JP2002316027A - ガス溶解水製造装置、およびその方法、超音波洗浄装置、およびその方法 - Google Patents
ガス溶解水製造装置、およびその方法、超音波洗浄装置、およびその方法Info
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 349
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 69
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 48
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 claims description 46
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 161
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 26
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
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- C02F1/72—Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】溶解した溶解ガス３の濃度が飽和濃度以下のガ
ス溶解水３１を短時間で効率よく製造することのできる
ガス溶解水製造装置を提供する。 【解決手段】 溶解ガス３を被処理水４に溶解させて、
ガス溶解水５とするよう構成されたガス溶解水製造装置
１において、溶解ガスを、被処理水に溶解させる溶解部
１１と、溶解ガスを、溶解部に導く溶解ガス供給流路１
２と、被処理水を、溶解部に導く第１の被処理水供給流
路１３と、ガス溶解水を、溶解部から導くガス溶解水吐
出流路１４と、被処理水を、溶解部を通さずに導く第２
の被処理水供給流路１５とを備え、第２の被処理水供給
流路がガス溶解水吐出流路に合流し、第２の被処理水供
給流路によって導かれた被処理水が、ガス溶解水中の溶
解ガス濃度を所定の濃度に希釈するよう構成される。
ス溶解水３１を短時間で効率よく製造することのできる
ガス溶解水製造装置を提供する。 【解決手段】 溶解ガス３を被処理水４に溶解させて、
ガス溶解水５とするよう構成されたガス溶解水製造装置
１において、溶解ガスを、被処理水に溶解させる溶解部
１１と、溶解ガスを、溶解部に導く溶解ガス供給流路１
２と、被処理水を、溶解部に導く第１の被処理水供給流
路１３と、ガス溶解水を、溶解部から導くガス溶解水吐
出流路１４と、被処理水を、溶解部を通さずに導く第２
の被処理水供給流路１５とを備え、第２の被処理水供給
流路がガス溶解水吐出流路に合流し、第２の被処理水供
給流路によって導かれた被処理水が、ガス溶解水中の溶
解ガス濃度を所定の濃度に希釈するよう構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガス溶解水製造装
置とその方法に関し、特に、精密機械、電子工業、医薬
・食品工業に用いられるガス溶解水を製造するガス溶解
水製造装置とその方法に関するものである。
置とその方法に関し、特に、精密機械、電子工業、医薬
・食品工業に用いられるガス溶解水を製造するガス溶解
水製造装置とその方法に関するものである。
【０００２】図１０に示すように、従来のガス溶解水製
造装置２０１は、溶解ガス１０３を処理タンク１１１に
内蔵された中空糸膜１０２の外側に通し、中空糸膜１０
２を介して、中空糸膜１０２の内側に通した被処理水１
０４に溶解させて、ガス溶解水１０５としていた。
造装置２０１は、溶解ガス１０３を処理タンク１１１に
内蔵された中空糸膜１０２の外側に通し、中空糸膜１０
２を介して、中空糸膜１０２の内側に通した被処理水１
０４に溶解させて、ガス溶解水１０５としていた。
【０００３】被処理水１０４は、ポンプ１１７により、
所定の流量ｑが、フィルタ１１８、流量計１１９を通過
し、中空糸膜１０２の内側に送られていた。流量計１１
９からの流量信号１２０（図中破線にて表示）が制御器
１２１に送られ、制御器１２１から流量制御信号１２２
（図中破線にて表示）がポンプ１１７を駆動する、回転
数制御機構（不図示）を備えるモータ（不図示）に送ら
れ（図ではポンプ１１７に送られるように表示）、モー
タの回転数が制御されることにより、ポンプ１１７の流
量ｑが所定の流量となるよう制御されていた。
所定の流量ｑが、フィルタ１１８、流量計１１９を通過
し、中空糸膜１０２の内側に送られていた。流量計１１
９からの流量信号１２０（図中破線にて表示）が制御器
１２１に送られ、制御器１２１から流量制御信号１２２
（図中破線にて表示）がポンプ１１７を駆動する、回転
数制御機構（不図示）を備えるモータ（不図示）に送ら
れ（図ではポンプ１１７に送られるように表示）、モー
タの回転数が制御されることにより、ポンプ１１７の流
量ｑが所定の流量となるよう制御されていた。
【０００４】溶解ガス１０３は、流量計１１６を通過
し、流量計１１６によって流量が制御され、ほぼ大気圧
で中空糸膜１０２の外側に送られ、中空糸膜１０２を介
して被処理水１０４に溶解し、残ったガスは排ガス分解
塔１３０にて触媒（不図示）により分解され、排ガス１
０６として放出されていた。
し、流量計１１６によって流量が制御され、ほぼ大気圧
で中空糸膜１０２の外側に送られ、中空糸膜１０２を介
して被処理水１０４に溶解し、残ったガスは排ガス分解
塔１３０にて触媒（不図示）により分解され、排ガス１
０６として放出されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来のガ
ス溶解水製造装置によれば、製造されたガス溶解水中の
溶解ガス濃度は、溶解ガスの供給圧力（通常はガス溶解
水を用いた洗浄が行われる洗浄圧力である大気圧）にお
ける溶解ガスの飽和濃度となる。しかし、精密機器、電
子工業、医薬・食品工業では、被洗浄部品を故障あるい
は劣化させないためにマイルドな洗浄が要求されること
がある。このためには洗浄圧力において溶解ガスのガス
溶解水中の濃度が飽和濃度以下のガス溶解水を製造する
ことが望まれる。特に、デバイスウェハの洗浄において
は、配線の微細化により、飽和濃度未満で、所望の濃度
に制御された窒素水、オゾン水、酸素水などの機能水に
よる洗浄の需要が増している。
ス溶解水製造装置によれば、製造されたガス溶解水中の
溶解ガス濃度は、溶解ガスの供給圧力（通常はガス溶解
水を用いた洗浄が行われる洗浄圧力である大気圧）にお
ける溶解ガスの飽和濃度となる。しかし、精密機器、電
子工業、医薬・食品工業では、被洗浄部品を故障あるい
は劣化させないためにマイルドな洗浄が要求されること
がある。このためには洗浄圧力において溶解ガスのガス
溶解水中の濃度が飽和濃度以下のガス溶解水を製造する
ことが望まれる。特に、デバイスウェハの洗浄において
は、配線の微細化により、飽和濃度未満で、所望の濃度
に制御された窒素水、オゾン水、酸素水などの機能水に
よる洗浄の需要が増している。
【０００６】このようなガス溶解水を製造するために
は、例えば以下の手順で行うことができる。すなわち、
溶解ガスを中空糸膜の外側に供給した後、溶解ガスの供
給を一端停止し、被処理水のみの供給を続け、溶解ガス
を被処理水に溶解させる。すると中空糸膜の外側の圧力
が減少し、この圧力で飽和濃度になるように溶解ガスが
被処理水中に溶解する。濃度が所望の値となったとき、
このときの圧力を維持するように、溶解ガスを中空糸膜
の外側に供給する。このようにすると、ガス溶解水中の
溶解ガスの濃度を、溶解ガスの供給圧力が大気圧の場合
の飽和濃度より小さくすることができる。しかし、中空
糸膜の外側の圧力が、大気圧より低い前述の圧力になる
までには時間がかかる。また、大気圧より低い圧力では
目的とする溶解ガス以外のガスが混入する恐れがある。
は、例えば以下の手順で行うことができる。すなわち、
溶解ガスを中空糸膜の外側に供給した後、溶解ガスの供
給を一端停止し、被処理水のみの供給を続け、溶解ガス
を被処理水に溶解させる。すると中空糸膜の外側の圧力
が減少し、この圧力で飽和濃度になるように溶解ガスが
被処理水中に溶解する。濃度が所望の値となったとき、
このときの圧力を維持するように、溶解ガスを中空糸膜
の外側に供給する。このようにすると、ガス溶解水中の
溶解ガスの濃度を、溶解ガスの供給圧力が大気圧の場合
の飽和濃度より小さくすることができる。しかし、中空
糸膜の外側の圧力が、大気圧より低い前述の圧力になる
までには時間がかかる。また、大気圧より低い圧力では
目的とする溶解ガス以外のガスが混入する恐れがある。
【０００７】そこで本発明は、溶解した溶解ガスの濃度
が大気圧における飽和濃度以下のガス溶解水を、短時間
で効率よく製造することのできるガス溶解水製造装置お
よびその方法を提供することを目的とする。
が大気圧における飽和濃度以下のガス溶解水を、短時間
で効率よく製造することのできるガス溶解水製造装置お
よびその方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明によるガス溶解水製造装置１
は、例えば図１に示すように、溶解ガス３を被処理水４
に溶解させて、ガス溶解水５とするよう構成されたガス
溶解水製造装置１において；溶解ガス３を、被処理水４
に溶解させる溶解部１１と；溶解ガス３を、溶解部１１
に導く溶解ガス供給流路１２と；被処理水４を、溶解部
１１に導く第１の被処理水供給流路１３と；ガス溶解水
