JP2002367783A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】赤色純度に優れた発光素子を提供する。 【解決手段】 基板上に設けた一対の電極間に、下記一
般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有し、
該化合物の立体異性体のうちピラン環及びその類縁体に
置換したアルケニレン基、イミノ基、又はジアゾ基の立
体配置が、ピラン環およびその類縁体の二重結合に対し
てｓ−トランスである化合物を主成分として含有する発
光素子。 一般式（Ｉ） 【化１】 式中、Ｒ¹〜Ｒ⁵は各々Ｈ又は置換基を；ＸはＯ、Ｓ、Ｎ
−Ｒ^Y1を；、Ｒ^Y1はＨ又は置換基を；Ｌ₁₁，Ｌ₁₂は各々
メチン基、置換メチン基又はＮを；ｎは１〜３の整数
を；Ａｒはアリーレン基又は二価の芳香族ヘテロ環基を
表す。Ｒ^x，Ｒ^yは各々Ｈまたは置換基を表し、少なくと
も一方は電子吸引性基を表す。また、一般式（Ｉ）で表
される化合物は金属錯体を形成したものでもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、バックライト、フ
ラットパネルディスプレイ、照明光源、表示素子、電子
写真、有機半導体レーザー、記録光源、露光光源、読み
取り光源、標識、看板、光通信デバイスなどの分野に利
用可能な発光素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】今日、多様な発光素子の研究開発が活発
に行われているが、その中で有機電界発光（EL）素子
は、超薄型・軽量性、高速応答性、広視野角性、低電圧
駆動などの特長を有しており、有望な発光素子として注
目されている。一般に有機EL素子は、発光層及び該層を
挟んだ一対の対向電極から構成されており、陰極から注
入された電子と陽極から注入された正孔が再結合し、生
成した励起子からの発光を利用するものである。

【０００３】現在、低電圧で高輝度に発光する有機EL素
子はＴａｎｇらにより示された積層構造を有するもので
ある（アプライド フィジックス レターズ、５１巻、
９１３頁、１９８７年）。この素子は電子輸送兼発光材
料と正孔輸送材料を積層させることにより高輝度の緑色
発光を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で、輝度は数千ｃ
ｄ／ｍ²まで達している。しかし、フルカラーディスプ
レイ、光源としての利用を考えると、実用上は三原色あ
るいは白色発光が必要であるが、上記素子では発光材料
として８−キノリノールのアルミニウム錯体を用いてお
り、発光色は緑色に限られるため、他の発光色の発光素
子の開発が望まれている。これまで緑色より長波に発光
するものとして４−（ジシアノメチレン）−２−メチル
−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（Ｄ
ＣＭ）やその誘導体、ナイルレッド誘導体、Ｅｕ（II
I）錯体などの発光材料が開発されているが、色純度が
悪い、発光輝度、発光効率が低い、耐久性が低いなどの
問題があった。

【０００４】そこで、種々検討を行ったところ、特開平
１１−３３５６６１号、特開平１１−２９２８７５号、
特開平１１−３３５３６８号、特願平１１−１６１１３
０号等などに記載の化合物のように環状酸性核を含有す
る化合物を用いた素子を作成評価したところ、赤色色純
度、発光輝度、発光効率および耐久性に優れることを見
出した。しかしながら、これらアルケニレン置換ピラン
化合物は合成条件の違いによって、色純度の低下、耐久
性の低下など、性能にばらつきがあり、これを回避し性
能を安定化することが望まれていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
は、化合物の合成ロット違いによる性能のばらつきが小
さい発光素子を提供することである。本発明の第二の目
的は、赤色純度に優れ、耐久性に優れた発光素子を提供
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この課題は下記によって
達成された。 （１）基板上に設けた一対の電極間に少なくとも一つの
下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有し、該化合物
の立体異性体のうちピラン環およびその類縁体に置換し
たアルケニレン基、イミノ基もしくはジアゾ基の立体配
置がピラン環およびその類縁体の二重結合に対してｓ−
トランスであるものを主成分として含有することを特徴
とする発光素子。 一般式（Ｉ）

【０００７】

【化５】

【０００８】式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、
それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｘは酸素原子、
硫黄原子、Ｎ−Ｒ^Y1を表し、Ｒ^Y1は水素原子または置換
基を表す。Ｌ₁₁およびＬ₁₂は同一または互いに異なって
もよく、それぞれメチン基、置換メチン基または窒素原
子を表す。ｎは１ないし３の整数を表す。Ａｒはアリー
レン基または二価の芳香族ヘテロ環基を表す。Ｒ^xおよ
びＲ^yは、それぞれ水素原子または置換基を表し、少な
くとも一方は電子吸引性基を表す。また、一般式（Ｉ）
で表される化合物は金属錯体を形成したものでもよい。 （２）一般式（Ｉ）記載の化合物の立体異性体のうちピ
ラン環およびその類縁体に置換したアルケニレン基の立
体配置がピラン環およびその類縁体の二重結合に対して
ｓ−トランスである化合物が一般式（II）で表される化
合物であることを特徴とする（１）に記載の発光素子。 一般式（II）

【０００９】

【化６】

【００１０】式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、
それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｘは酸素原子、
硫黄原子、Ｎ−Ｒ^Y1を表し、Ｒ^Y1は水素原子または置換
基を表す。Ｒ²¹およびＲ²²は、それぞれ水素原子または
置換基を表す。Ａｒはアリーレン基または二価の芳香族
ヘテロ環基を表す。Ｒ^xおよびＲ^yは、それぞれ水素原子
または置換基を表し、少なくとも一方は電子吸引性基を
表す。 （３）一般式（II）記載の化合物が一般式（III）で表
される化合物であることを特徴とする（２）に記載の発
光素子。 一般式（III）

