JP2003101231A - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐マイグレーション性があり、絶縁信頼性、
接続信頼性が高く電気特性に優れた多層回路基板を得
る。 【解決手段】 電気絶縁層ａの上に形成された、その表
面に導電性バンプを有する導電体回路層１と、絶縁性重
合体及び硬化剤を含有する硬化性組成物のワニスを支持
体に塗布、乾燥して得られるフィルム状又はシート状成
形体とを重ね合わせ、圧力を加えて、当該成形体に導電
性バンプを貫通させた（工程Ａ）後、当該重ね合わせた
成形体を硬化させて、前記バンプが貫通した電気絶縁層
ｂを形成し（工程Ｂ）、次いで電気絶縁層ｂの表面に導
電体回路層２を形成する（工程Ｃ）ことにより多層回路
基板を製造するする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層回路基板の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の小型化、多機能化に伴って、
電子機器に用いられている回路基板にも、より高密度化
が要求されるようになってきている。回路基板を高密度
化するためには、回路基板を多層化するのが一般的であ
る。多層回路基板の製造は、従来より、電気絶縁層ａ上
に形成された導電体回路層１からなる内層基板の表面
に、電気絶縁層ｂを積層し、次いで穴明け加工およびメ
ッキ処理によって、配線パターン層間の電気的な接続
（層間接続体）を形成した後、電気絶縁層ａの上に導電
体回路層２を形成することによって得られ、さらに必要
に応じて電気絶縁層と導電体回路とを数段積層する方法
が広く用いられている。しかし、この方法では、層間接
続体の形成に際して工数が多く、多層回路基板の生産性
を高めることが困難であるという問題があった。そこ
で、層間接続体形成が容易な多層回路基板の製造方法と
して、導電体金属層１上に導電性バンプ（突起）を形成
し、この導電性バンプと対接するように、電気絶縁層と
なる電気絶縁性樹脂を含浸させたプリプレグのような合
成樹脂系シートを重ね合わせ、電気絶縁層に前記バンプ
を貫通させた後、当該バンプが露出した電気絶縁層ａの
面に導電体回路層２を形成する方法（Ｂｕｒｉｅｄ Ｂ
ｕｍｐ Ｉｎｔｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ）が提案されている（特開平７−８６７４９号
公報など）。合成樹脂系シート中の電気絶縁性樹脂とし
ては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、
ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、
メラミン樹脂、生ゴムなどの熱硬化性樹脂が用いられて
いる。

【０００３】このような方法により多層基板を得るのに
用いられるプリプレグには、通常、ガラス繊維などの補
強剤が含まれている。このため、プリプレグのような合
成樹脂系シートを対接させ、電気絶縁層ａに前記バンプ
を貫通させるに当たって、ある程度の圧力を加えること
が必要となる。しかし圧力を加えることで導電性バンプ
の形状が変形すると、層間接続体を形成する導電体金属
のマイグレーションが生じやすくなる傾向にある。高密
度な配線パターンを得るためには、この層間接続体の間
隔を狭くする必要が生じてくる。しかし、この間隔を狭
くすると、層間接続体を形成する導電体金属のマイグレ
ーションによる配線間や層間接続体と配線との間での影
響を受けやすくなる。マイグレーションは、電圧の印加
された、高湿条件下で発生しやすく、電気特性に大きな
影響を与える。このため、耐マイグレーション性を確保
し、絶縁信頼性、接続信頼性などの電気特性を向上させ
ることが望まれていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】かかる従来技術の下、
本発明者らは、プリプレグのような合成樹脂系シートを
対接させ、圧力を加えて電気絶縁層に前記バンプを貫通
させて層間接続体を形成して得られる多層回路基板にお
いてマイグレーションの発生をできるだけ少なくするべ
く鋭意研究をした結果、絶縁性重合体と硬化剤とを含有
する硬化性組成物のワニスを支持体に塗布、乾燥して得
られるフィルム状又はシート状成形体とを重ね合わせ、
圧力を加えた後、当該重ね合わせた成形体を硬化させ
て、前記バンプが電気絶縁層に貫通し、当該バンプの先
端が露出した電気絶縁層を形成した場合、バンプの変形
がなく前記目的を達成することを見いだした。更に、絶
縁性重合体として重量平均分子量Ｍｗが１０，０００〜
１，０００，０００であるものをもちいると、マイグレ
ーションの発生をより効果的に抑制することを見いだ
し、これらの知見に基づいて本発明を完成するに到っ
た。

