JP2002236900A - Contact-noncontact common use type ic module and method of manufacturing - Google Patents
Contact-noncontact common use type ic module and method of manufacturingInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ICカード,SI
M,ICタグなどに使用される接触・非接触兼用型IC
モジュールとその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an IC card, an SI
Contact / non-contact type IC used for M, IC tags, etc.
The present invention relates to a module and a method for manufacturing the module.
【0002】[0002]
【従来の技術】接触・非接触兼用型ICカードは、カー
ドの外部端子と外部処理装置の端子とを接触させて、デ
ータの送受信を行う接触方式の機能と、電磁波でデータ
の送受信を行うアンテナコイルとデータ処理のためのI
C回路を内蔵し、外部処理装置との間の読み書きをいわ
ゆる無線方式で行うと共に、IC回路の駆動電力が電磁
誘導で供給され、バッテリを内蔵しない非接触方式の機
能とを、1枚のカードに持たせたものである。2. Description of the Related Art A contact / non-contact type IC card has a contact type function of transmitting and receiving data by contacting an external terminal of the card with a terminal of an external processing device, and an antenna for transmitting and receiving data by electromagnetic waves. I for coil and data processing
A card that has a built-in C circuit, performs reading and writing with an external processing device by a so-called wireless system, and is supplied with driving power of an IC circuit by electromagnetic induction and has a non-contact system function that does not include a battery. It is what we have.
【0003】特開平7−239922号は、ICカード
用のICモジュールとして、表面にアンテナの導体パタ
ーンと、端子電極の導体パターンとをそれぞれ設け、こ
れらの導体パターンをスルーホールを介して、ICモジ
ュール内部のICチップと電気的に接続する発明が開示
されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-239922 discloses an IC module for an IC card in which a conductor pattern of an antenna and a conductor pattern of a terminal electrode are provided on the surface, respectively, and these conductor patterns are provided through through holes. An invention for electrically connecting to an internal IC chip is disclosed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
のICモジュールは、表面にアンテナの導体パターンが
あるので、接触用の外部処理装置に挿入したときに、ア
ンテナがショートしたり、傷付いたりする可能性があっ
た。また、特開平7−239922号には、ICモジュ
ールの製造方法について、特に詳しい説明はないが、簡
単な工程の製造方法の開発が求められていた。However, in the above-mentioned conventional IC module, since the antenna has a conductor pattern on the surface, the antenna may be short-circuited or damaged when inserted into an external processing device for contact. Could be. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-239922 does not specifically describe a method of manufacturing an IC module, but has demanded the development of a method of manufacturing a simple process.
【0005】本発明の課題は、信頼性が高く、簡単な工
程で製造できる接触・非接触兼用型ICモジュールとそ
の製造方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a contact / non-contact type IC module which is highly reliable and can be manufactured by a simple process, and a method of manufacturing the same.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項1の発明は、基板と、前記基板の表側に形成
された接触用端子と、前記基板に形成され、前記接触用
端子を前記基板の裏側に電気的に接続する導電パターン
付きの貫通部と、前記基板の裏側に形成された非接触通
信用アンテナと、前記基板の裏側に搭載された接触・非
接触兼用型のICチップと、前記ICチップの接続端子
部と前記貫通部の導電パターン及び前記非接触通信用ア
ンテナの接続端子部とを電気的に接続する接続手段と、
を備えた接触・非接触兼用型ICモジュールである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a substrate; a contact terminal formed on a front side of the substrate; and the contact terminal formed on the substrate. Through hole with a conductive pattern for electrically connecting the antenna to the back side of the substrate, a non-contact communication antenna formed on the back side of the substrate, and a contact / non-contact type IC mounted on the back side of the substrate. Connecting means for electrically connecting the chip, the connection terminal portion of the IC chip, the conductive pattern of the penetrating portion, and the connection terminal portion of the non-contact communication antenna;
This is a contact / non-contact type IC module having:
【0007】請求項2の発明は、請求項1に記載された
接触・非接触兼用型ICモジュールにおいて、前記非接
触通信用アンテナは、アンテナ内側領域に対して前記接
触用端子をずらして配置することにより、その前記接触
用端子と干渉しないアンテナ有効領域が確保されている
こと、を特徴とする接触・非接触兼用型ICモジュール
である。According to a second aspect of the present invention, in the contact / non-contact type IC module according to the first aspect, the non-contact communication antenna is arranged such that the contact terminal is shifted with respect to the antenna inner area. Thus, an effective antenna area that does not interfere with the contact terminal is ensured, thereby providing a contact / non-contact type IC module.
【0008】請求項3の発明は、請求項2に記載された
接触・非接触兼用型ICモジュールにおいて、前記接触
用端子は、外部接続端子部が2列に配置されており、前
記非接触通信用アンテナは、前記2列の外部接続端子部
の間を通っていること、を特徴とする接触・非接触兼用
型ICモジュールである。According to a third aspect of the present invention, in the contact / non-contact type IC module according to the second aspect, the contact terminals have external connection terminal portions arranged in two rows, and the contactless communication is carried out. The contact antenna passes between the two rows of external connection terminals, and is a contact / non-contact type IC module.
【0009】請求項4の発明は、請求項1から請求項3
までのいずれか1項に記載された接触・非接触兼用型I
Cモジュールにおいて、前記基材は、両面に銅スパッタ
リング層が形成されたポリイミド基板であること、を特
徴とする接触・非接触兼用型ICモジュールである。[0009] The invention of claim 4 is the invention of claims 1 to 3.