５を、溶解部１１から導くガス溶解水吐出流路１４と；
被処理水４を、溶解部１１を通さずに導く第２の被処理
水供給流路１５とを備え；第２の被処理水供給流路１５
がガス溶解水吐出流路１４に合流し、第２の被処理水供
給流路１５によって導かれた被処理水４が、ガス溶解水
５中の溶解ガス濃度を所定の濃度に希釈するよう構成さ
れる。
に、請求項１に係る発明によるガス溶解水製造装置１
は、例えば図１に示すように、溶解ガス３を被処理水４
に溶解させて、ガス溶解水５とするよう構成されたガス
溶解水製造装置１において；溶解ガス３を、被処理水４
に溶解させる溶解部１１と；溶解ガス３を、溶解部１１
に導く溶解ガス供給流路１２と；被処理水４を、溶解部
１１に導く第１の被処理水供給流路１３と；ガス溶解水
５を、溶解部１１から導くガス溶解水吐出流路１４と；
被処理水４を、溶解部１１を通さずに導く第２の被処理
水供給流路１５とを備え；第２の被処理水供給流路１５
がガス溶解水吐出流路１４に合流し、第２の被処理水供
給流路１５によって導かれた被処理水４が、ガス溶解水
５中の溶解ガス濃度を所定の濃度に希釈するよう構成さ
れる。
【０００９】このように構成すると、溶解ガス供給流路
１２と、第１の被処理水供給流路１３と、第２の被処理
水供給流路１５と、ガス溶解水吐出流路１４とを備え、
第２の被処理水供給流路１５がガス溶解水吐出流路１４
に合流し、第２の被処理水供給流路１５によって導かれ
た被処理水４が、ガス溶解水５中の溶解ガス濃度を所定
の濃度に希釈するよう構成されるので、溶解ガス濃度が
飽和濃度以下のガス溶解水３１を短時間で効率よく製造
することができる。
１２と、第１の被処理水供給流路１３と、第２の被処理
水供給流路１５と、ガス溶解水吐出流路１４とを備え、
第２の被処理水供給流路１５がガス溶解水吐出流路１４
に合流し、第２の被処理水供給流路１５によって導かれ
た被処理水４が、ガス溶解水５中の溶解ガス濃度を所定
の濃度に希釈するよう構成されるので、溶解ガス濃度が
飽和濃度以下のガス溶解水３１を短時間で効率よく製造
することができる。
【００１０】請求項２に係る発明によるガス溶解水製造
装置１は、請求項１に記載のガス溶解水製造装置におい
て、例えば図１に示すように、第２の被処理水供給流路
１５は、前記第１の被処理水供給流路１３から分岐し、
溶解部１１をバイパスするバイパス流路１５を形成す
る。
装置１は、請求項１に記載のガス溶解水製造装置におい
て、例えば図１に示すように、第２の被処理水供給流路
１５は、前記第１の被処理水供給流路１３から分岐し、
溶解部１１をバイパスするバイパス流路１５を形成す
る。
【００１１】このように構成すると、第２の被処理水供
給流路１５は、第１の被処理水供給流路１３から分岐
し、溶解部１１をバイパスするバイパス流路１５を形成
するので、流路構成を単純なものとすることができる。
給流路１５は、第１の被処理水供給流路１３から分岐
し、溶解部１１をバイパスするバイパス流路１５を形成
するので、流路構成を単純なものとすることができる。
【００１２】請求項３に係る発明によるガス溶解水製造
装置は、請求項１または請求項２に記載のガス溶解水製
造装置において、例えば図１、図２に示すように、溶解
部１１は、中空糸膜２からなり、該中空糸膜２の一方の
側に溶解ガス３を通し、中空糸膜２の他方の側に被処理
水４を通すことによってガス溶解水５を生成する。
装置は、請求項１または請求項２に記載のガス溶解水製
造装置において、例えば図１、図２に示すように、溶解
部１１は、中空糸膜２からなり、該中空糸膜２の一方の
側に溶解ガス３を通し、中空糸膜２の他方の側に被処理
水４を通すことによってガス溶解水５を生成する。
【００１３】溶解部１１は、中空糸膜２からなり、該中
空糸膜２の一方の側に溶解ガス３を通し、中空糸膜２の
他方の側に被処理水４を通すことによってガス溶解水５
を生成するので、微細気泡および不純物の残存しないガ
ス溶解水を短時間で効率よく生成させることができる。
なお、中空糸膜の一方の側とは、内側または外側をい
い、他方の側とは一方の側の反対側であって、外側また
は内側をいう。
空糸膜２の一方の側に溶解ガス３を通し、中空糸膜２の
他方の側に被処理水４を通すことによってガス溶解水５
を生成するので、微細気泡および不純物の残存しないガ
ス溶解水を短時間で効率よく生成させることができる。
なお、中空糸膜の一方の側とは、内側または外側をい
い、他方の側とは一方の側の反対側であって、外側また
は内側をいう。
【００１４】請求項４に係る発明によるガス溶解水製造
装置１は、請求項１乃至請求項３にいずれか１項に記載
のガス溶解水製造装置において、例えば図１に示すよう
に、第１の被処理水供給流路１３の分岐部１３Ａの下流
側、またはガス溶解水吐出流路１４の、第２の被処理水
供給流路１５が合流する合流部１４Ａの上流側に設置さ
れ、溶解部１１を流れる被処理水４の流量Ｑ１を調節す
る第１の流量調節手段２３と、バイパス流路１５に設置
され、溶解部１１をバイパスする被処理水４の流量Ｑ２
を調節する第２の流量調節手段２４のうちいずれか一方
と；ガス溶解水吐出流路１４の前記合流部１４Ａの下流
側に設けられ、ガス溶解水３１の溶解ガス濃度を測定す
る溶解ガス濃度測定手段２６と；溶解ガス濃度測定手段
２６によって測定された溶解ガス濃度に基づき、前記測
定された溶解ガス濃度が所定の濃度になるように、第１
の流量調節手段２３または第２の流量調節手段２４のう
ち設置されたいずれか一方を制御する第２の制御手段２
８とを備える。
装置１は、請求項１乃至請求項３にいずれか１項に記載
のガス溶解水製造装置において、例えば図１に示すよう
に、第１の被処理水供給流路１３の分岐部１３Ａの下流
側、またはガス溶解水吐出流路１４の、第２の被処理水
供給流路１５が合流する合流部１４Ａの上流側に設置さ
れ、溶解部１１を流れる被処理水４の流量Ｑ１を調節す
る第１の流量調節手段２３と、バイパス流路１５に設置
され、溶解部１１をバイパスする被処理水４の流量Ｑ２
を調節する第２の流量調節手段２４のうちいずれか一方
と；ガス溶解水吐出流路１４の前記合流部１４Ａの下流
側に設けられ、ガス溶解水３１の溶解ガス濃度を測定す
る溶解ガス濃度測定手段２６と；溶解ガス濃度測定手段
２６によって測定された溶解ガス濃度に基づき、前記測
定された溶解ガス濃度が所定の濃度になるように、第１
の流量調節手段２３または第２の流量調節手段２４のう
ち設置されたいずれか一方を制御する第２の制御手段２
８とを備える。
【００１５】このように構成すると、第１の流量調節手
段２３と、第２の流量調節手段２４のうちいずれか一方
と、溶解ガス濃度測定手段２６と、第２の制御手段２８
とを備え、溶解ガス濃度測定手段２８によって測定され
た溶解ガス濃度に基づき、第２の制御手段２８によっ
て、測定された溶解ガス濃度が所定の濃度になるように
第１の流量調節手段２３または第２の流量調節手段２４
のうちいずれか一方を制御するので、溶解ガス濃度が飽
和濃度以下のガス溶解水３１を短時間で効率よく製造す
ることができる。ガス溶解水製造装置１は、第１の流量
調節手段２３と、第２の流量調節手段２４との両方２
３、２４を備え、測定された溶解ガス濃度が所定の濃度
になるようにこの両方２３、２４を制御するようにして
もよく、このようにすると同様の効果が得られる。
段２３と、第２の流量調節手段２４のうちいずれか一方
と、溶解ガス濃度測定手段２６と、第２の制御手段２８
とを備え、溶解ガス濃度測定手段２８によって測定され
た溶解ガス濃度に基づき、第２の制御手段２８によっ
て、測定された溶解ガス濃度が所定の濃度になるように
第１の流量調節手段２３または第２の流量調節手段２４
のうちいずれか一方を制御するので、溶解ガス濃度が飽
和濃度以下のガス溶解水３１を短時間で効率よく製造す
ることができる。ガス溶解水製造装置１は、第１の流量
調節手段２３と、第２の流量調節手段２４との両方２
３、２４を備え、測定された溶解ガス濃度が所定の濃度
になるようにこの両方２３、２４を制御するようにして
もよく、このようにすると同様の効果が得られる。
【００１６】上記目的を達成するために、請求項５に係
る発明によるガス溶解水製造方法は、例えば図１に示す
ように、溶解ガス３を被処理水４に溶解させる溶解部１
１に、溶解ガス３を通す第１の工程と；溶解部１１に、
被処理水４を通す第２の工程と；溶解部１１で被処理水
４に溶解ガス３を溶解させ、ガス溶解水５とする第３の
工程と；ガス溶解水５に、溶解部１１を通らない被処理
水４を混合させ、混合後のガス溶解水３１中の溶解ガス
３の濃度が所定の濃度なるように制御する第４の工程と
を備える。
る発明によるガス溶解水製造方法は、例えば図１に示す
ように、溶解ガス３を被処理水４に溶解させる溶解部１
１に、溶解ガス３を通す第１の工程と；溶解部１１に、
被処理水４を通す第２の工程と；溶解部１１で被処理水
４に溶解ガス３を溶解させ、ガス溶解水５とする第３の
工程と；ガス溶解水５に、溶解部１１を通らない被処理
水４を混合させ、混合後のガス溶解水３１中の溶解ガス
３の濃度が所定の濃度なるように制御する第４の工程と
を備える。
【００１７】請求項６に係る発明によるガス溶解水製造
方法は、請求項５に記載のガス溶解水製造方法におい
て、例えば図１に示すように、前記第４の工程で行われ
る制御が、溶解部１１を通る被処理水４の流量Ｑ１と、
溶解部１１を通らない被処理水４の流量Ｑ２の割合を制
御するものである。
方法は、請求項５に記載のガス溶解水製造方法におい
て、例えば図１に示すように、前記第４の工程で行われ
る制御が、溶解部１１を通る被処理水４の流量Ｑ１と、
溶解部１１を通らない被処理水４の流量Ｑ２の割合を制