【０００５】

【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、電気絶縁層ａの上に形成された、その表面に導電性
バンプ（以下、単にバンプと言うことがある）を有する
導電体回路層１と、絶縁性重合体及び硬化剤を含有する
硬化性組成物のワニスを支持体に塗布、乾燥して得られ
るフィルム状又はシート状成形体（以下、単に硬化性組
成物の成形体と言うことがある）とを重ね合わせ、圧力
を加えて、前記成形体に導電性バンプを貫通させた（工
程Ａ）後、前記重ね合わせた成形体を硬化させて、前記
バンプが貫通した電気絶縁層ｂを形成し（工程Ｂ）、次
いで電気絶縁層ｂの表面に導電体回路層２を形成する
（工程Ｃ）ことにより多層回路基板を製造する方法が提
供され、また当該方法により製造された多層回路基板が
提供される。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の多層回路基板の製造方法
は、次の３つの工程を有する。 工程Ａ：電気絶縁層ａの上に形成された、その表面にバ
ンプを有する導電体回路層１と、硬化性組成物のワニス
の成形体とを重ね合わせ（図１−ａ）、圧力を加えて、
前記成形体に導電性バンプを貫通させる（図１−ｂ）。 工程Ｂ：当該成形体を硬化させて、前記バンプが貫通し
た電気絶縁層ｂを形成する（図１−ｃ）。 工程Ｃ：電気絶縁層ｂの表面に導電体回路層２を形成す
る（図１−ｄ）。 各工程について、以下に詳述する。 （工程Ａ）本発明において電気絶縁層ａは、電気絶縁性
を有する絶縁性重合体により形成されたものである。こ
の電気絶縁層ａの表面に導電体回路層１を有するもの
は、プリント配線基板、シリコンウェハー基板などの内
層基板であってもよい。電気絶縁層ａの材料として、例
えば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイ
ミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート
樹脂、トリアジン樹脂、芳香族ポリエーテル重合体、シ
アネートエステル重合体、ポリイミドなどを含有する硬
化性組成物を、硬化してなるものが挙げられる。また、
内層基板は、ガラス繊維、樹脂繊維などを強度向上のた
めに含有させたものであってもよい。本発明において導
電体回路層１の材料は、通常、導電性金属である。本発
明において導電体回路層１の上に形成される導電性バン
プは、導電性を有する材料により形成されたものであれ
ばよい。また、その形状に格別な制限はなく、通常、円
錐形、円柱形、球形など成形体を貫通しやすい形状を選
択すればよい。導電性バンプの材料となる導電性を有す
る材料としては、たとえば銀，金，銅，半田粉などの導
電性粉末、これらの合金粉末もしくは複合（混合）金属
粉末と、たとえばポリカーボネート樹脂，ポリスルホン
樹脂，ポリエステル樹脂，フェノキシ樹脂，フェノール
樹脂，ポリイミド樹脂などのバインダー成分とを混合し
て調製された導電性組成物、あるいは導電性金属などが
挙げられる。バンプを導電性組成物で形成する場合、た
とえば比較的厚いメタルマスクを用いた印刷法により、
アスペクト比の高いバンプを形成でき、そのバンプの高
さは一般的に、１００〜４００μｍ程度である。バンプ
の高さは、硬化性組成物のフィルム状又はシート状成形
体一層分又は２層以上の高さであってもよい。また、同
じ面に形成されたバンプの高さは、すべてが同じである
必要はなく、多層化を考慮し、異なる高さのバンプが混
在していてもよい。一方、導電性金属でバンプ群を形成
する手段としては、ある程度形状もしくは寸法が一定な
微小金属魂を、粘着剤層を予め設けておいた導電性金属
層面に散布し、選択的に固着させる方法（このときマス
クを配置して行ってもよい）、電解銅箔面にメッキレジ
ストを印刷・パターニングして、銅，錫，金，銀，半田
などメッキして選択的に微小な金属柱を形成する方法、
導電性回路層に半田レジストの塗布・パターニングし
て、半田浴に浸漬して選択的に微小な金属柱を形成する
方法などが挙げられる。ここで、バンプは、異種金属を
組み合わせて成る多層構造、多層シェル構造でもよい。
たとえば銅を芯にし表面を金や銀の層で被覆して耐酸化
性を付与したり、銅を芯にし表面を半田層被覆して半田
接合性をもたせたりしてもよい。

【０００７】電気絶縁層ｂは、硬化性組成物のフィルム
状又はシート状の成形体を用いて形成する。硬化性組成
物は、後述するとおり絶縁性重合体及び硬化剤を含有す
る。この硬化性組成物を有機溶媒に溶解してワニスを得
る。

【０００８】硬化性組成物のワニスを支持体に塗布、乾
燥して得られるフィルム状又はシート状成形体（以下、
単に成形体と言うことがある））は、通常、溶液キャス
ト法や溶融キャスト法などにより成形されたものであ
る。溶液キャスト法により成形する場合は、硬化性組成
物のワニスを支持体に塗布した後に、有機溶剤を乾燥除
去する。溶液キャスト法に使用する支持体として、樹脂
フィルム（キャリアフィルム）や金属箔などが挙げられ
る。樹脂フィルムとしては、通常、熱可塑性樹脂フィル
ムが用いられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレー
トフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフ
ィルム、ポリカーボネイトフィルム、ポリエチレンナフ
タレートフィルム、ポリアリレートフィルム、ナイロン
フィルムなどが挙げられる。これら樹脂フィルムの中、
耐熱性や耐薬品性、積層後の剥離性などの観点からポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタ
レートフィルムが好ましい。金属箔としては、例えば、
銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔な
どが挙げられる。導電性が良好で安価である点から、銅
箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が好適である。支持体の厚
さは特に制限されないが、作業性等の観点から、通常１
μｍ〜１５０μｍ、好ましくは２μｍ〜１００μｍ、よ
り好ましくは３〜５０μｍである。

