JP2003068483A - 放電灯装置 - Google Patents
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Abstract
起因するサージパルス電流の低減が可能な放電灯装置を
提供する。 【解決手段】 バッテリ10からの直流電圧を昇圧する
DC/DC変換回路120と、DC/DC変換回路12
0によって昇圧された電圧を交流電圧に変換するインバ
ータ回路130と、ランプ30の始動時にランプ30の
電極間に絶縁破壊を生じせしめる電圧に昇圧させる第2
のトランス141を有する始動回路140と、DC/D
C変換回路120、インバータ回路130、および始動
回路140を収容する金属ケース170とからなるバラ
スト100を備え、始動回路140の第2のトランス1
41の二次巻線141bは、ランプに接続するインバー
タ回路130とランプ30との間に接続されており、第
2のトランス141と金属ケース170との間には、電
極部材180が挟み込まれている。
Description
する放電灯装置に関し、特に車両における放電灯を用い
た前照灯装置に好適である。
給される電圧を昇圧するDC/DCコンバータと、その
昇圧電圧を交流電圧に変換するインバータ回路と、放電
灯の始動時に高電圧を発生させる始動回路とを備える車
載用放電灯装置がある。
の電極間で絶縁破壊を生じさせるように、火花放電を発
生させる高電圧用トランスが設けられており、一次巻線
と二次巻線からなる高電圧用トランスは、二次巻線が放
電灯とインバータ回路の間に接続されている。
駆動するに当たり、放電灯に流れる電流の向きが反転す
る際に発生する再点弧ノイズによる放射ノイズや、放電
灯に至る配線に流れる交番電流による放射ノイズを防止
する目的で、高電圧用トランスから放電灯に至る間の配
線が、シールドシースで覆われている。
電圧用トランスおよび高電圧用トランスに接続されてい
るインバータ回路等の電子回路は、金属製の電子回路ケ
ースに収容され、シールドシースとともに接地されてい
る。
ールドシース構造によって、放電灯、高電圧用トランス
の間の配線のみならず、高電圧用トランスにも、対接地
の浮遊容量が形成される。
スで高電圧が発生すると、この対接地浮遊容量を充電し
ながら、放電灯に印加する電圧が昇圧される。その後、
高電圧に達した電圧が放電灯に印加されて絶縁破壊が生
じると、それまで充電されていた対接地浮遊容量の電荷
が、サージパルス電流として流れる。場合によっては、
直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路の半導体
スイッチング素子等を破壊せしめる可能性がある。
たものであり、したがってその目的は、放射ノイズを低
減しつつ、シールドシースに起因するサージパルス電流
の低減が可能な放電灯装置を提供することにある。
と、直流電源からの直流電圧を昇圧する第1のトランス
を有するDC/DC変換回路と、DC/DC変換回路に
よって昇圧された電圧を交流電圧に変換する半導体スイ
ッチング素子を有するインバータ回路と、放電灯の始動
時に放電灯の電極間に絶縁破壊を生じせしめる電圧に昇
圧させる第2のトランスを有する始動回路と、DC/D
C変換回路、インバータ回路、および始動回路を収容す
る電子回路ケースとからなる点灯制御回路を備え、始動
回路の第2のトランスの二次巻線は、放電灯に接続する
インバータ回路と放電灯との間に接続されており、第2
のトランスと電子回路ケースとの間には、電極部材が挟
み込まれている。
スとの間に電極部材を挟み込むので、第2のトランスと
電子回路ケースとの間を対接地する従来構成に比して、
その対接地浮遊容量より小さい浮遊容量に抑えることが
できる。
電圧を発生させる際、充電される浮遊容量を低減できる
ので、放電灯の電極間で絶縁破壊を生じた後、それまで
充電された浮遊容量の電荷の放出量が低減でき、従って
サージパルス電流が低減できる。
前記第2のトランスの二次巻線の低圧側に接続してい
る。
て放電灯の電極間に絶縁破壊を生じせしめる高電圧が発
生しても、第2のトランスの二次巻線の低圧側に電極部
材が接続しているので、第2のトランスに生じる浮遊容
量を確実に低減できる。
少なくとも第2のトランスの二次巻線と電子回路ケース
の間に挟み込まれている。
