JP2003086564A - 遠心乾燥装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の乾燥等の処理を行う装置において基板
の破片が処理室に衝突したことを検知する際に、基板の
処理中におけるノイズ検出を低減し、かつエラー検出制
御を容易とするとともにエラー誤検出を低減する。 【解決手段】 本発明の遠心乾燥装置は、基板１の乾燥
処理を行うためのチャンバ９と、チャンバ９内に設置さ
れ複数の基板１を保持した状態で回転駆動することによ
り基板１を乾燥させるクレードル２と、基板１の処理中
に基板１の破片がチャンバ９に衝突して発生する弾性波
を検出するための弾性波センサ４とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、遠心乾燥装置およ
び半導体製造装置に関し、より特定的には、基板の高速
回転処理中に基板が破壊したときの破片がチャンバ壁に
衝突した際に発生する弾性波を検出して異常事態をアナ
ウンスする機能を有した遠心乾燥装置および該弾性波検
出システムを備えた半導体製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程において基板に付着した
異物除去や硫酸液や過酸化水素水による表面層処理を行
う装置としてウエット処理装置がある。このウエット処
理装置による処理の後、基板を乾燥する１つの手段とし
て遠心乾燥装置が広く使用されている。

【０００３】遠心乾燥装置は基板を高速回転することに
より基板に残存付着した液体を除去し、安定した基板の
搬送を行い、次工程での液体汚染を防止する。

【０００４】ところが、基板を高速で回転させるため、
たとえば基板に傷が発生していた場合には高速回転中に
基板が破壊することがある。そのため、基板がダメージ
を蒙るだけでなく、残存した破片により次の基板に傷を
つけ半導体生産に大きな支障を与えていた。

【０００５】この問題を解決するため特開２０００−３
５３６８４公報、特開２０００−３５３６８５公報、特
開平１１−１２１４３０号公報に示すように、乾燥処理
時に基板が破壊したときに発生する異常音をマイクロフ
ォンで検出する手段を有した遠心乾燥機や、異常音検出
手段とかつ破片がチャンバ壁面に衝突する際に生ずる振
動検出手段を有する遠心乾燥機は既に存在する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
マイクロフォン等の音響センサや、振動検出手段として
の振動センサを用いた場合には、次のような問題があっ
た。

【０００７】基板の破壊によって破片がチャンバ壁面な
どに衝突することにより異常音、異常振動が発生する
と、異常音は排気口筒等に取付けられた音響センサによ
り集音され、増幅器により増幅された信号が前もって設
定された基準レベルを超えたとき異常音として判断され
る。

【０００８】他方、基板の破壊によって破片がチャンバ
壁面などに衝突する際に生じる振動波は、チャンバに設
けた振動センサで検出される。この振動センサは、振動
波により圧電素子に発生した電圧を所定の増幅率で増幅
し、入力電圧の時間積分に比例した電圧を出力し、振動
の加速度の大きさに比例した電圧、つまり加速度を時間
積分することにより振動の速度の大きさに比例した電圧
を出力する。

【０００９】音響波による異常信号および振動波による
異常信号は、たとえば音響・振動検出部で検出され、判
定制御をマイクロコンピュータで実施する。この判定制
御により異常振動および異常音を判断する。

【００１０】ところが上記の音響波は大気中を伝達する
ため、処理室内で発生した基板の破壊音の収集だけでな
く、モータの回転音や蓋の開閉音、水切り音などさまざ
まなノイズも収集する。

【００１１】遠心乾燥装置が静寂な状態下にある場所に
設置していれば基板が破壊する音響波も収集することが
できるが、近接で同様周波数の音響波が発生しないとも
限らない。また、特定の周波数領域に限定するように回
路上にバイパスフィルタを設置しても異常音の誤検出を
してしまうおそれがある。

【００１２】また、音響センサの設置場所も音波検出方
式による誤検出低減の目的から処理室内または排気口筒
内に設ける必要があるため、メンテナンスにおいても困
難がある。

【００１３】振動波による異常検出も、同様にスピンド
ルによりターンテーブルを回転する際のノイズや蓋体の
開閉時のノイズの影響を受ける。このノイズを補正する
ために、ターンテーブルの加速、安定、減速の信号をマ
イクロコンピュータで演算する必要が生じ、複雑なステ
ップ回路機能が必要となる。しかし、かかるステップ回
路機能を付与したとしても、実際には振動センサはノイ
ズを収集してしまう。

