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JP2003188469A - Laser light source - Google Patents

Laser light source

Info

Publication number
JP2003188469A
JP2003188469A JP2001385742A JP2001385742A JP2003188469A JP 2003188469 A JP2003188469 A JP 2003188469A JP 2001385742 A JP2001385742 A JP 2001385742A JP 2001385742 A JP2001385742 A JP 2001385742A JP 2003188469 A JP2003188469 A JP 2003188469A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser
conversion element
optical waveguide
fiber grating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001385742A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masakazu Yokoo
雅一 横尾
Kozo Mano
晃造 眞野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Noritsu Koki Co Ltd
Original Assignee
Noritsu Koki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Noritsu Koki Co Ltd filed Critical Noritsu Koki Co Ltd
Priority to JP2001385742A priority Critical patent/JP2003188469A/en
Publication of JP2003188469A publication Critical patent/JP2003188469A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザーから出力される光を光導波路
型波長変換素子に導入するに際し、スペクトルの安定化
を小型で簡易な構成で実現することのできるレーザー光
源を提供すること。 【解決手段】 半導体レーザー1と、半導体レーザー1
の光出力部に一端部2aが接続されたファイバーグレー
ティング2と、ファイバーグレーティング2により波長
ロックされた光を導入し、可視光を出力する光導波路型
波長変換素子3とを備え、光導波路型波長変換素子3
は、周期的に分極反転したLiNbO3 結晶により形成
される。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser light source capable of realizing spectrum stabilization with a small and simple configuration when introducing light output from a semiconductor laser into an optical waveguide type wavelength conversion element. . SOLUTION: Semiconductor laser 1 and semiconductor laser 1
A fiber grating 2 having one end 2a connected to a light output section thereof, and an optical waveguide type wavelength conversion element 3 for introducing light whose wavelength is locked by the fiber grating 2 and outputting visible light. Conversion element 3
Is formed of a periodically poled LiNbO 3 crystal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザーか
ら出力される光の波長を安定化させて光導波路型波長変
換素子に導入するレーザー光源に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser light source that stabilizes the wavelength of light output from a semiconductor laser and introduces it into an optical waveguide type wavelength conversion element.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザー光源装置は、種々の技術分野で
用いられており、その1例として写真処理装置があげら
れる。この写真処理装置では、R,G,B(赤、緑、
青)の各色のレーザー光を出力するレーザー光源装置を
備えており、画像データに基づいて光変調したレーザー
光により写真感光材料に画像を焼付露光する。
2. Description of the Related Art Laser light source devices are used in various technical fields, and one example thereof is a photographic processing device. In this photo processor, R, G, B (red, green,
It is equipped with a laser light source device for outputting laser light of each color (blue), and an image is printed and exposed on a photographic light-sensitive material by laser light optically modulated based on image data.

【0003】上記各色のレーザー光源において、赤色光
は半導体レーザーからの出力光を利用しているが、緑色
光、青色光については、半導体レーザーから出力される
近赤外光を波長変換素子に導入し、波長変換することに
より所望の波長の光を得るようにしている。このような
レーザーをSHG(Second Harmonic Generation :二次
高周波発生)レーザーと称し、赤外半導体レーザーを用
いることで、長寿命、高出力化が容易であるという利点
がある。
In the laser light source of each color, the red light uses the output light from the semiconductor laser, but for the green light and the blue light, the near infrared light output from the semiconductor laser is introduced into the wavelength conversion element. Then, the light having a desired wavelength is obtained by wavelength conversion. Such a laser is referred to as an SHG (Second Harmonic Generation) laser, and the use of an infrared semiconductor laser has the advantages of long life and high output.

【0004】上記波長変換素子としては、共振器型と光
導波路型とが知られているが、共振器型は超小型化や高
速変調が困難であるという理由で、写真処理装置のよう
な光情報処理には好適ではない。一方、光導波路型は、
小型・低コストで光情報処理に好適である。
As the above-mentioned wavelength conversion element, a resonator type and an optical waveguide type are known, but the resonator type is difficult to miniaturize and high-speed modulation, and therefore, the optical type such as a photo processing device is difficult. Not suitable for information processing. On the other hand, the optical waveguide type is
Compact and low cost, suitable for optical information processing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】一方、光導波路型波長
変換素子が光を導入する場合の許容幅は、1nm程度の
ごく狭い範囲であり、半導体レーザーから出力されるス
ペクトルの変動も押さえなければならない。このスペク
トルの変動に伴い、光導波路型波長変換素子から出力さ
れる可視光も安定しなくなるからである。しかしなが
ら、半導体レーザーは、温度の影響でスペクトルが変動
しやすいという性質がある。また、光導波路型波長変換
素子の端面からの戻り光による影響でスペクトルが変動
しやすい。端面からの戻り光を防ぐために、高額な光ア
イソレータや大型の外付けグレーティングを取り付ける
必要があった。
On the other hand, the allowable width when the light is introduced by the optical waveguide type wavelength conversion element is a very narrow range of about 1 nm, and the fluctuation of the spectrum output from the semiconductor laser must be suppressed. I won't. This is because the visible light output from the optical waveguide type wavelength conversion element also becomes unstable due to the fluctuation of the spectrum. However, the semiconductor laser has a property that the spectrum easily changes due to the influence of temperature. Further, the spectrum is likely to change due to the influence of the return light from the end face of the optical waveguide type wavelength conversion element. In order to prevent the returning light from the end face, it was necessary to attach an expensive optical isolator and a large external grating.

