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JP2003018857A - Switching power supply device, control circuit used therefor, and control method thereof - Google Patents

Switching power supply device, control circuit used therefor, and control method thereof

Info

Publication number
JP2003018857A
JP2003018857A JP2001200030A JP2001200030A JP2003018857A JP 2003018857 A JP2003018857 A JP 2003018857A JP 2001200030 A JP2001200030 A JP 2001200030A JP 2001200030 A JP2001200030 A JP 2001200030A JP 2003018857 A JP2003018857 A JP 2003018857A
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JP
Japan
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arm
circuit
signal
output
power supply
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Application number
JP2001200030A
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Japanese (ja)
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JP3694256B2 (en
Inventor
Tomomi Yamada
智巳 山田
Yasuhiro Murai
康弘 村井
Kunihiro Sato
国広 佐藤
Masanori Inamori
正憲 稲森
Toshiya Fujiyama
利也 藤山
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Sharp Corp
TDK Corp
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Sharp Corp
TDK Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp, TDK Corp filed Critical Sharp Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a switching power supply device whose surge voltage generated in a light load state or in a no-load state can be reduced. SOLUTION: This switching power supply device has a transformer 38, a full-bridge type switching circuit 37 which is provided on the primary side of the transformer 38 and includes first and second arms, output cicuits 42 and 45 provided on the secondary side of the transformer 38, and a control circuit 46 which carries out the phase-shift control of the switching circuit 37. The control circuit 46 changes pulse widths of output signals Pulse-C and D driving the second arm according to the load conditions of the output circuits 42 and 45.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチング電源
装置及びこれに用いられる制御回路に関し、さらに詳細
には、位相シフト制御方式を用いたスイッチング電源装
置及びこれに用いられる制御回路に関する。また本発明
は、スイッチング電源装置の制御方法に関し、さらに詳
細には、位相シフト制御方式によるスイッチング電源装
置の制御方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a switching power supply device and a control circuit used therein, and more particularly to a switching power supply device using a phase shift control method and a control circuit used therein. The present invention also relates to a switching power supply control method, and more particularly to a switching power supply control method using a phase shift control method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、スイッチング電源装置とし
て、いわゆるDC/DCコンバータが知られている。代
表的なDC/DCコンバータは、スイッチング回路を用
いて直流入力を一旦交流に変換した後、トランスを用い
てこれを変圧(昇圧または降圧)し、さらに、出力回路
を用いてこれを直流に変換する装置であり、これによっ
て入力電圧とは異なる電圧を持った直流出力を得ること
ができる。ここで、大容量が要求されるスイッチング電
源装置のスイッチング回路としては、いわゆるフルブリ
ッジ回路が用いられることが一般的であるが、この種の
スイッチング回路において発生するスイッチング損失を
低減可能な駆動方式として、いわゆる位相シフト制御方
式が知られている。
2. Description of the Related Art So-called DC / DC converters have been known as switching power supply devices. In a typical DC / DC converter, a DC input is once converted into an AC using a switching circuit, then this is transformed (boosted or stepped down) with a transformer, and then this is converted into DC using an output circuit. This is a device for producing a direct current output having a voltage different from the input voltage. Here, a so-called full-bridge circuit is generally used as a switching circuit of a switching power supply device that requires a large capacity, but as a drive system capable of reducing the switching loss generated in this type of switching circuit. A so-called phase shift control method is known.

【0003】図13は、従来のスイッチング電源装置1
0を示す回路図である。
FIG. 13 shows a conventional switching power supply device 1.
It is a circuit diagram which shows 0.

【0004】図13に示されるように、従来のスイッチ
ング電源装置10は、入力電源11の両端間に接続され
た入力コンデンサ12と、第1〜第4のトランジスタ1
3〜16からなるスイッチング回路17と、トランス1
8と、ダイオード19及び20からなる整流回路21
と、インダクタ22及びコンデンサ23からなる平滑回
路24と、スイッチング回路17の動作を制御する制御
回路25とを備えており、平滑回路24の出力は負荷2
6に接続されている。また、スイッチング回路17と入
力コンデンサ12との間には、配線に起因する寄生イン
ダクタンス27が存在している。
As shown in FIG. 13, a conventional switching power supply device 10 includes an input capacitor 12 connected between both ends of an input power supply 11 and a first to a fourth transistor 1.
A switching circuit 17 composed of 3 to 16 and a transformer 1
8 and a rectifying circuit 21 including diodes 19 and 20
A smoothing circuit 24 including an inductor 22 and a capacitor 23, and a control circuit 25 that controls the operation of the switching circuit 17, and the output of the smoothing circuit 24 is the load 2
Connected to 6. Further, a parasitic inductance 27 due to the wiring exists between the switching circuit 17 and the input capacitor 12.

【0005】制御回路25は平滑回路24からの出力電
圧Voを監視し、これに基づいて出力電圧Voが所定の
値となるようスイッチング回路17の動作を制御する回
路であり、位相シフト制御方式によってその出力信号P
ulse−A〜Pulse−Dを生成している。このよ
うな位相シフト制御を行う制御回路としては、例えば、
米国特許第5,291,384号公報に記載された制御
回路が知られている。
The control circuit 25 is a circuit that monitors the output voltage Vo from the smoothing circuit 24 and controls the operation of the switching circuit 17 so that the output voltage Vo becomes a predetermined value based on the output voltage Vo. Its output signal P
pulse-A to Pulse-D are generated. As a control circuit for performing such phase shift control, for example,
The control circuit described in US Pat. No. 5,291,384 is known.

【0006】図14は、従来のスイッチング電源装置1
0の動作を示すタイミング図である。
FIG. 14 shows a conventional switching power supply device 1.
FIG. 6 is a timing chart showing the operation of 0.

【0007】図14に示されるように、位相シフト制御
においては、Pulse−AとPulse−Bは、所定
のデッドタイムをはさんで交互にハイレベルとなり、P
ulse−Cは、Pulse−Bに対して位相シフトさ
れ、Pulse−Dは、Pulse−Aに対して位相シ
フトされる。ここで、トランス18の1次側の電圧Vm
tの波形は、Pulse−Aに対するPulse−Dの
位相シフト量、並びに、Pulse−Bに対するPul
se−Cの位相シフト量によって決まる。具体的には、
図14に示されるように、Pulse−AとPulse
−Dがいずれもハイレベルとなっている期間において
は、第1のトランジスタ13及び第4のトランジスタ1
6の両方がオン状態となるため、トランス18の1次側
の電圧VmtはVinとなる一方、Pulse−BとP
ulse−Cがいずれもハイレベルとなっている期間に
おいては、第2のトランジスタ14及び第3のトランジ
スタ15の両方がオン状態となるため、トランス18の
1次側の電圧Vmtは−Vinとなる。その他の期間に
おいては、トランス18の1次側の電圧Vmtはゼロで
ある。
As shown in FIG. 14, in the phase shift control, Pulse-A and Pulse-B are alternately set to a high level across a predetermined dead time, and P-
Pulse-C is phase-shifted with respect to Pulse-B, and Pulse-D is phase-shifted with respect to Pulse-A. Here, the voltage Vm on the primary side of the transformer 18
The waveform of t is the amount of phase shift of Pulse-D with respect to Pulse-A, and the pulse with respect to Pulse-B.
It depends on the amount of phase shift of se-C. In particular,
As shown in FIG. 14, Pulse-A and Pulse-A
During the period in which both -D are at the high level, the first transistor 13 and the fourth transistor 1
Since both 6 are in the ON state, the voltage Vmt on the primary side of the transformer 18 becomes Vin, while Pulse-B and P
During the period in which both ulse-C are at the high level, both the second transistor 14 and the third transistor 15 are turned on, so that the voltage Vmt on the primary side of the transformer 18 becomes -Vin. . In other periods, the voltage Vmt on the primary side of the transformer 18 is zero.

【0008】したがって、トランス18の2次側へ伝送
される電力は、Pulse−Aに対するPulse−D
の位相シフト量及びPulse−Bに対するPulse
−Cの位相シフト量によって決まり、入力電源11の電
圧Vinが小さくなると、制御回路25は、Pulse
−Aに対するPulse−Dの位相シフト量及びPul
se−Bに対するPulse−Cの位相シフト量を減少
させ、これによって、Pulse−A及びPulse−
Dがいずれもハイレベルとなる期間、並びに、Puls
e−B及びPulse−Cがいずれもハイレベルとなる
期間を長くする。一方、入力電源11の電圧Vinが大
きくなると、制御回路25は、Pulse−Aに対する
Pulse−Dの位相シフト量及びPulse−Bに対
するPulse−Cの位相シフト量を増大させ、これに
よって、Pulse−A及びPulse−Dがいずれも
ハイレベルとなる期間、並びに、Pulse−B及びP
ulse−Cがいずれもハイレベルとなる期間を短くす
る。このため、負荷26が軽負荷状態若しくは無負荷状
態になると、Pulse−A及びPulse−Dがいず
れもハイレベルとなる期間、並びに、Pulse−B及
びPulse−Cがいずれもハイレベルとなる期間はゼ
ロとなり、トランス18の2次側には電力が伝送されな
い状態とされる。
Therefore, the power transmitted to the secondary side of the transformer 18 is Pulse-D for Pulse-A.
Phase shift amount and Pulse-B for Pulse-B
When the voltage Vin of the input power supply 11 becomes smaller depending on the phase shift amount of −C, the control circuit 25 causes the pulse
-Pulse-D phase shift amount with respect to -A and Pul
The amount of phase shift of Pulse-C with respect to se-B is reduced, whereby Pulse-A and Pulse-
Period when D is high level, and Pulse
The period in which both e-B and Pulse-C are at the high level is lengthened. On the other hand, when the voltage Vin of the input power supply 11 increases, the control circuit 25 increases the amount of phase shift of Pulse-D with respect to Pulse-A and the amount of phase shift of Pulse-C with respect to Pulse-B, thereby increasing the amount of Pulse-A. And Pulse-D are both at a high level, and Pulse-B and P
The period in which the pulse-C is at the high level is shortened. Therefore, when the load 26 is in the light load state or the no-load state, the period in which both Pulse-A and Pulse-D are high level, and the period in which both Pulse-B and Pulse-C are high level are It becomes zero, and no electric power is transmitted to the secondary side of the transformer 18.

【0009】図15は、軽負荷状態若しくは無負荷状態
における従来のスイッチング電源装置10の動作を示す
タイミング図である。
FIG. 15 is a timing chart showing the operation of the conventional switching power supply device 10 in the light load state or the no load state.

【0010】図15に示されるように、従来のスイッチ
ング電源装置10においては、軽負荷状態若しくは無負
荷状態になると、Pulse−Cの位相はPulse−
Bに対して約180°(約半周期)シフトし、Puls
e−Dの位相はPulse−Aに対して約180°シフ
トするため、Pulse−A及びPulse−Dがいず
れもハイレベルとなる期間、並びに、Pulse−B及
びPulse−Cがいずれもハイレベルとなる期間はな
くなる。これにより、トランス18の1次側の電圧Vm
tはゼロに固定される。このとき、従来のスイッチング
電源装置10においては、図15に示されるように、P
ulse−AとPulse−Cは実質的に同一波形であ
り、Pulse−BとPulse−Dは実質的に同一波
形となっている。
As shown in FIG. 15, in the conventional switching power supply device 10, when a light load state or a no load state is set, the phase of Pulse-C is Pulse-C.
Shifted about 180 ° (about half a cycle) with respect to B
Since the phase of e-D shifts by about 180 ° with respect to Pulse-A, the period in which both Pulse-A and Pulse-D are at a high level, and both Pulse-B and Pulse-C are at a high level. There will be no period. As a result, the voltage Vm on the primary side of the transformer 18
t is fixed at zero. At this time, in the conventional switching power supply device 10, as shown in FIG.
Pulse-A and Pulse-C have substantially the same waveform, and Pulse-B and Pulse-D have substantially the same waveform.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
スイッチング電源装置10のように、軽負荷状態若しく
は無負荷状態においてPulse−AとPulse−C
の波形が実質的に同一になり、Pulse−BとPul
se−Dの波形が実質的に同一になると、Pulse−
B及びPulse−Dがハイレベルに変化するタイミン
グ(時刻t2)や、Pulse−A及びPulse−C
がハイレベルに変化するタイミング(時刻t3)におい
て、スイッチング回路17に大きなサージ電圧が発生す
るという問題が生じる。
However, like the conventional switching power supply device 10, in the light load state or the no load state, Pulse-A and Pulse-C are used.
Waveforms are substantially the same, and Pulse-B and Pulse-B
If the waveform of se-D becomes substantially the same, Pulse-
B and Pulse-D change to high level (time t2), Pulse-A and Pulse-C
There is a problem that a large surge voltage is generated in the switching circuit 17 at the timing (time t3) when the voltage changes to the high level.

【0012】図16(a)〜(c)は、これを説明する
ためのスイッチング回路17の模式図である。
FIGS. 16A to 16C are schematic diagrams of the switching circuit 17 for explaining this.

【0013】まず、Pulse−A及びPulse−C
がハイレベルであり、Pulse−B及びPulse−
Dがローレベルであるタイミング(時刻t0)において
は、図16(a)に示されるように、第2及び第4のト
ランジスタ14、16の両端間の電圧はVinであり、
かかる電圧が第2のトランジスタ14の両端間の容量成
分C14及び第4のトランジスタ16の両端間の容量成
分C16に充電された状態となる。
First, Pulse-A and Pulse-C
Is high level, and Pulse-B and Pulse-
At the timing when D is at the low level (time t0), the voltage between both ends of the second and fourth transistors 14 and 16 is Vin, as shown in FIG.
The voltage is charged in the capacitance component C14 between both ends of the second transistor 14 and the capacitance component C16 between both ends of the fourth transistor 16.

【0014】次に、Pulse−A及びPulse−C
がハイレベルからローレベルに変化するタイミング(時
刻t1)においては、図16(b)に示されるように、
第1及び第3のトランジスタ13、15がオン状態から
オフ状態に変化するものの、第2及び第4のトランジス
タ14、16がオフ状態に維持されていることから、時
刻t0と同様、第2及び第4のトランジスタ14、16
の両端間の容量成分C14、C16には電圧Vinが充
電された状態が維持される。
Next, Pulse-A and Pulse-C
At the timing (time t1) when is changed from the high level to the low level, as shown in FIG.
Although the first and third transistors 13 and 15 change from the on-state to the off-state, the second and fourth transistors 14 and 16 are maintained in the off-state. Fourth transistor 14, 16
The state in which the voltage Vin is charged in the capacitance components C14 and C16 between both ends of is maintained.

【0015】そして、Pulse−B及びPulse−
Dがローレベルからハイレベルに変化するタイミング
(時刻t2)においては、図16(c)に示されるよう
に、第2及び第4のトランジスタ14、16がオフ状態
からオン状態に変化することから、第2のトランジスタ
14の両端間の容量成分C14及び第4のトランジスタ
16の両端間の容量成分C16が実質的に同時に放電さ
れる。この場合、第2のトランジスタ14の両端間の容
量成分C14に充電されていた電荷は、電流I1を発生
させ、第4のトランジスタ16の両端間の容量成分C1
6に充電されていた電荷は、電流I2を発生させるの
で、スイッチング回路17と入力コンデンサ12との間
に存在する寄生インダクタンス27には、これらの合計
電流I1+I2が流れることになる。これにより、第1
及び第3のトランジスタ13、15の両端間には大きな
サージ電圧が発生する。
Pulse-B and Pulse-
At the timing when D changes from the low level to the high level (time t2), as shown in FIG. 16C, the second and fourth transistors 14 and 16 change from the off state to the on state. , The capacitance component C14 across the second transistor 14 and the capacitance component C16 across the fourth transistor 16 are discharged substantially simultaneously. In this case, the electric charge charged in the capacitance component C14 between both ends of the second transistor 14 generates a current I1, and the capacitance component C1 between both ends of the fourth transistor 16 is generated.
The electric charge charged in 6 generates a current I2, so that the total current I1 + I2 flows through the parasitic inductance 27 existing between the switching circuit 17 and the input capacitor 12. This makes the first
A large surge voltage is generated between both ends of the third transistors 13 and 15.

【0016】同様に、Pulse−A及びPulse−
Cがローレベルからハイレベルに変化するタイミング
(時刻t3)においても、第1のトランジスタ13の両
端間の容量成分C13及び第3のトランジスタ15の両
端間の容量成分C15が実質的に同時に放電され、これ
により、第2及び第4のトランジスタ14、16の両端
間には大きなサージ電圧が発生する。
Similarly, Pulse-A and Pulse-
Even at the timing when C changes from the low level to the high level (time t3), the capacitance component C13 between both ends of the first transistor 13 and the capacitance component C15 between both ends of the third transistor 15 are discharged substantially at the same time. As a result, a large surge voltage is generated across the second and fourth transistors 14 and 16.

【0017】このようなサージ電圧は、これら第1〜第
4のトランジスタ13〜16に大きなストレスを与える
ため、場合によっては、かかるサージ電圧によって第1
〜第4のトランジスタ13〜16が破壊されてしまうこ
とも考えられる。
Since such a surge voltage exerts a large stress on these first to fourth transistors 13 to 16, depending on the case, the surge voltage may cause the first stress.
-The fourth transistors 13 to 16 may be destroyed.