御するものである。
【００１８】上記目的を達成するために、請求項７に係
る発明による超音波洗浄装置１０１は、例えば図６、図
７に示すように、請求項１乃至請求項４のいずれか１項
に記載のガス溶解水製造装置１と；ガス溶解水製造装置
１によって製造されたガス溶解水３１で被洗浄物Ｗ１を
洗浄する際に該ガス溶解水３１に超音波エネルギを与え
る超音波発信装置１５７とを備える。
る発明による超音波洗浄装置１０１は、例えば図６、図
７に示すように、請求項１乃至請求項４のいずれか１項
に記載のガス溶解水製造装置１と；ガス溶解水製造装置
１によって製造されたガス溶解水３１で被洗浄物Ｗ１を
洗浄する際に該ガス溶解水３１に超音波エネルギを与え
る超音波発信装置１５７とを備える。
【００１９】このように構成すると、請求項１乃至請求
項４のいずれか１項に記載のガス溶解水製造装置１と、
超音波発信装置１５７とを備え、請求項１乃至請求項４
のいずれか１項に記載のガス溶解水製造装置１によって
製造されたガス溶解水３１で被洗浄物Ｗ１を洗浄する際
に該ガス溶解水３１に超音波エネルギを与えるので、洗
浄に適した飽和濃度に制御されたガス溶解水３１を洗浄
液として用いて洗浄できることに加えて、超音波エネル
ギの付与されたガス溶解水３１を洗浄液として用いて洗
浄でき、被洗浄物Ｗ１をより清浄に洗浄することができ
る。
項４のいずれか１項に記載のガス溶解水製造装置１と、
超音波発信装置１５７とを備え、請求項１乃至請求項４
のいずれか１項に記載のガス溶解水製造装置１によって
製造されたガス溶解水３１で被洗浄物Ｗ１を洗浄する際
に該ガス溶解水３１に超音波エネルギを与えるので、洗
浄に適した飽和濃度に制御されたガス溶解水３１を洗浄
液として用いて洗浄できることに加えて、超音波エネル
ギの付与されたガス溶解水３１を洗浄液として用いて洗
浄でき、被洗浄物Ｗ１をより清浄に洗浄することができ
る。
【００２０】上記目的を達成するために、請求項８に係
る発明による超音波洗浄方法は、請求項５または請求項
６に記載のガス溶解水製造方法によってガス溶解水を製
造する製造工程と；前記製造工程によって製造されたガ
ス溶解水に超音波エネルギを与えるエネルギ付与工程
と；前記エネルギ付与工程によって超音波エネルギを与
えられたガス溶解水を洗浄水として用いて被洗浄物を洗
浄する洗浄工程とを備える。
る発明による超音波洗浄方法は、請求項５または請求項
６に記載のガス溶解水製造方法によってガス溶解水を製
造する製造工程と；前記製造工程によって製造されたガ
ス溶解水に超音波エネルギを与えるエネルギ付与工程
と；前記エネルギ付与工程によって超音波エネルギを与
えられたガス溶解水を洗浄水として用いて被洗浄物を洗
浄する洗浄工程とを備える。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号または類似符
号を付し、重複した説明は省略する。
て、図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号または類似符
号を付し、重複した説明は省略する。
【００２２】図１を参照して、本発明によるガス溶解水
製造装置１の構成を説明する。ガス溶解水製造装置は、
中空糸膜２（図２参照）を内蔵する溶解部としての処理
タンク１１と、溶解ガス源７から溶解ガス３を供給する
溶解ガス供給流路としての溶解ガス供給配管１２と、被
処理水源８から被処理水４を供給する第１の被処理水供
給流路としての被処理水供給配管１３と、ガス溶解水５
を導くガス溶解水吐出流路としてのガス溶解水吐出配管
１４と、被処理水供給配管１３から分岐し、処理タンク
１１すなわち中空糸膜２をバイパスし、ガス溶解水吐出
配管１４に合流する、バイパス流路としての被処理水バ
イパス配管１５と、ガス溶解水吐出配管１４から分岐し
たガス溶解水ドレン配管２５とを含んで構成される。
製造装置１の構成を説明する。ガス溶解水製造装置は、
中空糸膜２（図２参照）を内蔵する溶解部としての処理
タンク１１と、溶解ガス源７から溶解ガス３を供給する
溶解ガス供給流路としての溶解ガス供給配管１２と、被
処理水源８から被処理水４を供給する第１の被処理水供
給流路としての被処理水供給配管１３と、ガス溶解水５
を導くガス溶解水吐出流路としてのガス溶解水吐出配管
１４と、被処理水供給配管１３から分岐し、処理タンク
１１すなわち中空糸膜２をバイパスし、ガス溶解水吐出
配管１４に合流する、バイパス流路としての被処理水バ
イパス配管１５と、ガス溶解水吐出配管１４から分岐し
たガス溶解水ドレン配管２５とを含んで構成される。
【００２３】図２に示すように、処理タンク１１には、
側周下部に第１の入口ノズル４１、側周下部に第１の出
口ノズル４２、上部に第２の入口ノズル４３、下部に第
２の出口ノズル４４が取り付けられ、肉厚の薄い中空円
筒形状の中空糸膜２が複数本、鉛直方向上下に配置さ
れ、内蔵されている。
側周下部に第１の入口ノズル４１、側周下部に第１の出
口ノズル４２、上部に第２の入口ノズル４３、下部に第
２の出口ノズル４４が取り付けられ、肉厚の薄い中空円
筒形状の中空糸膜２が複数本、鉛直方向上下に配置さ
れ、内蔵されている。
【００２４】溶解ガス供給配管１２は、処理タンク１１
の第１の入口ノズル４１に接続され、中空糸膜２の外側
に連通する。被処理水供給配管１３は、処理タンク１１
の第２の入口ノズル４３に接続され、中空糸膜２の内側
に連通する。ガス溶解水吐出配管１４は、処理タンク１
１の第２の出口ノズル４４に接続され、中空糸膜２の外
側に連通する。処理タンク１１の第１の出口ノズル４２
には後述の排ガス配管４５が接続される。
の第１の入口ノズル４１に接続され、中空糸膜２の外側
に連通する。被処理水供給配管１３は、処理タンク１１
の第２の入口ノズル４３に接続され、中空糸膜２の内側
に連通する。ガス溶解水吐出配管１４は、処理タンク１
１の第２の出口ノズル４４に接続され、中空糸膜２の外
側に連通する。処理タンク１１の第１の出口ノズル４２
には後述の排ガス配管４５が接続される。
【００２５】図１を参照して説明を続ける。被処理水バ
イパス配管１５は、被処理水供給配管１３の分岐部１３
Ａから分岐し、ガス溶解水吐出配管１４の合流部１４Ａ
に合流する。よって、被処理水供給配管１３に供給され
る被処理水４の流量をＱとし、被処理水供給配管１３か
ら中空糸膜２の内側に供給される被処理水４の流量をＱ
１とし、被処理水供給配管１３から分岐し、被処理水バ
イパス配管１５を流れる流量をＱ２とすれば、 Ｑ＝Ｑ
１＋Ｑ２（Ｑ１、またはＱ２が０の場合も含む） の関
係になる。この場合、中空糸膜２の内側からガス溶解水
吐出配管１４に流れるガス溶解水５の流量はＱ１であ
り、流量Ｑ２の被処理水４と合流後、濃度が希釈されガ
ス溶解水吐出配管１４から吐き出されるガス溶解水３１
の流量はＱである。
イパス配管１５は、被処理水供給配管１３の分岐部１３
Ａから分岐し、ガス溶解水吐出配管１４の合流部１４Ａ
に合流する。よって、被処理水供給配管１３に供給され
る被処理水４の流量をＱとし、被処理水供給配管１３か
ら中空糸膜２の内側に供給される被処理水４の流量をＱ
１とし、被処理水供給配管１３から分岐し、被処理水バ
イパス配管１５を流れる流量をＱ２とすれば、 Ｑ＝Ｑ
１＋Ｑ２（Ｑ１、またはＱ２が０の場合も含む） の関
係になる。この場合、中空糸膜２の内側からガス溶解水
吐出配管１４に流れるガス溶解水５の流量はＱ１であ
り、流量Ｑ２の被処理水４と合流後、濃度が希釈されガ
ス溶解水吐出配管１４から吐き出されるガス溶解水３１
の流量はＱである。
【００２６】なお、処理タンク１１を出てガス溶解水吐
出配管１４を流れ、合流部１４Ａに達する前のガス溶解
水は、符号５で示し、一方、処理タンク１１を通らない
被処理水４と合流部１４Ａで合流して希釈された後のガ
ス溶解水を符号３１で示す。但し、処理タンク１１を通
らない被処理水４の流量がゼロで、希釈が行われない場
合も、合流部１４Ａ下流側のガス溶解水吐出配管１４を
流れるガス溶解水の符号は３１である。
出配管１４を流れ、合流部１４Ａに達する前のガス溶解
水は、符号５で示し、一方、処理タンク１１を通らない
被処理水４と合流部１４Ａで合流して希釈された後のガ
ス溶解水を符号３１で示す。但し、処理タンク１１を通
らない被処理水４の流量がゼロで、希釈が行われない場
合も、合流部１４Ａ下流側のガス溶解水吐出配管１４を
流れるガス溶解水の符号は３１である。
【００２７】溶解ガス供給配管１２には、溶解ガス流量
調節器１６が取り付けられ、中空糸膜２の外側に供給さ
れる溶解ガス３の流量が所定の値になるように調節す
る。被処理水供給配管１３には、不図示のモータにより
駆動されるポンプ１７が取り付けられ、供給された被処
理水４を処理タンク１１に圧送する。被処理水供給配管
１３のポンプ１７の下流側にはフィルタ１８が取り付け
られ被処理水４内の異物を除去する。被処理水供給配管
１３のポンプ１７の下流側には、流量測定手段としての
流量計１９が取り付けられ、流量計１９から流量信号２
０（図中破線にて表示）が第１の制御手段としての第１
の制御器２１に送られ、第１の制御器２１から第１の流
量制御信号２２（図中破線にて表示）が、回転数制御機
構（不図示）を備えるモータ（不図示）に送られ（図で
はポンプ１７に送られるように表示）、モータの回転数
が、ポンプ１７の吐出流量すなわちガス溶解水製造装置
１への被処理水４の供給量Ｑが所定の流量となるよう制
御される。なお、ポンプ１７、フィルタ１８、流量計１
９は、分岐部１３Ａの上流側に取り付けられている。
調節器１６が取り付けられ、中空糸膜２の外側に供給さ
