ
り選択手段を構成したので、簡単な構成で命令コードと
擬似命令コードの切替が可能となる。
In the second aspect of the invention, since the selecting means is constituted by the multiplexer, it is possible to switch between the instruction code and the pseudo instruction code with a simple structure.

【0014】第3発明においては、テスト実行時にデー
タメモリへのアクセスアドレスを格納するアドレスレジ
スタを備えた構成としたので、テスト実行時にデータメ
モリへのアクセスが容易であり、連続的な書込み、読出
しが可能となる。
In the third aspect of the invention, since the address register for storing the access address to the data memory is provided at the time of test execution, the data memory can be easily accessed at the time of test execution, and continuous writing and reading are performed. Is possible.

【0015】第4発明においては、命令コード及び擬似
命令コードのいずれかを選択して出力する選択手段を設
け、選択手段はテスト実行時に擬似命令コードを選択出
力してデータメモリのテストを行うメモリテスト方法と
したので、テスト実行時においても、半導体装置におけ
る通常の動作時(命令実行時)の経路と同一の経路によ
りテスト対象のデータメモリにアクセスでき、半導体装
置の実動作と同様な状況でのデータメモリのアクセス動
作テストが可能となる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a selecting means for selecting and outputting either the instruction code or the pseudo instruction code, and the selecting means selectively outputs the pseudo instruction code at the time of test execution to test the data memory. Since the test method is used, the data memory to be tested can be accessed through the same route as the route during normal operation (instruction execution) of the semiconductor device even during test execution, and in the same situation as the actual operation of the semiconductor device. It is possible to test the access operation of the data memory.

【0016】第5発明においては、半導体装置における
メモリテストシステムにおいて、プログラムメモリから
出力される命令コード及びテスト回路から出力される擬
似命令コードのいずれかを選択出力する選択手段を備
え、命令実行時には命令コードを、テスト実行時には擬
似命令コードを選択して出力する構成としたので、テス
ト実行時においても、半導体装置における通常の動作時
(命令実行時)の経路と同一の経路によりテスト対象の
データメモリにアクセスでき、半導体装置の実動作と同
様な状況でのデータメモリのアクセス動作テストが可能
となる。
According to a fifth aspect of the invention, in a memory test system for a semiconductor device, there is provided a selecting means for selectively outputting either an instruction code output from a program memory or a pseudo instruction code output from a test circuit, and at the time of executing an instruction. Since the instruction code is configured to select and output the pseudo instruction code at the time of test execution, even at the time of test execution, the data of the test target is subjected to the same path as the normal operation (instruction execution) path of the semiconductor device. The memory can be accessed, and the access operation test of the data memory can be performed in the same situation as the actual operation of the semiconductor device.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下本発明をその実施の形態を示
す図面に基づいて詳述する。図1は、本発明に係るプロ
セッサの主要ブロック図である。図において、1はプロ
セッサであり、あるいは半導体装置であり、具体的には
例えばDSP(ディジタルシグナルプロセッサ)等であ
る。プロセッサ1は、データメモリ2、プログラムメモ
リ3、プロセッサコア部4、インストラクションレジス
タ(IR)5、デコーダ6、テスト回路7、選択手段
(MUXC)8、メモリバスインタフェース9を主要構
成とする。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to the drawings showing the embodiments thereof. FIG. 1 is a main block diagram of a processor according to the present invention. In the figure, reference numeral 1 is a processor or a semiconductor device, specifically, for example, a DSP (digital signal processor) or the like. The processor 1 has a data memory 2, a program memory 3, a processor core unit 4, an instruction register (IR) 5, a decoder 6, a test circuit 7, a selection unit (MUXC) 8 and a memory bus interface 9 as main components.

【0018】データメモリ2には、メモリバスインタフ
ェース9との間にデータメモリ書込みバス2W及びデー
タメモリ読出しバス2Rが配置される。データメモリ2
とプロセッサコア部4との間にデータメモリアドレスバ
ス4aが配置される。データメモリ2は、更にデータメ
モリA(2A)及びデータメモリB(2B)(以下単に
データメモリA、データメモリBと、あるいは、データ
メモリ2A、データメモリ2Bと記載することがある)
の2つのデータメモリにより構成される(図4参照)。
プログラムメモリ3には、プロセッサ1を動作させるた
めに必要なプログラムの命令コード等が格納され、プロ
グラムメモリ3からインストラクションレジスタ5にプ
ログラムの命令コードを含むプログラム信号3aが出力
される。
A data memory write bus 2W and a data memory read bus 2R are arranged between the data memory 2 and the memory bus interface 9. Data memory 2
A data memory address bus 4 a is arranged between the processor core unit 4 and the processor core unit 4. The data memory 2 further includes a data memory A (2A) and a data memory B (2B) (hereinafter may be simply referred to as the data memory A and the data memory B, or the data memory 2A and the data memory 2B).
2 data memories (see FIG. 4).
The program memory 3 stores the instruction code of the program necessary for operating the processor 1, and the program memory 3 outputs a program signal 3a including the instruction code of the program to the instruction register 5.