【0006】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、その課題は、半導体レーザーから出力される光を
光導波路型波長変換素子に導入するに際し、スペクトル
の安定化を小型で簡易な構成で実現することのできるレ
ーザー光源を提供することである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to stabilize the spectrum when introducing the light output from the semiconductor laser into the optical waveguide type wavelength conversion element, with a compact and simple structure. It is to provide a laser light source that can be realized by.

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係るレーザー光源は、半導体レーザーと、半導
体レーザーの光出力部に一端部が接続されたファイバー
グレーティングと、前記ファイバーグレーティングによ
り波長ロックされた光を導入し、可視光を出力する光導
波路型波長変換素子とを備えたことを特徴とするもので
ある。
To solve the above problems, a laser light source according to the present invention comprises a semiconductor laser, a fiber grating having one end connected to a light output portion of the semiconductor laser, and a wavelength lock by the fiber grating. The optical waveguide type wavelength conversion element for introducing the converted light and outputting the visible light is provided.

【0007】この構成によると、半導体レーザーの光出
力部に、ファイバーグレーティングの一端部が接続され
る。ファイバーグレーティングとは、光ファイバーの軸
に沿って、コアに周期的な屈折率分布を持たせたものを
いう。これにより、周期に応じた波長を選択することが
できる。よって、ファイバーグレーティングにより、波
長ロックされた光を光導波路型波長変換素子に導入する
ことができる。その結果、スペクトルの安定化を小型で
簡易な構成で実現することのできるレーザー光源を提供
することができる。
According to this structure, one end of the fiber grating is connected to the light output section of the semiconductor laser. The fiber grating refers to a core having a periodic refractive index distribution along the axis of the optical fiber. As a result, it is possible to select a wavelength according to the cycle. Therefore, the wavelength-locked light can be introduced into the optical waveguide type wavelength conversion element by the fiber grating. As a result, it is possible to provide a laser light source that can realize spectrum stabilization with a small and simple configuration.

【0008】本発明の好適な実施形態として、前記光導
波路型波長変換素子は、周期的分極反転したLiNbO
3 結晶(PPLN)により形成されるものがあげられ
る。PPLNは、変換効率が高くハイパワーの可視光が
得られるという利点がある。
In a preferred embodiment of the present invention, the optical waveguide type wavelength conversion element is a periodically poled LiNbO.
An example is one formed by 3 crystals (PPLN). PPLN has the advantage of high conversion efficiency and high-power visible light.

【0009】本発明の別の好適な実施形態として、前記
ファイバーグレーティングの他端部は、前記光導波路型
波長変換素子の光導入部に接続されるものがあげられ
る。
Another preferred embodiment of the present invention is one in which the other end of the fiber grating is connected to the light introducing portion of the optical waveguide type wavelength conversion element.

【0010】これにより、光導波路型波長変換素子の端
面からの戻り光が確実に防止され、半導体レーザーの出
力光の波長ロックを行うことができる。
Thus, the returning light from the end face of the optical waveguide type wavelength conversion element can be surely prevented, and the wavelength of the output light of the semiconductor laser can be locked.

【0011】本発明の更に別の好適な実施形態として、
前記光出力部は、第1光出力部と第2光出力部とを有
し、第2光出力部に前記ファイバーグレーティングの一
端部を接続し、他端部に全反射コーティングを施し、前
記第1光出力部からの出力光を直接、前記光導波路型波
長変換素子に導入するように構成されているものがあげ
られる。
As still another preferred embodiment of the present invention,
The light output unit has a first light output unit and a second light output unit, one end of the fiber grating is connected to the second light output unit, and the other end is subjected to total reflection coating. One of them is configured so that the output light from the one-light output section is directly introduced into the optical waveguide type wavelength conversion element.

