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JP2003156851A - Exposure device and exposure method - Google Patents

Exposure device and exposure method

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Publication number
JP2003156851A
JP2003156851A JP2001354245A JP2001354245A JP2003156851A JP 2003156851 A JP2003156851 A JP 2003156851A JP 2001354245 A JP2001354245 A JP 2001354245A JP 2001354245 A JP2001354245 A JP 2001354245A JP 2003156851 A JP2003156851 A JP 2003156851A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
substrate
light source
exposure
scanning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001354245A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigetomo Ishibashi
臣友 石橋
Masato Hara
正人 原
Yoshinori Kobayashi
義則 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pentax Corp
Original Assignee
Pentax Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pentax Corp filed Critical Pentax Corp
Priority to JP2001354245A priority Critical patent/JP2003156851A/en
Publication of JP2003156851A publication Critical patent/JP2003156851A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device capable of correcting magnification. SOLUTION: In the exposure device for exposing a pattern formed on a mask on a substrate by scanning the mask with light emitted from a light source, size information on the size of the mask and the size of the substrate in at least two different directions is obtained, then, the direction and distance for the relative movement of the mask and the substrate at exposure and the scanning direction and distance of the light source at exposure are defined based on the size information, then, the mask is scanned with the light emitted from the light source in accordance with the defined scanning direction and distance, and also, the mask and the substrate are relatively moved in synchronism with optical scanning and in accordance with the defined direction and distance with reference to the relative movement.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マスクに描かれたパタ
ーンを基板に露光する露光装置、特にマスクに描かれて
いるパターンの倍率補正を行いながら基板に露光する露
光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a pattern drawn on a mask onto a substrate, and more particularly to an exposure apparatus that exposes a substrate while correcting the magnification of the pattern drawn on the mask.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、回路パターンが描かれているマス
クに光を照射することにより、マスク下に配置されてい
る基板のレジスト膜にその回路パターンを露光する露光
装置が広く知られている。このような露光装置は、マス
クに描かれているパターンをサブ・ミクロンオーダー又
はそれ以下の精度で基板に転写できるという特徴を有す
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, an exposure apparatus has been widely known which exposes a circuit pattern on a resist film of a substrate arranged under the mask by irradiating the mask on which the circuit pattern is drawn with light. Such an exposure apparatus is characterized in that the pattern drawn on the mask can be transferred onto the substrate with an accuracy of sub-micron order or less.

【0003】ところで、上記のような高い精度で回路パ
ターンを基板に露光する場合、熱膨張等によるマスク又
は基板のサイズの変化が露光の精度を阻害する要因とな
ってくる。このために、露光装置の中には、熱膨張等に
よりマスクまたは基板のサイズが変化しても、適正なサ
イズでマスクパターンを基板上に転写できるように、い
わゆる倍率補正を露光時に行う装置がある。一般にこの
ような露光装置では、マスクと基板との間に倍率補正用
の光学系を配置し、マスクパターンを拡大又は縮小しな
がら基板上に投影することにより、マスクパターンの倍
率補正を達成している。
By the way, when the circuit pattern is exposed on the substrate with high accuracy as described above, a change in the size of the mask or the substrate due to thermal expansion or the like becomes a factor that hinders the exposure accuracy. Therefore, some exposure apparatuses perform so-called magnification correction at the time of exposure so that the mask pattern can be transferred onto the substrate in an appropriate size even if the size of the mask or the substrate changes due to thermal expansion or the like. is there. Generally, in such an exposure apparatus, an optical system for magnification correction is arranged between the mask and the substrate, and the mask pattern is projected on the substrate while enlarging or reducing the mask pattern to achieve the magnification correction of the mask pattern. There is.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、基板の極めて
近傍にマスクを配置するいわゆるプロキシミティ露光で
は、マスク−基板間にそもそも光学系を配置するための
空間がないことから、上記のような倍率補正方法を適用
することはできない。
However, in so-called proximity exposure in which a mask is arranged in the very vicinity of the substrate, there is no space for arranging the optical system between the mask and the substrate, so that the above magnification The correction method cannot be applied.

【0005】本発明は、上記の問題点に鑑み、倍率補正
用の光学系を用いることなく、マスクから基板に露光す
るパターンの倍率補正を行える方法及び装置を提供する
ことを目的とする。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide a method and apparatus capable of correcting the magnification of a pattern exposed on a substrate from a mask without using an optical system for magnification correction.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、光源からの光をマスク上に走査させるる
と共に、マスクと基板とを相対移動させることにより、
マスクに描かれているパターンを基板に倍率補正をしな
がら露光する露光装置を提供する。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention scans the light from a light source on a mask, and relatively moves the mask and the substrate,
Provided is an exposure apparatus that exposes a pattern drawn on a mask onto a substrate while correcting the magnification.

【0007】この露光装置は、サイズ情報取得手段、マ
スク・基板相対移動制御手段、走査制御手段、マスク・
基板相対駆動手段、及び光源駆動手段を備える。サイズ
情報取得手段は、少なくとも異なる2方向についてマス
クおよび基板のサイズに関するサイズ情報を取得する。
また、サイズ情報取得手段が取得したサイズ情報に基づ
いて、マスク・基板相対移動制御手段が露光時のマスク
及び基板の相対移動の方向及び距離を、走査制御手段が
露光時の光源の走査方向及び距離をそれぞれ定める。こ
こで、マスク・基板相対移動制御手段は、露光時のマス
ク及び基板の相対移動の方向を定めることにより、マス
クの縦横それぞれの方向に対して異なる倍率の倍率補正
を設定することができる。
This exposure apparatus comprises a size information acquisition means, a mask / substrate relative movement control means, a scanning control means, a mask
Substrate relative drive means and light source drive means are provided. The size information acquisition means acquires size information regarding the sizes of the mask and the substrate in at least two different directions.
Further, based on the size information acquired by the size information acquisition means, the mask / substrate relative movement control means determines the relative movement direction and distance of the mask and the substrate during exposure, and the scanning control means determines the scanning direction of the light source during exposure. Determine the distance respectively. Here, the mask / substrate relative movement control means can set magnification corrections of different magnifications in the vertical and horizontal directions of the mask by determining the relative movement directions of the mask and the substrate during exposure.

【0008】走査制御手段が定めた走査方向及び距離
は、光源駆動手段に送られ、光源駆動手段は、その情報
に従って光源からの光をマスク上に走査させる。一方、
マスク・基板相対移動制御手段が定めた相対移動の方向
及び距離は、マスク・基板相対駆動手段に送られ、マス
ク・基板相対駆動手段は、その情報に従い、前記光源駆
動手段による光の走査に同期して、マスクと基板とを相
対移動させる。これにより、マスク・基板相対移動制御
手段が設定した倍率で倍率補正されたマスクパターンが
基板に露光される。
The scanning direction and the distance determined by the scanning control means are sent to the light source driving means, and the light source driving means scans the light from the light source on the mask according to the information. on the other hand,
The relative movement direction and distance determined by the mask / substrate relative movement control means are sent to the mask / substrate relative drive means, and the mask / substrate relative drive means synchronizes with the light scanning by the light source drive means according to the information. Then, the mask and the substrate are moved relative to each other. As a result, the mask pattern whose magnification is corrected by the magnification set by the mask / substrate relative movement control means is exposed on the substrate.

【0009】光源は、各々が基板へ光を照射する複数の
発光素子を有することが好ましい。そして、この場合に
は、露光装置が光源の点灯消灯を制御する光源制御手段
をさらに備え、その光源制御手段が、走査制御手段が定
めた走査方向に基づいて、基板が一様な露光量で露光さ
れるように複数の発光素子を選択的に点灯することが好
ましい。
The light source preferably has a plurality of light emitting elements, each of which emits light to the substrate. Then, in this case, the exposure apparatus further comprises a light source control means for controlling the turning on and off of the light source, and the light source control means, based on the scanning direction determined by the scanning control means, causes the substrate to have a uniform exposure amount. It is preferable to selectively turn on the plurality of light emitting elements so as to be exposed.

