JP2002314058A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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Abstract
ようにする。 【解決手段】 各光センサー104ごとに光センサー1
04の上に設けられた、凸面状の上面を有する透明材料
から成る層内マイクロ凸レンズ134を含み、その上面
に1μm以下のほぼ一定の膜厚で被着された、たとえば
有機顔料を主要構成材料とするカラーフィルター4を備
えている。カラーフィルター4は、たとえば蒸着重合法
などのドライ成膜法により、顔料を層内マイクロ凸レン
ズ134上に成膜して形成することができる。層内マイ
クロ凸レンズ134とカラーフィルター4との間に平坦
化層が介在せず、また、カラーフィルター4は感光剤や
硬化剤を含まず薄く形成できるので、上層部の高さHを
抑えて、斜め入射光も光センサー104上に確実に集光
できる。
Description
固体撮像素子の製造方法に関し、特に固体撮像素子を構
成するカラーフィルターおよびその形成方法に関するも
のである。
カメラに用いられる固体撮像素子は、カメラの解像度を
高めるべく多画素化が図られ、またカメラ光学系の小型
化にともないチップサイズの縮小が図られている。たと
えば小型ビデオカメラに使用される光学サイズの主流は
1/3型から1/4型へと移行し、さらには1/6型以
降の検討もなされている。また、画素数は25万画素、
36万画素、56万画素と拡大し、さらには100万画
素を越える範囲にまで広がっている。カメラの高解像度
化や小型化への要求は強く、固体撮像素子の画素サイズ
は今後さらに縮小することが予想される。
図、図9は図8のAA’線部分側断面図である。図8に
示したように、従来のカラー固体撮像素子102は、半
導体基板上に多数の光センサー104をマトリクス状に
配列し各光センサー104の列ごとにCCD(Char
ge Coupled Device)構造の垂直電荷
転送レジスター106を延設して構成されている。より
詳しくは、図9に示したように、半導体基板108の表
面部に光センサー104がpn接合のフォトダイオード
として形成され、その両側に垂直電荷転送レジスター1
06を構成する電荷転送路110が配置されている。電
荷転送路110の上には電荷転送電極112配列され、
電荷転送電極112は絶縁膜を介して遮光膜114によ
り覆われている。
には透明な絶縁性材料から成る平坦化層116が形成さ
れ、その上にカラーフィルター118が積層されてい
る。そして、カラーフィルター118の上には、平坦化
層120を介して各光センサー104ごとに透明材料か
ら成るマイクロレンズ122が形成されている。
赤、青、緑の3種類が用いられ、これらのカラーフィル
ター118は各光センサー104に対して、たとえば図
10の平面図に示したように配列されている。図中、R
は緑、Bは青、Gは緑の各カラーフィルターを表してい
る。
8に対して垂直な垂直入射光L1が入射すると、この光
はマイクロレンズ122により光センサー104の受光
面上に集光され、光センサー104はこれにより信号電
荷を生成する。また、半導体基板108に垂直な仮想直
線に対し角度θを成し斜めに入射する斜め入射光L2が
入射した場合にも、この光は同様に光センサー104の
受光面上に集められ、光センサー104は対応する信号
電荷を生成する。
固体撮像素子の高解像度化や小型化のため、画素が縮小
された場合には、斜め入射光が光センサー104の受光
面上に集光されないという問題が生じる。図11は画素
サイズの小さい固体撮像素子を示す部分側断面図であ
る。図中、図9と同一の要素には同一の符号が付されて
いる。1つの光センサー104と、その光センサー10
4に隣接し同光センサーから信号電荷を取り込む垂直電
荷転送レジスター106の箇所はユニットセルとも呼ば
れる。このユニットセルの幅は、図9に示した固体撮像
素子ではPであり、一方、図11の固体撮像素子124
では、1/2に縮小され、それにともない光センサー1
04の受光面の幅は、図に示したように非常に狭いもの
となっている。
