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JP2002361186A - Treatment apparatus - Google Patents

Treatment apparatus

Info

Publication number
JP2002361186A
JP2002361186A JP2001173136A JP2001173136A JP2002361186A JP 2002361186 A JP2002361186 A JP 2002361186A JP 2001173136 A JP2001173136 A JP 2001173136A JP 2001173136 A JP2001173136 A JP 2001173136A JP 2002361186 A JP2002361186 A JP 2002361186A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
supporting
support
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001173136A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Mori
浩一 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2001173136A priority Critical patent/JP2002361186A/en
Publication of JP2002361186A publication Critical patent/JP2002361186A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment apparatus capable of supporting or holding a substrate so as not to leave an untreated part on the substrate. SOLUTION: In one embodiment of the treatment apparatus, a washing treatment unit (CLU) 21a for washing a semiconductor wafer W is equipped with support pins 25b for supporting the wafer W, holding pins 25a for holding the wafer W, a freely rotatable spin plate 26 and washing liquid discharge orifices 41 for discharging the washing liquid to the wafer W. Each of the support pins 25b has a fixing member 73, a support member 71 having a support part 72 and a connection member 74 for connecting the fixing member 73 and the support member 71. When the spin plate 26 is rotated while supplying the washing liquid to the wafer W, the connection member 74 is deformed by the centrifugal force applied to the support member 71 so that the support part 72 is moved to the outside of rotation. By this constitution, the support part 72 does not always come into contact with the wafer W to eliminate an untreated part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやL
CD基板等の各種基板に対して液処理等の所定の処理を
施す処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to a processing apparatus that performs a predetermined process such as a liquid process on various substrates such as a CD substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いては、基板としての半導体ウエハ(ウエハ)を所定の
薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し、ウエハからパー
ティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーシ
ョン、エッチング処理後のポリマー等を除去するウエハ
洗浄装置が使用されている。このようなウエハ洗浄装置
としては、略水平に保持されたウエハを回転させて洗浄
処理を行う枚葉式のウエハ洗浄装置が知られている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, for example, a semiconductor wafer (wafer) as a substrate is washed with a predetermined chemical solution or a cleaning solution such as pure water, and contaminants such as particles, organic contaminants and metal impurities are removed from the wafer. A wafer cleaning apparatus that removes a polymer and the like after the etching process and the etching process is used. As such a wafer cleaning apparatus, a single-wafer-type wafer cleaning apparatus that performs a cleaning process by rotating a wafer held substantially horizontally is known.

【0003】この枚葉式のウエハ洗浄装置においては、
最初に、ウエハを回転自在なスピンプレート上に載置し
て、ウエハを回転させながらウエハに所定の処理液を供
給し、このとき必要に応じてブラシ等をウエハの表面に
当接させて洗浄処理が行われる。次に、洗浄液を供給す
ることなくウエハを高速回転させることによってウエハ
に付着した洗浄液を振り切り、ウエハを乾燥させる。
In this single wafer type wafer cleaning apparatus,
First, the wafer is placed on a rotatable spin plate, and a predetermined processing liquid is supplied to the wafer while rotating the wafer. At this time, if necessary, a brush or the like is brought into contact with the surface of the wafer for cleaning. Processing is performed. Next, the cleaning liquid attached to the wafer is shaken off by rotating the wafer at a high speed without supplying the cleaning liquid, and the wafer is dried.

【0004】スピンプレートとしては、例えば、ウエハ
をスピンプレートに載置する際等の主にスピンプレート
が静止した状態においてウエハWを支持する支持ピン
と、スピンプレートを回転させた際に遠心力が働くこと
によってウエハの端面から中心に向かってウエハを保持
する力を加えるように設計されたバランサーと呼ばれる
保持部材とが、スピンプレートの周縁部の所定位置に設
けられたものが用いられる。
As the spin plate, for example, support pins for supporting the wafer W when the spin plate is stationary, such as when the wafer is placed on the spin plate, and centrifugal force acts when the spin plate is rotated. In this case, a holding member called a balancer designed to apply a force for holding the wafer from the end face of the wafer toward the center is provided at a predetermined position on the periphery of the spin plate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな支持ピンとバランサーとを用いてウエハを支持また
は保持した場合には、ウエハはバランサーによって保持
された状態であっても、同時に支持ピンにも当接した状
態となる。こうしてウエハWが処理中に常時支持ピンに
当接している部分には処理液があたらずに未処理部分が
残り、ウエハの品質を低下させているという問題があ
る。
However, when the wafer is supported or held by using such support pins and the balancer, the wafer is also held on the support pins at the same time even when the wafer is held by the balancer. It will be in contact. In this way, there is a problem that the processing liquid is not applied to the portion where the wafer W is always in contact with the support pins during the processing, and the unprocessed portion remains, deteriorating the quality of the wafer.

【0006】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、基板に未処理部分が残らないように基板を支持
または保持することを可能とした処理装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a processing apparatus capable of supporting or holding a substrate so that an unprocessed portion does not remain on the substrate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によれば、基板の周縁部を支持する複数の支
持部を有する支持機構と、基板を保持する保持機構と、
前記支持機構または保持機構に支持または保持された基
板に対して所定の処理を施す処理機構と、を具備し、前
記支持部は、基板を支持する支持位置と基板が前記保持
機構に保持されている状態において前記基板から離隔し
た退避位置との間で移動可能であることを特徴とする処
理装置、が提供される。
According to the present invention, there is provided a support mechanism having a plurality of support portions for supporting a peripheral portion of a substrate, a holding mechanism for holding the substrate,
A processing mechanism for performing a predetermined process on the substrate supported or held by the support mechanism or the holding mechanism, and the support unit has a support position for supporting the substrate and the substrate held by the holding mechanism. A processing apparatus that is movable between a retracted position and a separated position from the substrate in a state where the substrate is located.

【0008】また、本発明によれば、基板の周縁部を支
持する複数の支持部を有する支持機構と、基板を保持す
る保持機構と、前記支持機構と前記保持機構が配設され
た回転板と、前記回転板を回転させる回転装置と、前記
支持機構または前記保持機構に支持または保持された基
板に対して所定の処理を施す処理機構と、を具備し、前
記保持機構は、前記回転板を回転させた際に基板を保持
し、前記支持部は、前記回転板を回転させた際に生ずる
遠心力によって、基板を支持する支持位置から前記保持
機構によって保持された基板から離隔した退避位置へ移
動可能であることを特徴とする処理装置、が提供され
る。
Further, according to the present invention, a support mechanism having a plurality of support portions for supporting a peripheral portion of a substrate, a holding mechanism for holding the substrate, and a rotating plate provided with the support mechanism and the holding mechanism are provided. A rotating device that rotates the rotating plate, and a processing mechanism that performs a predetermined process on a substrate supported or held by the support mechanism or the holding mechanism, wherein the holding mechanism includes the rotating plate. The support portion holds the substrate when rotating the support plate, and the support portion is located at a retracted position separated from the substrate held by the holding mechanism from a support position supporting the substrate due to a centrifugal force generated when the rotating plate is rotated. A processing device characterized by being movable to

【0009】さらに本発明によれば、基板の周縁部の複
数箇所において基板を支持する支持機構と、基板を保持
する保持機構と、前記支持機構と前記保持機構が配設さ
れた回転板と、前記回転板を回転させる回転装置と、前
記支持機構または前記保持機構に支持または保持された
基板に対して所定の処理を施す処理機構と、を具備し、
前記支持機構は、前記回転板に固定された固定部材と、
基板を支持する支持部を有する支持部材と、前記固定部
材と前記支持部材とを連結し、前記回転板を回転させた
際に前記支持部材に掛かる遠心力によって前記支持部が
回転の外側へ移動するように変形する連結部材と、を有
することを特徴とする処理装置、が提供される。
Further, according to the present invention, there are provided a support mechanism for supporting a substrate at a plurality of locations on a peripheral portion of the substrate, a holding mechanism for holding the substrate, a rotating plate provided with the support mechanism and the holding mechanism, A rotating device that rotates the rotating plate, and a processing mechanism that performs a predetermined process on the substrate supported or held by the support mechanism or the holding mechanism,
The support mechanism, a fixed member fixed to the rotating plate,
A supporting member having a supporting portion for supporting the substrate, the fixing member and the supporting member being connected to each other, and the supporting portion moves to the outside of rotation due to centrifugal force applied to the supporting member when the rotating plate is rotated. And a connecting member that deforms as described above.

