JP2003096573A - 無電解めっき皮膜の形成方法 - Google Patents
無電解めっき皮膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板の裏面及び側面にめっきレジスト
を塗布することなく、該半導体基板のパッド電極上に均
一な膜厚の無電解めっき皮膜を形成する方法を提供す
る。 【解決手段】 パッド電極２１上に亜鉛置換法により亜
鉛置換皮膜２３を置換析出させ、次いで、純水で洗浄し
た後、対極１２にステンレスの棒材にニッケルめっきを
施したものを用い、該対極１２を負電極として被めっき
基板である半導体基板１５に微小な正電位を印加しなが
ら酸化還元型の無電解ニッケルめっき液に浸漬すること
により、半導体基板１５の裏面及び側面にめっきレジス
トを塗布することなく、複数個のパッド電極２１上に均
一な膜厚の無電解ニッケルめっき皮膜による突起電極１
６が得られる。
を塗布することなく、該半導体基板のパッド電極上に均
一な膜厚の無電解めっき皮膜を形成する方法を提供す
る。 【解決手段】 パッド電極２１上に亜鉛置換法により亜
鉛置換皮膜２３を置換析出させ、次いで、純水で洗浄し
た後、対極１２にステンレスの棒材にニッケルめっきを
施したものを用い、該対極１２を負電極として被めっき
基板である半導体基板１５に微小な正電位を印加しなが
ら酸化還元型の無電解ニッケルめっき液に浸漬すること
により、半導体基板１５の裏面及び側面にめっきレジス
トを塗布することなく、複数個のパッド電極２１上に均
一な膜厚の無電解ニッケルめっき皮膜による突起電極１
６が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板のパッ
ド電極上に選択的、且つ均一にめっき金属を析出させる
ための無電解めっき皮膜の形成方法に関するものであ
る。
ド電極上に選択的、且つ均一にめっき金属を析出させる
ための無電解めっき皮膜の形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の能動素子面に形成されたア
ルミニウムを主成分としたパッド電極上に無電解めっき
によってバリアメタル、或いは突起電極を形成しようと
する場合、該パッド電極上に選択的に、且つ半導体基板
上の複数個のパッド電極に対して均一に無電解めっき反
応が開始、継続することが要求される。
ルミニウムを主成分としたパッド電極上に無電解めっき
によってバリアメタル、或いは突起電極を形成しようと
する場合、該パッド電極上に選択的に、且つ半導体基板
上の複数個のパッド電極に対して均一に無電解めっき反
応が開始、継続することが要求される。
【０００３】そこで前記パッド電極上に選択的、且つ均
一に無電解めっき皮膜を形成するために、そのパッド電
極上のみに亜鉛置換処理やパラジウム等の触媒を付与し
て活性化させる方法が用いられるが、以下に亜鉛置換法
を用いた突起電極の形成方法について、図３を参照しな
がら説明する。
一に無電解めっき皮膜を形成するために、そのパッド電
極上のみに亜鉛置換処理やパラジウム等の触媒を付与し
て活性化させる方法が用いられるが、以下に亜鉛置換法
を用いた突起電極の形成方法について、図３を参照しな
がら説明する。
【０００４】図３（ａ）〜（ｅ）は、従来の半導体基板
の電極形成方法を示した工程断面図である。この工程図
は半導体基板上の１個の電極の製造方法について示して
いるが、この工程において、多数の電極を一度に形成で
きることを理解されたい。まず、図３（ａ）に示すよう
に半導体基板１５のアルミニウムを主成分とするパッド
電極２１と、該パッド電極上に開口部を有するパッシベ
ーション膜２２が形成される。前記開口部は、大気にさ
らされると直ぐに自然酸化皮膜が形成されるので、該自
然酸化皮膜を酸性液あるいはアルカリ性液に浸漬してエ
ッチング除去する。次に、図３（ｂ）に示すように、半
導体基板１５の裏面及び側面にめっきレジスト３１をス
ピンコート法で塗布する。これは半導体基板裏面及び側
面でのめっき反応を防止するためである。
の電極形成方法を示した工程断面図である。この工程図
は半導体基板上の１個の電極の製造方法について示して
