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JP2003188128A - Wafer transfer device - Google Patents

Wafer transfer device

Info

Publication number
JP2003188128A
JP2003188128A JP2001384032A JP2001384032A JP2003188128A JP 2003188128 A JP2003188128 A JP 2003188128A JP 2001384032 A JP2001384032 A JP 2001384032A JP 2001384032 A JP2001384032 A JP 2001384032A JP 2003188128 A JP2003188128 A JP 2003188128A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
tray
transfer
fluid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001384032A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Kunihiro
勉 國廣
Yoshio Mesaki
義雄 目崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2001384032A priority Critical patent/JP2003188128A/en
Publication of JP2003188128A publication Critical patent/JP2003188128A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Manipulator (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハ搬送中に空気中における塵やパーティ
クルの付着を避けて、ウエハ全体を流体中に浸漬させ、
ウエハのサイズが変更になっても単に搬送ユニットの流
体吐出量の調整によって、ウエハの浮遊を維持すると共
に多量の流体を供給することなく、ウエハの枚葉移動の
可能なウエハ搬送装置を提供することを課題とする。 【解決手段】 搬送ユニット50は、ウエハ1の受け皿
51の中央に配置された吐出口52dより流体を噴出
し、受け皿51の外周部より流体をオーバーフローさせ
て浮力の調整を行い、受け皿51内にウエハ1全体を浸
漬させたまま浮遊させ、移動位置、時間、姿勢制御の可
能な搬送ロボットに固定され、ウエハ1を枚葉研磨機ま
で移動させて装着したり、研磨後のウエハ1をカセット
収納部位に移動させる手段を具備させる。
(57) [Problem] To immerse the entire wafer in a fluid while avoiding the attachment of dust and particles in the air during wafer transfer,
Provided is a wafer transfer apparatus capable of maintaining the floating of a wafer and moving a single wafer without supplying a large amount of fluid by simply adjusting a fluid discharge amount of a transfer unit even when the size of the wafer is changed. That is the task. A transfer unit (50) ejects a fluid from a discharge port (52d) disposed at the center of a tray (51) of a wafer (1), controls the buoyancy by overflowing the fluid from an outer peripheral portion of the tray (51), and adjusts the buoyancy. The entire wafer 1 is floated while being immersed, fixed to a transfer robot capable of controlling the movement position, time, and posture, and the wafer 1 is moved to a single wafer polishing machine for mounting, and the wafer 1 after polishing is stored in a cassette. A means for moving to a site is provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを流
体中に浸漬して搬送する技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for immersing a semiconductor wafer in a fluid and carrying it.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から半導体ウエハの製造工程間の移
動には、ウエハを所定枚数単位で収納するカセットが用
いられていた。ところが、ウエハの表面に高品質の集積
回路を形成するのには、枚葉毎の研磨工程が必要であ
る。そこでウエハを1枚ずつ取り出して研磨工程に移送
する方法として、乾燥状態におけるベルト搬送、ロボッ
ト搬送、気体浮遊搬送等が知られている。しかし、この
方法では、折角のウエハ研磨面に空気中の塵、パーティ
クルなどが付着し易いという難点があった。
2. Description of the Related Art Conventionally, a cassette for storing a predetermined number of wafers has been used to move semiconductor wafers between manufacturing steps. However, in order to form a high quality integrated circuit on the surface of the wafer, a polishing process is required for each individual wafer. Therefore, as a method of taking out the wafers one by one and transferring them to the polishing step, belt transfer in a dry state, robot transfer, gas floating transfer, etc. are known. However, this method has a drawback in that dust, particles, and the like in the air are likely to adhere to the polished wafer polishing surface.

【0003】その難点を補う手段として、特開平6−2
98361号公報には、超純水中に浸漬するように浮力
を調整したフロートにウエハを載置して枚葉搬送する技
術が開示されている。図6に、この従来技術であるウエ
ハ移送装置100の横断面図を示す。図6において、1
01は、移送方向に流れる超純水102の満たされてい
る樋状の流路である。ウエハ103は、フロート104
と一体となっている支柱105の段部に載置され、ウエ
ハ103が超純水102に浸漬されるように浮力の調整
されたフロート104によって所定位置まで移送され
る。所定位置には、図示されていないが開閉自在のスト
ッパが設けられ、停止したウエハ103はハンドリング
装置によってピックアップされ、研磨工程を経て再び支
柱105の段部に載置され次工程に移送される。
As means for compensating for that difficulty, Japanese Patent Laid-Open No. 6-2 is known.
Japanese Patent Publication No. 98361 discloses a technique in which a wafer is placed on a float whose buoyancy is adjusted so that it is immersed in ultrapure water, and the wafer is transferred as a single wafer. FIG. 6 shows a cross-sectional view of the wafer transfer device 100 according to this conventional technique. In FIG. 6, 1
Reference numeral 01 is a gutter-shaped flow path filled with ultrapure water 102 flowing in the transfer direction. Wafer 103 is float 104
The wafer 103 is transferred to a predetermined position by a float 104 whose buoyancy is adjusted so that the wafer 103 is immersed in the ultrapure water 102. Although not shown, a stopper that can be freely opened and closed is provided at a predetermined position, and the stopped wafer 103 is picked up by a handling device and, after a polishing process, is placed on the stepped portion of the column 105 again and transferred to the next process.

