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JP2002300082A - High frequency module - Google Patents

High frequency module

Info

Publication number
JP2002300082A
JP2002300082A JP2001101798A JP2001101798A JP2002300082A JP 2002300082 A JP2002300082 A JP 2002300082A JP 2001101798 A JP2001101798 A JP 2001101798A JP 2001101798 A JP2001101798 A JP 2001101798A JP 2002300082 A JP2002300082 A JP 2002300082A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
transmission
frequency module
reception
pass filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001101798A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinji Isoyama
伸治 磯山
Katsuro Nakamata
克朗 中俣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2001101798A priority Critical patent/JP2002300082A/en
Publication of JP2002300082A publication Critical patent/JP2002300082A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 通過帯域の異なる複数の送受信系を搭載した
高周波モジュールを可及的に小型化する。 【解決手段】 高周波モジュール1は、通過帯域の異な
る複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路DIP
10と、各送受信系を送信系と受信系に切り替えるスイ
ッチ回路SW10、SW20と、スイッチ回路SW1
0、SW20に接続され、各送信系の通過周波数に対応
した増幅器AMP10、AMP20の出力をモニタする
ためのカプラCOP10、COP20と、増幅器AMP
10、AMP20の整合回路の少なくとも一部のMAT
10、MAT20を備える。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To reduce the size of a high-frequency module equipped with a plurality of transmission / reception systems having different pass bands as much as possible. A high-frequency module (1) includes a branching circuit (DIP) that divides a plurality of transmission / reception systems having different pass bands into respective transmission / reception systems.
10, switch circuits SW10 and SW20 for switching each transmission / reception system between a transmission system and a reception system, and a switch circuit SW1.
0, couplers COP10, COP20 for monitoring the outputs of the amplifiers AMP10, AMP20 corresponding to the pass frequencies of the respective transmission systems and connected to the SW20, and the amplifier AMP
10. MAT of at least a part of the matching circuit of the AMP 20
10, MAT20 is provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、通過帯域の異なる
複数の送受信系を備えた高周波モジュールに関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency module provided with a plurality of transmission / reception systems having different pass bands.

【0002】[0002]

【従来技術】近年、1つの送受信系を採用している通常
の携帯電話機に対し、デュアルバンド方式を採用した携
帯電話機が提案されている。デュアルバンド方式の携帯
電話機は1台の携帯電話機内に2つの送受信系を搭載す
るもので、地域性や使用目的等に合った送受信系を選択
して送信することができるようにした利便性の高い機器
として期待されているものである。
2. Description of the Related Art In recent years, a portable telephone employing a dual band system has been proposed in contrast to an ordinary portable telephone employing one transmission / reception system. The dual-band mobile phone is equipped with two transmitting / receiving systems in one mobile phone, and the convenience of selecting and transmitting a transmitting / receiving system that matches the regional characteristics and the purpose of use is provided. It is expected to be a high device.

【0003】近年の欧州においては、通過帯域の異なる
複数の送受信系としてGSM方式/DCS方式の双方を
搭載したデュアルバンド方式の携帯電話機が採用されて
いる。
In recent years, in Europe, a dual-band mobile phone equipped with both the GSM system and the DCS system has been adopted as a plurality of transmission / reception systems having different pass bands.

【0004】図4は、GSM/DCSデュアルバンド方
式の携帯電話機のブロック図(高周波回路部)を示す。
高周波モジュールは通過帯域の異なる2つの送受信系を
各送受信系DCS、GSMに分波し、かつ送受信系DC
S、GSMにおいてそれぞれ送信系Txと受信系Rxと
の切り替えを行うローパスフィルタ、スイッチ回路およ
び分波回路からなるスイッチモジュールASM1を備え
るとともに、送受信系DCSの送信系Tx、受信系Rx
と、送受信系GSMの送信系Tx、受信系Rxとを備え
る。送信系Txは各送受信系ともにカプラCOP10
0、200、増幅器AMP100、200を備える。増
幅器AMP100、200は増幅回路MMICと整合回
路とからそれぞれ構成されている。送信時には、Tx側
増幅器AMP100またはAMP200で増幅された送
信信号は、カプラCOP100またはCOP200、さ
らにローパスフィルタ、スイッチ回路、分波回路からな
る高周波スイッチモジュールASM1を経由してアンテ
ナANTから高周波信号として送信される。一方、受信
系Rxは帯域通過フィルタBPF300、400および
増幅器AMP300、400を備える。受信時には、ア
ンテナANTで受信された高周波信号は高周波スイッチ
モジュールASM1を介して取り出され、バンドパスフ
ィルタBPF300またはBPF400にて受信帯域近
傍の不要信号が除去された後、Rx側増幅器AMP30
0またはAMP400にて増幅される。
FIG. 4 shows a block diagram (high-frequency circuit section) of a GSM / DCS dual-band portable telephone.
The high-frequency module separates two transmission / reception systems having different passbands into transmission / reception systems DCS and GSM, and performs transmission / reception system DC
S and GSM each include a low-pass filter for switching between a transmission system Tx and a reception system Rx, and a switch module ASM1 composed of a switch circuit and a demultiplexer circuit, and a transmission system Tx and a reception system Rx of a transmission / reception system DCS.
And a transmission / reception system GSM transmission system Tx and reception system Rx. The transmitting system Tx is a coupler COP10 for each transmitting and receiving system.
0, 200, and amplifiers AMP100, 200. Each of the amplifiers AMP100 and AMP200 includes an amplifier circuit MMIC and a matching circuit. At the time of transmission, the transmission signal amplified by the Tx-side amplifier AMP100 or AMP200 is transmitted as a high-frequency signal from the antenna ANT via the coupler COP100 or COP200 and the high-frequency switch module ASM1 including a low-pass filter, a switch circuit, and a branching circuit. You. On the other hand, the receiving system Rx includes bandpass filters BPF300 and 400 and amplifiers AMP300 and 400. At the time of reception, a high-frequency signal received by the antenna ANT is taken out through the high-frequency switch module ASM1, and unnecessary signals near the reception band are removed by the band-pass filter BPF300 or BPF400.
Amplified at 0 or AMP400.

