JP2003085813A - 記録媒体の情報記録及び再生装置 - Google Patents
記録媒体の情報記録及び再生装置Info
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型、薄型の記録媒体の情報再生及び記録装置
を提供する。 【解決手段】波長λ１、波長λ２の、両光路が各々、略
平行な異なる光軸のレーザ光源１、該光源１とコリメー
ティングレンズ１３との間に設けられていてレーザ光源
１からのレーザ光を同一光軸にする光軸一致手段２、コ
リメーティングレンズ１３、反射ミラー１５と、対物レ
ンズ１６を有している。高密度ディスク１８ａ又は、低
密度ディスク１８ｂで反射されたレーザ光は、入射光と
逆の光路を介して前記光軸一致手段２からフォトディテ
クタ９０に入射され、電気信号に変換される。光軸一致
手段２は、透光性を有する基板２Ｃに、第１の誘電体多
層膜２Ｂと、該第１の誘電体多層膜２Ｂの上に、透光性
を有する基板２Ｄを挟んで第２の誘電体多層膜２Ａが形
成されていて、前記異なる波長の半導体レーザに応じ
て、反射率がそれぞれ異なる。
を提供する。 【解決手段】波長λ１、波長λ２の、両光路が各々、略
平行な異なる光軸のレーザ光源１、該光源１とコリメー
ティングレンズ１３との間に設けられていてレーザ光源
１からのレーザ光を同一光軸にする光軸一致手段２、コ
リメーティングレンズ１３、反射ミラー１５と、対物レ
ンズ１６を有している。高密度ディスク１８ａ又は、低
密度ディスク１８ｂで反射されたレーザ光は、入射光と
逆の光路を介して前記光軸一致手段２からフォトディテ
クタ９０に入射され、電気信号に変換される。光軸一致
手段２は、透光性を有する基板２Ｃに、第１の誘電体多
層膜２Ｂと、該第１の誘電体多層膜２Ｂの上に、透光性
を有する基板２Ｄを挟んで第２の誘電体多層膜２Ａが形
成されていて、前記異なる波長の半導体レーザに応じ
て、反射率がそれぞれ異なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体の情報記
録及び再生装置に関し、特にマルチビーム半導体レーザ
を用いて記録密度の異なる記録媒体の情報記録及び再生
が可能な記録媒体の情報記録及び再生装置に関する。
録及び再生装置に関し、特にマルチビーム半導体レーザ
を用いて記録密度の異なる記録媒体の情報記録及び再生
が可能な記録媒体の情報記録及び再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＣＤ（コンパクトディスク）など
の光を利用した情報入出力装置においては、ディスク状
の記録媒体に設けられたトラック溝にレーザ光源からの
出射光を微小スポットとして集光することによって記録
ピットを生成し、このピットの有無を情報として記録
し、さらにこのトラックに微小スポットを照射し、反射
光によりトラック上のピットの有無を検出し、情報の読
み出しを行うようになっている。
の光を利用した情報入出力装置においては、ディスク状
の記録媒体に設けられたトラック溝にレーザ光源からの
出射光を微小スポットとして集光することによって記録
ピットを生成し、このピットの有無を情報として記録
し、さらにこのトラックに微小スポットを照射し、反射
光によりトラック上のピットの有無を検出し、情報の読
み出しを行うようになっている。
【０００３】近年、大記録容量化の市場要求に伴い、Ｃ
Ｄの約７倍の記憶容量を持つＤＶＤ（ディジタルビデオ
ディスク）の普及が目覚ましい。記憶容量の増大はすな
わち記録密度の向上を意味し、記録媒体（以下ディスク
と称する）上に生成できる記録ピットの数に依存する。
ＤＶＤにおいては、この記録ピットを小さくすること、
すなわちディスク上に照射する光ビームのスポット径を
小さくすることが一つの高密度化要因となっている。デ
ィスク上に照射される微小スポットの大きさは、レーザ
光の波長に比例し、対物レンズの開口数に反比例する。
すなわち、レーザ光の波長を短く、対物レンズの開口数
を大きくする必要がある。
Ｄの約７倍の記憶容量を持つＤＶＤ（ディジタルビデオ
ディスク）の普及が目覚ましい。記憶容量の増大はすな
わち記録密度の向上を意味し、記録媒体（以下ディスク
と称する）上に生成できる記録ピットの数に依存する。
ＤＶＤにおいては、この記録ピットを小さくすること、
すなわちディスク上に照射する光ビームのスポット径を
小さくすることが一つの高密度化要因となっている。デ
ィスク上に照射される微小スポットの大きさは、レーザ
光の波長に比例し、対物レンズの開口数に反比例する。
すなわち、レーザ光の波長を短く、対物レンズの開口数
を大きくする必要がある。
【０００４】しかしながら、ＤＶＤはそのソフト資産継
承の面からＣＤとの互換性が強く求められている。当
初、ＤＶＤには波長６３５〜６５０ｎｍ帯のレーザ光源
と開口数０．６程度の対物レンズ、ＣＤには波長７８０
ｎｍ帯のレーザ光源と開口数０．４５程度の対物レンズ
を一つの光ヘッド装置に搭載することで、両ディスクの
互換性を確保していた。
承の面からＣＤとの互換性が強く求められている。当
初、ＤＶＤには波長６３５〜６５０ｎｍ帯のレーザ光源
と開口数０．６程度の対物レンズ、ＣＤには波長７８０
ｎｍ帯のレーザ光源と開口数０．４５程度の対物レンズ
を一つの光ヘッド装置に搭載することで、両ディスクの
互換性を確保していた。
【０００５】しかし、対物レンズの開口数を大きくする
と、ディスクの傾きに対してコマ収差により光ビームの
集束状態が劣化する。コマ収差は対物レンズの開口数の
３乗と、ディスク基板厚に比例するため、ＤＶＤではデ
ィスク基板厚をＣＤの半分の０．６ｍｍにしてある。
と、ディスクの傾きに対してコマ収差により光ビームの
集束状態が劣化する。コマ収差は対物レンズの開口数の
３乗と、ディスク基板厚に比例するため、ＤＶＤではデ
ィスク基板厚をＣＤの半分の０．６ｍｍにしてある。
【０００６】対物レンズは基板の厚さが設計値からずれ
て変化すると、レンズ中心部を通る光と外周部を通る光
の収束位置に球面収差が発生する。従ってＤＶＤの基板
厚に対して最適化設計された開口数０．６の対物レンズ
を用いてＣＤを再生する場合、レンズへ入射する外周部
の光束を制限したり、レンズへの入射角を若干発散させ
るなどして球面収差を補正する必要があった。但し、最
近では光束を制限することなく１つの対物レンズでＤＶ
ＤとＣＤに対応できるＤＶＤ／ＣＤ互換特殊対物レンズ
も開発され、実用に供されている。
て変化すると、レンズ中心部を通る光と外周部を通る光
の収束位置に球面収差が発生する。従ってＤＶＤの基板
厚に対して最適化設計された開口数０．６の対物レンズ
を用いてＣＤを再生する場合、レンズへ入射する外周部
の光束を制限したり、レンズへの入射角を若干発散させ
るなどして球面収差を補正する必要があった。但し、最
近では光束を制限することなく１つの対物レンズでＤＶ
ＤとＣＤに対応できるＤＶＤ／ＣＤ互換特殊対物レンズ
も開発され、実用に供されている。
【０００７】このように対物レンズに関しては、ＤＶＤ
とＣＤで共用可能であるが、レーザ光源に関しては、追
記型ＣＤとの互換性を考慮して、上述した二つの波長の
レーザ光源を用いる必要がある。これは、追記型ＣＤの
反射記録層は有機色素材料から成り、ＤＶＤの対応波長
である６３５ｎｍ〜６５０ｎｍ帯の光ビームに対して反
射率が６％と低いことに起因する。
とＣＤで共用可能であるが、レーザ光源に関しては、追
記型ＣＤとの互換性を考慮して、上述した二つの波長の
レーザ光源を用いる必要がある。これは、追記型ＣＤの
反射記録層は有機色素材料から成り、ＤＶＤの対応波長
である６３５ｎｍ〜６５０ｎｍ帯の光ビームに対して反
射率が６％と低いことに起因する。
【０００８】係る理由により、現行のＤＶＤ用光ヘッド
装置ではＤＶＤに対応した波長６３５ｎｍ〜６５０ｎｍ
帯と、ＣＤに対応した波長７８０ｎｍ帯の二つのレーザ
