JP2003051482A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機溶剤の消費量を削減できる基板処理技術
を提供する。 【解決手段】 処理槽２０において基板Ｗの洗浄処理が
終了した後、第１供給ノズル４０および第２供給ノズル
５０から窒素ガスを供給しつつ処理槽２０内から純水が
排出される。そして、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸
気(有機溶剤の蒸気)を吐出してＩＰＡ蒸気の気流域ＡＲ
を形成し、この気流域ＡＲを基板Ｗが通過するように基
板Ｗを引き揚げる。これにより、基板ＷにＩＰＡ蒸気が
吹き付けられ、乾燥が行われることとなる。その結果、
ＩＰＡ蒸気を基板Ｗに効率よく供給できるため、有機溶
剤の消費量を削減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水による洗浄処
理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、
フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以
下、単に「基板」と称する）の乾燥処理を行う基板処理
技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板の製造工程においては、
フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処理を
順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプロピ
ルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）等の有機溶
剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処
理装置が用いられている。特に、基板上に形成されるパ
ターンの構造の複雑化、微細化が進展している近年にお
いては、ＩＰＡ蒸気を供給しつつ純水から基板を引き揚
げる引き揚げ乾燥方式が主流になりつつある。

【０００３】従来の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置
は、図９に示すように純水による洗浄処理を行う処理槽
９２を収容器９０の内部に収容している。処理槽９２に
おける基板Ｗの洗浄処理終了後に、収容器９０内に窒素
ガスを供給しつつ基板Ｗを昇降機構９３によって処理槽
９２から引き揚げてから、図９中矢印ＦＩ９に示すよう
に、供給ノズル９１からＩＰＡ蒸気を吐出する。これに
より、収容器９０内がＩＰＡ蒸気で満たされて、基板Ｗ
にＩＰＡが凝縮し、それが乾燥することにより、基板の
乾燥処理が行われることとなる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
引き揚げ乾燥方式の基板処理装置においては、収容器９
０内全体にＩＰＡ蒸気を供給することが必要であり、Ｉ
ＰＡ蒸気が基板に効率良く供給されているとは言えず、
ＩＰＡの消費量が多いという問題が発生していた。

【０００５】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、有機溶剤の消費量を削減できる基板処理技術を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、純水による基板の洗浄処理が終
了した後、基板の乾燥処理を行う基板処理装置であっ
て、純水を貯留し、純水中に基板を浸漬して洗浄処理を
行う処理槽と、前記処理槽を収容する収容器と、前記処
理槽内で前記基板を保持しつつ、前記処理槽に貯留され
た純水を排水する排水手段と、有機溶剤の蒸気を吐出
し、前記収容器内において有機溶剤の気流域を形成する
有機溶剤吐出手段と、前記排水手段により排水された前
記処理槽から前記洗浄処理が終了した基板を引き揚げる
引き揚げ手段とを備え、前記引き揚げ手段によって基板
を引き揚げる際に、基板が有機溶剤の気流域を通過す
る。

【０００７】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記処理槽内に不活性ガ
スを流入させる不活性ガス流入手段を備え、前記不活性
ガス流入手段により、前記処理槽内に不活性ガスを流入
させつつ、前記排水手段は、純水を排水する。

【０００８】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記有機
溶剤吐出手段は、前記処理槽の開口部の近傍に設けら
れ、前記処理槽の上方で略水平方向に有機溶剤の蒸気を
吐出する吐出部を有する。

【０００９】また、請求項４の発明は、請求項１ないし
請求項３のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記有機溶剤の気流域は、前記引き揚げ手段によっ
て基板が引き揚げられる経路の一部について形成され
る。

【００１０】また、請求項５の発明は、請求項１ないし
請求項４のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの
蒸気である。

【００１１】また、請求項６の発明は、請求項１ないし
請求項５のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記引き揚げ手段は、相互に間隔を隔てた複数の基
板を一括して引き揚げる。

