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JP2003069229A - 多層プリント配線板 - Google Patents

多層プリント配線板

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Publication number
JP2003069229A
JP2003069229A JP2001255779A JP2001255779A JP2003069229A JP 2003069229 A JP2003069229 A JP 2003069229A JP 2001255779 A JP2001255779 A JP 2001255779A JP 2001255779 A JP2001255779 A JP 2001255779A JP 2003069229 A JP2003069229 A JP 2003069229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
substrate
thermal expansion
printed wiring
wiring board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001255779A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Sumi
泰志 墨
Toshifumi Kojima
敏文 小嶋
Masahiko Okuyama
雅彦 奥山
Norihiko Igai
憲彦 猪飼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2001255779A priority Critical patent/JP2003069229A/ja
Publication of JP2003069229A publication Critical patent/JP2003069229A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 多層プリント配線板の信頼性評価試験(特に
は、−55℃への冷却と125℃への加熱を繰返し与え
る熱衝撃試験)において、スルーホール上に積層形成さ
れた絶縁層やソルダーレジスト層へのクラックの発生を
防止するとともに、寄生容量を低減して電気特性の向上
と低背化を図った電子部品内蔵型の多層プリント配線板
を得ること。 【構成】 コア基板の少なくとも一面に、絶縁層及び配
線層を交互に積層したビルドアップ層を形成し、コア基
板及びビルドアップ層を貫通するように、開口部及びス
ルーホールを形成した基板を備えた多層プリント配線板
において、開口部内に電子部品を配置して埋め込み樹脂
を用いて埋め込むとともに、スルーホール内部にコア基
板の厚み方向(Z方向)の熱膨張係数との差の絶対値が
20ppm/℃以下であるスルーホール充填用ペースト
の硬化体で充填する。スルーホール充填用ペーストの硬
化体の25℃における弾性率は3.0〜6.5GPaの
範囲であることが望ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多層プリント配線板に
関する。更に詳しくは、基板内部に設けた開口部に電子
部品を埋め込むとともに、スルーホール内部にスルーホ
ール充填用ペーストの硬化体を充填した後に、更に樹脂
絶縁層或いは基板を積層した多層プリント配線板に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高性能化に伴
い、表面実装部品の高実装密度化が要求されている。そ
のため、プリント配線板の多層化技術が必要である。多
層化の例としては、スルーホールを設けた基板をいわゆ
るコア基板とし、基板のスルーホールを穴埋めした後、
ビルドアップ法にて多層化する技術が用いられている。
【0003】多層プリント配線板を製造するには、絶縁
基板や銅張積層板等にスルーホールとなる貫通孔を開け
た後、その内壁をメッキして導体層を形成し、多層化し
た際の平坦性を確保するために、このスルーホールを充
填用ペーストにて穴埋めする工程が必須となる。スルー
ホールの穴埋めに関する技術としては、以下のようなも
のが知られている。エポキシ系樹脂に無機粒子を添加し
て、硬化収縮時の体積収縮を抑える方法(特開昭62−
224996号公報)や熱衝撃性を向上する方法(特開
平8−83971号公報)が開示されている。また、特
定種類のエポキシ樹脂と硬化剤を組み合わせて、イオン
マイグレーションを抑制する方法(特開平6−3382
18号公報)やスルーホール表面の平坦化を図る方法
