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JP2003197683A - Apparatus and method for bonding electronic component - Google Patents

Apparatus and method for bonding electronic component

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Publication number
JP2003197683A
JP2003197683A JP2001391459A JP2001391459A JP2003197683A JP 2003197683 A JP2003197683 A JP 2003197683A JP 2001391459 A JP2001391459 A JP 2001391459A JP 2001391459 A JP2001391459 A JP 2001391459A JP 2003197683 A JP2003197683 A JP 2003197683A
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JP
Japan
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bonding
electronic component
substrate
heating
component
Prior art date
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Application number
JP2001391459A
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Takatoshi Ishikawa
隆稔 石川
Makoto Okazaki
誠 岡崎
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and method for bonding an electronic component by which bonding quality is secured by preventing bonding efficiency from being deteriorated. <P>SOLUTION: The bonding apparatus for bonding the electronic component 9 to a board 4 by pressurization and ultrasonic vibration is provided with an infrared irradiation lamp 18 for heating the component 9 held by a tool 8 from its lower side separately from the tool 8. After previously heating and warming the gold electrode 9a of the component 9 in advance of mounting the component 9 to the board 4, the gold electrode 9a is pressurized to the electrode 4a of the board 4 to apply the ultrasonic vibration to the component 9 by a vibrator 8c. Thus, the temperature of a bonding surface is raised without causing softening as the result of heating of the board 4. Consequently, ultrasonic bonding is performed efficiently and the bonding quality can be secured. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を基板に
ボンディングする電子部品のボンディング装置およびボ
ンディング方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component bonding apparatus and method for bonding an electronic component to a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】バンプ付電子部品などの電子部品を基板
にボンディングする方法として超音波圧接を用いる方法
が知られている。この方法は、電子部品のバンプを基板
に押圧しながら超音波振動を付与し、バンプと基板の電
極などの接合面を相互に摩擦させてボンディングするも
のである。このボンディングを良好な接合品質で効率よ
く行うためには、バンプを基板の電極に対して適切な圧
着荷重で押圧するとともに、バンプと基板の電極との接
合部を加熱することが効果的である。
2. Description of the Related Art As a method for bonding electronic components such as bumped electronic components to a substrate, a method using ultrasonic pressure welding is known. In this method, ultrasonic vibration is applied while pressing the bumps of the electronic component against the substrate, and the bumps and the electrodes and other bonding surfaces of the substrate are rubbed against each other for bonding. In order to perform this bonding efficiently with good bonding quality, it is effective to press the bump against the electrode of the substrate with an appropriate pressure bonding load and heat the bonding portion between the bump and the electrode of the substrate. .

【0003】このため従来より電子部品のボンディング
装置には、電子部品または基板をボンディング動作に先
立って予め加熱するための加熱手段が設けられている。
電子部品を加熱する加熱方式としては、電子部品を保持
して基板に押圧するボンディングツールに発熱体を組み
込む方式が一般的であり、また基板を加熱する場合に
は、基板が載置される載置テーブルに発熱体を設ける方
式が用いられていた。
Therefore, conventionally, a bonding apparatus for electronic parts is provided with a heating means for heating the electronic parts or the substrate in advance prior to the bonding operation.
As a heating method for heating an electronic component, a heating tool is generally incorporated in a bonding tool that holds the electronic component and presses it against the substrate. A method of providing a heating element on the table has been used.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の加熱方式には、以下に述べるような不都合があっ
た。まずボンディングツールに発熱体を組み込む方式で
は、ボンディングツールに装備された超音波振動子の振
動特性が加熱による温度上昇の影響で変化し、安定した
超音波振動の付与が困難であった。そして超音波振動子
への熱影響を防止しようとすれば、ボンディングツール
に断熱機構や冷却機構を別途追加して設けなければなら
ず、ボンディングツールの構造が複雑化してコンパクト
化が阻害される結果となっていた。
However, the above-mentioned conventional heating method has the following disadvantages. First, in the method in which the heating element is incorporated in the bonding tool, the vibration characteristics of the ultrasonic vibrator provided in the bonding tool change due to the temperature rise due to heating, and it is difficult to give stable ultrasonic vibration. In order to prevent the thermal effect on the ultrasonic transducer, a heat insulating mechanism and a cooling mechanism must be additionally provided in the bonding tool, which complicates the structure of the bonding tool and hinders its compactness. It was.

【0005】また、上記問題点を回避するため基板を加
熱する場合には、基板の材質によっては基板が温度上昇
によって軟化することによる超音波接合時の不具合が避
けられなかった。すなわち、超音波を用いたボンディン
グにおいては、電子部品のバンプと基板の電極とを接触
させた状態で接触面を超音波振動によって微小に摺動さ
せることが行われる。
Further, when the substrate is heated in order to avoid the above-mentioned problems, a problem at the time of ultrasonic bonding due to the softening of the substrate due to the temperature rise is inevitable depending on the material of the substrate. That is, in bonding using ultrasonic waves, the contact surface is slightly slid by ultrasonic vibration while the bumps of the electronic component are in contact with the electrodes of the substrate.