量を低減させるために、電極部材は、高電圧を発生する
二次巻線と電子回路ケースの間にのみ挟み込めばよいの
で、浮遊容量の低減に用いる電極部材の無駄な使用量が
低減可能である。
絶縁フィルムに金属層が蒸着されて形成されている。
ースとの間に挟み込まれる電極部材は、放電灯装置、特
に電子回路ケース周りの体格を大きくすることなく、安
価に製造できる。
2つ折り形状として、電子回路ケースに収容される第2
のトランスの両端面を覆う。
スの両端面を、2つ折り形状にした電極部材でそれぞれ
覆うので、第2のトランスの対接地浮遊容量を除去でき
る。
が放電灯に直接接続されている。
回路の第2のトランスから、放電灯に至る間の配線の取
り回し、つまりシールドシースが不要となるので、シー
ルドシースに起因したサージパルス電流の低減ができる
とともに、放電灯装置の簡素化ができる。
灯装置を、車両用放電灯装置に適用し、具体化した実施
形態を図1〜図3に従って説明する。図1は、本実施形
態に係わる放電灯装置の回路構成を表す構成図である。
図2は、図1中に示す点灯制御回路の構成を表わす部分
的斜視分解図である。図3は、図2中のIII−III
からみた断面図である。
源としてのバッテリ10と、点灯スイッチ20と、点灯
スイッチ20がオン状態のとき、バテッリ10からの直
流電圧を昇圧した電圧に基づいて、ランプ30を交流点
灯する点灯制御回路(以下、バラストと呼ぶ)100と
から構成されている。
路120、インバータ回路130、始動回路140、制
御回路160、および電子回路ケース170を含んで構
成されている。なお、ランプ30は、車両用前照灯であ
るメタルハライドランプ等の放電灯であって、始動時に
は、始動回路140によって絶縁破壊を生じさせる高電
圧がランプ30の電極間に印加され、絶縁破壊後は、不
安定なグロー放電からアーク放電状態に転移することで
安定点灯状態に移行する。
0側に配置された一次巻線(図示せず)とランプ30側
に配された二次巻線(図示せず)とを有する第1のトラ
ンス(図示せず)とを備え、一次巻線に接続されたMO
Sトランジスタ等の半導体スイッチング素子(図示せ
ず)のオン、オフ動作を制御回路160によって行なう
ことによって、バッテリ10からの直流電圧を昇圧させ
て高電圧を出力する。
配置された半導体スイッチング素子をなすMOSトラン
ジスタ131〜134を有し、ドライブ回路130aに
よってMOSトランジスタ131〜134が対角線の関
係で交互にオン、オフされることで、ランプ30を交流
にて点灯駆動させる。
とランプ30との中点に接続され、一次巻線141aと
二次巻線141bを有する第2のトランス141と、コ
ンデンサ(図示せず)と、一方向性半導体素子をなすサ
イリスタ(図示せず)から構成され、ランプ30を点灯
始動させる。すなわち、点灯スイッチ20がオンする
と、コンデンサが充電され、この後、サイリスタがオン
すると、コンデンサが放電し、第2のトランス141を
通じて、ランプ30に高電圧(例えば25kV)を印加
する。その結果、ランプ30が電極間で絶縁破壊し火花
点火を生じる。
灯スイッチ20がオンされると、第1のトランスを有す
るDC/DC変換回路120からバッテリ電圧を昇圧し
た電圧を出力する。このDC/DC変換回路120から
出力された高電圧(点灯準備中は300〜500V程
度、点灯開始後は100V程度)は、インバータ回路1
30を介して始動回路140の第2のトランス141
で、絶縁破壊を生じさせるように、高電圧(例えば25
kV)に昇圧され、ランプ30に印加される。その結
果、ランプ30が点灯開始する。
下図2、図3に従って説明する。バラスト100は、図
2に示すように、金属製の電子回路ケース(以下、金属
ケースと呼ぶ)170内に、始動回路140等の各回路
が収容されており、この金属ケース170の外周部に
は、ランプ30と始動回路140のトランス141を接
続する高圧コード40を覆うシールドシース50と電気
的に接続されるとともに接地されている。これにより、
ランプ30をインバータ回路130により交流駆動する
に当たり、ランプ30に流れる電流の向きが反転する際
に発生する再点弧ノイズによる放射ノイズや、ランプ3
0に至る配線(詳しくは、高圧コード40)に流れる交
番電流による放射ノイズを防止できる。
ケース171が収容されており、この樹脂ケース171