【0010】このような本発明の処理装置によれば、基
板を支持する支持部材の位置を処理中に基板と当接しな
い位置へ移動させることができるために、基板において
常に支持部材が当接している部分をなくすことができ
る。これによって未処理部分をなくして、基板全体に所
定の処理を行うことができる。また、このように支持部
材を基板から離隔させても、その際には基板は保持部材
によって保持されているので、基板の脱落等を引き起こ
すことはない。こうして、基板全体にわたって処理を行
い、基板の品質を高めることが可能となる。
According to the processing apparatus of the present invention, the position of the supporting member for supporting the substrate can be moved to a position where the supporting member does not come into contact with the substrate during processing. Can be eliminated. Thus, a predetermined process can be performed on the entire substrate without an unprocessed portion. Further, even if the support member is separated from the substrate in this manner, the substrate is held by the holding member, so that the substrate does not fall off. Thus, processing can be performed on the entire substrate, and the quality of the substrate can be improved.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の処理装置の実施の
形態について図面を参照しながら説明する。本発明の処
理装置は、基板を略水平に保持して基板に所定の処理を
施す装置、例えば、洗浄処理装置や塗布膜形成装置、現
像処理装置等へ適用することができるが、本実施の形態
においては、半導体ウエハ(ウエハ)の両面を同時に洗
浄処理する洗浄処理ユニットを備えた洗浄処理システム
を例として説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. The processing apparatus of the present invention can be applied to an apparatus for performing a predetermined processing on a substrate while holding the substrate substantially horizontally, for example, a cleaning processing apparatus, a coating film forming apparatus, a developing processing apparatus, and the like. In the embodiment, a cleaning processing system provided with a cleaning processing unit for simultaneously cleaning both surfaces of a semiconductor wafer (wafer) will be described as an example.

【0012】図1は洗浄処理システム1の概略構造を示
す平面図であり、図2はその側面図である。これら図1
および図2に示されるように、洗浄処理システム1は、
ウエハWに洗浄処理および洗浄処理後の熱的処理を施す
洗浄処理部3と、洗浄処理部3に対してウエハWを搬入
出する搬入出部2から構成されている。搬入出部2は、
複数枚、例えば25枚のウエハWが所定の間隔で略水平
に収容可能な容器(フープF)を載置するための載置台
11が設けられたイン・アウトポート4と、載置台11
に載置されたフープFと洗浄処理部3との間でウエハの
受け渡しを行うウエハ搬送装置(CRA)13が備えら
れたウエハ搬送部5と、から構成されている。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a cleaning system 1, and FIG. 2 is a side view thereof. These figures 1
As shown in FIG. 2 and FIG.
The cleaning unit 3 includes a cleaning unit 3 for performing a cleaning process on the wafer W and a thermal process after the cleaning process, and a loading / unloading unit 2 for loading / unloading the wafer W from / to the cleaning unit 3. The loading / unloading unit 2
An input / output port 4 provided with a mounting table 11 for mounting a container (a hoop F) capable of accommodating a plurality of wafers W, for example, 25 wafers W at predetermined intervals substantially horizontally;
And a wafer transfer unit 5 provided with a wafer transfer unit (CRA) 13 for transferring a wafer between the FOUP F placed on the wafer and the cleaning processing unit 3.

【0013】フープFにおいてウエハWはフープFの1
側面を通して搬入出され、この側面には開閉可能な蓋体
が設けられている。また、ウエハWを所定間隔で保持す
るための棚板が内壁に設けられており、ウエハWを収容
するスロット1〜スロット25が形成されている。ウエ
ハWは表面(半導体デバイスを形成する面をいうものと
する)が上面(ウエハWを水平に保持した場合に上側と
なっている面をいうものとする)となっている状態で各
スロットに1枚ずつ収容される。
In the hoop F, the wafer W is the one in the hoop F
It is carried in and out through a side surface, and this side surface is provided with a lid that can be opened and closed. A shelf for holding the wafers W at predetermined intervals is provided on the inner wall, and slots 1 to 25 for accommodating the wafers W are formed. The wafer W is placed in each slot in a state where the front surface (refers to the surface on which the semiconductor device is formed) is the upper surface (refers to the upper surface when the wafer W is held horizontally). One by one is accommodated.

【0014】イン・アウトポート4の載置台11上に
は、例えば、3個のフープFを水平面のY方向に並べて
所定位置に載置することができるようになっている。フ
ープFは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート4
とウエハ搬送部5との境界壁91側に向けて載置され
る。境界壁91においてフープFの載置場所に対応する
位置には窓部92が形成されており、窓部92のウエハ
搬送部5側には窓部92をシャッター等により開閉する
窓部開閉機構12が設けられている。
On the mounting table 11 of the in / out port 4, for example, three hoops F can be mounted at a predetermined position in the horizontal direction in the Y direction. Hoop F is the in / out port 4 on the side with the lid
Is placed toward the boundary wall 91 between the wafer transfer section 5 and the wafer transfer section 5. A window 92 is formed in the boundary wall 91 at a position corresponding to the place where the hoop F is placed. Is provided.

【0015】この窓部開閉機構12は、フープFに設け
られた蓋体もまた開閉することが可能であり、窓部92
の開閉と同時にフープFの蓋体をも開閉する。窓部開閉
機構12は、フープFが載置台の所定位置に載置されて
いないときには動作しないようにインターロックを設け
ることが好ましい。窓部92を開口してフープFのウエ
ハ搬入出口とウエハ搬送部5とを連通させると、ウエハ
搬送部5に配設されたウエハ搬送装置(CRA)13の
フープFへのアクセスが可能となり、ウエハWの搬送を
行うことが可能な状態となる。窓部92の上部には図示
しないウエハ検査装置が設けられており、フープF内に
収納されたウエハWの枚数と状態をスロット毎に検出す
ることができるようになっている。このようなウエハ検
査装置は、窓部開閉機構12に装着させることも可能で
ある。
The window opening and closing mechanism 12 can also open and close a lid provided on the hoop F.
The lid of the hoop F is also opened and closed simultaneously with the opening and closing of. The window opening / closing mechanism 12 is preferably provided with an interlock so that it does not operate when the hoop F is not placed at a predetermined position on the placing table. When the window 92 is opened to allow the wafer loading / unloading port of the FOUP F to communicate with the wafer transport unit 5, the wafer transport unit (CRA) 13 provided in the wafer transport unit 5 can access the FOUP F, The wafer W can be transferred. A wafer inspection device (not shown) is provided above the window 92 so that the number and state of the wafers W stored in the hoop F can be detected for each slot. Such a wafer inspection apparatus can be mounted on the window opening / closing mechanism 12.

【0016】ウエハ搬送部5に配設されたウエハ搬送装
置(CRA)13は、Y方向とZ方向に移動可能であ
り、かつ、X−Y平面内(θ方向)で回転自在に構成さ
れている。また、ウエハ搬送装置(CRA)13はウエ
ハWを把持する搬送アーム13aを有し、この搬送アー
ム13aはX方向にスライド自在となっている。こうし
て、ウエハ搬送装置(CRA)13は、載置台11に載
置された全てのフープFの任意の高さのスロットにアク
セスし、また、洗浄処理部3に配設された2台のウエハ
受渡ユニット(TRS)14a・14bにアクセスし
て、イン・アウトポート4側から洗浄処理部3側へ、逆
に洗浄処理部3側からイン・アウトポート4側へウエハ
Wを搬送することができるようになっている。
The wafer transfer device (CRA) 13 provided in the wafer transfer section 5 is movable in the Y and Z directions and is rotatable in the XY plane (θ direction). I have. The wafer transfer device (CRA) 13 has a transfer arm 13a for holding the wafer W, and the transfer arm 13a is slidable in the X direction. In this manner, the wafer transfer device (CRA) 13 accesses the slots of any heights of all the FOUPs F mounted on the mounting table 11 and transfers the two wafers provided in the cleaning unit 3. By accessing the units (TRS) 14a and 14b, the wafer W can be transferred from the in / out port 4 side to the cleaning processing unit 3 side, and conversely, from the cleaning processing unit 3 side to the in / out port 4 side. It has become.

【0017】洗浄処理部3は、ウエハ搬送部5との間で
ウエハWの受け渡しを行うためにウエハWを一時的に載
置する2台のウエハ受渡ユニット(TRS)14a・1
4bと、ウエハWの表面と裏面を同時に洗浄処理する4
台の洗浄処理ユニット(CLU)21a〜21dと、洗
浄処理後のウエハWを加熱処理する3台のホットプレー
トユニット(HP)16a〜16cおよび加熱されたウ
エハWを冷却する冷却ユニット(COL)16dからな
る加熱/冷却部(HP/COL)16と、ウエハ受渡ユ
ニット(TRS)14a・14bおよび洗浄処理ユニッ
ト(CLU)21a〜21dならびに加熱/冷却部(H
P/COL)16の全てのユニットにアクセス可能に配
設され、これらの各ユニット間でウエハWの搬送を行う
主ウエハ搬送装置(PRA)15と、を有している。
The cleaning unit 3 includes two wafer transfer units (TRS) 14a.1 for temporarily placing the wafers W thereon for transferring the wafers W to and from the wafer transfer unit 5.
4b, and simultaneously cleaning the front and back surfaces of the wafer W 4
Cleaning units (CLU) 21a to 21d, three hot plate units (HP) 16a to 16c for heating the cleaned wafer W, and a cooling unit (COL) 16d for cooling the heated wafer W Heating / cooling unit (HP / COL) 16, wafer transfer units (TRS) 14a and 14b, cleaning processing units (CLU) 21a to 21d, and heating / cooling unit (H
A main wafer transfer device (PRA) 15 is provided so as to be accessible to all units of the P / COL (P / COL) 16 and transfers the wafer W between these units.

