JP2003045808A - 縦型熱処理装置および縦型熱処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒータの特性を十分に活かすと共にパーティ
クルの問題を軽減することを可能とする。 【解決手段】 処理容器２内に下部の開口３から多数枚
の被処理体ｗを保持した保持具１６を収容して開口３を
蓋体１７で密閉し、処理容器２の周囲に設けたヒータ１
１により被処理体ｗを加熱して所定の熱処理を行う縦型
熱処理装置１である。前記処理容器２を単管構造とし、
その頂部にガス導入口４を設け、処理容器２の下側部に
排気口６を設け、前記蓋体１７上に前記ガス導入口４か
らの処理ガスを保持具１６の下方の中央に導いて前記排
気口６へ案内するガス通路２７を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、縦型熱処理装置お
よび縦型熱処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition）などの処理を行うために、
各種の熱処理装置が用いられている。そして、その一つ
として、一度に多数枚の被処理体の熱処理が可能な縦型
熱処理装置が知られている。

【０００３】この縦型熱処理装置は、処理容器内に下部
の開口から多数枚の被処理体を保持した保持具を収容し
て開口を蓋体で密閉し、処理容器の周囲に設けたヒータ
により被処理体を加熱して所定の熱処理例えばＣＶＤ処
理を行うようになっている。例えばＣＶＤ処理を行う縦
型熱処理装置においては、処理容器を内管と外管の二重
管構造とし、その外管の下側部に設けたガス導入口から
内管内に処理ガスを導入し、内管内を下方から上方へ処
理ガスを流通させる過程で被処理体の処理に供した後、
内管と外管の隙間に上方から下方に処理ガスを通して、
外管の下側部に設けた排気口から排気するように構成さ
れている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記縦
型熱処理装置においては、処理容器が二重管構造で、熱
容量が大きいため、昇降温特性の良いヒータを使用する
場合、その特性を十分に活かすことができないという問
題があった。なお、処理容器を単管構造とし、その下部
にガス導入口を設け、頂部に排気口を設けたものも提案
されているが、排気口に付着した副生成物が下方の被処
理体上に落下してパーティクルの原因になることが懸念
されている。

【０００５】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、ヒータの特性を十分に活かすことができると共に
パーティクルの問題を軽減することができる縦型熱処理
装置および縦型熱処理方法を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、処理容器内に下部の開口から多数枚の被処理
体を保持した保持具を収容して開口を蓋体で密閉し、処
理容器の周囲に設けたヒータにより被処理体を加熱して
所定の熱処理を行う縦型熱処理装置において、前記処理
容器を単管構造とし、その頂部にガス導入口を設け、処
理容器の下側部に排気口を設け、前記蓋体上に前記ガス
導入口からの処理ガスを保持具の下方の中央に導いて前
記排気口へ案内するガス通路を設けてなることを特徴と
する。

【０００７】請求項２の発明は、請求項１の縦型熱処理
装置において、前記ガス通路が、前記蓋体上に隙間を存
して設けられ中央にガス取込口を有する底板と、前記処
理容器の内周に隙間を存して設けられ上端が前記排気口
よりも上方の処理容器内周に保持され下端が前記底板の
周縁部に当接される短内管とによって形成されているこ
とを特徴とする。

【０００８】請求項３の発明は、請求項１の縦型熱処理
装置において、前記ガス通路が、前記蓋体の上方に設け
られ中央にガス取込口を有する面状発熱体と、前記処理
容器の内周に設けられ面状発熱体の周縁部との隙間を塞
ぐ塞ぎ部材とによって形成されていることを特徴とす
る。

【０００９】請求項４の発明は、処理容器内に下部の開
口から多数枚の被処理体を保持した保持具を収容して開
口を蓋体で密閉し、処理容器の周囲に設けたヒータによ
り被処理体を加熱して所定の熱処理を行う縦型熱処理装
置において、前記処理容器を単管構造とし、その頂部に
ガス導入口を設け、前記蓋体に排気口を設けてなること
を特徴とする。