【００１２】また、請求項７の発明は、純水を貯留可能
な処理槽と、前記処理槽を収容する収容器とを有する基
板処理装置を利用する基板処理方法であって、前記処理
槽に貯留される純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う
処理工程と、前記処理槽内で前記基板を保持しつつ、前
記処理槽に貯留された純水を排水する排水工程と、有機
溶剤の蒸気を吐出し、前記収容器内において有機溶剤の
気流域を形成する有機溶剤吐出工程と、排水された前記
処理槽から前記洗浄処理が終了した基板を引き揚げる引
き揚げ工程とを備え、前記基板を引き揚げる際に、前記
基板が有機溶剤の気流域を通過する。

【００１３】また、請求項８の発明は、請求項７の発明
に係る基板処理方法において、前記排水工程は、前記処
理槽内に不活性ガスを流入させつつ、純水を排水する工
程を有する。

【００１４】また、請求項９の発明は、請求項７または
請求項８の発明に係る基板処理方法において、前記有機
溶剤吐出工程は、前記処理槽の開口部の近傍に設けられ
る吐出部から、前記処理槽の上方で略水平方向に有機溶
剤の蒸気を吐出する吐出工程を有する。

【００１５】また、請求項１０の発明は、請求項７ない
し請求項９のいずれかの発明に係る基板処理方法におい
て、前記有機溶剤吐出工程は、前記有機溶剤の気流域
を、前記基板が引き揚げられる経路の一部について形成
する工程を有する。

【００１６】また、請求項１１の発明は、請求項７ない
し請求項１０のいずれかの発明に係る基板処理方法にお
いて、前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコール
の蒸気である。

【００１７】また、請求項１２の発明は、請求項７ない
し請求項１１のいずれかの発明に係る基板処理方法にお
いて、前記引き揚げ工程では、相互に間隔を隔てた複数
の基板を一括して引き揚げる。

【００１８】

【発明の実施の形態】＜基板処理装置の要部構成＞図１
は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１の正面図で
ある。また、図２は、図１のII−II位置から見た断面図
である。なお、図１および以下の各図にはそれらの方向
関係を明確にするため、ＸＹ平面を水平面としＺ軸方向
を鉛直方向とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

【００１９】この基板処理装置１は、純水による洗浄処
理が終了した基板Ｗを、有機溶剤であるＩＰＡにより乾
燥させる装置であって、主として収容器１０と、処理槽
２０と、昇降機構３０と、第１供給ノズル４０と、第２
供給ノズル５０とを備えている。

【００２０】処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水
（以下、これらを総称して「処理液」とする）を貯留し
て基板に順次表面処理を行う槽であり、収容器１０の内
部に収容されている。処理槽２０の底部近傍には処理液
吐出ノズル（図示省略）が配置されており、図外の処理
液供給源からその処理液吐出ノズルを介して処理槽２０
内に処理液を供給することができる。この処理液は処理
槽２０の底部から供給されてオーバーフロー面、すなわ
ち処理槽２０の開口部２０ｐから溢れ出る。また、処理
槽２０では、後述する排液バルブ４７（図３参照）の開
放によって処理槽２０内に貯留された処理液を排出する
ことも可能である。

【００２１】収容器１０は、その内部に処理槽２０、昇
降機構３０、第１供給ノズル４０、第２供給ノズル５０
等を収容する筐体である。収容器１０の上部１１は、概
念的に図示されたスライド式開閉機構１２によって開閉
可能とされている（以下の図２〜図８は、この開閉機構
１２を図示省略）。収容器１０の上部１１を開放した状
態では、その開放部分から基板Ｗの搬出入を行うことが
できる。一方、収容器１０の上部１１を閉鎖した状態で
は、その内部を密閉空間とすることができる。