光源を搭載しており、また、この二つの光源から出射す
るそれぞれの光ビームを二つの対物レンズに導くため、
プリズムや、開口制限手段等の部品が別途必要となり、
装置の小型化、低廉化に向かない。
装置ではＤＶＤに対応した波長６３５ｎｍ〜６５０ｎｍ
帯と、ＣＤに対応した波長７８０ｎｍ帯の二つのレーザ
光源を搭載しており、また、この二つの光源から出射す
るそれぞれの光ビームを二つの対物レンズに導くため、
プリズムや、開口制限手段等の部品が別途必要となり、
装置の小型化、低廉化に向かない。
【０００９】前記問題点を解決する手段として、例えば
図５に示すような光ピックアップ装置が提案されてい
る。以下、従来の光ピックアップ装置についてその概略
を説明する。
図５に示すような光ピックアップ装置が提案されてい
る。以下、従来の光ピックアップ装置についてその概略
を説明する。
【００１０】図５は従来の光ピックアップ装置の主要部
を示す図であって、ＤＶＤに対応した波長６５０ｎｍ
と、ＣＤに対応した波長７８０ｎｍのそれぞれのレーザ
光を発するレーザ光源９１及び１２と前記レーザ光を同
一光路にする波長選択プリズム９２を有している。前記
レーザ光をコリメーティングレンズ１３に導くと共にデ
ィスクから反射されたレーザ光をフォトディテクタ９０
に入射させるハーフミラー１１を設けてある。
を示す図であって、ＤＶＤに対応した波長６５０ｎｍ
と、ＣＤに対応した波長７８０ｎｍのそれぞれのレーザ
光を発するレーザ光源９１及び１２と前記レーザ光を同
一光路にする波長選択プリズム９２を有している。前記
レーザ光をコリメーティングレンズ１３に導くと共にデ
ィスクから反射されたレーザ光をフォトディテクタ９０
に入射させるハーフミラー１１を設けてある。
【００１１】前記コリメーティングレンズ１３を通過し
たレーザ光を対物レンズ１６に導く反射ミラー１５も有
し、前記対物レンズからディスク１８ａ又は１８ｂに入
射されるようになっている。ディスク１８ａ又は１８ｂ
は、ＤＶＤまたはＣＤを用途に応じて図示していない駆
動機構に乗せられ、該駆動機構により回転される。対物
レンズ１６は前述のＤＶＤ／ＣＤ互換特殊対物レンズで
ある。
たレーザ光を対物レンズ１６に導く反射ミラー１５も有
し、前記対物レンズからディスク１８ａ又は１８ｂに入
射されるようになっている。ディスク１８ａ又は１８ｂ
は、ＤＶＤまたはＣＤを用途に応じて図示していない駆
動機構に乗せられ、該駆動機構により回転される。対物
レンズ１６は前述のＤＶＤ／ＣＤ互換特殊対物レンズで
ある。
【００１２】ディスク１８ａ又は１８ｂから反射した前
記レーザ光は、前記ハーフミラー１１を通過して電気信
号に変換するフォトディテクタ９０で受光されるように
なっている。
記レーザ光は、前記ハーフミラー１１を通過して電気信
号に変換するフォトディテクタ９０で受光されるように
なっている。
【００１３】図６は、前記の波長選択プリズム９２を説
明する図である。波長選択プリズム９２は、図６（ｃ）
に示すような特性を有する光路調整膜８０が設けられて
いる。光路調整膜８０は波長７００ｎｍ以下の光を遮断
し、波長７５０ｎｍ以上の光を透過させるような特性を
有する。従って、光路調整膜８０に入射した波長７８０
ｎｍの光８１は光路調整膜８０で遮断されないので図６
（ａ）のように直進し、これと直交する方向から光路調
整膜８０に入射した波長６５０ｎｍの光８２は光路調整
膜８０で遮断され、図６（ｂ）のように９０度方向を変
えて反射されて波長７８０ｎｍの光と同一光路上を直進
する。
明する図である。波長選択プリズム９２は、図６（ｃ）
に示すような特性を有する光路調整膜８０が設けられて
いる。光路調整膜８０は波長７００ｎｍ以下の光を遮断
し、波長７５０ｎｍ以上の光を透過させるような特性を
有する。従って、光路調整膜８０に入射した波長７８０
ｎｍの光８１は光路調整膜８０で遮断されないので図６
（ａ）のように直進し、これと直交する方向から光路調
整膜８０に入射した波長６５０ｎｍの光８２は光路調整
膜８０で遮断され、図６（ｂ）のように９０度方向を変
えて反射されて波長７８０ｎｍの光と同一光路上を直進
する。
【００１４】前記図５の光ピックアップ装置の動作は以
下のようである。即ち、光源となるＤＶＤ用半導体レー
ザ（波長６５０ｎｍ）９１、ＣＤ用半導体レーザ（波長
７８０ｎｍ）１２を直交して配置し、波長選択プリズム
９２により同一光路へ導く。そしてハーフミラー１１に
より光軸を９０度反射させ、コリメーティングレンズ１
３により光ビームを平行光束化する。前記平行光束化さ
れた光ビームは対物レンズ１６を経てディスク１８ａ又
は、１８ｂの記録層に入射する。
下のようである。即ち、光源となるＤＶＤ用半導体レー
ザ（波長６５０ｎｍ）９１、ＣＤ用半導体レーザ（波長
７８０ｎｍ）１２を直交して配置し、波長選択プリズム
９２により同一光路へ導く。そしてハーフミラー１１に
より光軸を９０度反射させ、コリメーティングレンズ１
３により光ビームを平行光束化する。前記平行光束化さ
れた光ビームは対物レンズ１６を経てディスク１８ａ又
は、１８ｂの記録層に入射する。
【００１５】ＤＶＤ再生時には、ＤＶＤ用半導体レーザ
９１が発振するようになっていて、対物レンズ１６が光
路中に配置され、ＤＶＤディスク１８ａに集光される。
ＣＤ再生時には、ＣＤ用半導体レーザ１２が発振するよ
うになっていて、同じく対物レンズ１６が光路中に配置
されＣＤディスク１８ｂに集光される。各ディスクで反
射した光ビームは、同様の経路を逆にたどって、ハーフ
ミラー１１を透過し、フォトディテクタ９０へ導かれて
電気信号に変換される。
９１が発振するようになっていて、対物レンズ１６が光
路中に配置され、ＤＶＤディスク１８ａに集光される。
ＣＤ再生時には、ＣＤ用半導体レーザ１２が発振するよ
うになっていて、同じく対物レンズ１６が光路中に配置
されＣＤディスク１８ｂに集光される。各ディスクで反
射した光ビームは、同様の経路を逆にたどって、ハーフ
ミラー１１を透過し、フォトディテクタ９０へ導かれて
電気信号に変換される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来例で
は以下のような問題点があった。即ち、ＤＶＤ、ＣＤ、
ＣＤ−Ｒ／ＲＷ（ＣＤレコーダブル／リライタブル）の
互換性を確保するために、波長の異なる二つの半導体レ
ーザが必要であり、また、これら２つのレーザ光を同一
光路へ導くための波長選択プリズム９２が必要であっ
た。この為に、構成部品が多く、又二つの半導体レーザ
と波長選択プリズムの空間も必要とされ、記録媒体の情
報記録及び再生装置の低価格、小型化が阻害されてい
た。
は以下のような問題点があった。即ち、ＤＶＤ、ＣＤ、
ＣＤ−Ｒ／ＲＷ（ＣＤレコーダブル／リライタブル）の
互換性を確保するために、波長の異なる二つの半導体レ
ーザが必要であり、また、これら２つのレーザ光を同一
光路へ導くための波長選択プリズム９２が必要であっ
た。この為に、構成部品が多く、又二つの半導体レーザ
と波長選択プリズムの空間も必要とされ、記録媒体の情
報記録及び再生装置の低価格、小型化が阻害されてい
た。
【００１７】本発明は、係る問題を解決して、マルチビ
ーム半導体レーザ１個のみで、記録密度の異なるＤＶ
Ｄ、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ等の記録媒体を互換再生す
る、構成が単純で、小型、薄型な記録媒体の情報再生及
び記録装置を提供することを目的としてなされたもので
ある。
ーム半導体レーザ１個のみで、記録密度の異なるＤＶ
Ｄ、ＣＤ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ等の記録媒体を互換再生す
る、構成が単純で、小型、薄型な記録媒体の情報再生及
び記録装置を提供することを目的としてなされたもので
ある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、２つの異なる波長の光を発する１個のマ