【0018】したがって、本発明の目的は、軽負荷状態
若しくは無負荷状態において発生するサージ電圧が低減
されたスイッチング電源装置を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a switching power supply device in which the surge voltage generated in a light load state or a no load state is reduced.

【0019】また、本発明の他の目的は、スイッチング
電源装置に用いられる制御回路であって、軽負荷状態若
しくは無負荷状態において発生するサージ電圧を低減す
ることができる制御回路を提供することである。
Another object of the present invention is to provide a control circuit used in a switching power supply device, which is capable of reducing a surge voltage generated in a light load state or a no load state. is there.

【0020】また、本発明のさらに他の目的は、軽負荷
状態若しくは無負荷状態において発生するサージ電圧を
低減することができるスイッチング電源装置の制御方法
を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a control method of a switching power supply device capable of reducing a surge voltage generated in a light load state or a no load state.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
トランスと、前記トランスの1次側に設けられ、第1及
び第2のアームを含むフルブリッジ型のスイッチング回
路と、前記トランスの2次側に設けられた出力回路と、
前記スイッチング回路を位相シフト制御する制御回路と
を備えるスイッチング電源装置であって、前記制御回路
は、前記出力回路の負荷状態に基づいて、前記第2のア
ームを駆動する出力信号のパルス幅を変更することを特
徴とするスイッチング電源装置によって達成される。
The object of the present invention is to:
A transformer, a full-bridge type switching circuit provided on the primary side of the transformer and including first and second arms, and an output circuit provided on the secondary side of the transformer,
A switching power supply device comprising a control circuit for performing phase shift control of the switching circuit, wherein the control circuit changes a pulse width of an output signal for driving the second arm based on a load state of the output circuit. It is achieved by the switching power supply device.

【0022】本発明の好ましい実施態様においては、前
記制御回路は、前記出力回路が第1の負荷状態である場
合には、前記第2のアームを駆動する出力信号のパルス
幅を前記第1のアームを駆動する出力信号のパルス幅と
実質的に等しい幅に設定し、前記出力回路が第2の負荷
状態である場合には、前記第2のアームを駆動する出力
信号のパルス幅を前記第1のアームを駆動する出力信号
のパルス幅とは異なる幅に設定する。
In a preferred aspect of the present invention, the control circuit sets the pulse width of the output signal for driving the second arm to the first pulse when the output circuit is in the first load state. The pulse width of the output signal for driving the arm is set to be substantially equal to the pulse width of the output signal for driving the arm, and the pulse width of the output signal for driving the second arm is set to the second width when the output circuit is in the second load state. The width is set to be different from the pulse width of the output signal for driving the first arm.

【0023】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第1の負荷状態とは通常負荷状態であり、前記
第2の負荷状態とは軽負荷状態若しくは無負荷状態であ
る。
In a further preferred aspect of the present invention, the first load state is a normal load state, and the second load state is a light load state or a no load state.

【0024】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記制御回路は、前記出力回路が前記第2の負荷状
態である場合には、前記第2のアームを駆動する出力信
号のパルス幅を前記第1のアームを駆動する出力信号の
パルス幅よりも短い幅に設定する。
[0024] In a further preferred aspect of the present invention, the control circuit sets the pulse width of the output signal for driving the second arm to the second pulse when the output circuit is in the second load state. The width is set to be shorter than the pulse width of the output signal for driving the first arm.

【0025】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記制御回路は、前記出力回路が前記第2の負荷状
態である場合には、前記第1のアームを構成する高位側
スイッチがターンオンした後に前記第2のアームを構成
する高位側スイッチがターンオンするように制御すると
ともに、前記第1のアームを構成する低位側スイッチが
ターンオンした後に前記第2のアームを構成する低位側
スイッチがターンオンするように制御する。
[0025] In a further preferred aspect of the present invention, the control circuit, when the output circuit is in the second load state, controls the high-side switch constituting the first arm after turning on. The high side switch forming the second arm is controlled to be turned on, and the low side switch forming the second arm is turned on after the low side switch forming the first arm is turned on. Control.

【0026】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記制御回路は、前記出力回路が前記第2の負荷状
態である場合には、前記第1のアームを構成する前記高
位側スイッチ及び前記第2のアームを構成する前記高位
側スイッチが実質的に同時にターンオフするように制御
するとともに、前記第1のアームを構成する前記低位側
スイッチ及び前記第2のアームを構成する前記低位側ス
イッチが実質的に同時にターンオフするように制御す
る。
[0026] In a further preferred aspect of the present invention, the control circuit is configured such that, when the output circuit is in the second load state, the high-side switch and the second switch which constitute the first arm. Control is performed such that the high-side switches forming the first arm are turned off substantially at the same time, and the low-side switches forming the first arm and the low-side switches forming the second arm are substantially controlled. Control to turn off at the same time.

【0027】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記制御回路は、前記出力回路が前記第2の負荷状
態である場合における、前記第1のアームを構成する前
記高位側スイッチをターンオンさせるタイミングと前記
第2のアームを構成する前記高位側スイッチをターンオ
ンさせるタイミングとの時間差及び前記第1のアームを
構成する前記低位側スイッチをターンオンさせるタイミ
ングと前記第2のアームを構成する前記低位側スイッチ
をターンオンさせるタイミングとの時間差を、前記第1
のアームのデッドタイムに基づいて設定する。
[0027] In a further preferred aspect of the present invention, the control circuit sets a timing for turning on the high-side switch forming the first arm when the output circuit is in the second load state. The time difference from the timing of turning on the high-side switch forming the second arm, the timing of turning on the low-side switch forming the first arm, and the low-side switch forming the second arm The time difference from the turn-on timing is the first
Set based on the dead time of the arm.

【0028】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記制御回路は、前記出力回路が前記第2の負荷状
態である場合における、前記第1のアームを構成する前
記高位側スイッチをターンオンさせるタイミングと前記
第2のアームを構成する前記高位側スイッチをターンオ
ンさせるタイミングとの時間差及び前記第1のアームを
構成する前記低位側スイッチをターンオンさせるタイミ
ングと前記第2のアームを構成する前記低位側スイッチ
をターンオンさせるタイミングとの時間差を、クロック
信号に基づいて設定する。
In another preferred aspect of the present invention, the control circuit turns on the high-side switch constituting the first arm when the output circuit is in the second load state. And a time difference between a timing for turning on the high-side switch forming the second arm, a timing for turning on the low-side switch forming the first arm, and the low-side switch forming the second arm. The time difference from the timing of turning on is set based on the clock signal.

【0029】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記制御回路は、前記第1のアームを駆動する出力
信号をクロック信号に基づいて生成し、前記第2のアー
ムを駆動する出力信号を前記第1のアームのデッドタイ
ムにおいて活性化される内部信号に基づいて生成する。
In a further preferred aspect of the present invention, the control circuit generates an output signal for driving the first arm based on a clock signal and outputs an output signal for driving the second arm. It is generated based on an internal signal activated in the dead time of one arm.

【0030】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記制御回路が、前記内部信号に応答してのこぎり
波を生成するのこぎり波生成手段と、前記出力回路の出
力電圧若しくはこれに対応する電圧と第1の基準電圧と
を比較し、これに基づいて第1の比較信号を生成する誤
差アンプと、前記第1の比較信号と第2の基準電圧とを
比較し、これに基づいて第2の比較信号を生成する第1
のコンパレータと、前記第1の比較信号と前記のこぎり
波とを比較し、これに基づいて第3の比較信号を生成す
る第2のコンパレータと、少なくとも前記第2の比較信
号及び前記第3の比較信号に基づいて前記第2のアーム
を駆動する出力信号を生成する手段とを含む。
In a further preferred aspect of the present invention, the control circuit comprises a sawtooth wave generating means for generating a sawtooth wave in response to the internal signal, and an output voltage of the output circuit or a voltage corresponding thereto. The first comparison signal and the second reference voltage are compared with each other, and the second comparison is performed based on the first comparison signal and the second reference voltage. First to generate a signal
And a second comparator that compares the first comparison signal with the sawtooth wave and generates a third comparison signal based on the comparator, at least the second comparison signal and the third comparison signal. Means for generating an output signal for driving the second arm based on the signal.

【0031】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第1のコンパレータがヒステリシスを有してい
る。
In a further preferred aspect of the present invention, the first comparator has a hysteresis.

【0032】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記スイッチング回路に含まれる前記各スイッチに
対してそれぞれ並列に設けられた複数のコンデンサ及び
複数のスナバ回路と、前記第1のアームと前記トランス
との間に挿入されたインダクタとをさらに備える。
In a further preferred aspect of the present invention, a plurality of capacitors and a plurality of snubber circuits respectively provided in parallel with each of the switches included in the switching circuit, the first arm and the transformer. And an inductor inserted between the two.

【0033】本発明の前記目的はまた、フルブリッジ型
のスイッチング回路を含むスイッチング電源装置を位相
シフト制御するための制御回路であって、前記スイッチ
ング電源装置の第1のアームを駆動する第1の出力信号
を生成する第1の手段と、前記スイッチング電源装置の
第2のアームを駆動する第2の出力信号を生成する第2
の手段と、前記スイッチング電源装置の出力電圧を検出
する第3の手段と、前記第3の手段により検出された出
力電圧に基づいて、前記第2の出力信号のパルス幅を変
更する第4の手段とを備えることを特徴とする制御回路
によって達成される。
The object of the present invention is also a control circuit for controlling a phase shift of a switching power supply device including a full-bridge type switching circuit, which is a first circuit for driving a first arm of the switching power supply device. First means for generating an output signal and second means for generating a second output signal for driving a second arm of the switching power supply device
Means, a third means for detecting the output voltage of the switching power supply device, and a fourth means for changing the pulse width of the second output signal based on the output voltage detected by the third means. And a control circuit.

【0034】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第4の手段は、前記第3の手段により検出された出力
電圧が所定の電圧に満たない場合には、前記第2の手段
により生成された前記第2の出力信号のパルス幅を実質
的に変更することなく出力し、前記第3の手段により検
出された出力電圧が前記所定の電圧を超えている場合に
は、前記第2の手段により生成された前記第2の出力信
号のパルス幅を短縮して出力する。
In a preferred embodiment of the present invention, the fourth means is generated by the second means when the output voltage detected by the third means is less than a predetermined voltage. When the pulse width of the second output signal is output without substantially changing the output voltage and the output voltage detected by the third means exceeds the predetermined voltage, the second means outputs the pulse voltage. The pulse width of the generated second output signal is shortened and output.

【0035】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第4の手段によるパルス幅を短縮が、前記第2
の出力信号の活性化期間の初期部分を非活性状態とする
ことによって行われる。
In a further preferred aspect of the present invention, the pulse width is shortened by the fourth means, but the second means is used.
This is done by deactivating the initial part of the activation period of the output signal of.

【0036】本発明の前記目的はまた、フルブリッジ型
のスイッチング回路を含むスイッチング電源装置を位相
シフト制御するための制御回路であって、交互にハイレ
ベルとなる一対の第1の内部信号を生成する第1の手段
と、前記第1の内部信号を受け、これに第1のデッドタ
イムを与えることによって前記スイッチング電源装置の
第1のアームを駆動する一対の第1の出力信号を生成す
る第2の手段と、のこぎり波を生成する第3の手段と、
少なくとも前記スイッチング電源装置の出力電圧及び前
記のこぎり波に基づき、交互にハイレベルとなる一対の
第2の内部信号を生成する第4の手段と、前記出力電圧
が所定の電圧を超えていることに応答して、前記第2の
内部信号の活性化期間のうち、所定の期間を非活性状態
とすることによって一対の第3の内部信号を生成する第
5の手段と、前記第3の内部信号を受け、これに第2の
デッドタイムを与えることによって前記スイッチング電
源装置の第2のアームを駆動する一対の第2の出力信号
を生成する第6の手段とを備える制御回路によって達成
される。
The above object of the present invention is also a control circuit for controlling a phase shift of a switching power supply device including a full-bridge type switching circuit, which generates a pair of first internal signals which are alternately at a high level. And a first means for receiving the first internal signal and giving a first dead time to the first internal signal to generate a pair of first output signals for driving the first arm of the switching power supply device. 2 means and 3rd means for generating a sawtooth wave,
Fourth means for generating a pair of second internal signals that alternately become high level based on at least the output voltage of the switching power supply device and the sawtooth wave; and the output voltage exceeding a predetermined voltage. In response, a fifth means for generating a pair of third internal signals by deactivating a predetermined period of the activation period of the second internal signal; and the third internal signal. And a sixth means for generating a pair of second output signals for driving the second arm of the switching power supply by receiving the second dead time.

【0037】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第5の手段が、前記出力電圧若しくはこれに対応する
電圧と第1の基準電圧とを比較し、これに基づいて第1
の比較信号を生成する誤差アンプと、前記第1の比較信
号と第2の基準電圧とを比較し、これに基づいて第2の
比較信号を生成するコンパレータと、第1の出力信号を
受けこれに基づいて前記第1のデッドタイムにおいて活
性化される第4の内部信号を生成する第1の論理回路
と、前記第2の比較信号及び前記第4の内部信号を受
け、これらに基づいて前記所定の期間を示す第5の内部
信号を生成する第2の論理回路と、前記第2の内部信号
及び前記第5の内部信号を受け、これらに基づいて前記
第3の内部信号を生成する第3の論理回路とを含む。
In a preferred aspect of the present invention, the fifth means compares the output voltage or a voltage corresponding thereto with a first reference voltage, and based on this, the first reference voltage is used.
Error comparator for generating the comparison signal, a comparator for comparing the first comparison signal with the second reference voltage and generating a second comparison signal based on the error amplifier, and a comparator for receiving the first output signal. A first logic circuit that generates a fourth internal signal that is activated in the first dead time based on the above, the second comparison signal and the fourth internal signal, and based on these, A second logic circuit that generates a fifth internal signal indicating a predetermined period, a second logic circuit that receives the second internal signal and the fifth internal signal, and generates the third internal signal based on these signals. 3 logic circuits.

【0038】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記第3の手段が、前記第4の内部信号が活性状態
となっている期間において前記のこぎり波を最小レベル
とするランプ回路を含む。
[0038] In a further preferred aspect of the present invention, the third means includes a ramp circuit which minimizes the sawtooth wave during a period in which the fourth internal signal is in an active state.

【0039】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記ランプ回路は、前記第4の内部信号が非活性状
態となっている期間において前記のこぎり波のレベルを
上昇させる。
In a further preferred aspect of the present invention, the ramp circuit increases the level of the sawtooth wave during a period in which the fourth internal signal is inactive.

【0040】本発明の別の好ましい実施態様において
は、前記第5の手段が、前記出力電圧若しくはこれに対
応する電圧と第1の基準電圧とを比較し、これに基づい
て第1の比較信号を生成する誤差アンプと、前記第1の
比較信号と第2の基準電圧とを比較し、これに基づいて
第2の比較信号を生成するコンパレータと、前記第2の
比較信号及びクロック信号を受け、これらに基づいて前
記所定の期間を示す第4の内部信号を生成する第1の論
理回路と、前記第2の内部信号及び前記第4の内部信号
を受け、これらに基づいて前記第3の内部信号を生成す
る第2の論理回路とを含む。
In another preferred embodiment of the present invention, the fifth means compares the output voltage or a voltage corresponding thereto with a first reference voltage, and based on this, the first comparison signal. For receiving the second comparison signal and the clock signal, and a comparator for comparing the first comparison signal with the second reference voltage and generating a second comparison signal based on the error amplifier. A first logic circuit that generates a fourth internal signal indicating the predetermined period based on these, a second internal signal and the fourth internal signal, and the third internal circuit based on these A second logic circuit for generating an internal signal.

【0041】本発明の前記目的はまた、いずれも高位側
スイッチ及び低位側スイッチからなる第1及び第2のア
ームを備えるスイッチング電源装置を制御する制御回路
であって、前記スイッチング電源装置の出力電圧に基づ
いて、前記第1のアームの前記高位側スイッチを制御す
るパルスと前記第2のアームの前記低位側スイッチを制
御するパルスの重なり及び前記第2のアームの前記高位
側スイッチを制御するパルスと前記第1のアームの前記
低位側スイッチを制御するパルスの重なりを制御する第
1の手段と、前記第1のアームの前記高位側スイッチを
制御するパルスと前記第2のアームの前記低位側スイッ
チを制御するパルスの重なり及び前記第2のアームの前
記高位側スイッチを制御するパルスと前記第1のアーム
の前記低位側スイッチを制御するパルスの重なりがゼロ
となったことに応答して、前記第2のアームの前記高位
側スイッチを制御するパルス及び前記第2のアームの前
記低位側スイッチを制御するパルスを短縮する第2の手
段とを備えることを特徴とする制御回路によって達成さ
れる。
The object of the present invention is also a control circuit for controlling a switching power supply device having first and second arms each of which is composed of a high-side switch and a low-side switch, and the output voltage of the switching power supply device. A pulse for controlling the high side switch of the first arm and a pulse for controlling the low side switch of the second arm, and a pulse for controlling the high side switch of the second arm based on And first means for controlling overlapping of pulses for controlling the low side switch of the first arm, a pulse for controlling the high side switch of the first arm and the low side of the second arm Overlapping pulses for controlling the switch and pulses for controlling the high side switch of the second arm and the low side switch of the first arm. A pulse for controlling the high-side switch of the second arm and a pulse for controlling the low-side switch of the second arm in response to the overlap of the pulses for controlling the switch H being zero. And a second control means.