【００１０】請求項５の発明は、請求項４の縦型熱処理
装置において、前記蓋体の中央部には前記保持具を回転
させる回転機構が設けられ、蓋体の中央部を除く処理容
器内に露出する上面に前記排気口が複数設けられ、蓋体
の下部にはこれらの排気口と連通する排気管部が設けら
れていることを特徴とする。

【００１１】請求項６の発明は、請求項４の縦型熱処理
装置において、前記排気口が蓋体の中央部に設けられて
いることを特徴とする。

【００１２】請求項７の発明は、処理容器内に下部の開
口から多数枚の被処理体を保持した保持具を収容して開
口を蓋体で密閉し、処理容器の周囲に設けたヒータによ
り被処理体を加熱して所定の熱処理を行う縦型熱処理方
法において、前記処理容器を単管構造とし、その頂部に
設けたガス導入口から処理容器内に処理ガスを導入し、
該処理ガスを保持具の下方の中央に導いてから処理容器
の下側部に設けた排気口から排気するようしたことを特
徴とする。

【００１３】請求項８の発明は、処理容器内に下部の開
口から多数枚の被処理体を保持した保持具を収容して開
口を蓋体で密閉し、処理容器の周囲に設けたヒータによ
り被処理体を加熱して所定の熱処理を行う縦型熱処理方
法において、前記処理容器を単管構造とし、その頂部に
設けたガス導入口から処理容器内に処理ガスを導入し、
該処理ガスを前記蓋体に設けた排気口から排気するよう
にしたことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。

【００１５】先ず、第１の実施の形態を示す図１におい
て、１は縦型熱処理装置で、この縦型熱処理装置１は多
数枚の被処理体例えば半導体ウエハｗを下方から収容し
て所定の熱処理例えばＣＶＤ処理を施す縦型の処理容器
（プロセスチューブ）２を備えている。この処理容器２
は、耐熱性および耐食性を有する材料例えば石英ガラス
により形成されている。

【００１６】処理容器２は、上部がドーム状、具体的に
は逆漏斗状に形成されており、下部（下端）が炉口とし
て開口している。処理容器２の下部には開口（炉口）３
が設けられている。処理容器２の頂部中央にはガス導入
口４が設けられ、処理容器２の頂部にはガス導入口４と
連通したガス導入管部５が上方に突設されている。この
ガス導入管部５は直管状に形成されているか、あるい
は、図示例のようにＬ字状に形成されている。ガス導入
管部５には処理ガスや不活性ガス（例えば窒素ガス）を
所定の流量で供給するガス供給系の配管が接続されてい
る。

【００１７】処理容器２の下側部には排気口６が設けら
れ、処理容器２の下側部には排気口６と連通した排気管
部７が外側方へ突設されている。この排気管部７には圧
力制御可能な弁および真空ポンプ等を有する減圧排気系
の配管（排気管）が接続されており、処理容器２内を所
定の処理圧力に制御し得るようになっている。

【００１８】処理容器２の下部外周にはフランジ８が設
けられており、このフランジ８がフランジ保持部材９を
介して中央が開口したベースプレート１０上に保持され
ている。このベースプレート１０の上方であって、前記
処理容器２の周囲には処理容器２内のウエハｗを所定の
熱処理温度に加熱昇温するためのヒータ１１が設けられ
ている。このヒータ１１は、処理容器２の周囲および上
方を取囲む水冷ジャケット１２を有し、この水冷ジャケ
ット１２の内周に抵抗発熱体１３が配設されている。

【００１９】前記ヒータ１１は、処理容器２の上方に配
置された抵抗発熱体からなる上部ヒータ１４を備えてい
ることが好ましい。また、前記ガス導入管部５の周囲に
は、処理ガス成分の析出を防止すべく加熱するための補
助ヒータ１５が設けられていることが好ましい。