れる溶解ガス３の流量が所定の値になるように調節す
る。被処理水供給配管１３には、不図示のモータにより
駆動されるポンプ１７が取り付けられ、供給された被処
理水４を処理タンク１１に圧送する。被処理水供給配管
１３のポンプ１７の下流側にはフィルタ１８が取り付け
られ被処理水４内の異物を除去する。被処理水供給配管
１３のポンプ１７の下流側には、流量測定手段としての
流量計１９が取り付けられ、流量計１９から流量信号２
０（図中破線にて表示）が第１の制御手段としての第１
の制御器２１に送られ、第１の制御器２１から第１の流
量制御信号２２（図中破線にて表示）が、回転数制御機
構（不図示）を備えるモータ（不図示）に送られ（図で
はポンプ１７に送られるように表示）、モータの回転数
が、ポンプ１７の吐出流量すなわちガス溶解水製造装置
１への被処理水４の供給量Ｑが所定の流量となるよう制
御される。なお、ポンプ１７、フィルタ１８、流量計１
９は、分岐部１３Ａの上流側に取り付けられている。
【００２８】被処理水供給配管１３の分岐部１３Ａの下
流側には第１の流量調節手段としての第１の被処理水流
量調節器２３が取り付けられ、さらに被処理水バイパス
配管１５には、第２の流量調節手段としての第２の被処
理水流量調節器２４が取り付けられている。第１の被処
理水流量調節器２３は、中空糸膜２の上流と下流のいず
れに取り付けてもよいが、図に示すように下流に取り付
けた方が、中空糸膜２へ供給する水圧を高くでき、すな
わち被処理水４の水圧＞溶解ガス３のガス圧の関係を保
ちつつ、より高い圧力で溶解ガス３を供給することがで
きるので望ましい。
流側には第１の流量調節手段としての第１の被処理水流
量調節器２３が取り付けられ、さらに被処理水バイパス
配管１５には、第２の流量調節手段としての第２の被処
理水流量調節器２４が取り付けられている。第１の被処
理水流量調節器２３は、中空糸膜２の上流と下流のいず
れに取り付けてもよいが、図に示すように下流に取り付
けた方が、中空糸膜２へ供給する水圧を高くでき、すな
わち被処理水４の水圧＞溶解ガス３のガス圧の関係を保
ちつつ、より高い圧力で溶解ガス３を供給することがで
きるので望ましい。
【００２９】ガス溶解水吐出配管１４には、ガス溶解水
３１中に溶解した溶解ガス３の濃度を測定する、溶解ガ
ス濃度測定手段としてのガス溶解水濃度計２６が接続さ
れ、ガス溶解水濃度計２６から濃度信号２７が、第２の
制御手段としての第２の制御器２８に送られる。ガス溶
解水濃度計２６は希釈後のガス溶解水３１の濃度を測定
する。第２の制御器２８からは、第２の流量制御信号２
９が第１の被処理水流量調節器２３および第２の被処理
水流量調節器２４に送られる。第２の流量制御信号２９
を受けて、第１の被処理水流量調節器２３および第２の
被処理水流量調節器２４は、ガス溶解水濃度計２６によ
り検出される濃度が所定の濃度となるよう、第１の被処
理水流量調節器２３を流れる被処理水４の流量Ｑ１と、
第２の被処理水流量調節器２４を流れる被処理水４の流
量Ｑ２との割合を変化させる。
３１中に溶解した溶解ガス３の濃度を測定する、溶解ガ
ス濃度測定手段としてのガス溶解水濃度計２６が接続さ
れ、ガス溶解水濃度計２６から濃度信号２７が、第２の
制御手段としての第２の制御器２８に送られる。ガス溶
解水濃度計２６は希釈後のガス溶解水３１の濃度を測定
する。第２の制御器２８からは、第２の流量制御信号２
９が第１の被処理水流量調節器２３および第２の被処理
水流量調節器２４に送られる。第２の流量制御信号２９
を受けて、第１の被処理水流量調節器２３および第２の
被処理水流量調節器２４は、ガス溶解水濃度計２６によ
り検出される濃度が所定の濃度となるよう、第１の被処
理水流量調節器２３を流れる被処理水４の流量Ｑ１と、
第２の被処理水流量調節器２４を流れる被処理水４の流
量Ｑ２との割合を変化させる。
【００３０】中空糸膜２の外側から出た排ガス６は、排
ガス配管４５を経由して排出され、有害ガスを含んでい
る場合は、図に示すように触媒（不図示）等が充填され
た排ガス分解塔３０で有毒ガスが分解されて大気に放出
される。
ガス配管４５を経由して排出され、有害ガスを含んでい
る場合は、図に示すように触媒（不図示）等が充填され
た排ガス分解塔３０で有毒ガスが分解されて大気に放出
される。
【００３１】次に、ガス溶解水製造装置１の作用を説明
する。溶解ガス供給配管１２に溶解ガス３が供給され、
供給された溶解ガス３は溶解ガス流量調節器１６によっ
て流量が調節され、所定流量が処理タンク１１に内蔵さ
れた中空糸膜２の外側に供給される。被処理水供給配管
１３に被処理水４が供給され、供給された被処理水４は
ポンプ１７により昇圧され、フィルタ１８を通って異物
を含んでいる場合には異物が除去され、さらに流量計１
９を通る。流量計１９によってガス溶解水製造装置１に
供給された被処理水４の流量Ｑが計測され、流量計１９
から流量信号２０が第１の制御器２１に送られる（フィ
ードバックされる）。第１の制御器２１は、測定された
流量と制御目標値である流量との差を求め、求められた
差に基づく第１の流量制御信号が、ポンプ１７を駆動す
る不図示のモータに送られ、モータがポンプ１７を制御
された回転数で駆動する。
する。溶解ガス供給配管１２に溶解ガス３が供給され、
供給された溶解ガス３は溶解ガス流量調節器１６によっ
て流量が調節され、所定流量が処理タンク１１に内蔵さ
れた中空糸膜２の外側に供給される。被処理水供給配管
１３に被処理水４が供給され、供給された被処理水４は
ポンプ１７により昇圧され、フィルタ１８を通って異物
を含んでいる場合には異物が除去され、さらに流量計１
９を通る。流量計１９によってガス溶解水製造装置１に
供給された被処理水４の流量Ｑが計測され、流量計１９
から流量信号２０が第１の制御器２１に送られる（フィ
ードバックされる）。第１の制御器２１は、測定された
流量と制御目標値である流量との差を求め、求められた
差に基づく第１の流量制御信号が、ポンプ１７を駆動す
る不図示のモータに送られ、モータがポンプ１７を制御
された回転数で駆動する。
【００３２】計測された流量が、制御目標の流量より小
さければ、モータの回転数は増加し、計測された流量
が、制御目標の流量より大きければ、モータの回転数は
減少する制御であってかつＰＤＩ制御が行われ、回転数
は無段階に制御される。
さければ、モータの回転数は増加し、計測された流量
が、制御目標の流量より大きければ、モータの回転数は
減少する制御であってかつＰＤＩ制御が行われ、回転数
は無段階に制御される。
【００３３】流量計１９を通過した被処理水４は、一部
（流量Ｑ１）が処理タンク１１の中空糸膜２の内側を経
て第１の被処理水流量調節器２３に流れ、残り（流量Ｑ
２）が被処理水供給配管１３から分岐する被処理水バイ
パス配管１５に流れ第２の被処理水流量調節器２４を経
て中空糸膜２をバイパスする。中空糸膜２の内側を流れ
ている間に中空糸膜２を介して溶解した溶解ガス３を含
みガス溶解水５となった被処理水４は、中空糸膜２の内
側を出てガス溶解水吐出配管１４を流れ、中空糸膜２を
バイパスした被処理水４と合流部１４Ａで合流し、ガス
溶解水５中の溶解ガス濃度が希釈され、さらにガス溶解
水吐出配管１４を流れ不図示の洗浄装置に供給される。
（流量Ｑ１）が処理タンク１１の中空糸膜２の内側を経
て第１の被処理水流量調節器２３に流れ、残り（流量Ｑ
２）が被処理水供給配管１３から分岐する被処理水バイ
パス配管１５に流れ第２の被処理水流量調節器２４を経
て中空糸膜２をバイパスする。中空糸膜２の内側を流れ
ている間に中空糸膜２を介して溶解した溶解ガス３を含
みガス溶解水５となった被処理水４は、中空糸膜２の内
側を出てガス溶解水吐出配管１４を流れ、中空糸膜２を
バイパスした被処理水４と合流部１４Ａで合流し、ガス
溶解水５中の溶解ガス濃度が希釈され、さらにガス溶解
水吐出配管１４を流れ不図示の洗浄装置に供給される。
【００３４】ガス溶解水吐出配管１４に接続されたガス
溶解水濃度計２６が、希釈後の溶解ガス濃度を計測し、
ガス溶解水濃度計２６から濃度信号２７が第２の制御器
２８に送られる。第２の制御器２８は、測定された濃度
と制御目標値である濃度との差を求め、求められた差に
基づく第２の流量制御信号２９を、内蔵する不図示の演
算回路によって計算し、第１の被処理水流量調節器２３
および第１の被処理水流量調節器２３に第２の流量制御
信号２９を送り、以下のように制御する。
溶解水濃度計２６が、希釈後の溶解ガス濃度を計測し、
ガス溶解水濃度計２６から濃度信号２７が第２の制御器
２８に送られる。第２の制御器２８は、測定された濃度
と制御目標値である濃度との差を求め、求められた差に
基づく第２の流量制御信号２９を、内蔵する不図示の演
算回路によって計算し、第１の被処理水流量調節器２３
および第１の被処理水流量調節器２３に第２の流量制御
信号２９を送り、以下のように制御する。
【００３５】すなわち、計測された濃度が制御目標の濃
度より小さければ、中空糸膜２の内側を通過する流量Ｑ
１（第１の被処理水流量調節器２３を通過する流量）が
増加し、中空糸膜２をバイパスする流量Ｑ２（第２の被
処理水流量調節器２４を通過する流量）が減少する。計
測された濃度が制御目標の濃度より大きければ、中空糸
膜２の内側を通過する流量Ｑ１が減少し、中空糸膜２を
バイパスする流量Ｑ２が増加する。このように制御し、
ガス溶解水３１中の溶解ガス３の濃度が所定の値となる
ようにする。ガス溶解水３１中の溶解ガス３の濃度が所
定の値となるよう制御することは、ガス溶解水５、３１
の圧力も所定の圧力に制御することになる。なお、ガス
溶解水製造装置１を全て自動的に運転することが望まし
い。