【００２２】昇降機構３０は、処理槽２０に貯留されて
いる処理液に一組の複数の基板Ｗ（ロット）を浸漬させ
る機構である。昇降機構３０は、リフター３１と、リフ
ターアーム３２と、基板Ｗを保持する３本の保持棒３
３、３４、３５とを備えている。３本の保持棒３３、３
４、３５のそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで
基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔
にてＸ方向に配列して設けられている。それぞれの保持
溝は、切欠状の溝である。３本の保持棒３３、３４、３
５はリフターアーム３２に固設され、リフターアーム３
２はリフター３１によって鉛直方向（Ｚ方向）に昇降可
能に設けられている。

【００２３】このような構成により、昇降機構３０は３
本の保持棒３３、３４、３５によってＸ方向に相互に平
行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽２０に
貯留されている処理液に浸漬する位置（図１の実線位
置）とその処理液から引き揚げた位置（図１の仮想線位
置）との間で経路ＰＴに沿って昇降させることができ
る。なお、リフター３１には、リフターアーム３２を昇
降させる機構として、ボールネジを用いた送りネジ機構
やプーリやベルトを用いたベルト機構など種々の公知の
機構を採用することが可能である。また、昇降機構３０
を図１の仮想線位置に位置させるとともに、収容器１０
の上部１１を開放することにより、装置外部の基板搬送
ロボットと昇降機構３０との間で基板Ｗの受け渡しを行
うことができる。

【００２４】また、処理槽２０の外部には、開口部２０
ｐの近傍に２本の第１供給ノズル４０が設けられてい
る。２本の第１供給ノズル４０は、昇降機構３０によっ
て引き揚げられつつある複数の基板Ｗの両側の側方のそ
れぞれに設けられている。第１供給ノズル４０のそれぞ
れは、Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ
方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔４１を備えて
いる。複数の吐出孔４１のそれぞれは、吐出方向を、オ
ーバーフロー面と平行に向けるように形成されている。
そして、第１供給ノズル４０のそれぞれは、複数の吐出
孔４１から水平方向(Ｙ方向)に向けてＩＰＡ蒸気、また
は不活性ガスである窒素ガスを吐出し、処理槽２０の上
方に当該ＩＰＡ蒸気、または窒素ガスの雰囲気を形成す
ることができる。

【００２５】さらに、収容器１０の内部であって処理槽
２０の上端よりも外側上方には２本の第２供給ノズル５
０が設けられている。２本の第２供給ノズル５０は、そ
れぞれ第１供給ノズル４０の下方に設けられている。第
２供給ノズル５０のそれぞれは、Ｘ方向に沿って伸びる
中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて配列された
複数の吐出孔５１を備えている。複数の吐出孔５１のそ
れぞれは、吐出方向を処理槽２０の開口部２０ｐに向け
るように形成されている。そして、第２供給ノズル５０
のそれぞれは、複数の吐出孔５１から処理槽２０の開口
部２０ｐに向けて窒素ガスを吐出し、処理槽２０内に当
該窒素ガスを含む雰囲気を形成することができる。

【００２６】第１供給ノズル４０および第２供給ノズル
５０には、収容器１０外部の供給機構から、ＩＰＡ蒸気
や窒素ガス等を供給することができる。図３は、基板処
理装置１の配管等の構成を示す模式図である。第１供給
ノズル４０は、ＩＰＡ供給源４２および窒素ガス供給源
４４と配管を介して接続されている。ＩＰＡバルブ４３
を開放することによって、ＩＰＡ供給源４２から第１供
給ノズル４０にＩＰＡ蒸気を供給することができる。第
１供給ノズル４０に供給されたＩＰＡ蒸気は、複数の吐
出孔４１のそれぞれから水平方向に、基板Ｗの主面に平
行な流れを形成して吐出される。なお、このときキャリ
アガスとしては、窒素ガスが使用されている。

【００２７】また、窒素ガスバルブ４６を開放すること
によって、窒素ガス供給源４４から第１供給ノズル４０
に窒素ガスを供給することができる。第１供給ノズル４
０に供給された窒素ガスは、複数の吐出孔４１のそれぞ
れから水平方向に、基板Ｗの主面に平行な流れを形成し
て吐出される。