【0010】サイズ情報取得手段は、基板を撮影して得
られた基板画像、及びマスクを撮影して得られたマスク
画像からサイズ情報を取得する、特に、基板画像及びマ
スク画像におけるアライメント用の基準マークの位置に
基づいてサイズ情報を取得することが好ましい。
The size information acquisition means acquires size information from the board image obtained by photographing the board and the mask image obtained by photographing the mask, and in particular, a reference for alignment in the board image and the mask image. It is preferable to acquire the size information based on the position of the mark.

【0011】上記露光装置では、光源がマスクおよび基
板を走査する方向が基板およびマスクのサイズ情報によ
り変化し、一定ではない。このために、いずれの方向に
光源が走査されても、マスクおよび基板の全面を適性に
露光できるように、光源は、マスクに光が照射される領
域が、一端において互いに重なり合い、かつ、長手方向
軸が互いに交わるように配置された2つの方形部からな
るように構成されていることが好ましい。また、光源
は、基板に転写されたマスクパターンの歪みが少なくな
るように、2つの方形部の長手方向軸が、それぞれ基板
の辺に実質的に平行となるように構成されていることが
好ましい。さらに、光源は、一度の走査で基板の全面を
露光できるように、前記2つの方形部の長手方向長さ
が、前記基板の対応する辺の長さ以上となるように構成
されていることが好ましい。
In the above exposure apparatus, the direction in which the light source scans the mask and the substrate varies depending on the size information of the substrate and the mask and is not constant. For this reason, in order to properly expose the entire surface of the mask and the substrate regardless of which direction the light source is scanned, the light sources are arranged such that the areas where the mask is irradiated with light overlap each other at one end, and the longitudinal direction. It is preferably configured to consist of two squares arranged so that their axes intersect each other. Further, the light source is preferably configured such that the longitudinal axes of the two rectangular portions are substantially parallel to the sides of the substrate so that the distortion of the mask pattern transferred to the substrate is reduced. . Further, the light source is configured such that the lengths of the two rectangular portions in the longitudinal direction are equal to or longer than the lengths of the corresponding sides of the substrate so that the entire surface of the substrate can be exposed by one scanning. preferable.

【0012】光源は、マスク近傍においてマスクに平行
に相対移動させられる面光源であることが好ましい。こ
のような光源であれば、光源とマスクとの間の距離が短
い、コンパクトな露光装置を提供することができる。
The light source is preferably a surface light source which can be relatively moved in parallel with the mask near the mask. With such a light source, it is possible to provide a compact exposure apparatus in which the distance between the light source and the mask is short.

【0013】また、上記露光装置の他に本発明によれ
ば、光源からの光をマスク上に走査させることにより、
前記マスクに描かれているパターンを基板に露光する露
光方法であって、少なくとも異なる2方向についてマス
クおよび基板のサイズに関するサイズ情報を取得し、サ
イズ情報に基づいて、露光時のマスク及び基板の相対移
動の方向及び距離、並びに露光時の光源の走査方向及び
距離を定め、定められた走査方向及び距離に従って光源
からの光をマスク上に走査させると共に、光の走査に同
期して、定められた相対移動の方向及び距離に従ってマ
スクと基板とを相対移動させることを特徴とする露光方
法が提供される。
In addition to the above exposure apparatus, according to the present invention, by scanning the light from the light source onto the mask,
An exposure method for exposing a pattern drawn on a mask onto a substrate, wherein size information regarding the sizes of the mask and the substrate is acquired in at least two different directions, and the relative size of the mask and the substrate at the time of exposure based on the size information. The movement direction and distance, and the scanning direction and distance of the light source during exposure are determined, and the light from the light source is scanned on the mask according to the determined scanning direction and distance, and is determined in synchronization with the light scanning. An exposure method is provided which is characterized in that a mask and a substrate are moved relative to each other in accordance with the direction and distance of the relative movement.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係る露光装置100の一実施形態について説明す
る。本実施形態の露光装置100は、光源からの光をマ
スク上に走査させると共に、マスクと基板とを相対移動
させることにより、マスクに描かれているパターンを倍
率補正をしながら基板に露光する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of an exposure apparatus 100 according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The exposure apparatus 100 according to the present embodiment scans the light from the light source on the mask and relatively moves the mask and the substrate to expose the substrate while correcting the magnification of the pattern drawn on the mask.

【0015】図1は、本実施形態の露光装置100にお
ける倍率補正方法の概念を説明する図である。図1で
は、基板10の近傍にマスク20が平行に配置され、さ
らにその上に光源30が配置されている。基板10とマ
スク20の間隔は、好ましくは、数ミクロンから数十ミ
クロンである。また、マスク20には、2つの光透過部
及びPが間隔Lで設けられている。
FIG. 1 is a diagram for explaining the concept of a magnification correction method in the exposure apparatus 100 of this embodiment. In FIG. 1, the mask 20 is arranged in parallel in the vicinity of the substrate 10, and the light source 30 is further arranged thereon. The distance between the substrate 10 and the mask 20 is preferably several microns to several tens of microns. Further, the mask 20 is provided with two light transmitting portions P 1 and P 2 at an interval L.

【0016】本実施形態では、露光中に光源30及びマ
スク20を基板10に対してそれぞれ相対速度V及び
で移動させる。これにより、露光開始後にまず光透
過部Pが基板10のレジスト層12に転写されて露光
部Rとなり(図1(a))、その後に光透過部P
転写されて露光部Rとなる(図1(b))。露光中に
マスク20が基板10に対して相対移動しているため
に、露光部Rが露光されてから露光部Rが露光され
るまでに、光透過部Pはδl(=Vm・δT、δTは
露光部Rが露光されてから露光部Rが露光されるま
での時間)だけ移動する。このために、露光部R及び
の間隔は、光透過部P及びPの間隔Lよりδl
だけ長い(L+δl)となる。つまり、マスク20に描
かれていたパターンは、(1+δl/L)の倍率で拡大
されて基板10に転写される。なお、図示はしていない
が、露光中にマスク20を光源30が移動する方向と反
対の方向に移動させると、マスクパターンを(1−δl
/L)の倍率に縮小することができる。
[0016] In this embodiment, respectively moving at a relative speed V L and V m the light source 30 and the mask 20 to the substrate 10 during the exposure. As a result, after the start of exposure, the light transmitting portion P 1 is first transferred to the resist layer 12 of the substrate 10 to become the exposed portion R 1 (FIG. 1A), and then the light transmitting portion P 2 is transferred to expose the portion R 1. 2 (FIG. 1 (b)). Since the mask 20 moves relative to the substrate 10 during the exposure, the light transmitting portion P 2 is δl (= Vm.multidot.l) after the exposure portion R 1 is exposed and before the exposure portion R 2 is exposed. δT and δT are moved by the time from the exposure of the exposed portion R 1 to the exposure of the exposed portion R 2 ). For this reason, the distance between the exposed portions R 1 and R 2 is δl from the distance L between the light transmitting portions P 1 and P 2.
However, the length becomes (L + δl). That is, the pattern drawn on the mask 20 is enlarged at a magnification of (1 + δl / L) and transferred to the substrate 10. Although not shown, when the mask 20 is moved in the direction opposite to the direction in which the light source 30 moves during exposure, the mask pattern is changed to (1-δl).
/ L).