【0004】この従来技術によれば、ウエハを空気中に
さらすことなく移送できる。また、超純水の移送におい
ても、一定の流速を維持するために超純水でバクテリア
を発生させることなく、しかも枚葉で移送できると説明
されている。しかし、ウエハを超純水に浸漬させながら
樋状の流路内で移送するためには、相当多量の流量が必
要となる。また、ウエハのサイズが変更になると浮力調
整のため個別のフロートを用意する必要がある。
According to this conventional technique, the wafer can be transferred without exposing it to the air. Further, it is described that even in the transfer of ultrapure water, it is possible to transfer it in a single wafer without generating bacteria in the ultrapure water in order to maintain a constant flow rate. However, in order to transfer the wafer in the gutter-shaped channel while immersing the wafer in the ultrapure water, a considerably large flow rate is required. Further, when the size of the wafer is changed, it is necessary to prepare an individual float for adjusting the buoyancy.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】そこで、ウエハ搬送中
に空気中における塵やパーティクルの付着を避けて、ウ
エハ全体を流体中に浸漬させ、ウエハのサイズが変更に
なっても単に搬送ユニットの流体吐出量の調整によっ
て、ウエハの浮遊を維持すると共に多量の流体を供給す
ることなく、ウエハの枚葉移動の可能なウエハ搬送装置
を提供することを課題とする。
Therefore, while the wafer is being transferred, dust and particles in the air are prevented from adhering to the wafer so that the entire wafer is immersed in the fluid. It is an object of the present invention to provide a wafer transfer device capable of single wafer movement by maintaining the floating of the wafer and supplying a large amount of fluid by adjusting the discharge amount.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】搬送ユニットは、ウエハ
の受け皿の中央に配置された吐出口より流体を噴出し、
受け皿の外周部より流体をオーバーフローさせて浮力の
調整を行い、受け皿内にウエハ全体を浸漬させたまま浮
遊させ、移動位置、時間、姿勢制御の可能な搬送ロボッ
トに固定され、ウエハを枚葉研磨機まで移動させて装着
したり、研磨後のウエハをカセット収納部位に移動させ
る手段を具備させる。従って、ウエハ搬送中に空気中に
おける塵やパーティクルの付着が避けられる。尚、搬送
ロボットには、移動位置、時間、姿勢制御の可能なイン
デックステーブルまたはスライドテーブルを用いてもよ
い。
A transfer unit ejects a fluid from a discharge port arranged at the center of a wafer tray,
The buoyancy is adjusted by overflowing the fluid from the outer periphery of the tray, and the wafer is floated while being immersed in the tray, and is fixed to a transfer robot that can control the movement position, time, and attitude, and wafers are polished separately. The apparatus is provided with means for moving the wafer to the machine for mounting and for moving the wafer after polishing to the cassette housing portion. Therefore, adhesion of dust and particles in the air during wafer transfer can be avoided. The transport robot may use an index table or a slide table whose movement position, time, and attitude can be controlled.

【0007】研磨後におけるウエハの研磨面の接触を極
小化するために、受け皿の内周部に凹状の斜面を形成す
る。従って、ウエハ有効表面におけるごみ付着、金属汚
染、キズ発生などの問題が回避される。
In order to minimize the contact of the polished surface of the wafer after polishing, a concave slope is formed on the inner peripheral portion of the tray. Therefore, problems such as dust adhesion, metal contamination, and scratches on the effective surface of the wafer are avoided.

【0008】搬送ユニットには、ウエハを枚葉研磨機の
所定位置に移動させ、ウエハを枚葉研磨機に装着すると
き、研磨ヘッドに芯合せするガイド爪とウエハを研磨ヘ
ッドに装着する押上げピンを具備することによって、研
磨ヘッドの真位置に装着する。万一押上げピンによる接
触キズが発生しても、研磨盤による被研磨面と同一面で
あるから研磨後は高品質の鏡面が得られる。
The transfer unit moves the wafer to a predetermined position of the single-wafer polishing machine, and when the wafer is mounted on the single-wafer polishing machine, a guide claw for aligning the polishing head and a push-up for mounting the wafer on the polishing head. By equipping the pin, it is mounted at the true position of the polishing head. Even if contact scratches occur due to the push-up pin, a high quality mirror surface can be obtained after polishing because it is on the same surface as the surface to be polished by the polishing plate.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】先ず、ウエハの枚葉研磨装置全体
の構成要素について説明する。図1は、ウエハの研磨工
程順に装置の概要を示した概念図である。aからgの作
業工程を達成する各装置は、一括して1個の筐体中に収
納されている。以下、研磨工程順にウエハの研磨手順を
説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First, the components of the entire wafer single-wafer polishing apparatus will be described. FIG. 1 is a conceptual diagram showing an outline of the apparatus in the order of wafer polishing steps. The respective devices that achieve the work steps a to g are collectively housed in a single housing. Hereinafter, a wafer polishing procedure will be described in the order of polishing steps.

