JP2003024741A - 燃焼式半導体排ガス処理装置 - Google Patents
燃焼式半導体排ガス処理装置Info
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- Treating Waste Gases (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造プロセスの排ガスに含まれるモノ
シランの燃焼分解生成物であるシリカ粉が、搬送過程中
に配管に付着することを防止する燃焼式半導体排ガス処
理装置を提供する。 【解決手段】 被処理ガスの燃焼炉３と、該燃焼炉の下
方に設けられた冷却部４と、該冷却部の下方に設けられ
た、冷却水を受け入れるためのタンク６と、冷却部の後
流側に設けられた吸収塔７とを有する燃焼式半導体排ガ
ス処理装置において、前記冷却部の下方に設けたタンク
６を前記吸収塔７下方まで延設し、前記冷却部４と前記
吸収塔７下部との間に、該冷却部４から排出されたガス
が該吸収塔７下部に導入されるように空間部６Ａを設け
たこと。
シランの燃焼分解生成物であるシリカ粉が、搬送過程中
に配管に付着することを防止する燃焼式半導体排ガス処
理装置を提供する。 【解決手段】 被処理ガスの燃焼炉３と、該燃焼炉の下
方に設けられた冷却部４と、該冷却部の下方に設けられ
た、冷却水を受け入れるためのタンク６と、冷却部の後
流側に設けられた吸収塔７とを有する燃焼式半導体排ガ
ス処理装置において、前記冷却部の下方に設けたタンク
６を前記吸収塔７下方まで延設し、前記冷却部４と前記
吸収塔７下部との間に、該冷却部４から排出されたガス
が該吸収塔７下部に導入されるように空間部６Ａを設け
たこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は燃焼式半導体排ガス
処理装置に関し、さらに詳しくは、半導体製造プロセス
から排出されるモノシランおよびフロンガスを効率よく
除去することのできる燃焼式半導体排ガス処理装置に関
する。
処理装置に関し、さらに詳しくは、半導体製造プロセス
から排出されるモノシランおよびフロンガスを効率よく
除去することのできる燃焼式半導体排ガス処理装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年地球温暖化の問題がクローズアップ
されており、化石燃料を大量に消費して生成される一酸
化炭素、二酸化炭素等の排ガスの排出量を抑制すること
が求められている。半導体製造プロセスから排出される
フロンガス（ＰＦＣ： パーフルオロカーボン）は総排
出量は少ないが、地球温暖化係数は二酸化炭素ＣＯ2の
１０００倍から１００００倍といわれており、半導体生
産が今後も増加することを考慮すると無視できない。気
候変動枠組み条約締約国会議の京都議定書（１９９７
年）においても、ＰＦＣは削減対象の温室効果ガスの一
つに挙げられている。このような状況に鑑み、フロンを
無害化する排ガス処理装置の開発が必要とされている。
されており、化石燃料を大量に消費して生成される一酸
化炭素、二酸化炭素等の排ガスの排出量を抑制すること
が求められている。半導体製造プロセスから排出される
フロンガス（ＰＦＣ： パーフルオロカーボン）は総排
出量は少ないが、地球温暖化係数は二酸化炭素ＣＯ2の
１０００倍から１００００倍といわれており、半導体生
産が今後も増加することを考慮すると無視できない。気
候変動枠組み条約締約国会議の京都議定書（１９９７
年）においても、ＰＦＣは削減対象の温室効果ガスの一
つに挙げられている。このような状況に鑑み、フロンを
無害化する排ガス処理装置の開発が必要とされている。
【０００３】排ガス処理装置の方式には、湿式、触媒式
等があるが、これらはランニングコストが高い等の問題
があり、装置自体が比較的コンパクトでランニングコス
トの低い燃焼式による処理装置の開発が期待されてい
る。半導体製造プロセスの排ガスにはフロンの他にもモ
ノシランなどの有害な成分があり、燃焼炉内ではフロン
を分解するとともにこれら有害ガスも分解しなければな
らず、燃焼分解後のガス中にはフロンガス分解で生成す
るフッ化水素の他にモノシランガス分解で生成するシリ
