JP2002327186A - 代替天然ガスの製造法およびその装置 - Google Patents
代替天然ガスの製造法およびその装置Info
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- JP2002327186A JP2002327186A JP2001173194A JP2001173194A JP2002327186A JP 2002327186 A JP2002327186 A JP 2002327186A JP 2001173194 A JP2001173194 A JP 2001173194A JP 2001173194 A JP2001173194 A JP 2001173194A JP 2002327186 A JP2002327186 A JP 2002327186A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価な水及び安価な炭素材を原料として、低
コストでクリーンな代替天然ガスの大量生産を可能とす
る代替天然ガス製造法および代替天然ガス製造装置を提
供する。 【解決手段】 熱プラズマリアクタPRの合成ガス生成
部34Bで高温下で水蒸気からなるプラズマガスを固形
状炭素材に接触反応させることにより、合成ガスを生成
し、合成ガスをメタン化反応装置MRでメタン化反応さ
せてメタンリッチガスを生成し、メタンリッチガスを冷
却して凝縮水を分離し、これを水蒸気に変換してプラズ
マガスとして合成ガス生成部に循環させながら代替天然
ガスSNGを生成する。H2/CO比はアーク電極3
6、38、40のアーク電流を制御装置106で制御す
ることにより所定値に調整される。
コストでクリーンな代替天然ガスの大量生産を可能とす
る代替天然ガス製造法および代替天然ガス製造装置を提
供する。 【解決手段】 熱プラズマリアクタPRの合成ガス生成
部34Bで高温下で水蒸気からなるプラズマガスを固形
状炭素材に接触反応させることにより、合成ガスを生成
し、合成ガスをメタン化反応装置MRでメタン化反応さ
せてメタンリッチガスを生成し、メタンリッチガスを冷
却して凝縮水を分離し、これを水蒸気に変換してプラズ
マガスとして合成ガス生成部に循環させながら代替天然
ガスSNGを生成する。H2/CO比はアーク電極3
6、38、40のアーク電流を制御装置106で制御す
ることにより所定値に調整される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】 本発明は、代替天然ガス
(以下、SNGと略称する)の製造法およびその製造装
置に関し、とくに、硫黄分を全く含まないクリーンな代
替天然ガスの製造法およびその装置に関する。
(以下、SNGと略称する)の製造法およびその製造装
置に関し、とくに、硫黄分を全く含まないクリーンな代
替天然ガスの製造法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】 近年、炭酸ガス排出による地球温暖化
防止の切り札として天然ガスの利用が急拡大している。
天然ガスの採掘には多大な投資と環境破壊が生じ、環境
負荷が大きくなるとともに、投資コストの回収に長期の
時間を必要とする。しかも、天然ガスは原油の国際価格
に連動しているため、価格が不安定となって、天然ガス
の価格が高値維持してその普及が遅れているのが現状で
ある。
防止の切り札として天然ガスの利用が急拡大している。
天然ガスの採掘には多大な投資と環境破壊が生じ、環境
負荷が大きくなるとともに、投資コストの回収に長期の
時間を必要とする。しかも、天然ガスは原油の国際価格
に連動しているため、価格が不安定となって、天然ガス
の価格が高値維持してその普及が遅れているのが現状で
ある。
【0003】 そこで、米国特許第5,128,000
3号および特開平8−127,544号には二酸化炭素
と水素を原料としてSNGの主成分であるメタンを製造
する方法が提案されている。しかしながら、SNGの原
料である二酸化炭素と水素が極めて高いため、SNGを
低コストで製造することができない。
3号および特開平8−127,544号には二酸化炭素
と水素を原料としてSNGの主成分であるメタンを製造
する方法が提案されている。しかしながら、SNGの原
料である二酸化炭素と水素が極めて高いため、SNGを
低コストで製造することができない。
【0004】特開平2000−53,978号には炭化
水素または低級アルコールから選ばれた炭化水素含有物
を原料としてSNGを製造する方法が提案されている。
このSNG製造法ではメタン化反応中に触媒表面に炭素
が析出して反応が劣化する。このため、SNGを連続的
に生産することができない。しかも、原料コストが高価
であるため、SNGの製造コストを低減することができ
ない。
水素または低級アルコールから選ばれた炭化水素含有物
を原料としてSNGを製造する方法が提案されている。
このSNG製造法ではメタン化反応中に触媒表面に炭素
が析出して反応が劣化する。このため、SNGを連続的
に生産することができない。しかも、原料コストが高価
であるため、SNGの製造コストを低減することができ
ない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は安価な水お
よび安価な炭素材を原料としてクリーンな代替天然ガス
を低コストで安定的に大量生産することが可能な製造法
およびその装置を提供することを目的とする。
よび安価な炭素材を原料としてクリーンな代替天然ガス
を低コストで安定的に大量生産することが可能な製造法
およびその装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】 本発明の第1概念によ
れば、代替天然ガス製造法は熱プラズマ反応室と、熱プ
ラズマ反応室に配置されたアーク電極とを備えた熱プラ
ズマリアクタを準備する工程と; 熱プラズマ反応室内
に固形状炭素材を充填して固形状炭素材の隙間に微小ア
ーク通路を形成する工程と; アーク電極にプラズマ電
力を供給して微小アーク通路内に熱プラズマを発生させ
る工程と;水蒸気からなるプラズマガスを微小アーク通
路内に通過させながら熱プラズマを発生させてプラズマ
ガスと固形状炭素材の炭素とを接触反応させることによ
りH2、CO含有合成ガスを生成する工程と; アーク
電極のアーク電流を可変して熱プラズマ温度を制御する
ことにより、H2/CO比を所定値以上に調整する工程
と; メタン化反応槽のメタン化触媒に前記所定値の合
成ガスを接触させて水分含有メタンリッチガスを合成す
る工程と; メタンリッチガスを冷却してメタンリッチ
ガスから第1凝縮水を分離回収する工程と; 第1凝縮
水を水蒸気に変換して前記プラズマガスとして前記微小
アーク通路内に供給する工程と; を備えることにより
達成される。
れば、代替天然ガス製造法は熱プラズマ反応室と、熱プ
ラズマ反応室に配置されたアーク電極とを備えた熱プラ
ズマリアクタを準備する工程と; 熱プラズマ反応室内
に固形状炭素材を充填して固形状炭素材の隙間に微小ア
ーク通路を形成する工程と; アーク電極にプラズマ電
力を供給して微小アーク通路内に熱プラズマを発生させ
る工程と;水蒸気からなるプラズマガスを微小アーク通
路内に通過させながら熱プラズマを発生させてプラズマ
ガスと固形状炭素材の炭素とを接触反応させることによ
りH2、CO含有合成ガスを生成する工程と; アーク
電極のアーク電流を可変して熱プラズマ温度を制御する
ことにより、H2/CO比を所定値以上に調整する工程
と; メタン化反応槽のメタン化触媒に前記所定値の合
成ガスを接触させて水分含有メタンリッチガスを合成す
る工程と; メタンリッチガスを冷却してメタンリッチ
ガスから第1凝縮水を分離回収する工程と; 第1凝縮
水を水蒸気に変換して前記プラズマガスとして前記微小
アーク通路内に供給する工程と; を備えることにより
達成される。
【0007】本発明の第2概念によれば、代替天然ガス
製造法は、熱プラズマ反応室と、熱プラズマ反応室に配
置されたアーク電極とを備えたプラズマリアクタを準備
する工程と; 熱プラズマ反応室内に固形状炭素材を充
填して固形状炭素材の隙間に微小アーク通路を形成する
