JP2003046032A - 銅複合材放熱基板、半導体パワーモジュール及びその製造方法 - Google Patents
銅複合材放熱基板、半導体パワーモジュール及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003046032A JP2003046032A JP2001226128A JP2001226128A JP2003046032A JP 2003046032 A JP2003046032 A JP 2003046032A JP 2001226128 A JP2001226128 A JP 2001226128A JP 2001226128 A JP2001226128 A JP 2001226128A JP 2003046032 A JP2003046032 A JP 2003046032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor power
- heat dissipation
- copper composite
- copper
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 放熱基板及びこの放熱基板を用いた半導体パ
ワーモジュールを製造が容易で高信頼度に提供するこ
と。 【解決手段】 銅複合材混合粉末を、数十〜数百ミクロ
ンの微少な彎曲（反り）を形成した金型に充填し高圧で
プレスして半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備
成形体（プリフォーム）を造り、この予備成形体を不活
性雰囲気中で焼結し前記予備成形体から体積収縮率５〜
１５％の範囲で収縮した半導体パワー素子の放熱基板用
の焼結成形体１を得る。この焼結成形体１に機械加工を
施すこと無く、その表面に半導体パワー素子のセラミッ
クス絶縁基板８を金属板７およびろう材６を介して接合
するという粉末冶金製造法によるNear Net Shape化技術
によって半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板を製造
する。
ワーモジュールを製造が容易で高信頼度に提供するこ
と。 【解決手段】 銅複合材混合粉末を、数十〜数百ミクロ
ンの微少な彎曲（反り）を形成した金型に充填し高圧で
プレスして半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備
成形体（プリフォーム）を造り、この予備成形体を不活
性雰囲気中で焼結し前記予備成形体から体積収縮率５〜
１５％の範囲で収縮した半導体パワー素子の放熱基板用
の焼結成形体１を得る。この焼結成形体１に機械加工を
施すこと無く、その表面に半導体パワー素子のセラミッ
クス絶縁基板８を金属板７およびろう材６を介して接合
するという粉末冶金製造法によるNear Net Shape化技術
によって半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板を製造
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パワー素子を
実装した半導体パワーモジュールに用いられる放熱基
板、特に製造が容易で高信頼度の半導体パワー素子用の
銅複合材放熱基板と、半導体パワーモジュール及びその
製造方法に関する。
実装した半導体パワーモジュールに用いられる放熱基
板、特に製造が容易で高信頼度の半導体パワー素子用の
銅複合材放熱基板と、半導体パワーモジュール及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明に係わる半導体パワー素子用銅複
合材放熱基板としては、特開２０００ー２６５２２７号
公報及び特開２０００ー３１１９７３号公報が知られて
いる。これらには、銅（Ｃｕ）中へ第一酸化銅（Ｃｕ2
Ｏ）又は第二酸化銅（ＣｕＯ）を分散させた銅複合材料
からなる放熱基板が開示されており、延性に富むため、
焼結後に必要に応じて、圧延、鍛造押出しなどの冷間あ
るいは熱間加工を施すことが開示されている。
合材放熱基板としては、特開２０００ー２６５２２７号
公報及び特開２０００ー３１１９７３号公報が知られて
いる。これらには、銅（Ｃｕ）中へ第一酸化銅（Ｃｕ2
Ｏ）又は第二酸化銅（ＣｕＯ）を分散させた銅複合材料
からなる放熱基板が開示されており、延性に富むため、
焼結後に必要に応じて、圧延、鍛造押出しなどの冷間あ
るいは熱間加工を施すことが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】銅（Ｃｕ）中へ第一酸
化銅（Ｃｕ2Ｏ）を分散させた銅複合材料（Ｃｕ−Ｃｕ2
Ｏ）からなる放熱基板には、次のような問題点があっ
た。
化銅（Ｃｕ2Ｏ）を分散させた銅複合材料（Ｃｕ−Ｃｕ2
Ｏ）からなる放熱基板には、次のような問題点があっ
た。
【０００４】（１）銅（Ｃｕ）中へ第二酸化銅（Ｃｕ
Ｏ）を分散させた後、これを焼結して銅複合材料（Ｃｕ
−Ｃｕ2Ｏ）からなる大きなブロックを作成する。次の
工程で、このブロックを機械加工によって切り出し、複
数の放熱基板を得ていた。このため、機械加工費が増大
し低コスト化に問題があった。
Ｏ）を分散させた後、これを焼結して銅複合材料（Ｃｕ
−Ｃｕ2Ｏ）からなる大きなブロックを作成する。次の
工程で、このブロックを機械加工によって切り出し、複
数の放熱基板を得ていた。このため、機械加工費が増大
し低コスト化に問題があった。
【０００５】（２）銅複合材よりなる放熱基板をパワー
モジュールに適用する際は通常、導体板、セラミックス
絶縁基板及び金属板の積層体よりなる絶縁回路基板を半
田で放熱基板へ接合した状態で使用される。セラミック
ス基板はアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素から
なり、これらの熱膨張係数はそれぞれ約８ｐｐｍ、５ｐ