【0042】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第1の手段が、前記第1のアームを構成する高位側ス
イッチ及び前記第1のアームを構成する低位側スイッチ
を交互にオンさせる第3の手段と、前記第1のアームを
構成する高位側スイッチがターンオンするタイミング及
び前記第1のアームを構成する低位側スイッチがターン
オンするタイミングにおいて上昇を開始するのこぎり波
を生成する第4の手段と、少なくとも前記スイッチング
電源装置の出力電圧及び前記のこぎり波に基づき、前記
第2のアームを構成する高位側スイッチ及び前記第2の
アームを構成する低位側スイッチを制御する第5の手段
を含んでいる。
[0042] In a preferred aspect of the present invention, the first means alternately turns on a high side switch forming the first arm and a low side switch forming the first arm. Means and fourth means for generating a sawtooth wave that starts to rise at a timing when a high-side switch that forms the first arm turns on and a timing that a low-side switch that forms the first arm turns on, It includes a fifth means for controlling a high-side switch forming the second arm and a low-side switch forming the second arm based on at least the output voltage of the switching power supply device and the sawtooth wave.

【0043】本発明の前記目的はまた、フルブリッジ型
のスイッチング回路を含むスイッチング電源装置の駆動
方法であって、軽負荷状態若しくは無負荷状態である場
合に、前記スイッチング回路の第1のアームを構成する
高位側スイッチと前記スイッチング回路の第2のアーム
を構成する高位側スイッチを連続的にターンオンさせる
とともに、前記第1のアームを構成する低位側スイッチ
と前記第2のアームを構成する低位側スイッチを連続的
にターンオンさせることを特徴とするスイッチング電源
装置の駆動方法によって達成される。
The object of the present invention is also a method of driving a switching power supply device including a full-bridge type switching circuit, wherein the first arm of the switching circuit is used in a light load state or a no load state. The high-side switch constituting the high-side switch and the high-side switch constituting the second arm of the switching circuit are continuously turned on, and the low-side switch constituting the first arm and the low-side side constituting the second arm are continuously turned on. This is achieved by a method of driving a switching power supply device, which is characterized by continuously turning on a switch.

【0044】本発明の前記目的はまた、フルブリッジ型
のスイッチング回路を含むスイッチング電源装置の駆動
方法であって、軽負荷状態若しくは無負荷状態である場
合に、前記スイッチング回路の第1のアームを駆動する
出力信号のパルス幅と、前記スイッチング回路の第2の
アームを駆動する出力信号のパルス幅を、互いに所定幅
だけ異ならせることを特徴とするスイッチング電源装置
の駆動方法によって達成される。
The object of the present invention is also a method of driving a switching power supply device including a full-bridge type switching circuit, wherein the first arm of the switching circuit is used in a light load state or a no load state. This is achieved by a method of driving a switching power supply device, characterized in that a pulse width of an output signal to be driven and a pulse width of an output signal to drive the second arm of the switching circuit are different from each other by a predetermined width.

【0045】本発明の好ましい実施態様においては、前
記所定幅が、デッドタイム及びクロック信号の活性化期
間いずれか一方と実質的に一致している。
In a preferred aspect of the present invention, the predetermined width is substantially equal to either the dead time or the activation period of the clock signal.

【0046】[0046]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Referring to the accompanying drawings,
A preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

【0047】図1は、本発明の好ましい実施態様にかか
るスイッチング電源装置30を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a switching power supply device 30 according to a preferred embodiment of the present invention.

【0048】図1に示されるように、本実施態様にかか
るスイッチング電源装置30は、入力電源31の両端間
に接続された入力コンデンサ32と、第1〜第4のトラ
ンジスタ33〜36を含むフルブリッジ型のスイッチン
グ回路37と、トランス38と、スイッチング回路37
とトランス38との間に挿入されたインダクタ39と、
ダイオード40及び41からなる整流回路42と、イン
ダクタ43及びコンデンサ44からなる平滑回路45
と、スイッチング回路37の動作を制御する制御回路4
6と、制御回路46と第1〜第4のトランジスタ33〜
36との間にそれぞれ設けられた第1〜第4の絶縁回路
47〜50とを備えており、整流回路42及び平滑回路
45からなる出力回路は、負荷51に接続されている。
また、スイッチング回路37と入力コンデンサ32との
間には、配線に起因する寄生インダクタンス68が存在
している。ここで、第1〜第4の絶縁回路47〜50
は、スイッチング電源装置30の1次側回路と2次側回
路との絶縁状態を確保しつつ、制御回路46より出力さ
れる出力信号Pulse−A〜Pulse−Dを第1〜
第4のトランジスタ33〜36のゲートにそれぞれ供給
する回路である。
As shown in FIG. 1, the switching power supply device 30 according to the present embodiment is a full power supply including an input capacitor 32 connected between both ends of an input power supply 31 and first to fourth transistors 33 to 36. Bridge type switching circuit 37, transformer 38, switching circuit 37
An inductor 39 inserted between the transformer 38 and the transformer 38,
A rectifying circuit 42 including diodes 40 and 41, and a smoothing circuit 45 including an inductor 43 and a capacitor 44.
And a control circuit 4 for controlling the operation of the switching circuit 37
6, the control circuit 46, and the first to fourth transistors 33 to
The output circuit including the rectifier circuit 42 and the smoothing circuit 45 is connected to the load 51.
Further, a parasitic inductance 68 due to the wiring exists between the switching circuit 37 and the input capacitor 32. Here, the first to fourth insulating circuits 47 to 50
The first to first output signals Pulse-A to Pulse-D output from the control circuit 46 while securing the insulation state between the primary side circuit and the secondary side circuit of the switching power supply device 30.
This is a circuit that supplies the gates of the fourth transistors 33 to 36, respectively.

【0049】また、図1に示されるように、スイッチン
グ回路37には、第1〜第4のトランジスタ33〜36
に対してそれぞれ並列に接続されたコンデンサ52〜5
5がさらに含まれており、これらコンデンサ52〜55
は、インダクタ39との共振によって第1〜第4のトラ
ンジスタ33〜36のスイッチング損失を低減する役割
を果たす。さらに、スイッチング回路37には、第1〜
第4のトランジスタ33〜36に対してそれぞれ並列に
接続されたスナバ回路56〜59がさらに含まれてお
り、これらスナバ回路56〜59は、それぞれ抵抗60
〜63とコンデンサ64〜67の直列回路によって構成
される。スナバ回路56〜59は、第1〜第4のトラン
ジスタ33〜36に印加されるサージ電圧を緩和する役
割を果たす。
Further, as shown in FIG. 1, the switching circuit 37 includes the first to fourth transistors 33 to 36.
Capacitors 5 to 5 connected in parallel to
5 is further included and these capacitors 52-55
Plays a role of reducing switching loss of the first to fourth transistors 33 to 36 by resonance with the inductor 39. Further, the switching circuit 37 includes the first to
Further included are snubber circuits 56-59 connected in parallel to the fourth transistors 33-36, respectively.
˜63 and capacitors 64 to 67 are connected in series. The snubber circuits 56 to 59 play a role of reducing the surge voltage applied to the first to fourth transistors 33 to 36.

【0050】制御回路46は平滑回路45からの出力電
圧Voを監視し、これに基づいて出力電圧Voが所定の
値となるようスイッチング回路37の動作を制御する回
路であり、位相シフト制御方式によってその出力信号P
ulse−A〜Pulse−Dを生成している。
The control circuit 46 is a circuit that monitors the output voltage Vo from the smoothing circuit 45 and controls the operation of the switching circuit 37 based on the output voltage Vo so that the output voltage Vo reaches a predetermined value. Its output signal P
pulse-A to Pulse-D are generated.

【0051】図2は、制御回路46の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of the control circuit 46.

【0052】図2に示されるように、制御回路46は、
クロック信号CLKを生成する発振器70を備え、かか
るクロック信号CLKはデータラッチ回路71のクロッ
ク入力端子(CK)に供給される。ここで、発振器70
によって生成されるクロック信号CLKの周波数は、周
波数設定信号FREQ.SETによって設定することが
できる。データラッチ回路71の反転出力端子(反転
Q)は、そのデータ入力端子(D)に接続されているこ
とから、データラッチ回路71の反転出力端子(反転
Q)より出力される内部信号Pulse−A’の論理レ
ベル及び非反転出力端子(Q)より出力される内部信号
Pulse−B’の論理レベルは、クロック信号CLK
の立ち上がりエッジに応答して反転することになる。
As shown in FIG. 2, the control circuit 46 is
The oscillator 70 for generating the clock signal CLK is provided, and the clock signal CLK is supplied to the clock input terminal (CK) of the data latch circuit 71. Here, the oscillator 70
The frequency of the clock signal CLK generated by the frequency setting signal FREQ. It can be set by SET. Since the inverted output terminal (inverted Q) of the data latch circuit 71 is connected to the data input terminal (D), the internal signal Pulse-A output from the inverted output terminal (inverted Q) of the data latch circuit 71. The logic level of the internal signal Pulse-B output from the non-inverting output terminal (Q) and the logic level of the clock signal CLK
It will be inverted in response to the rising edge of.

【0053】これら内部信号Pulse−A’及び内部
信号Pulse−B’は、それぞれ第1のデッドタイム
生成回路72及び第2のデッドタイム生成回路73に供
給され、これら第1のデッドタイム生成回路72及び第
2のデッドタイム生成回路73の出力信号Pulse−
A及び出力信号Pulse−Bは、それぞれ図1に示し
た第1及び第2の絶縁回路47、48に供給される。
The internal signal Pulse-A 'and the internal signal Pulse-B' are supplied to the first dead time generation circuit 72 and the second dead time generation circuit 73, respectively, and these first dead time generation circuit 72 is supplied. And the output signal Pulse− of the second dead time generation circuit 73.
A and the output signal Pulse-B are supplied to the first and second insulating circuits 47 and 48 shown in FIG. 1, respectively.

【0054】また、制御回路46はランプ回路74を備
え、ランプ回路74の入力端74aと接地電位GNDと
の間には、クロック信号CLKをゲートに受けるトラン
ジスタ75が接続されている。これにより、ランプ回路
74の入力端74aは、クロック信号CLKがハイレベ
ルとなるたびに接地され、これに応答してランプ回路7
4は、クロック信号CLKの周期に応答したのこぎり波
RAMP−1を生成することができる。
The control circuit 46 also includes a ramp circuit 74, and a transistor 75 whose gate receives the clock signal CLK is connected between the input terminal 74a of the ramp circuit 74 and the ground potential GND. As a result, the input terminal 74a of the ramp circuit 74 is grounded each time the clock signal CLK goes high, and in response to this, the ramp circuit 7 is grounded.
4 can generate the sawtooth wave RAMP-1 in response to the cycle of the clock signal CLK.

【0055】また、制御回路46は抵抗76、77から
なる分圧回路78を備え、かかる分圧回路78によっ
て、出力電圧Voを分圧した誤差電圧E/A−が生成さ
れる。かかる誤差電圧E/A−は、誤差アンプ79の反
転入力端子(−)に供給されて基準電圧Vrefと比較
され、その結果に基づいて第1の比較信号COMP−1
が生成される。すなわち、誤差アンプ79の出力である
第1の比較信号COMP−1の電圧レベルは、誤差電圧
E/A−と基準電圧Vrefとの大小関係及びその電圧
差に応じて定められ、誤差電圧E/A−が基準電圧Vr
efよりも高ければ高いほど第1の比較信号COMP−
1の電圧は低くなり、逆に、誤差電圧E/A−が基準電
圧Vrefよりも低ければ低いほど第1の比較信号CO
MP−1の電圧は高くなる。ここで、基準電圧Vref
とは、制御回路46の内部で生成される電圧であり、出
力電圧Voの目標値に基づいて設定される。
Further, the control circuit 46 includes a voltage dividing circuit 78 including resistors 76 and 77, and the voltage dividing circuit 78 generates an error voltage E / A- obtained by dividing the output voltage Vo. The error voltage E / A− is supplied to the inverting input terminal (−) of the error amplifier 79 and compared with the reference voltage Vref, and based on the result, the first comparison signal COMP-1.
Is generated. That is, the voltage level of the first comparison signal COMP-1 output from the error amplifier 79 is determined according to the magnitude relationship between the error voltage E / A- and the reference voltage Vref and the voltage difference between them, and the error voltage E / A- is the reference voltage Vr
The higher it is than ef, the first comparison signal COMP-
1 becomes lower, and conversely, the lower the error voltage E / A− is than the reference voltage Vref, the first comparison signal CO
The voltage of MP-1 will be high. Here, the reference voltage Vref
Is a voltage generated inside the control circuit 46 and is set based on the target value of the output voltage Vo.

【0056】第1の比較信号COMP−1は、第1のコ
ンパレータ80の反転入力端子(−)及び第2のコンパ
レータ81の非反転入力端子(+)に供給される。第1
のコンパレータ80の非反転入力端子(+)には電圧源
82の出力電圧V82が供給されており、これにより、
第1のコンパレータ80においては、第1の比較信号C
OMP−1のレベルが電圧源82の出力電圧V82より
も高い場合には、その出力である第2の比較信号COM
P−2はローレベルとなり、第1の比較信号COMP−
1のレベルが電圧源82の出力電圧V82よりも低い場
合には、その出力である第2の比較信号COMP−2は
ハイレベルとなる。本明細書においては、第1の比較信
号COMP−1のレベルが電圧源82の出力電圧V82
よりも高い状態を「通常負荷状態」と呼び、逆に、第1
の比較信号COMP−1のレベルが電圧源82の出力電
圧V82よりも低い状態を「軽負荷状態」若しくは「無
負荷状態」と呼ぶことがある。
The first comparison signal COMP-1 is supplied to the inverting input terminal (-) of the first comparator 80 and the non-inverting input terminal (+) of the second comparator 81. First
The output voltage V82 of the voltage source 82 is supplied to the non-inverting input terminal (+) of the comparator 80 of
In the first comparator 80, the first comparison signal C
When the level of OMP-1 is higher than the output voltage V82 of the voltage source 82, the output of the second comparison signal COM
P-2 becomes low level and the first comparison signal COMP-
When the level of 1 is lower than the output voltage V82 of the voltage source 82, the output of the second comparison signal COMP-2 becomes high level. In this specification, the level of the first comparison signal COMP-1 is the output voltage V82 of the voltage source 82.
The higher state is called the "normal load state", and conversely the first
A state in which the level of the comparison signal COMP-1 is lower than the output voltage V82 of the voltage source 82 may be referred to as a “light load state” or a “no load state”.

【0057】一方、第2のコンパレータ81の反転入力
端子(−)には、のこぎり波RAMP−1に電圧源83
による直流電圧V83を重畳した信号RAMP−2が供
給されており、これにより、第2のコンパレータ81に
おいては、第1の比較信号COMP−1のレベルが信号
RAMP−2のレベルよりも高い場合には、その出力で
ある第3の比較信号COMP−3はハイレベルとなり、
第1の比較信号COMP−1のレベルが信号RAMP−
2のレベルよりも低い場合には、その出力である第3の
比較信号COMP−3はローレベルとなる。本実施態様
においては、電圧源82の出力電圧V82と電圧源83
の出力電圧V83は、実質的に等しく設定されている。
On the other hand, the inverting input terminal (-) of the second comparator 81 has a sawtooth wave RAMP-1 and a voltage source 83.
The signal RAMP-2 superimposed with the DC voltage V83 is supplied to the second comparator 81. Therefore, in the second comparator 81, when the level of the first comparison signal COMP-1 is higher than the level of the signal RAMP-2. The output of the third comparison signal COMP-3 becomes high level,
The level of the first comparison signal COMP-1 is the signal RAMP-
When it is lower than the level of 2, the output of the third comparison signal COMP-3 is low level. In this embodiment, the output voltage V82 of the voltage source 82 and the voltage source 83
The output voltage V83 of each is set to be substantially equal.

【0058】第2の比較信号COMP−2は、非論理和
回路(NOR)84の一方の入力端に供給され、非論理
和回路(NOR)84の他方の入力端には、インバータ
85よりクロック信号CLKの反転信号が供給される。
さらに、第3の比較信号COMP−3は、非論理和回路
(NOR)86の一方の入力端に供給され、非論理和回
路(NOR)86の他方の入力端には、クロック信号C
LKが供給される。
The second comparison signal COMP-2 is supplied to one input end of the non-OR circuit (NOR) 84, and the other input end of the non-OR circuit (NOR) 84 is clocked by the inverter 85. An inverted signal of the signal CLK is supplied.
Further, the third comparison signal COMP-3 is supplied to one input end of the non-OR circuit (NOR) 86, and the clock signal C is supplied to the other input end of the non-OR circuit (NOR) 86.
LK is supplied.