【００１１】

【化７】

【００１２】式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、
それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｚ²は５ないし
６員環を形成するに必要な原子群を表す。Ｘは酸素原
子、硫黄原子、Ｎ−Ｒ^Y1を表し、Ｒ^Y1は水素原子または
置換基を表す。Ｒ²¹およびＲ²²は、それぞれ水素原子ま
たは置換基を表す。Ａｒはアリーレン基または二価の芳
香族ヘテロ環基を表す。 （４）一般式（III）記載の化合物が一般式（IV）で表
される化合物であることを特徴とする（３）に記載の発
光素子。 一般式（IV）

【００１３】

【化８】

【００１４】式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ³¹、
Ｒ³²、Ｒ³³およびＲ³⁴は、それぞれ水素原子または置換
基を表す。Ｚ³は５ないし６員環を形成するに必要な原
子群を表す。Ｒ²¹およびＲ²²は、それぞれ水素原子また
は置換基を表す。 （５） （１）から（４）の発光素子において化合物の
立体異性体のうち、ピラン環およびその類縁体に置換し
たアルケニレン基、イミノ基もしくはジアゾ基の立体配
置がピラン環およびその類縁体の二重結合に対してｓ−
トランスであるものの存在比が該化合物のすべての異性
体をあわせたものに対して９９％以上であることを特徴
とする発光素子。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の発光素子は、陽極及び陰極の両電極間に
発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層を形成
した素子であり、発光層の他にホール注入層、ホール輸
送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有しても
良く、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたも
のであっても良い。

【００１６】まず、本発明の一般式（Ｉ）で表される化
合物について説明する。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵
は、同一または互いに異なっていてもよく、それぞれ水
素原子または置換基を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁵で表される置換基
としては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２
０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭
素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プ
ロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシ
ル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基
（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２
〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビ
ニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げ
られる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２
０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭
素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニ
ル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数
６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好まし
くは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチ
ルフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、
ピレニル等が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭
素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１２、特に好
ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルア
ミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルア
ミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。）、アルコキ
シ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素
数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例え
ばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。）、
アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好
ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１
２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ
等が挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭
素数２〜２０、より好ましくは炭素数３〜１６、特に好
ましくは炭素数４〜１２であり、例えばピリジノオキ
シ、ピリミジノオキシ、ピリダジノオキシ、ベンズイミ
ダゾリルオキシ等が挙げられる。）、シリルオキシ基
（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３
〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２０であり、例えば
トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルオキシ等
が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２
０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホ
ルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカ
ルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましく
は炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であ
り、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等
が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ま
しくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１
６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェ
ニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオ
キシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭
素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、
例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられ
る。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、
より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数
２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルア
ミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ
基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数
２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例え
ばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリ
ールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜
２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは
炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニ
ルアミノ等が挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好
ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタ
ンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙
げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０
〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましく
は炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチ
ルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニル
スルファモイル等が挙げられる。）、カルバモイル基
（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１
〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば
カルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモ
イル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アル
キルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましく
は炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であ
り、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられ
る。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、
より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数
６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられ
る。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜２０、
より好ましくは炭素数３〜１６、特に好ましくは炭素数
４〜１２であり、例えばピリジノチオ、ピリミジノチ
オ、ピリダジノチオ、ベンズイミダゾリルチオ、チアジ
アゾリルチオ等が挙げられる。）、スルホニル基（好ま
しくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシ
ル、トシル等が挙げられる。）、スルフィニル基（好ま
しくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタ
ンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられ
る。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より
好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜
１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニ
ルウレイド等が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ま
しくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエ
チルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられ
る。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子
（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ
基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、
イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、よ
り好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子として
は、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含むもので
あり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリ
ル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベン
ゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリ
ル、カルバゾリル、アゼピニル等が挙げられる。）、シ
リル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭
素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、
例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げ
られる。）等が挙げられる。これらの置換基は更に置換
されても良い。また置換基が二つ以上ある場合は、同一
でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに
連結して環を形成していても良い。

【００１７】Ｒ¹、Ｒ²として好ましくは水素原子、脂肪
族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、Ａｒとアルケ
ニレン基で連結して５または６員環を形成したもの、Ｒ
¹とＲ²が連結して５ないし７員環を形成したものであ
り、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール
基、Ａｒとアルケニレン基で連結して５または６員環を
形成したもの、Ｒ¹とＲ²が連結して５ないし７員環を形
成したものであり、更に好ましくは炭素数１〜５のアル
キル基、Ａｒとアルケニレン基で連結して５または６員
環を形成したもの、Ｒ¹とＲ²が連結して５ないし７員環
を形成したものであり、特に好ましくはメチル基、エチ
ル基、Ａｒとアルケニレン基で連結して５または６員環
を形成したもの、Ｒ¹とＲ²が連結して５ないし７員環を
形成したものである。Ｒ³として好ましくは水素原子、
アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基であ
り、より好ましくは水素原子、アルキル基であり、さら
に好ましくは水素原子である。Ｒ⁴として好ましくは水
素原子、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、
Ｒ⁵と連結して環を形成したものであり、より好ましく
は水素原子、アルキル基であり、更に好ましくは水素原
子である。Ｒ⁵として好ましくは水素原子、アルキル
基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、Ｒ⁴と連結して環
を形成したものであり、より好ましくはアルキル基（好
ましくは炭素数2以上２０以下のアルキル基、より好ま
しくは炭素数3以上２０以下の分岐または環状アルキル
基、更に好ましくは炭素数４以上１２以下の4級炭素を
持つ分岐または環状アルキル基、特に好ましくはｔeｒ
ｔ−ブチル基である。）、アリール基（好ましくはo-位
に置換基のあるアリール基、より好ましくは炭素数７以
上３０以下のo-位に置換基のあるアルキル置換フェニル
基、更に好ましくは2，6−ジメチル置換フェニル基、特
に好ましくは2，４，6−トリメチルフェニル基であ
る。）であり、特に好ましくはｔeｒｔ−ブチル基、2，
４，６−トリメチルフェニル基であり、最も好ましくは
ｔeｒｔ−ブチル基である。