【0017】本実施形態の露光装置100は、図1で説
明した倍率補正の原理を利用して、マスクパターンの2
次元的な倍率補正を模擬的に行う。図2は、本実施形態
の露光装置100によるマスクパターンの2次元的な倍
率補正を説明する図である。図2には、共に方形をした
基板10及びマスク20の上面が示されている。また、
図2には、光源30から光が照射される領域の形状が光
照射領域40として示されている。図2(a)及び
(b)は、それぞれ、露光開始時および終了時の基板1
0、マスク20、及び光照射領域40の位置関係を示し
ている。以下、基板10の図中下辺に平行な方向をx方
向、左辺に平行な方向をy方向として説明を行う。
The exposure apparatus 100 of the present embodiment uses the principle of magnification correction explained in FIG.
Simulate dimensional magnification correction. FIG. 2 is a diagram for explaining the two-dimensional magnification correction of the mask pattern by the exposure apparatus 100 of this embodiment. FIG. 2 shows the top surfaces of the substrate 10 and the mask 20 which are both rectangular. Also,
In FIG. 2, the shape of the area irradiated with light from the light source 30 is shown as a light irradiation area 40. 2A and 2B show the substrate 1 at the start and end of exposure, respectively.
0, the mask 20, and the light irradiation area 40 are shown in a positional relationship. In the following description, the direction parallel to the lower side of the substrate 10 in the drawing is the x direction, and the direction parallel to the left side is the y direction.

【0018】図2において、基板10は、x方向長さが
X、y方向長さがYである。一方、マスク20は基板1
0よりも、x方向においてδx、y方向においてδyだ
け長さが短い。従って、マスク20に描かれているパタ
ーンを基板10に露光する場合には、そのパターンをx
方向にδx/X、また、y方向にδy/Yだけ拡大(倍
率補正)をして露光することが好ましい。
In FIG. 2, the substrate 10 has an X-direction length of X and a Y-direction length of Y. On the other hand, the mask 20 is the substrate 1
The length is shorter than 0 by δx in the x direction and δy in the y direction. Therefore, when the pattern drawn on the mask 20 is exposed on the substrate 10, the pattern is x
It is preferable to expand (magnification correction) by δx / X in the direction and δy / Y in the y direction for exposure.

【0019】図1において説明した原理によりマスクパ
ターンをx方向にδx/Xだけ倍率補正しながら露光す
るには、露光時にマスク20を基板10に対してx方向
にδxだけ相対移動させると共に、光源30からの光を
x方向に沿って基板10上に走査させなければならな
い。そして、このとき、光源30からマスク及び基板に
照射される光の領域は、図2に仮想線領域42で示すよ
うに、その長手方向軸42aがy方向に平行であり、少
なくとも基板10のy方向幅と同じ長さを有する方形で
あることが好ましい。光の照射領域が、その長手方向軸
42aがy方向に平行な方形であれば、基板10に露光
されたマスクパターンがx方向以外の方向に歪むことが
なく、また、基板10のy方向幅を超える長さを有して
いれば、光源30の1回の走査で基板10全体を露光で
きるからである。
In order to expose the mask pattern while correcting the magnification in the x direction by δx / X according to the principle described with reference to FIG. 1, the mask 20 is moved relative to the substrate 10 by δx in the x direction during exposure, and the light source is used. Light from 30 must be scanned onto the substrate 10 along the x direction. At this time, the region of the light emitted from the light source 30 to the mask and the substrate is such that the longitudinal axis 42a is parallel to the y direction, as indicated by the phantom line region 42 in FIG. It is preferably a rectangle having the same length as the direction width. When the light irradiation area is a rectangle whose longitudinal axis 42a is parallel to the y direction, the mask pattern exposed on the substrate 10 is not distorted in a direction other than the x direction, and the width of the substrate 10 in the y direction is small. This is because the entire substrate 10 can be exposed by a single scan of the light source 30 if the length exceeds.

【0020】上記と同様に、図1において説明した原理
によりマスクパターンをy方向にδy/Yだけ拡大(倍
率補正)しながら露光するには、露光時にマスク20と
基板10とをy方向にδyだけ相対移動させると共に、
光源30からの光を基板10のy方向に沿って走査させ
なければならない。また、光源30からマスク20及び
基板10に照射される光の領域は、仮想線領域44で示
すように、その長手方向軸44aがx方向に平行であ
り、少なくとも基板10のx方向幅と同じ長さを有する
方形であることが好ましい。
In the same manner as described above, in order to expose the mask pattern by magnifying (magnification correction) by δy / Y in the y direction according to the principle explained in FIG. 1, the mask 20 and the substrate 10 are δy in the y direction during exposure. Only with relative movement,
The light from the light source 30 must be scanned along the y-direction of the substrate 10. Further, the region of the light emitted from the light source 30 to the mask 20 and the substrate 10 has a longitudinal axis 44a parallel to the x direction as indicated by an imaginary line region 44, and is at least equal to the width of the substrate 10 in the x direction. It is preferably rectangular with a length.

【0021】本実施形態の露光装置100では、上記を
考慮し、露光時にマスク20を基板10に対してx方向
及びy方向へそれぞれδx及びδyだけ同時に相対移動
させる、つまり、図2において矢印Aで示す方向に斜め
に相対移動させることとした。これにより、本実施形態
の露光装置100は、マスクパターンの倍率補正をx、
yの両方向においてそれぞれδx/X、δy/Yの倍率
で達成できる。
In consideration of the above, the exposure apparatus 100 of the present embodiment moves the mask 20 relative to the substrate 10 at the same time by δx and δy in the x direction and the y direction at the time of exposure, that is, the arrow A in FIG. It was decided to move relative to the direction indicated by. As a result, the exposure apparatus 100 of the present embodiment performs the magnification correction of the mask pattern by x,
It can be achieved with magnifications of δx / X and δy / Y in both y directions.

【0022】また、光照射領域40は、仮想線領域42
と仮想線領域44とを含む領域となるように形成され
る。具体的には、光照射領域40は、長手方向軸(40
a、40b)がそれぞれ基板10の辺に実質的に平行と
なるように配置された2つの方形が一端において互いに
重なり合う形状に形成される。2つの方形の長手方向軸
に沿った長さは、少なくとも基板10の対応する辺の長
さ以上となるように設定される。そして、光照射領域4
0は、露光中、基板10及びマスク20の相対移動に同
期して、基板10の対角の一端から他端に向けてマスク
20及び基板10の上を走査させられる(図中の矢印B
参照)。以上により、マスク20に描かれているパター
ンをx、y両方向に倍率補正しながら基板10に露光す
ることが可能になる。
The light irradiation area 40 is a virtual line area 42.
And a virtual line region 44 are formed. Specifically, the light irradiation region 40 has a longitudinal axis (40
a and 40 b) are arranged so that each of them is substantially parallel to the side of the substrate 10, and two rectangles are formed so as to overlap each other at one end. The lengths of the two rectangles along the longitudinal axis are set to be at least not less than the lengths of the corresponding sides of the substrate 10. Then, the light irradiation area 4
0 is scanned on the mask 20 and the substrate 10 from one end to the other end of the diagonal of the substrate 10 in synchronization with the relative movement of the substrate 10 and the mask 20 during exposure (arrow B in the figure).
reference). As described above, it becomes possible to expose the substrate 10 while correcting the magnification of the pattern drawn on the mask 20 in both the x and y directions.

