[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2003075826A - 反射型液晶表示装置およびその製造方法。 - Google Patents

反射型液晶表示装置およびその製造方法。

Info

Publication number
JP2003075826A
JP2003075826A JP2001264445A JP2001264445A JP2003075826A JP 2003075826 A JP2003075826 A JP 2003075826A JP 2001264445 A JP2001264445 A JP 2001264445A JP 2001264445 A JP2001264445 A JP 2001264445A JP 2003075826 A JP2003075826 A JP 2003075826A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
liquid crystal
display device
crystal display
laser light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001264445A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5181317B2 (ja
Inventor
Nobu Okumura
展 奥村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2001264445A priority Critical patent/JP5181317B2/ja
Priority to US10/227,952 priority patent/US6894747B2/en
Priority to KR1020020051459A priority patent/KR100567504B1/ko
Priority to TW091119926A priority patent/TW581919B/zh
Priority to CNB021420009A priority patent/CN1178100C/zh
Publication of JP2003075826A publication Critical patent/JP2003075826A/ja
Priority to US10/942,885 priority patent/US20050032261A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5181317B2 publication Critical patent/JP5181317B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/94—Laser ablative material removal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な反射性能を有する反射型液晶表示装
置、及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 絶縁膜を、レーザー光を照射して頂部お
よび底部の高さが多段階に設定された凹凸形状として反
射型液晶表示装置を形成する。具体的には、透過率を適
宜変更したマスクを介してレーザ光をレーザ光の照射で
表面がアブレーション加工される材質（絶縁膜）の表面
に照射する。マスクによってレーザ光の照射強度が異な
るため、マスクに従って絶縁膜の表面に凹凸が形成され
る。このようにレーザ光を用いて絶縁膜（有機膜）の表
面をアブレーション加工させたことにより、反射膜の凹
凸の頂部や底部が多段階に任意に設定でき、不規則な凹
凸構造の反射膜とすることが可能となり、良好な表示特
性を備えた反射型液晶表示装置を得ることができる。ま
た、多段階の有機膜の堆積および露光を行うこと無しに
滑らかな曲面を得ることができるため、反射面の凹凸構
造を少ない作成工程で形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置に関し、特に表示特性に優れた反射性能の高い反射膜
を有する反射型液晶表示装置、及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の低消費電力化、薄型化、
軽量化を目的とした反射型液晶表示装置の開発が盛んに
行われている。反射型液晶表示装置は通常、有機膜で凹
凸構造を形成し、その上部に反射電極を形成し、この反
射電極が表側の透明基板から入射した外光を反射し液晶
を表示させる。反射型液晶表示装置の表示性能は、この
反射電極の凹凸形状に依存することが多い。つまり、反
射光に干渉があると明るくかつ白い表示にならないた
め、凹凸形状に規則性が無く、かつ直線部や平面を有せ
ず、表面を滑らかな曲面から形成して反射光の干渉を抑
制する必要がある。
【０００３】一般に凹凸構造は、図６に示すように形成
されている。図６（ａ）に示すようにＴＦＴ４を形成し
た絶縁基板２上に、第１の感光性有機膜１０６を塗布・
焼成する。次に露光・現像を行い、図６（ｂ）に示すよ
うにベース凹凸を作成する。次に、アニールを行うこと
により感光性有機膜１０６の表面をメルトさせ、図６
