JP2002309035A - Method and apparatus for treating circuit member - Google Patents
Method and apparatus for treating circuit memberInfo
- Publication number
- JP2002309035A JP2002309035A JP2001114810A JP2001114810A JP2002309035A JP 2002309035 A JP2002309035 A JP 2002309035A JP 2001114810 A JP2001114810 A JP 2001114810A JP 2001114810 A JP2001114810 A JP 2001114810A JP 2002309035 A JP2002309035 A JP 2002309035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit member
- water
- polymer material
- supercritical water
- multilayer substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/54—Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W30/00—Technologies for solid waste management
- Y02W30/50—Reuse, recycling or recovery technologies
- Y02W30/62—Plastics recycling; Rubber recycling
Landscapes
- Separation, Recovery Or Treatment Of Waste Materials Containing Plastics (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層基板等の回路
部材の処理技術に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for processing a circuit member such as a multilayer substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子機器は今日の生活には欠かせない存
在であり、電子機器は電子回路を有している。また、電
子回路は多層基板の上に部品を装着して生産される。こ
の多層基板は、金属材料、無機物材料等より構成される
基板を多層に重ね合わせ、スルーホールを通して基板間
の電機導通を取る微細、複雑なハイテク部品である。今
日その生産額は我が国だけで約８千億円になると試算さ
れている。2. Description of the Related Art Electronic equipment is indispensable for today's life, and electronic equipment has electronic circuits. Electronic circuits are produced by mounting components on a multilayer substrate. This multilayer substrate is a fine and complicated high-tech component in which substrates made of a metal material, an inorganic material or the like are superposed in multiple layers, and electrical conduction between the substrates is established through through holes. Today it is estimated that the production value will be about 800 billion yen in Japan alone.
【０００３】このような多層基板を廃棄または処理する
際に、分解処理は困難である。多層基板は金属、ガラ
ス、高分子材が複雑に接合されているからである。[0003] When discarding or treating such a multilayer substrate, it is difficult to disassemble it. This is because a multi-layer substrate is made of metal, glass, and a polymer material that are intricately bonded.
【０００４】よって、多層基板を廃棄または処理するた
めには、多層基板を細かく粉砕して燃焼させる。高分子
材は燃焼によりガス化するが、燃焼後も金属およびガラ
スは残留する。そこで、金属はリサイクルされ、ガラス
は埋め立てられる。Therefore, in order to discard or dispose of the multilayer substrate, the multilayer substrate is finely crushed and burned. The polymer material is gasified by combustion, but the metal and glass remain after combustion. There, the metal is recycled and the glass is landfilled.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多層基
板を燃焼させれば、高分子材の燃焼によりダイオキシン
等の有害ガスが発生する。なお、このような問題は多層
基板に限らず、IC（Integrated Circuit）の処理にも生
じるものあり、回路部材一般に生ずるといえる。However, when the multilayer substrate is burned, harmful gases such as dioxin are generated by burning the polymer material. Note that such a problem occurs not only in a multilayer substrate but also in processing of an IC (Integrated Circuit), and it can be said that such a problem generally occurs in circuit members.
【０００６】そこで、本発明は、ダイオキシン等の有害
ガスが発生しない回路部材処理法を提供することを課題
とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide a circuit member processing method which does not generate harmful gases such as dioxin.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、高分子材を有する回路部材を超臨界水と反応させる
回路部材処理方法であって、高分子材を超臨界水により
分解してH2あるいはCH4を生成する高分子分解工程を備
えるように構成される。The invention according to claim 1 is a method of treating a circuit member having a polymer material with supercritical water, wherein the polymer material is decomposed with supercritical water. And a polymer decomposition step of producing H 2 or CH 4 .
【０００８】上記のように構成された回路部材処理方法
によれば、高分子分解工程において、回路部材が有する
高分子材を超臨界水により分解してH2あるいはCH4を生
成するため、高分子材を処理することによってはダイオ
キシン等が発生しない。According to the circuit member processing method configured as described above, in the polymer decomposition step, the polymer material of the circuit member is decomposed by supercritical water to generate H 2 or CH 4. Dioxin and the like are not generated by treating the molecular material.