【0012】半導体レーザーからは、本来の光出力の方
向(第1光出力部)とは、反対側(第2光出力部)から
も光が出力される。そこで、第2光出力部にファイバー
グレーティングの一端部を接続し、他端部に全反射コー
ティングを施す。この全反射コーティングにより、戻り
光による悪影響を防ぐことができる。この構成によって
も、半導体レーザーの出力光の波長ロックを行うことが
できる。
Light is output from the semiconductor laser from the side (second light output portion) opposite to the original light output direction (first light output portion). Therefore, one end of the fiber grating is connected to the second light output section, and the other end is subjected to total reflection coating. This total reflection coating can prevent the adverse effect of returning light. Also with this configuration, the wavelength of the output light of the semiconductor laser can be locked.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明に係るレーザー光源の好適
な実施形態を図面を用いて説明する。図1は、第1実施
形態に係るレーザー光源の構成を示す模式図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of a laser light source according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the laser light source according to the first embodiment.

【0014】かかるレーザー光源は、例えば、写真処理
装置のレーザーエンジンに用いられている。近年の写真
処理装置は、画像情報をデジタルデータ化し、このデジ
タル画像データを用いて写真感光材料に画像を焼付露光
する方式のものが主流になりつつある。この画像データ
を用いて画像を焼付露光するために、露光エンジンが用
いられている。露光エンジンの形式にも種々のものがあ
るが、そのうちの1つに上記のレーザーエンジンがあ
る。
Such a laser light source is used, for example, in a laser engine of a photo processor. In recent years, a photographic processing apparatus in which image information is converted into digital data and an image is printed and exposed on a photographic light-sensitive material using the digital image data is becoming mainstream. An exposure engine is used to print an image using this image data. There are various types of exposure engines, and one of them is the laser engine described above.

【0015】レーザーエンジンは、カラーの画像を露光
形成できるようにするため、R,G,Bの各色を発光す
るレーザー光源を備えている。赤色光を出力するレーザ
ー光源としては、半導体レーザーが用いられる。また、
緑色光と青色光については、SHGレーザーが用いられ
ている。SHGを用いることで光の波長を半分にするこ
とができ、長寿命、高出力化が容易な半導体レーザーと
組み合わせて、緑色や青色のレーザー光源を実現するこ
とができる。
The laser engine is equipped with a laser light source which emits R, G, and B colors in order to form a color image by exposure. A semiconductor laser is used as a laser light source that outputs red light. Also,
An SHG laser is used for green light and blue light. By using SHG, the wavelength of light can be halved, and a green or blue laser light source can be realized in combination with a semiconductor laser that has a long life and can easily achieve high output.

【0016】図1において、半導体レーザー1は好まし
くは半導体チップの形態であり、赤外光や近赤外光を出
力する。ファイバーグレーティング2は、特定波長を選
択して反射することができる。ファイバーグレーティン
グ2の一端部2aは、半導体レーザー1に接続され、他
端部2bは、光導波路型波長変換素子3に接続される。
半導体レーザー1から出力される赤外光または近赤外光
L1は、ファイバーグレーティング2を介して光導波路
型波長変換素子3に導入され、半分の波長のレーザー光
L2が出力される。
In FIG. 1, the semiconductor laser 1 is preferably in the form of a semiconductor chip and outputs infrared light or near infrared light. The fiber grating 2 can select and reflect a specific wavelength. One end 2a of the fiber grating 2 is connected to the semiconductor laser 1, and the other end 2b is connected to the optical waveguide type wavelength conversion element 3.
The infrared light or near-infrared light L1 output from the semiconductor laser 1 is introduced into the optical waveguide type wavelength conversion element 3 via the fiber grating 2, and the laser light L2 having a half wavelength is output.

【0017】この光導波路型波長変換素子3は、LiN
bO3 のような二次非線形光学効果を示す強誘電体結晶
の分極を周期的に反転させた層3b(PPLN)に直交
して光導波路3aを形成している。この構造は、変換効
率が高くハイパワーな可視光出力が得られるという特徴
がある。
This optical waveguide type wavelength conversion element 3 is made of LiN.
The optical waveguide 3a is formed orthogonal to the layer 3b (PPLN) in which the polarization of the ferroelectric crystal exhibiting a second-order nonlinear optical effect such as bO 3 is periodically inverted. This structure is characterized by high conversion efficiency and high-power visible light output.