【００１８】Ｘは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−Ｒ^Y1を表
し、Ｒ^Y1は水素原子または置換基を表す。Ｒ^Y1で表され
る置換基としては、例えばアルキル基（好ましくは炭素
数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ま
しくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉ
ｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ
−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロ
ペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アル
ケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは
炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、
例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル
などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素
数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ま
しくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−
ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好まし
くは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、
特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニ
ル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられ
る。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好
ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１
２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピ
バロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル
基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数
２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げ
られる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは
炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に
好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキ
シカルボニルなどが挙げられる。）、スルファモイル基
（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０
〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えば
スルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスル
ファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられ
る。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、
より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数
１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモ
イル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルな
どが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数
１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好まし
くは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなど
が挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数
１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好まし
くは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニ
ル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ヘテ
ロ環基（好ましくは炭素数1〜２０、より好ましくは炭
素数1〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素
原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾ
リル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベ
ンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾ
リルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの
置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以
上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な
場合には連結して環を形成してもよい。Ｒ^Y1で表される
置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基であり、より好
ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基
であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基であ
る。Ｘとして好ましくは酸素原子、Ｎ- Ｒ^Y1であり、よ
り好ましくは酸素原子である。

【００１９】Ａｒはアリーレン基（好ましくは炭素数６
〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましく
は炭素数６〜１６のアリーレン基）または二価の芳香族
ヘテロ環基（さらに縮環を有してもよく、好ましくはア
ジン、アゾール、チオフェン、フラン環から形成される
芳香族ヘテロ環、クマリン環、好ましくは炭素数２〜３
０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭
素数２から１２の芳香族ヘテロ環基）を表す。Ａｒで表
されるアリーレン基または二価の芳香族へテロ環基は置
換基を有していてもよく、置換基としては例えばＲ¹〜
Ｒ⁵の置換基として挙げたものが適用できる。Ａｒの置
換基として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基、
シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリ
ールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、芳香族へテロ
環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、
アルコキシ基、芳香族へテロ環基であり、特に好ましく
は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキ
シ基である。Ａｒの表す具体例としてはたとえば以下の
ものが挙げられる。

【００２０】

【化９】

【００２１】

【化１０】

【００２２】

【化１１】

【００２３】

【化１２】

【００２４】Ｌ¹¹およびＬ¹²は同一または互いに異なっ
てもよく、それぞれメチン基、置換メチン基または窒素
原子を表し、また置換メチン基の置換基を介してＬ¹¹も
しくはＬ¹²同士で、またはＬ¹¹とＬ¹²は連結して４ない
し６員環を形成してもよい。更に可能な場合にはＬ¹¹、
Ｌ¹²は、Ａｒ、Ｒ³、Ｒ^Y1と連結して環を形成してもよ
い。置換メチン基の置換基としては例えばＲ¹〜Ｒ⁵で表
される置換基として挙げたものが適用でき、好ましくは
アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ
基、シアノ基、ハロゲン原子であり、より好ましくはア
ルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは低級ア
ルキル基（好ましくは炭素数１〜４）である。Ｌ¹¹およ
びＬ¹²として好ましくは無置換メチン基、アルキル置換
メチン基、アルコキシ置換メチン基であり、より好まし
くは無置換メチン基、またはＬ₁₂が置換基を介してＡｒ
と５または６員環を形成したものであり、更に好ましく
は無置換メチン基である。ｎは１ないし３の整数を表
し、好ましくは１または２であり、更に好ましくは１で
ある。Ｌ¹¹、Ｌ¹²、Ａｒで表される基の具体例として
は、例えば以下のものが挙げられる。

【００２５】

【化１３】

【００２６】Ｒ^xおよびＲ^yは、それぞれ同一または互い
に異なってもよく、水素原子または置換基を表し、少な
くとも一方は電子吸引性基を表す。また、Ｒ^xとＲ^yは連
結して環を形成してもよい。Ｒ^x、Ｒ^yで表される置換基
としては、例えばＲ¹〜Ｒ⁵の置換基として挙げたものが
適用できる。Ｒ^x、Ｒ^yで表される置換基として好ましく
は、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、カルボニル基、チオカルボニ
ル基、オキシカルボニル基、アシルアミノ基、カルバモ
イル基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、スル
ホニル基、スルフィニル基、ホスホリル基、イミノ基、
シアノ基、ハロゲン原子、シリル基、芳香族ヘテロ環基
であり、より好ましくはＨａｍｍｅｔｔのσｐ値が０．
２以上の電子吸引性基であり、更に好ましくはアリール
基、芳香族ヘテロ環基、シアノ基、カルボニル基、チオ
カルボニル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、
スルファモイル基、スルホニル基、イミノ基、ハロゲン
原子およびＲ^xとＲ^yが連結して電子吸引性基の環を形成
したものであり、特に好ましくは芳香族ヘテロ環基、カ
ルボニル基、シアノ基、イミノ基、Ｒ^xとＲ^yが連結して
電子吸引性基の環を形成したものであり、最も好ましく
はシアノ基、Ｒ^xとＲ^yが連結して電子吸引性基の環を形
成したものであり、中でもＲ^xとＲ^yが連結して電子吸引
性基の環を形成したものでが好ましい。