【0023】なお、図2では、説明の都合上、基板10
とマスク20とのサイズ差δx、δyを極めて大きく描
いている。しかし、例えばプリント基板において実際に
要求されるマスクパターンの倍率補正は、最大でも20
00ppm程度である。このために、実際にはδx、δ
yは極めて小さい。本発明の方法により基板の露光を行
うと、図2において幅δx、δyで示された基板の一部
がマスクによって保護されることなく直接光源によって
露光されるが、上述したように、そのような領域は極め
て幅が狭い。一方、マスクに描かれている回路パターン
は、マスクの端部より相当な距離内側に描かれているの
が普通である。このために、上記した光源により直接露
光される基板の領域が回路パターンが露光される領域と
重なり、回路パターンに影響を及ぼすことはない。
In FIG. 2, the substrate 10 is shown for convenience of explanation.
The size differences δx and δy between the mask 20 and the mask 20 are drawn extremely large. However, for example, the magnification correction of the mask pattern actually required on the printed circuit board is 20 at the maximum.
It is about 00 ppm. Therefore, in practice, δx, δ
y is extremely small. When the substrate is exposed by the method of the present invention, a part of the substrate indicated by the widths δx and δy in FIG. 2 is directly exposed by the light source without being protected by the mask. The area is extremely narrow. On the other hand, the circuit pattern drawn on the mask is usually drawn a considerable distance inside the end portion of the mask. Therefore, the area of the substrate that is directly exposed by the light source described above overlaps the area where the circuit pattern is exposed, and does not affect the circuit pattern.

【0024】図3は、本実施形態の露光装置100の構
成を示す図である。露光装置100は、基板10を保持
する基板テーブル102と、基板テーブル102を図中
x方向に移動させる基板テーブル駆動部104とを有す
る。基板テーブル駆動部104は、基板テーブル102
を移動させることにより、基板10を露光位置まで搬
送、位置決めする。
FIG. 3 is a view showing the arrangement of the exposure apparatus 100 of this embodiment. The exposure apparatus 100 includes a substrate table 102 that holds the substrate 10 and a substrate table drive unit 104 that moves the substrate table 102 in the x direction in the drawing. The substrate table driving unit 104 includes the substrate table 102.
Is moved to convey and position the substrate 10 to the exposure position.

【0025】露光装置100は、さらに、マスク20を
基板10に平行に保持するマスクテーブル106と、そ
のマスクテーブル106を基板10の上面に対して平行
な面内で移動させるマスクテーブル駆動部108とを有
する。本実施形態の場合、マスクテーブル駆動部108
がマスクテーブル106を駆動すべき距離は、最大でも
数ミクロン程度である。このために、マスクテーブル駆
動部108としては、例えば圧電性素子を利用してマス
クテーブルを上記平面内で移動させるメカニズムを利用
できる。
The exposure apparatus 100 further includes a mask table 106 that holds the mask 20 parallel to the substrate 10, and a mask table drive unit 108 that moves the mask table 106 in a plane parallel to the upper surface of the substrate 10. Have. In this embodiment, the mask table drive unit 108
The distance at which the mask table 106 should be driven is about several microns at the maximum. Therefore, as the mask table driving unit 108, for example, a mechanism that uses a piezoelectric element to move the mask table in the plane can be used.

【0026】また、露光装置100は、マスク20に描
かれているパターンを基板10の上面に露光するための
光源として、L字形状をした面光源110を有する。本
実施形態の場合、面光源110は、光を放射する面(図
3においては下面)が、図2で説明した光照射領域40
と実質的に同一の形状を有するように構成される。ま
た、面光源110は、マスク20の近傍において、マス
ク20の上面に実質的に平行となるように配置される。
これにより、面光源110からの光が照射されるマスク
20及び基板10上の領域は、図2で説明した光照射領
域40とほぼ同一の形状を有するようになる。
The exposure apparatus 100 also has an L-shaped surface light source 110 as a light source for exposing the pattern drawn on the mask 20 onto the upper surface of the substrate 10. In the case of the present embodiment, the surface of the surface light source 110 that emits light (the lower surface in FIG. 3) has the light irradiation region 40 described in FIG.
Are configured to have substantially the same shape as Further, the surface light source 110 is arranged near the mask 20 so as to be substantially parallel to the upper surface of the mask 20.
As a result, the area on the mask 20 and the substrate 10 to which the light from the surface light source 110 is irradiated has substantially the same shape as the light irradiation area 40 described in FIG.

【0027】本実施形態の場合、面光源110は、複数
の発光素子130(例えば紫外線を発光する発光ダイオ
ード)と、拡散板134とを備える。図4は、面光源1
10が備える発光素子130及び拡散板134の一部を
模式的に示す斜視図である。発光素子130は、面光源
110内で、好ましくは基板10にほぼ平行な面内で2
次元的に配列されている。特に本実施形態では、発光素
子130がいわゆる六方稠密に配列されている。発光素
子130の各々から射出された光132は、発光素子1
30と基板10との間に配置された拡散板134によ
り、光照射領域40を基板10上で走査させた結果、基
板10が一様に露光されるように拡散される。
In the case of this embodiment, the surface light source 110 includes a plurality of light emitting elements 130 (for example, light emitting diodes that emit ultraviolet rays) and a diffusion plate 134. FIG. 4 shows a surface light source 1.
FIG. 3 is a perspective view schematically showing a part of a light emitting element 130 and a diffusion plate 134 included in 10; The light emitting element 130 is arranged within the surface light source 110, preferably in a plane substantially parallel to the substrate 10.
It is arranged dimensionally. Particularly in this embodiment, the light emitting elements 130 are arranged in a so-called hexagonal close-packed manner. The light 132 emitted from each of the light emitting elements 130 is
As a result of scanning the light irradiation region 40 on the substrate 10 by the diffusion plate 134 disposed between the substrate 30 and the substrate 10, the substrate 10 is diffused so as to be uniformly exposed.

【0028】図3に戻って、露光装置100は、さら
に、面光源110を保持し、かつ、面光源110を基板
10の上面に平行な面内で走査する光源走査部112を
有する。本実施形態の場合、光源走査部112は、面光
源をy方向に駆動するy方向駆動部112aと、そのy
方向駆動部112aをx方向に駆動することにより、y
方向駆動部112と共に面光源110をx方向へ駆動す
るx方向駆動部112bとから構成されている。
Returning to FIG. 3, the exposure apparatus 100 further has a light source scanning section 112 that holds the surface light source 110 and scans the surface light source 110 in a plane parallel to the upper surface of the substrate 10. In the case of the present embodiment, the light source scanning unit 112 includes a y-direction driving unit 112a that drives the surface light source in the y-direction, and the y-direction driving unit 112a.
By driving the direction driving unit 112a in the x direction, y
The direction driving unit 112 and an x-direction driving unit 112b that drives the surface light source 110 in the x-direction are configured.

【0029】また、露光装置100は、面光源110の
点灯/非点灯を制御する点灯制御部114を有する。点
灯制御部114は、後述する制御部120からの命令に
従い、面光源110が有する各発光素子130の点灯/
消灯を独立に制御する。さらに、露光装置100は、基
板10及びマスク20に設けられているアライメント用
の基準マークを撮影するカメラ116を有する。本実施
形態の場合、アライメント用の基準マークは、基板10
及びマスク20のそれぞれの4角に設けられている。こ
のために、カメラ116も、基板10及びマスク20の
4角をそれぞれ撮影できるように4つ備えられている。
The exposure apparatus 100 also has a lighting control section 114 for controlling lighting / non-lighting of the surface light source 110. The lighting control unit 114 lights / lights each light emitting element 130 included in the surface light source 110 according to a command from the control unit 120 described later.
Independently control lights off. Further, the exposure apparatus 100 has a camera 116 that photographs the alignment reference marks provided on the substrate 10 and the mask 20. In the case of the present embodiment, the reference mark for alignment is the substrate 10
And the mask 20 is provided at each of the four corners. Therefore, four cameras 116 are also provided so that the four corners of the substrate 10 and the mask 20 can be photographed respectively.

