[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2002311590A - Radiation sensitive resin composition - Google Patents

Radiation sensitive resin composition

Info

Publication number
JP2002311590A
JP2002311590A JP2001113462A JP2001113462A JP2002311590A JP 2002311590 A JP2002311590 A JP 2002311590A JP 2001113462 A JP2001113462 A JP 2001113462A JP 2001113462 A JP2001113462 A JP 2001113462A JP 2002311590 A JP2002311590 A JP 2002311590A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
embedded image
acid
meth
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001113462A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4839522B2 (en
Inventor
Masashi Yamamoto
將史 山本
Eiko Ishida
英光 石田
Hiroyuki Ishii
寛之 石井
Toru Kajita
徹 梶田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2001113462A priority Critical patent/JP4839522B2/en
Publication of JP2002311590A publication Critical patent/JP2002311590A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4839522B2 publication Critical patent/JP4839522B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation sensitive resin composition for forming a fine line pattern particularly even when the space width of a line-and-space pattern is wide and excellent also in transparency, sensitivity and resolution to radiation. SOLUTION: The radiation sensitive resin composition contains (A) an alkali- insoluble or slightly alkali-soluble resin containing repeating units derived from a compound obtained by substituting a group of formula (1), (2) or (3) (where R<2> , R<4> and R<6> are each H or lower alkyl; X is methylene, -O- or -S-; and (a) is 1-5) for the hydrogen atom of a carboxyl group in (meth)acrylic acid and repeating units derived from 2-methyl-2-adamantyl (meth)acrylate or the like and exhibiting alkali solubility under the action of an acid, (B) a radiation sensitive acid generator and (C) a polycyclic compound having a functional group such as a t-butoxycarbonyl group.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関わり、さらに詳しくは、KrFエキシマレーザ
ー、ArFエキシマレーザーあるいはF2 エキシマレー
ザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線、電
子線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を使用する微細
加工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用する
ことができる感放射線性樹脂組成物に関する。
The present invention relates to the involvement in the radiation-sensitive resin composition, more particularly, KrF excimer laser, deep UV such as ArF excimer laser or F 2 excimer laser, X-rays such as synchrotron radiation, electron The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition that can be suitably used as a chemically amplified resist useful for fine processing using various radiations such as charged particle beams such as radiation.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では0.20μm以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。しかし、従来
のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてi
線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線で
は、サブクオーターミクロンレベルの微細加工が極めて
困難であると言われている。そこで、0.20μm以下
のレベルでの微細加工を可能とするために、より波長の
短い放射線の利用が検討されている。このような短波長
の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、
エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、電子線
等を挙げることができるが、これらのうち、特にKrF
エキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマ
レーザー(波長193nm)あるいはF2 エキシマレー
ザー(波長157nm)が注目されている。このような
エキシマレーザーによる照射に適したレジストとして、
酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射(以下、
「露光」という。)により酸を発生する成分(以下、
「感放射線性酸発生剤」という。)とによる化学増幅効
果を利用したレジスト(以下、「化学増幅型レジスト」
という。)が数多く提案されている。化学増幅型レジス
トとしては、例えば、特公平2−27660号公報に
は、カルボン酸のt−ブチルエステル基またはフェノー
ルのt−ブチルカーボナート基を有する重合体と感放射
線性酸発生剤とを含有するレジストが提案されている。
このレジストは、露光により発生した酸の作用により、
重合体中に存在するt−ブチルエステル基あるいはt−
ブチルカーボナート基が解離して、該重合体がカルボキ
シル基あるいはフェノール性水酸基からなる酸性官能基
を有するようになり、その結果、レジスト被膜の露光領
域がアルカリ現像液に易溶性となる現象を利用したもの
である。
2. Description of the Related Art In the field of microfabrication represented by the manufacture of integrated circuit elements, lithography technology capable of microfabrication at a level of 0.20 μm or less has recently been required in order to obtain a higher degree of integration. Have been. However, in conventional lithography processes, i.
Near-ultraviolet rays such as lines are used, but it is said that it is extremely difficult to perform sub-quarter micron level fine processing with such near-ultraviolet rays. Therefore, in order to enable fine processing at a level of 0.20 μm or less, utilization of radiation having a shorter wavelength is being studied. As such short-wavelength radiation, for example, the emission line spectrum of a mercury lamp,
Examples include far ultraviolet rays represented by excimer lasers, X-rays, and electron beams. Of these, KrF
An excimer laser (wavelength: 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) or an F 2 excimer laser (wavelength: 157 nm) has been receiving attention. As a resist suitable for such excimer laser irradiation,
Irradiation with a component having an acid dissociable functional group and radiation (hereinafter, referred to as
This is called "exposure". ) To generate an acid (hereinafter, referred to as
It is referred to as "radiation-sensitive acid generator". (Hereinafter referred to as “chemically amplified resist”).
That. ) Have been proposed. As a chemically amplified resist, for example, Japanese Patent Publication No. 27660/1990 contains a polymer having a t-butyl ester group of carboxylic acid or a t-butyl carbonate group of phenol and a radiation-sensitive acid generator. Resists have been proposed.
This resist, by the action of the acid generated by exposure,
T-butyl ester group or t-butyl ester present in the polymer
Utilizing the phenomenon that the butyl carbonate group is dissociated and the polymer has an acidic functional group consisting of a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group. It was done.

【0003】ところで、従来の化学増幅型レジストの多
くは、フェノール系樹脂をベースにするものであるが、
このような樹脂の場合、放射線として遠紫外線を使用す
ると、樹脂中の芳香族環に起因して遠紫外線が吸収され
るため、露光された遠紫外線がレジスト被膜の下層部ま
で十分に到達できないという欠点があり、そのため露光
量がレジスト被膜の上層部では多く、下層部では少なく
なり、現像後のレジストパターンが上部が細く下部にい
くほど太い台形状になってしまい、十分な解像度が得ら
れないなどの問題があった。その上、現像後のレジスト
パターンが台形状となった場合、次の工程、即ちエッチ
ングやイオンの打ち込みなどを行う際に、所望の寸法精
度が達成できず、問題となっていた。しかも、レジスト
パターン上部の形状が矩形でないと、ドライエッチング
によるレジストの消失速度が速くなってしまい、エッチ
ング条件の制御が困難になる問題もあった。一方、レジ
ストパターンの形状は、レジスト被膜の放射線透過率を
高めることにより改善することができる。例えば、ポリ
メチルメタクリレートに代表される(メタ)アクリレー
ト系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高く、放射線
透過率の観点から非常に好ましい樹脂であり、例えば特
開平4−226461号公報には、メタクリレート系樹
脂を使用した化学増幅型レジストが提案されている。し
かしながら、この組成物は、微細加工性能の点では優れ
ているものの、芳香族環をもたないため、ドライエッチ
ング耐性が低いという欠点があり、この場合も高精度の
エッチング加工を行うことが困難であり、放射線に対す
る透明性とドライエッチング耐性とを兼ね備えたものと
は言えない。
[0003] By the way, most of the conventional chemically amplified resists are based on phenolic resins,
In the case of such a resin, when far-ultraviolet rays are used as the radiation, the far-ultraviolet rays are absorbed due to the aromatic ring in the resin, so that the exposed far-ultraviolet rays cannot sufficiently reach the lower layer of the resist film. There is a drawback, so the exposure amount is large in the upper layer part of the resist film, it decreases in the lower layer part, and the resist pattern after development becomes a trapezoidal shape as the upper part becomes thinner and goes to the lower part, and sufficient resolution can not be obtained There was such a problem. In addition, when the resist pattern after development has a trapezoidal shape, desired dimensional accuracy cannot be achieved in the next step, ie, etching or ion implantation, which has been a problem. In addition, if the shape of the upper part of the resist pattern is not rectangular, the rate of disappearance of the resist by dry etching is increased, and there is a problem that it is difficult to control the etching conditions. On the other hand, the shape of the resist pattern can be improved by increasing the radiation transmittance of the resist film. For example, a (meth) acrylate resin represented by polymethyl methacrylate has high transparency even with far ultraviolet rays and is a very preferable resin from the viewpoint of radiation transmittance. Has proposed a chemically amplified resist using a methacrylate resin. However, although this composition is excellent in terms of fine processing performance, it has no aromatic ring and thus has a drawback that dry etching resistance is low, and in this case also, it is difficult to perform high-precision etching processing. Therefore, it cannot be said that the film has both transparency to radiation and dry etching resistance.

【0004】また、化学増幅型レジストについて、放射
線に対する透明性を損なわないで、ドライエッチング耐
性を改善する方策の一つとして、レジスト中の樹脂成分
に、芳香族環に代えて脂肪族環を導入する方法が知られ
ており、例えば特開平7−234511号公報には、脂
肪族環を有する(メタ)アクリレート系樹脂を使用した
化学増幅型レジストが提案されている。しかしながら、
このレジストでは、樹脂成分が有する酸解離性官能基と
して、従来の酸により比較的解離し易い基(例えば、テ
トラヒドロピラニル基等のアセタール系官能基)や酸に
より比較的解離し難い基(例えば、t−ブチルエステル
基、t−ブチルカーボネート基等のt−ブチル系官能
基)が用いられており、前者の酸解離性官能基を有する
樹脂成分の場合、レジストの基本物性、特に感度やパタ
ーン形状は良好であるが、組成物としての保存安定性に
難点があり、また後者の酸解離性官能基を有する樹脂成
分では、逆に保存安定性は良好であるが、レジストの基
本物性、特に感度やパターン形状が損なわれるという欠
点がある。さらに、このレジスト中の樹脂成分には脂肪
族環が導入されているため、樹脂自体の疎水性が非常に
高くなり、基板に対する接着性の面でも問題があった。
また、化学増幅型レジストを用いてレジストパターンを
形成する際には、酸解離性官能基の解離を促進するた
め、通常露光後に加熱処理されるが、普通、その加熱温
度が変化するとレジストパターンの線幅もある程度変動
するのが避けられない。しかし、近年における集積回路
素子の微細化を反映して、露光後の加熱温度の変化に対
しても線幅の変動(即ち温度依存性)が小さいレジスト
の開発も強く求められるようになってきた。
As one of measures to improve dry etching resistance of a chemically amplified resist without impairing transparency to radiation, an aliphatic ring is introduced into the resin component of the resist instead of an aromatic ring. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-234511 proposes a chemically amplified resist using a (meth) acrylate resin having an aliphatic ring. However,
In this resist, as the acid dissociable functional group of the resin component, a group that is relatively easily dissociated by a conventional acid (for example, an acetal-based functional group such as a tetrahydropyranyl group) or a group that is relatively hard to be dissociated by an acid (for example, , A t-butyl-based functional group such as a t-butyl ester group or a t-butyl carbonate group). In the case of the former resin component having an acid-dissociable functional group, the basic physical properties of the resist, particularly the sensitivity and pattern Although the shape is good, there is a problem in storage stability as a composition, and in the latter resin component having an acid dissociable functional group, on the contrary, storage stability is good, but the basic physical properties of the resist, especially There is a disadvantage that sensitivity and pattern shape are impaired. Furthermore, since an aliphatic ring is introduced into the resin component in the resist, the hydrophobicity of the resin itself is extremely high, and there is a problem in the adhesiveness to the substrate.
In addition, when a resist pattern is formed using a chemically amplified resist, a heat treatment is usually performed after exposure to promote the dissociation of an acid dissociable functional group. It is inevitable that the line width also fluctuates to some extent. However, reflecting the recent miniaturization of integrated circuit elements, there has been a strong demand for the development of a resist having a small line width variation (that is, temperature dependency) even with a change in heating temperature after exposure. .

【0005】さらに、化学増幅型感放射線性組成物のレ
ジストとしての特性を改良する方策の一つとして、高分
子あるいは低分子の添加剤を配合した3成分以上の多成
分系組成物が多数提案されており、例えば特開平7−2
34511号公報には、親水性基を有する樹脂として、
p−ヒドロキシスチレンと(メタ)アクリル酸テトラヒ
ドロピラニルや(メタ)アクリル酸t−ブチルとの共重
合体、p−ヒドロキシスチレンとp−テトラヒドロピラ
ニルオキシカルボニルオキシスチレンやp−t−ブトキ
シカルボニルオキシスチレンとの共重合体等のp−ヒド
ロキシスチレン共重合体を含有するレジストに、疎水性
化合物として3−アダマンタンカルボン酸t−ブチルを
配合することにより、露光から露光後の加熱処理までの
引き置き時間による影響が少なくなり、あるいは疎水性
の強い基を含むレジストの場合にも安定したパターニン
グが可能となることが開示されている。しかしながら、
特開平7−234511号公報のものを含む従来の多成
分系化学増幅型感放射線性組成物では、特に、ライン・
アンド・スペースパターンの疎密度によるラインパター
ンの線幅の変動が大きく、レジストとしての性能面で未
だ満足できない。このような状況の下、集積回路素子に
おける微細化の進行と利用分野の拡大に対応しうる技術
開発の観点から、遠紫外線に代表される短波長の放射線
に適応可能で、特に、ライン・アンド・スペースパター
ンの疎密度によるラインパターンの線幅の変動が小さ
く、かつ放射線に対する透明性、感度、解像度等にも優
れた新たな化学増幅型レジストの開発が強く求められて
いる。
[0005] Further, as one of measures for improving the characteristics of the chemically amplified radiation-sensitive composition as a resist, a large number of multi-component compositions of three or more components in which a high-molecular or low-molecular additive is blended have been proposed. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-2
No. 34511 discloses a resin having a hydrophilic group,
Copolymers of p-hydroxystyrene and tetrahydropyranyl (meth) acrylate or t-butyl (meth) acrylate, p-hydroxystyrene and p-tetrahydropyranyloxycarbonyloxystyrene or pt-butoxycarbonyloxy By blending t-butyl 3-adamantanecarboxylate as a hydrophobic compound into a resist containing a p-hydroxystyrene copolymer such as a copolymer with styrene, the process from exposure to heat treatment after exposure is delayed. It is disclosed that the influence of time is reduced, or that stable patterning is possible even in the case of a resist containing a group having strong hydrophobicity. However,
In conventional multi-component chemically amplified radiation-sensitive compositions, including those disclosed in JP-A-7-234511, particularly,
Variations in the line width of the line pattern due to the sparse density of the and space pattern are large, and the performance as a resist is still unsatisfactory. Under these circumstances, from the viewpoint of technology development that can cope with the progress of miniaturization and expansion of application fields in integrated circuit elements, it is applicable to short-wavelength radiation represented by far ultraviolet rays, There is a strong demand for the development of a new chemically amplified resist that has a small variation in the line width of the line pattern due to the sparseness of the space pattern and has excellent transparency, sensitivity, resolution, and the like to radiation.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、特
に、ライン・アンド・スペースパターンのスペース幅が
広い場合にも、微細なラインパターンを形成でき、しか
も放射線に対する透明性、感度、解像度等にも優れた化
学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to form a fine line pattern even when the space width of the line and space pattern is wide, and to further improve the transparency, sensitivity, resolution and the like with respect to radiation. Another object of the present invention is to provide a radiation-sensitive resin composition which is useful as a chemically amplified resist excellent in heat resistance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、(A)下記一般式(1)に示す繰り返し単位(I
−1)、繰返し単位(I−2)および繰返し単位(I−
3)の群から選ばれる少なくとも1種の繰返し単位と、
下記一般式(2)に示す繰返し単位(II)とを含有し、
酸の作用によりアルカリ可溶性を示すアルカリ不溶性ま
たはアルカリ難溶性の樹脂、(B)感放射線性酸発生
剤、並びに(C)式−COOR9 〔式中、R9 は水素原
子、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖状もし
くは分岐状のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数
3〜20の1価の脂環式炭化水素基または−CH2 CO
OR10(但し、R10は水素原子、置換もしくは非置換の
炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基ま
たは置換もしくは非置換の炭素数3〜20の1価の脂環
式炭化水素基である。)を示す。〕で表される基を有す
る分子量1,000以下の多環式化合物を含有すること
を特徴とする感放射線性樹脂組成物
According to the present invention, the object is to provide (A) a repeating unit (I) represented by the following general formula (1):
-1), the repeating unit (I-2) and the repeating unit (I-
At least one type of repeating unit selected from the group of 3),
A repeating unit (II) represented by the following general formula (2),
An alkali-insoluble or alkali-insoluble resin showing alkali solubility by the action of an acid, (B) a radiation-sensitive acid generator, and (C) a compound of the formula -COOR 9 wherein R 9 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 substituted or unsubstituted C3-20 monovalent alicyclic hydrocarbon group or -CH 2 CO
OR 10 (where R 10 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted monovalent alicyclic carbon having 3 to 20 carbon atoms) A hydrogen group). A radiation-sensitive resin composition comprising a polycyclic compound having a group represented by the formula and having a molecular weight of 1,000 or less.

【0008】[0008]

【化3】 〔一般式(1)において、R1 、R3 およびR5 は相互
に独立に水素原子またはメチル基を示し、R2 、R4
よびR6 は相互に独立に水素原子または炭素数1〜4の
直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、Xはメチレ
ン基、酸素原子または硫黄原子を示し、aは1〜5の整
数である。〕
Embedded image [In the general formula (1), R 1 , R 3 and R 5 independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 , R 4 and R 6 independently represent a hydrogen atom or a carbon number of 1 to 4 X represents a methylene group, an oxygen atom or a sulfur atom, and a is an integer of 1 to 5. ]

【0009】[0009]

【化4】 Embedded image

【0010】〔一般式(2)において、R7 は水素原子
またはメチル基を示し、各R8 は相互に独立に炭素数4
〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体、
または炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基を示し、且つR8 の少なくとも1つが該脂環式炭化水
素基もしくはその誘導体であるか、あるいは何れか2つ
のR8 が相互の結合して、それぞれが結合している炭素
原子と共に炭素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基も
しくはその誘導体を形成して、残りのR8 が炭素数1〜
4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数4
〜20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体で
ある。〕によって達成される。
[In the general formula (2), R 7 represents a hydrogen atom or a methyl group, and each R 8 independently has 4 carbon atoms.
To 20 monovalent alicyclic hydrocarbon groups or derivatives thereof,
Or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and at least one or a alicyclic hydrocarbon group or a derivative thereof or any two of R 8, the R 8 are mutually Bond to form a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof together with the carbon atoms to which each is bonded, and the remaining R 8 has 1 to 1 carbon atoms
4 linear or branched alkyl group or 4 carbon atoms
To 20 monovalent alicyclic hydrocarbon groups or derivatives thereof. ] Is achieved.

【0011】以下、本発明について詳細に説明する。樹脂(A) 本発明における(A)成分は、前記一般式(1)に示す
繰り返し単位(I−1)、繰返し単位(I−2)および
繰返し単位(I−3)の群から選ばれる少なくとも1種
の繰返し単位と、前記一般式(2)に示す繰返し単位
(II)とを含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性を示
すアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂(以下、
「樹脂(A)」という。)からなる。ここでいう「アル
カリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、樹脂(A)を
含有する感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト
被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるア
ルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに樹脂
(A)のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の
初期膜厚の50%以上が現像後に残存する性質を意味す
る。
Hereinafter, the present invention will be described in detail. At least component (A) in the resin (A) The present invention, repeating units shown by the general formula (1) (I-1) , selected from the group consisting of repeating units (I-2) and the repeating units (I-3) An alkali-insoluble or alkali-insoluble resin (hereinafter, referred to as an alkali-soluble resin) containing one type of repeating unit and the repeating unit (II) represented by the general formula (2) and showing alkali solubility by the action of an acid.
It is called “resin (A)”. ). The term “alkali-insoluble or poorly alkali-soluble” as used herein refers to an alkali developing condition employed when a resist pattern is formed from a resist film formed from a radiation-sensitive resin composition containing the resin (A). When a film using only the resin (A) instead of the resist film is developed, 50% or more of the initial film thickness of the film remains after development.

【0012】繰返し単位(I−1)および繰返し単位
(I−2)において、各繰返し単位の主鎖炭素原子に結
合しているカルボニルオキシ基は、環中のラクトン基を
形成している炭素原子および基R2 あるいは基R4 が結
合している炭素原子以外の任意の炭素原子の位置で結合
することができるが、好ましい結合位置は、それぞれ下
記式(3−1)あるいは下記式(3−2)に示す位置で
ある。
In the repeating unit (I-1) and the repeating unit (I-2), the carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom of each repeating unit is a carbon atom forming a lactone group in the ring. And any of the carbon atoms other than the carbon atom to which the group R 2 or the group R 4 is bonded, and the preferred bonding position is the following formula (3-1) or the following formula (3- This is the position shown in 2).

【0013】また、繰返し単位(I−3)において、該
繰返し単位の主鎖炭素原子に結合しているカルボニルオ
キシ基は、ラクトン基を形成している炭素原子および基
6が結合している炭素原子以外の任意の炭素原子の位
置で結合することができるが、好ましい結合位置は、下
記式(3−3)に示す位置(即ち、ラクトン基中のカル
ボニル基に対してα−位)または式(3−4)に示す位
置(即ち、ラクトン基中のカルボニル基に対してβ−
位)である。
In the repeating unit (I-3), the carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom of the repeating unit is bonded to the carbon atom forming the lactone group and the group R 6 . It is possible to bond at any carbon atom position other than the carbon atom, but a preferred bonding position is a position shown in the following formula (3-3) (that is, an α-position with respect to the carbonyl group in the lactone group) or The position shown in the formula (3-4) (that is, β-
Rank).

【0014】[0014]

【化5】 Embedded image

【0015】また、繰返し単位(I−1)、繰返し単位
(I−2)および繰返し単位(I−3)において、基R
2 、基R4 および基R6 は、各繰返し単位中のカルボニ
ルオキシ基が結合している炭素原子およびラクトン基を
形成している炭素原子以外の任意の炭素原子の位置で結
合することができる。R2 、R4 およびR6 の炭素数1
〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、例
えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロ
ピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メ
チルプロピル基、t−ブチル基等を挙げることができ
る。これらのアルキル基のうち、メチル基が好ましい。
また、繰返し単位(I−3)におけるaとしては、1ま
たは2が好ましい。
In the repeating unit (I-1), the repeating unit (I-2) and the repeating unit (I-3), a group R
2 , the group R 4 and the group R 6 can be bonded at any carbon atom other than the carbon atom to which the carbonyloxy group is bonded and the carbon atom forming the lactone group in each repeating unit. . R 2 , R 4 and R 6 have 1 carbon atom
Examples of the straight-chain or branched alkyl group of to 4 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylpropyl group, A t-butyl group and the like can be mentioned. Of these alkyl groups, a methyl group is preferred.
Further, a in the repeating unit (I-3) is preferably 1 or 2.