【００２７】Ｒ^x、Ｒ^yおよびそれが結合した炭素原子が
連結して環を形成したものとしては通常メロシアニン色
素で酸性核として用いられるものが好ましく、その具体
例としては例えば以下のものが挙げられる。 （ａ）１，３−ジカルボニル核：例えば１，３−インダ
ンジオン核、１，３−シクロヘキサンジオン、５，５−
ジメチル−１，３−シクロヘキサンジオン、１，３−ジ
オキサン−４，６−ジオンなど。 （ｂ）ピラゾリノン核：例えば１−フェニル−２−ピラ
ゾリン−５−オン、３−メチル−１−フェニル−２−ピ
ラゾリン−５−オン、１−（２−ベンゾチアゾイル）−
３−メチル−２−ピラゾリン−５−オンなど。 （ｃ）イソオキサゾリノン核：例えば３−フェニル−２
−イソオキサゾリン−５−オン、３−メチル−２−イソ
オキサゾリン−５−オンなど。 （ｄ）オキシインドール核：例えば１−アルキル−２，
３−ジヒドロ−２−オキシインドールなど。 （ｅ）２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン
核：例えばバルビツル酸または２−チオバルビツル酸お
よびその誘導体など。誘導体としては例えば１−メチ
ル、１−エチル等の１−アルキル体、１，３−ジメチ
ル、１，３−ジエチル、１，３−ジブチル等の１，３−
ジアルキル体、１，３−ジフェニル、１，３−ジ（ｐ−
クロロフェニル）、１，３−ジ（ｐ−エトキシカルボニ
ルフェニル）等の１，３−ジアリール体、１−エチル−
３−フェニル等の１−アルキル−１−アリール体、１，
３−ジ（２―ピリジル）等の１，３位ジヘテロ環置換体
等が挙げられる。 （ｆ）２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核：例え
ばローダニンおよびその誘導体など。誘導体としては例
えば３−メチルローダニン、３−エチルローダニン、３
−アリルローダニン等の３−アルキルローダニン、３−
フェニルローダニン等の３−アリールローダニン、３−
（２−ピリジル）ローダニン等の３位ヘテロ環置換ロー
ダニン等が挙げられる。 （ｇ）２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン（２−
チオ−２，４−（３Ｈ，５Ｈ）−オキサゾールジオン）
核：例えば３−エチル−２−チオ−２，４−オキサゾリ
ジンジオンなど。 （ｈ）チアナフテノン核：例えば３（２Ｈ）−チアナフ
テノン−１，１−ジオキサイドなど。 （ｉ）２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン核：例え
ば３−エチル−２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン
など。 （ｊ）２，４−チアゾリジンジオン核：例えば２，４−
チアゾリジンジオン、３−エチル−２，４−チアゾリジ
ンジオン、３−フェニル−２，４−チアゾリジンジオン
など。 （ｋ）チアゾリン−４−オン核：例えば４−チアゾリノ
ン、２−エチル−４−チアゾリノンなど。 （ｌ）４−チアゾリジノン核：例えば２−エチルメルカ
プト−５−チアゾリン−４−オン、２−アルキルフェニ
ルアミノ−５−チアゾリン−４−オンなど。 （ｍ）２，４−イミダゾリジンジオン（ヒダントイン）
核：例えば２，４−イミダゾリジンジオン、３−エチル
−２，４−イミダゾリジンジオンなど。 （ｎ）２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン（２−
チオヒダントイン）核：例えば２−チオ−２，４−イミ
ダゾリジンジオン、３−エチル−２−チオ−２，４−イ
ミダゾリジンジオンなど。 （ｏ）２−イミダゾリン−５−オン核：例えば２−プロ
ピルメルカプト−２−イミダゾリン−５−オンなど。 （ｐ）３，５−ピラゾリジンジオン核：例えば１，２−
ジフェニル−３，５−ピラゾリジンジオン、１，２−ジ
メチル−３，５−ピラゾリジンジオンなど。 （ｑ）ベンゾチオフェンー３―オン核：例えばベンゾチ
オフェンー３−オン、オキソベンゾチオフェンー３−オ
ン、ジオキソベンゾチオフェンー３−オンなど。 （ｒ）インダノン核：例えば１−インダノン、３−フェ
ニルー１−インダノン、３−メチルー１―インダノンな
ど。

【００２８】Ｒ^x、Ｒ^yおよびそれらが結合する炭素原子
で形成される環として好ましくは１，３−ジカルボニル
核、ピラゾリノン核、２，４，６−トリケトヘキサヒド
ロピリミジン核（チオケトン体も含む）、２−チオ−
２，４−チアゾリジンジオン核、２−チオ−２，４−オ
キサゾリジンジオン核、２−チオ−２，５−チアゾリジ
ンジオン核、２，４−チアゾリジンジオン核、２，４−
イミダゾリジンジオン核、２−チオ−２，４−イミダゾ
リジンジオン核、２−イミダゾリン−５−オン核、３，
５−ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー３−オ
ン核、インダノン核であり、更に好ましくは１，３−ジ
カルボニル核、２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリ
ミジン核（チオケトン体も含む）、３，５−ピラゾリジ
ンジオン核、ベンゾチオフェンー３−オン核、インダノ
ン核であり、特に好ましくは１，３−ジカルボニル核、
２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核（チオ
ケトン体も含む）であり、最も好ましくは１，３−イン
ダンジオン核である。