カ粉が存在することとなる。
等があるが、これらはランニングコストが高い等の問題
があり、装置自体が比較的コンパクトでランニングコス
トの低い燃焼式による処理装置の開発が期待されてい
る。半導体製造プロセスの排ガスにはフロンの他にもモ
ノシランなどの有害な成分があり、燃焼炉内ではフロン
を分解するとともにこれら有害ガスも分解しなければな
らず、燃焼分解後のガス中にはフロンガス分解で生成す
るフッ化水素の他にモノシランガス分解で生成するシリ
カ粉が存在することとなる。
【０００４】図２は、従来の代表的な燃焼式半導体排ガ
ス処理装置の概略構造を示す説明図である。被処理ガス
２１は排ガス入口から燃焼炉２２に導入され、燃焼分解
する。燃焼炉２２の下方には燃焼ガスを冷却する冷却部
２３が設けられており、そこでモノシランの分解で生成
したシリカ粉およびフロンガス分解で生成したフッ化水
素の部分的な捕集除去が行なわれる。冷却部２３の下方
にはシリカ粉の捕集を行なうためのサイクロンスクレー
パ方式の集塵装置２４が設けられ、ここでシリカ粉が除
去された後、排ガスは吸収塔２５に供給され、吸収塔２
５で排ガスからフッ化水素が完全除去された後、有害成
分を含まない処理ガス２７は、吸収塔上部から外部に排
出される。フッ化水素を吸収した酸排水２６は一旦吸収
塔下部のタンクに貯留された後、外部に排出される。
ス処理装置の概略構造を示す説明図である。被処理ガス
２１は排ガス入口から燃焼炉２２に導入され、燃焼分解
する。燃焼炉２２の下方には燃焼ガスを冷却する冷却部
２３が設けられており、そこでモノシランの分解で生成
したシリカ粉およびフロンガス分解で生成したフッ化水
素の部分的な捕集除去が行なわれる。冷却部２３の下方
にはシリカ粉の捕集を行なうためのサイクロンスクレー
パ方式の集塵装置２４が設けられ、ここでシリカ粉が除
去された後、排ガスは吸収塔２５に供給され、吸収塔２
５で排ガスからフッ化水素が完全除去された後、有害成
分を含まない処理ガス２７は、吸収塔上部から外部に排
出される。フッ化水素を吸収した酸排水２６は一旦吸収
塔下部のタンクに貯留された後、外部に排出される。
【０００５】図３は、従来の他の燃焼式半導体排ガス処
理装置の概略構造を示す説明図である。被処理ガスは排
ガス入口３０から燃焼炉３１に導入され、燃焼分解す
る。燃焼炉３１の下方には燃焼ガスを冷却する冷却部３
２が設けられ、さらに冷却部３２と連通する管路端には
冷却部３３が設けられ、それぞれモノシランの分解で生
成したシリカ粉およびフロンガス分解で生成したフッ化
水素の部分的な捕集除去が行なわれる。冷却部３３と連
通する管路端にはさらにスクラバ装置３６が設けられ、
ここでシリカ粉の捕集とフッ化水素の湿式除去が行なわ
れる。該スクラバ装置を出た排ガスはミストトラップ３
７を通して、ミストが除去された後、処理ガス出口３９
から排気される。
理装置の概略構造を示す説明図である。被処理ガスは排
ガス入口３０から燃焼炉３１に導入され、燃焼分解す
る。燃焼炉３１の下方には燃焼ガスを冷却する冷却部３
２が設けられ、さらに冷却部３２と連通する管路端には
冷却部３３が設けられ、それぞれモノシランの分解で生
成したシリカ粉およびフロンガス分解で生成したフッ化
水素の部分的な捕集除去が行なわれる。冷却部３３と連
通する管路端にはさらにスクラバ装置３６が設けられ、
ここでシリカ粉の捕集とフッ化水素の湿式除去が行なわ
れる。該スクラバ装置を出た排ガスはミストトラップ３
７を通して、ミストが除去された後、処理ガス出口３９
から排気される。
【０００６】これら従来の燃焼式半導体排ガス処理装置
では、モノシランの燃焼分解で生成したシリカ粉は、燃
焼ガスとともに、燃焼炉から冷却部、さらにその後流側
にある、集塵部、吸収塔へと搬送される。しかし、これ
ら従来の装置では、被処理ガス搬送の過程でシリカ粉が
途中の配管内に付着し、それにより配管が閉塞してしま
い、そのために装置の連続運転が妨げられ、結局モノシ
ランやフロンガスの効率的な除去が図れない、という諸
々の問題点があった。
では、モノシランの燃焼分解で生成したシリカ粉は、燃
焼ガスとともに、燃焼炉から冷却部、さらにその後流側
にある、集塵部、吸収塔へと搬送される。しかし、これ