【0006】このとき、基板が樹脂材質など温度上昇に
よって軟化する性質を有する材質である場合には、付与
された超音波振動は軟化した基板の伸縮によって吸収さ
れやすい。この結果、バンプと電極の接触面に超音波振
動が有効に作用しなくなり、接合効率が低下するととも
に接合品質を確保することが困難になっていた。このよ
うに、従来の電子部品のボンディング装置には、電子部
品や基板の加熱方式に起因して、良好な接合品質で効率
よくボンディングを行うことが困難であるという問題点
があった。
At this time, when the substrate is made of a material such as a resin material which is softened by a temperature rise, the applied ultrasonic vibration is easily absorbed by the expansion and contraction of the softened substrate. As a result, ultrasonic vibration does not effectively act on the contact surface between the bump and the electrode, the bonding efficiency is reduced, and it is difficult to secure the bonding quality. As described above, the conventional bonding apparatus for electronic components has a problem that it is difficult to perform efficient bonding with good bonding quality due to the heating method of the electronic components and the substrate.

【0007】そこで本発明は、接合効率の低下を防止し
て接合品質を確保することができる電子部品のボンディ
ング装置およびボンディング方法を提供することを目的
とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a bonding apparatus and a bonding method for an electronic component, which can prevent the deterioration of the bonding efficiency and ensure the bonding quality.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の電子部品
のボンディング装置は、ボンディングヘッドによって電
子部品を基板に押圧して超音波振動を印加することによ
り前記電子部品をボンディングする電子部品のボンディ
ング装置であって、前記基板が載置される基板載置部
と、前記ボンディングヘッドに設けられ前記電子部品に
当接して押圧するボンディングツールと、このボンディ
ングツールに超音波振動を付与する振動付与手段と、前
記ボンディングツールと別体で設けられ前記電子部品の
基板への搭載に先立ってこの電子部品を加熱する部品加
熱手段とを備えた。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electronic component bonding apparatus for bonding an electronic component by pressing the electronic component against a substrate by a bonding head to apply ultrasonic vibration. An apparatus, a substrate mounting portion on which the substrate is mounted, a bonding tool provided on the bonding head for contacting and pressing the electronic component, and a vibration applying unit for applying ultrasonic vibration to the bonding tool. And a component heating means that is provided separately from the bonding tool and that heats the electronic component prior to mounting the electronic component on the substrate.

【0009】請求項2記載の電子部品のボンディング装
置は、請求項1記載の電子部品のボンディング装置であ
って、前記部品加熱手段は、前記ボンディングツールに
保持された電子部品を下方から加熱する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an electronic component bonding apparatus according to the first aspect, wherein the component heating means heats the electronic component held by the bonding tool from below.

【0010】請求項3記載の電子部品のボンディング装
置は、請求項1記載の電子部品のボンディング装置であ
って、前記基板は樹脂基板であり、前記基板載置部は載
置された樹脂基板をこの樹脂基板のガラス転移温度以下
の加熱温度で加熱する基板加熱手段を備えた。
An electronic component bonding apparatus according to a third aspect of the present invention is the electronic component bonding apparatus according to the first aspect, wherein the substrate is a resin substrate and the substrate mounting portion is a resin substrate on which the substrate is mounted. A substrate heating means for heating the resin substrate at a temperature not higher than the glass transition temperature was provided.

【0011】請求項4記載の電子部品のボンディング方
法は、ボンディングヘッドによって電子部品を基板に押
圧して超音波振動を印加することにより前記電子部品を
ボンディングする電子部品のボンディング方法であっ
て、前記基板を基板載置部に載置する基板載置工程と、
前記電子部品の基板への搭載に先立ってこの電子部品を
加熱する部品加熱工程と、加熱された電子部品を前記ボ
ンディングヘッドに備えられたボンディングツールによ
って基板に押圧するとともにボンディングツールに超音
波振動を付与して電子部品を基板にボンディングするボ
ンディング工程とを含む。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an electronic component bonding method for bonding an electronic component by pressing the electronic component against a substrate by a bonding head and applying ultrasonic vibrations to the substrate. A substrate placing step of placing the substrate on the substrate placing part,
A component heating step of heating the electronic component prior to mounting the electronic component on the substrate, pressing the heated electronic component against the substrate by the bonding tool provided in the bonding head, and applying ultrasonic vibration to the bonding tool. And a bonding step of bonding and bonding the electronic component to the substrate.

【0012】請求項5記載の電子部品のボンディング方
法は、請求項4記載の電子部品のボンディング方法であ
って、前記部品加熱工程において、ボンディングツール
に保持された電子部品を下方から加熱する。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an electronic component bonding method according to the fourth aspect, wherein in the component heating step, the electronic component held by the bonding tool is heated from below.

【0013】請求項6記載の電子部品のボンディング方
法は、請求項4記載の電子部品のボンディング方法であ
って、前記基板は樹脂基板であり、樹脂基板を前記基板
載置部に備えられた基板加熱手段によってこの樹脂基板
のガラス転移温度以下の加熱温度で加熱する。
An electronic component bonding method according to a sixth aspect of the present invention is the electronic component bonding method according to the fourth aspect, wherein the substrate is a resin substrate, and the resin substrate is provided on the substrate mounting portion. The heating means heats the resin substrate at a temperature not higher than the glass transition temperature.