【００２９】一般式（Ｉ）で表される化合物は立体異性
体として、下記に示すようにピラン環およびその類縁体
に置換したアルケニレン基、イミノ基もしくはジアゾ基
の立体配置がピラン環およびその類縁体の二重結合に対
してｓ−トランス体と、ｓ−シス体が存在する。ここで
ｓとは、二つの二重結合を結合する単結合（ピラン環お
よびその類縁体とＬ¹¹との間の単結合）を意味し、単結
合に対して二重結合がトランスにあるものをｓ−トラン
ス、シスにあるものをｓ−シスとする。本発明の化合物
はｓ―トランス体が主成分であり、その存在比は該化合
物のすべての異性体をあわせたものに対して５０％より
多く、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以
上、特に好ましくは９９％以上である。

【００３０】

【化１４】

【００３１】次に一般式（II）について説明する。一般
式（Ｉ）で表される化合物の立体異性体のうち、ピラン
環およびその類縁体に置換したアルケニレン基の立体配
置がピラン環およびその類縁体の二重結合に対してｓ−
トランスである化合物は好ましくは一般式（II）で表さ
れる化合物である。式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、
Ｘ、Ａｒ、Ｒ^XおよびＲ^Yはそれぞれ一般式（Ｉ）におけ
るそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様であ
る。

【００３２】Ｒ²¹およびＲ²²は、それぞれ水素原子また
は置換基を表し、可能な場合にはＲ ²¹とＲ²²はその他の
置換基と連結して環を形成してもよい。Ｒ²¹、Ｒ²²で表
される置換基としては、例えば一般式（Ｉ）におけるＲ
¹〜Ｒ⁵で表される置換基として挙げたものが適用でき
る。Ｒ²¹、Ｒ²²として好ましくは水素原子、アルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シアノ
基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原
子、低級アルキル基（好ましくは炭素数１〜４）であ
り、特に好ましくは水素原子である。

【００３３】次に一般式（III）について説明する。一
般式（II）で表される化合物のうち、より好ましくは一
般式（III）で表される化合物である。式中、Ｒ¹、
Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｘ、Ａｒ、Ｒ²¹およびＲ²²はそれ
ぞれ一般式（II）におけるそれらと同義であり、また、
好ましい範囲も同様である。Ｚ²は５ないし６員環を形
成するに必要な原子群を表す。

【００３４】Ｚ²で形成される環として好ましくは１，
３−ジカルボニル核、ピラゾリノン核、２，４，６−ト
リケトヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含
む）、２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核、２−
チオ−２，４−オキサゾリジンジオン核、２−チオ−
２，５−チアゾリジンジオン核、２，４−チアゾリジン
ジオン核、２，４−イミダゾリジンジオン核、２−チオ
−２，４−イミダゾリジンジオン核、２−イミダゾリン
−５−オン核、１，３−ピラゾリジンジオン核、ベンゾ
チオフェンー３−オン核、インダノン核であり、より好
ましくは１，３−ジカルボニル核、２，４，６−トリケ
トヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、
ベンゾチオフェンー３−オン核、インダノン核であり、
更に好ましくは１，３−ジカルボニル核、バルビツル酸
誘導体、２−チオバルビツル酸誘導体であり、特に好ま
しくは１，３−ジカルボニル核（１，３−ジカルボニル
核として好ましくは１，３−インダンジオン核であ
る。）である。Ｚ²で形成される環は置換基を有しても
よく、置換基としては例えばＲ¹、Ｒ²の置換基として挙
げたものが適用できる。

【００３５】次に一般式（IV）について説明する。一般
式（III）で表される化合物のうち、より好ましくは一
般式（IV）で表される化合物である。式中、Ｒ¹、Ｒ²、
Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ²¹およびＲ²²はそれぞれ一般式（II
I）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲
も同様である。Ｚ³は５ないし６員環を形成するに必要
な原子群を表す。Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³およびＲ³⁴は、それ
ぞれ水素原子または置換基を表す。Ｒ³¹からＲ³⁴で表さ
れる置換基としては、例えばＲ¹〜Ｒ⁵の置換基として挙
げたものが適応でき、それぞれが結合して環を形成して
も良い。Ｚ³で形成される環としては、例えば一般式（I
II）におけるＺ²で形成される環のうち、１，３−ジカ
ルボニル構造を環内に持つものであり、例えば１，３−
シクロペンタンジオン、１，３−シクロヘキサンジオ
ン、１，３−インダンジオン、３，５−ピラゾリジンジ
オン、２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核
などが挙げられ、好ましくは１，３−インダンジオン、
３，５−ピラゾリジンジオン、バルビツル酸または２−
チオバルビツル酸およびその誘導体であり、より好まし
くは１，３−インダンジオン、１，２−ジアリール−
３，５−ピラゾリジンジオンであり、更に好ましくは
１，３−インダンジオン、１，２−ジフェニル−３，５
−ピラゾリジンジオンであり、特に好ましくは１，３−
インダンジオンである。Ｚ³で形成される環は置換基を
有してもよく、置換基としては例えばＲ¹〜Ｒ⁵の置換基
として挙げたものが適用できる。

【００３６】また、一般式（Ｉ）で表される化合物は低
分子であっても良いし、残基がポリマー主鎖に接続され
た高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００
〜５００００００、より好ましくは５０００〜２０００
０００、更に好ましくは１００００〜１００００００）
もしくは、一般式（Ｉ）で表される化合物を主鎖に持つ
高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜
５００００００、より好ましくは５０００〜２００００
００、更に好ましくは１００００〜１００００００）で
あっても良い。高分子量化合物の場合はホモポリマーで
あっても良いし、他のポリマーとの共重合体であっても
良く、共重合体である場合はランダム共重合体であって
も、ブロック共重合体であっても良い。本発明で用いる
化合物としては、好ましくは低分子量化合物である。ま
た、一般式（Ｉ）で表される化合物は、金属キレートを
形成した状態で含有されてもよい。