ら従来の装置では、被処理ガス搬送の過程でシリカ粉が
途中の配管内に付着し、それにより配管が閉塞してしま
い、そのために装置の連続運転が妨げられ、結局モノシ
ランやフロンガスの効率的な除去が図れない、という諸
々の問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
従来技術の欠点を除き、半導体製造プロセスの排ガスに
含まれるモノシランの燃焼分解生成物であるシリカ粉
が、搬送過程中に配管に付着することを防止して、配管
の閉塞の問題を起こさず、これにより連続運転が可能な
燃焼式半導体排ガス処理装置を提供することである。
従来技術の欠点を除き、半導体製造プロセスの排ガスに
含まれるモノシランの燃焼分解生成物であるシリカ粉
が、搬送過程中に配管に付着することを防止して、配管
の閉塞の問題を起こさず、これにより連続運転が可能な
燃焼式半導体排ガス処理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本願で特許請求される発明は以下のとおりである。 （１）被処理ガスを燃焼分解するための燃焼炉と、該燃
焼炉の下方に設けられた、燃焼後の被処理ガスを水冷却
するための冷却部と、該冷却部の下方に設けられた、冷
却水を受け入れるためのタンクと、該冷却部の後流側に
設けられた、該ガス中のフッ化水素を吸着するための湿
式吸収塔とを有する燃焼式半導体排ガス処理装置におい
て、前記冷却部の下方に設けたタンクを前記吸収塔下方
まで延設し、前記冷却部と前記吸収塔下部との間に、該
冷却部から排出されたガスが該吸収塔下部に導入される
ように空間部を設けたことを特徴とする燃焼式半導体排
ガス処理装置。
め、本願で特許請求される発明は以下のとおりである。 （１）被処理ガスを燃焼分解するための燃焼炉と、該燃
焼炉の下方に設けられた、燃焼後の被処理ガスを水冷却
するための冷却部と、該冷却部の下方に設けられた、冷
却水を受け入れるためのタンクと、該冷却部の後流側に
設けられた、該ガス中のフッ化水素を吸着するための湿
式吸収塔とを有する燃焼式半導体排ガス処理装置におい
て、前記冷却部の下方に設けたタンクを前記吸収塔下方
まで延設し、前記冷却部と前記吸収塔下部との間に、該
冷却部から排出されたガスが該吸収塔下部に導入される
ように空間部を設けたことを特徴とする燃焼式半導体排
ガス処理装置。
【０００９】（２）前記被処理ガスがモノシランを含む
ものである、（１）記載の燃焼式半導体排ガス処理装
置。 （３）前記吸収塔の後流側に、シリカ粉を捕集するため
の、バグフィルタ式集塵装置を設けた、（１）または
（２）記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。 （４）前記燃焼式半導体排ガス処理装置において、前記
空間部を保持するために、該タンク内の水面レベルの上
限を所定値以下に制御する手段を設けた、（１）ないし
（３）記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。
ものである、（１）記載の燃焼式半導体排ガス処理装
置。 （３）前記吸収塔の後流側に、シリカ粉を捕集するため
の、バグフィルタ式集塵装置を設けた、（１）または
（２）記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。 （４）前記燃焼式半導体排ガス処理装置において、前記
空間部を保持するために、該タンク内の水面レベルの上
限を所定値以下に制御する手段を設けた、（１）ないし
（３）記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。
【００１０】（５）前記燃焼式半導体排ガス処理装置に
おいて、該燃焼炉の側壁（外周壁と称す）の内側に高温
耐熱性多孔物質で構成されたもう一つの側壁（内周壁と
称す）を設け、該内周壁を通して気体が燃焼炉内部に送
入されるようにしたことを特徴とする、（１）記載の燃
焼式半導体排ガス処理装置。 （６）前記燃焼式半導体排ガス処理装置において、燃焼
炉の外周壁と内周壁との空間が分割されていて、それぞ
れの空間へ気体送入手段を設けられていることを特徴と