【0018】洗浄処理部3には、洗浄処理システム1全
体を稼働させるための電源である電装ユニット(EB)
18と、洗浄処理システム1内に配設された各種ユニッ
トおよび洗浄処理システム1全体の動作・制御を行う機
械制御ユニット(MCB)19と、洗浄処理ユニット
(CLU)21a〜21dに送液する所定の洗浄液を貯
蔵する薬液貯蔵ユニット(CTB)17とが配設されて
いる。電装ユニット(EB)18は図示しない主電源と
接続される。洗浄処理部3の天井部には、ウエハWを取
り扱う各ユニットおよび主ウエハ搬送装置(PRA)1
5に、清浄な空気をダウンフローするためのフィルター
ファンユニット(FFU)20が配設されている。
The cleaning unit 3 includes an electrical unit (EB) as a power supply for operating the entire cleaning system 1.
18, a machine control unit (MCB) 19 for operating and controlling the various units disposed in the cleaning processing system 1 and the entire cleaning processing system 1, and a predetermined liquid for sending to the cleaning processing units (CLU) 21a to 21d. And a chemical liquid storage unit (CTB) 17 for storing the cleaning liquid. The electrical unit (EB) 18 is connected to a main power supply (not shown). Each unit for handling the wafer W and the main wafer transfer device (PRA) 1
5 is provided with a filter fan unit (FFU) 20 for down-flowing clean air.

【0019】薬液貯蔵ユニット(CTB)17と電装ユ
ニット(EB)18と機械制御ユニット(MCB)19
を洗浄処理部3の外側に設置することによって、または
外部に引き出すことによって、この面(Y方向側面)か
らウエハ受渡ユニット(TRS)14a・14bと主ウ
エハ搬送装置(PRA)15と加熱/冷却部(HP/C
OL)16のメンテナンスを容易に行うことが可能であ
る。
Chemical storage unit (CTB) 17, electrical unit (EB) 18 and machine control unit (MCB) 19
The wafer is transferred from the surface (Y-direction side surface) to the wafer transfer units (TRS) 14a and 14b, the main wafer transfer device (PRA) 15, and the heating / cooling by placing the wafer outside the cleaning processing unit 3 or pulling the wafer outside. Part (HP / C
OL) 16 can be easily maintained.

【0020】図3はウエハ受渡ユニット(TRS)14
a・14bと、ウエハ受渡ユニット(TRS)14a・
14bのX方向に隣接する主ウエハ搬送装置(PRA)
15および加熱/冷却部(HP/COL)16の概略配
置を示す断面図である。ウエハ受渡ユニット(TRS)
14a・14bは上下2段に積み重ねられて配置されて
おり、例えば、下段のウエハ受渡ユニット(TRS)1
4aは、イン・アウトポート4側から洗浄処理部3側へ
搬送するウエハWを載置するために用い、一方、上段の
ウエハ受渡ユニット(TRS)14bは、洗浄処理部3
側からイン・アウトポート4側へ搬送するウエハWを載
置するために用いることができる。
FIG. 3 shows a wafer transfer unit (TRS) 14.
a, 14b and a wafer transfer unit (TRS) 14a.
Main wafer transfer device (PRA) adjacent in the X direction of 14b
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic arrangement of a heating unit 15 and a heating / cooling unit (HP / COL) 16. Wafer delivery unit (TRS)
14a and 14b are stacked and arranged in two upper and lower tiers, for example, a lower wafer transfer unit (TRS) 1
4a is used for mounting a wafer W to be transferred from the in / out port 4 side to the cleaning processing unit 3 side, while the upper wafer transfer unit (TRS) 14b is used for the cleaning processing unit 3
It can be used to place a wafer W transferred from the side to the in / out port 4 side.

【0021】フィルターファンユニット(FFU)20
からのダウンフローの一部は、ウエハ受渡ユニット(T
RS)14a・14bと、その上部の空間を通ってウエ
ハ搬送部5に向けて流出する構造となっている。これに
より、ウエハ搬送部5から洗浄処理部3へのパーティク
ル等の侵入が防止され、洗浄処理部3の清浄度が保持さ
れるようになっている。
Filter fan unit (FFU) 20
A part of the down flow from the wafer transfer unit (T
RS) 14a and 14b, and flows out toward the wafer transfer section 5 through the space above them. This prevents particles and the like from entering the cleaning processing unit 3 from the wafer transfer unit 5 and maintains the cleanliness of the cleaning processing unit 3.

【0022】主ウエハ搬送装置(PRA)15は、Z方
向に延在し、垂直壁51a・51bおよびこれらの間の
側面開口部51cを有する筒状支持体51と、その内側
に筒状支持体51に沿ってZ方向に昇降自在に設けられ
たウエハ搬送体52とを有している。筒状支持体51は
モータ53の回転駆動力によって回転可能となってお
り、それに伴ってウエハ搬送体52も一体的に回転され
るようになっている。
The main wafer transfer device (PRA) 15 extends in the Z direction, has a cylindrical support 51 having vertical walls 51a and 51b and side openings 51c therebetween, and a cylindrical support 51 inside the cylindrical support 51. And a wafer transfer body 52 provided so as to be able to move up and down in the Z direction along 51. The cylindrical support 51 is rotatable by the rotational driving force of a motor 53, and accordingly, the wafer carrier 52 is also integrally rotated.

【0023】ウエハ搬送体52は、搬送基台54と、搬
送基台54に沿って前後に移動可能な3本の主ウエハ搬
送アーム55・56・57とを備えており、主ウエハ搬
送アーム55〜57は、筒状支持体51の側面開口部5
1cを通過可能な大きさを有している。これら主ウエハ
搬送アーム55〜57は、搬送基台54内に内蔵された
モータおよびベルト機構によりそれぞれ独立して進退移
動することが可能となっている。ウエハ搬送体52は、
モータ58によってベルト59を駆動させることにより
昇降するようになっている。なお、符号60は駆動プー
リー、61は従動プーリーである。
The wafer transfer body 52 includes a transfer base 54 and three main wafer transfer arms 55, 56 and 57 movable back and forth along the transfer base 54. 57 are the side openings 5 of the cylindrical support 51.
1c. The main wafer transfer arms 55 to 57 can be independently advanced and retracted by a motor and a belt mechanism built in the transfer base 54. The wafer carrier 52 is
The belt 59 is moved up and down by driving a belt 59 by a motor 58. Reference numeral 60 denotes a driving pulley, and 61 denotes a driven pulley.

【0024】加熱/冷却部(HP/COL)16におい
ては、ウエハWの強制冷却を行う冷却ユニット(CO
L)16dが1台配設され、その上に強制加熱/自然冷
却を行うホットプレートユニット(HP)16a〜16
cが3台積み重ねられて配設されている。なお、ウエハ
受渡ユニット(TRS)14a・14bの上部の空間に
加熱/冷却部(HP/COL)16を設けることも可能
である。この場合には、図1に示される加熱/冷却部
(HP/COL)16の位置をその他のユーティリティ
空間として利用することができる。
In the heating / cooling section (HP / COL) 16, a cooling unit (CO) for forcibly cooling the wafer W is provided.
L) One hot plate unit (HP) 16a to 16d for performing forced heating / natural cooling thereon
c are stacked and arranged. Note that a heating / cooling unit (HP / COL) 16 may be provided in a space above the wafer transfer units (TRS) 14a and 14b. In this case, the position of the heating / cooling unit (HP / COL) 16 shown in FIG. 1 can be used as another utility space.

【0025】洗浄処理ユニット(CLU)21a〜21
dは、上下2段で各段に2台ずつ配設されている。図1
に示されるように、洗浄処理ユニット(CLU)21a
・21cと洗浄処理ユニット(CLU)21b・21d
とは、その境界をなしている壁面93に対して対称な構
造を有しているが、洗浄処理ユニット(CLU)21a
〜21dを構成する各種の機構の動作に違いはない。そ
こで、洗浄処理ユニット(CLU)21aを例として、
その構造について詳細に以下に説明することとする。
Cleaning unit (CLU) 21a-21
As for d, two units are arranged in each of the upper and lower stages. FIG.
As shown in the figure, the cleaning processing unit (CLU) 21a
・ 21c and cleaning unit (CLU) 21b ・ 21d
Has a symmetrical structure with respect to the wall surface 93 forming the boundary, but the cleaning unit (CLU) 21a
There is no difference in the operation of the various mechanisms that constitute 〜21d. Therefore, taking the cleaning unit (CLU) 21a as an example,
The structure will be described in detail below.

【0026】図4は洗浄処理ユニット(CLU)21a
の概略構造を示す平面図、図5と図6はともに洗浄処理
ユニット(CLU)21a内に配設された処理カップ2
2とその内部の構造を示した概略断面図であり、図5は
ウエハWの洗浄処理時の状態を示し、また、図6はウエ
ハWの搬入出時の状態を示している。
FIG. 4 shows a cleaning unit (CLU) 21a.
5 and FIG. 6 show a processing cup 2 disposed in a cleaning processing unit (CLU) 21a.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a wafer 2 and its internal structure. FIG. 5 shows a state at the time of a cleaning process of the wafer W, and FIG.

