JP2003142829A - Multi-layered wiring board and its manufacturing method - Google Patents
Multi-layered wiring board and its manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、二層以上の配線層
と、その層間を導電接続する柱状金属体及び層間で熱放
散を行う放熱金属体を有する多層配線基板及びその製造
方法に関し、特に、多層配線基板の放熱構造を利用して
実装部品からの熱放散を行うための技術として有用であ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board having two or more wiring layers, a columnar metal body for conductively connecting the layers, and a heat dissipation metal body for dissipating heat between the layers, and a method for manufacturing the same. It is useful as a technique for dissipating heat from mounted components by utilizing the heat dissipation structure of the multilayer wiring board.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器等の小形化や軽量化に伴
い、電子部品の小形化が進められると共に、電子部品を
実装するための配線基板に対して高密度化の要求が高ま
っている。配線基板を高密度化するには、配線層自体の
配線密度を高くする方法や配線層を複数積層することで
多層構造とする方法などが採られている。2. Description of the Related Art In recent years, as electronic devices have become smaller and lighter, electronic components have been made smaller, and there has been an increasing demand for higher density wiring boards for mounting electronic components. . In order to increase the density of the wiring board, a method of increasing the wiring density of the wiring layer itself, a method of forming a multilayer structure by laminating a plurality of wiring layers, and the like are adopted.
【0003】このような多層配線基板では、それぞれの
配線層間で回路設計に応じた導電接続を行う必要があ
る。このような導電接続としては、従来、バイアホール
と呼ばれる、絶縁層の開孔部に円筒状にメッキ(スルホ
ールメッキ)を施した導電接続構造、絶縁層の開孔部に
導電性ペーストを充填した導電接続構造、絶縁層の開孔
部にメッキで金属を析出させた導電接続構造、絶縁層の
形成に先立ってエッチングで柱状金属体を形成した導電
接続構造などが知られていた。In such a multilayer wiring board, it is necessary to make conductive connection between the wiring layers according to the circuit design. As such a conductive connection, a conductive connection structure, which is conventionally called a via hole, is formed by cylindrically plating (through-hole plating) the opening of the insulating layer, and the conductive paste is filled in the opening of the insulating layer. A conductive connection structure, a conductive connection structure in which a metal is deposited by plating in the openings of the insulating layer, and a conductive connection structure in which a columnar metal body is formed by etching prior to forming the insulating layer have been known.
【0004】一方、多層配線基板に半導体部品などを実
装する場合、十分な熱放散(放熱)を行なう必要があ
り、近年の半導体部品の高集積化や小型化などに伴っ
て、効率的な熱放散の要求が高まっている。実装部品か
らの熱放散の方法としては、実装部品に対して、直接、
放熱板(ヒートシンク)を取り付ける方法も存在する
が、実装部品の下方位置の配線基板内に層間で熱放散を
行う放熱構造を設ける方法も知られている。On the other hand, when mounting a semiconductor component or the like on a multilayer wiring board, it is necessary to sufficiently dissipate heat (radiate heat), and with the recent trend toward higher integration and miniaturization of semiconductor components, efficient heat generation is required. The demand for radiation is increasing. As a method of heat dissipation from the mounted parts,
There is also a method of attaching a heat dissipation plate (heat sink), but a method of providing a heat dissipation structure for dissipating heat between layers in the wiring board below the mounting component is also known.
【0005】例えば、特開平5−218226号公報に
は、層間を導電接続する柱状金属体及び層間で熱放散を
行う放熱構造を有する多層配線基板が開示されている。
但し、当該柱状金属体と放熱構造の形成方法は記載され
ておらず、図面から具体的な構造などを読み取ることは
できない。また、同様の放熱構造を有する多層配線基板
においては、スルホールメッキや導電性ペーストを充填
する方法、メッキで金属を析出させる方法のみが知られ
ていた。For example, Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 5-218226 discloses a multilayer wiring board having a columnar metal body for conductively connecting the layers and a heat dissipation structure for dissipating heat between the layers.
However, the method of forming the columnar metal body and the heat dissipation structure is not described, and a specific structure or the like cannot be read from the drawings. Further, in a multilayer wiring board having a similar heat dissipation structure, only a method of plating through holes, a method of filling a conductive paste, and a method of depositing a metal by plating have been known.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スルホ
ールメッキによる放熱構造では、伝熱面積が小さいため
伝熱性が低く、導電性ペーストによる場合も、バインダ
ーの介在などにより伝熱性が不十分となる。また、メッ
キで金属を析出させる方法は、材料の伝熱性の面では有
利になるものの、析出面積やメッキ部の開口密度を変え
ると析出速度が変化するため、伝熱面積を大きくでき
ず、結果的に熱放散が不十分になるという問題がある。However, in the heat dissipation structure by through-hole plating, the heat transfer area is small, so that the heat transfer property is low, and the heat transfer property is insufficient due to the interposition of the binder even when the conductive paste is used. In addition, although the method of depositing metal by plating is advantageous in terms of heat transfer property of the material, changing the deposition area or the opening density of the plated part changes the deposition rate, so the heat transfer area cannot be increased. There is a problem that heat dissipation becomes insufficient.
【0007】そこで、本発明の目的は、導電接続構造と
放熱構造を好適に同時に形成することができ、しかも熱
放散性も十分確保できる多層配線基板の製造方法、並び
にその製造方法によって製造可能な多層配線基板を提供
することにある。Therefore, an object of the present invention is to produce a conductive wiring structure and a heat dissipation structure at the same time, and a method for producing a multilayer wiring board capable of ensuring sufficient heat dissipation, and a method for producing the same. It is to provide a multilayer wiring board.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的は、以下の如き
本発明により達成できる。即ち、本発明の多層配線基板
の製造方法は、層間を導電接続する柱状金属体及び層間
で熱放散を行う放熱金属体を有する多層配線基板の製造
方法において、前記柱状金属体及び前記放熱金属体の形
成工程は、(a)前記柱状金属体及び前記放熱金属体を
構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、
前記下層の配線層の非パターン部を含めた略全面に被覆
して保護金属層を形成する工程、(b)その保護金属層
の略全面に、前記柱状金属体及び前記放熱金属体を構成
する金属のパネル層を形成する工程、(c)そのパネル
層の前記柱状金属体及び前記放熱金属体を形成する表面
部分に、マスク層を形成する工程、(d)前記パネル層
のエッチングを行う工程、及び(e)少なくとも前記保
護金属層の浸食が可能なエッチングを行って、少なくと
も前記非パターン部を被覆する保護金属層を除去する工
程を含むことを特徴とする。The above object can be achieved by the present invention as described below. That is, the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention is the method for manufacturing a multilayer wiring board having a columnar metal body for conductively connecting layers and a heat dissipation metal body for heat dissipation between the layers, wherein the columnar metal body and the heat dissipation metal body are provided. (A) another metal showing resistance during etching of the metal forming the columnar metal body and the heat dissipation metal body,
Forming a protective metal layer by covering substantially the entire surface of the lower wiring layer including the non-patterned portion, (b) forming the columnar metal body and the heat-dissipating metal body on substantially the entire surface of the protective metal layer. A step of forming a metal panel layer, (c) a step of forming a mask layer on a surface portion of the panel layer on which the columnar metal body and the heat dissipation metal body are formed, (d) a step of etching the panel layer And, (e) at least the step of performing etching capable of eroding the protective metal layer to remove at least the protective metal layer covering the non-patterned portion.
【0009】上記において、前記(b)工程における前
記パネル層の形成は、電解メッキにより行われることが
好ましい。即ち、前記パネル層が電解メッキにより形成
されたメッキ層であることが好ましい。In the above, it is preferable that the panel layer is formed in the step (b) by electrolytic plating. That is, it is preferable that the panel layer is a plated layer formed by electrolytic plating.
