[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2003060227A - 半導体発光素子 - Google Patents

半導体発光素子

Info

Publication number
JP2003060227A
JP2003060227A JP2001242108A JP2001242108A JP2003060227A JP 2003060227 A JP2003060227 A JP 2003060227A JP 2001242108 A JP2001242108 A JP 2001242108A JP 2001242108 A JP2001242108 A JP 2001242108A JP 2003060227 A JP2003060227 A JP 2003060227A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light
light emitting
substrate
emitting region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001242108A
Other languages
English (en)
Inventor
Motokazu Yamada
元量 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to JP2001242108A priority Critical patent/JP2003060227A/ja
Publication of JP2003060227A publication Critical patent/JP2003060227A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 内部での光の吸収をできる限り少なくして、
発光出力を高くする。 【解決手段】 半導体発光素子は、光を透過させる透光
性を有する基板1と、この基板1に積層されてなる窒化
物半導体の発光領域層2と、この発光領域層2の表面に
設けている光を吸収する電極とを備える。さらに、半導
体発光素子は、基板1と発光領域層2との間に、発光領
域層2の最基板側層よりも屈折率が小さい低屈折率層
3、あるいは反射防止層4、あるいは発光領域層2から
基板1に入射する光を散乱させる光散乱層5を設けてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に窒化物半導
体の発光領域層を積層すると共に、この発光領域層の表
面に光を吸収する電極を配設している半導体発光素子に
関する。
【0002】
【従来の技術】図1の半導体発光素子は、基板1に発光
領域層2を積層し、さらに、この発光領域層2に電極を
積層している。この発光素子は、発光領域層2の表面に
半透明電極であるp電極6を積層し、n型の窒化物半導
体層にn電極7を設けている。この発光素子は、p電極
6とn電極7に電圧を加えて、pn接合の発光領域層2
で発光させる。発光の一部は半透明電極を透過して外部
に放射され、他の一部は半透明電極で吸収され、さらに
他の一部は半透明電極で反射される。半透明電極で反射
された光は、基板1との境界面で反射される。半透明電
極と基板1との間で反射を繰り返す光は、図の左端の出
射側端面8から外部に放射される。出射側端面8から外
部に放射される光は、薄い発光領域層2の内部で繰り返
し反射される。反射されるときに、光の一部は半透明電
極に吸収される。このため、何回も繰り返し反射される
と、光は次第に弱くなり、出射側端面8から外部に放射
されるときに極めて弱くなる。
【0003】さらに、窒化物半導体の発光領域層から基
板方向に向かう光は、基板との界面において、その一部
が全反射する。窒化物半導体の発光素子基板に使用され
るサファイア基板の屈折率が、窒化物半導体の屈折率よ
りも小さいからである。発光領域層から基板方向に向か
う光は、基板との界面において、基板への入射角(基板
直前における光の角度)が臨界角よりも大きいと全反射
する。いいかえると、臨界角よりも大きな角度で発光領
域層から基板に入射する光は、基板との界面において、
すべて全反射する。全反射は効率よく光を反射させるの
で、反射するときに光が吸収されることはない。ただ、
全反射される光は、再び半透明電極に反射されて、その
一部が吸収される。また、薄い発光領域層を繰り返し反
射されながら、出射側端面まで透過される光は、発光領
域層を透過する距離が長くなって、発光領域層に吸収さ
れる割合が多くなる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の半導
体発光素子が有するこのような欠点を解決することを目
的に開発されたもので、本発明の重要な目的は、内部で
の光の吸収をできる限り少なくして、発光出力を高くで
きる半導体発光素子を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、光を透過させる透光性を有する基板1と、この基板