ルチビーム半導体レーザを使用し、前記マルチビームの
光軸を一致させる手段を設けることにより、記録媒体の
情報記録及び再生装置の低価格、小型化を実現した。そ
して、請求項１記載の記録媒体の情報記録及び再生装置
では、光軸および波長の異なる種類の光を発する半導体
レーザと、該半導体レーザの異なる光軸を一致させる光
軸一致手段と、前記半導体レーザから出射する異なる種
類の光ビームの拡散角を変換するコリメーティングレン
ズと、前記コリメーティングレンズを透過した光ビーム
を記録媒体に集光する対物レンズと、各々異なる記録密
度を有する記録媒体からの反射光を検出する光検出器を
具備したことを特徴とする。
成するために、２つの異なる波長の光を発する１個のマ
ルチビーム半導体レーザを使用し、前記マルチビームの
光軸を一致させる手段を設けることにより、記録媒体の
情報記録及び再生装置の低価格、小型化を実現した。そ
して、請求項１記載の記録媒体の情報記録及び再生装置
では、光軸および波長の異なる種類の光を発する半導体
レーザと、該半導体レーザの異なる光軸を一致させる光
軸一致手段と、前記半導体レーザから出射する異なる種
類の光ビームの拡散角を変換するコリメーティングレン
ズと、前記コリメーティングレンズを透過した光ビーム
を記録媒体に集光する対物レンズと、各々異なる記録密
度を有する記録媒体からの反射光を検出する光検出器を
具備したことを特徴とする。
【００１９】請求項２記載の記録媒体の情報記録及び再
生装置では、光軸一致手段は、前記半導体レーザと、前
記コリメーティングレンズとの間に設けられていること
を特徴とする。
生装置では、光軸一致手段は、前記半導体レーザと、前
記コリメーティングレンズとの間に設けられていること
を特徴とする。
【００２０】請求項３記載の記録媒体の情報記録及び再
生装置では、光軸一致手段は、ハーフミラーからなり、
透光性を有する第１の基板の表面に、第１の誘電体多層
膜が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有する第
２の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ成膜
されていて、該第１の誘電体多層膜と第２の誘電体多層
膜は、前記異なる波長の半導体レーザに応じて、反射率
がそれぞれ異なることを特徴とする。
生装置では、光軸一致手段は、ハーフミラーからなり、
透光性を有する第１の基板の表面に、第１の誘電体多層
膜が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有する第
２の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ成膜
されていて、該第１の誘電体多層膜と第２の誘電体多層
膜は、前記異なる波長の半導体レーザに応じて、反射率
がそれぞれ異なることを特徴とする。
【００２１】請求項４記載の記録媒体の情報記録及び再
生装置では、光軸一致手段における透光性を有する第２
の基板の厚さは、前記光軸および波長の異なる種類の光
を発する半導体レーザが前記第１の誘電体多層膜及び第
２の誘電体多層膜で、それぞれ反射された後に、それぞ
れの光軸が一致される厚さであることを特徴とする。
生装置では、光軸一致手段における透光性を有する第２
の基板の厚さは、前記光軸および波長の異なる種類の光
を発する半導体レーザが前記第１の誘電体多層膜及び第
２の誘電体多層膜で、それぞれ反射された後に、それぞ
れの光軸が一致される厚さであることを特徴とする。
【００２２】請求項５記載の記録媒体の情報記録及び再
生装置では、光軸一致手段に形成された誘電体多層膜
は、透光性を有する第１の基板の表面に、前記半導体レ
ーザから発せられる、第１の波長とそれと異なる第２の
波長の光を選択的に透過、反射する第１の誘電体多層膜
が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有する第２
の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ成膜さ
れていて、前記第１の誘電体多層膜は、前記第１の波長
に対して高透過率を、前記第２の波長に対して低透過率
をそれぞれ有し、前記第２の誘電体多層膜は、前記第２
の波長に対して高透過率を、前記第１の波長に対して低
透過率をそれぞれ有することを特徴とする。
生装置では、光軸一致手段に形成された誘電体多層膜
は、透光性を有する第１の基板の表面に、前記半導体レ
ーザから発せられる、第１の波長とそれと異なる第２の
波長の光を選択的に透過、反射する第１の誘電体多層膜
が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有する第２
の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ成膜さ
れていて、前記第１の誘電体多層膜は、前記第１の波長
に対して高透過率を、前記第２の波長に対して低透過率
をそれぞれ有し、前記第２の誘電体多層膜は、前記第２
の波長に対して高透過率を、前記第１の波長に対して低
透過率をそれぞれ有することを特徴とする。
【００２３】請求項６記載の記録媒体の情報記録及び再
生装置では、光軸一致手段に形成された誘電体多層膜
は、透光性を有する第１の基板の表面に、前記半導体レ
ーザから発せられる、第１の波長とそれと異なる第２の
波長の光を選択的に透過、反射する第１の誘電体多層膜
が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有する第２
の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ成膜さ
れていて、前記第１の誘電体多層膜は、前記第２の波長
に対して高透過率を、前記第１の波長に対して低透過率
をそれぞれ有し、前記第２の誘電体多層膜は、前記第１
の波長に対して高透過率を、前記第２の波長に対して低
透過率をそれぞれ有することを特徴とする。
生装置では、光軸一致手段に形成された誘電体多層膜
は、透光性を有する第１の基板の表面に、前記半導体レ
ーザから発せられる、第１の波長とそれと異なる第２の
波長の光を選択的に透過、反射する第１の誘電体多層膜
が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有する第２
の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ成膜さ
れていて、前記第１の誘電体多層膜は、前記第２の波長
に対して高透過率を、前記第１の波長に対して低透過率
をそれぞれ有し、前記第２の誘電体多層膜は、前記第１
の波長に対して高透過率を、前記第２の波長に対して低
透過率をそれぞれ有することを特徴とする。
【００２４】請求項７記載の記録媒体の情報記録及び再
生装置では、半導体レーザの前記第１の波長は６３５〜
６５０ｎｍ帯、第２の波長は７８０ｎｍ帯であることを
特徴とする。
生装置では、半導体レーザの前記第１の波長は６３５〜
６５０ｎｍ帯、第２の波長は７８０ｎｍ帯であることを
特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態を示す
図であって、高密度ディスク１８ａに対応した波長λ１
（６５０ｎｍ）と、低密度ディスク１８ｂに対応した波
長λ２（７８０ｎｍ）の、両光路が各々、略平行な異な
る光軸のレーザ光を発するマルチビームのレーザ光源１
を有している。該レーザ光源１における２波長の光軸の
間隔Ｗは、約１００μｍである。更に、前記光軸及び波
長の異なるレーザ光源１を同一光軸にする光軸一致手段
２、前記同一光軸にされた２つのレーザ光の拡散角を変
換して平行光とするコリメーティングレンズ１３、レー