【0005】デュアルバンド方式の携帯電話機では各送
受信系の構成に必要な回路を搭載する必要があるが、そ
れぞれ個別の専用部品を用いて回路を構成すれば、機器
の大型化、高コスト化を招来することとなる。そこで、
共通可能な回路部分は可及的に共通にするようにして機
器の小型化、低コスト化を有利に展開することが要請さ
れている。
[0005] In a dual-band mobile phone, it is necessary to mount circuits necessary for the configuration of each transmission / reception system. However, if the circuits are configured using individual dedicated components, the size and cost of the equipment will increase. Will be invited. Therefore,
It is demanded that the common circuit portions be made as common as possible to advantageously develop the miniaturization and low cost of the equipment.

【0006】特開平11−225088号公報には小型
化を図るマルチバンド用高周波スイッチモジュールAS
M1が記載されている。図5は、このマルチバンド用高
周波スイッチモジュールASM1を示すもので、通過帯
域の異なる2つの送受信系を各送受信系に分けるノッチ
回路からなる分波回路と、前記各送受信系を送信系と受
信系に切り替えるスイッチ回路SWと、各送信系に配置
されたローパスフィルタLPFとから構成され、前記分
波回路はLC素子が並列接続されたノッチ回路を2つ用
い、各ノッチ回路の一端同士は接続されて2系統の送受
信系に共通の共通端子とされ、一方、各ノッチ回路の他
端はスイッチ回路に接続されている。
Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-225088 discloses a multi-band high-frequency switch module AS for miniaturization.
M1 is described. FIG. 5 shows this multi-band high-frequency switch module ASM1. A demultiplexing circuit comprising a notch circuit for dividing two transmission / reception systems having different pass bands into transmission / reception systems, and the transmission / reception systems as transmission / reception systems. And a low-pass filter LPF disposed in each transmission system. The demultiplexing circuit uses two notch circuits in which LC elements are connected in parallel, and one end of each notch circuit is connected. The common terminal is common to the two transmission / reception systems, while the other end of each notch circuit is connected to a switch circuit.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】デュアルバンド方式の
携帯電話機では各送受信系の構成に必要な回路を搭載す
る必要があるが、それぞれ個別の専用部品を用いて回路
を構成すれば、機器の大型化、高コスト化を招来するこ
ととなる。そこで、共通可能な回路部分は可及的に共通
にするようにして機器の小型化、低コスト化を有利に展
開することが要請されている。今日、デュアルバンド方
式においては、高周波スイッチを構成する各部品をプリ
ント配線基板上に実装するタイプに代えて、高周波スイ
ッチを部分的に一体化してモジュール化することは行わ
れているが、高周波スイッチモジュールおよび増幅器の
各部品をプリント配線基板に実装しているため、かかる
態様ではこれ以上の小型化は限界である。
In a dual-band mobile phone, it is necessary to mount circuits necessary for the configuration of each transmission / reception system. However, if the circuit is configured using individual dedicated components, the size of the equipment becomes large. And cost increase. Therefore, it is demanded that the circuit portions that can be shared be made as common as possible to advantageously develop the miniaturization and cost reduction of the device. Today, in the dual-band system, instead of a type in which each component constituting the high-frequency switch is mounted on a printed wiring board, a high-frequency switch is partially integrated into a module to form a module. Since the components of the module and the amplifier are mounted on the printed wiring board, further downsizing is the limit in such an embodiment.

【0008】また、高周波スイッチモジュールおよび増
幅器の各部品をプリント配線基板にそれぞれ実装した場
合、そのままでは携帯電話機の高周波回路部としての特
性を満足することは稀で、部品間に特性調整用の回路が
さらに必要となるという設計時の制約と、その付設回路
分だけ機器の大型化を招くという問題があった。
Further, when the components of the high-frequency switch module and the amplifier are mounted on a printed wiring board, the characteristics of the high-frequency circuit section of the portable telephone are rarely satisfied as they are. However, there is a problem in that the design is further required, and the size of the device is increased by an amount corresponding to the additional circuit.

【0009】本発明は、かかる問題点を解消するために
なされたもので、通過帯域の異なる複数の送受信系を各
送受信系に分ける分波回路から各送信系の増幅器の整合
回路までを構成する回路要素のうち少なくとも一部の回
路要素をモジュールに設けて可及的に小型化された高周
波モジュールを提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and comprises a branching circuit that divides a plurality of transmitting / receiving systems having different pass bands into respective transmitting / receiving systems to a matching circuit of an amplifier of each transmitting system. An object of the present invention is to provide a high-frequency module that is miniaturized as much as possible by providing at least a part of the circuit elements in the module.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明の高
周波モジュールは、通過帯域の異なる複数の送受信系を
各送受信系に分ける分波回路と、前記各送受信系を送信
系と受信系とに切り替えるスイッチ回路と、前記スイッ
チ回路に接続され、各送信系の通過周波数での送信信号
を増幅する増幅器からの出力をモニタするカプラと、前
記増幅器の整合回路とを構成する少なくとも一部の回路
要素が配置されたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a high-frequency module for separating a plurality of transmission / reception systems having different pass bands into transmission / reception systems, and a transmission / reception system for each of the transmission / reception systems. A switch circuit connected to the switch circuit, a coupler for monitoring an output from an amplifier for amplifying a transmission signal at a pass frequency of each transmission system, and at least a part of a circuit constituting a matching circuit of the amplifier The element has been placed.

【0011】本発明によれば、分波回路、スイッチ回
路、カプラおよび整合回路のうちの少なくとも一部の回
路要素がモジュールに設けられるので、より小型化され
たモジュールが作製される。また、各部品を一体化した
高周波モジュールをプリント配線基板に実装するため、
プリント配線基板上に各部品を接続するための配線を形
成する必要がなくなり、低ロス化が図れる。さらに、高
周波モジュールでは各部品を同時設計することができる
ため、モジュールとして最適な特性調整を行うことが可
能となり、各部品間に特性調整のための回路を設ける必
要がなくなる。
According to the present invention, since at least some of the circuit elements of the branching circuit, the switch circuit, the coupler, and the matching circuit are provided in the module, a more compact module is manufactured. Also, in order to mount a high-frequency module integrating each component on a printed wiring board,
It is not necessary to form a wiring for connecting each component on the printed wiring board, and the loss can be reduced. Further, in the high-frequency module, since each component can be designed simultaneously, it is possible to perform optimal characteristic adjustment as a module, and it is not necessary to provide a circuit for characteristic adjustment between each component.