(特開平6−260756号公報)が開示されている。
また、揮発成分である溶剤分を極力添加しないことで、
基材の膨れ等の問題を回避する方法(特許第26030
53号公報)やスルーホール表面の平坦化を図る方法
(特開平7−188391号公報)が開示されている。
また、誘電体基板と充填樹脂との物性を規定して、熱衝
撃性を向上する方法(特開平3−222393号公報)
が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】多層プリント配線板に
従来のスルーホール充填用ペーストを用いると、信頼性
評価試験(特には、−55℃への冷却と125℃への加
熱を繰返し与える熱衝撃試験)において、充填樹脂では
なく、スルーホール上に積層形成した絶縁層やソルダー
レジスト層にクラックが発生するという問題があった
(図16を参照)。
【0005】熱衝撃試験等で発生する上記クラックは、
多層プリント配線板を構成する材料(樹脂層、銅配線層
等)の熱膨張差によるものと考えられている。通常、い
わゆるコア基板は、銅配線の剥離を防止するために、銅
の熱膨張係数(約16ppm)に合わせるよう設計され
ており、従来のスルーホール充填用ペーストもそれにな
らい、銅の熱膨張係数に合わせるように設計されてい
た。しかし、上記クラックは、いくらスルーホール充填
用ペーストの硬化体の熱膨張係数を銅の熱膨張係数と合
わせても解消することはできなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、コア
基板の少なくとも一面に、絶縁層及び配線層を交互に積
層したビルドアップ層を形成し、該コア基板及び該ビル
ドアップ層を貫通するように、開口部及びスルーホール
を形成した基板を備えた多層プリント配線板であって、
該開口部内に電子部品を配置して埋め込み樹脂を用いて
埋め込むとともに、該スルーホール内部に該コア基板の
厚み方向(Z方向)の熱膨張係数との差の絶対値が20
ppm/℃以下であるスルーホール充填用ペーストの硬
化体で充填した多層プリント配線基板を要旨とする。ス
ルーホール充填用ペーストの硬化体とコア基板の厚み方
向(Z方向)の熱膨張差を係る範囲に規定することによ
り、熱衝撃試験等の信頼性評価試験においてスルーホー
ル上に積層形成した絶縁層やソルダーレジスト層に発生
するクラックの問題を解決することができる。同時に、
基板を構成するコア基板及びビルドアップ層を貫通する
ように形成した開口部に電子部品を埋め込むことによ
り、電子部品と絶縁基板上に積層形成したビルドアップ
層との距離を極力近づけて、不要な寄生容量(インダク
タンス等)の発生を防止できる。基板の厚みは、埋め込
む電子部品の厚みに近い程よい。特には、電子部品の端
子電極の表面から絶縁基板上に積層形成したビルドアッ
プ層の配線層までの距離は、100μm以下(好ましく
は50μm以下、より好ましくは30μm以下)になる
ように電子部品の高さと絶縁基板の厚みの関係を設定す
るのがよい。
【0007】ここにいう「熱膨張係数」とは、プリント
配線板を構成する材料の−55〜125℃の間のTMA
(熱機械分析装置)にて測定した値をいう。スルーホー
ル充填用ペーストの硬化体の熱膨張係数は、実際に穴埋
めされ硬化した状態のものを測定するのが好ましいが、
以下のような簡便な方法によって測定した結果でも代用
できる。
【0008】まず、スルーホール充填用ペーストをフィ
ルム状にキャストし、通常用いる工程と同条件で熱硬化
させ、厚さ100μmのフィルム状硬化体とする。ここ
から長さ20mm×幅5mmの試験片を切り出し、これ
を用いてTMA法により測定する。ここにいう「TM
A」とは、熱機械的分析をいい、例えばJPCA−BU
01に規定されるものをいう。測定条件は、スパン15
mmにて試験片の長手方向に5gの引張加重を加えた状
態で−55℃まで冷却し、10℃/分の昇温速度で12
5℃以上まで加熱し伸び率ε(以下の数式1を参照)測
定し、熱膨張係数αを計算する(以下の数式2を参
照)。
【0009】
【数1】
【0010】
【数2】
【0011】コア基板のZ方向の熱膨張係数αは以下の
条件で測定する。まず、銅配線やスルーホールを形成す
る前の基板を用意する。次いでコア基板のZ方向に5g
の圧縮加重を加えた状態で−55℃まで冷却し、10℃
/分の昇温速度で125℃以上まで加熱して伸び率εを
測定し、上記の数式1及び数式2を用いて同様に計算す
る。
【0012】スルーホール充填用ペーストの硬化体の熱
膨張係数は、コア基板のZ方向の熱膨張係数と一致して
いることが理論的には望ましいが、実際面では±20p
pm/℃の範囲であれば良く、特にはマイナス方向(基
板のZ方向の熱膨張係数より若干小さい)であることが