【００２８】すなわち、窒素ガスバルブ４６を閉鎖して
ＩＰＡバルブ４３を開放すれば第１供給ノズル４０から
処理槽２０のオーバフロー面と平行にＩＰＡ蒸気を供給
することができ、逆にＩＰＡバルブ４３を閉鎖して窒素
ガスバルブ４６を開放すれば処理槽２０のオーバーフロ
ー面と平行に窒素ガスを供給することができる。

【００２９】第２供給ノズル５０は、窒素ガス供給源４
４と配管を介して接続されている。窒素ガスバルブ４５
を開放することによって、窒素ガス供給源４４から第２
供給ノズル５０に窒素ガスを供給することができる。第
２供給ノズル５０に供給された窒素ガスは、複数の吐出
孔５１のそれぞれから処理槽２０の開口部２０ｐに向け
て、基板Ｗの主面に平行な流れを形成して吐出される。

【００３０】また、処理槽２０の底部と装置外の排液ラ
インとは配管を介して接続されており、その配管には排
液バルブ４７が介挿されている。この排液バルブ４７を
開放することによって、処理槽２０内の処理液が排出さ
れることとなる。

【００３１】収容器１０内と装置外の排気ラインとは配
管を介して接続されており、その配管には排気バルブ４
８と排気（減圧）ポンプ４９が介挿されている。排気バ
ルブ４７を開放して排気ポンプ４９を駆動させることに
よって、収容器１０内の雰囲気が排気されることとな
る。

【００３２】なお、図３に示すＩＰＡバルブ４３、窒素
ガスバルブ４５、４６、排液バルブ４７、排気バルブ４
８および排気ポンプ４９は、いずれも制御部６０によっ
てその動作が制御される。この制御部６０および排液バ
ルブ４７が排水手段として機能することとなる。

【００３３】＜基板処理装置１における乾燥処理＞図４
は、基板処理装置１における基板処理の動作を説明する
フローチャートである。また、図５から図８は、基板処
理装置１における処理の様子を説明する図である。以下
では、基板処理装置１の処理手順について図４から図８
を参照しつつ説明する。

【００３４】上記の基板処理装置１において基板Ｗに処
理を行うときは、まず、昇降機構３０が図外の基板搬送
ロボットから複数の基板Ｗを受け取る。そして、収容器
１０が密閉されるとともに、昇降機構３０がＸ方向に相
互に間隔を隔てて一括保持した複数の基板Ｗを降下さ
せ、基板Ｗを処理槽２０内に搬入するための開口部２０
ｐから処理槽２０に貯留された純水中に浸漬させる(ス
テップＳ１)。この段階においては、処理槽２０に純水
が供給され続けており、処理槽２０の上端のオーバーフ
ロー面からは純水が溢れ出し続けている。処理槽２０か
ら溢れ出した純水は、処理槽２０の上端部外側に設けら
れた回収部によって回収され、装置外の排液ラインに排
出される。

【００３５】ステップＳ２では、基板の洗浄処理を行
う。ここでは、処理槽２０に貯留された純水に複数の基
板Ｗを浸漬した状態を維持しつつ、処理槽２０に薬液ま
たは純水を順次供給することによりエッチングや洗浄処
理を予め定められた順序に従って進行させる（図５の状
態）。この段階においても、処理槽２０の上端から薬液
または純水が溢れ出し続けており、溢れ出した処理液は
上記の回収部によって回収される。

【００３６】そして、図５の状態においては、図５中矢
印ＦＮ４１に示すように第１供給ノズル４０から窒素ガ
スを水平方向に吐出するとともに、図５中矢印ＦＮ４２
に示すように第２供給ノズル５０から窒素ガスを処理槽
２０の開口部２０ｐに向けて吐出する。これにより、収
容器１０の内部が窒素雰囲気となり、窒素雰囲気下で基
板Ｗの処理が進行することとなる。