【0016】好ましい繰返し単位(I−1)としては、
例えば、R2 が水素原子であり、主鎖炭素原子に結合し
ているカルボニルオキシ基が前記式(3−1)に示す位
置に結合しており、R1 が水素原子であるアクリル系繰
返し単位;R2 が水素原子であり、主鎖炭素原子に結合
しているカルボニルオキシ基が前記式(3−1)に示す
位置に結合しており、R1 がメチル基であるメタクリル
系繰返し単位;R2 がメチル基であり、主鎖炭素原子に
結合しているカルボニルオキシ基が前記式(3−1)に
示す位置に結合しており、R1 が水素原子であるアクリ
ル系繰返し単位;R2 がメチル基であり、主鎖炭素原子
に結合しているカルボニルオキシ基が前記式(3−1)
に示す位置に結合しており、R1 がメチル基であるメタ
クリル系繰返し単位等を挙げることができる。
Preferred repeating units (I-1) include:
For example, an acrylic repeating unit in which R 2 is a hydrogen atom, a carbonyloxy group bonded to a main chain carbon atom is bonded at the position shown in the above formula (3-1), and R 1 is a hydrogen atom A methacrylic repeating unit wherein R 2 is a hydrogen atom, a carbonyloxy group bonded to a main chain carbon atom is bonded at the position shown in the above formula (3-1), and R 1 is a methyl group; An acrylic repeating unit in which R 2 is a methyl group, a carbonyloxy group bonded to a main chain carbon atom is bonded at the position shown in the above formula (3-1), and R 1 is a hydrogen atom; 2 is a methyl group, and the carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom is represented by the above formula (3-1)
And a methacrylic repeating unit in which R 1 is a methyl group.

【0017】また、好ましい繰返し単位(I−2)とし
ては、例えば、R4 が水素原子であり、主鎖炭素原子に
結合しているカルボニルオキシ基が前記式(3−2)に
示す位置に結合しており、R3 が水素原子であるアクリ
ル系繰返し単位;R4 が水素原子であり、主鎖炭素原子
に結合しているカルボニルオキシ基が前記式(3−2)
に示す位置に結合しており、R3 がメチル基であるメタ
クリル系繰返し単位;R4 がメチル基であり、主鎖炭素
原子に結合しているカルボニルオキシ基が前記式(3−
2)に示す位置に結合しており、R3 が水素原子である
アクリル系繰返し単位;R4 がメチル基であり、主鎖炭
素原子に結合しているカルボニルオキシ基が前記式(3
−2)に示す位置に結合しており、R3 がメチル基であ
るメタクリル系繰返し単位等を挙げることができる。
[0017] Preferred repeating units (I-2), for example, R 4 is a hydrogen atom, a position carbonyl group attached to the main chain carbon atoms is shown in the equation (3-2) An acrylic repeating unit wherein R 3 is a hydrogen atom; R 4 is a hydrogen atom and the carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom is represented by the formula (3-2)
A methacrylic repeating unit wherein R 3 is a methyl group; R 4 is a methyl group and the carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom is represented by the formula (3-
An acrylic repeating unit bonded to the position shown in 2), wherein R 3 is a hydrogen atom; R 4 is a methyl group, and the carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom is represented by the formula (3)
And a methacrylic repeating unit in which R 3 is a methyl group bonded to the position shown in -2).

【0018】また、好ましい繰返し単位(I−3)とし
ては、例えば、R6 が水素原子であり、主鎖炭素原子に
結合しているカルボニルオキシ基が前記式(3−3)ま
たは式(3−4)に示す位置に結合しており、R5 が水
素原子であるアクリル系繰返し単位;R6 が水素原子で
あり、主鎖炭素原子に結合しているカルボニルオキシ基
が前記式(3−3)または式(3−4)に示す位置に結
合しており、R5 がメチル基であるメタクリル系繰返し
単位;R6 がメチル基であり、主鎖炭素原子に結合して
いるカルボニルオキシ基が前記式(3−3)または式
(3−4)に示す位置に結合しており、R5 が水素原子
であるアクリル系繰返し単位;R6 がメチル基であり、
主鎖炭素原子に結合しているカルボニルオキシ基が前記
式(3−3)または式(3−4)に示す位置に結合して
おり、R6 がメチル基であるメタクリル系繰返し単位等
を挙げることができる。
Further, as a preferred repeating unit (I-3), for example, R 6 is a hydrogen atom, and a carbonyloxy group bonded to a main chain carbon atom is represented by the above formula (3-3) or (3-3). -4) an acrylic repeating unit wherein R 5 is a hydrogen atom; R 6 is a hydrogen atom and the carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom is represented by the formula (3- 3) or a methacrylic repeating unit bonded to the position shown in formula (3-4), wherein R 5 is a methyl group; a carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom, wherein R 6 is a methyl group Is bonded to the position shown in the formula (3-3) or the formula (3-4), and an acrylic repeating unit in which R 5 is a hydrogen atom; R 6 is a methyl group;
The carbonyloxy group bonded to the main chain carbon atom is bonded to the position shown in the above formula (3-3) or (3-4), and a methacrylic repeating unit in which R 6 is a methyl group. be able to.

【0019】本発明において、繰返し単位(I−1)、
繰返し単位(I−2)および繰返し単位(I−3)のう
ち、繰返し単位(I−1)および繰返し単位(I−2)
が好ましく、特に好ましくは繰返し単位(I−1)であ
る。樹脂(A)において、繰返し単位(I−1)、繰返
し単位(I−2)および繰返し単位(I−3)は、それ
ぞれ単独でまたは2種以上が存在することができる。繰
返し単位(I−1)、繰返し単位(I−2)および繰返
し単位(I−3)は、それぞれ対応する(メタ)アクリ
ル酸エステルに由来する繰返し単位である。
In the present invention, the repeating unit (I-1)
Among the repeating unit (I-2) and the repeating unit (I-3), the repeating unit (I-1) and the repeating unit (I-2)
And particularly preferably a repeating unit (I-1). In the resin (A), the repeating unit (I-1), the repeating unit (I-2) and the repeating unit (I-3) may be present alone or in combination of two or more. The repeating unit (I-1), the repeating unit (I-2) and the repeating unit (I-3) are each a repeating unit derived from a corresponding (meth) acrylate.

【0020】次に、繰返し単位(II)において、R8
炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基、および何れ
か2つのR8 が相互に結合して形成した炭素数4〜20
の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、ノルボル
ナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダ
マンタンや、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘ
キサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロア
ルカン類等に由来する脂環族環からなる基;これらの脂
環族環からなる基を、例えば、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メ
チルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基
等の炭素数1〜4の直鎖状、分岐状または環状のアルキ
ル基の1種以上あるいは1個以上で置換した基等を挙げ
ることができる。これらの1価または2価の脂環式炭化
水素基のうち、ノルボルナン、トリシクロデカン、テト
ラシクロドデカンまたはアダマンタンに由来する脂環族
環からなる基や、これらの脂環族環からなる基を前記ア
ルキル基で置換した基等が好ましい。
Next, in the repeating unit (II), carbon monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms and any two of R 8, is formed by combining mutually R 8 4 ~ 20
Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group include oils derived from cycloalkanes such as norbornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, and adamantane, and cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane. A group consisting of an alicyclic ring; a group consisting of these alicyclic rings is, for example, a methyl group, an ethyl group,
Linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms such as -propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group, etc. One or more kinds or groups substituted by one or more kinds can be mentioned. Among these monovalent or divalent alicyclic hydrocarbon groups, a group consisting of an alicyclic ring derived from norbornane, tricyclodecane, tetracyclododecane or adamantane, or a group consisting of these alicyclic rings A group substituted with the alkyl group is preferable.

【0021】また、前記1価または2価の脂環式炭化水
素基の誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基;カル
ボキシル基;オキソ基(即ち、=O基);ヒドロキシメ
チル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチ
ル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロ
ピル基、3−ヒドロキシプロピル基、1−ヒドロキシブ
チル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチ
ル基、4−ヒドロキシブチル基等の炭素数1〜4のヒド
ロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロ
ポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メ
チルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブト
キシ基等の炭素数1〜4のアルコキシル基;シアノ基;
シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロ
ピル基、4−シアノブチル基等の炭素数2〜5のシアノ
アルキル基等の置換基を1種以上あるいは1個以上有す
る基を挙げることができる。これらの置換基のうち、ヒ
ドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル基、
シアノ基、シアノメチル基等が好ましい。
The monovalent or divalent alicyclic hydrocarbon group derivatives include, for example, a hydroxyl group; a carboxyl group; an oxo group (ie, = O group); a hydroxymethyl group, a 1-hydroxyethyl group. , 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group, etc. A hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms; carbon such as methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group, etc. An alkoxyl group of formulas 1 to 4; a cyano group;
Examples thereof include groups having one or more substituents such as a cyanoalkyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a cyanomethyl group, a 2-cyanoethyl group, a 3-cyanopropyl group, and a 4-cyanobutyl group. Among these substituents, a hydroxyl group, a carboxyl group, a hydroxymethyl group,
Preferred are a cyano group, a cyanomethyl group and the like.

【0022】また、R8 の炭素数1〜4の直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル
基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t
−ブチル基等を挙げることができる。これらのアルキル
基のうち、特に、メチル基、エチル基等が好ましい。
Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms for R 8 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, -Methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t
- and butyl group. Among these alkyl groups, a methyl group, an ethyl group and the like are particularly preferable.

【0023】繰返し単位(II)における基−COOC
(R8)3 は、酸の作用により解離してカルボキシル基を
形成する酸解離性基をなしている。以下では、この基を
酸解離性基(i)という。好ましい酸解離性基(i)の
具体例としては、t−ブトキシカルボニル基や、下記式
(i-1) 〜(i-49)の基等を挙げることができる。
The group —COOC in the repeating unit (II)
(R 8 ) 3 is an acid dissociable group that dissociates by the action of an acid to form a carboxyl group. Hereinafter, this group is referred to as an acid dissociable group (i). Specific examples of preferred acid dissociable groups (i) include a t-butoxycarbonyl group and groups represented by the following formulas (i-1) to (i-49).

【0024】[0024]

【化6】 Embedded image

【0025】[0025]

【化7】 Embedded image

【0026】[0026]

【化8】 Embedded image

【0027】[0027]

【化9】 Embedded image

【0028】[0028]

【化10】 Embedded image

【0029】[0029]

【化11】 Embedded image

【0030】[0030]

【化12】 Embedded image

【0031】[0031]

【化13】 Embedded image

【0032】[0032]

【化14】 Embedded image

【0033】[0033]

【化15】 Embedded image

【0034】[0034]

【化16】 Embedded image

【0035】[0035]

【化17】 Embedded image

【0036】[0036]

【化18】 Embedded image

【0037】[0037]

【化19】 Embedded image

【0038】[0038]

【化20】 Embedded image

【0039】[0039]

【化21】 Embedded image

【0040】これらの酸解離性基(i)のうち、t−ブ
トキシカルボニル基や、式(i-1)、式(i-2) 、式
(i-10)、式(i-11)、式(i-13)、式(i-14)、式
(i-16)、式(i-17)、式(i-34)、式(i-35)、式
(i-40)、式(i-41)、式(i-48)または式(i-49)の
基等が好ましい。樹脂(A)において、繰返し単位(I
I)は、単独でまたは2種以上が存在することができ
る。繰返し単位(II)は、対応する(メタ)アクリル酸
エステルに由来する繰返し単位である。
Of these acid dissociable groups (i), t-butoxycarbonyl group, formula (i-1), formula (i-2), formula (i-10), formula (i-11), Formula (i-13), Formula (i-14), Formula (i-16), Formula (i-17), Formula (i-34), Formula (i-35), Formula (i-40), Formula A group represented by the formula (i-41), the formula (i-48) or the formula (i-49) is preferable. In the resin (A), the repeating unit (I
I) may be present alone or in combination of two or more. The repeating unit (II) is a repeating unit derived from the corresponding (meth) acrylate.

【0041】樹脂(A)は、繰返し単位(I−1)、繰
返し単位(I−2)、繰返し単位(I−3)および繰返
し単位(II)以外の繰返し単位(以下、「他の繰返し単
位」という。)を1種以上有することができる。他の繰
返し単位を与える重合性不飽和単量体としては、例え
ば、(メタ)アクリル酸ノルボルニル、(メタ)アクリ
ル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸トリシクロデカ
ニル、(メタ)アクリル酸テトラシクロデカニル、(メ
タ)アクリル酸ジシクロペンテニル、(メタ)アクリル
酸アダマンチル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシア
ダマンチル、(メタ)アクリル酸アダマンチルメチル等
の有橋式炭化水素骨格を有する(メタ)アクリル酸エス
テル類;(メタ)アクリル酸カルボキシノルボルニル、
(メタ)アクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、
(メタ)アクリル酸カルボキシテトラシクロデカニル等
の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格を有するカル
ボキシル基含有エステル類;
The resin (A) comprises a repeating unit other than the repeating unit (I-1), the repeating unit (I-2), the repeating unit (I-3) and the repeating unit (II) (hereinafter referred to as "another repeating unit"). "). Examples of the polymerizable unsaturated monomer that provides another repeating unit include, for example, norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, and tetracyclodecane (meth) acrylate. (Meth) acrylic acid having a bridged hydrocarbon skeleton such as benzyl, dicyclopentenyl (meth) acrylate, adamantyl (meth) acrylate, 3-hydroxyadamantyl (meth) acrylate, or adamantylmethyl (meth) acrylate Esters; carboxynorbornyl (meth) acrylate,
Carboxytricyclodecanyl (meth) acrylate,
Carboxyl group-containing esters having a bridged hydrocarbon skeleton of an unsaturated carboxylic acid such as carboxytetracyclodecanyl (meth) acrylate;

【0042】ノルボルネン(即ち、ビシクロ[ 2.2.
1] ヘプト−2−エン)、5−メチルビシクロ[ 2.
2.1 ]ヘプト−2−エン、5−エチルビシクロ[ 2.
2.1 ]ヘプト−2−エン、5−n−プロピルビシクロ
[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エン、5−n−ブチルビシ
クロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エン、5−n−ペンチ
ルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エン、5−n−
ヘキシルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エン、5
−ヒドロキシビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エ
ン、5−ヒドロキシメチルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプ
ト−2−エン、テトラシクロ [4.4.0.12,5 .1
7,10 ]ドデカ−3−エン、8−メチルテトラシクロ
[4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8
−エチルテトラシクロ [4.4.0.12,5 .17,10 ]
ドデカ−3−エン、8−n−プロピルテトラシクロ
[4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8
−n−ブチルテトラシクロ [4.4.0.12,5 .1
7,10 ]ドデカ−3−エン、8−n−ペンチルテトラシク
ロ [4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−n−ヘキシルテトラシクロ [4.4.0.12,5
7,10 ]ドデカ−3−エン、8−ヒドロキシテトラシク
ロ [4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−ヒドロキシメチルテトラシクロ [4.4.0.1
2,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
Norbornene (ie, bicyclo [2.2.
1] hept-2-ene), 5-methylbicyclo [2.
2.1] Hept-2-ene, 5-ethylbicyclo [2.
2.1] Hept-2-ene, 5-n-propylbicyclo
[2.2.1] Hept-2-ene, 5-n-butylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-n-pentylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene , 5-n-
Hexylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5
-Hydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxymethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1
7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyltetracyclo
[4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8
-Ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ]
Dodeca-3-ene, 8-n-propyltetracyclo
[4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8
-N-butyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1
7,10 ] dodeca-3-ene, 8-n-pentyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-n-hexyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 .
1 7,10 ] dodeca-3-ene, 8-hydroxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-hydroxymethyltetracyclo [4.4.0.1
2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,

【0043】8−フルオロテトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8−フルオロメチ
ルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ
−3−エン、8−ジフルオロメチルテトラシクロ[ 4.
4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8−トリ
フルオロメチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .1
7,10 ]ドデカ−3−エン、8−ペンタフルオロエチルテ
トラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3
−エン、8,8−ジフルオロテトラシクロ[ 4.4.
0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8,9−ジフ
ルオロテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ド
デカ−3−エン、8,8−ビス(トリフルオロメチル)
テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−
3−エン、8,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラ
シクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エ
ン、8−メチル−8−トリフルオロメチルテトラシクロ
[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8-fluorotetracyclo [4.4.0.
12.5 . 1 7,10] dodeca-3-ene, 8-fluoromethyl-tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. [ 17,10 ] dodec-3-ene, 8-difluoromethyltetracyclo [4.
4.0.1 2,5 . 1 7,10] dodeca-3-ene, 8-trifluoromethyl-tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. 1
7,10 ] dodeca-3-ene, 8-pentafluoroethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] Dodeca-3
-Ene, 8,8-difluorotetracyclo [4.4.
0.1 2,5 . 1 7,10] dodeca-3-ene, 8,9-difluoro-tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,8-bis (trifluoromethyl)
Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] Dodeca
3-ene, 8,9-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-trifluoromethyltetracyclo
[4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,

【0044】8,8,9−トリフルオロテトラシクロ[
4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8,
8,9−トリス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[
4.4.0.12,5.17,10 ]ドデカ−3−エン、8,
8,9,9−テトラフルオロテトラシクロ[ 4.4.
0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8,8,9,
9−テトラキス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[
4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8,
8−ジフルオロ−9,9−ビス(トリフルオロメチル)
テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−
3−エン、8,9−ジフルオロ−8,9−ビス(トリフ
ルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .1
7,10 ]ドデカ−3−エン、8,8,9−トリフルオロ−
9−トリフルオロメチルテトラシクロ[ 4.4.0.1
2,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8,8,9−トリフ
ルオロ−9−トリフルオロメトキシテトラシクロ[ 4.
4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9-trifluorotetracyclo [
4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,
8,9-tris (trifluoromethyl) tetracyclo [
4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,
8,9,9-tetrafluorotetracyclo [4.4.
0.1 2,5 . 1 7,10] dodeca-3-ene, 8,8,9,
9-tetrakis (trifluoromethyl) tetracyclo [
4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,
8-difluoro-9,9-bis (trifluoromethyl)
Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] Dodeca
3-ene, 8,9-difluoro-8,9-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1
7,10 ] dodec-3-ene, 8,8,9-trifluoro-
9-trifluoromethyltetracyclo [4.4.0.1
2,5 . 1 7,10] dodeca-3-ene, 8,8,9- trifluoro-9-trifluoromethoxy tetracyclo [4.
4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,

【0045】8,8,9−トリフルオロ−9−ペンタフ
ルオロプロポキシテトラシクロ[ 4.4.0.12,5
7,10 ]ドデカ−3−エン、8−フルオロ−8−ペンタ
フルオロエチル−9,9−ビス(トリフルオロメチル)
テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−
3−エン、8,9−ジフルオロ−8−ヘプタフルオロイ
ソプロピル−9−トリフルオロメチルテトラシクロ[
4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8−
クロロ−8,9,9−トリフルオロテトラシクロ[ 4.
4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8,9−
ジクロロ−8,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラ
シクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エ
ン、8−(2’,2’,2’−トリフルオロカルボエト
キシ)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ド
デカ−3−エン、8−メチル−8−(2’,2’,2’
−トリフルオロカルボエトキシ)テトラシクロ[ 4.
4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9-Trifluoro-9-pentafluoropropoxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 .
[ 1,7,10 ] dodec-3-ene, 8-fluoro-8-pentafluoroethyl-9,9-bis (trifluoromethyl)
Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] Dodeca
3-ene, 8,9-difluoro-8-heptafluoroisopropyl-9-trifluoromethyltetracyclo [
4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-
Chloro-8,9,9-trifluorotetracyclo [4.
4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-
Dichloro-8,9-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10] dodeca-3-ene, 8- (2 ', 2', 2'-trifluoro-carboethoxy) tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. [ 17,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (2 ', 2', 2 '
-Trifluorocarboethoxy) tetracyclo [4.
4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,

【0046】ジシクロペンタジエン、トリシクロ[ 5.
2.1.02,6 ] デカ−8−エン、トリシクロ[ 5.
2.1.02,6 ] デカ−3−エン、トリシクロ[ 4.
4.0.12,5 ] ウンデカ−3−エン、トリシクロ[
6.2.1.01,8 ] ウンデカ−9−エン、トリシクロ
[ 6.2.1.01,8 ] ウンデカ−4−エン、テトラシ
クロ[ 4.4.0.12,5 .17,10.01,6 ] ドデカ−
3−エン、8−メチルテトラシクロ[ 4.4.0.1
2,5 .17,10.01,6 ] ドデカ−3−エン、8−エチリ
デンテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,12 ]ドデ
カ−3−エン、8−エチリデンテトラシクロ[ 4.4.
0.12,5 .17,10.01,6 ] ドデカ−3−エン、ペン
タシクロ[ 6.5.1.13,6 .02,7 .09,13 ]ペン
タデカ−4−エン、ペンタシクロ[ 7.4.0.1
2,5 .19,12.08,13 ]ペンタデカ−3−エン等の有橋
式炭化水素骨格を有する他の単官能性単量体;
Dicyclopentadiene, tricyclo [5.
2.1.0 2,6 ] deca-8-ene, tricyclo [5.
2.1.0 2,6 ] deca-3-ene, tricyclo [4.
4.0.1 2,5 ] undec-3-ene, tricyclo [
6.2.1.0 1,8 ] undec-9-ene, tricyclo
[6.2.1.0 1,8 ] undec-4-ene, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 17,10 . 0 1,6 ] Dodeca
3-ene, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1
2,5 . 17,10 . 0 1,6 ] dodeca-3-ene, 8-ethylidenetetracyclo [4.4.0.1 2,5 . [ 1,7,12 ] dodec-3-ene, 8-ethylidenetetracyclo [4.4.
0.1 2,5 . 17,10 . 0 1,6 ] dodeca-3-ene, pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13] pentadeca-4-ene, pentacyclo [7.4.0.1
2,5 . 1 9,12. 0 8,13] pentadeca-3 other monofunctional monomer having a bridged hydrocarbon skeleton such as ene;

【0047】(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アク
リル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メ
タ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−メ
チルプロピル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチ
ル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メ
タ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アク
リル酸シクロプロピル、(メタ)アクリル酸シクロペン
チル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)ア
クリル酸4−メトキシシクロヘキシル、(メタ)アクリ
ル酸2−シクロペンチルオキシカルボニルエチル、(メ
タ)アクリル酸2−シクロヘキシルオキシカルボニルエ
チル、(メタ)アクリル酸2−(4−メトキシシクロヘ
キシル)オキシカルボニルエチル等の有橋式炭化水素骨
格をもたない(メタ)アクリル酸エステル類;
Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-methylpropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, cyclopropyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, (meth) 4-methoxycyclohexyl acrylate, 2-cyclopentyloxycarbonylethyl (meth) acrylate, 2-cyclohexyloxycarbonylethyl (meth) acrylate, 2- (4-methoxycyclohexyl) oxycarbonylethyl (meth) acrylate No bridge-type hydrocarbon skeleton (me ) Acrylic acid esters;