【００３７】本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の
具体例としては例えば特開平１１−２９２８７５号、特
開平１１−３３５６６１号、特開平１１−３３５３６８
号、特願平１１−１６１１３０号、特願２００１−１６
９８０等に記載ものでピラン環およびその類縁体に結合
したものの立体異性体のうち、ピラン環およびその類縁
体に置換したアルケニレン基、イミノ基もしくはジアゾ
基の立体配置がピラン環およびその類縁体の二重結合に
対してｓ−トランスであるものが挙げられ、より好まし
くは下記の具体例が挙げられるが、本発明はこれらに限
定されるものではない。

【００３８】

【化１５】

【００３９】

【化１６】

【００４０】

【化１７】

【００４１】

【化１８】

【００４２】

【化１９】

【００４３】

【化２０】

【００４４】

【化２１】

【００４５】

【化２２】

【００４６】

【化２３】

【００４７】

【化２４】

【００４８】

【化２５】

【００４９】

【化２６】

【００５０】

【化２７】

【００５１】

【化２８】

【００５２】

【化２９】

【００５３】

【化３０】

【００５４】上記化合物はピラン環およびその類縁体に
置換したアルケニレン基、イミノ基もしくはジアゾ基の
立体配置がピラン環およびその類縁体の二重結合に対し
てｓ−トランスであるものであればその他の部分は互変
異性体や金属錯体を形成したものであっても良く、好ま
しくはピラン環およびその類縁体に置換したアルケニレ
ン基はトランス体である。

【００５５】本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物
は、例えば特開平１１−３３５６６１号、特開平１１−
２９２８７５号、特開平１１−３３５３６８号、特願平
１１−１６１１３０号等などに記載の方法を参考にして
合成できるが最終目的物の晶析時は遮光することが好ま
しい。

【００５６】次に、本発明の一般式（Ｉ）で表される化
合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の一
般式（Ｉ）化合物を含有する発光素子の有機層の形成方
法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、
電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティン
グ法、インクジェット法、印刷法、転写法などの方法が
用いられ、素子特性、発光輝度、耐久性、及び製造面を
考えると抵抗加熱蒸着、コーティング法が好ましい。

【００５７】本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の
電極間に発光層、もしくは発光層を含む複数の有機化合
物膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、
正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有
してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備
えたものであっても良い。各層の形成にはそれぞれ種々
の材料を用いることができる。

【００５８】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの導電性
金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合
物、または積層物、ヨウ化銅、留化銅などの無機導電性
物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールな
どの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物
などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であ
り、特に、生産性、高伝導性、透明性などの観点からＩ
ＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能
であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好まし
く、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ま
しくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

【００５９】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは機械
的強度を保つのに充分な厚みであれば特に制限はない
が、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好
ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製に
は材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴ
Ｏの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱
蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、ＩＴＯの分
散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その
他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率
を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ
−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。

【００６０】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの陰極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性などを考慮して選ばれる。陰極
の材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化
合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体
例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ
など）またはそのフッ化物、その酸化物、アルカリ土類
金属（例えばＭｇ、Ｃａなど）またはそのフッ化物、そ
の酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カ
リウム合金、またはそれらの混合金属、リチウム−アル
ミニウム合金、またはそれらの混合金属、マグネシウム
−銀合金、またはそれらの混合金属、インジウム、イッ
テルビウムなどの希土類金属が挙げられ、好ましくは仕
事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアル
ミニウム、リチウム−アルミニウム合金、またはそれら
の混合金属、マグネシウム−銀合金、またはそれらの混
合金属などである。陰極の膜厚は材料により適宜選択可
能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ま
しく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好
ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電
子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コー
ティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着す
ることも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。
さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成す
ることも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸
着させても良い。陽極および陰極のシート抵抗は低い方
が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。

【００６１】発光層の材料は、少なくとも一つの本発明
の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有し、本発明の一
般式（Ｉ）で表される化合物を２種以上併用しても良
い。また、本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の他
の発光材料を併用してもよく、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
なんでも良い。発光層に用いる化合物としては励起一重
項から発光するもの、励起三重項から発光するもののい
ずれでもよく、例えば本発明の化合物の他、ベンゾオキ
サゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、ス
チリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエ
ン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマ
リン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダ
ジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリル
アントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジ
アゾロピリジン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディ
ン化合物、８−キノリノールの金属錯体、有機金属錯体
や希土類錯体に代表される各種金属錯体や上記の誘導
体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレン
ビニレンなどのポリマー化合物などが挙げられる。発光
層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ
〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎ
ｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎ
ｍである。

【００６２】発光層の形成方法は特に限定されるもので
はないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリン
グ、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キ
ャスト法、ディップ法など）、ＬＢ法、インクジェット
法、印刷法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは
抵抗加熱蒸着法、コーティング法である。また、発光材
料を溶解塗布し発光層を形成する場合、溶解及び塗布操
作は、遮光下で行うことが好ましい。