1に積層されてなる窒化物半導体の発光領域層2と、こ
の発光領域層2の表面に設けている光を吸収する電極と
を備える。さらに、本発明の請求項1の半導体発光素子
は、基板1と発光領域層2との間に、発光領域層2の最
基板側層よりも屈折率が小さい低屈折率層3を配設して
いる。
【0006】低屈折率層3は、AlGa1−xN(0
<x≦1)層とすることができる。低屈折率層3の膜厚
は、好ましくは、0.2〜2μmとする。さらに、低屈
折率層3と基板1との間に、緩衝層を設けることができ
る。
【0007】本発明の請求項5の半導体発光素子は、基
板1と発光領域層2との間に、反射防止層4を設けてお
り、この反射防止層4でもって、発光領域層2から基板
1に入射する光の反射を減少させている。
【0008】反射防止層4の厚さは、好ましくは、発光
領域層2の発光波長λの1/4、またはその奇数倍とす
る。反射防止層4は、AlGa1−xN(0<x≦
1)層とすることができる。さらに、反射防止層4と基
板1との間に、緩衝層を設けることができる。
【0009】さらに、本発明の請求項9の半導体発光素
子は、基板1と発光領域層2との間に、発光領域層2か
ら基板1に入射する光を散乱させる光散乱層5を設けて
いる。この光散乱層5は、発光領域層2から基板1に入
射する光が全反射する割合を減少させている。
【0010】光散乱層5は、AlGa1−xN(0<
x≦1)層とすることができる。光散乱層5の膜厚は、
好ましくは、0.2〜2μmとする。さらに、光散乱層
5と基板1との間に、緩衝層を設けることができる。
【0011】ここで、上記低屈折率層3、反射防止層4
および光散乱層5は、AlGa −xN(0<x≦
1)とするが、この層をAlNとすることで良好な屈折
率差を得ることができ好ましい。しかしながら、上に成
長させる層、および発光領域層がGaを含む窒化物半導
体の場合は、この層がAlNであると格子歪が大きくな
ってしまい、良好な窒化物半導体からなる発光領域層が
得られなくなるので、その場合は、好ましくはAl
1−xN(0<x<1)とする。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。ただし、以下に示す実施例は、本発明
の技術思想を具体化するための半導体発光素子を例示す
るものであって、本発明は半導体発光素子を下記のもの
に特定しない。
【0013】さらに、この明細書は、特許請求の範囲を
理解し易いように、実施例に示される部材に対応する番
号を、「特許請求の範囲の欄」、および「課題を解決す
るための手段の欄」に示される部材に付記している。た
だ、特許請求の範囲に示される部材を、実施例の部材に
特定するものでは決してない。
【0014】図2〜図5に示す半導体発光素子は、光を
透過させる透光性のある基板1に、発光領域層2を積層
している。発光領域層2と基板1との間には、発光領域
層2の光が基板1との境界で反射するのを少なくして、
発光領域層2から効率よく基板1に入射させるための光
ガイド層を設けている。図2の半導体発光素子は光ガイ
ド層を低屈折率層3とし、図3の半導体発光素子は光ガ
イド層を反射防止層4とし、図4と図5の半導体発光素
子は光ガイド層を光散乱層5としている。
【0015】基板1は、発光領域層2よりも低い屈折率
で、しかも発光領域層2の光を透過させる透光性を有す
る。基板1は、サファイア基板が適している。ただ、基
板にはGaN基板を用いることもできる。さらに基板に
は、スピネル[MgA1 のような絶縁性基板、S
iC(6H、4H、3Cを含む)]、ZnS、ZnO、
GaAs、Si、及び窒化物半導体と格子整合する酸化
物基板等、窒化物半導体を成長させることが可能であ
る、窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができ
る。異種基板は、オフアングルしていてもよい。この場
合、ステップ状にオフアングルしたものを用いると窒化
ガリウムからなる下地層を結晶性よく成長できる。
【0016】サファイア基板等の異種基板を基板とする
半導体発光素子は、緩衝層を介して基板に光ガイド層を
積層している。緩衝層は、発光領域層よりも低温で成長
される薄膜のGaN層またはAlGaN層である。緩衝
層の膜厚は、たとえば20nmで、この上に結晶成長さ
せる発光領域層の結晶性を向上させる。緩衝層の膜厚は
5〜30nmとすることもできる。
【0017】発光領域層2は、pn接合の窒化ガリウム
系化合物半導体層である。p層2Aとn層2Bは、各々
複数層の窒化ガリウム系化合物半導体を積層している。
図の発光領域層2は、基板1側にn層2Bを積層して、
この上にp層2Aを積層している。p層2Aの一部をエ
ッチング等で除去してn層2Bを表出し、n層2Bの表
出部にn電極7を接合している。
【0018】図の半導体発光素子は、p層2Aの表面
に、p電極6として半透明電極を積層している。半透明
電極は金属の薄膜で、光を透過させる透光性を有する
が、透過する光の一部を吸収する。さらに、半透明電極