【0048】α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、
α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキ
シメチルアクリル酸n−プロピル、α−ヒドロキシメチ
ルアクリル酸n−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアク
リル酸エステル類;(メタ)アクリロニトリル、α−ク
ロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニ
トリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコ
ンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合
物;(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メ
タ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミ
ド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミ
ド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;N−(メ
タ)アクリロイルモルホリン、N−ビニル−ε−カプロ
ラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビ
ニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物;(メ
タ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイ
ン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラ
コン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カル
ボン酸(無水物)類;(メタ)アクリル酸2−カルボキ
シエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシプロピ
ル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、(メ
タ)アクリル酸4−カルボキシブチル、(メタ)アクリ
ル酸4−カルボキシシクロヘキシル等の不飽和カルボン
酸の有橋式炭化水素骨格をもたないカルボキシル基含有
エステル類;
Methyl α-hydroxymethyl acrylate,
α-hydroxymethyl acrylates such as ethyl α-hydroxymethyl acrylate, n-propyl α-hydroxymethyl acrylate, and n-butyl α-hydroxymethyl acrylate; (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, crotonnitrile , Maleic nitrile, fumalonitrile, mesaconitrile, citraconitrile, itaconitrile, and other unsaturated nitrile compounds; (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleamide, fumaramide, mesaconamide, citraconamide, Unsaturated amide compounds such as itaconamide; other compounds such as N- (meth) acryloylmorpholine, N-vinyl-ε-caprolactam, N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine and vinylimidazole; Unsaturated carboxylic acids (anhydrides) such as (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, maleic anhydride, fumaric acid, itaconic acid, itaconic anhydride, citraconic acid, citraconic anhydride, and mesaconic acid 2-carboxyethyl (meth) acrylate, 2-carboxypropyl (meth) acrylate, 3-carboxypropyl (meth) acrylate, 4-carboxybutyl (meth) acrylate, 4-carboxycyclohexyl (meth) acrylate Carboxyl-containing esters having no bridged hydrocarbon skeleton of unsaturated carboxylic acids such as

【0049】α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−メ
トキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)
アクリロイルオキシ−β−エトキシカルボニル−γ−ブ
チロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−
n−プロポキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−
(メタ)アクリロイルオキシ−β−i−プロポキシカル
ボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイ
ルオキシ−β−n−ブトキシカルボニル−γ−ブチロラ
クトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−(2−
メチルプロポキシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、
α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−(1−メチルプ
ロポキシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メ
タ)アクリロイルオキシ−β−t−ブトキシカルボニル
−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキ
シ−β−シクロヘキシルオキシカルボニル−γ−ブチロ
ラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−(4
−t−ブチルシクロヘキシルオキシ)カルボニル−γ−
ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β
−フェノキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−
(メタ)アクリロイルオキシ−β−(1−エトキシエト
キシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)
アクリロイルオキシ−β−(1−シクロヘキシルオキシ
エトキシ)カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メ
タ)アクリロイルオキシ−β−t−ブトキシカルボニル
メトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メ
タ)アクリロイルオキシ−β−テトラヒドロフラニルオ
キシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)ア
クリロイルオキシ−β−テトラヒドロピラニルオキシカ
ルボニル−γ−ブチロラクトン、
Α- (meth) acryloyloxy-β-methoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth)
Acryloyloxy-β-ethoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-
n-propoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α-
(Meth) acryloyloxy-β-i-propoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-n-butoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (2-
Methylpropoxy) carbonyl-γ-butyrolactone,
α- (meth) acryloyloxy-β- (1-methylpropoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-t-butoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β -Cyclohexyloxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β- (4
-T-butylcyclohexyloxy) carbonyl-γ-
Butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β
-Phenoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α-
(Meth) acryloyloxy-β- (1-ethoxyethoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth)
Acryloyloxy-β- (1-cyclohexyloxyethoxy) carbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-tetrahydrofuran Nyloxycarbonyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-tetrahydropyranyloxycarbonyl-γ-butyrolactone,

【0050】α−メトキシカルボニル−β−(メタ)ア
クリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−エトキシ
カルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−n−プロポキシカルボニル−β−
(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−i−プロポキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイ
ルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−n−ブトキシカル
ボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロ
ラクトン、α−(2−メチルプロポキシ)カルボニル−
β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクト
ン、α−(1−メチルプロポキシ)カルボニル−β−
(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−t−ブトキシカルボニル−β−(メタ)アクリロイル
オキシ−γ−ブチロラクトン、α−シクロヘキシルオキ
シカルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−
ブチロラクトン、α−(4−t−ブチルシクロヘキシル
オキシ)カルボニル−β−(メタ)アクリロイルオキシ
−γ−ブチロラクトン、α−フェノキシカルボニル−β
−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、
α−(1−エトキシエトキシ)カルボニル−β−(メ
タ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−
(1−シクロヘキシルオキシエトキシ)カルボニル−β
−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、
α−t−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル−β−
(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル−β−(メ
タ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−テ
トラヒドロピラニルオキシカルボニル−β−(メタ)ア
クリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン等の酸解離性基
を有する(メタ)アクリロイルオキシラクトン化合物;
Α-methoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-ethoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-n-propoxycarbonyl-β-
(Meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α
-I-propoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-n-butoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (2-methylpropoxy) carbonyl-
β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (1-methylpropoxy) carbonyl-β-
(Meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α
-T-butoxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-cyclohexyloxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-
Butyrolactone, α- (4-t-butylcyclohexyloxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-phenoxycarbonyl-β
-(Meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone,
α- (1-ethoxyethoxy) carbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-
(1-cyclohexyloxyethoxy) carbonyl-β
-(Meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone,
α-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl-β-
(Meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α
(Meth) acryloyloxy having an acid dissociable group such as -tetrahydrofuranyloxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-tetrahydropyranyloxycarbonyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone Lactone compounds;

【0051】α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−フ
ルオロ−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイ
ルオキシ−β−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、α−
(メタ)アクリロイルオキシ−β−メチル−γ−ブチロ
ラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−β−エチ
ル−γ−ブチロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオ
キシ−β,β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−
(メタ)アクリロイルオキシ−β−メトキシ−γ−ブチ
ロラクトン、α−フルオロ−β−(メタ)アクリロイル
オキシ−γ−ブチロラクトン、α−ヒドロキシ−β−
(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−メチル−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチ
ロラクトン、α−エチル−β−(メタ)アクリロイルオ
キシ−γ−ブチロラクトン、α,α−ジメチル−β−
(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−メトキシ−β−(メタ)アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−(メタ)アクリロイルオキシ−δ−
メバロノラクトン等の酸解離性基をもたない(メタ)ア
クリロイルオキシラクトン化合物;前記不飽和カルボン
酸類あるいは前記不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨
格をもたないカルボキシル基含有エステル類のカルボキ
シル基を、下記する酸解離性基(i) に変換した化合物
等の単官能性単量体や、
Α- (meth) acryloyloxy-β-fluoro-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-hydroxy-γ-butyrolactone, α-
(Meth) acryloyloxy-β-methyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β-ethyl-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-β, β-dimethyl-γ-butyrolactone, α-
(Meth) acryloyloxy-β-methoxy-γ-butyrolactone, α-fluoro-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-hydroxy-β-
(Meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α
-Methyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α-ethyl-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α, α-dimethyl-β-
(Meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α
-Methoxy-β- (meth) acryloyloxy-γ-butyrolactone, α- (meth) acryloyloxy-δ-
(Meth) acryloyloxylactone compounds having no acid-dissociable group such as mevalonolactone; carboxyl groups of the unsaturated carboxylic acids or carboxyl group-containing esters having no bridged hydrocarbon skeleton of the unsaturated carboxylic acid A monofunctional monomer such as a compound converted to an acid dissociable group (i) described below,

【0052】1,2−アダマンタンジオールジ(メタ)
アクリレート、1,3−アダマンタンジオールジ(メ
タ)アクリレート、1,4−アダマンタンジオールジ
(メタ)アクリレート、トリシクロデカニルジメチロー
ルジ(メタ)アクリレート等の有橋式炭化水素骨格を有
する多官能性単量体;
1,2-adamantanediol di (meth)
Polyfunctional having a bridged hydrocarbon skeleton such as acrylate, 1,3-adamantanediol di (meth) acrylate, 1,4-adamantanediol di (meth) acrylate, and tricyclodecanyl dimethylol di (meth) acrylate Monomer;

【0053】メチレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロ
ピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘ
キサンジオールジ(メタ)アクリレート、2,5−ジメ
チル−2,5−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、1,8−オクタンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、
1,4−ビス(2−ヒドロキシプロピル)ベンゼンジ
(メタ)アクリレート、1,3−ビス(2−ヒドロキシ
プロピル)ベンゼンジ(メタ)アクリレート等の有橋式
炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の多官能性単
量体を挙げることができる。
Methylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 2,5-dimethyl-2,5-hexane Diol di (meth) acrylate, 1,8-octanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate,
Multifunctional monomer having no bridged hydrocarbon skeleton such as 1,4-bis (2-hydroxypropyl) benzenedi (meth) acrylate and 1,3-bis (2-hydroxypropyl) benzenedi (meth) acrylate Examples include polyfunctional monomers such as bodies.

【0054】樹脂(A)において、繰返し単位(I−
1)、繰返し単位(I−2)および繰返し単位(I−
3)の合計含有率は、全繰返し単位に対して、通常、1
0〜80モル%、好ましくは20〜70モル%、さらに
好ましくは30〜70モル%である。この場合、前記合
計含有率が10モル%未満では、レジストとしたときの
現像性や基板への接着性が低下する傾向があり、一方8
0モル%を超えると、レジストとしての解像度が低下す
る傾向がある。また、繰返し単位(II)の含有率は、全
繰返し単位に対して、通常、10〜80モル%、好まし
くは20〜70モル%、さらに好ましくは20〜60モ
ル%である。この場合、繰返し単位(II)の含有率が1
0モル%未満では、レジストとしての解像度が低下する
傾向があり、一方80モル%を超えると、レジストとし
たとき現像性が低下したり、スカムが発生しやすくなる
傾向がある。また、他の繰返し単位の含有率は、全繰返
し単位に対して、通常、50モル%以下、好ましくは4
0モル%以下である。
In the resin (A), the repeating unit (I-
1), the repeating unit (I-2) and the repeating unit (I-
The total content of 3) is usually 1 for all repeating units.
It is 0 to 80 mol%, preferably 20 to 70 mol%, and more preferably 30 to 70 mol%. In this case, if the total content is less than 10 mol%, the developability as a resist and the adhesiveness to a substrate tend to decrease, while 8
If it exceeds 0 mol%, the resolution as a resist tends to decrease. The content of the repeating unit (II) is usually from 10 to 80 mol%, preferably from 20 to 70 mol%, more preferably from 20 to 60 mol%, based on all repeating units. In this case, the content of the repeating unit (II) is 1
If the amount is less than 0 mol%, the resolution as a resist tends to decrease. On the other hand, if the amount exceeds 80 mol%, the developability of the resist tends to decrease, and scum tends to occur. The content of other repeating units is usually 50 mol% or less, preferably 4 mol%, based on all repeating units.
0 mol% or less.

【0055】樹脂(A)は、例えば、その各繰返し単位
に対応する重合性不飽和単量体を、ヒドロパーオキシド
類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド
類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要
に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合する
ことにより製造することができる。前記重合に使用され
る溶媒としては、例えば、n−ペンタン、n−ヘキサ
ン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デ
カン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシク
ロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン
類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチ
レンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水
素類;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、
プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプ
タノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシ
エタン類、ジエトキシエタン類等のエーエル類等を挙げ
ることができる。これらの溶媒は、単独でまたは2種以
上を混合して使用することができる。また、前記重合に
おける反応温度は、通常、40〜120℃、好ましくは
50〜90℃であり、反応時間は、通常、1〜48時
間、好ましくは1〜24時間である。
The resin (A) may be prepared, for example, by polymerizing an unsaturated monomer corresponding to each repeating unit with a radical polymerization initiator such as hydroperoxides, dialkyl peroxides, diacyl peroxides, and azo compounds. And, if necessary, polymerization in an appropriate solvent in the presence of a chain transfer agent. Examples of the solvent used for the polymerization include alkanes such as n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane; cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, decalin, Cycloalkanes such as norbornane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene and cumene; halogenated hydrocarbons such as chlorobutane, bromohexanes, dichloroethanes, hexamethylene dibromide and chlorobenzene; ethyl acetate , N-butyl acetate, i-butyl acetate,
Saturated carboxylic esters such as methyl propionate; ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and 2-heptanone; and ethers such as tetrahydrofuran, dimethoxyethane and diethoxyethane. These solvents can be used alone or in combination of two or more. The reaction temperature in the polymerization is usually 40 to 120 ° C, preferably 50 to 90 ° C, and the reaction time is usually 1 to 48 hours, preferably 1 to 24 hours.

【0056】樹脂(A)のゲルパーミエーションクロマ
トグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算重量平均
分子量(以下、「Mw」という。)は、通常、3,00
0〜30,000、好ましくは5,000〜30,00
0、さらに好ましくは5,000〜20,000であ
る。この場合、樹脂(A)のMwが3,000未満で
は、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向があ
り、一方30,000を超えると、レジストとしたとき
の現像性が低下する傾向がある。また、樹脂(A)のM
wとゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)
によるポリスチレン換算数平均分子量(以下、「Mn」
という。)との比(Mw/Mn)は、通常、1〜5、好
ましくは1〜3である。なお、樹脂(A)は、ハロゲ
ン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それによ
り、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安定
性、パターン形状等をさらに改善することができる。樹
脂(A)の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等
の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、
遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げるこ
とができる。
The polystyrene-equivalent weight average molecular weight (hereinafter, referred to as “Mw”) of the resin (A) determined by gel permeation chromatography (GPC) is usually 3,000.
0 to 30,000, preferably 5,000 to 30,00
0, more preferably 5,000 to 20,000. In this case, if the Mw of the resin (A) is less than 3,000, the heat resistance of the resist tends to decrease, while if it exceeds 30,000, the developability of the resist tends to decrease. is there. In addition, the M of the resin (A)
w and gel permeation chromatography (GPC)
Number average molecular weight (hereinafter referred to as "Mn")
That. ) (Mw / Mn) is usually 1 to 5, preferably 1 to 3. Note that the resin (A) preferably has less impurities such as halogens and metals, and thereby can further improve sensitivity, resolution, process stability, pattern shape, and the like when used as a resist. As a method for purifying the resin (A), for example, chemical purification methods such as washing with water and liquid-liquid extraction, and these chemical purification methods and ultrafiltration,
Combination with a physical purification method such as centrifugation can be mentioned.

【0057】酸発生剤(B) 本発明における(B)成分は、露光により酸を発生する
感放射線性酸発生剤化合物(以下、「酸発生剤(B)」
という。)からなる。酸発生剤(B)としては、例え
ば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケ
トン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙
げることができる。以下に、これらの酸発生剤(B)の
例を挙げる。 オニウム塩化合物:オニウム塩化合物としては、例え
ば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩(チオフェニウム
塩を含む。)、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリ
ジニウム塩等を挙げることができる。好ましいオニウム
塩化合物としては、例えば、ジフェニルヨードニウムト
リフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニル
ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネー
ト、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフ
ェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホ
ネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム
パーフルオロ−n−オクタンスルホネート、トリフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホ
ネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−
オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム 1
0−カンファースルホネート、シクロヘキシル・2−オ
キソシクロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、ジシクロヘキシル・2−オキソシ
クロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、2−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホネート、1−(3,5−ジメ
チル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェ
ニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−
(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラ
ヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスル
ホネート、4−メチルフェニル−1−テトラヒドロチオ
フェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4
−メチルフェニル−1−テトラヒドロチオフェニウムパ
ーフルオロ−n−オクタンスルホネート、4−ヒドロキ
シ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフル
オロ−n−ブタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−
ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n
−オクタンスルホネート、4−n−ブトキシ−1−ナフ
チルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブ
タンスルホネート、4−n−ブトキシ−1−ナフチルテ
トラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタン
スルホネート、1−(1−ナフチルアセトメチル)テト
ラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスル
ホネート、1−(1−ナフチルアセトメチル)テトラヒ
ドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホ
ネート等を挙げることができる。
Acid Generator (B) The component (B) in the present invention is a radiation-sensitive acid generator compound which generates an acid upon exposure (hereinafter referred to as “acid generator (B)”).
That. ). Examples of the acid generator (B) include an onium salt compound, a halogen-containing compound, a diazoketone compound, a sulfone compound, and a sulfonic acid compound. Hereinafter, examples of these acid generators (B) will be described. Onium salt compound: Examples of the onium salt compound include an iodonium salt, a sulfonium salt (including a thiophenium salt), a phosphonium salt, a diazonium salt, and a pyridinium salt. Preferred onium salt compounds include, for example, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium perfluoro-n-octanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n- Butanesulfonate, triphenylsulfonium perfluoro-n-
Octanesulfonate, triphenylsulfonium 1
0-camphorsulfonate, cyclohexyl-2-oxocyclohexylmethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl-2-oxocyclohexylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-oxocyclohexyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4- (Hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1-
(3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 4-methylphenyl-1-tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate,
-Methylphenyl-1-tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-hydroxy-1-
Naphthyltetrahydrothiophenium perfluoro-n
-Octanesulfonate, 4-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (1 -Naphthyl acetomethyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate; 1- (1-naphthylacetomethyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate;

【0058】ハロゲン含有化合物:ハロゲン含有化合物
としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合
物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げること
ができる。好ましいハロゲン含有化合物としては、例え
ば、フェニルビス(トリクロロメチル)−s−トリアジ
ン、4−メトキシフェニルビス(トリクロロメチル)−
s−トリアジン、1−ナフチルビス(トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン等の(トリクロロメチル)−s−
トリアジン誘導体や、1,1−ビス(4−クロロフェニ
ル)−2,2,2−トリクロロエタン等を挙げることが
できる。ジアゾケトン化合物:ジアゾケトン化合物とし
ては、例えば、1,3−ジケト−2−ジアゾ化合物、ジ
アゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等
を挙げることができる。好ましいジアゾケトンとして
は、例えば、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホニルクロリド、2,3,4,4’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル、1,1,1−トリス
(4−ヒドロキシフェニル)エタンの1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等を挙
げることができる。
Halogen-containing compound: Examples of the halogen-containing compound include a haloalkyl group-containing hydrocarbon compound and a haloalkyl group-containing heterocyclic compound. Preferred halogen-containing compounds include, for example, phenylbis (trichloromethyl) -s-triazine, 4-methoxyphenylbis (trichloromethyl)-
(Trichloromethyl) -s- such as s-triazine and 1-naphthylbis (trichloromethyl) -s-triazine
Examples thereof include a triazine derivative and 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane. Diazoketone compound: Examples of the diazoketone compound include a 1,3-diketo-2-diazo compound, a diazobenzoquinone compound, and a diazonaphthoquinone compound. Preferred diazoketones include, for example, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5
Sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide of 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone-
4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester or 1,2 −
Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester and the like can be mentioned.

【0059】スルホン化合物:スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げるこ
とができる。好ましいスルホン化合物としては、例え
ば、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシ
ルスルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン等を挙
げることができる。 スルホン酸化合物:スルホン酸化合物としては、例え
ば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸
イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールス
ルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げること
ができる。好ましいスルホン酸化合物としては、例え
ば、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス(ト
リフルオロメタンスルホネート)、ニトロベンジル−
9,10−ジエトキシアントラセン−2−スルホネー
ト、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ 2.2.
1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、ノ
ナフルオロ−n−ブタンスルホニルビシクロ[ 2.2.
1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、パ
ーフルオロ−n−オクタンスルホニルビシクロ[ 2.
2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミ
ド、N−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンス
ルホネート、N−ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ
−n−ブタンスルホネート、N−ヒドロキシスクシイミ
ドパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1,8−
ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスル
ホネート、1,8−ナフタレンジカルボン酸イミドノナ
フルオロ−n−ブタンスルホネート、1,8−ナフタレ
ンジカルボン酸イミドパーフルオロ−n−オクタンスル
ホネート等を挙げることができる。
Sulfone compound: Examples of the sulfone compound include β-ketosulfone, β-sulfonylsulfone, and α-diazo compounds of these compounds. Preferred sulfone compounds include, for example, 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, bis (phenylsulfonyl) methane, and the like. Sulfonic acid compound: Examples of the sulfonic acid compound include alkylsulfonic acid esters, alkylsulfonic acid imides, haloalkylsulfonic acid esters, arylsulfonic acid esters, and iminosulfonates. Preferred sulfonic acid compounds include, for example, benzoin tosylate, pyrogallol tris (trifluoromethanesulfonate), nitrobenzyl-
9,10-diethoxyanthracene-2-sulfonate, trifluoromethanesulfonylbicyclo [2.2.
1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, nonafluoro-n-butanesulfonylbicyclo [2.2.
1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, perfluoro-n-octanesulfonylbicyclo [2.
2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate, N-hydroxysuccinimide nonafluoro-n-butanesulfonate, N-hydroxysuccinimide perfluoro- n-octanesulfonate, 1,8-
Examples thereof include naphthalenedicarboxylic acid imide trifluoromethanesulfonate, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imidnonafluoro-n-butanesulfonate, and 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imide perfluoro-n-octanesulfonate.