いるが、この工程において、多数の電極を一度に形成で
きることを理解されたい。まず、図３（ａ）に示すよう
に半導体基板１５のアルミニウムを主成分とするパッド
電極２１と、該パッド電極上に開口部を有するパッシベ
ーション膜２２が形成される。前記開口部は、大気にさ
らされると直ぐに自然酸化皮膜が形成されるので、該自
然酸化皮膜を酸性液あるいはアルカリ性液に浸漬してエ
ッチング除去する。次に、図３（ｂ）に示すように、半
導体基板１５の裏面及び側面にめっきレジスト３１をス
ピンコート法で塗布する。これは半導体基板裏面及び側
面でのめっき反応を防止するためである。
【０００５】次に、前記めっきレジストが塗布された半
導体基板１５をアルカリ性あるいは弱酸性の亜鉛酸塩水
溶液に浸漬して、図３（ｃ）に示すように、自然酸化皮
膜が除去されたパッド電極２１表面上に亜鉛置換皮膜２
３を置換析出させる。必要に応じて希硝酸等に浸漬して
一度析出した亜鉛置換皮膜２３をエッチング除去した
後、再度前記亜鉛酸塩水溶液に浸漬してあらためて２度
目の亜鉛置換皮膜を形成させることもある。これは、よ
り均一かつ緻密な亜鉛置換被膜２３を得るための手法で
あり、必要に応じて亜鉛置換皮膜のエッチング工程と亜
鉛置換工程がさらに繰り返される場合もある。
導体基板１５をアルカリ性あるいは弱酸性の亜鉛酸塩水
溶液に浸漬して、図３（ｃ）に示すように、自然酸化皮
膜が除去されたパッド電極２１表面上に亜鉛置換皮膜２
３を置換析出させる。必要に応じて希硝酸等に浸漬して
一度析出した亜鉛置換皮膜２３をエッチング除去した
後、再度前記亜鉛酸塩水溶液に浸漬してあらためて２度
目の亜鉛置換皮膜を形成させることもある。これは、よ
り均一かつ緻密な亜鉛置換被膜２３を得るための手法で
あり、必要に応じて亜鉛置換皮膜のエッチング工程と亜
鉛置換工程がさらに繰り返される場合もある。
【０００６】次いで、半導体基板１５を酸化還元型の無
電解めっき液に浸漬して、めっき金属によるバリアメタ
ルあるいは突起電極の形成を行うわけであるが、ここで
は無電解ニッケルめっきを用いる場合について説明す
る。図３（ｄ）に示すように、亜鉛置換法の場合、半導
体基板１５を無電解ニッケルめっき液に浸漬すると、前
記亜鉛置換皮膜２３が溶解し、パッド電極２１表面近傍
でニッケルの置換析出が起こり、その後はニッケルの自
己触媒作用によって無電解めっき反応が継続し、一定時
間浸漬しておくことにより図３（ｄ）のように突起電極
１６を形成することができる。
電解めっき液に浸漬して、めっき金属によるバリアメタ
ルあるいは突起電極の形成を行うわけであるが、ここで
は無電解ニッケルめっきを用いる場合について説明す
る。図３（ｄ）に示すように、亜鉛置換法の場合、半導
体基板１５を無電解ニッケルめっき液に浸漬すると、前
記亜鉛置換皮膜２３が溶解し、パッド電極２１表面近傍
でニッケルの置換析出が起こり、その後はニッケルの自
己触媒作用によって無電解めっき反応が継続し、一定時
間浸漬しておくことにより図３（ｄ）のように突起電極
１６を形成することができる。
【０００７】最後に前記半導体基板１５をレジスト剥離
液に浸漬して、図３（ｅ）に示すように、半導体基板１
５の裏面及び側面に塗布しためっきレジスト３１を剥離
する。
液に浸漬して、図３（ｅ）に示すように、半導体基板１
５の裏面及び側面に塗布しためっきレジスト３１を剥離
する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法において、
半導体基板１５の裏面及び側面にめっきレジストを塗布
しないで該半導体基板１５を無電解めっき液に浸漬した
場合、無電解めっき液に対して活性化されていないシリ
コン等からなる半導体基板１５の裏面及び側面では、本
来無電解めっき反応は発生しないはずであるが、前記亜
鉛置換処理後の水洗が不十分だった場合の亜鉛の残査や
無電解めっき液中の浮遊物等が核になって、半導体基板
１５の裏面及び側面でも無電解めっき反応が発生するこ
とがある。しかし、この半導体基板１５裏面及び側面は
活性化されていないため、均一なめっき皮膜は形成でき
ず、めっきが析出する部位とめっき未着の部位とが生じ