は、入射される光の一部を反射させる。金属薄膜の半透
明電極は、薄くして光の吸収率を低くできる。ただ、薄
い半透明電極は電気抵抗が大きくなる。抵抗の大きい半
透明電極は、p層2Aの全体に均一に電圧をかけること
ができず、発光領域層2を均一に発光できなくなる。こ
のため、半透明電極は、電気抵抗で膜厚が制限されて薄
くできず、光の透過率を高くするのが難しい。
【0019】発光領域層2の表面に半透明電極を積層す
る半導体発光素子は、半透明電極を透過する光を外部に
放射できる。ただ、発光領域層2に積層する電極は、必
ずしも半透明電極とする必要はなく、光を透過させない
反射電極とすることもできる。反射電極は、光を透過さ
せないので、発光領域層2の発光を出射側端面から外部
に放射する。反射電極は、入射する光の一部を吸収して
反射する。
【0020】図2の半導体発光素子は、光ガイド層を低
屈折率層3とする。低屈折率層3は、発光領域層2の最
基板側層よりも屈折率を低くする層である。発光領域層
2の最基板側層とは、多数の窒化物半導体層を積層して
いる発光領域層2の最も基板1に近い側に位置する層で
ある。図2の半導体発光素子は、発光領域層2と基板1
との間に低屈折率層3を配設しているが、本発明の半導
体発光素子は、発光領域層の一部の層、とくに基板側の
一部の層を低屈折率層に併用することもできる。
【0021】低屈折率層3は、全体を同じ組成の窒化物
半導体層とし、あるいは発光領域層2から基板1に向か
って次第に屈折率が小さくなる層とすることができる。
低屈折率層3は、AlGa1−xN(0<x≦1)の
組成で示す窒化物半導体層である。この組成の窒化物半
導体層は、Alの混晶比を特定するxの値で屈折率を調
整できる。xの値を大きくすると屈折率は小さくなる。
したがって、基板1に向かって次第に屈折率を小さくす
る低屈折率層3は、基板1に向かってxの値を大きいA
Ga1−xNを積層する。現実の製造工程において
は、緩衝層を成長させている基板1に、AlGa
1−xNからなる低屈折率層3を結晶成長させるので、
低屈折率層3は、xの値が次第に小さくなるようにAl
Ga1−xN層を成長させる。基板1に向かって屈折
率を次第に小さくする低屈折率層3は、基板1に最も近
い層の屈折率を発光領域層2の最基板側層よりも小さく
する。ただ、低屈折率層3全体の屈折率を、発光領域層
2の最基板側層よりも小さくすることもできる。
【0022】全体を同じ屈折率とする低屈折率層3は、
発光領域層2の最基板側層よりも屈折率を低くする。発
光領域層2の最基板側層、いいかえると低屈折率層3に
直接に接している層の組成をGaN層とする半導体発光
素子は、低屈折率層3をAl Ga1−xN層とする。
発光領域層2の最基板側層をAlGaN層とする半導体
発光素子は、低屈折率層3をAlGa1−xN層とす
ると共に、Alの混晶比を最基板側層よりも大きくし
て、屈折率を最基板側層より小さくする。
【0023】低屈折率層3は、好ましくは膜厚を約1μ
mとする。ただ、低屈折率層3の膜厚は0.2〜2μm
とすることもできる。膜厚が0.2μmよりも薄い低屈
折率層3は、発光領域層2の発光を効果的に基板1に入
射できない。発光領域層2の発光波長に比較して膜厚が
薄すぎるからである。膜厚が2μmよりも厚い低屈折率
層3は、結晶成長に時間がかかって製造コストが高くな
る。したがって、低屈折率層3の膜厚は、効果とコスト
を考慮して前述の範囲とする。
【0024】図3の半導体発光素子は、光ガイド層を反
射防止層4としている。反射防止層4は透光性を有し、
かつその上に成長される発光領域層2の結晶成長を阻害
しない層で、GaN層やAlGa1−xN(0<x≦
1)層等の窒化物半導体層である。この発光領域層2
は、膜厚で発光領域層2から基板1に入射する光の反射
を防止する。膜厚を波長λの1/4またはその奇数倍と
する薄膜は反射を防止する性質がある。したがって、反
射防止層4は、発光領域層2の発光波長λの1/4、ま
たはその奇数倍の膜厚として、発光領域層2の発光を効
率よく基板1に入射させる。たとえば、発光領域層2の
発光波長を440nmとする半導体発光素子は、反射防
止層4の膜厚を110nmとする。ただ、反射防止層4
の膜厚は、正確にλ/4とする必要はない。λ/4の膜
厚に対して、+−20%以下の誤差がある膜厚とするこ
ともできる。
【0025】さらに、図4の半導体発光素子は、光ガイ
ド層を光散乱層5としている。光散乱層5は透光性を有
し、かつその上に成長される発光領域層2の結晶成長を
阻害しない層で、GaN層やAlGa1−xN(0<
x≦1)層等の窒化物半導体層である。光散乱層5は、
好ましくは膜厚を約1μmとする。ただ、光散乱層5
は、膜厚を0.2〜2μmとすることもできる。膜厚が
0.2μmよりも薄い光散乱層5は、発光領域層2の発
光を効果的に基板1に入射できない。発光領域層2の発
光波長に比較して膜厚が薄すぎるからである。膜厚が2
μmよりも厚い光散乱層5は、結晶成長に時間がかかっ
て製造コストが高くなる。したがって、光散乱層5の膜
厚は、効果とコストを考慮して、前述の範囲とする。