好ましい。この理由の詳細は不明であるが、以下のよう
に推察される。スルーホール用充填ペーストの硬化体が
熱衝撃試験等にさらされる時、その熱膨張率によって膨
張・収縮を繰り返すわけであるが、該硬化体はスルーホ
ール内に充填硬化されているために、同時にスルーホー
ル内壁からも引張・圧縮応力、せん断応力等の複雑な応
力をうけ、複雑な歪を生じると思われる。これらの応力
・歪を考慮したときに、本発明の熱膨張係数の範囲であ
れば安定に存在し得るものと推察される。
【0013】熱膨張係数の差が±20ppm/℃の範囲
からはずれると、上記のクラック問題が発生しやすくな
り好ましくない。基板のZ方向の熱膨張係数とスルーホ
ール充填用ペーストの硬化体の熱膨張係数との差の絶対
値としては好ましくは20ppm/℃以下、更に好まし
くは15ppm/℃以下、最も好ましくは10ppm/
℃以下以下である。熱膨張係数との差は、上記のように
マイナス方向(基板のZ方向の熱膨張係数より若干小さ
い)であることが好ましい。特には、スルーホール充填
用ペーストの硬化体の熱膨張係数から基板のZ方向の熱
膨張係数を引いた値が、−1〜−10ppm/℃の範囲
で著しい効果が得られる。
【0014】本発明で用いるコア基板としては、ガラス
−BT(ビスマレイミド/トリアジン樹脂)複合基板、
高Tgガラス−エポキシ複合基板(FR−4、FR−5
等)等の高耐熱性積層板が望ましい。上記高耐熱性積層
板の熱膨張係数は、一般にXY方向が12〜17pp
m、Z方向が47〜52ppmであり、この場合におい
ては、スルーホール充填用ペーストの硬化体の熱膨張係
数は33〜50ppm、望ましくは37〜45ppm、
さらに望ましくは40〜45ppmが良い。これらの値
からはずれると、スルーホール上に形成した絶縁樹脂層
やソルダーレジスト層にクラックが発生することがあり
好ましくない。基板の両面或いは片面上には絶縁樹脂層
や配線層が交互に積層され、必要に応じて最表面にソル
ダーレジスト層が形成される。
【0015】基板表面及びスルーホール内壁に形成され
る銅配線層には、樹脂層との密着性を高めるための表面
処理を施すのが好ましい。この表面処理には、黒化処
理、銅エッチング処理等の他、その後のカップリング剤
処理、防錆処理等も含まれる。スルーホールの形状には
特に制約は無いが、応力集中しやすい比較的小径でアス
ペクト比の大きいスルーホール(たとえば直径300μ
m、長さ800μm)においても、スルーホール上に形
成した絶縁樹脂層やソルダーレジスト層のクラックを抑
制することができる。
【0016】本発明のスルーホール充填用ペーストの樹
脂成分としては、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹
脂は一般に硬化収縮が少なく硬化時の凹みが押さえられ
るためである、特に耐熱性、耐湿性、耐薬品性の点で芳
香族エポキシ樹脂(例えば、BPA型エポキシ樹脂、B
PF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂等)を用いることが望ましい。エポキシ樹脂の硬化
剤には、耐熱性、耐薬品性の点でイミダゾール系硬化剤
が好ましい。特にはフェニルイミダゾール系の粉末状の
硬化剤が粘度調整の面で好ましい。
【0017】スルーホール充填用ペーストの硬化体の熱
膨張率係数は、無機フィラー及び/又は金属フィラーの
含有量を調整することで制御できる。一般に、熱膨張係
数はフィラー含有量を高くすると小さくなり、含有量を
低くすると大きくなる。熱硬化性樹脂として液状芳香族
エポキシ樹脂を、その硬化剤にイミダゾール系硬化剤
を、フィラーにシリカ粒子を用いた場合、シリカ添加量
は樹脂成分(熱硬化性樹脂と硬化剤との和)100重量
部に対し、60〜150重量部、望ましくは90〜13
0重量部が熱膨張係数、硬化収縮率、粘性を適切にする
上で良い。
【0018】本発明では、実質的に影響を及ぼさない範
囲で、上記以外の他の成分を混合してもよい。例えば、
絶縁性及び耐湿性等に実質的に影響を及ぼさない範囲
で、消泡剤、揺変剤、着色剤、レベリング剤、カップリ
ング剤等を添加することもできる。
【0019】請求項2の発明は、スルーホール充填用ペ
ーストの硬化体の25℃における弾性率が3.0〜6.
5GPaの範囲である多層プリント配線基板ことを要旨
とする。
【0020】本発明に用いるスルーホール充填用ペース
トの硬化体は、その熱膨張係数をコア基板のZ方向の熱
膨張係数に合わせているため、XY方向での熱膨張差が
大きく、スルーホール内壁より応力を受けやすい。この
応力を緩和するため、スルーホール充填用ペーストを熱
硬化した硬化体の25℃における弾性率を3.0〜6.