【００２０】前記処理容器２内に多数枚例えば１５０枚
程度の半導体ウエハｗを高さ方向に所定間隔で搭載保持
するために、ウエハｗは保持具である例えば石英ガラス
製のボート１６に保持されている。処理容器２の下方に
は処理容器２の開口（炉口）３を密閉する例えばＳＵＳ
製の蓋体１７が設けられている。

【００２１】前記蓋体１７上には処理容器２の開口３か
らの放熱を抑制する断熱手段（炉口断熱手段）として、
図示例ではサーモプラグ１８が設けられている。このサ
ーモプラグ１８は、蓋体１７上に立設される複数本の脚
柱１９と、これら脚柱１９の上端部に略水平に設けられ
た面状発熱体からなる下部ヒータ２０と、脚柱１９に高
さ方向に所定間隔で配設された複数枚の遮熱板２１とか
ら主に構成されている。また、蓋体１７上には前記ボー
ト１６をサーモプラグ１８よりも上方位置に載置するた
めの載置台２２が設けられている。この載置台２２は蓋
体１７の中央部に立設される支柱２３を有している。前
記サーモプラグ１８の下部ヒータ２０および遮熱板２１
の中央部には前記支柱２３を通す穴２４が設けられてい
る。蓋体１７の下部中央部には載置台２２を介してボー
ト１６を水平回転させるための回転機構２５が設けられ
ており、前記載置台２２が回転テーブルになっている。

【００２２】前記処理容器２の下方には、蓋体１７を昇
降させて蓋体１７の開閉および処理容器２内に対するボ
ート１６の搬入（ロード）、搬出（アンロード）を行う
ための昇降機構（図示省略）が設けられていると共にそ
の作業領域であるローディングエリア２６が設けられて
いる。前記蓋体１７上には前記ガス導入口４からの処理
ガスを片流れを防止すべくボート１６の下方の中央に導
いて前記排気口６へ案内するためのガス通路２７が設け
られている。このガス通路２７は、前記蓋体１７上に隙
間２８を存して設けられ中央にガス取込口２９を有する
例えば石英ガラス製の底板３０と、前記処理容器２の内
周に隙間３１を存して設けられ上端が前記排気口６より
も上方の処理容器２内周に保持され下端が前記底板３０
の周縁部に当接される短内管３２とによって形成されて
いることが好ましい。

【００２３】処理容器２の頂部のガス導入口４から導入
される処理ガスは、ボート１６の下方中央にガス取込口
２９があることから処理容器２内を片流れすることなく
下方へ真っ直ぐ流れ、ウエハｗの面内均一な処理に供す
ることができ、また、処理ガスはガス取込口２９から隙
間２８，３１を流通して排気口６へ排気することができ
る。特に、蓋体１７の降下によるアンロード時にウエハ
ｗが排気口６の横を通過しても、排気口６が短内管３２
により覆われているため、排気管部７の内周に付着して
いる反応副生成物がウエハｗからの輻射熱により気化し
て処理容器内２へ逆流することによるパーティクルの戻
りを抑制することができる。

【００２４】前記底板３０および短内管３２は例えば石
英ガラス製であることが好ましい。前記底板３０は蓋体
１７との間にガス流通用の隙間２８を形成すべく蓋体１
７上にスぺーサ３３を介して設けられているが、サーモ
プラグ１８の脚柱１９に取付けられていても良い。前記
短内管３２は処理容器２の内周との間にガス流通用の隙
間３１を形成すべく処理容器２の内径よりも小径に形成
されている。短内管３２の上端外周にはフランジ３４が
設けられ、このフランジ３４が処理容器２の内周に固定
されていても良いが、洗浄性およびメンテナンス性を良
くするために、処理容器２の内周に前記フランジ３４を
掛止する鍔部３６を適宜間隔で突設し、フランジ３４に
は鍔部３６を上下方向に通過可能な切欠部（図示省略）
を設けることにより短内管３２が着脱自在に保持されて
いることが好ましい。