【0026】光散乱層5は、発光領域層2と接する面を
粗面5Aとして、発光領域層2から入射される光を種々
の方向に散乱させる。光散乱層5は、表面を粗面5Aと
するために、たとえば緩衝層や発光領域層2の成長速度
の約3〜10倍の速度で結晶成長させる。窒化物半導体
層は、急速成長させると表面を平滑な鏡面にできず、粗
面5Aとなる。この方法は、速やかに光散乱層5を成長
できる特長がある。
【0027】光散乱層5は、図5に示すように、緩衝層
に窒化物半導体層を成長させた後、フォトリソグラフィ
ー技術で粗面化し、この上に発光領域層2を成長させる
こともできる。この方法は、緩衝層の上に光散乱層5と
なる窒化物半導体層を成長させた後、この窒化物半導体
層のほぼ全面に、PVD装置により、Si酸化物(主と
して、SiO2)よりなる保護膜を形成し、保護膜の上
に所定の形状のマスクをかけて、RIE(反応性イオン
エッチング)装置により、CFガスを用い、フォトリ
ソグラフィー技術により所定の幅にエッチングして粗面
5Aを設ける。
【0028】
【実施例】[実施例1]図2に示す半導体発光素子は以
下の工程で製作される。 (1) サファイア基板1の表面に、緩衝層を結晶成長さ
せる。緩衝層はAlGaNで、膜厚を20nmとする。
緩衝層は、サファイア基板1をMOVPE反応容器内に
セットし、温度を500℃にして、トリメチルガリウム
(TMG)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アン
モニア(NH)を用いてAlGaN層を成長させる。 (2) 緩衝層の上にAlGa1−xN層の組成の低屈
折率層3を結晶成長させる。低屈折率層3は、成長が進
行するにしたがって、Alの混晶比を示すxの値を1か
ら0に次第に小さくする。したがって、最初にAlNを
積層し、その後次第にAlの混晶比を少なくして最後に
GaNを成長させる。低屈折率層3の膜厚は1μmとす
る。 (3) 低屈折率層3の上に、pn接合の発光領域層2を
成長し、n層2Bとp層2Aに電極を設ける。p電極6
は半透明電極とする。この半導体発光素子は、低屈折率
層3を設ける以外同じ構造とする図1に示す半導体発光
素子に比較して、外部量子効率が約10%改善される。
【0029】[実施例2]図3に示す半導体発光素子は
以下の工程で製作される。 (1) サファイア基板1の表面に、緩衝層を結晶成長さ
せる。緩衝層はAlGaNで、膜厚を20nmとする。
緩衝層は、サファイア基板1をMOVPE反応容器内に
セットし、温度を500℃にして、トリメチルガリウム
(TMG)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アン
モニア(NH)を用いてAlGaN層を成長させる。 (2) 緩衝層の上にAl0.3Ga0.7N層の組成の
反射防止層4を結晶成長させる。この低屈折率層3の膜
厚は110nmとする。 (3) 低屈折率層3の上に、pn接合の発光領域層2を
成長し、n層2Bとp層2Aに電極を設ける。p電極6
は半透明電極とし、発光領域層2の発光波長を440n
mとする。この半導体発光素子は、反射防止層4を設け
る以外同じ構造とする図1に示す半導体発光素子に比較
して、外部量子効率が約10%改善される。
【0030】[実施例3]図4に示す半導体発光素子は
以下の工程で製作される。 (1) サファイア基板1の表面に、緩衝層を結晶成長さ
せる。緩衝層はAlGaNで、膜厚を20nmとする。
緩衝層は、サファイア基板1をMOVPE反応容器内に
セットし、温度を500℃にして、トリメチルガリウム
(TMG)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アン
モニア(NH)を用いてAlGaN層を成長させる。 (2) 緩衝層の上にAl0.3Ga0.7N層の組成の
光散乱層5を1μmの膜厚となるまで結晶成長させる。
光散乱層5は、成長速度を発光領域層2の5倍として、
表面を粗面5Aとする。 (3) 光散乱層5の上に、pn接合の発光領域層2を成
長し、n層2Bとp層2Aに電極を設ける。p電極6は
半透明電極とする。この半導体発光素子は、光散乱層5
を設ける以外同じ構造とする図1に示す半導体発光素子
に比較して、外部量子効率が約10%改善される。
【0031】[実施例4]図5に示す半導体発光素子は
以下の工程で製作される。 (1) サファイア基板1の表面に、緩衝層を結晶成長さ
せる。緩衝層はAlGaNで、膜厚を20nmとする。
緩衝層は、サファイア基板1をMOVPE反応容器内に
セットし、温度を500℃にして、トリメチルガリウム
(TMG)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アン
モニア(NH)を用いてAlGaN層を成長させる。 (2) 緩衝層の上にAl0.3Ga0.7N層の組成の
光散乱層5を1μmの膜厚に結晶成長させる。その後、
この光散乱層5をフォトリソグラフィー技術を用いてパ
ターニングして粗面化する。光散乱層5は、2μmのピ