【００３７】基板Ｗに対する表面処理が進行すると、や
がて最終の仕上洗浄処理に至る。本実施形態では、仕上
洗浄処理も通常の洗浄処理と同じく、処理槽２０に純水
を貯留し、その純水中に複数の基板Ｗを浸漬することに
よって行われる。なお、最終の仕上洗浄処理の段階にお
いても窒素ガスの供給が行われており、第１供給ノズル
４０および第２供給バルブ５０から窒素ガスが吐出さ
れ、窒素雰囲気下にて仕上洗浄処理が行われる。

【００３８】ステップＳ３では、処理槽２０に貯留され
た純水を排水する。すなわち、処理槽２０内における基
板Ｗの洗浄処理(ステップＳ２)が終了すると、図６に示
すように、基板Ｗを処理槽２０内に保持したまま、処理
槽２０内に貯留された純水を排水する。ここでも、図６
中矢印ＦＮ５１に示すように第１供給ノズル４０から窒
素ガスを水平方向に吐出するとともに、図６中矢印ＦＮ
５２に示すように第２供給バルブ５０から窒素ガスを処
理槽２０の開口部２０ｐに向けて吐出することによって
処理槽２０内に窒素ガスを流入させる。これにより、基
板Ｗにおけるウォーターマークの発生を防止できること
となる。また、処理槽２０内への窒素ガスの流入によ
り、基板Ｗの表面全体が窒素で覆われる。

【００３９】上記のように処理槽２０内で基板Ｗを保持
した状態で排水する、すなわち処理槽２０内の界面(水
面)を低下させることで基板Ｗを収容器１０内の雰囲気
に露出させる場合には、純水から基板Ｗを引き揚げるこ
とで基板を露出させる場合に対して、引き揚げに伴う基
板Ｗの揺れ(振動)が発生することがないため、界面付近
で生じうる基板へのパーティクルの再付着を効果的に防
止できる。特に、雰囲気への基板Ｗの露出速度を上げた
い場合には、基板Ｗを保持して排水する方法が有効とな
る。

【００４０】ステップＳ４では、ＩＰＡ蒸気の気流域Ａ
Ｒを形成する。すなわち、処理槽２０内の排水(ステッ
プＳ３)が終了した後、吐出部として機能する第１供給
ノズル４０からＩＰＡ蒸気を処理槽２０の上方で略水平
方向に吐出し、ＩＰＡ蒸気の気流域ＡＲ(図７の仮想線
部)を形成する。このＩＰＡ蒸気の気流域ＡＲは、第１
供給ノズル４０付近において吐出孔４１の吐出方向に一
定以上の流速を有するＩＰＡ蒸気のゾーンとなってい
る。なお、第２供給ノズル５０からは、継続して窒素ガ
ス流ＦＮ６２を処理槽２０内に供給する。

【００４１】ステップＳ６では、処理槽２０から基板Ｗ
を引き揚げる。この際、引き揚げ手段として機能する昇
降機構３０を駆動し、相互に間隔を隔てた複数の基板を
Ｗを処理槽２０から一括して引き揚げる。ここでは、図
７に示すように、第１供給ノズル４０により収容器１０
内の局所において形成された気流域ＡＲを複数の基板Ｗ
が通過する。このように引き揚げ経路ＰＴ(図１参照)の
一部について形成されるＩＰＡ蒸気の気流域ＡＲにおい
てＩＰＡ蒸気が基板Ｗに直接的に吹き付けられ、複数の
基板Ｗが乾燥されることとなる。この場合、混合気体で
なく単一の気体つまりＩＰＡのみが窒素ガスにさらされ
ていた基板Ｗに作用し、基板Ｗの表面全体がＩＰＡで覆
われることとなる。