（ｃ）に示すようにベース凹凸を曲面化する。次に図６
（ｄ）に示すように、ベース凹凸上に第二の有機膜１０
８を塗布・焼成することにより、最終的な凹凸構造を得
る。その後、コンタクトホールを形成し、金属薄膜から
なる反射電極１１０を形成して、反射型のＴＦＴ基板１
１１が形成される。
【０００４】また特開２０００−２５００２５号公報に
は、異なるマスクを用いた反射型液晶表示装置の製造方
法について記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来の反
射型液晶表示装置では、感光性有機膜１０６から凹凸を
形成するため、凹凸の頂部および底部は概略一定の高さ
になっていた。そのため、ＴＦＴ基板１１１の凹凸の形
状が単調になり、良好な表示特性を得ることが困難であ
った。この問題を解決するために、第１の感光性樹脂膜
の露光時にハーフトーンマスクを用いる方法も開発され
ているが、この方法でも凹凸の高さが概略３個の値を取
るのみで、任意で多段階の高さを有する凹凸を形成する
ことはできなかった。
【０００６】また凹凸構造の作成においては、２回に及
ぶ有機膜の堆積工程と、露光・現像工程、表面メルト用
アニール工程等が必要であり、ＴＦＴ基板製造工程の工
程数の増加をもたらしていた。
【０００７】以上のように、従来の反射型液晶表示装置
では、制限された凹凸形状による制限された表示特性
と、多い工程数という問題があった。
【０００８】本発明は、上記課題を解決し、良好な反射
性能を有する反射型液晶表示装置、及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】透明性電極を備えた透明
基板と、表面に凹凸構造が形成された絶縁膜及び該絶縁
膜上に前記凹凸構造に沿って形成された反射部材とを備
えた反射基板との間に液晶層を挟み込んだ反射型液晶表
示装置において、前記絶縁膜を、レーザー光を照射して
頂部および底部の高さが多段階に設定された凹凸形状と
して反射型液晶表示装置を形成した。具体的には、透過
率を適宜変更したマスクを介してレーザ光をレーザ光の
照射で表面が焼失されやすい材質（絶縁膜）の表面に照
射する。マスクによってレーザ光の照射強度が異なるた
め、マスクに従って絶縁膜の表面に凹凸が形成される。
【００１０】また、レーザ光の照射強度を変更しながら
表面を走査したり、一ヶ所に照射される回数を増減させ
ながら絶縁膜の表面を走査する。このようにしても表面
に所定の凹凸を形成できる。
【００１１】このようにレーザ光を用いて絶縁膜（有機
膜）の表面を焼失、昇華させたことにより、反射膜の凹
凸の頂部や底部が多段階に任意に設定でき、不規則な凹
凸構造の反射膜とすることが可能となり、良好な表示特
性を備えた反射型液晶表示装置を得ることができる。ま
た、多段階の有機膜の堆積および露光を行うこと無しに
滑らかな曲面を得ることができるため、反射面の凹凸構
造を少ない作成工程で形成できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１および図２を用いて本発明に
かかる反射型液晶表示装置、及びその製造方法の一実施
形態を説明する。
【００１３】図１（ａ）に示すようにガラス基板２にア
クティブ素子としてのa-SiＴＦＴ４を形成後、ポリイミ
ド樹脂を膜厚が３μｍとなるように塗布、焼成した。こ
こで焼成条件は、温度９０℃、時間は１０分である。
尚、a-SiＴＦＴ４は通常の形成方法で形成し、説明は省
略する。
【００１４】次に図１（ｂ）に示すように、ポリイミド
膜６に波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光２４を
照射した。レーザ光２４のエネルギー密度プロファイル
は、ＴＦＴコンタクト部１２に相当するところは３００
ｍＪ/ｃｍ２、画素領域に相当するところは誘電体マス
クを用い、６０〜２００ｍＪ/ｃｍ２の範囲の所定の波
形を有するエネルギー密度となるように整形されてい
る。
【００１５】図２に、ビームプロファイルを実現するレ
ーザ照射装置２０を示す。光源２２より発振されたパル
スレーザ光２４は、フライアイレンズや折り返しミラー
２５等を有する光学系２６により一旦、定エネルギー領
域を有するフラットトップ型のプロファイルとなるよう
に整形される。
【００１６】次にフラットトップ型に整形されたレーザ
光２４を、誘電体マスク２８に透過させる。誘電体マス
ク２８は、例えば、誘電体膜を島状化することにより、
所定の形状に透過率を設定してある。すなわち、誘電体
マスク２８は、石英基板に種々の誘電体膜を任意に堆積
し、堆積させる誘電体膜の材質や膜厚等を適宜変えるこ
とにより透過率の分布を任意に設定できる。したがっ
て、レーザ光２４を、誘電体マスク２８に透過させるこ
とにより任意のビーム形状３０に整形され、所定の強度
分布のレーザ光がガラス基板２に照射される。
【００１７】レーザ光２４のエネルギー密度プロファイ
ルに依存して、ポリイミド膜６はアブレーション（焼
失、昇華等）により除去される。上記のレーザ光を１２
パルス照射した後のポリイミド膜６は、図１（ｃ）に示
すように、頂部および底部いずれも４段階以上となる多
段階の頂部および底部を有する滑らかな凹凸構造に整形
される。ここで、エネルギー密度が６０〜２００ｍＪ/
ｃｍ２、照射パルス数が１０のとき、アブレーションの