てしまう。
半導体基板１５の裏面及び側面にめっきレジストを塗布
しないで該半導体基板１５を無電解めっき液に浸漬した
場合、無電解めっき液に対して活性化されていないシリ
コン等からなる半導体基板１５の裏面及び側面では、本
来無電解めっき反応は発生しないはずであるが、前記亜
鉛置換処理後の水洗が不十分だった場合の亜鉛の残査や
無電解めっき液中の浮遊物等が核になって、半導体基板
１５の裏面及び側面でも無電解めっき反応が発生するこ
とがある。しかし、この半導体基板１５裏面及び側面は
活性化されていないため、均一なめっき皮膜は形成でき
ず、めっきが析出する部位とめっき未着の部位とが生じ
てしまう。
【０００９】前記、半導体基板１５の裏面及び側面で無
電解めっき反応が発生した部位では、無電解めっきの酸
化還元反応によって部分的な電位の低下が起こり、結果
として半導体基板１５全体に電位のばらつきを生じさせ
ることとなる。この電位のバラツキは半導体基板１５の
複数個のパッド電極２１にも影響して、これら複数個の
パッド電極２１上の無電解めっき皮膜の膜厚の不均一、
一部のパッド電極２１へのめっき不着等の不良が発生
し、パッド電極２１上への選択性を損なう要因となって
いた。
電解めっき反応が発生した部位では、無電解めっきの酸
化還元反応によって部分的な電位の低下が起こり、結果
として半導体基板１５全体に電位のばらつきを生じさせ
ることとなる。この電位のバラツキは半導体基板１５の
複数個のパッド電極２１にも影響して、これら複数個の
パッド電極２１上の無電解めっき皮膜の膜厚の不均一、
一部のパッド電極２１へのめっき不着等の不良が発生
し、パッド電極２１上への選択性を損なう要因となって
いた。
【００１０】たとえ、半導体基板１５裏面及び側面への
めっきレジストが塗布された半導体基板１５であって
も、その半導体基板１５の能動素子面のパシベーション
膜２２下に形成されている内部配線（図示しない）を経
由してパッド電極２１で発生した電子が移動して、他の
パッド電極との間に電位の差を生じさせることがある。
この影響により、パッド電極２１が負電荷を帯びてしま
うのであるが、このパッド電極上へは金属めっきは形成
されないので、これもパッド電極２１上の無電解めっき
皮膜の膜厚の不均一、一部のパッド電極２１へのめっき
不着等の不良の原因となってしまう。
めっきレジストが塗布された半導体基板１５であって
も、その半導体基板１５の能動素子面のパシベーション
膜２２下に形成されている内部配線（図示しない）を経
由してパッド電極２１で発生した電子が移動して、他の
パッド電極との間に電位の差を生じさせることがある。
この影響により、パッド電極２１が負電荷を帯びてしま
うのであるが、このパッド電極上へは金属めっきは形成
されないので、これもパッド電極２１上の無電解めっき
皮膜の膜厚の不均一、一部のパッド電極２１へのめっき
不着等の不良の原因となってしまう。
【００１１】さらに、無電解めっき皮膜が半導体基板１
５の裏面で成長すると、半導体基板１５裏面から側面を
経由して半導体基板１５の能動素子面のパッシベーショ
ン膜２２上にもめっき反応が伝搬してしまうので、これ
もパッド電極２１上への選択性を損なう要因となってい
た。
５の裏面で成長すると、半導体基板１５裏面から側面を
経由して半導体基板１５の能動素子面のパッシベーショ
ン膜２２上にもめっき反応が伝搬してしまうので、これ
もパッド電極２１上への選択性を損なう要因となってい
た。
【００１２】前記の理由により、従来の方法では半導体
基板１５裏面及び側面へのめっきレジスト３１の塗布は
必須であって、その上、このめっきレジスト３１はめっ
き処理後に剥離工程を必要としていた。
基板１５裏面及び側面へのめっきレジスト３１の塗布は
必須であって、その上、このめっきレジスト３１はめっ
き処理後に剥離工程を必要としていた。
【００１３】そこで本発明の目的は、上記従来技術の課
題を改良し、半導体基板裏面及び側面にめっきレジスト
を塗布することなく、該半導体基板の複数個のパッド電
極上に均一な無電解めっき皮膜を形成する新規の方法を
提供するものである。
題を改良し、半導体基板裏面及び側面にめっきレジスト