【0010】また、前記(a)工程で被覆する配線層の
パターン部が、前記放熱金属体を形成する部分に放熱パ
ターン部を有することが好ましい。Further, it is preferable that the pattern portion of the wiring layer covered in the step (a) has a heat radiation pattern portion at a portion where the heat radiation metal body is formed.
【0011】一方、本発明の多層配線基板は、下層の配
線層と、その配線層の配線パターン部の上面に設けられ
た保護金属層と、その保護金属層の上面に設けられた柱
状金属体と、その柱状金属体に一部が導電接続された上
層の配線層とを有すると共に、前記下層の配線層の非パ
ターン部又は放熱パターン部の上面に設けられた保護金
属層と、その保護金属層の上面に設けられた放熱金属体
とを有するものである。On the other hand, the multilayer wiring board of the present invention comprises a lower wiring layer, a protective metal layer provided on the upper surface of the wiring pattern portion of the wiring layer, and a columnar metal body provided on the upper surface of the protective metal layer. And a protective metal layer provided on the upper surface of the non-patterned portion or the heat dissipation pattern portion of the lower wiring layer while having an upper wiring layer partially conductively connected to the columnar metal body, and the protective metal. And a heat dissipation metal body provided on the upper surface of the layer.
【0012】本発明の製造方法の好ましい態様は次の通
りである。
(1)前記(a)工程が、予めパターン形成した前記下
層の配線層の非パターン部を含めた全面に無電解メッキ
を行って下地導電層を形成した後、更に略全面に電解メ
ッキを行って前記保護金属層を形成するものであると共
に、前記(e)工程が、前記保護金属層の浸食が可能な
エッチングを行った後、前記非パターン部に残存する前
記下地導電層をソフトエッチングで除去するものであ
る。A preferred embodiment of the manufacturing method of the present invention is as follows. (1) In the step (a), electroless plating is performed on the entire surface including the non-patterned portion of the lower wiring layer that has been patterned in advance to form a base conductive layer, and then electrolytic plating is further performed on substantially the entire surface. And forming the protective metal layer by means of soft etching of the underlying conductive layer remaining in the non-patterned portion after the etching capable of eroding the protective metal layer in the step (e). To remove.
【0013】(2)前記(a)工程が、絶縁層の略全面
に無電解メッキを行って下地導電層を形成した後にパタ
ーン形成した下層の配線層に対し、その略全面に電解メ
ッキを行って前記保護金属層を形成するものであると共
に、前記(e)工程が、前記保護金属層の浸食が可能な
エッチングを行った後、前記非パターン部に残存する前
記下地導電層をソフトエッチングで除去するものであ
る。(2) In the step (a), electroless plating is performed on substantially the entire surface of the insulating layer to form a base conductive layer, and then electrolytic plating is performed on the substantially entire surface of a lower wiring layer patterned. And forming the protective metal layer by means of soft etching of the underlying conductive layer remaining in the non-patterned portion after the etching capable of eroding the protective metal layer in the step (e). To remove.
【0014】(3)前記(a)工程に先立って、前記下
層の配線層の非パターン部に、その配線層のパターン部
と略同じ厚みの絶縁層を形成して表面の平坦化を行うも
のである。(3) Prior to the step (a), an insulating layer having substantially the same thickness as the pattern portion of the wiring layer is formed on the non-pattern portion of the lower wiring layer to flatten the surface. Is.
【0015】[作用効果]本発明の製造方法によると、
保護金属層を設けてあるため、パネル層のエッチング時
に下層の配線層が浸食されることなく、マスク層を形成
した位置に所望の柱状金属体及び放熱金属体を形成する
ことができる。その結果、導電接続構造と放熱構造を好
適に同時に形成することができ、しかも熱放散性も十分
確保できる多層配線基板を製造することができる。[Operation and Effect] According to the manufacturing method of the present invention,
Since the protective metal layer is provided, a desired columnar metal body and heat dissipation metal body can be formed at the position where the mask layer is formed without eroding the underlying wiring layer during etching of the panel layer. As a result, it is possible to manufacture the multilayer wiring board in which the conductive connection structure and the heat dissipation structure can be formed at the same time, and the heat dissipation can be sufficiently ensured.
【0016】また、前記(b)工程における前記パネル
層の形成が、電解メッキにより行われる場合、保護金属
層が全面に形成されているため、メッキ層を電解メッキ
により形成することができ、しかも孔内でなく、略全面
にパネル層を形成した後、エッチングするため、メッキ
電流密度の影響を受けず、放熱金属体の形状や面積を自
由に変えることがでる。また、電解メッキによると保護
金属層との密着性もより高いものとなる。When the panel layer is formed by electrolytic plating in the step (b), since the protective metal layer is formed on the entire surface, the plated layer can be formed by electrolytic plating. Since the panel layer is formed after forming the panel layer on substantially the entire surface, not in the holes, the shape and area of the heat dissipation metal body can be freely changed without being affected by the plating current density. Further, the electrolytic plating also provides higher adhesion with the protective metal layer.
【0017】更に、前記(a)工程で被覆する配線層の
パターン部が、前記放熱金属体を形成する部分に放熱パ
ターン部を有する場合、当該放熱パターン部を有しない
場合と比較して、柱状金属体の高さと放熱金属体の高さ
の差を小さくすることができ、より平坦な表面により、
上層の形成工程に有利となり又は実装部品からの熱放散
もより有利となる。Further, when the pattern portion of the wiring layer covered in the step (a) has a heat radiation pattern portion in the portion where the heat radiation metal body is formed, as compared with the case where it does not have the heat radiation pattern portion, it is columnar. The difference between the height of the metal body and the height of the heat dissipation metal body can be reduced, and the flatter surface allows
It is advantageous for the formation process of the upper layer or heat dissipation from the mounted components is more advantageous.
【0018】一方、本発明の多層配線基板は、上記の如
き作用効果を有する本発明の製造方法によって製造する
ことができ、信頼性の高い導電接続構造と熱放散性の良
好な放熱構造とを有するものである。On the other hand, the multilayer wiring board of the present invention can be manufactured by the manufacturing method of the present invention having the above-described effects, and has a highly reliable conductive connection structure and a heat dissipation structure having good heat dissipation. I have.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の多
層配線基板の一例を示す断面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the multilayer wiring board of the present invention.
【0020】本発明の多層配線基板は、図1に示すよう
に、下層の配線層と、その配線層の配線パターン部22
の上面に設けられた保護金属層11と、その保護金属層
11の上面に設けられた柱状金属体24aと、その柱状
金属体24aに一部が導電接続された上層の配線層27
とを有すると共に、下層の配線層の非パターン部又は放
熱パターン部41の上面に設けられた保護金属層11
と、その保護金属層11の上面に設けられた放熱金属体
42とを有する。As shown in FIG. 1, the multilayer wiring board of the present invention has a lower wiring layer and a wiring pattern portion 22 of the wiring layer.
Of the protective metal layer 11, the columnar metal body 24a provided on the upper surface of the protective metal layer 11, and the upper wiring layer 27 partially conductively connected to the columnar metal body 24a.
And a protective metal layer 11 provided on the upper surface of the non-patterned portion of the lower wiring layer or the heat dissipation pattern portion 41.
And a heat dissipation metal body 42 provided on the upper surface of the protective metal layer 11.
【0021】本発明では、上記のような導電接続構造及
び放熱構造が、少なくとも任意の2層間に設けられてい
ればよく、また全体の層数も2層〜数十層あるいはそれ
以上も可能である。本実施形態では、全体で6層の配線
層を有し、図面の上から第1層〜第6層の間で放熱構造
が形成され、第1層〜第3層の間および第4層〜第6層
の間で導電接続構造が形成されている例を示す。In the present invention, the conductive connection structure and the heat dissipation structure as described above may be provided between at least two arbitrary layers, and the total number of layers may be 2 to several tens or more. is there. In the present embodiment, there are 6 wiring layers in total, and a heat dissipation structure is formed between the first layer and the sixth layer from the top of the drawing, and between the first layer and the third layer and between the fourth layer and the fourth layer. An example in which a conductive connection structure is formed between the sixth layers is shown.