【００１４】以上のように、従来の音響センサや振動セ
ンサを用いた場合には、種々のノイズを検出してしまう
ため基板の処理中におけるエラー検出の精度が低下し、
またノイズを補正するために複雑なステップ回路機能が
必要となりエラー検出制御が困難となるという問題があ
った。

【００１５】そこで、本発明は、基板の処理中における
ノイズ検出を低減し、かつエラー検出制御を容易とする
とともにエラー誤検出を低減することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の遠心乾燥装置
は、基板の乾燥処理を行うためのチャンバと、チャンバ
内に設置され複数の基板を保持した状態で回転駆動する
ことにより基板を乾燥させる回転体と、基板の処理中に
基板の破片がチャンバに衝突して発生する弾性波を検出
するための弾性波検出手段とを備える。

【００１７】このように弾性波検出手段を設けることに
より、基板の処理中に基板が破壊してその破片がチャン
バに衝突して発生する弾性波を検出することができる。
それにより、基板の破片がチャンバに衝突したことを検
知することができる。

【００１８】本発明の遠心乾燥装置は、弾性波を特定す
る手段をさらに備えることが好ましい。それにより、弾
性波検出手段で検出された波が弾性波であるか否かを特
定することができ、より高精度な異常検出を行える。

【００１９】上記弾性波検出手段は弾性波検出センサを
含む。この場合、該弾性波検出センサをチャンバ外壁に
設置する。この弾性波検出センサによって、基板の破片
がチャンバに衝突して発生する弾性波を検出することが
できる。

【００２０】本発明の遠心乾燥装置は、弾性波の検出周
波数を調整する弾性波検出周波数調整手段をさらに備え
ることが好ましい。それにより、所望の周波数範囲の弾
性波のみを検出することができ、ノイズ検出を抑制する
ことができ、高精度な異常検出を行える。たとえば、弾
性波の検出周波数を５０ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下の
範囲内で可変としてもよい。

【００２１】弾性波の検出周波数領域を予め設定しても
よい。それにより、所望の周波数範囲の弾性波のみを検
出することができ、ノイズ検出を抑制することができ
る。

【００２２】本発明の遠心乾燥装置は、好ましくは、弾
性波検出手段からの信号を入力し、異常検出を出力する
演算部を備える。それにより、弾性波検出手段により検
出された検出信号を該演算部に入力し、この検出信号に
基いて演算部で演算を行い、異常事態が発生している場
合には異常信号を制御部に入力して遠心乾燥装置の各部
の制御を行うことができる。

【００２３】本発明の遠心乾燥装置は、好ましくは、異
常検出時にエラーをアナウンスするアナウンス手段を備
える。それにより、異常検出時に迅速な対応を行うこと
ができる。

【００２４】また、本発明の遠心乾燥装置は、異常検出
時に基板の処理を中断する基板処理中断手段を備えるも
のであってもよい。それにより、後工程で処理される基
板への悪影響を阻止することができる。

【００２５】本発明の半導体装置の製造方法は、上記の
遠心乾燥装置を用いて基板の乾燥処理を行うことを特徴
とする。それにより、基板の乾燥処理時の異常検出を高
精度に行うことができ、品質トラブルを低減することが
できる。

【００２６】本発明の半導体製造装置は、基板の処理を
行うためのチャンバと、チャンバ内に設置され基板の処
理を行うための基板処理手段と、基板の処理中に基板の
破片がチャンバに衝突して発生する弾性波を検出するた
めの弾性波検出手段とを備える。

【００２７】このように弾性波検出手段を設けることに
より、基板の処理中に基板の破片がチャンバに衝突した
ことを検知することができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を用いて、本発
明の実施の形態について説明する。

【００２９】（実施の形態１）図１に、本発明の実施の
形態１における遠心乾燥装置を示す。図１に示すよう
に、遠心乾燥装置は、外壁８と、この外壁８内に設置さ
れた円筒状のチャンバ９と、チャンバ９内に設置され水
平面に沿って回転自在な回転体としてのターンテーブル
１４とを備えている。