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、回路部材はさらに金属を有し、高分子
分解工程において金属が触媒として作用するように構成
される。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the circuit member further includes a metal, and the metal acts as a catalyst in the polymer decomposition step.
【００１０】高分子分解工程において回路部材に含まれ
るCu,Pd,Ni等の金属が触媒として作用するため、高分子
材をH2あるいはCH4といった簡単な分子にまで分解でき
るようになる。[0010] In the polymer decomposition step, metals such as Cu, Pd and Ni contained in the circuit member act as catalysts, so that the polymer material can be decomposed into simple molecules such as H 2 or CH 4 .
【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、回路部材はさらに金属および無機物成
分を有し、高分子分解工程後の回路部材を金属および無
機物成分に分離する分離工程を備えるように構成され
る。According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the circuit member further has a metal and an inorganic component, and the circuit member after the polymer decomposition step is separated into a metal and an inorganic component. It is configured to include a separation step.
【００１２】回路部材の有する高分子材が分解すること
で、金属および無機物成分が残留するため、金属および
無機物成分に分離することが容易になる。When the polymer material of the circuit member is decomposed, the metal and inorganic components remain, so that it becomes easy to separate the metal and inorganic components.
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、空気を補給する空気補給工程を備える
ように構成される。A fourth aspect of the present invention is the invention according to the first aspect, which is provided with an air supply step of supplying air.
【００１４】高分子材の分解は、酸素、高分子材および
超臨界水の燃焼反応によっても行なわれる。そこで、空
気補給工程により、酸素を含んだ空気を補給することに
より燃焼反応を助け、高分子材の分解を促進することが
できる。The decomposition of the polymer material is also performed by a combustion reaction of oxygen, the polymer material and supercritical water. Therefore, by supplying air containing oxygen in the air supply step, the combustion reaction can be assisted and the decomposition of the polymer material can be promoted.
【００１５】請求項５に記載の発明は、請求項１に記載
の発明であって、高分子材を超臨界水により分解して水
溶性有機物を生成する水溶性有機物生成工程を備えるよ
うに構成される。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the first aspect of the present invention, comprising a water-soluble organic matter generating step of generating a water-soluble organic substance by decomposing a polymer material with supercritical water. Is done.
【００１６】高分子材は超臨界水により分解されてCO,O
Hを含む水溶性有機物が生成される。The polymer material is decomposed by supercritical water to produce CO, O
Water-soluble organic matter containing H is produced.
【００１７】請求項６に記載の発明は、高分子材を有す
る回路部材と超臨界水とを反応させる回路部材処理装置
であって、高分子材を超臨界水により分解してH2あるい
はCH 4を生成する高分子分解手段を備えるように構成さ
れる。The invention according to claim 6 has a polymer material.
Member processing device for reacting a circuit member with supercritical water
The polymer material is decomposed by supercritical water to obtain HTwoThere
Is CH FourConfigured to have a polymer decomposition means for producing
It is.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】図１は、本発明の実施形態にかかる回路部
材処理方法を使用するための回路部材処理装置を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing a circuit member processing apparatus for using a circuit member processing method according to an embodiment of the present invention.
【００２０】回路部材処理装置は、容器本体（高分子分
解手段）１、蓋２、水（H2O）３、赤外線ヒータ４、圧
力計５、攪拌器６、ガス採取管７、圧力調整バルブ８、
多層基板９、空気導入管１０、水導入管１１、温度計１
２を備える。The circuit member processing apparatus includes a container body (polymer decomposing means) 1, a lid 2, water (H 2 O) 3, an infrared heater 4, a pressure gauge 5, a stirrer 6, a gas sampling pipe 7, a pressure adjusting valve. 8,
Multilayer substrate 9, air introduction pipe 10, water introduction pipe 11, thermometer 1
2 is provided.