【0059】さらに、制御回路46はRSフリップフロ
ップによって構成されるPWMラッチ回路87を備え、
そのリセット入力端子(R)には非論理和回路(NO
R)84の出力である信号RESETが供給され、その
セット入力端子(S)には非論理和回路(NOR)86
の出力である信号SETが供給される。PWMラッチ回
路87の反転出力端子(反転Q)より出力される内部信
号PWMは、排他的非論理和回路(XNOR)88及び
排他的論理和回路(XOR)89の一方の入力端に共通
に供給され、排他的非論理和回路(XNOR)88及び
排他的論理和回路(XOR)89の他方の入力端には、
内部信号Pulse−A’ が共通に供給される。
Further, the control circuit 46 includes a PWM latch circuit 87 composed of an RS flip-flop,
The reset input terminal (R) has a non-OR circuit (NO
The signal RESET, which is the output of R) 84, is supplied to the set input terminal (S) of the non-OR circuit (NOR) 86.
The signal SET which is the output of is supplied. The internal signal PWM output from the inverted output terminal (inverted Q) of the PWM latch circuit 87 is commonly supplied to one input terminal of the exclusive non-OR circuit (XNOR) 88 and the exclusive OR circuit (XOR) 89. The other input ends of the exclusive non-OR circuit (XNOR) 88 and the exclusive OR circuit (XOR) 89 are
The internal signal Pulse-A ′ is commonly supplied.

【0060】さらに、制御回路46は出力信号Plus
e−A及び出力信号Pluse−Bを入力とする非論理
和回路(NOR)90を備え、その出力である内部信号
DELAYA−Bは、非論理積回路(NAND)91の
一方の入力端に供給される。非論理積回路(NAND)
91の他方の入力端には第2の比較信号COMP−2が
供給されている。また、非論理積回路(NAND)91
の出力は、非論理積回路(NAND)92、93の一方
の入力端に共通に供給され、非論理積回路(NAND)
92、93の他方の入力端には、排他的非論理和回路
(XNOR)88の出力及び排他的論理和回路(XO
R)89の出力がそれぞれ供給される。
Further, the control circuit 46 outputs the output signal Plus.
A non-logical sum circuit (NOR) 90 that receives e-A and the output signal Plus-B is provided, and an internal signal DELAYA-B that is an output thereof is supplied to one input end of a non-logical product circuit (NAND) 91. To be done. Non-logical product circuit (NAND)
The second comparison signal COMP-2 is supplied to the other input terminal of 91. In addition, a non-logical product circuit (NAND) 91
Of the non-logical product circuit (NAND) 92 and 93 is commonly supplied to the non-logical product circuit (NAND)
At the other input terminals of 92 and 93, the output of the exclusive non-OR circuit (XNOR) 88 and the exclusive OR circuit (XO
R) 89 outputs are respectively supplied.

【0061】非論理積回路(NAND)92の出力であ
る内部信号Pulse−C’及び非論理積回路(NAN
D)93の出力である内部信号Pulse−D’は、そ
れぞれ第3のデッドタイム生成回路94及び第4のデッ
ドタイム生成回路95に供給され、これら第3のデッド
タイム生成回路94及び第4のデッドタイム生成回路9
5の出力信号Pulse−C及び出力信号Pulse−
Dは、それぞれ図1に示した第3及び第4の絶縁回路4
9、50に供給される。
The internal signal Pulse-C 'which is the output of the non-logical product circuit (NAND) 92 and the non-logical product circuit (NAN)
The internal signal Pulse-D ′, which is the output of D) 93, is supplied to the third dead time generation circuit 94 and the fourth dead time generation circuit 95, respectively, and the third dead time generation circuit 94 and the fourth dead time generation circuit 94 are supplied. Dead time generation circuit 9
5 output signal Pulse-C and output signal Pulse-
D is the third and fourth insulating circuits 4 shown in FIG. 1, respectively.
9 and 50 are supplied.

【0062】図3は、第1〜第4のデッドタイム生成回
路72、73、94、95の具体的な回路構成を示す回
路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a concrete circuit configuration of the first to fourth dead time generation circuits 72, 73, 94 and 95.

【0063】図3に示されるように、第1〜第4のデッ
ドタイム生成回路72、73、94、95は、いずれも
遅延回路96及び非論理和回路(NOR)97を備えて
おり、非論理和回路(NOR)97の一方の入力端に
は、対応する内部信号Pulse−A’〜Pulse−
D’が直接供給され、非論理和回路(NOR)97の他
方の入力端には、遅延回路96によって内部信号Pul
se−A’〜Pulse−D’ を遅延した遅延信号P
ulse−A”〜Pulse−D”が供給される。ここ
で、遅延回路96による遅延量は、第1及び第2のデッ
ドタイム生成回路72、73については遅延量設定信号
DELAYSETA−Bによって設定することができ、
第3及び第4のデッドタイム生成回路94、95につい
ては遅延量設定信号DELAYSETC−Dによって設
定することができる。遅延量設定信号DELAYSET
A−Bによって設定された遅延量(TdelayA−
B)は、第1及び第2のデッドタイム生成回路72、7
3において実質的に互いに等しく、同様に、遅延量設定
信号DELAYSETC−Dによって設定された遅延量
(TdelayC−D)は、第3及び第4のデッドタイ
ム生成回路94、95において実質的に互いに等しい。
As shown in FIG. 3, each of the first to fourth dead time generation circuits 72, 73, 94 and 95 includes a delay circuit 96 and a non-logical sum circuit (NOR) 97, and The corresponding internal signals Pulse-A ′ to Pulse- are connected to one input terminal of the logical sum circuit (NOR) 97.
D'is directly supplied to the other input terminal of the non-OR circuit (NOR) 97 by the delay circuit 96 and the internal signal Pul.
delay signal P obtained by delaying se-A 'to Pulse-D'
pulse-A "to Pulse-D" are supplied. Here, the delay amount by the delay circuit 96 can be set by the delay amount setting signal DELAYSETA-B for the first and second dead time generation circuits 72, 73.
The third and fourth dead time generation circuits 94 and 95 can be set by the delay amount setting signal DELAYSETC-D. Delay amount setting signal DELAYSET
A delay amount set by A-B (TdelayA-
B) is the first and second dead time generation circuits 72, 7
3 is substantially equal to each other, and similarly, the delay amount (TdelayC-D) set by the delay amount setting signal DELAYSETC-D is substantially equal to each other in the third and fourth dead time generation circuits 94 and 95. .

【0064】図4は、第1〜第4のデッドタイム生成回
路72、73、94、95の動作を示すタイミング図で
ある。
FIG. 4 is a timing chart showing the operation of the first to fourth dead time generation circuits 72, 73, 94 and 95.

【0065】図4に示されるように、遅延信号Puls
e−A”〜Pulse−D”の波形は、それぞれ対応す
る内部信号Pulse−A’〜Pulse−D’に対し
て遅延回路96による遅延量(TdelayA−Bまた
はTdelayC−D)だけ遅れるため、出力信号Pu
lse−A〜Pulse−Dは、対応する内部信号Pu
lse−A’〜Pulse−D’及び遅延信号Puls
e−A”〜Pulse−D”がいずれもローレベルの期
間においてハイレベルとなる。したがって、出力信号P
ulse−A〜Pulse−Dは、対応する遅延信号P
ulse−A”〜Pulse−D”の立ち下がりエッジ
に応答して立ち上がり、対応する内部信号Pulse−
A’〜Pulse−D’の立ち上がりエッジに応答して
立ち下がる波形となる。
As shown in FIG. 4, the delay signal Puls
The waveforms e-A "to Pulse-D" are output because they are delayed by the delay amount (TdelayA-B or TdelayC-D) by the delay circuit 96 with respect to the corresponding internal signals Pulse-A 'to Pulse-D', respectively. Signal Pu
lse-A to Pulse-D are corresponding internal signals Pu.
lse-A 'to Pulse-D' and the delayed signal Pulses
All of e-A "to Pulse-D" are high level during the low level period. Therefore, the output signal P
pulse-A to Pulse-D are corresponding delayed signals P.
pulse-A "to Pulse-D" rising in response to the falling edges of the corresponding internal signal Pulse-
The waveform has a falling edge in response to the rising edges of A ′ to Pulse-D ′.

【0066】次に、制御回路46の動作について説明す
る。
Next, the operation of the control circuit 46 will be described.

【0067】図5は、通常負荷状態における制御回路4
6の動作を示すタイミング図である。尚、図5におい
て、「88OUT」とは排他的非論理和回路(XNO
R)88の出力レベルを意味し、「89OUT」とは排
他的論理和回路(XOR)89の出力レベルを意味し、
「91OUT」とは非論理積回路(NAND)91の出
力レベルを意味する。
FIG. 5 shows the control circuit 4 in the normal load state.
6 is a timing chart showing the operation of No. 6. In FIG. 5, "88OUT" is an exclusive non-OR circuit (XNO
R) means the output level of 88, "89OUT" means the output level of the exclusive OR circuit (XOR) 89,
“91 OUT” means the output level of the non-logical product circuit (NAND) 91.

【0068】図5に示されるように、通常負荷状態にお
いては、第1の比較信号COMP−1のレベルが電圧源
82の出力電圧V82よりも高いことから、第1のコン
パレータ80の出力である第2の比較信号COMP−2
のレベルはローレベルに固定される。一方、第2のコン
パレータ81の出力である第3の比較信号COMP−3
は、RAMP−2のレベルが第1の比較信号COMP−
1のレベルよりも低くなる期間、すなわち、クロック信
号CLKの立ち上がりから所定の期間(クロック周期の
前半)においてハイレベルとなり、RAMP−2のレベ
ルが第1の比較信号COMP−1のレベルよりも高くな
る期間、すなわち、クロック周期の後半においてローレ
ベルとなる。
As shown in FIG. 5, in the normal load state, the level of the first comparison signal COMP-1 is higher than the output voltage V82 of the voltage source 82, and therefore the output of the first comparator 80. Second comparison signal COMP-2
The level of is fixed to low level. On the other hand, the third comparison signal COMP-3 which is the output of the second comparator 81.
Has a level of RAMP-2 equal to the first comparison signal COMP-.
The level of RAMP-2 is higher than the level of the first comparison signal COMP-1 during the period when the level is lower than 1, that is, during a predetermined period (first half of the clock cycle) from the rising of the clock signal CLK. During the period, that is, in the latter half of the clock cycle, it becomes low level.

【0069】このため、PWMラッチ回路87は、クロ
ック信号CLKの立ち上がりエッジに応答してリセット
され、RAMP−2のレベルが第1の比較信号COMP
−1のレベルを超えるタイミングにおいてセットされる
ことになる。これにより、排他的非論理和回路(XNO
R)88の出力(88OUT)及び排他的論理和回路
(XOR)89の出力(89OUT)は、RAMP−2
のレベルが第1の比較信号COMP−1のレベルを超え
るタイミングにおいて反転する波形となる。
Therefore, the PWM latch circuit 87 is reset in response to the rising edge of the clock signal CLK, and the level of the RAMP-2 is the first comparison signal COMP.
It will be set at the timing exceeding the level of -1. As a result, the exclusive OR circuit (XNO
The output (88OUT) of the R) 88 and the output (89OUT) of the exclusive OR circuit (XOR) 89 are the RAMP-2.
Has a waveform that is inverted at the timing when the level of exceeds the level of the first comparison signal COMP-1.

【0070】また、第2の比較信号COMP−2のレベ
ルがローレベルに固定されていることから、非論理積回
路(NAND)91の出力(91OUT)はハイレベル
に固定される。このため、内部信号Pulse−C’
は、排他的非論理和回路(XNOR)88の出力(88
OUT)の反転信号となり、内部信号Pulse−D’
は、排他的論理和回路(XOR)89の出力(89OU
T)の反転信号となる。このようにして生成された内部
信号Pulse−C’及びPulse−D’は、第3及
び第4のデッドタイム生成回路94、95によってデッ
ドタイムが与えられ、図5に示されるような出力信号P
ulse−C及びPulse−Dが得られる。図5を参
照すれば、出力信号Pulse−C及びPulse−D
の波形は、出力信号Pulse−A及びPulse−B
に対し、それぞれ所定量だけ位相がシフトした波形とな
っていることが分かる。
Since the level of the second comparison signal COMP-2 is fixed at the low level, the output (91OUT) of the non-logical product circuit (NAND) 91 is fixed at the high level. Therefore, the internal signal Pulse-C '
Is the output (88) of the exclusive OR circuit (XNOR) 88.
OUT) and the internal signal Pulse-D '
Is the output (89OU) of the exclusive OR circuit (XOR) 89.
It becomes an inverted signal of T). The internal signals Pulse-C 'and Pulse-D' thus generated are given dead times by the third and fourth dead time generation circuits 94 and 95, and output signals P as shown in FIG.
pulse-C and pulse-D are obtained. Referring to FIG. 5, output signals Pulse-C and Pulse-D
Of the output signals Pulse-A and Pulse-B
On the other hand, it can be seen that the waveforms are each phase-shifted by a predetermined amount.

【0071】このようにして制御回路46により生成さ
れた出力信号Pulse−A〜Pulse−Dは、上述
のとおり、第1〜第4の絶縁回路47〜50を介して、
第1〜第4のトランジスタ33〜36のゲート電極にそ
れぞれ供給される。これにより、Pulse−AとPu
lse−Dがいずれもハイレベルとなっている期間にお
いては、第1のトランジスタ33及び第4のトランジス
タ36の両方がオン状態となるため、トランス38の1
次側の電圧VmtはVinとなり、Pulse−BとP
ulse−Cがいずれもハイレベルとなっている期間に
おいては、第2のトランジスタ34及び第3のトランジ
スタ35の両方がオン状態となるため、トランス38の
1次側の電圧Vmtは−Vinとなる。その他の期間に
おいては、トランス38の1次側の電圧Vmtはゼロで
ある。
The output signals Pulse-A to Pulse-D thus generated by the control circuit 46 are transmitted through the first to fourth insulating circuits 47 to 50 as described above.
It is supplied to the gate electrodes of the first to fourth transistors 33 to 36, respectively. This enables Pulse-A and Pu
During a period in which all of lse-D are at the high level, both the first transistor 33 and the fourth transistor 36 are in the ON state, so that the transformer 38
The voltage Vmt on the next side becomes Vin, and Pulse-B and P
During the period in which both ulse-C are at the high level, both the second transistor 34 and the third transistor 35 are turned on, so that the voltage Vmt on the primary side of the transformer 38 becomes -Vin. . In other periods, the voltage Vmt on the primary side of the transformer 38 is zero.

【0072】これにより、Pulse−AとPulse
−Dがいずれもハイレベルとなっている期間及びPul
se−BとPulse−Cがいずれもハイレベルとなっ
ている期間に応じた電力がトランス38の2次側に伝送
されることになる。図5から明らかなように、Puls
e−AとPulse−Dがいずれもハイレベルとなって
いる期間及びPulse−BとPulse−Cがいずれ
もハイレベルとなっている期間は、RAMP−2のレベ
ルが第1の比較信号COMP−1のレベルを超えるタイ
ミングに依存するため、第1の比較信号COMP−1の
レベルに基づいてこれら期間が定められることになる。
具体的には、第1の比較信号COMP−1のレベルが低
いほど(出力電圧Voが高いほど)上記期間は短くなっ
て、トランス38の2次側に伝送される電力は小さくな
り、逆に、第1の比較信号COMP−1のレベルが高い
ほど(出力電圧Voが低いほど)上記期間は長くなっ
て、トランス38の2次側に伝送される電力は大きくな
る。これにより、出力電圧Voは所定の電圧に維持され
ることになる。
As a result, Pulse-A and Pulse-A
-Pul and D are both high level
Power corresponding to the period when both se-B and Pulse-C are at high level is transmitted to the secondary side of the transformer 38. As apparent from FIG. 5, Puls
During a period in which both e-A and Pulse-D are at a high level and a period in which both Pulse-B and Pulse-C are at a high level, the level of RAMP-2 is the first comparison signal COMP-. These periods are determined based on the level of the first comparison signal COMP-1 because it depends on the timing of exceeding the level of 1.
Specifically, the lower the level of the first comparison signal COMP-1 (the higher the output voltage Vo), the shorter the period, and the smaller the power transmitted to the secondary side of the transformer 38, and vice versa. , The higher the level of the first comparison signal COMP-1 (the lower the output voltage Vo), the longer the period, and the larger the power transmitted to the secondary side of the transformer 38. As a result, the output voltage Vo is maintained at the predetermined voltage.

【0073】このような動作において、第1〜第4のト
ランジスタ33〜36のスイッチング損失は、これら第
1〜第4のトランジスタ33〜36に対してそれぞれ並
列に接続されたコンデンサ52〜55とインダクタ39
との共振によって低減される。
In such operation, the switching losses of the first to fourth transistors 33 to 36 are caused by the capacitors 52 to 55 and the inductors connected in parallel to the first to fourth transistors 33 to 36, respectively. 39
It is reduced by resonance with.