膜厚は０.０４〜２.１μｍの範囲内であった。また、エ
ネルギー密度３００ｍＪ/ｃｍ２では、１０パルスでポ
リイミド膜６が全て除去され、コンタクトホール１２が
形成された。
【００１８】その後、必要に応じて温度２５０℃で１時
間のアニールを施す。アニールによりポリイミド膜６の
表面が溶解し、ポリイミド膜６の表面がさらに不規則で
滑らかな凹凸構造となる。その後、図１（ｄ）に示すよ
うにＡｌ薄膜をポリイミド膜６の表面にほぼ均等な厚さ
に堆積、島状化して反射電極８を作成する。これによ
り、ＴＦＴ基板１が完成する。
【００１９】このＴＦＴ基板１にスペーサ等を介して透
明基板（図示せず）を重ね、その間に液晶を注入して反
射型液晶表示装置を形成する。尚、上記例ではポリイミ
ド膜６を用いたが、本発明は、レーザ光を照射すること
により、レーザ光の照射強度、回数等に応じて焼失、昇
華する材質であればよい。またレーザ光もエキシマレー
ザでなく、ＹＡＧレーザなど他の紫外線レーザ、その他
でよい。
【００２０】（第２の実施形態）図３および図４を用い
て本発明の第２の実施形態を説明する。図３（ａ）に示
すように、第１の実施形態と同様にＴＦＴ４を形成した
ガラス基板２上に、アクリル樹脂膜７を膜厚３μｍとな
るように塗布・焼成した。焼成条件は１５０℃で１時間
とした。
【００２１】次に図３（ｂ）に示すようなスポット状の
ＸｅＣｌエキシマレーザ光（波長３０８ｎｍ）３４をア
クリル樹脂膜７に照射した。図４に示すように、スポッ
トレーザ光のビームプロファイルはガウス分布を示し、
その半値幅における口径は５μｍφであった。レーザ光
３４の頂部におけるエネルギー密度が４０〜１９０ｍＪ
/ｃｍ２となるようにレーザの発振電圧を制御し、ガラ
ス基板２を移動させながらアクリル樹脂膜７に任意のエ
ネルギー密度および照射パルス数でもってレーザ照射す
ることにより、画素領域内の凹凸形状を形成した。その
結果、図３（ｃ）に示すように多段階の頂部および底部
を有する凹凸が形成された。また、コンタクト部はスポ
ットレーザ光３４の頂部を３００ｍＪ/ｃｍ２として８
パルス照射して、コンタクトホール１２を得た。その
後、第一の実施例と同様に反射電極８を形成して、ＴＦ
Ｔ基板１が完成する。
【００２２】（第３の実施形態）図５を用いて本発明の
第３の実施形態を説明する。図５（ａ）に示すように、
第一の実施例同様にＴＦＴ４を形成したガラス基板２上
に、レジスト膜９を膜厚２μｍとなるように塗布・焼成
した。焼成条件は１１０℃、１０分とした。
【００２３】次に図５（ｂ）に示すように、レジスト膜
９上に誘電体マスク２８により整形されたＫｒＦエキシ
マレーザ光３６を照射した。エネルギー密度は３０〜２
５０ｍＪ/ｃｍ２の範囲とし、照射パルス数は１０とし
た。ここで、画素内において一部定エネルギー領域を設
けた。その結果、図５（ｃ）に示すように画素内で平坦
な領域１１と凹凸を有する領域１３とが形成された。
【００２４】次にＣｒ薄膜を堆積し、島状化して反射電
極８を形成した。但し、レジスト膜９が平坦な領域１１
のＣｒは全て除去した。次にＩＴＯ薄膜を堆積し、レジ
スト膜９が平坦な領域１１を覆い、かつ周辺のＣｒ電極
と接触する様に島状化し、透明電極１５を形成した。な
お、反射電極８と透明電極１５との間に絶縁膜を設け、
コンタクトホールを介して両者を接続させてもよい。
【００２５】以上により、レジスト膜９が平坦な領域１
１は透過型の表示領域となり、レジスト膜９が凹凸構造
の領域１３は反射型の表示領域となり、反射光でも、バ
ックライトによる照明でも画面を見ることができる、い
わゆる半透過型液晶表示装置用のＴＦＴ基板３が完成す
る。この場合には、半透過型液晶表示装置の裏面側に発
光体を設置する。
【００２６】
【発明の効果】本発明の反射型液晶表示装置、及びその
製造方法によれば、規則性のない複雑な凹凸形状の反射
膜を形成できるので、高い表示性能を有する反射型液晶
表示装置を提供することができる。
【００２７】規則性のない複雑な凹凸形状の反射膜を、
少ない工程数で形成でき、反射型液晶表示装置の製造コ
スト、手間等を大幅に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる製造方法を示す図である。
【図２】本発明にかかる製造装置を示す図である。
【図３】本発明にかかる製造方法の他の例を示す図であ
る。
【図４】レーザ光を示す図である。
【図５】本発明にかかる製造方法の他の例を示す図であ
る。
【図６】従来方法を示す図である。
【符号の説明】
２ 基板 ４ ＴＦＴ ６ ポリイミド膜 ７ アクリル樹脂膜 ８ 反射電極 ９ レジスト膜 １１、１３ 領域 １２ コンタクト部 １５ 透明電極 ２４ レーザ光 ２８ 誘電体マスク ３０ ビーム形状 ３４ スポットレーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５０５ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５０５ // Ｂ２３Ｋ 101:38 Ｂ２３Ｋ 101:38 Ｆターム(参考） 2H042 BA04 BA13 BA15 BA20 DA02 DA11 DB08 DC01 DC08 DE00 2H090 HA04 HB07X HC11 HC13 HD06 2H091 FA16Y FA31Y FC23 LA16 4E068 AF01 DA09