【0060】これらの酸発生剤(B)のうち、ジフェニ
ルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−n−オク
タンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4
−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n
−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニ
ル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−
n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパ
ーフルオロ−n−オクタンスルホネート、シクロヘキシ
ル・2−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル・2
−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、2−オキソシクロヘキシルジメチルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−n−
ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノ
ナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4−n−ブトキ
シ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−n−オクタンスルホネート、
Of these acid generators (B), diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium Trifluoromethanesulfonate, bis (4
-T-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n
-Butanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium perfluoro-n-octanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-
n-butanesulfonate, triphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, cyclohexyl-2-oxocyclohexylmethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl.2
-Oxocyclohexylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 2-oxocyclohexyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-n-
Butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate,

【0061】トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[
2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイ
ミド、ノナフルオロ−n−ブタンスルホニルビシクロ[
2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイ
ミド、パーフルオロ−n−オクタンスルホニルビシクロ
[ 2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジ
イミド、N−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタ
ンスルホネート、N−ヒドロキシスクシイミドノナフル
オロ−n−ブタンスルホネート、N−ヒドロキシスクシ
イミドパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1,
8−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタン
スルホネート等が好ましい。前記酸発生剤(B)は、単
独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
Trifluoromethanesulfonylbicyclo [
2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, nonafluoro-n-butanesulfonylbicyclo [
2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, perfluoro-n-octanesulfonylbicyclo
[2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate, N-hydroxysuccinimide nonafluoro-n-butanesulfonate, N-hydroxysuccinimide Perfluoro-n-octanesulfonate, 1,
8-Naphthalenedicarboxylic acid imide trifluoromethanesulfonate and the like are preferred. The acid generator (B) can be used alone or in combination of two or more.

【0062】本発明における酸発生剤(B)の使用量
は、レジストとしての感度および現像性を確保する観点
から、樹脂(A)100重量部に対して、通常、0.1
〜20重量部、好ましくは0.5〜10重量部である。
この場合、酸発生剤(B)の使用量が0.1重量部未満
では、感度および現像性が低下する傾向があり、一方2
0重量部を超えると、放射線に対する透明性が低下し
て、矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向があ
る。
The amount of the acid generator (B) used in the present invention is usually 0.1 to 100 parts by weight of the resin (A) from the viewpoint of securing the sensitivity and developability as a resist.
To 20 parts by weight, preferably 0.5 to 10 parts by weight.
In this case, if the amount of the acid generator (B) used is less than 0.1 part by weight, sensitivity and developability tend to decrease, while 2
If the amount exceeds 0 parts by weight, the transparency to radiation decreases, and it tends to be difficult to obtain a rectangular resist pattern.

【0063】多環式化合物(C) 本発明における(C)成分は、式−COOR9 〔式中、
9 は水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜20
の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは非
置換の炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素基または
−CH2 COOR10(但し、R10は水素原子、置換もし
くは非置換の炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状の
アルキル基または置換もしくは非置換の炭素数3〜20
の1価の脂環式炭化水素基である。)を示す。〕で表さ
れる基を有する分子量1,000以下の多環式化合物
(以下、「多環式化合物(C)」という。)からなる。
多環式化合物(C)において、式−COOR9 で表され
る基が複数存在するとき、各R9 は相互に同一でも異な
ってもよい。
Polycyclic Compound (C) The component (C) in the present invention has the formula —COOR 9 [wherein:
R 9 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 20 carbon atoms;
A linear or branched alkyl group, a substituted or unsubstituted monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms or —CH 2 COOR 10 (where R 10 is a hydrogen atom, substituted or unsubstituted) A linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted 3 to 20 carbon atoms
Is a monovalent alicyclic hydrocarbon group. ). And a polycyclic compound having a molecular weight of 1,000 or less (hereinafter referred to as "polycyclic compound (C)").
In the polycyclic compound (C), when there are a plurality of groups represented by the formula —COOR 9 , each R 9 may be the same or different.

【0064】多環式化合物(C)において、R9 の置換
もしくは非置換の炭素数1〜20のアルキル基として
は、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、
1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、n−デシル基、n−ドデシル基、n−テトラデシル
基、n−ヘキサデシル基、n−オクタデシル基、n−エ
イコシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シ
クロオクチル基等の直鎖状、分岐状もしくは環状の非置
換アルキル基;これらの非置換アルキル基を、ヒドロキ
シル基;カルボキシル基;オキソ基;ヒドロキシメチル
基、ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、
2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル
基、1−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシブチル
基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基
等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基;メトキシ
基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ
基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メ
チルプロポキシ基、t−ブトキシ基等の炭素数1〜4の
アルコキシル基;シアノメチル基、2−シアノエチル
基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基等の炭
素数2〜5のシアノアルキル基等の置換基を1種以上あ
るいは1個以上有する基を挙げることができる。
In the polycyclic compound (C), examples of the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms for R 9 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group and an i-type group.
-Propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group,
1-methylpropyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, n-tetradecyl group, n-hexadecyl group Linear, branched or cyclic unsubstituted alkyl groups such as n-octadecyl group, n-eicosyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and cyclooctyl group; these unsubstituted alkyl groups are hydroxyl groups; carboxyl groups; Oxo group; hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group,
A hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a 2-hydroxypropyl group, a 3-hydroxypropyl group, a 1-hydroxybutyl group, a 2-hydroxybutyl group, a 3-hydroxybutyl group, and a 4-hydroxybutyl group; a methoxy group; An alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms such as an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, a 2-methylpropoxy group, a 1-methylpropoxy group, a t-butoxy group; a cyanomethyl group; Examples thereof include groups having one or more substituents such as a cyanoalkyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a cyanoethyl group, a 3-cyanopropyl group, and a 4-cyanobutyl group.

【0065】また、R9 の置換もしくは非置換の炭素数
3〜20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、
ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカ
ン、アダマンタンや、シクロブタン、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
シクロアルカン類等に由来する非置換の脂環族環からな
る基;これらの非置換の脂環族環からなる基を、ヒドロ
キシル基;カルボキシル基;オキソ基;ヒドロキシメチ
ル基、ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル
基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピ
ル基、1−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシブチル
基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基
等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基;メトキシ
基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ
基、n−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メ
チルプロポキシ基、t−ブトキシ基等の炭素数1〜4の
アルコキシル基;シアノメチル基、2−シアノエチル
基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基等の炭
素数2〜5のシアノアルキル基等の置換基を1種以上あ
るいは1個以上有する基を挙げることができる。
The substituted or unsubstituted monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms for R 9 includes, for example,
Norbornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, adamantane, cyclobutane, cyclopentane,
A group consisting of an unsubstituted alicyclic ring derived from cycloalkanes such as cyclohexane, cycloheptane and cyclooctane; a group consisting of these unsubstituted alicyclic rings is a hydroxyl group; a carboxyl group; an oxo group; Hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl group, 4-hydroxybutyl group, etc. A methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, a 2-methylpropoxy group, a 1-methylpropoxy group, a t-butoxy group, etc. C1-C4 alkoxyl group; cyanomethyl group, 2-cyanoethyl group, 3-cyanopropyl group A substituent such as a cyano alkyl group having 2 to 5 carbon atoms such as 4-cyanobutyl group can include one or more or one or more having groups.

【0066】また、R10の置換もしくは非置換の炭素数
1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基および置
換もしくは非置換の炭素数3〜20の1価の脂環式炭化
水素基としては、例えば、前記R9 について例示したそ
れぞれ対応する基を挙げることができる。
R 10 is a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and a substituted or unsubstituted monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. Is, for example, the corresponding groups exemplified for R 9 above.

【0067】多環式化合物(C)におけるR9 として
は、水素原子、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、
1−メチルプロポキシカルボニルメチル基、t−ブトキ
シカルボニルメチル基等が好ましく、特に、t−ブチル
基、t−ブトキシカルボニルメチル基等が好ましい。多
環式化合物(C)において、R9 が1−分岐アルキル基
もしくはその置換誘導体である場合、R9 は酸の存在下
で解離する。また、R9 の−CH2 COOR10自体は酸
の存在下で解離し、あるいはそのR10が1−分岐アルキ
ル基もしくはその置換誘導体である場合はR10も酸の存
在下で解離する。これらの場合、多環式化合物(C)中
の−COOR9 および−COO−CH2 COOR10は酸
解離性基をなしている。
R 9 in the polycyclic compound (C) is a hydrogen atom, a 1-methylpropyl group, a t-butyl group,
A 1-methylpropoxycarbonylmethyl group, a t-butoxycarbonylmethyl group and the like are preferable, and a t-butyl group and a t-butoxycarbonylmethyl group are particularly preferable. When R 9 in the polycyclic compound (C) is a 1-branched alkyl group or a substituted derivative thereof, R 9 dissociates in the presence of an acid. Further, dissociates in the presence of -CH 2 COOR 10 itself R 9 are acid, or in which case R 10 is a 1-branched alkyl group or a substituted derivative dissociates in the presence of R 10 also acid. In these cases, —COOR 9 and —COO—CH 2 COOR 10 in the polycyclic compound (C) form an acid dissociable group.

【0068】多環式化合物(C)としては、例えば、下
記一般式(4)で表される化合物(以下、「多環式化合
物(C4)」という。)、下記一般式(5)で表される
化合物(以下、「多環式化合物(C5)」という。)、
下記一般式(6)で表される化合物(以下、「多環式化
合物(C6)」という。)、下記一般式(7)で表され
る化合物(以下、「多環式化合物(C7)」とい
う。)、下記一般式(8)で表される化合物(以下、
「多環式化合物(C8)」という。)、下記一般式
(9)で表される化合物(以下、「多環式化合物(C
9)」という。)等を挙げることができる。
As the polycyclic compound (C), for example, a compound represented by the following general formula (4) (hereinafter referred to as “polycyclic compound (C4)”) and a compound represented by the following general formula (5) (Hereinafter referred to as “polycyclic compound (C5)”),
A compound represented by the following general formula (6) (hereinafter, referred to as “polycyclic compound (C6)”), a compound represented by the following general formula (7) (hereinafter, “polycyclic compound (C7)”) ), A compound represented by the following general formula (8)
It is referred to as "polycyclic compound (C8)". ), A compound represented by the following general formula (9) (hereinafter, referred to as “polycyclic compound (C
9) ". ) And the like.

【0069】[0069]

【化22】 Embedded image

【0070】[0070]

【化23】 〔一般式(5)において、Zは環構成炭素原子の合計数
が6〜20の多環式炭素環を有するm価の炭化水素基ま
たはその誘導体を示し、mは1〜4の整数である。〕
Embedded image [In the general formula (5), Z represents an m-valent hydrocarbon group having a polycyclic carbon ring having a total number of ring-constituting carbon atoms of 6 to 20 or a derivative thereof, and m is an integer of 1 to 4. . ]

【0071】[0071]

【化24】 Embedded image

【0072】[0072]

【化25】 〔一般式(7)において、R11およびR12は相互に独立
に水素原子、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のア
ルキル基、炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のヒド
ロキシアルキル基、−OR13{式中、R13は水素原子、
炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基また
は−CH2 COOR14(但し、R14は水素原子または炭
素数1〜18のアルキル基である。)}、または−CO
OR15{但し、R15は水素原子、置換もしくは非置換の
炭素数1〜20のアルキル基または−CH2 COOR16
(但し、R16は水素原子または炭素数1〜18のアルキ
ル基である。}を示し、nおよびpは相互に独立に0〜
2の整数である。〕
Embedded image [In the general formula (7), R 11 and R 12 are each independently a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. A hydroxyalkyl group, —OR 13 , wherein R 13 is a hydrogen atom,
A linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or —CH 2 COOR 14 (where R 14 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms)} or —CO 2
OR 15 {wherein R 15 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or —CH 2 COOR 16
(However, R 16 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.} Is shown, and n and p are independently 0 to 0)
It is an integer of 2. ]

【0073】[0073]

【化26】 〔一般式(8)において、R17、R18、R19およびR20
は相互に独立に水素原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜
4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数1
〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基を示
す。〕
Embedded image [In the general formula (8), R 17 , R 18 , R 19 and R 20
Are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group,
4 linear or branched alkyl group or 1 carbon atom
Represents a straight-chain or branched alkoxyl group of 1 to 4. ]

【0074】[0074]

【化27】 〔一般式(9)において、R21、R22およびR23は相互
に独立に水素原子またはヒドロキシル基を示し、かつR
21、R22およびR23の少なくとも1つがヒドロキシル基
である。〕
Embedded image [In the general formula (9), R 21 , R 22 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or a hydroxyl group;
21, at least one of R 22 and R 23 is a hydroxyl group. ]

【0075】環式化合物(C4)の具体例としては、
1,2−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、
1,3−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、
1,4−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、
2,2−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、
2,4−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、
2,9−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチル、
1,2−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブトキシカ
ルボニルメチル、1,3−アダマンタンジカルボン酸ジ
−t−ブトキシカルボニルメチル、1,4−アダマンタ
ンジカルボン酸ジ−t−ブトキシカルボニルメチル、
2,2−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブトキシカ
ルボニルメチル、2,4−アダマンタンジカルボン酸ジ
−t−ブトキシカルボニルメチル、2,9−アダマンタ
ンジカルボン酸ジ−t−ブトキシカルボニルメチル、
As specific examples of the cyclic compound (C4),
Di-tert-butyl 1,2-adamantanedicarboxylate,
Di-t-butyl 1,3-adamantanedicarboxylate,
Di-t-butyl 1,4-adamantanedicarboxylate,
Di-t-butyl 2,2-adamantanedicarboxylate,
Di-t-butyl 2,4-adamantanedicarboxylate,
Di-t-butyl 2,9-adamantanedicarboxylate,
Di-tert-butoxycarbonylmethyl 1,2-adamantanedicarboxylate, di-tert-butoxycarbonylmethyl 1,3-adamantanedicarboxylate, di-tert-butoxycarbonylmethyl 1,4-adamantanedicarboxylate,
Di-tert-butoxycarbonylmethyl 2,2-adamantanedicarboxylate, di-tert-butoxycarbonylmethyl 2,4-adamantanedicarboxylate, di-tert-butoxycarbonylmethyl 2,9-adamantanedicarboxylate,

【0076】1−t−ブトキシカルボニル−2−t−ブ
トキシカルボニルメトキシカルボニルアダマンタン、1
−t−ブトキシカルボニル−3−t−ブトキシカルボニ
ルメトキシカルボニルアダマンタン、1−t−ブトキシ
カルボニル−4−t−ブトキシカルボニルメトキシカル
ボニルアダマンタン、2−t−ブトキシカルボニル−2
−t−ブトキシカルボニルメトキシカルボニルアダマン
タン、2−t−ブトキシカルボニル−4−t−ブトキシ
カルボニルメトキシカルボニルアダマンタン、2−t−
ブトキシカルボニル−9−t−ブトキシカルボニルメト
キシカルボニルアダマンタン、1−t−ブトキシカルボ
ニルメトキシカルボニル−2−t−ブトキシカルボニル
アダマンタン、1−t−ブトキシカルボニルメトキシカ
ルボニル−4−t−ブトキシカルボニルアダマンタン等
を挙げることができる。
1-t-butoxycarbonyl-2-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyladamantane, 1
-Tert-butoxycarbonyl-3-tert-butoxycarbonylmethoxycarbonyladamantane, 1-tert-butoxycarbonyl-4-tert-butoxycarbonylmethoxycarbonyladamantane, 2-tert-butoxycarbonyl-2
-T-butoxycarbonylmethoxycarbonyl adamantane, 2-t-butoxycarbonyl-4-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl adamantane, 2-t-
Butoxycarbonyl-9-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyladamantane, 1-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl-2-t-butoxycarbonyladamantane, 1-t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl-4-t-butoxycarbonyladamantane, and the like. Can be.

【0077】これらの多環式化合物(C4)のうち、特
に、1,3−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチ
ル、1,3−アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブトキ
シカルボニルメチル等が好ましい。
Among these polycyclic compounds (C4), di-tert-butyl 1,3-adamantanedicarboxylate, di-tert-butoxycarbonylmethyl 1,3-adamantanedicarboxylate and the like are particularly preferred.

【0078】多環式化合物(C4)は、例えば1,3−
アダマンタンジカルボン酸ジ−t−ブチルの場合、窒素
雰囲気下で、テトラヒドロフラン中に1,3−アダマン
タンジカルボン酸を溶解し、この溶液にトリフルオロ酢
酸無水物を氷冷下で滴下して、室温にて攪拌したのち、
t−ブタノールのテトラヒドロフラン溶液を氷冷下で滴
下し、例えば一終夜室温で攪拌して反応させることによ
り合成することができる。また、1,3−アダマンタン
ジカルボン酸ジ−t−ブトキシカルボニルメチルの場合
は、テトラヒドロフラン中で、1,3−アダマンタンジ
カルボン酸とブロモ酢酸t−ブチルとを、炭酸カリウム
触媒の存在下で反応させることにより合成することがで
きる。
The polycyclic compound (C4) is, for example, 1,3-
In the case of di-t-butyl adamantane dicarboxylate, 1,3-adamantane dicarboxylic acid is dissolved in tetrahydrofuran under a nitrogen atmosphere, and trifluoroacetic anhydride is added dropwise to this solution under ice-cooling, and the solution is added at room temperature. After stirring,
It can be synthesized by dropping a solution of t-butanol in tetrahydrofuran under ice-cooling, and stirring and reacting at room temperature overnight, for example. In the case of di-t-butoxycarbonylmethyl 1,3-adamantanedicarboxylate, reacting 1,3-adamantanedicarboxylic acid and t-butyl bromoacetate in tetrahydrofuran in the presence of a potassium carbonate catalyst. Can be synthesized by

【0079】次に、脂環式化合物(C5)において、Z
の環構成炭素原子の合計数が6〜20の多環式炭素環を
有するm価の炭化水素基としては、例えば、ノルボルナ
ン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマ
ンタンや、下記式(ii)で表される基等の多環式炭素環
に由来する基;
Next, in the alicyclic compound (C5), Z
Examples of the m-valent hydrocarbon group having a polycyclic carbon ring having a total number of ring-constituting carbon atoms of 6 to 20 include norbornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, adamantane and the following formula (ii): Groups derived from polycyclic carbocycles such as the groups represented;

【0080】[0080]

【化28】 Embedded image

【0081】これらの多環式炭素環を、例えば、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−
ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル
基、t−ブチル基等の炭素数1〜8の直鎖状、分岐状ま
たは環状のアルキル基の1種以上あるいは1個以上で置
換した基に由来する炭化水素基等を挙げることができ
る。多環式化合物(C5)において、m個の基 −OCOC2 4 COOCH2 COOR9 は、前記m価
の炭化水素基中の多環式炭素環に結合しても、あるいは
該多環式炭素環を置換するアルキル基に結合してもよ
い。
These polycyclic carbocycles are, for example, methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-
Butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and the like, and a group substituted with one or more linear or branched or cyclic alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms. And the like. In polycyclic compound (C5), m pieces of group -OCOC 2 H 4 COOCH 2 COOR 9 can be attached to the polycyclic carbocyclic rings in the m-valent hydrocarbon group or polycyclic carbon, It may be bonded to an alkyl group which substitutes a ring.

【0082】また、Zの環構成炭素原子の合計数が6〜
20の多環式炭素環を有するm価の炭化水素基の誘導体
としては、例えば、ヒドロキシル基;カルボキシル基;
オキソ基;ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、
1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル
基、3−ヒドロキシプロピル基、1−ヒドロキシブチル
基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル
基、4−ヒドロキシブチル基等の炭素数1〜4のヒドロ
キシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポ
キシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、2−メチ
ルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ基、t−ブトキ
シ基等の炭素数1〜4のアルコキシル基;メトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカル
ボニル基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシ
カルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1
−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボ
ニル基等の炭素数2〜5のアルコキシカルボニル基;メ
トキシカルボニルメトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニルメトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニ
ルメトキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニルメ
トキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニルメトキシ
カルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニルメトキ
シカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニルメト
キシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメトキシカ
ルボニル基等の炭素数4〜7のアルコキシカルボニルメ
トキシカルボニル基等の置換基を1種以上あるいは1個
以上有する基を挙げることができる。これらの置換基
は、前記n価の炭化水素基中の多環式炭素環に結合して
も、あるいは該多環式炭素環を置換するアルキル基に結
合してもよい。
When the total number of ring-constituting carbon atoms of Z is from 6 to
Examples of the derivative of an m-valent hydrocarbon group having 20 polycyclic carbon rings include a hydroxyl group; a carboxyl group;
Oxo group; hydroxymethyl group, hydroxyethyl group,
C1-C4 hydroxy such as 1-hydroxypropyl, 2-hydroxypropyl, 3-hydroxypropyl, 1-hydroxybutyl, 2-hydroxybutyl, 3-hydroxybutyl, and 4-hydroxybutyl; Alkyl group; an alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group, a 2-methylpropoxy group, a 1-methylpropoxy group, and a t-butoxy group. A methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, an i-propoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, a 2-methylpropoxycarbonyl group,
An alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms such as -methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group; methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, ethoxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonylmethoxycarbonyl group, i-propoxycarbonylmethoxycarbonyl group , N-butoxycarbonylmethoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonylmethoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonylmethoxycarbonyl group, t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl group, etc. A group having one or more groups or one or more groups can be given. These substituents may be bonded to a polycyclic carbocycle in the above-mentioned n-valent hydrocarbon group, or may be bonded to an alkyl group substituting the polycyclic carbocycle.

【0083】前記置換基のうち、ヒドロキシル基、1−
メチルプロポキシカルボニルメトキシカルボニル基、t
−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル基等が好まし
く、特にヒドロキシル基が好ましい。また、多環式化合
物(C5)におけるmとしては、1または2が好まし
い。なお、置換基として(1−分岐アルコキシ)−CO
CH2 −OCO基を有する場合、その1−分岐アルコキ
シ基とCOCH2 との間および(1−分岐アルコキシ)
−COCH2 とOCOとの間も、酸の存在下で解離しう
る。
Among the above substituents, a hydroxyl group, 1-
A methylpropoxycarbonylmethoxycarbonyl group, t
-Butoxycarbonylmethoxycarbonyl group and the like are preferable, and a hydroxyl group is particularly preferable. Further, m in the polycyclic compound (C5) is preferably 1 or 2. In addition, (1-branched alkoxy) -CO
When it has a CH 2 —OCO group, between the 1-branched alkoxy group and COCH 2, and
Also between -COCH 2 and OCO can be dissociated in the presence of an acid.

【0084】多環式化合物(C5)の具体例としては、
下記式(5-1) 〜(5-44)で表される化合物等を挙げる
ことができる。
Specific examples of the polycyclic compound (C5) include
Examples include compounds represented by the following formulas (5-1) to (5-44).