レンズ122により光センサー104の受光面上に集光
され、光センサー104はこれにより信号電荷を生成す
る一方、斜め入射光L2は遮光膜114上に集光されて
しまい、光センサー104は充分な信号電荷を生成する
ことができない。そのため、固体撮像素子124では斜
め入射光に対して光感度が低下する。
面からマイクロレンズ122の底面までの高さ)が高い
ほど顕著となるので、上層部の高さHを低くすべく特開
平11−27588号公報には、平坦化層116を取り
除く手法が提案されている。しかし、平坦化層116は
その上に形成するカラーフィルター118の膜厚のムラ
を防止するために必要であり、平坦化層116を設けな
い構造ではカラーフィルター118の膜厚のムラにとも
なう色ムラなどの画質の劣化が生じるため、実用化には
至っていない。
カラーフィルター118を薄く形成することが考えられ
る。カラーフィルター118は従来、感光性を備えた染
色基材をフォトリソグラフィーによりパターン化して染
色を行ったり、あるいは色素を含有する感光性樹脂をフ
ォトリソグラフィーによってパターン化することで形成
していた。しかし、このれらの手法では、フォトリソグ
ラフィー又、カラーフィルターの耐久性確保のためにか
ならず所定量の感光剤や硬化剤及び、バインダー樹脂が
染色基材や感光性樹脂に含まれている必要があるため、
カラーフィルター118の薄膜化には限界がある。ま
た、染色基材中に含有させ得る色素量には上限があり、
そして感光性樹脂としての性能を維持するために感光性
樹脂中の色素の含有量は制限される。したがって、カラ
ーフィルター118として機能させるべくカラーフィル
ター118に充分な色素量を含有させるためには、ある
程度の厚みが必要であり、この点でも従来のカラーフィ
ルター118の薄膜化には限界がある。
平11−103036号公報には、層内レンズを用いる
技術が開示されている。図12は同層内レンズを備えた
従来の固体撮像素子を示す部分側断面図であり、図中、
図11と同一の要素には同一の符号が付されている。
6では、光センサー104の上に透明材料から成る層内
マイクロ凹レンズ128が形成され、その上に、層内マ
イクロ凹レンズ128より屈折率の大きい埋め込み層1
30を介してカラーフィルター118が形成されてい
る。したがって、固体撮像素子126では、斜め入射光
L2はマイクロレンズ122とともに層内マイクロ凹レ
ンズ128によっても集光されるので、固体撮像素子1
24の場合より光センサー104の受光面に入射し易く
なるが、それでも、ユニットセルサイズが3.0μm程
度までが限界である。
もに層内マイクロ凸レンズを設けた従来の固体撮像素子
(特開2000−164837号公報)を示す部分断面
側面図である。図中、図12と同一の要素には同一の符
号が付されている。図13に示した固体撮像素子132
では、上記埋め込み層130の上面が凸面状に形成され
て層内マイクロ凸レンズ134を成し、その上に平坦化
層136を介してカラーフィルター118が形成されて
いる。ここで層内マイクロ凸レンズ134の屈折率は、
層内マイクロ凹レンズ128の屈折率より大きく、一
方、平坦化層136の屈折率より小さい。
クロレンズ122、層内マイクロ凹レンズ128、なら
びに層内マイクロ凸レンズ134によって、より強く集
光されるので、斜め入射光L2は固体撮像素子126の
場合より光センサー104の受光面に入射し易くなる
が、それでも、ユニットセルサイズが2.5μm程度ま
でが限界である。ユニットセルサイズがそれ以下となる
と斜め入射光に対する感度低下が顕著となる。
なされたもので、その目的は、ユニットセルサイズが小
さい場合にも斜め入射光に対して充分な光感度が得られ
る固体撮像素子および同固体撮像素子の製造方法を提供
することにある。
するため、半導体基板上に配列された複数の光センサー
と、各光センサーごとに光センサーの上に設けられた、
凸面状の上面を有する透明材料から成る層内マイクロレ
ンズとを含む固体撮像素子であって、前記層内マイクロ
レンズの上面にほぼ一定の膜厚で被着された、顔料を主
要構成材料とするカラーフィルターを含むことを特徴と
する。
た複数の光センサーと、各光センサーごとに光センサー