【0027】洗浄処理ユニット(CLU)21aにおい
ては、主ウエハ搬送アーム55〜57が進入または退出
するための窓部94が境界壁93側に形成されており、
この窓部94は図示しないシャッターによって開閉可能
となっている。また、洗浄処理ユニット(CLU)21
aは、処理カップ22と、処理カップ22内に保持され
たウエハWの表面を覆うように配置および移動可能な蓋
体80と、を有している。
In the cleaning processing unit (CLU) 21a, a window 94 through which the main wafer transfer arms 55 to 57 enter or exit is formed on the boundary wall 93 side.
The window 94 can be opened and closed by a shutter (not shown). In addition, the cleaning processing unit (CLU) 21
a has a processing cup 22 and a lid 80 which can be arranged and moved so as to cover the surface of the wafer W held in the processing cup 22.

【0028】処理カップ22の内側には、ウエハWを略
水平に保持するスピンチャック23が設けられ、ステー
ジ24がスピンチャック23に保持されたウエハWの下
側に位置するように設けられている。スピンチャック2
3は、スピンプレート26と、スピンプレート26の周
縁の3箇所にそれぞれ等間隔に取り付けられた保持部材
25aおよび支持ピン25bと、図示しない回転機構に
よって回転自在である中空状の回転軸27とを有してい
る。
A spin chuck 23 for holding the wafer W substantially horizontally is provided inside the processing cup 22, and a stage 24 is provided so as to be located below the wafer W held by the spin chuck 23. . Spin chuck 2
Reference numeral 3 denotes a spin plate 26, a holding member 25a and a support pin 25b which are respectively attached at three positions on a peripheral edge of the spin plate 26, and a hollow rotary shaft 27 rotatable by a rotary mechanism (not shown). Have.

【0029】図7は保持部材25aの構造とその動作形
態を示す説明図であり、図8は支持ピン25bの構造と
その動作形態を示す説明図である。保持部材25aは、
スピンプレート26に固定された2本の支柱65(紙面
手前側に位置する支柱については図示せず)と、支柱6
5間に架橋された回転軸65aと、可動ピン62とを有
している。可動ピン62の下部には重錘63が取り付け
られており、可動ピン62の上部には底面64aと崖壁
面64bを有する断面略L字型の保持部64が形成さ
れ、また、可動ピン62には貫通孔62aが形成されて
いる。回転軸65aは貫通孔62aを通り、可動ピン6
2は回転軸65aに釣支されるとともに、回転軸65a
回りに回動自在となっている。
FIG. 7 is an explanatory view showing the structure of the holding member 25a and its operation form, and FIG. 8 is an explanatory view showing the structure of the support pin 25b and its operation form. The holding member 25a
Two columns 65 fixed to the spin plate 26 (the columns located on the near side of the drawing are not shown);
It has a rotating shaft 65 a bridged between the five and a movable pin 62. A weight 63 is attached to a lower portion of the movable pin 62, and a holding portion 64 having a substantially L-shaped cross section having a bottom surface 64 a and a cliff wall 64 b is formed at an upper portion of the movable pin 62. Are formed with through holes 62a. The rotating shaft 65a passes through the through hole 62a,
2 is supported by the rotating shaft 65a and the rotating shaft 65a
It is rotatable around.

【0030】支持ピン25bは、断面略L字型の底面7
2aおよび崖壁面72bを有する支持部72が形成され
た支持部材71と、スピンプレート26に固定されて上
部に凹部73aが形成された固定部材73と、支持部材
71と固定部材73とを連結する連結部材74とを有す
る。
The support pin 25b has a bottom surface 7 having a substantially L-shaped cross section.
A supporting member 71 having a supporting portion 72 having a 2a and a cliff wall surface 72b, a fixing member 73 fixed to the spin plate 26 and having a concave portion 73a formed thereon, and connecting the supporting member 71 and the fixing member 73. And a connecting member 74.

【0031】保持部材25aと支持ピン25bにウエハ
Wが載置されていない状態においては、保持部材25a
は、図7(a)に示すように、可動ピン62が回転軸6
5aに釣支されて自重によってバランスを取った姿勢に
保持される。また、支持ピン25bは、図8(a)に示
すように、連結部材74によって支持部材71は固定部
材73の直上に直立した位置した姿勢に保持される。
When the wafer W is not placed on the holding member 25a and the support pins 25b, the holding member 25a
As shown in FIG. 7A, the movable pin 62 is
It is supported by 5a and held in a posture balanced by its own weight. Further, as shown in FIG. 8A, the supporting member 25 is held in a posture in which the supporting member 71 stands upright above the fixing member 73 by the connecting member 74.

【0032】支持部材71に形成された支持部72の底
面72aにウエハWが当接するようにウエハWを載置す
ると、支持部材71は、図8(b)に示すように、底面
72aにウエハWは接して支持される。このとき、崖壁
面72bがウエハWの端面に当接してウエハWを保持す
ることも好ましい。一方、図7(b)に示すように、保
持部材25aは、例えば、可動ピン62の保持部64は
ウエハWに当接しないか、または、底面64aに軽く接
するようにする。
When the wafer W is placed so that the wafer W comes into contact with the bottom surface 72a of the support portion 72 formed on the support member 71, the support member 71 is placed on the bottom surface 72a as shown in FIG. W is supported in contact. At this time, it is also preferable that the cliff wall surface 72b abuts on the end face of the wafer W to hold the wafer W. On the other hand, as shown in FIG. 7B, for example, the holding member 25a is configured so that the holding portion 64 of the movable pin 62 does not abut on the wafer W or lightly touches the bottom surface 64a.

【0033】スピンプレート26が静止している図7
(b)および図8(b)の状態からスピンプレート26
の回転を開始すると、保持部材25aと支持ピン25b
は、それぞれが図7(c)および図8(c)に示す状態
へと変化する。つまり、保持部材25aは、重錘63が
遠心力を受けてスピンプレート26の外周側へ移動し、
保持部64はスピンプレート26の中心側へ移動するよ
うに、可動ピン62全体が傾斜する。こうして、保持部
64は強い押圧力をウエハWに加えてウエハWを保持す
るようになる。
FIG. 7 with the spin plate 26 stationary
From the state shown in FIG. 8B and FIG.
Starts rotating, the holding member 25a and the support pin 25b
Change to the states shown in FIGS. 7C and 8C, respectively. That is, the holding member 25a moves the weight 63 toward the outer peripheral side of the spin plate 26 under the centrifugal force,
The entire movable pin 62 is inclined so that the holding portion 64 moves toward the center of the spin plate 26. Thus, the holding unit 64 holds the wafer W by applying a strong pressing force to the wafer W.

【0034】これに対して支持ピン25bは、支持部材
71が遠心力を受けることで連結部材74が屈曲し、連
結部材74が屈曲することで支持部材71がスピンプレ
ート26の外側へ移動し、ウエハWから離隔した状態と
なる。なお、保持部材25aがウエハWを保持した状態
となった後に、支持ピン25bの支持部材71がウエハ
Wから離隔することが好ましい。スピンプレート26の
回転を停止すると、保持部材25aと支持ピン25b
は、それぞれ図7(b)と図8(b)に示した状態に戻
る。
On the other hand, the support pin 25b is configured such that the connecting member 74 bends when the supporting member 71 receives centrifugal force, and the supporting member 71 moves outside the spin plate 26 when the connecting member 74 bends. The state is separated from the wafer W. It is preferable that the support member 71 of the support pin 25b be separated from the wafer W after the holding member 25a has held the wafer W. When the rotation of the spin plate 26 is stopped, the holding member 25a and the support pin 25b
Returns to the states shown in FIGS. 7B and 8B, respectively.

【0035】さて、スピンプレート26の下方には、回
転軸27を囲繞するように階段状のカバー28が設けら
れており、このカバー28は台座29に固定されてい
る。カバー28の内周側には排気口31が形成されてお
り、図示しない排気ポンプ等によって処理カップ22内
の空気を吸引することで、スピンチャック23の回転に
よって発生するパーティクル等がウエハWの上方へ舞い
上がるのを防止し、また、ウエハWから振り切られる洗
浄液に起因して発生するミスト等の処理カップ22外へ
の拡散を防止している。
A stepped cover 28 is provided below the spin plate 26 so as to surround the rotation shaft 27, and the cover 28 is fixed to a pedestal 29. An exhaust port 31 is formed on the inner peripheral side of the cover 28, and particles or the like generated by the rotation of the spin chuck 23 are drawn above the wafer W by sucking air in the processing cup 22 by an exhaust pump or the like (not shown). In addition, it is prevented that the mist generated by the cleaning liquid shaken off from the wafer W is diffused out of the processing cup 22.