を塗布することなく、該半導体基板の複数個のパッド電
極上に均一な無電解めっき皮膜を形成する新規の方法を
提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明においては下記記載の無電解めっき皮膜の形
成方法を採用する。
め、本発明においては下記記載の無電解めっき皮膜の形
成方法を採用する。
【００１５】すなはち、本発明において上記課題を解決
するための第１の手段は、半導体基板のパッド電極上に
無電解めっき皮膜を形成する方法であって、そのパッド
電極を選択的に活性化する工程と、前記半導体基板を無
電解めっき液に浸漬すると同時に、外部電源により前記
半導体基板に電位を印加しながら無電解めっき皮膜を析
出させる工程とを有する。さらに、第１の手段におけ
る、前記活性化する工程が、触媒付与法と亜鉛置換法の
いずれかであることが望ましい。また、第１または２の
手段における、前記半導体基板に電位を印加しながら無
電解めっき皮膜を析出させる工程において、その印加す
る電位が、めっき金属イオンの酸化還元電位と無電解め
っき液に使用される還元剤の酸化還元電位との差の値未
満の正電位であることが望ましい。
するための第１の手段は、半導体基板のパッド電極上に
無電解めっき皮膜を形成する方法であって、そのパッド
電極を選択的に活性化する工程と、前記半導体基板を無
電解めっき液に浸漬すると同時に、外部電源により前記
半導体基板に電位を印加しながら無電解めっき皮膜を析
出させる工程とを有する。さらに、第１の手段におけ
る、前記活性化する工程が、触媒付与法と亜鉛置換法の
いずれかであることが望ましい。また、第１または２の
手段における、前記半導体基板に電位を印加しながら無
電解めっき皮膜を析出させる工程において、その印加す
る電位が、めっき金属イオンの酸化還元電位と無電解め
っき液に使用される還元剤の酸化還元電位との差の値未
満の正電位であることが望ましい。
【００１６】（作用）本発明の無電解めっき皮膜の形成
方法は、めっき反応を部分的に抑制したい半導体基板に
対して、外部電源から正電位を印加することによって部
分的に無電解めっき皮膜の形成を抑制しながら、必要な
部分にのみ選択的に無電解めっき皮膜を形成させる方法
である。
方法は、めっき反応を部分的に抑制したい半導体基板に
対して、外部電源から正電位を印加することによって部
分的に無電解めっき皮膜の形成を抑制しながら、必要な
部分にのみ選択的に無電解めっき皮膜を形成させる方法
である。
【００１７】例として次亜燐酸塩を還元剤とした酸化還
元型の無電解ニッケルめっきについて説明する。この無
電解ニッケルめっきは、次亜燐酸イオンの酸化還元電位
である−０．８０V（ｐＨ５．０、２５℃、 ＮＨＥ基
準）とニッケルイオン（Ｎｉ2+）の酸化還元電位である
−０．２５Ｖ（ｐＨ５．０、２５℃、 ＮＨＥ基準）と
の差が起電力となり無電解めっき反応が開始、継続され
る。この起電力を損なわない範囲の微小電位であれば、
半導体基板を正電極として外部電源からめっき反応とは
逆の電位を印加したとしても無電解めっき反応を継続さ
せることができる。
元型の無電解ニッケルめっきについて説明する。この無
電解ニッケルめっきは、次亜燐酸イオンの酸化還元電位
である−０．８０V（ｐＨ５．０、２５℃、 ＮＨＥ基
準）とニッケルイオン（Ｎｉ2+）の酸化還元電位である
−０．２５Ｖ（ｐＨ５．０、２５℃、 ＮＨＥ基準）と
の差が起電力となり無電解めっき反応が開始、継続され
る。この起電力を損なわない範囲の微小電位であれば、
半導体基板を正電極として外部電源からめっき反応とは
逆の電位を印加したとしても無電解めっき反応を継続さ
せることができる。
【００１８】さらに、前記半導体基板内部に形成されて
いる内部配線によって複数個のパッド電極表面に電位差
を生じることがあるが、該半導体基板全体に外部電源か
ら微少な電位を印加することにより複数個のパッド電極
表面の電位を均一化することができ、均一な膜厚の無電
解めっき皮膜を得ることができる。
いる内部配線によって複数個のパッド電極表面に電位差
を生じることがあるが、該半導体基板全体に外部電源か
ら微少な電位を印加することにより複数個のパッド電極