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明性電極を備えた透明基板と、表面
    に凹凸構造が形成された絶縁膜及び該絶縁膜上に前記凹
    凸構造に沿って形成された反射部材とを備えた反射基板
    との間に液晶層を挟み込んだ反射型液晶表示装置におい
    て、 前記絶縁膜は、レーザ光を照射して頂部および底部の高
    さが多段階に設定された凹凸形状に形成されていること
    を特徴とする反射型液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 透明性電極を備えた透明基板と、基板上
    に表面が凹凸に形成された絶縁膜及び該絶縁膜上に前記
    凹凸に沿って形成された反射膜とを備えた反射基板との
    間に液晶層を挟み込んだ反射型液晶表示装置の製造方法
    において、 前記基板上に絶縁膜をほぼ平坦に形成し、前記ほぼ平坦
    な絶縁膜に所定強度のレーザ光を照射し、前記絶縁膜を
    頂部および底部の少なくともいずれか一方の高さが多段
    階である凹凸構造に形成し、該絶縁膜上に前記反射膜を
    前記凹凸構造に沿って形成することを特徴とする反射型
    液晶表示装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記レーザ光を所定の透過率に形成され
    た誘電体マスクに通過させることにより、前記絶縁膜上
    で所定の強度分布にし、前記絶縁膜を前記凹凸構造に形
    成することを特徴とする請求項２に記載の反射型液晶表
    示装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 レーザ光のエネルギー密度および照射回
    数の少なくともいずれか一方を変更して前記絶縁膜に照
    射することを特徴とする請求項２に記載の反射型液晶表
    示装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記レーザ光を照射した後、アニールを
    行うことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記
    載の反射型液晶表示装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記絶縁膜にコンタクトホールを前記凹
    凸構造の形成とともに形成することを特徴とする請求項
    ２〜５のいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置の製
    造方法。
  7. 【請求項７】 前記絶縁膜を透明樹脂とし、該絶縁膜の
    一部を平坦とし、該平坦部分は前記反射膜に代えて透明
    部材を形成することを特徴とする請求項２〜６のいずれ
    か１項に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記レーザ光は、エキシマレーザ光であ
    ることを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載
    の反射型液晶表示装置の製造方法。
JP2001264445A 2001-08-31 2001-08-31 反射型液晶表示装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP5181317B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001264445A JP5181317B2 (ja) 2001-08-31 2001-08-31 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US10/227,952 US6894747B2 (en) 2001-08-31 2002-08-27 Manufacturing method for reflector, reflector, and liquid crystal display
KR1020020051459A KR100567504B1 (ko) 2001-08-31 2002-08-29 반사막 제조 방법
TW091119926A TW581919B (en) 2001-08-31 2002-08-30 Manufacturing method for reflector, reflector, and liquid crystal display
CNB021420009A CN1178100C (zh) 2001-08-31 2002-09-02 反射器和液晶显示器的制造方法
US10/942,885 US20050032261A1 (en) 2001-08-31 2004-09-17 Manufacturing method for reflector, reflector, and liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001264445A JP5181317B2 (ja) 2001-08-31 2001-08-31 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003075826A true JP2003075826A (ja) 2003-03-12
JP5181317B2 JP5181317B2 (ja) 2013-04-10