【００６３】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれかを有している
ものであれば良い。その具体例としては、カルバゾー
ル、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキ
サジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピ
ラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミ
ノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノ
ン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級
アミン化合物、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合
体、チオフェンオリゴマーおよびポリマー、ポリチオフ
ェンなどの導電性高分子オリゴマーおよびポリマー、カ
ーボン膜や上記の誘導体などが挙げられる。正孔注入
層、正孔輸送層の膜厚は材質により特に限定されるもの
ではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好まし
く、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好まし
くは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸
送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層
構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数
層からなる多層構造であっても良い。正孔注入層、正孔
輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、イン
クジェット法、印刷法、転写法、前記正孔注入材料、正
孔輸送材料を溶媒に溶解、または分散させてコーティン
グする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコ
ート法など）が用いられる。コーティング法の場合、樹
脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分
としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、
ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエステ
ル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタ
ジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹
脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチル
セルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、
メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹
脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。

【００６４】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有してい
るものであれば良い。その具体例としては、トリアゾー
ル、トリアジン、オキサゾール、オキサジアゾール、フ
ルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフ
ェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミ
ド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナ
フタレンペリレンなどの芳香環テトラカルボン酸無水
物、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体や上記の誘導体などが挙げられる。電子注入
層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではない
が、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より
好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０
ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上
述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であ
っても良いし、同一組成または異種組成の複数層からな
る多層構造であっても良い。電子注入層、電子輸送層の
形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、インクジェッ
ト法、印刷法、転写法、前記電子注入材料、電子輸送材
料を溶媒に溶解、または分散させてコーティングする方
法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法な
ど）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と
共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては
例えば、正孔注入・輸送層の場合に例示したものが適用
できる。

【００６５】保護層の材料としては水分や酸素などの素
子劣化を促進するものが素子内に入る事を抑止する機能
を有しているものであれば良い。その具体例としては、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ
ｉなどの金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、
ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、
ＴｉＯ₂などの金属酸化物、ＳｉＮ、ＳｉＮｘＯｙなど
の金属窒化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂な
どの金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエ
チレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリ
フルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンの共重
合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモ
ノマーを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共
重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合
体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下
の防湿性物質などが挙げられる。保護層の形成方法につ
いても特に限定はなく、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ
法）、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタ
リング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスタ
ーイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ
重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズ
マＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソー
スＣＶＤ法、コーティング法、インクジェット法、印刷
法、転写法を適用できる。

【００６６】

【実施例】以下に本発明の実施例および比較例を例示し
て説明するが、本発明はこれらの例により限定されるも
のではない。

【００６７】実施例１ （ｓ−トランス体とその異性体の混合サンプルの作成）
本発明におけるｓ−トランス体含有率の決定は下記のよ
うに高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により行
った。遮光下、本発明化合物（Ｄ−１４）１．０ｇをテ
トラヒドロフラン２５ｍｌに溶解したものから０．１ｍ
ｌサンプリングし、さらに１００倍に希釈した。これを
１０μｌとり高速液体クロマトグラフィー（カラム：Ｗ
ａｋｏｓｉｌ−II５Ｃ１８ＲＳ ４．６×１５０ｍｍ、
溶離液ＴＨＦ／Ｈ₂Ｏ＝５０／５０（容積比；０．１％
酢酸，０．１％トリエチルアミン含有）、流速１ｍｌ／
分、検出波長２５４ｎｍ）に注入し分析したところ、保
持時間１０．６分に本発明化合物のｓ−トランス体（Ｎ
ＭＲ、Ｃｏｓｙ、Ｒｏｅｓｙ、¹Ｈ―¹³Ｃ二次元ＮＭＲ
にて確認）のピーク（ピーク面積％＝１００％）を確認
した。次に本発明化合物（Ｄ−１４）１．０ｇをテトラ
ヒドロフラン２５ｍｌに溶解したものを明室下一昼夜放
置し、前述と同様の方法でサンプリングし、高速液体ク
ロマトグラフィーに注入分析したところ、前述のｓ−ト
ランス体の直前、保持時間９．８分に異性体の生成（面
積％＝１０％）を確認（ＬＣ−ＭＳにてｓ−トランス体
と同分子量であり、ＮＭＲよりビニルプロトンの高磁場
シフトを確認）した。この、明室下経時したサンプルを
濃縮乾固し、ｓ−トランス体にその異性体が混入したサ
ンプル（ＴＨＦ：Ｈ₂O=50:50(容積比) 溶液) を作成し
た。図１にｓ−トランス体（実線）とその異性体の混合
サンプル（破線）の吸収スペクトル（溶質濃度：任意）
を示す。異性体は低波長側に大きな副吸収が認められ
た。

【００６８】実施例２ （素子性能評価）２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガ
ラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さで製膜したもの
（東京三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この
透明支持基板をエッチング、洗浄後、蒸着装置に入れ、
ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−ト
リル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に本発
明化合物（Ｄ―１４；実施例１でのｓ−トランス体：含
有率１００％（ＨＰＬＣ検定））及びＡｌｑ（トリス
（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）をそれぞ
れ蒸着速度０．００４ｎｍ／秒、０．４ｎｍ／秒で膜厚
が４０ｎｍになるように共蒸着し、さらに第三層目とし
て電子輸送材料（Ｅ―１）を単独で２０nmとなるように
１０^-3〜１０^-4Ｐａの真空中で、基板温度室温の条件
下、蒸着した。さらに有機薄膜上にパターニングしたマ
スク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなる）を装着し、フ
ッ化リチウムを５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを５０
０ｎｍ蒸着し、引き続き素子を封止しＥＬ素子を作製し
た（素子Ｎｏ．１０１）。