【0036】ステージ24は、主に、ステージ本体部3
6と、ステージ本体部36の上面を覆うようにネジ34
によって取り付けられた円盤35と、ステージ本体部3
6を支持する枢軸37と、枢軸37の下方に取り付けら
れた図示しない昇降機構から構成されており、この昇降
機構を動作させることで、ステージ24を所定高さ上下
させることができるようになっている。
The stage 24 is mainly composed of the stage body 3
6 and screws 34 so as to cover the upper surface of the stage body 36.
Disk 35 attached by the
6 and a lifting mechanism (not shown) attached below the pivot 37. By operating the lifting mechanism, the stage 24 can be moved up and down by a predetermined height. I have.

【0037】スピンチャック23と主ウエハ搬送アーム
55〜57との間でウエハWの受け渡しを行う際には、
図6に示すように、ステージ本体部36の下面に形成さ
れた円環状の突起部36aがスピンプレート26の上面
に当接し、また、スピンプレート26の上面に形成され
た円環状の突起部26aがステージ本体部36の下面に
当接する位置(退避位置)にステージ24を降下させた
状態とする。こうして、ウエハWと円盤35との間隙幅
を広くすることで、主ウエハ搬送アーム55〜57の進
入と退出が容易となる。
When transferring the wafer W between the spin chuck 23 and the main wafer transfer arms 55 to 57,
As shown in FIG. 6, an annular projection 36a formed on the lower surface of the stage body 36 contacts the upper surface of the spin plate 26, and an annular projection 26a formed on the upper surface of the spin plate 26. Is in a state where the stage 24 is lowered to a position (retreat position) where the stage 24 contacts the lower surface of the stage body 36. In this way, by increasing the gap width between the wafer W and the disk 35, the main wafer transfer arms 55 to 57 can easily enter and exit.

【0038】ステージ本体部36の上面側には円環状の
条溝38が形成されており、円盤35がこの条溝38を
覆うことで空間39が形成されている。また、ステージ
本体部36の下側中央部には円柱状の凹部が形成され
て、この凹部に嵌合するように円柱部材44が取り付け
られており、円柱部材44の下面は枢軸37の上面と接
合されている。円盤35とステージ本体部36と円柱部
材44のほぼ中央を貫通するように洗浄液供給孔41が
形成されており、円柱部材44に取り付けられた洗浄液
供給管45a〜45cから所定の洗浄液が洗浄液供給孔
41に供給され、円盤35の表面とウエハWとの間隙に
洗浄液が供給される。
An annular groove 38 is formed on the upper surface of the stage main body 36, and a space 39 is formed by the disk 35 covering the groove 38. A cylindrical concave portion is formed in the lower central portion of the stage main body 36, and a cylindrical member 44 is attached so as to fit into the concave portion. The lower surface of the cylindrical member 44 is in contact with the upper surface of the pivot 37. Are joined. A cleaning liquid supply hole 41 is formed so as to penetrate substantially the center of the disk 35, the stage main body 36, and the column member 44, and a predetermined cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply pipes 45 a to 45 c attached to the column member 44. The cleaning liquid is supplied to the gap between the surface of the disk 35 and the wafer W.

【0039】洗浄液としては、例えば、アンモニア水
(NHOH)と過酸化水素水(H)と純水(D
IW)との混合物であって、主にパーティクル除去用と
して用いられる通称、SC−1と呼ばれる薬液や、フッ
化水素(HF)を所定量含む水溶液であって、主に酸化
膜除去に用いられる、通称、DHFと呼ばれる薬液、お
よび、純水(DIW)が用いられる。洗浄処理ユニット
(CLU)21aにおいては、洗浄液供給管45aから
SC−1が、洗浄液供給管45bから純水(DIW)
が、洗浄液供給管45cからDHFが、それぞれ供給さ
れる。洗浄液供給管45a〜45cには、それぞれにヒ
ータを取り付けて、送液する薬液を温調することができ
る構成とすることが好ましい。図6においては、洗浄液
供給管45a〜45cの細部の図示を省略している。
As the cleaning liquid, for example, aqueous ammonia (NH 4 OH), aqueous hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and pure water (D
IW) and a chemical solution called SC-1 which is mainly used for removing particles and an aqueous solution containing a predetermined amount of hydrogen fluoride (HF), and is mainly used for removing oxide films. A chemical solution commonly called DHF and pure water (DIW) are used. In the cleaning unit (CLU) 21a, SC-1 is supplied from the cleaning liquid supply pipe 45a, and pure water (DIW) is supplied from the cleaning liquid supply pipe 45b.
However, DHF is supplied from the cleaning liquid supply pipe 45c. It is preferable that a heater is attached to each of the cleaning liquid supply pipes 45a to 45c so that the temperature of the chemical solution to be sent can be controlled. 6, illustration of details of the cleaning liquid supply pipes 45a to 45c is omitted.

【0040】空間39において、円盤35の裏面にはヒ
ータ46が取り付けられており、このヒータ46によっ
て、円盤35とウエハWとの間隙に供給された洗浄液の
温度調節を行うことが可能となっている。ヒータ46へ
電力を供給するためのケーブル47は、空間39と枢軸
37の中空部とを連通するように形成された電気配線孔
42に通されている。
In the space 39, a heater 46 is attached to the back surface of the disk 35, and the heater 46 makes it possible to control the temperature of the cleaning liquid supplied to the gap between the disk 35 and the wafer W. I have. A cable 47 for supplying electric power to the heater 46 is passed through an electric wiring hole 42 formed so as to communicate the space 39 with the hollow portion of the pivot 37.

【0041】ステージ24においては、空間39と枢軸
37の中空部とを連通するようにガス供給孔43が形成
され、ガス供給孔43にはガス供給管48が取り付けら
れている。このガス供給孔43を利用して空間39に乾
燥した窒素ガス等の不活性ガスを供給することで、ネジ
34と円盤35との隙間等から、円盤35とステージ本
体部36とのシール部49を介して空間39へ洗浄液が
進入することを防止できるようになっている。
In the stage 24, a gas supply hole 43 is formed so as to communicate the space 39 and the hollow portion of the pivot 37, and a gas supply pipe 48 is attached to the gas supply hole 43. By supplying a dry inert gas such as nitrogen gas to the space 39 using the gas supply holes 43, a sealing portion 49 between the disk 35 and the stage main body 36 is formed through a gap between the screw 34 and the disk 35. The cleaning liquid can be prevented from entering the space 39 through the opening.

【0042】処理カップ22は、図示しない昇降機構に
よって昇降自在な内側カップ22aと、固定されたアン
ダーカップ22bとから構成されている。内側カップ2
2aは、ウエハWの洗浄処理時には図5に示す位置(上
段位置)に保持され、ウエハWから振り切られる洗浄液
が外部に飛散することを防止する。また、主ウエハ搬送
アーム55〜57とスピンチャック23との間でのウエ
ハWの受け渡しが行われる際には、図6に示した位置
(下段位置)に保持されて、主ウエハ搬送アーム55〜
57の進入および退出を可能とする。アンダーカップ2
2bの底部には、排気および洗浄液を排出するためのド
レイン32が設けられている。
The processing cup 22 includes an inner cup 22a which can be raised and lowered by a lifting mechanism (not shown), and a fixed under cup 22b. Inner cup 2
2a is held at the position (upper position) shown in FIG. 5 during the cleaning processing of the wafer W, and prevents the cleaning liquid shaken off from the wafer W from scattering to the outside. Further, when the wafer W is transferred between the main wafer transfer arms 55 to 57 and the spin chuck 23, the wafer W is held at the position (lower position) shown in FIG.
57 can enter and exit. Under cup 2
At the bottom of 2b, a drain 32 for exhausting and discharging the cleaning liquid is provided.

【0043】前述したように、洗浄液としてSC−1、
DHF、純水(DIW)を用いる場合には、SC−1は
アンモニアを含むアルカリ性水溶液であり、一方のDH
Fはフッ化水素を含む酸性水溶液であることから、ドレ
イン32から洗浄液を回収する際には、少なくともSC
−1とDHFの化学反応を回避するために、排液経路を
切り替えて、これらを分別回収することができるように
することが好ましい。
As described above, SC-1 was used as a cleaning solution.
When DHF or pure water (DIW) is used, SC-1 is an alkaline aqueous solution containing ammonia.
Since F is an acidic aqueous solution containing hydrogen fluoride, when the cleaning liquid is collected from the drain 32, at least SC
In order to avoid a chemical reaction between -1 and DHF, it is preferable to switch the drainage path so that these can be separated and recovered.

【0044】蓋体80は、ウエハWの洗浄処理を行わな
い状態においては、図4に示すように、処理カップ22
の上方から離れた位置に退避した状態にある。蓋体80
は蓋体保持アーム82によって保持され、この蓋体保持
アーム82は、ガイド84と嵌合しているアーム保持部
材83と連結されている。アーム保持部材83は図示し
ない駆動機構によってガイド84に沿ってX方向にスラ
イド可能であり、さらに、図示しない昇降機構によって
蓋体80はZ方向に昇降可能である。
In a state where the cleaning process of the wafer W is not performed, as shown in FIG.
Has been retracted to a position away from above. Lid 80
Is held by a lid holding arm 82, which is connected to an arm holding member 83 fitted with a guide 84. The arm holding member 83 can be slid in the X direction along a guide 84 by a drive mechanism (not shown), and the lid 80 can be moved up and down in the Z direction by a lifting mechanism (not shown).