5GPa、特には3.0〜5.0GPaの範囲に規定す
ることが望ましい。弾性率が6.5GPa以上に大きい
と、熱膨張差で発生する応力も大きくなり、スルーホー
ル充填用ペーストの硬化体自体にクラックが発生するか
らである。逆に弾性率が3.0GPaよりも小さいと、
穴埋め材の熱膨張が大きくなりすぎたり、耐熱性等の物
性が低下してしまうからである。
【0021】スルーホール充填用ペーストの硬化体の弾
性率は、実際に穴埋めされ硬化した状態のものを測定す
るのが理想的であるが、以下の簡便な方法によって測定
した結果でも代用できる。すなわち、スルーホール充填
用ペーストをフィルム状にキャストし、通常の工程と同
条件で熱硬化させ、厚さ100μmのフィルム状硬化体
とする。これから幅4mmの試験片を切り出し、これを
DMA法により測定する。ここにいう「DMA」とは、
動的粘弾性分析をいい、例えばJIS C 6481に
規定されるものをいう。測定条件は、スパン40mmに
て試験片の長手方向に10gの引張加重を加えた状態か
ら,振幅16μm、周波数11Hzで長手方向に正弦波
をかけ、25℃における貯蔵弾性率を求め、その値を弾
性率とする。
【0022】埋め込み樹脂は、樹脂成分として少なくと
も熱硬化性樹脂を含み、かつ少なくとも一種類以上の無
機フィラーを含むとよい。少なくとも熱硬化性樹脂を含
むことで、樹脂充填後は熱処理により容易に硬化するこ
とができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂が
よい。具体的には、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂及びクレゾールノボラック型エポキシ樹脂から
選ばれる少なくとも一種であるとよい。硬化後のエポキ
シ系樹脂は、3次元構造の骨格を有するため、配線のア
ンカー効果による密着強度を向上させるための粗化処理
を行った後においても埋め込み樹脂の形状が必要以上に
崩れることがないからである。無機フィラーを入れるの
は、硬化後の熱膨張係数の調整以外に、無機フィラーが
奏する骨材としての効果によって、粗化処理後の埋め込
み樹脂の形状が必要以上に崩れることがないからであ
る。無機フィラーとしては、特に制限はないが、結晶性
シリカ、溶融シリカ、アルミナ、窒化ケイ素等がよい。
埋め込み樹脂の熱膨張係数を効果的に下げることができ
る。これにより、熱応力に対する信頼性の向上が得られ
る。
【0023】コア基板及びビルドアップ層を貫通するよ
うに形成した開口部に電子部品を配置して、埋め込み樹
脂で埋め込むことにより、寄生容量を低減して電気特性
の向上と低背化を図るとともに、スルーホール信頼性に
優れた電子部品内蔵型の多層プリント配線板を得ること
ができる。
【0024】電子部品としては、コンデンサ、インダク
タ、レジスタ等を例示することができる。特には、セラ
ミック積層技術を用いた多層電子部品が好ましい。優れ
た電気特性と低背化を同時に実現できる利点がある。
【0025】係る構成の多層プリント配線板は、信頼性
評価試験(特には、−55℃への冷却と125℃への加
熱を繰返し与える熱衝撃試験)において、スルーホール
上に積層形成した絶縁層やソルダーレジスト層へのクラ
ック発生を防止できる。係る多層プリント配線板の製造
方法としては、フォトビアやレーザービアを用いたピル
ドアップ法やラミネート法或いはこれらの組み合わせが
適用可能である。
【0026】
【実施例】実施例1;スルーホール信頼性の評価 (1)スルーホール充填用ペーストの作製 表1の組成になるように、エポキシ樹脂、イミダゾール
系硬化剤、シリカフィラーを混合し、3本ロールミルを
用いて混練して、スルーホール充填用ペーストを調製す
る。ここで用いた原材料の詳細は以下のようである。 E−828:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製) E−819:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製) E−807:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製) E−152:フェノールノボラック型エポキシ樹脂(油