【0019】インストラクションレジスタ5は、プログ
ラムメモリ3の命令コードを読出して一時的に保持す
る。インストラクションレジスタ5から出力された命令
コード5aは、選択手段8に入力される。選択手段8に
は、テスト回路7から出力される擬似命令コード7aが
併せて入力される。選択手段8は命令コード5a及び擬
似命令コード7aのいずれかを選択して、デコーダ6に
出力するもので、マルチプレクサ(MUXC)により構
成される。プロセッサコア部4には、プロセッサ書込み
バス4W及びプロセッサ読出しバス4Rが、メモリバス
インタフェース9との間に配置される。プロセッサ書込
みバス4Wには、テスト回路7からテスト用書込みデー
タ7bも出力される。テスト回路7には、プロセッサ1
の外部端子から、テストモードイネーブル信号7c、テ
スト回路制御コマンド7dが入力され、テスト機能(テ
ストモード)の制御を行う。メモリバスインタフェース
9には、外付けメモリ(図示しない)が接続され、外付
けメモリ書込みバス9W及び外付けメモリ読出しバス9
Rが配置される。
The instruction register 5 reads the instruction code of the program memory 3 and temporarily holds it. The instruction code 5a output from the instruction register 5 is input to the selecting means 8. The pseudo instruction code 7a output from the test circuit 7 is also input to the selection unit 8. The selecting means 8 selects either the instruction code 5a or the pseudo instruction code 7a and outputs it to the decoder 6, and is composed of a multiplexer (MUXC). In the processor core unit 4, a processor write bus 4W and a processor read bus 4R are arranged between the memory bus interface 9. The test write data 7b is also output from the test circuit 7 to the processor write bus 4W. The test circuit 7 includes a processor 1
The test mode enable signal 7c and the test circuit control command 7d are input from the external terminal of the control circuit 7 to control the test function (test mode). An external memory (not shown) is connected to the memory bus interface 9, and the external memory write bus 9W and the external memory read bus 9 are connected.
R is placed.

【0020】図2は、本発明におけるプロセッサコア部
の主要ブロック図である。図1と同一の部分については
同一の符号を付して、説明は省略する。図において、イ
ンストラクションレジスタ5からの命令コード5aとテ
スト回路7からの擬似命令コード7aとは、選択手段8
において、テスト回路7からのテストモード信号TST
MODEに応じて一方が選択されてデコーダ6に出力さ
れる。テストモード信号TSTMODEは、論理「1」
で、アクティブとなり、テストモード動作、即ちテスト
実行モードとなり、選択手段8において、擬似命令コー
ド7aが選択される。テストモード動作(テスト実行)
時は、常に論理「1」とする。テストモード信号TST
MODEは、論理「0」で、テストモード非動作、即ち
通常モード動作(命令実行)となり、選択手段8におい
て、命令コード5aが選択される。テストモード信号T
STMODEは、他の部分のマルチプレクサ(例えば、
図5におけるMUXA、MUXB等)にも入力され、同
様な切替を行う。
FIG. 2 is a main block diagram of the processor core unit according to the present invention. The same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. In the figure, the instruction code 5a from the instruction register 5 and the pseudo instruction code 7a from the test circuit 7 are the selection means 8
, The test mode signal TST from the test circuit 7
One is selected according to the MODE and is output to the decoder 6. The test mode signal TSTMODE is logic "1".
Then, it becomes active and enters the test mode operation, that is, the test execution mode, and the pseudo instruction code 7a is selected by the selecting means 8. Test mode operation (test execution)
Time is always logical "1". Test mode signal TST
MODE is a logic "0", and the test mode is non-operation, that is, the normal mode operation (instruction execution), and the instruction code 5a is selected by the selection means 8. Test mode signal T
STMODE is a multiplexer for other parts (for example,
(MUXA, MUXB, etc. in FIG. 5) are also input and similar switching is performed.

【0021】プロセッサコア部4には、デコーダ6、ア
ドレスレジスタ(a0)42、アドレスレジスタ(a
4)43を含むアドレス生成部41を設ける。アドレス
レジスタ(a0)42は、データメモリAに対するアク
セスアドレスを保持し、アドレスレジスタ(a4)43
は、データメモリBに対するアクセスアドレスを保持す
る。アドレスレジスタ(a0)42は、アドレスレジス
タ(a0)参照入力ADR−Aを、アドレスレジスタ
(a4)43は、アドレスレジスタ(a4)参照入力A
DR−Bを、各々テスト回路7に向けて出力する。アド
レスレジスタ(a0)参照入力ADR−Aは、データメ
モリAに対する読出しテスト、書込みテストを行う際
に、その時点で何番地にアクセスしているのかを参照す
るための入力であり、アドレスレジスタ(a4)参照入
力ADR−Bは、データメモリBに対する読出しテス
ト、書込みテストを行う際に、その時点で何番地にアク
セスしているのかを参照するための入力である。
The processor core unit 4 includes a decoder 6, an address register (a0) 42 and an address register (a
4) An address generator 41 including 43 is provided. The address register (a0) 42 holds an access address for the data memory A, and the address register (a4) 43
Holds an access address for the data memory B. The address register (a0) 42 receives the address register (a0) reference input ADR-A, and the address register (a4) 43 receives the address register (a4) reference input A.
DR-B is output to each test circuit 7. The address register (a0) reference input ADR-A is an input for referring to which address is being accessed at the time of performing a read test or a write test on the data memory A. The reference input ADR-B is an input for referring to what address is being accessed at the time of performing a read test or a write test on the data memory B.

【0022】デコーダ6は、擬似命令コード7aの命令
内容を解読する。擬似命令コード7aには、「メモリア
クセス(読出し、書込み)」、「アドレス演算」、「ア
ドレスデータの更新」の3つの動作を並行して実行する
擬似命令が含まれ、この擬似命令を受けて、データメモ
リA(図4参照)に対してはアドレスレジスタ(a0)
42の示すアドレスで、又データメモリB(図4参照)
に対してはアドレスレジスタ(a4)43の示すアドレ
スで、メモリアクセス(読出し、書込み)を行う。メモ
リアクセスと並行して、アドレス生成部41において
は、図示しないアドレス演算部によりアドレス演算を行
い、又、アドレスの更新を行う。アドレス更新を行うこ
とから、「次にアドレスレジスタ(a0)42に入る値
を演算し、結果をアドレスレジスタ(a0)42に格
納」、「次にアドレスレジスタ(a4)43に入る値を
演算し、結果をアドレスレジスタ(a4)43に格納」
するという動作も行うことができる。テスト回路7は、
この擬似命令を連続的に指定された回数だけ、プロセッ
サコア部4に発行する。これにより、アドレス生成部4
1におけるアドレスレジスタ(a0)42、アドレスレ
ジスタ(a4)43を使用して、連続書込み、読出しを
実行することができる。
The decoder 6 decodes the instruction content of the pseudo instruction code 7a. The pseudo-instruction code 7a includes a pseudo-instruction for executing three operations in parallel: "memory access (read, write)", "address operation", and "update of address data". , The address register (a0) for the data memory A (see FIG. 4)
Data memory B at the address indicated by 42 (see FIG. 4)
The memory access (reading and writing) is performed at the address indicated by the address register (a4) 43. In parallel with the memory access, in the address generation unit 41, an address calculation unit (not shown) calculates an address and updates the address. Since the address is updated, "the value next to the address register (a0) 42 is calculated, and the result is stored in the address register (a0) 42", "the next value to be entered into the address register (a4) 43 is calculated. , Store result in address register (a4) 43 ”
The action of doing can also be performed. The test circuit 7
This pseudo instruction is continuously issued to the processor core unit 4 the designated number of times. As a result, the address generator 4
Continuous writing and reading can be executed by using the address register (a0) 42 and the address register (a4) 43 in 1.