【0045】蓋体80の略中心部には、スピンチャック
23に保持されたウエハWの表面に所定の洗浄液を供給
するための洗浄液供給孔81が形成されいる。ウエハW
の洗浄処理時には、図5に示すように、蓋体80はウエ
ハWの表面と蓋体80の裏面との間隙が所定幅となるよ
うに位置決めされて保持される。この状態において、蓋
体80の略中心に設けられた洗浄液供給孔81から所定
の洗浄液をスピンチャック23に保持されたウエハWの
表面に供給する。
A cleaning liquid supply hole 81 for supplying a predetermined cleaning liquid to the surface of the wafer W held by the spin chuck 23 is formed substantially at the center of the lid 80. Wafer W
5, the lid 80 is positioned and held such that the gap between the front surface of the wafer W and the back surface of the lid 80 has a predetermined width, as shown in FIG. In this state, a predetermined cleaning liquid is supplied to the surface of the wafer W held by the spin chuck 23 from a cleaning liquid supply hole 81 provided substantially at the center of the lid 80.

【0046】蓋体80の内部にヒータを内蔵させること
で、ウエハWに供給された薬液の温度調節を行うことが
可能である。また、洗浄液供給孔81へ温調された洗浄
液を供給することも好ましい。洗浄液を所定の温度に保
持することで、洗浄液の性能を引き出し、より高精度な
洗浄処理を行うことが可能となる。
By incorporating a heater inside the lid 80, it is possible to control the temperature of the chemical supplied to the wafer W. It is also preferable to supply a cleaning liquid whose temperature has been adjusted to the cleaning liquid supply hole 81. By maintaining the cleaning liquid at a predetermined temperature, the performance of the cleaning liquid can be brought out, and more accurate cleaning processing can be performed.

【0047】次に、上述した洗浄処理システム1を用い
たウエハWの洗浄処理工程の一実施形態について以下に
説明する。ここで、ウエハ受渡ユニット(TRS)14
aは、イン・アウトポート4側から洗浄処理部3側へ搬
送するウエハWを載置するために用い、ウエハ受渡ユニ
ット(TRS)14bは、洗浄処理部3側からイン・ア
ウトポート4側へ搬送するウエハWを載置するために用
いるものとする。
Next, one embodiment of the cleaning process of the wafer W using the above-described cleaning system 1 will be described below. Here, the wafer delivery unit (TRS) 14
a is used for mounting a wafer W to be transferred from the in / out port 4 side to the cleaning processing unit 3 side, and the wafer delivery unit (TRS) 14b is used from the cleaning processing unit 3 side to the in / out port 4 side. It is used to place the wafer W to be transferred.

【0048】最初に、表面が上面となっている状態で所
定枚数のウエハWが収容されているフープFを載置台1
1に載置する。次に、窓部開閉機構12によって窓部9
2およびフープFの蓋体が開口された状態において、フ
ープF内の所定のスロットにあるウエハWをウエハ搬送
装置(CRA)13を用いてフープFから搬出し、ウエ
ハ受渡ユニット(TRS)14aに搬送してその場に載
置する。続いて、主ウエハ搬送装置(PRA)15がウ
エハ受渡ユニット(TRS)14aからウエハWを搬出
し、洗浄処理ユニット(CLU)21a〜21dのいず
れか、例えば、洗浄処理ユニット(CLU)21aに搬
入する。
First, a hoop F containing a predetermined number of wafers W in a state where the front surface is on the upper surface is placed on the mounting table 1.
Place on 1. Next, the window 9 is opened and closed by the window opening and closing mechanism 12.
2 and the lid of the hoop F are opened, the wafer W in a predetermined slot in the hoop F is unloaded from the hoop F using the wafer transfer device (CRA) 13 and is sent to the wafer delivery unit (TRS) 14a. It is transported and placed on the spot. Subsequently, the main wafer transfer device (PRA) 15 unloads the wafer W from the wafer transfer unit (TRS) 14a, and loads the wafer W into one of the cleaning processing units (CLU) 21a to 21d, for example, the cleaning processing unit (CLU) 21a. I do.

【0049】洗浄処理ユニット(CLU)21aに搬入
されたウエハWは、先に図7(b)および図8(b)を
参照しながら説明したように、少なくとも支持ピン25
bによって支持された状態となる。その後に図5に示し
た状態となるように、ウエハWに対して蓋体80とステ
ージ24の位置合わせを行う。
The wafer W carried into the cleaning processing unit (CLU) 21a has at least the support pins 25 as described with reference to FIGS. 7 (b) and 8 (b).
The state is supported by b. Thereafter, the lid 80 and the stage 24 are aligned with respect to the wafer W such that the state shown in FIG.

【0050】例えば、洗浄液供給孔41から円盤35と
ウエハWの間隙にSC−1を供給して円盤35とウエハ
Wとの間隙にSC−1の層を形成し、また、洗浄液供給
孔81から蓋体80とウエハWとの間隙にSC−1を供
給して蓋体80とウエハWとの間隙にSC−1の層を形
成する。SC−1の層が形成されたらSC−1の供給を
停止して、スピンプレート26を回転させることなくま
たはSC−1の層に遠心力が掛からない低回転数で回転
させて、ウエハWの表裏面がSC−1に接した状態で所
定時間放置する。このとき、ウエハWにおいて支持部材
71と当接している部分にはSC−1が行き渡らずに未
処理部分となる。保持部材25aの可動ピン62の保持
部64はウエハWに接していないか、または、底面64
aが軽くウエハWに接する程度であるために未処理部分
とはならない。
For example, SC-1 is supplied to the gap between the disk 35 and the wafer W from the cleaning liquid supply hole 41 to form a layer of SC-1 in the gap between the disk 35 and the wafer W. SC-1 is supplied to the gap between the lid 80 and the wafer W to form a layer of SC-1 in the gap between the lid 80 and the wafer W. When the SC-1 layer is formed, the supply of SC-1 is stopped, and the spin plate 26 is rotated without rotation or at a low rotation speed at which a centrifugal force is not applied to the SC-1 layer. It is left for a predetermined time while the front and back surfaces are in contact with SC-1. At this time, the portion of the wafer W that is in contact with the support member 71 is not processed because SC-1 does not spread. The holding portion 64 of the movable pin 62 of the holding member 25a is not in contact with the wafer W, or
Since a is lightly in contact with the wafer W, it is not an unprocessed portion.

【0051】その後に、SC−1の供給を再開しながら
スピンプレート26を所定の回転数で回転させると、重
錘63が遠心力によってスピンプレート26の外周側へ
移動し、保持部64がスピンプレート26の中心側へ移
動するように可動ピン62全体が回動して保持部材25
aによってウエハWが保持される。一方、支持ピン25
bについては、支持部材71が遠心力を受けることで連
結部材74が屈曲し、支持部材71がスピンプレート2
6の外側へ移動してウエハWから離隔する。こうして、
ウエハWの未処理部分にSC−1が行き渡り、液処理が
行われることとなる。
Thereafter, when the spin plate 26 is rotated at a predetermined number of revolutions while the supply of SC-1 is restarted, the weight 63 moves to the outer peripheral side of the spin plate 26 by centrifugal force, and the holding portion 64 rotates. The entire movable pin 62 rotates so as to move to the center side of the plate 26 and the holding member 25
a holds the wafer W. On the other hand, the support pins 25
b, the connecting member 74 is bent by the centrifugal force applied to the support member 71, and the support member 71 is
6 and is separated from the wafer W. Thus,
SC-1 spreads over the unprocessed portion of wafer W, and liquid processing is performed.

【0052】次に、一度、スピンプレート26の回転を
停止した状態または保持部材25aに遠心力が掛からな
いような低回転数で回転させた状態に戻して、円盤35
とウエハWの間隙および蓋体80とウエハWとの間隙に
純水(DIW)を供給してSC−1を洗い流すリンス処
理を行う。続いて、スピンチャック23を所定の回転
数、例えば、5000rpmで回転させることにより、
ウエハWの表面から純水(DIW)を除去する。この純
水(DIW)除去のための回転処理時に一時的に純水
(DIW)をウエハWに向けて供給することにより、ス
ピンプレート26が静止した状態で支持部材71が当接
していたウエハWの当接部分にも純水(DIW)を行き
渡らせてリンス処理を行うことができる。
Next, the disk 35 is returned to a state where the rotation of the spin plate 26 is stopped or a state where the rotation is performed at a low rotation speed such that a centrifugal force is not applied to the holding member 25a.
A rinsing process for supplying pure water (DIW) to the gap between the wafer W and the lid 80 and the gap between the lid 80 and washing the SC-1 is performed. Subsequently, by rotating the spin chuck 23 at a predetermined rotation speed, for example, 5000 rpm,
Pure water (DIW) is removed from the surface of the wafer W. By temporarily supplying pure water (DIW) toward the wafer W during the rotation process for removing the pure water (DIW), the wafer W against which the support member 71 has abutted while the spin plate 26 is stationary. The rinsing process can be performed by spreading pure water (DIW) to the abutting portion.