【０００９】塗布方法として、デイップコート、ロール
コート、カーテンコート、ダイコート、スリットコート
などの方法が挙げられる。また有機溶剤の除去乾燥の条
件は、有機溶剤の種類により適宜選択され、乾燥温度
は、通常２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃で
あり、乾燥時間は、通常３０秒〜１時間、好ましくは１
分〜３０分である。

【００１０】フィルム又はシートの厚みは、通常０．１
〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μｍ、より好
ましくは１．０〜８０μｍである。なお、フィルム又は
シートを単独で得たい場合には、支持体上にフィルム又
はシートを形成した後、支持体から剥離する。

【００１１】ワニスを得る方法に格別な制限はなく、例
えば、硬化性組成物を構成する各成分と有機溶媒とを混
合することにより得られる。各成分の混合方法は、常法
に従えばよく、例えば、攪拌子とマグネチックスターラ
ーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパージ
ョン、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロー
ルなどを使用した方法などで行うことができる。これら
を混合する際の温度は、硬化剤による反応が作業性に影
響を及ぼさない範囲であり、さらには安全性の点から混
合時に使用する有機溶剤の沸点以下が好ましい。

【００１２】有機溶剤としては、例えば、トルエン、キ
シレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの芳
香族炭化水素系有機溶剤；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系有機溶剤；シ
クロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系
有機溶剤；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリク
ロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系有機溶剤；メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペ
ンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン系有機溶剤な
どを挙げることができる。これらの有機溶剤は、それぞ
れ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いること
ができる。

【００１３】これら有機溶剤のなかでも、気泡等を生じ
させないものとして、芳香族炭化水素系有機溶剤や脂環
式炭化水素系有機溶剤のような非極性有機溶剤とケトン
系有機溶剤のような極性有機溶剤とを混合した混合有機
溶剤が好ましい。これらの非極性有機溶剤と極性有機溶
剤との混合比は適宜選択できるが、重量比で、通常５：
９５〜９５：５、好ましくは１０：９０〜９０：１０、
より好ましくは２０：８０〜８０：２０の範囲である。

【００１４】有機溶剤の使用量は、厚みの制御や平坦性
向上などの目的に応じて適宜選択されるが、ワニスの固
形分濃度が、通常５〜７０重量％、好ましくは１０〜６
５重量％、より好ましくは２０〜６０重量％になる範囲
である。

【００１５】本発明において、導電体回路層１表面に形
成された導電性バンプと前記成形体とを重ね合わせ、圧
力を加えることで、成形体にバンプが貫通する。成形体
にバンプを貫通させるために、通常、加圧ラミネータ、
プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネー
タなどの加圧機を使用して加熱圧着する。加熱圧着は、
配線への埋め込み性を向上させ、気泡等の発生を抑える
ために真空下で行うのが好ましい。加熱圧着時の温度
は、通常３０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００℃、
圧着力は、通常１０ｋＰａ〜２０ＭＰａ、好ましくは１
００ｋＰａ〜１０ＭＰａ、圧着時間は、通常３０秒〜５
時間、好ましくは１分〜３時間であり、通常１００ｋＰ
ａ〜１Ｐａ、好ましくは４０ｋＰａ〜１０Ｐａに雰囲気
を減圧する。

【００１６】上述してきた工程Ａにおいて用いられる硬
化性組成物を構成する絶縁性重合体は電気絶縁性を有す
るものであれば特に制限されない。また、絶縁性重合体
として重量平均分子量Ｍｗが１０，０００〜１，００
０，０００、好ましくは５０，０００〜５００，０００
である重合体を用いると、より優れた耐マイグレーショ
ン性を示すので好ましい。このような重量平均分子量を
有する重合体は、硬化性組成物に含まれる絶縁性重合体
成分１００重量部中、２０重量部以上、好ましくは３０
重量部以上１００重量部以下の割合で存在するのが、電
気絶縁層ｂの平滑性を保持する観点から望ましい。重量
平均分子量Ｍｗが１０，０００〜１，０００，０００、
好ましくは５０，０００〜５００，０００である重合体
以外の絶縁性重合体として、重量平均分子量Ｍｗが当該
範囲の下限未満である重合体や重量平均分子量Ｍｗが当
該範囲の上限を超過する重合体を併用することが可能で
ある。本発明において、重量平均分子量Ｍｗは、ゲル・
パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測
定されるポリスチレン又はポリイソプレン換算の重量平
均分子量である。

【００１７】絶縁性重合体としては、エポキシ樹脂、マ
レイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレ
ート樹脂、トリアジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、
芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合
体、シアネートエステル重合体、液晶ポリマー、ポリイ
ミドなどが挙げられる。これらの中でも、脂環式オレフ
ィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロ
ブテン重合体、シアネートエステル重合体又はポリイミ
ドが好ましく、脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリ
エーテル重合体が特に好ましく、脂環式オレフィン重合
体がとりわけ好ましい。これらの重合体の他に、液晶ポ
リマーも好ましい絶縁性重合体として用いることができ
る。液晶ポリマーとしては、芳香族または脂肪族ジヒド
ロキシ化合物の重合体、芳香族または脂肪族ジカルボン
酸の重合体、芳香族ヒドロキシカルボン酸の重合体、芳
香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族ア
ミノカルボン酸の重合体などの熱可塑性液晶ポリマーが
好ましい例として挙げられる。