工程と; アーク電極にアーク電力を供給して微小アー
ク通路内に熱プラズマを発生させる工程と; 水蒸気か
らなるプラズマガスを微小アーク通路内に通過させなが
ら熱プラズマを発生させてプラズマガスと固形状炭素材
の炭素とを接触反応させることによりH2、CO含有合
成ガスを生成する工程と; 合成ガス中のH2、COの
濃度を検出して検出信号を出力する工程と; 検出信号
からH2/CO比を算出してアーク電流制御信号を出力
する工程と; アーク電流制御信号に応答してアーク電
流を可変して熱プラズマ温度を制御することにより、H
2/CO比を所定値以上に調整する工程と;メタン化反
応槽のメタン化触媒に前記所定値の合成ガスを接触させ
て水分含有メタンリッチガスを合成する工程と; メタ
ンリッチガスを冷却してメタンリッチガスから第1凝縮
水を分離回収する工程と; 第1凝縮水を水蒸気に変換
して前記プラズマガスとして前記微小アーク通路内に供
給する工程と; を備えることにより達成される。
製造法は、熱プラズマ反応室と、熱プラズマ反応室に配
置されたアーク電極とを備えたプラズマリアクタを準備
する工程と; 熱プラズマ反応室内に固形状炭素材を充
填して固形状炭素材の隙間に微小アーク通路を形成する
工程と; アーク電極にアーク電力を供給して微小アー
ク通路内に熱プラズマを発生させる工程と; 水蒸気か
らなるプラズマガスを微小アーク通路内に通過させなが
ら熱プラズマを発生させてプラズマガスと固形状炭素材
の炭素とを接触反応させることによりH2、CO含有合
成ガスを生成する工程と; 合成ガス中のH2、COの
濃度を検出して検出信号を出力する工程と; 検出信号
からH2/CO比を算出してアーク電流制御信号を出力
する工程と; アーク電流制御信号に応答してアーク電
流を可変して熱プラズマ温度を制御することにより、H
2/CO比を所定値以上に調整する工程と;メタン化反
応槽のメタン化触媒に前記所定値の合成ガスを接触させ
て水分含有メタンリッチガスを合成する工程と; メタ
ンリッチガスを冷却してメタンリッチガスから第1凝縮
水を分離回収する工程と; 第1凝縮水を水蒸気に変換
して前記プラズマガスとして前記微小アーク通路内に供
給する工程と; を備えることにより達成される。
【0008】 本発明の第3概念によれば、代替天然ガ
ス製造装置は、密閉された熱プラズマ反応室と、熱プラ
ズマ反応室に配置されたアーク電極とを有する熱プラズ
マリアクタと; 熱プラズマ反応室に固形状炭素材を供
給する炭素材供給装置と; 熱プラズマ反応室に原料水
を供給する原料水供給ラインと; 熱プラズマ反応室内
に形成されていて固形状炭素材の隙間に複数の微小アー
ク通路を備え、水蒸気からなるプラズマガスの存在下で
微小アーク通路内に熱プラズマを発生させて前記プラズ
マガスと前記固形状炭素材との接触反応によりH2、C
O含有合成ガスを生成する合成ガス生成部と; 前記ア
ーク電極にアーク電流を供給するプラズマ電源と; 前
記アーク電流を制御して熱プラズマ温度を可変すること
により、H2/CO比を所定値以上に調整する制御装置
と; 前記合成ガスから水分含有メタンリッチガスを合
成するメタン化反応槽と; メタンリッチガスを冷却し
てメタンリッチガスから凝縮水を分離回収する熱交換器
と; 凝縮水を前記熱プラズマ反応室に還流させる凝縮
水還流ラインと;を備えることにより達成される。
ス製造装置は、密閉された熱プラズマ反応室と、熱プラ
ズマ反応室に配置されたアーク電極とを有する熱プラズ
マリアクタと; 熱プラズマ反応室に固形状炭素材を供
給する炭素材供給装置と; 熱プラズマ反応室に原料水
を供給する原料水供給ラインと; 熱プラズマ反応室内
に形成されていて固形状炭素材の隙間に複数の微小アー
ク通路を備え、水蒸気からなるプラズマガスの存在下で
微小アーク通路内に熱プラズマを発生させて前記プラズ
マガスと前記固形状炭素材との接触反応によりH2、C
O含有合成ガスを生成する合成ガス生成部と; 前記ア
ーク電極にアーク電流を供給するプラズマ電源と; 前
記アーク電流を制御して熱プラズマ温度を可変すること
により、H2/CO比を所定値以上に調整する制御装置
と; 前記合成ガスから水分含有メタンリッチガスを合
成するメタン化反応槽と; メタンリッチガスを冷却し
てメタンリッチガスから凝縮水を分離回収する熱交換器
と; 凝縮水を前記熱プラズマ反応室に還流させる凝縮
水還流ラインと;を備えることにより達成される。
【0009】
【作用】 本発明の代替天然ガスの製造法およびその装
置によれば、熱プラズマ反応室内において水蒸気をプラ
ズマガスとして合成ガス生成部の固形状炭素材の隙間に
形成された微小アーク通路内に供給し、微小アーク通路
内に熱プラズマを発生させながら水蒸気と炭素材の炭素
とを接触反応させ、次式で示されるようにH2、CO含
有合成ガスを効率的に生成する。
置によれば、熱プラズマ反応室内において水蒸気をプラ
ズマガスとして合成ガス生成部の固形状炭素材の隙間に
形成された微小アーク通路内に供給し、微小アーク通路
内に熱プラズマを発生させながら水蒸気と炭素材の炭素
とを接触反応させ、次式で示されるようにH2、CO含
有合成ガスを効率的に生成する。
【0010】 C+H2O→Co+H2
(1) Co+H2O→CO2+H2 (2)
(1) Co+H2O→CO2+H2 (2)
【0011】 次に(1)、(2)の反応で得られた合
成ガスはついでメタン化槽に給送されて、そこでメタン
化触媒と接触反応して次式の如く、メタンリッチガスか
らなるSNGを生成する。
成ガスはついでメタン化槽に給送されて、そこでメタン
化触媒と接触反応して次式の如く、メタンリッチガスか
らなるSNGを生成する。
【0012】 Co+3H2→CH4+H2O
(3) Co2+4H2→CH4+2H2O (4)
(3) Co2+4H2→CH4+2H2O (4)
【0013】 上記(3)、(4)の反応式に示される
ように、メタンリッチガスには副産物として生成水が含
まれるが、本発明ではメタンリッチガスから生成水を分
離凝縮して凝縮水として回収し、これを熱プラズマ反応
室の上流側の水蒸気発生部に還流することによりプラズ
マガス原料として利用し、排水を外部に排出しないで環
境負荷を低減し、同時に原料コストを下げて、極めて低
コストにて代替天然ガスの大量生産を可能とする。
ように、メタンリッチガスには副産物として生成水が含
まれるが、本発明ではメタンリッチガスから生成水を分
離凝縮して凝縮水として回収し、これを熱プラズマ反応
室の上流側の水蒸気発生部に還流することによりプラズ
マガス原料として利用し、排水を外部に排出しないで環
境負荷を低減し、同時に原料コストを下げて、極めて低
コストにて代替天然ガスの大量生産を可能とする。
【0014】
【発明の実施の形態】 以下本発明の望ましい実施例に
よる代替天然ガス製造装置につき図面を参照しながら説
明する。図1において、代替天然ガス製造装置10は固
形状炭素材を供給するための炭素原料投入装置12と、
原料水供給ライン11と、原料水供給ライン11に原料
水を供給する給水ポンプP1と、原料水の流量を調整す
る流量制御弁13と、合成ガスを生成する熱プラズマリ
アクタPRと、熱プラズマリアクタPRの熱プラズマ反
応室の温度を検出して温度信号として出力する温度セン
サT1と、合成ガスの一部を還流する合成ガス還流ライ
ン15と、合成ガス還流量を調整する流量制御弁17
と、原料水と合成ガスを熱交換して原料水を予熱するた
めの第1熱交換器H1と、合成ガスを冷却するための冷
却器C1と、開閉弁V1と、合成ガスから水蒸気を分離
回収して凝縮水を生成する第1気水分離器S1と、第1
気水分離器S1の底部から原料水供給ライン11に合流
する凝縮水還流ライン19と、凝縮水を凝縮水供給ライ
ン11を介して熱プラズマリアクタPRに循環させる循
環ポンプP2と、第1気水分離器S1に配置されて凝縮
水のレベルを検知してレベル信号を出力する第1レベル
センサL1と、第1気水分離器S1に配置されて水素濃
度およびCO濃度をそれぞれ検出して水素濃度検出信号
およびCO濃度検出信号を出力する水素センサH2Sお
よび一酸化炭素センサCOSと、合成ガスを15〜50
kg/cm2の範囲で加圧するためのコンプレッサCM