ッチで幅を1μmとする溝を設けて粗面化する。 (3) 光散乱層5の上に、pn接合の発光領域層2を成
長し、n層2Bとp層2Aに電極を設ける。p電極6は
半透明電極とする。この半導体発光素子は、光散乱層5
を設ける以外同じ構造とする図1に示す半導体発光素子
に比較して、外部量子効率が約10%改善される。
【0032】
【発明の効果】本発明の半導体発光素子は、内部での光
の吸収をできる限り少なくして、発光出力を高くできる
特長がある。それは、本発明の半導体発光素子が、基板
と発光領域層との間に、低屈折率層あるいは反射防止層
あるいは光散乱層を設けているからである。本発明の半
導体発光素子は、低屈折率層や反射防止層や光散乱層に
よって、発光領域層から基板に入射する光が反射する割
合を減少させるので、光が薄い発光領域層内で繰り返し
反射されるのを有効に阻止できる。したがって、電極や
発光領域層で光が吸収されるのをできる限り少なくし
て、発光出力を高くできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の半導体発光素子の断面図
【図2】本発明の実施例1の半導体発光素子の断面図
【図3】本発明の実施例2の半導体発光素子の断面図
【図4】本発明の実施例3の半導体発光素子の断面図
【図5】本発明の実施例4の半導体発光素子の断面図
【符号の説明】
1…基板 2…発光領域層 2A…p層 2B
…n層 3…低屈折率層 4…反射防止層 5…光散乱層 5A…粗面 6…p電極 7…n電極

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光を透過させる透光性を有する基板(1)
    と、この基板(1)に積層されてなる窒化物半導体の発光
    領域層(2)と、この発光領域層(2)の表面に設けている光
    を吸収する電極とを備える半導体発光素子であって、 基板(1)と発光領域層(2)との間に、発光領域層(2)の最
    基板側層よりも屈折率が小さい低屈折率層(3)を配設し
    てなることを特徴とする半導体発光素子。
  2. 【請求項2】 低屈折率層(3)がAlGa1−x
    (0<x≦1)層である請求項1に記載の半導体発光素
    子。
  3. 【請求項3】 低屈折率層(3)の膜厚が0.2〜2μm
    である請求項1に記載の半導体発光素子。
  4. 【請求項4】 低屈折率層(3)と基板(1)との間に緩衝層
    を設けている請求項1に記載の半導体発光素子。
  5. 【請求項5】 光を透過させる透光性を有する基板(1)
    と、この基板(1)に積層されてなる窒化物半導体の発光
    領域層(2)と、この発光領域層(2)の表面に設けている光
    を吸収する電極とを備える半導体発光素子であって、 基板(1)と発光領域層(2)との間に、反射防止層(4)を設
    けており、この反射防止層(4)でもって、発光領域層(2)
    から基板(1)に入射する光の反射を減少させるようにし
    てなることを特徴とする半導体発光素子。
  6. 【請求項6】 反射防止層(4)の厚さが、発光領域層(2)
    の発光波長λの1/4、またはその奇数倍である請求項
    5に記載の半導体発光素子。
  7. 【請求項7】 反射防止層(4)がAlGa1−x
    (0<x≦1)層である請求項5に記載の半導体発光素
    子。
  8. 【請求項8】 反射防止層(4)と基板(1)との間に緩衝層
    を設けている請求項5に記載の半導体発光素子。
  9. 【請求項9】 光を透過させる透光性を有する基板(1)
    と、この基板(1)に積層されてなる窒化物半導体の発光
    領域層(2)と、この発光領域層(2)の表面に設けている光
    を吸収する電極とを備える半導体発光素子であって、 基板(1)と発光領域層(2)との間に、発光領域層(2)から
    基板(1)に入射する光を散乱させる光散乱層(5)を設けて
    おり、この光散乱層(5)でもって、発光領域層(2)から基
    板(1)に入射する光が全反射する割合を減少させるよう
    にしてなることを特徴とする半導体発光素子。
  10. 【請求項10】 光散乱層(5)がAlGa1−x
    (0<x≦1)層である請求項9に記載の半導体発光素
    子。
  11. 【請求項11】 光散乱層(5)の膜厚が0.2〜2μm
    である請求項9に記載の半導体発光素子。
  12. 【請求項12】 光散乱層(5)と基板(1)との間に緩衝層
    を設けている請求項9に記載の半導体発光素子。
JP2001242108A 2001-08-09 2001-08-09 半導体発光素子 Pending JP2003060227A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001242108A JP2003060227A (ja) 2001-08-09 2001-08-09 半導体発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001242108A JP2003060227A (ja) 2001-08-09 2001-08-09 半導体発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003060227A true JP2003060227A (ja) 2003-02-28