【0012】請求項2記載の発明は、複数の誘電体層を
積層して構成された積層体を備え、前記少なくとも一部
の回路要素のうち、電極パターンは少なくとも一部が前
記積層体に内蔵され、チップ素子は前記積層体上に実装
されていることを特徴とする請求項1記載の高周波モジ
ュールである。この構成によれば、電極パターンおよび
チップ部品を効果的に積層体に設けるので、より小型化
が可能となる。具体的には、複数の誘電体層からなる積
層体内に、分波回路を構成するフィルタ、スイッチ回路
を構成する伝送線路、カプラを構成する伝送線路および
結合線路、整合回路を構成する伝送線路が内蔵され、ス
イッチ回路を構成するPINダイオード並びに積層体に
内蔵されないインダクタ、コンデンサおよび抵抗が積層
体上に実装されて一体化される。このため、従来のそれ
ぞれの部品をプリント配線基板上に実装したものに比べ
て、プリント配線基板における実装面積が削減され、よ
り小型化が実現される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a laminated body formed by laminating a plurality of dielectric layers, and at least a part of at least a part of the circuit elements is built in the laminated body. 2. The high-frequency module according to claim 1, wherein the chip element is mounted on the laminate. According to this configuration, since the electrode pattern and the chip component are effectively provided on the laminate, the size can be further reduced. Specifically, a filter that constitutes a demultiplexing circuit, a transmission line that constitutes a switch circuit, a transmission line and a coupling line that constitutes a coupler, and a transmission line that constitutes a matching circuit are provided in a laminate including a plurality of dielectric layers. A PIN diode that is included and forms a switch circuit, and an inductor, a capacitor, and a resistor that are not included in the laminate are mounted and integrated on the laminate. For this reason, the mounting area on the printed wiring board is reduced, and the size can be further reduced, as compared with a conventional component in which each component is mounted on the printed wiring board.

【0013】請求項3記載の発明は、分波回路が前記積
層体に内蔵されたローパスフィルタおよび/またはハイ
パスフィルタを有していることを特徴とする請求項1ま
たは2記載の高周波モジュールである。この構成によれ
ば、分波回路を構成するローパスフィルタおよび/また
はハイパスフィルタは積層体に内蔵される。
The invention according to claim 3 is the high-frequency module according to claim 1 or 2, wherein the branching circuit has a low-pass filter and / or a high-pass filter built in the laminate. . According to this configuration, the low-pass filter and / or the high-pass filter constituting the branching circuit are built in the laminate.

【0014】請求項4記載の発明は、カプラが伝送線路
およびコンデンサからなるローパスフィルタを有してい
ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の
高周波モジュールである。この構成によれば、カプラを
構成する伝送線路およびコンデンサからなるローパスフ
ィルタが積層体に内蔵可能にされる。
The invention according to claim 4 is the high-frequency module according to any one of claims 1 to 3, wherein the coupler has a low-pass filter including a transmission line and a capacitor. According to this configuration, the low-pass filter including the transmission line and the capacitor constituting the coupler can be built in the laminate.

【0015】請求項5記載の発明は、整合回路が伝送線
路およびコンデンサからなるローパスフィルタを有して
いることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載
の高周波モジュールである。この構成によれば、整合回
路を構成する伝送線路およびコンデンサからなるローパ
スフィルタが積層体に内蔵可能にされる。
The invention according to claim 5 is the high-frequency module according to any one of claims 1 to 4, wherein the matching circuit has a low-pass filter including a transmission line and a capacitor. According to this configuration, the low-pass filter including the transmission line and the capacitor constituting the matching circuit can be built in the laminate.

【0016】このように、分波回路は積層体に内蔵され
たローパスフィルタおよび/またはハイパスフィルタを
有していることが望ましく、カプラおよび整合回路は伝
送線路およびコンデンサからなるローパスフィルタ機能
を有していることが望ましい。素子に複数の機能を持た
せることで、高周波モジュールに設けられる素子数が削
減され、高周波モジュールのさらなる小型化が可能とな
り、構成素子が低減した分、高周波モジュールの低ロス
化も実現される。
As described above, it is desirable that the demultiplexing circuit has a low-pass filter and / or a high-pass filter built in the laminate, and the coupler and the matching circuit have a low-pass filter function including a transmission line and a capacitor. Is desirable. By providing the elements with a plurality of functions, the number of elements provided in the high-frequency module is reduced, the high-frequency module can be further reduced in size, and the loss of the high-frequency module can be reduced by the reduced number of constituent elements.

【0017】また、本発明に係る高周波モジュールは、
低温焼成セラミック基板を用いることが望ましい。これ
により、複数の誘電体層と、その複数の誘電体層上の伝
送線路およびコンデンサを形成する電極とを一体焼成す
ることができ、製造工程の短縮化が可能となり、コスト
ダウンが図れる。
Further, the high-frequency module according to the present invention comprises:
It is desirable to use a low-temperature fired ceramic substrate. Thereby, the plurality of dielectric layers and the electrodes forming the transmission lines and the capacitors on the plurality of dielectric layers can be integrally fired, so that the manufacturing process can be shortened and the cost can be reduced.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る高周波モジ
ュールのブロック図である。高周波モジュール1は、通
過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系DCS、G
SMに分ける分波回路DIP10と、各送受信系DC
S、GSMを送信系Txと受信系Rxとにそれぞれ切り
替えるスイッチ回路SW10、SW20と、スイッチ回
路SW10、SW20の各送信Tx端子側に、増幅器A
MP10、AMP20の出力をモニタするカプラCOP
10、COP20と、増幅器AMP10、AMP20の
整合回路の一部であるMAT10、MAT20とで構成
されている。
FIG. 1 is a block diagram of a high-frequency module according to the present invention. The high-frequency module 1 includes a plurality of transmission / reception systems having different passbands, each transmission / reception system DCS, G
Demultiplexing circuit DIP10 for dividing into SM and each transmitting / receiving system DC
Switch circuits SW10 and SW20 for switching S and GSM to a transmission system Tx and a reception system Rx, respectively, and an amplifier A on each transmission Tx terminal side of the switch circuits SW10 and SW20.
Coupler COP that monitors the output of MP10 and AMP20
10, a COP 20 and amplifiers AMP10, MAT10 and MAT20 which are part of a matching circuit of the AMP20.