【0022】最初に、柱状金属体24aの形成方法につ
いて説明する。その際、適宜、本発明の製造方法の各工
程に触れる。先ず、図2(1)に示すように、基材21
の両面上に配線層の配線パターン部22を形成したもの
を準備する。その際、パターン形成の方法はいずれでも
よく、例えば、エッチングレジストを使用する方法や、
パターンメッキ用レジストを使用する方法等で作製した
もの用いることができる。基材21としては、ガラス繊
維とポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性
樹脂とからなる基材を用いることができる。また、配線
層の配線パターン部22を構成する金属としては、通
常、銅、ニッケル、錫等が使用される。First, a method of forming the columnar metal body 24a will be described. At that time, each step of the manufacturing method of the present invention is appropriately touched. First, as shown in FIG.
The wiring pattern portion 22 of the wiring layer is formed on both surfaces of the above. At that time, the pattern formation method may be any, for example, a method using an etching resist,
It is possible to use one prepared by a method of using a resist for pattern plating. As the base material 21, a base material made of glass fiber and various reaction curable resins such as polyimide resin and epoxy resin can be used. Further, as the metal forming the wiring pattern portion 22 of the wiring layer, copper, nickel, tin or the like is usually used.
【0023】次に、図2(2)に示すように、予めパタ
ーン形成した配線層の非パターン部を含めた全面に無電
解メッキを行って下地導電層10を形成する。無電解メ
ッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用
されるが、これらの金属は、配線層の配線パターン部2
2を構成する金属と同一でも異なっていてもよい。無電
解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であ
り、各種のものが市販されている。一般的には、液組成
として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート
剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立
って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。Next, as shown in FIG. 2B, electroless plating is performed on the entire surface of the pre-patterned wiring layer including the non-patterned portion to form the underlying conductive layer 10. A plating liquid such as copper, nickel or tin is usually used for electroless plating, but these metals are used for the wiring pattern portion 2 of the wiring layer.
It may be the same as or different from the metal forming 2. Electroless plating solutions are well known for various metals, and various types are commercially available. Generally, the liquid composition contains a metal ion source, an alkali source, a reducing agent, a chelating agent, a stabilizer and the like. A plating catalyst such as palladium may be deposited before the electroless plating.
【0024】次に、図2(3)に示すように、下層の配
線層の非パターン部を含めた全面を保護金属層11で被
覆すべく、下地導電層10の全面に電解メッキを行って
保護金属層11を形成する。その際、保護金属層11を
構成する金属としては、柱状金属体を構成する金属のエ
ッチング時に耐性を示す別の金属が使用される。具体的
には、柱状金属体を構成する金属が銅である場合、保護
金属層を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パ
ラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系
はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但
し、本発明は、これらの金属の組合せに限らず、電解メ
ッキ可能な金属と、そのエッチング時に耐性を示す別の
金属との組合せが何れも使用可能である。Next, as shown in FIG. 2C, electrolytic plating is performed on the entire surface of the underlying conductive layer 10 in order to cover the entire surface of the lower wiring layer including the non-patterned portion with the protective metal layer 11. The protective metal layer 11 is formed. At this time, as the metal forming the protective metal layer 11, another metal having resistance against etching of the metal forming the columnar metal body is used. Specifically, when the metal forming the columnar metal body is copper, another metal forming the protective metal layer is gold, silver, zinc, palladium, ruthenium, nickel, rhodium, or a lead-tin solder alloy. , Or nickel-gold alloy or the like is used. However, the present invention is not limited to the combination of these metals, and any combination of a metal that can be electrolytically plated and another metal that exhibits resistance during etching can be used.
【0025】上記の電解メッキは、周知の方法で行うこ
とができるが、一般的には、図2(2)の基板をメッキ
浴内に浸漬しながら、下地導電層10を陰極とし、メッ
キする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解
反応により陰極側に金属を析出させることにより行われ
る。The above electroplating can be carried out by a known method, but generally, the substrate of FIG. 2 (2) is immersed in a plating bath while the underlying conductive layer 10 is used as a cathode for plating. It is carried out by using a metal ion replenishing source of metal as an anode to deposit metal on the cathode side by an electrolysis reaction.
【0026】即ち、本発明の(a)工程は、柱状金属体
24a及び放熱金属体42を構成する金属のエッチング
時に耐性を示す別の金属を、下層の配線層の非パターン
部を含めた全面に被覆して保護金属層11を形成するも
のであるが、上述のように下地導電層10等が介在する
状態で、保護金属層11による被覆を行ってもよく、ま
た、下地導電層10等を介在させずに、直接、保護金属
層11による被覆を行ってもよい。That is, in the step (a) of the present invention, another metal having resistance to etching of the metal forming the columnar metal body 24a and the heat dissipation metal body 42 is added to the entire surface including the non-patterned portion of the lower wiring layer. Although the protective metal layer 11 is formed by coating the protective metal layer 11 with the base metal, the protective metal layer 11 may be coated with the underlying conductive layer 10 or the like as described above. The protective metal layer 11 may be directly coated without intervening.
【0027】本発明の(b)工程は、図3(4)に示す
ように、保護金属層11の全面に、柱状金属体24a及
び放熱金属体42(図示していない)を構成する金属の
パネル層24を形成するものである。パネル層24の形
成は、電解メッキ、無電解メッキ、蒸着、逆スパッタリ
ングなどで行うことが可能であるが、前述した理由よ
り、電解メッキにより行うのが好ましい。本実施形態で
は、電解メッキによりパネル層24を形成する例を示
す。In the step (b) of the present invention, as shown in FIG. 3 (4), the metal forming the columnar metal body 24 a and the heat radiating metal body 42 (not shown) are formed on the entire surface of the protective metal layer 11. The panel layer 24 is formed. The panel layer 24 can be formed by electrolytic plating, electroless plating, vapor deposition, reverse sputtering or the like, but it is preferable to perform electrolytic plating for the reasons described above. In this embodiment, an example in which the panel layer 24 is formed by electrolytic plating is shown.
【0028】パネル層24を構成する金属としては、電
解メッキを行うなどの場合、銅、ニッケル等が使用され
るが、配線層を構成する金属とは同一でも異なっていて
もよい。電解メッキは、上記と同様の方法により行われ
るが、保護金属層11が陰極として利用される。具体的
なパネル層24の厚みとしては、例えば20〜200μ
m、或いはそれ以上のものが例示される。このように
(b)工程で、電解メッキにより全面にパネル層24を
形成するため、パネル層24の高さが略等しくなり、略
均一な高さの柱状金属体24a及び放熱金属体42を迅
速に形成することができる。As the metal forming the panel layer 24, copper, nickel or the like is used when electrolytic plating is performed, but it may be the same as or different from the metal forming the wiring layer. Electrolytic plating is performed by the same method as above, but the protective metal layer 11 is used as a cathode. The specific thickness of the panel layer 24 is, for example, 20 to 200 μm.
m or more are exemplified. As described above, in the step (b), since the panel layer 24 is formed on the entire surface by electroplating, the heights of the panel layers 24 are substantially equal, and the columnar metal body 24a and the heat dissipation metal body 42 having a substantially uniform height are quickly formed. Can be formed.