度より小さければ、中空糸膜２の内側を通過する流量Ｑ
１（第１の被処理水流量調節器２３を通過する流量）が
増加し、中空糸膜２をバイパスする流量Ｑ２（第２の被
処理水流量調節器２４を通過する流量）が減少する。計
測された濃度が制御目標の濃度より大きければ、中空糸
膜２の内側を通過する流量Ｑ１が減少し、中空糸膜２を
バイパスする流量Ｑ２が増加する。このように制御し、
ガス溶解水３１中の溶解ガス３の濃度が所定の値となる
ようにする。ガス溶解水３１中の溶解ガス３の濃度が所
定の値となるよう制御することは、ガス溶解水５、３１
の圧力も所定の圧力に制御することになる。なお、ガス
溶解水製造装置１を全て自動的に運転することが望まし
い。
【００３６】ガス溶解水３１を製造しないときに、ガス
溶解水濃度計２６を使用し、被処理水４を例えば図中Ｂ
の位置で、飽和ガス溶解水５を例えば図中Ａの位置で、
常時交互に測定し、更新していくことによって、被処理
水源８から供給される被処理水４の溶解ガス濃度が変化
した場合、また水温が変化し、飽和ガス溶解水５の溶解
ガス濃度が変化した場合も、所定の溶解ガス濃度のガス
溶解水３１を短時間で供給できる。
溶解水濃度計２６を使用し、被処理水４を例えば図中Ｂ
の位置で、飽和ガス溶解水５を例えば図中Ａの位置で、
常時交互に測定し、更新していくことによって、被処理
水源８から供給される被処理水４の溶解ガス濃度が変化
した場合、また水温が変化し、飽和ガス溶解水５の溶解
ガス濃度が変化した場合も、所定の溶解ガス濃度のガス
溶解水３１を短時間で供給できる。
【００３７】例えば、被処理水源８からの被処理水４中
の、Ｎ２やＯ２などの溶解させたいガスの溶解ガス濃度
が上昇した場合は、Ｑ１の流量を少なくして、バイパス
用のＱ２の流量を多くするよう制御する。また、飽和ガ
ス溶解水５の濃度が高くなった場合は、Ｑ１を減らし、
Ｑ２を増やす。さらに飽和ガス溶解水５の水温が上昇し
た場合は、実質的に中空糸膜２（図２参照）で溶存でき
るガス飽和濃度が減るため、Ｑ１を増やし、バイパス用
のＱ２を減らすように制御する。これらの被処理水４、
飽和ガス溶解水５、希釈後のガス溶解水３１の濃度を測
定する溶解ガス濃度計２６は、それぞれの箇所に計３個
取り付けてもよいし、１つの溶解ガス濃度計２６で、随
時測定する個所を切り替えるようにしてもよい。前述に
おいて、溶解ガス濃度計２６が、ガス溶解水３１の濃度
および／または温度を測定するようにしてもよい。
の、Ｎ２やＯ２などの溶解させたいガスの溶解ガス濃度
が上昇した場合は、Ｑ１の流量を少なくして、バイパス
用のＱ２の流量を多くするよう制御する。また、飽和ガ
ス溶解水５の濃度が高くなった場合は、Ｑ１を減らし、
Ｑ２を増やす。さらに飽和ガス溶解水５の水温が上昇し
た場合は、実質的に中空糸膜２（図２参照）で溶存でき
るガス飽和濃度が減るため、Ｑ１を増やし、バイパス用
のＱ２を減らすように制御する。これらの被処理水４、
飽和ガス溶解水５、希釈後のガス溶解水３１の濃度を測
定する溶解ガス濃度計２６は、それぞれの箇所に計３個
取り付けてもよいし、１つの溶解ガス濃度計２６で、随
時測定する個所を切り替えるようにしてもよい。前述に
おいて、溶解ガス濃度計２６が、ガス溶解水３１の濃度
および／または温度を測定するようにしてもよい。
【００３８】本実施の形態のガス溶解水製造装置１で
は、被処理水４として脱ガス処理がなされた超純水が使
用されることが望ましい。被処理水供給配管１３の入口
部で、溶解している窒素の濃度が３ｐｐｍ未満、同酸素
の濃度が１００ｐｐｂ未満、同水素の濃度が１ｐｐｂ未
満に抑えられている。被処理水４の供給量Ｑは２０〜３
０Ｌ／ｍｉｎ、供給温度が２０〜２３℃、供給圧力が
０．２０〜０．３０ＭＰａ（２．０〜３．０ｋｇｆ／ｃ
ｍ２）（ゲージ圧）である。
は、被処理水４として脱ガス処理がなされた超純水が使
用されることが望ましい。被処理水供給配管１３の入口
部で、溶解している窒素の濃度が３ｐｐｍ未満、同酸素
の濃度が１００ｐｐｂ未満、同水素の濃度が１ｐｐｂ未
満に抑えられている。被処理水４の供給量Ｑは２０〜３
０Ｌ／ｍｉｎ、供給温度が２０〜２３℃、供給圧力が
０．２０〜０．３０ＭＰａ（２．０〜３．０ｋｇｆ／ｃ
ｍ２）（ゲージ圧）である。
【００３９】溶解ガス３として、純度ほぼ１００％の窒
素ガス（ケース１）、水素ガス（ケース２）が使用され
た。供給する溶解ガスの純度を９９％以上とするとよ
い。溶解ガス３として、他にアルゴンガス、酸素ガス、
炭酸ガスが用いられる。溶解ガス３の供給圧力は０．０
０ＭＰａ（０．００ｋｇｆ／ｃｍ２）（ゲージ圧）で大
気圧に等しい。被処理水４の供給圧力は溶解ガス圧力よ
り０．２０〜０．３０ＭＰａ（２．０〜３．０ｋｇｆ／
ｃｍ２）だけ高い。被処理水４の供給圧力を、溶解ガス
圧力より０．０１ＭＰａ（０．１ｋｇｆ／ｃｍ２）以上
高くすることにより、微細気泡の含まれず、濃度が均一
であり、不純物の混入していない溶解水を供給すること
ができる。溶解ガス３の供給圧力は、典型的には、供給
方法が簡単なため大気圧以上であることが望ましい。
素ガス（ケース１）、水素ガス（ケース２）が使用され
た。供給する溶解ガスの純度を９９％以上とするとよ
い。溶解ガス３として、他にアルゴンガス、酸素ガス、
炭酸ガスが用いられる。溶解ガス３の供給圧力は０．０
０ＭＰａ（０．００ｋｇｆ／ｃｍ２）（ゲージ圧）で大
気圧に等しい。被処理水４の供給圧力は溶解ガス圧力よ
り０．２０〜０．３０ＭＰａ（２．０〜３．０ｋｇｆ／
ｃｍ２）だけ高い。被処理水４の供給圧力を、溶解ガス
圧力より０．０１ＭＰａ（０．１ｋｇｆ／ｃｍ２）以上
高くすることにより、微細気泡の含まれず、濃度が均一
であり、不純物の混入していない溶解水を供給すること
ができる。溶解ガス３の供給圧力は、典型的には、供給
方法が簡単なため大気圧以上であることが望ましい。
【００４０】本ガス溶解水製造装置１では、接液部は全
て非金属材料を使用し、金属イオンの被処理水４への溶
出を防いでいる。ポンプ１７は、無段階可変速制御さ
れ、またノンパーティクルタイプであり、動圧軸受を用
い回転体の機械的接触が一切なく、ポンプ内部からの微
粒子の発生を抑制したものであり、接液部は材質に高純
度セラミックスおよび四弗素化樹脂を用い金属イオンの
被処理水４への溶出を防いだものを用いている。フィル
タ１８は、濾過度０．０５μｍの膜フィルタを用いてい
る。中空糸膜として、テフロン（登録商標）製の中空糸
膜、ポリ四弗化エチレン系の多孔質疎水膜（孔径分布
０．０１〜１μｍ）等を用いるとよい。 配管材料は、
気密性が高く、外部からのガスの透過がしにくいＰＶＤ
Ｆ（ポリビニリデンフロライド、フッ素樹脂）製のもの
とするとよい。
て非金属材料を使用し、金属イオンの被処理水４への溶
出を防いでいる。ポンプ１７は、無段階可変速制御さ
れ、またノンパーティクルタイプであり、動圧軸受を用
い回転体の機械的接触が一切なく、ポンプ内部からの微
粒子の発生を抑制したものであり、接液部は材質に高純
度セラミックスおよび四弗素化樹脂を用い金属イオンの
被処理水４への溶出を防いだものを用いている。フィル
タ１８は、濾過度０．０５μｍの膜フィルタを用いてい
る。中空糸膜として、テフロン（登録商標）製の中空糸
膜、ポリ四弗化エチレン系の多孔質疎水膜（孔径分布
０．０１〜１μｍ）等を用いるとよい。 配管材料は、
気密性が高く、外部からのガスの透過がしにくいＰＶＤ
Ｆ（ポリビニリデンフロライド、フッ素樹脂）製のもの
とするとよい。
【００４１】本実施の形態のガス溶解水製造装置１によ
れば、溶解ガス３として窒素ガスを使用した場合（ケー
ス１）には、窒素ガス濃度が５〜２０ｐｐｍのガス溶解
水３１（水温２０℃の場合）を短時間で効率よく製造す
ることができる。また、溶解ガス３として水素ガスを使
用した場合に（ケース２）は、水素ガス濃度が１００〜
１０００ｐｐｂのガス溶解水３１（水温２０℃の場合）
を短時間で効率よく製造することができる。
れば、溶解ガス３として窒素ガスを使用した場合（ケー
ス１）には、窒素ガス濃度が５〜２０ｐｐｍのガス溶解
水３１（水温２０℃の場合）を短時間で効率よく製造す
ることができる。また、溶解ガス３として水素ガスを使
用した場合に（ケース２）は、水素ガス濃度が１００〜
１０００ｐｐｂのガス溶解水３１（水温２０℃の場合）
を短時間で効率よく製造することができる。
【００４２】窒素ガスを使用した場合（ケース１）の、
水温２０℃において６ｐｐｍの濃度のガス溶解水３１を
製造する場合（図３）、水温２０℃において１０ｐｐｍ
の濃度のガス溶解水３１を製造する場合（図４）、水温
２０℃において１３ｐｐｍの濃度のガス溶解水３１を製
造する場合（図５）の、濃度の時間的変化を計測した実
験結果を図３〜５に示す。図３〜５において、横軸が時
間（単位は分）、縦軸が溶解した窒素ガス濃度（単位は
ｐｐｍ）を表す。また、各図において被処理水の供給量
は２０Ｌ／ｍｉｎであり、測定は４回繰り返して行わ
れ、データ〜が記載されている。それぞれの場合、
約１分〜１．５分で目標とする濃度のガス溶解水３１を
製造することができることが分かる。
水温２０℃において６ｐｐｍの濃度のガス溶解水３１を
製造する場合（図３）、水温２０℃において１０ｐｐｍ
の濃度のガス溶解水３１を製造する場合（図４）、水温
２０℃において１３ｐｐｍの濃度のガス溶解水３１を製
造する場合（図５）の、濃度の時間的変化を計測した実
験結果を図３〜５に示す。図３〜５において、横軸が時
間（単位は分）、縦軸が溶解した窒素ガス濃度（単位は
ｐｐｍ）を表す。また、各図において被処理水の供給量
は２０Ｌ／ｍｉｎであり、測定は４回繰り返して行わ
れ、データ〜が記載されている。それぞれの場合、
