JP2003091875A - 相変化型光情報記録媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに光学フィルター - Google Patents
相変化型光情報記録媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに光学フィルターInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 110
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 68
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 105
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 青色ＬＤを用いて記録再生を行った場合で
も、低パワー側でもノイズが少なく、すぐれた記録再生
特性を発揮できる相変化形光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射
することにより結晶相とアモルファス相との間で可逆的
に相変化する記録層、及び、光透過率が温度に応じて変
化する透過率温度依存性層を含む相変化型光情報記録媒
体。
も、低パワー側でもノイズが少なく、すぐれた記録再生
特性を発揮できる相変化形光情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射
することにより結晶相とアモルファス相との間で可逆的
に相変化する記録層、及び、光透過率が温度に応じて変
化する透過率温度依存性層を含む相変化型光情報記録媒
体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行い、かつ書き換えが可能な相変化型
光情報記録媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに
光学フィルターに関するものである。
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行い、かつ書き換えが可能な相変化型
光情報記録媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに
光学フィルターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の相変化型光情報記録媒体
を用いた光情報記録再生装置では、記録再生に適切な波
長の光ビームを得るため、波長依存性フィルターを用い
たものがある。この波長依存性フィルターとしては、１
／４波長板や、ＮＡ（numerical aperture）を変えるた
め液晶を用いたフィルターが使用されている。
を用いた光情報記録再生装置では、記録再生に適切な波
長の光ビームを得るため、波長依存性フィルターを用い
たものがある。この波長依存性フィルターとしては、１
／４波長板や、ＮＡ（numerical aperture）を変えるた
め液晶を用いたフィルターが使用されている。
【０００３】また、特開平５−２３４１３６号公報で
は、光強度に対して２つ以上の非線型な透過特性もしく
は反射特性を持つ光学材料からなるフィルターを設け
て、記録ビームは大きくし、再生ビームスポット径は規
制することにより、光学的分解能以上に再生可能とする
技術が提案されている。
は、光強度に対して２つ以上の非線型な透過特性もしく
は反射特性を持つ光学材料からなるフィルターを設け
て、記録ビームは大きくし、再生ビームスポット径は規
制することにより、光学的分解能以上に再生可能とする
技術が提案されている。
【０００４】一方、ＣＤの書き換えメディア（ＣＤ−Ｒ
Ｗ）やＤＶＤの書き換えメディアとして、相変化型光情
報記録媒体が使用されている。従来の相変化形光情報記
録媒体は、赤色ＬＤ（記録波長６００〜８３０ｎｍ）を
用いて記録再生を行っている。ところが、記録容量の大
容量化を図るため、最近では青色ＬＤ（記録波長３９０
〜４３０ｎｍ）の使用が提案されている。しかしなが
ら、この青色ＬＤを用いて相変化型光情報記録媒体の記
録再生を行った場合、低いパワー側でノイズが高く、特
に再生時にその問題が顕著となる。
Ｗ）やＤＶＤの書き換えメディアとして、相変化型光情
報記録媒体が使用されている。従来の相変化形光情報記
録媒体は、赤色ＬＤ（記録波長６００〜８３０ｎｍ）を
用いて記録再生を行っている。ところが、記録容量の大
容量化を図るため、最近では青色ＬＤ（記録波長３９０
〜４３０ｎｍ）の使用が提案されている。しかしなが
ら、この青色ＬＤを用いて相変化型光情報記録媒体の記
録再生を行った場合、低いパワー側でノイズが高く、特
に再生時にその問題が顕著となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の問題点を解決し、青色ＬＤを用いて記録再生
を行った場合でも、低パワー側でもノイズが少なく、す
ぐれた記録再生特性を発揮できる相変化型形光情報記録
媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに光学フィル
ターを提供することをその課題とする。
従来技術の問題点を解決し、青色ＬＤを用いて記録再生
を行った場合でも、低パワー側でもノイズが少なく、す
ぐれた記録再生特性を発揮できる相変化型形光情報記録
媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに光学フィル
ターを提供することをその課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題は、下記の相変化型光情報記録媒体、光情報記録記録
再生装置、光情報記録再生方法、及び、光学フィルター
により解決される。 （１）記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射すること
により結晶相とアモルファス相との間で可逆的に相変化
する記録層、及び、光透過率が温度に応じて変化する透
過率温度依存性層を含む相変化型光情報記録媒体。 （２）透過率温度依存性層の光透過率が、温度が上昇す
るに従い高くなる前記（１）に記載の相変化型光情報記
録媒体。 （３）透過率の変化が、０．２〜０．７％／１０℃であ
る前記（１）又は（２）に記載の相変化型光情報記録媒
体。 （４）透過率温度依存性層が、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＧａＳｂ、ＴｉＯ２とＰ
ｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２Ｏ３との混合物、
及び、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物の少なくともいずれか
を材料として形成したものである前記（１）〜（３）の
いずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。 （５） 透過率温度依存性層の屈折率が、２．０以上で
ある前記（１）〜（４）のいずれかに記載の相変化型光
情報記録媒体。 （６）透過率温度依存性層が、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ、及
び、ＺｎＳの少なくともいずれかを材料として形成され
たものであり、屈折率が２．４以上である前記（１）〜
（３）のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。 （７）透過率温度依存性層の厚さが、２０〜５００ｎｍ
である前記（１）〜（６）のいずれかに記載の相変化型
光情報記録媒体。 （８）透過率温度依存性層の透過率が、記録時において
は７０〜９０％であり、再生時においては３０〜７０％
である前記（１）〜（７）のいずれかに記載の相変化型
光情報記録媒体。
題は、下記の相変化型光情報記録媒体、光情報記録記録
再生装置、光情報記録再生方法、及び、光学フィルター
により解決される。 （１）記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射すること
により結晶相とアモルファス相との間で可逆的に相変化
する記録層、及び、光透過率が温度に応じて変化する透
過率温度依存性層を含む相変化型光情報記録媒体。 （２）透過率温度依存性層の光透過率が、温度が上昇す
るに従い高くなる前記（１）に記載の相変化型光情報記
録媒体。 （３）透過率の変化が、０．２〜０．７％／１０℃であ
る前記（１）又は（２）に記載の相変化型光情報記録媒
体。 （４）透過率温度依存性層が、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＧａＳｂ、ＴｉＯ２とＰ
ｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２Ｏ３との混合物、
及び、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物の少なくともいずれか
を材料として形成したものである前記（１）〜（３）の
いずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。 （５） 透過率温度依存性層の屈折率が、２．０以上で