Family

ID=19072442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001242108A Pending JP2003060227A (ja) 2001-08-09 2001-08-09 半導体発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003060227A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004335559A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Nichia Chem Ind Ltd Iii族窒化物基板を用いる半導体素子
EP2823515A4 (en) * 2012-03-06 2015-08-19 Soraa Inc LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004335559A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Nichia Chem Ind Ltd Iii族窒化物基板を用いる半導体素子
EP2823515A4 (en) * 2012-03-06 2015-08-19 Soraa Inc LIGHT-EMITTING DIODES WITH MATERIAL LAYERS WITH LOW BREAKING INDEX TO REDUCE LIGHT PIPE EFFECTS
US10096755B2 (en) 2012-03-06 2018-10-09 Soraa, Inc. Light emitting diode with low refractive index material layers to reduce light guiding effects

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7149233B2 (en) Semiconductor laser device and its manufacturing method
JP4123828B2 (ja) 半導体発光素子
JP3439063B2 (ja) 半導体発光素子および発光ランプ
US7888694B2 (en) Nitride-based semiconductor light emitting device with light extraction layer formed within
US7518153B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device
US9252330B2 (en) Semiconductor light emitting element
KR101647150B1 (ko) 각도 필터 부재를 포함한 발광 다이오드칩
EP0430041B1 (en) Light-emitting diode having light reflecting layer
JP3346735B2 (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US7084432B2 (en) Nitride semiconductor light emitting diode
JP5354622B2 (ja) 半導体発光ダイオード
JP2007053358A (ja) 発光素子
JP2003163368A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法、ledランプ並びにled表示装置
WO2006132013A1 (ja) 半導体発光素子
JP2007019488A (ja) 半導体発光素子
TWI730079B (zh) 深紫外線發光元件
JP4066681B2 (ja) 発光素子及び発光素子の製造方法
JP3645994B2 (ja) GaN系半導体発光素子
JP2008159894A (ja) 発光素子及び照明装置
JP2008130894A (ja) 発光素子及び照明装置
JP2836686B2 (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2008181910A (ja) GaN系発光ダイオード素子の製造方法
US20010020699A1 (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2003060227A (ja) 半導体発光素子
JP4773597B2 (ja) 半導体発光素子