【００３０】ターンテーブル１４上であってその回転中
心から偏在した外周部近傍に、シリコンウェハ（半導体
ウェハ）などの基板（半導体基板等）１を保持する部材
としてクレードル２がたとえば２つ取付けられている。
クレードル２は、その端部に取付たシャフトに回転自在
に軸支され、位置決め金具１２と止めプレート１３によ
り位置決め保持される。また、２つのクレードル２はタ
ーンテーブル１４の回転中心に関して対称な位置に配置
される。

【００３１】ターンテーブル１４は、スピンドル１０の
上端部に取付けられている。スピンドル１０は、回転制
御される回転駆動用のモータ１５と伝達ベルト１１を介
して接続され、モータ１５により回転駆動される。

【００３２】チャンバ９上には開閉する蓋体３が設置さ
れている。チャンバ９上の大気の取込みは蓋体３の中央
部に設けられた吸気口１７を通じてなされる。これに対
してチャンバ９内において基板１の乾燥に供せられた大
気や液体、異物などは、チャンバ９の側面に形成された
開口部を通じて外方に導かれさらに排気口筒７から排出
される。

【００３３】次に、遠心乾燥装置の動作例について説明
する。図示していないシリンダにより蓋体３を点線に示
すように開く。スピンドル１０を基板１の搬送に最適な
低位置に固定し、クレードル２を上方に回転して待機さ
せ、乾燥、異物除去すべき基板１をクレードル２に収納
する。

【００３４】基板１の収納が完了するとクレードル２は
下方に回転し、位置決め金具１２と止めプレート１３に
より所定位置に固定される。その後蓋体３は閉じられ
る。この状態でターンテーブル１４を回転駆動する。こ
れにより遠心力が作用して各基板１に付着している洗浄
用液体が飛散するとともに、回転により各基板１の表面
に空気が流れ、各基板１を乾燥することができる。

【００３５】各基板１が十分乾燥した時点でターンテー
ブル１４を停止させる。そして蓋体３を開きクレードル
２内の基板１を回収する。その後、該基板１は次工程の
処理が行われる装置に搬送され、基板１に次工程の処理
が施される。上記の乾燥工程をはじめとする多数の工程
を経て半導体装置が製造される。なおターンテーブル１
４を回転駆動するモータ１５はインバータ方式のもので
あり、ターンテーブル１４を停止させるためには逆方向
の電磁力が加えられる。

【００３６】上述した一連の動作は支障がない場合のも
のであるが、基板１が回転中に破壊する場合がある。こ
の基板１の破壊によって基板１の破片がチャンバ９壁面
などに衝突することにより弾性波が発生する。

【００３７】本発明では、この弾性波を検出することを
重要な特徴とする。すなわち該弾性波をチャンバ９の外
壁に設置した弾性波センサ４で検出し、検出信号を演算
部５に入力する。この検出信号に基いて演算部５で演算
を行い、異常事態が発生している場合には異常信号を制
御部６に入力してアラーム出力し、ターンテーブル１４
を停止させる。また、図示しない警報ブザーや警告ラン
プなどによって作業者に異常事態を知らせる。つまり、
異常検出時に制御部６により遠心乾燥装置の各部の動作
制御を行い、基板１の処理を中断し、またエラーが発生
したことをアナウンスする。

【００３８】ここで、本発明の弾性波センサ４について
説明する。本発明の弾性波センサ４は、固体中に伝わ
り、物体が持つ変形に対して元の構造に戻ろうとする振
動に対し比較的高い周波数（たとえば少なくとも５０ｋ
Ｈｚから５００ｋＨｚの範囲）で、共振点における速度
を積極的に利用し、周囲の機械的な雑音、ノイズの影響
を受けない波を検出するものである。

【００３９】本発明に使用した弾性波センサ４は、セン
サ内部に設けた圧電素子上のおもりによりダンピングを
行って共振周波数を下げたことにより加速度領域のみを
利用する加速度センサ（従来の振動センサ）とは異な
り、圧電素子上のおもりをなくして共振周波数を高くす
ることにより微小な信号を検出し、かつ共振点を積極的
に利用し、主成分を速度としたものである。