【0029】本発明の(c)工程は、図3(5)に示す
ように、上記のパネル層24の柱状金属体24a及び放
熱金属体42(図示していない)を形成する表面部分
に、マスク層25を形成するものである。本実施形態で
は、スクリーン印刷により、散点状にマスク層25を印
刷する例を示す。マスク層25の個々の大きさ(面積又
は外径等)は、柱状金属体24aの大きさに対応して決
定され、例えば100〜300μm、或いはそれ以上の
外径を有するものが例示される。このように、(c)工
程において、マスク層25が散点状に形成されるため、
印刷等の簡易かつ安価な方法で、マスク層25を形成す
ることができる。In the step (c) of the present invention, as shown in FIG. 3 (5), the surface of the panel layer 24 on which the columnar metal bodies 24a and the heat radiation metal bodies 42 (not shown) are formed, The mask layer 25 is formed. In the present embodiment, an example in which the mask layer 25 is printed in a dotted pattern by screen printing is shown. The individual size (area or outer diameter) of the mask layer 25 is determined in accordance with the size of the columnar metal body 24a, and for example, one having an outer diameter of 100 to 300 μm or more is exemplified. Thus, in the step (c), since the mask layer 25 is formed in a dotted pattern,
The mask layer 25 can be formed by a simple and inexpensive method such as printing.
【0030】本発明の(d)工程は、図3(6)に示す
ように、パネル層24のエッチングを行うものである。
その際、エッチングによる浸食量が多過ぎると、形成さ
れる柱状金属体24aが小径化(アンダーカットの増
大)して、後の工程に支障をきたす場合が生じ、逆に、
浸食量が少な過ぎると、非パターン部にパネル層24が
残存して、短絡の原因となる場合が生じる。従って、上
記のエッチングによる浸食の程度は、図3(6)に示す
程度か、或いはこれより多少増減する範囲内が好まし
い。In step (d) of the present invention, as shown in FIG. 3 (6), the panel layer 24 is etched.
At that time, if the amount of erosion due to etching is too large, the diameter of the formed columnar metal body 24a may be reduced (the undercut may be increased), which may interfere with the subsequent steps.
If the amount of erosion is too small, the panel layer 24 may remain in the non-patterned portion, causing a short circuit. Therefore, it is preferable that the degree of erosion due to the above-described etching is as shown in FIG.
【0031】エッチングの方法としては、パネル層24
及び保護金属層11を構成する各金属の種類に応じた、
各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられ
る。例えば、パネル層24(即ち柱状金属体24a)が
銅であり、保護金属層11が前述の金属(金属系レジス
トを含む)の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫
酸アンモニウム、過酸化水素/硫酸等が使用される。上
記のエッチングによると、図3(6)に示すように、保
護金属層11で被覆された配線層(パターン部及び非パ
ターン部)、柱状金属体24a及びマスク層25がエッ
チングされずに残ることになる。As a method of etching, the panel layer 24
And according to the type of each metal forming the protective metal layer 11,
An etching method using various etching solutions can be mentioned. For example, when the panel layer 24 (that is, the columnar metal body 24a) is copper and the protective metal layer 11 is the above-mentioned metal (including a metal-based resist), a commercially available alkali etching solution, ammonium persulfate, hydrogen peroxide / sulfuric acid, etc. Is used. According to the above etching, as shown in FIG. 3 (6), the wiring layer (patterned portion and non-patterned portion) covered with the protective metal layer 11, the columnar metal body 24a, and the mask layer 25 remain without being etched. become.
【0032】次に、図4(7)に示すように、マスク層
25の除去を行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、
マスク層25の種類に応じて適宜選択すればよい。例え
ば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクで
ある場合、アルカリ等の薬品にて除去される。Next, as shown in FIG. 4 (7), the mask layer 25 is removed.
It may be appropriately selected according to the type of the mask layer 25. For example, in the case of a photosensitive ink formed by screen printing, it is removed with a chemical such as alkali.
【0033】次に、図4(8)に示すように、保護金属
層11の浸食が可能なエッチングを行う。エッチングの
方法としては、(d)工程とは異なるエッチング液を用
いたエッチング方法が挙げられるが、塩化物エッチング
液を用いると金属系レジスト及び銅の両者が浸食される
ため、その他のエッチング液を用いるのが好ましい。具
体的には、柱状金属体24a及び放熱金属体42と下層
の配線層が銅であり、保護金属層11が前記の金属であ
る場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、
硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いる
のが好ましい。これにより、図4(8)に示すように、
柱状金属体24aと配線層(パターン部)とに介在する
保護金属層11のみを残存させることができる。また、
非パターン部には、下地導電層10のみが残存する。Next, as shown in FIG. 4 (8), etching is performed so that the protective metal layer 11 can be eroded. As an etching method, there is an etching method using an etching solution different from the step (d). However, when a chloride etching solution is used, both the metal-based resist and copper are eroded, so that another etching solution is used. It is preferably used. Specifically, when the columnar metal body 24a and the heat dissipation metal body 42 and the lower wiring layer are copper and the protective metal layer 11 is the above-mentioned metal, a nitric acid-based material commercially available for solder peeling,
It is preferable to use an acid-based etching solution such as sulfuric acid or cyan. As a result, as shown in FIG. 4 (8),
Only the protective metal layer 11 interposed between the columnar metal body 24a and the wiring layer (pattern portion) can be left. Also,
Only the underlying conductive layer 10 remains in the non-patterned portion.
【0034】次に、図4(9)に示すように、非パター
ン部に残存する下地導電層10をソフトエッチングで除
去するが、ソフトエッチングを行うのは、柱状金属体2
4aや、露出する配線層(パターン部)を過度に浸食す
るのを防止するためである。ソフトエッチングの方法と
しては、下地導電層10を構成する金属に対するエッチ
ング液を、低濃度で使用したり、また緩やかなエッチン
グの処理条件で使用したりする方法等が挙げられる。Next, as shown in FIG. 4 (9), the underlying conductive layer 10 remaining in the non-patterned portion is removed by soft etching. The soft etching is performed by the columnar metal body 2.
This is to prevent excessive erosion of 4a and the exposed wiring layer (pattern portion). Examples of the soft etching method include a method in which an etching solution for the metal forming the underlying conductive layer 10 is used at a low concentration, or is used under mild etching processing conditions.
【0035】即ち、本発明の(e)工程は、少なくとも
保護金属層11の浸食が可能なエッチングを行って、少
なくとも非パターン部を被覆する保護金属層11を除去
するものであるが、上述のように下地導電層10を有す
る場合には、保護金属層11と下地導電層10を順次エ
ッチングして、非パターン部の保護金属層11と下地導
電層10とを除去する。これにより、パターン部間の陥
落を確実に防止することができる。That is, in the step (e) of the present invention, at least the protective metal layer 11 is etched so that it can be eroded to remove the protective metal layer 11 covering at least the non-patterned portion. When the base conductive layer 10 is provided as described above, the protective metal layer 11 and the base conductive layer 10 are sequentially etched to remove the non-patterned protective metal layer 11 and the base conductive layer 10. As a result, it is possible to reliably prevent the pattern portions from falling.
【0036】次に、図5(10)に示すように、絶縁層
26を形成するための絶縁材26aの塗布を行う。絶縁
材26aとしては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポ
リイミド樹脂、エポキシ樹脂等の反応硬化性樹脂を用い
ることができ、これを各種方法で、柱状金属体24aの
高さよりやや厚くなるように塗布した後、加熱又は光照
射等により硬化させればよい。塗布方法としては、各種
コーターを用いることができ、更にシート上の反応硬化
性樹脂を用いてホットプレスする方法も可能である。Next, as shown in FIG. 5 (10), an insulating material 26a for forming the insulating layer 26 is applied. As the insulating material 26a, for example, a liquid curable resin such as a liquid polyimide resin or an epoxy resin, which has a good insulating property and is inexpensive, can be used, and the insulating resin 26a can be made thicker than the height of the columnar metal body 24a by various methods. After coating, it may be cured by heating or light irradiation. As a coating method, various coaters can be used, and a method of hot pressing using a reaction curable resin on the sheet is also possible.