【0074】以上により、本実施態様にかかるスイッチ
ング電源装置30は、制御回路46による位相シフト制
御により、通常負荷状態においてトランス38の2次側
に適切な電力を伝送することができる。
As described above, the switching power supply device 30 according to the present embodiment can transmit appropriate power to the secondary side of the transformer 38 under the normal load condition by the phase shift control by the control circuit 46.

【0075】次に、軽負荷状態若しくは無負荷状態にお
ける制御回路46の動作について説明する。
Next, the operation of the control circuit 46 in the light load state or the no load state will be described.

【0076】図6は、軽負荷状態若しくは無負荷状態に
おける制御回路46の動作を示すタイミング図である。
FIG. 6 is a timing chart showing the operation of the control circuit 46 in the light load state or the no load state.

【0077】図6に示されるように、軽負荷状態若しく
は無負荷状態においては、第1の比較信号COMP−1
のレベルが電圧源82の出力電圧V82よりも低いこと
から、第1のコンパレータ80の出力である第2の比較
信号COMP−2のレベルはハイレベルに固定される。
同様に、第1の比較信号COMP−1のレベルがRAM
P−2のレベルよりも常に低いことから、第2のコンパ
レータ81の出力である第3の比較信号COMP−3の
レベルはローレベルに固定される。
As shown in FIG. 6, in the light load state or the no load state, the first comparison signal COMP-1
Is lower than the output voltage V82 of the voltage source 82, the level of the second comparison signal COMP-2, which is the output of the first comparator 80, is fixed to the high level.
Similarly, when the level of the first comparison signal COMP-1 is RAM
Since it is always lower than the level of P-2, the level of the third comparison signal COMP-3, which is the output of the second comparator 81, is fixed to the low level.

【0078】このため、PWMラッチ回路87はリセッ
トされない状態となり、したがってその反転出力端子
(反転Q)より出力される内部信号PWMは、ローレベ
ルに固定される。これにより、排他的非論理和回路(X
NOR)88の出力(88OUT)は内部信号Puls
e−B’の波形と一致し、排他的論理和回路(XOR)
89の出力(89OUT)は、内部信号Pulse−
A’の波形と一致することになる。
Therefore, the PWM latch circuit 87 is not reset, and therefore the internal signal PWM output from its inverting output terminal (inversion Q) is fixed to the low level. As a result, the exclusive OR circuit (X
The output (88OUT) of NOR) 88 is the internal signal Pulse.
An exclusive OR circuit (XOR) that matches the waveform of e-B '
The output of 89 (89OUT) is the internal signal Pulse-
It matches the waveform of A '.

【0079】また、第2の比較信号COMP−2のレベ
ルがハイレベルに固定されていることから、非論理積回
路(NAND)91の出力(91OUT)は、非論理和
回路(NOR)90の出力である内部信号DELAYA
−Bを反転した波形となる。このため、内部信号Pul
se−C’は、排他的非論理和回路(XNOR)88の
出力(88OUT)と非論理積回路(NAND)91の
出力(91OUT)がいずれもハイレベルである期間に
おいてローレベルとなり、内部信号Pulse−D’
は、排他的論理和回路(XOR)89の出力(89OU
T)と非論理積回路(NAND)91の出力(91OU
T)がいずれもハイレベルである期間においてローレベ
ルとなる。
Since the level of the second comparison signal COMP-2 is fixed at the high level, the output (91OUT) of the non-logical product circuit (NAND) 91 is output from the non-logical sum circuit (NOR) 90. Output internal signal DELAYA
The waveform is the inverse of -B. Therefore, the internal signal Pul
se-C ′ becomes a low level during a period in which the output (88OUT) of the exclusive non-logical sum circuit (XNOR) 88 and the output (91OUT) of the non-logical product circuit (NAND) 91 are both at a high level, and an internal signal Pulse-D '
Is the output (89OU) of the exclusive OR circuit (XOR) 89.
T) and the output of the non-logical product circuit (NAND) 91 (91OU
Both T) are at a low level while they are at a high level.

【0080】このようにして生成された内部信号Pul
se−C’及びPulse−D’は、第3及び第4のデ
ッドタイム生成回路94、95によってデッドタイムが
与えられ、図6に示されるような出力信号Pulse−
C及びPulse−Dが得られる。図6を参照すれば、
出力信号Pulse−Cと出力信号Pulse−Bがい
ずれもハイレベルとなっている期間はなく、また、出力
信号Pulse−Dと出力信号Pulse−Aがいずれ
もハイレベルとなっている期間はないことが分かる。さ
らに、出力信号Pulse−Cの立ち上がりエッジは、
出力信号Pulse−Aの立ち上がりエッジに対してT
delayC−Dだけ遅れており、また、出力信号Pu
lse−Dの立ち上がりエッジは、出力信号Pulse
−Bの立ち上がりエッジに対してTdelayC−Dだ
け遅れていることが分かる。
The internal signal Pul generated in this way
se-C 'and Pulse-D' are given dead times by the third and fourth dead time generation circuits 94 and 95, and output signals Pulse- as shown in FIG.
C and Pulse-D are obtained. Referring to FIG.
There is no period in which both the output signal Pulse-C and the output signal Pulse-B are at a high level, and there is no period in which both the output signal Pulse-D and the output signal Pulse-A are at a high level. I understand. Furthermore, the rising edge of the output signal Pulse-C is
T for the rising edge of the output signal Pulse-A
delay C-D, and the output signal Pu
The rising edge of lse-D is the output signal Pulse.
It can be seen that there is a delay of TdelayC-D with respect to the rising edge of -B.

【0081】このようにして制御回路46により生成さ
れた出力信号Pulse−A〜Pulse−Dは、上述
のとおり、第1〜第4の絶縁回路47〜50を介して、
第1〜第4のトランジスタ33〜36のゲート電極にそ
れぞれ供給されるが、上述のとおり、Pulse−Aと
Pulse−Dがいずれもハイレベルとなっている期間
がないことから、第1のトランジスタ33及び第4のト
ランジスタ36の両方が同時にオン状態となることはな
く、また、Pulse−BとPulse−Cがいずれも
ハイレベルとなっている期間がないことから、第2のト
ランジスタ34及び第3のトランジスタ35の両方が同
時にオン状態となることはない。
The output signals Pulse-A to Pulse-D generated by the control circuit 46 in this manner are transmitted through the first to fourth insulating circuits 47 to 50 as described above.
It is supplied to the gate electrodes of the first to fourth transistors 33 to 36, respectively, but as described above, since there is no period in which both Pulse-A and Pulse-D are at the high level, the first transistor Both 33 and the fourth transistor 36 are not turned on at the same time, and since there is no period in which both Pulse-B and Pulse-C are at the high level, the second transistor 34 and the fourth transistor 36 Both of the three transistors 35 are not turned on at the same time.

【0082】これにより、トランス38の1次側には電
圧が発生せず、したがって、トランス38の2次側に伝
送される電力はゼロとなり、出力電圧Voは所定の電圧
に維持されることになる。
As a result, no voltage is generated on the primary side of the transformer 38, so that the power transmitted to the secondary side of the transformer 38 becomes zero and the output voltage Vo is maintained at a predetermined voltage. Become.

【0083】しかも、上述のとおり、出力信号Puls
e−Cの立ち上がりエッジは、出力信号Pulse−A
の立ち上がりエッジに対してTdelayC−Dだけ遅
れて現れ、出力信号Pulse−Dの立ち上がりエッジ
は、出力信号Pulse−Bの立ち上がりエッジに対し
てTdelayC−Dだけ遅れて現れることから、スイ
ッチング回路37におけるサージ電圧の発生が時間的に
分散され、これにより、スイッチング回路37に含まれ
る第1〜第4のトランジスタ33〜36に与えられるス
トレスは、従来のスイッチング電源装置10に比べて大
幅に低減される。
Moreover, as described above, the output signal Pulse
The rising edge of e-C is the output signal Pulse-A.
Of the output signal Pulse-D appears later than the rising edge of the output signal Pulse-B by TdelayC-D. The voltage generation is temporally dispersed, and the stress applied to the first to fourth transistors 33 to 36 included in the switching circuit 37 is significantly reduced as compared with the conventional switching power supply device 10.

【0084】図7(a)〜(d)は、これを説明するた
めのスイッチング回路37の模式図である。
FIGS. 7A to 7D are schematic diagrams of the switching circuit 37 for explaining this.

【0085】まず、Pulse−A及びPulse−C
がハイレベルであり、Pulse−B及びPulse−
Dがローレベルであるタイミング(時刻t10)におい
ては、図7(a)に示されるように、第2及び第4のト
ランジスタ34、36の両端間の電圧はVinであり、
かかる電圧が第2のトランジスタ34の両端間の容量成
分C34及び第4のトランジスタ36の両端間の容量成
分C36に充電された状態となる。ここで、第2のトラ
ンジスタ34の両端間の容量成分C34とは、第2のト
ランジスタ34のソース−ドレイン間容量、コンデンサ
53の容量及びコンデンサ65の容量からなる。同様
に、第4のトランジスタ36の両端間の容量成分C36
とは、第4のトランジスタ36のソース−ドレイン間容
量、コンデンサ55の容量及びコンデンサ67の容量か
らなる。
First, Pulse-A and Pulse-C
Is high level, and Pulse-B and Pulse-
At the timing when D is at the low level (time t10), as shown in FIG. 7A, the voltage across the second and fourth transistors 34 and 36 is Vin,
The voltage is charged in the capacitance component C34 between both ends of the second transistor 34 and the capacitance component C36 between both ends of the fourth transistor 36. Here, the capacitance component C34 between both ends of the second transistor 34 includes the source-drain capacitance of the second transistor 34, the capacitance of the capacitor 53, and the capacitance of the capacitor 65. Similarly, the capacitance component C36 across the fourth transistor 36 is
Is composed of the source-drain capacitance of the fourth transistor 36, the capacitance of the capacitor 55, and the capacitance of the capacitor 67.

【0086】次に、Pulse−A及びPulse−C
がハイレベルからローレベルに変化するタイミング(時
刻t11)においては、図7(b)に示されるように、
第1及び第3のトランジスタ33、35がオン状態から
オフ状態に変化するものの、第2及び第4のトランジス
タ34、36がオフ状態に維持されていることから、時
刻t10と同様、第2及び第4のトランジスタ34、3
6の両端間の容量成分C34、C36には電圧Vinが
充電された状態が維持される。
Next, Pulse-A and Pulse-C
At the timing (time t11) when is changed from the high level to the low level, as shown in FIG.
Although the first and third transistors 33 and 35 change from the on-state to the off-state, the second and fourth transistors 34 and 36 are maintained in the off-state. Fourth transistors 34, 3
The state that the voltage Vin is charged in the capacitance components C34 and C36 between both ends of 6 is maintained.

【0087】次に、Pulse−Bがローレベルからハ
イレベルに変化するタイミング(時刻t12)において
は、図7(c)に示されるように、第2のトランジスタ
34がオフ状態からオン状態に変化することから、第2
のトランジスタ34の両端間の容量成分C34が放電さ
れる。これにより、第2のトランジスタ34の両端間の
容量成分C34に充電されていた電荷は、電流I11を
発生させるので、スイッチング回路37と入力コンデン
サ32との間に存在する寄生インダクタンス68には、
かかる電流I11が流れることになる。これにより、第
1のトランジスタ33の両端間にはサージ電圧が発生す
るが、その電圧値は従来のスイッチング電源装置10に
おいて発生するサージ電圧よりも低く抑えられる。
Next, at the timing (time t12) when Pulse-B changes from the low level to the high level, as shown in FIG. 7C, the second transistor 34 changes from the off state to the on state. From doing the second
The capacitance component C34 across the transistor 34 is discharged. As a result, the electric charge charged in the capacitance component C34 across the second transistor 34 generates the current I11, so that the parasitic inductance 68 existing between the switching circuit 37 and the input capacitor 32 is
This current I11 will flow. As a result, a surge voltage is generated between both ends of the first transistor 33, but the voltage value is suppressed to be lower than the surge voltage generated in the conventional switching power supply device 10.

【0088】そして、時刻t12からTdelayC−
Dが経過した後、Pulse−Dがローレベルからハイ
レベルに変化するタイミング(時刻t13)において
は、図7(d)に示されるように、第4のトランジスタ
36がオフ状態からオン状態に変化することから、第4
のトランジスタ3の両端間の容量成分C36が放電され
る。これにより、第4のトランジスタ36の両端間の容
量成分C36に充電されていた電荷は、電流I12を発
生させるので、スイッチング回路37と入力コンデンサ
32との間に存在する寄生インダクタンス68には、か
かる電流I12が流れることになる。これにより、第3
のトランジスタ35の両端間にはサージ電圧が発生する
が、その電圧値は従来のスイッチング電源装置10にお
いて発生するサージ電圧よりも低く抑えられる。
Then, from time t12, TdelayC-
At the timing (time t13) when the Pulse-D changes from the low level to the high level after the lapse of D, as shown in FIG. 7D, the fourth transistor 36 changes from the off state to the on state. From doing, the fourth
The capacitance component C36 across the transistor 3 is discharged. As a result, the electric charge charged in the capacitance component C36 between both ends of the fourth transistor 36 generates the current I12, so that the parasitic inductance 68 existing between the switching circuit 37 and the input capacitor 32 is applied. The current I12 will flow. This makes the third
Although a surge voltage is generated between both ends of the transistor 35, the voltage value thereof can be suppressed to be lower than the surge voltage generated in the conventional switching power supply device 10.

【0089】同様に、Pulse−A及びPulse−
Cがローレベルからハイレベルに変化する場合において
も、Pulse−Aがローレベルからハイレベルに変化
(時刻t14)した後、Pulse−Cがローレベルか
らハイレベルに変化(時刻t15)する。
Similarly, Pulse-A and Pulse-A
Even when C changes from the low level to the high level, Pulse-A changes from the low level to the high level (time t14), and then Pulse-C changes from the low level to the high level (time t15).

【0090】このように、本実施態様にかかるスイッチ
ング電源装置30では、軽負荷状態若しくは無負荷状態
において出力信号Pulse−Cの立ち上がりエッジ
が、出力信号Pulse−Aの立ち上がりエッジに対し
てTdelayC−Dだけ遅れて現れ、出力信号Pul
se−Dの立ち上がりエッジが、出力信号Pulse−
Bの立ち上がりエッジに対してTdelayC−Dだけ
遅れて現れることから、スイッチング回路37における
サージ電圧の発生が時間的に分散され、これにより、ス
イッチング回路37に含まれる第1〜第4のトランジス
タ33〜36に与えられるストレスが低減される。この
ため、第1〜第4のトランジスタ33〜36に対して大
容量のコンデンサを付加することなく、サージ電圧によ
る第1〜第4のトランジスタ33〜36の破壊を効果的
に防止することができる。
As described above, in the switching power supply device 30 according to the present embodiment, the rising edge of the output signal Pulse-C in the light load state or the no-load state is TdelayC-D with respect to the rising edge of the output signal Pulse-A. Appears with a delay, and the output signal Pul
The rising edge of se-D is the output signal Pulse-
Since it appears with a delay of TdelayC-D with respect to the rising edge of B, the generation of the surge voltage in the switching circuit 37 is dispersed in time, whereby the first to fourth transistors 33 to 33 included in the switching circuit 37. The stress on 36 is reduced. Therefore, destruction of the first to fourth transistors 33 to 36 due to surge voltage can be effectively prevented without adding a large-capacity capacitor to the first to fourth transistors 33 to 36. .

【0091】次に、本発明の好ましい他の実施態様につ
いて説明する。
Next, another preferred embodiment of the present invention will be described.

【0092】本発明の好ましい他の実施態様にかかるス
イッチング電源装置100は図1に示されており、上記
実施態様にかかるスイッチング電源装置30に対し、制
御回路46が制御回路101に置き換えられている点に
おいて異なる。その他の構成要素については上記実施態
様にかかるスイッチング電源装置30と同様であるの
で、重複する説明を波省略する。
A switching power supply device 100 according to another preferred embodiment of the present invention is shown in FIG. 1. In the switching power supply device 30 according to the above embodiment, the control circuit 46 is replaced with a control circuit 101. They differ in points. The other components are the same as those of the switching power supply device 30 according to the above-described embodiment, and thus the overlapping description will be omitted.

【0093】図8は、制御回路101の回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram of the control circuit 101.

【0094】図8に示されるように、制御回路101
は、制御回路46に備えられている非論理和回路(NO
R)90が削除され、非論理和回路(NOR)90が生
成する内部信号DELAYA−Bの代わりにクロック信
号CLKが用いられている点において制御回路46と異
なる。その他の構成要素については制御回路46と同様
であるので、重複する説明を波省略する。
As shown in FIG. 8, the control circuit 101
Is a non-OR circuit (NO
R) 90 is deleted, and the clock signal CLK is used instead of the internal signal DELAYA-B generated by the non-OR circuit (NOR) 90, which is different from the control circuit 46. The other components are the same as those of the control circuit 46, and a duplicate description will be omitted.