【0023】プロセッサコア部4からは、図1における
プロセッサ書込みバス4Wに対応するプロセッサ書込み
バスA(BDA−W)、プロセッサ書込みバスB(BD
B−W)が出力される。又、プロセッサコア部4には、
図1におけるプロセッサ読出しバス4Rに対応するプロ
セッサ読出しバスA(BDA−R)、プロセッサ読出し
バスB(BDB−R)が入力される。プロセッサ書込み
バスA(BDA−W)は、データメモリA、データメモ
リB、外付けメモリ(図示しない)等に、プロセッサコ
ア部4からデータを転送するためのバスであり、プロセ
ッサ書込みバスB(BDB−W)は、データメモリB、
外付けメモリ(図示しない)等に、プロセッサコア部4
からデータを転送するためのバスであり、プロセッサ読
出しバスA(BDA−R)は、データメモリA、データ
メモリB、外付けメモリ(図示しない)等から、プロセ
ッサコア部4にデータを転送するためのバスであり、プ
ロセッサ読出しバスB(BDB−R)は、データメモリ
B、外付けメモリ(図示しない)等から、プロセッサコ
ア部4にデータを転送するためのバスであり、これら
は、主にメモリバスインタフェース9を介して所定の対
応部分との信号の送受を行う。
From the processor core unit 4, the processor write bus A (BDA-W) and the processor write bus B (BD) corresponding to the processor write bus 4W in FIG.
B-W) is output. In addition, the processor core unit 4 includes
A processor read bus A (BDA-R) and a processor read bus B (BDB-R) corresponding to the processor read bus 4R in FIG. 1 are input. The processor write bus A (BDA-W) is a bus for transferring data from the processor core unit 4 to the data memory A, the data memory B, an external memory (not shown), and the processor write bus B (BDB-B). -W) is a data memory B,
An external memory (not shown) or the like is provided with the processor core unit 4
A processor read bus A (BDA-R) for transferring data from the data memory A, the data memory B, an external memory (not shown), etc. to the processor core unit 4. The processor read bus B (BDB-R) is a bus for transferring data from the data memory B, an external memory (not shown), etc. to the processor core unit 4, and these are mainly used. Signals are exchanged with a predetermined corresponding portion via the memory bus interface 9.

【0024】プロセッサコア部4からは、データメモリ
Aアドレス4aA、データメモリA読出し信号4aA−
R、データメモリA書込み信号4aA−Wが、データメ
モリAに出力され、又、データメモリBアドレス4a
B、データメモリB読出し信号4aB−R、データメモ
リB書込み信号4aB−Wが、データメモリBに出力さ
れる。これらは図1においてデータメモリアドレスバス
4aと略記したものに相当する。
From the processor core unit 4, the data memory A address 4aA and the data memory A read signal 4aA-
R, data memory A write signal 4aA-W is output to data memory A, and data memory B address 4a
B, the data memory B read signal 4aB-R, and the data memory B write signal 4aB-W are output to the data memory B. These correspond to those abbreviated as the data memory address bus 4a in FIG.

【0025】図3は、本発明におけるテスト回路の主要
機能説明図である。図1等と同一の部分については同一
の符号を付して、説明は省略する。図において、テスト
回路7の端子を示す。原則として端子名とするが、その
まま信号名とする場合がある。端子INSTは、プロセ
ッサコア部4の選択手段8(MUXC)に出力される擬
似命令出力つまり図1における擬似命令コード7aに対
応する。端子TESTMODEは、テストモード信号T
ESTMODEをマルチプレクサ(MUXA〜MUX
C)等に出力し、テスト実行時の必要に応じて各マルチ
プレクサの切替を行う。端子ADR−A、ADR−B
は、各々アドレスレジスタ(a0)42、アドレスレジ
スタ(a4)43のアクセスアドレスを参照入力する。
端子DMI−A、DMI−Bは、各々データメモリA、
データメモリBのデータを、プロセッサ読出しバスA
(BDA−R)、プロセッサ読出しバスB(BDB−
R)を介してテスト回路7に入力して取り込む。
FIG. 3 is an explanatory view of main functions of the test circuit according to the present invention. The same parts as those in FIG. 1 and the like are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. In the figure, the terminals of the test circuit 7 are shown. In principle, the pin name is used, but it may be used as it is as the signal name. The terminal INST corresponds to the pseudo instruction output output to the selection unit 8 (MUXC) of the processor core unit 4, that is, the pseudo instruction code 7a in FIG. The terminal TESTMODE is connected to the test mode signal T
ESTMODE multiplexer (MUXA to MUX
It is output to C) and the like, and each multiplexer is switched as needed during test execution. Terminal ADR-A, ADR-B
Inputs the access addresses of the address register (a0) 42 and the address register (a4) 43, respectively.
The terminals DMI-A and DMI-B are connected to the data memories A and A, respectively.
Data in the data memory B is transferred to the processor read bus A
(BDA-R), processor read bus B (BDB-
It is input to the test circuit 7 via R) and taken in.