【0037】次に、図5(11)に示すように、硬化し
た絶縁材26aを研削・研磨等することにより、柱状金
属体24aの高さと略同じ厚さを有する絶縁層26を形
成する。研削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質
刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有す
る研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃
を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿
って移動させることによって、上面を平坦化することが
できる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バ
フ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。Next, as shown in FIG. 5 (11), the hardened insulating material 26a is ground or polished to form an insulating layer 26 having a thickness substantially the same as the height of the columnar metal body 24a. Examples of the grinding method include a method of using a grinding device having a hard rotary blade in which a plurality of hard blades made of diamond or the like are arranged in the radial direction of the rotary plate. While rotating the hard rotary blade, it was fixedly supported. The top surface can be flattened by moving it along the top surface of the wiring board. Further, as a polishing method, a method of lightly polishing with a belt sander, buffing or the like can be mentioned.
【0038】次に、図5(12)に示すように、柱状金
属体24aに一部が導電接続された上層の配線層27
(厳密には配線層の配線パターン部)を形成する。この
配線層27の形成は、下層の配線層を形成するのと同様
の方法で形成することができる。例えば、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、エッチング
処理することによって、所定のパターンを持った配線層
27を形成することができる。Next, as shown in FIG. 5 (12), an upper wiring layer 27 partially conductively connected to the columnar metal body 24 a.
(Strictly speaking, the wiring pattern portion of the wiring layer) is formed. The wiring layer 27 can be formed by the same method as that for forming the lower wiring layer. For example, the wiring layer 27 having a predetermined pattern can be formed by forming a predetermined mask using a photolithography technique and performing an etching process.
【0039】本発明では、以上のような導電接続構造を
形成する際に、柱状金属体24aと同じ工程により放熱
金属体42を形成して、放熱構造を作製する。本実施形
態では、図1に示すように、前記(a)工程で被覆する
配線層のパターン部22が、放熱金属体42を形成する
部分に放熱パターン部41を有する場合の例を示す。In the present invention, when the conductive connection structure as described above is formed, the heat dissipation metal body 42 is formed in the same process as the columnar metal body 24a to produce the heat dissipation structure. In this embodiment, as shown in FIG. 1, an example is shown in which the pattern portion 22 of the wiring layer covered in the step (a) has the heat radiation pattern portion 41 in the portion where the heat radiation metal body 42 is formed.
【0040】まず、図2(1)において、配線層の配線
パターン部22と共に放熱パターン部41を形成したも
のを準備する。放熱パターン部41の形成は、放熱金属
体42を形成する部分に行い、その形状やサイズは形成
する放熱金属体42に近いものが好ましい。多層配線基
板の表面を平坦化する上で、特に、形成する放熱金属体
42の底面より外側に外周を有する放熱パターン部41
が好ましい。放熱パターン部41は形状やサイズが、配
線パターン部22と異なるものの、レジストの形状など
を変えるだけで同様にしてパターン形成することができ
る。First, as shown in FIG. 2A, the one in which the heat radiation pattern portion 41 is formed together with the wiring pattern portion 22 of the wiring layer is prepared. The heat dissipation pattern portion 41 is formed in a portion where the heat dissipation metal body 42 is formed, and it is preferable that the shape and size of the heat dissipation metal body 42 are close to those of the heat dissipation metal body 42 to be formed. In flattening the surface of the multilayer wiring board, in particular, the heat dissipation pattern portion 41 having an outer periphery outside the bottom surface of the heat dissipation metal body 42 to be formed.
Is preferred. Although the heat radiation pattern portion 41 is different in shape and size from the wiring pattern portion 22, it can be similarly formed by changing the shape of the resist.
【0041】図2(2)〜(3)、及び図3(4)につ
いては、柱状金属体24aと同じであるが、図3(5)
において、柱状金属体24aを形成する表面部分に加え
て、放熱金属体42を形成する表面部分に、マスク層2
5を形成する。放熱金属体42の形成のためのマスク層
25の形状とサイズは、放熱金属体42に対応して決定
される。2 (2) to (3) and FIG. 3 (4) are the same as those of the columnar metal body 24a, but FIG.
In addition to the surface portion forming the columnar metal body 24 a, the mask layer 2 is formed on the surface portion forming the heat dissipation metal body 42.
5 is formed. The shape and size of the mask layer 25 for forming the heat dissipation metal body 42 are determined corresponding to the heat dissipation metal body 42.
【0042】本発明では、放熱金属体42のサイズは、
柱状金属体24aの面積より小さい外径100μm程度
のものから、数センチ角のサイズまで可能である。但
し、図1の例では、実装する半導体部品50のパッケー
ジ51の底面形状より若干内側に、周囲が配置されるよ
うな形状としてある。この放熱金属体42の面積が大き
い程、伝熱面積が増加し、熱放散性をより高めることが
できる。このようなサイズの違いを除いては、同様にし
てマスク層25を形成することができる。In the present invention, the size of the heat dissipation metal body 42 is
The outer diameter of the columnar metal body 24a is about 100 μm, which is smaller than the area of the columnar metal body 24a, to a size of several centimeters square. However, in the example of FIG. 1, the shape is such that the periphery is arranged slightly inside the bottom shape of the package 51 of the semiconductor component 50 to be mounted. As the area of the heat dissipation metal body 42 is larger, the heat transfer area is increased, and the heat dissipation property can be further enhanced. The mask layer 25 can be formed in the same manner except for such a difference in size.
【0043】図3(6)に示すエッチングから、図5
(11)の平坦化までの工程も、柱状金属体24aと同
様にして行うことができる。但し、図5(12)に示す
上層の配線層27の形成工程において、放熱パターン部
41と同様にして放熱パターン部43を形成する。From the etching shown in FIG. 3 (6) to FIG.
The steps up to the flattening of (11) can be performed in the same manner as the columnar metal body 24a. However, in the step of forming the upper wiring layer 27 shown in FIG. 5 (12), the heat dissipation pattern portion 43 is formed in the same manner as the heat dissipation pattern portion 41.
【0044】以上のようにして、第2層と第3層間、並
びに第4層と第5層間に導電接続構造及び放熱構造が形
成できる。図1の例では、第3層と第4層間に別の放熱
構造を設けている。つまり、基材21を貫通する伝熱体
46を設けている。これによって、基材21によって隔
たることなく、放熱構造が連続するため、多層配線基板
を貫通する放熱構造を得ることができる。その結果、実
装部品の裏側面において、表側面から良好な伝熱が可能
な放熱面を形成することができる。As described above, the conductive connection structure and the heat dissipation structure can be formed between the second layer and the third layer and between the fourth layer and the fifth layer. In the example of FIG. 1, another heat dissipation structure is provided between the third layer and the fourth layer. That is, the heat transfer body 46 that penetrates the base material 21 is provided. Thus, the heat dissipation structure is continuous without being separated by the base material 21, so that a heat dissipation structure penetrating the multilayer wiring board can be obtained. As a result, on the back surface of the mounted component, it is possible to form a heat dissipation surface capable of excellent heat transfer from the front surface.
【0045】このような伝熱体46の形成方法として
は、導電性ペーストを充填する方法、基材21に金属パ
ネルを埋め込む方法、片面に銅箔を積層した基材21の
裏面に開口を形成した後、電解メッキ等を行う方法など
が挙げられる。また、金属箔に対して前述した一連の工
程によって伝熱体46を形成した後に、絶縁層を形成す
る方法でもよい。As the method of forming such a heat transfer body 46, a method of filling a conductive paste, a method of embedding a metal panel in the base material 21, and an opening on the back surface of the base material 21 having a copper foil laminated on one side are formed. Then, electrolytic plating or the like may be performed. Alternatively, a method of forming the insulating layer after forming the heat transfer body 46 on the metal foil by the series of steps described above may be used.
【0046】更に、図1の例では、第1層と第2層間、
並びに第5層と第6層間に導電接続構造及び放熱構造が
形成しているが、これについては第2層と第3層間など
の場合と同様の工程で行うことができる。Further, in the example of FIG. 1, the first layer and the second layer,
In addition, the conductive connection structure and the heat dissipation structure are formed between the fifth layer and the sixth layer, which can be performed in the same steps as in the case of the second layer and the third layer.