【0010】a.「カセットの投入」 半導体製造装置
にて加工されたウエハ1は、所定の枚数にまとめてカセ
ット2に収納されている。ウエハの研磨装置に投入され
たカセット2は、斜面となっているガイドウエイ3とノ
ズル4に対し、矢印Aに示すように上下にステップ移動
する。予め定められた位置でカセット2を停止し、カセ
ット2の後方のノズル4からエヤー又は超純水を噴出さ
せて、ガイドウエイ3にウエハ1を一枚づつ取り出す。
A. [Cassette Loading] A predetermined number of wafers 1 processed by the semiconductor manufacturing apparatus are stored in a cassette 2. The cassette 2 loaded into the wafer polishing apparatus moves up and down stepwise as shown by an arrow A with respect to the guideway 3 and the nozzle 4 which are inclined. The cassette 2 is stopped at a predetermined position, air or ultrapure water is ejected from the nozzle 4 behind the cassette 2, and the wafers 1 are taken out to the guideway 3 one by one.

【0011】b.「搬送ユニットへの転送」 ガイドウ
エイ3の斜面をエヤー又は超純水と共に矢印Bのように
滑ったウエハ1は、搬送ユニット50の受け皿51に載
置される。別途、設けるセンサーによって、ウエハ1が
正しく載置されたことを検出すると同時に、ホース54
から超純水が供給され、ウエハ1は受け皿51内に浮遊
することになる。一方、搬送ユニット50はベース65
を介して、CPUによって移動位置、時間、姿勢制御の
可能な搬送ロボット5に固定されている。
B. "Transfer to Transfer Unit" The wafer 1 having the slope of the guideway 3 slid along with air or ultrapure water as shown by an arrow B is placed on the tray 51 of the transfer unit 50. A separate sensor detects that the wafer 1 is placed correctly, and at the same time, the hose 54
Ultrapure water is supplied from the wafer 1, and the wafer 1 floats in the tray 51. On the other hand, the transport unit 50 has a base 65.
It is fixed to the transfer robot 5 whose movement position, time, and attitude can be controlled by the CPU.

【0012】c.「研磨ヘッドへの吸着」 定位置に設
置される枚葉研磨機の研磨盤6と矢印Cに示すように上
下に昇降する研磨ヘッド7の間に、搬送ロボット5によ
って移動してきた搬送ユニット50は、押上げピン52
を突き上げてウエハ1を研磨ヘッド7に真空吸着させ
る。尚、ノズル4やホース54から供給されオーバーフ
ローした超純水は、研磨装置の底部に設けるドレンパン
8に回収して排水したり、フィルターを通じて循環使用
することも可能である。
C. "Suction to the polishing head" The transport unit 50 moved by the transport robot 5 is disposed between the polishing plate 6 of the single-wafer polishing machine installed at a fixed position and the polishing head 7 that moves up and down as shown by an arrow C. , Push-up pin 52
And the wafer 1 is vacuum-sucked to the polishing head 7. The ultrapure water supplied from the nozzle 4 or the hose 54 and overflowed can be collected in a drain pan 8 provided at the bottom of the polishing apparatus for drainage or can be circulated through a filter.

【0013】d.「研磨」 c工程終了後、搬送ユニッ
ト50を退避させ、矢印Eの如く回転している研磨盤6
の方向に、矢印Dの如く回転している研磨ヘッド7を接
近させウエハ1を研磨する。
D. “Polishing” After the step c, the transport unit 50 is retracted, and the polishing platen 6 is rotating as indicated by arrow E.
The polishing head 7 rotating in the direction of arrow D is moved closer to polish the wafer 1.

【0014】e.「研磨ヘッドからの開放」 研磨終了
後、上昇した研磨ヘッド7と研磨盤6の間に搬送ユニッ
ト50を搬送ロボット5によって移動させる。そして、
研磨ヘッド7側のエヤー噴出口を開いてウエハ1を開放
し、受け皿52にウエハ1を受領する。
E. “Opening from Polishing Head” After the polishing is completed, the transport unit 50 is moved by the transport robot 5 between the raised polishing head 7 and the polishing disc 6. And
The air jet port on the side of the polishing head 7 is opened to open the wafer 1, and the wafer 1 is received in the tray 52.

【0015】f.「研磨面の反転」 受け皿51にウエ
ハ1を浮遊させたまま、搬送ユニット50を搬送ロボッ
ト5によって反転ロボット9まで移動する。吸盤10に
ウエハ1を吸着させ、矢印Fの如く反転ロボット9を回
転して傾斜した二又のガイドウエイ11をすり抜ける
際、吸盤10からウエハ1を開放するから研磨面は上向
きになる。
F. "Reversal of Polishing Surface" The transfer unit 50 is moved to the reversal robot 9 by the transfer robot 5 while the wafer 1 is suspended in the tray 51. When the wafer 1 is attracted to the suction cup 10 and the reversing robot 9 is rotated through the inclined bifurcated guideway 11 as shown by the arrow F, the wafer 1 is released from the suction cup 10 so that the polishing surface faces upward.