化シェル製) 2E4MZ−CN:イミダゾール系硬化剤(四国化成
製) SOC2:シリカフィラー(龍森製) PLV6:シリカフィラー(龍森製)
【0027】(2)多層プリント配線板の作製 直径300μmのスルーホール(内壁に23μm厚の銅
メッキ層を施したもの)を1000個有する、ガラス−
BT複合基板(三菱瓦斯化学製、品名;BTCCL H
L830)を用意し、この銅配線上に黒化処理(75℃
のNaClO 2水溶液に5分間浸漬)を施す。該基板に
表1のそれぞれのスルーホール充填用ペーストを公知の
スクリーン印刷法を用いて充填し、150℃×5時間の
条件下で熱硬化する。熱硬化後、ベルトサンダー研磨に
より基板表面を平坦化した後、ビルドアップ法を用いて
絶縁層1層と銅メッキによる銅配線層1層を形成し、最
上層にソルダーレジスト層を形成(図1の構成と同様)
して多層プリント配線板を完成する。
【0028】(3)熱衝撃試験 (2)において作製した多層プリント配線板を用いて、
熱衝撃試験を行う。条件は、−55℃×1分〜125℃
×1分を1サイクルとして、500サイクルと1000
サイクル行ったところで、スルーホール上の絶縁層及び
ソルダーレジスト層に発生したクラックの数を拡大鏡
(倍率20倍)で調べる。1000サイクル後のクラッ
ク数が10個以下のものを合格とする。
【0029】(4)スルーホール充填用ペーストの硬化
体の熱膨張係数の測定 表1のそれぞれのスルーホール充填用ペーストをフィル
ム状にキャストし、150℃×5時間の条件下で熱硬化
させ、厚さ100μmのフィルム状硬化体とする。これ
から幅5mmの試験片を切り出し、これをTMA測定す
る。測定条件は、スパン15mmにて、試験片の長手方
向に5gの引張加重を加えた状態で−55℃まで冷却
し、10℃/分の昇温速度で125℃以上まで加熱し伸
び率ε(数式1を参照)を測定し、数式2を用いて熱膨
張係数αを計算する。結果を「硬化体の熱膨張係数」と
して表1に示す。また、硬化体の熱膨張係数から基板の
Z方向の熱膨張係数を引いた値を「熱膨張係数の差」と
して表1に示す。
【0030】(5)基板の熱膨張係数の測定 基板のXY方向の熱膨張は、銅配線やスルーホールを形
成する前の基板を用いて上記(4)と同様の試験片にし
た状態にて測定する。但し試験片厚さは基板厚さと同じ
800μmとする。また、基板のZ方向の熱膨張係数
は、銅配線やスルーホールを形成する前の基板を用いて
基板のZ方向に5gの圧縮加重を加えた状態で−55℃
まで冷却し、10℃/分の昇温速度で125℃以上まで
加熱し伸び率ε(数式1を参照)を測定し、数式2を用
いて熱膨張係数αを計算する。該基板の熱膨張係数は、
XY方向で13.5ppm/℃、Z方向で48.3pp
m/℃である。
【0031】(6)スルーホール充填用ペーストの硬化
体の弾性率の測定 表1のそれぞれのスルーホール充填用ペーストをフィル
ム状にキャストし、通常の工程と同条件で熱硬化させ、
厚さ100μmのフィルム状硬化体とする。これから幅
4mmの試験片を切り出し、これをDMA測定する。測
定条件は、スパン40mmにて試験片の長手方向に10
gの引張加重を加えた状態から,振幅16μm、周波数
11Hzで長手方向に正弦波をかけ、25℃における貯
蔵弾性率を求め、その値を弾性率とする。
【0032】
【表1】
【0033】本発明の実施例である試料番号3乃至試料
番号8では、熱衝撃試験1000サイクル後に発生した
クラック数が10個以下と良好な結果を示す。特には、
スルーホール充填用ペーストの硬化体の熱膨張係数から
基板のZ方向の熱膨張係数を引いた値である表1の「熱
膨張係数の差」が−1〜−10ppm/℃の範囲、すな
わち、マイナス方向にあり、かつ、弾性率が4.13〜
4.98GPaの範囲にある試料番号4乃至試料番号7
では、熱衝撃試験1000サイクル後に発生したクラッ
ク数が2個以下と極めて良好な結果を示す。
【0034】スルーホール充填用ペーストの硬化体の熱
膨張係数から基板のZ方向の熱膨張係数を引いた値であ
る表1の「熱膨張係数の差」が3.8ppm/℃、すな
わち、プラス方向にあり、かつ、弾性率が3.09GP
aである試料番号8では、熱衝撃試験1000サイクル
後に発生したクラック数が7個と良好な結果であるが、
上記の試料番号4乃至試料番号7の結果と比較すると若