【0047】また、図1の例では、第6層に放熱金属体
44よりかなり面積の広い放熱パターン部45を形成し
ており、更に放熱フィン47を形成している。放熱フィ
ン47は、各種の接合方法や接着方法で形成することも
可能であるが、前述したような柱状金属体24aの形成
方法によって形成することも可能である。その場合、保
護金属層11が放熱フィン47との間に介在することに
なる。このような放熱フィン47の形成は、多層配線基
板の最外層に半導体部品を実装するためのバンプの形成
と同時に行うことも可能である。Further, in the example of FIG. 1, a heat dissipation pattern portion 45 having a considerably larger area than the heat dissipation metal member 44 is formed in the sixth layer, and further heat dissipation fins 47 are formed. The radiating fins 47 can be formed by various joining methods or bonding methods, but can also be formed by the method for forming the columnar metal body 24a as described above. In that case, the protective metal layer 11 is interposed between the heat radiation fins 47. The heat dissipation fins 47 can be formed simultaneously with the formation of bumps for mounting semiconductor components on the outermost layer of the multilayer wiring board.
【0048】放熱フィン47の形状は、リブ状、散点状
など何れでもよいが、全体の表面積が大きい程、熱放散
性が高くなるため好ましい。全体の表面積を大きくする
上では、放熱フィン47の高さを高くするのが有利であ
り、図1の例では、放熱金属体44の厚みより、放熱フ
ィン47の高さを高くしている。なお、放熱フィン47
により十分な熱放散性が得られる場合など、放熱パター
ン部45の面積を小さくすることも可能である。The shape of the radiation fins 47 may be rib-like or scattered-like, but the larger the total surface area is, the better the heat dissipation becomes, which is preferable. In order to increase the total surface area, it is advantageous to increase the height of the heat radiation fin 47, and in the example of FIG. 1, the height of the heat radiation fin 47 is higher than the thickness of the heat radiation metal body 44. In addition, the radiation fin 47
Therefore, the area of the heat dissipation pattern portion 45 can be reduced when sufficient heat dissipation is obtained.
【0049】一方、半導体部品50を実装する側の最外
層(第1層)には、放熱金属体44と略同じ面積の放熱
パターン部45を形成している。半導体部品50を実装
する際には、半導体部品50の底面と放熱パターン部4
5との間に、例えば伝熱性の粘着テープ60や伝熱性の
接着材など介在させてもよい。また、何も設けずに、輻
射伝熱するようにしてもよい。On the other hand, in the outermost layer (first layer) on the side where the semiconductor component 50 is mounted, a heat radiation pattern portion 45 having substantially the same area as the heat radiation metal body 44 is formed. When mounting the semiconductor component 50, the bottom surface of the semiconductor component 50 and the heat dissipation pattern portion 4
A heat-conducting adhesive tape 60, a heat-conducting adhesive, or the like may be interposed between the first and second electrodes. Alternatively, radiant heat may be transferred without providing anything.
【0050】半導体部品50のリード52は、第1層の
配線層の配線パターン部28にハンダ等で導電接続され
る。各々のリード52は、回路設計に応じて、第2層の
配線層の配線パターン部27に柱状金属体29を介し
て、層間接続される。The leads 52 of the semiconductor component 50 are conductively connected to the wiring pattern portion 28 of the first wiring layer by soldering or the like. Each lead 52 is interlayer-connected to the wiring pattern portion 27 of the second wiring layer via the columnar metal body 29 according to the circuit design.
【0051】〔別の実施形態〕以下、本発明の別の実施
形態について説明する。[Another Embodiment] Another embodiment of the present invention will be described below.
【0052】(1)本発明の多層配線基板は、図1に示
すものに限らず、例えば図6に示すように、基板内部に
放熱プレート48を有する構造の多層配線基板でもよ
い。その場合の製造方法について説明する。(1) The multilayer wiring board of the present invention is not limited to the one shown in FIG. 1, but may be a multilayer wiring board having a structure having a heat dissipation plate 48 inside the board as shown in FIG. 6, for example. The manufacturing method in that case will be described.
【0053】まず、基材21の少なくとも片面に放熱プ
レート48が形成されたものを用意し、図1に示す場合
と同様にして放熱金属体49を形成する。この時、放熱
プレート48をグランド層又は電源層として利用する場
合は、同時に層間接続のための柱状金属体を形成しても
よい。First, a substrate 21 having a heat dissipation plate 48 formed on at least one surface thereof is prepared, and a heat dissipation metal body 49 is formed in the same manner as shown in FIG. At this time, when the heat dissipation plate 48 is used as a ground layer or a power supply layer, a columnar metal body for interlayer connection may be simultaneously formed.
【0054】図6の上から第1層と第2層間は、図1に
示す場合と同様にして柱状金属体24a及び放熱金属体
42を形成する。但し、図6の例では、放熱金属体42
を多数の柱状体で形成している。本発明では、エッチン
グにより放熱金属体42を形成するため、柱状の放熱金
属体42を高密度で形成することも可能になる。From the top of FIG. 6, between the first layer and the second layer, the columnar metal body 24a and the heat radiation metal body 42 are formed in the same manner as shown in FIG. However, in the example of FIG.
Are formed of a large number of columnar bodies. In the present invention, since the heat dissipation metal body 42 is formed by etching, it is possible to form the columnar heat dissipation metal body 42 at a high density.
【0055】この実施形態では、放熱プレート48によ
って半導体部品50からの熱を良好に放散させることが
できる。また、多層配線基板の何れかの位置にヒートシ
ンクを設けて、上記の放熱プレート48と直接または間
接的に接続してもよい。具体的には、例えば回路的に余
裕の有る部分の表面にヒートシンクを設け、その底面を
放熱金属体を介して放熱プレート48に熱的に接続する
方法が挙げられる。In this embodiment, the heat dissipation plate 48 can satisfactorily dissipate heat from the semiconductor component 50. In addition, a heat sink may be provided at any position of the multilayer wiring board to directly or indirectly connect to the heat dissipation plate 48. Specifically, for example, there is a method in which a heat sink is provided on the surface of a portion having a circuit allowance and the bottom surface thereof is thermally connected to the heat dissipation plate 48 via a heat dissipation metal body.
【0056】(2)本発明の多層配線基板は、図1〜図
6に示すものに限らず、例えば図7に示すように、下層
の配線層27の非パターン部の上面に保護金属層11が
設けられ、その保護金属層11の上面に放熱金属体44
が設けられた構造の多層配線基板でもよい。また、放熱
フィン47を設けずに、放熱パターン部45により放熱
を行うことも可能である。その場合の製造方法について
説明する。(2) The multilayer wiring board of the present invention is not limited to the one shown in FIGS. 1 to 6, but for example, as shown in FIG. 7, the protective metal layer 11 is formed on the upper surface of the non-patterned portion of the lower wiring layer 27. Is provided on the upper surface of the protective metal layer 11, and
A multilayer wiring board having a structure provided with may be used. It is also possible to radiate heat by the heat radiation pattern portion 45 without providing the heat radiation fins 47. The manufacturing method in that case will be described.
【0057】つまり、第2層の放熱パターン部を形成せ
ずに、露出する放熱金属体42の条面に保護金属層11
を設けてもよい。この場合、(b)工程でパネル層24
を形成する際に、放熱金属体42の形成部分の高さよ
り、柱状金属体29の形成部分の高さが大きくなる(配
線パターン27の厚さに相当する分高くなる)。その結
果、得られる放熱金属体42の高さが柱状金属体29の
高さより低くなる。That is, the protective metal layer 11 is formed on the exposed surface of the heat dissipation metal body 42 without forming the heat dissipation pattern portion of the second layer.
May be provided. In this case, in the step (b), the panel layer 24
When forming, the height of the portion where the columnar metal body 29 is formed is larger than the height of the portion where the heat dissipation metal body 42 is formed (becomes higher by the amount corresponding to the thickness of the wiring pattern 27). As a result, the height of the heat dissipation metal body 42 obtained is lower than the height of the columnar metal body 29.