【００１８】脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造を
有する不飽和炭化水素の重合体である。脂環式構造とし
ては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造などが
挙げられるが、機械的強度、耐熱性などの観点から、シ
クロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造として
は、単環、多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み合
わせ多環など）のいずれであっても良い。脂環式構造を
構成する炭素原子数に格別な制限はないが、通常４〜３
０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５
個の範囲であるときに、機械的強度、耐熱性、及び成形
性の諸特性が高度にバランスされ好適である。また、本
発明で使用される脂環式オレフィン重合体は、通常、熱
可塑性のものである。

【００１９】脂環式オレフィン重合体は、極性基を有す
るものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、
カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシ
ジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ
基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられ、
特に、カルボキシル基又はカルボン酸無水物基が好適で
ある。

【００２０】脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式
オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応
じて不飽和結合部分を水素化することによって、或いは
芳香族オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして当
該重合体の芳香環部分を水素化することによって得られ
る。また、極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、
例えば、１）前記脂環式オレフィン重合体に極性基を変
性反応により導入することによって、２）極性基を含有
する単量体を共重合成分として共重合することによっ
て、あるいは３）エステル基などの極性基を含有する単
量体を共重合成分として共重合した後、エステル基など
を加水分解などにより脱離することによって得られる。

【００２１】脂環式オレフィン重合体を得るために使用
される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５
−メチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン、５，５−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプ
ト−２−エン、５−エチル−ビシクロ［２．２．１］−
ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ［２．２．
１］−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ
［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビ
シクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−オクタ
デシル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、
５−エチリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２
−エン、５−メチリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘ
プト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−２−エン、

【００２２】５−プロペニル−ビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルボニル−ビシ
クロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シアノ−
ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−メチ
ル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］
−ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシク
ロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、ビシクロ［２．
２．１］−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネ
イト、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エニル−
２−メチルオクタネイト、

【００２３】ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチ
ルビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５，６
−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ［２．２．１］−
ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシ
クロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５，６−ジカ
ルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エ
ン、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン−５，
６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシク
ロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキ
シル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５
−シクロヘキセニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト
−２−エン、５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］−
ヘプト−２−エン、

【００２４】トリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ
−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、
トリシクロ［４．３．０．１^２，５］デカ−３−エン、
トリシクロ［４．４．０．１^２，５］ウンデカ−３，７
−ジエン、トリシクロ［４．４．０．１^２，５］ウンデ
カ−３，８−ジエン、トリシクロ［４．４．０．１^２
，５］ウンデカ−３−エン、テトラシクロ［７．４．
０．１^{１０，１３}．０^{２， ７}］−トリデカ−２，４，６
−１１−テトラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，
４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ
［８．４．０．１^{１ １，１４}．０^３，８］−テトラデカ
−３，５，７，１２−１１−テトラエン（別名：１，４
−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒ
ドロアントラセン）、

【００２５】テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１
^７，１０］−ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロ
ドデセン）、８−メチル−テトラシクロ［４．４．０．
１^{２ ，５}．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−エチ
ル−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．
１^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テ
トラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ド
デカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ［４．
４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、
８−ビニル−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１
^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テト
ラシクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデ
カ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ
［４．４．０．１^{２ ，５}．１^７，１０］−ドデカ−３−
エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシ
クロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−
３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ［４．
４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、
８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．
１^２，５．１^{７ ，１０}］−ドデカ−３−エン、

【００２６】８−シクロペンチル−テトラシクロ［４．
４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、
８−シクロヘキシル−テトラシクロ［４．４．０．１
^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シクロ
ヘキセニル−テトラシクロ［４．４．０．１^２，５．１
^７，１０］−ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラ
シクロ［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ
−３−エン、ペンタシクロ［６．５．１．１^３，６．０
^２，７．０^９，１３］ペンタデカ−３，１０−ジエン、
ペンタシクロ［７．４．０．１^３，６．１^{１０，１３}．
０^２，７］−ペンタデカ−４，１１−ジエンのごときノ
ルボルネン系単量体；

【００２７】シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチル
シクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シク
ロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テ
トラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロ
ヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロ
ヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環
式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキ
サジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー；などが
挙げられる。

【００２８】芳香族オレフィンとしては、スチレン、α
−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられ
る。

【００２９】脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフ
ィンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いることができる。

【００３０】脂環式オレフィン重合体は、前記脂環式オ
レフィン及び／又は芳香族オレフィンと、これら共重合
可能な単量体とを共重合して得られるものであってもよ
い。脂環式オレフィン又は芳香族オレフィンと共重合可
能な単量体としては、エチレン；プロピレン、１−ブテ
ン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブ
テン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペ
ンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−
ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−
ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、
３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセ
ン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセ
ン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数３
〜２０のα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−
メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−
ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエ
ン；等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独
で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することがで
きる。