する、（５）記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。 （７）前記燃焼式半導体排ガス処理装置において、内周
壁を通して燃焼炉内部に送入する気体が空気または窒素
であることを特徴とする、（６）記載の燃焼式排ガス処
理装置。
おいて、該燃焼炉の側壁（外周壁と称す）の内側に高温
耐熱性多孔物質で構成されたもう一つの側壁（内周壁と
称す）を設け、該内周壁を通して気体が燃焼炉内部に送
入されるようにしたことを特徴とする、（１）記載の燃
焼式半導体排ガス処理装置。 （６）前記燃焼式半導体排ガス処理装置において、燃焼
炉の外周壁と内周壁との空間が分割されていて、それぞ
れの空間へ気体送入手段を設けられていることを特徴と
する、（５）記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。 （７）前記燃焼式半導体排ガス処理装置において、内周
壁を通して燃焼炉内部に送入する気体が空気または窒素
であることを特徴とする、（６）記載の燃焼式排ガス処
理装置。
【００１１】本発明は、燃焼式半導体排ガス処理装置に
おいて、燃焼炉の下方に設けられた水スプレによる冷却
部の下方に冷却水を受け入れるタンクを設置し、これを
湿式吸収塔下方にまで延設し、冷却部から排出されたガ
スが吸収塔下部に導入されるように空間部を設けたこと
により、燃焼後被処理ガス搬送用の配管を構造上省略
し、シリカ粉の付着を防止することができる。また本発
明装置では、冷却部から排出された燃焼後の被処理ガス
は、タンク内天井面とタンク内に溜まっている水の表面
との間の空間部を通して、吸収塔下部へと導入される。
該空間部はガスの搬送に充分な容積を有し、また該空間
部の重力方向底面は水面であるためシリカ粉の付着は発
生しない。さらに、シリカ粉のタンク天井表面への一時
的付着が発生しても、付着したシリカ粉は自重で下方水
面上に落下するため、タンク内空間部のシリカ粉の付着
による閉塞は、完全に防止することができる。
おいて、燃焼炉の下方に設けられた水スプレによる冷却
部の下方に冷却水を受け入れるタンクを設置し、これを
湿式吸収塔下方にまで延設し、冷却部から排出されたガ
スが吸収塔下部に導入されるように空間部を設けたこと
により、燃焼後被処理ガス搬送用の配管を構造上省略
し、シリカ粉の付着を防止することができる。また本発
明装置では、冷却部から排出された燃焼後の被処理ガス
は、タンク内天井面とタンク内に溜まっている水の表面
との間の空間部を通して、吸収塔下部へと導入される。
該空間部はガスの搬送に充分な容積を有し、また該空間
部の重力方向底面は水面であるためシリカ粉の付着は発
生しない。さらに、シリカ粉のタンク天井表面への一時
的付着が発生しても、付着したシリカ粉は自重で下方水
面上に落下するため、タンク内空間部のシリカ粉の付着
による閉塞は、完全に防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施例
により、さらに詳細に説明する。図１は、本発明の燃焼
式半導体排ガス処理装置の概略構造を示す説明図であ
る。図において、本装置は、被処理ガスを燃焼分解する
ための燃焼炉３と、該燃焼炉の下方に設けられた、燃焼
後の被処理ガスを水冷却するための冷却部４と、前記冷
却部４の下方に設けられ、かつ吸収塔７の下方まで延設
された、前記冷却部４からの水または該吸収塔７からの
洗浄水の少なくともいずれかを受けるためのタンク６
と、前記冷却部４の後流側で、かつ前記延設されたタン
ク６の上方に設けられた、ガス中のフッ化水素を吸着す
るための湿式吸収塔７とから主として構成される。
により、さらに詳細に説明する。図１は、本発明の燃焼
式半導体排ガス処理装置の概略構造を示す説明図であ
る。図において、本装置は、被処理ガスを燃焼分解する
ための燃焼炉３と、該燃焼炉の下方に設けられた、燃焼
後の被処理ガスを水冷却するための冷却部４と、前記冷
却部４の下方に設けられ、かつ吸収塔７の下方まで延設
された、前記冷却部４からの水または該吸収塔７からの
洗浄水の少なくともいずれかを受けるためのタンク６
と、前記冷却部４の後流側で、かつ前記延設されたタン
ク６の上方に設けられた、ガス中のフッ化水素を吸着す