ｐｍ、４ｐｐｍ／℃である。これに対して、銅複合材
（例えば、Ｃｕ−５０％Ｃｕ2Ｏ）の熱膨張係数は１０
ｐｐｍ／℃とセラミックス基板より大きな値を有する。
結果として、銅複合材よりなる放熱基板を半田で絶縁回
路基板へ接合したとき、接合部の熱応力によって放熱基
板は反って彎曲する。なお、放熱基板は絶縁回路基板と
反対側の面が凹状になるように反る。このように、反っ
た放熱基板がグリースを介してヒートシンクへ装着され
たとき、過酷なヒートサイクル条件下で使用されるとグ
リースが流出し、熱抵抗が増大する信頼性の問題が生じ
易かった。また、凹状に反った放熱基板の下部にボイド
（void）が発生しやすく、熱抵抗を増加させる要因の一
つになっていた。このような問題点は、導体板、セラミ
ックス基板及び銅複合材放熱基板よりなる積層体をアル
ミ合金系のろう材で接合したパワーモジュールにおいて
も、同様に発生し易かった。
モジュールに適用する際は通常、導体板、セラミックス
絶縁基板及び金属板の積層体よりなる絶縁回路基板を半
田で放熱基板へ接合した状態で使用される。セラミック
ス基板はアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素から
なり、これらの熱膨張係数はそれぞれ約８ｐｐｍ、５ｐ
ｐｍ、４ｐｐｍ／℃である。これに対して、銅複合材
（例えば、Ｃｕ−５０％Ｃｕ2Ｏ）の熱膨張係数は１０
ｐｐｍ／℃とセラミックス基板より大きな値を有する。
結果として、銅複合材よりなる放熱基板を半田で絶縁回
路基板へ接合したとき、接合部の熱応力によって放熱基
板は反って彎曲する。なお、放熱基板は絶縁回路基板と
反対側の面が凹状になるように反る。このように、反っ
た放熱基板がグリースを介してヒートシンクへ装着され
たとき、過酷なヒートサイクル条件下で使用されるとグ
リースが流出し、熱抵抗が増大する信頼性の問題が生じ
易かった。また、凹状に反った放熱基板の下部にボイド
（void）が発生しやすく、熱抵抗を増加させる要因の一
つになっていた。このような問題点は、導体板、セラミ
ックス基板及び銅複合材放熱基板よりなる積層体をアル
ミ合金系のろう材で接合したパワーモジュールにおいて
も、同様に発生し易かった。
【０００６】このように、従来の半導体パワー素子用の
銅複合材放熱基板は、生産性や信頼性に関して大きな問
題点を抱えていた。
銅複合材放熱基板は、生産性や信頼性に関して大きな問
題点を抱えていた。
【０００７】本発明の目的は、製造が容易で高信頼度の
半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板、半導体パワー
モジュール及びその製造方法を提供することである。
半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板、半導体パワー
モジュール及びその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の主特徴とすると
ころは、銅複合材混合粉末を金型に充填し高圧でプレス
して半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備成形体
を得て、この予備成形体を不活性雰囲気中で焼結し前記
予備成形体から体積収縮率５〜１５％の範囲で収縮した
半導体パワー素子の放熱基板用の焼結成形体を得て、こ
の焼結成形体に機械加工を施すこと無く、その表面に半
導体パワー素子の絶縁板をろう材を介して接合すること
である。
ころは、銅複合材混合粉末を金型に充填し高圧でプレス
して半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備成形体
を得て、この予備成形体を不活性雰囲気中で焼結し前記
予備成形体から体積収縮率５〜１５％の範囲で収縮した
半導体パワー素子の放熱基板用の焼結成形体を得て、こ
の焼結成形体に機械加工を施すこと無く、その表面に半
導体パワー素子の絶縁板をろう材を介して接合すること
である。
【０００９】これにより、機械加工が不要で高信頼性を
持つ半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板、半導体パ
ワーモジュール及びその製造方法を提供できる。
持つ半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板、半導体パ
ワーモジュール及びその製造方法を提供できる。
【００１０】本発明の他の特徴とするところは、銅複合
材混合粉末を数十〜数百ミクロンの微少な彎曲（反り）
を形成した金型に充填し、高圧プレスで放熱基板の予備
成形体（プリフォーム）を製作し、これを不活性雰囲気
中で焼結し、得られた焼結成形体の凹んだ側の表面に半
導体パワー素子の絶縁板等をろう材を介して接合するこ
とである。
材混合粉末を数十〜数百ミクロンの微少な彎曲（反り）
を形成した金型に充填し、高圧プレスで放熱基板の予備
成形体（プリフォーム）を製作し、これを不活性雰囲気
中で焼結し、得られた焼結成形体の凹んだ側の表面に半
導体パワー素子の絶縁板等をろう材を介して接合するこ
とである。
【００１１】これによって、半導体パワー素子のセラミ
ックス絶縁基板等の積層体よりなる絶縁回路基板をろう
材を用いて放熱基板へ接合した後、常温に戻る際に放熱
基板の彎曲変形（反り）が減少、好ましくは消失して、
銅複合材放熱基板がほぼ平らになる。したがって、十分
な寸法精度を有する放熱基板を、機械加工無しで得るこ
とができる。
ックス絶縁基板等の積層体よりなる絶縁回路基板をろう
材を用いて放熱基板へ接合した後、常温に戻る際に放熱
基板の彎曲変形（反り）が減少、好ましくは消失して、
銅複合材放熱基板がほぼ平らになる。したがって、十分
な寸法精度を有する放熱基板を、機械加工無しで得るこ
とができる。
【００１２】本発明のその他の特徴は以下に述べる実施
の形態において明確にする。
の形態において明確にする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施例