ザ光をコリメーティングレンズ１３に導く反射ミラー１
５と、前記コリメーティングレンズ１３からの光を、高
密度ディスク１８ａ、または低密度ディスク１８ｂに入
射させる対物レンズ１６を有している。
図であって、高密度ディスク１８ａに対応した波長λ１
（６５０ｎｍ）と、低密度ディスク１８ｂに対応した波
長λ２（７８０ｎｍ）の、両光路が各々、略平行な異な
る光軸のレーザ光を発するマルチビームのレーザ光源１
を有している。該レーザ光源１における２波長の光軸の
間隔Ｗは、約１００μｍである。更に、前記光軸及び波
長の異なるレーザ光源１を同一光軸にする光軸一致手段
２、前記同一光軸にされた２つのレーザ光の拡散角を変
換して平行光とするコリメーティングレンズ１３、レー
ザ光をコリメーティングレンズ１３に導く反射ミラー１
５と、前記コリメーティングレンズ１３からの光を、高
密度ディスク１８ａ、または低密度ディスク１８ｂに入
射させる対物レンズ１６を有している。
【００２６】前記光軸一致手段２は、前記レーザ光源１
とコリメーティングレンズ１３との間に設けられてい
て、後述する構造と特性を有し、前記光軸と波長がそれ
ぞれ異なるレーザ光源１のレーザ光を同一光軸にして、
前記コリメーティングレンズ１３に導く。前記高密度デ
ィスク１８ａ、または低密度ディスク１８ｂは、用途に
応じて図示していない駆動機構に乗せられ、該駆動機構
により回転される。前記高密度ディスク１８ａ又は、低
密度ディスク１８ｂの記録面で反射されたレーザ光は、
入射光と逆の光路を通過して前記光軸一致手段２に入射
される。該光軸一致手段２を透過したレーザ光は、フォ
トディテクタ９０で電気信号に変換される。
とコリメーティングレンズ１３との間に設けられてい
て、後述する構造と特性を有し、前記光軸と波長がそれ
ぞれ異なるレーザ光源１のレーザ光を同一光軸にして、
前記コリメーティングレンズ１３に導く。前記高密度デ
ィスク１８ａ、または低密度ディスク１８ｂは、用途に
応じて図示していない駆動機構に乗せられ、該駆動機構
により回転される。前記高密度ディスク１８ａ又は、低
密度ディスク１８ｂの記録面で反射されたレーザ光は、
入射光と逆の光路を通過して前記光軸一致手段２に入射
される。該光軸一致手段２を透過したレーザ光は、フォ
トディテクタ９０で電気信号に変換される。
【００２７】高密度ディスク１８ａを用いる場合は、図
示していない駆動機構により高密度ディスク１８ａが予
め駆動機構に乗せられ動作するものとする。そして、高
密度ディスク１８ａに信号を記録する場合は、レーザ光
の強度を所定の強度まで増加する。又、記録されている
情報を再生する場合には、レーザ光の強度を所定の強度
まで減少する。係る調整は図示していない制御回路とレ
ーザ駆動回路により行う。なお、低密度ディスク１８ｂ
を用いる場合についても同様である。
示していない駆動機構により高密度ディスク１８ａが予
め駆動機構に乗せられ動作するものとする。そして、高
密度ディスク１８ａに信号を記録する場合は、レーザ光
の強度を所定の強度まで増加する。又、記録されている
情報を再生する場合には、レーザ光の強度を所定の強度
まで減少する。係る調整は図示していない制御回路とレ
ーザ駆動回路により行う。なお、低密度ディスク１８ｂ
を用いる場合についても同様である。
【００２８】なお、前記対物レンズ１６は、ＤＶＤ／Ｃ
Ｄ互換特殊対物レンズであり、２つのレーザ光を収差な
く各ディスク１８ａ、１８ｂの記録面に集光させること
ができる。又、前記レーザ光源１の波長λ１（６３５〜
６５０ｎｍ帯）のレーザ光と波長λ２（７８０ｎｍ帯）
のレーザ光とは、図示してない制御回路により必要に応
じて切り替えて用いる。又、反射ミラー１５は必須の光
学部品ではなく、反射ミラーを用いない光学系の構成は
可能である。
Ｄ互換特殊対物レンズであり、２つのレーザ光を収差な
く各ディスク１８ａ、１８ｂの記録面に集光させること
ができる。又、前記レーザ光源１の波長λ１（６３５〜
６５０ｎｍ帯）のレーザ光と波長λ２（７８０ｎｍ帯）
のレーザ光とは、図示してない制御回路により必要に応
じて切り替えて用いる。又、反射ミラー１５は必須の光
学部品ではなく、反射ミラーを用いない光学系の構成は
可能である。
【００２９】図２は、前記光軸一致手段２の図であっ
て、２種類の誘電体多層膜により構成されているハーフ
ミラーである。図２（ａ）は、透光性を有する基板（例
えば、光学ガラスＢＫ７）２Ｃの表面に、第１の誘電体
多層膜２Ｂが、該第１の誘電体多層膜２Ｂの上に、透光
性を有する基板（例えば、光学ガラスＢＫ７）２Ｄを挟
んで第２の誘電体多層膜２Ａが、それぞれ成膜されてい
る第１の実施形態である。図２（ｂ）は、透光性を有す
る基板２Ｃの表面に、前記第２の誘電体多層膜２Ａが、
該第２の誘電体多層膜２Ａの上に透光性を有する基板
（例えば、光学ガラスＢＫ７）２Ｄを挟んで前記第１の
誘電体多層膜２Ｂが成膜されている第２の実施形態であ
る。
て、２種類の誘電体多層膜により構成されているハーフ
ミラーである。図２（ａ）は、透光性を有する基板（例
えば、光学ガラスＢＫ７）２Ｃの表面に、第１の誘電体
多層膜２Ｂが、該第１の誘電体多層膜２Ｂの上に、透光
性を有する基板（例えば、光学ガラスＢＫ７）２Ｄを挟
んで第２の誘電体多層膜２Ａが、それぞれ成膜されてい
る第１の実施形態である。図２（ｂ）は、透光性を有す
る基板２Ｃの表面に、前記第２の誘電体多層膜２Ａが、
該第２の誘電体多層膜２Ａの上に透光性を有する基板
（例えば、光学ガラスＢＫ７）２Ｄを挟んで前記第１の
誘電体多層膜２Ｂが成膜されている第２の実施形態であ
る。
【００３０】図２における透光性を有する基板２Ｃの厚
さＬ１は、光学系及び光路長によって定まり、例えば本
実施形態では１．８５ｍｍである。又、基板２Ｃの材料
は、本実施形態では屈折率が波長λ１（６３５〜６５０
ｎｍ帯）と波長λ２（７８０ｎｍ帯）に対して、それぞ
れ１．５１０７２、及び１．５１４０５の光学ガラス
（ＢＫ７）である。更に、前記第１の誘電体多層膜２Ｂ
と第２の誘電体多層膜２Ａの間に設けられている透光性
を有する基板２Ｄは、上記光学ガラスＢＫ７と同一であ
り、その厚さＬ２は、例えば本実施形態では略０．１５
ｍｍである。前記透光性を有する基板２Ｄの厚さＬ２
は、前記第２の誘電体多層膜２Ａから反射された波長λ
１のレーザ光と、第１の誘電体多層膜２Ｂとから反射さ
れた波長λ２のレーザ光とが同一光軸になるように厚さ
Ｌ２が決定されている。係る厚さＬ２は、前記レーザ光
源１における２波長の光軸の間隔Ｗ（本実施形態では約
１００μｍ）と、レーザ光源１における、それぞれの波
長によって定まり、前記したように本発明の第１の実施
形態では、厚さＬ２は、略０．１５ｍｍである。なお、
前記第１の誘電体多層膜２Ｂと第２の誘電体多層膜２Ａ
の厚さは、それぞれ数μｍ程度であり、透光性を有する
基板２Ｄの厚さ、略０．１５ｍｍに対して無視してよ
い。前記第１の誘電体多層膜２Ｂと第２の誘電体多層膜
２Ａは、透光性を有する基板２Ｄの両面にそれぞれ成膜
され、その一方の面が透光性を有する基板２Ｃの一方の
面に光学接着剤を用いて接着されている。
さＬ１は、光学系及び光路長によって定まり、例えば本
実施形態では１．８５ｍｍである。又、基板２Ｃの材料
は、本実施形態では屈折率が波長λ１（６３５〜６５０
ｎｍ帯）と波長λ２（７８０ｎｍ帯）に対して、それぞ
れ１．５１０７２、及び１．５１４０５の光学ガラス
（ＢＫ７）である。更に、前記第１の誘電体多層膜２Ｂ
と第２の誘電体多層膜２Ａの間に設けられている透光性
を有する基板２Ｄは、上記光学ガラスＢＫ７と同一であ
り、その厚さＬ２は、例えば本実施形態では略０．１５
ｍｍである。前記透光性を有する基板２Ｄの厚さＬ２
は、前記第２の誘電体多層膜２Ａから反射された波長λ
１のレーザ光と、第１の誘電体多層膜２Ｂとから反射さ
れた波長λ２のレーザ光とが同一光軸になるように厚さ
Ｌ２が決定されている。係る厚さＬ２は、前記レーザ光