ある前記（１）〜（４）のいずれかに記載の相変化型光
情報記録媒体。 （６）透過率温度依存性層が、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ、及
び、ＺｎＳの少なくともいずれかを材料として形成され
たものであり、屈折率が２．４以上である前記（１）〜
（３）のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。 （７）透過率温度依存性層の厚さが、２０〜５００ｎｍ
である前記（１）〜（６）のいずれかに記載の相変化型
光情報記録媒体。 （８）透過率温度依存性層の透過率が、記録時において
は７０〜９０％であり、再生時においては３０〜７０％
である前記（１）〜（７）のいずれかに記載の相変化型
光情報記録媒体。
【０００７】上記のような構成の相変化型光情報記録媒
体では、光透過率が温度に応じて変化し、特に低温側で
光透過率が低い特性を持つ層を設けたので、低パワー時
に光透過率を低くし、高パワー時に透過率を高くするこ
とができ、これにより、記録時は高いパワー領域でノイ
ズが少なく、再生時もＬＤからの出射パワーを高パワー
側のノイズの低い領域を使用して記録再生特性を向上さ
せることができる。
体では、光透過率が温度に応じて変化し、特に低温側で
光透過率が低い特性を持つ層を設けたので、低パワー時
に光透過率を低くし、高パワー時に透過率を高くするこ
とができ、これにより、記録時は高いパワー領域でノイ
ズが少なく、再生時もＬＤからの出射パワーを高パワー
側のノイズの低い領域を使用して記録再生特性を向上さ
せることができる。
【０００８】（９）記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を
照射することにより結晶相とアモルファス相との間で可
逆的に相変化する記録層を有する相変化型光情報記録媒
体を用いて情報の記録及び再生を行う光情報記録再生装
置であって、光透過率が温度に応じて変化する透過率温
度依存性層を有する光学フィルターを有することを特徴
とする光情報記録再生装置。 （１０）透過率温度依存性層の光透過率が、温度が上昇
するに従い高くなる前記（９）に記載の光情報記録再生
装置。 （１１）透過率の変化が、０．２〜０．７％／１０℃で
ある前記（９）又は（１０）に記載の光情報記録再生装
置。 （１２）透過率温度依存性層が、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ、
ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＧａＳｂ、ＴｉＯ２と
ＰｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２Ｏ３との混合
物、及び、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物の少なくともいず
れかを材料として形成したものである前記（９）〜（１
１）のいずれかに記載の光情報記録再生装置。 （１３）透過率温度依存性層の屈折率が、２．０以上で
ある前記（９）〜（１２）のいずれかに記載の光情報記
録再生装置。 （１４）透過率温度依存性層が、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ、
及び、ＺｎＳの少なくともいずれかを材料として形成さ
れたものであり、屈折率が２．４以上である前記（９）
〜（１１）のいずれかに記載の光情報記録再生装置。 （１５）透過率温度依存性層の厚さが、２０〜５００ｎ
ｍである前記（９）〜（１４）のいずれかに記載の光情
報記録再生装置。 （１６）透過率温度依存性層の透過率が、記録時におい
ては７０〜９０％であり、再生時においては３０〜７０
％である前記（９）〜（１５）のいずれかに記載の光情
報記録再生装置。
照射することにより結晶相とアモルファス相との間で可
逆的に相変化する記録層を有する相変化型光情報記録媒
体を用いて情報の記録及び再生を行う光情報記録再生装
置であって、光透過率が温度に応じて変化する透過率温
度依存性層を有する光学フィルターを有することを特徴
とする光情報記録再生装置。 （１０）透過率温度依存性層の光透過率が、温度が上昇
するに従い高くなる前記（９）に記載の光情報記録再生
装置。 （１１）透過率の変化が、０．２〜０．７％／１０℃で
ある前記（９）又は（１０）に記載の光情報記録再生装
置。 （１２）透過率温度依存性層が、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ、
ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＧａＳｂ、ＴｉＯ２と
ＰｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２Ｏ３との混合
物、及び、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物の少なくともいず
れかを材料として形成したものである前記（９）〜（１
１）のいずれかに記載の光情報記録再生装置。 （１３）透過率温度依存性層の屈折率が、２．０以上で
ある前記（９）〜（１２）のいずれかに記載の光情報記
録再生装置。 （１４）透過率温度依存性層が、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ、
及び、ＺｎＳの少なくともいずれかを材料として形成さ
れたものであり、屈折率が２．４以上である前記（９）
〜（１１）のいずれかに記載の光情報記録再生装置。 （１５）透過率温度依存性層の厚さが、２０〜５００ｎ
ｍである前記（９）〜（１４）のいずれかに記載の光情
報記録再生装置。 （１６）透過率温度依存性層の透過率が、記録時におい
ては７０〜９０％であり、再生時においては３０〜７０
％である前記（９）〜（１５）のいずれかに記載の光情
報記録再生装置。
【０００９】上記のような構成の光情報記録再生装置で
は、光透過率が温度に応じて変化し、特に低温側で光透
過率が低い特性を持つ層を光学フィルターに設けたの
で、低パワー時に光透過率を低くし、高パワー時に透過
率を高くすることができ、これにより、記録時は高いパ
ワー領域でノイズが少なく、再生時もＬＤからの出射パ
ワーを高パワー側のノイズの低い領域を使用して記録再
生特性の良いエラーの少ない装置が実現できる。
は、光透過率が温度に応じて変化し、特に低温側で光透
過率が低い特性を持つ層を光学フィルターに設けたの
で、低パワー時に光透過率を低くし、高パワー時に透過
率を高くすることができ、これにより、記録時は高いパ
ワー領域でノイズが少なく、再生時もＬＤからの出射パ
ワーを高パワー側のノイズの低い領域を使用して記録再
生特性の良いエラーの少ない装置が実現できる。
【００１０】（１７）記録波長３９０〜４３０ｎｍの光
を照射することにより結晶相とアモルファス相との間で
可逆的に相変化する記録層、及び、光透過率が温度に応
じて変化する透過率温度依存性層を含む相変化型光情報
記録媒体に、波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射して記
録及び再生を行うことを特徴とする光情報記録再生方
法。 （１８）透過率温度依存性層の透過率が、記録時におい
ては７０〜９０％であり、再生時においては３０〜７０
％である前記（１７）に記載の光情報記録再生方法。 （１９） 記録のための照射光のパワーである記録パワ
ーの値が、再生のための照射光の最大パワーである再生
パワーＭＡＸの値を１としたとき、１０以下である前記
（１７）又は（１８）に記載の光情報記録再生方法。 （２０）波長３９０〜４３０ｎｍの光を、光透過率が温
度に応じて変化する透過率温度依存性層を有する光学フ
ィルターを介して、相変化型光情報記録媒体に照射して
記録及び再生を行うことを特徴とする光情報再生方法。 （２１）透過率温度依存性層の透過率が、記録時におい
ては７０〜９０％であり、再生時においては３０〜７０
％である前記（２０）に記載の光情報記録再生方法。 （２２）記録のための照射光のパワーである記録パワー
の値が、再生のための照射光の最大パワーである再生パ
ワーＭＡＸの値を１としたとき、１０以下である前記
（２０）又は（２１）に記載の光情報記録再生方法。
を照射することにより結晶相とアモルファス相との間で
可逆的に相変化する記録層、及び、光透過率が温度に応
じて変化する透過率温度依存性層を含む相変化型光情報
記録媒体に、波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射して記
録及び再生を行うことを特徴とする光情報記録再生方
法。 （１８）透過率温度依存性層の透過率が、記録時におい
ては７０〜９０％であり、再生時においては３０〜７０
％である前記（１７）に記載の光情報記録再生方法。 （１９） 記録のための照射光のパワーである記録パワ
ーの値が、再生のための照射光の最大パワーである再生
パワーＭＡＸの値を１としたとき、１０以下である前記
（１７）又は（１８）に記載の光情報記録再生方法。 （２０）波長３９０〜４３０ｎｍの光を、光透過率が温
度に応じて変化する透過率温度依存性層を有する光学フ
ィルターを介して、相変化型光情報記録媒体に照射して
記録及び再生を行うことを特徴とする光情報再生方法。 （２１）透過率温度依存性層の透過率が、記録時におい
ては７０〜９０％であり、再生時においては３０〜７０