【0026】端子DOUT−A、DOUT−Bは、テス
ト回路7からデータメモリA、データメモリBに書込み
データを出力するもので、マルチプレクサMUXA、M
UXB(図5参照)に対して出力され、メモリバスイン
タフェース9を介してデータメモリA、データメモリB
に書込みデータが書き込まれる。端子TSTDIは、プ
ロセッサ1の外部から、外付けメモリ読出しバス9R
(図1)及びプロセッサ読出しバスA(BDA−R)を
介して、テスト回路7にテストに必要なデータを入力す
る。テストに必要なデータとは、例えば、テスト開始ア
ドレス、テスト終了アドレス、書込み用テストデータ、
読出し比較テスト用データ等である。尚、プロセッサ1
に端子TSTDI専用の端子を設けた場合には外付けメ
モリ読出しバス9Rを利用しないでも入力ができる。
The terminals DOUT-A and DOUT-B output write data from the test circuit 7 to the data memory A and the data memory B, and the multiplexers MUXA and MUX.
Output to UXB (see FIG. 5), and data memory A, data memory B via memory bus interface 9
Write data is written in. The terminal TSTDI is connected to the external memory read bus 9R from the outside of the processor 1.
Data necessary for the test is input to the test circuit 7 through the processor read bus A (BDA-R) (FIG. 1). The data necessary for the test includes, for example, a test start address, a test end address, write test data,
These are read comparison test data and the like. In addition, processor 1
When a terminal dedicated to the terminal TSTDI is provided in the input terminal, input can be performed without using the external memory read bus 9R.

【0027】端子XRE−A、XWE−A、XRE−
B、XWE−Bは、各々データメモリAの読出し許可信
号、データメモリAの書込み許可信号、データメモリB
の読出し許可信号、データメモリBの書込み許可信号を
出力する。いずれも論理「0」で、読出し許可状態、書
込み許可状態となる。尚、許可状態は図4に示すオア回
路(7a〜7d)への入力により規定される。
Terminals XRE-A, XWE-A, XRE-
B and XWE-B are a read permission signal of the data memory A, a write permission signal of the data memory A, and a data memory B, respectively.
And a write enable signal for the data memory B are output. Both are logic "0" and are in the read enable state and the write enable state. The permission state is defined by the input to the OR circuits (7a to 7d) shown in FIG.

【0028】端子CNTはプロセッサ1のテスト回路制
御コマンド用外部端子TCCCからテスト回路制御コマ
ンド(図1の7dに対応)を入力する。これにより、テ
スト回路7に所望の動作を実行させることができる。以
下にテスト回路制御コマンドの例を示す。コマンドコー
ド(以下記載省略)「0000」で「未使用」、「00
01」で「メモリ構成初期化」、「0010」で「スタ
ートアドレス0をセット(テスト回路7の内部レジス
タ)」、「0011」で「スタートアドレス1をセット
(テスト回路7の内部レジスタ)」、「0100」で
「エンドアドレス0をセット(テスト回路7の内部レジ
スタ)」、「0101」で「エンドアドレス1をセット
(テスト回路7の内部レジスタ)」、「0110」で
「オフセットデータ0をロード」、「0111」で「オ
フセットデータ1をロード」、「1000」で「モード
セットA」、「1001」で「モードセットB」、「1
010」で「モードセットAB」、「1011」で「モ
ードセットカウンタ」、「1100」で「書込みデータ
をセット(テスト回路7の内部レジスタ)」、「110
1」で「書込み」、「1110」で「読出し+比較」、
「1111」で「未使用」等である。
The terminal CNT inputs a test circuit control command (corresponding to 7d in FIG. 1) from the test circuit control command external terminal TCCC of the processor 1. This allows the test circuit 7 to execute a desired operation. An example of the test circuit control command is shown below. Command code (not shown below) "0000" for "unused", "00"
"01" means "memory configuration initialization", "0010" means "set start address 0 (internal register of test circuit 7)", "0011" means "set start address 1 (internal register of test circuit 7)", "0100" sets "end address 0 (internal register of test circuit 7)", "0101" sets "end address 1 (internal register of test circuit 7)", "0110" loads "offset data 0" , "0111" for "load offset data 1", "1000" for "mode set A", "1001" for "mode set B", "1"
"010" for "mode set AB", "1011" for "mode set counter", "1100" for "write data set (internal register of test circuit 7)", "110".
"1" means "write", "1110" means "read + compare",
“1111” is “unused” or the like.

【0029】端子TSTMODENには、プロセッサ1
のテストモードイネーブル用外部端子TEから、テスト
モードイネーブル信号(図1の7cに対応)が入力さ
れ、論理「1」で、通常モード動作からテストモード動
作に移行し、テスト回路7が動作可能となる。端子ER
R−A、ERR−Bは、各々データメモリA、データメ
モリBにおけるエラー発生表示フラグをエラー表示用外
部端子ED−A、ED−Bに出力する。例えば、論理
「1」で、エラー発生表示とする。
The processor 1 is connected to the terminal TSTMODEN.
A test mode enable signal (corresponding to 7c in FIG. 1) is input from the external terminal TE for test mode enable of, and the logic "1" shifts from the normal mode operation to the test mode operation to enable the test circuit 7 to operate. Become. Terminal ER
RA and ERR-B output the error occurrence display flags in the data memory A and data memory B to the error display external terminals ED-A and ED-B, respectively. For example, a logic "1" is used to indicate that an error has occurred.