【0030】図5は、基板10及びマスク20に設けら
れているアライメント用の基準マークの位置と、カメラ
116が撮影する領域の関係を説明する図である。特
に、図5(a)は、基板10とマスク20が重ねられて
いるところをマスク側から示す平面図であり、図5
(b)は、基板10とマスク20の斜視図である。
FIG. 5 is a view for explaining the relationship between the position of the reference mark for alignment provided on the substrate 10 and the mask 20 and the area photographed by the camera 116. In particular, FIG. 5A is a plan view showing a portion where the substrate 10 and the mask 20 are overlapped from the mask side.
(B) is a perspective view of the substrate 10 and the mask 20.

【0031】図に示すように、基板10は、十字形状を
した基準マーク14をその4角に設けられている。ま
た、マスク20は、円形をした基準マーク24をその4
角に設けられている。図5(a)に示されるように、基
準マーク14及び24は、基板10とマスク20を上下
に重ね合わせたときに、十字形状の基準マーク14が円
形の基準マーク24の中に現れるような位置にそれぞれ
形成される。各カメラ116は、それぞれ、波線で示さ
れている円形部分122、つまり、基準マーク14及び
24を含む領域を撮影する。
As shown in the figure, the substrate 10 is provided with cross-shaped reference marks 14 at its four corners. In addition, the mask 20 has a circular reference mark 24 at its 4th position.
It is provided at the corner. As shown in FIG. 5A, the reference marks 14 and 24 are such that the cross-shaped reference mark 14 appears in the circular reference mark 24 when the substrate 10 and the mask 20 are vertically stacked. Formed in each position. Each of the cameras 116 captures a circular portion 122 indicated by a broken line, that is, an area including the reference marks 14 and 24.

【0032】図3に戻って、露光装置100は、さら
に、カメラ116が撮影した画像を解析することによ
り、基板10及びマスク20の基準マークの位置を示す
位置情報を生成する位置情報生成部118を有する。本
実施形態の場合、位置情報生成部118は、4つのカメ
ラ116の各々が撮影した画像に基づいて、基板10が
有する4つの基準マーク14、及びマスク20が有する
4つの基準マーク24の各々の中心位置を求める。
Returning to FIG. 3, the exposure apparatus 100 further analyzes the image captured by the camera 116 to generate position information indicating the positions of the reference marks on the substrate 10 and the mask 20. Have. In the case of the present embodiment, the position information generating unit 118 determines each of the four reference marks 14 included in the substrate 10 and the four reference marks 24 included in the mask 20 based on the images captured by the four cameras 116. Find the center position.

【0033】さらに、露光装置100は、基板テーブル
駆動部104、マスクテーブル駆動部108、光源走査
部112、点灯制御部114、及び位置情報生成部11
8に対しそれらの動作を制御するためのコマンドを送信
し、あるいは、それらから送信されてくる情報を処理す
る制御部120を備えている。
Further, in the exposure apparatus 100, the substrate table driving section 104, the mask table driving section 108, the light source scanning section 112, the lighting control section 114, and the position information generating section 11 are included.
8 is provided with a control unit 120 for transmitting commands for controlling their operations or for processing information transmitted from them.

【0034】次に、上記のような構成を有する露光装置
100の動作について説明する。図6は、露光装置10
0の動作を示すフローチャートである。露光装置100
では、基板テーブル102及びマスクテーブル106に
それぞれ基板10及びマスク20が搭載されると、はじ
めに、基板テーブル駆動部104及びマスクテーブル駆
動部108が、制御部120から送信されるコマンドに
従ってそれぞれ基板テーブル102及びマスクテーブル
106を初期位置へ移動させる(S102)。ここで、
初期位置とは、図5(a)に示したように、円形の基準
マーク24の各々の中に十字形状の基準マーク14が位
置するように、基板10とマスク20とが互いに重なり
合う位置をいう。
Next, the operation of the exposure apparatus 100 having the above structure will be described. FIG. 6 shows the exposure apparatus 10.
It is a flow chart which shows operation of 0. Exposure apparatus 100
Then, when the substrate 10 and the mask 20 are mounted on the substrate table 102 and the mask table 106, respectively, first, the substrate table drive unit 104 and the mask table drive unit 108 respectively follow the commands transmitted from the control unit 120. And the mask table 106 is moved to the initial position (S102). here,
The initial position means a position where the substrate 10 and the mask 20 overlap each other such that the cross-shaped reference mark 14 is located in each of the circular reference marks 24, as shown in FIG. 5A. .

【0035】次に、4つのカメラ116が、基板10及
びマスク20の各々異なる角部の近傍の画像を取り込
み、そのデータを位置情報生成部118へ送信する(S
104)。次に、位置情報生成部118が送信された各
画像データから基板10及びマスク20にそれぞれに設
けられているアライメント用の基準マークの位置を特定
する(S106)。本実施形態の場合、基板10及びマ
スク20のそれぞれの4角にある基準マークの位置が特
定され、その結果8つの位置情報が得られる。4角の基
準マーク間の距離は、それぞれ基板10又はマスク20
の縦横のサイズを表す基準として利用することができ
る。よって、得られた8つの位置情報は、基板10及び
マスク20の縦横2方向のサイズを表す情報でもある。
Next, the four cameras 116 capture images in the vicinity of different corners of the substrate 10 and the mask 20, and send the data to the position information generator 118 (S).
104). Next, the position information generation unit 118 specifies the position of the alignment reference mark provided on each of the substrate 10 and the mask 20 from the transmitted image data (S106). In the case of this embodiment, the positions of the reference marks at the four corners of the substrate 10 and the mask 20 are specified, and as a result, eight pieces of position information are obtained. The distances between the four reference marks are the substrate 10 and the mask 20, respectively.
Can be used as a standard for representing the vertical and horizontal sizes of the. Therefore, the obtained eight position information is also information indicating the sizes of the substrate 10 and the mask 20 in the vertical and horizontal directions.

【0036】位置情報生成部118が生成した位置情報
は、制御部120へ送信される。制御部120は、送信
された位置情報に基づいて、露光時に、マスク20を基
板10に対して相対移動させるべき方向、距離、及び速
度を定める(S108)。具体的には、制御部120
は、位置情報生成部118が生成した(8つの)位置情
報から、基板10とマスク20とのx方向長さの差δx
と、y方向長さの差δyとを求める。図2において説明
したように求められたδx及びδyは、それぞれ、マス
ク20を基板10に対して露光中にx方向及びy方向に
相対移動させるべき距離に対応し、また、相対移動させ
るべき方向を示している。制御部120は、さらに、δ
x、δyを露光時間δtで除すことにより、露光中にマ
スク20を基板10に対して相対移動させるべきx方向
速度及びy方向速度を求める。
The position information generated by the position information generation unit 118 is transmitted to the control unit 120. The control unit 120 determines the direction, distance, and speed at which the mask 20 should be moved relative to the substrate 10 during exposure, based on the transmitted position information (S108). Specifically, the control unit 120
Is the difference (δx) in length between the substrate 10 and the mask 20 in the x direction from the (eight) position information generated by the position information generation unit 118.
And y-direction length difference δy. Δx and δy obtained as described in FIG. 2 correspond to the distances in which the mask 20 should be moved relative to the substrate 10 in the x direction and the y direction during exposure, and the directions in which the mask 20 should be moved relative to each other. Is shown. The control unit 120 further sets δ
By dividing x and δy by the exposure time δt, the x-direction speed and the y-direction speed at which the mask 20 should be moved relative to the substrate 10 during the exposure are obtained.