％である前記（２０）に記載の光情報記録再生方法。 （２２）記録のための照射光のパワーである記録パワー
の値が、再生のための照射光の最大パワーである再生パ
ワーＭＡＸの値を１としたとき、１０以下である前記
（２０）又は（２１）に記載の光情報記録再生方法。
【００１１】上記のような光情報記録再生方法では、光
透過率が温度に応じて変化し、特に低温側で光透過率が
低い特性を持つ層を有する相変化型光情報記録媒体を使
用するので、低パワー時に光透過率を低くし、高パワー
時に光透過率を高くすることができ、これにより、記録
時は高いパワー領域でノイズが少なく、再生時もＬＤか
らの出射パワーを高パワー側のノイズの低い領域を使用
して記録再生特性の良いエラーの少ない光情報記録再生
方法が実現できる。
透過率が温度に応じて変化し、特に低温側で光透過率が
低い特性を持つ層を有する相変化型光情報記録媒体を使
用するので、低パワー時に光透過率を低くし、高パワー
時に光透過率を高くすることができ、これにより、記録
時は高いパワー領域でノイズが少なく、再生時もＬＤか
らの出射パワーを高パワー側のノイズの低い領域を使用
して記録再生特性の良いエラーの少ない光情報記録再生
方法が実現できる。
【００１２】また、本発明によれば、上記方法に使用さ
れる下記の光学フィルターが提供される。 （２３）光透過率が温度に応じて変化する透過率温度依
存性層を有することを特徴とする光学フィルター。
れる下記の光学フィルターが提供される。 （２３）光透過率が温度に応じて変化する透過率温度依
存性層を有することを特徴とする光学フィルター。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の相変化型光情報記録媒体は、いわゆる青色ＬＤ
光である記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射するこ
とにより結晶相とアモルファス相との間で可逆的に相変
化する記録層を有するもので、光透過率が温度に応じて
変化を有する透過率温度依存性層を設けたことを特徴と
する。この透過率温度依存性層は、温度が上昇するに従
い光透過率が高くなることが好ましい。
本発明の相変化型光情報記録媒体は、いわゆる青色ＬＤ
光である記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射するこ
とにより結晶相とアモルファス相との間で可逆的に相変
化する記録層を有するもので、光透過率が温度に応じて
変化を有する透過率温度依存性層を設けたことを特徴と
する。この透過率温度依存性層は、温度が上昇するに従
い光透過率が高くなることが好ましい。
【００１４】本発明の相変化型光情報記録媒体は、青色
ＬＤ光の照射により、情報の記録再生を行うが、その記
録時の出射パワーは、通常、３．０〜９．０ｍＷ程度、
再生時の出射パワーは０．２〜０．７ｍＷ程度である。
このため、透過率温度依存性層の温度は記録時には４０
０〜６００℃程度、再生時には５０〜２２０℃程度とな
る。また、透過率温度依存性層の透過率は、青色ＬＤの
ノイズの観点から、記録時には７０〜９０％程度、再生
時には３０〜７０％程度となることが望ましい。即ち、
透過率温度依存性層の透過率変化（１０℃当たりの変化
率）は、０．２〜０．７％／１０℃、より好ましくは
０．３〜０．６％／１０℃であることが望ましい。ま
た、透過率温度依存性層の屈折率は、エリプソで測定し
た場合、好ましくは２．０以上、より好ましくは２．１
〜２．５以上、さらに好ましくは２．２〜２．４であ
る。透過率温度依存性層の透過率変化及び屈折率がこの
ような範囲であると、記録時は高いパワー領域でノイズ
が少なく、再生時もＬＤからの出射パワーを高パワー側
のノイズの低い領域を使用できるため、記録再生特性を
向上させることができるとともに、該透過率温度依存性
層の存在により、記録層の温度上昇を抑制して、媒体の
劣化を防ぐことが可能となる。換言すれば、上記のよう
にすれば、再生ビーム径と記録ビーム径の差はほとんど
ないが、再生時のノイズが大幅に減るのでＳＮ比（sign
al to noise ratio）としては逆に大きくとれエラーを
低減させることが可能となる。
ＬＤ光の照射により、情報の記録再生を行うが、その記
録時の出射パワーは、通常、３．０〜９．０ｍＷ程度、
再生時の出射パワーは０．２〜０．７ｍＷ程度である。
このため、透過率温度依存性層の温度は記録時には４０
０〜６００℃程度、再生時には５０〜２２０℃程度とな
る。また、透過率温度依存性層の透過率は、青色ＬＤの
ノイズの観点から、記録時には７０〜９０％程度、再生
時には３０〜７０％程度となることが望ましい。即ち、
透過率温度依存性層の透過率変化（１０℃当たりの変化
率）は、０．２〜０．７％／１０℃、より好ましくは
０．３〜０．６％／１０℃であることが望ましい。ま
た、透過率温度依存性層の屈折率は、エリプソで測定し
た場合、好ましくは２．０以上、より好ましくは２．１
〜２．５以上、さらに好ましくは２．２〜２．４であ
る。透過率温度依存性層の透過率変化及び屈折率がこの
ような範囲であると、記録時は高いパワー領域でノイズ
が少なく、再生時もＬＤからの出射パワーを高パワー側
のノイズの低い領域を使用できるため、記録再生特性を
向上させることができるとともに、該透過率温度依存性
層の存在により、記録層の温度上昇を抑制して、媒体の
劣化を防ぐことが可能となる。換言すれば、上記のよう
にすれば、再生ビーム径と記録ビーム径の差はほとんど
ないが、再生時のノイズが大幅に減るのでＳＮ比（sign
al to noise ratio）としては逆に大きくとれエラーを
低減させることが可能となる。
【００１５】透過率温度依存性層に使用可能な材料とし
ては、上記の条件を満足するものであれば、適宜の材料
を使用することができるが、具体例を挙げると、Ｓｂ２
Ｏ３、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＧａＳ
ｂ、ＴｉＯ２とＰｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２
Ｏ３との混合物、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物などの材料
が使用可能である。ここでＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯやＺｎＳ
などの材料は一般に使用されているが、従来のこれら材
料は記録波長４００〜４１０ｎｍの光を利用した媒体で
は、透過率温度依存性が０．０〜０．１％／１０℃で、
屈折率１．９〜２．１程度のものが使用されていた。こ
れは、記録再生波長で透過率を高くするためである。と
ころが、本発明の透過率温度依存性層では、例えばスパ
ッタによる製膜時に、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、
ＴｉＯ２とＰｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２Ｏ３
との混合物、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物等では酸素量を
調整することにより、またＳｉ３Ｎ４では窒素量を調整
することにより、またＺｎＳではイオウ量を調整するこ
とにより、さらにＧｄＳｂではＡｒ以外にＮｅや窒素を
導入することにより、上記のような範囲の透過率温度依
存性及び屈折率を得ることができる。特にこのような範
囲の透過率温度依存性は従来の媒体では使用されていな
いものである。透過率温度依存性層の膜厚は、材料の種
類にも依存するが、記録再生特性の観点から、通常、好
ましくは２０〜５００ｎｍ、より好ましくは５０〜２０
０ｎｍである。
ては、上記の条件を満足するものであれば、適宜の材料
を使用することができるが、具体例を挙げると、Ｓｂ２
Ｏ３、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＧａＳ
ｂ、ＴｉＯ２とＰｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２
Ｏ３との混合物、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物などの材料
が使用可能である。ここでＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯやＺｎＳ
などの材料は一般に使用されているが、従来のこれら材
料は記録波長４００〜４１０ｎｍの光を利用した媒体で
は、透過率温度依存性が０．０〜０．１％／１０℃で、
屈折率１．９〜２．１程度のものが使用されていた。こ
れは、記録再生波長で透過率を高くするためである。と
ころが、本発明の透過率温度依存性層では、例えばスパ
ッタによる製膜時に、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、
ＴｉＯ２とＰｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２Ｏ３
との混合物、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物等では酸素量を
調整することにより、またＳｉ３Ｎ４では窒素量を調整
することにより、またＺｎＳではイオウ量を調整するこ
とにより、さらにＧｄＳｂではＡｒ以外にＮｅや窒素を