【００３１】脂環式オレフィンや芳香族オレフィンの重
合方法、及び必要に応じて行われる水素添加の方法は、
格別な制限はなく、公知の方法に従って行うことができ
る。

【００３２】脂環式オレフィン重合体の具体例として
は、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添
加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネ
ン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロ
アルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂
環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフ
ィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられる。これ
らの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びそ
の水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノ
ルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳
香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、
特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が
好ましい。前記の脂環式オレフィン重合体は、それぞれ
単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることが
できる。なお、脂環式オレフィン重合体のなかでも、ノ
ルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物
は、その構造の違いから、Ｃ_ｎＨ_２ｎで表される非環状
オレフィンを共重合して得られるポリオレフィン樹脂と
は異種のポリマーに分類されるものである。

【００３３】脂環式オレフィン重合体のＭｗを調整する
方法としては、例えば、チタン系又はタングステン系触
媒を用いた脂環式オレフィンの開環重合に際して、ビニ
ル化合物又はジエン化合物のような分子量調整剤を、単
量体全量に対して０．１〜１０モル％程度を添加する方
法が挙げられる。このとき分子量調整剤の量を少な目に
用いると比較的高いＭｗの重合体が得られ、多めに用い
ると比較的低いＭｗの重合体が得られる。分子量調整剤
として用いるビニル化合物としては、１−ブテン、１−
ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテンなどのα−オレ
フィン化合物；スチレン、ビニルトルエンなどのスチレ
ン化合物；エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエ
ーテル、アリルグリシジルエーテルなどのエーテル化合
物；アリルクロライドなどのハロゲン含有ビニル化合
物；酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタク
リレートなどの酸素含有ビニル化合物；アクリルアミド
などの窒素含有ビニル化合物；などが挙げられる。ジエ
ン化合物としては、１，４−ペンタジエン、１，５−ヘ
キサジエン、１，６−ヘプタジエン、２−メチル−１，
４−ペンタジエン、２，５−ジメチル−１，５−ヘキサ
ジエンなどの非共役ジエン化合物；１，３−ブタジエ
ン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチ
ル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，
３−ヘキサジエンなどの共役ジエン化合物；が挙げられ
る。

【００３４】脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度
は、使用目的に応じて適宜選択できるが、通常５０℃以
上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以
上、最も好ましくは１２５℃以上である。

【００３５】本発明に用いる硬化性組成物を構成する硬
化剤に格別な限定はなく、例えば、イオン性硬化剤、ラ
ジカル性硬化剤又はイオン性とラジカル性とを兼ね備え
た硬化剤等が用いられる。たとえば、１−アリル−３，
５−ジグリシジルイソシアヌレート、１，３−ジアリル
−５−グリシジルイソシアヌレートのごときアリル基と
エポキシ基とを含有するハロゲン不含のイソシアヌレー
ト系硬化剤などの窒素系硬化剤；ビスフェノールＡビス
（エチレングリコールグリシジルエーテル）エーテル、
ビスフェノールＡビス（ジエチレングリコールグリシジ
ルエーテル）エーテル、ビスフェノールＡビス（トリエ
チレングリコールグリシジルエーテル）エーテル、ビス
フェノールＡビス（プロピレングリコールグリシジルエ
ーテル）エーテルなどのビスフェノールＡ系グリシジル
エーテル型エポキシ化合物のようなグリシジルエーテル
型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、グリシジル
エステル型エポキシ化合物などの多価エポキシ化合物；
酸無水物やジカルボン酸化合物などのジカルボン酸誘導
体；ジオール化合物、トリオール化合物、多価フェノー
ル化合物などのポリオール化合物；等の硬化剤があげら
れる。これらの中でも、多価エポキシ化合物が好まし
く、特に耐クラック性を高める観点からグリシジルエー
テル型エポキシ化合物が好ましい。

【００３６】脂環式オレフィン重合体と硬化剤との硬化
反応を促進させるために、硬化促進剤や硬化助剤を使用
することもできる。硬化促進剤は、特に限定されない。
硬化剤が、例えば多価エポキシ化合物の場合には、第３
級アミン系化合物や三弗化ホウ素錯化合物などが好適で
ある。なかでも、第３級アミン系化合物を使用すると、
微細配線に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品
性が向上する。

【００３７】第３級アミン系化合物の具体例としては、
ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリ
エチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミ
ン、ジメチルホルムアミドなどの鎖状３級アミン化合
物；ピラゾール類、ピリジン類、ピラジン類、ピリミジ
ン類、インダゾール類、キノリン類、イソキノリン類、
イミダゾール類、トリアゾール類などの化合物が挙げら
れる。これらの中でも、イミダゾール類、特に置換基を
有する置換イミダゾール化合物が好ましい。

【００３８】置換イミダゾール化合物の具体例として
は、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、ビス−２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、２−イソ
プロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾー
ル、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのアルキル置換
イミダゾール化合物；２−フェニルイミダゾール、２−
フェニル−４−メチルイミダゾール，１−ベンジル−２
−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミ
ダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、
ベンズイミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−
（２’−シアノエチル）イミダゾール、２−エチル−４
−メチル−１−［２’−（３”，５”−ジアミノトリア
ジニル）エチル］イミダゾールなどのアリール基やアラ
ルキル基などの環構造を含有する炭化水素基で置換され
たイミダゾール化合物などが挙げられる。これらの中で
も、環構造含有の置換基を有するイミダゾールが脂環式
オレフィン重合体との相溶性の観点から好ましく、特
に、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好まし
い。