【００４２】このように気流域ＡＲを基板Ｗが通過する
ことにより、基板ＷにＩＰＡ蒸気を効率よく供給できる
ため、ＩＰＡ蒸気の消費量が削減できる。すなわち、収
容器１０内の一部のスペースにＩＰＡ蒸気を重点的に供
給するため、収容器１０内全体にＩＰＡ蒸気を供給する
従来の方法に比べて、ＩＰＡの消費量を著しく減少でき
ることとなる。

【００４３】基板ＷがＩＰＡ蒸気の気流域ＡＲを通過す
ると、図８中矢印ＦＮ７１に示すように第１供給ノズル
４０から窒素ガスを水平方向に吐出する。なお、第２供
給ノズル５０からは、窒素ガス流ＦＮ７２を処理槽２０
内に供給する。そして、第１供給ノズル４０および第２
供給ノズル５０から窒素ガスを収容器１０内に供給しつ
つ、排気ポンプ４９を駆動し、図８中矢印ＥＸに示すよ
うにＩＰＡ蒸気を収容器１０外部に排気する。これによ
り、基板Ｗの乾燥が終了し、基板Ｗの乾燥に使用され残
留する収容器１０内のＩＰＡ蒸気の濃度を下げて除去で
きることとなる。

【００４４】その後、基板Ｗを昇降機構３０によりさら
に引き揚げ、基板Ｗが図１中の仮想線位置にまで到達し
た時点で、昇降機構３０が停止し、基板Ｗの引き揚げが
完了する。この時点においては、第１供給ノズル４０お
よび第２供給ノズル５０からのガス供給が停止される。
そして、基板Ｗが図１中の仮想線位置まで引き揚げられ
ると、基板Ｗは基板搬送ロボットに渡されて一連の処理
が終了する。

【００４５】以上の基板処理装置１の動作により、基板
ＷをＩＰＡ蒸気の気流域ＡＲを通過させるように引き揚
げ、基板Ｗに対して直接的にＩＰＡ蒸気を供給するた
め、ＩＰＡの供給量を削減でき、乾燥効率が向上する。
また、ＩＰＡ蒸気の気流域ＡＲを通過させつつ基板Ｗを
乾燥させるので、より均一な乾燥が可能となる。

【００４６】＜変形例＞上記の実施形態については、加
熱された窒素ガスを供給するようにしても良い。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項１２の発明によれば、排水された処理槽から洗浄処
理が終了した基板を引き揚げる際に、基板が有機溶剤の
気流域を通過するため、有機溶剤の消費量を削減でき
る。また、処理槽内で基板を保持しつつ純水を排水する
ため、基板に対するパーティクルの再付着を抑制でき
る。

【００４８】特に、請求項２および請求項８の発明にお
いては、有機溶剤の気流域を形成する前に、処理槽内に
不活性ガスを流入させつつ、純水を排水するため、有機
溶剤の蒸気による基板乾燥が適切に開始できる。

【００４９】また、請求項３および請求項９の発明にお
いては、処理槽の開口部の近傍に設けられる吐出部から
開口部に向けて有機溶剤の蒸気を吐出するため、基板に
有機溶剤の蒸気を効率よく供給できる。

【００５０】また、請求項４および請求項１０の発明に
おいては、有機溶剤の気流域は基板が引き揚げられる経
路の一部について形成されるため、基板に有機溶剤の蒸
気を適切に供給できる。

【００５１】また、請求項５および請求項１１の発明に
おいては、有機溶剤の蒸気がイソプロピルアルコールの
蒸気であるため、効率よく基板乾燥が行える。

【００５２】また、請求項６および請求項１２の発明に
おいては、相互に間隔を隔てた複数の基板を一括して引
き揚げるため、基板処理を効率よく行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置１の正面
図である。

【図２】図１のII−II位置から見た断面図である。

【図３】基板処理装置１の配管等の構成を示す模式図で
ある。

【図４】基板処理装置１における基板処理の動作を説明
するフローチャートである。

【図５】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図６】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図７】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図８】基板処理装置１における処理の様子を説明する
図である。