【0016】g.「カセットへの収納」 二又のガイド
ウエイ11と同様に傾斜して用意されるカセット2は、
反転ロボット9の動作のタイミングに合せて、矢印Gの
如くステップ移動する。この工程では、超純水を満たし
たプール12の中に、二又のガイドウエイ11及びカセ
ット2を浸漬させて実施するのが好ましい。ウエハ1
は、これ等aからgの工程を繰り返すことにより高品質
の鏡面に枚葉加工される。以上、ウエハの研磨工程順に
装置の概要を説明したが、各工程における作業手段は同
一の機能が発揮されるならば他の手段に代えてもかまわ
ない。
G. "Storing in a cassette" The cassette 2 prepared by inclining like the bifurcated guideway 11 is
In accordance with the operation timing of the reversing robot 9, the robot moves stepwise as indicated by arrow G. This step is preferably performed by immersing the forked guideway 11 and the cassette 2 in the pool 12 filled with ultrapure water. Wafer 1
Is processed into a high quality mirror surface by repeating these steps a to g. The outline of the apparatus has been described above in the order of the wafer polishing process, but the working means in each step may be replaced with another means as long as the same function is exhibited.

【0017】本発明の主張する技術は、上述の研磨工程
のbからfに到る搬送ユニット50に関する。以下に、
本発明を具体化した好適の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図2に、搬送ユニット50の断面図を示
す。図2の左半分は、ガイド爪の閉じた状態であり、右
半分はガイド爪の開いた状態である。
The technique claimed by the present invention relates to the transfer unit 50 from the above-mentioned polishing step b to f. less than,
Preferred embodiments embodying the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows a sectional view of the transport unit 50. The left half of FIG. 2 shows the guide claw closed, and the right half shows the guide claw open.

【0018】図2において、51は内周部に凹状の斜面
51aをもつ受け皿である。受け皿51の中心部に収納
されている押上げピン52には、段付き胴52aが設け
られ、受け皿51の本体部と共同して第1のシリンダ室
53を形成している。そして、流体を供給する可撓性の
ホース54に接続するプラグ55が、押上げピン52の
下方端にストッパー56を挟んで螺着されている。押上
げピン52の上方端には、フランジ部52bが形成さ
れ、連絡路52cにつながる側方および、または上方に
向けて流体の吐出口52dが設けられている。吐出口5
2dからの流体の噴出量は、ウエハの寸法、重量に対応
して、別途設ける流量調整弁によってコントロールされ
る。そしてウエハ1は、図1に示すb.「搬送ユニット
への転送」工程においてガイドウエイ3の斜面をエヤー
又は超純水と共に矢印Bのように滑って受け皿51の斜
面51a内側に載置される。
In FIG. 2, reference numeral 51 is a tray having a concave slope 51a on the inner peripheral portion. The push-up pin 52 housed in the center of the tray 51 is provided with a stepped body 52a, and forms a first cylinder chamber 53 in cooperation with the main body of the tray 51. A plug 55 connected to a flexible hose 54 for supplying a fluid is screwed to the lower end of the push-up pin 52 with a stopper 56 interposed therebetween. A flange portion 52b is formed at the upper end of the push-up pin 52, and a fluid discharge port 52d is provided toward the side connecting to the communication path 52c and / or upward. Discharge port 5
The ejection amount of the fluid from 2d is controlled by a separately provided flow rate adjusting valve according to the size and weight of the wafer. Then, the wafer 1 is b. In the "transfer to transfer unit" step, the slope of the guideway 3 is slid along with the air or ultrapure water as shown by arrow B and placed on the inside of the slope 51a of the tray 51.

【0019】さらに、別途設ける接続口から第1のシリ
ンダ室53に供給される空気圧が低下すると、ボルト5
8にて受け皿51に固定されている底部フランジ59
は、ストッパー56と受け皿51の双方に跨って挿入さ
れる第1のコイルスプリング57の反発力によって取付
け面59aまで降りて静止する。
Further, when the air pressure supplied to the first cylinder chamber 53 from the separately provided connection port decreases, the bolt 5
Bottom flange 59 fixed to the pan 51 at 8
Comes down to the mounting surface 59a and stands still by the repulsive force of the first coil spring 57 inserted across both the stopper 56 and the tray 51.

【0020】ガイド爪60は、図2の左半分に示すよう
に受け皿51に小ネジ61によって固定される二又アー
ム62にヒンジピン63を介して揺動自在に配置されて
いる。又、ガイド爪60は、二又アーム62に装着され
る第2のコイルスプリング64により、その姿勢が制御
される。
As shown in the left half of FIG. 2, the guide claw 60 is swingably arranged via a hinge pin 63 on a forked arm 62 fixed to the tray 51 by machine screws 61. The posture of the guide claw 60 is controlled by the second coil spring 64 attached to the forked arm 62.