【００４０】また、本発明による弾性波センサ４は、比
較的高い周波数の波を検出しているため、固体中に伝わ
る波を検出することもあり、気体中を伝わる波を検出す
る音響センサとは異常検出領域が異なるものとなる。

【００４１】図６に、本発明において使用可能な弾性波
センサ４の構造例を示す。図６に示す例では不平衡型の
弾性波センサ４を示している。

【００４２】図６に示すように、金属製のシールドケー
ス２４の一端に受波板２２を取り付ける。受波板２２
は、アルミナ等の絶縁物からなり、その表面上に銀蒸着
層２７を形成する。銀蒸着層２７上に圧電素子であるジ
ルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）２３を設置し、このジル
コン酸チタン酸鉛２３上にも銀蒸着層２６を形成する。
そして、シールドケース２４に取り付けたコネクタ２５
と、銀蒸着層２６とを接続する。

【００４３】基板１の破片がチャンバ９に衝突すること
により発生する弾性波は、受波板２２を介してジルコン
酸チタン酸鉛２３に伝達され、電気信号に変換された後
にコネクタ２５を介して外部に導出され、プリアンプや
ケーブルを介して演算部（計測システム）５に入力され
る。

【００４４】ところで本発明の遠心乾燥装置は、弾性波
を特定する手段を有する。この手段は、たとえば上記の
演算部５に含まれる。弾性波検出センサ内に付随するお
もりをなくし微小な信号を検出する圧電素子により共振
周波数を少なくとも５０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの範囲で
共振点が得られるように予め設定する。この共振点の強
度を、たとえば演算部５にアナログ入力し、Ａ／Ｄ変換
し、デジタル信号を０〜１０Ｖの範囲で感度調整できる
可変機構を設け、エラー信号となる閾値電圧を可変変更
し、遠心乾燥装置本体にエラー信号電圧を出力する。ま
た、演算部５は周波数領域をカットすることが可能なフ
ィルタ機能を有し、これにより５０ｋＨｚ〜５００ｋＨ
ｚの範囲内からさらに特定周波数を絞り、ノイズを抑制
し、安定した被処理基板の破片衝突時に生じる弾性波検
出が可能となる。

【００４５】また、本発明の遠心乾燥装置は、弾性波の
検出周波数を調整する弾性波検出周波数調整手段２１を
備えるものであってもよい。この弾性波検出周波数調整
手段２１により、たとえば弾性波の検出周波数を５０ｋ
Ｈｚ以上５００ｋＨｚ以下の範囲内で可変としてもよ
い。

【００４６】さらに、本発明の遠心乾燥装置において、
弾性波の検出周波数領域を予め設定してもよい。弾性波
の検出周波数領域を予め設定するには、弾性波検出セン
サ内に付随するおもりをなくし微小な信号を検出する圧
電素子により、共振周波数を少なくとも５０ｋＨｚ〜５
００ｋＨｚの範囲で共振点が得られるように予め設定す
ればよい。

【００４７】（実施の形態２）図２に、本発明における
遠心乾燥装置において、基板１の破片とチャンバ９が衝
突した際の異常波検出例を示す。

【００４８】図２は、図１に示した本発明における遠心
乾燥装置での処理中に基板１から生じた破片（サイズ５
ｍｍ角の正方形）がチャンバ９に衝突した際に、本発明
の弾性波センサ４で検出した検出電圧である。図２の縦
軸は検出電圧、横軸は時間、波形Ｂ３は弾性波センサ波
形を示している。

【００４９】図２に示すように、チャンバ９に上記破片
が衝突することにより検出電圧値が上昇し、弾性波セン
サ波形にピークが生じていることがわかる。それによ
り、基板１の破片がチャンバ９に衝突したことを検出す
ることが可能となる。

【００５０】（実施の形態３）図３に、本発明における
遠心乾燥装置に加速度振動センサと本発明の弾性波セン
サ４とを設置し、正常処理中に両センサにより振動波お
よび弾性波を検出した結果を示す。

【００５１】図３において波形Ａ１は加速度振動センサ
波形であり、波形Ｂ１は弾性波センサ波形である。な
お、図３の縦軸は検出電圧、横軸は時間を表わす。また
処理検出時間は同様である。

【００５２】図３からわかるように、加速度振動センサ
では処理中（７７７）、蓋開閉（５５５）のいずれでも
ノイズを検出しているが、本発明の弾性波センサ４はノ
イズを検出していないことがわかる。