【0053】このリンス処理が終了したら、先にSC−
1による液処理とその後のリンス処理と同様に、DHF
による液処理とDHFを除去するリンス処理とを行い、
こうしてウエハWの表裏面の洗浄処理が終了する。洗浄
処理が終了したウエハWは、主ウエハ搬送装置(PR
A)15によって、ホットプレートユニット(HP)1
6a〜16cのいずれかへ搬送されてその場で加熱乾燥
処理され、次いで冷却ユニット(COL)16dに搬送
されて冷却処理される。冷却処理が終了したウエハW
は、主ウエハ搬送装置(PRA)15によって冷却ユニ
ット(COL)16dからウエハ受渡ユニット(TR
S)14bへ搬送され、その場に載置される。ウエハ受
渡ユニット(TRS)14bに載置されたウエハWは、
ウエハ搬送装置(CRA)13によってフープF内の所
定のスロットに戻される。このような作業をフープF内
に収納された全てのウエハWについて行い、全てのウエ
ハWの処理が終了したら、フープFを載置台11から次
の処理を行う装置等へ搬送する。
When this rinsing process is completed, the SC-
1 and the subsequent rinsing treatment,
And a rinsing treatment for removing DHF,
Thus, the cleaning process of the front and back surfaces of the wafer W is completed. The wafer W after the cleaning process is transferred to the main wafer transfer device (PR
A) The hot plate unit (HP) 1 according to 15
The sheet is conveyed to any one of 6a to 16c and subjected to heat drying processing on the spot, and then conveyed to a cooling unit (COL) 16d to be cooled. Wafer W after cooling process
Is transferred from the cooling unit (COL) 16d to the wafer delivery unit (TR) by the main wafer transfer device (PRA) 15.
S) The sheet is transported to 14b and placed there. The wafer W placed on the wafer delivery unit (TRS) 14b is
The wafer is returned to a predetermined slot in the FOUP F by the wafer transfer device (CRA) 13. Such an operation is performed for all the wafers W stored in the FOUP F, and when the processing of all the wafers W is completed, the FOUP F is transferred from the mounting table 11 to an apparatus for performing the next processing.

【0054】次に、スピンチャック23に用いられる支
持ピン25bの別の実施形態について説明する。図9は
支持ピン25cの概略構造とその動作形態を示す説明図
であり、図9(a)はスピンプレート26が静止した状
態を、図9(b)はスピンプレート26を回転させたと
きの状態を、それぞれ示している。
Next, another embodiment of the support pin 25b used in the spin chuck 23 will be described. 9A and 9B are explanatory views showing a schematic structure of the support pin 25c and an operation form thereof. FIG. 9A shows a state where the spin plate 26 is stationary, and FIG. 9B shows a state when the spin plate 26 is rotated. Each state is shown.

【0055】支持ピン25cは、支持部72が形成され
た支持部材71(支持ピン25bの支持部材71と同じ
構造を有する)と、スピンプレート26に固定された固
定部材76と、支持部材71と固定部材76とを連結す
る連結部材77と、を有している。連結部材77はヘア
ピンカーブ状に折り曲げられた屈曲形状を有しており、
間隙部77aの幅が変化するような弾性(バネ性)を有
している。図9(b)に示すように、スピンプレート2
6を回転させた際には、支持部材71の支持部72が回
転の外側に移動するように、間隙部77aの幅が広がる
ことで、支持部72がウエハWから離隔する。
The support pin 25c includes a support member 71 having the support portion 72 (having the same structure as the support member 71 of the support pin 25b), a fixing member 76 fixed to the spin plate 26, and a support member 71. And a connecting member 77 that connects the fixing member 76. The connecting member 77 has a bent shape bent into a hairpin curve shape,
It has elasticity (spring property) such that the width of the gap 77a changes. As shown in FIG. 9B, the spin plate 2
When the rotating member 6 is rotated, the width of the gap portion 77a is widened so that the supporting portion 72 of the supporting member 71 moves outside the rotation, so that the supporting portion 72 is separated from the wafer W.

【0056】以上、本発明の処理装置について説明して
きたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものでは
ない。例えば、連結部材74・77は、支持部材71の
支持部72が移動可能なように屈曲する等して変形する
ことができれば、その形状は棒状、ヘアピンカーブ状に
限定されず、例えば、蛇腹状であってもよい。また、固
定部材73・76にガイドを設けて、支持部材71をこ
のガイドに嵌合させ、バネ等の伸縮力と支持部材71に
掛かる遠心力とのバランスで支持部材71が固定部材7
3・76に対して水平方向にスライドするように構成す
ることもできる。
Although the processing apparatus of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, as long as the connection members 74 and 77 can be deformed by bending or the like so that the support portion 72 of the support member 71 can move, the shape is not limited to a bar shape or a hairpin curve shape. It may be. Further, guides are provided on the fixing members 73 and 76, and the support members 71 are fitted to the guides, and the support members 71 are fixed to the fixing members 7 by a balance between a stretching force of a spring or the like and a centrifugal force applied to the support members 71.
It may be configured to slide horizontally with respect to 3.76.

【0057】さらに、支持ピン25b・25cでは、支
持部72がウエハWの略水平方向へ移動する形態につい
て説明したが、支持部72が下方へ移動するように構成
することも可能である。支持部72を下方へ移動させる
際にも、スピンプレート26を回転させることによって
生ずる遠心力を利用することができる。例えば、支持部
材71よりも重い部材が遠心力によって回転の外側へ移
動する力を多関節機構によって下向きの力に変換し、支
持部材71を下方へ移動させることができる。
Further, in the support pins 25b and 25c, the description has been given of the mode in which the support portion 72 moves in a substantially horizontal direction of the wafer W. However, the support portion 72 may be configured to move downward. The centrifugal force generated by rotating the spin plate 26 can also be used when moving the support portion 72 downward. For example, the force of a member heavier than the support member 71 moving to the outside of rotation due to centrifugal force can be converted into a downward force by the multi-joint mechanism, and the support member 71 can be moved downward.

【0058】上記説明においては、支持ピンとして、支
持ピン25b・25cのように支持部材と固定部材と連
結部材とからなる構造のものについて説明したが、連結
部材は支持部材および/または固定部材と一体的構造で
あってもよい。また、固定部材73・76を設けること
なく、連結部材74・77を直接にスピンプレート26
に固定することも可能である。さらに、支持ピンとして
は、バネ性を有する1本の支柱が遠心力を受けたときに
支柱全体が屈曲し、その上部に形成された保持部が回転
の外側へ移動することができる弾性体を用いることもで
きる。
In the above description, the support pin has a structure including a support member, a fixing member, and a connecting member, such as the support pins 25b and 25c. It may be an integral structure. Further, the connecting members 74 and 77 are directly connected to the spin plate 26 without providing the fixing members 73 and 76.
It is also possible to fix to. Further, as the support pin, an elastic body that can bend the entire support when a single support having a spring property is subjected to centrifugal force and the holding portion formed on the upper support can move to the outside of rotation. It can also be used.

【0059】ウエハWを支持する支持部の形状は、ウエ
ハWの外周方向への移動を抑制し、かつ、ウエハWを支
持することができる形状であればよく、支持部72のよ
うに断面略L字型の形状に限定されるものではない。上
記実施の形態においては、基板として半導体ウエハを取
り上げたが、基板は半導体ウエハに限定されるものでは
なく、LCD基板やセラミック基板等であってもよい。
The shape of the supporting portion for supporting the wafer W may be any shape as long as the movement of the wafer W in the outer peripheral direction can be suppressed and the wafer W can be supported. The shape is not limited to the L-shape. In the above embodiment, a semiconductor wafer is taken as a substrate, but the substrate is not limited to a semiconductor wafer, and may be an LCD substrate, a ceramic substrate, or the like.

【0060】[0060]

【発明の効果】上述の通り、本発明の処理装置によれ
ば、基板を支持する支持部の位置を処理中に基板と当接
しない位置へ移動させることができるために、基板にお
いて常に支持部が当接している部分をなくすことができ
る。これによって未処理部分をなくして基板全体に所定
の処理を行い、基板の品質を高めることが可能となると
いう顕著な効果が得られる。また、支持部を基板から離
隔させても、その際には基板は保持機構によって保持さ
れているので、基板の脱落等を引き起こすことはない。
基板を回転させて処理する装置においては、遠心力を利
用することによって支持機構の構造を簡単なものとする
ことができ、これによって低コストで作製することがで
きる。
As described above, according to the processing apparatus of the present invention, the position of the supporting portion for supporting the substrate can be moved to a position where the supporting portion does not come into contact with the substrate during processing. Can be eliminated. As a result, a remarkable effect is obtained in that the predetermined processing can be performed on the entire substrate by eliminating the unprocessed portion, thereby improving the quality of the substrate. Further, even if the support portion is separated from the substrate, the substrate is held by the holding mechanism at that time, so that the substrate does not fall off.
In an apparatus for processing by rotating a substrate, the structure of the support mechanism can be simplified by utilizing centrifugal force, and thus, it can be manufactured at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態である洗浄処理ユニットを
具備する洗浄処理システムの概略構造を示す平面図。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a cleaning system including a cleaning unit according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した洗浄処理システムの概略構造を示
す側面図。
FIG. 2 is a side view showing a schematic structure of the cleaning processing system shown in FIG. 1;

【図3】図1に示した洗浄処理システムの概略断面図。FIG. 3 is a schematic sectional view of the cleaning processing system shown in FIG. 1;

【図4】洗浄処理ユニットの概略構造を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing a schematic structure of a cleaning unit.