に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施例に
よる半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板の側面図で
ある。図に示すように、半導体パワー素子用の銅複合材
放熱基板１は、滑らかに彎曲した形状を有する。即ち、
上側の表面が凹状に、下側の表面が凸状に反っているも
のである。この彎曲量は僅かであり、図に示すように、
凹みの最大値が数十〜数百ミクロンである。
に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施例に
よる半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板の側面図で
ある。図に示すように、半導体パワー素子用の銅複合材
放熱基板１は、滑らかに彎曲した形状を有する。即ち、
上側の表面が凹状に、下側の表面が凸状に反っているも
のである。この彎曲量は僅かであり、図に示すように、
凹みの最大値が数十〜数百ミクロンである。
【００１４】図２は、図１の半導体パワー素子用の銅複
合材放熱基板の平面図である。この放熱基板１の大きさ
は種々あるが、概ね、幅が数〜数十センチ、長さは数セ
ンチ〜数十センチである。図に示すように、放熱基板１
の一部にマーク２を設けている。このマーク２は、滑ら
かで微少な彎曲変形によって銅複合材放熱基板１のどち
らの表面が凸状あるいは凹状に反っているかを示す孔あ
るいは適当な記号などである。このマークは、銅複合材
混合粉末を金型に充填し高圧プレスで放熱基板の予備成
形体（プリフォーム）を製作するときに、銅複合材放熱
基板１へ一体に形成する。なお、図２におけるマーク２
は孔状の場合を示している。
合材放熱基板の平面図である。この放熱基板１の大きさ
は種々あるが、概ね、幅が数〜数十センチ、長さは数セ
ンチ〜数十センチである。図に示すように、放熱基板１
の一部にマーク２を設けている。このマーク２は、滑ら
かで微少な彎曲変形によって銅複合材放熱基板１のどち
らの表面が凸状あるいは凹状に反っているかを示す孔あ
るいは適当な記号などである。このマークは、銅複合材
混合粉末を金型に充填し高圧プレスで放熱基板の予備成
形体（プリフォーム）を製作するときに、銅複合材放熱
基板１へ一体に形成する。なお、図２におけるマーク２
は孔状の場合を示している。
【００１５】図３は本発明の他の実施例による半導体パ
ワー素子用の銅複合材放熱基板の側面図である。半導体
パワー素子用の銅複合材放熱基板１は、１ａと１ｂの２
層構造からなり、且つ滑らかに彎曲した形状を有する。
そして、図１の場合と同様に、上側表面が凹状、下側の
表面が凸状となるように反っているものである。銅複合
材放熱基板１の各層１ａと１ｂは、銅と酸化銅の比率が
異なり、層１ａの銅中に占める酸化銅の量を、層１ｂの
それより少くしている。
ワー素子用の銅複合材放熱基板の側面図である。半導体
パワー素子用の銅複合材放熱基板１は、１ａと１ｂの２
層構造からなり、且つ滑らかに彎曲した形状を有する。
そして、図１の場合と同様に、上側表面が凹状、下側の
表面が凸状となるように反っているものである。銅複合
材放熱基板１の各層１ａと１ｂは、銅と酸化銅の比率が
異なり、層１ａの銅中に占める酸化銅の量を、層１ｂの
それより少くしている。
【００１６】図４は、図１に示した半導体パワー素子用
の銅複合材放熱基板の粉末冶金製造法によるNear Net S
hape化技術を示したものである。
の銅複合材放熱基板の粉末冶金製造法によるNear Net S
hape化技術を示したものである。
【００１７】（１）予備成形（プレス）ステップ：ま
ず、金型外枠３にセットされた下金型５の上に銅複合材
混合粉末を充填し、上金型４と下金型５を力Ｆの高圧プ
レスで圧縮し、半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板
の予備成形体（プリフォーム）１Ｘを製作する。後述す
る収縮を考慮して、この予備成形体１は最終製品として
必要な放熱基板の寸法に比べて、体積で約５〜１５％程
度大きいことが望ましい。また、図に示すように、上金
型４の下部は凸状、下金型５の上部は凹状になってい
る。この結果、予備成形体１Ｘは図１に示したように滑
らかな彎曲を有する形状となる。
ず、金型外枠３にセットされた下金型５の上に銅複合材
混合粉末を充填し、上金型４と下金型５を力Ｆの高圧プ
レスで圧縮し、半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板
の予備成形体（プリフォーム）１Ｘを製作する。後述す
る収縮を考慮して、この予備成形体１は最終製品として
必要な放熱基板の寸法に比べて、体積で約５〜１５％程
度大きいことが望ましい。また、図に示すように、上金
型４の下部は凸状、下金型５の上部は凹状になってい
る。この結果、予備成形体１Ｘは図１に示したように滑
らかな彎曲を有する形状となる。
【００１８】（２）焼結ステップ：次に、この予備成形
体１Ｘを、アルゴンあるいは窒素などの不活性雰囲気
中、温度９７５℃で３時間焼結し、図１に示した半導体
パワー素子用の銅複合材放熱基板１を得る。この焼結に
より、焼結成形体１Ｘは体積収縮率で約５〜１５％の寸
法収縮をもたらす。したがって、前述したように、予
め、予備成形体１を最終製品として必要な放熱基板の寸
法に比べて、体積で５．２６〜１７．６５％程度大きく
しておくことにより、焼結成形体の体積でほぼ１００
％、寸法バラツキは放熱基板としての要求値（外形寸法
で±０．５ｍｍ以下、厚さ寸法で±０．２ｍｍ以下）を
十分に満たすものが得られた。この方法によって、その
表面に滑らかで微少な彎曲変形（反り）を持たせた銅複
合材放熱基板を十分な寸法精度で、しかも機械加工無し
で得ることができる。
体１Ｘを、アルゴンあるいは窒素などの不活性雰囲気