約１分〜１．５分で目標とする濃度のガス溶解水３１を
製造することができることが分かる。
【００４３】なお、溶解ガスの純度が１００％ではない
場合、ガス溶解水中の溶解ガスの濃度は、供給されたガ
ス中の溶解ガスの分圧における飽和濃度になる。当然の
こととして、溶解ガス供給配管に供給されるガスは混合
ガスであってもよい。
場合、ガス溶解水中の溶解ガスの濃度は、供給されたガ
ス中の溶解ガスの分圧における飽和濃度になる。当然の
こととして、溶解ガス供給配管に供給されるガスは混合
ガスであってもよい。
【００４４】被処理水供給配管１３の第１の被処理水流
量調節器２３は、第２の制御器２８からの第２の流量制
御信号２９によって流量を制御する制御弁とすることが
できる。被処理水バイパス配管１５の第２の被処理水流
量調節器２４も、第２の制御器２８からの第２の流量制
御信号２９によって流量を制御する制御弁とすることが
できる。二つの制御弁を別々の配管に設置する代わり
に、被処理水流量調節手段としての３方制御弁を、被処
理水供給配管１３の分岐部１３Ａに取り付けてもよい。
この場合、３方制御弁は、第１の流量調節手段であると
ともに、第２の流量調節手段でもある。また、分岐部１
３Ａは被処理水供給配管１３でもあり、被処理水バイパ
ス配管１５でもあるとする。
量調節器２３は、第２の制御器２８からの第２の流量制
御信号２９によって流量を制御する制御弁とすることが
できる。被処理水バイパス配管１５の第２の被処理水流
量調節器２４も、第２の制御器２８からの第２の流量制
御信号２９によって流量を制御する制御弁とすることが
できる。二つの制御弁を別々の配管に設置する代わり
に、被処理水流量調節手段としての３方制御弁を、被処
理水供給配管１３の分岐部１３Ａに取り付けてもよい。
この場合、３方制御弁は、第１の流量調節手段であると
ともに、第２の流量調節手段でもある。また、分岐部１
３Ａは被処理水供給配管１３でもあり、被処理水バイパ
ス配管１５でもあるとする。
【００４５】なお、本発明のガス溶解水製造装置１で
は、被処理水供給管１３への流量を全て被処理水バイパ
ス配管１５に流すことにより、同じ装置で、脱気水供給
装置としても用いることができる。また、被処理水供給
管１３への流量を全て処理タンク１１の中空糸膜２の内
側に流すことにより、飽和ガス溶解水３１を製造でき
る。また、本実施の形態では、ガス溶解水３１を作るた
めの被処理水供給配管１３と被処理水バイパス配管１５
は、共通の被処理水源８から分岐させる構造としたが、
処理タンク１１のバイパスを設けた図１に示す実施の形
態に限られず、飽和ガス溶解水を作るため処理タンク１
１へ接続される被処理水配管と、希釈用の被処理水配管
を別々の被処理水源から供給してもよい。
は、被処理水供給管１３への流量を全て被処理水バイパ
ス配管１５に流すことにより、同じ装置で、脱気水供給
装置としても用いることができる。また、被処理水供給
管１３への流量を全て処理タンク１１の中空糸膜２の内
側に流すことにより、飽和ガス溶解水３１を製造でき
る。また、本実施の形態では、ガス溶解水３１を作るた
めの被処理水供給配管１３と被処理水バイパス配管１５
は、共通の被処理水源８から分岐させる構造としたが、
処理タンク１１のバイパスを設けた図１に示す実施の形
態に限られず、飽和ガス溶解水を作るため処理タンク１
１へ接続される被処理水配管と、希釈用の被処理水配管
を別々の被処理水源から供給してもよい。
【００４６】次に、本発明で得られた飽和濃度以下の濃
度に制御されたガス溶解水の使用例としてウェハ超音波
洗浄装置１０１、１０２について説明する。特に、本発
明で得られたガス溶解水は、デバイスウェハの洗浄に適
する。
度に制御されたガス溶解水の使用例としてウェハ超音波
洗浄装置１０１、１０２について説明する。特に、本発
明で得られたガス溶解水は、デバイスウェハの洗浄に適
する。
【００４７】図６に、超音波洗浄装置としてのウェハ超
音波洗浄装置１０１の矢視図を示す。図中、ウェハ超音
波洗浄装置１０１は、４つのチャック爪１４１を有する
回転チャック１４０と、回転チャック１４０が取り付け
られた軸１４２とを備える。回転チャック１４０は、半
導体ウェハＷ１の外周ＷＡをチャック爪１４１で挟持
し、軸１４２を中心に矢印Ｘ方向に回転する構造となっ
ている。ウェハ超音波洗浄装置１０１は、さらに洗浄液
噴射用ノズル１５０を備え、洗浄液噴射用ノズル１５０
から、半導体ウェハＷ１の被洗浄面ＷＢ（または以下、
上面ＷＢともいう）に洗浄液１５１を噴射できる構造と
なっている。
音波洗浄装置１０１の矢視図を示す。図中、ウェハ超音
波洗浄装置１０１は、４つのチャック爪１４１を有する
回転チャック１４０と、回転チャック１４０が取り付け
られた軸１４２とを備える。回転チャック１４０は、半
導体ウェハＷ１の外周ＷＡをチャック爪１４１で挟持
し、軸１４２を中心に矢印Ｘ方向に回転する構造となっ
ている。ウェハ超音波洗浄装置１０１は、さらに洗浄液
噴射用ノズル１５０を備え、洗浄液噴射用ノズル１５０
から、半導体ウェハＷ１の被洗浄面ＷＢ（または以下、
上面ＷＢともいう）に洗浄液１５１を噴射できる構造と
なっている。
【００４８】ウェハ超音波洗浄装置１０１において、例
えばポリッシング終了後の半導体ウェハW１の被洗浄面
ＷＡを上に配置し、回転チャック１４０のチャック爪１
４１で扶持して装着する。回転チャック１４０を矢印Ｘ
方向に回転させながら、洗浄液噴射用ノズル１５０から
半導体ウェハW１の上面ＷＡに洗浄液１５１を噴射し
て、半導体ウェハW１の上面ＷＡに保持されている砥粒
や削り屑を洗い流す。ここでは、メガソニック洗浄に適
用させた例を示す。
えばポリッシング終了後の半導体ウェハW１の被洗浄面
ＷＡを上に配置し、回転チャック１４０のチャック爪１
４１で扶持して装着する。回転チャック１４０を矢印Ｘ
方向に回転させながら、洗浄液噴射用ノズル１５０から
半導体ウェハW１の上面ＷＡに洗浄液１５１を噴射し
て、半導体ウェハW１の上面ＷＡに保持されている砥粒
や削り屑を洗い流す。ここでは、メガソニック洗浄に適
用させた例を示す。
【００４９】図７は、図６のウェハ超音波洗浄装置１０
１に使用されるメガソニック洗浄ノズル１５５の詳細構
造を示す断面図である。図７において、メガソニック洗
浄ノズル１５５は、ノズル本体１５６の後端部１５６Ｃ
に、超音波発信装置としての超音波振動子１５７を設け
た構造である。超音波振動子１５７を起動し、ノズル本
体１５６に形成された注入口１５６Ａに、図1で示され
た濃度調節された、ガス溶解水供給ライン１５（図１参
照）からのガス溶解水３１（図１参照）を注入すること
により、ガス溶解水３１に超音波振動エネルギーが付与
され、ノズル本体１５６に形成された噴射口１５６Ｂか
ら、超音波振動エネルギーの付与された洗浄液１５１
（図６参照）が半導体ウェハW１の上面ＷＡに噴射され
る。なお、ここでガス溶解水３１が、洗浄液１５１とし
て噴射される。
１に使用されるメガソニック洗浄ノズル１５５の詳細構
造を示す断面図である。図７において、メガソニック洗
浄ノズル１５５は、ノズル本体１５６の後端部１５６Ｃ
に、超音波発信装置としての超音波振動子１５７を設け
た構造である。超音波振動子１５７を起動し、ノズル本
体１５６に形成された注入口１５６Ａに、図1で示され
た濃度調節された、ガス溶解水供給ライン１５（図１参
照）からのガス溶解水３１（図１参照）を注入すること
により、ガス溶解水３１に超音波振動エネルギーが付与
され、ノズル本体１５６に形成された噴射口１５６Ｂか
ら、超音波振動エネルギーの付与された洗浄液１５１
（図６参照）が半導体ウェハW１の上面ＷＡに噴射され
る。なお、ここでガス溶解水３１が、洗浄液１５１とし
て噴射される。
【００５０】これにより、半導体ウェハW１の上面ＷＡ
のダストは噴射された洗浄液１５１（図７参照）を介し
て超音波エネルギーが間接的に付与される。その結果、
半導体ウェハＷ１上のダストが加振され半導体ウェハW
１の上面ＷＡから剥離し、噴射された洗浄液１５１によ
り洗い流される。
のダストは噴射された洗浄液１５１（図７参照）を介し
て超音波エネルギーが間接的に付与される。その結果、
半導体ウェハＷ１上のダストが加振され半導体ウェハW
１の上面ＷＡから剥離し、噴射された洗浄液１５１によ
り洗い流される。
【００５１】この場合に、洗浄液としてＮ２等のガス溶
解水を適用することがあるが、溶存ガス濃度が高いと、
洗浄液中に気泡が発生しやすくなる。生成した気泡が合
体し大きな気泡ができたり、発生した気泡が被洗浄面Ｗ
Ａに付着すると、半導体ウェハＷ１の気泡が付着した部
分の洗浄が、気泡の付着していない他の部分の洗浄と比
べて均一に行えない。
解水を適用することがあるが、溶存ガス濃度が高いと、
洗浄液中に気泡が発生しやすくなる。生成した気泡が合
体し大きな気泡ができたり、発生した気泡が被洗浄面Ｗ
Ａに付着すると、半導体ウェハＷ１の気泡が付着した部
分の洗浄が、気泡の付着していない他の部分の洗浄と比
べて均一に行えない。
【００５２】この場合に、本発明のように、前述のメガ
ジェット洗浄の際に飽和濃度以下の濃度に制御されたガ
ス溶解水を用いると、洗浄液中に気泡が発生しにくくな
り、また発生したとしても大径の気泡は発生しにくいた
め、微細化されたパターンを有するデバイスウェハ上の
細かい凹凸も均一にソフトに洗浄することができる。そ
の他の洗浄においても、特に微細化されたパターン面を
有するデバイスウェハの洗浄には、飯和濃度以下のガス
溶解水を用いるとよい。
ジェット洗浄の際に飽和濃度以下の濃度に制御されたガ
ス溶解水を用いると、洗浄液中に気泡が発生しにくくな