【００２５】なお、蓋体１７の上面には腐食性ガスの接
触による腐食を防止するために例えば石英ガラス製のカ
バー材３７で被覆されていることが好ましい。また、処
理容器２には前記ガス導入管部５とは別に下側部から処
理容器２内の処理領域に処理ガスを導入するためのガス
導入管３８が設けられていることが好ましい。

【００２６】次に、以上の構成からなる縦型熱処理装置
の作用および縦型熱処理方法を述べる。ローディングエ
リア２６において図示しないカセットからボート６への
ウエハｗの移載が終了すると、昇降機構による蓋体１７
の上昇によってボート１６を処理容器２内に下部の開口
３からロードし、開口３を蓋体１７で気密に閉塞する。
この時、蓋体１７上の底板３０の周縁部が短内管３２の
下端部に当接し、ガス取込口２９から隙間２９，３１を
経て排気口６に連通するガス通路２７が形成される。

【００２７】そして、処理容器２内を、排気管部７に接
続された排気系による減圧排気により所定の圧力ないし
真空度に制御すると共にヒータ１１により所定の処理温
度に制御し、処理容器２の頂部のガス導入管部５に接続
されたガス供給系から所定の処理ガスを供給して処理容
器２頂部のガス導入口４から処理容器２内に導入してウ
エハｗに所定の熱処理例えばＣＶＤ処理を開始する。

【００２８】処理容器２内にはボート１６の下方中央に
ガス取込口２９を有し、ガス導入口４からの処理ガスを
ボート１６の下方中央に導いて排気口６に導くガス通路
２７が形成されており、単管構造の処理容器２の頂部に
設けたガス導入口４から処理容器２内に処理ガスを導入
し、該処理ガスをボート１６の下方の中央に導いてから
処理容器２の下側部に設けた排気口６から排気するよう
したので、処理容器２内の上方から下方へ片流れないし
偏った流れのない真っ直ぐな均一のガス流（下降流）を
形成することができ、ウエハの面内均一な処理が可能と
なる。熱処理が終了したなら、処理ガスの導入を停止
し、不活性ガスの導入により処理容器２内をパージして
から、蓋体１７を降下させて処理容器２内を開放すると
共にボート１６をローディングエリア２６にアンロード
すればよい。

【００２９】このアンロード時には、ウエハｗを搭載し
たボート１６が排気口６の横を通過することになるが、
排気口６が短内管３２によって覆われているので、排気
管部７の内面に付着している反応副生成物がウエハｗの
輻射熱で気化したとしても、その気化ガスが処理容器２
内に逆流することによるパーティクルの戻りを抑制する
ことができる。

【００３０】図２は本発明の第２の実施の形態を示す縦
型熱処理装置の断面図である。図２の実施の形態におい
て、図１の実施の形態と同一部分は同一参照符号を付し
て説明を省略し、異なる部分について説明を加える。図
２の縦型熱処理装置１においては、サーモプラグ１８の
面状発熱体（下部ヒータ）２０の中央部にガス取込口２
９が設けられ、処理容器２の排気口６よりも上方の内周
には面状発熱体２０の周縁部との隙間を塞ぐ内向きフラ
ンジ状の塞ぎ部材４０が設けられ、これにより処理容器
２の頂部のガス導入口４から導入された処理ガスをボー
ト１６の下方の中央に導いて排気口６へ案内するガス通
路２７が形成されている。

【００３１】図１の処理容器２は該処理容器２と同径の
短内管３２を取付けるために処理容器２の下側部が上側
部よりも大径に形成されているが、図２の処理容器２は
短内管を取付けないので下側部が上側部と同径に形成さ
れている。サーモプラグ１８の脚柱１９にはガス取込口
２９からの処理ガスを排気口６へ案内するための案内板
（遮熱板であっても良い）４１が設けられていることが
好ましい。なお、案内板４１は、ガス取込口２９からの
放熱を補うためにサーモプラグの面状発熱体からなって
いても良い。図２の縦型熱処理装置１ないし縦型熱処理
方法によれば、図１の縦型熱処理装置１と同様の効果が
得られると共に、特に簡単な構成で処理ガスの片流れを
容易に防止できる。