と、合成ガスの圧力を検出して圧力信号を出力する圧力
センサPSと、メタン化触媒が充填されていてメタンリ
ッチガスを生成するメタン化反応槽MRと、メタン化反
応槽MRに熱媒を供給して250〜500℃の反応温度
に加熱する熱交換器100と、メタン化反応槽MRの温
度を検出してメタン化反応温度信号を出力する温度セン
サT2と、メタンリッチガスを冷却するための第2熱交
換器H2と、メタンリッチガスをさらに冷却するための
冷却器C2と、膨張弁V2と、メタンリッチガスから代
替天然ガスSNGと副生成水を分離回収する第2気水分
離器S2と、代替天然ガスの流量を検出してSNG流量
検出信号を出力するガス流量センサ102と、第2気水
分離器S2の凝縮水を凝縮水還流ライン19を介して原
料水供給ライン11と合流させる凝縮水還流ライン21
と、SNGの一部を分岐させるための分岐バルブV3
と、SNGにより駆動される発電装置EGと、供給電圧
を可変して熱プラズマリアクタPRの供給電力を制御す
る電流制御装置104と、地震センサ105とを備え
る。温度センサT1,T2の温度検出信号、第1、第2
レベルセンサL1,L2のレベル信号、水素センサH2
Sの水素濃度検出信号、一酸化炭素センサCOSのCO
濃度検出信号、圧力センサPSの合成ガス圧力の検出信
号、SNG流量センサ102および地震センサ105の
検出信号は制御装置106に出力され、制御装置106
はこれら検出信号に応答して下記の如く代替天然ガス製
造装置10の運転を制御する。
よる代替天然ガス製造装置につき図面を参照しながら説
明する。図1において、代替天然ガス製造装置10は固
形状炭素材を供給するための炭素原料投入装置12と、
原料水供給ライン11と、原料水供給ライン11に原料
水を供給する給水ポンプP1と、原料水の流量を調整す
る流量制御弁13と、合成ガスを生成する熱プラズマリ
アクタPRと、熱プラズマリアクタPRの熱プラズマ反
応室の温度を検出して温度信号として出力する温度セン
サT1と、合成ガスの一部を還流する合成ガス還流ライ
ン15と、合成ガス還流量を調整する流量制御弁17
と、原料水と合成ガスを熱交換して原料水を予熱するた
めの第1熱交換器H1と、合成ガスを冷却するための冷
却器C1と、開閉弁V1と、合成ガスから水蒸気を分離
回収して凝縮水を生成する第1気水分離器S1と、第1
気水分離器S1の底部から原料水供給ライン11に合流
する凝縮水還流ライン19と、凝縮水を凝縮水供給ライ
ン11を介して熱プラズマリアクタPRに循環させる循
環ポンプP2と、第1気水分離器S1に配置されて凝縮
水のレベルを検知してレベル信号を出力する第1レベル
センサL1と、第1気水分離器S1に配置されて水素濃
度およびCO濃度をそれぞれ検出して水素濃度検出信号
およびCO濃度検出信号を出力する水素センサH2Sお
よび一酸化炭素センサCOSと、合成ガスを15〜50
kg/cm2の範囲で加圧するためのコンプレッサCM
と、合成ガスの圧力を検出して圧力信号を出力する圧力
センサPSと、メタン化触媒が充填されていてメタンリ
ッチガスを生成するメタン化反応槽MRと、メタン化反
応槽MRに熱媒を供給して250〜500℃の反応温度
に加熱する熱交換器100と、メタン化反応槽MRの温
度を検出してメタン化反応温度信号を出力する温度セン
サT2と、メタンリッチガスを冷却するための第2熱交
換器H2と、メタンリッチガスをさらに冷却するための
冷却器C2と、膨張弁V2と、メタンリッチガスから代
替天然ガスSNGと副生成水を分離回収する第2気水分
離器S2と、代替天然ガスの流量を検出してSNG流量
検出信号を出力するガス流量センサ102と、第2気水
分離器S2の凝縮水を凝縮水還流ライン19を介して原
料水供給ライン11と合流させる凝縮水還流ライン21
と、SNGの一部を分岐させるための分岐バルブV3
と、SNGにより駆動される発電装置EGと、供給電圧
を可変して熱プラズマリアクタPRの供給電力を制御す
る電流制御装置104と、地震センサ105とを備え
る。温度センサT1,T2の温度検出信号、第1、第2
レベルセンサL1,L2のレベル信号、水素センサH2
Sの水素濃度検出信号、一酸化炭素センサCOSのCO
濃度検出信号、圧力センサPSの合成ガス圧力の検出信
号、SNG流量センサ102および地震センサ105の
検出信号は制御装置106に出力され、制御装置106
はこれら検出信号に応答して下記の如く代替天然ガス製
造装置10の運転を制御する。
【0015】 図2は図1の熱プラズマリアクタPRの
具体的構造を示す。図2において、熱プラズマリアクタ
PRは炭素原料投入装置12に接続された熱プラズマ反
応装置14と、多相交流電源からなるプラズマ電源16
とを備える。原料投入装置12は粉末状、ペレット状ま
たは塊状の黒鉛、粒状活性炭、あるいはカーボンパウダ
ー等の固形状炭素原料を貯蔵するホッパ20と、スクリ
ューフィーダ22と、ロータリバルブ24とを備え、熱
プラズマ反応装置14内に固形状炭素原料を連続投入す
る。熱プラズマ反応装置14は耐熱性セラミックからな
る円筒状外部絶縁ケーシング26と、円筒状熱プラズマ
反応室34を有する内部絶縁ケーシング32とを備え、
その上端部にボルト30により装着された絶縁性電極ホ
ルダー28を備える。熱プラズマ反応室34は上流側に
形成された水蒸気発生部34Aと、その下流側に形成さ
れた合成ガス発生部34Bとを備える。合成ガス発生部
34Bに粒状炭素材が供給されると、多数の微小アーク
通路35が形成され、微小アーク通路内ではスパークに
よる多量の熱プラズマが均一に発生する。このとき、原
料水はプラズマアーク反応室34の上流側に形成された
水蒸気発生部34Aで高温により水蒸気となり、この水
蒸気がプラズマガスとして微小アーク通路35を下流側
に通過し、その間に水蒸気が炭素材の炭素と接触反応し
て前述の反応式の如く合成ガスが生成される。このと
き、熱プラズマ反応室34の反応温度が約835℃のと
き、生成ガスはH2、47.8%;Co,9.8%;C
h4、16.4%;CO2、13.8%;C2H2、
2.0%;C2H6、1.0%;O2、2.4%;その
他炭化水素(CxHy)2.2%となる。熱プラズマ反
応室34の反応温度が約1000℃まで上昇すると、生
成ガスはH2、75.5%;CO,13.4%;C
O2、7.6%;CH4、2.0%;C2H2、0.3
%;C2H6、0.1%;O2、2.0%%となり、H
2/CO比は5.6となる。このように、プラズマ温度
の制御により,容易に合成ガス中のH2/Co比を調整
することができる。
具体的構造を示す。図2において、熱プラズマリアクタ
PRは炭素原料投入装置12に接続された熱プラズマ反
応装置14と、多相交流電源からなるプラズマ電源16
とを備える。原料投入装置12は粉末状、ペレット状ま
たは塊状の黒鉛、粒状活性炭、あるいはカーボンパウダ
ー等の固形状炭素原料を貯蔵するホッパ20と、スクリ
ューフィーダ22と、ロータリバルブ24とを備え、熱
プラズマ反応装置14内に固形状炭素原料を連続投入す
る。熱プラズマ反応装置14は耐熱性セラミックからな
る円筒状外部絶縁ケーシング26と、円筒状熱プラズマ
反応室34を有する内部絶縁ケーシング32とを備え、
その上端部にボルト30により装着された絶縁性電極ホ
ルダー28を備える。熱プラズマ反応室34は上流側に
形成された水蒸気発生部34Aと、その下流側に形成さ
れた合成ガス発生部34Bとを備える。合成ガス発生部
34Bに粒状炭素材が供給されると、多数の微小アーク
通路35が形成され、微小アーク通路内ではスパークに
よる多量の熱プラズマが均一に発生する。このとき、原
料水はプラズマアーク反応室34の上流側に形成された
水蒸気発生部34Aで高温により水蒸気となり、この水
蒸気がプラズマガスとして微小アーク通路35を下流側
に通過し、その間に水蒸気が炭素材の炭素と接触反応し
て前述の反応式の如く合成ガスが生成される。このと
き、熱プラズマ反応室34の反応温度が約835℃のと
き、生成ガスはH2、47.8%;Co,9.8%;C
h4、16.4%;CO2、13.8%;C2H2、
2.0%;C2H6、1.0%;O2、2.4%;その
他炭化水素(CxHy)2.2%となる。熱プラズマ反