中、温度９７５℃で３時間焼結し、図１に示した半導体
パワー素子用の銅複合材放熱基板１を得る。この焼結に
より、焼結成形体１Ｘは体積収縮率で約５〜１５％の寸
法収縮をもたらす。したがって、前述したように、予
め、予備成形体１を最終製品として必要な放熱基板の寸
法に比べて、体積で５．２６〜１７．６５％程度大きく
しておくことにより、焼結成形体の体積でほぼ１００
％、寸法バラツキは放熱基板としての要求値（外形寸法
で±０．５ｍｍ以下、厚さ寸法で±０．２ｍｍ以下）を
十分に満たすものが得られた。この方法によって、その
表面に滑らかで微少な彎曲変形（反り）を持たせた銅複
合材放熱基板を十分な寸法精度で、しかも機械加工無し
で得ることができる。
【００１９】図５は、図３に示した半導体パワー素子用
銅複合材放熱基板の粉末冶金製造法によるNear Net Sha
pe化技術を示したものである。
銅複合材放熱基板の粉末冶金製造法によるNear Net Sha
pe化技術を示したものである。
【００２０】（１）予備成形（プレス）ステップ：ま
ず、金型外枠３にセットされた下金型５の上に銅と酸化
銅の比率が異なる銅複合材混合粉末を層状に充填し、上
金型４と下金型５を力Ｆの高圧プレスで圧縮し、銅複合
材放熱基板の予備成形体１Ｙ／１Ｚ（２層状）を製作す
る。図４の場合とは異なり、上金型４の下部及び下金型
５の上部は共に平面状になっている。
ず、金型外枠３にセットされた下金型５の上に銅と酸化
銅の比率が異なる銅複合材混合粉末を層状に充填し、上
金型４と下金型５を力Ｆの高圧プレスで圧縮し、銅複合
材放熱基板の予備成形体１Ｙ／１Ｚ（２層状）を製作す
る。図４の場合とは異なり、上金型４の下部及び下金型
５の上部は共に平面状になっている。
【００２１】（２）焼結ステップ：次に、先の実施例と
同じく焼結する。このとき、予備成形体１Ｙ／１Ｚの焼
結時の収縮率と熱膨張係数は、１Ｙ部と１Ｚ部で差があ
り、焼結後は図３に示したように滑らかな彎曲を有する
形状になる。
同じく焼結する。このとき、予備成形体１Ｙ／１Ｚの焼
結時の収縮率と熱膨張係数は、１Ｙ部と１Ｚ部で差があ
り、焼結後は図３に示したように滑らかな彎曲を有する
形状になる。
【００２２】１Ｙ部と１Ｚ部で銅と酸化銅の比率にどの
程度の差を持たせるかは、使用される絶縁回路基板中の
セラミックス基板の材質や銅複合材放熱基板のサイズに
よって種々決定される。１Ｙ部と１Ｚ部における酸化銅
の量は後者側で多く、その差は多くても５％以下であ
る。
程度の差を持たせるかは、使用される絶縁回路基板中の
セラミックス基板の材質や銅複合材放熱基板のサイズに
よって種々決定される。１Ｙ部と１Ｚ部における酸化銅
の量は後者側で多く、その差は多くても５％以下であ
る。
【００２３】この方法によっても、その表面に滑らかで
微少な彎曲変形（反り）を持たせた銅複合材放熱基板を
十分な寸法精度で、しかも機械加工無しで得ることがで
きる。
微少な彎曲変形（反り）を持たせた銅複合材放熱基板を
十分な寸法精度で、しかも機械加工無しで得ることがで
きる。
【００２４】図６は、本発明の一実施例による半導体パ
ワーモジュールの製造方法及びその完成品の側面断面図
である。先に述べた（１）予備成形ステップ及び（２）
焼結ステップにて製作した焼結成形体１を、次に述べる
（３）接合ステップにより半導体パワー素子のセラミッ
クス絶縁基板に接合する。
ワーモジュールの製造方法及びその完成品の側面断面図
である。先に述べた（１）予備成形ステップ及び（２）
焼結ステップにて製作した焼結成形体１を、次に述べる
（３）接合ステップにより半導体パワー素子のセラミッ
クス絶縁基板に接合する。
【００２５】（３）接合ステップ：図６（ａ）の接合前
の展開図に示すように、接合前の銅複合材放熱基板１は
図１で述べたように、その上面が凹状、下面が凸状の滑
らかな彎曲変形（反り）を有するものである。半導体パ
ワー素子１１ａ，１１ｂのセラミックス絶縁基板（絶縁
板）８の一方の面に導体板９、他方の面に金属板７を形
成した絶縁回路基板を、半田６で銅複合材放熱基板１へ
接合する。更に、前記絶縁回路基板の導体板９に半田１
０ａ、１０ｂを用いて、それぞれ半導体パワー素子１１
ａ、１１ｂを接合する。
の展開図に示すように、接合前の銅複合材放熱基板１は
図１で述べたように、その上面が凹状、下面が凸状の滑
らかな彎曲変形（反り）を有するものである。半導体パ
ワー素子１１ａ，１１ｂのセラミックス絶縁基板（絶縁
板）８の一方の面に導体板９、他方の面に金属板７を形
成した絶縁回路基板を、半田６で銅複合材放熱基板１へ
接合する。更に、前記絶縁回路基板の導体板９に半田１
０ａ、１０ｂを用いて、それぞれ半導体パワー素子１１
ａ、１１ｂを接合する。
【００２６】こうすることにより、あらかじめ滑らかな
彎曲変形（反り）を形成した銅複合材放熱基板１は、接
合後、常温に戻され収縮する際に、セラミックス基板８
との熱膨張係数差に起因した半田６接合部の熱応力によ
って、図６（ｂ）の完成品に示すように平らに矯正され
る。
彎曲変形（反り）を形成した銅複合材放熱基板１は、接
合後、常温に戻され収縮する際に、セラミックス基板８
との熱膨張係数差に起因した半田６接合部の熱応力によ
って、図６（ｂ）の完成品に示すように平らに矯正され
る。
【００２７】図７は、本発明の他の実施例による半導体
パワーモジュールの製造方法を示す側面断面図である。
この実施例では、（３）接合ステップは次の通りであ
る。
パワーモジュールの製造方法を示す側面断面図である。
この実施例では、（３）接合ステップは次の通りであ
る。
【００２８】（３）接合ステップ：導体板９、セラミッ
クス基板８及び銅複合材放熱基板１の積層体をアルミ合
金系のろう材１２，１３を用いて接合するものである。
なお、図示を省略したが、導体板９の上に、半田で半導
体パワー素子を接合する。アルミ合金系のろう材１２，
１３がクラッド材よりなるとき、これらの積層体は不活
性雰囲気中あるいは真空雰囲気中、６１０℃の高温下で
１ＭＰａの荷重ｆを約１５分間印加して接合する。