【００５３】これは実施の形態１でも述べたように本発
明の弾性波センサ４が、比較的高い周波数（たとえば少
なくとも５０ｋＨｚから５００ｋＨｚの範囲）で共振点
における速度を積極的に利用し、周囲の機械的な雑音、
ノイズの影響を受けない波を検出することによるもので
ある。

【００５４】したがって、本発明によれば、スピンドル
１０によりターンテーブル１４を回転する際のノイズや
蓋体３の開閉時のノイズを補正することができる。それ
により、ターンテーブル１４の加速、安定、減速の信号
をマイクロコンピュータで演算するために複雑なステッ
プ回路機能を必要とせず、エラー検出制御が容易とな
り、かつエラーの誤検出をも抑制することができる。

【００５５】また、本発明による弾性波センサ４は、比
較的高い周波数の波を検出し、かつ固体中に伝わる波を
検出することもあり、気体中を伝わる波を検出する音響
センサのように気体中に伝わるノイズを検出することも
ない。これによりノイズによる誤検出をより効果的に回
避でき、高精度な異常検出が可能となる。その結果、迅
速な装置トラブル改善が実施でき、装置稼働率を向上さ
せ、品質トラブルに対し早急な対応が可能となる。

【００５６】（実施の形態４）図４に、本発明の遠心乾
燥装置に加速度振動センサと本発明の弾性波センサ４を
設置した場合に、基板１の破片とチャンバ９が衝突した
際の異常波検出結果を示す。

【００５７】なお、破片サイズは正方形２ｍｍ角とし
た。また、図４の縦軸は検出電圧、横軸は時間、波形Ａ
２は加速度振動センサ波形、波形Ｂ２は弾性波センサ波
形を示している。

【００５８】図４に示すように波形Ａ２ではノイズ（１
１１）が発生し、かつ基板１の破片が衝突した時間（４
４４）で異常を検出できていない。これに対し本発明の
波形Ｂ２の弾性波センサ４は基板１とチャンバ９の衝突
した際の異常を検出しているだけでなく、ノイズも発生
していないことがわかる。

【００５９】これは、上述の各実施の形態でも述べたよ
うに本発明の弾性波センサ４が、周囲の機械的な雑音、
ノイズの影響を受けない波を検出しているからである。
図４に示す結果より、本発明によれば、実施の形態３で
述べた効果に加えて小さい破片をも確実に検出すること
ができ、より高精度な異常検出が可能となる。

【００６０】（実施の形態５）図５に、本発明における
遠心乾燥装置の他の例を示す。本実施の形態５では、弾
性波センサ４の取付部に特徴がある。それ以外の構成に
ついては、実施の形態１と同様である。

【００６１】図５に示すように、弾性波センサ４は、一
端が開口したキャップ状のホルダ１８内に収容された状
態でチャンバ９の外壁に取付けられる。チャンバ９の外
壁とプレート２０とに予め固定用ねじ孔を設け、チャン
バ９の外壁にたとえば両面テープ、エポキシ製樹脂でプ
レート２０を固定する。ホルダ１８は一端の開口を取り
囲むフランジ部を有し、該フランジ部にもねじ孔を設け
る。

【００６２】そして、ばね１９を介して弾性波センサ４
をホルダ１８内に収容し、ホルダ１８のフランジ部をプ
レート２０に当接させた状態で固定ねじ１６を用いてホ
ルダ１８をプレート２０およびチャンバ９に固定する。
これにより弾性波センサ４の取付を行える。

【００６３】弾性波センサ４を取り出す際には、固定ね
じ１６を取り外してホルダ１８内から弾性波センサ４を
取り出すだけでよい。したがって、弾性波センサ４のメ
ンテナンスも容易に行える。

【００６４】上述の実施の形態では、遠心乾燥装置に本
発明の弾性波検出システムを設置した場合について説明
したが、他の半導体製造装置にも本発明の弾性波検出シ
ステムを設置可能である。

【００６５】以上のように本発明の実施の形態について
説明を行なったが、今回開示した実施の形態はすべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれる。