【0018】半導体レーザー1は、温度変化や、光導波
路型波長変換素子3の端面からの戻り光により出力光の
スペクトルが変動する。そこで、半導体レーザーの波長
ロックを行うためファイバーグレーティング2を設けて
いる。ファイバーグレーティング2は、基本的に光ファ
イバーと同じ構造であり、図3に示すように、中心部の
コア20と、その周囲を取り囲むクラッド21により構
成される。
The spectrum of the output light of the semiconductor laser 1 fluctuates due to the temperature change and the return light from the end face of the optical waveguide type wavelength conversion element 3. Therefore, the fiber grating 2 is provided to lock the wavelength of the semiconductor laser. The fiber grating 2 has basically the same structure as an optical fiber, and as shown in FIG. 3, it is composed of a core 20 at the center and a clad 21 surrounding the core 20.

【0019】ただし、通常の光ファイバーと異なるの
は、屈折率が周期的に変化していることである。その例
を図4(a)〜(d)に示す。なお、ファイバーグレー
ティングは、一般的には、石英系単一モードファイバー
にエキシマレーザ紫外光を照射することで製造すること
ができる。
However, what is different from an ordinary optical fiber is that the refractive index changes periodically. An example thereof is shown in FIGS. The fiber grating can be generally manufactured by irradiating a silica single mode fiber with excimer laser ultraviolet light.

【0020】(a)は屈折率がパルス波状に変化する例
であり、(b)は屈折率が正弦波状に変化する例であ
り、(c)は屈折率がのこぎり波状に変化する例であ
り、(d)は屈折率が山形状に変化する例である。
(a)が製造が最も容易であり好ましい。グレーティン
グ周期を変えることで、選択する光の波長を変えること
ができる。
(A) is an example in which the refractive index changes in a pulse wave shape, (b) is an example in which the refractive index changes in a sine wave shape, and (c) is an example in which the refractive index changes in a sawtooth wave shape. , (D) are examples in which the refractive index changes into a mountain shape.
(A) is preferable because it is the easiest to manufacture. The wavelength of the selected light can be changed by changing the grating period.

【0021】半導体レーザー1から出力された光が光導
波路型波長変換素子3の端面で反射されると、発振波長
とは異なる波長の光が反射され、これがスペクトルの変
動要因となる。上記のファイバーグレーティングを用い
ることで、発振波長とは異なる波長の光が戻ってくるこ
とが防止される。すなわち、 半導体レーザーの波長ロ
ックを実現することができる。これにより、光導波路型
波長変換素子3からは、出力の安定した可視光を出力す
ることができる。
When the light output from the semiconductor laser 1 is reflected by the end face of the optical waveguide type wavelength conversion element 3, light having a wavelength different from the oscillation wavelength is reflected, which becomes a factor of spectrum fluctuation. By using the above fiber grating, it is possible to prevent light having a wavelength different from the oscillation wavelength from returning. That is, wavelength locking of the semiconductor laser can be realized. As a result, the visible light whose output is stable can be output from the optical waveguide type wavelength conversion element 3.

【0022】なお、接続するファイバーグレーティング
は1本でよい。その外径は、5〜10μm程度である。
また、半導体レーザーもチップの形態でよく、その光出
力部の大きさは数μm×数μm程度である。また、接続
するためには、例えば、光を通過させることのできる紫
外線硬化型の接着剤が用いられる。
The number of fiber gratings to be connected may be one. The outer diameter is about 5 to 10 μm.
The semiconductor laser may also be in the form of a chip, and the size of its light output portion is about several μm × several μm. Further, for connection, for example, an ultraviolet curable adhesive that allows light to pass therethrough is used.

【0023】次に、第2実施形態に係るレーザー光源の
構成を図2により説明する。半導体レーザー1は、第1
光出力部1a(前側)と第2光出力部1b(後側)とを
有する。第2光出力部1bは本来必要のない部分である
が、後側からも光は出力される。この光が、スペクトル
変動の要因となる。そこで、この第2光出力部1bにフ
ァイバーグレーティング4の一端部4aを接続する。フ
ァイバーグレーティング4の他端部4bは全反射コーテ
ィングを行う。光導波路型波長変換素子3の端面と半導
体レーザー1の第1光出力部1aとを極力接近させて接
続する。
Next, the structure of the laser light source according to the second embodiment will be described with reference to FIG. The semiconductor laser 1 is the first
It has a light output section 1a (front side) and a second light output section 1b (rear side). The second light output section 1b is an essentially unnecessary part, but light is also output from the rear side. This light causes a spectrum variation. Therefore, the one end portion 4a of the fiber grating 4 is connected to the second light output portion 1b. The other end 4b of the fiber grating 4 is subjected to total reflection coating. The end face of the optical waveguide type wavelength conversion element 3 and the first light output portion 1a of the semiconductor laser 1 are connected as close to each other as possible.