Family

ID=19091041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001264445A Expired - Fee Related JP5181317B2 (ja) 2001-08-31 2001-08-31 反射型液晶表示装置およびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6894747B2 (ja)
JP (1) JP5181317B2 (ja)
KR (1) KR100567504B1 (ja)
CN (1) CN1178100C (ja)
TW (1) TW581919B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100747333B1 (ko) * 2005-02-14 2007-08-07 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정 표시 장치의 반사판 및 그 제조 방법

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4302385B2 (ja) * 2001-10-22 2009-07-22 三星電子株式会社 反射率向上のための液晶表示装置及びその製造方法
KR100840538B1 (ko) * 2002-03-19 2008-06-23 엘지디스플레이 주식회사 반사형 액정표시장치 제조방법
KR100737895B1 (ko) * 2002-09-18 2007-07-10 삼성전자주식회사 반사형 및 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR100936905B1 (ko) * 2002-12-13 2010-01-15 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
GB0229222D0 (en) * 2002-12-14 2003-01-22 Koninkl Philips Electronics Nv Manufacture of thin film transistor and displays,and photomasks therefor
JP3753141B2 (ja) * 2002-12-25 2006-03-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
KR100919184B1 (ko) * 2002-12-30 2009-09-28 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조 방법
KR100770472B1 (ko) * 2003-03-27 2007-10-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법
KR101112547B1 (ko) * 2005-01-18 2012-03-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판의제조 방법
KR100629359B1 (ko) * 2005-08-09 2006-10-02 삼성전자주식회사 감광성 폴리이미드막을 사용하여 반도체소자를 제조하는방법들 및 그에 의해 제조된 반도체소자들
KR20070035234A (ko) * 2005-09-27 2007-03-30 삼성전자주식회사 표시 기판의 제조 방법 및 이를 제조하기 위한 제조 장치
JP2007096202A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 集積回路及びその製造方法
KR100703216B1 (ko) * 2006-02-21 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지의 제조 방법
JP2007242697A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Canon Inc 撮像装置および撮像システム
US7688419B2 (en) * 2006-05-11 2010-03-30 Au Optronics Corp. Thin film transistor array substrate structures and fabrication method thereof
US20070262312A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-15 Au Optronics Corp. Thin film transistor array substrate structures and fabrication method thereof
TWI275184B (en) * 2006-05-18 2007-03-01 Au Optronics Corp Thin film transistor and fabrication method thereof
CN101030586B (zh) * 2006-06-05 2010-07-14 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板结构及其制造方法
US7943287B2 (en) * 2006-07-28 2011-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
TWI412079B (zh) * 2006-07-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 製造顯示裝置的方法
WO2008023630A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device
US8563431B2 (en) * 2006-08-25 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8148259B2 (en) 2006-08-30 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2008073711A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Disco Abrasive Syst Ltd ビアホールの加工方法
JP5013367B2 (ja) * 2007-01-17 2012-08-29 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置、及び、液晶表示装置の製造方法
US7919352B2 (en) * 2007-04-10 2011-04-05 Global Oled Technology Llc Electrical connection in OLED devices
KR101386173B1 (ko) * 2007-04-26 2014-04-29 삼성디스플레이 주식회사 렌즈 형성용 원판 제조 방법 및 렌즈 형성용 원판을 이용한박막 트랜지스터 기판 제조 방법
KR100850519B1 (ko) * 2007-06-28 2008-08-05 주식회사 에스앤에스텍 그레이톤 블랭크 마스크 및 포토마스크의 제조방법
JP5426690B2 (ja) * 2009-12-28 2014-02-26 株式会社フジクラ 金型及びその製造方法
JP6014490B2 (ja) * 2012-12-27 2016-10-25 三星ダイヤモンド工業株式会社 分断方法、及び分断装置
KR102025086B1 (ko) * 2013-10-14 2019-09-25 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
GB201412974D0 (en) * 2014-07-22 2014-09-03 Plastic Logic Ltd Protecting transistor array elements against degrading species
US10365472B1 (en) * 2015-12-29 2019-07-30 Amazon Technologies, Inc. Electrowetting display device having increased viewing performance