源１における２波長の光軸の間隔Ｗ（本実施形態では約
１００μｍ）と、レーザ光源１における、それぞれの波
長によって定まり、前記したように本発明の第１の実施
形態では、厚さＬ２は、略０．１５ｍｍである。なお、
前記第１の誘電体多層膜２Ｂと第２の誘電体多層膜２Ａ
の厚さは、それぞれ数μｍ程度であり、透光性を有する
基板２Ｄの厚さ、略０．１５ｍｍに対して無視してよ
い。前記第１の誘電体多層膜２Ｂと第２の誘電体多層膜
２Ａは、透光性を有する基板２Ｄの両面にそれぞれ成膜
され、その一方の面が透光性を有する基板２Ｃの一方の
面に光学接着剤を用いて接着されている。
【００３１】又、前記ハーフミラーは、これ以外に、例
えば、透光性を有する基板２Ｃの一方の面に第１の誘電
体多層膜２Ｂを成膜し、透光性を有する基板２Ｄの一方
の面に第２の誘電体多層膜２Ａを成膜し、成膜後の両基
板を光学接着剤で接着してもよい。係る場合、第１の誘
電体多層膜２Ｂが成膜されている面と、透光性を有する
基板２Ｄの第２の誘電体多層膜２Ａが成膜されていない
他方の面との間に光学接着剤を塗布する。この場合に
は、光学接着剤の厚さと基板２Ｄの厚さを足し合わせた
値がＬ２となる。なお、上記の場合においても、第１の
誘電体多層膜２Ｂと第２の誘電体多層膜２Ａとは、図２
（ａ）及び図２（ｂ）の場合と同様に、互いに逆であっ
てもよい。
えば、透光性を有する基板２Ｃの一方の面に第１の誘電
体多層膜２Ｂを成膜し、透光性を有する基板２Ｄの一方
の面に第２の誘電体多層膜２Ａを成膜し、成膜後の両基
板を光学接着剤で接着してもよい。係る場合、第１の誘
電体多層膜２Ｂが成膜されている面と、透光性を有する
基板２Ｄの第２の誘電体多層膜２Ａが成膜されていない
他方の面との間に光学接着剤を塗布する。この場合に
は、光学接着剤の厚さと基板２Ｄの厚さを足し合わせた
値がＬ２となる。なお、上記の場合においても、第１の
誘電体多層膜２Ｂと第２の誘電体多層膜２Ａとは、図２
（ａ）及び図２（ｂ）の場合と同様に、互いに逆であっ
てもよい。
【００３２】図３は、前記光軸一致手段２に設けられた
２種類の誘電体多層膜２Ａ、２Ｂの特性図であって図３
（ａ）は前記第２の誘電体多層膜２Ａの、図３（ｂ）は
前記第１の誘電体多層膜２Ｂの特性である。前記第２の
誘電体多層膜２Ａは、前記第１の波長λ１（６３５〜６
５０ｎｍ帯）に対して低透過率を、前記第２の波長λ２
（７８０ｎｍ帯）に対して高透過率を有する。又、前記
第１の誘電体多層膜２Ｂは、前記第１の波長に対して高
透過率を、前記第２の波長に対して低透過率を有する。
２種類の誘電体多層膜２Ａ、２Ｂの特性図であって図３
（ａ）は前記第２の誘電体多層膜２Ａの、図３（ｂ）は
前記第１の誘電体多層膜２Ｂの特性である。前記第２の
誘電体多層膜２Ａは、前記第１の波長λ１（６３５〜６
５０ｎｍ帯）に対して低透過率を、前記第２の波長λ２
（７８０ｎｍ帯）に対して高透過率を有する。又、前記
第１の誘電体多層膜２Ｂは、前記第１の波長に対して高
透過率を、前記第２の波長に対して低透過率を有する。
【００３３】図４は、前記光軸一致手段２の光路説明図
であって、図４（ａ）、図４（ｂ）は前記光軸一致手段
２の第１の実施形態における光路を、図４（ｃ）、図４
（ｄ）は前記光軸一致手段２の第２の実施形態における
光路を、それぞれ説明する図である。
であって、図４（ａ）、図４（ｂ）は前記光軸一致手段
２の第１の実施形態における光路を、図４（ｃ）、図４
（ｄ）は前記光軸一致手段２の第２の実施形態における
光路を、それぞれ説明する図である。
【００３４】最初に、光軸一致手段２の第１の実施形態
について説明をする。図４（ａ）は、前記異なる光軸の
レーザ光λ１とλ２が前記光軸一致手段２に入射した時
の図、図４（ｂ）は、前記高密度ディスク１８ａ又は低
密度ディスク１８ｂの記録面で反射されたレーザ光λ１
とλ２とが前記光軸一致手段２に入射した時の図であ
る。
について説明をする。図４（ａ）は、前記異なる光軸の
レーザ光λ１とλ２が前記光軸一致手段２に入射した時
の図、図４（ｂ）は、前記高密度ディスク１８ａ又は低
密度ディスク１８ｂの記録面で反射されたレーザ光λ１
とλ２とが前記光軸一致手段２に入射した時の図であ
る。
【００３５】まず、レーザ光λ１とλ２が前記光軸一致
手段２に入射した場合について図４（ａ）により説明す
る。図４（ａ）において、異なる光軸の波長λ１、λ２
のレーザ光Ｐλ１、Ｐλ２が前記第２の誘電体多層膜２
Ａに入射される。係る第２の誘電体多層膜２Ａの特性
は、図３（ａ）に示したように、波長λ１のレーザ光に
対しては低透過率なので、前記波長λ１のレーザ光Ｐλ
１は、Ｐλ１／２が反射され、残りのＰλ１／２が第２
の誘電体多層膜２Ａを透過する。一方、波長λ２のレー
ザ光に対しては第２の誘電体多層膜２Ａは高透過率なの
で、そのまま第２の誘電体多層膜２Ａを透過する。そし
て、第２の誘電体多層膜２Ａを透過したレーザ光は、透
光性を有する基板２Ｄを透過して前記第１の誘電体多層
膜２Ｂに入射される。
手段２に入射した場合について図４（ａ）により説明す
る。図４（ａ）において、異なる光軸の波長λ１、λ２
のレーザ光Ｐλ１、Ｐλ２が前記第２の誘電体多層膜２
Ａに入射される。係る第２の誘電体多層膜２Ａの特性
は、図３（ａ）に示したように、波長λ１のレーザ光に
対しては低透過率なので、前記波長λ１のレーザ光Ｐλ
１は、Ｐλ１／２が反射され、残りのＰλ１／２が第２
の誘電体多層膜２Ａを透過する。一方、波長λ２のレー
ザ光に対しては第２の誘電体多層膜２Ａは高透過率なの
で、そのまま第２の誘電体多層膜２Ａを透過する。そし
て、第２の誘電体多層膜２Ａを透過したレーザ光は、透
光性を有する基板２Ｄを透過して前記第１の誘電体多層
膜２Ｂに入射される。
【００３６】第１の誘電体多層膜２Ｂの特性は、図３
（ｂ）に示したように、波長λ１のレーザ光に対しては
高透過率なのでそのまま第１の誘電体多層膜２Ｂを透過
する。一方、波長λ２のレーザ光に対しては第１の誘電
体多層膜２Ｂは低透過率なので、前記波長λ２のレーザ
光Ｐλ２は、Ｐλ２／２が第１の誘電体多層膜２Ｂを透
過し、残りのＰλ２／２が反射される。又、前記第１の
誘電体多層膜２Ｂを透過した波長λ１、λ２の光は、透
光性を有する基板２Ｃを透過して外部に迷光として、そ
れぞれ出射される。
（ｂ）に示したように、波長λ１のレーザ光に対しては
高透過率なのでそのまま第１の誘電体多層膜２Ｂを透過
する。一方、波長λ２のレーザ光に対しては第１の誘電
体多層膜２Ｂは低透過率なので、前記波長λ２のレーザ
光Ｐλ２は、Ｐλ２／２が第１の誘電体多層膜２Ｂを透
過し、残りのＰλ２／２が反射される。又、前記第１の
誘電体多層膜２Ｂを透過した波長λ１、λ２の光は、透
光性を有する基板２Ｃを透過して外部に迷光として、そ
れぞれ出射される。
【００３７】次に、レーザ光λ１とλ２が前記高密度デ
ィスク１８ａ又は、低密度ディスク１８ｂの記録面で反
射された場合について図４（ｂ）により説明する。図４
（ｂ）において、前記高密度ディスク１８ａ又は、低密
度ディスク１８ｂの記録面で反射された波長λ１、λ２
のレーザ光Ｐλ１／２、Ｐλ２／２が、前記第２の誘電
体多層膜２Ａに入射される。但し前記ディスクでの反射
による損失はないものとする。
ィスク１８ａ又は、低密度ディスク１８ｂの記録面で反
射された場合について図４（ｂ）により説明する。図４
（ｂ）において、前記高密度ディスク１８ａ又は、低密
度ディスク１８ｂの記録面で反射された波長λ１、λ２
のレーザ光Ｐλ１／２、Ｐλ２／２が、前記第２の誘電
体多層膜２Ａに入射される。但し前記ディスクでの反射
による損失はないものとする。
【００３８】係る第２の誘電体多層膜２Ａの特性は、図
３（ａ）に示したように、波長λ１のレーザ光に対して
は低透過率なので、前記波長λ１のレーザ光はＰλ１／
４が反射されて、残りのＰλ１／４が第２の誘電体多層
膜２Ａを透過する。一方、波長λ２のレーザ光に対して