は、ターミナル171aがインサート成形されている。
これにより、制御回路160、MOSトランジスタ等の
半導体装置として形成可能な部分は、ハイブリットIC
としてIC化されて一体に形成されるとともに、ターミ
ナル171aを介してトランス141と電気的に接続さ
れている。
41、特に二次巻線141b側の出力電圧が高電圧(例
えば25kV)であるため、第2のトランス141は、
図2に示すように、樹脂ケース171とともに樹脂カバ
ー172によって周囲を囲まれていることで、この高電
圧を絶縁している。
は、このシールドシース構造によって高電圧コード40
のみならず、高電圧コード40に接続する始動回路14
0(詳しくは第2のトランス141)に対接地浮遊容量
Cf1、Cf2が形成される(図1)。なお、この対接
地浮遊容量Cf1は、高圧コード40とシールドシース
50とにより形成され、対接地浮遊容量Cf2は、第2
のトランス141の二次巻線141bと金属ケース17
0とにより形成されるものである。すなわち、点灯始動
時に、第2のトランス141で高電圧が発生すると、こ
の対接地浮遊容量Cf1、Cf2を充電しながら、ラン
プ30に印加する電圧が昇圧される。その後、例えば対
角関係のMOSトランジスタ131、134がオン状態
のとき、高電圧に達した電圧によってランプ30の電極
間で絶縁破壊が生じると、それまで対接地浮遊容量Cf
1、Cf2として蓄えられていた電荷が、サージパルス
電流として図1に示す矢印方向のように流れる。このサ
ージパルス電流が流れると、最悪の場合にインバータ回
路130のHブリッジ状のMOSトランジスタ131〜
134に流れ、特にMOSトランジスタ133、134
が破壊せしめられる可能性がある。このため、一般に、
このサージパルス電流をバイパスさせる保護コンデンサ
C6、C7がランプ30の電極とMOSトランジスタ1
33,134を接続する中点に接続されている。また、
同様な理由から、MOSトランジスタ131〜134の
それぞれのドレイン−ソース間にも、保護コンデンサC
1〜C4、C5を設けている。
2に示す電極部材180が第2のトランス141と金属
ケース170との間に挟み込まれている。この電極部材
180は、銅箔等の薄導体が絶縁フィルムによりラミネ
ートされている。なお、ラミネート180aの片面に銅
等の導電体の金属層180bを蒸着してもよい。すなわ
ち、樹脂ケース171と樹脂カバー172に囲まれた第
2のトランス141において、図3に示すように、樹脂
カバー172と金属ケース170との間に、電極部材1
80のラミネート部分を金属ケース170側に配置すれ
ば、電極部材180は、金属ケースとの絶縁性を確保し
つつ、第2のトランス141と電極部材180とに浮遊
容量Cf3を形成することができる(図1)。
ース170との間に電極部材180を挟み込むので、第
2のトランス141と、金属ケース170を接地する場
合における対接地浮遊容量Cf2に換えて、その対接地
浮遊容量Cf2より小さい浮遊容量Cf3に抑えること
ができる。
ように、電極部材180の金属層180bが接続部18
0bcおよびターミナル171aを介して第2のトラン
ス141の二次巻線141bの低圧側に接続されて形成
されていることが望ましい。これにより、従来の対接地
浮遊容量Cf2に比べ、対接地浮遊容量を確実に低減で
きる。
にバラスト100の構成にすることによって、始動時に
第2のトランス141で高電圧を発生する際、浮遊容量
を低減できるので、ランプ30の電極間で絶縁破壊を生
じた後、それまで浮遊容量に充電された電荷の放出量が
低減でき、従ってサージパルス電流が低減できる。
で、MOSトランジスタ131〜134等のスイッチン
グ素子が破壊されるのを防止するため、サージパルス電
流が発生した際にバイパスさせる保護コンデンサの部品
点数を減らすことができる(例えば、安価なコンデンサ
を組合わせて必要な容量を確保している場合、図1の保
護コンデンサC7の削減)。
電圧を絶縁するように、樹脂カバー172等によって囲
われている場合、電極部材180を絶縁フィルム180
aに金属層180bを蒸着することで形成するので、放
電灯装置、特にバラスト100周りの体格を大きくする
ことなく、安価に製造できる。
下側にそれぞれ電極部材180を配置する構成にする場