の上に設けられた、凸面状の上面を有する透明材料から
成る層内マイクロレンズとを含む固体撮像素子を製造す
る方法であって、前記層内マイクロレンズの上面に、顔
料をドライ成膜法により付着させて、ほぼ一定の膜厚の
カラーフィルターを形成する工程を含むことを特徴とす
る。
方法により作製した固体撮像素子では、層内マイクロレ
ンズの上面にほぼ一定の膜厚で顔料を主要構成材料とす
るカラーフィルターが被着されている。このような構造
では、層内マイクロレンズとカラーフィルターとの間に
従来のように平坦化層が介在しないので、その分、光セ
ンサーの上層部の高さを抑えることができる。そして、
カラーフィルターは顔料を主要構成材料として形成さ
れ、従来のように感光剤や硬化剤を含まないので、薄膜
化が可能である。その結果、光センサーの上層部の高さ
を低くすることができ、斜め入射光を光センサーの受光
面に確実に集光させて、斜め入射光に対しても高い光感
度を得ることができる。
て図面を参照して説明する。図1は本発明による固体撮
像素子の一例を示す部分側断面図である。図中、図13
などと同一の要素には同一の符号が付されている。実施
の形態例の固体撮像素子は一例として、図8に示した従
来の固体撮像素子と同様、光センサー104を半導体基
板108上にマトリクス状に配列し、各光センサー10
4の列ごとに垂直電荷転送レジスター106を設けて構
成されている。そして、図1に示したように、実施の形
態例の固体撮像素子2は、各光センサー104ごとに光
センサー104の上に設けられた、凸面状の上面を有す
る透明材料から成る層内マイクロ凸レンズ134を含
み、その上面に1μm以下のほぼ一定の膜厚で被着され
た、たとえば有機顔料を主要構成材料とするカラーフィ
ルター4を備えている。
来の固体撮像素子と同様に、垂直電荷転送レジスター1
06が図1において紙面に直交する方向に延設され、各
垂直電荷転送レジスター106は、基板表面部に形成さ
れた電荷転送路110および、その上に配列された電荷
転送電極112を含み、電荷転送電極112は遮光膜1
14により覆われている。また、カラーフィルター4の
色は光センサー104により異なっており、従来の固体
撮像素子と同様、図10に示したように配列されてい
る。
たように、透明材料による層内マイクロ凹レンズ128
が形成され、上記層内マイクロ凸レンズ134は、この
層内マイクロ凹レンズ128の上に形成されている。ま
た、上記カラーフィルター4の上には透明材料から成る
平坦化層6が形成され、その上にマイクロレンズ122
が形成されている。
ズ134とカラーフィルター4との間に従来のように平
坦化層が介在しないので、その分、光センサー104の
上層部の高さHを抑えることができる。そして、カラー
フィルター4は顔料を主要構成材料として形成され、従
来のように感光剤や硬化剤を含まないので、上述のよう
に1μm以下に薄膜化することが可能である。その結
果、光センサー104の上層部の高さHを低くすること
ができ、図1に示したように、垂直入射光L1は無論の
こと、斜め入射光L2を光センサー104の受光面に確
実に集光させて、斜め入射光L1に対しても高い光感度
を得ることができる。
ユニットセルサイズを2.5μm〜2μm程度まで縮小
させた場合にも対応でき、斜め入射光に対し高い光感度
を確保することが可能である。ただし、本発明はユニッ
トセルサイズの小さい固体撮像素子に限らず、ユニット
セルサイズの比較的大きい固体撮像素子に応用してもよ
く、その場合にも斜め入射光に対する光感度の向上を図
ることができる。
の固体撮像素子を示す部分側断面図である。図中、図1
と同一の要素には同一の符号が付されている。図2に示
した第2の実施の形態例の固体撮像素子10が、上記固
体撮像素子2と異なるのは、マイクロレンズとカラーフ
ィルター4との間に平坦化層6が介在しない構造として
いる点であり、図2に示したように、カラーフィルター
4の上に直接、マイクロレンズ12が形成されている。
したがって、この固体撮像素子10では、マイクロレン
ズ12の底部14の高さを、カラーフィルター4の頂部
4Aより低い位置とすることができ、上層部の高さHを
さらに低く抑えて、斜め入射光L2に対する光感度をい