は第２の誘電体多層膜２Ａは高透過率なので、Ｐλ２／
２のまま第２の誘電体多層膜２Ａを透過する。そして、
第２の誘電体多層膜２Ａを透過したレーザ光は、透光性
を有する基板２Ｄを透過して前記第１の誘電体多層膜２
Ｂに入射される。
３（ａ）に示したように、波長λ１のレーザ光に対して
は低透過率なので、前記波長λ１のレーザ光はＰλ１／
４が反射されて、残りのＰλ１／４が第２の誘電体多層
膜２Ａを透過する。一方、波長λ２のレーザ光に対して
は第２の誘電体多層膜２Ａは高透過率なので、Ｐλ２／
２のまま第２の誘電体多層膜２Ａを透過する。そして、
第２の誘電体多層膜２Ａを透過したレーザ光は、透光性
を有する基板２Ｄを透過して前記第１の誘電体多層膜２
Ｂに入射される。
【００３９】第１の誘電体多層膜２Ｂの特性は、図３
（ｂ）に示したように、波長λ１のレーザ光に対しては
高透過率なのでそのまま第１の誘電体多層膜２Ｂを透過
する。一方、波長λ２のレーザ光に対しては第１の誘電
体多層膜２Ｂは低透過率なので、前記波長λ２のレーザ
光Ｐλ２／２は、Ｐλ２／４が第１の誘電体多層膜２Ｂ
を透過し、残りのＰλ２／４が反射される。
（ｂ）に示したように、波長λ１のレーザ光に対しては
高透過率なのでそのまま第１の誘電体多層膜２Ｂを透過
する。一方、波長λ２のレーザ光に対しては第１の誘電
体多層膜２Ｂは低透過率なので、前記波長λ２のレーザ
光Ｐλ２／２は、Ｐλ２／４が第１の誘電体多層膜２Ｂ
を透過し、残りのＰλ２／４が反射される。
【００４０】前記第１の誘電体多層膜２Ｂを透過した波
長λ１、λ２のレーザ光Ｐλ１／４、Ｐλ２／４は、同
一光軸で透光性を有する基板２Ｃを透過してそれぞれ出
射される。該出射された波長λ１、λ２のレーザ光は、
図１に示したフォトディテクタ９０が同一光軸上に設け
られていて、該フォトディテクタ９０により、それぞれ
電気信号に変換される。
長λ１、λ２のレーザ光Ｐλ１／４、Ｐλ２／４は、同
一光軸で透光性を有する基板２Ｃを透過してそれぞれ出
射される。該出射された波長λ１、λ２のレーザ光は、
図１に示したフォトディテクタ９０が同一光軸上に設け
られていて、該フォトディテクタ９０により、それぞれ
電気信号に変換される。
【００４１】次に、光軸一致手段２の第２の実施形態に
ついて説明をする。図４（ｃ）は前記異なる光軸のレー
ザ光λ１とλ２とが前記光軸一致手段２に入射した時の
図、図４（ｄ）は前記高密度ディスク１８ａ又は、低密
度ディスク１８ｂの記録面で反射されたレーザ光λ１と
λ２とが前記光軸一致手段２に入射した時の図である。
ついて説明をする。図４（ｃ）は前記異なる光軸のレー
ザ光λ１とλ２とが前記光軸一致手段２に入射した時の
図、図４（ｄ）は前記高密度ディスク１８ａ又は、低密
度ディスク１８ｂの記録面で反射されたレーザ光λ１と
λ２とが前記光軸一致手段２に入射した時の図である。
【００４２】まず、レーザ光λ１とλ２が前記光軸一致
手段２に入射した場合について図４（ｃ）により説明す
る。図４（ｃ）において、異なる光軸の波長λ１、λ２
のレーザ光Ｐλ１、Ｐλ２が前記第１の誘電体多層膜２
Ｂに入射される。係る第１の誘電体多層膜２Ｂの特性
は、図３（ｂ）に示したように、波長λ２のレーザ光に
対しては低透過率なので、前記波長λ２のレーザ光Ｐλ
２は、Ｐλ２／２が反射され、残りのＰλ２／２が第１
の誘電体多層膜２Ｂを透過する。一方、波長λ１のレー
ザ光に対しては第１の誘電体多層膜２Ｂは高透過率なの
で、そのまま第１の誘電体多層膜２Ｂを透過する。そし
て、第１の誘電体多層膜２Ｂを透過したレーザ光は、前
記第２の誘電体多層膜２Ａに入射される。
手段２に入射した場合について図４（ｃ）により説明す
る。図４（ｃ）において、異なる光軸の波長λ１、λ２
のレーザ光Ｐλ１、Ｐλ２が前記第１の誘電体多層膜２
Ｂに入射される。係る第１の誘電体多層膜２Ｂの特性
は、図３（ｂ）に示したように、波長λ２のレーザ光に
対しては低透過率なので、前記波長λ２のレーザ光Ｐλ
２は、Ｐλ２／２が反射され、残りのＰλ２／２が第１
の誘電体多層膜２Ｂを透過する。一方、波長λ１のレー
ザ光に対しては第１の誘電体多層膜２Ｂは高透過率なの
で、そのまま第１の誘電体多層膜２Ｂを透過する。そし
て、第１の誘電体多層膜２Ｂを透過したレーザ光は、前
記第２の誘電体多層膜２Ａに入射される。
【００４３】第２の誘電体多層膜２Ａの特性は、図３
（ａ）に示したように、波長λ２のレーザ光に対しては
高透過率なのでそのまま第２の誘電体多層膜２Ａを透過
する。一方、波長λ１のレーザ光に対しては第２の誘電
体多層膜２Ａは低透過率なので、前記波長λ１のレーザ
光Ｐλ１は、Ｐλ１／２が第２の誘電体多層膜２Ａを透
過し、残りのＰλ１／２が反射される。該反射されたレ
ーザ光は、前記第１の誘電体多層膜２Ｂで反射された波
長λ２のレーザ光と同一光軸になるように透光性を有す
る基板２Ｄの厚さＬ２が、第１の実施形態について説明
したと同様にして決定されている。又、前記第２の誘電
体多層膜２Ａを透過した波長λ１、λ２の光は、透光性
を有する基板２Ｃを透過して外部に迷光として、それぞ
れ出射される。
（ａ）に示したように、波長λ２のレーザ光に対しては
高透過率なのでそのまま第２の誘電体多層膜２Ａを透過
する。一方、波長λ１のレーザ光に対しては第２の誘電
体多層膜２Ａは低透過率なので、前記波長λ１のレーザ
光Ｐλ１は、Ｐλ１／２が第２の誘電体多層膜２Ａを透
過し、残りのＰλ１／２が反射される。該反射されたレ
ーザ光は、前記第１の誘電体多層膜２Ｂで反射された波
長λ２のレーザ光と同一光軸になるように透光性を有す
る基板２Ｄの厚さＬ２が、第１の実施形態について説明
したと同様にして決定されている。又、前記第２の誘電
体多層膜２Ａを透過した波長λ１、λ２の光は、透光性
を有する基板２Ｃを透過して外部に迷光として、それぞ
れ出射される。
【００４４】次に、レーザ光λ１とλ２が前記高密度デ
ィスク１８ａ又は、低密度ディスク１８ｂの記録面で反
射された場合について図４（ｄ）により説明する。図４
（ｄ）において、前記高密度ディスク１８ａ又は、低密
度ディスク１８ｂの記録面で反射された波長λ１、λ２
のレーザ光Ｐλ１／２、Ｐλ２／２が、前記第１の誘電
体多層膜２Ｂに入射される。但し前記ディスクでの反射
による損失はないものとする。
ィスク１８ａ又は、低密度ディスク１８ｂの記録面で反
射された場合について図４（ｄ）により説明する。図４
（ｄ）において、前記高密度ディスク１８ａ又は、低密
度ディスク１８ｂの記録面で反射された波長λ１、λ２
のレーザ光Ｐλ１／２、Ｐλ２／２が、前記第１の誘電
体多層膜２Ｂに入射される。但し前記ディスクでの反射
による損失はないものとする。
【００４５】係る第１の誘電体多層膜２Ｂの特性は、図
３（ｂ）に示したように、波長λ２のレーザ光に対して
は低透過率なので、前記波長λ２のレーザ光はＰλ２／
４が反射されて、残りのＰλ２／４が第１の誘電体多層
膜２Ｂを透過する。一方、波長λ１のレーザ光に対して
は第１の誘電体多層膜２Ｂは高透過率なので、Ｐλ１／
２のまま第１の誘電体多層膜２Ｂを透過する。そして、
第１の誘電体多層膜２Ｂを透過したレーザ光は、透光性
を有する基板２Ｄを透過して前記第２の誘電体多層膜２
Ａに入射される。
３（ｂ）に示したように、波長λ２のレーザ光に対して
は低透過率なので、前記波長λ２のレーザ光はＰλ２／
４が反射されて、残りのＰλ２／４が第１の誘電体多層
膜２Ｂを透過する。一方、波長λ１のレーザ光に対して
は第１の誘電体多層膜２Ｂは高透過率なので、Ｐλ１／
２のまま第１の誘電体多層膜２Ｂを透過する。そして、
第１の誘電体多層膜２Ｂを透過したレーザ光は、透光性
を有する基板２Ｄを透過して前記第２の誘電体多層膜２
Ａに入射される。
【００４６】第２の誘電体多層膜２Ａの特性は、図３
（ａ）に示したように、波長λ２のレーザ光に対しては
高透過率なのでそのまま第２の誘電体多層膜２Ａを透過