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0675238A (ja) * 1991-09-10 1994-03-18 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JPH10123307A (ja) * 1996-10-25 1998-05-15 Matsushita Electric Works Ltd 光拡散板およびその製造方法
JPH11101992A (ja) * 1997-07-28 1999-04-13 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2000122094A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Sharp Corp 反射型液晶表示装置
JP2000147536A (ja) * 1998-11-11 2000-05-26 Toppan Printing Co Ltd 反射電極とその製造方法および反射型液晶表示装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431272A (en) * 1980-05-08 1984-02-14 Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha Liquid crystal display device
US4456336A (en) * 1981-10-06 1984-06-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company High brightness internal reflector for liquid crystal displays and its method of fabrication
JPH02245742A (ja) * 1989-03-17 1990-10-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶表示デバイス
EP0462439A1 (en) 1990-06-21 1991-12-27 Xerox Corporation Plywood suppression in photosensitive imaging members
CA2114459C (en) * 1993-01-29 1999-09-07 Shigeaki Mizushima Liquid crystal display apparatus with a substrate having a rough alignment layer, and a method for producing the same
CA2131243A1 (en) * 1993-09-27 1995-03-28 Kenneth R. Paulson Process for forming a phosphor
JP2990046B2 (ja) * 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JPH09292504A (ja) * 1996-02-27 1997-11-11 Sharp Corp 反射板及びその作製方法及びその反射板を用いた反射型液晶表示装置
US5864381A (en) * 1996-07-10 1999-01-26 Sandia Corporation Automated pupil remapping with binary optics
JP3339334B2 (ja) * 1996-12-05 2002-10-28 松下電器産業株式会社 反射型液晶表示素子
TW496992B (en) * 1997-07-29 2002-08-01 Alps Electric Co Ltd Reflector having pits and projections on a surface thereof, manufacturing method for the same, and reflection type liquid crystal display device using the same
JP3522517B2 (ja) * 1997-12-22 2004-04-26 シャープ株式会社 反射板の製造方法
JP3391717B2 (ja) * 1997-12-24 2003-03-31 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
CN1263610A (zh) * 1998-03-19 2000-08-16 松下电器产业株式会社 液晶显示元件及其制造方法
JP4292596B2 (ja) * 1998-06-19 2009-07-08 ソニー株式会社 拡散反射板及びその製造方法と表示装置
US6163353A (en) * 1998-12-03 2000-12-19 Industrial Technology Research Institute Method for fabricating a reflective liquid crystal display panel having a reflector with an inclined surface and devices made
JP2000193807A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Asahi Glass Co Ltd 拡散反射板とその製造方法および反射型表示素子
EP1028346A3 (en) 1999-02-12 2002-05-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal element and manufacturing method thereof
JP3992393B2 (ja) 1999-02-25 2007-10-17 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 反射型液晶表示装置の製造方法及び反射型液晶表示装置の製造用マスク
US6291146B1 (en) * 1999-04-09 2001-09-18 Industrial Technology Research Institute Method for reforming a reflection-type light diffuser
US6638698B2 (en) * 1999-04-09 2003-10-28 Industrial Technology Research Institute Method for forming a diffusive-type light reflector
JP3619053B2 (ja) * 1999-05-21 2005-02-09 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
TWI251697B (en) * 1999-05-26 2006-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display element and producing method thereof
JP3779103B2 (ja) * 1999-09-06 2006-05-24 シャープ株式会社 反射型カラー液晶表示装置
GB2354899A (en) * 1999-10-02 2001-04-04 Sharp Kk Optical device for projection display
TW526357B (en) * 1999-12-22 2003-04-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflective liquid crystal display element and image display device using the same
KR100687491B1 (ko) * 1999-12-28 2007-02-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정 표시장치의 어레이 기판 제조방법
KR100586242B1 (ko) * 2000-01-06 2006-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치와 그 제조방법
JP2001194662A (ja) 2000-01-14 2001-07-19 Nec Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP2003535379A (ja) * 2000-06-06 2003-11-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 液晶表示装置及びその製造方法
US6560248B1 (en) * 2000-06-08 2003-05-06 Mania Barco Nv System, method and article of manufacture for improved laser direct imaging a printed circuit board utilizing a mode locked laser and scophony operation
US6562644B2 (en) * 2000-08-08 2003-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor substrate, method of manufacturing the semiconductor substrate, semiconductor device and pattern forming method
TWI225556B (en) * 2000-09-13 2004-12-21 Au Optronics Corp Manufacturing method of reflective liquid crystal display
TW466784B (en) * 2000-09-19 2001-12-01 United Epitaxy Co Ltd Method to manufacture high luminescence LED by using glass pasting
JP4993830B2 (ja) * 2000-11-11 2012-08-08 三星電子株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
TW548689B (en) * 2001-01-25 2003-08-21 Fujitsu Display Tech Reflection type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
TW548467B (en) * 2001-04-19 2003-08-21 Alps Electric Co Ltd Liquid crystal display device with improved viewing angle property and portable electronic apparatus using the same
JP5093709B2 (ja) * 2001-08-22 2012-12-12 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置
US6900941B2 (en) * 2002-05-16 2005-05-31 Eastman Kodak Company Light diffuser with colored variable diffusion