【0030】図4は、本発明におけるデータメモリの主
要信号説明図である。図1等と同一の部分については同
一の符号を付して、説明は省略する。尚、クロック、リ
セット等の一般的な端子は省略している。図において、
データメモリ2は、例えば、データメモリA(2A)及
びデータメモリB(2B)の2系統で構成されている。
プロセッサコア部4からは、既述したようにデータメモ
リAアドレス4aA、データメモリA読出し信号4aA
−R、データメモリA書込み信号4aA−Wが、データ
メモリAに出力され、又、データメモリBアドレス4a
B、データメモリB読出し信号4aB−R、データメモ
リB書込み信号4aB−Wが、データメモリBに出力さ
れる。既述したようにテスト回路7の端子XRE−A、
XWE−A、XRE−B、XWE−Bからは、各々デー
タメモリAの読出し許可信号、データメモリAの書込み
許可信号、データメモリBの読出し許可信号、データメ
モリBの書込み許可信号が出力される。オア回路7aに
は、データメモリA読出し信号4aA−R及び端子XR
E−AからデータメモリAの読出し許可信号が、オア回
路7bには、データメモリA書込み信号4aA−W及び
端子XWE−AからデータメモリAの書込み許可信号
が、オア回路7cには、データメモリB読出し信号4a
B−R及び端子XRE−BからデータメモリBの読出し
許可信号が、オア回路7dには、データメモリB書込み
信号4aB−W及び端子XWE−BからデータメモリB
の書込み許可信号が、各々入力されてテスト実行時の入
力を制御する。
FIG. 4 is an explanatory view of main signals of the data memory according to the present invention. The same parts as those in FIG. 1 and the like are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Note that general terminals such as clock and reset are omitted. In the figure,
The data memory 2 is composed of, for example, two systems, a data memory A (2A) and a data memory B (2B).
From the processor core unit 4, as described above, the data memory A address 4aA and the data memory A read signal 4aA.
-R, data memory A write signal 4aA-W is output to data memory A, and data memory B address 4a
B, the data memory B read signal 4aB-R, and the data memory B write signal 4aB-W are output to the data memory B. As described above, the terminal XRE-A of the test circuit 7,
The XWE-A, XRE-B, and XWE-B output a read permission signal for the data memory A, a write permission signal for the data memory A, a read permission signal for the data memory B, and a write permission signal for the data memory B, respectively. . The OR circuit 7a includes a data memory A read signal 4aA-R and a terminal XR.
A read enable signal of the data memory A from EA, a write enable signal 4aA-W of the data memory A to the OR circuit 7b and a write enable signal of the data memory A from the terminal XWE-A, and a data memory of the OR circuit 7c. B read signal 4a
A read enable signal of the data memory B from B-R and the terminal XRE-B, and a data memory B write signal 4aB-W and a data memory B from the terminal XWE-B to the OR circuit 7d.
Write enable signals are input to control input during test execution.

【0031】データメモリAにおいて、データメモリA
読出しバスDDIA−Rがメモリバスインタフェース9
に出力され、データメモリA書込みバスDDIA−Wが
メモリバスインタフェース9から入力される。データメ
モリBにおいて、データメモリB読出しバスDDIB−
Rがメモリバスインタフェース9に出力され、データメ
モリB書込みバスDDIB−Wがメモリバスインタフェ
ース9から入力される。データメモリA読出しバスDD
IA−Rは、データメモリAから読出したデータをプロ
セッサコア部4に転送するためのバスであり、データメ
モリA書込みバスDDIA−Wは、プロセッサコア部4
からデータメモリAにデータを転送するためのバスであ
る。データメモリB読出しバスDDIB−Rは、データ
メモリBから読出したデータをプロセッサコア部4に転
送するためのバスであり、データメモリB書込みバスD
DIB−Wは、プロセッサコア部4からデータメモリB
にデータを転送するためのバスである。
In the data memory A, the data memory A
The read bus DDIA-R is the memory bus interface 9
And the data memory A write bus DDIA-W is input from the memory bus interface 9. In the data memory B, the data memory B read bus DDIB-
R is output to the memory bus interface 9, and the data memory B write bus DDIB-W is input from the memory bus interface 9. Data memory A read bus DD
The IA-R is a bus for transferring the data read from the data memory A to the processor core unit 4, and the data memory A write bus DDIA-W is the processor core unit 4.
From the data memory A to the data memory A. The data memory B read bus DDIB-R is a bus for transferring the data read from the data memory B to the processor core unit 4, and the data memory B write bus D
The DIB-W is the data memory B from the processor core unit 4.
Is a bus for transferring data to.

【0032】図5は、本発明におけるメモリバスインタ
フェースの主要経路図である。図1等と同一の部分につ
いては同一の符号を付して、説明は省略する。プロセッ
サコア部4からは、プロセッサ書込みバスA(BDA−
W)、プロセッサ書込みバスB(BDB−W)が、マル
チプレクサMUXA、MUXBの一方の入力端に各々入
力される。マルチプレクサMUXA、MUXBの他方の
入力端には、テスト回路7の端子DOUT−A、DOU
T−BからデータメモリA、データメモリBに対する書
込みデータ(図1の7bに対応)が入力される。マルチ
プレクサMUXA、MUXBは、テストモード信号TE
STMODEに応じて、いずれかの入力を選択する。マ
ルチプレクサMUXAの出力は、データメモリA書込み
バスDDIA−W、外付けメモリ書込みバスOD(9
W)、プロセッサ読出しバスA(BDA−R)等に出力
される。マルチプレクサMUXBの出力は、データメモ
リB書込みバスDDIB−W、外付けメモリ書込みバス
OD(9W)、プロセッサ読出しバスB(BDB−R)
等に出力される。
FIG. 5 is a main route diagram of the memory bus interface according to the present invention. The same parts as those in FIG. 1 and the like are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. From the processor core unit 4, the processor write bus A (BDA-
W) and the processor write bus B (BDB-W) are input to one input ends of the multiplexers MUXA and MUXB, respectively. Terminals DOUT-A and DOU of the test circuit 7 are connected to the other input ends of the multiplexers MUXA and MUXB.
Write data (corresponding to 7b in FIG. 1) to the data memory A and the data memory B is input from T-B. The multiplexers MUXA and MUXB are connected to the test mode signal TE.
Either input is selected according to STMODE. The outputs of the multiplexer MUXA are the data memory A write bus DDIA-W and the external memory write bus OD (9
W), the processor read bus A (BDA-R), etc. The output of the multiplexer MUXB is the data memory B write bus DDIB-W, the external memory write bus OD (9W), the processor read bus B (BDB-R).
Etc. are output.