干劣る。この結果から、スルーホール充填用ペーストの
硬化体の熱膨張係数から基板のZ方向の熱膨張係数を引
いた値である「熱膨張係数の差」が負の値、すなわち、
マイナス方向にありる方が信頼性の面でより好ましいこ
とが分かる。
【0035】一方、熱膨張係数の差の絶対値が20pp
m/℃以上の比較例であり、かつ、弾性率が6.5GP
aを越える試料番号1及び試料番号2では、熱衝撃試験
1000サイクル後のクラック発生数がそれぞれ38及
び11と劣る結果である。しかも、熱衝撃試験500サ
イクル後の時点においてもクラックが発生(クラック発
生数は、それぞれ21及び5)することがわかる。
【0036】実施例2;多層プリント配線板の製造 コア基板の少なくとも一面に、絶縁層及び配線層を交互
に積層したビルドアップ層を形成するとともに、開口部
をコア基板及びビルドアップ層を貫通するように形成し
た基板を用いた多層配線基板は、例えば以下のように製
造するとよい(図1〜図15)。ここでは、図1に示す
いわゆる「FC−PGA」構造の実施例を用いて以下に
説明する。
【0037】図2に示すような、厚み0.4mmのコア
基板(100)に厚み18μmの銅箔(200)を貼り
付けたFR−5製両面銅張りコア基板を用意する。ここ
で用いるコア基板の特性は、TMAによるTg(ガラス
転移点)が175℃、基板面方向のCTE(熱膨張係
数)が16ppm/℃、基板面垂直方向のCTE(熱膨
張係数)が50ppm/℃、1MHzにおける誘電率ε
が4.7、1MHzにおけるtanδが0.018であ
る。
【0038】コア基板上にフォトレジストフィルムを貼
り付けて露光現像を行い、直径600μmの開口部及び
所定の配線形状に対応する開口部(図示せず。)を設け
る。フォトレジストフィルムの開口部に露出した銅箔を
亜硫酸ナトリウムと硫酸を含むエッチング液を用いてエ
ッチング除去する。フォトレジストフィルムを剥離除去
して、図3に示すような露出部(300)及び所定の配
線形状に対応する露出部(図示せず。)が形成されたコ
ア基板を得る。
【0039】市販のエッチング処理装置(メック社製
CZ処理装置)によってエッチング処理を施して銅箔の
表面粗化をした後、エポキシ樹脂を主体とする厚み35
μmの絶縁フィルムをコア基板の両面に貼り付ける。そ
して、170℃×1.5時間の条件にてキュアして絶縁
層を形成する。このキュア後の絶縁層の特性は、TMA
によるTg(ガラス転移点)が155℃、DMAによる
Tg(ガラス転移点)が204℃、CTE(熱膨張係
数)が66ppm/℃、1MHzにおける誘電率εが
3.7、1MHzにおけるtanδが0.033、30
0℃での重量減が−0.1%、吸水率が0.8%、吸湿
率が1%、ヤング率が3GHz、引っ張り強度が63M
Pa、伸び率が4.6%である。
【0040】図4に示すように、炭酸ガスレーザを用い
て絶縁層(400)に層間接続用のビアホール(50
0)を形成する。ビアホールの形態は、表層部の直径は
120μm、底部の直径は60μmのすりばち状であ
る。更に炭酸ガスレーザの出力を上げて、絶縁層とコア
基板を貫通するように直径300μmのスルーホール
(600)を形成する。スルーホールの内壁面はレーザ
加工に特有のうねり(図示せず。)を有する。そして、
基板を塩化パラジウムを含む触媒活性化液に浸漬した
後、全面に無電解銅メッキを施す(図示せず。)。
【0041】次いで、基板の全面に厚み18μmの銅パ
ネルメッキ(700)をかける。ここで、ビアホールに
は、層間を電気的に接続するビアホール導体(800)
が形成される。またスルーホールには、基板の表裏面を
電気的に接続するスルーホール導体(900)が形成さ
れる。市販のエッチング処理装置(メック社製 CZ処
理装置)によってエッチング処理を施して銅メッキの表
面粗化する。その後、同社の防錆剤によって防錆処理
(商標名:CZ処理)を施して疎水化面を形成して、疎
水化処理を完了する。疎水化処理を施した導体層表面の
水に対する接触角2θを、接触角測定器(商品名:CA
−A、協和科学製)により液適法で測定したところ、接
触角2θは101度であった。
【0042】真空吸引装置の付いた台座の上に不繊紙を
設置し、上記基板を、台座の上に配置する。その上にス
ルーホールの位置に対応するように貫通孔を有するステ