表面の電位を均一化することができ、均一な膜厚の無電
解めっき皮膜を得ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明による無電解めっき皮膜の
形成方法は、半導体基板とその対極となる不溶性電極を
無電解めっき液に浸漬して、該半導体基板と該不溶性電
極との間に外部電源から一定の電位差を一定時間印加し
ながら無電解めっき皮膜を形成させる方法である。
形成方法は、半導体基板とその対極となる不溶性電極を
無電解めっき液に浸漬して、該半導体基板と該不溶性電
極との間に外部電源から一定の電位差を一定時間印加し
ながら無電解めっき皮膜を形成させる方法である。
【００２０】以下、本発明の無電解めっき皮膜の形成方
法による半導体基板の電極形成方法について、図面を用
いて説明する。
法による半導体基板の電極形成方法について、図面を用
いて説明する。
【００２１】図２（ａ）に示すように、従来の製造方法
と同様に半導体基板１５上のアルミニウムを主成分とす
るパッド電極２１と、該パッド電極２１上に開口部を有
するパッシベーション膜２２を形成する。さらにパッド
電極２１上に形成されている自然酸化皮膜を、酸溶液あ
るいはアルカリ溶液によってエッチング除去する。その
エッチング液としては、水酸化ナトリウムの希薄溶液や
希硫酸を用いることが出来る。酸化皮膜を除去するとと
もに薄い不働態皮膜を形成させるためには硝酸を用いる
のがよい。
と同様に半導体基板１５上のアルミニウムを主成分とす
るパッド電極２１と、該パッド電極２１上に開口部を有
するパッシベーション膜２２を形成する。さらにパッド
電極２１上に形成されている自然酸化皮膜を、酸溶液あ
るいはアルカリ溶液によってエッチング除去する。その
エッチング液としては、水酸化ナトリウムの希薄溶液や
希硫酸を用いることが出来る。酸化皮膜を除去するとと
もに薄い不働態皮膜を形成させるためには硝酸を用いる
のがよい。
【００２２】次に、図２（ｂ）に示すように、酸化皮膜
が除去されたパッド電極２１上に亜鉛置換法により亜鉛
置換皮膜２３を置換析出させる。この亜鉛置換法は、イ
オン化傾向によってアルミニウムが溶出した部位にのみ
亜鉛が析出するため、アルミニウムを主成分とするパッ
ド電極２１上に選択的に亜鉛置換皮膜を形成させること
ができる。具体的には、市販のジンケート処理液を用い
て室温で３０秒から６０秒浸漬する。次いで純水洗浄し
た後、さらに必要に応じて希硝酸等に浸漬して一度析出
した亜鉛置換皮膜２３をエッチング除去した後、再度前
記ジンケート処理液に浸漬して２度目の亜鉛置換皮膜を
析出させてもよい。
が除去されたパッド電極２１上に亜鉛置換法により亜鉛
置換皮膜２３を置換析出させる。この亜鉛置換法は、イ
オン化傾向によってアルミニウムが溶出した部位にのみ
亜鉛が析出するため、アルミニウムを主成分とするパッ
ド電極２１上に選択的に亜鉛置換皮膜を形成させること
ができる。具体的には、市販のジンケート処理液を用い
て室温で３０秒から６０秒浸漬する。次いで純水洗浄し
た後、さらに必要に応じて希硝酸等に浸漬して一度析出
した亜鉛置換皮膜２３をエッチング除去した後、再度前
記ジンケート処理液に浸漬して２度目の亜鉛置換皮膜を
析出させてもよい。
【００２３】次いで純水で洗浄した後、図１に示すよう
に半導体基板１５の裏面側に外部電源１１から直流電位
を印加しながら、酸化還元型の無電解ニッケルめっき液
１４に浸漬するわけであるが、本実施例では対極１２に
ステンレスの棒材にニッケルめっきを施したものを用
い、対極１２を負電極として被めっき基板である半導体
基板１５に＋０．１から０．２Vの正電位を印加しなが
ら無電解ニッケルめっき液１４に浸漬することにより、
図２（ｃ）に示すような無電解ニッケルめっきによる突
起電極１６の形成を行った。
に半導体基板１５の裏面側に外部電源１１から直流電位
を印加しながら、酸化還元型の無電解ニッケルめっき液
１４に浸漬するわけであるが、本実施例では対極１２に
ステンレスの棒材にニッケルめっきを施したものを用
い、対極１２を負電極として被めっき基板である半導体
基板１５に＋０．１から０．２Vの正電位を印加しなが