【0014】本発明によれば、電子部品の基板への搭載
に先だって電子部品を加熱する部品加熱手段を備え、電
子部品の接合面を予め加熱することにより、基板の加熱
による軟化を生じることなく接合面の温度を上昇させ
て、超音波接合を効率よく行うとともに接合品質を確保
することができる。
According to the present invention, the electronic component is provided with a component heating means for heating the electronic component prior to mounting the electronic component on the substrate, and the joint surface of the electronic component is preheated so that the substrate is not softened by heating. It is possible to raise the temperature of the bonding surface to efficiently perform ultrasonic bonding and to secure the bonding quality.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)図1は本発明の
実施の形態1の電子部品のボンディング装置の側面図、
図2は本発明の実施の形態1の電子部品のボンディング
装置の部分正面図、図3は本発明の実施の形態1の電子
部品のボンディング装置の部品加熱手段の説明図、図
4、図5は本発明の実施の形態1の電子部品のボンディ
ング方法の工程説明図である。
(First Embodiment) FIG. 1 is a side view of an electronic component bonding apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a partial front view of the electronic component bonding apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIG. 3 is an explanatory view of a component heating means of the electronic component bonding apparatus according to the first embodiment of the present invention, FIGS. FIG. 4 is a process explanatory view of the electronic component bonding method according to the first embodiment of the present invention.

【0016】まず図1、図2を参照して電子部品のボン
ディング装置の構造について説明する。図1において、
XYテーブル1上には基板位置決め部2aが設けられて
いる。基板位置決め部2aはXYテーブル1上に配置さ
れたボンディングステージ3(基板載置部)を備えてお
り、ボンディングステージ3上には基板4が載置されて
いる。ボンディングステージ3は温度調節機能備えたヒ
ータ3a(基板加熱手段)を内蔵しており、ヒータ3a
を作動させることにより、上面に載置された基板4を加
熱できるようになっている。
First, the structure of a bonding apparatus for electronic components will be described with reference to FIGS. In FIG.
A board positioning portion 2a is provided on the XY table 1. The substrate positioning unit 2 a includes a bonding stage 3 (substrate mounting unit) arranged on the XY table 1, and a substrate 4 is mounted on the bonding stage 3. The bonding stage 3 has a built-in heater 3a (substrate heating means) having a temperature adjusting function.
The substrate 4 placed on the upper surface can be heated by operating the.

【0017】基板4は、エポキシ系、ポリイミド系、ア
クリル系、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂を材
質とする樹脂基板である。ヒータ3aによって基板4を
加熱する際には、当該基板4の樹脂材質のガラス転移温
度以下の加熱温度で基板4が加熱されるように、温度調
整機能によってヒータ3aの設定温度が調整される。基
板4の上面には電子部品実装用の電極4aが設けられて
おり、電極4aの表面には金膜が形成されている。ボン
ディング時にヒータ3aによって基板4を上述の設定温
度で加熱することにより、基板4の樹脂材質が軟化しな
い範囲で電極4aの温度を上昇させることができるよう
になっている。
The substrate 4 is a resin substrate made of a resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, an acrylic resin, or polyethylene terephthalate. When the substrate 3 is heated by the heater 3a, the set temperature of the heater 3a is adjusted by the temperature adjusting function so that the substrate 4 is heated at a heating temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the resin material of the substrate 4. An electrode 4a for mounting electronic components is provided on the upper surface of the substrate 4, and a gold film is formed on the surface of the electrode 4a. By heating the substrate 4 at the above-mentioned set temperature by the heater 3a during bonding, the temperature of the electrode 4a can be raised within a range in which the resin material of the substrate 4 is not softened.

【0018】図2に示すように、XYテーブル1上の基
板位置決め部2aの側方には部品供給部2bが設けられ
ており、部品供給部2b上にはボンディング対象の電子
部品9が収納されている。XYテーブル1を駆動するこ
とにより、基板位置決め部2a、部品供給部2bを以下
に説明するボンディング部5に対して水平方向に相対移
動させることができるようになっている。電子部品9の
下面には接続用の金電極9aが形成されており、金電極
9aを基板4の電極4aにボンディングすることによ
り、電子部品9は基板4に実装される。
As shown in FIG. 2, a component supply unit 2b is provided on the side of the substrate positioning unit 2a on the XY table 1, and an electronic component 9 to be bonded is stored on the component supply unit 2b. ing. By driving the XY table 1, the board positioning portion 2a and the component supply portion 2b can be horizontally moved relative to the bonding portion 5 described below. A gold electrode 9a for connection is formed on the lower surface of the electronic component 9, and the electronic component 9 is mounted on the substrate 4 by bonding the gold electrode 9a to the electrode 4a of the substrate 4.

【0019】図1において、基板位置決め部2aの上方
にはボンディング部5が配設されている。ボンディング
部5は、ヘッド昇降機構6によって昇降するボンディン
グヘッド7を備えており、ボンディングヘッド7の下端
部にはボンディングツール8(以下、単に「ツール8」
と略記。)が装着される。図2に示すように、ツール8
は細長形状の水平なホーン8aを備えており、ホーン8
aの下面には、接合作用部8bが下方に突出して設けら
れている。
In FIG. 1, a bonding portion 5 is arranged above the substrate positioning portion 2a. The bonding unit 5 includes a bonding head 7 that is lifted and lowered by a head lifting mechanism 6, and a bonding tool 8 (hereinafter simply referred to as “tool 8”) is provided at a lower end portion of the bonding head 7.
And abbreviated. ) Is installed. As shown in FIG.
Is equipped with an elongated horizontal horn 8a.
On the lower surface of a, the joining action portion 8b is provided so as to project downward.