する。一方、波長λ１のレーザ光Ｐλ１／２に対しては
第２の誘電体多層膜２Ａは低透過率なので、前記波長λ
１のレーザ光Ｐλ１／２は、Ｐλ１／４が第２の誘電体
多層膜２Ａを透過し、残りのＰλ１／４が反射される。
（ａ）に示したように、波長λ２のレーザ光に対しては
高透過率なのでそのまま第２の誘電体多層膜２Ａを透過
する。一方、波長λ１のレーザ光Ｐλ１／２に対しては
第２の誘電体多層膜２Ａは低透過率なので、前記波長λ
１のレーザ光Ｐλ１／２は、Ｐλ１／４が第２の誘電体
多層膜２Ａを透過し、残りのＰλ１／４が反射される。
【００４７】前記第２の誘電体多層膜２Ａを透過した波
長λ１、λ２のレーザ光Ｐλ１／４、Ｐλ２／４は、同
一光軸で透光性を有する基板２Ｃを透過してそれぞれ出
射される。該出射された波長λ１、λ２のレーザ光は、
図１に示したフォトディテクタ９０が同一光軸上に設け
られていて、該フォトディテクタ９０により電気信号に
変換される。
長λ１、λ２のレーザ光Ｐλ１／４、Ｐλ２／４は、同
一光軸で透光性を有する基板２Ｃを透過してそれぞれ出
射される。該出射された波長λ１、λ２のレーザ光は、
図１に示したフォトディテクタ９０が同一光軸上に設け
られていて、該フォトディテクタ９０により電気信号に
変換される。
【００４８】なお、前記本発明の実施形態では、半導体
レーザは、１個の半導体レーザから２種類の波長のレー
ザ光を発し、前記誘電体多層膜は、前記半導体から発せ
られる２種類の波長のレーザ光に対して選択的に透過、
反射する２種類の誘電体多層膜とした。これ以外に、１
個の半導体レーザから２種類以上の波長のレーザ光を発
し、前記誘電体多層膜は、前記半導体から発せられる２
種類以上の波長のレーザ光に対して選択的に透過、反射
する２種類以上の誘電体多層膜としてもよい。
レーザは、１個の半導体レーザから２種類の波長のレー
ザ光を発し、前記誘電体多層膜は、前記半導体から発せ
られる２種類の波長のレーザ光に対して選択的に透過、
反射する２種類の誘電体多層膜とした。これ以外に、１
個の半導体レーザから２種類以上の波長のレーザ光を発
し、前記誘電体多層膜は、前記半導体から発せられる２
種類以上の波長のレーザ光に対して選択的に透過、反射
する２種類以上の誘電体多層膜としてもよい。
【００４９】更に又、１個の半導体レーザから１種類の
波長のレーザ光を発し、各々異なる波長のレーザ光を発
する複数個の半導体レーザを用いて、前記誘電体多層膜
は、前記複数の半導体から発せられる２種類以上の波長
のレーザ光に対して選択的に透過、反射する複数種類の
誘電体多層膜としてもよい。係る場合には、複数個の半
導体レーザの間隔に応じて誘電体多層膜の間隔を変化し
て複数個の半導体レーザの光軸が一致するようにする。
又、複数種類の半導体レーザは、制御回路により必要に
応じて切り替えて、その強度も調整して用いる。
波長のレーザ光を発し、各々異なる波長のレーザ光を発
する複数個の半導体レーザを用いて、前記誘電体多層膜
は、前記複数の半導体から発せられる２種類以上の波長
のレーザ光に対して選択的に透過、反射する複数種類の
誘電体多層膜としてもよい。係る場合には、複数個の半
導体レーザの間隔に応じて誘電体多層膜の間隔を変化し
て複数個の半導体レーザの光軸が一致するようにする。
又、複数種類の半導体レーザは、制御回路により必要に
応じて切り替えて、その強度も調整して用いる。
【００５０】
【発明の効果】請求項１に記載の情報記録及び再生装置
によれば、光軸および波長の異なる種類の光を発する半
導体レーザと、該半導体レーザの異なる光軸を一致させ
る光軸一致手段を具備することによって、ＤＶＤ、Ｃ
Ｄ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷの互換性を確保するために、波長の
異なる二つの半導体レーザや、これら２つのレーザ光を
同一光路へ導くための波長選択プリズムを必要とせず、
構成部品の少ない、低価格、小型な記録媒体の情報記録
及び再生装置を提供できる。
によれば、光軸および波長の異なる種類の光を発する半
導体レーザと、該半導体レーザの異なる光軸を一致させ
る光軸一致手段を具備することによって、ＤＶＤ、Ｃ
Ｄ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷの互換性を確保するために、波長の
異なる二つの半導体レーザや、これら２つのレーザ光を
同一光路へ導くための波長選択プリズムを必要とせず、
構成部品の少ない、低価格、小型な記録媒体の情報記録
及び再生装置を提供できる。
【００５１】請求項２に記載の情報記録及び再生装置に
よれば、前記光軸一致手段は、前記半導体レーザと、前
記コリメーティングレンズとの間に設けられていること
により、光学系の設計を簡単にすることができる。
よれば、前記光軸一致手段は、前記半導体レーザと、前
記コリメーティングレンズとの間に設けられていること
により、光学系の設計を簡単にすることができる。
【００５２】請求項４に記載の情報記録及び再生装置に
よれば、光軸一致手段における透光性を有する第２の基
板の厚さは、前記光軸および波長の異なる種類の光を発
する半導体レーザが前記第１の誘電体多層膜及び第２の
誘電体多層膜で、それぞれ反射された後に、それぞれの
光軸が一致される厚さであることにより、簡単な構成で
異なる光軸のレーザ光を同一光軸にすることができる。
よれば、光軸一致手段における透光性を有する第２の基
板の厚さは、前記光軸および波長の異なる種類の光を発
する半導体レーザが前記第１の誘電体多層膜及び第２の
誘電体多層膜で、それぞれ反射された後に、それぞれの
光軸が一致される厚さであることにより、簡単な構成で
異なる光軸のレーザ光を同一光軸にすることができる。
【００５３】請求項３、請求項５、請求項６に記載の情
報記録及び再生装置によれば、前記誘電体多層膜は、透
光性を有する基板に、前記半導体レーザから発せられ
る、第１の波長と、それと異なる第２の波長の光を選択
的に透過、反射する第１の誘電体多層膜と、第２の誘電
体多層膜とをそれぞれ形成することによって、多層膜の
形成場所を任意に選択でき、多層膜の製造の制限を緩和
できる。
報記録及び再生装置によれば、前記誘電体多層膜は、透
光性を有する基板に、前記半導体レーザから発せられ
る、第１の波長と、それと異なる第２の波長の光を選択
的に透過、反射する第１の誘電体多層膜と、第２の誘電
体多層膜とをそれぞれ形成することによって、多層膜の
形成場所を任意に選択でき、多層膜の製造の制限を緩和
できる。
【００５４】請求項７に記載の情報記録及び再生装置に
よれば、前記半導体レーザの前記第１の波長は６３５〜
６５０ｎｍ帯、第２の波長は７８０ｎｍ帯であることに
より、低価格の装置、小型な情報記録及び再生装置が実
現できる。
よれば、前記半導体レーザの前記第１の波長は６３５〜
６５０ｎｍ帯、第２の波長は７８０ｎｍ帯であることに
より、低価格の装置、小型な情報記録及び再生装置が実
現できる。
【図１】本発明の実施形態を示す図である。
【図２】本発明の光軸一致手段の図であって、図２
（ａ）は第１の実施形態、図２（ｂ）は第２の実施形態
である。
（ａ）は第１の実施形態、図２（ｂ）は第２の実施形態
である。
【図３】光軸一致手段２に設けられた２種類の誘電体多
層膜２Ａ、２Ｂの特性図であって図３（ａ）は前記第２
の誘電体多層膜２Ａの、図３（ｂ）は前記第１の誘電体
多層膜２Ｂの特性である。
層膜２Ａ、２Ｂの特性図であって図３（ａ）は前記第２
の誘電体多層膜２Ａの、図３（ｂ）は前記第１の誘電体
多層膜２Ｂの特性である。
【図４】光軸一致手段の光路説明図であって、図４
（ａ）、図４（ｂ）は光軸一致手段の第１の実施形態に
おける光路を、図４（ｃ）、図４（ｄ）は光軸一致手段
の第２の実施形態における光路を、それぞれ説明する図
である。
（ａ）、図４（ｂ）は光軸一致手段の第１の実施形態に
おける光路を、図４（ｃ）、図４（ｄ）は光軸一致手段