【0019】整合回路の一部であるMAT10、MAT
20は、それぞれカプラCOP10、COP20と増幅
器AMP10、AMP20間のインピーダンスを調整す
るためのものである。増幅器AMP10、AMP20は
増幅回路MMICと整合回路とから構成されており、こ
の整合回路は増幅性能を引き出すためのものである。
MAT10, MAT which is a part of the matching circuit
Reference numeral 20 is for adjusting the impedance between the couplers COP10 and COP20 and the amplifiers AMP10 and AMP20, respectively. Each of the amplifiers AMP10 and AMP20 includes an amplifier circuit MMIC and a matching circuit, and the matching circuit is for extracting amplification performance.

【0020】図2は、図1に示す高周波モジュールの一
実施形態を示す回路図で、本高周波モジュールはDCS
方式(1800MHz帯)の送受信系とGSM方式(900MHz
帯)の送受信系とから構成され、両者の信号は分波回路
DIP10で回路的に分離されている。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the high-frequency module shown in FIG.
System (1800MHz band) transmission / reception system and GSM system (900MHz
And a transmission / reception system of the band), and both signals are separated in a circuit by a demultiplexing circuit DIP10.

【0021】アンテナANTは分波回路DIP10を介
してスイッチ回路SW10、SW20に接続されてい
る。すなわち、アンテナANTから受信されたDCS方
式の受信信号は分波回路DIP10を経てDCS側の送
受信系へ導かれ、GSM方式の受信信号は分波回路DI
P10を経てGSM側の送受信系に導かれる。
The antenna ANT is connected to switch circuits SW10 and SW20 via a demultiplexer DIP10. That is, the received signal of the DCS system received from the antenna ANT is guided to the transmission / reception system on the DCS side via the demultiplexing circuit DIP10, and the received signal of the GSM system is transmitted to the demultiplexing circuit DI.
The signal is guided to the transmission / reception system on the GSM side via P10.

【0022】DCS側の回路構成について説明すると、
スイッチ回路SW10は受信回路Rxと送信回路Txと
を切り替えるものである。送受信の切換は例えば時分割
方式が採用されている。送信回路Tx側は増幅回路MM
ICと整合回路MAT30とから構成される増幅器AM
P10と整合回路MAT10で構成され、2段目の整合
回路MAT10はカプラCOP10と直接接続されてい
る。2段の整合回路MAT10、MAT30は伝送線路
STLD4とコンデンサCD4、伝送線路STLD5と
コンデンサCD5からなるローパスフィルタを構成して
おり、出力インピーダンス(数Ω程度)とカプラCOP
10の入力インピーダンス(50Ω近傍)とのインピー
ダンス整合を行うと共に、高調波成分の抑制を行ってい
る。
The circuit configuration on the DCS side will be described.
The switch circuit SW10 switches between the reception circuit Rx and the transmission circuit Tx. For switching between transmission and reception, for example, a time division system is adopted. The transmitting circuit Tx side is an amplifier circuit MM
Amplifier AM comprising IC and matching circuit MAT30
P2 and a matching circuit MAT10, and the second-stage matching circuit MAT10 is directly connected to the coupler COP10. The two-stage matching circuits MAT10 and MAT30 form a low-pass filter including the transmission line STLD4 and the capacitor CD4, and the transmission line STLD5 and the capacitor CD5, and have an output impedance (about several Ω) and a coupler COP.
The impedance matching with the input impedance of 10 (around 50Ω) is performed, and the harmonic components are suppressed.

【0023】カプラCOP10は伝送線路STLD2お
よびコンデンサCD9からなるローパスフィルタを構成
している。また、結合線路STLD20を伝送線路ST
LD2に近接させて例えば容量結合を形成することによ
り、送信回路Tx側の増幅回路MMICからの出力の一
部を取り出してモニタレベルとしてDCS Monitorに帰還
させている。結合線路STLD20のスイッチ回路SW
10側には終端抵抗RD2が接続されている。
The coupler COP10 forms a low-pass filter including the transmission line STLD2 and the capacitor CD9. Further, the coupling line STLD20 is connected to the transmission line STLD.
By forming, for example, capacitive coupling close to the LD2, a part of the output from the amplifier circuit MMIC on the transmission circuit Tx side is taken out and fed back to the DCS Monitor as a monitor level. Switch circuit SW of coupling line STLD20
A terminating resistor RD2 is connected to the 10 side.

【0024】カプラCOP10とスイッチ回路SW10
とは直流成分カット用のコンデンサCD7を介して接続
され、コンデンサCD7はPINダイオードDD1のア
ノードに接続されている。また、PINダイオードDD
1のアノードはインダクタLD3およびコンデンサCD
3を介して接地され、インダクタLD3とコンデンサC
D3との接続点は制御抵抗RD1を介してDCS側の制
御端子Vcに接続されている。
Coupler COP10 and switch circuit SW10
Is connected via a DC component cutting capacitor CD7, and the capacitor CD7 is connected to the anode of the PIN diode DD1. In addition, PIN diode DD
1 has an inductor LD3 and a capacitor CD.
3 and the inductor LD3 and the capacitor C
The connection point with D3 is connected to the control terminal Vc on the DCS side via the control resistor RD1.