【００２１】容器本体（高分子分解手段）１は、その内
部において、多層基板９と、水（H2O）３が赤外線ヒー
タ４により加熱されて生成される超臨界水との反応が行
なわれる容器である。なお、容器本体（高分子分解手
段）１内部では、後述するように、多層基板９が有する
高分子材が超臨界水により分解されH2あるいはCH4が生
成される。容器本体１は、上部が開放されている。蓋２
は、容器本体１の上部を覆う蓋である。なお、容器本体
１および蓋２は、インコネル材でできている。水（H
2O）３は、容器本体１の底部に溜められている。In the container body (polymer decomposing means) 1, a reaction between the multilayer substrate 9 and supercritical water generated by heating water (H 2 O) 3 by the infrared heater 4 is performed inside. Container. In the container body (polymer decomposing means) 1, as described later, the polymer material of the multilayer substrate 9 is decomposed by supercritical water to generate H 2 or CH 4 . The upper part of the container body 1 is open. Lid 2
Is a lid that covers the upper part of the container body 1. Note that the container body 1 and the lid 2 are made of Inconel material. Water (H
2 O) 3 is stored at the bottom of the container body 1.
【００２２】赤外線ヒータ４は、水（H2O）３を加熱す
るためのものである。水（H2O）３は、赤外線ヒータ４
により加熱され、３９０度C以上の高温であり、かつ２
２MPa（２２０気圧）以上の高圧になると超臨界水とな
る。この状態の水は10nm程度の水クラスタが激しくぶつ
かりあう状態であり、液体とも気体とも異なる特別の状
態である。超臨界水は強い酸の状態にあると考えられ、
超臨界水は有機物を分解することは周知である。例え
ば、紙等のセルローズはグルコース、フルクトース等の
加水分解生成物に転化される。また、高分子材に多数含
まれるエステル結合、エーテル結合、酸アミド結合など
の化学結合を有する有機物はモノマー、オリゴマーの簡
単な有機分子に分解される。このようなことが周知であ
る。The infrared heater 4 is for heating water (H 2 O) 3. Water (H 2 O) 3 is an infrared heater 4
390 ° C or higher and 2
At a high pressure of 2 MPa (220 atm) or more, it becomes supercritical water. Water in this state is a state where water clusters of about 10 nm collide violently, and is a special state different from liquid and gas. Supercritical water is considered to be in a strong acid state,
It is well known that supercritical water decomposes organic matter. For example, cellulose such as paper is converted to hydrolysis products such as glucose, fructose and the like. Organic substances having a chemical bond such as an ester bond, an ether bond, and an acid amide bond, which are contained in a large number of polymer materials, are decomposed into simple organic molecules such as monomers and oligomers. This is well known.
【００２３】圧力計５は、容器本体１内部の圧力を計測
するための圧力計である。攪拌器６は、水（H2O）３を
攪拌するための器具である。攪拌器６は容器本体１の底
部に置かれており、容器本体１を振動させることにより
水（H2O）３を攪拌する。ガス採取管７は、多層基板９
と、超臨界水との反応に伴い生成されるガスを採取する
ための管である。圧力調整バルブ８は、ガス採取管７に
取付けられた圧力調整バルブである。圧力調整バルブ８
の開閉により、容器本体１内部の圧力を所望の値になる
ように調整する。なお、容器本体１内部の圧力は、図示
省略された圧力計により測定される。The pressure gauge 5 is a pressure gauge for measuring the pressure inside the container body 1. The stirrer 6 is an instrument for stirring the water (H 2 O) 3. The stirrer 6 is placed at the bottom of the container body 1 and stirs the water (H 2 O) 3 by vibrating the container body 1. The gas sampling tube 7 is a multilayer substrate 9
And a pipe for collecting gas generated by the reaction with the supercritical water. The pressure adjusting valve 8 is a pressure adjusting valve attached to the gas sampling pipe 7. Pressure adjusting valve 8
, The pressure inside the container body 1 is adjusted to a desired value. The pressure inside the container body 1 is measured by a pressure gauge not shown.