【0020】接合作用部8bの下面に吸着孔(図示せ
ず)が設けられており、接合作用部8bを電子部品9の
上面に当接させてこの吸着孔から真空吸引することによ
り、電子部品9を吸着して保持する。またホーン8aの
一方側の端部には、振動子8c(振動付与手段)が装着
されている。振動子8cを駆動することにより、ホーン
8a、接合作用部8bを介して電子部品9に超音波振動
が付与される。
A suction hole (not shown) is provided on the lower surface of the joining action portion 8b, and the joining action portion 8b is brought into contact with the upper surface of the electronic component 9 and vacuum suction is performed from this suction hole, whereby the electronic component 9 is adsorbed and retained. A vibrator 8c (vibration imparting means) is attached to one end of the horn 8a. By driving the vibrator 8c, ultrasonic vibration is applied to the electronic component 9 via the horn 8a and the joining action portion 8b.

【0021】ボンディング動作においては、電子部品9
を吸着保持したホーン8aの下方に基板位置決め部2a
を移動させる。そしてヘッド昇降機構6を駆動してボン
ディングヘッド7を基板位置決め部2a上の基板4に対
して下降させ、電子部品9の金電極9aを基板4の電極
4aに位置合わせして押圧する。このとき、振動子8c
を駆動して、電子部品9に超音波振動を印加する。これ
により電子部品9は、基板4に押圧荷重と超音波振動に
よってボンディングされる。
In the bonding operation, the electronic component 9
The substrate positioning portion 2a is provided below the horn 8a that sucks and holds
To move. Then, the head elevating mechanism 6 is driven to lower the bonding head 7 with respect to the substrate 4 on the substrate positioning portion 2a, and the gold electrode 9a of the electronic component 9 is aligned with the electrode 4a of the substrate 4 and pressed. At this time, the vibrator 8c
Is driven to apply ultrasonic vibration to the electronic component 9. As a result, the electronic component 9 is bonded to the substrate 4 by the pressing load and ultrasonic vibration.

【0022】ボンディングヘッド7とボンディングステ
ージ3との間の空間には、上下両方向の観察を同時に行
うことが可能な上下観察光学装置10が配設されてい
る。上下観察光学装置10は進退機構11によって水平
方向に進退可能に配設されており、上下観察光学装置1
0がボンディングヘッド7とボンディングステージ3と
の間に進入することにより、ボンディングステージ3上
の基板4およびボンディングヘッド7に保持されている
電子部品9を同時に観察できるようになっている。
In the space between the bonding head 7 and the bonding stage 3, a vertical observation optical device 10 capable of simultaneously performing observations in both vertical directions is provided. The vertical observation optical device 10 is arranged so as to be able to move forward and backward in the horizontal direction by an advance / retreat mechanism 11.
By entering 0 between the bonding head 7 and the bonding stage 3, the substrate 4 on the bonding stage 3 and the electronic component 9 held by the bonding head 7 can be observed at the same time.

【0023】図1において、ボンディング部5の手前側
(図1において左側)には、部品加熱手段としての赤外
線照射ランプ18が配設されている。赤外線照射ランプ
18は、移動テーブル17によって水平移動可能となっ
ており、赤外線照射ランプ18がボンディング部5側に
移動した状態では、図3に示すように赤外線照射ランプ
18はツール8の接合作用部8bに保持された電子部品
9の下方に位置する。
In FIG. 1, an infrared irradiation lamp 18 as a component heating means is arranged on the front side (left side in FIG. 1) of the bonding portion 5. The infrared irradiation lamp 18 can be horizontally moved by the moving table 17, and when the infrared irradiation lamp 18 is moved to the bonding portion 5 side, the infrared irradiation lamp 18 is connected to the bonding action part of the tool 8 as shown in FIG. It is located below the electronic component 9 held by 8b.

【0024】この状態で赤外線照射ランプ18を点灯す
ることにより、電子部品9の下面側(電極形成面側)に
対して赤外線が照射される。そして電子部品9の下面側
は赤外線の輻射熱によって加熱され、金電極9aの温度
が上昇する。なお部品加熱手段の加熱源としては、赤外
線照射ランプのほか、同様に赤外線を発生するセラミッ
クヒータや、電磁誘導加熱によって電子部品9を昇温さ
せる方法など、各種の加熱方法を用いることができる。
By turning on the infrared irradiation lamp 18 in this state, infrared rays are irradiated to the lower surface side (electrode formation surface side) of the electronic component 9. The lower surface side of the electronic component 9 is heated by the radiant heat of infrared rays, and the temperature of the gold electrode 9a rises. As a heating source of the component heating means, various heating methods such as an infrared irradiation lamp, a ceramic heater which similarly generates infrared rays, and a method of raising the temperature of the electronic component 9 by electromagnetic induction heating can be used.