クス基板８及び銅複合材放熱基板１の積層体をアルミ合
金系のろう材１２，１３を用いて接合するものである。
なお、図示を省略したが、導体板９の上に、半田で半導
体パワー素子を接合する。アルミ合金系のろう材１２，
１３がクラッド材よりなるとき、これらの積層体は不活
性雰囲気中あるいは真空雰囲気中、６１０℃の高温下で
１ＭＰａの荷重ｆを約１５分間印加して接合する。
【００２９】こうすることにより、予め、滑らかな彎曲
変形（反り）を形成した銅複合材放熱基板１は、接合後
に、常温に戻され収縮する際に、セラミックス基板８と
の熱膨張係数差に起因したアルミ合金系のろう材１２接
合部の熱応力によって、図７（ｂ）に示すように平らに
矯正される。
変形（反り）を形成した銅複合材放熱基板１は、接合後
に、常温に戻され収縮する際に、セラミックス基板８と
の熱膨張係数差に起因したアルミ合金系のろう材１２接
合部の熱応力によって、図７（ｂ）に示すように平らに
矯正される。
【００３０】以上の実施例においては、まず、（１）予
備成形（プレス）ステップで、銅複合材混合粉末を金型
４，５に充填し高圧Ｆでプレスして半導体パワー素子用
の放熱基板の形状の予備成形体（プリフォーム）１Ｘ，
１Ｙ／１Ｚを得る。次に、（２）焼結ステップで、この
予備成形体１Ｘ，１Ｙ／１Ｚを不活性雰囲気中で焼結
し、予備成形体から体積収縮率５〜１５％程度に収縮し
た半導体パワー素子の放熱基板用の焼結成形体１，１ａ
／１ｂを得る。最後に、（３）接合ステップにおいて、
焼結成形体１，１ａ／１ｂに機械加工を施すこと無く、
その表面に半導体パワー素子１１ａ，１１ｂの絶縁板
（セラミックス絶縁基板）８をろう材６（半田）又は１
２（アルミ合金）を介して接合している。
備成形（プレス）ステップで、銅複合材混合粉末を金型
４，５に充填し高圧Ｆでプレスして半導体パワー素子用
の放熱基板の形状の予備成形体（プリフォーム）１Ｘ，
１Ｙ／１Ｚを得る。次に、（２）焼結ステップで、この
予備成形体１Ｘ，１Ｙ／１Ｚを不活性雰囲気中で焼結
し、予備成形体から体積収縮率５〜１５％程度に収縮し
た半導体パワー素子の放熱基板用の焼結成形体１，１ａ
／１ｂを得る。最後に、（３）接合ステップにおいて、
焼結成形体１，１ａ／１ｂに機械加工を施すこと無く、
その表面に半導体パワー素子１１ａ，１１ｂの絶縁板
（セラミックス絶縁基板）８をろう材６（半田）又は１
２（アルミ合金）を介して接合している。
【００３１】また、焼結成形体１，１ａ／１ｂに、滑ら
かで微少な彎曲（反り）を予め形成する。そして、導体
板９，セラミックス絶縁基板８及び金属板７等の積層体
よりなる絶縁（回路基）板を、半田６やアルミ合金１２
等のろう材で放熱基板１，１ａ／１ｂへ接合したとき、
放熱基板１，１ａ／１ｂの微少な彎曲変形（反り）が失
われて、銅複合材放熱基板１がほぼ平らになるようにす
る。即ち、ろう材接合後の常温への復帰時に発生する反
りと反対側の彎曲（反り）を、予め銅複合材放熱基板１
へ与えておくのである。
かで微少な彎曲（反り）を予め形成する。そして、導体
板９，セラミックス絶縁基板８及び金属板７等の積層体
よりなる絶縁（回路基）板を、半田６やアルミ合金１２
等のろう材で放熱基板１，１ａ／１ｂへ接合したとき、
放熱基板１，１ａ／１ｂの微少な彎曲変形（反り）が失
われて、銅複合材放熱基板１がほぼ平らになるようにす
る。即ち、ろう材接合後の常温への復帰時に発生する反
りと反対側の彎曲（反り）を、予め銅複合材放熱基板１
へ与えておくのである。
【００３２】この対策によって、過酷なヒートサイクル
条件下で使用しても、グリースの流出を防止でき、熱抵
抗が増大するなどの問題点を皆無にすることができた。
なお、図６及び図７に示した半導体パワーモジュール
は、いずれも図１の銅複合材放熱基板１を適用した場合
について示しているが、同様に図３の２層構造の銅複合
材放熱基板１（１ａ／１ｂ）を用いた場合も良好な効果
が得られる。
条件下で使用しても、グリースの流出を防止でき、熱抵
抗が増大するなどの問題点を皆無にすることができた。
なお、図６及び図７に示した半導体パワーモジュール
は、いずれも図１の銅複合材放熱基板１を適用した場合
について示しているが、同様に図３の２層構造の銅複合
材放熱基板１（１ａ／１ｂ）を用いた場合も良好な効果
が得られる。
【００３３】図８は、図７に用いられるアルミ合金系ろ
う材の断面図である。図８（ａ）は、アルミあるいはア
ルミ合金よりなる芯材部１４の両面へ、予め、アルミ合
金系のろう材部１５と１６を薄い膜状に圧延によってク
ラッドしたものである。ろう材部１５、芯材部１４及び
ろう材部１６の積層品よりなるクラッド材は、そのトー
タル厚さが１００〜数百ミクロンの箔で、且つろう材部
１５及び１６の厚さを芯材部１４の厚さの約１０％と薄
くしている。ここで、ろう材部１５及び１６は、Ａｌ−
Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｇｅ合金ある
いは、Ａｌ−Ｓｉ−Ｇｅ合金などで構成される。例え
ば、ろう材部にＡｌ−１０％Ｓｉ合金やＡｌ−１０％Ｓ
ｉ−Ｍｇ合金を用いた場合、ろう材部の共晶温度（溶融
温度）は約５８０℃となり、芯材部のアルミの溶融温度
６６０℃より低くなる材料である。
う材の断面図である。図８（ａ）は、アルミあるいはア
ルミ合金よりなる芯材部１４の両面へ、予め、アルミ合
金系のろう材部１５と１６を薄い膜状に圧延によってク
ラッドしたものである。ろう材部１５、芯材部１４及び
ろう材部１６の積層品よりなるクラッド材は、そのトー
タル厚さが１００〜数百ミクロンの箔で、且つろう材部
１５及び１６の厚さを芯材部１４の厚さの約１０％と薄
くしている。ここで、ろう材部１５及び１６は、Ａｌ−
Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｇｅ合金ある
いは、Ａｌ−Ｓｉ−Ｇｅ合金などで構成される。例え
ば、ろう材部にＡｌ−１０％Ｓｉ合金やＡｌ−１０％Ｓ
ｉ−Ｍｇ合金を用いた場合、ろう材部の共晶温度（溶融