【0021】参考までに、受け皿51とガイド爪60と
二又アーム62の位置関係を、図3の部分立体図により
説明する。受け皿51の外周には任意の数だけ、ガイド
爪60が配置されている。そして、受け皿51側に小ネ
ジによって固定される二又アーム62にヒンジピン63
を介して、ガイド爪60は揺動自在に配置されている。
For reference, the positional relationship among the tray 51, the guide claw 60, and the forked arm 62 will be described with reference to the partial three-dimensional view of FIG. An arbitrary number of guide claws 60 are arranged on the outer periphery of the tray 51. Then, the hinge pin 63 is attached to the two-pronged arm 62 fixed to the receiving tray 51 side with a small screw.
The guide claw 60 is arranged so as to be swingable via the.

【0022】ベース65と共に受け皿51側にボルト5
8にて固定されている底部フランジ59のガイド爪60
の対向位置には、止まり穴66が設けられる。そこにキ
ャップ67側に圧入されたピストン68を挿入して第2
のシリンダ室69が形成される。そして、別途設ける接
続口から第2のシリンダ室69に供給される空気圧が低
下すると、キャップ67は、スカート部67aの自重や
第2のコイルスプリング64の復元力により、キャップ
67の頭部とガイド爪60の斜面は当接したまま底部フ
ランジ59に着座する。置搬送ユニット50全体は、図
1に示すように、ベース65を介してCPUによって移
動位置、時間、姿勢制御の可能な搬送ロボット5に固定
されている。
The bolt 5 is attached to the tray 51 side together with the base 65.
Guide claws 60 on the bottom flange 59 fixed by 8
A blind hole 66 is provided at a position facing each other. Insert the piston 68 press-fitted into the cap 67 side there
The cylinder chamber 69 is formed. Then, when the air pressure supplied to the second cylinder chamber 69 from the separately provided connection port decreases, the cap 67 is guided by the head of the cap 67 and the guide by the own weight of the skirt portion 67a and the restoring force of the second coil spring 64. The inclined surface of the pawl 60 is seated on the bottom flange 59 while being in contact with the inclined surface. As shown in FIG. 1, the entire transfer unit 50 is fixed to the transfer robot 5 which can control the moving position, time, and attitude by the CPU via the base 65.

【0023】図4に、受け皿51の部分拡大図を示す。
図4は、図1のb.「搬送ユニットへの転送」工程にお
いてフランジ部52bの上方にウエハ1が載置された直
後の状態を示している。可撓性のホースを経由して押上
げピン52の吐出口52dから噴出した超純水70は、
内周部の凹状の斜面51aに沿って拡散し、順次、受け
皿51の外縁部51bからあふれ出す。外縁部51bの
上面に対しウエハ1の上面は、T=0.5〜1.0mm
程度沈むように、別途設ける流量調整弁をコントロール
するので、ウエハ1の上面にも超純水70の水膜ができ
る。又、吐出口52dは、図2に示したように上方に向
けても吐出口52dを設けることもできるので、ウエハ
1全体を超純水70中に浮遊した状態で次工程に移動で
きる。さらに、凹状の斜面51aの傾きは、θ=10°
〜30°であることが好ましい。10°以下になると、
ウエハ1の外周部の面取り角度11°より鋭角となり万
一ウエハ1が斜面51aに接したとき、ウエハ1の有効
表面に異物を付着させる恐れがある。30°以上になる
と、ウエハ1が不安定に浮遊する恐れがある。
FIG. 4 shows a partially enlarged view of the tray 51.
FIG. 4 shows b. The state immediately after the wafer 1 is placed above the flange portion 52b in the "transfer to transfer unit" step is shown. The ultrapure water 70 ejected from the discharge port 52d of the push-up pin 52 via the flexible hose is
It diffuses along the concave slope 51a of the inner peripheral portion and sequentially overflows from the outer edge portion 51b of the tray 51. The upper surface of the wafer 1 is T = 0.5 to 1.0 mm with respect to the upper surface of the outer edge portion 51b.
Since a separately provided flow rate adjusting valve is controlled so as to sink to a certain degree, a water film of ultrapure water 70 can be formed on the upper surface of the wafer 1. Further, since the discharge port 52d can be provided even when facing upward as shown in FIG. 2, the entire wafer 1 can be moved to the next step in a state of being suspended in the ultrapure water 70. Furthermore, the inclination of the concave slope 51a is θ = 10 °
It is preferably -30 °. When it becomes less than 10 °,
If the chamfering angle of the outer peripheral portion of the wafer 1 becomes more acute than 11 °, and if the wafer 1 contacts the slope 51a, foreign matter may be attached to the effective surface of the wafer 1. If the angle is 30 ° or more, the wafer 1 may be unstablely floated.