【0085】[0085]

【化29】 Embedded image

【0086】[0086]

【化30】 Embedded image

【0087】[0087]

【化31】 Embedded image

【0088】[0088]

【化32】 Embedded image

【0089】[0089]

【化33】 Embedded image

【0090】[0090]

【化34】 Embedded image

【0091】[0091]

【化35】 Embedded image

【0092】[0092]

【化36】 Embedded image

【0093】[0093]

【化37】 Embedded image

【0094】[0094]

【化38】 Embedded image

【0095】[0095]

【化39】 Embedded image

【0096】[0096]

【化40】 Embedded image

【0097】[0097]

【化41】 Embedded image

【0098】[0098]

【化42】 Embedded image

【0099】[0099]

【化43】 Embedded image

【0100】[0100]

【化44】 Embedded image

【0101】[0101]

【化45】 Embedded image

【0102】[0102]

【化46】 Embedded image

【0103】[0103]

【化47】 Embedded image

【0104】[0104]

【化48】 Embedded image

【0105】[0105]

【化49】 Embedded image

【0106】[0106]

【化50】 Embedded image

【0107】これらの多環式化合物(C5)のうち、式
(5-9) 、式(5-10)、式(5-13)、式(5-14)、式
(5-17)、式(5-18)、式(5-21)、式(5-22)、式
(5-24)、式(5-30)または式(5-44)で表される化合
物等が好ましく、特に、式(5-10)、式(5-17)、式
(5-21)、式(5-24)、式(5-30)または式(5-44)で
表される化合物等が好ましい。
Among these polycyclic compounds (C5), formulas (5-9), (5-10), (5-13), (5-14), (5-17), Compounds represented by formula (5-18), formula (5-21), formula (5-22), formula (5-24), formula (5-30) or formula (5-44) are preferable, In particular, compounds represented by the formulas (5-10), (5-17), (5-21), (5-24), (5-30) or (5-44) are preferred. preferable.

【0108】多環式化合物(C5)は、例えば、脂環式
炭素環を有するアルコールと無水こはく酸とを反応さ
せ、その反応生成物にさらにブロモ酢酸t−ブチルを反
応させることにより合成することができる。より具体的
には、例えば前記式(5-30)で表される化合物は、窒素
雰囲気下、酢酸n−ブチル中で、デオキシコール酸と無
水こはく酸とを、還流下にて反応させ、析出した白色固
体を酢酸n−ブチルに溶解して数回水洗したのち、溶剤
を留去し、その後テトラヒドロフラン、蒸留水、炭酸カ
リウムおよびブロモ酢酸t−ブチルを加えて、数時間反
応させることにより合成することができる。
The polycyclic compound (C5) can be synthesized, for example, by reacting an alcohol having an alicyclic carbon ring with succinic anhydride, and further reacting the reaction product with t-butyl bromoacetate. Can be. More specifically, for example, the compound represented by the above formula (5-30) is prepared by reacting deoxycholic acid and succinic anhydride under reflux in a nitrogen atmosphere in n-butyl acetate. The obtained white solid is dissolved in n-butyl acetate and washed several times with water, then the solvent is distilled off, and then tetrahydrofuran, distilled water, potassium carbonate and t-butyl bromoacetate are added, and the mixture is reacted for several hours to synthesize. be able to.

【0109】次に、多環式化合物(C6)の具体例とし
ては、下記式(6-1)〜(6-29)で表される化合物等を
挙げることができる。
Next, specific examples of the polycyclic compound (C6) include compounds represented by the following formulas (6-1) to (6-29).

【0110】[0110]

【化51】 Embedded image

【0111】[0111]

【化52】 Embedded image

【0112】[0112]

【化53】 Embedded image

【0113】[0113]

【化54】 Embedded image

【0114】[0114]

【化55】 Embedded image

【0115】[0115]

【化56】 Embedded image

【0116】[0116]

【化57】 Embedded image

【0117】[0117]

【化58】 Embedded image

【0118】[0118]

【化59】 Embedded image

【0119】[0119]

【化60】 Embedded image

【0120】[0120]

【化61】 Embedded image

【0121】[0121]

【化62】 Embedded image

【0122】[0122]

【化63】 Embedded image

【0123】[0123]

【化64】 Embedded image

【0124】[0124]

【化65】 Embedded image

【0125】これらの多環式化合物(C6)のうち、特
に、式(6-18)または式(6-27)で表される化合物等が
好ましい。
Among these polycyclic compounds (C6), compounds represented by the formula (6-18) or the formula (6-27) are particularly preferable.

【0126】多環式化合物(C6)のうち、式(6-1)
で表される化合物は入手可能であり、それ以外の多環式
化合物(C6)は、式(6-1) で表される化合物を出発
物質として合成することができる。例えば、式(6-18)
で表される化合物は、式(6-1) で表される化合物とカ
リウムt−ブトキシドとを、塩化チオニル等の触媒の存
在下、高温にて反応させることにより合成することがで
き、また式(6-27)で表される化合物は、式(6-1) で
表される化合物とブロモ酢酸t−ブチルとを、炭酸カリ
ウム等の触媒の存在下で反応させることにより合成する
ことができる。
Of the polycyclic compound (C6), the compound represented by the formula (6-1)
Is available, and the other polycyclic compound (C6) can be synthesized using the compound represented by the formula (6-1) as a starting material. For example, equation (6-18)
The compound represented by the formula can be synthesized by reacting the compound represented by the formula (6-1) with potassium t-butoxide at a high temperature in the presence of a catalyst such as thionyl chloride. The compound represented by (6-27) can be synthesized by reacting the compound represented by formula (6-1) with t-butyl bromoacetate in the presence of a catalyst such as potassium carbonate. .

【0127】次に、多環式化合物(C7)において、R
11およびR12の結合位置は、nおよびpが0の場合は、
一般式(7)中の2つの炭素環を結ぶ2価のカルボニル
オキシ基あるいは2価のオキシカルボニル基の位置を2
−位としたとき、5−位または6−位にあり、nおよび
pが1の場合は、一般式(7)中の2つの炭素環を結ぶ
2価のカルボニルオキシ基あるいは2価のオキシカルボ
ニル基の位置を3−位としたとき、8−位または9−位
にあり、さらにnおよびpが2の場合は、一般式(7)
中の2つの炭素環を結ぶ2価のカルボニルオキシ基ある
いは2価のオキシカルボニル基の位置を3−位としたと
き、10−位または11−位にある。
Next, in the polycyclic compound (C7), R
When n and p are 0, the bonding position of 11 and R 12 is
The position of a divalent carbonyloxy group or a divalent oxycarbonyl group connecting two carbon rings in the general formula (7) is represented by 2
In the case where-is in the 5- or 6-position and n and p are 1, a divalent carbonyloxy group or a divalent oxycarbonyl linking two carbon rings in the general formula (7) When the position of the group is the 3-position, the group is located at the 8-position or 9-position, and when n and p are 2, the general formula (7)
When the position of the divalent carbonyloxy group or the divalent oxycarbonyl group connecting the two carbocycles is the 3-position, it is at the 10-position or 11-position.

【0128】多環式化合物(C7)において、R11およ
びR12の炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロ
ピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプ
ロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等を挙
げることができる。また、R11およびR12の炭素数1〜
4の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアルキル基とし
ては、例えば、ヒドロキシメチル基、2−ヒドロキシエ
チル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプ
ロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、1−ヒドロキシ
ブチル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブ
チル基、4−ヒドロキシブチル基等を挙げることができ
る。
In the polycyclic compound (C7), examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms for R 11 and R 12 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group and an i-type group. -Propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group, t-butyl group and the like. Also, R 11 and R 12 have 1 to 1 carbon atoms.
Examples of the linear or branched hydroxyalkyl group of 4 include a hydroxymethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 1-hydroxypropyl group, a 2-hydroxypropyl group, a 3-hydroxypropyl group, and a 1-hydroxybutyl group. , 2-hydroxybutyl, 3-hydroxybutyl, 4-hydroxybutyl and the like.

【0129】また、R11およびR12の−OR13のうち、
13が炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基である基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ
基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキ
シ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプロポキシ
基、t−ブトキシ基等を挙げることができる。また、R
11およびR12の−OR13のうち、R13が−CH2 COO
14である基としては、例えば、カルボキシメトキシ基
や、メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシカルボニ
ルメトキシ基、n−プロポキシカルボニルメトキシ基、
i−プロポキシカルボニルメトキシ基、n−ブトキシカ
ルボニルメトキシ基、2−メチルプロポキシカルボニル
メトキシ基、1−メチルプロポキシカルボニルメトキシ
基、t−ブトキシカルボニルメトキシ基、n−ペンチル
オキシカルボニルメトキシ基、n−ヘキシルオキシカル
ボニルメトキシ基、n−オクチルオキシカルボニルメト
キシ基、n−デシルオキシカルボニルメトキシ基、n−
ドデシルオキシカルボニルメトキシ基、n−テトラデシ
ルオキシカルボニルメトキシ基、n−ヘキサデシルオキ
シカルボニルメトキシ基、n−オクタデシルオキシカル
ボニルメトキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルメ
トキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルメトキシ
基、シクロオクチルオキシカルボニルメトキシ基等の直
鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシカルボニルメト
キシ基を挙げることができる。
Further, among -OR 13 of R 11 and R 12 ,
Examples of the group in which R 13 is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an i-propoxy group, an n-butoxy group and a 2-methyl group. Examples include a propoxy group, a 1-methylpropoxy group, and a t-butoxy group. Also, R
11 and out of -OR 13 in R 12, R 13 is -CH 2 COO
Examples of the group represented by R 14 include a carboxymethoxy group, a methoxycarbonylmethoxy group, an ethoxycarbonylmethoxy group, an n-propoxycarbonylmethoxy group,
i-propoxycarbonylmethoxy group, n-butoxycarbonylmethoxy group, 2-methylpropoxycarbonylmethoxy group, 1-methylpropoxycarbonylmethoxy group, t-butoxycarbonylmethoxy group, n-pentyloxycarbonylmethoxy group, n-hexyloxycarbonyl Methoxy group, n-octyloxycarbonylmethoxy group, n-decyloxycarbonylmethoxy group, n-
Dodecyloxycarbonylmethoxy, n-tetradecyloxycarbonylmethoxy, n-hexadecyloxycarbonylmethoxy, n-octadecyloxycarbonylmethoxy, cyclopentyloxycarbonylmethoxy, cyclohexyloxycarbonylmethoxy, cyclooctyloxycarbonylmethoxy And linear, branched or cyclic alkoxycarbonylmethoxy groups.

【0130】また、R11およびR12の−COOR15のう
ち、R15が置換もしくは非置換の炭素数1〜20のアル
キル基である基としては、例えば、メトキシカルボニル
基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル
基、i−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボ
ニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチ
ルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル
基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオ
キシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、
n−デシルオキシカルボニル基、n−ドデシルオキシカ
ルボニル基、n−テトラデシルオキシカルボニル基、n
−ヘキサデシルオキシカルボニル基、n−オクタデシル
オキシカルボニル基、n−エイコシルオキシカルボニル
基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシ
ルオキシカルボニル基、シクロオクチルオキシカルボニ
ル基等の直鎖状、分岐状もしくは環状の非置換アルコキ
シカルボニル基;これらの非置換アルコキシカルボニル
基中のアルコキシル基を、ヒドロキシル基、カルボキシ
ル基、オキソ基、ヒドロキシメチル基、炭素数1〜4の
直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基等の置換基の1
種以上あるいは1個以上で置換した誘導体を挙げること
ができる。
In the -COOR 15 of R 11 and R 12 , R 15 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, for example, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, n -Propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonyl group , N-octyloxycarbonyl group,
n-decyloxycarbonyl group, n-dodecyloxycarbonyl group, n-tetradecyloxycarbonyl group, n
Linear, branched or cyclic unsubstituted such as -hexadecyloxycarbonyl group, n-octadecyloxycarbonyl group, n-eicosyloxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, cyclooctyloxycarbonyl group, etc. Alkoxycarbonyl group; an alkoxyl group in these unsubstituted alkoxycarbonyl groups is substituted with a substituent such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an oxo group, a hydroxymethyl group, a linear or branched alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms; 1
Derivatives substituted by one or more species or one or more species can be mentioned.

【0131】また、R11およびR12の−COOR15のう
ち、R15が−CH2 COOR16である基としては、例え
ば、カルボキシメトキシカルボニル基や、メトキシカル
ボニルメトキシカルボニル基、エトキシカルボニルメト
キシカルボニル基、n−プロポキシカルボニルメトキシ
カルボニル基、i−プロポキシカルボニルメトキシカル
ボニル基、n−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル
基、2−メチルプロポキシカルボニルメトキシカルボニ
ル基、1−メチルプロポキシカルボニルメトキシカルボ
ニル基、t−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル
基、n−ペンチルオキシカルボニルメトキシカルボニル
基、n−ヘキシルオキシカルボニルメトキシカルボニル
基、n−オクチルオキシカルボニルメトキシカルボニル
基、n−デシルオキシカルボニルメトキシカルボニル
基、n−ドデシルオキシカルボニルメトキシカルボニル
基、n−テトラデシルオキシカルボニルメトキシカルボ
ニル基、n−ヘキサデシルオキシカルボニルメトキシカ
ルボニル基、n−オクタデシルオキシカルボニルメトキ
シカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニルメト
キシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニルメ
トキシカルボニル基、シクロオクチルオキシカルボニル
メトキシカルボニル基等の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルコキシカルボニルメトキシカルボニル基を挙げる
ことができる。
The group in which R 15 is —CH 2 COOR 16 among —COOR 15 of R 11 and R 12 is, for example, a carboxymethoxycarbonyl group, a methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, an ethoxycarbonylmethoxycarbonyl group. N-propoxycarbonylmethoxycarbonyl group, i-propoxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-butoxycarbonylmethoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonylmethoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonylmethoxycarbonyl group, t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl group N-pentyloxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-hexyloxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-octyloxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-decyloxy Carbonylmethoxycarbonyl group, n-dodecyloxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-tetradecyloxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-hexadecyloxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-octadecyloxycarbonylmethoxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonylmethoxycarbonyl group, Examples thereof include a linear, branched or cyclic alkoxycarbonylmethoxycarbonyl group such as a cyclohexyloxycarbonylmethoxycarbonyl group and a cyclooctyloxycarbonylmethoxycarbonyl group.

【0132】多環式化合物(C7)におけるR11および
12としては、それぞれ、水素原子、ヒドロキシメチル
基、ヒドロキシル基、t−ブトキシカルボニルメトキシ
基、t−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニ
ルメトキシカルボニル基等が好ましい。また、多環式化
合物(C7)におけるnおよびpとしては、それぞれ、
0または1が好ましい。
R 11 and R 12 in the polycyclic compound (C7) are each a hydrogen atom, a hydroxymethyl group, a hydroxyl group, a t-butoxycarbonylmethoxy group, a t-butoxycarbonyl group, a t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl Groups and the like are preferred. Further, as n and p in the polycyclic compound (C7),
0 or 1 is preferred.

【0133】多環式化合物(C7)の具体例としては、
下記式(7-1) 〜(7-208) で表される化合物等を挙げ
ることができる。
As specific examples of the polycyclic compound (C7),
Examples include compounds represented by the following formulas (7-1) to (7-208).

【0134】[0134]

【化66】 Embedded image

【0135】[0135]

【化67】 Embedded image

【0136】[0136]

【化68】 Embedded image

【0137】[0137]

【化69】 Embedded image

【0138】[0138]

【化70】 Embedded image

【0139】[0139]

【化71】 Embedded image

【0140】[0140]

【化72】 Embedded image

【0141】[0141]

【化73】 Embedded image

【0142】[0142]

【化74】 Embedded image

【0143】[0143]

【化75】 Embedded image

【0144】[0144]

【化76】 Embedded image

【0145】[0145]

【化77】 Embedded image

【0146】[0146]

【化78】 Embedded image

【0147】[0147]

【化79】 Embedded image

【0148】[0148]

【化80】 Embedded image

【0149】[0149]

【化81】 Embedded image

【0150】[0150]

【化82】 Embedded image

【0151】[0151]

【化83】 Embedded image

【0152】[0152]

【化84】 Embedded image

【0153】[0153]

【化85】 Embedded image

【0154】[0154]

【化86】 Embedded image

【0155】[0155]

【化87】 Embedded image

【0156】[0156]

【化88】 Embedded image

【0157】[0157]

【化89】 Embedded image

【0158】[0158]

【化90】 Embedded image

【0159】[0159]

【化91】 Embedded image

【0160】[0160]

【化92】 Embedded image

【0161】[0161]

【化93】 Embedded image

【0162】[0162]

【化94】 Embedded image

【0163】[0163]

【化95】 Embedded image

【0164】[0164]

【化96】 Embedded image

【0165】[0165]

【化97】 Embedded image

【0166】[0166]

【化98】 Embedded image

【0167】[0167]

【化99】 Embedded image

【0168】[0168]

【化100】 Embedded image

【0169】[0169]

【化101】 Embedded image

【0170】[0170]

【化102】 Embedded image

【0171】[0171]

【化103】 Embedded image

【0172】[0172]

【化104】 Embedded image

【0173】[0173]

【化105】 Embedded image

【0174】[0174]

【化106】 Embedded image

【0175】[0175]

【化107】 Embedded image

【0176】[0176]

【化108】 Embedded image

【0177】[0177]

【化109】 Embedded image

【0178】[0178]

【化110】 Embedded image

【0179】[0179]

【化111】 Embedded image

【0180】[0180]

【化112】 Embedded image

【0181】[0181]

【化113】 Embedded image

【0182】[0182]

【化114】 Embedded image

【0183】[0183]

【化115】 Embedded image

【0184】[0184]

【化116】 Embedded image

【0185】[0185]

【化117】 Embedded image

【0186】[0186]

【化118】 Embedded image

【0187】[0187]

【化119】 Embedded image

【0188】[0188]

【化120】 Embedded image

【0189】[0189]

【化121】 Embedded image

【0190】[0190]

【化122】 Embedded image

【0191】[0191]

【化123】 Embedded image

【0192】[0192]

【化124】 Embedded image

【0193】[0193]

【化125】 Embedded image

【0194】[0194]

【化126】 Embedded image

【0195】[0195]

【化127】 Embedded image

【0196】[0196]

【化128】 Embedded image

【0197】[0197]

【化129】 Embedded image

【0198】[0198]

【化130】 Embedded image

【0199】[0199]

【化131】 Embedded image

【0200】[0200]

【化132】 Embedded image

【0201】[0201]

【化133】 Embedded image

【0202】[0202]

【化134】 Embedded image

【0203】[0203]

【化135】 Embedded image

【0204】[0204]

【化136】 Embedded image

【0205】[0205]

【化137】 Embedded image

【0206】[0206]

【化138】 Embedded image

【0207】[0207]

【化139】 Embedded image

【0208】[0208]

【化140】 Embedded image

【0209】[0209]

【化141】 Embedded image

【0210】[0210]

【化142】 Embedded image

【0211】[0211]

【化143】 Embedded image

【0212】[0212]

【化144】 Embedded image

【0213】[0213]

【化145】 Embedded image

【0214】[0214]

【化146】 Embedded image

【0215】[0215]

【化147】 Embedded image

【0216】[0216]

【化148】 Embedded image

【0217】[0219]

【化149】 Embedded image

【0218】[0218]

【化150】 Embedded image

【0219】[0219]

【化151】 Embedded image

【0220】[0220]

【化152】 Embedded image

【0221】[0221]

【化153】 Embedded image

【0222】[0222]

【化154】 Embedded image

【0223】[0223]

【化155】 Embedded image

【0224】[0224]

【化156】 Embedded image

【0225】[0225]

【化157】 Embedded image

【0226】[0226]

【化158】 Embedded image

【0227】[0227]

【化159】 Embedded image

【0228】[0228]

【化160】 Embedded image

【0229】[0229]

【化161】 Embedded image

【0230】[0230]

【化162】 Embedded image

【0231】[0231]

【化163】 Embedded image

【0232】[0232]

【化164】 Embedded image

【0233】[0233]

【化165】 Embedded image

【0234】[0234]

【化166】 Embedded image

【0235】[0235]

【化167】 Embedded image

【0236】[0236]

【化168】 Embedded image

【0237】[0237]

【化169】 Embedded image

【0238】これらの多環式化合物(C7)のうち、式
(7-9) 、式(7-10)、式(7-12)、式(7-13)、式
(7-14)、式(7-16)、式(7-25)、式(7-26)、式
(7-28)、式(7-33)、式(7-34)、式(7-36)、式
(7-41)、式(7-42)、式(7-44)、式(7-45)、式
(7-46)、式(7-48)、式(7-49)、式(7-50)、式
(7-52)、式(7-61)、式(7-62)、式(7-64)、式
(7-65)、式(7-66)、式(7-68)、式(7-77)、式
(7-78)、式(7-80)、式(7-85)、式(7-86)、式
(7-88)、式(7-93)、式(7-94)、式(7-96)、式
(7-97)、式(7-98)、式(7-100) 、式(7-101) 、
式(7-102) 、式(7-104) 、式(7-113) 、式(7-1
14)、式(7-116) 、式(7-117) 、式(7-118) 、式
(7-120) 、式(7-129) 、式(7-130) 、式(7-13
2) 、式(7-137) 、式(7-138) 、式(7-140) 、式
(7-145) 、式(7-146) 、式(7-148) 、式(7-14
9) 、式(7-150) 、式(7-152) 、式(7-153) 、式
(7-154) 、式(7-156) 、式(7-165) 、式(7-16
6) 、式(7-168) 、式(7-169) 、式(7-170) 、式
(7-172) 、式(7-181) 、式(7-182) 、式(7-18
4) 、式(7-189) 、式(7-190) 、式(7-192) 、式
(7-197) 、式(7-198) 、式(7-200) 、式(7-20
1) 、式(7-202)、式(7-204) 、式(7-205) 、式
(7-206) または式(7-208) で表される化合物等が好
ましく、特に、式(7-34)、式(7-104) 、式(7-13
2) または式(7-169) で表される化合物等が好まし
い。
Of these polycyclic compounds (C7), formulas (7-9), (7-10), (7-12), (7-13), (7-14), Equation (7-16), Equation (7-25), Equation (7-26), Equation (7-28), Equation (7-33), Equation (7-34), Equation (7-36), Equation (7-41), Formula (7-42), Formula (7-44), Formula (7-45), Formula (7-46), Formula (7-48), Formula (7-49), Formula (7-49) 7-50), Equation (7-52), Equation (7-61), Equation (7-62), Equation (7-64), Equation (7-65), Equation (7-66), Equation (7 -68), Equation (7-77), Equation (7-78), Equation (7-80), Equation (7-85), Equation (7-86), Equation (7-88), Equation (7-78) 93), Formula (7-94), Formula (7-96), Formula (7-97), Formula (7-98), Formula (7-100), Formula (7-101),
Formula (7-102), Formula (7-104), Formula (7-113), Formula (7-1)
14), Formula (7-116), Formula (7-117), Formula (7-118), Formula (7-120), Formula (7-129), Formula (7-130), Formula (7-13)
2), equation (7-137), equation (7-138), equation (7-140), equation (7-145), equation (7-146), equation (7-148), equation (7-14)
9), equation (7-150), equation (7-152), equation (7-153), equation (7-154), equation (7-156), equation (7-165), equation (7-16)
6), Equation (7-168), Equation (7-169), Equation (7-170), Equation (7-172), Equation (7-181), Equation (7-182), Equation (7-18)
4), equation (7-189), equation (7-190), equation (7-192), equation (7-197), equation (7-198), equation (7-200), equation (7-20)
1), a compound represented by the formula (7-202), the formula (7-204), the formula (7-205), the formula (7-206) or the formula (7-208), and the like. 7-34), Equation (7-104), Equation (7-13)
2) or a compound represented by the formula (7-169) is preferred.