温度）は約５８０℃となり、芯材部のアルミの溶融温度
６６０℃より低くなる材料である。
【００３４】図８（ｂ）には芯材部のないアルミ合金系
のろう材１７を示したものである。図に示したように、
ろう材の全部分が接合条件下の温度で溶融する材料であ
る。
のろう材１７を示したものである。図に示したように、
ろう材の全部分が接合条件下の温度で溶融する材料であ
る。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、製造が容易で、高信頼
度の半導体パワー素子用銅複合材放熱基板、パワーモジ
ュール及びその製造方法を提供することができる。
度の半導体パワー素子用銅複合材放熱基板、パワーモジ
ュール及びその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例による半導体パワー素子用の
銅複合材放熱基板の側面図。
銅複合材放熱基板の側面図。
【図２】図１に示した銅複合材放熱基板の平面図。
【図３】本発明の他の実施例による半導体パワー素子用
の銅複合材放熱基板の側面図。
の銅複合材放熱基板の側面図。
【図４】本発明の一実施例による銅複合材放熱基板のNe
ar Net Shape化技術の説明図。
ar Net Shape化技術の説明図。
【図５】本発明の他の実施例による銅複合材放熱基板の
Near Net Shape化技術説明図。
Near Net Shape化技術説明図。
【図６】本発明の一実施例による半導体パワーモジュー
ルの製造方法及びその完成品を示す側面断面図。
ルの製造方法及びその完成品を示す側面断面図。
【図７】本発明の他の実施例による半導体パワーモジュ
ールの製造方法を示す側面断面図。
ールの製造方法を示す側面断面図。
【図８】本発明に用い得るアルミ合金系ろう材の二例を
示す断面図。
示す断面図。
１，１ａ／１ｂ…半導体パワー素子用の銅複合材放熱基
板、１Ｘ，１Ｙ／１Ｚ…予備成形体（プリフォーム）、
２…マーク、３…金型外枠、４…上金型、５…下金型、
６，１０ａ，１０ｂ…半田、７…金属板、８…セラミッ
クス絶縁（基）板、９…導体板、１１ａ，１１ｂ…半導
体パワー素子、１２，１３…アルミ合金系ろう材、１４
…芯材部、１５，１６，１７…ろう材部。
板、１Ｘ，１Ｙ／１Ｚ…予備成形体（プリフォーム）、
２…マーク、３…金型外枠、４…上金型、５…下金型、
６，１０ａ，１０ｂ…半田、７…金属板、８…セラミッ
クス絶縁（基）板、９…導体板、１１ａ，１１ｂ…半導
体パワー素子、１２，１３…アルミ合金系ろう材、１４
…芯材部、１５，１６，１７…ろう材部。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 25/18
(72)発明者 近藤 保夫
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
(72)発明者 渡部 典行
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
Ｆターム(参考） 4K018 AA04 AB01 AC01 BA02 CA11
DA11 DA33 JA16 KA32
Claims (12)
- 【請求項１】銅複合材混合粉末を金型に充填し高圧でプ
レスして半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備成
形体を得る予備成形ステップと、得られた予備成形体を
不活性雰囲気中で焼結する焼結ステップと、この焼結に
よって得られた焼結成形体の表面に半導体パワー素子の
絶縁板をろう材を介して接合する接合ステップを含むこ
とを特徴とする半導体パワーモジュールの製造方法。 - 【請求項２】銅複合材混合粉末を金型に充填し高圧でプ
レスして半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備成
形体を得る予備成形ステップと、得られた予備成形体を
不活性雰囲気中で焼結し前記予備成形体から体積収縮率
５〜１５％の範囲で収縮した半導体パワー素子の放熱基
板用の焼結成形体を得る焼結ステップと、この焼結成形
体の表面に半導体パワー素子の絶縁板をろう材を介して
接合する接合ステップを含むことを特徴とする半導体パ
ワーモジュールの製造方法。 - 【請求項３】銅複合材混合粉末を金型に充填し高圧でプ
レスして予備成形体を得る予備成形ステップと、得られ
た予備成形体を不活性雰囲気中で焼結し焼結成形体を得
る焼結ステップと、この焼結成形体に機械加工を施すこ
となくその表面に半導体パワー素子の絶縁板をろう材を
介して接合する接合ステップを含むことを特徴とする半
導体パワーモジュールの製造方法。 - 【請求項４】銅複合材混合粉末を金型に充填し、高圧プ
レスで放熱基板の予備成形体を製作し、これを不活性雰
囲気中で焼結する粉末冶金製造法によって製造され、表
面に数十〜数百ミクロンの彎曲変形を持ったことを特徴
とする半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板。 - 【請求項５】銅複合材混合粉末を金型に充填し、高圧プ
レスで放熱基板の予備成形体を製作し、これを不活性雰
囲気中で焼結する粉末冶金製造法によって製造され、半
導体パワー素子を接合する側の一方の面に数十〜数百ミ
クロンの凹みを持つことを特徴とする半導体パワー素子
用の銅複合材放熱基板。 - 【請求項６】請求項４又は５において、前記基板の片面
にマークを形成したことを特徴とする半導体パワー素子
用の銅複合材放熱基板。 - 【請求項７】請求項４〜６のいずれかにおいて、銅と酸
化銅の比率が異なる２層構造を備えたことを特徴とする
半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板。 - 【請求項８】請求項４〜６のいずれかにおいて、銅に対
する酸化銅の比率が異なる２層構造を備え、前記半導体
パワー素子が接合される側の層は他の層よりも前記比率
