JP2003086540A - 半導体装置の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 粘着性テープに貼り付けられた半導体素子を
ピックアップするときに破損を防止する。 【解決手段】 粘着性テープ１に貼り付けられ個片化さ
れた半導体素子２を、支持体１１を介して多孔質粘着性
テープ３上に真空吸着した状態で粘着性テープ１を剥離
する。この後、吸着コレットを用いて半導体素子２を真
空吸着してピックアップする。真空吸着により半導体素
子２を多孔質粘着性テープ３に転写することにより、多
孔質粘着性テープ３の粘着力を通常の粘着テープより下
げることができるので、容易に多孔質粘着性テープ３か
ら半導体素子２をピックアップすることができ、破損の
防止が可能である。
ピックアップするときに破損を防止する。 【解決手段】 粘着性テープ１に貼り付けられ個片化さ
れた半導体素子２を、支持体１１を介して多孔質粘着性
テープ３上に真空吸着した状態で粘着性テープ１を剥離
する。この後、吸着コレットを用いて半導体素子２を真
空吸着してピックアップする。真空吸着により半導体素
子２を多孔質粘着性テープ３に転写することにより、多
孔質粘着性テープ３の粘着力を通常の粘着テープより下
げることができるので、容易に多孔質粘着性テープ３か
ら半導体素子２をピックアップすることができ、破損の
防止が可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及びその製造装置に係わり、特に、ウェーハのダイ
シング及び裏面研削が終了した後において、個片化され
一方の面が粘着性テープに貼り付けられた半導体素子を
他の粘着性テープに転写し、装置間を搬送し半導体素子
毎にピックアップするための方法及び装置に関する。
方法及びその製造装置に係わり、特に、ウェーハのダイ
シング及び裏面研削が終了した後において、個片化され
一方の面が粘着性テープに貼り付けられた半導体素子を
他の粘着性テープに転写し、装置間を搬送し半導体素子
毎にピックアップするための方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する際には、一方の面
に第１の粘着性テープが貼り付けられた半導体ウェーハ
にダイシング及び裏面研削を行って個片化した後、第２
の粘着性テープに転写して第１の粘着性テープを剥離
し、この状態で各半導体素子をピックアップすることが
ある。この場合の従来の半導体装置の製造方法及び製造
装置について、図２１から図２６を参照して説明する。
に第１の粘着性テープが貼り付けられた半導体ウェーハ
にダイシング及び裏面研削を行って個片化した後、第２
の粘着性テープに転写して第１の粘着性テープを剥離
し、この状態で各半導体素子をピックアップすることが
ある。この場合の従来の半導体装置の製造方法及び製造
装置について、図２１から図２６を参照して説明する。
【０００３】図２１に示されたように、一方の面に粘着
性テープ１０１が貼り付けられた状態で、半導体ウェー
ハが複数の半導体素子１０２に個片化されている。
性テープ１０１が貼り付けられた状態で、半導体ウェー
ハが複数の半導体素子１０２に個片化されている。
【０００４】このような粘着性テープ１０１に貼り付け
られた半導体素子１０２を、ウェーハリング１０３に貼
り付けられている他の粘着性テープ１０４に転写する。
この転写の際に、粘着性テープ１０４の下面側におい
て、多孔質材１０５を介して真空配管１０６から矢印１
１４の方向に真空吸着を行い、粘着性テープ１０４を吸
着固定する。そして、粘着性テープ１０１を矢印１１０
の方向へ引っ張ることで、この粘着性テープ１０１を半
導体素子１０２から剥離する。
られた半導体素子１０２を、ウェーハリング１０３に貼
り付けられている他の粘着性テープ１０４に転写する。
この転写の際に、粘着性テープ１０４の下面側におい
て、多孔質材１０５を介して真空配管１０６から矢印１
１４の方向に真空吸着を行い、粘着性テープ１０４を吸
着固定する。そして、粘着性テープ１０１を矢印１１０
の方向へ引っ張ることで、この粘着性テープ１０１を半
導体素子１０２から剥離する。
【０００５】図２２に、半導体素子１０２が粘着性テー
プ１０１から粘着性テープ１０４に転写され、粘着性テ
ープ１０１が剥離された状態を示す。
プ１０１から粘着性テープ１０４に転写され、粘着性テ
ープ１０１が剥離された状態を示す。
【０００６】この状態で、図２３、及び図２３における
点線Ａで囲まれた領域を拡大した図２２に示されたよう
に、粘着性テープ１０４を吸着装置１１１に吸着固定
し、吸着コレット１０７を用いて半導体素子１０２を１
素子毎に粘着性テープ１０４から矢印１１２の方向にピ
ックアップする。
点線Ａで囲まれた領域を拡大した図２２に示されたよう
に、粘着性テープ１０４を吸着装置１１１に吸着固定
し、吸着コレット１０７を用いて半導体素子１０２を１
素子毎に粘着性テープ１０４から矢印１１２の方向にピ
ックアップする。
【０００７】ここで、粘着性テープ１０４を矢印１１４
の方向に真空吸着した状態で、突き上げピン１０８が４
本取り付けられたピンホルダ１０９を矢印１１３の方向
に上昇させて半導体素子１０２の四隅を突き上げ、半導
体素子１０２を吸着コレット１０７で真空吸着して矢印
１１２の方向にピックアップする。
の方向に真空吸着した状態で、突き上げピン１０８が４
本取り付けられたピンホルダ１０９を矢印１１３の方向