導入することにより、上記のような範囲の透過率温度依
存性及び屈折率を得ることができる。特にこのような範
囲の透過率温度依存性は従来の媒体では使用されていな
いものである。透過率温度依存性層の膜厚は、材料の種
類にも依存するが、記録再生特性の観点から、通常、好
ましくは２０〜５００ｎｍ、より好ましくは５０〜２０
０ｎｍである。
【００１６】次に、本発明の実施の形態に係る相変化型
光ディスクの構成例を図１及び図２に示す。図１に示す
例は、基板１上に第１保護層２、記録層３、第２保護層
４、放熱層５、ハードコート層（紫外線硬化樹脂層）６
を設けるとともに、その反対側に透過率温度依存性層６
を設けた構成を有する。一方、図２に示す例は、基板１
１上に放熱層１２、第３保護層１３、記録層１４、第２
保護層１５、温度依存性層１６、第１保護層１７、接着
層１８、薄型基板１９を設けた構成を有する。両方のデ
ィスクにおいて、レーザ光は透過率温度依存性層側から
照射される。図１は光学系が主にＮＡ（Numerical Aper
ture）が０．７４以下程度で使われる構成であり、図２
は光学系が主にＮＡ＝０．７５以上で使われる構成であ
る。両方のディスクにおいて、レーザ光は透過率温度依
存性層側から照射される。
光ディスクの構成例を図１及び図２に示す。図１に示す
例は、基板１上に第１保護層２、記録層３、第２保護層
４、放熱層５、ハードコート層（紫外線硬化樹脂層）６
を設けるとともに、その反対側に透過率温度依存性層６
を設けた構成を有する。一方、図２に示す例は、基板１
１上に放熱層１２、第３保護層１３、記録層１４、第２
保護層１５、温度依存性層１６、第１保護層１７、接着
層１８、薄型基板１９を設けた構成を有する。両方のデ
ィスクにおいて、レーザ光は透過率温度依存性層側から
照射される。図１は光学系が主にＮＡ（Numerical Aper
ture）が０．７４以下程度で使われる構成であり、図２
は光学系が主にＮＡ＝０．７５以上で使われる構成であ
る。両方のディスクにおいて、レーザ光は透過率温度依
存性層側から照射される。
【００１７】次に、本発明の実施の形態に係る相変化型
光ディスクにおける各構成要素の説明を行う。先ず、基
板の材料は、通常ガラス、セラミックスあるいは樹脂で
あり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹
脂の例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリ
ル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢ
Ｓ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光
学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、ア
クリル系樹脂が好ましい。基板面の一方に凹凸パターン
が形成されており、こちら側に放熱層、記録層などが成
膜される。基板の厚さは特に制限されるものではない
が、通常０．３〜１．２ｍｍ程度である。基板側からレ
ーザ光を照射しない場合は、基板の光学特性を考慮する
必要がなく、剛性の優れたポリエチレンテレフタレート
などが好ましい。
光ディスクにおける各構成要素の説明を行う。先ず、基
板の材料は、通常ガラス、セラミックスあるいは樹脂で
あり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹
脂の例としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリ
ル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢ
Ｓ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光
学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、ア
クリル系樹脂が好ましい。基板面の一方に凹凸パターン
が形成されており、こちら側に放熱層、記録層などが成
膜される。基板の厚さは特に制限されるものではない
が、通常０．３〜１．２ｍｍ程度である。基板側からレ
ーザ光を照射しない場合は、基板の光学特性を考慮する
必要がなく、剛性の優れたポリエチレンテレフタレート
などが好ましい。
【００１８】保護層（第１保護層及び第２保護層及び第
３保護層）は、記録層の劣化変質を防ぎ（耐熱層として
の役割）、記録層の接着強度を高め、かつ記録特性を高
めるなどの作用を有するもので、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｚ
ｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、
ＴａＳ4などの硫化物、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、
ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボン、あるい
はそれらの混合物が使用可能である。これらの材料は、
単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物とし
てもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。
保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。こ
のような保護層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量
産性、膜質等に優れている。第１保護層の膜厚は、３０
〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍ程度であ
る。第２保護層及び第３保護層の膜厚は、２〜５０ｎ
ｍ、好ましくは５〜２０ｎｍ程度である。
３保護層）は、記録層の劣化変質を防ぎ（耐熱層として
の役割）、記録層の接着強度を高め、かつ記録特性を高
めるなどの作用を有するもので、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｚ
ｎＯ、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＺｒＯ2などの金属酸化物、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ2Ｓ3、
ＴａＳ4などの硫化物、ＴａＣ、Ｂ4Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、
ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボン、あるい
はそれらの混合物が使用可能である。これらの材料は、
単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物とし
てもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。
保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。こ
のような保護層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などに
よって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量
産性、膜質等に優れている。第１保護層の膜厚は、３０
〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍ程度であ
る。第２保護層及び第３保護層の膜厚は、２〜５０ｎ
ｍ、好ましくは５〜２０ｎｍ程度である。
【００１９】記録層には、結晶相とアモルファス相との
間で可逆的に相変化する各種材料が使用可能であり、典
型的には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅやＧｅＳｂＴｅもし
くはＩｎＳｂＴｅ、ＳｂＴｅ、ＩｎＳｅ等の記録材料を
中心に添加物を１５％未満加えたもの等が相変化材料と
して使用されるが、これに限定されない。記録層の膜厚
は、５〜３０ｎｍ、好ましくは８〜２０ｎｍ程度であ
る。
間で可逆的に相変化する各種材料が使用可能であり、典
型的には、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅやＧｅＳｂＴｅもし
くはＩｎＳｂＴｅ、ＳｂＴｅ、ＩｎＳｅ等の記録材料を
中心に添加物を１５％未満加えたもの等が相変化材料と
して使用されるが、これに限定されない。記録層の膜厚
は、５〜３０ｎｍ、好ましくは８〜２０ｎｍ程度であ
る。
【００２０】放熱層（反射放熱層）としては、一般的に
はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、また
はそれらの合金などを用いることができる。また、添加
元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、
Ｔａなどを使用することもできる。このような放熱層
は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリ
ング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレー
ティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に
優れている。放熱層の膜厚は、５０〜２００ｎｍ、好ま
しくは１００〜１５０ｎｍ程度である。
はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、また
はそれらの合金などを用いることができる。また、添加
元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、
Ｔａなどを使用することもできる。このような放熱層
は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリ
ング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレー
ティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に
優れている。放熱層の膜厚は、５０〜２００ｎｍ、好ま
しくは１００〜１５０ｎｍ程度である。
【００２１】薄型基板を設ける構成（図２）では、高Ｎ
Ａの対物レンズを用いる場合、０．３ｍｍ以下の厚さ、
より好ましくは０．０６〜０．２０ｍｍの厚さが要求さ
れるため、シート状であることが好ましい。材料として
は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共
重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタ
ン樹脂などが挙げられるが、光学特性、コストの点で優
れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好まし
い。上記透明シートを用いて薄型基板を形成する方法と
しては、紫外線硬化性樹脂、あるいは透明な両面粘着シ
ートを介して、透明シートを貼りつける方法が挙げられ
る。また、紫外線硬化性樹脂を保護層上に塗布してこれ
を硬化させて薄型基板を形成してもよい。
Ａの対物レンズを用いる場合、０．３ｍｍ以下の厚さ、
より好ましくは０．０６〜０．２０ｍｍの厚さが要求さ
れるため、シート状であることが好ましい。材料として
は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共
重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタ
ン樹脂などが挙げられるが、光学特性、コストの点で優
れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好まし
い。上記透明シートを用いて薄型基板を形成する方法と
しては、紫外線硬化性樹脂、あるいは透明な両面粘着シ
ートを介して、透明シートを貼りつける方法が挙げられ
る。また、紫外線硬化性樹脂を保護層上に塗布してこれ
を硬化させて薄型基板を形成してもよい。
【００２２】ハードコート層を設ける構成（図１）で
は、紫外線硬化型樹脂を使用することができる。具体的
には、ラジカルＵＶ樹脂等が挙げられる。ハードコート
層の厚さは、０．１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍ
程度である。
は、紫外線硬化型樹脂を使用することができる。具体的
には、ラジカルＵＶ樹脂等が挙げられる。ハードコート
層の厚さは、０．１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍ
程度である。
【００２３】以上のような層構成が基本であるが、本発
明の相変化型光情報記録媒体は、れらの構成に限定され
るものではなく、種々の変形、変更が可能である。例え
ば、記録層は２層構造のものを用いてもよい。
明の相変化型光情報記録媒体は、れらの構成に限定され
るものではなく、種々の変形、変更が可能である。例え
ば、記録層は２層構造のものを用いてもよい。
【００２４】次に、本発明による光情報記録再生装置に
ついて説明する。図３は、本発明による光情報記録再生
装置の構成を模式的に示す図である。この光情報記録再
生装置では、従来と同様の相変化型光ディスクを用いて
記録再生を行うが、従来装置と異なる点は、光透過率が
温度に応じて変化する層（透過率温度依存性層）を有す
る光学フィルターを設けたことである。光学フィルター
は適宜の位置に配置することができるが、本例では１／
４波長板の前段に設けてある。本例の場合、透過率温度
依存性層は光学フィルターの少なくとも一方の面に形成
する。透過率温度依存性層の透過率は、記録時には６０
〜９５％程度、再生時には３０〜７０％程度となること
が望ましい。即ち、透過率温度依存性層の透過率変化
は、０．２〜０．７％／１０℃、より好ましくは０．３
〜０．６％／１０℃であることが望ましい。このような
範囲であると、記録時は高いパワー領域でノイズが少な
く、再生時もＬＤからの出射パワーを高パワー側のノイ
ズの低い領域を使用できるため、記録再生特性を向上さ
せることができるとともに、該透過率温度依存性層の存
在により、記録層の温度上昇を抑制して、媒体の劣化を
防ぐことが可能となる。換言すれば、上記のようにすれ
ば、再生ビーム径と記録ビーム径の差はほとんどない
が、再生時のノイズが大幅に減るのでＳＮ比（signal t
o noise ratio）としては逆に大きくとれエラーを低減
させることが可能となる。透過率温度依存性層に使用可
能な材料としては、前述したものと同様な材料が使用で
きる。また、透過率温度依存性層の膜厚は、材料の種類
にも依存するが、記録再生特性の観点から、通常、好ま
しくは２０〜５００ｎｍ、より好ましくは３０〜２００
ｎｍである。本例の装置における構成は、記録波長３９
０ｎｍ〜４３０ｍｍの記録波長の光を照射する光源を設
けたこと、及び透過率温度依存性層を有する光学フィル
ターを設けたこと以外は従来装置と同様構成である。
ついて説明する。図３は、本発明による光情報記録再生
装置の構成を模式的に示す図である。この光情報記録再
生装置では、従来と同様の相変化型光ディスクを用いて
記録再生を行うが、従来装置と異なる点は、光透過率が
温度に応じて変化する層（透過率温度依存性層）を有す
る光学フィルターを設けたことである。光学フィルター
は適宜の位置に配置することができるが、本例では１／
４波長板の前段に設けてある。本例の場合、透過率温度
依存性層は光学フィルターの少なくとも一方の面に形成
する。透過率温度依存性層の透過率は、記録時には６０
〜９５％程度、再生時には３０〜７０％程度となること
が望ましい。即ち、透過率温度依存性層の透過率変化
は、０．２〜０．７％／１０℃、より好ましくは０．３
〜０．６％／１０℃であることが望ましい。このような
範囲であると、記録時は高いパワー領域でノイズが少な
く、再生時もＬＤからの出射パワーを高パワー側のノイ
ズの低い領域を使用できるため、記録再生特性を向上さ
せることができるとともに、該透過率温度依存性層の存
在により、記録層の温度上昇を抑制して、媒体の劣化を
防ぐことが可能となる。換言すれば、上記のようにすれ
ば、再生ビーム径と記録ビーム径の差はほとんどない
が、再生時のノイズが大幅に減るのでＳＮ比（signal t
o noise ratio）としては逆に大きくとれエラーを低減
させることが可能となる。透過率温度依存性層に使用可
能な材料としては、前述したものと同様な材料が使用で
きる。また、透過率温度依存性層の膜厚は、材料の種類
にも依存するが、記録再生特性の観点から、通常、好ま
しくは２０〜５００ｎｍ、より好ましくは３０〜２００
ｎｍである。本例の装置における構成は、記録波長３９
０ｎｍ〜４３０ｍｍの記録波長の光を照射する光源を設
けたこと、及び透過率温度依存性層を有する光学フィル
ターを設けたこと以外は従来装置と同様構成である。
【００２５】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
【００２６】実施例１
トラックピッチ０．３５μｍ、厚さ１．１ｍｍ、直径１
２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板に、第１保
護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2：ＺｎＳとＳｉＯ2）との混合
物）を４０ｎｍ厚、記録層（Ｓｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３）
を１２ｎｍ厚、第２の保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を１
４ｎｍ厚、放熱層（Ａｇ９４Ｐｄ３Ｃｕ３）を１２０ｎ
ｍ厚、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、さらにラジ
カルＵＶ樹脂（三菱レーヨン社製：商品名ＭＨ７６１７
Ｎ）を５μｍ厚に設けるとともに、該ディスクの入射側
に透過率温度依存性層（Ｓｂ２Ｏ３）を３０ｎｍ厚に形
成し、最終厚み１．２ｍｍの本発明による相変化型光デ
ィスクを作製した。メディア構成は図１に示すとおり。
２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板に、第１保