【0033】外付けメモリ書込みバスOD(9W)は、
プロセッサ1から外部メモリ(図示しない)に書込みデ
ータを転送するためのバスである。外付けメモリ読出し
バスID(9R)は、外部メモリ(図示しない)から読
出したデータをプロセッサ1の内部に転送するためのバ
スである。外付けメモリ読出しバスID(9R)は、切
替手段を介してプロセッサ読出しバスA(BDA−R)
及びプロセッサ読出しバスB(BDB−R)に接続され
る。プロセッサ読出しバスA(BDA−R)は、既述し
たとおりテスト回路7の端子DMI−A、TSTDIに
接続される。プロセッサ読出しバスB(BDB−R)
は、既述したとおりテスト回路7の端子DMI−Bに接
続される。データメモリA読出しバスDDIA−Rは、
プロセッサ読出しバスA(BDA−R)に、データメモ
リB読出しバスDDIB−Rは、プロセッサ読出しバス
A(BDA−R)及びプロセッサ読出しバスB(BDB
−R)に接続される。尚、これらの接続相互間には必要
に応じて各種信号の切替手段が設けられ、テストモード
の切替に応じて適宜信号の経路の切替がなされる。
The external memory write bus OD (9W) is
It is a bus for transferring write data from the processor 1 to an external memory (not shown). The external memory read bus ID (9R) is a bus for transferring the data read from the external memory (not shown) to the inside of the processor 1. The external memory read bus ID (9R) is the processor read bus A (BDA-R) via the switching means.
And processor read bus B (BDB-R). The processor read bus A (BDA-R) is connected to the terminals DMI-A and TSTDI of the test circuit 7 as described above. Processor read bus B (BDB-R)
Is connected to the terminal DMI-B of the test circuit 7 as described above. The data memory A read bus DDIA-R is
The processor read bus A (BDA-R), the data memory B read bus DDIB-R are connected to the processor read bus A (BDA-R) and the processor read bus B (BDB).
-R). It should be noted that a switching means for various signals is provided between these connections as required, and the signal path is appropriately switched according to the switching of the test mode.

【0034】図6は、本発明におけるテスト回路の基本
操作フローである。図1等と同一の部分については同一
の符号を付して、説明は省略する。尚、フローチャート
において、データメモリは単にメモリと表記する。テス
トモードイネーブル信号7cとして論理「1」(1ビッ
ト)を入力し、テストモードを起動する(ステップS
1)。テスト回路制御コマンド(以下、単に「COMM
AND」と記載する)=0001(4ビット)を入力
し、同時にTSTDIにwaitレジスタに設定する値
を入力して、メモリ構成を初期化する(ステップS
2)。COMMAND=0010(4ビット)を入力
し、同時にTSTDIにスタートアドレスを入力して、
メモリAテストのスタートアドレスを設定する(ステッ
プS3)。COMMAND=0011(4ビット)を入
力し、同時にTSTDIにスタートアドレスを入力し
て、メモリBテストのスタートアドレスを設定する(ス
テップS4)。COMMAND=0100(4ビット)
を入力し、同時にTSTDIにエンドアドレスを入力し
て、メモリAテストのエンドアドレスを設定する(ステ
ップS5)。COMMAND=0101(4ビット)を
入力し、同時にTSTDIにエンドアドレスを入力し
て、メモリBテストのエンドアドレスを設定する(ステ
ップS6)。
FIG. 6 is a basic operation flow of the test circuit according to the present invention. The same parts as those in FIG. 1 and the like are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. In the flowchart, the data memory is simply referred to as a memory. A logic "1" (1 bit) is input as the test mode enable signal 7c to activate the test mode (step S
1). Test circuit control command (hereinafter simply "COMM
AND)) = 0001 (4 bits) is input, and at the same time, the value to be set in the wait register is input to TSTDI to initialize the memory configuration (step S
2). COMMAND = 0010 (4 bits) is input, at the same time, the start address is input to TSTDI,
The start address of the memory A test is set (step S3). COMMAND = 0011 (4 bits) is input, and at the same time, the start address is input to TSTDI to set the start address of the memory B test (step S4). COMMAND = 0100 (4 bits)
Is input, and at the same time, the end address is input to TSTDI to set the end address of the memory A test (step S5). COMMAND = 0101 (4 bits) is input, and at the same time, the end address is input to TSTDI to set the end address of the memory B test (step S6).

【0035】COMMAND=0110(4ビット)を
入力し、同時にTSTDIにオフセット値を入力して、
メモリAテストのアドレス更新のオフセット値を設定す
る(ステップS7)。COMMAND=0111(4ビ
ット)を入力し、同時にTSTDIにオフセット値を入
力して、メモリBテストのアドレス更新のオフセット値
を設定する(ステップS8)。COMMAND=110
0(4ビット)を入力し、同時にTSTDIに書込みデ
ータを入力して、テスト用書込みデータを設定する(ス
テップS9)。書込みモードに応じたCOMMANDを
入力し、書込みモードを設定する(ステップS10)。
例えば、書込みモードの種類は「COMMAND=10
00(4ビット)では、ステップS9で設定したテスト
用書込みデータを連続書込みする。COMMAND=1
001(4ビット)では、ステップS9で設定したテス
ト用書込みデータのビット反転を連続書込みする。CO
MMAND=1010(4ビット)では、ステップS9
で設定したテスト用書込みデータとそのビット反転を交
互に書込みする。」等である。COMMAND=101
1(4ビット)では、カウンタ値を書込みする。
COMMAND = 0110 (4 bits) is input, and at the same time, an offset value is input to TSTDI.
An offset value for updating the address of the memory A test is set (step S7). COMMAND = 0111 (4 bits) is input and at the same time, the offset value is input to TSTDI to set the offset value for updating the address of the memory B test (step S8). COMMAND = 110
Input 0 (4 bits) and write data to TSTDI at the same time to set test write data (step S9). COMMAND corresponding to the write mode is input to set the write mode (step S10).
For example, the type of write mode is “COMMAND = 10
At 00 (4 bits), the test write data set in step S9 is continuously written. COMMAND = 1
At 001 (4 bits), the bit inversion of the test write data set in step S9 is continuously written. CO
If MMAND = 1010 (4 bits), step S9
Alternately write the test write data set in and its bit inversion. , Etc. COMMAND = 101
With 1 (4 bits), the counter value is written.