【0239】多環式化合物(C7)は、例えば、前記式
(7-103) で表される化合物の場合、ジシクロペンタジ
エンと酢酸アリルとをディールス−アルダー反応させ、
得られた反応生成物に蟻酸を付加反応させたのち、テト
ラヒドロフラン中にて、トリエチルアミンおよび4−ジ
メチルアミノピリジンの存在下で、ハイミック酸を反応
させ、この反応生成物に蟻酸をさらに付加反応させ、そ
の後水酸化カリウム水溶液で加水分解して合成すること
ができる。
In the case of the compound represented by the formula (7-103), for example, the polycyclic compound (C7) is subjected to a Diels-Alder reaction between dicyclopentadiene and allyl acetate,
After the addition reaction of the obtained reaction product with formic acid, in tetrahydrofuran, in the presence of triethylamine and 4-dimethylaminopyridine, reacted with a hymic acid, and further reacted with formic acid to the reaction product, Thereafter, it can be synthesized by hydrolysis with an aqueous solution of potassium hydroxide.

【0240】次に、多環式化合物(C8)において、R
17、R18、R19およびR20の炭素数1〜4の直鎖状もし
くは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、
エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチ
ル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、
t−ブチル基等を挙げることができる。また、R17、R
18、R19およびR20の炭素数1〜4の直鎖状もしくは分
岐状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n
−ブトキシ基、2−メチルプロポキシ基、1−メチルプ
ロポキシ基、t−ブトキシ基等を挙げることができる。
多環式化合物(C8)におけるR17、R18、R19および
20としては、水素原子、ヒドロキシル基、メチル基、
エチル基、メトキシ基、エトキシ基等が好ましい。
Next, in the polycyclic compound (C8), R
Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms of 17 , R 18 , R 19 and R 20 include a methyl group,
Ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylpropyl group,
A t-butyl group and the like can be mentioned. Also, R 17 , R
Examples of the linear or branched alkoxyl group having 1 to 4 carbon atoms of 18 , R 19 and R 20 include a methoxy group,
Ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n
-Butoxy group, 2-methylpropoxy group, 1-methylpropoxy group, t-butoxy group and the like.
R 17 , R 18 , R 19 and R 20 in the polycyclic compound (C8) are a hydrogen atom, a hydroxyl group, a methyl group,
Ethyl, methoxy, ethoxy and the like are preferred.

【0241】多環式化合物(C8)の具体例としては、
テトラヒドロアビエチン酸、テトラヒドロアビエチン酸
メチル、テトラヒドロアビエチン酸エチル、テトラヒド
ロアビエチン酸n−プロピル、テトラヒドロアビエチン
酸i−プロピル、テトラヒドロアビエチン酸n−ブチ
ル、テトラヒドロアビエチン酸2−メチルプロピル、テ
トラヒドロアビエチン酸1−メチルプロピル、テトラヒ
ドロアビエチン酸t−ブチル、テトラヒドロアビエチン
酸シクロペンチル、テトラヒドロアビエチン酸シクロヘ
キシル等のテトラヒドロアビエチン酸またはそのアルキ
ルエステル類;
Specific examples of the polycyclic compound (C8) include
Tetrahydroabietic acid, methyl tetrahydroabietic acid, ethyl tetrahydroabietic acid, n-propyl tetrahydroabietic acid, i-propyl tetrahydroabietic acid, n-butyl tetrahydroabietic acid, 2-methylpropyl tetrahydroabietic acid, 1-methylpropyl tetrahydroabietic acid , Tetrahydroabietic acid such as t-butyl tetrahydroabietic acid, cyclopentyl tetrahydroabietic acid, cyclohexyl tetrahydroabietic acid, and alkyl esters thereof;

【0242】テトラヒドロアビエチン酸メトキシカルボ
ニルメチル、テトラヒドロアビエチン酸エトキシカルボ
ニルメチル、テトラヒドロアビエチン酸n−プロポキシ
カルボニルメチル、テトラヒドロアビエチン酸i−プロ
ポキシカルボニルメチル、テトラヒドロアビエチン酸n
−ブトキシカルボニルメチル、テトラヒドロアビエチン
酸2−メチルプロポキシカルボニルメチル、テトラヒド
ロアビエチン酸1−メチルプロポキシカルボニルメチ
ル、テトラヒドロアビエチン酸t−ブトキシカルボニル
メチル、テトラヒドロアビエチン酸シクロペンチルオキ
シカルボニルメチル、テトラヒドロアビエチン酸シクロ
ヘキシルオキシカルボニルメチル等のテトラヒドロアビ
エチン酸のアルコキシカルボニルメチルエステル類や、
下記式(8-1) 〜(8-30)で表される化合物等を挙げる
ことができる。
Methoxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, ethoxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, n-propoxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, i-propoxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, n-tetrahydroabietic acid
-Butoxycarbonylmethyl, 2-methylpropoxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, 1-methylpropoxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, t-butoxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, cyclopentyloxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, cyclohexyloxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid, etc. Of alkoxycarbonylmethyl esters of tetrahydroabietic acid,
Examples include compounds represented by the following formulas (8-1) to (8-30).

【0243】[0243]

【化170】 Embedded image

【0244】[0244]

【化171】 Embedded image

【0245】[0245]

【化172】 Embedded image

【0246】[0246]

【化173】 Embedded image

【0247】[0247]

【化174】 Embedded image

【0248】[0248]

【化175】 Embedded image

【0249】[0249]

【化176】 Embedded image

【0250】[0250]

【化177】 Embedded image

【0251】[0251]

【化178】 Embedded image

【0252】[0252]

【化179】 Embedded image

【0253】[0253]

【化180】 Embedded image

【0254】[0254]

【化181】 Embedded image

【0255】[0255]

【化182】 Embedded image

【0256】[0256]

【化183】 Embedded image

【0257】[0257]

【化184】 Embedded image

【0258】これらの多環式化合物(C8)のうち、特
に、テトラヒドロアビエチン酸t−ブチル、テトラヒド
ロアビエチン酸t−ブトキシカルボニルメチル等が好ま
しい。
Of these polycyclic compounds (C8), particularly preferred are t-butyl tetrahydroabietic acid, t-butoxycarbonylmethyl tetrahydroabietic acid and the like.

【0259】多環式化合物(C8)は、例えば、テトラ
ヒドロアビエチン酸t−ブチルの場合、テトラヒドロア
ビエチン酸とカリウムt−ブトキシドとを、塩化チオニ
ル等の触媒の存在下、高温にて反応させることにより合
成することができ、またテトラヒドロアビエチン酸t−
ブトキシカルボニルメチルは、テトラヒドロアビエチン
酸とブロモ酢酸t−ブチルとを、炭酸カリウム等の触媒
の存在下で反応させることにより合成することができ
る。
For example, in the case of t-butyl tetrahydroabietic acid, the polycyclic compound (C8) is obtained by reacting tetrahydroabietic acid with potassium t-butoxide at a high temperature in the presence of a catalyst such as thionyl chloride. Can be synthesized and t-tetrahydroabietic acid
Butoxycarbonylmethyl can be synthesized by reacting tetrahydroabietic acid with t-butyl bromoacetate in the presence of a catalyst such as potassium carbonate.

【0260】次に、多環式化合物(C9)の具体例とし
ては、リトコール酸、リトコール酸メチル、リトコール
酸エチル、リトコール酸n−プロピル、リトコール酸i
−プロピル、リトコール酸n−ブチル、リトコール酸2
−メチルプロピル、リトコール酸1−メチルプロピル、
リトコール酸t−ブチル、リトコール酸シクロペンチ
ル、リトコール酸シクロヘキシル、リトコール酸γ−ブ
チロラクトン、リトコール酸メバロニックラクトン、リ
トコール酸メトキシカルボニルメチル、リトコール酸エ
トキシカルボニルメチル、リトコール酸n−プロポキシ
カルボニルメチル、リトコール酸i−プロポキシカルボ
ニルメチル、リトコール酸n−ブトキシカルボニルメチ
ル、リトコール酸2−メチルプロポキシカルボニルメチ
ル、リトコール酸1−メチルプロポキシカルボニルメチ
ル、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、リト
コール酸シクロペンチルオキシカルボニルメチル、リト
コール酸シクロヘキシルオキシカルボニルメチル等のリ
トコール酸またはその誘導体類;
Next, specific examples of the polycyclic compound (C9) include lithocholic acid, methyl lithocholic acid, ethyl lithocholic acid, n-propyl lithocholic acid, lithocholic acid i
-Propyl, n-butyl lithocholic acid, lithocholic acid 2
-Methylpropyl, 1-methylpropyl lithocholic acid,
T-butyl lithocholic acid, cyclopentyl lithocholic acid, cyclohexyl lithocholic acid, γ-butyrolactone lithocholic acid, mevalonic lactone lithocholic acid, methoxycarbonylmethyl lithocholic acid, ethoxycarbonylmethyl lithocholic acid, n-propoxycarbonylmethyl lithocholic acid, lithocholic acid i -Propoxycarbonylmethyl, n-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid, 2-methylpropoxycarbonylmethyl lithocholic acid, 1-methylpropoxycarbonylmethyl lithocholic acid, t-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid, cyclopentyloxycarbonylmethyl lithocholic acid, cyclohexyloxy lithocholic acid Lithocholic acid such as carbonylmethyl or derivatives thereof;

【0261】デオキシコール酸、デオキシコール酸メチ
ル、デオキシコール酸エチル、デオキシコール酸n−プ
ロピル、デオキシコール酸i−プロピル、デオキシコー
ル酸n−ブチル、デオキシコール酸2−メチルプロピ
ル、デオキシコール酸1−メチルプロピル、デオキシコ
ール酸t−ブチル、デオキシコール酸シクロペンチル、
デオキシコール酸シクロヘキシル、デオキシコール酸γ
−ブチロラクトン、デオキシコール酸メバロニックラク
トン、デオキシコール酸メトキシカルボニルメチル、デ
オキシコール酸エトキシカルボニルメチル、デオキシコ
ール酸n−プロポキシカルボニルメチル、デオキシコー
ル酸i−プロポキシカルボニルメチル、デオキシコール
酸n−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2
−メチルプロポキシカルボニルメチル、デオキシコール
酸1−メチルプロポキシカルボニルメチル、デオキシコ
ール酸t−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール
酸シクロペンチルオキシカルボニルメチル、デオキシコ
ール酸シクロヘキシルオキシカルボニルメチル等のデオ
キシコール酸またはその誘導体類;
Deoxycholic acid, methyl deoxycholate, ethyl deoxycholate, n-propyl deoxycholate, i-propyl deoxycholate, n-butyl deoxycholate, 2-methylpropyl deoxycholate, deoxycholate 1 -Methylpropyl, t-butyl deoxycholate, cyclopentyl deoxycholate,
Cyclohexyl deoxycholic acid, deoxycholic acid γ
-Butyrolactone, mevalonic lactone deoxycholate, methoxycarbonylmethyl deoxycholate, ethoxycarbonylmethyl deoxycholate, n-propoxycarbonylmethyl deoxycholate, i-propoxycarbonylmethyl deoxycholate, n-butoxycarbonyl deoxycholate Methyl, deoxycholic acid 2
Deoxycholic acid or derivatives thereof, such as -methylpropoxycarbonylmethyl, 1-methylpropoxycarbonylmethyl deoxycholate, t-butoxycarbonylmethyl deoxycholate, cyclopentyloxycarbonylmethyl deoxycholate, cyclohexyloxycarbonylmethyl deoxycholate;

【0262】ウルソデオキシコール酸、ウルソデオキシ
コール酸メチル、ウルソデオキシコール酸エチル、ウル
ソデオキシコール酸n−プロピル、ウルソデオキシコー
ル酸i−プロピル、ウルソデオキシコール酸n−ブチ
ル、ウルソデオキシコール酸2−メチルプロピル、ウル
ソデオキシコール酸1−メチルプロピル、ウルソデオキ
シコール酸t−ブチル、ウルソデオキシコール酸シクロ
ペンチル、ウルソデオキシコール酸シクロヘキシル、ウ
ルソデオキシコール酸γ−ブチロラクトン、ウルソデオ
キシコール酸メバロニックラクトン、ウルソデオキシコ
ール酸メトキシカルボニルメチル、ウルソデオキシコー
ル酸エトキシカルボニルメチル、ウルソデオキシコール
酸n−プロポキシカルボニルメチル、ウルソデオキシコ
ール酸i−プロポキシカルボニルメチル、ウルソデオキ
シコール酸n−ブトキシカルボニルメチル、ウルソデオ
キシコール酸2−メチルプロポキシカルボニルメチル、
ウルソデオキシコール酸1−メチルプロポキシカルボニ
ルメチル、ウルソデオキシコール酸t−ブトキシカルボ
ニルメチル、ウルソデオキシコール酸シクロペンチルオ
キシカルボニルメチル、ウルソデオキシコール酸シクロ
ヘキシルオキシカルボニルメチル等のウルソデオキシコ
ール酸またはその誘導体類;
Ursodeoxycholic acid, methyl ursodeoxycholic acid, ethyl ursodeoxycholic acid, n-propyl ursodeoxycholic acid, i-propyl ursodeoxycholic acid, n-butyl ursodeoxycholic acid, ursodeoxycholic acid 2- Methylpropyl, 1-methylpropyl ursodeoxycholate, t-butyl ursodeoxycholate, cyclopentyl ursodeoxycholate, cyclohexyl ursodeoxycholate, γ-butyrolactone ursodeoxycholic acid, mevalonic lactone ursodeoxycholate, urso Methoxycarbonylmethyl deoxycholate, ethoxycarbonylmethyl ursodeoxycholate, n-propoxycarbonylmethyl ursodeoxycholate, i-propoxy ursodeoxycholate Carbonyl-methyl, ursodeoxycholic acid n- butoxycarbonylmethyl, ursodeoxycholic acid 2-methyl-propoxycarbonyl methyl,
Ursodeoxycholic acids or derivatives thereof such as 1-methylpropoxycarbonylmethyl ursodeoxycholate, t-butoxycarbonylmethyl ursodeoxycholate, cyclopentyloxycarbonylmethyl ursodeoxycholate, cyclohexyloxycarbonylmethyl ursodeoxycholate;

【0263】コール酸、コール酸メチル、コール酸エチ
ル、コール酸n−プロピル、コール酸i−プロピル、コ
ール酸n−ブチル、コール酸2−メチルプロピル、コー
ル酸1−メチルプロピル、コール酸t−ブチル、コール
酸シクロペンチル、コール酸シクロヘキシル、コール酸
γ−ブチロラクトン、コール酸メバロニックラクトン、
コール酸メトキシカルボニルメチル、コール酸エトキシ
カルボニルメチル、コール酸n−プロポキシカルボニル
メチル、コール酸i−プロポキシカルボニルメチル、コ
ール酸n−ブトキシカルボニルメチル、コール酸2−メ
チルプロポキシカルボニルメチル、コール酸1−メチル
プロポキシカルボニルメチル、コール酸t−ブトキシカ
ルボニルメチル、コール酸シクロペンチルオキシカルボ
ニルメチル、コール酸シクロヘキシルオキシカルボニル
メチル等のコール酸またはその誘導体類等を挙げること
ができる。
Cholic acid, methyl cholate, ethyl cholate, n-propyl cholate, i-propyl cholate, n-butyl cholate, 2-methylpropyl cholate, 1-methylpropyl cholate, t-cholate Butyl, cyclopentyl cholate, cyclohexyl cholate, γ-butyrolactone cholate, mevalonic lactone cholate,
Methoxycarbonylmethyl cholate, ethoxycarbonylmethyl cholate, n-propoxycarbonylmethyl cholate, i-propoxycarbonylmethyl cholate, n-butoxycarbonylmethyl cholate, 2-methylpropoxycarbonylmethyl cholate, 1-methyl cholate Examples thereof include cholic acid such as propoxycarbonylmethyl, t-butoxycarbonylmethyl cholate, cyclopentyloxycarbonylmethyl cholate, and cyclohexyloxycarbonylmethyl cholate, and derivatives thereof.

【0264】これらの多環式化合物(C9)のうち、リ
トコール酸t−ブチル、リトコール酸γ−ブチロラクト
ン、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、デオ
キシコール酸t−ブチル、デオキシコール酸γ−ブチロ
ラクトン、デオキシコール酸t−ブトキシカルボニルメ
チル、ウルソデオキシコール酸t−ブチル、ウルソデオ
キシコール酸γ−ブチロラクトン、ウルソデオキシコー
ル酸t−ブトキシカルボニルメチル、コール酸t−ブチ
ル、コール酸γ−ブチロラクトン、コール酸t−ブトキ
シカルボニルメチル等が好ましい。
Of these polycyclic compounds (C9), t-butyl lithocholic acid, γ-butyrolactone lithocholic acid, t-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid, t-butyl deoxycholate, γ-butyrolactone deoxycholate, deoxycholate T-butoxycarbonylmethyl cholate, t-butyl ursodeoxycholic acid, γ-butyrolactone ursodeoxycholic acid, t-butoxycarbonylmethyl ursodeoxycholate, t-butyl cholate, γ-butyrolactone cholate, t-cholate c- Butoxycarbonylmethyl and the like are preferred.

【0265】多環式化合物(C9)は、例えば、対応す
るステロイドカルボン酸を、炭酸カリウムの存在下で、
ブロム酢酸t−ブチル等と反応させることにより合成す
ることができる。
The polycyclic compound (C9) can be produced, for example, by converting the corresponding steroid carboxylic acid in the presence of potassium carbonate,
It can be synthesized by reacting with t-butyl bromoacetate or the like.

【0266】本発明における多環式化合物(C)として
は、多環式化合物(C5)、多環式化合物(C8)、多
環式化合物(C9)等が好ましく、特に好ましくは多環
式化合物(C9)である。
The polycyclic compound (C) in the present invention is preferably a polycyclic compound (C5), a polycyclic compound (C8), a polycyclic compound (C9), etc., and particularly preferably a polycyclic compound. (C9).

【0267】本発明において、多環式化合物(C)は、
単独でまたは2種以上を混合して使用することができ
る。多環式化合物(C)の使用量は、樹脂(A)100
重量部に対して、通常、1〜20重量部、好ましくは1
〜15重量部、特に好ましくは1〜10重量部である。
この場合、多環式化合物(C)の使用量が1重量部未満
では、特に、ライン・アンド・スペースパターンの疎密
度によるラインパターンの線幅の変動に対する改良効果
が不十分となるおそれがあり、一方20重量部を超える
と、耐熱性や基板への接着性が低下する傾向がある。
In the present invention, the polycyclic compound (C) is
They can be used alone or in combination of two or more. The amount of the polycyclic compound (C) used is 100 parts of the resin (A).
Usually, 1 to 20 parts by weight, preferably 1
To 15 parts by weight, particularly preferably 1 to 10 parts by weight.
In this case, if the amount of the polycyclic compound (C) is less than 1 part by weight, the effect of improving the line width of the line pattern due to the low density of the line and space pattern may be insufficient. On the other hand, when the amount exceeds 20 parts by weight, heat resistance and adhesion to a substrate tend to decrease.

【0268】本発明の感放射線性樹脂組成物には、露光
により酸発生剤(B)から生じる酸のレジスト被膜中に
おける拡散現象を制御し、非露光領域における好ましく
ない化学反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配
合することが好ましい。このような酸拡散制御剤を配合
することにより、得られる感放射線性樹脂組成物の保存
安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度が
さらに向上するとともに、露光から露光後の加熱処理ま
での引き置き時間(PED)の変動によるレジストパタ
ーンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に
極めて優れた組成物が得られる。酸拡散制御剤として
は、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理に
より塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
このような含窒素有機化合物としては、例えば、下記一
般式(10)
The radiation-sensitive resin composition of the present invention has an effect of controlling the diffusion phenomenon of the acid generated from the acid generator (B) in the resist film due to exposure, and suppressing an undesired chemical reaction in the unexposed area. It is preferable to add an acid diffusion controller having the same. By blending such an acid diffusion controller, the storage stability of the obtained radiation-sensitive resin composition is further improved, and the resolution as a resist is further improved, and from exposure to heat treatment after exposure. It is possible to suppress a change in the line width of the resist pattern due to a change in the withdrawal time (PED), and to obtain a composition having extremely excellent process stability. As the acid diffusion controller, a nitrogen-containing organic compound whose basicity does not change by exposure or heat treatment during the resist pattern forming step is preferable.
As such a nitrogen-containing organic compound, for example, the following general formula (10)

【0269】[0269]

【化185】 〔一般式(10)において、R24、R25およびR26は相
互に独立に水素原子、置換もしくは非置換の直鎖状、分
岐状もしくは環状のアルキル基、置換もしくは非置換の
アリール基または置換もしくは非置換のアラルキル基を
示す。〕
Embedded image [In the general formula (10), R 24 , R 25 and R 26 independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted linear, branched or cyclic alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted Alternatively, it represents an unsubstituted aralkyl group. ]

【0270】で表される化合物(以下、「含窒素化合物
(イ)」という。)、同一分子内に窒素原子を2個有す
る化合物(以下、「含窒素化合物(ロ)」という。)、
窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や重合体
(以下、これらをまとめて「含窒素化合物(ハ)」とい
う。)、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複
素環化合物等を挙げることができる。
(Hereinafter, referred to as "nitrogen-containing compound (a)"), a compound having two nitrogen atoms in the same molecule (hereinafter, referred to as "nitrogen-containing compound (b)"),
Examples thereof include polyamino compounds and polymers having three or more nitrogen atoms (hereinafter collectively referred to as "nitrogen-containing compound (c)"), amide group-containing compounds, urea compounds, and nitrogen-containing heterocyclic compounds. .