護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2：ＺｎＳとＳｉＯ2）との混合
物）を４０ｎｍ厚、記録層（Ｓｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３）
を１２ｎｍ厚、第２の保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を１
４ｎｍ厚、放熱層（Ａｇ９４Ｐｄ３Ｃｕ３）を１２０ｎ
ｍ厚、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、さらにラジ
カルＵＶ樹脂（三菱レーヨン社製：商品名ＭＨ７６１７
Ｎ）を５μｍ厚に設けるとともに、該ディスクの入射側
に透過率温度依存性層（Ｓｂ２Ｏ３）を３０ｎｍ厚に形
成し、最終厚み１．２ｍｍの本発明による相変化型光デ
ィスクを作製した。メディア構成は図１に示すとおり。
【００２７】比較例１
トラックピッチ０．３５μｍ、厚さ０．６．ｍｍ、直径
１２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板に、第１
保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を４０ｎｍ厚、記録層（Ｓ
ｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３）を１２ｎｍ厚、第２の保護層
（ＺｎＳ・ＳｉＯ 2）を１４ｎｍ厚、放熱層（Ａｇ９４
Ｐｄ３Ｃｕ３）を１２０ｎｍ厚、順次、枚葉スパッタ装
置にて成膜し、さらにラジカルＵＶ樹脂（三菱レーヨン
社製：商品名ＭＨ７６１７Ｎ）を５μｍ厚に設け、該デ
ィスクの入射側にポリカーボネートからなる厚さ０．６
ｍｍの基板を変性アクリル性接着剤（日東電工社製：商
品名：ＤＡ８３１０−Ａ５０）で貼り合わせ、最終厚み
１．２ｍｍの比較例の相変化型光ディスクを作製した。
１２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板に、第１
保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を４０ｎｍ厚、記録層（Ｓ
ｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３）を１２ｎｍ厚、第２の保護層
（ＺｎＳ・ＳｉＯ 2）を１４ｎｍ厚、放熱層（Ａｇ９４
Ｐｄ３Ｃｕ３）を１２０ｎｍ厚、順次、枚葉スパッタ装
置にて成膜し、さらにラジカルＵＶ樹脂（三菱レーヨン
社製：商品名ＭＨ７６１７Ｎ）を５μｍ厚に設け、該デ
ィスクの入射側にポリカーボネートからなる厚さ０．６
ｍｍの基板を変性アクリル性接着剤（日東電工社製：商
品名：ＤＡ８３１０−Ａ５０）で貼り合わせ、最終厚み
１．２ｍｍの比較例の相変化型光ディスクを作製した。
【００２８】上記で作製した相変化型光ディスクの記録
層の結晶化を行うための初期化を１０ｍＷ／（μ
ｍ）２、３ｍ／ｓの条件で行った後、下記の条件で記録
再生を行った。 評価条件 記録再生波長：４００ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速度：６．０ｍ／ｓ 記録ビット長：０．１７μｍ／ｂｉｔ 記録パワー：９ｍＷ 消去パワー：５．５ｍＷ 上記で評価した結果、実施例１の相変化型光ディスクで
は、ジッタ７．５％と良好な特性が得られたが、比較例
１の相変化型光ディスクではジッタが１２．９％と良好
に記録再生できなかった。実施例１の評価結果を表１に
示す。
層の結晶化を行うための初期化を１０ｍＷ／（μ
ｍ）２、３ｍ／ｓの条件で行った後、下記の条件で記録
再生を行った。 評価条件 記録再生波長：４００ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速度：６．０ｍ／ｓ 記録ビット長：０．１７μｍ／ｂｉｔ 記録パワー：９ｍＷ 消去パワー：５．５ｍＷ 上記で評価した結果、実施例１の相変化型光ディスクで
は、ジッタ７．５％と良好な特性が得られたが、比較例
１の相変化型光ディスクではジッタが１２．９％と良好
に記録再生できなかった。実施例１の評価結果を表１に
示す。
【００２９】実施例２〜４
実施例１において透過率温度依存性層の材料として表１
に示す材料を用いたこと以外は同様にして、本発明によ
る相変化型光ディスクを作製した。これらの相変化型光
ディスクの記録層の初期化を実施例１の場合と同様に行
い、実施例１の場合と同様の条件で評価を行った。その
結果を表１に示す。
に示す材料を用いたこと以外は同様にして、本発明によ
る相変化型光ディスクを作製した。これらの相変化型光
ディスクの記録層の初期化を実施例１の場合と同様に行
い、実施例１の場合と同様の条件で評価を行った。その
結果を表１に示す。
【００３０】実施例５〜８
トラックピッチ０．３５μｍ、厚さ１．１ｍｍ、直径１
２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板に、放熱層
（Ａｇ９４Ｃｕ３Ｐｄ３）を１００ｎｍ厚、第３保護層
（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を３ｎｍ厚、透過率温度依存性層
（表１参照）、第２保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を５ｎ
ｍ厚、記録層（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）を１０
ｎｍ厚、第１の保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を１００ｎ
ｍ厚に、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、さらにポ
リカーボネートからなる薄型基板を、アクリル性接着剤
（日東電工社製：商品名ＤＡ８３１０−Ａ５０）２５μ
ｍ厚で貼り付け、最終厚み１．２ｍｍの本発明による相
変化型光ディスクを作製した。メディア構成は図２に示
すとおり。上記で作製した相変化型光ディスクの記録層
の結晶化を行うための初期化を１０ｍＷ／（μｍ）２、
３ｍ／ｓの条件で行った後、下記の条件で記録再生を行
った。 評価条件 記録再生波長：４０５ｎｍ ＮＡ＝０．８５ 線速度：６．０ｍ／ｓ 記録ビット長：０．１３μｍ／ｂｉｔ 記録パワー：６ｍＷ 消去パワー：３．５ｍＷ
２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板に、放熱層
（Ａｇ９４Ｃｕ３Ｐｄ３）を１００ｎｍ厚、第３保護層
（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を３ｎｍ厚、透過率温度依存性層
（表１参照）、第２保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を５ｎ
ｍ厚、記録層（Ａｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５）を１０
ｎｍ厚、第１の保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を１００ｎ
ｍ厚に、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、さらにポ
リカーボネートからなる薄型基板を、アクリル性接着剤
（日東電工社製：商品名ＤＡ８３１０−Ａ５０）２５μ
ｍ厚で貼り付け、最終厚み１．２ｍｍの本発明による相
変化型光ディスクを作製した。メディア構成は図２に示
すとおり。上記で作製した相変化型光ディスクの記録層
の結晶化を行うための初期化を１０ｍＷ／（μｍ）２、
３ｍ／ｓの条件で行った後、下記の条件で記録再生を行
った。 評価条件 記録再生波長：４０５ｎｍ ＮＡ＝０．８５ 線速度：６．０ｍ／ｓ 記録ビット長：０．１３μｍ／ｂｉｔ 記録パワー：６ｍＷ 消去パワー：３．５ｍＷ
【００３１】
【表１】
【００３２】表１から明らかなように、実施例１〜８で
は、全てジッタが９％以下となり記録再生特性は良好と
なった。さらに、記録パワーと再生光パワーｍａｘ（再
生光安定パワーの最大値）比が８．６であり１０以下と
なっている。すなわち、低温側で透過率が低いことか
ら、再生光の実質のパワーを上げることができるので、
記録パワーと再生パワーの比を小さくできる。このこと
は、波長３９０〜４３０ｎｍである青色ＬＤのノイズの
少ない記録再生パワー範囲を使用することで、高密度、
高速記録に対応した記録再生が可能となることを意味す
る。
は、全てジッタが９％以下となり記録再生特性は良好と
なった。さらに、記録パワーと再生光パワーｍａｘ（再
生光安定パワーの最大値）比が８．６であり１０以下と
なっている。すなわち、低温側で透過率が低いことか
ら、再生光の実質のパワーを上げることができるので、
記録パワーと再生パワーの比を小さくできる。このこと
は、波長３９０〜４３０ｎｍである青色ＬＤのノイズの
少ない記録再生パワー範囲を使用することで、高密度、
高速記録に対応した記録再生が可能となることを意味す
る。
【００３３】比較例２
実施例５において、透過率温度依存性層を設けないこと
以外は同様にして、比較例の相変化型光ディスクを作製
した。この相変化型光ディスクの記録層の初期化を実施
例５の場合と同様に行い、実施例５の場合と同様の条件
で評価を行った。その結果、ジッタは１１％と悪く、記