っそう向上させることができる。
づき、一例として次のような工程で形成することができ
る。図3ないし図5の(A)から(H)は、本発明の固
体撮像素子の製造方法にもとづくカラーフィルターの形
成工程の一例を示す部分側断面図である。図中、図1と
同一の要素には同一の符号が付されている。なお、図3
ないし図5では、層内マイクロ凸レンズ134の下層お
よび上層は省略されている。また、図3ないし図5の
(A)から(D)は、図10におけるCC’線に沿った
断面を示し、したがって赤および緑のカラーフィルター
が隣接する箇所の断面を示している。一方、図3ないし
図5の(E)から(H)は、図10におけるDD’線に
沿った断面を示し、したがって緑および青のカラーフィ
ルターが隣接する箇所の断面を示している。
たように、凸面状の上面を有する、たとえばプラズマC
VD(Chemical Vapour Deposi
tion)法によるシリコンナイトライドから成る層内
マイクロ凸レンズ134を形成した後、図3の(B)お
よび(F)にそれぞれ示したように、その上面に緑の顔
料をドライ成膜法の一例として蒸着重合法により付着さ
せて、望ましくは200nm〜600nmの厚さの緑の
蒸着重合膜16を形成する。
れ示したように、蒸着重合膜16の上に、周知のフォト
リソグラフィー法により、緑のカラーフィルターを形成
する箇所において選択的にポジ型フォトレジスト層18
を形成する。そして、図3の(D)および(H)にそれ
ぞれ示したように、ポジ型フォトレジスト層18をマス
クとして、酸素ガスを主成分とするガスを用いたドライ
エッチングを行い、ポジ型フォトレジスト層18で覆わ
れていない箇所の蒸着重合膜16を除去し、その後、ポ
ジ型フォトレジスト層18をEL(乳酸エチル)やMM
P(メチル−3−メトキシプロピオネート)などの有機
溶剤を用いて溶解させ、除去する。これにより、緑のカ
ラーフィルター20が形成される。
れぞれ示したように、層内マイクロ凸レンズ134の表
面および緑のカラーフィルター20の上に、後にエッチ
ングストッパーとして用いるマスキング膜22を形成す
る。この膜は周知のプラズマCVD法によりシリコン酸
化膜として、望ましくは50nm〜150nmの厚さに
形成することができる。
ぞれ示したように、マスキング膜22の上に赤の顔料を
たとえば蒸着重合法により付着させて、望ましくは20
0nm〜600nmの厚さの赤の蒸着重合膜24を形成
する。次に、図4の(C)および(G)にそれぞれ示し
たように、蒸着重合膜24の上にフォトリソグラフィー
法により、赤のカラーフィルターを形成する箇所におい
て選択的にポジ型フォトレジスト層26を形成する。そ
して、図4の(D)および(H)にそれぞれ示したよう
に、ポジ型フォトレジスト層26をマスクとしてドライ
エッチングを行い、ポジ型フォトレジスト層26で覆わ
れていない箇所の蒸着重合膜24を除去し、その後、ポ
ジ型フォトレジスト層26を有機溶剤を用いて溶解さ
せ、除去する。これにより、赤のカラーフィルター28
が形成される。
れぞれ示したように、マスキング膜22および赤のカラ
ーフィルター28の上にマスキング膜30を形成し、そ
の後、図5の(B)および(F)にそれぞれ示したよう
に、マスキング膜30の上に青の顔料をたとえば蒸着重
合法により付着させて、望ましくは200nm〜600
nmの厚さの青の蒸着重合膜32を形成する。
れ示したように、蒸着重合膜32の上にフォトリソグラ
フィー法により、青のカラーフィルターを形成する箇所
において選択的にポジ型フォトレジスト層34を形成す
る。そして、図5の(D)および(H)にそれぞれ示し
たように、ポジ型フォトレジスト層34をマスクとして
ドライエッチングを行い、ポジ型フォトレジスト層34
で覆われていない箇所の蒸着重合膜32を除去し、その
後、ポジ型フォトレジスト層34を有機溶剤を用いて溶
解させ、除去する。これにより、青のカラーフィルター
36が形成される。
合法を用いたが、これ以外にも、スパッター法、蒸着
法、イオンプレーティング法、光化学気相成長法、プラ
ズマ重合法などを用いることができる。また、赤、青、
緑の顔料としては有機顔料を用いることができる。
の形成方法の一例について説明する。図6の(A)ない