【0271】含窒素化合物(イ)としては、例えば、n
−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチル
アミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ−n−ブ
チルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、ジ−n−ヘキシ
ルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチル
アミン、ジ−n−ノニルアミン、ジ−n−デシルアミ
ン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルア
ミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ
−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ
−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、ト
リ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、
トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デシルアミン、シ
クロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシル
アミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリアルキルア
ミン類;ビス(2−ジメチルアミノエチル)エーテル、
ビス(2−ジエチルアミノエチル)エーテル等のビス
(ジアルキルアミノアルキル)エーテル類;アニリン、
N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−
メチルアニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニ
リン、2,6−ジ−t−ブチルアニリン、2,6−ジ−
t−ブチル−N−メチルアニリン、2,6−ジ−t−ブ
チル−N,N−ジメチルアニリン、4−ニトロアニリ
ン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチル
アミン等の芳香族アミン類を挙げることができる。
As the nitrogen-containing compound (A), for example, n
Monoalkylamines such as -hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine and cyclohexylamine; di-n-butylamine, di-n-pentylamine, di-n-hexylamine Dialkylamines such as di-n-heptylamine, di-n-octylamine, di-n-nonylamine, di-n-decylamine, cyclohexylmethylamine and dicyclohexylamine; triethylamine, tri-n-propylamine, tri- n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine,
Tri-alkylamines such as tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, cyclohexyldimethylamine, methyldicyclohexylamine, and tricyclohexylamine; bis (2-dimethylaminoethyl) ether;
Bis (dialkylaminoalkyl) ethers such as bis (2-diethylaminoethyl) ether; aniline,
N-methylaniline, N, N-dimethylaniline, 2-
Methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 2,6-di-t-butylaniline, 2,6-di-
Examples thereof include aromatic amines such as t-butyl-N-methylaniline, 2,6-di-t-butyl-N, N-dimethylaniline, 4-nitroaniline, diphenylamine, triphenylamine, and naphthylamine.

【0272】含窒素化合物(ロ)としては、例えば、エ
チレンジアミン、N,N,N',N’−テトラメチルエチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、
4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジ
アミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニル
アミン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパ
ン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフ
ェニル)プロパン、2−(4−アミノフェニル)−2−
(3−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(4−アミ
ノフェニル)−2−(4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、1,4−ビス〔1−(4−アミノフェニル)−1−
メチルエチル〕ベンゼン、1,3−ビス〔1−(4−ア
ミノフェニル)−1−メチルエチル〕ベンゼン、ビス
(2−ジメチルアミノエチル)エーテル、ビス(2−ジ
エチルアミノエチル)エーテル等を挙げることができ
る。含窒素化合物(ハ)としては、例えば、ポリエチレ
ンイミン、ポリアリルアミン、2−ジメチルアミノエチ
ルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
Examples of the nitrogen-containing compound (b) include, for example, ethylenediamine, N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane,
4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4 -Aminophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2-
(3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (4-hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis [1- (4-aminophenyl) -1-
Methylethyl] benzene, 1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, bis (2-dimethylaminoethyl) ether, bis (2-diethylaminoethyl) ether and the like. it can. Examples of the nitrogen-containing compound (c) include polyethyleneimine, polyallylamine, and 2-dimethylaminoethylacrylamide polymers.

【0273】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−オクチルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−ノニルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニルジ−n−デシルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニル−1−アダマンチルア
ミン、N−t−ブトキシカルボニル−N−メチル−1−
アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブトキシカルボ
ニル−1−アダマンチルアミン、N,N−ジ−t−ブト
キシカルボニル−N−メチル−1−アダマンチルアミ
ン、N−t−ブトキシカルボニル−4,4’−ジアミノ
ジフェニルメタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボ
ニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’−テト
ラ−t−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、
N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,7−ジア
ミノヘプタン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル
−1,8−ジアミノオクタン、N,N’−ジ−t−ブト
キシカルボニル−1,9−ジアミノノナン、N,N’−
ジ−t−ブトキシカルボニル−1,10−ジアミノデカ
ン、N,N’−ジ−t−ブトキシカルボニル−1,12
−ジアミノドデカン、N,N’−ジ−t−ブトキシカル
ボニル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、N−t
−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N−t−ブ
トキシカルボニル−2−メチルベンズイミダゾール、N
−t−ブトキシカルボニル−2−フェニルベンズイミダ
ゾール等のN−t−ブトキシカルボニル基含有アミノ化
合物のほか、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、
N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メ
チルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プ
ロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチ
ルピロリドン等を挙げることができる。
Examples of the amide group-containing compound include Nt-butoxycarbonyldi-n-octylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-nonylamine, Nt-butoxycarbonyldi-n-decylamine, Nt-butoxycarbonyldicyclohexylamine, Nt-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-N-methyl-1-
Adamantylamine, N, N-di-tert-butoxycarbonyl-1-adamantylamine, N, N-di-tert-butoxycarbonyl-N-methyl-1-adamantylamine, Nt-butoxycarbonyl-4,4 ′ -Diaminodiphenylmethane, N, N'-di-tert-butoxycarbonylhexamethylenediamine, N, N, N'N'-tetra-tert-butoxycarbonylhexamethylenediamine,
N, N'-di-tert-butoxycarbonyl-1,7-diaminoheptane, N, N'-di-tert-butoxycarbonyl-1,8-diaminooctane, N, N'-di-tert-butoxycarbonyl- 1,9-diaminononane, N, N'-
Di-tert-butoxycarbonyl-1,10-diaminodecane, N, N′-di-tert-butoxycarbonyl-1,12
-Diaminododecane, N, N'-di-t-butoxycarbonyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, Nt
-Butoxycarbonylbenzimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-methylbenzimidazole, N
N-t-butoxycarbonyl group-containing amino compounds such as -t-butoxycarbonyl-2-phenylbenzimidazole, formamide, N-methylformamide,
N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone and the like can be mentioned.

【0274】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−
ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレ
ア、1,3−ジフェニルウレア、トリ−n−ブチルチオ
ウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合
物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾー
ル、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニ
ルイミダゾール、N−t−ブトキシカルボニル−2−フ
ェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジ
ン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エ
チルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリ
ジン、4−フェニルピリジン、2−メチル−4−フェニ
ルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミ
ド、キノリン、4−ヒドロキシキノリン、8−オキシキ
ノリン、アクリジン、2,2':6',2''−ターピリジン
等のピリジン類;ピペラジン、1−(2−ヒドロキシエ
チル)ピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、
ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリ
ジン、ピペリジン、3−ピペリジノ−1,2−プロパン
ジオール、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,4
−ジメチルピペラジン、1,4−ジアザビシクロ [2.
2.2] オクタン等を挙げることができる。
Examples of the urea compound include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-
Examples thereof include dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, and tri-n-butylthiourea. Examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound include imidazoles such as imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole, Nt-butoxycarbonyl-2-phenylbenzimidazole; pyridine, -Methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, 2-methyl-4-phenylpyridine, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, Pyridines such as -hydroxyquinoline, 8-oxyquinoline, acridine, 2,2 ': 6', 2 ''-terpyridine; piperazines such as piperazine and 1- (2-hydroxyethyl) piperazine;
Pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, 3-piperidino-1,2-propanediol, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,4
-Dimethylpiperazine, 1,4-diazabicyclo [2.
2.2] octane and the like.

【0275】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物(イ)、アミド基含有化合物、含窒素複素環化合
物が好ましく、特にN−t−ブトキシカルボニル基含有
アミノ化合物が好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独で
または2種以上を混合して使用することができる。酸拡
散制御剤の配合量は、樹脂(A)100重量部に対し
て、通常、15重量部以下、好ましくは10重量部以
下、さらに好ましくは5重量部以下である。この場合、
酸拡散制御剤の配合量が15重量部を超えると、レジス
トとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向があ
る。なお、酸拡散制御剤の配合量が0.001重量部未
満であると、プロセス条件によっては、レジストとして
のパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。
Of these nitrogen-containing organic compounds, a nitrogen-containing compound (a), an amide group-containing compound and a nitrogen-containing heterocyclic compound are preferable, and an Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compound is particularly preferable. The acid diffusion controllers can be used alone or in combination of two or more. The compounding amount of the acid diffusion controller is usually 15 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the resin (A). in this case,
When the compounding amount of the acid diffusion controller exceeds 15 parts by weight, the sensitivity as a resist and the developability of an exposed portion tend to decrease. If the amount of the acid diffusion controller is less than 0.001 part by weight, the pattern shape and dimensional fidelity as a resist may be reduced depending on the process conditions.

【0276】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤
を配合することができる。前記界面活性剤としては、例
えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリ
エチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面
活性剤のほか、以下商品名で、KP341(信越化学工
業(株)製)、ポリフローNo.75,同No.95
(共栄社化学(株)製)、エフトップEF301,同E
F303,同EF352(トーケムプロダクツ(株)
製)、メガファックスF171,同F173(大日本イ
ンキ化学工業(株)製)、フロラードFC430,同F
C431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードA
G710,サーフロンS−382,同SC−101,同
SC−102,同SC−103,同SC−104,同S
C−105,同SC−106(旭硝子(株)製)等を挙
げることができる。これらの界面活性剤は、単独でまた
は2種以上を混合して使用することができる。界面活性
剤の配合量は、樹脂(A)と酸発生剤(B)との合計1
00重量部に対して、通常、2重量部以下である。さら
に、前記以外の添加剤としては、ハレーション防止剤、
接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができ
る。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention may contain a surfactant having an effect of improving coating properties, developability and the like. Examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene n-octylphenyl ether, polyoxyethylene n-nonylphenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene In addition to nonionic surfactants such as glycol distearate, KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and Polyflow No. No. 75, the same No. 95
(Manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F-top EF301, E-top
F303, EF352 (Tochem Products Co., Ltd.)
), Megafax F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Florado FC430, F
C431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard A
G710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, S
C-105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and the like. These surfactants can be used alone or in combination of two or more. The compounding amount of the surfactant is 1 in total of the resin (A) and the acid generator (B).
The amount is usually 2 parts by weight or less based on 00 parts by weight. Further, as additives other than the above, an antihalation agent,
Adhesion aids, storage stabilizers, defoamers and the like can be mentioned.

【0277】組成物溶液の調製 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際
して、全固形分濃度が、通常、5〜50重量%、好まし
くは10〜25重量%となるように、溶剤に溶解したの
ち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過する
ことによって、組成物溶液として調製される。前記組成
物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、2−
ブタノン、2−ペンタノン、3−メチル−2−ブタノ
ン、2−ヘキサノン、4−メチル−2−ペンタノン、3
−メチル−2−ペンタノン、3,3−ジメチル−2−ブ
タノン、2−ヘプタノン、2−オクタノン等の直鎖状も
しくは分岐状のケトン類;シクロペンタノン、3−メチ
ルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシ
クロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、
イソホロン等の環状のケトン類;プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノ−i−プロピルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノ−i−ブチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノ−sec−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−t−
ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類;2−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
2−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、2−ヒドロ
キシプロピオン酸i−プロピル、2−ヒドロキシプロピ
オン酸n−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−ブ
チル、2−ヒドロキシプロピオン酸sec−ブチル、2
−ヒドロキシプロピオン酸t−ブチル等の2−ヒドロキ
シプロピオン酸アルキル類;3−メトキシプロピオン酸
メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキ
シプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチ
ル等の3−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、
Preparation of Composition Solution The radiation-sensitive resin composition of the present invention is usually used such that the total solid content is usually 5 to 50% by weight, preferably 10 to 25% by weight. After dissolving in a solvent, the composition is prepared as a composition solution by filtering through, for example, a filter having a pore size of about 0.2 μm. As the solvent used for preparing the composition solution, for example, 2-
Butanone, 2-pentanone, 3-methyl-2-butanone, 2-hexanone, 4-methyl-2-pentanone,
Linear or branched ketones such as -methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-heptanone and 2-octanone; cyclopentanone, 3-methylcyclopentanone, cyclohexanone, -Methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone,
Cyclic ketones such as isophorone; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol mono-n-propyl ether acetate, propylene glycol mono-i-propyl ether acetate, propylene glycol mono-n-butyl ether acetate; Propylene glycol mono-i-butyl ether acetate, propylene glycol mono-sec-butyl ether acetate, propylene glycol mono-t-
Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as butyl ether acetate; methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate;
N-propyl 2-hydroxypropionate, i-propyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 2-hydroxypropionate, i-butyl 2-hydroxypropionate, sec-butyl 2-hydroxypropionate, 2
Alkyl 2-hydroxypropionates such as t-butyl-hydroxypropionate; 3-alkoxypropion such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate In addition to alkyl acid salts,

【0278】n−プロピルアルコール、i−プロピルア
ルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノ−n−プロピルエーテル、トルエン、キ
シレン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−
ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、3−メトキシブチ
ルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテ
ート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネー
ト、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢酸
エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチ
ルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ベン
ジルエチルエーテル、ジ−n−ヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、
1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。
N-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclohexanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether,
Ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether Acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether,
Propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, toluene, xylene, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, 2-
Methyl hydroxy-3-methylbutyrate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate, ethyl acetate, N-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, benzyl ethyl ether, -N-hexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, caproic acid, caprylic acid,
Examples thereof include 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, and propylene carbonate.

【0279】これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を
混合して使用することができるが、就中、直鎖状もしく
は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、2−ヒドロ
キシプロピオン酸アルキル類、3−アルコキシプロピオ
ン酸アルキル類、γ−ブチロラクトン等が好ましい。
These solvents can be used alone or as a mixture of two or more. Among them, linear or branched ketones, cyclic ketones, propylene glycol monoalkyl ether acetates are preferred. , Alkyl 2-hydroxypropionates, alkyl 3-alkoxypropionates, γ-butyrolactone and the like are preferred.

【0280】レジストパターンの形成方法 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジ
ストとして有用である。前記化学増幅型レジストにおい
ては、露光により酸発生剤(B)から発生した酸の作用
によって、樹脂(A)あるいは多環式化合物(C)中の
酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その結
果、レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性
が高くなり、該露光部がアルカリ現像液によって溶解、
除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。本発
明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成
する際には、組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロー
ル塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコン
ウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板
上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合
により予め加熱処理(以下、「PB」という。)を行っ
たのち、所定のレジストパターンを形成するように該レ
ジスト被膜に露光する。その際に使用される放射線とし
ては、使用される酸発生剤(B)の種類に応じて、可視
光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を適宜選
定して使用されるが、ArFエキシマレーザー(波長1
93nm)、KrFエキシマレーザー(波長248n
m)あるいはF2 エキシマレーザー(波長157nm)
に代表される遠紫外線が好ましい。本発明においては、
露光後に加熱処理(以下、「PEB」という。)を行う
ことが好ましい。このPEBにより、酸解離性基の解離
反応が円滑に進行する。PEBの加熱条件は、感放射線
性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、30
〜200℃、好ましくは50〜170℃である。
Method for Forming Resist Pattern The radiation-sensitive resin composition of the present invention is particularly useful as a chemically amplified resist. In the chemically amplified resist, an acid dissociable group in the resin (A) or the polycyclic compound (C) is dissociated by the action of an acid generated from the acid generator (B) upon exposure to form a carboxyl group. As a result, the solubility of the exposed portion of the resist in an alkali developing solution is increased, and the exposed portion is dissolved by the alkali developing solution.
It is removed, and a positive resist pattern is obtained. When forming a resist pattern from the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the composition solution, by a suitable application means such as spin coating, casting coating, roll coating, for example, silicon wafer, coated with aluminum A resist film is formed by applying the resist film on a substrate such as a wafer which has been subjected to a heat treatment (hereinafter, referred to as “PB”) in some cases, and then the resist film is formed so as to form a predetermined resist pattern. Expose. As the radiation used at that time, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray, charged particle beam, etc. are appropriately selected and used depending on the type of the acid generator (B) used. ArF excimer laser (wavelength 1
93nm), KrF excimer laser (wavelength 248n)
m) or F 2 excimer laser (wavelength 157 nm)
Is preferable. In the present invention,
After the exposure, heat treatment (hereinafter, referred to as “PEB”) is preferably performed. By this PEB, the dissociation reaction of the acid-dissociable group proceeds smoothly. The heating conditions for PEB vary depending on the composition of the radiation-sensitive resin composition.
To 200 ° C, preferably 50 to 170 ° C.

【0281】本発明においては、感放射線性樹脂組成物
の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平6−
12452号公報等に開示されているように、使用され
る基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成し
ておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、例えば特開平5−18
8598号公報等に開示されているように、レジスト被
膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技
術を併用することもできる。次いで、露光されたレジス
ト被膜をアルカリ現像液を用いて現像することにより、
所定のレジストパターンを形成する。前記アルカリ現像
液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナ
トリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピル
アミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ト
リエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチ
ルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、
1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデ
セン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−
ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解し
たアルカリ性水溶液が好ましい。前記アルカリ性水溶液
の濃度は、通常、10重量%以下である。この場合、ア
ルカリ性水溶液の濃度が10重量%を超えると、非露光
部も現像液に溶解するおそれがあり好ましくない。
In the present invention, in order to maximize the potential of the radiation-sensitive resin composition, for example,
As disclosed in Japanese Patent No. 12452 or the like, an organic or inorganic antireflection film can be formed on a substrate to be used, and the influence of basic impurities and the like contained in an environmental atmosphere can be reduced. To prevent this, see, for example, JP-A-5-18
As disclosed in Japanese Patent No. 8598 and the like, a protective film can be provided on a resist film, or these techniques can be used in combination. Next, by developing the exposed resist film using an alkaline developer,
A predetermined resist pattern is formed. Examples of the alkali developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, Methyldiethylamine, ethyldimethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, choline,
1,8-diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- [4.3.0] -5-
An alkaline aqueous solution in which at least one alkaline compound such as nonene is dissolved is preferable. The concentration of the alkaline aqueous solution is usually 10% by weight or less. In this case, if the concentration of the alkaline aqueous solution exceeds 10% by weight, unexposed portions may be dissolved in the developer, which is not preferable.

【0282】また、前記アルカリ性水溶液には、例えば
有機溶媒を添加することもできる。前記有機溶媒として
は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルi
−ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノ
ン、3−メチルシクロペンタノン、2,6−ジメチルシ
クロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチ
ルアルコール、n−プロピルアルコール、i−プロピル
アルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコ
ール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,
4−ヘキサンジオール、1,4−ヘキサンジメチロール
等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸i−
アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメ
チルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有
機溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用するこ
とができる。有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液に
対して、100容量%以下が好ましい。この場合、有機
溶媒の使用量が100容量%を超えると、現像性が低下
して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。ま
た、前記アルカリ性水溶液には、界面活性剤等を適量添
加することもできる。なお、アルカリ現像液で現像した
のちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。
Further, for example, an organic solvent can be added to the alkaline aqueous solution. Examples of the organic solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl i
Ketones such as -butyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 3-methylcyclopentanone, 2,6-dimethylcyclohexanone; methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, i-propyl alcohol, n-butyl alcohol, t- Butyl alcohol, cyclopentanol, cyclohexanol, 1,
Alcohols such as 4-hexanediol and 1,4-hexanedimethylol; ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; ethyl acetate, n-butyl acetate and i-acetate
Esters such as amyl; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; phenol, acetonylacetone, and dimethylformamide. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more. The amount of the organic solvent used is preferably 100% by volume or less based on the alkaline aqueous solution. In this case, if the amount of the organic solvent used exceeds 100% by volume, the developability may be reduced and the undeveloped portion of the exposed portion may be increased. Further, an appropriate amount of a surfactant or the like can be added to the alkaline aqueous solution. After development with an alkali developing solution, it is generally washed with water and dried.

【0283】[0283]

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。こ
こで、部は、特記しない限り重量基準である。実施例お
よび比較例における各測定・評価は、下記の要領で行っ
た。 Mw:東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL 2
本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用
い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィー(GPC)により測定した。 放射線透過率:組成物溶液を石英ガラス上にスピンコー
トにより塗布し、90℃に保持したホットプレート上で
60秒間PBを行って形成した膜厚0.34μmのレジ
スト被膜について、波長193nmにおける吸光度か
ら、放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における透
明性の尺度とした。
Embodiments of the present invention will now be described more specifically with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these embodiments. Here, parts are by weight unless otherwise specified. Each measurement and evaluation in Examples and Comparative Examples was performed in the following manner. Mw: Tosoh Corporation GPC column (G2000HXL 2
Permeation chromatography (GPC) using monodisperse polystyrene as a standard under the analytical conditions of flow rate 1.0 ml / min, elution solvent tetrahydrofuran, column temperature 40 ° C., using G3000HXL and G4000HXL. It was measured. Radiation transmittance: A 0.34 μm-thick resist film formed by applying the composition solution onto a quartz glass by spin coating and performing PB on a hot plate maintained at 90 ° C. for 60 seconds to measure the absorbance at a wavelength of 193 nm. , And the radiation transmittance was calculated and used as a measure of transparency in the far ultraviolet region.

【0284】感度:基板として、表面に膜厚820Åの
ARC25(ブルワー・サイエンス(Brewer Science)
社製)膜を形成したシリコーンウエハー(ARC25)
または表面に波長193nmで反射防止効果を発揮でき
るように調製されたシリコンオキシナイトライド膜を形
成したシリコーンウエハー(SiON)を用い、各組成
物溶液を、各基板上にスピンコートにより塗布し、ホッ
トプレート上にて、表2に示す条件でPBを行って形成
した膜厚0.34μmのレジスト被膜に、(株)ニコン
製ArFエキシマレーザー露光装置(レンズ開口数0.
55、露光波長193nm)により、マスクパターンを
介して露光した。その後、表2に示す条件でPEBを行
ったのち、2.38重量%のテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液により、25℃で60秒間現像し、
水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成し
た。このとき、線幅160nmのライン・アンド・スペ
ースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露
光量を最適露光量(1L1S)とし、この最適露光量(1L1S)を
感度とした。 疎密線幅差:線幅160nmのライン・アンド・スペー
スパターン(1L10S)を1対10の線幅に形成する
最適露光量(1L10S) で露光したとき、線幅160nmの
ライン・アンド・スペースパターン(1L10S)にお
けるラインパターンの線幅CD1と線幅160nmのラ
イン・アンド・スペースパターン(1L1.5S)にお
けるラインパターンの線幅CD2とを走査型電子顕微鏡
にて測定して、CD1とCD2との差(CD1−CD
2)を疎密線幅差として、下記基準で評価した。 良好:CD1−CD2<20nm 不良:CD1−CD2≧20nm 解像度:最適露光量(1L1S)で解像される最小のレジスト
パターンの寸法を、解像度とした。
Sensitivity: ARC25 (Brewer Science) having a thickness of 820 mm on the surface as a substrate
Silicone wafer with film (ARC25)
Alternatively, using a silicon wafer (SiON) on which a silicon oxynitride film prepared so as to exhibit an antireflection effect at a wavelength of 193 nm is applied, each composition solution is applied on each substrate by spin coating, and hot On a plate, a 0.34 μm-thick resist film formed by performing PB under the conditions shown in Table 2 was coated with an ArF excimer laser exposure device (Nikon Corporation) (lens numerical aperture: 0.2 mm).
Exposure wavelength: 193 nm) through a mask pattern. Thereafter, PEB was performed under the conditions shown in Table 2, and then developed with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 60 seconds.
After washing with water and drying, a positive resist pattern was formed. At this time, an exposure amount for forming a line-and-space pattern (1L1S) having a line width of 160 nm in a one-to-one line width was defined as an optimum exposure amount (1L1S), and the optimum exposure amount (1L1S) was defined as a sensitivity. Dense / dense line width difference: When a line-and-space pattern (1L10S) having a line width of 160 nm is exposed at an optimum exposure amount (1L10S) for forming a line width of 1 to 10, a line-and-space pattern (160 nm) has a line width. The line width CD1 of the line pattern at 1L10S) and the line width CD2 of the line and space pattern (1L1.5S) with a line width of 160 nm are measured with a scanning electron microscope, and the difference between CD1 and CD2 is measured. (CD1-CD
2) was evaluated as the sparse / dense line width difference according to the following criteria. Good: CD1−CD2 <20 nm Poor: CD1−CD2 ≧ 20 nm Resolution: The minimum resist pattern dimension resolved at the optimum exposure (1L1S) was taken as the resolution.