【００３９】硬化促進剤は、単独で、あるいは２種以上
を組み合わせて用いられる。硬化促進剤の配合量は、使
用目的に応じて適宜選択されるが、絶縁性重合体１００
重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好まし
くは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．０３〜
５重量部である。

【００４０】硬化助剤は、必要に応じて使用される。硬
化助剤としては、例えば、キノンジオキシム、ベンゾキ
ノンジオキシム、ｐ−ニトロソフェノール等のオキシム
・ニトロソ系硬化助剤；Ｎ，Ｎ−ｍ−フェニレンビスマ
レイミド等のマレイミド系硬化助剤；ジアリルフタレー
ト、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレ
ート等のアリル系硬化助剤；エチレングリコールジメタ
クリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト等のメタクリレート系硬化助剤；ビニルトルエン、エ
チルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどのビニル系
硬化助剤；１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールな
どの第３級アミン系化合物等が挙げられる。この他、ア
リル基を有する硬化剤に対して硬化助剤として機能する
過酸化物を用いることもできる。

【００４１】本発明に係る硬化性組成物には、所望に応
じて、その他の成分を配合することができる。

【００４２】このほか、難燃剤、軟質重合体、耐熱安定
剤、耐候安定剤、老化防止剤、レベリング剤、帯電防止
剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑
剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、乳剤、充
填剤、紫外線吸収剤などをその他の成分として用いるこ
とができる。その配合割合は、本発明の目的を損ねない
範囲で適宜選択される。

【００４３】（工程Ｂ）硬化性組成物の成形体を重ね合
わせて成形体に導電性バンプを貫通させた（工程Ａ）
後、当該成形体を硬化することで、バンプが貫通した電
気絶縁層ｂが形成される。電気絶縁層ｂに貫通したバン
プが層間接続体となる。工程Ａで成形体として支持体付
きフィルム又はシートを用いた場合には、前記支持体を
剥がした後に、この工程Ｂを行う。成形体の硬化は、通
常、成形体を加熱することにより行う。硬化剤の種類に
応じて硬化条件は適宜選択されるが、硬化させるための
温度は、通常３０〜４００℃、好ましくは７０〜３００
℃、より好ましくは１００〜２００℃であり、硬化時間
は、通常０．１〜５時間、好ましくは０．５〜３時間で
ある。加熱の方法は特に制限されず、例えばオーブンな
どを用いて行えばよい。

【００４４】（工程Ｃ）工程Ｂにおいて形成された電気
絶縁層ｂの上に導電体回路層２を形成する。導電体回路
層２を形成する方法は特に制限されず、例えば、電気絶
縁層ｂの上に湿式又は乾式メッキにより金属薄膜層を形
成した後、常法に従って金属薄膜上に感光性ドライフィ
ルムを重ね、これにメッキレジストパターンを形成さ
せ、更にその上に電解メッキ等の湿式メッキによりメッ
キを成長させ、次いで、メッキレジストを除去し、更に
エッチングにより金属薄膜と成長させたメッキからなる
導電体回路層２を形成する方法や、電気絶縁層ｂ上に金
属箔を接着させた後、エッチングレジストを貼り付け、
常法に従ってレジストパターン形成し、金属箔をエッチ
ングした後、エッチングレジストを除去して導電体回路
層２を形成する方法などが挙げられる。

【００４５】このようにして得られた多層基板表面にあ
る導電体回路層２表面に導電性バンプを形成し、本発明
における工程Ａ〜Ｃを繰り返すことで、更なる多層化も
可能である。こうして得られる本発明の多層回路基板
は、コンピューターや携帯電話等の電子機器において、
ＣＰＵやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品を
実装するためのプリント配線板として使用できる。特
に、微細配線を有するものは高密度プリント配線基板と
して、高速コンピューターや、高周波領域で使用する携
帯端末の配線基板として好適である。

【００４６】

【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
具体的に説明する。なお、実施例中、部及び％は、特に
断りのない限り重量基準である。本実施例において行っ
た評価方法は以下のとおりである。 （１）分子量 トルエンを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマ
トグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値とし
て測定した。 （２）水素添加率及びマレイン酸残基含有率 水素添加前の重合体中の不飽和結合のモル数に対する水
素添加率及び重合体中の総モノマー単位数に対する（無
水）マレイン酸残基のモル数の割合（マレイン酸残基含
有率）は^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより測定した。 （３）ガラス移転温度（Ｔｇ） 示差走査熱量法（ＤＳＣ法）により測定した。

【００４７】（４）絶縁信頼性 内層基板の両面に電気絶縁層がそれぞれ２層積層された
両面合計４層の多層回路基板の１層目と２層目におい
て、ＪＰＣＡ規格のＪＰＣＡ−ＢＵ０１に定める９.１.
２ ３）ビア（ランド）−ライン間マイグレーション評
価用パターンを形成した。該評価用パターンを形成した
多層回路基板を８５℃、８５％ＲＨ条件下に放置した。
該評価用多層回路基板を３００時間後に取り出して常態
（２５℃、５０％ＲＨ）に放置し、１時間後に直流電圧
５.５Ｖを印加して常態におけるビア（ランド）−ライ
ン間の電気絶縁抵抗値を測定した。電気絶縁抵抗値が１
０^８オーム以上のものは○、１０^５オーム以上で１０^８
オーム未満のものは△、１０ ^５オーム未満のものは×と
評価した。