に上昇させて半導体素子１０２の四隅を突き上げ、半導
体素子１０２を吸着コレット１０７で真空吸着して矢印
１１２の方向にピックアップする。
【０００８】しかし、半導体素子１０２の厚さが例えば
１００μｍ以下というように薄いと、半導体素子１０２
をピックアップしようとする際に、半導体素子１０２が
粘着性テープ１０４から剥がれにくい場合がある。
１００μｍ以下というように薄いと、半導体素子１０２
をピックアップしようとする際に、半導体素子１０２が
粘着性テープ１０４から剥がれにくい場合がある。
【０００９】このような場合、図２５（ａ）の正面図、
及び図２５（ｂ）の平面図に示されたように半導体素子
１０２にクラックを発生させてしまい、図２５（ｃ）の
平面図に示されたように破損して不良となることがあっ
た。
及び図２５（ｂ）の平面図に示されたように半導体素子
１０２にクラックを発生させてしまい、図２５（ｃ）の
平面図に示されたように破損して不良となることがあっ
た。
【００１０】また、半導体素子１０２の厚さとは関係な
く、突き上げピン１０８により半導体素子１０２の裏面
を押し上げるので、図２６（ａ）の正面図、図２６
（ｂ）の平面図に示されたように半導体素子１０２の裏
面における突き上げピン１０８の接触箇所にひびが入っ
たり、接触箇所を起点にクラックが入って不良となるこ
ともあった。
く、突き上げピン１０８により半導体素子１０２の裏面
を押し上げるので、図２６（ａ）の正面図、図２６
（ｂ）の平面図に示されたように半導体素子１０２の裏
面における突き上げピン１０８の接触箇所にひびが入っ
たり、接触箇所を起点にクラックが入って不良となるこ
ともあった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来は
半導体素子が薄い場合にピックアップの際に破損させる
ことがあり、歩留まりの低下を招いていた。
半導体素子が薄い場合にピックアップの際に破損させる
ことがあり、歩留まりの低下を招いていた。
【００１２】本発明は上記事情に鑑み、半導体素子をピ
ックアップするときに破損を防止し歩留まりを向上させ
ることが可能な半導体装置の製造方法及びその製造装置
を提供することを目的とする。
ックアップするときに破損を防止し歩留まりを向上させ
ることが可能な半導体装置の製造方法及びその製造装置
を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、一方の面に粘着性テープを貼り付けた複数の
半導体素子に個片化されてなる半導体ウェーハの他方の
面を多孔質粘着性テープの一方の面に貼り付け、前記多
孔質粘着性テープの他方の面に少なくとも１つの真空吸
着用穴が開孔された支持体を接触させた状態で前記半導
体ウェーハを前記多孔質粘着性テープに真空吸着するこ
とで、前記多孔質粘着性テープの有する粘着力及び真空
吸着力とによって前記半導体ウェーハを前記多孔質粘着
性テープに転写し、前記粘着性テープを前記半導体ウェ
ーハから剥離する工程を備えることを特徴とする。
造方法は、一方の面に粘着性テープを貼り付けた複数の
半導体素子に個片化されてなる半導体ウェーハの他方の
面を多孔質粘着性テープの一方の面に貼り付け、前記多
孔質粘着性テープの他方の面に少なくとも１つの真空吸
着用穴が開孔された支持体を接触させた状態で前記半導
体ウェーハを前記多孔質粘着性テープに真空吸着するこ
とで、前記多孔質粘着性テープの有する粘着力及び真空
吸着力とによって前記半導体ウェーハを前記多孔質粘着
性テープに転写し、前記粘着性テープを前記半導体ウェ
ーハから剥離する工程を備えることを特徴とする。
【００１４】ここで、前記多孔質粘着性テープの前記一
方の面に転写した前記半導体ウェーハを、前記多孔質粘
着性テープの前記他方の面に前記支持体を接触させた状
態で搬送する工程をさらに備えることもできる。
方の面に転写した前記半導体ウェーハを、前記多孔質粘
着性テープの前記他方の面に前記支持体を接触させた状
態で搬送する工程をさらに備えることもできる。
【００１５】また、前記多孔質粘着性テープの前記他方
の面に前記支持体を接触させた状態で、前記多孔質粘着
性テープに転写した前記半導体ウェーハの個片化された
各々の前記半導体素子を、真空吸着によりピックアップ
する工程をさらに備えてよい。
の面に前記支持体を接触させた状態で、前記多孔質粘着
性テープに転写した前記半導体ウェーハの個片化された
各々の前記半導体素子を、真空吸着によりピックアップ
する工程をさらに備えてよい。
【００１６】本発明の半導体装置の製造装置は、多孔質
材料から成り、一方の面と他方の面とが通気性を有する
状態で少なくとも前記一方の面に粘着剤が塗布された多
孔質粘着性テープと、少なくとも１つの真空吸着用穴が
開孔された支持体と、真空吸着装置とを備え、複数の半
導体素子に個片化された半導体ウェーハの一方の面に粘
着性テープが貼り付けられるとともにその他方の面が前
記多孔質粘着性テープの前記一方の面に貼り付けられ、
前記多孔質粘着性テープの他方の面側に前記支持体を介
して前記真空吸着装置を配置した状態で、前記多孔質粘
着性テープの有する粘着力及び前記真空吸着装置による
真空吸着力とによって前記半導体ウェーハを前記多孔質
粘着性テープの前記一方の面に転写することを特徴とす
る。
材料から成り、一方の面と他方の面とが通気性を有する
状態で少なくとも前記一方の面に粘着剤が塗布された多
孔質粘着性テープと、少なくとも１つの真空吸着用穴が