【0037】次に、制御部120は、露光時に、面光源
110を基板10に対して相対移動させるべき方向、距
離、及び速度を定める(S110)。具体的には、制御
部120は、位置情報生成部118が生成した、基板1
0に設けられた基準マークに関する(4つの)位置情報
から、基板10のx方向長さXと、y方向長さのYとを
求める。X及びYは、それぞれ、露光中に面光源110
を基板10に対してx方向及びy方向に走査させるべき
距離に対応し、また、走査させるべき方向を示してい
る。また、制御部120は、X及びYを露光時間δtで
除すことにより、露光中に面光源110を基板10に対
して相対移動させるべきx方向速度及びy方向速度を求
める。
Next, the control unit 120 determines the direction, distance, and speed at which the surface light source 110 should be moved relative to the substrate 10 during exposure (S110). Specifically, the control unit 120 controls the substrate 1 generated by the position information generation unit 118.
From the (four) position information regarding the reference mark provided at 0, the length X of the substrate 10 in the x direction and the length Y of the substrate 10 are obtained. X and Y are surface light sources 110 during exposure, respectively.
Corresponds to the distance to be scanned with respect to the substrate 10 in the x direction and the y direction, and also shows the direction to be scanned. Further, the control unit 120 divides X and Y by the exposure time δt to obtain the x-direction speed and the y-direction speed at which the surface light source 110 should be moved relative to the substrate 10 during the exposure.

【0038】次に制御部120は、面光源110が備え
ている発光素子130のうち、走査中に点灯すべき発光
素子130を決定する(S112)。図7は、S112
において点灯すべき発光素子130を決定する方法を説
明するための図である。図7には、面光源110の上面
と、S108で定められた面光源110の走査方向に平
行な3本の直線140、142、144が描かれてい
る。3本の直線のうち線140と144は、面光源11
0の中でy方向に縦長く伸びる部位と、x方向に縦長く
伸びる部位をそれぞれ通過している。
Next, the control unit 120 determines which of the light emitting elements 130 included in the surface light source 110 should be turned on during scanning (S112). FIG. 7 shows S112.
FIG. 6 is a diagram for explaining a method of determining the light emitting element 130 to be turned on in FIG. In FIG. 7, the upper surface of the surface light source 110 and three straight lines 140, 142, 144 parallel to the scanning direction of the surface light source 110 determined in S108 are drawn. Lines 140 and 144 of the three straight lines are the surface light source 11
In 0, it passes through a portion that extends vertically in the y direction and a portion that extends vertically in the x direction.

【0039】基板を一様に露光するためには、基板上の
各場所での露光時間を同じにしなければならない。とこ
ろが、本実施形態では、L字型をした面光源110を用
いているので、面光源110が走査される方向によって
は、直線140と144とで、面光源110を横切る長
さδw140とδw144が異なり、そのために、面光
源110の全面を点灯させていると、露光時間が直線1
40上の場所と直線144の場所とで異なってしまう。
In order to uniformly expose the substrate, the exposure time at each place on the substrate must be the same. However, in this embodiment, since the L-shaped surface light source 110 is used, the lengths δw 140 and δw that cross the surface light source 110 are straight lines 140 and 144 depending on the scanning direction of the surface light source 110. 144 are different, and therefore, when the entire surface light source 110 is turned on, the exposure time becomes a straight line 1.
The location on 40 and the location on the straight line 144 are different.

【0040】そこで、本実施形態では、基板を場所によ
らず一様に露光できるように、走査方向に合わせて面光
源の一部のみを点灯させる。点灯させる領域は、以下の
ようにして定められる。まず、L字形状の面光源の中央
の角部fを通過し、かつ走査方向に平行な直線142が
面光源110の一辺を横切る位置eが求められる。位置
eが面光源110のy方向に平行な辺上にある場合に
は、位置eを通りx方向に平行な線(図中波線146)
よりも走査方向前方にある発光素子130が点灯すべき
発光素子130と定められる。つまり、図7において斜
線部148を除く面光源110の領域が発光するように
点灯すべき発光素子130が定められる。これにより、
面光源110の発光領域を横切る直線140上の長さδ
140と、直線144上の長さδw 144が等しく
なり、露光時間も等しくなる。なお、位置eが面光源1
10のx方向に平行な辺上にある場合には、位置eより
y方向に平行な線を基準に、点灯すべき発光素子130
が定められる。
Therefore, in the present embodiment, only part of the surface light source is turned on in accordance with the scanning direction so that the substrate can be exposed uniformly regardless of the location. The area to be lit is defined as follows. First, a position e where a straight line 142 passing through the central corner f of the L-shaped surface light source and parallel to the scanning direction crosses one side of the surface light source 110 is obtained. When the position e is on the side of the surface light source 110 parallel to the y direction, a line passing through the position e and parallel to the x direction (indicated by a wavy line 146 in the figure).
The light emitting element 130 located in front of the scanning direction is defined as the light emitting element 130 to be turned on. That is, in FIG. 7, the light emitting element 130 to be turned on is determined so that the area of the surface light source 110 excluding the hatched portion 148 emits light. This allows
Length δ on a straight line 140 that crosses the light emitting area of the surface light source 110
and w 140, equal in length .delta.w * 144 on the line 144, the exposure time becomes equal. The position e is the surface light source 1.
10 is on the side parallel to the x direction, the light emitting element 130 to be turned on is based on a line parallel to the y direction from the position e.
Is determined.

【0041】図6に戻って、次に制御部120は、基板
10及びマスク20のアライメントを行う(S11
4)。具体的には、制御部120は、位置情報生成部1
18が生成した位置情報に基づいて、基板10及びマス
ク20の予め定められた角部(又は基準マーク)の位置
を揃えるためにマスク20を移動させるべき方向及び距
離を求める。そして、制御部120は、求めた方向及び
距離にマスクテーブル106を移動させるべき旨のコマ
ンドをマスクテーブル駆動部108へ送信する。この結
果、マスクテーブル駆動部108は、マスクテーブル1
06を駆動してアライメントを達成する。
Returning to FIG. 6, the controller 120 then aligns the substrate 10 and the mask 20 (S11).
4). Specifically, the control unit 120 controls the position information generation unit 1
Based on the position information generated by 18, the direction and distance in which the mask 20 should be moved in order to align the positions of the predetermined corners (or reference marks) of the substrate 10 and the mask 20 are obtained. Then, the control unit 120 transmits to the mask table drive unit 108 a command to move the mask table 106 in the obtained direction and distance. As a result, the mask table drive unit 108 causes the mask table 1
Drive 06 to achieve alignment.

【0042】次に、光源走査部112が面光源110を
露光開始位置へ移動させる(S116)。また、制御部
120が点灯制御部114へ面光源110を点灯させる
べき旨のコマンドを送信する。この結果、点灯制御部1
14が面光源110へ必要な電力を供給し、面光源11
0が備えている発光素子130を点灯させる(S11
8)。なお、このとき点灯制御部114が点灯する発光
素子130は、S112で点灯すべきと定められた発光
素子130である。
Next, the light source scanning unit 112 moves the surface light source 110 to the exposure start position (S116). Further, the control unit 120 sends a command to the lighting control unit 114 to the effect that the surface light source 110 should be turned on. As a result, the lighting control unit 1
14 supplies the surface light source 110 with necessary power, and the surface light source 11
0 turns on the light emitting element 130 (S11
8). The light emitting element 130 to be turned on by the lighting control unit 114 at this time is the light emitting element 130 determined to be turned on in S112.