【0095】このような構成を有する制御回路101に
おいても、既に説明した制御回路46とほぼ同様の動作
を行うことができる。具体的には、制御回路101で
は、軽負荷状態若しくは無負荷状態において出力信号P
ulse−Cの立ち上がりエッジが、出力信号Puls
e−Aの立ち上がりエッジに対してクロック信号CLK
がハイレベルである期間だけ遅れて現れ、出力信号Pu
lse−Dの立ち上がりエッジが、出力信号Pulse
−Bの立ち上がりエッジに対してクロック信号CLKが
ハイレベルである期間だけ遅れて現れる。これにより、
上記実施態様にかかるスイッチング電源装置30と同
様、スイッチング回路37におけるサージ電圧の発生が
時間的に分散され、これにより、サージ電圧による第1
〜第4のトランジスタ33〜36の破壊を効果的に防止
することができる。
The control circuit 101 having such a configuration can also perform substantially the same operation as the control circuit 46 already described. Specifically, the control circuit 101 outputs the output signal P in the light load state or the no load state.
The rising edge of pulse-C is the output signal Pulse
Clock signal CLK for the rising edge of e-A
Appears with a delay for a period of high level, and the output signal Pu
The rising edge of lse-D is the output signal Pulse
It appears after the rising edge of -B by a period in which the clock signal CLK is at the high level. This allows
Similar to the switching power supply device 30 according to the above-described embodiment, the generation of the surge voltage in the switching circuit 37 is dispersed in terms of time, whereby the first surge voltage is generated.
~ The destruction of the fourth transistors 33 to 36 can be effectively prevented.

【0096】次に、本発明の好ましいさらに他の実施態
様について説明する。
Next, still another preferred embodiment of the present invention will be described.

【0097】本発明の好ましいさらに他の実施態様にか
かるスイッチング電源装置110は図1に示されてお
り、上記実施態様にかかるスイッチング電源装置30に
対し、制御回路46が制御回路111に置き換えられて
いる点において異なる。その他の構成要素については上
記実施態様にかかるスイッチング電源装置30と同様で
あるので、重複する説明を波省略する。
A switching power supply device 110 according to still another preferred embodiment of the present invention is shown in FIG. 1. In the switching power supply device 30 according to the above embodiment, the control circuit 46 is replaced with a control circuit 111. Differ in that there is. The other components are the same as those of the switching power supply device 30 according to the above-described embodiment, and thus the overlapping description will be omitted.

【0098】図9は、制御回路111の回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram of the control circuit 111.

【0099】図9に示されるように、制御回路111
は、トランジスタ75のゲート、インバータ85の入力
端及び非論理和回路(NOR)86の片方の入力端に供
給される信号として、クロック信号CLKの代わりに内
部信号DELAYA−Bが用いられている点において制
御回路46と異なる。その他の構成要素については制御
回路46と同様であるので、重複する説明を波省略す
る。
As shown in FIG. 9, the control circuit 111
Is that the internal signal DELAYA-B is used instead of the clock signal CLK as a signal supplied to the gate of the transistor 75, the input end of the inverter 85, and one input end of the non-OR circuit (NOR) 86. In the control circuit 46. The other components are the same as those of the control circuit 46, and a duplicate description will be omitted.

【0100】このような構成を有する制御回路111に
おいても、既に説明した制御回路46と同様、軽負荷状
態若しくは無負荷状態において出力信号Pulse−C
の立ち上がりエッジが、出力信号Pulse−Aの立ち
上がりエッジに対してTdelayC−Dだけ遅れて現
れ、出力信号Pulse−Dの立ち上がりエッジが、出
力信号Pulse−Bの立ち上がりエッジに対してTd
elayC−Dだけ遅れて現れる。これにより、上記実
施態様にかかるスイッチング電源装置30と同様、スイ
ッチング回路37におけるサージ電圧の発生が時間的に
分散され、これにより、サージ電圧による第1〜第4の
トランジスタ33〜36の破壊を効果的に防止すること
ができる。
Also in the control circuit 111 having such a configuration, similarly to the control circuit 46 already described, the output signal Pulse-C is set in the light load state or the no load state.
Of the output signal Pulse-A appears with a delay of TdelayC-D with respect to the rising edge of the output signal Pulse-A, and the rising edge of the output signal Pulse-D is Td with respect to the rising edge of the output signal Pulse-B.
Appears delayed by elayC-D. As a result, similarly to the switching power supply device 30 according to the above-described embodiment, the generation of the surge voltage in the switching circuit 37 is dispersed over time, and thus the first to fourth transistors 33 to 36 are effectively destroyed by the surge voltage. Can be prevented.

【0101】さらに、制御回路111においては、トラ
ンジスタ75のゲートに供給される信号として、クロッ
ク信号CLKの代わりに内部信号DELAYA−Bが用
いられていることから、第2のコンパレータ81による
第1の比較信号COMP−1のレベルとRAMP−2の
レベルとの比較を、RAMP−2の最小レベル(=V8
3)から最大レベルの実質的全領域に亘って有効に行う
ことが可能となり、且つ、トランス38の1次側電圧V
mtを入力電圧Vin(−Vin)とすべき期間の最小
値(出力パルスの最小幅)を実質的に無限小まで制御す
ることが可能となる。以下これについて、制御回路46
における第1の比較信号COMP−1のレベルと比較可
能なRAMP−2のレベル領域、並びに、制御回路46
における出力パルスの最小幅との比較において詳細に説
明する。
Further, in the control circuit 111, since the internal signal DELAYA-B is used instead of the clock signal CLK as the signal supplied to the gate of the transistor 75, the first comparator 81 outputs the first signal. The comparison between the level of the comparison signal COMP-1 and the level of RAMP-2 is performed by comparing the minimum level of RAMP-2 (= V8).
It becomes possible to effectively carry out from 3) to substantially the entire region of the maximum level, and the primary side voltage V of the transformer 38 is increased.
It is possible to control the minimum value (minimum width of the output pulse) of the period in which mt should be the input voltage Vin (-Vin) to a substantially infinitesimal value. Hereinafter, regarding this, the control circuit 46
, The level region of RAMP-2 that can be compared with the level of the first comparison signal COMP-1, and the control circuit 46.
Will be described in detail in comparison with the minimum width of the output pulse.

【0102】図10は、制御回路46において、クロッ
ク信号CLKのパルス幅(ハイレベル期間)よりも内部
信号DELAYA−Bのパルス幅(ハイレベル期間)の
方が長い場合における、第1の比較信号COMP−1の
レベルと比較可能なRAMP−2のレベル領域、並び
に、出力パルスの最小幅について説明するためのタイミ
ング図である。
FIG. 10 shows the first comparison signal in the control circuit 46 when the pulse width (high level period) of the internal signal DELAYA-B is longer than the pulse width (high level period) of the clock signal CLK. FIG. 9 is a timing diagram for explaining a level region of RAMP-2 that can be compared with the level of COMP-1 and a minimum width of an output pulse.

【0103】図10に示されるように、制御回路46に
おいて、クロック信号CLKのパルス幅(ハイレベル期
間)よりも内部信号DELAYA−Bのパルス幅(ハイ
レベル期間)の方が長い場合、内部信号DELAYA−
Bがハイレベルである期間においてRAMP−2のレベ
ルの上昇が始まることから、内部信号DELAYA−B
の立ち下がりエッジが出現するタイミングにおいては、
RAMP−2のレベルは既にRAMP−2の最小レベル
(=V83)よりも所定レベルVtだけ上昇している。
As shown in FIG. 10, in the control circuit 46, when the pulse width (high level period) of the internal signal DELAYA-B is longer than the pulse width (high level period) of the clock signal CLK, the internal signal DELAYA-
Since the level of RAMP-2 starts to rise during the period when B is at the high level, the internal signal DELAYA-B
When the falling edge of appears,
The level of RAMP-2 is already higher than the minimum level (= V83) of RAMP-2 by a predetermined level Vt.

【0104】ところが、図5を参照すれば明らかなよう
に、トランス38の1次側電圧である出力パルスは、内
部信号DELAYA−Bの立ち下がりエッジが現れてか
ら、RAMP−2のレベルが第1の比較信号COMP−
1のレベルを超えるまでの期間において発生することか
ら、第1の比較信号COMP−1のレベルが上記所定レ
ベルVt以下である場合には出力パルスは発生しない。
すなわち、制御回路46においては、第2のコンパレー
タ81による第1の比較信号COMP−1のレベルとR
AMP−2のレベルとの比較が、RAMP−2の最小レ
ベル(=V83)から上記所定レベルVtまでの領域に
おいては有効に行われず、RAMP−2が上記所定レベ
ルVtを超える領域においてのみ当該比較を有効に行う
ことが可能となる。
However, as is apparent from FIG. 5, the output pulse, which is the primary side voltage of the transformer 38, has the level of RAMP-2 at the first level after the falling edge of the internal signal DELAYA-B appears. 1 comparison signal COMP-
Since it is generated in the period until the level exceeds 1, the output pulse is not generated when the level of the first comparison signal COMP-1 is equal to or lower than the predetermined level Vt.
That is, in the control circuit 46, the level of the first comparison signal COMP-1 by the second comparator 81 and R
The comparison with the level of AMP-2 is not effectively performed in the area from the minimum level (= V83) of RAMP-2 to the predetermined level Vt, and the comparison is made only in the area where RAMP-2 exceeds the predetermined level Vt. Can be effectively performed.

【0105】このように、制御回路46において、クロ
ック信号CLKのパルス幅(ハイレベル期間)よりも内
部信号DELAYA−Bのパルス幅(ハイレベル期間)
の方が長い場合には、第1の比較信号COMP−1のレ
ベルと比較可能なRAMP−2のレベルが、所定の領域
(>Vt)に制限されることが分かる。一方、出力パル
スの最小幅については、実質的に無限小まで制御するこ
とが可能である。
As described above, in the control circuit 46, the pulse width (high level period) of the internal signal DELAYA-B is larger than the pulse width (high level period) of the clock signal CLK.
It is understood that when is longer, the level of the RAMP-2 that can be compared with the level of the first comparison signal COMP-1 is limited to a predetermined area (> Vt). On the other hand, the minimum width of the output pulse can be controlled to a practically infinitesimal size.

【0106】図11は、制御回路46において、クロッ
ク信号CLKのパルス幅(ハイレベル期間)よりも内部
信号DELAYA−Bのパルス幅(ハイレベル期間)の
方が短い場合における、第1の比較信号COMP−1の
レベルと比較可能なRAMP−2のレベル領域、並び
に、出力パルスの最小幅について説明するためのタイミ
ング図である。
FIG. 11 shows the first comparison signal in the control circuit 46 when the pulse width (high level period) of the internal signal DELAYA-B is shorter than the pulse width (high level period) of the clock signal CLK. FIG. 9 is a timing diagram for explaining a level region of RAMP-2 that can be compared with the level of COMP-1 and a minimum width of an output pulse.

【0107】図11に示されるように、制御回路46に
おいて、クロック信号CLKのパルス幅(ハイレベル期
間)よりも内部信号DELAYA−Bのパルス幅(ハイ
レベル期間)の方が短い場合、RAMP−2のレベルが
最小レベル(=V83)となっている期間において、内
部信号DELAYA−Bの立ち下がりエッジが現れる。
したがって、この場合には、第2のコンパレータ81に
よる第1の比較信号COMP−1のレベルとRAMP−
2のレベルとの比較を、RAMP−2の最小レベル(=
V83)から最大レベルの実質的全領域に亘って有効に
行うことが可能となる。
As shown in FIG. 11, in the control circuit 46, when the pulse width (high level period) of the internal signal DELAYA-B is shorter than the pulse width (high level period) of the clock signal CLK, the RAMP- In the period in which the level of 2 is the minimum level (= V83), the falling edge of the internal signal DELAYA-B appears.
Therefore, in this case, the level of the first comparison signal COMP-1 by the second comparator 81 and the RAMP-
2 is compared with the minimum level of RAMP-2 (=
It becomes possible to effectively carry out from V83) to substantially the entire area of the maximum level.

【0108】ところが、上述のとおり、トランス38の
1次側電圧である出力パルスは、内部信号DELAYA
−Bの立ち下がりエッジが現れてから、RAMP−2の
レベルが第1の比較信号COMP−1のレベルを超える
までの期間において発生することから、出力パルスの最
小幅は、内部信号DELAYA−Bの立ち下がりエッジ
が現れてからクロック信号CLKの立ち下がりエッジが
現れるまでの期間に制限され、それ以下の幅を持った出
力パルスを発生させることはできない。
However, as described above, the output pulse, which is the primary side voltage of the transformer 38, receives the internal signal DELAYA.
Since it occurs in the period from the appearance of the falling edge of -B until the level of RAMP-2 exceeds the level of the first comparison signal COMP-1, the minimum width of the output pulse is the internal signal DELAYA-B. Is limited to the period from the appearance of the falling edge of the clock signal to the appearance of the falling edge of the clock signal CLK, and it is not possible to generate an output pulse having a width smaller than that.

【0109】このように、制御回路46において、クロ
ック信号CLKのパルス幅(ハイレベル期間)よりも内
部信号DELAYA−Bのパルス幅(ハイレベル期間)
の方が短い場合には、出力パルスの最小幅が制限され、
無限小まで制御することはできない。一方、第2のコン
パレータ81による第1の比較信号COMP−1のレベ
ルとRAMP−2のレベルとの比較は、RAMP−2の
最小レベル(=V83)から最大レベルの実質的全領域
に亘って有効に行うことが可能である。
As described above, in the control circuit 46, the pulse width (high level period) of the internal signal DELAYA-B is larger than the pulse width (high level period) of the clock signal CLK.
Is shorter, the minimum width of the output pulse is limited,
It cannot be controlled to infinity. On the other hand, the comparison between the level of the first comparison signal COMP-1 and the level of RAMP-2 by the second comparator 81 is performed over the substantially entire area of the minimum level (= V83) of RAMP-2 to the maximum level. It can be done effectively.

【0110】以上から明らかなように、制御回路46に
おいては、クロック信号CLKのパルス幅(ハイレベル
期間)と内部信号DELAYA−Bのパルス幅(ハイレ
ベル期間)とが等しければ、第2のコンパレータ81に
よる第1の比較信号COMP−1のレベルとRAMP−
2のレベルとの比較をRAMP−2の最小レベル(=V
83)から最大レベルの実質的全領域に亘って有効に行
うことができ、且つ、出力パルスの最小幅を実質的に無
限小まで制御することができる。しかしながら、クロッ
ク信号CLKのパルス幅(ハイレベル期間)は、ユーザ
によって自由に変更することができない一方、内部信号
DELAYA−Bのパルス幅(ハイレベル期間)は、デ
ッドタイムを決める要素であるため、これをクロック信
号CLKのパルス幅(ハイレベル期間)との関係のみに
おいて自由に設定することはできない。このため、制御
回路46において、クロック信号CLKのパルス幅(ハ
イレベル期間)と内部信号DELAYA−Bのパルス幅
(ハイレベル期間)とを完全に一致させることは困難で
ある。
As is apparent from the above, in the control circuit 46, if the pulse width of the clock signal CLK (high level period) and the pulse width of the internal signal DELAYA-B (high level period) are equal, the second comparator. 81 and the level of the first comparison signal COMP-1 and RAMP-
The minimum level of RAMP-2 (= V
83) to substantially the entire range of the maximum level, and the minimum width of the output pulse can be controlled to a substantially infinitesimal size. However, the pulse width (high level period) of the clock signal CLK cannot be freely changed by the user, while the pulse width (high level period) of the internal signal DELAYA-B is a factor that determines the dead time. This cannot be freely set only in relation to the pulse width (high level period) of the clock signal CLK. Therefore, in the control circuit 46, it is difficult to completely match the pulse width (high level period) of the clock signal CLK and the pulse width (high level period) of the internal signal DELAYA-B.

【0111】図12は、制御回路111において、第1
の比較信号COMP−1のレベルと比較可能なRAMP
−2のレベル領域、並びに、出力パルスの最小幅につい
て説明するためのタイミング図である。
FIG. 12 shows the first circuit in the control circuit 111.
RAMP that can be compared with the level of the comparison signal COMP-1 of
2 is a timing diagram for explaining a level region of −2 and a minimum width of an output pulse. FIG.

【0112】図12に示されるように、制御回路111
においては、トランジスタ75のゲートに内部信号DE
LAYA−Bが供給されていることから、内部信号DE
LAYA−Bの立ち下がりエッジに応答してRAMP−
2のレベルの上昇が始まる。このため、図12を参照す
れば、クロック信号CLKのパルス幅(ハイレベル期
間)とは関係なく、第2のコンパレータ81による第1
の比較信号COMP−1のレベルとRAMP−2のレベ
ルとの比較を、RAMP−2の最小レベル(=V83)
から最大レベルの実質的全領域に亘って有効に行うこと
が可能であり、且つ、出力パルスの最小幅を実質的に無
限小まで制御することが可能であることが分かる。
As shown in FIG. 12, the control circuit 111
, The internal signal DE is applied to the gate of the transistor 75.
Since LAYA-B is supplied, the internal signal DE
RAMP- in response to the falling edge of LAYA-B
Level 2 starts rising. Therefore, referring to FIG. 12, regardless of the pulse width (high level period) of the clock signal CLK, the first comparator 81
The comparison between the level of the comparison signal COMP-1 and the level of the RAMP-2 is performed by comparing the minimum level of the RAMP-2 (= V83).
It can be seen from the above that it can be effectively performed over substantially the entire region of the maximum level, and the minimum width of the output pulse can be controlled to a substantially infinitesimal size.