【0058】本実施形態では、絶縁層の形成後の研削・
研磨により、柱状金属体29を多めに研削することで、
放熱金属体42と柱状金属体29の高さをそろえてい
る。但し、本実施形態では、絶縁層の形成後の研削・研
磨を柱状金属体29の高さに合わせて行い、放熱金属体
42の上面に絶縁層が薄く形成される状態としてもよ
い。その場合、絶縁層の介在により若干熱放散性が低下
するが、介在する絶縁層が薄いため、熱放散性の低下を
抑えることができる。また、放熱金属体42の上面に残
存する絶縁層をブラスト加工などにより除去して、放熱
金属体42の上面を露出させてもよい。In this embodiment, grinding / grinding after formation of the insulating layer is performed.
By polishing the columnar metal body 29 in a large amount by polishing,
The heights of the heat dissipation metal body 42 and the columnar metal body 29 are made uniform. However, in the present embodiment, grinding and polishing after the formation of the insulating layer may be performed according to the height of the columnar metal body 29 so that the insulating layer is thinly formed on the upper surface of the heat dissipation metal body 42. In that case, although the heat dissipation property is slightly lowered due to the interposition of the insulating layer, since the intervening insulating layer is thin, the decrease of the heat dissipation property can be suppressed. The insulating layer remaining on the upper surface of the heat dissipation metal body 42 may be removed by blasting or the like to expose the upper surface of the heat dissipation metal body 42.
【0059】一方、第6層の放熱パターン部45は、プ
レート状に形成されているが、パターンを微細な凹凸と
することで、より熱放散性を高めることができる。On the other hand, the heat dissipation pattern portion 45 of the sixth layer is formed in a plate shape, but the heat dissipation can be further enhanced by forming the pattern into fine irregularities.
【0060】(3)本発明の多層配線基板は、図1〜図
7に示すものに限らず、例えば図8に示すように、第1
層の配線パターン部28の上方に半導体部品55を実装
するための柱状金属体(バンプ)30、及び第1層の放
熱パターン部45の上方に半導体部品55からの放熱の
効率をより高めるための放熱金属体49が設けられた構
造の多層配線基板でもよい。その場合の製造方法につい
て説明する。(3) The multilayer wiring board of the present invention is not limited to the one shown in FIGS. 1 to 7, but may be a first wiring board as shown in FIG.
A columnar metal body (bump) 30 for mounting the semiconductor component 55 above the wiring pattern portion 28 of the layer and a heat radiation efficiency from the semiconductor component 55 above the heat radiation pattern portion 45 of the first layer are further enhanced. A multilayer wiring board having a structure provided with the heat dissipation metal body 49 may be used. The manufacturing method in that case will be described.
【0061】上記の柱状金属体30及び放熱金属体49
の形成方法は、図1に示す場合の柱状金属体24a及び
放熱金属体42の形成方法と同様であり、絶縁層26を
設けない点のみが相違する。The columnar metal body 30 and the heat radiation metal body 49 described above.
1 is the same as the method of forming the columnar metal body 24a and the heat dissipation metal body 42 in the case shown in FIG. 1, except that the insulating layer 26 is not provided.
【0062】また、この例では、実装する半導体部品5
5がリードレスのパッケージであり、その底面の周囲に
電極56が存在する。このようなリードレスのパッケー
ジに対しては、上記のように実装のための柱状金属体3
0を形成するのが有利となる。電極56は、はんだボー
ル31などを介して、柱状金属体30と電気的に接続さ
れる。Further, in this example, the semiconductor component 5 to be mounted is mounted.
5 is a leadless package, and an electrode 56 is present around the bottom surface thereof. For such a leadless package, the pillar-shaped metal body 3 for mounting as described above is used.
It is advantageous to form 0. The electrode 56 is electrically connected to the columnar metal body 30 via the solder ball 31 and the like.
【0063】(4)前記の実施形態では、(a)工程
が、予めパターン形成した下層の配線層の非パターン部
を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層を形成
した後、更に全面に電解メッキを行って保護金属層を形
成する例を示したが、絶縁層の全面に無電解メッキを行
って下地導電層を形成した後にパターン形成した下層の
配線層に対し、その全面に電解メッキを行って前記保護
金属層を形成してもよい。その場合、下地導電層が既に
存在するため、電解メッキを利用したパターンメッキに
より下層の配線層のパターン形成が可能になる。なお、
上記の方法は何れも、下地導電層を無電解メッキで形成
しているが、スパッタリング等により形成することも可
能である。(4) In the above embodiment, in the step (a), electroless plating is performed on the entire surface including the non-patterned portion of the lower wiring layer that has been patterned in advance to form the underlying conductive layer, and then, Although the example of forming the protective metal layer by performing electrolytic plating on the entire surface has been shown, the entire surface of the insulating layer is subjected to electroless plating to form the underlying conductive layer, and then the patterned lower wiring layer is formed on the entire surface. The protective metal layer may be formed by electrolytic plating. In that case, since the underlying conductive layer is already present, it is possible to form the pattern of the lower wiring layer by pattern plating using electrolytic plating. In addition,
In any of the above methods, the underlying conductive layer is formed by electroless plating, but it may be formed by sputtering or the like.
【0064】(5)前記の実施形態では、マスク層を印
刷により形成する例を示したが、ドライフィルムレジス
ト等を用いてマスク層を形成してもよい。その場合、ド
ライフィルムレジストの熱圧着、露光、現像が行われ
る。また、マスク層の除去(剥離)には、メチレンクロ
ライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。(5) In the above embodiment, the mask layer is formed by printing, but the mask layer may be formed by using a dry film resist or the like. In that case, thermocompression bonding, exposure, and development of the dry film resist are performed. Further, methylene chloride, sodium hydroxide or the like is used for removing (peeling) the mask layer.
【0065】また、マスク層をパネル層のエッチング時
に耐性を示す金属で形成してもよい。その場合、保護金
属層と同様の金属を使用することができ、パターン形成
と同様の方法により、所定の位置にマスク層を形成すれ
ばよい。マスク層を金属等の導電体で形成する場合、そ
れを除去することなく、柱状金属体に導通した上層の配
線層を形成することも可能である。例えば、金属のマス
ク層を残したまま、銅箔付きの絶縁材(熱硬化性樹脂
等)を熱プレスして絶縁層を形成すると、金属のマスク
層と銅箔が導電接続され、銅箔をパターン形成すること
で上層を配線層を形成することができる。Further, the mask layer may be formed of a metal having resistance against the etching of the panel layer. In that case, the same metal as the protective metal layer can be used, and the mask layer may be formed at a predetermined position by the same method as the pattern formation. When the mask layer is formed of a conductor such as metal, it is possible to form an upper wiring layer that is electrically connected to the columnar metal body without removing it. For example, when an insulating material (such as a thermosetting resin) with a copper foil is hot-pressed while the metal mask layer is left to form an insulating layer, the metal mask layer and the copper foil are conductively connected, and the copper foil is removed. By patterning, a wiring layer can be formed on the upper layer.
【0066】(6)前記の実施形態では、絶縁材を研削
・研磨等することにより、柱状金属体などの高さと略同
じ厚さを有する絶縁層を形成する例を示したが、絶縁材
である樹脂を加熱加圧することにより、柱状金属体など
の高さと略同じ厚さを有する絶縁層を形成してもよい。
その場合、柱状金属体上に薄く残る絶縁性樹脂は、プラ
ズマ処理等によって簡単に除去でき、また加熱後に研磨
して平坦化することもできる。(6) In the above-described embodiment, an example in which an insulating layer having a thickness substantially the same as the height of a columnar metal body or the like is formed by grinding or polishing the insulating material has been described. An insulating layer having substantially the same thickness as the height of the columnar metal body may be formed by heating and pressing a certain resin.