【0025】また、PINダイオードDD1のカソード
は直流成分カット用のコンデンサCD6を介して分波回
路DIP10のハイパスフィルタHPF10に接続され
ると共に、伝送線路STLD3および直流成分カット用
のコンデンサCD8を介してDCS側のRx端子に接続
されている。伝送線路STLD3とコンデンサCD8と
の接続点はPINダイオードDD2のアノードに接続さ
れ、PINダイオードDD2のカソードはコンデンサC
D2およびインダクタLD2からなる並列共振回路を介
して接地されている。コンデンサCD2とインダクタL
D2とで形成される並列共振回路はDCS側の送信回路
Tx−受信回路Rx間の分離を行わせるものである。す
なわち、送信時に、送信回路Txから受信回路Rxへ漏
れる信号をグランドへ流すための回路である。
The cathode of the PIN diode DD1 is connected to the high-pass filter HPF10 of the branching circuit DIP10 via the DC component cutting capacitor CD6, and the DCS is connected via the transmission line STLD3 and the DC component cutting capacitor CD8. Side Rx terminal. The connection point between the transmission line STLD3 and the capacitor CD8 is connected to the anode of the PIN diode DD2, and the cathode of the PIN diode DD2 is connected to the capacitor C
It is grounded via a parallel resonance circuit composed of D2 and inductor LD2. Capacitor CD2 and inductor L
The parallel resonance circuit formed with D2 separates the transmission circuit Tx and the reception circuit Rx on the DCS side. That is, it is a circuit for flowing a signal leaking from the transmission circuit Tx to the reception circuit Rx to the ground during transmission.

【0026】分波回路DIP10は、例えばハイパスフ
ィルタHPF10と、コンデンサCD1およびインダク
タLD1とから形成されている。ハイパスフィルタHP
F10は、信号ラインに介設されたコンデンサCD1
0、このコンデンサCD10の両端に2本の平行な伝送
線路STLD6、STLD7およびこれらの他端の接続
点と接地間とに接続された短寸法の伝送線路STLD8
を備えるとともに、コンデンサCD10の両端と接地間
とに接続された2本のコンデンサCD11、CD12と
から構成されている。
The branching circuit DIP10 is formed of, for example, a high-pass filter HPF10, a capacitor CD1 and an inductor LD1. High pass filter HP
F10 is a capacitor CD1 provided on the signal line.
0, two parallel transmission lines STLD6 and STLD7 at both ends of the capacitor CD10, and a short dimension transmission line STLD8 connected between the connection point of the other end and ground.
And two capacitors CD11 and CD12 connected between both ends of the capacitor CD10 and the ground.

【0027】次に、GSM側の回路構成について説明す
ると、スイッチ回路SW20は受信回路Rxと送信回路
Txとを切り替えるものである。送受信の切換は例えば
時分割方式が採用されている。送信回路Tx側は増幅回
路MMICと整合回路MAT40とから構成される増幅
器AMP20と整合回路MAT20とで構成され、2段
目の整合回路MAT20はカプラCOP20と直接接続
されている。2段の整合回路MAT20、MAT40は
伝送線路STLG4とコンデンサCG4、伝送線路ST
LG5とコンデンサCG5からなるローパスフィルタを
構成しており、増幅回路MMICの出力インピーダンス
(数Ω程度)とカプラCOP20の入力インピーダンス
(50Ω近傍)とのインピーダンス整合を行うと共に、
高調波成分の抑制を行っている。
Next, the circuit configuration on the GSM side will be described. The switch circuit SW20 switches between the reception circuit Rx and the transmission circuit Tx. For switching between transmission and reception, for example, a time division system is adopted. The transmitting circuit Tx side includes an amplifier AMP20 and a matching circuit MAT20 each including an amplifier circuit MMIC and a matching circuit MAT40, and the second-stage matching circuit MAT20 is directly connected to the coupler COP20. The two-stage matching circuits MAT20 and MAT40 include a transmission line STLG4, a capacitor CG4, and a transmission line ST.
A low-pass filter including the LG5 and the capacitor CG5 is configured to perform impedance matching between the output impedance (about several Ω) of the amplifier circuit MMIC and the input impedance (around 50Ω) of the coupler COP20.
Harmonic components are suppressed.

【0028】カプラCOP20は伝送線路STLG2お
よびコンデンサCG9からなるローパスフィルタを構成
している。また、結合線路STLG20を伝送線路ST
LG2に近接させて例えば容量結合を形成することによ
り、送信回路Tx側の増幅器MMICからの出力の一部
を取り出してモニタレベルとしてGSM Monitorに帰還さ
せている。結合線路STLG20のスイッチ回路SW2
0側は終端抵抗RG2により終端されている。
The coupler COP20 forms a low-pass filter including the transmission line STLG2 and the capacitor CG9. Further, the coupling line STLG20 is connected to the transmission line STLG.
By forming, for example, capacitive coupling close to LG2, a part of the output from the amplifier MMIC on the transmission circuit Tx side is extracted and fed back to the GSM Monitor as a monitor level. Switch circuit SW2 of coupling line STLG20
The 0 side is terminated by a terminating resistor RG2.

【0029】カプラCOP20とスイッチ回路SW20
とは直流成分カット用のコンデンサCG7を介して接続
され、コンデンサCG7はPINダイオードDG1のア
ノードに接続されている。また、PINダイオードDG
1のアノードはインダクタLG3およびコンデンサCG
3を介して接地され、インダクタLG3とコンデンサC
G3との接続点は制御抵抗RG1を介してGSM側の制
御端子Vcに接続されている。
The coupler COP20 and the switch circuit SW20
Is connected via a DC component cutting capacitor CG7, and the capacitor CG7 is connected to the anode of the PIN diode DG1. Also, PIN diode DG
1 has an inductor LG3 and a capacitor CG
3 and the inductor LG3 and the capacitor C
A connection point with G3 is connected to a control terminal Vc on the GSM side via a control resistor RG1.