開孔された支持体と、真空吸着装置とを備え、複数の半
導体素子に個片化された半導体ウェーハの一方の面に粘
着性テープが貼り付けられるとともにその他方の面が前
記多孔質粘着性テープの前記一方の面に貼り付けられ、
前記多孔質粘着性テープの他方の面側に前記支持体を介
して前記真空吸着装置を配置した状態で、前記多孔質粘
着性テープの有する粘着力及び前記真空吸着装置による
真空吸着力とによって前記半導体ウェーハを前記多孔質
粘着性テープの前記一方の面に転写することを特徴とす
る。
【００１７】ここで、前記支持体の一方の面における前
記真空吸着用穴が開孔されていない領域に粘着剤が塗布
されていてよい。
記真空吸着用穴が開孔されていない領域に粘着剤が塗布
されていてよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１９】（１）第１の実施の形態
図１に示されたように、回路の形成が終了した半導体ウ
ェーハ６０における回路形成面の裏面に粘着性テープ６
２を貼り付ける。そして、半導体素子の外形に合わせて
ダイシング溝６１を形成する。このダイシング溝６１
は、半導体ウェーハ６０の厚さより浅く、かつ最終的な
半導体素子の厚さ以上の深さで形成する。
ェーハ６０における回路形成面の裏面に粘着性テープ６
２を貼り付ける。そして、半導体素子の外形に合わせて
ダイシング溝６１を形成する。このダイシング溝６１
は、半導体ウェーハ６０の厚さより浅く、かつ最終的な
半導体素子の厚さ以上の深さで形成する。
【００２０】次に、粘着性テープ１を半導体ウェーハ６
０の回路形成面に貼り付け、裏面側の粘着性テープ６２
を剥がす。半導体ウェーハ６０の裏面に、ＢＳＧ（Back
Side Grinding）による研削を行い、半導体ウェーハ６
０を薄厚化する。これにより、図３に示されたように複
数の半導体素子２に個片化される。ここで、ＢＳＧの替
わりに化学的エッチング等の手法を用いてもよい。
０の回路形成面に貼り付け、裏面側の粘着性テープ６２
を剥がす。半導体ウェーハ６０の裏面に、ＢＳＧ（Back
Side Grinding）による研削を行い、半導体ウェーハ６
０を薄厚化する。これにより、図３に示されたように複
数の半導体素子２に個片化される。ここで、ＢＳＧの替
わりに化学的エッチング等の手法を用いてもよい。
【００２１】図４に示された、多孔質粘着性テープ３を
用意する。この多孔質粘着性テープ３は、多孔質材の少
なくとも一方の面において、一方の面と他方の面との間
で空気が貫通する多数の孔を塞がない通気性を有した状
態で粘着剤４が塗布されている。尚、本実施の形態では
多孔質粘着性テープ３の両面に粘着剤４が塗布されてい
る。また、多孔質粘着性テープ３は半導体ウェーハの外
形に適合するように円形形状を有し、その側面には空気
が抜けないように空気抜け防止具５が設けられている。
この空気抜け防止具５は、例えば粘着性樹脂や、粘着性
テープ等により構成することができる。
用意する。この多孔質粘着性テープ３は、多孔質材の少
なくとも一方の面において、一方の面と他方の面との間
で空気が貫通する多数の孔を塞がない通気性を有した状
態で粘着剤４が塗布されている。尚、本実施の形態では
多孔質粘着性テープ３の両面に粘着剤４が塗布されてい
る。また、多孔質粘着性テープ３は半導体ウェーハの外
形に適合するように円形形状を有し、その側面には空気
が抜けないように空気抜け防止具５が設けられている。
この空気抜け防止具５は、例えば粘着性樹脂や、粘着性
テープ等により構成することができる。
【００２２】図５に示されたように、一方の面と他方の
面とを貫通する真空吸着用の穴１２が開孔された支持体
１１の表面上に、多孔質粘着性テープ３における転写面
と反対側の面を貼り付ける。
面とを貫通する真空吸着用の穴１２が開孔された支持体
１１の表面上に、多孔質粘着性テープ３における転写面
と反対側の面を貼り付ける。
【００２３】ここで、多孔質粘着性テープ３の反対側の
面に粘着剤４が塗布されていない場合は、支持体１１の
表面上に粘着剤を塗布しておく必要がある。
面に粘着剤４が塗布されていない場合は、支持体１１の
表面上に粘着剤を塗布しておく必要がある。
【００２４】そして、多孔質粘着性テープ３の転写面
に、半導体素子２における粘着性テープ１が貼り付けら
れた面と反対側の転写面を貼り付ける。支持体１１の下
面に固定治具２１を配置し、支持体１１の真空吸着用の
穴１２、多孔質粘着性テープ３に存在する多数の孔を介
して、半導体素子２を真空吸着し、この真空吸着力と粘
着剤４の粘着力とで多孔質粘着性テープ３上に転写す
る。この状態から、半導体素子２に貼り付けられていた
粘着性テープ１を矢印３１の方向に引っ張って剥離す
る。
に、半導体素子２における粘着性テープ１が貼り付けら
れた面と反対側の転写面を貼り付ける。支持体１１の下
面に固定治具２１を配置し、支持体１１の真空吸着用の
穴１２、多孔質粘着性テープ３に存在する多数の孔を介
して、半導体素子２を真空吸着し、この真空吸着力と粘
着剤４の粘着力とで多孔質粘着性テープ３上に転写す
る。この状態から、半導体素子２に貼り付けられていた
粘着性テープ１を矢印３１の方向に引っ張って剥離す
る。
【００２５】粘着性テープ１の剥離が終了すると、図６
に示された状態になる。そして、支持体１１から固定治
具２１を取り外すと、図７に示されたように支持体１１
上に貼り付けられた多孔質粘着性テープ３に半導体素子
２が転写された状態になる。この状態で、次のピックア