るための湿式吸収塔７とから主として構成される。
【００１３】前記冷却部４と前記吸収塔７下部との間に
設けられた前記タンク６の内部には、該冷却部４から排
出されたガスが該吸収塔７下部に導入されるようにする
ための空間部６Ａが形成されている。該空間部６Ａは該
ガスの搬送に充分な容積を有するように形成されてい
る。さらに上記タンク６には、該タンク６内の水面レベ
ルを監視するためのレベル計１１、および該タンク６底
部から水を排出するための排水ポンプ１２が設けられて
いる。
設けられた前記タンク６の内部には、該冷却部４から排
出されたガスが該吸収塔７下部に導入されるようにする
ための空間部６Ａが形成されている。該空間部６Ａは該
ガスの搬送に充分な容積を有するように形成されてい
る。さらに上記タンク６には、該タンク６内の水面レベ
ルを監視するためのレベル計１１、および該タンク６底
部から水を排出するための排水ポンプ１２が設けられて
いる。
【００１４】図１において、被処理ガスであるモノシラ
ンやフロンガスを含む半導体排ガスは、処理ガス導入管
１から燃焼炉３上部に導入され、該燃焼炉３上部に設け
られたバーナ２により着火され、該燃焼炉３内にて燃焼
分解される。被処理ガス中のモノシランが前記燃焼炉３
で燃焼されることにより、分解生成物であるシリカがシ
リカ粉として生成する。シリカ粉を含む、高温の燃焼後
の処理ガスは、前記燃焼炉３下方に設けられた冷却部４
に導入され、スプレノズル５から噴出されるスプレ水に
より冷却される。該ガスの冷却に用いられたスプレ水
は、前記冷却部４の下方に設けられ、かつ吸収塔７の下
方まで延設されたタンク６に落下し溜められる。該タン
ク６内部には、該スプレ水の他、後述する吸収塔７から
落下する洗浄水も受水して溜められる。これらの水の貯
留により該タンク６内部上方には、該タンク６内壁表面
および貯留水の水面により空間部６Ａが形成され、該冷
却部４から排出されたガスは該空間部６Ａを通して前記
吸収塔７下部に導入される。
ンやフロンガスを含む半導体排ガスは、処理ガス導入管
１から燃焼炉３上部に導入され、該燃焼炉３上部に設け
られたバーナ２により着火され、該燃焼炉３内にて燃焼
分解される。被処理ガス中のモノシランが前記燃焼炉３
で燃焼されることにより、分解生成物であるシリカがシ
リカ粉として生成する。シリカ粉を含む、高温の燃焼後
の処理ガスは、前記燃焼炉３下方に設けられた冷却部４
に導入され、スプレノズル５から噴出されるスプレ水に
より冷却される。該ガスの冷却に用いられたスプレ水
は、前記冷却部４の下方に設けられ、かつ吸収塔７の下
方まで延設されたタンク６に落下し溜められる。該タン
ク６内部には、該スプレ水の他、後述する吸収塔７から
落下する洗浄水も受水して溜められる。これらの水の貯
留により該タンク６内部上方には、該タンク６内壁表面
および貯留水の水面により空間部６Ａが形成され、該冷
却部４から排出されたガスは該空間部６Ａを通して前記
吸収塔７下部に導入される。
【００１５】該吸収塔７内に導入された該ガスは、充填
層１０に導入される。該充填層１０には、該充填層１０
の上方に設けられたスプレノズル９からスプレ水が噴出
され、該充填層１０内に導入された該ガスは、該スプレ
水と接触し、これにより該ガス中のフロンガス燃焼分解
生成物であるフッ化水素は該スプレ水に吸収され、該ガ
ス中から除去される。フッ化水素を吸収した該スプレ水
は、洗浄水として前記吸収塔９内を落下し、該吸収塔９
下方に延設されている前記タンク６に受け入れられ、溜
められる。上記タンク６内の貯留水面レベルはレベル計
１１により監視され、水面レベルが一定の上限を超えな
いよう、排水ポンプ１２により排出する水量が調整され
る。
層１０に導入される。該充填層１０には、該充填層１０
の上方に設けられたスプレノズル９からスプレ水が噴出
され、該充填層１０内に導入された該ガスは、該スプレ
水と接触し、これにより該ガス中のフロンガス燃焼分解
生成物であるフッ化水素は該スプレ水に吸収され、該ガ
ス中から除去される。フッ化水素を吸収した該スプレ水
は、洗浄水として前記吸収塔９内を落下し、該吸収塔９
下方に延設されている前記タンク６に受け入れられ、溜
められる。上記タンク６内の貯留水面レベルはレベル計