【００３２】図３は本発明の第３の実施の形態を示す縦
型熱処理装置の断面図である。図３の実施の形態におい
て、図１ないし図２の実施の形態と同一部分は同一参照
符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明を
加える。図３の縦型熱処理装置１においては、処理容器
２の下側部ではなく前記蓋体１７に排気口６が設けられ
ている。前記蓋体１７の中央部には前記ボート１６を回
転させる回転機構２５が設けられている。

【００３３】蓋体１７は、中央部を除く内部に環状の中
空室４２を有しており、蓋体１７の上面部にはこの中空
室４２と処理容器２内を連通する複数の排気口６が設け
られ、蓋体１７の下部には中空室４２を介して前記排気
口６と連通する排気管部７が突設されている。この場
合、排気管部７が蓋体１７と一体に昇降移動するため、
その動きを許容すべく排気管部７にはフレキシブル管を
介して排気系の配管が接続されていても良いが、図示例
のように排気管部７を略Ｕ字状に形成し、その先端部が
蓋体１７の閉時にベースプレート１０に貫通状態で固定
されている排気系の配管４４の端部と着脱自在に連結
（ドッキング）されるようになっていても良い。図３の
縦型熱処理装置１ないし縦型熱処理方法によれば、図１
ないし図２の縦型熱処理装置１と同様の効果が得られる
と共に、特にボート１６を回転できると共に処理ガスの
片流れを容易に防止してウエハｗの面内均一な処理が可
能となる。

【００３４】図４は本発明の第４の実施の形態を示す縦
型熱処理装置の断面図である。図４の実施の形態におい
て、図１、図２ないし図３の実施の形態と同一部分は同
一参照符号を付して説明を省略し、異なる部分について
説明を加える。図４の縦型熱処理装置１においては、蓋
体１７の中央部には排気口６が設けられ、蓋体１７の下
部には排気口６と連通した排気管部７が突設されてい
る。このため、蓋体１７の中央部には回転機構が設けら
れていない。また、ボート１６の載置台２２は中央部以
外に複数の支柱２３を備えている。

【００３５】排気管部７が蓋体１７と一体に昇降移動す
るため、その動きを許容すべく排気管部７にはフレキシ
ブル管４５を介して排気系の配管が接続されているが、
図３と同じドッキング方式を採用しても良い。図４の縦
型熱処理装置１ないし縦型熱処理方法によれば、単管構
造の処理容器２の頂部に設けたガス導入口４から処理容
器２内に処理ガスを導入し、該処理ガスを前記蓋体１７
に設けた排気口６から排気するようにしたので、図１、
図２ないし図３の縦型熱処理装置および縦型熱処理方法
と略同様の効果が得られる（但し、ボートを回転できな
い。）と共に、特に前記排気口６が蓋体１７の中央部に
設けられているため、簡単な構成で処理ガスの片流れを
容易に防止できる。

【００３６】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、熱処理の一例としてＣＶＤ処理が例示されている
が、本発明の縦型熱処理装置および縦型熱処理方法は、
ＣＶＤ処理以外に、例えば拡散処理、酸化処理、アニー
ル処理等も可能である。また、本発明の縦型熱処理装置
は、処理容器の下部にガス導入管や排気管部を有するマ
ニホールドを備えていても良い。処理容器の開口の断熱
手段としては、サーモプラグ以外に、例えば保温筒であ
っても良い。また、被処理体としては、半導体ウエハ以
外に、例えばＬＣＤ基板やガラス基板等であってもよ
い。