【0043】次に、光源走査部112が面光源110を
走査させ、また、面光源110の走査に同期して、マス
クテーブル駆動部108がマスク20を基板10に対し
て相対移動させることで露光が行われる(S120)。
具体的には、制御部120が光源走査部112に面光源
110を走査すべき旨のコマンドを、また、マスクテー
ブル駆動部108にマスクテーブル106を移動させる
べき旨のコマンドを送信する。面光源110を走査すべ
き旨のコマンドには、S110で求められた面光源11
0をx、yそれぞれの方向へ移動させるべき距離とその
速度が含まれており、光源走査部112は、露光中に、
そのコマンドで指定された距離と速度に従い面光源11
0を移動させる。同様に、マスクテーブル106を移動
させるべき旨のコマンドには、S108で求められたマ
スク20をx、yそれぞれの方向へ移動させるべき距離
とその速度が含まれており、マスクテーブル駆動部10
8は、露光中に、そのコマンドで指定された距離と速度
に従いマスクテーブル106を移動させる。
Next, the light source scanning unit 112 scans the surface light source 110, and in synchronization with the scanning of the surface light source 110, the mask table driving unit 108 moves the mask 20 relative to the substrate 10 to perform exposure. Is performed (S120).
Specifically, the control unit 120 transmits to the light source scanning unit 112 a command to scan the surface light source 110 and to the mask table driving unit 108 to send a command to move the mask table 106. For the command to scan the surface light source 110, the surface light source 11 obtained in S110 is used.
The distance and the speed at which 0 should be moved in each of the x and y directions are included.
Surface light source 11 according to the distance and speed specified by the command
Move 0. Similarly, the command to move the mask table 106 includes the distance and the speed to move the mask 20 in each of the x and y directions obtained in S108.
8 moves the mask table 106 according to the distance and speed designated by the command during exposure.

【0044】図8は、S118における面光源110及
びマスク20の基板10に対する相対移動を説明する図
である。図8(a)に示すように、はじめに面光源11
0は、そのL形状の角部が基板10の対角線16の延長
上に位置し、かつ、L字形状のうち、2つの縦長い方形
部分がそれぞれ基板の対応する辺に平行となるように配
置されている。また、面光源110は、通常、静止状態
からS110で求められた速度まで加速するのに一定の
助走区間が必要である。このため、面光源110は、そ
の助走区間に相当する距離だけ基板10から離した位置
に配置される。
FIG. 8 is a diagram for explaining relative movement of the surface light source 110 and the mask 20 with respect to the substrate 10 in S118. As shown in FIG. 8A, first, the surface light source 11
0 is arranged such that the corner of the L shape is located on the extension of the diagonal line 16 of the substrate 10, and the two vertically long rectangular portions of the L shape are parallel to the corresponding sides of the substrate. Has been done. Further, the surface light source 110 usually requires a certain approach section to accelerate from the stationary state to the speed obtained in S110. Therefore, the surface light source 110 is arranged at a position separated from the substrate 10 by a distance corresponding to the approach section.

【0045】前述したS118において、面光源110
は、図8(a)の位置から走査を開始する。一方、マス
ク20は、面光源110が走査を開始した直後は基板1
0に対して静止した状態を維持する(以上、図8(b)
参照)。そして、マスク20は、面光源110が図8
(c)に示される位置に達したときに基板10に対する
相対移動を開始する。ここで、図8(c)に示される位
置とは、面光源110が侵入してくる側の基板10の2
つの辺を面光源110(光照射領域40)が通過し終わ
った位置である。
In step S118 described above, the surface light source 110
Starts scanning from the position shown in FIG. On the other hand, the mask 20 has the substrate 1 immediately after the surface light source 110 starts scanning.
Maintain a stationary state with respect to 0 (above, FIG. 8 (b))
reference). The mask 20 has the surface light source 110 shown in FIG.
When the position shown in (c) is reached, relative movement with respect to the substrate 10 is started. Here, the position shown in FIG. 8C means the position of the substrate 10 on the side where the surface light source 110 enters.
This is the position where the surface light source 110 (light irradiation region 40) has passed through one side.

【0046】面光源110とマスク20は、その後、そ
れぞれS110及びS108で求められた速度による走
査及び相対移動を続ける。そして、マスク20がS10
8で定められた距離を移動し終わった時、マスク20は
相対移動を終了する。一方、面光源110は、基板10
上を完全に通過するまで、S110で定められた速度で
走査を続け(図8(d))、その後停止する。
After that, the surface light source 110 and the mask 20 continue scanning and relative movement at the speeds obtained in S110 and S108, respectively. Then, the mask 20 is S10.
When the mask 20 has finished moving the distance defined by 8, the relative movement of the mask 20 ends. On the other hand, the surface light source 110 includes the substrate 10
The scanning is continued at the speed determined in S110 until the object has completely passed the upper side (FIG. 8D), and then stopped.

【0047】図6に戻って、上記に説明したように、S
118で光源の走査及びマスクが所定距離だけ移動する
と、光源走査部112は面光源110の走査を止め、ま
た、マスクテーブル駆動部108もマスクテーブルの駆
動を停止する。さらに、点灯制御部114が面光源11
0を消灯させる(以上、S122)。これにより、本実
施形態の露光装置100による一連の露光動作が終了す
る。
Returning to FIG. 6, as explained above, S
When the scanning of the light source and the mask are moved by a predetermined distance at 118, the light source scanning unit 112 stops the scanning of the surface light source 110, and the mask table driving unit 108 also stops the driving of the mask table. Further, the lighting controller 114 controls the surface light source 11
0 is extinguished (above, S122). As a result, a series of exposure operations by the exposure apparatus 100 of this embodiment is completed.

【0048】以上、本発明の一実施形態について説明し
たが、本発明に係る露光装置は、上記実施形態に限定さ
れず、本発明の技術的思想の範囲内において上記実施形
態に種々の変形を加えることが可能である。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the exposure apparatus according to the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made to the above embodiment within the scope of the technical idea of the present invention. It is possible to add.

【0049】例えば、上記実施形態では、露光用の光源
として、マスク20の近傍に配置された面光源110を
用いる場合に付いて説明したが、光源としては他の手段
を用いることもできる。例えば、水銀灯、連続波若しく
はパルス波レーザ光源、又はX線源からの光線をL字形
状のスリットを介して基板10及びマスク20に照射し
ながら、そのスリット、基板10、及びマスク20のう
ちの任意の2つを移動させることによっても、本発明に
係る技術的思想を実施することが可能である。なお、こ
の場合には、例えば、スリットにスライド式の遮蔽板を
備えることにより、図7で説明した露光面の調整を行う
ことができる。
For example, in the above-mentioned embodiment, the case where the surface light source 110 arranged near the mask 20 is used as the light source for exposure has been described, but other means can be used as the light source. For example, while irradiating the substrate 10 and the mask 20 with a light beam from a mercury lamp, a continuous wave or pulse wave laser light source, or an X-ray source through the L-shaped slit, of the slit, the substrate 10, and the mask 20. The technical idea according to the present invention can be implemented by moving any two. In this case, for example, by providing the slit with a sliding type shielding plate, the exposure surface described with reference to FIG. 7 can be adjusted.

【0050】また、上記実施形態では、露光装置100
がカメラ116及び位置情報生成部118を備え、制御
部120が位置情報生成部118から取得した位置情報
に基づいてマスク20及び面光源110の位置制御を行
っているが、露光装置100がカメラ116及び位置情
報生成部118を備えず、制御部120が位置情報生成
部118が生成した位置情報に相当する情報を露光装置
100の外部から通信により取得し、その情報に基づい
てマスク20及び面光源110の位置制御を行うことで
あってもよい。
Further, in the above embodiment, the exposure apparatus 100.
Includes a camera 116 and a position information generation unit 118, and the control unit 120 controls the position of the mask 20 and the surface light source 110 based on the position information acquired from the position information generation unit 118. The position information generating unit 118 is not provided, and the control unit 120 acquires information corresponding to the position information generated by the position information generating unit 118 from the outside of the exposure apparatus 100 by communication, and based on the information, the mask 20 and the surface light source. The position control of 110 may be performed.

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
倍率補正用の光学系を用いることなく、マスクから基板
に露光するパターンの倍率補正を行える露光装置及び露
光方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide an exposure apparatus and an exposure method that can correct the magnification of a pattern exposed from a mask on a substrate without using an optical system for magnification correction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る露光装置における倍率補正方法の
概念を説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a concept of a magnification correction method in an exposure apparatus according to the present invention.