【0036】COMMAND=1101(4ビット)を
入力し、設定されたアドレスの範囲のメモリに書込みを
行い、テスト書込みを開始する(ステップS11)。ア
ドレスレジスタの値が設定されたエンドアドレスと一致
すると、書込みを終了する(書込み許可信号XWE−A
とXWE−Bの両方が論理「1」になると終了する)。
COMMAND=1111(4ビット)を入力し、1サ
イクルのダミーサイクルを入力する(ステップS1
2)。読出しモードに応じたCOMMANDを入力し、
読出しモードを設定する(ステップS13)。COMM
AND=1110(4ビット)を入力し、読出しを開始
する(ステップS14)。読出しと同時に期待値との照
合を行うことによりエラーの判定をし(ステップS1
5)、エラーがあれば、エラー表示用外部端子ED−A
又はED−Bを論理「1」とし、エラーを表示する(ス
テップS16)。設定されたアドレスの範囲のメモリの
読出しを行い、アドレスレジスタの値が設定されたエン
ドアドレスと一致すると、読出しを終了し(読出し許可
信号XRE−AとXRE−Bの両方が論理「1」になる
と終了する)、テストを終了する(ステップS17)。
COMMAND = 1101 (4 bits) is input, writing is performed in the memory in the set address range, and test writing is started (step S11). When the value of the address register matches the set end address, the writing ends (write enable signal XWE-A
And both XWE-B become logic "1" and end.
COMMAND = 1111 (4 bits) is input, and one dummy cycle is input (step S1).
2). Input COMMAND according to the read mode,
The read mode is set (step S13). COMM
Input AND = 110 (4 bits) to start reading (step S14). An error is judged by checking the expected value at the same time as reading (step S1).
5) If there is an error, the error display external terminal ED-A
Alternatively, ED-B is set to logic "1" and an error is displayed (step S16). The memory in the set address range is read, and when the value of the address register matches the set end address, the reading is ended (both read enable signals XRE-A and XRE-B become logic "1"). If so, the test ends (step S17).

【0037】[0037]

【発明の効果】以上詳述したように、第1発明にあって
は、テスト実行時において、プロセッサにおける通常の
動作時(命令実行時)の経路と同一の経路によりテスト
対象のデータメモリにアクセスでき、プロセッサ実動作
と同様な状況でのデータメモリのアクセス動作テストが
可能となる。従って、データメモリアドレスや書込みデ
ータを外部から直接入力する必要が無いので、外部から
直接データメモリにアクセスする方式に比べ、端子数を
削減でき、テスト専用のアドレス演算回路等を備える必
要が無く、プロセッサにおける回路規模を縮小できる。
更に、プロセッサのコア部とデータメモリとの間の経路
上の不具合を容易に検出することができるテスト回路を
内蔵したプロセッサの提供が可能となる。
As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, at the time of test execution, the data memory to be tested is accessed through the same path as the path during normal operation of the processor (when executing instructions). Therefore, the access operation test of the data memory can be performed in the same situation as the actual operation of the processor. Therefore, since it is not necessary to directly input the data memory address and the write data from the outside, the number of terminals can be reduced as compared with the method of directly accessing the data memory from the outside, and it is not necessary to provide an address arithmetic circuit dedicated to the test. The circuit scale in the processor can be reduced.
Furthermore, it is possible to provide a processor having a built-in test circuit that can easily detect a defect on the path between the core unit of the processor and the data memory.

【0038】第2発明にあっては、選択手段をマルチプ
レクサにより構成したので、命令コードと擬似命令コー
ドの切替が簡単にできるプロセッサの提供が可能とな
る。
According to the second aspect of the invention, since the selecting means is constituted by the multiplexer, it is possible to provide a processor which can easily switch between the instruction code and the pseudo instruction code.

【0039】第3発明においては、テスト実行時にデー
タメモリへのアクセスアドレスを格納するアドレスレジ
スタを備えた構成としたので、テスト実行時にデータメ
モリへのアクセスが容易であり、連続的な書込み、読出
しができるプロセッサの提供が可能となる。
In the third invention, since the address register for storing the access address to the data memory at the time of test execution is provided, it is easy to access the data memory at the time of test execution, and continuous writing and reading are performed. It is possible to provide a processor that can do this.

【0040】第4発明においては、命令コード及び擬似
命令コードのいずれかを選択して出力する選択手段はテ
スト実行時に擬似命令コードを選択出力してデータメモ
リのテストを行うメモリテスト方法としたので、テスト
実行時においても、半導体装置における通常の動作時
(命令実行時)の経路と同一の経路によりテスト対象の
データメモリにアクセスでき、半導体装置の実動作と同
様な状況でのデータメモリのアクセス動作テストが可能
となり、プロセッサのコア部とデータメモリとの間の経
路上の不具合を容易に検出することができるメモリテス
ト方法の提供が可能となる。
In the fourth aspect of the invention, the selecting means for selecting and outputting either the instruction code or the pseudo instruction code is a memory test method for selecting and outputting the pseudo instruction code at the time of test execution to test the data memory. During test execution, the data memory to be tested can be accessed through the same path as the normal operation (instruction execution) of the semiconductor device, and the data memory can be accessed in the same situation as the actual operation of the semiconductor device. It becomes possible to perform an operation test, and it is possible to provide a memory test method capable of easily detecting a defect on the path between the processor core and the data memory.