【００３７】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３８】（１）請求項１の発明によれば、処理容器
内に下部の開口から多数枚の被処理体を保持した保持具
を収容して開口を蓋体で密閉し、処理容器の周囲に設け
たヒータにより被処理体を加熱して所定の熱処理を行う
縦型熱処理装置において、前記処理容器を単管構造と
し、その頂部にガス導入口を設け、処理容器の下側部に
排気口を設け、前記蓋体上に前記ガス導入口からの処理
ガスを保持具の下方の中央に導いて前記排気口へ案内す
るガス通路を設けてなるため、ヒータの特性を十分に活
かすことができると共にパーティクルの問題を軽減する
ことができ、また、処理ガスの片流れを防止して被処理
体の面内均一な処理が可能となる。

【００３９】（２）請求項２の発明によれば、前記ガス
通路が、前記蓋体上に隙間を存して設けられ中央にガス
取込口を有する底板と、前記処理容器の内周に隙間を存
して設けられ上端が前記排気口よりも上方の処理容器内
周に保持され下端が前記底板の周縁部に当接される短内
管とによって形成されているため、処理ガスの片流れを
容易に防止できると共に、アンロード時に被処理体が排
気口の横を通過しても前記短内管によって排気口からの
パーティクルの戻りを抑制することができる。

【００４０】（３）請求項３の発明によれば、前記ガス
通路が、前記蓋体の上方に設けられ中央にガス取込口を
有する面状発熱体と、前記処理容器の内周に設けられ面
状発熱体の周縁部との隙間を塞ぐ塞ぎ部材とによって形
成されているため、簡単な構成で処理ガスの片流れを容
易に防止できる。

【００４１】（４）請求項４の発明によれば、処理容器
内に下部の開口から多数枚の被処理体を保持した保持具
を収容して開口を蓋体で密閉し、処理容器の周囲に設け
たヒータにより被処理体を加熱して所定の熱処理を行う
縦型熱処理装置において、前記処理容器を単管構造と
し、その頂部にガス導入口を設け、前記蓋体に排気口を
設けてなるため、ヒータの特性を十分に生かすことがで
きると共にパーティクルの問題を軽減することができ、
また、処理ガスの片流れを防止して被処理体の面内均一
な処理が可能となる。

【００４２】（５）請求項５の発明によれば、前記蓋体
の中央部には前記保持具を回転させる回転機構が設けら
れ、蓋体の中央部を除く処理容器内に露出する上面に前
記排気口が複数設けられ、蓋体の下部にはこれらの排気
口と連通する排気管部が設けられているため、保持具を
回転できると共に処理ガスの片流れを容易に防止して被
処理体の面内均一な処理が可能となる。

【００４３】（６）請求項６の発明によれば、前記排気
口が蓋体の中央部に設けられているため、簡単な構成で
処理ガスの片流れを容易に防止できる。

【００４４】（７）請求項７の発明によれば、処理容器
内に下部の開口から多数枚の被処理体を保持した保持具
を収容して開口を蓋体で密閉し、処理容器の周囲に設け
たヒータにより被処理体を加熱して所定の熱処理を行う
縦型熱処理方法において、前記処理容器を単管構造と
し、その頂部に設けたガス導入口から処理容器内に処理
ガスを導入し、該処理ガスを保持具の下方の中央に導い
てから処理容器の下側部に設けた排気口から排気するよ
うしたので、ヒータの特性を十分に生かすことができる
と共にパーティクルの問題を軽減することができ、ま
た、処理ガスの片流れを防止して被処理体の面内均一な
処理が可能となる。

【００４５】（８）請求項８の発明によれば、処理容器
内に下部の開口から多数枚の被処理体を保持した保持具
を収容して開口を蓋体で密閉し、処理容器の周囲に設け
たヒータにより被処理体を加熱して所定の熱処理を行う
縦型熱処理方法において、前記処理容器を単管構造と
し、その頂部に設けたガス導入口から処理容器内に処理
ガスを導入し、該処理ガスを前記蓋体に設けた排気口か
ら排気するようにしたので、ヒータの特性を十分に生か
すことができると共にパーティクルの問題を軽減するこ
とができ、また、処理ガスの片流れを防止して被処理体
の面内均一な処理が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す縦型熱処理装
置の縦断面図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態を示す縦型熱処理装
置の縦断面図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態を示す縦型熱処理装
置の縦断面図である。