ップを行う工程に向けて搬送する。
に示された状態になる。そして、支持体１１から固定治
具２１を取り外すと、図７に示されたように支持体１１
上に貼り付けられた多孔質粘着性テープ３に半導体素子
２が転写された状態になる。この状態で、次のピックア
ップを行う工程に向けて搬送する。
【００２６】図８に示されたように、多孔質粘着性テー
プ３に転写された半導体素子２のうち、良品を選択して
吸着コレット６の真空吸着力により吸着し、矢印３３方
向にピックアップする。
プ３に転写された半導体素子２のうち、良品を選択して
吸着コレット６の真空吸着力により吸着し、矢印３３方
向にピックアップする。
【００２７】図９に、良品の半導体素子２のピックアッ
プが終了し、不要となった半導体素子２のみが多孔質粘
着性テープ３上に残った状態を示す。
プが終了し、不要となった半導体素子２のみが多孔質粘
着性テープ３上に残った状態を示す。
【００２８】図１０に示されたように、不要の半導体素
子２が貼り付けられた多孔質粘着性テープ３から支持体
１１を取り外す。
子２が貼り付けられた多孔質粘着性テープ３から支持体
１１を取り外す。
【００２９】図１１に、多孔質粘着性テープ３を取り外
して支持体１１のみになった状態を示す。この支持体１
１は、次回の半導体素子のピックアップに再度用いるこ
とができる。多孔質粘着性テープ３は、不要の半導体素
子２が貼り付けられた状態のまま廃棄してよい。
して支持体１１のみになった状態を示す。この支持体１
１は、次回の半導体素子のピックアップに再度用いるこ
とができる。多孔質粘着性テープ３は、不要の半導体素
子２が貼り付けられた状態のまま廃棄してよい。
【００３０】上記実施の形態によれば、粘着性テープ１
が貼り付けられた半導体素子２を転写するために用いる
多孔質粘着性テープ３は、粘着剤４が貫通孔を塞がない
ように塗布されており、その粘着力は通常の粘着性テー
プよりも弱く設定されている。そして、粘着力が低いこ
とを補うために、支持体１１を介して半導体素子２を多
孔質粘着性テープ３に真空吸着させた状態で、予め貼り
付けられていた粘着性テープ１を剥がすようにしてい
る。
が貼り付けられた半導体素子２を転写するために用いる
多孔質粘着性テープ３は、粘着剤４が貫通孔を塞がない
ように塗布されており、その粘着力は通常の粘着性テー
プよりも弱く設定されている。そして、粘着力が低いこ
とを補うために、支持体１１を介して半導体素子２を多
孔質粘着性テープ３に真空吸着させた状態で、予め貼り
付けられていた粘着性テープ１を剥がすようにしてい
る。
【００３１】この後は、支持体１１上の多孔質粘着性テ
ープ３に転写された状態で、半導体素子２をピックアッ
プを行う工程に向けて容易に搬送することができる。そ
して、吸着コレット６を用いて半導体素子２をピックア
ップする際に、多孔質粘着性テープ３の粘着力が低いた
め、薄型化された半導体素子２であっても容易に多孔質
粘着性テープ３から剥がすことができる。従って、図２
５、図２６を用いて説明したようなピックアップの際に
従来発生していた半導体素子２の破損を防止することが
でき、歩留まりの向上に寄与することができる。
ープ３に転写された状態で、半導体素子２をピックアッ
プを行う工程に向けて容易に搬送することができる。そ
して、吸着コレット６を用いて半導体素子２をピックア
ップする際に、多孔質粘着性テープ３の粘着力が低いた
め、薄型化された半導体素子２であっても容易に多孔質
粘着性テープ３から剥がすことができる。従って、図２
５、図２６を用いて説明したようなピックアップの際に
従来発生していた半導体素子２の破損を防止することが
でき、歩留まりの向上に寄与することができる。
【００３２】（２）第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態について、図１２〜図１４を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００３３】本実施の形態は、上記第１の実施の形態に
おける図１〜図９に示された工程と同様に、粘着性テー
プ１に貼り付けられ個片化された半導体素子２を多孔質
粘着性テープ３に転写し、必要な半導体素子２をピック
アップする。ピックアップが終了し、不要となった半導
体素子２が多孔質粘着性テープ３上に残った状態を図１
２に示す。
おける図１〜図９に示された工程と同様に、粘着性テー
プ１に貼り付けられ個片化された半導体素子２を多孔質
粘着性テープ３に転写し、必要な半導体素子２をピック
アップする。ピックアップが終了し、不要となった半導
体素子２が多孔質粘着性テープ３上に残った状態を図１
２に示す。
【００３４】上記第１の実施の形態では、多孔質粘着性
テープ３から支持体１１を取り外し、支持体１１の再利
用は行うが、不要となった半導体素子２が残存した多孔
質粘着性テープ３は廃棄する。これに対し、本実施の形
態では支持体１１のみならず多孔質粘着性テープ３の再
利用も図るべく、図１３に示されたように不要の半導体
素子２の表面に粘着性テープ２２を貼り付け、図１４に
示されたようにこの半導体素子２を多孔質粘着性テープ
３から取り外す。そして、粘着性テープ２２及び半導体
素子２を廃棄する。
テープ３から支持体１１を取り外し、支持体１１の再利
用は行うが、不要となった半導体素子２が残存した多孔
質粘着性テープ３は廃棄する。これに対し、本実施の形
態では支持体１１のみならず多孔質粘着性テープ３の再