【００４８】（５）接続信頼性 内層基板の両面に電気絶縁層がそれぞれ２層積層された
両面合計４層の多層回路基板の１層目で直径１００μｍ
の円形パッドで配線幅５０μｍの長さ３００μｍのダン
ベルパターンを形成し、２層目でビア径４０μｍでラン
ド幅３０μｍ、配線幅５０μｍのビア中心間距離２００
μｍのダンベルパターンを形成し、１層目と２層目との
パッド間で層間接続体を行い１０００穴のデイジーチェ
ーンを形成した。当該デイジーチェーンを形成した多層
回路基板を−２５℃のガルデン溶液に３分間、次いで１
１５℃のガルデン溶液に３分間浸漬することを１サイク
ルとしこれを連続２００サイクル処理した。前述した熱
衝撃試験前後おけるデイジーチェーンの始端−終端間の
抵抗値を直流電圧５．５Ｖを印加して測定した。得られ
た抵抗値から次式に従い抵抗値の変動率を算出した。 {(熱衝撃試験後の抵抗値/熱衝撃試験前の抵抗値)−１}×１００ （単位％） 抵抗値の変動率が１０％未満のものは○、１０％以上で
５０％未満のものは△、５０％以上のものは×と評価し
た。

【００４９】（製造例）８−エチル−テトラシクロ
［４．４．０．１^２，５．１^７，１０］−ドデカ−３−
エンを開環重合し、次いで水素添加反応を行い、数平均
分子量（Ｍｎ）＝３１，２００、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）＝５５，８００、Ｔｇ＝約１４０℃の水素化重合体
を得た。得られたポリマーの水素化率は９９％以上であ
った。得られた重合体１００部、無水マレイン酸４０部
及びジクミルパーオキシド５部をｔ−ブチルベンゼン２
５０部に溶解し、１４０℃で６時間反応を行った。得ら
れた反応生成物溶液を１０００部のイソプロピルアルコ
ール中に注ぎ、反応生成物を凝固させマレイン酸変性水
素化重合体を得た。この変性水素化重合体を１００℃で
２０時間真空乾燥した。この変性水素化重合体の分子量
はＭｎ＝３３，２００、Ｍｗ＝６８，３００でＴｇは１
７０℃であった。マレイン酸残基含有率は２５モル％で
あった。

【００５０】前記変性水素化重合体１００部、ビスフェ
ノールＡビス（プロピレングリコールグリシジルエーテ
ル）エーテル４０部、２−［２−ヒドロキシ−３，５−
ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾト
リアゾール５部及び１−ベンジル−２−フェニルイミダ
ゾール０．１部をキシレン２１５部及びシクロペンタノ
ン５４部からなる混合溶剤に溶解させてワニスを得た。

【００５１】（実施例１）製造例で得られたワニスを孔
径５.０μｍのポリテトラフルオロエチレン製カプセル
フィルタ（ロキテクノ社製）でろ過した後、ダイコータ
ーを用いて、３００ｍｍ角の厚さ４０μｍのポリエチレ
ンナフタレートフィルム（キャリアフィルム）に塗工
し、その後、窒素オーブン中、１２０℃で１０分間乾燥
させ樹脂厚み４０μｍのキャリアフィルム付きドライフ
ィルムを得た。

【００５２】一方、２−ジブチルアミノ−４，６−ジメ
ルカプト−ｓ−トリアジンの０．１％イソプロピルアル
コール溶液を調製し、この溶液に配線幅及び配線間距離
が５０μｍ、導体表面がマイクロエッチング処理された
導体厚み１８μｍの内層回路を形成した厚さ０．８ｍｍ
の両面銅張り基板（ガラスフィラー及びハロゲン不含エ
ポキシ樹脂を含有するワニスをガラスクロスに含浸させ
て得られたコア材）を２５℃で１分間浸漬した後、９０
℃で１５分間、窒素置換されたオーブン中で乾燥させて
プライマー層を形成させて内層基板を得た。

【００５３】前述の内層基板上において、上層と層間接
続体を行う所定個所に直径４０μmの円形の穴を開けた
メタルマスクを配置した後、導電性ペーストをスクリー
ン印刷・乾燥して、高さが５０μm、底辺の直径が４０
μmの円錐状の導電性バンプを形成した。

【００５４】前記円錐状の導電性バンプを形成した内層
基板に、前述のキャリアフィルム付きドライフィルム
を、樹脂面が内側となるようにして両面銅張り基板両面
に重ね合わせた。これを、一次プレスとして耐熱ゴム製
プレス板を上下に備えた真空積層装置を用いて２００Ｐ
ａに減圧した後、温度１１０℃、圧力０．５ＭＰａで６
０秒間加熱圧着した。次いで、二次プレスとして１.０
ｍｍＳＵＳ製プレス板で覆われた耐熱ゴム製プレス板を
上下に備えた真空積層装置を用い２００Ｐａに減圧した
後、温度１４０℃、１．０ＭＰａで６０秒間加熱圧着し
た。そして、ポリエチレンナフタレートフィルムのみを
剥がし、１７０℃の窒素オーブン中に６０分間放置し、
内層基板上に電気絶縁層を形成した回路基板を得た。