り、また発生したとしても大径の気泡は発生しにくいた
め、微細化されたパターンを有するデバイスウェハ上の
細かい凹凸も均一にソフトに洗浄することができる。そ
の他の洗浄においても、特に微細化されたパターン面を
有するデバイスウェハの洗浄には、飯和濃度以下のガス
溶解水を用いるとよい。
【００５３】図８に、他の実施の形態の超音波洗浄装置
としてのウェハ超音波洗浄装置１０２を示す。ウェハ超
音波洗浄装置１０２は、ガス溶解水製造装置１と、洗浄
槽１６３と、ガス溶解水製造装置１と洗浄槽１６３とを
繋ぐ洗浄液供給ライン１６０と、洗浄槽１６３の外側に
設けられたドレン槽１７０とを備える。
としてのウェハ超音波洗浄装置１０２を示す。ウェハ超
音波洗浄装置１０２は、ガス溶解水製造装置１と、洗浄
槽１６３と、ガス溶解水製造装置１と洗浄槽１６３とを
繋ぐ洗浄液供給ライン１６０と、洗浄槽１６３の外側に
設けられたドレン槽１７０とを備える。
【００５４】洗浄槽１６３には、本ガス溶解水製造装置
１で製造された飽和濃度以下に制御されたガス溶解水３
１（例えば、窒素水）が、ガス溶解水供給ライン１６０
を通じて洗浄槽１６３に取り付けられた洗浄液供給ノズ
ル１６２より供給される。
１で製造された飽和濃度以下に制御されたガス溶解水３
１（例えば、窒素水）が、ガス溶解水供給ライン１６０
を通じて洗浄槽１６３に取り付けられた洗浄液供給ノズ
ル１６２より供給される。
【００５５】洗浄液供給ノズル１６２（図９参照）は、
洗浄槽１６３の内部底面１６４に沿って配置されている
円柱形状のノズルである。該洗浄液供給ノズル１６２に
は、長手方向に沿って複数の吐出口１６５（図９参照）
が開口しており、該吐出口１６５からガス溶解水３１が
洗浄液３１として洗浄槽１６３内に供給される。洗浄槽
１６３の下面１６９には、超音波発信装置としての超音
波振動子１６６が配設されており、超音波振動子１６６
は、洗浄槽１６３内の洗浄液３１に超音波振動エネルギ
を付与する。
洗浄槽１６３の内部底面１６４に沿って配置されている
円柱形状のノズルである。該洗浄液供給ノズル１６２に
は、長手方向に沿って複数の吐出口１６５（図９参照）
が開口しており、該吐出口１６５からガス溶解水３１が
洗浄液３１として洗浄槽１６３内に供給される。洗浄槽
１６３の下面１６９には、超音波発信装置としての超音
波振動子１６６が配設されており、超音波振動子１６６
は、洗浄槽１６３内の洗浄液３１に超音波振動エネルギ
を付与する。
【００５６】被洗浄物たるデバイスウェハＷ２（例えば
シリコンウェハ）は、通常２５枚が鉛直方向上下に立っ
た姿勢で洗浄槽１６３内に配置される。その後、洗浄槽
１６３は洗浄液３１で満たされ、洗浄槽１６３からオー
バーフローした洗浄液３１は洗浄槽１６３の外側に設け
られたドレン槽１70にて回収される。ドレン槽１70に回
収された洗浄液３１は、ドレン槽に繋がれたドレンライ
ン１６７から排出される。本実施の形態のウェハ超音波
洗浄装置１０２は、前述のウェハ超音波洗浄装置１０１
と同様の効果に加えて、大量のデバイスウェハＷ２を早
く、洗浄することができ、スループットがより向上する
という効果を有する。
シリコンウェハ）は、通常２５枚が鉛直方向上下に立っ
た姿勢で洗浄槽１６３内に配置される。その後、洗浄槽
１６３は洗浄液３１で満たされ、洗浄槽１６３からオー
バーフローした洗浄液３１は洗浄槽１６３の外側に設け
られたドレン槽１70にて回収される。ドレン槽１70に回
収された洗浄液３１は、ドレン槽に繋がれたドレンライ
ン１６７から排出される。本実施の形態のウェハ超音波
洗浄装置１０２は、前述のウェハ超音波洗浄装置１０１
と同様の効果に加えて、大量のデバイスウェハＷ２を早
く、洗浄することができ、スループットがより向上する
という効果を有する。
【００５７】
【発明の効果】以上のように本発明のガス溶解水製造装
置によれば、溶解ガス供給流路と、第１の被処理水供給
流路と、第２の被処理水供給流路と、ガス溶解水吐出流
路とを備え、第２の被処理水供給流路がガス溶解水吐出
流路に合流し、第２の被処理水供給流路によって導かれ
た被処理水が、ガス溶解水中の溶解ガス濃度を所定の濃
度に希釈するよう構成されるので、溶解ガス濃度が飽和
濃度以下のガス溶解水を短時間で効率よく製造するガス
溶解水製造装置を提供することができる。
置によれば、溶解ガス供給流路と、第１の被処理水供給
流路と、第２の被処理水供給流路と、ガス溶解水吐出流
路とを備え、第２の被処理水供給流路がガス溶解水吐出
流路に合流し、第２の被処理水供給流路によって導かれ
た被処理水が、ガス溶解水中の溶解ガス濃度を所定の濃
度に希釈するよう構成されるので、溶解ガス濃度が飽和
濃度以下のガス溶解水を短時間で効率よく製造するガス
溶解水製造装置を提供することができる。
【００５８】以上のように本発明の超音波洗浄装置によ
れば、本発明のガス溶解水製造装置と、超音波発信装置
とを備え、本発明のガス溶解水製造装置によって製造さ
れたガス溶解水で被洗浄物を洗浄する際に該ガス溶解水
に超音波エネルギを与えるので、洗浄に適した飽和濃度
に制御されたガス溶解水を洗浄液として用いて洗浄で
き、さらに超音波エネルギの付与されたガス溶解水を洗
浄液として用いて洗浄でき、よって被洗浄物をより清浄
に洗浄することができる。
れば、本発明のガス溶解水製造装置と、超音波発信装置
とを備え、本発明のガス溶解水製造装置によって製造さ
れたガス溶解水で被洗浄物を洗浄する際に該ガス溶解水
に超音波エネルギを与えるので、洗浄に適した飽和濃度
に制御されたガス溶解水を洗浄液として用いて洗浄で
き、さらに超音波エネルギの付与されたガス溶解水を洗
浄液として用いて洗浄でき、よって被洗浄物をより清浄
に洗浄することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係るガス溶解水製造装置
の構成を示すフロー図である。
の構成を示すフロー図である。
【図２】処理タンクの構造を示す模式的断面図である。
【図３】溶解ガスが窒素ガスの場合、本ガス溶解水製造
装置で、窒素ガス濃度が６ｐｐｂのガス溶解水を製造す
るときの、窒素ガス濃度の時間的変化を示す実験データ
である。
装置で、窒素ガス濃度が６ｐｐｂのガス溶解水を製造す
るときの、窒素ガス濃度の時間的変化を示す実験データ
である。
【図４】溶解ガスが窒素ガスの場合、本ガス溶解水製造
装置で、窒素ガス濃度が１０ｐｐｂのガス溶解水を製造
するときの、窒素ガス濃度の時間的変化を示す実験デー
タである。
装置で、窒素ガス濃度が１０ｐｐｂのガス溶解水を製造
するときの、窒素ガス濃度の時間的変化を示す実験デー
タである。
【図５】溶解ガスが窒素ガスの場合、本ガス溶解水製造
装置で、窒素ガス濃度が１３ｐｐｂのガス溶解水を製造
するときの、窒素ガス濃度の時間的変化を示す実験デー
タである。
装置で、窒素ガス濃度が１３ｐｐｂのガス溶解水を製造
するときの、窒素ガス濃度の時間的変化を示す実験デー
タである。
【図６】図１のガス溶解水製造装置によって製造された
ガス溶解水を利用して洗浄するウェハ超音波洗浄装置の
矢視図である。
ガス溶解水を利用して洗浄するウェハ超音波洗浄装置の
矢視図である。
【図７】図６のウェハ洗浄装置に用いられれるメガソニ
ック洗浄ノズルの断面図である。
ック洗浄ノズルの断面図である。
【図８】他の実施の形態のウェハ超音波洗浄装置の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図９】図８の超音波洗浄装置に用いられる洗浄液供給
ノズルの矢視図である。
ノズルの矢視図である。
【図１０】従来のガス溶解水製造装置の構成を示すフロ
ー図である。
ー図である。
１ ガス溶解水製造装置 ２ 中空糸膜 ３ 溶解ガス ４ 被処理水 ５、３１ ガス溶解水 ６ 排ガス ７ 溶解ガス源 ８ 被処理水源 １１ 処理タンク １２ 溶解ガス供給配管 １３ 被処理水供給配管 １３Ａ 分岐部 １４ ガス溶解水吐出配管 １４Ａ 合流部 １５ 被処理水バイパス配管 １６ 溶解ガス流量調節器 １７ ポンプ １８ フィルタ １９ 流量計 ２０ 流量信号 ２１ 第１の制御器 ２２ 第１の流量制御信号 ２３ 第１の被処理水流量調節器 ２４ 第２の被処理水流量調節器 ２５ ガス溶解水ドレン配管 ２６ ガス溶解水濃度計 ２７ 濃度信号 ２８ 第２の制御器 ２９ 第２の流量制御信号 ３０ 排ガス分解塔 １０１、１０２ ウエハ超音波洗浄装置 １５７ 超音波振動子 Ｑ、Ｑ１、Ｑ２ 流量 Ｗ１ 半導体ウェハ Ｗ２ デバイスウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 稔 東京都大田区羽田旭町11−１ 株式会社荏 原製作所内 (72)発明者 斉藤 孝行 神奈川県藤沢市本藤沢４−２−１ 株式会 社荏原総合研究所内 (72)発明者 佐々木 賢一 神奈川県藤沢市本藤沢４−２−１ 株式会 社荏原総合研究所内 (72)発明者 村川 圭一 東京都大田区羽田旭町11−１ 株式会社荏 原製作所内 (72)発明者 島村 和秀 東京都大田区羽田旭町11−１ 株式会社荏 原製作所内 Ｆターム(参考） 4G035 AA01 4G037 BA03 BC05 BD04 EA01
Claims (8)
- 【請求項１】 溶解ガスを被処理水に溶解させて、ガス
溶解水とするよう構成されたガス溶解水製造装置におい
て；前記溶解ガスを、前記被処理水に溶解させる溶解部
と；前記溶解ガスを、前記溶解部に導く溶解ガス供給流
路と；前記被処理水を、前記溶解部に導く第１の被処理
水供給流路と；前記ガス溶解水を、前記溶解部から導く
ガス溶解水吐出流路と；前記被処理水を、前記溶解部を