合、図2に示すように、電極部材180を二つ折り形状
として、第2のトランス141の上側、下側へ挟み込む
ように、金属ケース170に収容される第2のトランス
141の両端面を覆うことが望ましい(図2、図3参
照)。これにより、第2のトランス141の両端面(詳
しくは、第2のトランス141を囲う樹脂カバー172
を介して)を覆う組付け作業の際、図2に示すように、
電極部材180を一方方向から容易に組付けできる。
は、第2の実施形態で説明したバラスト100とランプ
30とを高圧コード40に接続する構成に換えて、バラ
スト100をランプ30に直接接続される構成とする
(図4(a)参照)。なお、図4(a)において、車両
用放電灯装置は、透過性を有するレンズ3とハウジング
4とによって形成される灯具室内に、ランプ30や表面
側が反射鏡となったリフレクタ6を収容するようになっ
ている。本実施形態では、この灯具室内にバラスト10
0が内蔵され、リフレクタ6の裏面側にバラスト100
が配置された状態となっている。
圧コード40を覆うシールドシース50をなくせるの
で、シールドシース構造による対接地浮遊容量Cf1を
除去できる。また、図4(a)に示すように、高圧コー
ド40が露出しないので、高圧コード40に起因する放
射ノイズは発生しない。
図4(b)に示すように、第2のトランス141と金属
ケース170との間に電極部材180を挟み込むので、
第2のトランス141に生じる浮遊容量を低減できる
(詳しくは、浮遊容量Cf3)。
地浮遊容量Cf1の除去と、電極部材180を挟み込む
配置による浮遊容量Cf3とによる浮遊容量の大幅低減
によって、例えばHブリッジ状に配置されたMOSトラ
ンジスタ131〜134の各ドレイン−ソース間に設け
られていた保護コンデンサC1〜C4を削減することが
できる。
回路構成を表す構成図である。
的斜視分解図である。
る。
を示す断面図であって、図4(a)は、放電灯装置の断
面図、図4(b)は、図4(a)中の点灯制御回路の部
分的断面図である。
を表す構成図である。
ッチング素子としてのMOSトランジスタ 140 始動回路 141 第2のトランス 141a、141b (第2のトランスの)一次巻線、
二次巻線 160 制御回路 170 金属ケース(電子回路ケース) 171 樹脂ケース 180 電極部材 180a、180b ラミネート(絶縁フィルム)、金
属層 Cf1、Cf2 対接地浮遊容量 Cf3 浮遊容量 C1〜C7 保護コンデンサ
Claims (6)
- 【請求項1】 直流電源からの直流電圧を昇圧する第1
のトランスを有するDC/DC変換回路と、 該DC/DC変換回路によって昇圧された電圧を交流電
圧に変換する半導体スイッチング素子を有するインバー
タ回路と、 放電灯の始動時に前記放電灯の電極間に絶縁破壊を生じ
せしめる電圧に昇圧させる第2のトランスを有する始動
回路と、 前記DC/DC変換回路、前記インバータ回路、および
前記始動回路を収容する電子回路ケースとからなる点灯
制御回路を備え、 前記始動回路の前記第2のトランスの二次巻線は、前記
放電灯に接続する前記インバータ回路と前記放電灯との
間に接続されており、 前記第2のトランスと前記電子回路ケースとの間には、
電極部材が挟み込まれていることを特徴とする放電灯装
置。 - 【請求項2】 前記電極部材は、前記第2のトランスの
二次巻線の低圧側に接続していることを特徴とする請求
項1に記載の放電灯装置。 - 【請求項3】 前記電極部材は、少なくとも前記第2の
トランスの前記二次巻線と前記電子回路ケースの間に挟
み込まれていることを特徴とする請求項1または請求項
2に記載の放電灯装置。 - 【請求項4】 前記電極部材は、絶縁フィルムに金属層
が蒸着されて形成されていることを特徴とする請求項1
から請求項3のいずれか一項に記載の放電灯装置。 - 【請求項5】 前記電極部材は、2つ折り形状として、
前記電子回路ケースに収容される前記第2のトランスの
両端面を覆うことを特徴とする請求項1から請求項4の
いずれか一項に記載の放電灯装置。 - 【請求項6】 前記点灯制御回路が前記放電灯に直接接
続されていることを特徴とする請求項1から請求項5の
いずれか一項に記載の放電灯装置。
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