【0030】また、PINダイオードDG1のカソード
は直流成分カット用のコンデンサCG6を介して分波回
路DIP10のローパスフィルタLPF10に接続され
ると共に、伝送線路STLG3および直流成分カット用
のコンデンサCG8を介してGSM側のRx端子に接続
されている。伝送線路STLG3とコンデンサCG8と
の接続点はPINダイオードDG2のアノードに接続さ
れ、PINダイオードDG2のカソードはコンデンサC
G2およびインダクタLG2からなる並列共振回路を介
して接地されている。コンデンサCG2とインダクタL
G2とで形成される並列共振回路はGSM側の送信回路
Tx−受信回路Rx間の分離を行わせるものである。す
なわち、送信時に、送信回路Txから受信回路Rxへ漏
れる信号をグランドへ流すための回路である。
The cathode of the PIN diode DG1 is connected to the low-pass filter LPF10 of the branching circuit DIP10 via a DC component cutting capacitor CG6, and GSM via the transmission line STLG3 and the DC component cutting capacitor CG8. Side Rx terminal. The connection point between the transmission line STLG3 and the capacitor CG8 is connected to the anode of the PIN diode DG2, and the cathode of the PIN diode DG2 is connected to the capacitor C
It is grounded via a parallel resonance circuit consisting of G2 and inductor LG2. Capacitor CG2 and inductor L
The parallel resonance circuit formed by G2 and G2 separates the transmission circuit Tx and the reception circuit Rx on the GSM side. That is, it is a circuit for flowing a signal leaking from the transmission circuit Tx to the reception circuit Rx to the ground during transmission.

【0031】分波回路DIP10は、例えばローパスフ
ィルタLPF10と、コンデンサCG1およびインダク
タLG1とから形成されている。ローパスフィルタLP
F10は信号ラインに介設された伝送線路STLG6と
コンデンサCG10との並列回路、および伝送線路ST
LG6の両端と中央部の3カ所から接地との間に介設さ
れる3個のコンデンサCG11、CG12およびCG1
3から構成されている。
The branching circuit DIP10 is composed of, for example, a low-pass filter LPF10, a capacitor CG1 and an inductor LG1. Low-pass filter LP
F10 is a parallel circuit of a transmission line STLG6 and a capacitor CG10 provided on a signal line, and a transmission line ST10.
Three capacitors CG11, CG12 and CG1 interposed between the both ends of LG6 and the ground from three places at the center.
3 is comprised.

【0032】本高周波モジュール1では、分波回路DI
P10、スイッチ回路SW10、SW20、カプラCO
P10、COP20、整合回路MAT10、MAT20
の少なくとも一部がモジュール内に配置されている。本
実施形態では、分波回路DIP10を構成するハイパス
フィルタHPF10およびローパスフィルタLPF10
と、スイッチ回路SW10、20を構成する伝送線路S
TLD3、STLG3と、カプラCOP10、COP2
0を構成する伝送線路STLD2、STLG2および結
合線路STLD20、STLG20と、整合回路MAT
10、20を構成する伝送線路STLD4、STLG4
とが電極パターンとして誘電体層を積層してなる積層体
に内蔵されている。
In the high frequency module 1, the demultiplexing circuit DI
P10, switch circuits SW10, SW20, coupler CO
P10, COP20, matching circuit MAT10, MAT20
Are arranged in the module. In the present embodiment, the high-pass filter HPF10 and the low-pass filter LPF10 forming the branching circuit DIP10
And transmission lines S forming the switch circuits SW10 and SW20.
TLD3, STLG3, coupler COP10, COP2
0, the transmission lines STLD2 and STLG2, the coupling lines STLD20 and STLG20, and the matching circuit MAT.
Transmission lines STLD4, STLG4 that constitute 10, 20
Are incorporated in a laminate formed by laminating dielectric layers as electrode patterns.

【0033】また、分波回路DIP10、スイッチ回路
SW10、SW20、カプラCOP10、COP20、
整合回路MAT10、MAT20のそれぞれの一部を構
成する例えばPINダイオード等のチップ素子が最上層
の誘電体層(積層体)上に実装されている。すなわち、
本実施形態においては、図2において、太線で示す素子
を含む回路要素(回路乃至はそれを構成する一部分)は
誘電体層の内蔵パターンとして形成されており、丸印で
囲った素子は内蔵パターンあるいは表面実装部品として
構成され、それ以外は表面実装部品として構成されてい
る。
Further, a demultiplexing circuit DIP10, switch circuits SW10 and SW20, couplers COP10 and COP20,
A chip element such as a PIN diode which constitutes a part of each of the matching circuits MAT10 and MAT20 is mounted on the uppermost dielectric layer (laminate). That is,
In the present embodiment, in FIG. 2, circuit elements (circuits or parts constituting the circuits) including elements indicated by thick lines are formed as a built-in pattern of a dielectric layer. Alternatively, it is configured as a surface mount component, and the others are configured as surface mount components.

【0034】図3は、本発明に係る高周波モジュールの
一実施形態を示す一部切欠斜視図である。図3に示すよ
うに、本高周波モジュール1はセラミック等からなる同
一寸法形状の8層の誘電体層11、12、…18が積層
されて積層体が構成されており、この積層体の上面およ
び側面は金属からなるシールドカバー10で被覆され、
さらに側面適所には必要に応じて形成された所要数の端
面電極が上面から底面に亘るように形成されている。な
お、最上層の誘電体層11の上面の導電パターンは作図
上、一部省略されている。
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of the high-frequency module according to the present invention. As shown in FIG. 3, the high-frequency module 1 is configured by laminating eight dielectric layers 11, 12,... 18 of the same dimensions and shape made of ceramic or the like to form a laminate. The side surface is covered with a shield cover 10 made of metal,
Further, a required number of end face electrodes formed as needed are formed at appropriate places on the side face so as to extend from the top face to the bottom face. The conductive pattern on the upper surface of the uppermost dielectric layer 11 is partially omitted in the drawing.