の第２の実施形態における光路を、それぞれ説明する図
である。
【図５】従来の光ピックアップ装置の主要部を示す図で
ある。
ある。
【図６】従来の波長選択プリズムを説明する図である。
１ レーザ光源
２ 光軸一致手段
２Ａ 第２の誘電体多層膜
２Ｂ 第１の誘電体多層膜
２Ｃ 基板
１３ コリメーティングレンズ
１５ 反射ミラー
１６ 対物レンズ
１８ａ 高密度ディスク
１８ｂ 低密度ディスク
９０ フォトディテクタ
９２ 波長選択プリズム
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 松本 公三
静岡県磐田郡浅羽町浅名1743−１ ミネベ
ア株式会社浜松製作所内
Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB04 BB12 CC01 CC04
CC14 CC16 EE01 EE11 LL03
5D119 AA11 AA22 AA41 BA01 DA01
DA05 EC15 EC45 EC47 FA05
FA08 JA57
5D789 AA11 AA22 AA41 BA01 DA01
DA05 EC15 EC45 EC47 FA05
FA08 JA57
Claims (7)
- 【請求項１】光軸および波長の異なる種類の光を発する
半導体レーザと、該半導体レーザの異なる光軸を一致さ
せる光軸一致手段と、前記半導体レーザから出射する異
なる種類の光ビームの拡散角を変換するコリメーティン
グレンズと、前記コリメーティングレンズを透過した光
ビームを記録媒体に集光する対物レンズと、各々異なる
記録密度を有する記録媒体からの反射光を検出する光検
出器を具備したことを特徴とする記録媒体の情報記録及
び再生装置。 - 【請求項２】前記光軸一致手段は、前記半導体レーザ
と、前記コリメーティングレンズとの間に設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体の情報記
録及び再生装置。 - 【請求項３】前記光軸一致手段は、ハーフミラーからな
り、透光性を有する第１の基板の表面に、第１の誘電体
多層膜が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有す
る第２の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ
成膜されていて、該第１の誘電体多層膜と第２の誘電体
多層膜は、前記異なる波長の半導体レーザに応じて、反
射率がそれぞれ異なることを特徴とする請求項１又は２
に記載の記録媒体の情報記録及び再生装置。 - 【請求項４】前記光軸一致手段における透光性を有する
第２の基板の厚さは、前記光軸および波長の異なる種類
の光を発する半導体レーザが前記第１の誘電体多層膜及
び第２の誘電体多層膜で、それぞれ反射された後に、そ
れぞれの光軸が一致される厚さであることを特徴とする
請求項３に記載の記録媒体の情報記録及び再生装置。 - 【請求項５】前記光軸一致手段に形成された誘電体多層
膜は、透光性を有する第１の基板の表面に、前記半導体
レーザから発せられる、第１の波長とそれと異なる第２
の波長の光を選択的に透過、反射する第１の誘電体多層
膜が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有する第
２の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ成膜
されていて、前記第１の誘電体多層膜は、前記第１の波
長に対して高透過率を、前記第２の波長に対して低透過
率をそれぞれ有し、前記第２の誘電体多層膜は、前記第
２の波長に対して高透過率を、前記第１の波長に対して
低透過率をそれぞれ有することを特徴とする請求項３又
は４に記載の記録媒体の情報記録及び再生装置。 - 【請求項６】前記光軸一致手段に形成された誘電体多層
膜は、透光性を有する第１の基板の表面に、前記半導体
レーザから発せられる、第１の波長とそれと異なる第２
の波長の光を選択的に透過、反射する第１の誘電体多層
膜が、該第１の誘電体多層膜の上に、透光性を有する第
２の基板を挟んで第２の誘電体多層膜が、それぞれ成膜
されていて、前記第１の誘電体多層膜は、前記第２の波
長に対して高透過率を、前記第１の波長に対して低透過
率をそれぞれ有し、前記第２の誘電体多層膜は、前記第
１の波長に対して高透過率を、前記第２の波長に対して
低透過率をそれぞれ有することを特徴とする請求項３又
は４に記載の記録媒体の情報記録及び再生装置。 - 【請求項７】前記半導体レーザの前記第１の波長は６３
５〜６５０ｎｍ帯、第２の波長は７８０ｎｍ帯であるこ
とを特徴とする請求項５又は６に記載の記録媒体の情報
記録及び再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001271761A JP2003085813A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 記録媒体の情報記録及び再生装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001271761A JP2003085813A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 記録媒体の情報記録及び再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003085813A true JP2003085813A (ja) | 2003-03-20 |
Family
ID=19097227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001271761A Pending JP2003085813A (ja) | 2001-09-07 | 2001-09-07 | 記録媒体の情報記録及び再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030048737A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003085813A (ja) |
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| JP4439978B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | 光学ヘッド及びそれを用いた光ディスク装置 |
| KR100577708B1 (ko) * | 2004-06-15 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 단일파장을 이용한 광디스크 재생방법 |
| CN206755076U (zh) * | 2017-02-27 | 2017-12-15 | 漳州立达信光电子科技有限公司 | 一种可切换光束角的组合光学装置和led灯 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2001338432A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Pioneer Electronic Corp | 光ピックアップ装置 |
-
2001
- 2001-09-07 JP JP2001271761A patent/JP2003085813A/ja active Pending
-
2002
- 2002-09-04 US US10/233,468 patent/US20030048737A1/en not_active Abandoned
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