【００５５】得られた回路基板を周波数１３.５６ＭＨ
ｚ、出力１００Ｗ、ガス圧０.８Ｐａのアルゴンプラズ
マに、基板表面温度を約１３０℃に保持して、１０分間
さらした。次にプラズマ処理された回路基板を出力５０
０Ｗ、ガス圧０.８Ｐａでニッケルスパッタ処理し、厚
さ０.１μｍのニッケル膜を形成させ、次いで出力５０
０Ｗ、ガス圧０.８Ｐａで銅スパッタ処理し、厚さ０.３
μｍの銅薄膜を形成させて、金属薄膜を有する積層板を
得た。この積層板表面に市販の感光性ドライフィルムを
熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上に
所定のパターンのマスクを密着させ露光した後、現像し
てメッキレジストパターンを得た。次にレジスト非形成
部分に電解銅めっきを施し厚さ１８μｍの電解銅めっき
膜を形成させた。次いで、レジストパターンを剥離液に
て剥離除去し、塩化第二銅と塩酸混合溶液によりエッチ
ング処理を行うことにより、前記金属薄膜及び電解銅め
っき膜からなる配線パターンを形成した。そして最後
に、１７０℃で３０分間アニール処理をして配線パター
ン付き回路基板を得た。

【００５６】得られた配線パターン付き回路基板の導体
表面をマイクロエッチング処理した後、前述と同様にプ
ライマー層を形成させた。次いで、前述と同様に上層と
層間接続体を行う所定個所に導電性ペーストを用いて円
錐状の導電性バンプを形成した。次いで、前述と同様に
キャリアフィルム付きドライフィルムを用いて電気絶縁
層を形成した。次いで、得られた当該積層版の絶縁層部
分に前述と同様にして導体層を形成し、最外層の配線パ
ターンを形成することにより両面合計４層の多層回路基
板を得た。この多層回路基板について、絶縁信頼性、接
続信頼性の評価を行った。評価結果を表１に示す。

【００５７】（実施例２）前記実施例１において、層間
接続体の為に形成された円錐状の導電性バンプの代わり
にボールボンダを用いて直径４０μmのハンダボールバ
ンプを形成したこと以外は実施例１と同様にして、実施
例２の両面合計４層の多層回路基板を作製した。評価結
果を表１に示す。

【００５８】（比較例１）実施例１のワニス作製に用い
た変性水素化重合体１００部にかえて、エポキシ樹脂
（商品名：エピコート１００１：油化シェルエポキシ株
式会社製：Ｍｗ＝１３００）１００部を用いた以外は実
施例１と同様にワニスを作製した。得られたワニスを用
いて実施例１と同様にして比較例１の両面合計４層の多
層回路基板を作製した。評価結果を表１に示す。

【００５９】

【００６０】これらの結果から、絶縁性重合体及び硬化
剤を含有する硬化性組成物のフィルム状又はシート状成
形体を用いると、良好な耐マイグレーション性を示し、
絶縁信頼性、接続信頼性が高く電気特性に優れた多層回
路基板の得られることが判った。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施態様を工程順に説明するための要
部拡大断面図である。

【符号の説明】

１． 電気絶縁層ａを有する内層基板 ２． 導電体回路層１ ３． 導電性バンプ ４． フィルム状成形体 ５． 硬化前成形体 ６． 電気絶縁層ｂ ７．導電体回路層２

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB12 CC17 CC25 CC31 CD27 CD32 GG14 GG16 5E346 AA04 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA43 AA51 BB11 BB16 CC32 DD22 EE06 EE07 EE31 EE32 FF01 FF18 GG15 GG17 GG28 HH11 HH31

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気絶縁層ａの上に形成された、その表
   面に導電性バンプを有する導電体回路層１と、絶縁性重
   合体及び硬化剤を含有する硬化性組成物のワニスを支持
   体に塗布、乾燥して得られるフィルム状又はシート状成
   形体とを重ね合わせ、圧力を加えて、前記成形体に導電
   性バンプを貫通させた（工程Ａ）後、前記重ね合わせた
   成形体を硬化させて、前記バンプが貫通した電気絶縁層
   ｂを形成し（工程Ｂ）、次いで電気絶縁層ｂの表面に導
   電体回路層２を形成する（工程Ｃ）ことにより多層回路
   基板を製造する方法。
2. 【請求項２】 絶縁性重合体の重量平均分子量Ｍｗが１
   ０，０００〜１，０００，０００である請求項１記載の
   多層回路基板の製造方法。
3. 【請求項３】 絶縁性重合体が脂環式オレフィン重合
   体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重
   合体、シアネートエステル重合体、液晶ポリマー又はポ
   リイミドである請求項１又は２記載の多層回路基板の製
   造方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかの方法により製
   造された多層回路基板。