【0025】次にボンディング装置の制御系について説
明する。制御部14は、ヘッド昇降機構6、XYテーブ
ル1、移動テーブル17の動作を制御する。これによ
り、ボンディングヘッド7によるボンディング動作や、
ボンディング動作に先立って電子部品9を加熱する際の
赤外線照射ランプ18の動作制御が行われる。上下観察
光学装置10の撮像データは認識部13に送られ、認識
部13がこれらの撮像データを認識処理することによ
り、ボンディングヘッド7に保持された電子部品9およ
びボンディングステージ3上の基板4の位置が検出され
る。前述の電子部品9の金電極9aと基板4の電極4a
の位置合わせは、この位置検出結果に基づいて制御部1
4が前述の各部を制御することにより行われる。
Next, the control system of the bonding apparatus will be described. The control unit 14 controls the operations of the head lifting mechanism 6, the XY table 1, and the moving table 17. Thereby, the bonding operation by the bonding head 7,
Prior to the bonding operation, operation control of the infrared irradiation lamp 18 at the time of heating the electronic component 9 is performed. The imaging data of the up-down observation optical device 10 is sent to the recognition unit 13, and the recognition unit 13 performs recognition processing on these imaging data, whereby the electronic component 9 held by the bonding head 7 and the substrate 4 on the bonding stage 3 are held. The position is detected. The gold electrode 9a of the electronic component 9 and the electrode 4a of the substrate 4 described above.
The position of the control unit 1 is adjusted based on the position detection result.
4 is performed by controlling the above-mentioned units.

【0026】制御部14は、表示部15および操作・入
力部16と接続されている。操作・入力部16は、各種
データの入力や、動作指令のための操作コマンドの入力
を行う。表示部15は、上記操作入力時の案内画面を表
示するほか、上下観察光学装置10によって撮像された
画面を表示する。
The control unit 14 is connected to the display unit 15 and the operation / input unit 16. The operation / input unit 16 inputs various data and operation commands for operation commands. The display unit 15 displays the guide screen at the time of the above-mentioned operation input, and also displays the screen imaged by the vertical observation optical device 10.

【0027】この電子部品のボンディング装置は上記の
ように構成されており、次にボンディング方法について
図4、図5を参照して説明する。まず図4(a)におい
て、ボンディングステージ3上には、ボンディング対象
の基板4が載置される(基板載置工程)。そしてヒータ
3aを作動させて、基板4を当該基板の樹脂材質のガラ
ス転移温度以下の加熱温度で加熱する。これにより、基
板4の電極4aの温度が上昇する。
This electronic component bonding apparatus is constructed as described above. Next, the bonding method will be described with reference to FIGS. 4 and 5. First, in FIG. 4A, the substrate 4 to be bonded is placed on the bonding stage 3 (substrate placing step). Then, the heater 3a is operated to heat the substrate 4 at a heating temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the resin material of the substrate. As a result, the temperature of the electrode 4a on the substrate 4 rises.

【0028】次いで図4(b)に示すように、部品供給
部2bをボンディングヘッド7のツール8の下方に位置
させ、ヘッド昇降機構6を駆動してツール8を部品供給
部2b上の電子部品9に対して昇降させる。これによ
り、図4(c)に示すように、ツール8の接合作用部8
bに電子部品9が真空吸着により保持される。そしてこ
の状態で、上下観察光学装置10をツール8の下方に進
出させて、電子部品9および基板4の撮像が行われ、こ
の撮像データを認識部13が認識処理することにより、
電子部品9および基板4の位置が検出される。
Next, as shown in FIG. 4B, the component supply unit 2b is positioned below the tool 8 of the bonding head 7, and the head elevating mechanism 6 is driven to move the tool 8 to an electronic component on the component supply unit 2b. Raise and lower with respect to 9. As a result, as shown in FIG. 4C, the joining action portion 8 of the tool 8 is
The electronic component 9 is held by b by vacuum suction. Then, in this state, the vertical observation optical device 10 is advanced below the tool 8 to image the electronic component 9 and the substrate 4, and the recognition unit 13 performs recognition processing on the imaging data,
The positions of the electronic component 9 and the board 4 are detected.

【0029】この後、搭載動作に移行する。まず電子部
品9の基板4への搭載に先立って、移動テーブル17を
駆動して、図5(a)に示すように赤外線照射ランプ1
8をツール8に保持された電子部品9の下方に位置さ
せ、赤外線照射ランプ18を点灯して電子部品9の下面
側を赤外線によって加熱する(部品加熱工程)。これに
より、電子部品9の金電極9aが所定の加熱温度まで加
熱される。このときの加熱温度は、電子部品9と基板4
の種類の組み合わせに応じて、100℃〜300℃の間
の温度に設定される。この部品加熱工程においては、超
音波接合における接合部である金電極9aを下方の至近
位置から加熱するため、接合部を集中的に効率よく昇温
させることができるようになっている。
Thereafter, the mounting operation is started. First, before mounting the electronic component 9 on the substrate 4, the moving table 17 is driven to drive the infrared irradiation lamp 1 as shown in FIG.
8 is positioned below the electronic component 9 held by the tool 8, the infrared irradiation lamp 18 is turned on, and the lower surface side of the electronic component 9 is heated by infrared rays (component heating step). Thereby, the gold electrode 9a of the electronic component 9 is heated to a predetermined heating temperature. The heating temperature at this time is the same as that of the electronic component 9 and the substrate 4.
The temperature is set between 100 ° C. and 300 ° C. according to the combination of types. In this component heating step, since the gold electrode 9a, which is the bonding portion in the ultrasonic bonding, is heated from the closest lower position, it is possible to raise the temperature of the bonding portion intensively and efficiently.

【0030】次いでボンディングヘッド7を下降させる
とともに、XYテーブル1を駆動して基板4を水平移動
させることにより、図5(b)に示すように、ツール8
に保持された電子部品9の金電極9aと基板4の電極4
aとを図4(c)に示す認識により求めた位置検出結果
に基づいて位置合わせする。
Then, the bonding head 7 is lowered, and the XY table 1 is driven to horizontally move the substrate 4 to move the tool 8 as shown in FIG. 5 (b).
The gold electrode 9a of the electronic component 9 and the electrode 4 of the substrate 4 held by the
The position a is aligned with the position detection result obtained by the recognition shown in FIG.