録パワーと再生パワーとの比は１９と大きく、３９０ｎ
ｍから４３０ｎｍ領域の青色波長でのノイズを下げるこ
とができていなかった。
以外は同様にして、比較例の相変化型光ディスクを作製
した。この相変化型光ディスクの記録層の初期化を実施
例５の場合と同様に行い、実施例５の場合と同様の条件
で評価を行った。その結果、ジッタは１１％と悪く、記
録パワーと再生パワーとの比は１９と大きく、３９０ｎ
ｍから４３０ｎｍ領域の青色波長でのノイズを下げるこ
とができていなかった。
【００３４】実施例９〜１６
図３に示す光情報記録再生装置を用い、１／４波長板の
前段に、表２に示す材料からなる透過率温度依存性層
（厚さ１００ｎｍ）をガラス基板（厚さ０．５ｍｍ）上
にスパッタで形成したものを配置した。相変化型光ディ
スクとして比較例１のものを使用し、下記の条件で評価
を行った。その結果を表２に示す。 評価条件（実施例９〜１２） 記録再生波長：４０５ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速度：６．０ｍ／ｓ 記録ビット長：０．１７μｍ／ｂｉｔ 記録パワー：７．９ｍＷ 消去パワー：４．５ｍＷ 評価条件（実施例１３〜１６） 記録再生波長：４０５ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速度：６．０ｍ／ｓ 記録ビット長：０．１７μｍ／ｂｉｔ 記録パワー：７．９Ｗ 消去パワー：４．５ｍＷ
前段に、表２に示す材料からなる透過率温度依存性層
（厚さ１００ｎｍ）をガラス基板（厚さ０．５ｍｍ）上
にスパッタで形成したものを配置した。相変化型光ディ
スクとして比較例１のものを使用し、下記の条件で評価
を行った。その結果を表２に示す。 評価条件（実施例９〜１２） 記録再生波長：４０５ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速度：６．０ｍ／ｓ 記録ビット長：０．１７μｍ／ｂｉｔ 記録パワー：７．９ｍＷ 消去パワー：４．５ｍＷ 評価条件（実施例１３〜１６） 記録再生波長：４０５ｎｍ ＮＡ＝０．６５ 線速度：６．０ｍ／ｓ 記録ビット長：０．１７μｍ／ｂｉｔ 記録パワー：７．９Ｗ 消去パワー：４．５ｍＷ
【００３５】
【表２】
【００３６】表２から明らかなように、実施例９〜１６
では、全てジッタが９％以下となり記録再生特性は良好
となった。また、低い温度つまり低いパワーを使わずに
少しでも高い再生パワーが使えるので、波長３９０ｎｍ
から４３０ｎｍである青色ＬＤのノイズの少ない記録再
生パワー範囲を使用することで、高密度、高速記録に対
応した光情報記録再生装置となった。さらに、記録パワ
ーと再生パワーｍａｘの比が７．５であり、１０以下と
なっている。
では、全てジッタが９％以下となり記録再生特性は良好
となった。また、低い温度つまり低いパワーを使わずに
少しでも高い再生パワーが使えるので、波長３９０ｎｍ
から４３０ｎｍである青色ＬＤのノイズの少ない記録再
生パワー範囲を使用することで、高密度、高速記録に対
応した光情報記録再生装置となった。さらに、記録パワ
ーと再生パワーｍａｘの比が７．５であり、１０以下と
なっている。
【００３７】比較例３
実施例９〜１６で用いた光情報記録再生装置（ＮＡ＝
０．６５）において、１／４波長板の前段に、表２に示
す材料からなる透過率温度依存性層（厚さ１００ｎｍ）
をガラス基板（厚さ０．５ｍｍ）上にスパッタで形成し
たものを配置しないこと以外は同様にして、比較例１の
相変化型ディスクを用いて、評価を行った。その結果、
ジッタが１２．５％、記録パワーと再生パワーｍａｘ比
が１９であり、波長３９０〜４３０ｎｍである青色ＬＤ
が使えない範囲であった。
０．６５）において、１／４波長板の前段に、表２に示
す材料からなる透過率温度依存性層（厚さ１００ｎｍ）
をガラス基板（厚さ０．５ｍｍ）上にスパッタで形成し
たものを配置しないこと以外は同様にして、比較例１の
相変化型ディスクを用いて、評価を行った。その結果、
ジッタが１２．５％、記録パワーと再生パワーｍａｘ比
が１９であり、波長３９０〜４３０ｎｍである青色ＬＤ
が使えない範囲であった。
【００３８】
【発明の効果】請求項１〜８の発明によれば、光透過率
が温度に応じて変化し、特に低温側で光透過率が低い特
性を持つ層を設けたので、低パワー時に光透過率を低く
し、高パワー時に透過率を高くすることができ、これに
より、記録時は高いパワー領域でノイズが少なく、再生
時もＬＤからの出射パワーを高パワー側のノイズの低い
領域を使用して記録再生特性を向上させた相変化型光情
報記録媒体を提供できる。
が温度に応じて変化し、特に低温側で光透過率が低い特
性を持つ層を設けたので、低パワー時に光透過率を低く
し、高パワー時に透過率を高くすることができ、これに
より、記録時は高いパワー領域でノイズが少なく、再生
時もＬＤからの出射パワーを高パワー側のノイズの低い
領域を使用して記録再生特性を向上させた相変化型光情
報記録媒体を提供できる。
【００３９】請求項９〜１６の発明によれば、光透過率
が温度に応じて変化し、特に低温側で光透過率が低い特
性を持つ層を光学フィルターに設けたので、低パワー時
に光透過率を低くし、高パワー時に透過率を高くするこ
とができ、これにより、記録時は高いパワー領域でノイ
ズが少なく、再生時もＬＤからの出射パワーを高パワー
側のノイズの低い領域を使用して記録再生特性の良いエ
ラーの少ない装置が提供できる。
が温度に応じて変化し、特に低温側で光透過率が低い特
性を持つ層を光学フィルターに設けたので、低パワー時
に光透過率を低くし、高パワー時に透過率を高くするこ
とができ、これにより、記録時は高いパワー領域でノイ
ズが少なく、再生時もＬＤからの出射パワーを高パワー
側のノイズの低い領域を使用して記録再生特性の良いエ
ラーの少ない装置が提供できる。
【００４０】請求項１７〜２２の発明によれば、光透過
率が温度に応じて変化し、特に低温側で光透過率が低い
特性を持つ層を有する相変化型光情報記録媒体を使用す
るので、低パワー時に光透過率を低くし、高パワー時に
光透過率を高くすることができ、これにより、記録時は
高いパワー領域でノイズが少なく、再生時もＬＤからの
出射パワーを高パワー側のノイズの低い領域を使用して
記録再生特性の良いエラーの少ない光情報記録再生方法
が提供できる。
率が温度に応じて変化し、特に低温側で光透過率が低い
特性を持つ層を有する相変化型光情報記録媒体を使用す
るので、低パワー時に光透過率を低くし、高パワー時に
光透過率を高くすることができ、これにより、記録時は
高いパワー領域でノイズが少なく、再生時もＬＤからの
出射パワーを高パワー側のノイズの低い領域を使用して
記録再生特性の良いエラーの少ない光情報記録再生方法
が提供できる。
【００４１】請求項２３の発明によれば、上記光情報記
録再生装置及び方法に使用できる光学フィルターが提供
される。
録再生装置及び方法に使用できる光学フィルターが提供
される。
【図１】本発明による相変化型光情報記録媒体の一例の
層構成を模式的に示す断面図である。
層構成を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明による相変化型光情報記録媒体の別例の
層構成を模式的に示す断面図である。
層構成を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明による光情報記録再生装置の構成を模式
的に示すシステム図である。
的に示すシステム図である。
１ 基板
２ 第１保護層
３ 記録層
４ 第２保護層
５ 放熱層
６ ハードコート層
７ 透過率温度依存性層
１１ 基板
１２ 放熱層
１３ 第３保護層
１４ 記録層
１５ 第２保護層
１６ 透過率温度依存性層
１７ 第１保護層
１８ 接着層
１９ 薄型基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 岩佐 博之
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 山田 孝夫
徳島県阿南市上中町岡491番地100 日亜化
学工業株式会社内
(72)発明者 松下 俊雄
徳島県阿南市上中町岡491番地100 日亜化
学工業株式会社内
(72)発明者 神原 康雄
徳島県阿南市上中町岡491番地100 日亜化
学工業株式会社内
(72)発明者 岡内 茂樹
徳島県阿南市上中町岡491番地100 日亜化
学工業株式会社内
Ｆターム(参考） 5D029 JB18 MA02 MA04
5D090 AA01 BB05 CC01 CC04 KK02
KK06
Claims (23)
- 【請求項１】 記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射
することにより結晶相とアモルファス相との間で可逆的
に相変化する記録層、及び、光透過率が温度に応じて変
化する透過率温度依存性層を含む相変化型光情報記録媒
体。 - 【請求項２】 透過率温度依存性層の光透過率が、温度
が上昇するに従い高くなる請求項１に記載の相変化型光
情報記録媒体。 - 【請求項３】 透過率の変化が、０．２〜０．７％／１
０℃である請求項１又は２に記載の相変化型光情報記録
媒体。 - 【請求項４】 透過率温度依存性層が、Ｓｂ２Ｏ３、Ｓ
ｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＧａＳｂ、Ｔｉ