【図2】本発明に係る露光装置によるマスクパターンの
2次元的な倍率補正を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating two-dimensional magnification correction of a mask pattern by the exposure apparatus according to the present invention.

【図3】本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施形態に係る露光装置の面光源が
備える発光素子及び拡散板の一部を模式的に示す斜視図
である。
FIG. 4 is a perspective view schematically showing a part of a light emitting element and a diffusion plate included in a surface light source of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図5】基板及びマスクに設けられているアライメント
用の基準マークの位置と、カメラが撮影する領域の関係
を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between positions of alignment reference marks provided on a substrate and a mask and a region captured by a camera.

【図6】本発明の位置実施形態に係る露光装置の動作を
示すフローチャートである。
FIG. 6 is a flowchart showing an operation of the exposure apparatus according to the position embodiment of the present invention.

【図7】露光時に、点灯すべき発光素子を決定する方法
を説明するための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining a method of determining a light emitting element to be turned on at the time of exposure.

【図8】S118における基板に対する面光源及びマス
クの相対移動を説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating relative movement of a surface light source and a mask with respect to a substrate in S118.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 20 マスク 30 光源 100 露光装置 102 基板テーブル 104 基板テーブル駆動部 106 マスクテーブル 108 マスクテーブル駆動部 110 面光源 112 光源走査部 116 カメラ 118 位置情報生成部118 120 制御部 10 substrates 20 masks 30 light sources 100 exposure equipment 102 substrate table 104 substrate table drive unit 106 mask table 108 mask table drive unit 110 surface light source 112 light source scanning unit 116 camera 118 Position Information Generation Unit 118 120 control unit

フロントページの続き (72)発明者 小林 義則 東京都板橋区前野町2丁目36番9号 旭光 学工業株式会社内 Fターム(参考) 2H097 CA03 CA05 GA45 KA03 KA12Continued front page    (72) Inventor Yoshinori Kobayashi             2-36 Maeno-cho, Itabashi-ku, Tokyo Asahikou             Gaku Kogyo Co., Ltd. F-term (reference) 2H097 CA03 CA05 GA45 KA03 KA12

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光源からの光をマスク上に走査させるこ
とにより、前記マスクに描かれているパターンを基板に
露光する露光装置において、 少なくとも異なる2方向について前記マスクおよび前記
基板のサイズに関するサイズ情報を取得するサイズ情報
取得手段と、 前記サイズ情報に基づいて、露光時の前記光源の走査方
向及び距離を定める走査制御手段と、 前記サイズ情報に基づいて、露光時の前記マスク及び前
記基板の相対移動の方向及び距離を定めるマスク・基板
相対移動制御手段と、 前記走査制御手段が定めた走査方向及び距離に従って前
記光源からの光を前記マスク上に走査させる光源駆動手
段と、 前記光源駆動手段による光の走査に同期して、前記マス
ク・基板相対移動制御手段が定めた相対移動の方向及び
距離に従って前記マスクと前記基板とを相対移動させる
マスク・基板相対移動手段とを備えることを特徴とする
露光装置。
1. An exposure apparatus that exposes a pattern drawn on the mask onto a substrate by scanning light from a light source onto the mask, wherein size information regarding the sizes of the mask and the substrate in at least two different directions. And a scanning control unit that determines a scanning direction and a distance of the light source at the time of exposure based on the size information, and a relative size of the mask and the substrate at the time of exposure based on the size information. A mask / substrate relative movement control means for determining a moving direction and a distance; a light source driving means for scanning light from the light source onto the mask according to a scanning direction and a distance determined by the scanning control means; and a light source driving means. In synchronization with the scanning of light, the mask / substrate relative movement control means determines the relative movement direction and distance according to the relative movement. Exposure apparatus, characterized in that it comprises a mask substrate relative movement means for relatively moving disk and the said substrate.
【請求項2】 前記光源は、前記マスクに光が照射され
る領域が、一端において互いに重なり合い、かつ、長手
方向軸が互いに交わるように配置された2つの方形部か
らなるように構成されていることを特徴とする請求項1
に記載の露光装置。
2. The light source is configured such that a region where the mask is irradiated with light is composed of two rectangular portions arranged so that one end thereof overlaps each other and longitudinal axes intersect with each other. Claim 1 characterized by the above.
The exposure apparatus according to.
【請求項3】 前記光源は、前記2つの方形部の長手方
向軸が、それぞれ前記基板の辺に実質的に平行となるよ
うに構成されていることを特徴とする請求項2に記載の
露光装置。
3. The exposure according to claim 2, wherein the light source is configured such that the longitudinal axes of the two rectangular portions are substantially parallel to the sides of the substrate. apparatus.
【請求項4】 前記光源は、前記2つの方形部の長手方
向長さが、前記基板の対応する辺の長さ以上となるよう
に構成されていることを特徴とする請求項3に記載の露
光装置。
4. The light source according to claim 3, wherein the lengths of the two rectangular portions in the longitudinal direction are equal to or longer than the lengths of the corresponding sides of the substrate. Exposure equipment.
【請求項5】前記光源駆動手段は、前記マスク近傍にお
いて前記マスクに平行に相対移動させられる面光源であ
ることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light source driving means is a surface light source which is relatively moved in parallel with the mask near the mask.
【請求項6】 前記光源の点灯消灯を制御する光源制御
手段をさらに備え、 前記光源は、各々が基板へ光を照射する複数の発光素子
を有し、 前記光源制御手段は、前記走査制御手段が定めた走査方
向に基づいて、前記基板が一様な露光量で露光されるよ
うに前記複数の発光素子を選択的に点灯することを特徴
とする請求項1に記載の露光装置。
6. A light source control means for controlling turning on and off of the light source is further provided, wherein the light source has a plurality of light emitting elements each for irradiating a substrate with light, and the light source control means is the scanning control means. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the plurality of light emitting elements are selectively turned on so that the substrate is exposed with a uniform exposure amount based on the scanning direction defined by.
【請求項7】 前記サイズ情報取得手段は、前記基板を
撮影して得られた基板画像、及び前記マスクを撮影して
得られたマスク画像から前記サイズ情報を取得すること
を特徴とする請求項1に記載の露光装置。
7. The size information acquiring means acquires the size information from a board image obtained by photographing the board and a mask image obtained by photographing the mask. 1. The exposure apparatus according to 1.
【請求項8】 前記サイズ情報取得手段は、前記基板画
像及び前記マスク画像におけるアライメント用の基準マ
ークの位置に基づいて前記サイズ情報を取得することを
特徴とする請求項7に記載の露光装置。
8. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the size information acquisition unit acquires the size information based on positions of alignment reference marks in the substrate image and the mask image.
【請求項9】 光源からの光をマスク上に走査させるこ
とにより、前記マスクに描かれているパターンを基板に
露光する露光方法において、 少なくとも異なる2方向について前記マスクおよび前記
基板のサイズに関するサイズ情報を取得し、 前記サイズ情報に基づいて、露光時の前記マスク及び前
記基板の相対移動の方向及び距離、並びに露光時の前記
光源の走査方向及び距離を定め、 前記定められた走査方向及び距離に従って前記光源から
の光を前記マスク上に走査させると共に、前記光の走査
に同期して、前記定められた相対移動の方向及び距離に
従って前記マスクと前記基板とを相対移動させることを
特徴とする露光方法。
9. An exposure method for exposing a pattern drawn on the mask onto a substrate by scanning light from a light source onto the mask, the size information regarding the sizes of the mask and the substrate in at least two different directions. Obtaining, based on the size information, determine the direction and distance of relative movement of the mask and the substrate during exposure, and the scanning direction and distance of the light source during exposure, according to the determined scanning direction and distance An exposure characterized by scanning the mask with light from the light source and, in synchronization with the scanning of the light, moving the mask and the substrate relative to each other in accordance with the determined relative movement direction and distance. Method.
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