１１により監視され、水面レベルが一定の上限を超えな
いよう、排水ポンプ１２により排出する水量が調整され
る。
【００１６】前記タンク６内壁表面および貯留水の水面
により形成された、空間部６Ａの重力方向底面は水面で
あるため、前記冷却部４から排出され該空間部６Ａを通
して前記吸収塔９下部へと導入される燃焼後の被処理ガ
ス中のモノシラン燃焼分解生成物であるシリカ粉の、該
空間部６Ａへの付着は発生しない。また該空間部６Ａは
該ガスの搬送に充分な容積を有するため、該ガスの該吸
収塔９下部への導入は、充分に行われる。さらに、シリ
カ粉の該タンク６天井表面への一時的付着が発生して
も、付着したシリカ粉は自重で下方の貯留水面上に落下
するため、該空間部６Ａのシリカ粉の付着による閉塞
は、完全に防止することができる。
により形成された、空間部６Ａの重力方向底面は水面で
あるため、前記冷却部４から排出され該空間部６Ａを通
して前記吸収塔９下部へと導入される燃焼後の被処理ガ
ス中のモノシラン燃焼分解生成物であるシリカ粉の、該
空間部６Ａへの付着は発生しない。また該空間部６Ａは
該ガスの搬送に充分な容積を有するため、該ガスの該吸
収塔９下部への導入は、充分に行われる。さらに、シリ
カ粉の該タンク６天井表面への一時的付着が発生して
も、付着したシリカ粉は自重で下方の貯留水面上に落下
するため、該空間部６Ａのシリカ粉の付着による閉塞
は、完全に防止することができる。
【００１７】吸収塔７の後流側にバグフィルタのような
シリカ粉集塵装置８が設けられ、該バグフィルタは吸引
ファン（ＩＤＦ）１３により吸引されて、該ガス中に含
まれる未捕集のシリカ粉が捕集され、該ガスはシリカ粉
が除去された後、装置外へ排出される。図１におけるバ
ーナ２は、被処理ガスが該バーナ２本体の外部から導入
され、燃焼用空気と燃料が該バーナ２内部で予混合され
るような構造のものを示したが、本発明においては、例
えば被処理ガスが該バーナ２内部から導入され、燃焼用
空気と燃料が該バーナ２本体の外部から送入されるよう
な構造のものでもよい。
シリカ粉集塵装置８が設けられ、該バグフィルタは吸引
ファン（ＩＤＦ）１３により吸引されて、該ガス中に含
まれる未捕集のシリカ粉が捕集され、該ガスはシリカ粉
が除去された後、装置外へ排出される。図１におけるバ
ーナ２は、被処理ガスが該バーナ２本体の外部から導入
され、燃焼用空気と燃料が該バーナ２内部で予混合され
るような構造のものを示したが、本発明においては、例
えば被処理ガスが該バーナ２内部から導入され、燃焼用
空気と燃料が該バーナ２本体の外部から送入されるよう
な構造のものでもよい。
【００１８】図１における燃焼炉３は、燃料が該燃焼炉
３の上方から送入されるものを示したが、該燃焼炉３の
壁（外周壁と称す）の内側に、もう一つの側壁（内周壁
と称す）を設け、内周壁を通して気体が燃焼炉内部に送
入される構造のものでもよい。図４では縦方向仕切り板
５８と横方向仕切り板５９によって８分割しているもの
を示している。図示していないが、それぞれの分割空間
には気体送入ラインが接続されている。このような形状
の燃焼炉とすると、生成したシリカが炉壁に付着するの
を防止でき、生成したシリカをタンク６へ落とし込める
ので、装置全体としてつまりを発生しないものとなる。
３の上方から送入されるものを示したが、該燃焼炉３の
壁（外周壁と称す）の内側に、もう一つの側壁（内周壁
と称す）を設け、内周壁を通して気体が燃焼炉内部に送
入される構造のものでもよい。図４では縦方向仕切り板
５８と横方向仕切り板５９によって８分割しているもの
を示している。図示していないが、それぞれの分割空間
には気体送入ラインが接続されている。このような形状
の燃焼炉とすると、生成したシリカが炉壁に付着するの
を防止でき、生成したシリカをタンク６へ落とし込める
ので、装置全体としてつまりを発生しないものとなる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１ないし４記載の発明によれば、
燃焼式半導体排ガス処理装置において、半導体製造プロ
セスの排ガスに含まれるシリカ粉等が搬送過程中に配管
に付着することを防止して、配管の閉塞の問題を起こさ