【0024】ウエハ1の浸漬中の姿勢には、吐出口52
dの大きさ、向き、数、ウエハ1の自重、面積などの要
因が関与するが、一義的には、別途設ける流量調整弁の
時間当たりの超純水70の供給量によって制御可能であ
る。本発明によれば、従来技術のように多量の流体を使
用することなく、ウエハ1全体を超純水70中に浸漬し
て塵やパーティクルの付着を防ぎながら、ウエハ1を次
工程に移動できる。
When the wafer 1 is being immersed, the discharge port 52
Factors such as the size, direction, and number of d, the weight of the wafer 1, the area, and the like are involved, but can be uniquely controlled by the amount of ultrapure water 70 supplied per hour by a separately provided flow rate adjusting valve. According to the present invention, the wafer 1 can be moved to the next step while preventing the adhesion of dust and particles by immersing the whole wafer 1 in the ultrapure water 70 without using a large amount of fluid as in the prior art. .

【0025】次に、図1のc.「研磨ヘッドへの吸着」
工程におけるガイド爪の動作について、図2の右半分と
図5に示す研磨ヘッド7へのウエハ装着状態の部分断面
図を用いて説明する。図2における底部フランジ59に
形成される第2のシリンダ室69に、別途設ける接続口
から空気を供給すると、ピストン68を介してキャップ
67の頭部がガイド爪60の斜面を突き上げる。そして
ヒンジピン63を中心に、ガイド爪60は花びらが開く
ように受け皿51の外周から離れて、第2のコイルスプ
リング64を変形させる。つまり、図5の点線で示すガ
イド爪60の姿勢となる。
Next, referring to FIG. "Adsorption to the polishing head"
The operation of the guide claws in the process will be described with reference to the right half of FIG. 2 and a partial cross-sectional view of the wafer mounted on the polishing head 7 shown in FIG. When air is supplied to the second cylinder chamber 69 formed in the bottom flange 59 in FIG. 2 from a separately provided connection port, the head of the cap 67 pushes up the slope of the guide claw 60 via the piston 68. Then, centering on the hinge pin 63, the guide claw 60 moves away from the outer periphery of the tray 51 so that the petals open, and deforms the second coil spring 64. That is, the posture of the guide claw 60 shown by the dotted line in FIG. 5 is obtained.

【0026】図1のc.「研磨ヘッドへの吸着」工程に
おいて、この姿勢を維持したまゝ、定位置に設置される
研磨盤6と矢印Cに示すように上下に昇降する研磨ヘッ
ド7の間に、搬送ロボット5が搬送ユニット50を移動
する。次に、第2のシリンダ室69の空気を開放し、図
2における左半分の姿勢に戻す。つまり、図5に示すよ
うにガイド爪60の内側で研磨ヘッド7の外周を抱いて
芯合せをする。研磨ヘッド7の下面には、薄い樹脂71
が接着されウエハ1の当接面となる。
FIG. 1c. In the “adsorption to the polishing head” step, while maintaining this posture, the transfer robot 5 transfers between the polishing disk 6 installed at a fixed position and the polishing head 7 that moves up and down as shown by the arrow C. Move the unit 50. Next, the air in the second cylinder chamber 69 is released, and the posture of the left half in FIG. 2 is restored. That is, as shown in FIG. 5, the outer periphery of the polishing head 7 is held inside the guide claws 60 for centering. On the lower surface of the polishing head 7, a thin resin 71
Are bonded to form the contact surface of the wafer 1.

【0027】この状態で超純水の供給を一旦停止し、図
2に示す第1のシリンダ室53に別途設ける接続口から
空気を供給することで押上げピン52を突き上げてウエ
ハ1を研磨ヘッド7に当接させる。従って、受け皿51
内にウエハ1が載置されていない工程では超純水を消費
しない。研磨ヘッド7の内部には、図示されていないが
樹脂71を貫通する真空回路と空圧回路が形成されてい
て、ウエハ1を真空吸着する。ウエハ1の真空吸着が終
わると、第2のシリンダ室69に空気圧が入力され、ヒ
ンジピン63を中心に、ガイド爪60は花びらが開くよ
うな図2の右半分に示す姿勢となる。そして搬送ユニッ
ト50は、研磨ヘッド7と研磨盤6の間から退避して、
図1のd.「研磨」工程が開始される。
In this state, the supply of ultrapure water is temporarily stopped, and air is supplied from a connection port separately provided in the first cylinder chamber 53 shown in FIG. 2 to push up the push-up pin 52 and polish the wafer 1 with the polishing head. Contact 7 Therefore, the saucer 51
Ultrapure water is not consumed in the process in which the wafer 1 is not placed therein. Although not shown, a vacuum circuit and a pneumatic circuit penetrating the resin 71 are formed inside the polishing head 7 to vacuum-suck the wafer 1. When the vacuum suction of the wafer 1 is completed, air pressure is input to the second cylinder chamber 69, and the guide claw 60 takes the posture shown in the right half of FIG. Then, the transport unit 50 retracts from between the polishing head 7 and the polishing disc 6,
FIG. 1 d. The "polishing" process is started.