【図４】本発明の第４の実施の形態を示す縦型熱処理装
置の縦断面図である。

【符号の説明】

ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 縦型熱処理装置 ２ 処理容器 ３ 開口 ４ ガス導入口 ６ 排気口 ７ 排気管部 １１ ヒータ １６ ボート（保持具） １７ 蓋体 ２０ 下部ヒータ（面状発熱体） ２７ ガス通路 ２９ ガス取込口 ３０ 底板 ３２ 短内管 ４０ 塞ぎ部材

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA04 EA06 EA11 KA04 KA09 KA23 5F045 AA03 BB15 DP19 DQ05 EF13 EF20 EK06 EM10 EN05

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内に下部の開口から多数枚の被
   処理体を保持した保持具を収容して開口を蓋体で密閉
   し、処理容器の周囲に設けたヒータにより被処理体を加
   熱して所定の熱処理を行う縦型熱処理装置において、前
   記処理容器を単管構造とし、その頂部にガス導入口を設
   け、処理容器の下側部に排気口を設け、前記蓋体上に前
   記ガス導入口からの処理ガスを保持具の下方の中央に導
   いて前記排気口へ案内するガス通路を設けてなることを
   特徴とする縦型熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記ガス通路が、前記蓋体上に隙間を存
   して設けられ中央にガス取込口を有する底板と、前記処
   理容器の内周に隙間を存して設けられ上端が前記排気口
   よりも上方の処理容器内周に保持され下端が前記底板の
   周縁部に当接される短内管とによって形成されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の縦型熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記ガス通路が、前記蓋体の上方に設け
   られ中央にガス取込口を有する面状発熱体と、前記処理
   容器の内周に設けられ面状発熱体の周縁部との隙間を塞
   ぐ塞ぎ部材とによって形成されていることを特徴とする
   請求項１記載の縦型熱処理装置。
4. 【請求項４】 処理容器内に下部の開口から多数枚の被
   処理体を保持した保持具を収容して開口を蓋体で密閉
   し、処理容器の周囲に設けたヒータにより被処理体を加
   熱して所定の熱処理を行う縦型熱処理装置において、前
   記処理容器を単管構造とし、その頂部にガス導入口を設
   け、前記蓋体に排気口を設けてなることを特徴とする縦
   型熱処理装置。
5. 【請求項５】 前記蓋体の中央部には前記保持具を回転
   させる回転機構が設けられ、蓋体の中央部を除く処理容
   器内に露出する上面に前記排気口が複数設けられ、蓋体
   の下部にはこれらの排気口と連通する排気管部が設けら
   れていることを特徴とする請求項４記載の縦型熱処理装
   置。
6. 【請求項６】 前記排気口が蓋体の中央部に設けられて
   いることを特徴とする請求項４記載の縦型熱処理装置。
7. 【請求項７】 処理容器内に下部の開口から多数枚の被
   処理体を保持した保持具を収容して開口を蓋体で密閉
   し、処理容器の周囲に設けたヒータにより被処理体を加
   熱して所定の熱処理を行う縦型熱処理方法において、前
   記処理容器を単管構造とし、その頂部に設けたガス導入
   口から処理容器内に処理ガスを導入し、該処理ガスを保
   持具の下方の中央に導いてから処理容器の下側部に設け
   た排気口から排気するようしたことを特徴とする縦型熱
   処理方法。
8. 【請求項８】 処理容器内に下部の開口から多数枚の被
   処理体を保持した保持具を収容して開口を蓋体で密閉
   し、処理容器の周囲に設けたヒータにより被処理体を加
   熱して所定の熱処理を行う縦型熱処理方法において、前
   記処理容器を単管構造とし、その頂部に設けたガス導入
   口から処理容器内に処理ガスを導入し、該処理ガスを前
   記蓋体に設けた排気口から排気するようにしたことを特
   徴とする縦型熱処理方法。