ないため、装置の連続運転が可能となり、長時間にわた
る安定燃焼を確保することができ、また、燃焼炉から冷
却部および吸収塔への配管を省略した低ユーティリティ
ーの構造とすることができる。さらに、シリカ粉による
配管等の閉塞がないため、シリカ粉の捕集効率をほぼ１
００％とすることができる。
燃焼式半導体排ガス処理装置において、半導体製造プロ
セスの排ガスに含まれるシリカ粉等が搬送過程中に配管
に付着することを防止して、配管の閉塞の問題を起こさ
ないため、装置の連続運転が可能となり、長時間にわた
る安定燃焼を確保することができ、また、燃焼炉から冷
却部および吸収塔への配管を省略した低ユーティリティ
ーの構造とすることができる。さらに、シリカ粉による
配管等の閉塞がないため、シリカ粉の捕集効率をほぼ１
００％とすることができる。
【図1】本発明の燃焼式半導体排ガス処理装置の概略構
造を示す説明図。
造を示す説明図。
【図２】従来の代表的な燃焼式半導体排ガス処理装置の
概略構造を示す説明図。
概略構造を示す説明図。
【図３】従来の代表的な燃焼式半導体排ガス処理装置の
概略構造を示す説明図。
概略構造を示す説明図。
【図４】本発明の燃焼炉の構造を示す説明図。
１…処理ガス導入管、２…バーナ、３…燃焼炉、４…冷
却部、５…スプレノズル、６…タンク、６Ａ…空間部、
７…吸収塔、８…集塵装置、９…吸収塔スプレノズル、
１０…充填層、１１…レベル計、１２…排水ポンプ、１
３…吸引ファン（ＩＤＦ）。
却部、５…スプレノズル、６…タンク、６Ａ…空間部、
７…吸収塔、８…集塵装置、９…吸収塔スプレノズル、
１０…充填層、１１…レベル計、１２…排水ポンプ、１
３…吸引ファン（ＩＤＦ）。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｆ２３Ｊ 15/00 Ｊ
(72)発明者 馬場 彰
広島県呉市宝町３番36号 バブコック日立
株式会社呉研究所内
(72)発明者 花山 文彦
広島県呉市宝町６番９号 バブコック日立
株式会社呉事業所内
(72)発明者 寳山 登
広島県呉市宝町６番９号 バブコック日立
株式会社呉事業所内
(72)発明者 熊谷 健志
広島県呉市宝町６番９号 バブコック日立
株式会社呉事業所内
Ｆターム(参考） 3K070 DA05 DA24 DA27 DA28 DA37
3K078 AA06 BA20 BA29 CA03 CA12
4D002 AA23 AA26 AC10 BA02 BA05
BA13 BA14 CA01 CA07 CA13
CA20 DA35 EA02 FA10 HA03
4K030 AA06 CA04 CA12 EA12 KA26
5F045 AC01 EG08
Claims (7)
- 【請求項１】 被処理ガスを燃焼分解するための燃焼炉
と、該燃焼炉の下方に設けられた、燃焼後の被処理ガス
を水冷却するための冷却部と、該冷却部の下方に設けら
れた、冷却水を受け入れるためのタンクと、該冷却部の
後流側に設けられた、該ガス中のフッ化水素を吸着する
ための湿式吸収塔とを有する燃焼式半導体排ガス処理装
置において、前記冷却部の下方に設けたタンクを前記吸
収塔下方まで延設し、前記冷却部と前記吸収塔下部との
間に、該冷却部から排出されたガスが該吸収塔下部に導
入されるように空間部を設けたことを特徴とする燃焼式
半導体排ガス処理装置。 - 【請求項２】 前記被処理ガスがモノシランを含むもの
である、請求項１記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。 - 【請求項３】 前記吸収塔の後流側に、シリカ粉を捕集
するための、バグフィルタ式集塵装置を設けた、請求項
１または２記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。 - 【請求項４】 前記燃焼式半導体排ガス処理装置におい
て、前記空間部を保持するために、該タンク内の水面レ
ベルの上限を所定値以下に制御する手段を設けた、請求
項１ないし４記載の燃焼式半導体排ガス処理装置。設け
た、請求項１ないし４記載の燃焼式半導体排ガス処理装
置。 - 【請求項５】 前記燃焼式半導体排ガス処理装置におい
て、該燃焼炉の側壁（外周壁と称す）の内側に高温耐熱