応室34の反応温度が約1000℃まで上昇すると、生
成ガスはH2、75.5%;CO,13.4%;C
O2、7.6%;CH4、2.0%;C2H2、0.3
%;C2H6、0.1%;O2、2.0%%となり、H
2/CO比は5.6となる。このように、プラズマ温度
の制御により,容易に合成ガス中のH2/Co比を調整
することができる。
【0016】絶縁電極ホルダー28は棒状多相アーク電
極36、38、40を支持する。絶縁ケーシング32の
下部には熱プラズマ発生用熱電子を放出するための円板
状中性電極42が配置される。中性電極42は円錐面4
2aと、中央開口部42bとを備える。中性電極42は
絶縁ケーシング26の下端部に形成された電極ホルダー
部78により支持され、ボルト80で固定される。電極
ホルダー28は炭素原料投入装置12に接続された炭素
材供給口50を備える。外部絶縁ケーシング26の上部
には水蒸気発生部に34Aに原料水を導入するための原
料水供給口52がアーク電極36、38、40の上部付
近に隣接して配置される。その理由は、原料水によって
アーク電極36、38、40を効果的に冷却してアーク
電極の異常温度上昇を防止するとともに、アーク電極3
6,38,40の高温を利用して原料水からプラズマガ
スとして機能する水蒸気を効率的に発生させるためであ
る。内部ケーシング32および中性電極42の外周には
環状冷却通路54からなる冷却兼排熱回収部63が形成
され、これら冷却通路は連通路64により互いに連通し
ている。外部絶縁ケーシング26はインレット74およ
びアウトレット76を備え、これらはそれぞれ冷却通路
54にそれぞれ連通している。絶縁ケーシング26の下
端部を構成する電極ホルダー部78にはボルト80を介
して絶縁性エンドプレート82が固定され、これらの間
にシール材83が配置される。熱プラズマ反応室34の
下流側には中性電極42の中央開口部42bおよびエン
ドプレート82のフイルタ収容部82aによりフイルタ
84が収容され、合成ガスSGを通過するようになって
いる。エンドプレート82は合成ガスアウトレット86
を備える。
極36、38、40を支持する。絶縁ケーシング32の
下部には熱プラズマ発生用熱電子を放出するための円板
状中性電極42が配置される。中性電極42は円錐面4
2aと、中央開口部42bとを備える。中性電極42は
絶縁ケーシング26の下端部に形成された電極ホルダー
部78により支持され、ボルト80で固定される。電極
ホルダー28は炭素原料投入装置12に接続された炭素
材供給口50を備える。外部絶縁ケーシング26の上部
には水蒸気発生部に34Aに原料水を導入するための原
料水供給口52がアーク電極36、38、40の上部付
近に隣接して配置される。その理由は、原料水によって
アーク電極36、38、40を効果的に冷却してアーク
電極の異常温度上昇を防止するとともに、アーク電極3
6,38,40の高温を利用して原料水からプラズマガ
スとして機能する水蒸気を効率的に発生させるためであ
る。内部ケーシング32および中性電極42の外周には
環状冷却通路54からなる冷却兼排熱回収部63が形成
され、これら冷却通路は連通路64により互いに連通し
ている。外部絶縁ケーシング26はインレット74およ
びアウトレット76を備え、これらはそれぞれ冷却通路
54にそれぞれ連通している。絶縁ケーシング26の下
端部を構成する電極ホルダー部78にはボルト80を介
して絶縁性エンドプレート82が固定され、これらの間
にシール材83が配置される。熱プラズマ反応室34の
下流側には中性電極42の中央開口部42bおよびエン
ドプレート82のフイルタ収容部82aによりフイルタ
84が収容され、合成ガスSGを通過するようになって
いる。エンドプレート82は合成ガスアウトレット86
を備える。
【0017】アウトレット86は合成ガス還流ライン1
5および流量制御弁17を介して原料水供給ライン11
と合流された後、原料水供給口52に接続される。原料
水は冷却部63で予熱されてアウトレット76を経て原
料水供給口52を介して、熱プラズマ反応室34の水蒸
気発生部34Aに導入され、水蒸気からなるプラズマガ
スが生成される。このとき、アウトレット86の合成ガ
スSGの一部は合成ガス還流ライン15を経て原料水供
給口52から熱プラズマ反応室34内に供給され、上述
の反応式(2)の水生シフト反応が行われる。符号88
はシール部材を示す。
5および流量制御弁17を介して原料水供給ライン11
と合流された後、原料水供給口52に接続される。原料
水は冷却部63で予熱されてアウトレット76を経て原
料水供給口52を介して、熱プラズマ反応室34の水蒸
気発生部34Aに導入され、水蒸気からなるプラズマガ
スが生成される。このとき、アウトレット86の合成ガ
スSGの一部は合成ガス還流ライン15を経て原料水供
給口52から熱プラズマ反応室34内に供給され、上述
の反応式(2)の水生シフト反応が行われる。符号88
はシール部材を示す。
【0018】図2において、多相アーク電極36,3
8,40は三相交流電極からなり、多相交流電源16は
三相交流電源からなるものとして示され、三相交流電源
の中性点に中性電極42が接続される。三相交流電源1
6から三相交流電極36、38、40と中性電極42と
の間に、出力周波数50−60Hz、出力電圧30−2
40V,出力電流100−200Aの三相交流電力が給
電される。このとき、三相交流電極36、38、40の
うち、2つの電極と3つの電極と中性電極42との間で
同時に複数の熱プラズマコラム(柱)が回転移動する。
三相交流電流の位相に応じて、複数の熱プラズマコラム
の発生位置が連続的に変化して固形状炭素材を均一に加
熱することで、効率的に熱プラズマ反応室34内で合成
ガスを発生させる。このとき、固形状炭素原料の隙間に
は常時多量の電離イオンが存在し、中性電極42からは
常時熱電子が放出されるため、熱プラズマが常に安定し
て発生する。代替天然ガスSNGの一部はコンプレッサ
およびタービンからなる発電プラントEGのコンバスタ
CBに供給され、発電機GEが駆動される。発電機GE
の出力電力はインバータ等からなる電流制御装置104
を介して熱プラズマリアクタPRに供給される。
8,40は三相交流電極からなり、多相交流電源16は
三相交流電源からなるものとして示され、三相交流電源
の中性点に中性電極42が接続される。三相交流電源1
6から三相交流電極36、38、40と中性電極42と
の間に、出力周波数50−60Hz、出力電圧30−2
40V,出力電流100−200Aの三相交流電力が給
電される。このとき、三相交流電極36、38、40の
うち、2つの電極と3つの電極と中性電極42との間で
同時に複数の熱プラズマコラム(柱)が回転移動する。
三相交流電流の位相に応じて、複数の熱プラズマコラム
の発生位置が連続的に変化して固形状炭素材を均一に加
熱することで、効率的に熱プラズマ反応室34内で合成
ガスを発生させる。このとき、固形状炭素原料の隙間に
は常時多量の電離イオンが存在し、中性電極42からは
常時熱電子が放出されるため、熱プラズマが常に安定し
て発生する。代替天然ガスSNGの一部はコンプレッサ
およびタービンからなる発電プラントEGのコンバスタ
CBに供給され、発電機GEが駆動される。発電機GE
の出力電力はインバータ等からなる電流制御装置104
を介して熱プラズマリアクタPRに供給される。
【0019】図3において、制御装置106は本発明の
代替天然ガス製造装置10の運転を制御するための制御
プログラムや基準データを格納するROM(Read
On Memory)110と、制御プログラムやデー
タを処理するためのCPU(Central Proc
essing Unit)112と設定した条件とその
値なんらびに各種センサからの入力情報などを記憶して
おくための不揮発性のRAM(Random Acce
ss Memory)114とを備える。CPU112
には設定流量、設定温度、設定圧力または設定H2/C
O比などの入力情報を設定入力するテンキー、プラント
運転開始を指令するスタートキー等を有する入力装置1
16と、温度センサT1,T2,水素濃度センサH
2S、CO濃度センサCOS,レベルセンサL1,L
2,SNG流量センサ102、圧力センサPSおよび地
震センサ105とが接続され、各種検出信号が入力信号
として入力される。CPU112はこれら入力信号をR
OM110に記憶されたそれぞれの基準信号と比較して
それらの差に応じて各種指令信号を出力し、これらを熱
交換器100、電流制御装置104、流量制御弁13、
17およびポンプP1,P2に供給する。表示部110
はたとえば液晶等の表示パネルで構成され、検出圧力、
検出温度、H2濃度、CO濃度、H2/CO比およびS
NG流量等の各種情報の表示を行う。表示駆動回路10
8は表示部110に表示される情報を切り替え制御す
る。
代替天然ガス製造装置10の運転を制御するための制御
プログラムや基準データを格納するROM(Read
On Memory)110と、制御プログラムやデー
タを処理するためのCPU(Central Proc
essing Unit)112と設定した条件とその
値なんらびに各種センサからの入力情報などを記憶して
おくための不揮発性のRAM(Random Acce
ss Memory)114とを備える。CPU112
には設定流量、設定温度、設定圧力または設定H2/C
O比などの入力情報を設定入力するテンキー、プラント
運転開始を指令するスタートキー等を有する入力装置1
16と、温度センサT1,T2,水素濃度センサH
2S、CO濃度センサCOS,レベルセンサL1,L
2,SNG流量センサ102、圧力センサPSおよび地
震センサ105とが接続され、各種検出信号が入力信号
として入力される。CPU112はこれら入力信号をR
OM110に記憶されたそれぞれの基準信号と比較して
それらの差に応じて各種指令信号を出力し、これらを熱
交換器100、電流制御装置104、流量制御弁13、
17およびポンプP1,P2に供給する。表示部110
はたとえば液晶等の表示パネルで構成され、検出圧力、
検出温度、H2濃度、CO濃度、H2/CO比およびS
NG流量等の各種情報の表示を行う。表示駆動回路10
8は表示部110に表示される情報を切り替え制御す
る。
【0020】入力装置116はスタートスィッチ(図示
せず)と、熱プラズマ反応装置14およびメタン化反応
槽MRのそれぞれの最適温度、合成ガスSGの最適H2
/CO比、コンプレッサCMの目標圧力、凝縮水のレベ
ル値L1,L2、SNGの目標流量、目標地震レベル値
等の各種基準データを設定入力するためのキースィッチ
(図示せず)を備える。温度センサT1は内部ケーシン
グ32を介して熱プラズマ反応室34の温度を間接的に
検出して、温度信号T1を出力する。温度センサT2は
メタン化反応槽MRの温度を検出して、温度信号T2を
出力する。水素濃度センサH2Sは第1気水分離器S1
内の合成ガス中の水素濃度を検出し、水素濃度信号H2
Sを出力し、CO濃度センサCOSは合成ガス中のCO
濃度を検出してCO濃度信号COSを出力する。レベル
センサL1,L2はそれぞれ第1、第2気水分離器S
1,S2内のそれぞれの凝縮水のレベルを検出してレベ
ル信号L1,L2をそれぞれ出力する。圧力センサPS
はコンプレッサCMの出口側の合成ガスの圧力を検出
し、圧力信号PSを出力する。SNG流量センサ102
は代替天然ガスSNGの流量を検出し、SNG流量検出
信号を出力する。地震センサ105は振動センサからな
り、大規模な地震が発生したときの振動を検出して、振
動信号を出力する。
せず)と、熱プラズマ反応装置14およびメタン化反応
槽MRのそれぞれの最適温度、合成ガスSGの最適H2
/CO比、コンプレッサCMの目標圧力、凝縮水のレベ
ル値L1,L2、SNGの目標流量、目標地震レベル値
等の各種基準データを設定入力するためのキースィッチ
(図示せず)を備える。温度センサT1は内部ケーシン
グ32を介して熱プラズマ反応室34の温度を間接的に
検出して、温度信号T1を出力する。温度センサT2は
メタン化反応槽MRの温度を検出して、温度信号T2を
出力する。水素濃度センサH2Sは第1気水分離器S1
内の合成ガス中の水素濃度を検出し、水素濃度信号H2
Sを出力し、CO濃度センサCOSは合成ガス中のCO
濃度を検出してCO濃度信号COSを出力する。レベル
センサL1,L2はそれぞれ第1、第2気水分離器S
1,S2内のそれぞれの凝縮水のレベルを検出してレベ
ル信号L1,L2をそれぞれ出力する。圧力センサPS
はコンプレッサCMの出口側の合成ガスの圧力を検出
し、圧力信号PSを出力する。SNG流量センサ102
は代替天然ガスSNGの流量を検出し、SNG流量検出
信号を出力する。地震センサ105は振動センサからな
り、大規模な地震が発生したときの振動を検出して、振
動信号を出力する。
【0021】図4は本発明の代替天然ガス製造法に沿っ
て図3の制御装置の制御を実行するための作動の基本シ
ーケンスを示す概略フローダイアグラムを表す。以下、
図1、図3、図4に基づいて基本シーケンスにつき説明
する。始動のとき、すなわち、スタートキーが押される
と、代替天然ガス製造装置の電源が投入される。このと
き、熱交換器100の熱媒がメタン化反応槽MRに供給
され、これが加熱される。ステップS102において、
温度センサT2によりメタン化反応槽MRの温度が検出
され、検出温度が250℃に達している場合はステップ
104に移行し、その温度に達していない場合はステッ
プ100に戻る。ステップ104では、熱プラズマリア
クタPRにプラズマ電力が供給され、次いで、ステップ
106,108ではそれぞれロータリフイーダ24およ
びポンプP1が起動され、熱プラズマリアクタPR内に
固形状炭素材と原料水が供給される。このとき、熱プラ
ズマリアクタPR内では原料水が水蒸気発生部34Aで
水蒸気に変換され、水蒸気がプラズマガスとして固形状
炭素材の微小プラズマ通路内を通過する間に熱プラズマ
の存在下で水蒸気が炭素材と接触反応して合成ガスSG
が生成される。ステップ110において、温度信号T1
が図3のCPU112で基準温度1000℃以上になっ
ているか否かを判断し、YESの場合はステップS11
2に移行し、Noの場合はステップ114に移行する。
ステップ112ではH2/COガスをプラズマガスのア
シストガスとして還流を開始し、ステップS114では
電流制御装置104により出力周波数または出力電圧を
上昇させてアーク電流を増加させてステップ106に戻
る。アーク電流を増加させると、熱プラズマ温度が上昇
するためH2/CO比が上昇する。ステップ112にお
いて、アシストガスを熱プラズマリアクタPRに供給す
ると、生成ガスSG中のCO,CO2と水蒸気とが水性
反応を起こす。ステップ114ではコンプレッサCMが
起動され、第1気水分離器S1の合成ガスSGを圧縮す
る。ステップ116では図3のCPU112で圧力信号
PSが基準圧力15kg/cm2と比較され、基準圧力
に達している場合はステップ118に移行し、Noの場
合はステップ100に戻る。ステップ118ではCPU
112において水素濃度信号H2SとCO濃度信号CO
とからH2/CO比を演算し、これを基準H2/CO比
と比較する。H2/CO比が3以上であれば、ステップ
S120に移行し、NOの場合はステップS100に戻
る。ステップS120において、流量制御弁17の開度
が絞られ、H2/CO還流量が低下される。ステップ1
22において、凝縮水のレベル信号L1,L2がそれぞ
れの基準レベル値と比較され、YESの場合はステップ
124に移行し、NOの場合はステップ100に戻る。
ステップ124において、ポンプP1が停止されて原料
水の供給が停止され、ポンプP2が起動されるため、第
1、第2気水分離器S1,S2の凝縮水が凝縮水還流ラ
イン19,21を介して原料水供給ライン11を経て熱
プラズマ装置PRに循環される。ステップ126におい
て、SNG流量がCPU112で基準SNG流量と比較
され、これらデータが一致している場合はステップ12
8に移行し、NOの場合はステップ114に戻る。ステ
ップ128では代替天然ガス製造プラントの運転が継続
される。次に、入力装置の電源オフスイッチが投入され
るか、地震センサ105の振動が所定条件で所定値以上
繰り返された場合はCPU112から運転停止指令信号
が出力され、製造プラントが運転停止される。
て図3の制御装置の制御を実行するための作動の基本シ
ーケンスを示す概略フローダイアグラムを表す。以下、
図1、図3、図4に基づいて基本シーケンスにつき説明
する。始動のとき、すなわち、スタートキーが押される
と、代替天然ガス製造装置の電源が投入される。このと
き、熱交換器100の熱媒がメタン化反応槽MRに供給
され、これが加熱される。ステップS102において、
温度センサT2によりメタン化反応槽MRの温度が検出
され、検出温度が250℃に達している場合はステップ
104に移行し、その温度に達していない場合はステッ
プ100に戻る。ステップ104では、熱プラズマリア
クタPRにプラズマ電力が供給され、次いで、ステップ
106,108ではそれぞれロータリフイーダ24およ
びポンプP1が起動され、熱プラズマリアクタPR内に
固形状炭素材と原料水が供給される。このとき、熱プラ
ズマリアクタPR内では原料水が水蒸気発生部34Aで
水蒸気に変換され、水蒸気がプラズマガスとして固形状
炭素材の微小プラズマ通路内を通過する間に熱プラズマ
の存在下で水蒸気が炭素材と接触反応して合成ガスSG
が生成される。ステップ110において、温度信号T1
が図3のCPU112で基準温度1000℃以上になっ
ているか否かを判断し、YESの場合はステップS11
2に移行し、Noの場合はステップ114に移行する。
ステップ112ではH2/COガスをプラズマガスのア
シストガスとして還流を開始し、ステップS114では
電流制御装置104により出力周波数または出力電圧を
上昇させてアーク電流を増加させてステップ106に戻
る。アーク電流を増加させると、熱プラズマ温度が上昇
するためH2/CO比が上昇する。ステップ112にお
いて、アシストガスを熱プラズマリアクタPRに供給す
ると、生成ガスSG中のCO,CO2と水蒸気とが水性
反応を起こす。ステップ114ではコンプレッサCMが
起動され、第1気水分離器S1の合成ガスSGを圧縮す
る。ステップ116では図3のCPU112で圧力信号
PSが基準圧力15kg/cm2と比較され、基準圧力
に達している場合はステップ118に移行し、Noの場
合はステップ100に戻る。ステップ118ではCPU
112において水素濃度信号H2SとCO濃度信号CO
とからH2/CO比を演算し、これを基準H2/CO比
と比較する。H2/CO比が3以上であれば、ステップ
S120に移行し、NOの場合はステップS100に戻
る。ステップS120において、流量制御弁17の開度
が絞られ、H2/CO還流量が低下される。ステップ1
22において、凝縮水のレベル信号L1,L2がそれぞ
れの基準レベル値と比較され、YESの場合はステップ
124に移行し、NOの場合はステップ100に戻る。
ステップ124において、ポンプP1が停止されて原料
水の供給が停止され、ポンプP2が起動されるため、第
1、第2気水分離器S1,S2の凝縮水が凝縮水還流ラ
イン19,21を介して原料水供給ライン11を経て熱
プラズマ装置PRに循環される。ステップ126におい
て、SNG流量がCPU112で基準SNG流量と比較
され、これらデータが一致している場合はステップ12
8に移行し、NOの場合はステップ114に戻る。ステ
ップ128では代替天然ガス製造プラントの運転が継続
される。次に、入力装置の電源オフスイッチが投入され
るか、地震センサ105の振動が所定条件で所定値以上
繰り返された場合はCPU112から運転停止指令信号
が出力され、製造プラントが運転停止される。
【0022】次に、図1の代替天然ガス製造装置10の
作用につき説明する。図1において、先ず、熱交換器1
00を起動してメタン化反応槽MRを250〜500℃
の範囲に加熱し、アーク電極にプラズマ電力を供給しな
がら、スクリューフイーダ22およびロータリバルブ2
4を駆動して、熱プラズマリアクタPR内に粒状活性炭
等の炭素材が所定レベルまで充填される。次に、原料水
供給ポンプP1を駆動して原料水供給口52から熱プラ
ズマ反応室34の蒸気発生部34Aに原料水を供給し、
そこで高温により水蒸気からなるプラズマガスが生成さ
れる。プラズマガスは多量の微小プラズマ通路35内を
下流側に流入し、固形状炭素材と約1000℃で接触反
応しながら、H2/CO比が3以上の合成ガスを生成す
る。合成ガスSGはアウトレット86から第1冷却器H
1で冷却され、次いで、水冷式の冷却器C1で60°か
ら90℃まで冷却され、開閉弁V1を介して気水分離器
S1で合成ガスSGから水分が凝縮水として分離され
る。凝縮水はレベルL1に達したときにポンプP2によ
り循環ライン19を経て原料水供給ライン11に合流し
て原料水と混合されて熱プラズマリアクタPRの冷却部
63で余熱された後、原料水供給口52に給送される。
一方、合成ガスSGはコンプレッサCMで15〜50K
g/cm2まで加圧された後、メタン化反応装置MRに
導入される。この反応装置MRは熱交換器100により
250°〜500℃に維持され、メタン化触媒は公知の
ニッケル触媒またはUSP4,238,371、USP
4,368、142、USP4,774,261または
特開平5−184925号に開示されたメタン化触媒が
利用される。メタンリッチガスは第2熱交換器H2およ
び冷却器C2で冷却され、減圧弁V2を介して気水分離
器S2でSNGと凝縮水とに分離回収される。凝縮水は
循環ライン21および循環ポンプP2により、原料水と
混合され、前述のサイクルで再利用される。
作用につき説明する。図1において、先ず、熱交換器1
00を起動してメタン化反応槽MRを250〜500℃
の範囲に加熱し、アーク電極にプラズマ電力を供給しな
がら、スクリューフイーダ22およびロータリバルブ2
4を駆動して、熱プラズマリアクタPR内に粒状活性炭
等の炭素材が所定レベルまで充填される。次に、原料水
供給ポンプP1を駆動して原料水供給口52から熱プラ
ズマ反応室34の蒸気発生部34Aに原料水を供給し、
そこで高温により水蒸気からなるプラズマガスが生成さ
れる。プラズマガスは多量の微小プラズマ通路35内を
下流側に流入し、固形状炭素材と約1000℃で接触反
応しながら、H2/CO比が3以上の合成ガスを生成す
る。合成ガスSGはアウトレット86から第1冷却器H
1で冷却され、次いで、水冷式の冷却器C1で60°か
ら90℃まで冷却され、開閉弁V1を介して気水分離器
S1で合成ガスSGから水分が凝縮水として分離され
る。凝縮水はレベルL1に達したときにポンプP2によ
り循環ライン19を経て原料水供給ライン11に合流し
て原料水と混合されて熱プラズマリアクタPRの冷却部
63で余熱された後、原料水供給口52に給送される。
一方、合成ガスSGはコンプレッサCMで15〜50K
g/cm2まで加圧された後、メタン化反応装置MRに
導入される。この反応装置MRは熱交換器100により
250°〜500℃に維持され、メタン化触媒は公知の
ニッケル触媒またはUSP4,238,371、USP
4,368、142、USP4,774,261または
特開平5−184925号に開示されたメタン化触媒が
利用される。メタンリッチガスは第2熱交換器H2およ
び冷却器C2で冷却され、減圧弁V2を介して気水分離
器S2でSNGと凝縮水とに分離回収される。凝縮水は
循環ライン21および循環ポンプP2により、原料水と
混合され、前述のサイクルで再利用される。
【0023】本発明の代替天然ガス製造法およびその装
置によれば、前述の従来技術に対して次のような特長を
備える。 (1)SNG原料が極めて安価な水と安価な炭素材とを
利用するため、原料コストを大幅に低減して、SNGの
大幅コストダウンが可能となる。 (2)小型高性能の熱プラズマリアクタを用いて、大量
の合成ガスを効率よく生成するようにしたため、SNG
の生産効率が高い。 (3)炭素材は全て合成ガス生成用にのみ利用され、改
質器の燃焼用燃料として利用されないため、原料の利用
効率が極めて高い。 (4)熱プラズマリアクタは従来の燃焼方式の改質器よ
りも、高温の作動温度(約1000℃)となるため、炭
素材と水との利用効率が高まるとともに、熱プラズマ反
応室内の平均プラズマ温度により、合成ガス中のH2/
CO比率を制御できるため、SNG製造プラントの運転
制御の最適化が容易となる。 (5)従来方式では定期的に合成ガス生成プロセスを中
断して空気を改質器に供給して炭化水素燃料を燃焼させ
る複雑なプロセスが必要であるが、本発明方法及び装置
ではこれらの複雑な工程が不要なため、SNG製造プラ
ントの運転制御が極めて簡略化され、運転コストも大幅
コストダウンが可能となる。 (6)従来技術においては、改質器が燃焼方式を採用し
ているため、改質器の作動温度をSNG製造プラントの
運転状況に応じて高速応答で制御することが困難である
のに対して、本発明ではアーク電極への供給電圧を変化
させるだけで改質器の温度を瞬時制御することが可能な
ため、改質器の温度応答性が高く、効率的なSNGの大
量生産が可能となる。 (7)従来技術ではSNG精製時に発生する水を装置外
部に廃棄しているため、環境負荷が高くなり,その分、
環境対策費がSNGのコストアップ要因となる。本発明
では、SNG精製時に副生する水を原料としてリサイク
ルしているため、環境負荷が極めて低くなるとともに原
料水コストを著しく低減可能となる。 (8)従来の燃焼方式を採用した改質工程ではSNG製
造プラントの立ち上げや運転停止に長時間が必要である
が、本発明の方式では、アーク電極への電力供給遮断と
ポンプの電源オフのみでSNG製造プラントの立ち上げ
並びに運転停止を瞬時に実行することが可能となり、特
に、地震その他の緊急対策時に極めて安全となり、周辺
住民への安全対策上有利である (9)従来方式では製造設備が全体的に極めて大型とな
り、運転コストも高いため、製造プラントへの投資額が
極めて大きくなり、そのため、投資回収が困難となる。
これに対して、本発明の製造装置は小型、コンパクト、
高性能であり、しかも、製造プロセスが簡略化されるた
め、投資回収を短期間にできる。
置によれば、前述の従来技術に対して次のような特長を
備える。 (1)SNG原料が極めて安価な水と安価な炭素材とを
利用するため、原料コストを大幅に低減して、SNGの
大幅コストダウンが可能となる。 (2)小型高性能の熱プラズマリアクタを用いて、大量
の合成ガスを効率よく生成するようにしたため、SNG
の生産効率が高い。 (3)炭素材は全て合成ガス生成用にのみ利用され、改
質器の燃焼用燃料として利用されないため、原料の利用
効率が極めて高い。 (4)熱プラズマリアクタは従来の燃焼方式の改質器よ
りも、高温の作動温度(約1000℃)となるため、炭
素材と水との利用効率が高まるとともに、熱プラズマ反
応室内の平均プラズマ温度により、合成ガス中のH2/
CO比率を制御できるため、SNG製造プラントの運転
制御の最適化が容易となる。 (5)従来方式では定期的に合成ガス生成プロセスを中
断して空気を改質器に供給して炭化水素燃料を燃焼させ
る複雑なプロセスが必要であるが、本発明方法及び装置
ではこれらの複雑な工程が不要なため、SNG製造プラ
ントの運転制御が極めて簡略化され、運転コストも大幅
コストダウンが可能となる。 (6)従来技術においては、改質器が燃焼方式を採用し
ているため、改質器の作動温度をSNG製造プラントの
運転状況に応じて高速応答で制御することが困難である
のに対して、本発明ではアーク電極への供給電圧を変化
させるだけで改質器の温度を瞬時制御することが可能な
ため、改質器の温度応答性が高く、効率的なSNGの大
量生産が可能となる。 (7)従来技術ではSNG精製時に発生する水を装置外
部に廃棄しているため、環境負荷が高くなり,その分、
環境対策費がSNGのコストアップ要因となる。本発明
では、SNG精製時に副生する水を原料としてリサイク
ルしているため、環境負荷が極めて低くなるとともに原
料水コストを著しく低減可能となる。 (8)従来の燃焼方式を採用した改質工程ではSNG製
造プラントの立ち上げや運転停止に長時間が必要である
が、本発明の方式では、アーク電極への電力供給遮断と
ポンプの電源オフのみでSNG製造プラントの立ち上げ
並びに運転停止を瞬時に実行することが可能となり、特
に、地震その他の緊急対策時に極めて安全となり、周辺
住民への安全対策上有利である (9)従来方式では製造設備が全体的に極めて大型とな
り、運転コストも高いため、製造プラントへの投資額が
極めて大きくなり、そのため、投資回収が困難となる。
これに対して、本発明の製造装置は小型、コンパクト、
高性能であり、しかも、製造プロセスが簡略化されるた
め、投資回収を短期間にできる。
【0024】上記実施例において、熱プラズマリアクタ
は原料水を上流から供給して合成ガスを下流に設けた合
成ガスアウトレットから取出すものとして説明したが、
炭素材の種類によってスラグの発生量が多いときは原料
水供給口をリアクタの下流側に設け、合成ガスアウトレ
ットをリアクタの上流に設けてサイクロンでスラグと合
成ガスを分離するようにしても良い。また、熱プラズマ
リアクタは棒状の三相交流電極を利用したものとして説
明したが、三相交流電極を軸方向に間隔を置いて配置さ
れた円筒状電極とその中央部に配置された棒状中性電極
により構成しても良い。
は原料水を上流から供給して合成ガスを下流に設けた合
成ガスアウトレットから取出すものとして説明したが、
炭素材の種類によってスラグの発生量が多いときは原料
水供給口をリアクタの下流側に設け、合成ガスアウトレ
ットをリアクタの上流に設けてサイクロンでスラグと合
成ガスを分離するようにしても良い。また、熱プラズマ
リアクタは棒状の三相交流電極を利用したものとして説
明したが、三相交流電極を軸方向に間隔を置いて配置さ
れた円筒状電極とその中央部に配置された棒状中性電極
により構成しても良い。
【0025】
【発明の効果】以上より、明らかなように、本発明の代
替天然ガス製造法および代替天然ガス製造装置によれ
ば、極めて低コストでクリーンな代替天然ガスの大量生
産が可能であり、実用上の貢献度が極めて高い。しか
も、本発明によれば、排水等の有害物質の排出がないた
め、環境負荷が極めて少ない。さらに、代替天然ガスの
原料となる水と炭素材は極めて長期にわたって調達が可
能なため、代替天然ガスを国際原油価格の高騰に影響を
受けることなく、低コストで安定供給が可能となり、エ
ネルギー戦略上有利となる。また、本発明装置は小型、
コンパクト、高性能であるため、消費地に隣接して、代
替天然ガス製造プラントを設置することが可能となり、
輸送コストの大幅低減が可能となる。
替天然ガス製造法および代替天然ガス製造装置によれ
ば、極めて低コストでクリーンな代替天然ガスの大量生
産が可能であり、実用上の貢献度が極めて高い。しか
も、本発明によれば、排水等の有害物質の排出がないた
め、環境負荷が極めて少ない。さらに、代替天然ガスの
原料となる水と炭素材は極めて長期にわたって調達が可
能なため、代替天然ガスを国際原油価格の高騰に影響を
受けることなく、低コストで安定供給が可能となり、エ
ネルギー戦略上有利となる。また、本発明装置は小型、
コンパクト、高性能であるため、消費地に隣接して、代
替天然ガス製造プラントを設置することが可能となり、
輸送コストの大幅低減が可能となる。
【図1】本発明に係る望ましい実施例による代替天然ガ
ス製造装置の概略図を示す。
ス製造装置の概略図を示す。
【図2】図1の熱プラズマリアクタの断面図を示す。
【図3】図1の制御装置の概略ブロック図を示す。
【図4】図3の制御装置による制御の基本シーケンスを
示すフローダイアグラムをしめす。
示すフローダイアグラムをしめす。
11 原料水供給ライン、12 炭素材投入装置、1
9,21 凝縮水循環ライン、24 ロータリバルブ、
PR熱プラズマリアクタ、H1 第1熱交換器、S1
気水分離器、CM コンプレッサ、MRメタン化反応
装置、H2 第2熱交換器、V2 減圧弁、S2 第2
気水分離器、P1 原料水供給ポンプ、P2循環ポン
プ、EG 発電機、100熱交換器
9,21 凝縮水循環ライン、24 ロータリバルブ、
PR熱プラズマリアクタ、H1 第1熱交換器、S1
気水分離器、CM コンプレッサ、MRメタン化反応
装置、H2 第2熱交換器、V2 減圧弁、S2 第2
気水分離器、P1 原料水供給ポンプ、P2循環ポン
プ、EG 発電機、100熱交換器
Claims (11)
- 【請求項1】 熱プラズマ反応室と、熱プラズマ反応室
に配置されたアーク電極とを備えた熱プラズマリアクタ
を準備する工程と;熱プラズマ反応室内に固形状炭素材