【００２４】多層基板９は、処理対象の多層基板であ
る。多層基板９は、高分子材と、金属と、無機物成分と
を有する。高分子材は例えば、エポキシやポリイミドで
ある。金属は例えば、Au（金）、Ag（銀）、Cu（銅）、
Ni（ニッケル）、Sn（スズ）などである。無機物成分は
例えばガラスである。金属は多量の高分子材の中に密閉
されていることが多い。なお、本実施形態においては、
多層基板を処理するものとしているが、IC(Integrated
Circuit)やICを搭載したHIC(Hybrid IntegratedCircui
t)の処理にも使用できる。すなわち、回路部材一般を処
理できるものである。空気導入管１０は、容器本体１内
部に酸素を含んだ空気を導入する。水導入管１１は、容
器本体１内部に水（H2O）３を導入する。温度計１２
は、容器本体１内部の温度を計測するための温度計であ
る。The multilayer substrate 9 is a multilayer substrate to be processed. The multilayer substrate 9 has a polymer material, a metal, and an inorganic component. The polymer material is, for example, epoxy or polyimide. Metals are, for example, Au (gold), Ag (silver), Cu (copper),
Ni (nickel), Sn (tin) and the like. The inorganic component is, for example, glass. Metals are often sealed in large amounts of polymeric material. In the present embodiment,
Although it is intended to process multi-layer substrates, IC (Integrated
HIC (Hybrid Integrated Circuit) with IC
It can also be used for processing of t). That is, general circuit members can be processed. The air introduction pipe 10 introduces air containing oxygen into the container body 1. The water introduction pipe 11 introduces water (H 2 O) 3 into the container body 1. Thermometer 12
Is a thermometer for measuring the temperature inside the container body 1.
【００２５】次に、実施形態にかかる処理方法を説明す
る。Next, a processing method according to the embodiment will be described.
【００２６】まず、水導入管１１によって、容器本体１
内部に水（H2O）３を溜める。次に、赤外線ヒータ４に
より水（H2O）３を加熱し、３９０度C以上の高温であ
り、かつ２２MPa（２２０気圧）以上の高圧とする。こ
れにより、水（H2O）３は超臨界水となる。なお、容器
本体１内部の圧力は圧力計５により、温度は温度計１２
により測定される。First, the container body 1 is connected to the water introducing pipe 11.
Water (H 2 O) 3 is stored inside. Next, the water (H 2 O) 3 is heated by the infrared heater 4 to a high temperature of 390 ° C. or higher and a high pressure of 22 MPa (220 atm) or higher. Thereby, the water (H 2 O) 3 becomes supercritical water. The pressure inside the container body 1 is measured by a pressure gauge 5 and the temperature is measured by a thermometer 12.
Is measured by
【００２７】水（H2O）３が超臨界水となると強い酸の
状態にあるため、超臨界水と多層基板９とが反応する。
反応を促進するために、攪拌器６により水（H2O）３を
攪拌する。ここで、この反応を詳細に説明する。When the water (H 2 O) 3 becomes supercritical water, it is in a strong acid state, so that the supercritical water reacts with the multilayer substrate 9.
Water (H 2 O) 3 is stirred by the stirrer 6 to promote the reaction. Here, this reaction will be described in detail.
【００２８】多層基板９に含まれる高分子材が、超臨界
水により分解される。この際、多層基板９に含まれるC
u、Ni、Snなどの金属が、超臨界水の強い酸の中で触媒
として働く。これにより、多層基板９に含まれる高分子
材は、H2あるいはCH4といった分子にまで分解される。
なお、高分子材が超臨界水によりモノマー、オリゴマー
の簡単な有機分子に分解されることは周知ではあるが、
H2あるいはCH4といった簡単な分子にまで分解されると
いうことは新規な事項である。The polymer material contained in the multilayer substrate 9 is decomposed by the supercritical water. At this time, C included in the multilayer substrate 9
Metals such as u, Ni and Sn act as catalysts in strong acids in supercritical water. Thereby, the polymer material contained in the multilayer substrate 9 is decomposed into molecules such as H 2 or CH 4 .