利用も図るべく、図１３に示されたように不要の半導体
素子２の表面に粘着性テープ２２を貼り付け、図１４に
示されたようにこの半導体素子２を多孔質粘着性テープ
３から取り外す。そして、粘着性テープ２２及び半導体
素子２を廃棄する。
【００３５】この後、支持体１１と多孔質粘着性テープ
３とを、次のピックアップ工程用に再度利用する。この
ようにして多孔質粘着性テープ３を、例えば２〜１０回
程度再利用することにより、コストの低減を図ることが
できる。
３とを、次のピックアップ工程用に再度利用する。この
ようにして多孔質粘着性テープ３を、例えば２〜１０回
程度再利用することにより、コストの低減を図ることが
できる。
【００３６】次に、上記第１、第２の実施の形態におい
て用いることが可能な支持体のより具体的な構成につい
て、幾つかの例を用いて説明する。図１５〜図２０に、
それぞれの支持体の平面図及び正面図を示す。
て用いることが可能な支持体のより具体的な構成につい
て、幾つかの例を用いて説明する。図１５〜図２０に、
それぞれの支持体の平面図及び正面図を示す。
【００３７】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示された
支持体１１ａは、金属、セラミックあるいは樹脂等から
成る円形の平板に、貫通した孔２３が複数箇所開孔され
た構成を有する。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示さ
れた支持体１１ｂは、樹脂やセラミック等から成り多く
の空気が貫通する孔を有する多孔質材料で形成された円
形の平板において、その側面に空気抜け防止具２５が設
けられている。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示され
た支持体１１ｃは、金属、セラミック、樹脂等から成る
平板に、貫通した孔２４が一箇所設けられている。
支持体１１ａは、金属、セラミックあるいは樹脂等から
成る円形の平板に、貫通した孔２３が複数箇所開孔され
た構成を有する。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示さ
れた支持体１１ｂは、樹脂やセラミック等から成り多く
の空気が貫通する孔を有する多孔質材料で形成された円
形の平板において、その側面に空気抜け防止具２５が設
けられている。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示され
た支持体１１ｃは、金属、セラミック、樹脂等から成る
平板に、貫通した孔２４が一箇所設けられている。
【００３８】この図１５〜図１７にそれぞれ示された支
持体１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、いずれも表面に粘着剤
が塗布されていない。従って、このような支持体１１
ａ、１１ｂ、１１ｃを用いる場合には、多孔質粘着性テ
ープ３における支持体との貼り付け面に粘着剤が塗布さ
れている必要がある。
持体１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、いずれも表面に粘着剤
が塗布されていない。従って、このような支持体１１
ａ、１１ｂ、１１ｃを用いる場合には、多孔質粘着性テ
ープ３における支持体との貼り付け面に粘着剤が塗布さ
れている必要がある。
【００３９】これに対し、図１８〜図２０にそれぞれ示
された支持体１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは、一方の面に粘
着剤４２、４６、５２が塗布されている。ここで、粘着
剤４２、４６、５２は、それぞれ孔を塞ぐことがないよ
うに塗布されている。即ち、図１８に示された支持体１
１ｄでは、複数の孔４１が存在しない領域の表面上に粘
着剤４２が塗布されており、図１９に示された支持体１
１ｅでは、側面に空気抜け防止具４５が設けられた多孔
質材における多数の孔を塞ぐことがないようにその表面
上に粘着剤４６が塗布されており、また図２０に示され
た支持体１１ｅでは、一つの孔５１が存在しない領域の
表面上に粘着剤５２が塗布されている。
された支持体１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは、一方の面に粘
着剤４２、４６、５２が塗布されている。ここで、粘着
剤４２、４６、５２は、それぞれ孔を塞ぐことがないよ
うに塗布されている。即ち、図１８に示された支持体１
１ｄでは、複数の孔４１が存在しない領域の表面上に粘
着剤４２が塗布されており、図１９に示された支持体１
１ｅでは、側面に空気抜け防止具４５が設けられた多孔
質材における多数の孔を塞ぐことがないようにその表面
上に粘着剤４６が塗布されており、また図２０に示され
た支持体１１ｅでは、一つの孔５１が存在しない領域の
表面上に粘着剤５２が塗布されている。
【００４０】この支持体１１ｄ、１１ｅ、１１ｆは、多
孔質粘着性テープ３における支持体との貼り付け面に粘
着剤が塗布されている場合、あるいは塗布されていない
場合の両方において用いることができる。
孔質粘着性テープ３における支持体との貼り付け面に粘
着剤が塗布されている場合、あるいは塗布されていない
場合の両方において用いることができる。
【００４１】以上の支持体１１ａ〜１１ｆのいずれを用
いる場合においても、真空吸着用の孔が設けられている
ので、多孔質粘着性テープをこの支持体１１ａ〜１１ｆ