【0035】この誘電体層11〜18は低温焼成用のセ
ラミックで、セラミックグリーンシートの表面に導電ペ
ースト等を塗布して上述した各回路を構成するパターン
(図2に太線で示した回路要素)をそれぞれ形成した
後、パターンが形成されたグリーンシートを積層し、所
要の圧力と温度の下で熱圧着して焼成されたものであ
る。また、各誘電体層には複数の層に亘って回路を構成
乃至は接続するために必要なバイアホールが適宜形成さ
れている。最上層の誘電体層11上には、種々のパター
ンの他、終端抵抗RD2、RG2に相当するトリマブル
抵抗器21、22(なお、作図上、終端抵抗RG2に相
当するトリマブル抵抗器22は見えていない)、その他
のチップ部品(図2に示したPINダイオード等を含む
その他のチップ素子)が複数実装されている。
The dielectric layers 11 to 18 are ceramics for firing at a low temperature, and are formed by applying a conductive paste or the like to the surface of a ceramic green sheet and forming the above-described circuits (circuit elements shown by thick lines in FIG. 2). Are formed, green sheets on which patterns are formed are laminated, and thermocompression-bonded under a required pressure and temperature, followed by firing. In each dielectric layer, via holes necessary for configuring or connecting a circuit are appropriately formed over a plurality of layers. On the uppermost dielectric layer 11, in addition to various patterns, the trimmable resistors 21 and 22 corresponding to the terminating resistors RD2 and RG2 (the drawing shows the trimmable resistor 22 corresponding to the terminating resistor RG2). No), and a plurality of other chip components (other chip elements including the PIN diode shown in FIG. 2) are mounted.

【0036】なお、上記の各実施形態においては、ライ
ンの縁でカップリングする場合を示したが、積層体内に
おいて、主伝送線路STLD2、STLG2を上層の誘
電体層に、結合線路STLD20、STLG20を1段
又は所要段だけ下層の誘電体層に配置し、あるいは逆に
主伝送線路STLD2、STLG2を下層の誘電体層
に、結合線路STLD20、STLG20を1段又は所
要段だけ上層の誘電体層に配置してカップリングしても
同様であることはいうまでもない。
In each of the above embodiments, the case where the coupling is performed at the edge of the line has been described. However, in the laminate, the main transmission lines STLD2 and STLG2 are used as the upper dielectric layers, and the coupling lines STLD20 and STLG20 are used as the coupling lines. The main transmission lines STLD2 and STLG2 are arranged in the lower dielectric layer by one stage or the required stage, or conversely, the coupling lines STLD20 and STLG20 are arranged in the upper dielectric layer by one stage or the required stage. It goes without saying that the same applies to the arrangement and coupling.

【0037】なお、本実施形態では図3に示すように8
層の誘電体層からなる積層体の例で説明したが、誘電体
層の層数はこれに限定されず、1層でもよい。この場合
であっても、本高周波モジュール1では、通過帯域の異
なる複数の送受信系を各送受信系に分ける分波回路DI
P10と、各送受信系を送信系と受信系に切り替えるス
イッチ回路SW10、SW20と、このスイッチ回路S
W10、SW20に接続され、各送信系の通過周波数に
対応した増幅器の出力をモニタするためのカプラCOP
10、COP20、増幅器の整合回路の一部MAT1
0、MAT20とを同一積層体にモジュール化すること
により、従来の各部品をプリント配線基板上に実装して
接続したものに比してプリント配線基板における実装面
積を削減でき、小型化を実現できる。
In this embodiment, as shown in FIG.
Although the description has been given of the example of the laminated body including the dielectric layers, the number of the dielectric layers is not limited to this and may be one. Even in this case, in the high-frequency module 1, the branching circuit DI for dividing a plurality of transmission / reception systems having different pass bands into respective transmission / reception systems.
P10, switch circuits SW10 and SW20 for switching each transmission / reception system between a transmission system and a reception system, and this switch circuit S
Coupler COP connected to W10 and SW20 for monitoring the output of the amplifier corresponding to the pass frequency of each transmission system
10, COP20, part of the matching circuit of the amplifier MAT1
By mounting the MAT 20 and the MAT 20 in the same laminate, the mounting area on the printed wiring board can be reduced and the size can be reduced as compared with a conventional component in which each component is mounted on the printed wiring board and connected. .

【0038】また、各部品を一体化した高周波モジュー
ルをプリント配線基板に実装するため、プリント配線基
板上に各部品を接続するための配線を形成する必要がな
く、従って低ロス化が実現できる。
Further, since the high-frequency module in which the components are integrated is mounted on the printed wiring board, it is not necessary to form a wiring for connecting the components on the printed wiring board, so that a low loss can be realized.

【0039】さらに、高周波モジュールでは各部品を同
時設計することができるため、モジュールとして最適な
特性調整を行うことができる。従って、各部品間に特性
調整のための回路を設ける必要がない。
Further, in the high-frequency module, since each component can be designed simultaneously, it is possible to adjust the characteristics optimally as a module. Therefore, there is no need to provide a circuit for adjusting the characteristics between the components.

【0040】そして、誘電体層として低温焼成セラミッ
クを用いるため、複数の誘電体層と、その複数の誘電体
層上の伝送線路およびコンデンサを形成する電極とを一
体焼成することができる。従って、製造工程の短縮化が
可能となり、コストダウンを図ることができる。
Since a low-temperature fired ceramic is used as the dielectric layer, the plurality of dielectric layers and the electrodes forming the transmission lines and the capacitors on the plurality of dielectric layers can be integrally fired. Therefore, the manufacturing process can be shortened, and the cost can be reduced.

【0041】このように、本発明の高周波モジュールで
は、通過帯域の異なる複数の送受信系を各送受信系に分
ける分波回路DIP10と、各送受信系を送信系と受信
系に切り替えるスイッチ回路SW10、SW20と、こ
のスイッチ回路SW10、SW20に接続され、各送信
系の通過周波数に対応した増幅器の出力をモニタするた
めのカプラCOP10、COP20、増幅器の整合回路
の一部MAT10、MAT20とを同一積層体にモジュ
ール化することにより、従来の各部品をプリント配線基
板上に実装して接続したものに比してプリント配線基板
における実装面積を削減でき、小型化を実現できる。
As described above, in the high-frequency module of the present invention, the demultiplexer DIP10 for dividing a plurality of transmission / reception systems having different passbands into transmission / reception systems, and the switch circuits SW10 and SW20 for switching each transmission / reception system between the transmission system and the reception system. And the couplers COP10 and COP20 connected to the switch circuits SW10 and SW20 for monitoring the outputs of the amplifiers corresponding to the pass frequencies of the respective transmission systems, and part of the matching circuits MAT10 and MAT20 of the amplifiers. By modularizing, the mounting area on the printed wiring board can be reduced and the size can be reduced as compared with the conventional case where each component is mounted on the printed wiring board and connected.