It is well known that supercritical water decomposes polymer materials into simple organic molecules such as monomers and oligomers.
That is decomposed to simple molecules such as H 2 or CH 4 are novel matter.
【００２９】なお、多層基板９に含まれる高分子材は超
臨界水により分解され、水溶性有機物、例えばアセトア
ルデヒド、アンモニアなどといったものが生成される。
この水溶性有機物は水（H2O）３に溶け込む。The polymer material contained in the multi-layer substrate 9 is decomposed by supercritical water to produce water-soluble organic substances such as acetaldehyde and ammonia.
This water-soluble organic substance dissolves in water (H 2 O) 3.
【００３０】また、多層基板９に含まれる高分子材の分
解は、多層基板９に含まれる酸素、高分子材および超臨
界水の燃焼反応によっても行なわれる。そこで、容器本
体１に空気導入管１０により、酸素を含んだ空気を導入
することにより燃焼反応を助け、多層基板９に含まれる
高分子材の分解を促進することができる。The decomposition of the polymer material contained in the multilayer substrate 9 is also carried out by a combustion reaction of oxygen, the polymer material and supercritical water contained in the multilayer substrate 9. Therefore, the combustion reaction can be assisted by introducing air containing oxygen into the container body 1 through the air introduction pipe 10, and the decomposition of the polymer material contained in the multilayer substrate 9 can be promoted.
【００３１】上記のような超臨界水と多層基板９との反
応が終了すれば、多層基板９は砕けて小片になる。この
小片には、多層基板９が有する金属および無機物成分が
含まれている。高分子材は、すでに分解されているから
である。そこで、この小片の金属と無機物成分とを分離
する。金属を密閉していた高分子材はすでに分解されて
おり、しかも多層基板９が小片になっているので、金属
と無機物成分とを分離することは容易である。When the reaction between the supercritical water and the multilayer substrate 9 as described above is completed, the multilayer substrate 9 is broken into small pieces. This small piece contains the metal and inorganic components of the multilayer substrate 9. This is because the polymer material has already been decomposed. Then, the metal and the inorganic component of this small piece are separated. Since the polymer material that has sealed the metal has already been decomposed and the multilayer substrate 9 has been broken into small pieces, it is easy to separate the metal and the inorganic component.
【００３２】ここで、（１）IC等の電子部品を搭載した
ハイブリッドIC基板（主要高分子材はエポキシであ
る）、（２）ポリイミド材を主成分とした４層構造の多
層基板、を、本実施形態にかかる回路処理方法により処
理した結果を説明する。なお、容器本体１の内部は、４
５０度C、３０MPaとする。また、ハイブリッドIC基板お
よび多層基板は粉砕せずにそのままの形で容器本体１の
内部に入れてある。反応時間は２時間である。反応生成
物をガスクロマトグラフィーにより分析した結果を表１
に示す。Here, (1) a hybrid IC substrate on which electronic components such as ICs are mounted (the main polymer material is epoxy), and (2) a multilayer substrate having a four-layer structure mainly composed of a polyimide material, A result processed by the circuit processing method according to the present embodiment will be described. The inside of the container body 1 is 4
50 ° C, 30MPa. The hybrid IC substrate and the multilayer substrate are put in the container body 1 as they are without being crushed. The reaction time is 2 hours. Table 1 shows the results obtained by analyzing the reaction products by gas chromatography.
Shown in
【００３３】[0033]
【表１】 H2あるいはCH4といった分子が大量に発生していること
がわかる。[Table 1] It can be seen that a large amount of molecules such as H 2 and CH 4 are generated.