ら無電解ニッケルめっき液１４に浸漬することにより、
図２（ｃ）に示すような無電解ニッケルめっきによる突
起電極１６の形成を行った。
【００２４】めっき皮膜の形成速度は従来の方法に比べ
て遅くなるが、本発明の方法によれば、複数個のパッド
電極上に均一なめっき皮膜を形成することができる。
尚、対極１２にニッケルめっきが析出することとなる
が、その反応によりパッド電極２１上への無電解ニッケ
ルめっきに影響を与えるものではない。
て遅くなるが、本発明の方法によれば、複数個のパッド
電極上に均一なめっき皮膜を形成することができる。
尚、対極１２にニッケルめっきが析出することとなる
が、その反応によりパッド電極２１上への無電解ニッケ
ルめっきに影響を与えるものではない。
【００２５】本実施例では、次亜燐酸塩を還元剤とする
市販の酸化還元型無電解ニッケルーリン合金めっき液を
用い、ｐＨ５．０±０．１、９０℃、３０分の浸漬処理
によって、半導体基板１５の裏面及び側面にはめっき皮
膜を析出させることなく、該半導体基板１５の全てのパ
ッド電極２１上に均一な５〜６μｍのニッケル突起電極
を形成させることが出来た。本発明の方法によれば、半
導体基板１５を無電解めっき液１４に浸漬する時間をさ
らに延長することによって、めっき皮膜がより厚い突起
電極１６を形成することが可能である。
市販の酸化還元型無電解ニッケルーリン合金めっき液を
用い、ｐＨ５．０±０．１、９０℃、３０分の浸漬処理
によって、半導体基板１５の裏面及び側面にはめっき皮
膜を析出させることなく、該半導体基板１５の全てのパ
ッド電極２１上に均一な５〜６μｍのニッケル突起電極
を形成させることが出来た。本発明の方法によれば、半
導体基板１５を無電解めっき液１４に浸漬する時間をさ
らに延長することによって、めっき皮膜がより厚い突起
電極１６を形成することが可能である。
【００２６】また本実施例では、被メッキ基板である半
導体基板１５に、対極１２に対して正電位を印加して無
電解めっきによる突起電極１６の形成を行ったが、従来
の方法のように半導体基板１５の裏面及び側面にめっき
レジストを塗布する必要はあるが、半導体基板１５の複
数個のパッド電極２１表面の電位を均一化することのみ
を目的として、被メッキ基板である半導体基板１５に微
小の負電位を印加することもできる。
導体基板１５に、対極１２に対して正電位を印加して無
電解めっきによる突起電極１６の形成を行ったが、従来
の方法のように半導体基板１５の裏面及び側面にめっき
レジストを塗布する必要はあるが、半導体基板１５の複
数個のパッド電極２１表面の電位を均一化することのみ
を目的として、被メッキ基板である半導体基板１５に微
小の負電位を印加することもできる。
【００２７】また、本発明の手段によれば、無電解めっ
き液の還元剤の酸化還元電位とめっき金属イオンの酸化
還元電位の差の値未満の電位差で、外部電源から半導体
基板１５へ印加する電位差を選択することにより、パッ
ド電極２１上に銅、コバルト、及びその合金等のめっき
皮膜も同様に形成することが可能である。
き液の還元剤の酸化還元電位とめっき金属イオンの酸化
還元電位の差の値未満の電位差で、外部電源から半導体
基板１５へ印加する電位差を選択することにより、パッ
ド電極２１上に銅、コバルト、及びその合金等のめっき
皮膜も同様に形成することが可能である。
【００２８】さらに、活性化処理として亜鉛以外の他の
活性金属を置換させる方法やパラジウム等の触媒を付与
する活性化方法を用いても同様に、半導体基板１５のパ
ッド電極２１上に均一なめっき皮膜を形成することがで
きることは云うまでもない。
活性金属を置換させる方法やパラジウム等の触媒を付与
する活性化方法を用いても同様に、半導体基板１５のパ
ッド電極２１上に均一なめっき皮膜を形成することがで
きることは云うまでもない。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば半導体基
板裏面及び側面へのめっきレジスト塗布、及び後工程で
の該レジスト剥離工程を不要とし、半導体基板裏面及び
側面にめっき皮膜を析出させることなく簡単な操作で半