【0113】このため、このような制御回路111を備
えるスイッチング電源装置110においては、上記各実
施態様にかかるスイッチング電源装置30、100によ
る効果に加え、スイッチング回路37の制御をより高精
度で行うことが可能となる。
Therefore, in the switching power supply device 110 having such a control circuit 111, in addition to the effects of the switching power supply devices 30 and 100 according to the above-described embodiments, the switching circuit 37 can be controlled with higher accuracy. Is possible.

【0114】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention described in the claims, and these are also included in the scope of the present invention. It goes without saying that it is a thing.

【0115】例えば、上記各実施態様にかかるスイッチ
ング電源装置30、100、110においては、電圧源
82の出力電圧V82と電圧源83の出力電圧V83が
実質的に等しく設定されているが、本発明においてこれ
らが同じ電圧であることは必須でなく、これらが互いに
異なっていても構わない。
For example, in the switching power supply devices 30, 100, 110 according to the above embodiments, the output voltage V82 of the voltage source 82 and the output voltage V83 of the voltage source 83 are set to be substantially equal. In the above, it is not essential that they have the same voltage, and they may be different from each other.

【0116】また、上記各実施態様にかかるスイッチン
グ電源装置30、100、110が備える第1のコンパ
レータ80にヒステリシスを持たせてもよい。第1のコ
ンパレータ80にヒステリシスを持たせた場合、第1の
比較信号COMP−1のレベルが電圧源82の出力電圧
V82とほぼ等しい場合におけるスイッチング回路37
の制御をより安定的に行うことが可能となる。
Further, the first comparator 80 included in the switching power supply device 30, 100, 110 according to each of the above embodiments may be provided with hysteresis. When the first comparator 80 has hysteresis, the switching circuit 37 in the case where the level of the first comparison signal COMP-1 is substantially equal to the output voltage V82 of the voltage source 82.
It becomes possible to more stably control.

【0117】さらに、上記各実施態様にかかるスイッチ
ング電源装置30、100、110においては、トラン
ス38の2次側に設けられた整流回路42として、ダイ
オード40、41からなるダイオード整流回路を用いて
いるが、整流トランジスタからなる同期整流回路を用い
ても構わない。
Further, in the switching power supply device 30, 100, 110 according to each of the above-mentioned embodiments, the diode rectifier circuit including the diodes 40, 41 is used as the rectifier circuit 42 provided on the secondary side of the transformer 38. However, a synchronous rectification circuit composed of rectification transistors may be used.

【0118】また、上記各実施態様にかかるスイッチン
グ電源装置30、100、110においては、制御回路
46、101、111がトランス38の2次側に属して
おり、これら制御回路46、101、111とスイッチ
ング回路37との間を第1〜第4の絶縁回路47〜50
によって絶縁しているが、これら制御回路46、10
1、111と出力回路との間を絶縁することによって、
制御回路46、101、111をトランス38の1次側
に属させても構わない。
Further, in the switching power supply device 30, 100, 110 according to each of the above-mentioned embodiments, the control circuits 46, 101, 111 belong to the secondary side of the transformer 38. First to fourth insulation circuits 47 to 50 are provided between the switching circuit 37 and the switching circuit 37.
These control circuits 46, 10 are insulated by
By isolating between 1, 111 and the output circuit,
The control circuits 46, 101 and 111 may belong to the primary side of the transformer 38.

【0119】さらに、上記各実施態様にかかるスイッチ
ング電源装置30、100、110においては、分圧回
路78を用いて出力電圧Voを分圧し、得られた誤差電
圧E/A−と基準電圧Vrefとを誤差アンプ79によ
って比較することによって第1の比較信号COMP−1
を生成しているが、このような分圧回路78を用いるこ
となく、出力電圧Voと基準電圧Vref’とを誤差ア
ンプ79によって比較することにより第1の比較信号C
OMP−1を生成しても構わない。
Further, in the switching power supply device 30, 100, 110 according to each of the above-described embodiments, the output voltage Vo is divided by using the voltage dividing circuit 78, and the obtained error voltage E / A− and the reference voltage Vref are obtained. Are compared by an error amplifier 79 to obtain a first comparison signal COMP-1
However, the first comparison signal C is obtained by comparing the output voltage Vo and the reference voltage Vref ′ by the error amplifier 79 without using such a voltage dividing circuit 78.
OMP-1 may be generated.

【0120】尚、本発明において、手段とは、必ずしも
物理的手段を意味するものではなく、各手段の機能がソ
フトウエアによって実現される場合も包含する。さら
に、一つの手段の機能が二以上の物理的手段により実現
されても、二以上の手段の機能が一つの物理的手段によ
り実現されてもよい。
In the present invention, the means does not necessarily mean a physical means but also includes a case where the function of each means is realized by software. Further, the function of one means may be realized by two or more physical means, or the functions of two or more means may be realized by one physical means.

【0121】[0121]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
軽負荷状態若しくは無負荷状態において発生するサージ
電圧が低減されたスイッチング電源装置及び軽負荷状態
若しくは無負荷状態において発生するサージ電圧を低減
することができる制御回路が提供される。また、本発明
によれば、軽負荷状態若しくは無負荷状態において発生
するサージ電圧を低減することができるスイッチング電
源装置の制御方法が提供される。
As described above, according to the present invention,
Provided are a switching power supply device in which a surge voltage generated in a light load state or a no load state is reduced, and a control circuit capable of reducing a surge voltage generated in a light load state or a no load state. Further, according to the present invention, there is provided a control method of a switching power supply device capable of reducing a surge voltage generated in a light load state or a no load state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の好ましい実施態様にかかるスイッチン
グ電源装置30を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a switching power supply device 30 according to a preferred embodiment of the present invention.

【図2】制御回路46の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a control circuit 46.

【図3】第1〜第4のデッドタイム生成回路72、7
3、94、95の具体的な回路構成を示す回路図であ
る。
FIG. 3 shows first to fourth dead time generation circuits 72 and 7.
It is a circuit diagram which shows the concrete circuit structure of 3,94,95.

【図4】第1〜第4のデッドタイム生成回路72、7
3、94、95の動作を示すタイミング図である。
FIG. 4 illustrates first to fourth dead time generation circuits 72 and 7.
It is a timing diagram which shows operation | movement of 3,94,95.

【図5】通常負荷状態における制御回路46の動作を示
すタイミング図である。
FIG. 5 is a timing diagram showing an operation of the control circuit 46 in a normal load state.

【図6】軽負荷状態若しくは無負荷状態における制御回
路46の動作を示すタイミング図である。
FIG. 6 is a timing diagram showing an operation of the control circuit 46 in a light load state or a no load state.

【図7】軽負荷状態若しくは無負荷状態におけるスイッ
チング回路37の動作を説明するための模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the operation of the switching circuit 37 in a light load state or a no load state.

【図8】制御回路101の回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram of a control circuit 101.

【図9】制御回路111の回路図である。9 is a circuit diagram of a control circuit 111. FIG.

【図10】制御回路46において、クロック信号CLK
のパルス幅(ハイレベル期間)よりも内部信号DELA
YA−Bのパルス幅(ハイレベル期間)の方が長い場合
における、第1の比較信号COMP−1のレベルと比較
可能なRAMP−2のレベル領域、並びに、出力パルス
の最小幅について説明するためのタイミング図である。
FIG. 10 shows a clock signal CLK in the control circuit 46.
Internal signal DELA than the pulse width (high level period) of
To explain the level region of RAMP-2 that can be compared with the level of the first comparison signal COMP-1 and the minimum width of the output pulse when the pulse width (high level period) of YA-B is longer. FIG.

【図11】制御回路46において、クロック信号CLK
のパルス幅(ハイレベル期間)よりも内部信号DELA
YA−Bのパルス幅(ハイレベル期間)の方が短い場合
における、第1の比較信号COMP−1のレベルと比較
可能なRAMP−2のレベル領域、並びに、出力パルス
の最小幅について説明するためのタイミング図である。
FIG. 11 shows a clock signal CLK in the control circuit 46.
Internal signal DELA than the pulse width (high level period) of
To explain the level region of RAMP-2 that can be compared with the level of the first comparison signal COMP-1 and the minimum width of the output pulse when the pulse width (high level period) of YA-B is shorter. FIG.

【図12】制御回路111において、第1の比較信号C
OMP−1のレベルと比較可能なRAMP−2のレベル
領域、並びに、出力パルスの最小幅について説明するた
めのタイミング図である。
FIG. 12 shows the first comparison signal C in the control circuit 111.
FIG. 6 is a timing chart for explaining a level region of RAMP-2 that can be compared with the level of OMP-1 and a minimum width of an output pulse.

【図13】従来のスイッチング電源装置10を示す回路
図である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing a conventional switching power supply device 10.

【図14】通常負荷状態における従来のスイッチング電
源装置10の動作を示すタイミング図である。
FIG. 14 is a timing diagram showing an operation of the conventional switching power supply device 10 in a normal load state.

【図15】軽負荷状態若しくは無負荷状態における従来
のスイッチング電源装置10の動作を示すタイミング図
である。
FIG. 15 is a timing diagram showing an operation of the conventional switching power supply device 10 in a light load state or a no load state.

【図16】軽負荷状態若しくは無負荷状態におけるスイ
ッチング回路17の動作を説明するための模式図であ
る。
FIG. 16 is a schematic diagram for explaining the operation of the switching circuit 17 in a light load state or a no load state.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 スイッチング電源装置 11 入力電源 12 入力コンデンサ 13 第1のトランジスタ 14 第2のトランジスタ 15 第3のトランジスタ 16 第4のトランジスタ 17 スイッチング回路 18 トランス 19,20 ダイオード 21 整流回路 22 インダクタ 23 コンデンサ 24 平滑回路 25 制御回路 26 負荷 27 寄生インダクタンス 30 スイッチング電源装置 31 入力電源 32 入力コンデンサ 33 第1のトランジスタ 34 第2のトランジスタ 35 第3のトランジスタ 36 第4のトランジスタ 37 スイッチング回路 38 トランス 39 インダクタンス 40,41 ダイオード 42 整流回路 43 インダクタ 44 コンデンサ 45 平滑回路 46 制御回路 47 第1の絶縁回路 48 第2の絶縁回路 49 第3の絶縁回路 50 第4の絶縁回路 51 負荷 52〜55 コンデンサ 56〜59 スナバ回路 60〜63 抵抗 64〜67 コンデンサ 68 寄生インダクタンス 70 発振器 71 データラッチ回路 72 第1のデッドタイム生成回路 73 第2のデッドタイム生成回路 74 ランプ回路 75 トランジスタ 76,77 抵抗 78 分圧回路 79 誤差アンプ 80 第1のコンパレータ 81 第2のコンパレータ 82,83 電圧源 84,86 非論理和回路(NOR) 85 インバータ 87 PWMラッチ回路 88 排他的非論理和回路(XNOR) 89 排他的論理和回路(XOR) 90 非論理和回路(NOR) 91〜93 非論理積回路(NAND) 94 第3のデッドタイム生成回路 95 第4のデッドタイム生成回路 96 遅延回路 97 非論理和回路(NOR) 100 スイッチング電源装置 101 制御回路 110 スイッチング電源装置 111 制御回路 10 Switching power supply 11 Input power 12 input capacitors 13 First transistor 14 Second transistor 15 Third transistor 16 Fourth transistor 17 Switching circuit 18 transformers 19,20 diode 21 Rectifier circuit 22 Inductor 23 Capacitor 24 Smoothing circuit 25 Control circuit 26 load 27 Parasitic inductance 30 switching power supply 31 Input power 32 input capacitors 33 First transistor 34 Second transistor 35 Third Transistor 36 Fourth Transistor 37 Switching circuit 38 transformers 39 Inductance 40, 41 diode 42 Rectifier circuit 43 inductor 44 capacitor 45 smoothing circuit 46 Control circuit 47 First isolation circuit 48 Second insulation circuit 49 Third Insulation Circuit 50 Fourth insulation circuit 51 load 52-55 capacitors 56-59 snubber circuit 60-63 resistance 64-67 capacitors 68 Parasitic inductance 70 oscillator 71 Data latch circuit 72 First Dead Time Generation Circuit 73 Second Dead Time Generation Circuit 74 lamp circuit 75 transistor 76,77 resistance 78 voltage divider 79 Error amplifier 80 First Comparator 81 Second comparator 82,83 Voltage source 84,86 Non-OR circuit (NOR) 85 inverter 87 PWM latch circuit 88 Exclusive NOR circuit (XNOR) 89 Exclusive OR circuit (XOR) 90 Non-OR circuit (NOR) 91-93 Non-logical product circuit (NAND) 94 Third Dead Time Generation Circuit 95 Fourth Dead Time Generation Circuit 96 delay circuit 97 Non-OR circuit (NOR) 100 switching power supply 101 control circuit 110 Switching power supply 111 Control circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村井 康弘 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐藤 国広 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 稲森 正憲 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 藤山 利也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 5H007 AA01 AA04 BB06 CA01 CB05 CB09 CC09 DB01 DB12 DC05 EA02    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Yasuhiro Murai             1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo             -In DC Inc. (72) Inventor Kunihiro Sato             1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo             -In DC Inc. (72) Inventor Masanori Inamori             22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka             Inside the company (72) Inventor Toshiya Fujiyama             22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka             Inside the company F-term (reference) 5H007 AA01 AA04 BB06 CA01 CB05                       CB09 CC09 DB01 DB12 DC05                       EA02