に貼り付けた状態で支持体１１ａ〜１１ｆ側から真空吸
引を行い、半導体素子を多孔質粘着性テープに真空吸着
することが可能である。
いる場合においても、真空吸着用の孔が設けられている
ので、多孔質粘着性テープをこの支持体１１ａ〜１１ｆ
に貼り付けた状態で支持体１１ａ〜１１ｆ側から真空吸
引を行い、半導体素子を多孔質粘着性テープに真空吸着
することが可能である。
【００４２】上述した実施の形態はいずれも一例であ
り、本発明を限定するものではない。また、多孔質粘着
性テープは、多孔質材であればセラミック、樹脂等のい
かなる材料を用いたものであってよい。
り、本発明を限定するものではない。また、多孔質粘着
性テープは、多孔質材であればセラミック、樹脂等のい
かなる材料を用いたものであってよい。
【００４３】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法及びその
製造装置によれば、多孔質粘着性テープの粘着力を通常
の粘着性テープのものより小さく抑えることが可能であ
り、故に半導体素子を多孔質粘着性テープからピックア
ップする際に容易に剥がすことが可能であり、半導体素
子の破損を防止し歩留まりを向上させることができる。
製造装置によれば、多孔質粘着性テープの粘着力を通常
の粘着性テープのものより小さく抑えることが可能であ
り、故に半導体素子を多孔質粘着性テープからピックア
ップする際に容易に剥がすことが可能であり、半導体素
子の破損を防止し歩留まりを向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
製造方法及び装置の構成を工程別に示し、半導体ウェー
ハの回路形成面にダイシング溝が形成され、裏面側に粘
着性テープが貼り付けられた状態を示した縦断面図。
製造方法及び装置の構成を工程別に示し、半導体ウェー
ハの回路形成面にダイシング溝が形成され、裏面側に粘
着性テープが貼り付けられた状態を示した縦断面図。
【図２】同第１の実施の形態による半導体装置の製造方
法及び装置の構成を工程別に示し、半導体ウェーハの回
路形成面に粘着性テープが貼り付けられ、裏面研削を行
うため裏面側の粘着性テープが剥がされる様子を示した
縦断面図。
法及び装置の構成を工程別に示し、半導体ウェーハの回
路形成面に粘着性テープが貼り付けられ、裏面研削を行
うため裏面側の粘着性テープが剥がされる様子を示した
縦断面図。
【図３】同第１の実施の形態による半導体装置の製造方
法及び装置の構成を工程別に示し、個片化され粘着性テ
ープに貼り付けられた半導体素子を示した縦断面図。
法及び装置の構成を工程別に示し、個片化され粘着性テ
ープに貼り付けられた半導体素子を示した縦断面図。
【図４】同第１の実施の形態による半導体装置の製造方
法及び装置の構成を工程別に示し、半導体素子を転写す
べき多孔質粘着性テープを示した縦断面図。
法及び装置の構成を工程別に示し、半導体素子を転写す
べき多孔質粘着性テープを示した縦断面図。
【図５】同第１の実施の形態による半導体装置の製造方
法及び装置の構成を工程別に示し、多孔質粘着性テープ
に半導体素子を転写するため予め貼り付けられた粘着性
テープを剥離する状態を示した縦断面図。
法及び装置の構成を工程別に示し、多孔質粘着性テープ
に半導体素子を転写するため予め貼り付けられた粘着性
テープを剥離する状態を示した縦断面図。
【図６】同第１の実施の形態による半導体装置の製造方
法及び装置の構成を工程別に示し、転写が終了した半導
体素子を示した縦断面図。
法及び装置の構成を工程別に示し、転写が終了した半導
体素子を示した縦断面図。
【図７】同第１の実施の形態による半導体装置の製造方
法及び装置の構成を工程別に示し、転写終了後の半導体
素子を搬送する状態を示した縦断面図。
法及び装置の構成を工程別に示し、転写終了後の半導体
素子を搬送する状態を示した縦断面図。
【図８】同第１の実施の形態による半導体装置の製造方
法及び装置の構成を工程別に示し、半導体素子をピック
アップする状態を示した縦断面図。
法及び装置の構成を工程別に示し、半導体素子をピック
アップする状態を示した縦断面図。
【図９】同第１の実施の形態による半導体装置の製造方
法及び装置の構成を工程別に示し、ピックアップが終了
した状態を示した縦断面図。
法及び装置の構成を工程別に示し、ピックアップが終了
した状態を示した縦断面図。
【図１０】同第１の実施の形態による半導体装置の製造
方法及び装置の構成を工程別に示し、不要となった多孔
質粘着性テープを支持体から外す状態を示した縦断面
図。
方法及び装置の構成を工程別に示し、不要となった多孔
質粘着性テープを支持体から外す状態を示した縦断面
図。
【図１１】同第１の実施の形態による半導体装置の製造
方法及び装置の構成を工程別に示し、支持体のみを示し
た縦断面図。
方法及び装置の構成を工程別に示し、支持体のみを示し
た縦断面図。
【図１２】本発明の第２の実施の形態による半導体装置
の製造方法及び装置の構成を工程別に示し、ピックアッ
プが終了した状態を示した縦断面図。
の製造方法及び装置の構成を工程別に示し、ピックアッ
プが終了した状態を示した縦断面図。
【図１３】同第２の実施の形態による半導体装置の製造
方法及び装置の構成を工程別に示し、不要の半導体素子
に粘着性テープを貼り付けた状態を示した縦断面図。
方法及び装置の構成を工程別に示し、不要の半導体素子
に粘着性テープを貼り付けた状態を示した縦断面図。