導体基板の複数個のパッド電極上に、均一な膜厚のバリ
アメタル、或いは突起電極を形成することができる。
板裏面及び側面へのめっきレジスト塗布、及び後工程で
の該レジスト剥離工程を不要とし、半導体基板裏面及び
側面にめっき皮膜を析出させることなく簡単な操作で半
導体基板の複数個のパッド電極上に、均一な膜厚のバリ
アメタル、或いは突起電極を形成することができる。
【図１】 本発明の無電解めっき皮膜の形成方法を示す
模式図である。
模式図である。
【図２】 本発明の半導体基板への電極形成方法を示す
工程断面図である。
工程断面図である。
【図３】 従来の半導体基板への電極形成方法を示す工
程断面図である。
程断面図である。
１１ 外部電源
１２ 対極
１３ めっき槽
１４ 無電解めっき液
１５ 半導体基板
１６ 突起電極
２１ パッド電極
２２ パッシベーション膜
２３ 亜鉛置換皮膜
３１ めっきレジスト
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板のパッド電極上に無電解めっ
き皮膜を形成する方法であって、そのパッド電極を選択
的に活性化する工程と、前記半導体基板を無電解めっき
液に浸漬すると同時に、外部電源により前記半導体基板
に電位を印加しながら無電解めっき皮膜を析出させる工
程とを有する無電解めっき皮膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記活性化する工程が、触媒付与法と亜
鉛置換法のいずれかであることを特徴とする請求項１に
記載の無電解めっき皮膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記半導体基板に電位を印加しながら無
電解めっき皮膜を析出させる工程において、その印加す
る電位が、めっき金属イオンの酸化還元電位と無電解め
っき液に使用される還元剤の酸化還元電位との差の値未
満の正電位であることを特徴とする請求項１または２に
記載の無電解めっき皮膜の形成方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001288395A JP4647159B2 (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | 無電解めっき皮膜の形成方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003096573A true JP2003096573A (ja) | 2003-04-03 |
| JP2003096573A5 JP2003096573A5 (ja) | 2008-07-10 |
| JP4647159B2 JP4647159B2 (ja) | 2011-03-09 |
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Cited By (7)
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| US8198104B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-06-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2012157833A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Toyota Motor Corp | 触媒微粒子の製造方法、当該方法により製造される触媒微粒子、及び当該触媒微粒子を含む燃料電池用電極触媒 |
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-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001288395A patent/JP4647159B2/ja not_active Expired - Fee Related
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