【0041】第5発明においては、半導体装置における
メモリテストシステムにおいて、プログラムメモリから
出力される命令コード及びテスト回路から出力される擬
似命令コードのいずれかを選択出力する選択手段を備
え、命令実行時には命令コードを、テスト実行時には擬
似命令コードを選択して出力する構成としたので、テス
ト実行時においても、半導体装置における通常の動作時
(命令実行時)の経路と同一の経路によりテスト対象の
データメモリにアクセスでき、半導体装置の実動作と同
様な状況でのデータメモリのアクセス動作テストが可能
となる半導体装置におけるメモリテストシステムの提供
が可能となる。
According to a fifth aspect of the invention, in a memory test system for a semiconductor device, there is provided a selection means for selectively outputting either an instruction code output from a program memory or a pseudo instruction code output from a test circuit, and at the time of executing an instruction. Since the instruction code is configured to select and output the pseudo instruction code at the time of test execution, even at the time of test execution, the data of the test target is subjected to the same path as the normal operation (instruction execution) path of the semiconductor device. It is possible to provide a memory test system in a semiconductor device that can access a memory and can perform an access operation test of a data memory in a situation similar to the actual operation of the semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るプロセッサの主要ブロック図であ
る。
FIG. 1 is a main block diagram of a processor according to the present invention.

【図2】本発明におけるプロセッサコア部の主要ブロッ
ク図である。
FIG. 2 is a main block diagram of a processor core unit according to the present invention.

【図3】本発明におけるテスト回路の主要機能説明図で
ある。
FIG. 3 is an explanatory diagram of main functions of a test circuit according to the present invention.

【図4】本発明におけるデータメモリの主要信号説明図
である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of main signals of a data memory according to the present invention.

【図5】本発明におけるメモリバスインタフェースの主
要経路図である。
FIG. 5 is a main route diagram of a memory bus interface according to the present invention.

【図6】本発明におけるテスト回路の基本操作フローで
ある。
FIG. 6 is a basic operation flow of the test circuit according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プロセッサ 2 データメモリ 3 プログラムメモリ 3a プログラム信号 4 プロセッサコア部 5 インストラクションレジスタ 5a 命令コード 6 デコーダ 7 テスト回路 7a 擬似命令コード 8 選択手段 9 メモリバスインタフェース 42、43 アドレスレジスタ 1 processor 2 data memory 3 program memory 3a Program signal 4 Processor core part 5 Instruction register 5a instruction code 6 decoder 7 Test circuit 7a Pseudo instruction code 8 selection means 9 Memory bus interface 42 and 43 address registers

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 データメモリ及びプログラムメモリを備
えたプロセッサにおいて、前記プログラムメモリの命令
コードを解読するデコーダと、前記データメモリをテス
トするための擬似命令コードを出力するテスト回路と、
前記命令コード及び擬似命令コードのいずれかを選択す
る選択手段とを備え、該選択手段は、命令実行時には前
記命令コードを、テスト実行時には前記擬似命令コード
を各々選択して前記デコーダへ与える構成としたことを
特徴とするプロセッサ。
1. A processor including a data memory and a program memory, a decoder for decoding an instruction code of the program memory, and a test circuit for outputting a pseudo instruction code for testing the data memory.
Selecting means for selecting one of the instruction code and the pseudo instruction code, and the selecting means selects the instruction code at the time of executing an instruction and the pseudo instruction code at the time of performing a test, and supplies the selected pseudo instruction code to the decoder. A processor characterized by having done.
【請求項2】 前記選択手段は、前記命令コード及び擬
似命令コードを入力とし、前記命令実行時には命令コー
ドを、前記テスト実行時には擬似命令コードを各々選択
して前記デコーダへ与えるマルチプレクサであることを
特徴とする請求項1に記載のプロセッサ。
2. The multiplexer is a multiplexer which receives the instruction code and the pseudo instruction code as input, selects the instruction code when the instruction is executed, and selects the pseudo instruction code when the test is executed and gives the decoder to the decoder. The processor of claim 1 characterized.
【請求項3】 前記プロセッサは、前記テスト実行時に
前記データメモリへのアクセスアドレスを格納するアド
レスレジスタを備えたことを特徴とする請求項1又は2
に記載のプロセッサ。
3. The processor according to claim 1, further comprising an address register that stores an access address to the data memory when the test is executed.
Processor described in.
【請求項4】 データメモリと、プログラムメモリと、
テスト回路とを備えた半導体装置におけるメモリテスト
方法において、前記プログラムメモリから出力される命
令コード及び前記テスト回路から出力される擬似命令コ
ードのいずれかを選択する選択手段を設け、該選択手段
はテスト実行時に前記擬似命令コードを選択することに
より前記データメモリのテストを行うことを特徴とする
メモリテスト方法。
4. A data memory, a program memory,
In a memory test method for a semiconductor device including a test circuit, a selection means for selecting either an instruction code output from the program memory or a pseudo instruction code output from the test circuit is provided, and the selection means performs a test. A memory test method, wherein the data memory is tested by selecting the pseudo instruction code during execution.
【請求項5】 データメモリと、プログラムメモリと、
テスト回路とを備えた半導体装置におけるメモリテスト
システムにおいて、前記プログラムメモリから出力され
る命令コード及び前記テスト回路からデータメモリをテ
ストするために出力される擬似命令コードのいずれかを
選択して出力する選択手段を備え、該選択手段は、命令
実行時には前記命令コードを、テスト実行時には前記擬
似命令コードを選択する構成としたことを特徴とするメ
モリテストシステム。
5. A data memory, a program memory,
In a memory test system in a semiconductor device including a test circuit, either an instruction code output from the program memory or a pseudo instruction code output from the test circuit to test a data memory is selected and output. A memory test system comprising: a selecting means, wherein the selecting means is configured to select the instruction code when executing an instruction and the pseudo instruction code when performing a test.
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