ンレス製の穴埋めマスクを設置する。次いで、スルーホ
ール充填用ペーストを載せ、ローラー式スキージを加圧
しながら穴埋め充填を行う。次いで、図5に示すよう
に、スルーホール内に充填したスルーホール充填用ペー
スト(1000)を、120℃×20分の条件下で仮キ
ュアさせる。ここでは、スルーホール充填ペーストとし
ては、実施例1の試料番号7(硬化体のコア基板とのZ
方向の熱膨張係数の差の絶対値が0.7ppm/℃、硬
化体の弾性率が4.13GPa)の組成を用いた。次い
で、図6に示すように、ベルトサンダー(粗研磨)を用
いてコア基板表面を研磨した後、バフ研磨(仕上げ研
磨)して平坦化(図示せず。)して、150℃×5時間
の条件下でキュアさせて、穴埋め工程を完了する。尚、
この穴埋め工程を完了した基板の一部は、穴埋め性の評
価試験に用いる。
【0043】図7に示すように、金型(図示せず。)を
用いて□8mmの貫通孔(110)を形成する。図8に
示すように、基板の一面にマスキングテープ(120)
を貼り付ける。そして、図9に示すように、貫通孔(1
10)に露出したマスキングテープ上に、積層チップコ
ンデンサ(130)をチップマウンタを用いて8個配置
する。この積層チップコンデンサは、積層体(150)
からなり、電極(140)が積層体から70μm突き出
している。
【0044】図10に示すように、積層チップコンデン
サを配置した貫通孔の中に、埋め込み樹脂(160)を
ディスペンサ(図示せず。)を用いて充填する。埋め込
み樹脂を、1次加熱工程を80℃×3時間、2次加熱工
程を170℃×6時間の条件により脱泡および熱硬化す
る。
【0045】図11に示すように、硬化した埋め込み樹
脂の表面を、ベルトサンダーを用いて粗研磨した後、ラ
ップ研磨にて仕上げ研磨する。研磨面には、チップコン
デンサーの電極の端面が露出している。次いで、仮キュ
アした穴埋め樹脂を150℃×5時間の条件下で硬化さ
せる。
【0046】その後、膨潤液とKMnO4溶液を用い
て、埋め込み樹脂の研磨面を粗化する。粗化面をPd触
媒活性化した後、無電解メッキ、電解メッキの順番で銅
メッキを施す。図12に示すように、埋め込み樹脂の上
に形成されたメッキ層は、チップコンデンサーの電極の
端面と電気的に接続されている。メッキ面にレジストを
形成し、所定の配線パターンをパターニングする。不要
な銅をNa228/濃硫酸を用いてエッチング除去す
る。レジストを剥離して、図13に示すように、配線の
形成を完了する。市販のエッチング処理装置(メック社
製 CZ処理装置)によってエッチング処理を施して配
線の銅メッキの表面粗化する。
【0047】その上に絶縁層となるフィルム(190)
をラミネートして熱硬化した後、炭酸ガスレーザーを照
射して層間接続用のビアホールを形成する。絶縁層の表
面を上記と同じ酸化剤を用いて粗化し、同様の手法で所
定の配線(201)を形成する。配線基板の最表面にソ
ルダーレジスト層となるドライフィルムをラミネートし
て、半導体素子の実装パターンを露光、現像して形成し
て、ソルダーレジスト層(210)の形成を完了する。
実装用のピン付けを行う面についても同様の方法によ
り、所定の配線(230)とソルダーレジスト層(24
0)を形成して、図14に示すように、ピン付け前の多
層プリント配線板を得る。
【0048】半導体素子を実装する端子電極(201)
には、Niメッキ、Auメッキの順番でメッキを施す
(図示せず。)。その上に低融点ハンダからなるハンダ
ペーストを印刷した後、ハンダリフロー炉を通して半導
体素子を実装するためのハンダバンプ(220)を形成
する。
【0049】一方、半導体素子実装面の反対側には、高
融点ハンダからなるハンダペーストを印刷した後、ハン
ダリフロー炉を通してピン付けするためのハンダバンプ
(260)を形成する。治具(図示せず。)にピン(2
50)をセットした上に基板を配置した状態で、ハンダ
リフロー炉を通してピン付けを行い(図示せず。)、図
15に示すように、半導体素子を実装する前のFC−P
GA型の多層プリント配線板を得る。投影機を用いて埋
め込み樹脂で埋め込んだ開口部に対応する領域に付けら
れたピンの先端の所定位置からの位置ずれ量を測定した
ところ、0.1mm以下と良好な結果が得られた。
【0050】半導体素子実装面上に半導体素子(27