【図９】従来例に係る基板乾燥処理の様子を説明する図
である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 １０ 収容器 ２０ 処理槽 ３０ 昇降機構 ４０ 第１供給ノズル ５０ 第２供給ノズル ＦＮ 窒素ガス流 ＦＩ ＩＰＡ蒸気流 Ｗ 基板

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 純水による基板の洗浄処理が終了した
   後、基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、 純水を貯留し、純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う
   処理槽と、 前記処理槽を収容する収容器と、 前記処理槽内で前記基板を保持しつつ、前記処理槽に貯
   留された純水を排水する排水手段と、 有機溶剤の蒸気を吐出し、前記収容器内において有機溶
   剤の気流域を形成する有機溶剤吐出手段と、 前記排水手段により排水された前記処理槽から前記洗浄
   処理が終了した基板を引き揚げる引き揚げ手段と、を備
   え、 前記引き揚げ手段によって基板を引き揚げる際に、基板
   が有機溶剤の気流域を通過することを特徴とする基板処
   理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記処理槽内に不活性ガスを流入させる不活性ガス流入
   手段を備え、 前記不活性ガス流入手段により、前記処理槽内に不活性
   ガスを流入させつつ、前記排水手段は、純水を排水する
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理装置において、 前記有機溶剤吐出手段は、 前記処理槽の開口部の近傍に設けられ、前記処理槽の上
   方で略水平方向に有機溶剤の蒸気を吐出する吐出部、を
   有することを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
   載の基板処理装置において、 前記有機溶剤の気流域は、前記引き揚げ手段によって基
   板が引き揚げられる経路の一部について形成されること
   を特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
   載の基板処理装置において、 前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気
   であることを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかに記
   載の基板処理装置において、 前記引き揚げ手段は、相互に間隔を隔てた複数の基板を
   一括して引き揚げることを特徴とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 純水を貯留可能な処理槽と、前記処理槽
   を収容する収容器とを有する基板処理装置を利用する基
   板処理方法であって、 前記処理槽に貯留される純水中に基板を浸漬して洗浄処
   理を行う処理工程と、 前記処理槽内で前記基板を保持しつつ、前記処理槽に貯
   留された純水を排水する排水工程と、 有機溶剤の蒸気を吐出し、前記収容器内において有機溶
   剤の気流域を形成する有機溶剤吐出工程と、 排水された前記処理槽から前記洗浄処理が終了した基板
   を引き揚げる引き揚げ工程と、を備え、 前記基板を引き揚げる際に、前記基板が有機溶剤の気流
   域を通過することを特徴とする基板処理方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理方法におい
   て、 前記排水工程は、 前記処理槽内に不活性ガスを流入させつつ、純水を排水
   する工程、を有することを特徴とする基板処理方法。
9. 【請求項９】 請求項７または請求項８に記載の基板処
   理方法において、 前記有機溶剤吐出工程は、 前記処理槽の開口部の近傍に設けられる吐出部から、前
   記処理槽の上方で略水平方向に有機溶剤の蒸気を吐出す
   る吐出工程、を有することを特徴とする基板処理方法。
10. 【請求項１０】 請求項７ないし請求項９のいずれかに
    記載の基板処理方法において、 前記有機溶剤吐出工程は、 前記有機溶剤の気流域を、前記基板が引き揚げられる経
    路の一部について形成する工程、を有することを特徴と
    する基板処理方法。
11. 【請求項１１】 請求項７ないし請求項１０のいずれか
    に記載の基板処理方法において、 前記有機溶剤の蒸気は、イソプロピルアルコールの蒸気
    であることを特徴とする基板処理方法。
12. 【請求項１２】 請求項７ないし請求項１１のいずれか
    に記載の基板処理方法において、 前記引き揚げ工程では、相互に間隔を隔てた複数の基板
    を一括して引き揚げることを特徴とする基板処理方法。