【0031】そして図5(c)に示すように、ツール8
によって電子部品9を基板4に対して押圧することによ
り、電極4aに金電極9aを所定ボンディング荷重で押
しつけるとともに、振動子8cを駆動して接合作用部8
bを介して電子部品9に超音波振動を印加する。これに
より、電子部品9は金電極9aが電極4aの表面に形成
された金膜と拡散接合されることによりボンディングさ
れ(ボンディング工程)、電子部品9の基板4への実装
が完了する。
Then, as shown in FIG. 5C, the tool 8
By pressing the electronic component 9 against the substrate 4 by means of the gold electrode 9a is pressed against the electrode 4a with a predetermined bonding load, the vibrator 8c is driven to bond the bonding action portion 8
Ultrasonic vibration is applied to the electronic component 9 via b. As a result, the electronic component 9 is bonded by the gold electrode 9a being diffusion bonded to the gold film formed on the surface of the electrode 4a (bonding step), and the mounting of the electronic component 9 on the substrate 4 is completed.

【0032】この超音波接合においては、接合対象の金
電極9aは赤外線照射ランプ18によって、また電極4
aはヒータ3aによって予め加熱されており、しかもこ
れらの加熱は基板4への部品搭載の直前に行われ温度低
下が少ないことから、超音波ボンディング過程における
接合温度を極力高温に保つことが可能となっている。こ
れにより、金電極9aと電極4aの接合表面部分を軟化
させて接合界面の面積を増大することができるととも
に、接合過程における金属拡散を促進して良好な接合品
質を得ることができる。
In this ultrasonic joining, the gold electrode 9a to be joined is connected by the infrared irradiation lamp 18 and the electrode 4
Since a is preheated by the heater 3a, and these heatings are performed immediately before the components are mounted on the substrate 4, the temperature drop is small, so that the bonding temperature in the ultrasonic bonding process can be kept as high as possible. Has become. As a result, it is possible to soften the bonding surface portion of the gold electrode 9a and the electrode 4a to increase the area of the bonding interface, and promote metal diffusion in the bonding process to obtain good bonding quality.

【0033】このとき、基板4の加熱に際しては、当該
樹脂材質のガラス転移温度以下となるように加熱温度が
設定されることから、基板4が過度に昇温することによ
る基板本体の軟化が発生しない。これにより、接合部の
周囲の軟化した基板4が超音波振動を吸収することによ
る振動作用の損失が少なく、電子部品9に伝達された超
音波振動を金電極9aと電極4aの接合部に有効に作用
させて、効率のよい接合を行うことができる。
At this time, when the substrate 4 is heated, the heating temperature is set so as to be equal to or lower than the glass transition temperature of the resin material, so that the substrate 4 is excessively heated and the substrate body is softened. do not do. As a result, the softened substrate 4 around the joint absorbs ultrasonic vibrations, and the vibration action loss is small, and the ultrasonic vibrations transmitted to the electronic component 9 are effectively applied to the joints of the gold electrode 9a and the electrode 4a. Can be applied to perform efficient bonding.

【0034】また、電子部品9を予め加熱する部品加熱
手段をツール8と別体に設けていることから、この部品
加熱によってツール8の温度が上昇することがない。こ
のため振動子8cの温度上昇に起因する振動特性の変化
を防止することができ、安定した振動付与が可能となっ
ている。従って、部品加熱手段を内蔵した従来のボンデ
ィングツールに必要とされた断熱機構や冷却機構を設け
る必要がなく、構造が簡単でコンパクトなボンディング
ツールが実現される。
Further, since the component heating means for preheating the electronic component 9 is provided separately from the tool 8, the temperature of the tool 8 does not rise due to this component heating. Therefore, it is possible to prevent a change in the vibration characteristic due to the temperature rise of the vibrator 8c, and it is possible to apply stable vibration. Therefore, it is not necessary to provide a heat insulating mechanism or a cooling mechanism which is required in the conventional bonding tool having a built-in component heating means, and a bonding tool having a simple structure and a compact structure can be realized.

【0035】なお上記実施の形態1では、基板4の種類
として、温度上昇によって軟化しやすく本発明の効果が
顕著に現れる樹脂基板を対象とした例を説明したが、本
発明の対象は樹脂基板には限定されないことはもちろん
である。また、ボンディングに先立って行われる基板4
の加熱は必ずしも必須ではなく、電子部品9の加熱のみ
によっても上述の効果を得ることができる。
In the first embodiment described above, the example of the substrate 4 is the resin substrate which is easily softened by the temperature rise and the effect of the present invention is remarkable, but the present invention is applied to the resin substrate. Of course, it is not limited to. In addition, the substrate 4 that is performed prior to bonding
The heating is not always necessary, and the above-described effect can be obtained only by heating the electronic component 9.

【0036】さらに上記実施の形態1では、接合部の材
質の組み合わせとして、表面に金膜を有する電極4aに
金電極9aを接合する例を示したが、金属表面を相互に
押し当てて金属拡散によって接合を行うことが可能な組
み合わせであれば、金以外の金属材質を接合部に用いて
もよい。
Further, in the above-described first embodiment, an example in which the gold electrode 9a is bonded to the electrode 4a having a gold film on the surface as a combination of the materials of the bonding portion is shown. However, the metal surfaces are pressed against each other to diffuse the metal. A metal material other than gold may be used for the joint portion as long as it is a combination that can be joined by.