In that case, the insulating resin that remains thin on the columnar metal body can be easily removed by plasma treatment or the like, or can be polished and planarized after heating.
【0067】(7)前記の実施形態では、マスク層の除
去を(d)工程と(e)工程の間で行っている例を示し
たが、マスク層の除去工程の順序はこれに限定されず、
例えば、保護金属層のエッチング工程の直後、下地導電
層のソフトエッチング工程の直後、あるいは、絶縁材2
6aを研削・研磨等する際に、マスク層の除去を行って
もよい。(7) In the above-described embodiment, an example is shown in which the mask layer is removed between the steps (d) and (e), but the order of the mask layer removing steps is not limited to this. No
For example, immediately after the protective metal layer etching step, immediately after the underlying conductive layer soft etching step, or the insulating material 2
The mask layer may be removed when 6a is ground or polished.
【0068】(8)前記の実施形態では、下地導電層を
有する下層の配線層に保護金属層を被覆する例を示した
が、下地導電層を形成せずに直接、保護金属層を被覆し
てもよい。その場合、無電解メッキ等により下層の配線
層に保護金属層を被覆すればよく、また、保護金属層の
浸食が可能なエッチングのみで、非パターン部を被覆す
る保護金属層を除去して、パターン部間の陥落を防止す
ることができる。(8) In the above-described embodiment, an example in which the lower wiring layer having the underlying conductive layer is covered with the protective metal layer has been described. However, the underlying conductive layer is not formed and the protective metal layer is directly coated. May be. In that case, the protective metal layer may be coated on the lower wiring layer by electroless plating or the like, and the protective metal layer that covers the non-patterned portion is removed only by etching capable of eroding the protective metal layer. It is possible to prevent the pattern portions from falling down.
【0069】(9)前記の実施形態では、図2(1)に
示すものに(a)工程を行う例を示したが、図9
(1’)に示すように、(a)工程に先立って、下層の
配線層の非パターン部に、その配線層のパターン部22
と略同じ厚みの絶縁層29を形成して表面の平坦化を行
ってもよい。その場合、前述の絶縁層26の形成と同様
な材料、塗布方法、硬化方法、研削・研磨方法により、
絶縁層29を形成すればよい。その後、前述の実施形態
と同様に、パネル層24の形成まで行い(図9(4’)
参照)、更に、下地導電層10の除去まで行えばよい
(図9(9’)参照)。(9) In the above embodiment, an example in which the step (a) is performed is shown in FIG.
As shown in (1 ′), prior to the step (a), the pattern portion 22 of the wiring layer is formed on the non-pattern portion of the lower wiring layer.
The surface may be flattened by forming the insulating layer 29 having substantially the same thickness as the above. In that case, the same material, coating method, curing method, and grinding / polishing method as those used for forming the insulating layer 26 are used.
The insulating layer 29 may be formed. Then, as in the above-described embodiment, the formation of the panel layer 24 is performed (FIG. 9 (4 ′)).
Further, the removal of the underlying conductive layer 10 may be performed (see FIG. 9 (9 ′)).
【図1】本発明の多層配線基板の一例を示す断面図FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a multilayer wiring board of the present invention.
【図2】本発明の多層配線基板の製造方法の要部の一例
を示す工程図FIG. 2 is a process chart showing an example of a main part of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.
【図3】本発明の多層配線基板の製造方法の要部の一例
を示す工程図FIG. 3 is a process chart showing an example of a main part of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.
【図4】本発明の多層配線基板の製造方法の要部の一例
を示す工程図FIG. 4 is a process chart showing an example of a main part of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.
【図5】本発明の多層配線基板の製造方法の要部の一例
を示す工程図FIG. 5 is a process chart showing an example of a main part of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.
【図6】本発明の多層配線基板の他の例を示す断面図FIG. 6 is a sectional view showing another example of the multilayer wiring board of the present invention.
【図7】本発明の多層配線基板の他の例を示す断面図FIG. 7 is a sectional view showing another example of the multilayer wiring board of the present invention.
【図8】本発明の多層配線基板の他の例を示す断面図FIG. 8 is a sectional view showing another example of the multilayer wiring board of the present invention.
【図9】本発明の多層配線基板の製造方法の要部の他の
例を示す工程図FIG. 9 is a process drawing showing another example of the main part of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.
11 保護金属層 22 下層の配線パターン部 24 パネル層 24a 柱状金属体 25 マスク層 27 上層の配線層 29 柱状金属体 30 柱状金属体(実装用) 41 放熱パターン部 42 放熱金属体 43 放熱パターン部 44 放熱金属体 45 放熱パターン部 49 放熱金属体 11 Protective metal layer 22 Lower layer wiring pattern 24 panel layers 24a Columnar metal body 25 mask layer 27 Upper wiring layer 29 Columnar metal body 30 Columnar metal body (for mounting) 41 Heat dissipation pattern 42 Heat dissipation metal body 43 Heat dissipation pattern section 44 Heat dissipation metal body 45 Heat dissipation pattern section 49 Heat dissipation metal body
Claims (4)
で熱放散を行う放熱金属体を有する多層配線基板の製造
方法において、前記柱状金属体及び前記放熱金属体の形
成工程は、(a)前記柱状金属体及び前記放熱金属体を
構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、
前記下層の配線層の非パターン部を含めた略全面に被覆
して保護金属層を形成する工程、(b)その保護金属層
の略全面に、前記柱状金属体及び前記放熱金属体を構成
する金属のパネル層を形成する工程、(c)そのパネル
層の前記柱状金属体及び前記放熱金属体を形成する表面
部分に、マスク層を形成する工程、(d)前記パネル層
のエッチングを行う工程、及び(e)少なくとも前記保
護金属層の浸食が可能なエッチングを行って、少なくと
も前記非パターン部を被覆する保護金属層を除去する工
程を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。1. A method of manufacturing a multilayer wiring board having a columnar metal body for conductively connecting layers and a heat dissipation metal body for dissipating heat between the layers, wherein the step of forming the columnar metal body and the heat dissipation metal body comprises: Another metal showing resistance during etching of the metal forming the columnar metal body and the heat dissipation metal body,
Forming a protective metal layer by covering substantially the entire surface of the lower wiring layer including the non-patterned portion, (b) forming the columnar metal body and the heat-dissipating metal body on substantially the entire surface of the protective metal layer. A step of forming a metal panel layer, (c) a step of forming a mask layer on a surface portion of the panel layer on which the columnar metal body and the heat dissipation metal body are formed, (d) a step of etching the panel layer And (e) a step of performing etching capable of eroding at least the protective metal layer to remove at least the protective metal layer covering the non-patterned portion, the method for manufacturing a multilayer wiring board.
形成が、電解メッキにより行われる請求項1記載の多層
配線基板の製造方法。2. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the panel layer is formed in the step (b) by electrolytic plating.
ーン部が、前記放熱金属体を形成する部分に放熱パター
ン部を有する請求項1又は2に記載の多層配線基板の製
造方法。3. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 1, wherein the pattern portion of the wiring layer covered in the step (a) has a heat radiation pattern portion in a portion where the heat radiation metal body is formed.
ーン部の上面に設けられた保護金属層と、その保護金属
層の上面に設けられた柱状金属体と、その柱状金属体に
一部が導電接続された上層の配線層とを有すると共に、
前記下層の配線層の非パターン部又は放熱パターン部の
上面に設けられた保護金属層と、その保護金属層の上面
に設けられた放熱金属体とを有する多層配線基板。4. A lower wiring layer, a protective metal layer provided on an upper surface of a wiring pattern portion of the wiring layer, a columnar metal body provided on an upper surface of the protective metal layer, and one of the columnar metal bodies. Part has an upper wiring layer conductively connected,
A multilayer wiring board having a protective metal layer provided on the upper surface of the non-patterned portion or the heat radiation pattern portion of the lower wiring layer, and a heat radiation metal body provided on the upper surface of the protective metal layer.
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