【0028】d.「研磨」工程では、研磨盤6の研磨面
には研磨布がコーティングされていて、塩素系の酸化剤
を注入し研磨盤6と研磨ヘッド7とを互いに、矢印D、
Eの如く回転させて化学研磨によりウエハを鏡面に仕上
げる。
D. In the "polishing" step, the polishing surface of the polishing disc 6 is coated with a polishing cloth, and a chlorine-based oxidizing agent is injected to move the polishing disc 6 and the polishing head 7 to each other by the arrow D,
The wafer is mirror-finished by rotating it like E and performing chemical polishing.

【0029】e.「研磨ヘッドからの開放」工程では、
研磨ヘッド7を上昇さし研磨盤6との間に再び搬送ユニ
ット50を移動させる。そして、研磨ヘッド7側の空気
回路から圧縮空気を噴射してウエハ1を離間させ、吐出
口52dから超純水70を噴出している受け皿51上に
ウエハ1を開放する。
E. In the "release from the polishing head" process,
The polishing head 7 is lifted and the transport unit 50 is moved again between the polishing head 7 and the polishing disk 6. Then, compressed air is jetted from the air circuit on the side of the polishing head 7 to separate the wafer 1, and the wafer 1 is opened on the tray 51 from which the ultrapure water 70 is jetted from the discharge port 52d.

【0030】そしてf.「研磨面の反転」工程では、ウ
エハ1を載置した搬送ユニット51は、反転ロボット9
の吸盤10の直下まで移動する。吸盤10にウエハ1の
研磨面を吸着させ、矢印Fの如く反転ロボット9を回転
して傾斜した二又のガイドウエイ11をすり抜ける際、
吸盤10からウエハ1を開放するので研磨面は上向きに
なる。これ等bからfに到る工程中の搬送ロボット5や
搬送ユニット50の動作は上述の通りである。また、超
純水70は、受け皿51の凹状の斜面51a内にて間歇
的にあふれさせて消費するものに限定されるから経済的
である。
And f. In the “reversal of the polishing surface” step, the transfer unit 51 on which the wafer 1 is mounted is moved by the reversing robot 9
It moves to just below the suction cup 10. When the polishing surface of the wafer 1 is attracted to the suction cup 10 and the reversing robot 9 is rotated as shown by arrow F to slip through the inclined bifurcated guideway 11,
Since the wafer 1 is released from the suction cup 10, the polishing surface faces upward. The operations of the transfer robot 5 and the transfer unit 50 during the steps from b to f are as described above. Further, the ultrapure water 70 is economical because it is limited to that which is intermittently overflowed and consumed in the concave slope 51a of the tray 51.

【0031】又、従来の乾燥空気中における搬送に較べ
て、図1に示すaからgの工程中に超純水を用いること
により、ウエハ研磨後の異物の付着が大幅に抑えられ
る。ウエハ研磨面における異物の付着は100個以下を
目標としているが、従来の乾燥状態における搬送では、
これを超える試料が散見された。しかし、本発明を実施
することにより、レーザー光測定機による観察で異物の
付着は25〜40個に減少することが確認されている。
Further, as compared with the conventional transfer in dry air, the use of ultrapure water in the steps a to g shown in FIG. 1 significantly suppresses the adhesion of foreign matter after wafer polishing. The amount of foreign matter adhered to the polished surface of the wafer is 100 or less, but in the conventional transfer in the dry state,
Samples exceeding this were occasionally found. However, by carrying out the present invention, it has been confirmed by observation with a laser beam measuring machine that the adhesion of foreign matter is reduced to 25 to 40 pieces.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明のウエハ搬送装置は、移動位置、
時間、姿勢制御の可能な搬送ロボットに搬送ユニットを
固定し、搬送ユニットの受け皿の中央に配置された吐出
口より超純水を噴出し、受け皿の外周部より超純水をオ
ーバーフローさせて受け皿内にウエハを浮遊させたま
ゝ、ウエハを枚葉研磨機まで移動させて装着したり、研
磨後のウエハをカセット収納部位に移動させるように構
成したから、多量の超純水を消費することなく、ウエハ
全体を超純水中に浸漬して塵やパーティクルの付着を防
ぎながら、ウエハを次工程に移動できる。
According to the wafer transfer apparatus of the present invention,
The transfer unit is fixed to a transfer robot whose time and attitude can be controlled, and ultrapure water is ejected from the discharge port located in the center of the pan of the transfer unit, and the ultrapure water overflows from the outer periphery of the pan, and the inside of the pan Since the wafer is floated on the wafer, the wafer is moved to the single-wafer polishing machine to be mounted, or the wafer after polishing is moved to the cassette storage portion, it does not consume a large amount of ultrapure water. The entire wafer can be immersed in ultrapure water to prevent dust and particles from adhering, and the wafer can be moved to the next step.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明におけるウエハの研磨工程の概念図であ
る。
FIG. 1 is a conceptual diagram of a wafer polishing process in the present invention.