【0037】(実施の形態2)図6は本発明の実施の形
態2の電子部品のボンディング装置の部分正面図、図7
は本発明の実施の形態2の電子部品のボンディング装置
の動作説明図、図8は本発明の実施の形態2の電子部品
のボンディング装置の部分正面図である。
(Embodiment 2) FIG. 6 is a partial front view of a bonding apparatus for electronic parts according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG.
Is an operation explanatory view of the electronic component bonding apparatus according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a partial front view of the electronic component bonding apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【0038】図6において、XYテーブル1上には、実
施の形態1に示すものと同様の基板位置決め部2a、部
品供給部2bが配設されており、基板位置決め部2aと
部品供給部2bの間には、ヒータ19aが内蔵された部
品加熱ステージ19が配置されている。XYテーブル1
を駆動することにより、基板位置決め部2a、部品加熱
ステージ19、部品供給部2bのいずれかをボンディン
グヘッド7の下方に位置させることができる。
In FIG. 6, a board positioning portion 2a and a component supply portion 2b similar to those shown in the first embodiment are arranged on the XY table 1, and the board positioning portion 2a and the component supply portion 2b are arranged. A component heating stage 19 having a heater 19a built therein is arranged in between. XY table 1
Any of the substrate positioning portion 2a, the component heating stage 19 or the component supply portion 2b can be positioned below the bonding head 7 by driving the.

【0039】図7(a)に示すように、ヒータ19aに
よって上面が加熱された状態の部品加熱ステージ19
に、ツール8によって部品供給部2bから取り出した電
子部品9を載置し、電子部品9の下面の金電極9aを部
品加熱ステージ19に接触させることにより、金電極9
aは部品加熱ステージ19上面からの熱伝達により加熱
される。すなわち、ここでは部品加熱ステージ19が部
品加熱手段となっている。
As shown in FIG. 7A, the component heating stage 19 whose upper surface is heated by the heater 19a.
Then, the electronic component 9 taken out from the component supply unit 2b by the tool 8 is placed thereon, and the gold electrode 9a on the lower surface of the electronic component 9 is brought into contact with the component heating stage 19 so that the gold electrode 9
A is heated by heat transfer from the upper surface of the component heating stage 19. That is, here, the component heating stage 19 serves as a component heating means.

【0040】金電極9aの部品加熱ステージ19への押
し当てを所定時間行ったならば、ツール8を上昇させて
XYテーブル1を移動させ、図7(b)に示すように、
電子部品9を保持したツール8に対してボンディングス
テージ3上の基板4を位置合わせする。そして実施の形
態1と同様に、金電極9aを基板の電極4aに押し当
て、振動子8cを駆動して電子部品9に超音波振動を印
加する。これにより、電子部品9は基板4にボンディン
グされる。
After the gold electrode 9a is pressed against the component heating stage 19 for a predetermined time, the tool 8 is raised to move the XY table 1 and, as shown in FIG. 7 (b),
The substrate 4 on the bonding stage 3 is aligned with the tool 8 holding the electronic component 9. Then, as in the first embodiment, the gold electrode 9a is pressed against the electrode 4a on the substrate, the vibrator 8c is driven, and ultrasonic vibration is applied to the electronic component 9. As a result, the electronic component 9 is bonded to the substrate 4.

【0041】本実施の形態2においても、電子部品9の
基板4への搭載に先だって金電極9aを加熱しているこ
とから、実施の形態1に示す例と同様に、接合品質の確
保と接合効率の向上が実現される。
Also in the second embodiment, since the gold electrode 9a is heated prior to mounting the electronic component 9 on the substrate 4, as in the example shown in the first embodiment, the securing of the bonding quality and the bonding are ensured. Improved efficiency is realized.

【0042】なお、部品加熱ステージ19を用いる構成
として、図8に示すような構成、すなわち、部品供給部
2b’をXYステージ1と別個に配置し、移載ヘッド2
0により部品供給部2b’から電子部品9を取り出して
部品加熱ステージ19上に載置するようにしてもよい。
この構成においては、部品加熱ステージ19によって所
定時間加熱された電子部品9を、ツール8によって保持
して基板4にボンディングする。
The component heating stage 19 is used as shown in FIG. 8, that is, the component supply unit 2b 'is arranged separately from the XY stage 1, and the transfer head 2 is used.
The electronic component 9 may be taken out from the component supply unit 2b ′ by 0 and placed on the component heating stage 19.
In this configuration, the electronic component 9 heated by the component heating stage 19 for a predetermined time is held by the tool 8 and bonded to the substrate 4.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明によれば、電子部品の基板への搭
載に先だって電子部品を加熱する部品加熱手段を備え、
電子部品の接合面を予め加熱するようにしたので、基板
の加熱による軟化を生じることなく接合面の温度を上昇
させて、超音波接合を効率よく行うとともに接合品質を
確保することができる。
According to the present invention, there is provided a component heating means for heating an electronic component prior to mounting the electronic component on the substrate,
Since the joint surface of the electronic component is preheated, it is possible to raise the temperature of the joint surface without causing softening due to heating of the substrate, perform ultrasonic bonding efficiently, and ensure the joint quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態1の電子部品のボンディン
グ装置の側面図
FIG. 1 is a side view of an electronic component bonding apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態1の電子部品のボンディン
グ装置の部分正面図
FIG. 2 is a partial front view of the electronic component bonding apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態1の電子部品のボンディン
グ装置の部品加熱手段の説明図
FIG. 3 is an explanatory diagram of component heating means of the electronic component bonding apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態1の電子部品のボンディン
グ方法の工程説明図
FIG. 4 is a process explanatory diagram of a bonding method for an electronic component according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態1の電子部品のボンディン
グ方法の工程説明図
FIG. 5 is a process explanatory diagram of a bonding method for an electronic component according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態2の電子部品のボンディン
グ装置の部分正面図
FIG. 6 is a partial front view of an electronic component bonding apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施の形態2の電子部品のボンディン
グ装置の動作説明図
FIG. 7 is an operation explanatory diagram of the electronic component bonding apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施の形態2の電子部品のボンディン
グ装置の部分正面図
FIG. 8 is a partial front view of an electronic component bonding apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 ボンディングステージ 4 基板 4a 電極 5 ボンディング部 7 ボンディングヘッド 8 ボンディングツール(ツール) 9 電子部品 9a 金電極 18 赤外線照射ランプ 3 Bonding stage 4 substrates 4a electrode 5 Bonding section 7 Bonding head 8 Bonding tool (tool) 9 electronic components 9a Gold electrode 18 Infrared irradiation lamp