Ｏ２とＰｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ ２Ｏ３との
混合物、及び、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物の少なくとも
いずれかを材料として形成したものである請求項１〜３
のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。 - 【請求項５】 透過率温度依存性層の屈折率が、２．０
以上である請求項１〜４のいずれかに記載の相変化型光
情報記録媒体。 - 【請求項６】 透過率温度依存性層が、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓ
ｉＯ、及び、ＺｎＳの少なくともいずれかを材料として
形成されたものであり、屈折率が２．４以上である請求
項１〜３のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。 - 【請求項７】 透過率温度依存性層の厚さが、２０〜５
００ｎｍである請求項１〜６のいずれかに記載の相変化
型光情報記録媒体。 - 【請求項８】 透過率温度依存性層の透過率が、記録時
においては７０〜９０％であり、再生時においては３０
〜７０％である請求項１〜７のいずれかに記載の相変化
型光情報記録媒体。 - 【請求項９】 記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射
することにより結晶相とアモルファス相との間で可逆的
に相変化する記録層を有する相変化型光情報記録媒体を
用いて情報の記録及び再生を行う光情報記録再生装置で
あって、光透過率が温度に応じて変化する透過率温度依
存性層を有する光学フィルターを有することを特徴とす
る光情報記録再生装置。 - 【請求項１０】 透過率温度依存性層の光透過率が、温
度が上昇するに従い高くなる請求項９に記載の光情報記
録再生装置。 - 【請求項１１】 透過率の変化が、０．２〜０．７％／
１０℃である請求項９又は１０に記載の光情報記録再生
装置。 - 【請求項１２】 透過率温度依存性層が、Ｓｂ２Ｏ３、
ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＧａＳｂ、Ｔ
ｉＯ２とＰｂＯ２との混合物、ＴｉＯ２とＦｅ２Ｏ３と
の混合物、及び、ＴｉＯ２とＵＯとの混合物の少なくと
もいずれかを材料として形成したものである請求項９〜
１１のいずれかに記載の光情報記録再生装置。 - 【請求項１３】 透過率温度依存性層の屈折率が、２．
０以上である請求項９〜１２のいずれかに記載の光情報
記録再生装置。 - 【請求項１４】 透過率温度依存性層が、Ｓｉ３Ｎ４、
ＳｉＯ、及び、ＺｎＳの少なくともいずれかを材料とし
て形成されたものであり、屈折率が２．４以上である請
求項９〜１１のいずれかに記載の光情報記録再生装置。 - 【請求項１５】 透過率温度依存性層の厚さが、２０〜
５００ｎｍである請求項９〜１４のいずれかに記載の光
情報記録再生装置。 - 【請求項１６】 透過率温度依存性層の透過率が、記録
時においては７０〜９０％であり、再生時においては３
０〜７０％である請求項９〜１５のいずれかに記載の光
情報記録再生装置。 - 【請求項１７】 記録波長３９０〜４３０ｎｍの光を照
射することにより結晶相とアモルファス相との間で可逆
的に相変化する記録層、及び、光透過率が温度に応じて
変化する透過率温度依存性層を含む相変化型光情報記録
媒体に、波長３９０〜４３０ｎｍの光を照射して記録及
び再生を行うことを特徴とする光情報記録再生方法。 - 【請求項１８】 透過率温度依存性層の透過率が、記録
時においては７０〜９０％であり、再生時においては３
０〜７０％である請求項１７に記載の光情報記録再生方
法。 - 【請求項１９】 記録のための照射光のパワーである記
録パワーの値が、再生のための照射光の最大パワーであ
る再生パワーＭＡＸの値を１としたとき、１０以下であ
る請求項１７又は１８に記載の光情報記録再生方法。 - 【請求項２０】 波長３９０〜４３０ｎｍの光を、光透
過率が温度に応じて変化する透過率温度依存性層を有す
る光学フィルターを介して、相変化型光情報記録媒体に
照射して記録及び再生を行うことを特徴とする光情報再
生方法。 - 【請求項２１】 透過率温度依存性層の透過率が、記録
時においては７０〜９０％であり、再生時においては３
０〜７０％である請求項２０に記載の光情報記録再生方
法。 - 【請求項２２】 記録のための照射光のパワーである記
録パワーの値が、再生のための照射光の最大パワーであ
る再生パワーＭＡＸの値を１としたとき、１０以下であ
る請求項２０又は２１に記載の光情報記録再生方法。 - 【請求項２３】 光透過率が温度に応じて変化する透過
率温度依存性層を有することを特徴とする光学フィルタ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002200542A JP2003091875A (ja) | 2001-07-09 | 2002-07-09 | 相変化型光情報記録媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに光学フィルター |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-208177 | 2001-07-09 | ||
| JP2001208177 | 2001-07-09 | ||
| JP2002200542A JP2003091875A (ja) | 2001-07-09 | 2002-07-09 | 相変化型光情報記録媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに光学フィルター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003091875A true JP2003091875A (ja) | 2003-03-28 |
Family
ID=26618383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002200542A Pending JP2003091875A (ja) | 2001-07-09 | 2002-07-09 | 相変化型光情報記録媒体、光情報記録再生装置及び方法、並びに光学フィルター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003091875A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003075268A1 (fr) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Support d'enregistrement d'informations optiques |
| EP1624454A2 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium with thermosensitive mask layer, reproduction method and optical information processing device using the same |
| US7436755B2 (en) | 2002-11-18 | 2008-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, recording and reproduction methods using the same, optical information recording device, and optical information reproduction device |
| US7556912B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducting method using the same, and optical information processing device |
| JP2011507289A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-03 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | レーザー光源及び該レーザー光源の製造方法 |
-
2002
- 2002-07-09 JP JP2002200542A patent/JP2003091875A/ja active Pending
Cited By (14)
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| US7556912B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, reproducting method using the same, and optical information processing device |
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|
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