【図１４】同第２の実施の形態による半導体装置の製造
方法及び装置の構成を工程別に示し、不要の半導体素子
を多孔質粘着性テープから外す様子を示した縦断面図。
方法及び装置の構成を工程別に示し、不要の半導体素子
を多孔質粘着性テープから外す様子を示した縦断面図。
【図１５】上記第１、第２の実施の形態による半導体装
置の製造方法及び装置において用いる支持体の構成を示
した平面図及び正面図。
置の製造方法及び装置において用いる支持体の構成を示
した平面図及び正面図。
【図１６】同第１、第２の実施の形態による半導体装置
の製造方法及び装置において用いる支持体の他の構成を
示した平面図及び正面図。
の製造方法及び装置において用いる支持体の他の構成を
示した平面図及び正面図。
【図１７】同第１、第２の実施の形態による半導体装置
の製造方法及び装置において用いる支持体のさらに他の
構成を示した平面図及び正面図。
の製造方法及び装置において用いる支持体のさらに他の
構成を示した平面図及び正面図。
【図１８】同第１、第２の実施の形態による半導体装置
の製造方法及び装置において用いる支持体のさらに他の
構成を示した平面図及び正面図。
の製造方法及び装置において用いる支持体のさらに他の
構成を示した平面図及び正面図。
【図１９】同第１、第２の実施の形態による半導体装置
の製造方法及び装置において用いる支持体のさらに他の
構成を示した平面図及び正面図。
の製造方法及び装置において用いる支持体のさらに他の
構成を示した平面図及び正面図。
【図２０】同第１、第２の実施の形態による半導体装置
の製造方法及び装置において用いる支持体のさらに他の
構成を示した平面図及び正面図。
の製造方法及び装置において用いる支持体のさらに他の
構成を示した平面図及び正面図。
【図２１】従来の半導体装置の製造方法を工程別に示し
た縦断面図。
た縦断面図。
【図２２】同半導体装置の製造方法を工程別に示した縦
断面図。
断面図。
【図２３】同半導体装置の製造方法において用いていた
ピックアップ装置を示した斜視図。
ピックアップ装置を示した斜視図。
【図２４】同半導体装置の製造方法において半導体素子
をピックアップするときの状態を示した縦断面図。
をピックアップするときの状態を示した縦断面図。
【図２５】同半導体装置の製造方法により半導体素子を
ピックアップしたときに半導体素子が破損した状態を示
した縦断面図及び平面図。
ピックアップしたときに半導体素子が破損した状態を示
した縦断面図及び平面図。
【図２６】同半導体装置の製造方法により半導体素子を
ピックアップしたときに半導体素子が破損した状態を示
した縦断面図及び平面図。
ピックアップしたときに半導体素子が破損した状態を示
した縦断面図及び平面図。
１、２２、６２ 粘着性テープ
２ 半導体素子
３ 多孔質粘着性テープ
４、４２、４６、５２ 粘着剤
５、４５ 空気抜け防止具
６ 吸着コレット
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１
ｆ 支持体 １２、２３、２４、４１、５１ 真空吸着用の穴 ６０ 半導体ウェーハ ６１ ダイシング溝
ｆ 支持体 １２、２３、２４、４１、５１ 真空吸着用の穴 ６０ 半導体ウェーハ ６１ ダイシング溝
Claims (5)
- 【請求項１】一方の面に粘着性テープを貼り付けた複数
の半導体素子に個片化されてなる半導体ウェーハの他方
の面を多孔質粘着性テープの一方の面に貼り付け、前記
多孔質粘着性テープの他方の面に少なくとも１つの真空
吸着用穴が開孔された支持体を接触させた状態で前記半
導体ウェーハを前記多孔質粘着性テープに真空吸着する
ことで、前記多孔質粘着性テープの有する粘着力及び真
空吸着力とによって前記半導体ウェーハを前記多孔質粘
着性テープに転写し、前記粘着性テープを前記半導体ウ
ェーハから剥離する工程を備えることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記多孔質粘着性テープの前記一方の面に
転写した前記半導体ウェーハを、前記多孔質粘着性テー
プの前記他方の面に前記支持体を接触させた状態で搬送
する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記多孔質粘着性テープの前記他方の面に
前記支持体を接触させた状態で、前記多孔質粘着性テー
プに転写した前記半導体ウェーハの個片化された各々の
前記半導体素子を、真空吸着によりピックアップする工
程をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】多孔質材料から成り、一方の面と他方の面
とが通気性を有した状態で少なくとも前記一方の面に粘
着剤が塗布された多孔質粘着性テープと、 少なくとも１つの真空吸着用穴が開孔された支持体と、 真空吸着装置と、を備え、 複数の半導体素子に個片化された半導体ウェーハの一方
の面に粘着性テープが貼り付けられるとともにその他方
の面が前記多孔質粘着性テープの前記一方の面に貼り付
けられ、前記多孔質粘着性テープの他方の面側に前記支
持体を介して前記真空吸着装置を配置した状態で、前記
多孔質粘着性テープの有する粘着力及び前記真空吸着装
置による真空吸着力とによって前記半導体ウェーハを前
記多孔質粘着性テープの前記一方の面に転写することを
特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項５】前記支持体の一方の面における前記真空吸