【0024】第2光出力部1bから出力した光L3は、
他端部4bで反射されて戻ってくるが、発振波長の光の
みが戻ってくるのでスペクトル変動を抑えることができ
る。また、半導体レーザー1と光導波路型波長変換素子
3とは極力接近させており、端面からの戻り光の影響も
抑えることができる。半導体レーザー1から出力された
近赤外光L4は、波長変換されて出力の安定した可視光
L2が得られる。
The light L3 output from the second light output section 1b is
The light is reflected by the other end 4b and returns, but only the light of the oscillation wavelength returns, so that the spectrum fluctuation can be suppressed. Further, the semiconductor laser 1 and the optical waveguide type wavelength conversion element 3 are brought as close as possible to each other, and the influence of the returning light from the end face can be suppressed. The near-infrared light L4 output from the semiconductor laser 1 is wavelength-converted to obtain visible light L2 with stable output.

【0025】ファイバーグレーティングの接続方法や、
ファイバーグレーティングの内部構成については、第1
実施形態で説明したのと同様でよい。
Connection method of fiber grating,
Regarding the internal structure of the fiber grating,
It may be similar to that described in the embodiment.

【0026】<別実施形態>本実施例では、写真処理装
置のレーザーエンジン用のレーザー光源として説明した
がこれに限定されるものではない。例えば、カラーレー
ザプリンターや、カラー複写機などの場合でも応用する
ことができる。
<Other Embodiments> In this embodiment, the laser light source for the laser engine of the photographic processing apparatus has been described, but the present invention is not limited to this. For example, it can be applied to a color laser printer or a color copying machine.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1実施形態に係るレーザー光源の構成を示す
模式図
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a laser light source according to a first embodiment.

【図2】第2実施形態に係るレーザー光源の構成を示す
模式図
FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a laser light source according to a second embodiment.

【図3】ファイバーグレーティングの構造を示す図FIG. 3 is a diagram showing a structure of a fiber grating.

【図4】ファイバーグレーティングの屈折率の変化のさ
せ方を示す図
FIG. 4 is a diagram showing how to change the refractive index of the fiber grating.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザー 1a 第1光出力部 1b 第2光出力部 2,4 ファイバーグレーティング 2a 一端部 2b 他端部 3 光導波路型波長変換素子 1 Semiconductor laser 1a 1st optical output section 1b Second optical output section 2,4 Fiber grating 2a One end 2b the other end 3 Optical waveguide type wavelength conversion element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2K002 AA04 AB12 CA03 DA06 GA04 HA20 5F073 AB23 AB25 AB29 BA09 EA03   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 2K002 AA04 AB12 CA03 DA06 GA04                       HA20                 5F073 AB23 AB25 AB29 BA09 EA03

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザーと、 半導体レーザーの光出力部に一端部が接続されたファイ
バーグレーティングと、 前記ファイバーグレーティングにより波長ロックされた
光を導入し、可視光を出力する光導波路型波長変換素子
とを備えたことを特徴とするレーザー光源。
1. A semiconductor laser, a fiber grating whose one end is connected to a light output portion of the semiconductor laser, and an optical waveguide type wavelength conversion element which introduces light wavelength-locked by the fiber grating and outputs visible light. A laser light source characterized by having.
【請求項2】 前記光導波路型波長変換素子は、周期的
に分極反転したLiNbO3 結晶により形成されること
を特徴とする請求項1に記載のレーザー光源。
2. The laser light source according to claim 1, wherein the optical waveguide type wavelength conversion element is formed of a periodically poled LiNbO 3 crystal.
【請求項3】 前記ファイバーグレーティングの他端部
は、前記光導波路型波長変換素子の光導入部に接続され
ることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザー光
源。
3. The laser light source according to claim 1, wherein the other end of the fiber grating is connected to a light introducing part of the optical waveguide type wavelength conversion element.
【請求項4】 前記光出力部は、第1光出力部と第2光
出力部とを有し、第2光出力部に前記ファイバーグレー
ティングの一端部を接続し、他端部に全反射コーティン
グを施し、前記第1光出力部からの出力光を直接、前記
光導波路型波長変換素子に導入するように構成されてい
ることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザー光
源。
4. The light output unit has a first light output unit and a second light output unit, one end of the fiber grating is connected to the second light output unit, and the other end is provided with total reflection coating. 3. The laser light source according to claim 1, wherein the laser light source is configured so as to directly introduce the output light from the first light output unit into the optical waveguide type wavelength conversion element.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101104133B1 (en) 2009-06-08 2012-01-13 전자부품연구원 Flexible fiber module, wavelength tunable device package using same and manufacturing method thereof
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