通さずに導く第２の被処理水供給流路とを備え；第２の
被処理水供給流路が前記ガス溶解水吐出流路に合流し、
前記第２の被処理水供給流路によって導かれた前記被処
理水が、前記ガス溶解水中の溶解ガス濃度を所定の濃度
に希釈するよう構成される；ガス溶解水製造装置。 - 【請求項２】 前記第２の被処理水供給流路は、前記第
１の被処理水供給流路から分岐し、前記溶解部をバイパ
スするバイパス流路を形成する；請求項１に記載のガス
溶解水製造装置。 - 【請求項３】 前記溶解部は、中空糸膜からなり、該中
空糸膜の一方の側に前記溶解ガスを通し、前記中空糸膜
の他方の側に前記被処理水を通すことによってガス溶解
水を生成する；請求項１または請求項２に記載のガス溶
解水製造装置。 - 【請求項４】 前記第１の被処理水供給流路の前記分岐
部の下流側、または前記ガス溶解水吐出流路の、第２の
被処理水供給流路が合流する合流部の上流側に設置さ
れ、前記溶解部を流れる被処理水の流量を調節する第１
の流量調節手段と、 前記バイパス流路に設置され、前記溶解部をバイパスす
る被処理水の流量を調節する第２の流量調節手段のうち
いずれか一方と；前記ガス溶解水吐出流路の前記合流部
の下流側に設けられ、前記ガス溶解水の溶解ガス濃度を
測定する溶解ガス濃度測定手段と；前記溶解ガス濃度測
定手段によって測定された溶解ガス濃度に基づき、前記
測定された溶解ガス濃度が所定の濃度になるように、前
記第１の流量調節手段または前記第２の流量調節手段の
うち設置されたいずれか一方を制御する第２の制御手段
とを備える；請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記
載のガス溶解水製造装置。 - 【請求項５】 溶解ガスを被処理水に溶解させる溶解部
に、溶解ガスを通す第１の工程と；前記溶解部に前記被
処理水を通す第２の工程と；前記溶解部で前記被処理水
に前記溶解ガスを溶解させ、ガス溶解水とする第３の工
程と；前記ガス溶解水に、前記溶解部を通らない前記被
処理水を混合させ、混合後の前記ガス溶解水中の溶解ガ
スの濃度が所定の濃度なるように制御する第４の工程と
を備える；ガス溶解水製造方法。 - 【請求項６】 前記第４の工程で行われる制御が、前記
溶解部を通る被処理水の流量と、前記溶解部を通らない
被処理水の流量の割合を制御するものである；請求項５
に記載のガス溶解水製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
記載のガス溶解水製造装置と；前記ガス溶解水製造装置
によって製造されたガス溶解水で被洗浄物を洗浄する際
に該ガス溶解水に超音波エネルギを与える超音波発信装
置とを備えた；超音波洗浄装置。 - 【請求項８】 請求項５または請求項６に記載のガス溶
解水製造方法によってガス溶解水を製造する製造工程
と；前記製造工程によって製造されたガス溶解水に超音
波エネルギを与えるエネルギ付与工程と；前記エネルギ
付与工程によって超音波エネルギを与えられたガス溶解
水を洗浄水として用いて被洗浄物を洗浄する洗浄工程と
を備えた；超音波洗浄方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120828A JP2002316027A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | ガス溶解水製造装置、およびその方法、超音波洗浄装置、およびその方法 |
| PCT/JP2002/003819 WO2002085790A2 (en) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof for use in ultrasonic cleaning equipment |
| EP02720467A EP1379471A2 (en) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof for use in ultrasonic cleaning equipment |
| US10/311,832 US6921063B2 (en) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof and ultrasonic cleaning equipment and method thereof |
| KR1020027017313A KR100849978B1 (ko) | 2001-04-19 | 2002-04-17 | 가스용해수생성장치와 그 방법 및 초음파세정장비와 그 방법 |
| TW091107918A TWI233375B (en) | 2001-04-19 | 2002-04-18 | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof and ultrasonic cleaning equipment and method thereof |
| US11/067,650 US20050150515A1 (en) | 2001-04-19 | 2005-02-28 | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof and ultrasonic cleaning equipment and method thereof |
| US12/318,446 US20090139541A1 (en) | 2001-04-19 | 2008-12-30 | Gas dissolved water producing apparatus and method thereof and ultrasonic cleaning equipment and method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120828A JP2002316027A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | ガス溶解水製造装置、およびその方法、超音波洗浄装置、およびその方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002316027A true JP2002316027A (ja) | 2002-10-29 |
| JP2002316027A5 JP2002316027A5 (ja) | 2005-10-13 |
Family
ID=18970806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001120828A Pending JP2002316027A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | ガス溶解水製造装置、およびその方法、超音波洗浄装置、およびその方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6921063B2 (ja) |
| EP (1) | EP1379471A2 (ja) |
| JP (1) | JP2002316027A (ja) |
| KR (1) | KR100849978B1 (ja) |
| TW (1) | TWI233375B (ja) |
| WO (1) | WO2002085790A2 (ja) |
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- 2002-04-17 EP EP02720467A patent/EP1379471A2/en not_active Withdrawn
- 2002-04-17 US US10/311,832 patent/US6921063B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-17 WO PCT/JP2002/003819 patent/WO2002085790A2/en active Application Filing
- 2002-04-17 KR KR1020027017313A patent/KR100849978B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-04-18 TW TW091107918A patent/TWI233375B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030028485A (ko) | 2003-04-08 |
| US20040012104A1 (en) | 2004-01-22 |
| US20090139541A1 (en) | 2009-06-04 |
| EP1379471A2 (en) | 2004-01-14 |
| WO2002085790A2 (en) | 2002-10-31 |
| KR100849978B1 (ko) | 2008-08-01 |
| US20050150515A1 (en) | 2005-07-14 |
| US6921063B2 (en) | 2005-07-26 |
| TWI233375B (en) | 2005-06-01 |
| WO2002085790A3 (en) | 2003-01-09 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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