【0042】また、各部品を一体化した高周波モジュー
ルをプリント配線基板に実装するため、プリント配線基
板上に、各部品を接続するための配線を形成する必要が
なく、低ロス化が実現できる。
Further, since the high-frequency module in which each component is integrated is mounted on a printed wiring board, it is not necessary to form a wiring for connecting each component on the printed wiring board, and low loss can be realized.

【0043】[0043]

【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、分波回
路、スイッチ回路、カプラおよび整合回路のうちの少な
くとも一部の回路要素がモジュールに設けられるので、
より小型化された高周波モジュールを作製できる。ま
た、各部品を一体化した高周波モジュールをプリント配
線基板に実装するときは、プリント配線基板上に各部品
を接続するための配線を形成する必要がなくなり、低ロ
ス化を実現できる。さらに、各部品を同時設計すること
ができるため、モジュールとして最適な特性調整を行う
ことが可能となり、各部品間に特性調整のための回路を
設ける必要がない。
According to the first aspect of the present invention, at least some of the circuit elements of the branching circuit, the switch circuit, the coupler, and the matching circuit are provided in the module.
A more miniaturized high-frequency module can be manufactured. Further, when a high-frequency module in which each component is integrated is mounted on a printed wiring board, it is not necessary to form a wiring for connecting each component on the printed wiring board, and low loss can be realized. Furthermore, since each component can be designed simultaneously, it is possible to perform optimal characteristic adjustment as a module, and there is no need to provide a circuit for characteristic adjustment between each component.

【0044】請求項2記載の発明によれば、電極パター
ンおよびチップ部品を効果的に積層体に設けるので、よ
り小型化を実現できる。
According to the second aspect of the present invention, since the electrode pattern and the chip component are effectively provided on the laminate, further miniaturization can be realized.

【0045】請求項3〜5記載の発明によれば、素子に
複数の機能を持たせることで、高周波モジュールに設け
られる素子数が削減され、高周波モジュールのさらなる
小型化が可能となり、構成素子が低減した分、高周波モ
ジュールの低ロス化も実現できることとなる。
According to the third to fifth aspects of the present invention, by providing the element with a plurality of functions, the number of elements provided in the high-frequency module can be reduced, and the high-frequency module can be further downsized. As a result, the loss of the high-frequency module can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る高周波モジュールのブロック図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram of a high-frequency module according to the present invention.

【図2】図1に示す高周波モジュールの一実施形態を示
す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing one embodiment of the high-frequency module shown in FIG.

【図3】本発明に係る高周波モジュールの一実施形態を
示す一部切欠斜視図である。
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing one embodiment of the high-frequency module according to the present invention.

【図4】現在のGSM/DCSデュアルバンド方式の携
帯電話機のブロック図(高周波回路部)である。
FIG. 4 is a block diagram (high-frequency circuit unit) of a current GSM / DCS dual-band mobile phone.

【図5】従来の高周波スイッチモジュールを示すブロッ
ク図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a conventional high-frequency switch module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 高周波モジュール AMP10,AMP20 増幅器 MAT10,MAT20,MAT30,MAT40 整
合回路 COP10,COP20 カプラ SW10,SW20 スイッチ回路 HPF10 ハイパスフィルタ LPF10 ローパスフィルタ DIP10 分波回路 STLD2〜8,STLG2〜6 伝送線路 STLD20,STLG20 結合線路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 High frequency module AMP10, AMP20 Amplifier MAT10, MAT20, MAT30, MAT40 Matching circuit COP10, COP20 Coupler SW10, SW20 Switch circuit HPF10 High-pass filter LPF10 Low-pass filter DIP10 Demultiplexer STLD2-8, STLG2-6 STLG2-6 Transmission line STLD20, STLG20 coupling line

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J012 BA04 5K011 BA03 DA02 DA21 FA01 JA01 KA00  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5J012 BA04 5K011 BA03 DA02 DA21 FA01 JA01 KA00

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 通過帯域の異なる複数の送受信系を各送
受信系に分ける分波回路と、前記各送受信系を送信系と
受信系とに切り替えるスイッチ回路と、前記スイッチ回
路に接続され、各送信系の通過周波数での送信信号を増
幅する増幅器からの出力をモニタするカプラと、前記増
幅器の整合回路とを構成する少なくとも一部の回路要素
が配置された高周波モジュール。
1. A demultiplexing circuit for dividing a plurality of transmission / reception systems having different passbands into transmission / reception systems, a switch circuit for switching the transmission / reception systems between a transmission system and a reception system, A high-frequency module in which a coupler for monitoring an output from an amplifier for amplifying a transmission signal at a system pass frequency and at least some circuit elements constituting a matching circuit of the amplifier are arranged.
【請求項2】 複数の誘電体層を積層して構成された積
層体を備え、前記少なくとも一部の回路要素のうち、電
極パターンは少なくとも一部が前記積層体に内蔵され、
チップ素子は前記積層体上に実装されていることを特徴
とする請求項1記載の高周波モジュール。
2. A laminate comprising a plurality of dielectric layers laminated, wherein at least a part of the at least one circuit element has an electrode pattern embedded in the laminate,
The high-frequency module according to claim 1, wherein the chip element is mounted on the laminate.
【請求項3】 前記分波回路は、前記積層体に内蔵され
たローパスフィルタおよび/またはハイパスフィルタを
有していることを特徴とする請求項1または2記載の高
周波モジュール。
3. The high-frequency module according to claim 1, wherein the branching circuit has a low-pass filter and / or a high-pass filter built in the laminate.
【請求項4】 前記カプラは、伝送線路およびコンデン
サからなるローパスフィルタを有していることを特徴と
する請求項1乃至3のいずれかに記載の高周波モジュー
ル。
4. The high-frequency module according to claim 1, wherein the coupler has a low-pass filter including a transmission line and a capacitor.
【請求項5】 前記整合回路は、伝送線路およびコンデ
ンサからなるローパスフィルタを有していることを特徴
とする請求項1乃至4のいずれかに記載の高周波モジュ
ール。
5. The high-frequency module according to claim 1, wherein the matching circuit has a low-pass filter including a transmission line and a capacitor.
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