【００３４】また、反応終了後の水（H2O）３の中にも
反応生成物が溶解しており、FTTR法により反応生成物を
確認した。反応終了後の水（H2O）３のFTTRスペクトル
を図２および図３に示す。図２は多層基板を分解した場
合の、図３はハイブリッドIC基板を分解した場合のFTTR
スペクトルである。The reaction product was also dissolved in water (H 2 O) 3 after completion of the reaction, and the reaction product was confirmed by the FTTR method. FIGS. 2 and 3 show FTTR spectra of water (H 2 O) 3 after the completion of the reaction. Fig. 2 shows the FTTR when the multilayer substrate is disassembled, and Fig. 3 shows the FTTR when the hybrid IC substrate is disassembled.
It is a spectrum.
【００３５】図２（ａ）は、多層基板を分解した場合の
FTTRスペクトルであり、図２（ｂ）は多層基板を分解し
た場合のFTTRスペクトルと、アンモニアのFTTRスペクト
ルとを重ね合わせたものである。図２（ｂ）に示すよう
に、多層基板を分解した場合のFTTRスペクトルと、アン
モニアのFTTRスペクトルとはほぼ一致しているので、多
層基板の分解によりアンモニアが生成されていることが
わかる。FIG. 2A shows a case where the multilayer substrate is disassembled.
FIG. 2B shows the FTTR spectrum obtained by disassembling the multilayer substrate and the FTTR spectrum of ammonia superimposed. As shown in FIG. 2B, the FTTR spectrum obtained when the multilayer substrate is decomposed substantially coincides with the FTTR spectrum of ammonia, indicating that ammonia was generated by the decomposition of the multilayer substrate.
【００３６】図３（ａ）は、ハイブリッドIC基板を分解
した場合のFTTRスペクトルであり、図３（ｂ）はハイブ
リッドIC基板を分解した場合のFTTRスペクトルと、アセ
トアルデヒドのFTTRスペクトルとを重ね合わせたもので
ある。図３（ｂ）に示すように、ハイブリッドIC基板を
分解した場合のFTTRスペクトルと、アセトアルデヒドの
FTTRスペクトルとはほぼ一致しているので、多層基板の
分解によりアセトアルデヒドが生成されていることがわ
かる。FIG. 3A shows the FTTR spectrum when the hybrid IC substrate is disassembled, and FIG. 3B shows the FTTR spectrum when the hybrid IC substrate is disassembled and the FTTR spectrum of acetaldehyde. Things. As shown in Fig. 3 (b), the FTTR spectrum when the hybrid IC substrate was disassembled
Since the spectrum almost coincides with the FTTR spectrum, it can be seen that acetaldehyde is generated by the decomposition of the multilayer substrate.
【００３７】また、超臨界水との反応前および反応終了
後の多層基板を図４に示す。超臨界水との反応前は一つ
にまとまった大きな固体である。しかし、反応終了後の
多層基板は１６倍に拡大して図示したものおよび６倍に
拡大して図示したものからわかるように反応終了後の多
層基板は砕けて小片になっており、そのガラス成分と金
属成分とを分離して回収しやすい状態となっている。FIG. 4 shows the multilayer substrate before and after the reaction with the supercritical water. Before the reaction with supercritical water, it is a single large solid. However, as can be seen from the multi-layer substrate after completion of the reaction, which is shown 16 times enlarged and 6 times as illustrated, the multi-layer substrate after completion of the reaction is broken into small pieces, and its glass component And metal components are separated and easily collected.
【００３８】本発明の実施形態によれば、多層基板やハ
イブリッドICなどの回路部材が有する高分子材が、回路
部材が有するCu、Ni、Snなどを触媒として、超臨界水に
より分解され、H2あるいはCH4といった分子およびアセ
トアルデヒド、アンモニアといった水溶性有機物を生成
するので、ダイオキシン等の有害ガスを発生しない。そ
して、分解後は、回路部材は金属およびガラスを含んだ
小片に砕けるため、金属およびガラスを分離しやすい。
しかも、空気を補給することにより超臨界水による反応
を促進することができる。According to the embodiment of the present invention, a polymer material included in a circuit member such as a multilayer substrate or a hybrid IC is decomposed by supercritical water using Cu, Ni, Sn, or the like included in the circuit member as a catalyst, and H Since it generates molecules such as 2 or CH 4 and water-soluble organic substances such as acetaldehyde and ammonia, it does not generate harmful gases such as dioxin. After disassembly, the circuit member is broken into small pieces containing metal and glass, so that the metal and glass are easily separated.