着用穴が開孔されていない領域に粘着剤が塗布されてい
ることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001272317A JP2003086540A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001272317A JP2003086540A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003086540A true JP2003086540A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19097708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001272317A Pending JP2003086540A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003086540A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1458021A2 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device fabrication method |
| WO2005083763A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Lintec Corporation | ウェハの転写方法 |
| US7223319B2 (en) | 2003-03-26 | 2007-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| EP1605521A3 (en) * | 2004-06-11 | 2007-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for a base piece made to adhere to an adhesive sheet, for a semiconductor wafer and for a semiconductor device |
| CN103065957A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-24 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体基板切割的装置及半导体晶圆切割的制造方法 |
-
2001
- 2001-09-07 JP JP2001272317A patent/JP2003086540A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1458021A2 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device fabrication method |
| EP1458021A3 (en) * | 2003-03-06 | 2005-01-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device fabrication method |
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| CN1323431C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-06-27 | 株式会社东芝 | 半导体制造设备和半导体器件的制造方法 |
| WO2005083763A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Lintec Corporation | ウェハの転写方法 |
| EP1605521A3 (en) * | 2004-06-11 | 2007-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for a base piece made to adhere to an adhesive sheet, for a semiconductor wafer and for a semiconductor device |
| US7438780B2 (en) | 2004-06-11 | 2008-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for base piece made to adhere to adhesive sheet, manufacturing method for semiconductor wafer and manufacturing method for semiconductor device |
| CN103065957A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-24 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体基板切割的装置及半导体晶圆切割的制造方法 |
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