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 トランスと、前記トランスの1次側に設
けられ、第1及び第2のアームを含むフルブリッジ型の
スイッチング回路と、前記トランスの2次側に設けられ
た出力回路と、前記スイッチング回路を位相シフト制御
する制御回路とを備えるスイッチング電源装置であっ
て、前記制御回路は、前記出力回路の負荷状態に基づい
て、前記第2のアームを駆動する出力信号のパルス幅を
変更することを特徴とするスイッチング電源装置。
1. A transformer, a full-bridge type switching circuit provided on the primary side of the transformer and including first and second arms, an output circuit provided on the secondary side of the transformer, A switching power supply device comprising a control circuit for controlling a phase shift of a switching circuit, wherein the control circuit changes a pulse width of an output signal for driving the second arm based on a load state of the output circuit. A switching power supply device characterized by the above.
【請求項2】 前記制御回路は、前記出力回路が第1の
負荷状態である場合には、前記第2のアームを駆動する
出力信号のパルス幅を前記第1のアームを駆動する出力
信号のパルス幅と実質的に等しい幅に設定し、前記出力
回路が第2の負荷状態である場合には、前記第2のアー
ムを駆動する出力信号のパルス幅を前記第1のアームを
駆動する出力信号のパルス幅とは異なる幅に設定するこ
とを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源装
置。
2. The control circuit, when the output circuit is in the first load state, sets the pulse width of the output signal for driving the second arm to that of the output signal for driving the first arm. When the width is set to be substantially equal to the pulse width and the output circuit is in the second load state, the pulse width of the output signal that drives the second arm is the output that drives the first arm. The switching power supply device according to claim 1, wherein the switching power supply device is set to a width different from the pulse width of the signal.
【請求項3】 前記第1の負荷状態とは通常負荷状態で
あり、前記第2の負荷状態とは軽負荷状態若しくは無負
荷状態であることを特徴とする請求項2に記載のスイッ
チング電源装置。
3. The switching power supply device according to claim 2, wherein the first load state is a normal load state, and the second load state is a light load state or a no load state. .
【請求項4】 前記制御回路は、前記出力回路が前記第
2の負荷状態である場合には、前記第2のアームを駆動
する出力信号のパルス幅を前記第1のアームを駆動する
出力信号のパルス幅よりも短い幅に設定することを特徴
とする請求項3に記載のスイッチング電源装置。
4. The control circuit, when the output circuit is in the second load state, sets the pulse width of the output signal for driving the second arm to the output signal for driving the first arm. 4. The switching power supply device according to claim 3, wherein the switching power supply device is set to have a width shorter than the pulse width.
【請求項5】 前記制御回路は、前記出力回路が前記第
2の負荷状態である場合には、前記第1のアームを構成
する高位側スイッチがターンオンした後に前記第2のア
ームを構成する高位側スイッチがターンオンするように
制御するとともに、前記第1のアームを構成する低位側
スイッチがターンオンした後に前記第2のアームを構成
する低位側スイッチがターンオンするように制御するこ
とを特徴とする請求項4に記載のスイッチング電源装
置。
5. The control circuit, when the output circuit is in the second load state, the high-level switch forming the second arm after the high-side switch forming the first arm is turned on. The side switch is controlled to be turned on, and the low side switch constituting the second arm is controlled to be turned on after the low side switch constituting the first arm is turned on. Item 4. The switching power supply device according to Item 4.
【請求項6】 前記制御回路は、前記出力回路が前記第
2の負荷状態である場合には、前記第1のアームを構成
する前記高位側スイッチ及び前記第2のアームを構成す
る前記高位側スイッチが実質的に同時にターンオフする
ように制御するとともに、前記第1のアームを構成する
前記低位側スイッチ及び前記第2のアームを構成する前
記低位側スイッチが実質的に同時にターンオフするよう
に制御することを特徴とする請求項5に記載のスイッチ
ング電源装置。
6. The control circuit, when the output circuit is in the second load state, the high-side switch forming the first arm and the high-side side forming the second arm. The switch is controlled to be turned off substantially at the same time, and the low side switch constituting the first arm and the low side switch constituting the second arm are controlled to be turned off substantially simultaneously. The switching power supply device according to claim 5, wherein:
【請求項7】 前記制御回路は、前記出力回路が前記第
2の負荷状態である場合における、前記第1のアームを
構成する前記高位側スイッチをターンオンさせるタイミ
ングと前記第2のアームを構成する前記高位側スイッチ
をターンオンさせるタイミングとの時間差及び前記第1
のアームを構成する前記低位側スイッチをターンオンさ
せるタイミングと前記第2のアームを構成する前記低位
側スイッチをターンオンさせるタイミングとの時間差
を、前記第1のアームのデッドタイムに基づいて設定す
ることを特徴とする請求項5または6に記載のスイッチ
ング電源装置。
7. The control circuit configures the second arm and the timing of turning on the high-side switch configuring the first arm when the output circuit is in the second load state. The time difference from the timing of turning on the high-side switch and the first
Setting the time difference between the timing of turning on the low-side switch forming the second arm and the timing of turning on the low-side switch forming the second arm based on the dead time of the first arm. 7. The switching power supply device according to claim 5, which is characterized in that.
【請求項8】 前記制御回路は、前記出力回路が前記第
2の負荷状態である場合における、前記第1のアームを
構成する前記高位側スイッチをターンオンさせるタイミ
ングと前記第2のアームを構成する前記高位側スイッチ
をターンオンさせるタイミングとの時間差及び前記第1
のアームを構成する前記低位側スイッチをターンオンさ
せるタイミングと前記第2のアームを構成する前記低位
側スイッチをターンオンさせるタイミングとの時間差
を、クロック信号に基づいて設定することを特徴とする
請求項5または6に記載のスイッチング電源装置。
8. The control circuit configures the second arm and the timing of turning on the high-side switch configuring the first arm when the output circuit is in the second load state. The time difference from the timing of turning on the high-side switch and the first
6. The time difference between the timing of turning on the low-side switch forming the second arm and the timing of turning on the low-side switch forming the second arm is set based on a clock signal. Alternatively, the switching power supply device according to item 6.
【請求項9】 前記制御回路は、前記第1のアームを駆
動する出力信号をクロック信号に基づいて生成し、前記
第2のアームを駆動する出力信号を前記第1のアームの
デッドタイムにおいて活性化される内部信号に基づいて
生成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1
項に記載のスイッチング電源装置。
9. The control circuit generates an output signal for driving the first arm based on a clock signal, and activates an output signal for driving the second arm during a dead time of the first arm. 9. The method according to claim 1, wherein the signal is generated based on the internalized signal.
The switching power supply device according to the item.
【請求項10】 前記制御回路が、前記内部信号に応答
してのこぎり波を生成するのこぎり波生成手段と、前記
出力回路の出力電圧若しくはこれに対応する電圧と第1
の基準電圧とを比較し、これに基づいて第1の比較信号
を生成する誤差アンプと、前記第1の比較信号と第2の
基準電圧とを比較し、これに基づいて第2の比較信号を
生成する第1のコンパレータと、前記第1の比較信号と
前記のこぎり波とを比較し、これに基づいて第3の比較
信号を生成する第2のコンパレータと、少なくとも前記
第2の比較信号及び前記第3の比較信号に基づいて前記
第2のアームを駆動する出力信号を生成する手段とを含
むことを特徴とする請求項9に記載のスイッチング電源
装置。
10. A sawtooth wave generating means for generating a sawtooth wave in response to the internal signal, an output voltage of the output circuit or a voltage corresponding thereto,
Of the first comparison signal and an error amplifier that generates a first comparison signal based on the comparison result and the first comparison signal and the second reference voltage, and the second comparison signal based on the comparison result. And a second comparator that compares the first comparison signal with the sawtooth wave and generates a third comparison signal based on the first comparator and at least the second comparison signal and 10. The switching power supply device according to claim 9, further comprising means for generating an output signal for driving the second arm based on the third comparison signal.
【請求項11】 前記第1のコンパレータがヒステリシ
スを有していることを特徴とする請求項10に記載のス
イッチング電源装置。
11. The switching power supply device according to claim 10, wherein the first comparator has a hysteresis.
【請求項12】 前記スイッチング回路に含まれる前記
各スイッチに対してそれぞれ並列に設けられた複数のコ
ンデンサ及び複数のスナバ回路と、前記第1のアームと
前記トランスとの間に挿入されたインダクタとをさらに
備えることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1
項に記載のスイッチング電源装置。
12. A plurality of capacitors and a plurality of snubber circuits respectively provided in parallel with each of the switches included in the switching circuit, and an inductor inserted between the first arm and the transformer. 12. The method according to claim 1, further comprising:
The switching power supply device according to the item.
【請求項13】 フルブリッジ型のスイッチング回路を
含むスイッチング電源装置を位相シフト制御するための
制御回路であって、前記スイッチング電源装置の第1の
アームを駆動する第1の出力信号を生成する第1の手段
と、前記スイッチング電源装置の第2のアームを駆動す
る第2の出力信号を生成する第2の手段と、前記スイッ
チング電源装置の出力電圧を検出する第3の手段と、前
記第3の手段により検出された出力電圧に基づいて、前
記第2の出力信号のパルス幅を変更する第4の手段とを
備えることを特徴とする制御回路。
13. A control circuit for controlling a phase shift of a switching power supply device including a full-bridge type switching circuit, the control circuit generating a first output signal for driving a first arm of the switching power supply device. 1 means, a second means for generating a second output signal for driving a second arm of the switching power supply device, a third means for detecting an output voltage of the switching power supply device, and the third means. And a fourth means for changing the pulse width of the second output signal based on the output voltage detected by the means.
【請求項14】 前記第4の手段は、前記第3の手段に
より検出された出力電圧が所定の電圧に満たない場合に
は、前記第2の手段により生成された前記第2の出力信
号のパルス幅を実質的に変更することなく出力し、前記
第3の手段により検出された出力電圧が前記所定の電圧
を超えている場合には、前記第2の手段により生成され
た前記第2の出力信号のパルス幅を短縮して出力するこ
とを特徴とする請求項13に記載の制御回路。
14. The fourth means outputs the second output signal generated by the second means when the output voltage detected by the third means is less than a predetermined voltage. When the output voltage detected by the third means exceeds the predetermined voltage without changing the pulse width, the second means generated by the second means is used. 14. The control circuit according to claim 13, wherein the pulse width of the output signal is shortened before output.
【請求項15】 前記第4の手段によるパルス幅を短縮
が、前記第2の出力信号の活性化期間の初期部分を非活
性状態とすることによって行われることを特徴とする請
求項14に記載の制御回路。
15. The pulse width reduction by the fourth means is performed by deactivating an initial portion of an activation period of the second output signal. Control circuit.
【請求項16】 フルブリッジ型のスイッチング回路を
含むスイッチング電源装置を位相シフト制御するための
制御回路であって、交互にハイレベルとなる一対の第1
の内部信号を生成する第1の手段と、前記第1の内部信
号を受け、これに第1のデッドタイムを与えることによ
って前記スイッチング電源装置の第1のアームを駆動す
る一対の第1の出力信号を生成する第2の手段と、のこ
ぎり波を生成する第3の手段と、少なくとも前記スイッ
チング電源装置の出力電圧及び前記のこぎり波に基づ
き、交互にハイレベルとなる一対の第2の内部信号を生
成する第4の手段と、前記出力電圧が所定の電圧を超え
ていることに応答して、前記第2の内部信号の活性化期
間のうち、所定の期間を非活性状態とすることによって
一対の第3の内部信号を生成する第5の手段と、前記第
3の内部信号を受け、これに第2のデッドタイムを与え
ることによって前記スイッチング電源装置の第2のアー
ムを駆動する一対の第2の出力信号を生成する第6の手
段とを備える制御回路。
16. A control circuit for performing a phase shift control of a switching power supply device including a full-bridge type switching circuit, wherein a pair of first circuits are alternately set to a high level.
And a pair of first outputs for driving the first arm of the switching power supply device by receiving the first internal signal and giving a first dead time to the first internal signal. A second means for generating a signal, a third means for generating a sawtooth wave, and a pair of second internal signals that are alternately at a high level based on at least the output voltage of the switching power supply device and the sawtooth wave. A fourth means for generating and a pair of means for responding to the output voltage exceeding a predetermined voltage by deactivating a predetermined period of the activation period of the second internal signal. Means for generating a third internal signal, and a pair of means for receiving the third internal signal and applying a second dead time to the third internal signal to drive the second arm of the switching power supply device. Control circuit and a sixth means for producing a second output signal.
【請求項17】 前記第5の手段が、前記出力電圧若し
くはこれに対応する電圧と第1の基準電圧とを比較し、
これに基づいて第1の比較信号を生成する誤差アンプ
と、前記第1の比較信号と第2の基準電圧とを比較し、
これに基づいて第2の比較信号を生成するコンパレータ
と、第1の出力信号を受けこれに基づいて前記第1のデ
ッドタイムにおいて活性化される第4の内部信号を生成
する第1の論理回路と、前記第2の比較信号及び前記第
4の内部信号を受け、これらに基づいて前記所定の期間
を示す第5の内部信号を生成する第2の論理回路と、前
記第2の内部信号及び前記第5の内部信号を受け、これ
らに基づいて前記第3の内部信号を生成する第3の論理
回路とを含むことを特徴とする請求項16に記載の制御
回路。
17. The fifth means compares the output voltage or a voltage corresponding thereto with a first reference voltage,
An error amplifier that generates a first comparison signal based on this is compared with the first comparison signal and a second reference voltage,
A comparator for generating a second comparison signal based on this, and a first logic circuit for receiving a first output signal and generating a fourth internal signal activated at the first dead time based on this comparator. A second logic circuit that receives the second comparison signal and the fourth internal signal and generates a fifth internal signal indicating the predetermined period based on the second comparison signal and the fourth internal signal; The control circuit according to claim 16, further comprising: a third logic circuit that receives the fifth internal signal and generates the third internal signal based on the fifth internal signal.
【請求項18】 前記第3の手段が、前記第4の内部信
号が活性状態となっている期間において前記のこぎり波
を最小レベルとするランプ回路を含むことを特徴とする
請求項17に記載の制御回路。
18. The ramp circuit according to claim 17, wherein the third means includes a ramp circuit that minimizes the sawtooth wave during a period when the fourth internal signal is in an active state. Control circuit.
【請求項19】 前記ランプ回路は、前記第4の内部信
号が非活性状態となっている期間において前記のこぎり
波のレベルを上昇させることを特徴とする請求項18に
記載の制御回路。
19. The control circuit according to claim 18, wherein the ramp circuit raises the level of the sawtooth wave during a period in which the fourth internal signal is inactive.
【請求項20】 前記第5の手段が、前記出力電圧若し
くはこれに対応する電圧と第1の基準電圧とを比較し、
これに基づいて第1の比較信号を生成する誤差アンプ
と、前記第1の比較信号と第2の基準電圧とを比較し、
これに基づいて第2の比較信号を生成するコンパレータ
と、前記第2の比較信号及びクロック信号を受け、これ
らに基づいて前記所定の期間を示す第4の内部信号を生
成する第1の論理回路と、前記第2の内部信号及び前記
第4の内部信号を受け、これらに基づいて前記第3の内
部信号を生成する第2の論理回路とを含むことを特徴と
する請求項16に記載の制御回路。
20. The fifth means compares the output voltage or a voltage corresponding thereto with a first reference voltage,
An error amplifier that generates a first comparison signal based on this is compared with the first comparison signal and a second reference voltage,
A comparator that generates a second comparison signal based on this, and a first logic circuit that receives the second comparison signal and a clock signal and generates a fourth internal signal indicating the predetermined period based on these And a second logic circuit that receives the second internal signal and the fourth internal signal and generates the third internal signal based on the second internal signal and the fourth internal signal. Control circuit.
【請求項21】 いずれも高位側スイッチ及び低位側ス
イッチからなる第1及び第2のアームを備えるスイッチ
ング電源装置を制御する制御回路であって、前記スイッ
チング電源装置の出力電圧に基づいて、前記第1のアー
ムの前記高位側スイッチを制御するパルスと前記第2の
アームの前記低位側スイッチを制御するパルスの重なり
及び前記第2のアームの前記高位側スイッチを制御する
パルスと前記第1のアームの前記低位側スイッチを制御
するパルスの重なりを制御する第1の手段と、前記第1
のアームの前記高位側スイッチを制御するパルスと前記
第2のアームの前記低位側スイッチを制御するパルスの
重なり及び前記第2のアームの前記高位側スイッチを制
御するパルスと前記第1のアームの前記低位側スイッチ
を制御するパルスの重なりがゼロとなったことに応答し
て、前記第2のアームの前記高位側スイッチを制御する
パルス及び前記第2のアームの前記低位側スイッチを制
御するパルスを短縮する第2の手段とを備えることを特
徴とする制御回路。
21. A control circuit for controlling a switching power supply device comprising first and second arms each of which is composed of a high-side switch and a low-side switch, the control circuit comprising: A pulse for controlling the high-side switch of the first arm and a pulse for controlling the low-side switch of the second arm overlap, and a pulse for controlling the high-side switch of the second arm and the first arm Means for controlling the overlap of pulses for controlling the low side switch of the
Of the pulse for controlling the high side switch of the second arm and the pulse for controlling the low side switch of the second arm, and the pulse for controlling the high side switch of the second arm and the pulse of the first arm A pulse for controlling the high side switch of the second arm and a pulse for controlling the low side switch of the second arm in response to the overlapping of the pulses for controlling the low side switch becoming zero. And a second means for shortening the control circuit.
【請求項22】 前記第1の手段が、前記第1のアーム
を構成する高位側スイッチ及び前記第1のアームを構成
する低位側スイッチを交互にオンさせる第3の手段と、
前記第1のアームを構成する高位側スイッチがターンオ
ンするタイミング及び前記第1のアームを構成する低位
側スイッチがターンオンするタイミングにおいて上昇を
開始するのこぎり波を生成する第4の手段と、少なくと
も前記スイッチング電源装置の出力電圧及び前記のこぎ
り波に基づき、前記第2のアームを構成する高位側スイ
ッチ及び前記第2のアームを構成する低位側スイッチを
制御する第5の手段を含むことを特徴とする請求項21
に記載の制御回路。
22. Third means for causing the first means to alternately turn on a high-side switch forming the first arm and a low-side switch forming the first arm,
Fourth means for generating a sawtooth wave that starts rising at the timing when the high-side switch forming the first arm turns on and the timing when the low-side switch forming the first arm turns on, and at least the switching means 5. A fifth means for controlling a high-side switch forming the second arm and a low-side switch forming the second arm based on an output voltage of a power supply device and the sawtooth wave. Item 21
The control circuit described in.
【請求項23】 フルブリッジ型のスイッチング回路を
含むスイッチング電源装置の駆動方法であって、軽負荷
状態若しくは無負荷状態である場合に、前記スイッチン
グ回路の第1のアームを構成する高位側スイッチと前記
スイッチング回路の第2のアームを構成する高位側スイ
ッチを連続的にターンオンさせるとともに、前記第1の
アームを構成する低位側スイッチと前記第2のアームを
構成する低位側スイッチを連続的にターンオンさせるこ
とを特徴とするスイッチング電源装置の駆動方法。
23. A method of driving a switching power supply device including a full-bridge type switching circuit, comprising a high-side switch forming a first arm of the switching circuit when in a light load state or a no load state. The high-side switch forming the second arm of the switching circuit is continuously turned on, and the low-side switch forming the first arm and the low-side switch forming the second arm are continuously turned on. A method for driving a switching power supply device, comprising:
【請求項24】 フルブリッジ型のスイッチング回路を
含むスイッチング電源装置の駆動方法であって、軽負荷
状態若しくは無負荷状態である場合に、前記スイッチン
グ回路の第1のアームを駆動する出力信号のパルス幅
と、前記スイッチング回路の第2のアームを駆動する出
力信号のパルス幅を、互いに所定幅だけ異ならせること
を特徴とするスイッチング電源装置の駆動方法。
24. A method of driving a switching power supply device including a full-bridge type switching circuit, wherein a pulse of an output signal for driving a first arm of the switching circuit in a light load state or a no load state. A method of driving a switching power supply device, wherein a width and a pulse width of an output signal for driving the second arm of the switching circuit are different from each other by a predetermined width.
【請求項25】 前記所定幅が、デッドタイム及びクロ
ック信号の活性化期間いずれか一方と実質的に一致して
いることを特徴とする請求項24に記載のスイッチング
電源装置の駆動方法。
25. The method of driving a switching power supply device according to claim 24, wherein the predetermined width is substantially equal to either the dead time or the activation period of the clock signal.
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