を小さくしたことを特徴とする半導体パワー素子用の銅
複合材放熱基板。 - 【請求項９】請求項４〜８のいずれかにおいて、導体板
と絶縁基板の積層体を含む絶縁回路基板をろう材で前記
銅複合材放熱基板へ接合したとき、放熱基板の前記彎曲
変形又は凹みが減少することを特徴とする半導体パワー
素子用の銅複合材放熱基板。 - 【請求項１０】請求項４〜９のいずれかに記載の半導体
パワー素子用の銅複合材放熱基板を、絶縁板及びろう材
を介して半導体パワー素子に接合したことを特徴とする
半導体パワーモジュール。 - 【請求項１１】銅複合材混合粉末を数十〜数百ミクロン
の彎曲変形を持った金型に充填し高圧でプレスするステ
ップと、このプレスによって得られた予備成形体を不活
性雰囲気中で焼結するステップと、得られた焼結成形体
の凹んだ側の表面に半導体パワー素子の絶縁板をろう材
を介して接合するステップを含むことを特徴とする半導
体パワーモジュールの製造方法。 - 【請求項１２】銅複合材混合粉末を平らな金型に充填し
高圧でプレスして銅に対する酸化銅の比率が異なる２層
構造の予備成形体を成形する予備成形ステップと、得ら
れた２層構造の予備成形体を不活性雰囲気中で焼結し彎
曲した焼結成形体を得る焼結ステップと、この焼結成形
体の凹んだ側の表面に半導体パワー素子の絶縁板をろう
材を介して接合するステップを含むことを特徴とする半
導体パワーモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001226128A JP2003046032A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 銅複合材放熱基板、半導体パワーモジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001226128A JP2003046032A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 銅複合材放熱基板、半導体パワーモジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003046032A true JP2003046032A (ja) | 2003-02-14 |
Family
ID=19059003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001226128A Pending JP2003046032A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 銅複合材放熱基板、半導体パワーモジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003046032A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102427070A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-04-25 | 深圳市威怡电气有限公司 | 功率模块 |
| CN103295937A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 芯片的绑定设备和方法 |
| CN103418787A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-12-04 | 会田工程技术有限公司 | 混合粉末的高密度成形方法及高密度成形装置 |
| US20140080262A1 (en) * | 2005-01-19 | 2014-03-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing the same |
| JP2017228627A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 住友電気工業株式会社 | 加熱冷却モジュール |
| DE112019007396T5 (de) | 2019-06-06 | 2022-02-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Struktur zur Steuerung einer Wölbung für eine Metallbasisplatte, Halbleitermodul und Inverter-Vorrichtung |
| CN115831890A (zh) * | 2022-12-22 | 2023-03-21 | 黄山谷捷股份有限公司 | 一种igbt功率模块散热结构及其加工工艺 |
-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001226128A patent/JP2003046032A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140080262A1 (en) * | 2005-01-19 | 2014-03-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing the same |
| DE102006002452B4 (de) * | 2005-01-19 | 2014-06-26 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US9269644B2 (en) * | 2005-01-19 | 2016-02-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| CN102427070A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-04-25 | 深圳市威怡电气有限公司 | 功率模块 |