【図2】本発明の搬送ユニットの断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a carrying unit of the present invention.

【図3】本発明のガイド爪周辺の部分立体図である。FIG. 3 is a partial three-dimensional view around the guide claw of the present invention.

【図4】本発明の受け皿の部分拡大図である。FIG. 4 is a partially enlarged view of the tray of the present invention.

【図5】本発明の研磨ヘッドへのウエハ装着状態の部分
断面図である。
FIG. 5 is a partial cross-sectional view of a wafer mounted on the polishing head of the present invention.

【図6】従来のウエハ移送装置の横断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional wafer transfer device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ウエハ 2 カセット 3 第1のガイドウエイ 4 ノズル 5 搬送ロボット 6 研磨盤 7 研磨ヘッド 8 ドレンパン 9 反転ロボット 11 二又のガイドウエイ 50 搬送ユニット 51 受け皿 51a 斜面 52 押上げピン 53 第1のシリンダ室 54 ホース 55 プラグ 56 ストッパー 57 第1のコイルスプリング 58 ボルト 59 底部フランジ 60 ガイド爪 61 小ネジ 62 二又アーム 63 ヒンジピン 64 第2のコイルスプリング 65 ベース 66 止まり穴 67 キャップ 68 ピストン 69 第2のシリンダ室 70 超純水 1 wafer 2 cassettes 3 First guideway 4 nozzles 5 Transport robot 6 polishing machine 7 Polishing head 8 drain pan 9 Inversion robot 11 Bifurcated guideway 50 transport units 51 saucer 51a slope 52 Push-up pin 53 First cylinder chamber 54 hose 55 plug 56 stopper 57 First Coil Spring 58 bolt 59 Bottom flange 60 guide claws 61 machine screws 62 Bifurcated arm 63 Hinge pin 64 Second coil spring 65 base 66 blind hole 67 cap 68 pistons 69 Second cylinder chamber 70 Ultrapure water

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3C007 AS05 AS24 DS01 ES17 EV23 EV30 NS13 5F031 CA02 DA03 EA07 FA01 FA07 FA11 FA12 FA20 FA21 GA30 GA35 GA45 GA56 GA61 HA13 HA34 HA58 HA59 HA72 JA01 JA21 KA11 KA20 LA00 LA15 MA22 PA16 PA23    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 3C007 AS05 AS24 DS01 ES17 EV23                       EV30 NS13                 5F031 CA02 DA03 EA07 FA01 FA07                       FA11 FA12 FA20 FA21 GA30                       GA35 GA45 GA56 GA61 HA13                       HA34 HA58 HA59 HA72 JA01                       JA21 KA11 KA20 LA00 LA15                       MA22 PA16 PA23

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 搬送ユニットは、ウエハの受け皿の中央
に配置された吐出口より流体を噴出し、前記受け皿の外
周部より流体をオーバーフローさせて前記受け皿内に前
記ウエハを浮遊させ、また、移動位置、時間、姿勢制御
の可能な搬送ロボットに固定され、前記ウエハを枚葉研
磨機まで移動させて装着したり、研磨後の前記ウエハを
カセット収納部位に移動させる手段が具備されているこ
とを特徴とするウエハ搬送装置。
1. A transfer unit ejects a fluid from a discharge port arranged at the center of a tray for a wafer, causes the fluid to overflow from an outer peripheral portion of the tray to float the wafer in the tray, and moves the wafer. It is fixed to a transfer robot capable of position, time, and attitude control, and is provided with means for moving the wafer to a single-wafer polishing machine for mounting, and for moving the wafer after polishing to a cassette storage site. Characteristic wafer transfer device.
【請求項2】 受け皿の内周部に凹状の斜面を形成した
ことを特徴とする請求項1に記載するウエハ搬送装置。
2. The wafer transfer apparatus according to claim 1, wherein a concave slope is formed on the inner peripheral portion of the tray.
【請求項3】 前記搬送ユニットには、前記ウエハを枚
葉研磨機の所定位置に移動させ、前記ウエハを枚葉研磨
機に装着するとき、研磨ヘッドに芯合せするガイド爪と
前記ウエハを前記研磨ヘッドに装着する押上げピンの具
備されていることを特徴とする請求項1または2に記載
するウエハ搬送装置。
3. The transfer unit moves the wafer to a predetermined position of a single-wafer polishing machine, and when the wafer is mounted on the single-wafer polishing machine, a guide claw for aligning a polishing head with the wafer is provided. 3. The wafer transfer apparatus according to claim 1, further comprising a push-up pin attached to the polishing head.
【請求項4】 前記搬送ユニットに固定する搬送ロボッ
トに、移動位置、時間、姿勢制御の可能なインデックス
テーブルまたはスライドテーブルが用いられていること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載するウエ
ハ搬送装置。
4. The transport robot fixed to the transport unit uses an index table or a slide table capable of controlling the moving position, time, and posture, and the slide table according to claim 1. Wafer transfer device.
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