性多孔物質で構成されたもう一つの側壁（内周壁と称
す）を設け、該内周壁を通して気体が燃焼炉内部に送入
されるようにしたことを特徴とする、請求項１記載の燃
焼式半導体排ガス処理装置。 - 【請求項６】 前記燃焼式半導体排ガス処理装置におい
て、燃焼炉の外周壁と内周壁との空間が分割されてい
て、それぞれの空間へ気体送入手段を設けられているこ
とを特徴とする、請求項５記載の燃焼式半導体排ガス処
理装置。 - 【請求項７】 前記燃焼式半導体排ガス処理装置におい
て、内周壁を通して燃焼炉内部に送入する気体が空気ま
たは窒素であることを特徴とする、請求項６記載の燃焼
式排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001216742A JP2003024741A (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 燃焼式半導体排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001216742A JP2003024741A (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 燃焼式半導体排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003024741A true JP2003024741A (ja) | 2003-01-28 |
Family
ID=19051180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001216742A Pending JP2003024741A (ja) | 2001-07-17 | 2001-07-17 | 燃焼式半導体排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003024741A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006194544A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Japan Pionics Co Ltd | 有害ガスの浄化装置 |
| CN100371642C (zh) * | 2005-09-29 | 2008-02-27 | 潘国明 | 烟道式烟尘除尘净化装置 |
| WO2011162023A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-12-29 | エドワーズ株式会社 | ガス処理システム |
| JP2014081190A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Csk Inc | スクラバー用バーナー |
| JP2017054862A (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置 |
| CN112933861A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-06-11 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 | 半导体制程废气处理的控制方法及设备 |
| KR20230096964A (ko) | 2020-10-30 | 2023-06-30 | 쿠리타 고교 가부시키가이샤 | 배기 가스 처리 설비 |
-
2001
- 2001-07-17 JP JP2001216742A patent/JP2003024741A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4619798B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2011-01-26 | 日本パイオニクス株式会社 | 有害ガスの浄化装置 |
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