【００６９】

【化３１】

【００７０】実施例３ 実施例２と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、Ｔ
ＰＤを４０ｎｍ蒸着した後、実施例１で作成したｓ−ト
ランス体およびその異性体の混合サンプル及びＡｌｑ
（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）
をそれぞれ蒸着速度０．００４ｎｍ／秒、０．４ｎｍ／
秒で膜厚が４０ｎｍになるように共蒸着し、さらに第三
層目として電子輸送材料（Ｅ―１）を単独で２０nm蒸着
し、次いで実施例２と同様に陰極を蒸着し、引き続き素
子を封止し、ＥＬ素子を作製した（素子Ｎｏ．１０
２）。さらに、化合物のｓ−トランス体の異性体の含有
率の異なるサンプルを作成し、同様の素子を作成した
（素子Ｎｏ．１０３，１０４）。

【００７１】実施例４ 実施例２と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、Ｔ
ＰＤを４０ｎｍ蒸着した後、表１記載の化合物（Ｄ−１
６、Ｄ−５２）及びＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキ
ノリナト）アルミニウム）をそれぞれ蒸着速度０．００
４ｎｍ／秒、０．４ｎｍ／秒で膜厚が４０ｎｍになるよ
うに共蒸着し、さらに第三層目として電子輸送材料（Ｅ
―１）を単独で２０nm蒸着し、次いで実施例２と同様に
陰極を蒸着し、引き続き素子を封止し、ＥＬ素子を作製
した（素子Ｎｏ．１０５、１０６）。

【００７２】（素子特性の測定方法）以下のようにして
各素子を評価した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニ
ット２４００を用いて、直流定電流をEL素子に印加し、
比較例および本発明の素子を発光させ、その輝度をトプ
コン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長、およびＣＩＥ色度
座標を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭ
Ａ−１１を用いて測定した。また、素子を初期輝度２０
００ｃｄ／ｍ²で１２時間定電流駆動し、輝度維持率
（（駆動後の輝度／初期輝度）×１００（％））を測定
した。その結果を表１に示す。

【００７３】

【表１】

【００７４】表１の結果から明らかなように本発明の素
子では赤色純度に優れ、また耐久性（輝度維持率）も優
れる。

【００７５】

【発明の効果】本発明では、Ｓ−トランス体含有率を規
定することで、化合物の合成ロット違いによる性能のば
らつきが小さく、赤色純度、耐久性に優れた発光素子が
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】分光吸収スペクトル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳 輝一 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 (72)発明者 千賀 武志 神奈川県南足柄市中沼210番地 富士写真 フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 EB00

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設けた一対の電極間に、下記一
   般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも一種含有し、
   該化合物の立体異性体のうちピラン環およびその類縁体
   に置換したアルケニレン基、イミノ基、またはジアゾ基
   の立体配置が、ピラン環およびその類縁体の二重結合に
   対してｓ−トランスである化合物を主成分として含有す
   ることを特徴とする発光素子。 一般式（Ｉ） 【化１】 式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ水素
   原子または置換基を表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子、Ｎ
   −Ｒ^Y1を表し、Ｒ^Y1は水素原子または置換基を表す。Ｌ
   ₁₁およびＬ₁₂は同一または互いに異なってもよく、それ
   ぞれメチン基、置換メチン基または窒素原子を表す。ｎ
   は１ないし３の整数を表す。Ａｒはアリーレン基または
   二価の芳香族ヘテロ環基を表す。Ｒ^xおよびＲ^yは、それ
   ぞれ水素原子または置換基を表し、少なくとも一方は電
   子吸引性基を表す。また、一般式（Ｉ）で表される化合
   物は金属錯体を形成したものでもよい。
2. 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）の化合物の立体異性体
   のうち、ピラン環およびその類縁体に置換したアルケニ
   レン基の立体配置がピラン環およびその類縁体の二重結
   合に対してｓ−トランスである下記一般式（II）で表さ
   れる化合物であることを特徴とする請求項１に記載の発
   光素子。 一般式（II） 【化２】 式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ水素
   原子または置換基を表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子、Ｎ
   −Ｒ^Y1を表し、Ｒ^Y1は水素原子または置換基を表す。Ｒ
   ²¹およびＲ²²は、それぞれ水素原子または置換基を表
   す。Ａｒはアリーレン基または二価の芳香族ヘテロ環基
   を表す。Ｒ^xおよびＲ^yは、それぞれ水素原子または置換
   基を表し、少なくとも一方は電子吸引性基を表す。
3. 【請求項３】 前記一般式（II）の化合物が下記一般式
   （III）で表される化合物であることを特徴とする請求
   項２に記載の発光素子。 一般式（III） 【化３】 式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ水素
   原子または置換基を表す。Ｚ²は５ないし６員環を形成
   するに必要な原子群を表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子、
   Ｎ−Ｒ^Y1を表し、Ｒ^Y1は水素原子または置換基を表す。
   Ｒ²¹およびＲ²²は、それぞれ水素原子または置換基を表
   す。Ａｒはアリーレン基または二価の芳香族ヘテロ環基
   を表す。
4. 【請求項４】 一般式（III）記載の化合物が一般式（I
   V）で表される化合物であることを特徴とする請求項３
   に記載の発光素子。 一般式（IV） 【化４】 式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³お
   よびＲ³⁴は、それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｚ
   ³は５ないし６員環を形成するに必要な原子群を表す。
   Ｒ²¹およびＲ²²は、それぞれ水素原子または置換基を表
   す。
5. 【請求項５】 請求項１〜４に記載の発光素子におい
   て、前記化合物の立体異性体のうちピラン環およびその
   類縁体に置換したアルケニレン基、イミノ基もしくはジ
   アゾ基の立体配置が、ピラン環およびその類縁体の二重
   結合に対してｓ−トランスであるものの存在比が、前記
   化合物のすべての異性体をあわせたものに対して９９％
   以上であることを特徴とする発光素子。