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0675238A (ja) * 1991-09-10 1994-03-18 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JPH10123307A (ja) * 1996-10-25 1998-05-15 Matsushita Electric Works Ltd 光拡散板およびその製造方法
JPH11101992A (ja) * 1997-07-28 1999-04-13 Sharp Corp 液晶表示装置
JP2000122094A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Sharp Corp 反射型液晶表示装置
JP2000147536A (ja) * 1998-11-11 2000-05-26 Toppan Printing Co Ltd 反射電極とその製造方法および反射型液晶表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100747333B1 (ko) * 2005-02-14 2007-08-07 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정 표시 장치의 반사판 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1403861A (zh) 2003-03-19
JP5181317B2 (ja) 2013-04-10
KR100567504B1 (ko) 2006-04-03
US20050032261A1 (en) 2005-02-10
US6894747B2 (en) 2005-05-17
KR20030019201A (ko) 2003-03-06
US20030048399A1 (en) 2003-03-13
CN1178100C (zh) 2004-12-01
TW581919B (en) 2004-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5181317B2 (ja) 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US6741621B2 (en) Laser irradiation apparatus and method of treating semiconductor thin film
US20040149705A1 (en) Method and apparatus for processing three-dimensional structure, method for producing three-dimensional shape product and three-dimensional structure
JP3751772B2 (ja) 半導体薄膜製造装置
JP2006222423A (ja) レーザー装置及びこれを利用した薄膜トランジスタの製造方法
KR950024009A (ko) 액정 배향 제어막의 제조방법 및 장치
JP2003334674A (ja) レーザ加工方法
JP2005121916A (ja) レンチキュラレンズ用凹部付き基板の製造方法、レンチキュラレンズ用凹部付き基板、レンチキュラレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ
JPH0572528A (ja) カラーフイルターの修正方法
US7132202B2 (en) Mask for laser irradiation, method of manufacturing the same, and apparatus for laser crystallization using the same
KR100978367B1 (ko) 엠보싱 패턴의 제조 방법
US7205076B2 (en) Mask for laser irradiation and apparatus for laser crystallization using the same
KR100441522B1 (ko) 미소형상 형성용 전사필름 및 그 장치
JP2004160518A (ja) レーザ加工方法
WO2019138674A1 (ja) レーザ照射装置、及び、レーザ照射方法
JPH07323387A (ja) レーザマーキング用マスク及びレーザマーキング用マスクの製造方法
EP0770925B1 (en) Photoprocessing method and apparatus
KR100386861B1 (ko) 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20080107265A (ko) 램프 반사기 제조방법, 램프 반사기, 및 그들을 포함하는백라이트 모듈
US6051444A (en) Method of manufacture of liquid crystal display device having characteristics which differ locally
JP4224975B2 (ja) 液晶表示装置の画素電極形成方法
JPH04301617A (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法
KR100745412B1 (ko) 반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법
JPH04274407A (ja) 液晶表示装置および液晶表示装置の欠陥修正方法
KR200211579Y1 (ko) 칼라 필터 제조용 노광 장치(Lighting device for use in manufacturing of color filter)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080714

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100623

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110418

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110421

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110617

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20110722

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110722

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111028

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111219

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120110

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20120427

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121019

R155 Notification before disposition of declining of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees