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JP2002324740A - Treatment equipment - Google Patents

Treatment equipment

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JP2002324740A
JP2002324740A JP2001125750A JP2001125750A JP2002324740A JP 2002324740 A JP2002324740 A JP 2002324740A JP 2001125750 A JP2001125750 A JP 2001125750A JP 2001125750 A JP2001125750 A JP 2001125750A JP 2002324740 A JP2002324740 A JP 2002324740A
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thermal processing
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide treatment equipment having a plurality of treatment units wherein both high throughput and small foot print can be obtained without causing a problem on equipment constitution, and the length of the equipment can be reduced comparatively. SOLUTION: This treatment equipment is provided with liquid treatment units 21, 23, 24 wherein a prescribed liquid treatment is performed while a substrate G is transferred in almost horizontally, thermal treatment unit sections 26, 27, 28 wherein a plurality of thermal treatment units are collectively installed which units are arranged corresponding to the respective liquid treatment units 21, 23, 24 and perform a prescribed thermal treatment after each liquid treatment, and a plurality of transferring apparatuses 33, 37, 40 which transfer the substrate G carried out from the liquid treatment units 21, 23, 24 to the respective thermal treatment unit sections. The liquid treatment units 21, 23, 24 and the thermal treatment unit sections 26, 27, 28 are arranged substantially in the order of treatment and in two substantial rows 2a, 2b at a prescribed interval. At least, a part of the thermal treatment units is arranged between the two rows.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置(LCD)ガラス基板等の被処理基板に対してレジス
ト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後
に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plurality of substrates such as a liquid crystal display (LCD) glass substrate and the like, a resist coating and a developing process after exposure, and a thermal process performed before and after the application. The present invention relates to a processing device for performing the processing of

【0002】[0002]

【従来の技術】LCDの製造においては、被処理基板で
あるLCDガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォ
トレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パタ
ーンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理す
るという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回
路パターンを形成する。
2. Description of the Related Art In the manufacture of LCDs, a predetermined film is formed on an LCD glass substrate, which is a substrate to be processed, and then a photoresist solution is applied to form a resist film. A circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique in which the film is exposed and developed.

【0003】このフォトリソグラフィー技術では、被処
理基板であるLCD基板は、主な工程として、洗浄処理
→脱水ベーク→アドヒージョン(疎水化)処理→レジス
ト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという
一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形
成する。
In this photolithography technology, an LCD substrate, which is a substrate to be processed, is mainly processed in a series of steps of cleaning, dehydration baking, adhesion (hydrophobicization) processing, resist coating, prebaking, exposure, development, and postbaking. After the processing, a predetermined circuit pattern is formed on the resist layer.

【0004】従来、このような処理は、各処理を行う処
理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した
形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により
各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセス
ブロックを一または複数配置してなる処理システムによ
り行われている。このような処理システムは、基本的に
ランダムアクセスであるから処理の自由度が極めて高
い。
Conventionally, in such processing, processing units for performing each processing are arranged on both sides of the transport path in a manner that is conscious of the process flow, and the processing units to each processing unit are processed by a central transport apparatus capable of traveling on the transport path. This is performed by a processing system in which one or a plurality of process blocks for loading and unloading substrates are arranged. Since such a processing system is basically a random access, the degree of freedom of processing is extremely high.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
LCD基板は大型化の要求が強く、一辺が1mにも及ぶ
ような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平
面的な配置を有する処理システムではフットプリントが
極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点か
らフットプリントの縮小が強く求められている。
However, recently,
There is a strong demand for LCD substrates to be large, and even large LCDs having a side length of 1 m have emerged. In a processing system having a planar arrangement as described above, the footprint becomes extremely large. However, a reduction in footprint is strongly demanded from the viewpoint of space saving.

【0006】フットプリントを小さくするためには、処
理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現
行の処理システムにおいては、スループット向上の観点
から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度
に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ
高精度に移動させることには自ずから限界がある。ま
た、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化して
おり、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等
のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困
難である。
In order to reduce the footprint, it is conceivable to stack the processing units in the vertical direction. However, in the current processing system, from the viewpoint of improving the throughput, the transfer device moves a large substrate in the horizontal direction at high speed and high speed. In addition to this, there is a natural limit to moving the robot in the height direction at high speed and with high precision. Further, as the size of the substrate increases, the size of the processing unit also increases, and it is extremely difficult to provide spinner-based units such as a resist coating processing unit and a developing processing unit in an overlapping manner.

【0007】フットプリントを小さくする他の手段とし
ては、中央搬送装置を用いずに処理の順に処理ユニット
を配置することが考えられるが、この場合には全体のフ
ットプリントは小さくなるものの、ユニットを搬送順に
シリアルに配置するため、装置長が長くなってしまうと
いう問題がある。
As another means for reducing the footprint, it is conceivable to arrange the processing units in the order of processing without using the central transfer device. In this case, although the overall footprint is reduced, the units can be reduced. Since the devices are serially arranged in the order in which they are transported, there is a problem that the length of the apparatus is increased.

【0008】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、装置構成上の問題を伴うことなく、高いスル
ープットと小さいフットプリントを兼備することがで
き、しかも装置長を比較的短くすることができる、複数
の処理ユニットを備えた処理装置を提供することを目的
とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and can provide both a high throughput and a small footprint without a problem in the device configuration, and furthermore, make the device length relatively short. It is an object of the present invention to provide a processing apparatus having a plurality of processing units.

【0009】[0009]

【課題を解決する手段】上記課題を解決するために、本
発明の第1の観点では、被処理基板に対して複数の液処
理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基
板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われる複数
の液処理ユニットと、前記複数の液処理ユニットのそれ
ぞれに対応して設けられ、対応する液処理後に所定の熱
的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けら
れた複数の熱的処理ユニットセクションと、前記各液処
理ユニットから搬出された被処理基板を対応する熱的処
理ユニットセクションへ搬送する複数の搬送装置とを具
備し、前記複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理
ユニットセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間
隔をおいて実質的に2列に配置され、前記複数の熱的処
理ユニットの少なくとも一部がこれら2列の間に配置さ
れていることを特徴とする処理装置を提供する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed. A plurality of liquid processing units in which predetermined liquid processing is performed while being transported substantially horizontally, and a plurality of liquid processing units are provided corresponding to each of the plurality of liquid processing units and perform predetermined thermal processing after the corresponding liquid processing. A plurality of thermal processing unit sections in which thermal processing units are collectively provided; and a plurality of transfer devices for transferring the substrate to be processed carried out from each of the liquid processing units to a corresponding thermal processing unit section. The plurality of liquid processing units and the plurality of thermal processing unit sections are arranged substantially in two rows at substantially predetermined intervals in a processing order and at a predetermined interval. And also to provide a processing apparatus in which a part is characterized in that it is arranged between the two rows.

【0010】また、本発明の第2の観点では、被処理基
板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装
置であって、前記一連の処理に対応して各々被処理基板
に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた
処理部と、処理前の被処理基板および/または処理後の
被処理基板が収納される収納容器を載置し、前記処理部
に対して被処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、
前記処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ所定
の液処理が行われる複数の液処理ユニットと、前記複数
の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けられ、対応
する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユ
ニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユニットセ
クションと、前記各液処理ユニットから搬出された被処
理基板を対応する熱的処理ユニットセクションへ搬送す
る複数の搬送装置とを有し、前記複数の液処理ユニット
および複数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に
処理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に2列に配置さ
れ、前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこ
れら2列の間に配置され、被処理基板は前記搬入出部か
ら前記処理部へ搬入された後、前記2列の一方に沿って
搬送され、Uターンした後に前記2列の他方に沿って搬
送されて前記搬入出部へ搬出されることを特徴とする処
理装置を提供する。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed. A processing unit having a plurality of processing units for performing predetermined processing on the processing unit, and a storage container for storing a substrate to be processed before processing and / or a substrate to be processed after processing are placed on the processing unit. A loading / unloading unit for loading / unloading the substrate to be processed,
The processing unit is provided for each of the plurality of liquid processing units for performing predetermined liquid processing while the substrate to be processed is transported substantially horizontally, and is provided for each of the plurality of liquid processing units. And a plurality of thermal processing unit sections in which a plurality of thermal processing units for performing thermal processing are collectively provided, and a substrate to be processed unloaded from each of the liquid processing units is transported to a corresponding thermal processing unit section. And a plurality of liquid processing units and a plurality of thermal processing unit sections are arranged substantially in two rows at a predetermined interval substantially in the order of processing, and At least a part of the thermal processing unit is disposed between the two rows, and the substrate to be processed is carried into the processing section from the loading / unloading section, and then is transported along one of the two rows. Was being conveyed along the other of said two rows being transported to the transfer portion after providing a processing apparatus according to claim.

【0011】この場合に、前記複数の熱的処理ユニット
セクションは、それぞれに対応する搬送装置に隣接して
設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層
して構成された熱的処理ユニットブロックを有すること
が好ましい。
[0011] In this case, the plurality of thermal processing unit sections are formed by vertically stacking a plurality of thermal processing units provided adjacent to the corresponding transporting device. It is preferable to have a unit block.

【0012】本発明の第3の観点では、被処理基板に対
して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連
の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応
して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処
理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板およ
び/または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載
置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入
出部と、処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡
しを行うインターフェイス部とを具備し、前記処理部
は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗
浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
トと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板
に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニット
が集約された第1の熱的処理ユニットセクションと、前
記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対
し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
約された第2の熱的処理ユニットセクションと、前記現
像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定
の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された
第3の熱的処理ユニットセクションと、前記洗浄処理ユ
ニットから搬出された被処理基板を前記第1の熱的処理
ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第1の熱
的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記レジ
スト処理ユニットへ搬送する第1の搬送装置と、前記レ
ジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第
2の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、
前記第2の熱的処理ユニットセクションからの被処理基
板を前記インターフェイス部へ搬送する第2の搬送装置
と、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を
前記第3の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとと
もに、前記第3の熱的処理ユニットセクションからの被
処理基板を前記搬入出部へ搬送する第3の搬送装置とを
有し、前記処理部における前記洗浄処理ユニット、前記
レジスト処理ユニット、前記現像処理ユニット、および
前記複数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に処
理の順にかつ所定間隔をおいて実質的に2列に配置さ
れ、前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこ
れら2列の間に配置され、被処理基板は、前記搬入出部
から前記処理部へ搬入された後、前記列の一方に沿っ
て、前記洗浄処理ユニットおよび前記レジスト処理ユニ
ットを経て前記インターフェイス部に至り、露光装置に
よる露光後、前記インターフェイス部から前記列の他方
に沿って前記現像処理ユニットを経て前記搬入出部へ至
ることを特徴とする処理装置を提供する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for performing a series of processes including cleaning, resist coating, and development after exposure to a substrate to be processed. A processing unit having a plurality of processing units for performing predetermined processing on a processing substrate, and a storage container for storing a processing target substrate before processing and / or a processing target substrate after processing are placed on the processing unit. A loading / unloading unit for loading / unloading the substrate to be processed, and an interface unit for transferring the substrate to be processed between the processing unit and the exposure apparatus, wherein the processing unit transports the substrate to be processed substantially horizontally. A cleaning unit that performs a cleaning process and a drying process with a cleaning solution while being performed;
A resist processing unit in which a resist process including application of a resist solution is performed while the substrate to be processed is transported substantially horizontally,
While the substrate to be processed is transported substantially horizontally, a developing unit for applying a developing solution, removing the developing solution after development, and drying, and a substrate to be processed unloaded from the cleaning unit are subjected to a predetermined thermal treatment. A first thermal processing unit section in which a plurality of thermal processing units for performing processing are aggregated; and a plurality of thermal processing units for performing predetermined thermal processing on a substrate to be processed unloaded from the resist processing unit And a third thermal processing unit in which a plurality of thermal processing units for performing a predetermined thermal processing on the substrate to be processed carried out from the developing processing unit are aggregated. A processing unit section, and a substrate to be processed unloaded from the cleaning processing unit are transported to the first thermal processing unit section, and the first thermal processing unit section is transported to the first thermal processing unit section. A first conveying device for conveying a substrate to be processed into the resist processing unit from Deployment, conveys the substrate to be processed is unloaded from the resist processing unit to the second thermal processing unit section,
A second transfer device that transfers the substrate to be processed from the second thermal processing unit section to the interface unit; and a substrate to be processed that is unloaded from the development processing unit to the third thermal processing unit section. And a third transfer device for transferring the substrate to be processed from the third thermal processing unit section to the loading / unloading section, wherein the cleaning processing unit, the resist processing unit in the processing unit, The development processing unit and the plurality of thermal processing unit sections are substantially arranged in a processing order and substantially in two rows at a predetermined interval, and at least a part of the plurality of thermal processing units is The substrate to be processed is arranged between two rows, and after the substrate to be processed is carried into the processing section from the carry-in / out section, the cleaning processing unit is arranged along one of the rows. And the resist processing unit reaches the interface unit, and after exposure by an exposure device, the exposure unit travels along the other side of the row from the interface unit to the carry-in / out unit via the development processing unit. I will provide a.

【0013】この処理装置において、前記第1、第2お
よび第3の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ、
第1、第2および第3の搬送装置に隣接して設けられ
た、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成
された熱的処理ユニットブロックを有することが好まし
い。また、前記搬出入部と前記処理部との受け渡しは、
前記第3の搬送装置により行うことができる。
In this processing apparatus, the first, second, and third thermal processing unit sections each include:
It is preferable to have a thermal processing unit block provided adjacent to the first, second, and third transfer devices and configured by vertically stacking a plurality of thermal processing units. In addition, the delivery between the loading / unloading section and the processing section is as follows:
This can be performed by the third transfer device.

【0014】本発明によれば、洗浄処理、レジスト処
理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニッ
トをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の
液処理が行われるように構成し、各液処理ユニット毎
に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを
集約して設け、複数の液処理ユニットおよび複数の熱的
処理ユニットセクションを、実質的に処理の順にかつ所
定間隔をおいて実質的に2列に配置し、これらの列に沿
って被処理基板を流しながら一連の処理を行うようにし
たので、高スループットを維持することができるととも
に、従来のような複数の処理ユニットの間を走行する大
がかりな中央搬送装置およびそれが走行する中央搬送路
が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ること
ができフットプリントを小さくすることができる。ま
た、複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部を上記2
列の間に配置したので、その分処理装置の長さを短くす
ることができる。さらに、上述のように処理ユニットを
所定間隔をおいて実質的に2列に配置したので、これら
列の間の空間をメンテナンススペースとして利用するこ
とができる。
According to the present invention, a plurality of liquid processing units performing liquid processing such as cleaning processing, resist processing, and developing processing are used to perform predetermined liquid processing while a substrate to be processed is transported substantially horizontally. A plurality of thermal processing units for performing subsequent thermal processing are collectively provided for each liquid processing unit, and the plurality of liquid processing units and the plurality of thermal processing unit sections are substantially processed. Are arranged in substantially two rows in this order and at predetermined intervals, and a series of processing is performed while flowing the substrate to be processed along these rows, so that high throughput can be maintained and the conventional A large central transport device that travels between a plurality of processing units and a central transport path on which it travels are basically unnecessary, and the footprint can be reduced accordingly. It can be reduced. In addition, at least a part of the plurality of thermal processing units is
Since it is arranged between the rows, the length of the processing device can be shortened accordingly. Further, as described above, the processing units are substantially arranged in two rows at predetermined intervals, so that the space between these rows can be used as a maintenance space.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第1の
実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処
理装置を示す平面図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing an LCD glass substrate resist coating and developing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【0016】このレジスト塗布現像処理装置100は、
複数のLCDガラス基板Gを収容するカセットCを載置
するカセットステーション(搬入出部)1と、基板Gに
レジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための
複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理
部)2と、露光装置4との間で基板Gの受け渡しを行う
ためのインターフェイスステーション(インターフェイ
ス部)3とを備えており、処理ステーション2の両端に
それぞれカセットステーション1およびインターフェイ
スステーション3が配置されている。なお、図1におい
て、レジスト塗布現像処理装置100の長手方向をX方
向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とす
る。
The resist coating / developing apparatus 100 includes:
A cassette station (loading / unloading section) 1 on which a cassette C accommodating a plurality of LCD glass substrates G is mounted, and a processing station including a plurality of processing units for performing a series of processing including resist coating and development on the substrate G (Processing section) 2 and an interface station (interface section) 3 for transferring a substrate G between the exposure apparatus 4 and a cassette station 1 and an interface station 3 at both ends of the processing station 2 respectively. Are located. In FIG. 1, the longitudinal direction of the resist coating and developing apparatus 100 is defined as an X direction, and a direction orthogonal to the X direction on a plane is defined as a Y direction.

【0017】カセットステーション1は、カセットCと
処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出を行
うための搬送装置11を備えており、このカセットステ
ーション1において外部に対するカセットCの搬入出が
行われる。また、搬送装置11は搬送アーム11aを有
し、搬送アーム11aによりカセットCと処理ステーシ
ョン2との間で基板Gの搬入出が行われる。
The cassette station 1 has a transfer device 11 for carrying in and out the LCD substrate G between the cassette C and the processing station 2. In the cassette station 1, the carry in / out of the cassette C to / from the outside is performed. Will be The transfer device 11 has a transfer arm 11a, and the transfer arm 11a loads and unloads the substrate G between the cassette C and the processing station 2.

【0018】処理ステーション2は、基本的にX方向に
沿って伸びる平行な2列のライン2a,2bを有してお
り、一方のライン2a側にカセットステーション1側か
らインターフェイスステーション3に向けてスクラブ洗
浄処理ユニット(SCR)21およびレジスト処理ユニ
ット23が配列され、他方のライン2bのインターフェ
イスステーション3側には現像処理ユニット(DEV)
24が設けられている。また、上記ライン2aにおける
スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21およびレジス
ト処理ユニット23の間の部分には第1の熱的処理ユニ
ットセクション26が設けられ、ライン2aおよび2b
のインターフェイスステーション3に隣接する部分には
第2の熱的処理ユニットセクション27が設けられ、ラ
イン2bのカセットステーション1側の部分には第3の
熱的処理ユニットセクション28が設けられている。さ
らに、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の
一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が
設けられ、現像処理ユニット(DEV)24の下流側に
隣接してi線UV照射ユニット(i−UV)25が設け
られている。ライン2aおよび2bは所定間隔をおいて
設けられており、その間には空間20が形成されてい
る。なお、エキシマUV照射ユニット(e−UV)22
はスクラブ洗浄に先立って基板Gの有機物を除去するた
めのものであり、i線UV照射ユニット(i−UV)2
5は現像の脱色処理を行うためのものである。
The processing station 2 basically has two parallel lines 2a and 2b extending in the X direction. One of the lines 2a is scrubbed from the cassette station 1 to the interface station 3. A cleaning processing unit (SCR) 21 and a resist processing unit 23 are arranged, and a developing processing unit (DEV) is provided on the interface station 3 side of the other line 2b.
24 are provided. Further, a first thermal processing unit section 26 is provided in a portion between the scrub cleaning processing unit (SCR) 21 and the resist processing unit 23 in the line 2a, and the lines 2a and 2b are provided.
A second thermal processing unit section 27 is provided in a portion adjacent to the interface station 3 of the first embodiment, and a third thermal processing unit section 28 is provided in a portion of the line 2b on the cassette station 1 side. Further, an excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 is provided on a part of the scrub cleaning unit (SCR) 21, and an i-line UV irradiation unit is provided adjacent to the downstream side of the development processing unit (DEV) 24. (I-UV) 25 is provided. The lines 2a and 2b are provided at predetermined intervals, and a space 20 is formed therebetween. The excimer UV irradiation unit (e-UV) 22
Is for removing organic matter from the substrate G prior to scrub cleaning, and is an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 2
Reference numeral 5 denotes a decolorizing process for development.

【0019】上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)
21は、その中で基板Gが従来のように回転されること
なく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を
行うようになっている。このスクラブ洗浄処理ユニット
(SCR)21では、基板Gの搬送は例えばコロ搬送ま
たはベルト搬送により行われる。
The above scrub cleaning unit (SCR)
Reference numeral 21 designates that the cleaning process and the drying process are performed while the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated as in the related art. In the scrub cleaning unit (SCR) 21, the transfer of the substrate G is performed by, for example, roller transfer or belt transfer.

【0020】上記現像処理ユニット(DEV)24も、
その中で基板Gが回転されることなく、略水平に搬送さ
れつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処
理を行うようになっている。この現像処理ユニット(D
EV)24においても、基板Gの搬送は例えばコロ搬送
またはベルト搬送により行われる。また、i線UV照射
ユニット(i−UV)25への基板Gの搬送は、現像処
理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構によ
り連続して行われる。
The development processing unit (DEV) 24 also includes
Among them, the application of the developer, the cleaning of the developer after the development, and the drying process are performed while the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated. This development processing unit (D
Also in the EV) 24, the transfer of the substrate G is performed by, for example, roller transfer or belt transfer. The transfer of the substrate G to the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 is continuously performed by a mechanism similar to the transfer mechanism of the development processing unit (DEV) 24.

【0021】レジスト処理ユニット23は、図2のその
内部の平面図に示すように、カップ50内で基板Gをス
ピンチャック51により回転させつつ図示しないノズル
からレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理
装置(CT)23a、基板G上に形成されたレジスト膜
を減圧容器52内で減圧乾燥する減圧乾燥装置(VD)
23b、およびステージ54に載置された基板Gの四辺
をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド53により基板Gの周
縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除
去装置(ER)23cがその順に配置されており、ガイ
ドレール55にガイドされて移動する一対のサブアーム
56により基板Gがこれらの間を略水平に搬送される。
このレジスト処理ユニット23は、相対向する短辺に基
板Gの搬入口57および搬出口58が設けられている。
そして、ガイドレール55は搬出口58から外側に延び
ておりサブアーム56により基板Gの搬出が可能となっ
ている。なお、レジスト処理ユニット23への基板Gの
搬入は、後述する第1の搬送装置33により行われる。
As shown in the plan view of the inside of the resist processing unit 23, a resist coating is performed by applying a resist solution by dripping a resist solution from a nozzle (not shown) while rotating the substrate G by a spin chuck 51 in a cup 50 as shown in a plan view therein. A processing apparatus (CT) 23a, a reduced-pressure drying apparatus (VD) for drying the resist film formed on the substrate G under reduced pressure in the reduced-pressure container 52
23b, and a peripheral resist removing device (ER) 23c for removing extra resist attached to the peripheral edge of the substrate G by a solvent discharge head 53 capable of scanning four sides of the substrate G placed on the stage 54 are arranged in this order. The substrate G is transported substantially horizontally between the pair of sub-arms 56 that move while being guided by the guide rail 55.
In the resist processing unit 23, a carry-in port 57 and a carry-out port 58 for the substrate G are provided on opposite short sides.
The guide rail 55 extends outward from the carry-out port 58 so that the substrate G can be carried out by the sub-arm 56. The loading of the substrate G into the resist processing unit 23 is performed by a first transfer device 33 described later.

【0022】第1の熱的処理ユニットセクション26
は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)
31,32を有している。熱的処理ユニットブロック
(TB)31はスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)2
1側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)3
2は空間20内に設けられている。そして、熱的処理ユ
ニットブロック(TB)31とレジスト処理ユニット2
3との間に第1の搬送装置33が設けられている。
First thermal processing unit section 26
Are two thermal processing unit blocks (TB) in which thermal processing units for performing thermal processing on the substrate G are stacked.
31 and 32 are provided. The thermal processing unit block (TB) 31 is a scrub cleaning processing unit (SCR) 2
1, a thermal processing unit block (TB) 3
2 is provided in the space 20. Then, the thermal processing unit block (TB) 31 and the resist processing unit 2
3, a first transport device 33 is provided.

【0023】第2の熱的処理ユニットセクション27
は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された3つの熱的処理ユニットブロック(TB)
34,35,36を有しており、熱的処理ユニットブロ
ック(TB)34はレジスト処理ユニット23側に設け
られ、熱的処理ユニットブロック(TB)35は現像処
理ユニット(DEV)24側に設けられ、熱的処理ブロ
ック(TB)36はインターフェイスステーション3に
隣接して空間20内に設けられている。そして、熱的処
理ユニットブロック(TB)34,35の間に第2の搬
送装置37が設けられている。
Second thermal processing unit section 27
Are three thermal processing unit blocks (TB) in which thermal processing units for performing thermal processing on the substrate G are stacked.
The thermal processing unit block (TB) 34 is provided on the resist processing unit 23 side, and the thermal processing unit block (TB) 35 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side. A thermal processing block (TB) 36 is provided in the space 20 adjacent to the interface station 3. Then, a second transfer device 37 is provided between the thermal processing unit blocks (TB) 34 and 35.

【0024】第3の熱的処理ユニットセクション28
は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層し
て構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)
38,39を有しており、熱的処理ユニットブロック
(TB)38は現像処理ユニット(DEV)24側に設
けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)39は空間
20のカセットステーション1側端部に設けられてい
る。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック
(TB)38,39の間に第3の搬送装置40が設けら
れている。
Third thermal processing unit section 28
Are two thermal processing unit blocks (TB) in which thermal processing units for performing thermal processing on the substrate G are stacked.
The thermal processing unit block (TB) 38 is provided on the development processing unit (DEV) 24 side, and the thermal processing unit block (TB) 39 is an end of the space 20 on the cassette station 1 side. It is provided in. Further, a third transfer device 40 is provided between these two thermal processing unit blocks (TB) 38, 39.

【0025】これら第1から第3の熱的処理ユニットセ
クション26〜28における各熱的処理ユニットブロッ
ク(TB)は図3に示すように構成されている。すなわ
ち、第1の熱的処理ユニットセクション26の熱的処理
ユニットブロック(TB)31は、図3の(a)に示す
ように、下から順に基板Gに対して脱水ベーク処理を行
う脱水ベークユニット(DHP)61、基板Gの受け渡
しを行うエクステンションユニット(EXT)62、脱
水ベークユニット(DHP)63、基板Gに対して疎水
化処理(アドヒージョン処理)を施すアドヒージョン処
理ユニット(AD)64が4段積層して構成されてお
り、熱的処理ユニットブロック(TB)32は、図3の
(b)に示すように、下から順に基板Gを冷却する2つ
のクーリングユニット(COL)65,66、およびア
ドヒージョン処理ユニット(AD)67が3段積層して
構成されている。また、第2の熱的処理ユニットセクシ
ョン27の熱的処理ユニットブロック(TB)34は、
図3の(c)に示すように、下から順に基板Gに対して
プリベーク処理を施すプリベークユニット(PREBA
KE)68、エクステンションユニット(EXT)6
9、2つのプリベークユニット(PREBAKE)7
0,71が4段積層して構成されており、熱的処理ユニ
ットブロック(TB)35は、図3の(d)に示すよう
に、クーリングユニット(COL)72、エクステンシ
ョンユニット(EXT)73、2つのプリベークユニッ
ト(PREBAKE)74,75が4段積層して構成さ
れており、熱的処理ユニットブロック(TB)36は、
図3の(e)に示すように、基板Gの受け渡しおよび冷
却を行う2つのエクステンションクーリングユニット
(EXT・COL)76,77が2段積層して構成され
ている。第3の熱的処理ユニットセクション28の熱的
処理ユニットブロック(TB)38は、図3の(f)に
示すように、下から順にクーリングユニット(COL)
78、エクステンションユニット(EXT)79、基板
に対してポストベーク処理を施す2つのポストベークユ
ニット(POBAKE)80,81が4段積層して構成
されており、熱的処理ユニットブロック(TB)39
は、図3の(g)に示すように、4つのポストベーク処
理ユニット(POBAKE)82,83,84,85が
4段積層して構成されている。
Each of the thermal processing unit blocks (TB) in the first to third thermal processing unit sections 26 to 28 is configured as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 3A, the thermal processing unit block (TB) 31 of the first thermal processing unit section 26 includes a dehydration baking unit that sequentially performs a dehydration baking process on the substrate G from the bottom. (DHP) 61, an extension unit (EXT) 62 for transferring the substrate G, a dehydration bake unit (DHP) 63, and an adhesion processing unit (AD) 64 for performing a hydrophobizing treatment (adhesion treatment) on the substrate G. As shown in FIG. 3B, the thermal processing unit block (TB) 32 includes two cooling units (COL) 65, 66 for cooling the substrate G in order from the bottom, and An adhesion processing unit (AD) 67 is formed by stacking three stages. The thermal processing unit block (TB) 34 of the second thermal processing unit section 27
As shown in FIG. 3C, a pre-bake unit (PREBA) for performing pre-bake processing on the substrate G in order from the bottom.
KE) 68, Extension unit (EXT) 6
9, two pre-baking units (PREBAKE) 7
The thermal processing unit block (TB) 35 includes a cooling unit (COL) 72, an extension unit (EXT) 73, and a cooling unit (EXT) 73, as shown in FIG. The two pre-baking units (PREBAKE) 74 and 75 are formed by laminating four stages, and the thermal processing unit block (TB) 36
As shown in FIG. 3E, two extension cooling units (EXT · COL) 76 and 77 for transferring and cooling the substrate G are stacked in two stages. The thermal processing unit block (TB) 38 of the third thermal processing unit section 28 includes cooling units (COL) in order from the bottom as shown in FIG.
78, an extension unit (EXT) 79, and two post-baking units (POBAKE) 80, 81 for performing post-baking processing on the substrate, which are stacked in four layers, and a thermal processing unit block (TB) 39.
As shown in FIG. 3 (g), four post-baking units (POBAKE) 82, 83, 84, 85 are stacked in four stages.

【0026】上記第1の搬送装置33は、熱的処理ユニ
ットブロック(TB)31および32の各ユニットおよ
びレジスト処理ユニット23にアクセス可能に構成され
ており、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21から
搬出されてエクステンションユニット(EXT)62に
受け渡された基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット
ブロック(TB)31,32に属する熱的処理ユニット
間の基板Gの搬入出、およびレジスト処理ユニット23
への基板Gの受け渡しを行う。
The first transfer device 33 is configured to be able to access the respective units of the thermal processing unit blocks (TB) 31 and 32 and the resist processing unit 23, and to carry out the transfer from the scrub cleaning processing unit (SCR) 21. The substrate G thus transferred to the extension unit (EXT) 62 is received, the substrate G is transferred between the thermal processing units belonging to the thermal processing unit blocks (TB) 31, 32, and the resist processing unit 23 is loaded.
The transfer of the substrate G is performed.

【0027】第2の搬送装置37は、熱的処理ユニット
ブロック(TB)34,35,36の各ユニットにアク
セス可能に構成されており、レジスト処理ユニット23
から搬出されてエクステンションユニット(EXT)7
3に受け渡された基板Gの受け取り、熱的処理ユニット
ブロック(TB)34,35,36に属するユニット間
の基板Gの搬入出、およびエクステンション・クーリン
グユニット(EXT・COL)76または77への基板
Gの受け渡しを行う。
The second transfer device 37 is configured to be able to access each unit of the thermal processing unit blocks (TB) 34, 35, 36,
Extension unit (EXT) 7
3, the transfer of the substrate G between the units belonging to the thermal processing unit blocks (TB) 34, 35, 36, and the transfer to the extension cooling unit (EXT.COL) 76 or 77. Delivery of the substrate G is performed.

【0028】第3の搬送装置40は、熱的処理ユニット
ブロック(TB)38,39の各ユニットにアクセス可
能に構成されており、エクステンションユニット(EX
T)79に受け渡された基板Gの受け取り、熱的処理ユ
ニットブロック(TB)38,39に属するユニット間
の基板Gの搬入出、カセットステーション1の搬送装置
11への基板Gの受け渡しおよびカセットステーション
1の搬送装置11からの基板Gの受け取り、さらにはス
クラブ洗浄処理ユニット(SCR)21およびエキシマ
UV照射ユニット(e−UV)22への基板Gの搬入を
行う。
The third transfer device 40 is configured to be able to access each unit of the thermal processing unit blocks (TB) 38, 39, and is provided with an extension unit (EX).
T) Receiving the substrate G transferred to 79, loading and unloading the substrate G between units belonging to the thermal processing unit blocks (TB) 38, 39, transfer of the substrate G to the transfer device 11 of the cassette station 1, and cassette transfer The substrate G is received from the transfer device 11 of the station 1, and is further carried into the scrub cleaning unit (SCR) 21 and the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22.

【0029】上記第1から第3の搬送装置33,37,
40はいずれも、図4に示す構造を有している。すなわ
ち、これら搬送装置は、上下に延びるガイドレール91
と、ガイドレール91に沿って昇降する昇降部材92
と、昇降部材92上を旋回可能に設けられたベース部材
93と、ベース部材93上を前進後退可能に設けられ、
基板Gを保持する基板保持アーム94とを有している。
そして、昇降部材92の昇降はモーター95によって行
われ、ベース部材93の旋回はモーター96によって行
われ、基板保持アーム94の前後動はモーター97によ
って行われる。これら搬送装置はこのように上下動、前
後動、旋回動可能に設けられているので、各ユニットに
アクセス可能である。
The first to third transfer devices 33, 37,
40 have the structure shown in FIG. That is, these transfer devices are provided with guide rails 91 extending vertically.
And an elevating member 92 that moves up and down along the guide rail 91
A base member 93 provided to be rotatable on the elevating member 92, and a base member 93 provided to be able to advance and retreat on the base member 93,
And a substrate holding arm 94 for holding the substrate G.
The elevating member 92 is raised and lowered by a motor 95, the base member 93 is turned by a motor 96, and the substrate holding arm 94 is moved back and forth by a motor 97. Since these transfer devices are provided so as to be able to move up and down, move back and forth, and turn, they can access each unit.

【0030】なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット(S
CR)21内の基板Gは上述したように例えばコロ搬送
により熱的処理ユニットブロック(TB)31のエクス
テンションユニット(EXT)62に搬出され、そこで
図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた
基板Gが第1の搬送装置33により搬送される。また、
レジスト処理ユニット23への基板Gの搬入は、上述し
たように第1の搬送装置33により直接行われるが、レ
ジスト処理ユニット23から基板Gを搬出する際には、
サブアーム56により基板Gが搬出口58を通って熱的
処理ユニットブロック(TB)34のエクステンション
ユニット(EXT)69まで搬送され、そこで突出され
たピン(図示せず)上に基板Gが搬出される。現像処理
ユニット(DEV)24への基板Gの搬入は、熱的処理
ユニットブロック(TB)35のエクステンションユニ
ット(EXT)73において図示しないピンを突出させ
て基板を上昇させた状態から下降させることにより、エ
クステンションユニット(EXT)73まで延長されて
いる例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われ
る。i線UV照射ユニット(i−UV)25の基板Gは
例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック(T
B)38のエクステンションユニット(EXT)79に
搬出され、そこで図示しないピンが突出されることによ
り持ち上げられた基板Gが第3の搬送装置40により搬
送される。
The scrub cleaning unit (S
As described above, the substrate G in the CR) 21 is carried out to the extension unit (EXT) 62 of the thermal processing unit block (TB) 31 by, for example, roller conveyance, and the substrate lifted by projecting pins (not shown) there. G is transported by the first transport device 33. Also,
The loading of the substrate G into the resist processing unit 23 is directly performed by the first transfer device 33 as described above, but when the substrate G is unloaded from the resist processing unit 23,
The substrate G is transported by the sub-arm 56 through the carry-out port 58 to the extension unit (EXT) 69 of the thermal processing unit block (TB) 34, where the substrate G is carried out onto protruding pins (not shown). . The loading of the substrate G into the development processing unit (DEV) 24 is performed by lowering the substrate from an elevated state by projecting pins (not shown) in the extension unit (EXT) 73 of the thermal processing unit block (TB) 35. The operation is performed by, for example, operating a roller transport mechanism extended to the extension unit (EXT) 73. The substrate G of the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 is transferred to the thermal processing unit block (T
B) The substrate G is carried out to the extension unit (EXT) 79 of 38, and the substrate G lifted by projecting pins (not shown) is carried by the third carrying device 40.

【0031】インターフェイスステーション3は、処理
ステーション2と露光装置4との間での間で基板Gの搬
入出を行う搬送装置42と、バッファーカセットを配置
するバッファーステージ(BUF)43とを有してお
り、タイトラー(TITLER)と周辺露光装置(E
E)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送
装置42に隣接して設けられている。搬送装置42は搬
送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処
理ステーション2と露光装置4との間で基板Gの搬入出
が行われる。
The interface station 3 has a transfer device 42 for carrying in and out the substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4, and a buffer stage (BUF) 43 for disposing a buffer cassette. TITLER and peripheral exposure equipment (E
An external device block 45 in which E) is vertically stacked is provided adjacent to the transport device 42. The transfer device 42 includes a transfer arm 42a, and the transfer of the substrate G between the processing station 2 and the exposure device 4 is performed by the transfer arm 42a.

【0032】このように構成されたレジスト塗布現像処
理装置100においては、まず、カセットステーション
1に配置されたカセットC内の基板Gが、搬送装置11
により処理ステーション2の第3の搬送装置40に受け
渡され、この第3の搬送装置40によりエキシマUV照
射ユニット(e−UV)22に搬入され、スクラブ前処
理が行われる。次いで、第3の搬送装置40により、基
板GがエキシマUV照射ユニット(e−UV)22の下
に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21
に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄で
は、基板Gが従来のように回転されることなく略水平に
搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようにな
っており、これにより、従来、回転タイプのスクラブ洗
浄処理ユニットを2台使用していたのと同じ処理能力を
より少ないスペースで実現することができる。スクラブ
洗浄処理後、基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的
処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニット
ブロック(TB)31のエクステンションユニット(E
XT)62に搬出される。
In the resist coating / developing apparatus 100 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C disposed in the cassette station 1 is transferred to the transfer device 11.
Is transferred to the third transfer device 40 of the processing station 2 and is carried into the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 by the third transfer device 40 to perform pre-scrub processing. Next, the scrub cleaning unit (SCR) 21 in which the substrate G is disposed below the excimer UV irradiation unit (e-UV) 22 by the third transfer device 40.
And scrub-washed. In this scrub cleaning, a cleaning process and a drying process are performed while the substrate G is transported substantially horizontally without being rotated as in the conventional case. The same processing capacity as that of using two units can be realized with less space. After the scrub cleaning process, the substrate G is transferred, for example, by roller transfer, to the extension unit (E) of the thermal processing unit block (TB) 31 belonging to the first thermal processing unit section 26.
XT) 62.

【0033】エクステンションユニット(EXT)62
に配置された基板Gは、図示しないピンが突出されるこ
とにより持ち上げられ、第1の熱的処理ユニットセクシ
ョン26により以下の一連の処理が行われる。すなわ
ち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック(TB)3
1の脱水ベークユニット(DHP)61,63のいずれ
かに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニット
ブロック(TB)32のクーリングユニット(COL)
65,66のいずれかに搬送されて冷却された後、レジ
ストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック
(TB)31のアドヒージョン処理ユニット(AD)6
4、および熱的処理ユニットブロック(TB)32のア
ドヒージョン処理ユニット(AD)67のいずれかに搬
送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎
水化処理)され、その後、上記クーリングユニット(C
OL)65,66のいずれかに搬送されて冷却される。
この際の搬送処理は全て第1の搬送装置33によって行
われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあ
る。
Extension unit (EXT) 62
Is lifted by projecting pins (not shown), and the first thermal processing unit section 26 performs the following series of processing. That is, first, the thermal processing unit block (TB) 3
1 is transferred to one of the dehydration bake units (DHP) 61 and 63 and subjected to heat treatment, and then the cooling unit (COL) of the thermal processing unit block (TB) 32
After being transported to one of 65 and 66 and cooled, the adhesion processing unit (AD) 6 of the thermal processing unit block (TB) 31 is used to improve the fixability of the resist.
4 and one of the adhesion processing units (AD) 67 of the thermal processing unit block (TB) 32, where it is subjected to adhesion processing (hydrophobic treatment) by HMDS, and then the cooling unit (C)
OL) 65, 66 and cooled.
The transport process at this time is all performed by the first transport device 33. In some cases, the adhesion process is not performed.

【0034】その後、基板Gは第1の搬送装置33によ
りレジスト処理ユニット23内へ搬入される。そして、
基板Gはまずその中のレジスト塗布処理装置(CT)2
3aで基板Gに対するレジスト液のスピン塗布が実施さ
れ、次いでサブアーム56により減圧乾燥装置(VD)
23bに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム5
6により周縁レジスト除去装置(ER)23cに搬送さ
れて基板G周縁の余分なレジストが除去される。そし
て、周縁レジスト除去終了後、基板Gはサブアーム56
によりレジスト処理ユニット23から搬出される。この
ように、レジスト塗布処理装置(CT)23aの後に減
圧乾燥装置(VD)23bを設けるのは、これを設けな
い場合には、レジストを塗布した基板Gをプリベーク処
理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リ
フトピン、固定ピン等の形状が基板Gに転写されること
があるが、このように減圧乾燥装置(VD)により加熱
せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が
徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な
乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジ
ストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生
じることを有効に防止することができるからである。
Thereafter, the substrate G is carried into the resist processing unit 23 by the first transfer device 33. And
The substrate G is first processed by a resist coating apparatus (CT) 2 therein.
3a, a spin coating of a resist solution is performed on the substrate G, and then the sub-arm 56 uses a vacuum drying device (VD).
23b and dried under reduced pressure.
By 6, the wafer is conveyed to the peripheral edge resist removing device (ER) 23 c to remove excess resist on the peripheral edge of the substrate G. After the peripheral resist is removed, the substrate G is moved to the sub-arm 56.
From the resist processing unit 23. As described above, the vacuum drying device (VD) 23b is provided after the resist coating device (CT) 23a. If this is not provided, the substrate G coated with the resist is subjected to a pre-bake process or a development process. After the post-baking treatment, the shapes of the lift pins, the fixing pins, and the like may be transferred to the substrate G. By performing the reduced-pressure drying without heating by the reduced-pressure drying device (VD), the solvent in the resist is reduced. Is gradually released and does not cause rapid drying as in the case of drying by heating, can promote the drying of the resist without adversely affecting the resist, and effectively prevent transfer from occurring on the substrate. Because you can.

【0035】このようにして塗布処理が終了し、サブア
ーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出され
た基板Gは、第2の熱的処理ユニットセクション27に
属する熱的処理ユニットブロック(TB)34のエクス
テンションユニット(EXT)69に受け渡される。エ
クステンションユニット(EXT)69に配置された基
板Gは、第2の搬送装置37により、熱的処理ユニット
ブロック(TB)34のプリベークユニット(PREB
AKE)68,70,71および熱的処理ユニットブロ
ック(TB)35のプリベークユニット(PREBAK
E)74,75のいずれかに搬送されてプリベーク処理
され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)35の
クーリングユニット(COL)72またはエクステンシ
ョンクーリングユニット(EXT・COL)76,77
に搬送されて所定温度に冷却される。
The substrate G carried out from the resist processing unit 23 by the sub arm 56 after the coating process is completed in this manner is the extension of the thermal processing unit block (TB) 34 belonging to the second thermal processing unit section 27. The data is transferred to the unit (EXT) 69. The substrate G placed in the extension unit (EXT) 69 is transferred by the second transfer device 37 to the pre-bake unit (PREB) of the thermal processing unit block (TB) 34.
AKE) 68, 70, 71 and the pre-bake unit (PREBAK) of the thermal processing unit block (TB) 35
E) The wafer is conveyed to one of 74 and 75 and pre-baked, and thereafter, the cooling unit (COL) 72 or the extension cooling unit (EXT · COL) 76 and 77 of the thermal processing unit block (TB) 35.
And cooled to a predetermined temperature.

【0036】その後、基板Gは、クーリングユニット
(COL)72で冷却された場合には第2の搬送装置3
7によりエクステンションクーリングユニット(EXT
・COL)76,77に搬送された後、エクステンショ
ンクーリングユニット(EXT・COL)76,77で
冷却された場合にはそのまま、インターフェイスステー
ション3の搬送装置42により露光装置4に搬送されて
そこで基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパター
ンが形成される。場合によってはバッファーステージ
(BUF)43上のバッファカセットに基板Gを収容し
てから露光装置4に搬送される。
Thereafter, when the substrate G is cooled by the cooling unit (COL) 72, the second transfer device 3
7 extension cooling unit (EXT
COL) 76, 77, and then cooled by the extension cooling units (EXT COL) 76, 77, are directly transferred to the exposure device 4 by the transfer device 42 of the interface station 3, where the substrate G The upper resist film is exposed to form a predetermined pattern. In some cases, the substrate G is accommodated in a buffer cassette on a buffer stage (BUF) 43 and then transferred to the exposure device 4.

【0037】露光終了後、基板Gはインターフェイスス
テーション3の搬送装置42により外部装置ブロック4
5下段の周辺露光装置(EE)に搬送されて周辺レジス
ト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置42によ
り外部装置ブロック45の上段のタイトラー(TITL
ER)に搬入されて基板Gに所定の情報が記された後、
再び処理ステーション2に搬入される。すなわち、基板
Gは搬送装置42により第2の熱的処理ユニットセクシ
ョン27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)3
6のエクステンションクーリングユニット(EXT・C
OL)76,77のいずれかに搬送された後、第2の搬
送装置37により、熱的処理ユニットブロック(TB)
35のエクステンションユニット(EXT)73に搬送
される。そして、エクステンションユニット(EXT)
73においてピンを突出させて基板Gを上昇させた状態
から下降させることにより、現像処理ユニット(DE
V)24からエクステンションユニット(EXT)73
まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させるこ
とにより基板Gが現像処理ユニット(DEV)24へ搬
入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板
Gが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送
により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像
液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これ
により、従来、回転タイプの現像処理ユニットを3台使
用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実
現することができる。
After the exposure, the substrate G is transferred to the external device block 4 by the transfer device 42 of the interface station 3.
5 is conveyed to the lower peripheral exposure apparatus (EE) to perform exposure for removing the peripheral resist, and then, by the conveyor 42, the upper titler (TITL) of the external device block 45 is used.
ER), and after predetermined information is written on the substrate G,
It is carried into the processing station 2 again. That is, the substrate G is transferred to the thermal processing unit block (TB) 3 belonging to the second thermal processing unit section 27 by the transfer device 42.
6 extension cooling unit (EXT ・ C
OL) 76, 77, and then transferred by the second transfer device 37 to the thermal processing unit block (TB).
It is conveyed to 35 extension units (EXT) 73. And the extension unit (EXT)
At 73, the pins are protruded to lower the substrate G from the raised state, whereby the development processing unit (DE
V) From 24 to Extension unit (EXT) 73
The substrate G is carried into the development processing unit (DEV) 24 by operating, for example, a roller transport mechanism that has been extended to the development processing unit (DEV) 24, where the development processing is performed. In this development processing, the substrate G is not rotated as in the related art, and the developer is applied, the developer is removed after development, and the drying processing is performed while being transported substantially horizontally by, for example, roller transportation. This makes it possible to achieve the same processing capacity as in the conventional case where three rotary type development processing units are used, in a smaller space.

【0038】現像処理終了後、基板Gは現像処理ユニッ
ト(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬
送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送
され、基板Gに対して脱色処理が施される。その後、基
板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内で搬送
され、かつその外へ延長する搬送機構、例えばコロ搬送
により第3の熱的処理ユニットセクション28に属する
熱的処理ユニットブロック(TB)38のエクステンシ
ョンユニット(EXT)79に搬出される。
After the development process, the substrate G is transported from the development processing unit (DEV) 24 to a continuous transport mechanism, for example, an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 by roller transport, and the substrate G is subjected to a decolorizing process. Is applied. Thereafter, the substrate G is transported in the i-ray UV irradiation unit (i-UV) 25 and extended by a transport mechanism such as a roller transporter, which belongs to the third thermal processing unit section 28 by a thermal processing unit block. (TB) 38 to the extension unit (EXT) 79.

【0039】エクステンションユニット(EXT)79
に配置された基板Gは、第3の搬送装置40により熱的
処理ユニットブロック(TB)38のポストベークユニ
ット(POBAKE)80,81および熱的処理ユニッ
トブロック(TB)39のポストベークユニット(PO
BAKE)82,83,84,85のいずれかに搬送さ
れてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブ
ロック(TB)38のクーリングユニット(COL)7
8に搬送されて所定温度に冷却された後、第3の搬送装
置40によりカセットステーション1の搬送装置11に
受け渡され、搬送装置11によりカセットステーション
1に配置されている所定のカセットCに収容される。
Extension unit (EXT) 79
The substrate G placed in the post-bake units (POBAKE) 80 and 81 of the thermal processing unit block (TB) 38 and the post-bake unit (PO) of the thermal processing unit block (TB) 39 are
BAKE) 82, 83, 84, 85, and are subjected to post-baking treatment, and then the cooling unit (COL) 7 of the thermal processing unit block (TB) 38.
After being conveyed to the transfer station 8 and cooled to a predetermined temperature, it is transferred to the transfer apparatus 11 of the cassette station 1 by the third transfer apparatus 40 and stored in the predetermined cassette C arranged in the cassette station 1 by the transfer apparatus 11. Is done.

【0040】以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット
(SCR)21、レジスト処理ユニット23、および現
像処理ユニット(DEV)24をその中で基板Gが略水
平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成
し、これらスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、
レジスト処理ユニット23、および現像処理ユニット
(DEV)24ごとに、その後の熱的処理を行う複数の
熱的処理ユニットを集約して第1から第3の熱的処理ユ
ニットセクション26,27,28を設け、さらにこれ
らスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、レジスト
処理ユニット23、および現像処理ユニット(DEV)
24ならびに熱的処理ユニットセクション26,27,
28を、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実質
的に2列のライン2a,2bに配置し、これらのライン
2a,2bに沿って基板Gを流しながら一連の処理を行
うようにしたので、高スループットを維持することがで
きるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間を
走行する大がかりな中央搬送装置およびそれが走行する
中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化
を図ることができフットプリントを小さくすることがで
きる。また、熱的処理ユニットブロック32,36,3
9をライン2a,2bの間の空間20に配置したので、
熱的処理ユニットの一部がライン2a,2b上ではなく
空間20に配置されたこととなり、その分装置全体の長
さを短くすることができる。また、このような空間20
をメンテナンススペースとして利用することができる。
また、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および
現像処理ユニット(DEV)24では、基板Gを回転さ
せずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流
し方式であるので、従来基板Gを回転させる際に多く発
生していたミストを減少させることが可能となる。
As described above, predetermined liquid processing is performed while the substrate G is transported substantially horizontally in the scrub cleaning processing unit (SCR) 21, the resist processing unit 23, and the development processing unit (DEV) 24. The scrub cleaning unit (SCR) 21,
For each of the resist processing unit 23 and the development processing unit (DEV) 24, a plurality of thermal processing units for performing subsequent thermal processing are aggregated to form first to third thermal processing unit sections 26, 27, 28. And a scrub cleaning unit (SCR) 21, a resist processing unit 23, and a developing unit (DEV)
24 and thermal processing unit sections 26, 27,
28 are arranged in two lines 2a and 2b substantially in the order of processing and at a predetermined interval, and a series of processing is performed while flowing the substrate G along these lines 2a and 2b. As a result, high throughput can be maintained, and a large-scale central transport device that travels between a plurality of processing units and a central transport path in which it travels are basically unnecessary, thereby saving space. And the footprint can be reduced. Also, the thermal processing unit blocks 32, 36, 3
9 is located in the space 20 between the lines 2a and 2b,
Since a part of the thermal processing unit is arranged not in the line 2a, 2b but in the space 20, the overall length of the apparatus can be shortened accordingly. In addition, such a space 20
Can be used as a maintenance space.
The scrub cleaning unit (SCR) 21 and the developing unit (DEV) 24 are so-called flat-flow systems in which processing is performed while the substrate G is transported horizontally without being rotated. It is possible to reduce mist that has been frequently generated.

【0041】また、第1から第3の熱的処理ユニットセ
クション26,27,28を熱的処理ユニットを複数段
積層した熱的処理ユニットブロック(TB)で構成した
ので、その分さらにフットプリントを小さくすることが
できるとともに、熱的処理を基板Gの搬送を極力少なく
して基板Gの処理の流れに沿って行うことができるよう
になるので、よりスループットを高めることができる。
また、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応し
て各熱的処理ユニットセクション専用の第1から第3の
搬送装置33,37,40を設けたので、このことによ
ってもスループットを高くすることができる。
Further, since the first to third thermal processing unit sections 26, 27, and 28 are composed of thermal processing unit blocks (TB) in which thermal processing units are stacked in a plurality of stages, the footprint is further increased accordingly. The size of the substrate can be reduced, and the thermal processing can be performed along the flow of the processing of the substrate G by minimizing the transfer of the substrate G. Therefore, the throughput can be further increased.
Further, since the first to third transfer devices 33, 37, and 40 dedicated to each thermal processing unit section are provided corresponding to each thermal processing unit section, the throughput can be increased also by this. .

【0042】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例
えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに
限るものではない。また、処理に関しても上記のように
レジスト塗布現像処理装置による処理に限られるもので
はなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用するこ
とも可能である。さらに被処理基板としてLCD基板を
用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィ
ルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能で
あることはいうまでもない。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made within the scope of the concept of the present invention. For example, the device layout is merely an example, and is not limited to this. Further, the processing is not limited to the processing by the resist coating and developing processing apparatus as described above, but may be applied to another apparatus that performs a liquid processing and a thermal processing. Furthermore, although the case where the LCD substrate is used as the substrate to be processed has been described, it is needless to say that the present invention is not limited to this and can be applied to the case of processing other substrates to be processed such as a color filter.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所定の液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被
処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われ
るように構成し、各液処理ユニット毎に、その後の熱的
処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して設け、複
数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニットセク
ションを、実質的に処理の順にかつ所定間隔をおいて実
質的に2列に配置し、これらの列に沿って被処理基板を
流しながら一連の処理を行うようにしたので、高スルー
プットを維持することができるとともに、従来のような
複数の処理ユニットの間を走行する大がかりな中央搬送
装置およびそれが走行する中央搬送路が基本的に不要と
なり、その分省スペース化を図ることができフットプリ
ントを小さくすることができる。また、複数の熱的処理
ユニットの少なくとも一部を上記2列の間に配置したの
で、その分処理装置の長さを短くすることができる。さ
らに、上述のように処理ユニットを所定間隔をおいて実
質的に2列に配置したので、これら列の間の空間をメン
テナンススペースとして利用することができる。
As described above, according to the present invention,
A plurality of liquid processing units for performing a predetermined liquid processing are configured such that a predetermined liquid processing is performed while a substrate to be processed is transported substantially horizontally therein, and a subsequent thermal processing is performed for each liquid processing unit. A plurality of thermal processing units to be performed are collectively provided, and a plurality of liquid processing units and a plurality of thermal processing unit sections are arranged in substantially two rows at a predetermined interval in a substantially processing order. A series of processing is performed while flowing the substrate to be processed along the rows of, so that a high throughput can be maintained, and a large-scale central transfer device that travels between a plurality of processing units as in the related art and The central transport path on which it travels is basically unnecessary, so that space can be saved and the footprint can be reduced. Further, since at least some of the plurality of thermal processing units are arranged between the two rows, the length of the processing apparatus can be shortened accordingly. Further, as described above, the processing units are substantially arranged in two rows at predetermined intervals, so that the space between these rows can be used as a maintenance space.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係るLCDガラス基
板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing an LCD glass substrate resist coating and developing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレ
ジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部
を示す平面図。
FIG. 2 is a plan view showing the inside of a resist processing unit of the LCD substrate resist coating and developing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレ
ジスト塗布現像処理装置の各熱的処理ユニットブロック
の構成を説明するための模式図。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a configuration of each thermal processing unit block of the LCD substrate resist coating and developing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施形態に係るLCD基板のレ
ジスト塗布現像処理装置に用いられる第1から第3の搬
送装置の構造を説明するための模式図。
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a structure of first to third transfer devices used in the resist coating and developing apparatus for the LCD substrate according to the first embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……カセットステーション 2……処理ステーション 3……インターフェイスステーション 20……空間 21……スクラブ洗浄処理ユニット(液処理ユニット) 23……レジスト処理ユニット(液処理ユニット) 24……現像処理ユニット(液処理ユニット) 26……第1の熱的処理ユニットセクション 27……第2の熱的処理ユニットセクション 28……第3の熱的処理ユニットセクション 31,32,34,35,36,38,39……熱的処
理ユニットブロック 33……第1の搬送装置 37……第2の搬送装置 40……第3の搬送装置 100……レジスト塗布現像処理装置(処理装置) G……LCDガラス基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Cassette station 2 ... Processing station 3 ... Interface station 20 ... Space 21 ... Scrub cleaning processing unit (liquid processing unit) 23 ... Resist processing unit (liquid processing unit) 24 ... Development processing unit (liquid Processing unit) 26 first thermal processing unit section 27 second thermal processing unit section 28 third thermal processing unit section 31, 32, 34, 35, 36, 38, 39 ... Thermal processing unit block 33... First transfer device 37... Second transfer device 40... Third transfer device 100... Resist coating and developing processing device (processing device) G... LCD glass substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/16 501 G03F 7/30 501 7/30 501 H01L 21/68 A H01L 21/68 21/30 562 Fターム(参考) 2H025 AA00 AB17 EA04 FA14 2H096 AA00 CA12 DA01 FA01 GA21 GB00 HA01 4F042 AA07 CC04 DA01 DA08 DB01 DB17 DF15 DF25 DF26 DF29 ED05 5F031 CA05 MA06 MA09 MA26 5F046 AA28 JA22 KA07 LA11 LA18──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/16 501 G03F 7/30 501 7/30 501 H01L 21/68 A H01L 21/68 21/30 562 F-term (reference) 2H025 AA00 AB17 EA04 FA14 2H096 AA00 CA12 DA01 FA01 GA21 GB00 HA01 4F042 AA07 CC04 DA01 DA08 DB01 DB17 DF15 DF25 DF26 DF29 ED05 5F031 CA05 MA06 MA09 MA26 5F046 AA28 JA22 KA07 LA11

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板に対して複数の液処理を含む
一連の処理を行う処理装置であって、 被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行わ
れる複数の液処理ユニットと、 前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けら
れ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱
的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユ
ニットセクションと、 前記各液処理ユニットから搬出された被処理基板を対応
する熱的処理ユニットセクションへ搬送する複数の搬送
装置とを具備し、 前記複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニッ
トセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間隔をお
いて実質的に2列に配置され、 前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら
2列の間に配置されていることを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus for performing a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed, wherein the plurality of liquid processing units perform a predetermined liquid process while the substrate to be processed is transported substantially horizontally. And a plurality of thermal processing unit sections provided correspondingly to each of the plurality of liquid processing units, and a plurality of thermal processing units that perform a predetermined thermal processing after the corresponding liquid processing are collectively provided. A plurality of transfer devices for transferring the substrate to be processed carried out from each of the liquid processing units to a corresponding thermal processing unit section, wherein the plurality of liquid processing units and the plurality of thermal processing unit sections are substantially The thermal processing units are arranged substantially in two rows in the order of processing and at predetermined intervals, and at least a part of the plurality of thermal processing units are arranged between these two rows. Processing apparatus.
【請求項2】 被処理基板に対して複数の液処理を含む
一連の処理を行う処理装置であって、 前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定
の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、 処理前の被処理基板および/または処理後の被処理基板
が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対して被
処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、 前記処理部は、 被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行わ
れる複数の液処理ユニットと、 前記複数の液処理ユニットのそれぞれに対応して設けら
れ、対応する液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱
的処理ユニットが集約して設けられた複数の熱的処理ユ
ニットセクションと、 前記各液処理ユニットから搬出された被処理基板を対応
する熱的処理ユニットセクションへ搬送する複数の搬送
装置とを有し、 前記複数の液処理ユニットおよび複数の熱的処理ユニッ
トセクションは、実質的に処理の順にかつ所定間隔をお
いて実質的に2列に配置され、 前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら
2列の間に配置され、被処理基板は前記搬入出部から前
記処理部へ搬入された後、前記2列の一方に沿って搬送
され、Uターンした後に前記2列の他方に沿って搬送さ
れて前記搬入出部へ搬出されることを特徴とする処理装
置。
2. A processing apparatus for performing a series of processes including a plurality of liquid processes on a substrate to be processed, comprising: a plurality of processing units each performing a predetermined process on the substrate to be processed corresponding to the series of processes. A processing unit having a processing unit and a storage container for storing a substrate to be processed before processing and / or a substrate to be processed after processing are loaded and unloaded to and from the processing unit. A plurality of liquid processing units for performing a predetermined liquid processing while the substrate to be processed is transported substantially horizontally, and provided in correspondence with each of the plurality of liquid processing units, A plurality of thermal processing unit sections in which a plurality of thermal processing units that perform a predetermined thermal processing after the corresponding liquid processing are collectively provided; and a corresponding heat treatment is performed on the substrate to be processed unloaded from each of the liquid processing units. Processing unit section And a plurality of transport units for transporting the liquid processing units and the plurality of thermal processing unit sections, which are arranged in substantially two rows at a predetermined interval in a substantially processing order. At least a part of the plurality of thermal processing units is disposed between the two rows, and the substrate to be processed is carried into the processing section from the loading / unloading section, and then transported along one of the two rows. A processing apparatus, wherein after being turned, it is conveyed along the other of the two rows and carried out to the carry-in / out section.
【請求項3】 前記複数の熱的処理ユニットセクション
は、それぞれに対応する搬送装置に隣接して設けられ
た、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成
された熱的処理ユニットブロックを有することを特徴と
する請求項1または請求項2に記載の処理装置。
3. The thermal processing unit block, wherein the plurality of thermal processing unit sections are provided adjacent to the respective corresponding transport devices, and are configured by vertically stacking a plurality of thermal processing units. The processing apparatus according to claim 1, further comprising:
【請求項4】 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布
および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置で
あって、 前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定
の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、 処理前の被処理基板および/または処理後の被処理基板
を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処
理基板を搬入出する搬入出部と、 処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行う
インターフェイス部とを具備し、 前記処理部は、 被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処
理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を
含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、 被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像
後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニッ
トと、 前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対
し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
約された第1の熱的処理ユニットセクションと、 前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に
対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが
集約された第2の熱的処理ユニットセクションと、 前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対
し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集
約された第3の熱的処理ユニットセクションと、 前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記
第1の熱的処理ユニットセクションへ搬送するととも
に、前記第1の熱的処理ユニットセクションからの被処
理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する第1の搬
送装置と、 前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を
前記第2の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとと
もに、前記第2の熱的処理ユニットセクションからの被
処理基板を前記インターフェイス部へ搬送する第2の搬
送装置と、 前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記
第3の熱的処理ユニットセクションへ搬送するととも
に、前記第3の熱的処理ユニットセクションからの被処
理基板を前記搬入出部へ搬送する第3の搬送装置とを有
し、 前記処理部における前記洗浄処理ユニット、前記レジス
ト処理ユニット、前記現像処理ユニット、および前記複
数の熱的処理ユニットセクションは、実質的に処理の順
にかつ所定間隔をおいて実質的に2列に配置され、 前記複数の熱的処理ユニットの少なくとも一部がこれら
2列の間に配置され、 被処理基板は、前記搬入出部から前記処理部へ搬入され
た後、前記列の一方に沿って、前記洗浄処理ユニットお
よび前記レジスト処理ユニットを経て前記インターフェ
イス部に至り、露光装置による露光後、前記インターフ
ェイス部から前記列の他方に沿って前記現像処理ユニッ
トを経て前記搬入出部へ至ることを特徴とする処理装
置。
4. A processing apparatus for performing a series of processes including cleaning, resist coating, and development after exposure to a substrate to be processed, wherein a predetermined number of processes are performed on each of the substrates to be processed corresponding to the series of processes. A processing section having a plurality of processing units for performing processing, and a storage container for storing a substrate to be processed before processing and / or a substrate to be processed after processing are placed, and the substrate to be processed is loaded into the processing section. A loading / unloading unit for unloading, and an interface unit for transferring a substrate to be processed between the processing unit and the exposure apparatus, wherein the processing unit performs a cleaning process using a cleaning liquid while the substrate to be processed is transported substantially horizontally. A cleaning processing unit for performing a drying process; a resist processing unit for performing a resist process including application of a resist liquid while the substrate to be processed is transported substantially horizontally; A development processing unit that performs liquid coating, developer removal after development, and drying processing, and a plurality of thermal processing units that perform predetermined thermal processing on a substrate to be processed that is unloaded from the cleaning processing unit are integrated. A first thermal processing unit section, and a second thermal processing unit section in which a plurality of thermal processing units for performing predetermined thermal processing on the substrate to be processed carried out from the resist processing unit are integrated. A third thermal processing unit section in which a plurality of thermal processing units for performing predetermined thermal processing on the substrate to be processed carried out of the development processing unit are integrated; and a third thermal processing unit section carried out of the cleaning processing unit. Transporting the processed substrate to the first thermal processing unit section, and transferring the processed substrate from the first thermal processing unit section to the register. A first transport device for transporting the substrate to be processed to the second thermal processing unit section, and a first transport device for transporting the substrate to be transported from the resist processing unit to the second thermal processing unit section. A second transport device for transporting the substrate to be processed to the interface unit; and a third thermal processing unit for transporting the substrate to be transported out of the development processing unit to the third thermal processing unit section. And a third transfer device for transferring the substrate to be processed from the unit section to the loading / unloading section, wherein the cleaning processing unit, the resist processing unit, the developing processing unit, and the plurality of thermal processing units in the processing unit are provided. The processing unit sections are arranged substantially in two rows at a predetermined interval substantially in the order of processing, and At least a part of the processing unit is disposed between these two rows, and the substrate to be processed is loaded into the processing section from the loading / unloading section, and then, along one of the rows, the cleaning processing unit and the resist. A processing apparatus, wherein the processing unit reaches the interface unit via a processing unit, and after exposure by an exposure device, reaches the loading / unloading unit via the development processing unit along the other side of the row from the interface unit.
【請求項5】 前記第1、第2および第3の熱的処理ユ
ニットセクションは、それぞれ、第1、第2および第3
の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニ
ットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニット
ブロックを有することを特徴とする請求項4に記載の処
理装置。
5. The first, second and third thermal processing unit sections respectively include first, second and third thermal processing unit sections.
5. The processing apparatus according to claim 4, further comprising: a thermal processing unit block provided adjacent to the transfer device and configured by vertically stacking a plurality of thermal processing units. 6.
【請求項6】 前記搬出入部と前記処理部との受け渡し
は、前記第3の搬送装置により行われることを特徴とす
る請求項2から請求項5のいずれか1項に記載の処理装
置。
6. The processing apparatus according to claim 2, wherein the transfer between the loading / unloading section and the processing section is performed by the third transport apparatus.
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