を充填して固形状炭素材の隙間に微小アーク通路を形成
する工程と;アーク電極にプラズマ電力を供給して微小
アーク通路内に熱プラズマを発生させる工程と;水蒸気
からなるプラズマガスを微小アーク通路内に通過させな
がら熱プラズマを発生させてプラズマガスと固形状炭素
材の炭素とを接触反応させることによりH2、CO含有
合成ガスを生成する工程と;アーク電極のアーク電流を
可変して熱プラズマ温度を制御することにより、H2/
CO比を所定値以上に調整する工程と;メタン化反応槽
のメタン化触媒に前記所定値の合成ガスを接触させて水
分含有メタンリッチガスを合成する工程と;メタンリッ
チガスを冷却してメタンリッチガスから第1凝縮水を分
離回収する工程と;第1凝縮水を水蒸気に変換して前記
プラズマガスとして前記微小アーク通路内に供給する工
程と;からなる代替天然ガスの製造法。 - 【請求項2】 請求項1において、合成ガスを冷却して
水分を第2凝縮水として分離回収する工程と、第2凝縮
水から水蒸気を生成して前記プラズマガスとして前記微
小アーク通路内に供給する工程とをさらに備える代替天
然ガスの製造法。 - 【請求項3】 請求項1において、合成ガスの一部を前
記熱プラズマ反応室内にアシストガスとして還流する工
程をさらに備える代替天然ガスの製造法。 - 【請求項4】 請求項1において、前記熱プラズマリア
クタにおいて、前記アーク電極が前記熱プラズマ反応室
の一端部に配置された多相交流電極と、前記熱プラズマ
反応室の他端部に配置された中性電極とを備え、さら
に、前記多相交流電極と前記中性電極との間で前記微小
アーク通路内に同時に複数の熱プラズマコラムを発生さ
せるとともに、該複数の熱プラズマコラムを前記固形状
炭素材内で周期的に回転させながら前記プラズマガスと
前記固形状炭素材とを接触反応させる工程を備える代替
天然ガスの製造法。 - 【請求項5】 熱プラズマ反応室と、熱プラズマ反応室
に配置されたアーク電極とを備えたプラズマリアクタを
準備する工程と;熱プラズマ反応室内に固形状炭素材を
充填して固形状炭素材の隙間に微小アーク通路を形成す
る工程と;アーク電極にアーク電力を供給して微小アー
ク通路内に熱プラズマを発生させる工程と;水蒸気から
なるプラズマガスを微小アーク通路内に通過させながら
熱プラズマを発生させてプラズマガスと固形状炭素材の
炭素とを接触反応させることによりH2、CO含有合成
ガスを生成する工程と;合成ガス中のH2、COの濃度
を検出して検出信号を出力する工程と;検出信号からH
2/CO比を算出してアーク電流制御信号を出力する工
程と;アーク電流制御信号に応答してアーク電流を可変
して熱プラズマ温度を制御することにより、H2/CO
比を所定値以上に調整する工程と;メタン化反応槽のメ
タン化触媒に前記所定値の合成ガスを接触させて水分含
有メタンリッチガスを合成する工程と;メタンリッチガ
スを冷却してメタンリッチガスから第1凝縮水を分離回
収する工程と;第1凝縮水を水蒸気に変換して前記プラ
ズマガスとして前記微小アーク通路内に供給する工程
と;からなる代替天然ガスの製造法。 - 【請求項6】 請求項5において、合成ガスを冷却して
水分を第2凝縮水として分離回収する工程と、第2凝縮
水から水蒸気を生成して前記プラズマガスとして前記微
小アーク通路内に供給する工程とをさらに備える代替天
然ガスの製造法。 - 【請求項7】 請求項5において、合成ガスの一部を前
記熱プラズマ反応室内にアシストガスとして還流する工
程をさらに備える代替天然ガスの製造法。 - 【請求項8】 請求項5において、前記熱プラズマリア
クタにおいて、前記アーク電極が前記熱プラズマ反応室
の一端部に配置された多相交流電極と、前記熱プラズマ
反応室の他端部に配置された中性電極とを備え、さら
に、前記多相交流電極と前記中性電極との間で前記微小
アーク通路内に同時に複数の熱プラズマコラムを発生さ
せるとともに、該複数の熱プラズマコラムを前記固形状
炭素材内で周期的に回転させながら前記プラズマガスと
前記固形状炭素材とを接触反応させる工程を備える代替
天然ガスの製造法。 - 【請求項9】 密閉された熱プラズマ反応室と、熱プラ
ズマ反応室に配置されたアーク電極とを有する熱プラズ
マリアクタと;熱プラズマ反応室に固形状炭素材を供給
する炭素材供給装置と;熱プラズマ反応室に原料水を供
給する原料水供給ラインと;熱プラズマ反応室内に形成
されていて固形状炭素材の隙間に複数の微小アーク通路
を備え、水蒸気からなるプラズマガスの存在下で微小ア
ーク通路内に熱プラズマを発生させて前記プラズマガス
と前記固形状炭素材との接触反応によりH2、CO含有
合成ガスを生成する合成ガス生成部と;前記アーク電極
にアーク電流を供給するプラズマ電源と;前記アーク電
流を制御して熱プラズマ温度を可変することにより、H
2/CO比を所定値以上に調整する制御装置と;前記合
成ガスから水分含有メタンリッチガスを合成するメタン
化反応槽と;メタンリッチガスを冷却してメタンリッチ
ガスから凝縮水を分離回収する熱交換器と;凝縮水を前
記熱プラズマ反応室に還流させる凝縮水還流ラインと;
を備える代替天然ガス製造装置。 - 【請求項10】 請求項9において、前記熱プラズマ反
応室が合成ガス生成部の上流側に形成されて原料水を水
蒸気からなるプラズマガスに変換する水蒸気発生部を備
える代替天然ガス製造装置。 - 【請求項11】 請求項9において、前記アーク電極が
前記熱プラズマ反応室の一端部に配置された多相交流電
極と、前記熱プラズマ反応室の他端部に配置された中性
電極とを備え、さらに、前記プラズマ電源が前記多相交
流電極と前記中性電極との間で前記微小アーク通路内に
同時に複数の熱プラズマコラムを発生させるとともに、
該複数の熱プラズマコラムを前記固形状炭素材内で周期
的に回転させながら前記プラズマガスと前記固形炭素材
とを接触反応させる多相交流電源を備える代替天然ガス
製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001173194A JP2002327186A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 代替天然ガスの製造法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001173194A JP2002327186A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 代替天然ガスの製造法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002327186A true JP2002327186A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=19014700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001173194A Pending JP2002327186A (ja) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 代替天然ガスの製造法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002327186A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103666611A (zh) * | 2012-09-19 | 2014-03-26 | 中国石油化工集团公司 | 一种制备替代天然气的系统及方法 |
-
2001
- 2001-05-07 JP JP2001173194A patent/JP2002327186A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103666611A (zh) * | 2012-09-19 | 2014-03-26 | 中国石油化工集团公司 | 一种制备替代天然气的系统及方法 |
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