0)を実装可能な位置に配置して、低融点ハンダのみが
溶解する温度条件にてハンダリフロー炉を通して、半導
体素子を実装する。実装部にアンダーフィル材をディス
ペンサーで充填した後、熱硬化して、図1に示すような
半導体素子を実装したFC−PGA型の多層プリント配
線板を用いた半導体装置を得る。
【0051】
【発明の効果】本発明によれば、多層プリント配線板の
信頼性評価試験(特には、−55℃への冷却と125℃
への加熱を繰返し与える熱衝撃試験)において、スルー
ホール上に積層形成した絶縁層やソルダーレジスト層に
発生するクラックの問題を防止するとともに、寄生容量
を低減して電気特性の向上と低背化を図った電子部品内
蔵型の多層プリント配線板が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一態様であるFC−PGA型の多層プ
リント配線板を用いた半導体装置の説明図。
【図2】厚み400μmの銅張りコア基板の概略図。
【図3】厚み400μmの銅張りコア基板のパターニン
グ後の状態を示す説明図。
【図4】コア基板の両面に絶縁層を形成した基板にビア
ホールとスルーホールを形成した状態を示す説明図。
【図5】コア基板の両面に絶縁層を形成した基板にパネ
ルメッキをかけた後の状態を示す説明図。
【図6】スルーホールを穴埋め充填した基板の説明図。
【図7】貫通孔を打ち抜き形成した基板を示す説明図。
【図8】貫通孔を打ち抜き形成した基板の一面にマスキ
ングテープを貼り付けた状態を示す説明図。
【図9】貫通孔内に露出したマスキングテープ上に積層
チップコンデンサを配置した状態を示す説明図。
【図10】貫通孔内に埋め込み樹脂を充填した状態を示
す説明図。
【図11】基板面を研磨して平坦化した状態を示す説明
図。
【図12】基板の研磨面にパネルメッキをかけた状態を
示す説明図。
【図13】配線をハターニングした状態を示す説明図。
【図14】基板上にビルドアップ層及びソルダーレジス
ト層を形成した状態を示す説明図。
【図15】本発明の一態様であるFC−PGA型の多層
プリント配線板の説明図。
【図16】熱衝撃試験後に多層プリント配線板に発生す
るクラックの説明図
【符号の説明】
1 基板 2 スルーホール用充填材の硬化体 3 樹脂絶縁層 4 ソルダーレジスト層 5 スルーホール用銅導体層 6 配線用銅導体層 7 クラック 270 FC−PGA型多層プリント配線板 100 コア基板 400 絶縁層 600 スルーホール 800 ビアホール導体 900 スルーホール導体 1000 スルーホール充填用ペースト 110 貫通孔 130 積層チップコンデンサ 140 電極 150 積層体 160 埋め込み樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 猪飼 憲彦 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Fターム(参考) 5E346 AA02 AA12 AA15 AA17 AA43 BB20 CC04 CC09 CC32 DD22 EE33 FF04 FF07 FF50 GG15 GG40 HH11

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コア基板の少なくとも一面に、絶縁層及
    び配線層を交互に積層したビルドアップ層を形成し、該
    コア基板及び該ビルドアップ層を貫通するように、開口
    部及びスルーホールを形成した基板を備えた多層プリン
    ト配線板であって、該開口部内に電子部品を配置して埋
    め込み樹脂を用いて埋め込むとともに、該スルーホール
    内部に該コア基板の厚み方向(Z方向)の熱膨張係数と
    の差の絶対値が20ppm/℃以下であるスルーホール
    充填用ペーストの硬化体で充填したことを特徴とする多
    層プリント配線基板。
  2. 【請求項2】 前記スルーホール充填用ペーストの硬化
    体の25℃における弾性率が3.0〜6.5GPaの範
    囲であることを特徴とする請求項1に記載の多層プリン
    ト配線基板。
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