Moreover, the reaction with supercritical water can be promoted by supplying air.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明によれば、高分子分解工程におい
て、回路部材が有する高分子材を超臨界水により分解し
てH2あるいはCH4を生成するため、高分子材を処理する
ことによってはダイオキシン等が発生しない。According to the present invention, in the polymer decomposition step, for producing H 2 or CH 4 a polymeric material included in the circuit member is decomposed by supercritical water, by treating the polymer material Does not generate dioxins and the like.
【図１】本発明の実施形態にかかる回路部材処理方法を
使用するための回路部材処理装置を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a circuit member processing apparatus for using a circuit member processing method according to an embodiment of the present invention.
【図２】多層基板を分解した場合の、反応終了後の水の
FTTRスペクトルである。FIG. 2 shows the water after the reaction when the multilayer substrate is disassembled.
It is an FTTR spectrum.
【図３】ハイブリッドIC基板を分解した場合の、反応終
了後の水のFTTRスペクトルである。FIG. 3 is an FTTR spectrum of water after completion of the reaction when the hybrid IC substrate is disassembled.
【図４】超臨界水との反応前および反応終了後の多層基
板を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a multilayer substrate before and after the reaction with supercritical water.
１ 容器本体（高分子分解手段） ２ 蓋 ３ 水（H2O） ４ 赤外線ヒータ ５ 圧力計 ６ 攪拌器 ７ ガス採取管 ８ 圧力調整バルブ ９ 多層基板 １０ 空気導入管 １１ 水導入管 １２ 温度計1 container body (polymer degradation means) 2 lid 3 water (H 2 O) 4 IR heaters 5 manometer 6 stirrer 7 gas extraction tube 8 pressure regulating valve 9 multilayer substrate 10 air inlet tube 11 water inlet pipe 12 Thermometer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｆターム(参考） 4F301 CA09 CA26 CA42 CA51 CA72 CA73 4H006 AA02 AA05 AC26 BA05 BA11 BA21 BB31 BC10 BC11 4H039 CA11 CE90 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (reference) // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 F term (reference) 4F301 CA09 CA26 CA42 CA51 CA72 CA73 4H006 AA02 AA05 AC26 BA05 BA11 BA21 BB31 BC10 BC11 4H039 CA11 CE90
Claims (6)
応させる回路部材処理方法であって、 前記高分子材を前記超臨界水により分解してH2あるいは
CH4を生成する高分子分解工程を備えた回路部材処理方
法。1. A circuit member processing method for reacting a circuit member having a polymer material with supercritical water, wherein the polymer material is decomposed by the supercritical water to form H 2 or
Circuit member processing method comprising the polymer decomposition step of generating a CH 4.
て、 前記回路部材はさらに金属を有し、 前記高分子分解工程において前記金属が触媒として作用
する、 回路部材処理方法。2. The circuit member processing method according to claim 1, wherein the circuit member further has a metal, and the metal acts as a catalyst in the polymer decomposition step.
て、 前記回路部材はさらに金属および無機物成分を有し、 前記高分子分解工程後の前記回路部材を前記金属および
前記無機物成分に分離する分離工程を備えた回路部材処
理方法。3. The circuit member processing method according to claim 1, wherein the circuit member further has a metal and an inorganic component, and the circuit member after the polymer decomposition step is converted into the metal and the inorganic component. A method for processing a circuit member, comprising a separating step of separating.
て、 空気を補給する空気補給工程を備えた回路部材処理方
法。4. The circuit member processing method according to claim 1, further comprising an air supply step of supplying air.
て、 前記高分子材を前記超臨界水により分解して水溶性有機
物を生成する水溶性有機物生成工程を備えた回路部材処
理方法。5. The method for treating a circuit member according to claim 1, further comprising a water-soluble organic substance generating step of decomposing the polymer material with the supercritical water to generate a water-soluble organic substance. .