| CN103418787A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-12-04 | 会田工程技术有限公司 | 混合粉末的高密度成形方法及高密度成形装置 |
| CN103295937A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 芯片的绑定设备和方法 |
| JP2017228627A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 住友電気工業株式会社 | 加熱冷却モジュール |
| DE112019007396T5 (de) | 2019-06-06 | 2022-02-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Struktur zur Steuerung einer Wölbung für eine Metallbasisplatte, Halbleitermodul und Inverter-Vorrichtung |
| CN115831890A (zh) * | 2022-12-22 | 2023-03-21 | 黄山谷捷股份有限公司 | 一种igbt功率模块散热结构及其加工工艺 |
| CN115831890B (zh) * | 2022-12-22 | 2023-12-22 | 黄山谷捷股份有限公司 | 一种igbt功率模块散热结构及其加工工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2892074B1 (en) | Power module substrate and power module | |
| EP1944116B1 (en) | Cladding material and its fabrication method, method for molding cladding material, and heat sink using cladding material | |
| EP1770773A2 (en) | Heat spreader module and method of manufacturing same | |
| US6032362A (en) | Method for producing a heat spreader and semiconductor device with a heat spreader | |
| US20060246314A1 (en) | Method of producing a heat dissipation substrate of molybdenum powder impregnated with copper with rolling in primary and secondary directions | |
| WO2006043474A1 (ja) | 複合多層基板及びその製造方法 | |
| US7083759B2 (en) | Method of producing a heat dissipation substrate of molybdenum powder impregnated with copper with rolling in primary and secondary directions | |
| JP4382154B2 (ja) | ヒートスプレッダおよびその製造方法 | |
| EP3326986B1 (en) | Process for the manufacture of a metal-ceramic substrate | |
| JP2003046032A (ja) | 銅複合材放熱基板、半導体パワーモジュール及びその製造方法 | |
| JPH06268117A (ja) | 半導体装置用放熱基板およびその製造方法 | |
| US12021043B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| EP1231633B1 (en) | Material of heat-dissipating plate on which semiconductor is mounted, method for fabricating the same, and ceramic package produced by using the same | |
| JP3548991B2 (ja) | 放熱基板及びその製造方法 | |
| JP3850335B2 (ja) | セラミック回路基板 | |
| JPH0924500A (ja) | 熱伝導複合材料の製造方法 | |
| JP3447043B2 (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| KR102557990B1 (ko) | 냉각 핀을 구비한 양면 냉각형 파워 모듈용 세라믹 회로 기판, 그 제조방법 및 이를 구비한 양면 냉각형 파워 모듈 | |
| JP2005243819A (ja) | ヒートシンク材およびヒートシンク材の製造方法、ならびにヒートシンク付きセラミックパッケージ | |
| WO2022162871A1 (ja) | 両面冷却パワーモジュール | |
| KR20220023023A (ko) | 파워모듈 및 그 제조방법 | |
| KR20230095907A (ko) | 파워모듈 및 그 제조방법 | |
| EP3395783B1 (en) | Method for producing a sintered joint between a ceramic substrate and a carrier | |
| JPH06344131A (ja) | 半導体放熱基板への部品接合方法 | |
| JP2003060106A (ja) | 積層セラミックパッケージおよびこれを用いた電子部品 |