【0285】合成例1 ノルボルナンラクトンメタクリレート(Xがメチレン
基、R1 がメチル基、R2 が水素原子である繰り返し単
位(I−1)に対応するメタクリル酸エステル)22.
50gとメタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル2
6.36gとメタクリル酸1.15gとを、窒素置換下
で、テトラヒドロフラン150gに溶解したのち、アゾ
ビスイソプロピオン酸ジメチル4.14gとn−ドデシ
ルメルカプタン1.36gとを混合し、70℃にて4時
間重合した。その後反応溶液を冷却し、メタノール1.
5リットル中に滴下して樹脂を凝固させ、凝固した樹脂
をろ別して、洗浄したのち、真空乾燥機にて24時間乾
燥することにより、白色粉末状の樹脂45g(収率90
重量%)を得た。この樹脂は、Mwが12,000であ
り、13C−NMRによる組成分析の結果、ノルボルナン
ラクトンメタクリレート/メタクリル酸2−メチル−2
−アダマンチル/メタクリル酸共重合モル比が45.3
/50.2/4.5であった。この樹脂を、樹脂(A-
1) とする。
Synthesis Example 1 Norbornane lactone methacrylate (methacrylic acid ester corresponding to repeating unit (I-1) in which X is a methylene group, R 1 is a methyl group, and R 2 is a hydrogen atom)
50 g and 2-methyl-2-adamantyl methacrylate 2
After dissolving 6.36 g and 1.15 g of methacrylic acid in 150 g of tetrahydrofuran under nitrogen substitution, 4.14 g of dimethyl azobisisopropionate and 1.36 g of n-dodecylmercaptan were mixed, and the mixture was heated at 70 ° C. Polymerized for 4 hours. Thereafter, the reaction solution was cooled, and methanol 1.
The resin was coagulated by dropping into 5 liters, and the coagulated resin was separated by filtration, washed, and dried by a vacuum dryer for 24 hours to obtain 45 g of a white powdery resin (yield: 90%).
% By weight). This resin had a Mw of 12,000, and as a result of composition analysis by 13 C-NMR, it was found that norbornane lactone methacrylate / 2-methyl-2 methacrylate was used.
The adamantyl / methacrylic acid copolymer molar ratio is 45.3;
/50.2/4.5. This resin is converted to resin (A-
1)

【0286】合成例2 ノルボルナンラクトンメタクリレート11.98gとメ
タクリル酸2−メチル−2−アダマンチル22.75g
とメタクリル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル1
5.29gとを、窒素置換下で、テトラヒドロフラン1
50gに溶解したのち、アゾビスイソプロピオン酸ジメ
チル3.97gとn−ドデシルメルカプタン1.30g
とを混合し、70℃にて4時間重合した。その後反応溶
液を冷却し、メタノール1.5リットル中に滴下して樹
脂を凝固させ、凝固した樹脂をろ別して、洗浄したの
ち、真空乾燥機にて24時間乾燥することにより、白色
粉末状の樹脂42g(収率84重量%)を得た。この樹
脂は、Mwが13,000であり、13C−NMRによる
組成分析の結果、ノルボルナンラクトンメタクリレート
/メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル/メタク
リル酸3−ヒドロキシ−1−アダマンチル共重合モル比
が25.3/44.5/30.2であった。この樹脂
を、樹脂(A-2) とする。
Synthesis Example 2 11.98 g of norbornane lactone methacrylate and 22.75 g of 2-methyl-2-adamantyl methacrylate
And 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate 1
5.29 g of tetrahydrofuran 1 under nitrogen substitution
After dissolving in 50 g, 3.97 g of dimethyl azobisisopropionate and 1.30 g of n-dodecylmercaptan
And polymerized at 70 ° C. for 4 hours. Thereafter, the reaction solution was cooled, and the resin was solidified by dropping into 1.5 liters of methanol. The solidified resin was separated by filtration, washed, and then dried in a vacuum drier for 24 hours to obtain a white powdery resin. 42 g (yield 84% by weight) were obtained. This resin had an Mw of 13,000, and as a result of compositional analysis by 13 C-NMR, the copolymer molar ratio of norbornane lactone methacrylate / 2-methyl-2-adamantyl methacrylate / 3-hydroxy-1-adamantyl methacrylate was found. 25.3 / 44.5 / 30.2. This resin is referred to as resin (A-2).

【0287】合成例3 シクロヘキシルラクトンメタクリレート(R3 がメチル
基、R4 が水素原子である繰り返し単位(I−2)に対
応するメタクリル酸エステル)21.81gとメタクリ
ル酸2−メチル−2−アダマンチル27.01gとメタ
クリル酸1.18gとを、窒素置換下で、テトラヒドロ
フラン150gに溶解したのち、アゾビスイソプロピオ
ン酸ジメチル4.24gとn−ドデシルメルカプタン
1.39gとを混合し、70℃にて4時間重合した。そ
の後反応溶液を冷却し、メタノール1.5リットル中に
滴下して樹脂を凝固させ、凝固した樹脂をろ別して、洗
浄したのち、真空乾燥機にて24時間乾燥することによ
り、白色粉末状の樹脂44g(収率88重量%)を得
た。この樹脂は、Mwが12,300であり、13C−N
MRによる組成分析の結果、ノルボルナンラクトンメタ
クリレート/メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチ
ル/メタクリル酸共重合モル比が45.2/49.8/
5.0であった。この樹脂を、樹脂(A-3) とする。
Synthesis Example 3 21.81 g of cyclohexyllactone methacrylate (methacrylic acid ester corresponding to the repeating unit (I-2) in which R 3 is a methyl group and R 4 is a hydrogen atom) and 2-methyl-2-adamantyl methacrylate After 27.01 g and 1.18 g of methacrylic acid were dissolved in 150 g of tetrahydrofuran under nitrogen substitution, 4.24 g of dimethyl azobisisopropionate and 1.39 g of n-dodecylmercaptan were mixed, and the mixture was heated at 70 ° C. Polymerized for 4 hours. Thereafter, the reaction solution was cooled, and the resin was solidified by dropping into 1.5 liters of methanol. The solidified resin was separated by filtration, washed, and then dried in a vacuum drier for 24 hours to obtain a white powdery resin. 44 g (88% by weight) were obtained. This resin has a Mw of 12,300 and a 13 C—N
As a result of composition analysis by MR, the molar ratio of norbornane lactone methacrylate / 2-methyl-2-adamantyl methacrylate / methacrylic acid copolymer was 45.2 / 49.8 /.
5.0. This resin is referred to as resin (A-3).

【0288】合成例4 ノルボルナンラクトンメタクリレート21.81gとメ
タクリル酸2−エチル−2−アダマンチル27.08g
とメタクリル酸1.11gとを、窒素置換下で、テトラ
ヒドロフラン150gに溶解したのち、アゾビスイソプ
ロピオン酸ジメチル4.01gとn−ドデシルメルカプ
タン1.31gとを混合し、70℃にて4時間重合し
た。その後反応溶液を冷却し、メタノール1.5リット
ル中に滴下して樹脂を凝固させ、凝固した樹脂をろ別し
て、洗浄したのち、真空乾燥機にて24時間乾燥するこ
とにより、白色粉末状の樹脂40g(収率80重量%)
を得た。この樹脂は、Mwが12,800であり、13
−NMRによる組成分析の結果、ノルボルナンラクトン
メタクリレート/メタクリル酸2−エチル−2−アダマ
ンチル/メタクリル酸共重合モル比が44.3/50.
2/5.5であった。この樹脂を、樹脂(A-4) とす
る。
Synthesis Example 4 21.81 g of norbornane lactone methacrylate and 27.08 g of 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate
And 1.11 g of methacrylic acid were dissolved in 150 g of tetrahydrofuran under nitrogen substitution, and 4.01 g of dimethyl azobisisopropionate and 1.31 g of n-dodecylmercaptan were mixed and polymerized at 70 ° C. for 4 hours. did. Thereafter, the reaction solution was cooled, and the resin was solidified by dropping into 1.5 liters of methanol. The solidified resin was separated by filtration, washed, and then dried in a vacuum drier for 24 hours to obtain a white powdery resin. 40 g (yield 80% by weight)
I got This resin has a Mw of 12,800 and a 13 C
As a result of composition analysis by NMR, the molar ratio of norbornane lactone methacrylate / 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate / methacrylic acid copolymer was 44.3 / 50.
2 / 5.5. This resin is referred to as resin (A-4).

【0289】合成例5 β−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン21.
0gとメタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル2
9.0gをテトラヒドロフラン50gに溶解して均一溶
液とし、窒素ガスを30分吹き込んだのち、重合開始剤
としてアゾビスイソブチロニトリル2.4gを加え、6
5℃で6時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで
冷却して、テトラヒドロフラン50gで希釈して、n−
ヘキサン1,000ミリリットル中に投入し、析出した
樹脂をろ別して、洗浄したのち、乾燥して、樹脂を白色
の粉体として得た。この樹脂は、Mwが9,700であ
り、β−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン/
メタクリル酸2−メチル−2−アダマンチル共重合モル
比が50/50の共重合体であった。この樹脂を、樹脂
(A-5) とする。
Synthesis Example 5 β-methacryloyloxy-γ-butyrolactone
0 g and 2-methyl-2-adamantyl methacrylate 2
9.0 g was dissolved in 50 g of tetrahydrofuran to make a uniform solution, and nitrogen gas was blown in for 30 minutes. Then, 2.4 g of azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator was added, and
Stirred at 5 ° C. for 6 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, diluted with 50 g of tetrahydrofuran, and diluted with n-
The resin was poured into 1,000 ml of hexane, and the precipitated resin was separated by filtration, washed, and dried to obtain the resin as a white powder. This resin has a Mw of 9,700 and has β-methacryloyloxy-γ-butyrolactone /
It was a copolymer having a 2-methyl-2-adamantyl methacrylate copolymer molar ratio of 50/50. This resin is referred to as resin (A-5).

【0290】実施例1〜6および比較例1〜5 表1に示す成分からなる各組成物溶液について、各種評
価を行った。評価結果を、表3に示す。表1における樹
脂(A-1) 〜(A-5) 以外の成分は、以下のとおりであ
る。 酸発生剤(B) B-1:4−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチ
オフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート B-2:4−n−ブトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチ
オフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート B-3:ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノ
ナフルオロ−n−ブタンスルホネート B-4:ノナフルオロ−n−ブタンスルホニルビシクロ[
2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイ
ミド 多環式化合物(C) C-1:デオキシコール酸t−ブチル C-2:デオキシコール酸t−ブトキシカルボニルメチル C-3:リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル
Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5 Various evaluations were made on each composition solution comprising the components shown in Table 1. Table 3 shows the evaluation results. The components other than the resins (A-1) to (A-5) in Table 1 are as follows. Acid generator (B) B-1: 4-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate B-2: 4-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium perfluoro- n-octanesulfonate B-3: bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate B-4: nonafluoro-n-butanesulfonylbicyclo [
2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide polycyclic compound (C) C-1: t-butyl deoxycholate C-2: t-butoxycarbonylmethyl deoxycholate C-3 : T-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid

【0291】酸拡散制御剤 D-1:N−t−ブトキシカルボニル−2−フェニルベン
ズイミダゾール D-2:N−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルア
ミン D-3:2,2':6',2''−ターピリジン 溶剤 E-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート E-2:2−ヘプタノン E-3:γ−ブチロラクトン E-4:シクロヘキサノン
Acid diffusion controller D-1: Nt-butoxycarbonyl-2-phenylbenzimidazole D-2: Nt-butoxycarbonyldicyclohexylamine D-3: 2,2 ': 6', 2 '' -Terpyridine solvent E-1: propylene glycol monomethyl ether acetate E-2: 2-heptanone E-3: γ-butyrolactone E-4: cyclohexanone

【0292】[0292]

【表1】 [Table 1]

【0293】[0293]

【表2】 [Table 2]

【0294】[0294]

【表3】 [Table 3]

【0295】[0295]

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、活性
放射線、例えばArFエキシマレーザー(波長193n
m)、KrFエキシマレーザー(波長248nm)ある
いはF2 エキシマレーザー(波長157nm)に代表さ
れる遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、特
に、ライン・アンド・スペースパターンのスペース幅が
広い場合にも、微細なラインパターンを形成でき、また
準密集領域(例えば1L1.5S程度)までのピッチサ
イズにおいても、ライン間の近接効果による大きな線幅
変動を示さないという特徴を有し、しかも放射線に対す
る透明性、感度、解像度等にも優れており、今後さらに
微細化が進むと予想される半導体デバイスの製造に極め
て好適に使用することができる。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention can be used in the form of an actinic radiation such as an ArF excimer laser (wavelength 193n).
m), as a chemically amplified resist sensitive to far ultraviolet rays typified by KrF excimer laser (wavelength 248 nm) or F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), especially when the space width of the line and space pattern is wide. It is characterized in that a fine line pattern can be formed, and even in a pitch size up to a quasi-dense area (for example, about 1L1.5S), a large line width variation due to a proximity effect between lines is not exhibited. It has excellent properties, sensitivity, resolution, etc., and can be used very suitably in the manufacture of semiconductor devices that are expected to be further miniaturized in the future.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 寛之 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 梶田 徹 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA04 AB16 AC04 AC05 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB41 CB55 FA17 4J100 AL08P AL08Q BA03Q BA04Q BA05Q BA06Q BA11P BA11Q BA16Q BA40Q BC08Q BC09Q BC12Q BC53P BC58P BC84P CA01 CA04 CA05 CA06 JA38 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hiroyuki Ishii 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Inside JSR Corporation (72) Inventor Toru Kajita 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo JSR In-house F-term (reference) 2H025 AA01 AA02 AA04 AB16 AC04 AC05 AC06 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB14 CB41 CB55 FA17 4J100 AL08P AL08Q BA03Q BA04Q BA05Q BA06Q BA11P BA11Q BA16Q BA40Q BC08Q BC09P CA58 BC05P

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)下記一般式(1)に示す繰り返し
単位(I−1)、繰返し単位(I−2)および繰返し単
位(I−3)の群から選ばれる少なくとも1種の繰返し
単位と、下記一般式(2)に示す繰返し単位(II)とを
含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性を示すアルカリ
不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、(B)感放射線性
酸発生剤、並びに(C)式−COOR9 〔式中、R9
水素原子、置換もしくは非置換の炭素数1〜20の直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは非置換の
炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素基または−CH
2 COOR10(但し、R10は水素原子、置換もしくは非
置換の炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキ
ル基または置換もしくは非置換の炭素数3〜20の1価
の脂環式炭化水素基である。)を示す。〕で表される基
を有する分子量1,000以下の多環式化合物を含有す
ることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化1】 〔一般式(1)において、R1 、R3 およびR5 は相互
に独立に水素原子またはメチル基を示し、R2 、R4
よびR6 は相互に独立に水素原子または炭素数1〜4の
直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、Xはメチレ
ン基、酸素原子または硫黄原子を示し、aは1〜5の整
数である。〕 【化2】 〔一般式(2)において、R7 は水素原子またはメチル
基を示し、各R8 は相互に独立に炭素数4〜20の1価
の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体、または炭素数
1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示し、且
つR8 の少なくとも1つが該脂環式炭化水素基もしくは
その誘導体であるか、あるいは何れか2つのR8 が相互
の結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に炭
素数4〜20の2価の脂環式炭化水素基もしくはその誘
導体を形成して、残りのR8 が炭素数1〜4の直鎖状も
しくは分岐状のアルキル基または炭素数4〜20の1価
の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体である。〕
(A) at least one type of repeating unit selected from the group consisting of a repeating unit (I-1), a repeating unit (I-2) and a repeating unit (I-3) represented by the following general formula (1): And a repeating unit (II) represented by the following general formula (2), an alkali-insoluble or alkali-soluble resin showing alkali solubility by the action of an acid, (B) a radiation-sensitive acid generator, and (C) ) Formula -COOR 9 wherein R 9 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted monovalent monovalent having 3 to 20 carbon atoms. Alicyclic hydrocarbon group or -CH
2 COOR 10 (where R 10 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a substituted or unsubstituted monovalent alicyclic having 3 to 20 carbon atoms) A hydrocarbon group). A radiation-sensitive resin composition comprising a polycyclic compound having a group represented by the following formula and having a molecular weight of 1,000 or less. Embedded image [In the general formula (1), R 1 , R 3 and R 5 independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 , R 4 and R 6 independently represent a hydrogen atom or a carbon number of 1 to 4 X represents a methylene group, an oxygen atom or a sulfur atom, and a is an integer of 1 to 5. [Chemical formula 2] [In the general formula (2), R 7 represents a hydrogen atom or a methyl group, and each R 8 is independently a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof, Represents a linear or branched alkyl group of 1 to 4, and at least one of R 8 is the alicyclic hydrocarbon group or a derivative thereof, or any two R 8 are mutually bonded, Forming a divalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof together with the carbon atom to which each is bonded, and the remaining R 8 is a linear or branched C 1 to C 4 hydrocarbon group; An alkyl group or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof. ]
JP2001113462A 2001-04-12 2001-04-12 Radiation sensitive resin composition Expired - Lifetime JP4839522B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001113462A JP4839522B2 (en) 2001-04-12 2001-04-12 Radiation sensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001113462A JP4839522B2 (en) 2001-04-12 2001-04-12 Radiation sensitive resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002311590A true JP2002311590A (en) 2002-10-23
JP4839522B2 JP4839522B2 (en) 2011-12-21

Family

ID=18964677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001113462A Expired - Lifetime JP4839522B2 (en) 2001-04-12 2001-04-12 Radiation sensitive resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4839522B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004041881A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-21 Daicel Chemical Industries, Ltd. Polymeric compound for photoresist and resin composition for photoresist
WO2005003861A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive type resist composition and method of forming resist pattern from the same
WO2005035602A1 (en) 2003-10-14 2005-04-21 Daicel Chemical Industries, Ltd. Photoresist resin and photoresist resin composition
JP2006126365A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition
WO2016124493A1 (en) 2015-02-02 2016-08-11 Basf Se Latent acids and their use

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000187329A (en) * 1998-12-24 2000-07-04 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photosensitive composition
JP2001027807A (en) * 1999-07-13 2001-01-30 Fuji Photo Film Co Ltd Positive type resist composition
JP2001064325A (en) * 1999-08-26 2001-03-13 Maruzen Petrochem Co Ltd Polymerizable compound having norbornane lactone structure and its polymer
JP2002296779A (en) * 2001-03-30 2002-10-09 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000187329A (en) * 1998-12-24 2000-07-04 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photosensitive composition
JP2001027807A (en) * 1999-07-13 2001-01-30 Fuji Photo Film Co Ltd Positive type resist composition
JP2001064325A (en) * 1999-08-26 2001-03-13 Maruzen Petrochem Co Ltd Polymerizable compound having norbornane lactone structure and its polymer
JP2002296779A (en) * 2001-03-30 2002-10-09 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004041881A1 (en) * 2002-11-05 2004-05-21 Daicel Chemical Industries, Ltd. Polymeric compound for photoresist and resin composition for photoresist
US7033726B2 (en) 2002-11-05 2006-04-25 Daicel Chemical Industries, Ltd. Photoresist polymeric compound and photoresist resin composition
WO2005003861A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive type resist composition and method of forming resist pattern from the same
JP2005037893A (en) * 2003-07-01 2005-02-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and method for forming resist pattern by using the same
WO2005035602A1 (en) 2003-10-14 2005-04-21 Daicel Chemical Industries, Ltd. Photoresist resin and photoresist resin composition
EP1676869A1 (en) * 2003-10-14 2006-07-05 Daicel Chemical Industries, Ltd. Photoresist resin and photoresist resin composition
EP1676869A4 (en) * 2003-10-14 2007-06-27 Daicel Chem Photoresist resin and photoresist resin composition
JP2006126365A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition
JP4645153B2 (en) * 2004-10-27 2011-03-09 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition
WO2016124493A1 (en) 2015-02-02 2016-08-11 Basf Se Latent acids and their use
US9994538B2 (en) 2015-02-02 2018-06-12 Basf Se Latent acids and their use

Also Published As

Publication number Publication date
JP4839522B2 (en) 2011-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002062657A (en) Radiation sensitive resin composition
US7005230B2 (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2002023371A (en) Radiation sensitive resin composition
JP4199958B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP2001188346A (en) Radiation sensitive resin composition
JP4277420B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP4543558B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP2001209181A (en) Radiation sensitive resin composition
JP4051931B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP2002311590A (en) Radiation sensitive resin composition
JP4265286B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP2003270787A (en) Radiation sensitive resin composition
JP2002244295A (en) Solution of radiation sensitive resin composition and method for improving shelf stability of the same
JP2003202673A (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2002202604A (en) Radiation sensitive resin composition
JP2002091002A (en) Radiation sensitive resin composition
JP2003337416A (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2001109157A (en) Radiation sensitive resin composition
JP2003005372A (en) Radiation sensitive resin composition
JP3855770B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP4029929B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP4586298B2 (en) Alicyclic hydrocarbon skeleton-containing compound, alicyclic hydrocarbon skeleton-containing polymer, and radiation-sensitive resin composition
JP2003255539A (en) Radiation-sensitive resin composition
JP3975751B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP4144373B2 (en) Radiation sensitive resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100803

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101001

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110104

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110304

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110426

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110720

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110729

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110906

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110919

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4839522

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term