【図5】洗浄処理ユニットにおけるウエハWの洗浄処理
時の状態を示す概略断面図。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a state during a cleaning process of a wafer W in the cleaning processing unit.

【図6】洗浄処理ユニットにおけるウエハWの搬入出時
の状態を示す概略断面図。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing a state when a wafer W is loaded and unloaded in the cleaning processing unit.

【図7】図5に示したスピンチャックに用いられる保持
部材の構造とその動作形態を示す説明図。
FIG. 7 is an explanatory view showing a structure of a holding member used in the spin chuck shown in FIG. 5 and an operation form thereof.

【図8】図5に示したスピンチャックに用いられる支持
ピンの構造とその動作形態を示す説明図。
FIG. 8 is an explanatory view showing a structure of a support pin used in the spin chuck shown in FIG. 5 and an operation form thereof.

【図9】スピンチャックに用いられる支持ピンの別の実
施形態とその動作形態を示す説明図。
FIG. 9 is an explanatory view showing another embodiment of a support pin used for a spin chuck and an operation form thereof.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1;洗浄処理システム 21a〜21d;洗浄処理ユニット(CLU) 22;処理カップ 23;スピンチャック 24;ステージ 25a;保持部材 25b・25c;支持ピン 26;スピンプレート 71;支持部材 72;支持部 73・76;固定部材 74・77;連結部材 F;フープ(収納容器) W;半導体ウエハ(基板) 1; cleaning processing system 21a to 21d; cleaning processing unit (CLU) 22; processing cup 23; spin chuck 24; stage 25a; holding members 25b and 25c; support pins 26; 76; fixing members 74 and 77; connecting members F; hoops (storage containers) W; semiconductor wafers (substrates)

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 643 H01L 21/68 N 5F043 21/306 21/306 J 5F046 21/68 21/30 572B Fターム(参考) 2H088 FA21 FA24 FA30 HA06 MA20 2H090 JC19 2H096 AA25 AA27 AA28 GA17 GA29 GA32 3B201 AA01 AB33 AB47 BB22 BB82 BB92 CC01 CC13 CD33 5F031 CA02 CA05 DA08 EA14 FA01 FA11 FA12 FA15 GA04 GA42 GA49 HA09 HA24 HA27 HA29 HA30 HA32 HA59 LA13 MA02 MA04 MA23 MA30 NA02 NA04 NA14 NA16 NA17 NA18 5F043 BB27 DD13 EE07 EE08 EE35 EE36 EE40 GG10 5F046 MA06 MA10 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H01L 21/304 643 H01L 21/68 N 5F043 21/306 21/306 J 5F046 21/68 21/30 572B F term (reference) 2H088 FA21 FA24 FA30 HA06 MA20 2H090 JC19 2H096 AA25 AA27 AA28 GA17 GA29 GA32 3B201 AA01 AB33 AB47 BB22 BB82 BB92 CC01 CC13 CD33 5F031 CA02 CA05 DA08 EA14 FA01 FA11 FA12 FA15 GA04 GA42 GA27 HA29 MA24 HA32 NA02 NA04 NA14 NA16 NA17 NA18 5F043 BB27 DD13 EE07 EE08 EE35 EE36 EE40 GG10 5F046 MA06 MA10

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の周縁部を支持する複数の支持部を
有する支持機構と、 基板を保持する保持機構と、 前記支持機構または前記保持機構に支持または保持され
た基板に対して所定の処理を施す処理機構と、 を具備し、 前記支持部は、基板を支持する支持位置と基板が前記保
持機構に保持されている状態において前記基板から離隔
した退避位置との間で移動可能であることを特徴とする
処理装置。
1. A supporting mechanism having a plurality of supporting portions for supporting a peripheral portion of a substrate, a holding mechanism for holding a substrate, and a predetermined process for the supporting mechanism or the substrate supported or held by the holding mechanism. Wherein the support unit is movable between a support position for supporting the substrate and a retracted position separated from the substrate in a state where the substrate is held by the holding mechanism. A processing device characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 基板の周縁部を支持する複数の支持部を
有する支持機構と、 基板を保持する保持機構と、 前記支持機構と前記保持機構が配設された回転板と、 前記回転板を回転させる回転装置と、 前記支持機構または前記保持機構に支持または保持され
た基板に対して所定の処理を施す処理機構と、 を具備し、 前記保持機構は、前記回転板を回転させた際に基板を保
持し、 前記支持部は、前記回転板を回転させた際に生ずる遠心
力によって、基板を支持する支持位置から前記保持機構
によって保持された基板から離隔した退避位置へ移動可
能であることを特徴とする処理装置。
2. A support mechanism having a plurality of support portions for supporting a peripheral portion of a substrate; a holding mechanism for holding the substrate; a rotating plate provided with the supporting mechanism and the holding mechanism; A rotating device for rotating, and a processing mechanism for performing a predetermined process on a substrate supported or held by the support mechanism or the holding mechanism, wherein the holding mechanism rotates the rotating plate when the rotating plate is rotated. Holding the substrate, wherein the support portion is movable from a support position for supporting the substrate to a retracted position separated from the substrate held by the holding mechanism by a centrifugal force generated when the rotating plate is rotated. A processing device characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 基板の周縁部の複数箇所において基板を
支持する支持機構と、 基板を保持する保持機構と、 前記支持機構と前記保持機構が配設された回転板と、 前記回転板を回転させる回転装置と、 前記支持機構または前記保持機構に支持または保持され
た基板に対して所定の処理を施す処理機構と、 を具備し、 前記支持機構は、 前記回転板に固定された固定部材と、 基板を支持する支持部を有する支持部材と、 前記固定部材と前記支持部材とを連結し、前記回転板を
回転させた際に前記支持部材に掛かる遠心力によって前
記支持部が回転の外側へ移動するように変形する連結部
材と、 を有することを特徴とする処理装置。
3. A support mechanism for supporting a substrate at a plurality of locations on a peripheral portion of the substrate, a holding mechanism for holding the substrate, a rotating plate provided with the supporting mechanism and the holding mechanism, and rotating the rotating plate. And a processing mechanism for performing a predetermined process on the substrate supported or held by the support mechanism or the holding mechanism, wherein the support mechanism comprises: a fixing member fixed to the rotating plate; A supporting member having a supporting portion for supporting a substrate, the fixing member and the supporting member being connected, and the centrifugal force applied to the supporting member when rotating the rotating plate causes the supporting portion to move outward from the rotation. A processing apparatus, comprising: a connecting member that deforms so as to move.
【請求項4】 前記固定部材は前記支持部材側に凹部を
有し、前記連結部材は、前記凹部の底面および前記支持
部材の底面とを連結し、かつ、前記凹部の内周面との間
に所定の隙間を有する屈曲可能な棒状部材であることを
特徴とする請求項3に記載の処理装置。
4. The fixing member has a concave portion on the support member side, and the connecting member connects a bottom surface of the concave portion and a bottom surface of the support member, and is provided between an inner peripheral surface of the concave portion. The processing apparatus according to claim 3, wherein the processing apparatus is a bendable rod-shaped member having a predetermined gap.
【請求項5】 前記連結部材は、前記支持部材と前記固
定部材とを連結する板バネであることを特徴とする請求
項3に記載の処理装置。
5. The processing apparatus according to claim 3, wherein the connecting member is a leaf spring that connects the supporting member and the fixing member.
【請求項6】 前記板バネは、屈曲した形状を有するこ
とを特徴とする請求項5に記載の処理装置。
6. The processing apparatus according to claim 5, wherein the leaf spring has a bent shape.
【請求項7】 前記保持機構は、基板を保持するピン部
材と前記ピン部材に接合された重錘と、前記ピン部材を
釣支するベース部とを有し、 前記回転板を回転させた際に前記重錘が遠心力によって
回転の外側へ移動すると同時に前記ピン部材は基板に当
接する部分が回転の内側へ移動して基板を保持する力が
増大することを特徴とする請求項1から請求項6のいず
れか1項に記載の処理装置。
7. The holding mechanism has a pin member for holding a substrate, a weight joined to the pin member, and a base portion for supporting the pin member, and when the rotating plate is rotated. The portion in which the weight moves to the outside of the rotation by centrifugal force, and at the same time, the portion of the pin member that contacts the substrate moves to the inside of the rotation to increase the force for holding the substrate. Item 7. The processing device according to any one of items 6.
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