【００６６】

【発明の効果】本発明によれば、基板の破片がチャンバ
（処理室）に衝突したことを検知することができるの
で、異常事態が発生したことを検知することができる。
このとき本発明では基板の破片がチャンバに衝突した際
に発生する弾性波を検出するようにしているので、周囲
の機械的な雑音等のノイズの影響を受けない波を検出す
ることができる。それにより、音響センサや振動センサ
を用いる場合と比較してノイズ検出を低減することがで
きる。これに伴い、ノイズを補正するために複雑なステ
ップ回路機能等が不用となりエラー検出制御が容易とな
るとともにエラー誤検出を低減することもできる。その
結果、迅速に装置トラブルに対応でき、装置稼働率を向
上させ、品質トラブルに対し早急な対応が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の遠心乾燥装置の断面図である。

【図２】 本発明の弾性波センサによる異常検出例を示
すグラフである。

【図３】 本発明の弾性波センサと振動センサによる検
出例を比較したグラフである。

【図４】 本発明の弾性波センサと振動センサによる異
常検出例を比較したグラフである。

【図５】 本発明の遠心乾燥装置の他の例を示す断面図
である。

【図６】 本発明において使用可能な弾性波センサの構
造例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 基板、２ クレードル、３ 蓋体、４ 弾性波セン
サ、５ 演算部、６制御部、７ 排気口筒、８ 外壁、
９ チャンバ、１０ スピンドル、１１ 伝達ベルト、
１２ 位置決め金具、１３ 止めプレート、１４ ター
ンテーブル、１５ モータ、１６ 固定ネジ、１７ 排
気口、１８ ホルダ、１９ ばね、２０ プレート、２
１ 弾性波検出周波数調整手段、２２ 受波板、２３
ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）、２４ シールドケー
ス、２５ コネクタ、２６，２７ 銀蒸着層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 俊樹 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 三 菱電機エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 水野 達夫 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3L113 AA04 AB08 AC67 AC81 AC82 BA34 DA22 4D057 AA19 AB01 AD01 AE02 BD01 CA06

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の乾燥処理を行うためのチャンバ
   と、 前記チャンバ内に設置され、複数の基板を保持した状態
   で回転駆動することにより前記基板を乾燥させる回転体
   と、 前記基板の処理中に前記基板の破片が前記チャンバに衝
   突して発生する弾性波を検出するための弾性波検出手段
   と、を備えた遠心乾燥装置。
2. 【請求項２】 前記弾性波を特定する手段を有する、請
   求項１に記載の遠心乾燥装置。
3. 【請求項３】 前記弾性波検出手段は、弾性波検出セン
   サを含み、 前記弾性波検出センサを前記チャンバ外壁に設置した、
   請求項１または請求項２に記載の遠心乾燥装置。
4. 【請求項４】 前記弾性波の検出周波数を調整する弾性
   波検出周波数調整手段をさらに備えた、請求項１から請
   求項３のいずれかに記載の遠心乾燥装置。
5. 【請求項５】 前記弾性波の検出周波数を５０ｋＨｚ以
   上５００ｋＨｚ以下の範囲内で可変とする、請求項１か
   ら請求項４のいずれかに記載の遠心乾燥装置。
6. 【請求項６】 前記弾性波の検出周波数領域を予め設定
   した、請求項１から請求項５のいずれかに記載の遠心乾
   燥装置。
7. 【請求項７】 前記弾性波検出手段からの信号を入力
   し、異常検出を出力する演算部を備える、請求項１から
   請求項６のいずれかに記載の遠心乾燥装置。
8. 【請求項８】 異常検出時にエラーをアナウンスするア
   ナウンス手段を備える、請求項７に記載の遠心乾燥装
   置。
9. 【請求項９】 異常検出時に前記基板の処理を中断する
   基板処理中断手段を備える、請求項７または請求項８に
   記載の遠心乾燥装置。
10. 【請求項１０】 請求項１から請求項９のいずれかに記
    載の遠心乾燥装置を用いて基板の乾燥処理を行ったこと
    を特徴とする、半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 基板の処理を行うためのチャンバと、 前記チャンバ内に設置され、前記基板の処理を行うため
    の基板処理手段と、 前記基板の処理中に前記基板の破片が前記チャンバに衝
    突して発生する弾性波を検出するための弾性波検出手段
    と、を備えた、半導体製造装置。