反応させる回路部材処理装置であって、 前記高分子材を前記超臨界水により分解してH2あるいは
CH4を生成する高分子分解手段を備えた回路部材処理装
置。6. A circuit member processing apparatus for reacting a circuit member having a polymer material with supercritical water, wherein the polymer material is decomposed by the supercritical water to form H 2 or
A circuit member processing apparatus provided with a polymer decomposition means for generating CH 4 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001114810A JP2002309035A (en) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | Method and apparatus for treating circuit member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001114810A JP2002309035A (en) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | Method and apparatus for treating circuit member |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002309035A true JP2002309035A (en) | 2002-10-23 |
Family
ID=18965807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001114810A Withdrawn JP2002309035A (en) | 2001-04-13 | 2001-04-13 | Method and apparatus for treating circuit member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002309035A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009030071A (en) * | 2001-09-21 | 2009-02-12 | National Univ Corp Shizuoka Univ | Method for gasifying organic substance |
| JP2012050937A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Ricoh Co Ltd | Waste liquid treatment apparatus |
-
2001
- 2001-04-13 JP JP2001114810A patent/JP2002309035A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009030071A (en) * | 2001-09-21 | 2009-02-12 | National Univ Corp Shizuoka Univ | Method for gasifying organic substance |
| JP2012050937A (en) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Ricoh Co Ltd | Waste liquid treatment apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9166170B1 (en) | Apparatus for producing carbon-coated nanoparticles and carbon nanospheres | |
| JP6523346B2 (en) | Method of recovering platinum group metals from used catalysts | |
| EP2425915A2 (en) | Multi mode production complex for nano-particles of metal | |
| US8716501B2 (en) | Method for producing oxygen-containing compound | |
| CN1649084A (en) | Process for producing a movable structure and etchant for silicon oxide film | |
| CN105238135A (en) | Nano fine silver particle ink and fine silver particle sintered body | |
| Yu et al. | Ultrasound-assisted cyanide extraction of gold from gold concentrate at low temperature | |
| WO2005101427A1 (en) | Conducting metal nano particle and nano-metal ink containing it | |
| CN103540748B (en) | A kind of metal of waste printed circuit board substrate and nonmetallic separation method | |
| JP2002309035A (en) | Method and apparatus for treating circuit member | |
| Narayana et al. | Leaching of metals from ores with ultrasound | |
| CN105121340A (en) | Method for manufacturing flaked graphite and flaked graphite liquid dispersion, as well as flaked graphite, flaked graphite liquid dispersion, and flaked graphite/resin composite material | |
| AU7158300A (en) | The recovery of gold from refractory ores and concentrates of such ores | |
| WO2006081234A3 (en) | Ruthenium layer deposition apparatus and method | |
| Ingale et al. | A novel way to treat refractory waste: sonication followed by wet oxidation (SONIWO) | |
| Sauvageau et al. | Recovery of Noble metal elements from effluents of the semiconductor industry as nanoparticles, by dielectric barrier discharge (DBD) plasma treatment | |
| Su et al. | Learning from headspace sampling: A versatile high-throughput reactor for photochemical vapor generation | |
| JPH0929079A (en) | Production of hydrogen separation membrane | |
| CN105256147A (en) | Technique for recovering palladium in waste circuit board by means of supercritical fluid | |
| JP2001316832A (en) | Pre-treating of plating, plating method of plastic, production of its plating material and plating apparatus | |
| CN111397984B (en) | Element vapor generation method and device for spontaneous micro-droplet induction | |
| WO2022123438A1 (en) | Eco-friendly method for recycling electronic waste | |
| JP3529090B2 (en) | Circuit member processing equipment | |
| JP2004285001A (en) | Method for producing oxygen-containing compound | |
| KR100772798B1 (en) | Method for forming a pattern of conductive metal using organometallic compounds |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080701 |