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E319 AA03 AB05 AC01 CC12 CC60 CD04 CD31 GG11 GG15 5F044 KK02 PP16 PP19    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 5E319 AA03 AB05 AC01 CC12 CC60                       CD04 CD31 GG11 GG15                 5F044 KK02 PP16 PP19

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ボンディングヘッドによって電子部品を基
板に押圧して超音波振動を印加することにより前記電子
部品をボンディングする電子部品のボンディング装置で
あって、前記基板が載置される基板載置部と、前記ボン
ディングヘッドに設けられ前記電子部品に当接して押圧
するボンディングツールと、このボンディングツールに
超音波振動を付与する振動付与手段と、前記ボンディン
グツールと別体で設けられ前記電子部品の基板への搭載
に先立ってこの電子部品を加熱する部品加熱手段とを備
えたことを特徴とする電子部品のボンディング装置。
1. A bonding apparatus for an electronic component, which bonds an electronic component by pressing the electronic component against the substrate by a bonding head and applying ultrasonic vibrations to the substrate. A bonding tool provided on the bonding head for contacting and pressing the electronic component; a vibration applying unit for applying ultrasonic vibration to the bonding tool; and a substrate for the electronic component provided separately from the bonding tool. An electronic component bonding apparatus comprising: a component heating means for heating the electronic component prior to mounting on the electronic component.
【請求項2】前記部品加熱手段は、前記ボンディングツ
ールに保持された電子部品を下方から加熱することを特
徴とする請求項1記載の電子部品のボンディング装置。
2. The electronic component bonding apparatus according to claim 1, wherein the component heating means heats the electronic component held by the bonding tool from below.
【請求項3】前記基板は樹脂基板であり、前記基板載置
部は載置された樹脂基板をこの樹脂基板のガラス転移温
度以下の加熱温度で加熱する基板加熱手段を備えたこと
を特徴とする請求項1記載の電子部品のボンディング装
置。
3. The substrate is a resin substrate, and the substrate mounting part is provided with a substrate heating means for heating the mounted resin substrate at a heating temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the resin substrate. An electronic component bonding apparatus according to claim 1.
【請求項4】ボンディングヘッドによって電子部品を基
板に押圧して超音波振動を印加することにより前記電子
部品をボンディングする電子部品のボンディング方法で
あって、前記基板を基板載置部に載置する基板載置工程
と、前記電子部品の基板への搭載に先立ってこの電子部
品を加熱する部品加熱工程と、加熱された電子部品を前
記ボンディングヘッドに備えられたボンディングツール
によって基板に押圧するとともにボンディングツールに
超音波振動を付与して電子部品を基板にボンディングす
るボンディング工程とを含むことを特徴とする電子部品
のボンディング方法。
4. A method of bonding an electronic component by pressing the electronic component against the substrate with a bonding head to apply ultrasonic vibrations, the method comprising: mounting the substrate on a substrate mounting portion. Substrate placing step, component heating step of heating the electronic component prior to mounting the electronic component on the substrate, and pressing the heated electronic component against the substrate by a bonding tool provided in the bonding head and bonding. A bonding step of applying ultrasonic vibration to the tool to bond the electronic component to the substrate.
【請求項5】前記部品加熱工程において、ボンディング
ツールに保持された電子部品を下方から加熱することを
特徴とする請求項4記載の電子部品のボンディング方
法。
5. The method of bonding an electronic component according to claim 4, wherein in the component heating step, the electronic component held by the bonding tool is heated from below.
【請求項6】前記基板は樹脂基板であり、樹脂基板を前
記基板載置部に備えられた加熱手段によってこの樹脂基
板のガラス転移温度以下の加熱温度で加熱することを特
徴とする請求項4記載の電子部品のボンディング方法。
6. The substrate is a resin substrate, and the resin substrate is heated at a heating temperature equal to or lower than the glass transition temperature of the resin substrate by a heating means provided in the substrate mounting portion. Bonding method for the described electronic component.
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