し(C)はマイクロレンズ122の形成方法の一例にお
ける各工程を示す固体撮像素子2の部分側断面図であ
る。図6の(A)に示したように、まずカラーフィルタ
ー4の上に、アクリル系樹脂を周知のスピンコート法に
より成膜して平坦化層6を形成する。つづいて、図6の
(B)に示したように、平坦化層6の上に、感光性(ポ
ジ型)マイクロレンズ材38を成膜した後、周知のフォ
トリソグラフィー法によりパターン化して、各層内マイ
クロ凸レンズ134の上方の箇所にのみ上記マイクロレ
ンズ材38の膜を残す。そして、図6の(C)に示した
ように、パターン化したマイクロレンズ材38の膜を熱
リフローにより適切に溶融させ、上面を凸面状に整形し
て、マイクロレンズ122を得る。
形成方法の一例について説明する。図7の(A)ないし
(D)はマイクロレンズ12の形成方法の一例における
各工程を示す固体撮像素子10の部分側断面図である。
図7の(A)に示したように、まずカラーフィルター4
の上に、ポリスチレン系樹脂を周知のスピンコート法に
より成膜して樹脂膜40を形成する。つづいて、図7の
(B)に示したように、樹脂膜40の上に、ポジ型フォ
トレジスト42を成膜した後、周知のフォトリソグラフ
ィー法によりパターン化して、各層内マイクロ凸レンズ
134の上方の箇所にのみポジ型フォトレジスト42の
膜を残す。
ターン化したフォトレジスト膜を熱リフローにより適切
に溶融させ、上面を凸面状に整形する。その後、図7の
(D)に示したように、ドライエッチングにより全面エ
ッチバックを行い、樹脂膜40にフォトレジスト膜の形
状を転写して、マイクロレンズ12を得る。
子および本発明の製造方法により作製した固体撮像素子
では、層内マイクロレンズの上面にほぼ一定の膜厚で顔
料を主要構成材料とするカラーフィルターが被着されて
いる。このような構造では、層内マイクロレンズとカラ
ーフィルターとの間に従来のように平坦化層が介在しな
いので、その分、光センサーの上層部の高さを抑えるこ
とができる。そして、カラーフィルターは顔料を主要構
成材料として形成され、従来のように感光剤や硬化剤を
含まないので、薄膜化が可能である。その結果、光セン
サーの上層部の高さを低くすることができ、斜め入射光
を光センサーの受光面に確実に集光させて、斜め入射光
に対しても高い光感度を得ることができる。
断面図である。
素子を示す部分側断面図である。
製造方法にもとづくカラーフィルターの形成工程の一例
を示す部分側断面図である。
発明の固体撮像素子の製造方法にもとづくカラーフィル
ターの形成工程の一例を示す部分側断面図である。
発明の固体撮像素子の製造方法にもとづくカラーフィル
ターの形成工程の一例を示す部分側断面図である。
法の一例における各工程を示す固体撮像素子の部分側断
面図である。
成方法の一例における各工程を示す固体撮像素子の部分
側断面図である。
る。
側断面図である。
部分側断面図である。
凸レンズを設けた従来の固体撮像素子を示す部分断面側
面図である。
平坦化層、10……固体撮像素子、12……マイクロレ
ンズ、14……底部、16……蒸着重合膜、18……ポ
ジ型フォトレジスト層、20……カラーフィルター、2
2……マスキング膜、24……蒸着重合膜、26……ポ
ジ型フォトレジスト層、28……カラーフィルター、3
0……マスキング膜、32……蒸着重合膜、34……ポ
ジ型フォトレジスト層、36……カラーフィルター、3
8……マイクロレンズ材、40……樹脂膜、42……ポ
ジ型フォトレジスト、102……固体撮像素子、104
……光センサー、106……垂直電荷転送レジスター、
108……半導体基板、110……電荷転送路。……層
内マイクロ凸レンズ、136……平坦化層。
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体基板上に配列された複数の光セン
サーと、各光センサーごとに光センサーの上に設けられ
た、凸面状の上面を有する透明材料から成る層内マイク
ロレンズとを含む固体撮像素子であって、 前記層内マイクロレンズの上面にほぼ一定の膜厚で被着
された、顔料を主要構成材料とするカラーフィルターを
含むことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項2】 前記顔料は有機顔料であることを特徴と
する請求項1記載の固体撮像素子。 - 【請求項3】 前記カラーフィルターの膜厚は1μm以
下であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素
子。 - 【請求項4】 前記光センサーごとに設けられ前記カラ
ーフィルターの上に配置された、凸面状の上面を有する
透明材料から成るマイクロレンズを含むことを特徴とす
る請求項1記載の固体撮像素子。 - 【請求項5】 前記マイクロレンズは、その基部がカラ
ーフィルターの頂部より低い位置となるように形成され
ていることを特徴とする請求項4記載の固体撮像素子。 - 【請求項6】 前記マイクロレンズと前記カラーフィル
ターとの間に、上面が平坦な透明材料から成る平坦化層
が介在していることを特徴とする請求項4記載の固体撮
像素子。 - 【請求項7】 半導体基板上に配列された複数の光セン
サーと、各光センサーごとに光センサーの上に設けられ
た、凸面状の上面を有する透明材料から成る層内マイク
ロレンズとを含む固体撮像素子を製造する方法であっ
て、 前記層内マイクロレンズの上面に、顔料をドライ成膜法
により付着させて、ほぼ一定の膜厚のカラーフィルター
を形成する工程を含むことを特徴とする固体撮像素子の
製造方法。 - 【請求項8】 前記ドライ成膜法は、スパッター法、蒸
着法、蒸着重合法、イオンプレーティング法、光化学気
相成長法、ならびにプラズマ重合法のいずれかであるこ
とを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方
法。 - 【請求項9】 前記顔料は有機顔料であることを特徴と
する請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項10】 前記カラーフィルター形成工程では、 第1の色のカラーフィルター材料を前記層内マイクロレ
ンズの上面に付着させて第1の色の前記カラーフィルタ
ーを形成し、 特定の前記層内マイクロレンズ上の第1の色の前記カラ
ーフィルターを選択的に除去し、 露出した前記層内マイクロレンズの上面および第1の色
の前記カラーフィルターの上面上にマスキング膜を形成
し、 前記マスキング膜の上に第2の色のカラーフィルター材
料を付着させて第2の色のカラーフィルターを形成し、 前記マスキング膜をエッチングストッパーとして、前記
第1の色のカラーフィルターの上に形成された前記第2
の色のカラーフィルターを選択的に除去することを特徴
とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項11】 前記カラーフィルター形成工程の後、
前記カラーフィルターの上に平坦化層を形成し、前記平
坦化層の上にレンズ材料による膜を形成し、同膜に対し
前記層内マイクロレンズ上の箇所を残すべくパターン化
を行い、つづいて熱リフローを行って、前記パターン化
したレンズ材料膜の上面を凸面状に整形して各層内マイ
クロレンズごとにマイクロレンズを形成することを特徴
とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項12】 前記カラーフィルター形成工程の後、
前記カラーフィルターの上に、上面が平坦な透明材料か
ら成る樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の上にフォトレジス
ト膜を形成し、同膜に対し前記層内マイクロレンズ上の
箇所を残すべくパターン化を行い、つづいて熱リフロー
を行って、前記パターン化した前記フォトレジスト膜の
上面を凸面状に整形し、その後、前記フォトレジスト膜
および前記樹脂膜をエッチバックして、前記フォトレジ
スト膜の上面形状を前記樹脂膜にパターン転写し、前記
樹脂膜によるマイクロレンズを形成することを特徴とす
る請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
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