Contact / non-contact type I described in any one of
In the C module, the base material is a polyimide substrate having a copper sputtering layer formed on both surfaces, and is a contact / non-contact type IC module.
【0010】請求項5の発明は、請求項1から請求項3
までのいずれか1項に記載された接触・非接触兼用型I
Cモジュールにおいて、前記基材は、両面に銅箔層が形
成されたガラスクロス入りエポキシ樹脂基板であるこ
と、を特徴とする接触・非接触兼用型ICモジュールで
ある。[0010] The invention of claim 5 is the invention of claims 1 to 3.
Contact / non-contact type I described in any one of
In the C module, the base material is a glass cloth-containing epoxy resin substrate having copper foil layers formed on both sides, and is a contact / non-contact type IC module.
【0011】請求項6の発明は、請求項1から請求項4
までのいずれか1項に記載の接触・非接触兼用型ICモ
ジュールを製造する接触・非接触兼用ICモジュールの
製造方法において、前記基材に、前記接触用端子の接続
端子部に連通する貫通部を形成する貫通部形成工程と、
前記基材の両面に、めっきにより、前記非接触通信用ア
ンテナの導電パターン,前記接触用端子の導電パターン
及び前記貫通部の導電パターンを少なくとも1層積み上
げるめっき工程と、前記基板の裏側に前記ICチップを
搭載するICチップ搭載工程と、前記ICチップの接続
端子部と前記貫通部の導電パターン及び前記非接触通信
用アンテナの接続端子部とを電気的に接続する接続工程
と、を備える接触・非接触兼用ICモジュールの製造方
法である。[0011] The invention of claim 6 is the invention of claims 1 to 4.
The method for manufacturing a contact / non-contact type IC module for manufacturing a contact / non-contact type IC module according to any one of the above, wherein the through-hole communicating with the connection terminal portion of the contact terminal is provided on the base material. Forming a penetrating portion;
A plating step of stacking at least one layer of the conductive pattern of the non-contact communication antenna, the conductive pattern of the contact terminal, and the conductive pattern of the penetrating portion on both sides of the base by plating; An IC chip mounting step of mounting a chip; and a connection step of electrically connecting a connection terminal of the IC chip with a conductive pattern of the through-hole and a connection terminal of the non-contact communication antenna. This is a method for manufacturing a non-contact IC module.
【0012】請求項7の発明は、請求項1から請求項
3、請求項5のいずれか1項に記載の接触・非接触兼用
型ICモジュールを製造する接触・非接触兼用ICモジ
ュールの製造方法において、前記基材に、前記接触用端
子の接続端子部に連通する貫通部を形成する貫通部形成
工程と、前記基材の両面に、前記非接触通信用アンテナ
の導電パターン及び前記接触用端子の導電パターンを、
エッチングにより形成するエッチング工程と、前記基板
の裏側に前記ICチップを搭載するICチップ搭載工程
と、前記ICチップの接続端子部と前記貫通部の導電パ
ターン及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部とを
電気的に接続する接続工程と、を備える接触・非接触兼
用ICモジュールの製造方法。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a contact / non-contact type IC module for manufacturing the contact / non-contact type IC module according to any one of the first to third aspects and the fifth aspect. In the base material, a penetrating portion forming step of forming a penetrating portion communicating with the connection terminal portion of the contact terminal, and a conductive pattern of the non-contact communication antenna and the contact terminal on both surfaces of the base material The conductive pattern of
An etching step of forming by etching, an IC chip mounting step of mounting the IC chip on the back side of the substrate, a connection terminal portion of the IC chip, a conductive pattern of the through portion, and a connection terminal portion of the non-contact communication antenna. And a connection step of electrically connecting the IC module to the IC module.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面等を参照して、本発明
の実施の形態について、さらに詳しくに説明する。 (第1実施形態)図1〜図3は、本発明による接触・非
接触兼用型ICモジュールとその製造方法の第1実施形
態を示す図である。Embodiments of the present invention will be described below in more detail with reference to the drawings. (First Embodiment) FIGS. 1 to 3 are views showing a first embodiment of a contact / non-contact type IC module and a method of manufacturing the same according to the present invention.
【0014】第1実施形態の接触・非接触兼用型ICモ
ジュール110は、図3(i)に示すように、SIMの
大きさの基板111と、基板111の表側に形成された
接触用端子114Bと、基板111に形成され、接触用
端子114Bを基板111の裏側に電気的に接続する導
電パターン114C付きの貫通部118と、基板111
の裏側に形成された非接触通信用アンテナ114Aと、
基板111の裏側に搭載された接触・非接触兼用型のI
Cチップ115と、ICチップ115の接続端子部と貫
通部118の導電パターン114C及び非接触通信用ア
ンテナ114Aの接続端子部とを電気的に接続するボン
ディングワイヤ116と、基板111の裏面を封止する
封止材117等とを備えている。As shown in FIG. 3 (i), a contact / non-contact type IC module 110 according to the first embodiment includes a substrate 111 of SIM size and contact terminals 114B formed on the front side of the substrate 111. A penetrating portion 118 formed on the substrate 111 and having a conductive pattern 114C for electrically connecting the contact terminal 114B to the back side of the substrate 111;
A non-contact communication antenna 114A formed on the back side of
Contact / non-contact type I mounted on the back side of the substrate 111
Sealing the back surface of the substrate 111 and the bonding wire 116 for electrically connecting the C chip 115, the connection terminal portion of the IC chip 115, the conductive pattern 114C of the through portion 118, and the connection terminal portion of the non-contact communication antenna 114A. Sealing material 117 and the like.
【0015】第1実施形態は、基材111として、両面
に銅スパッタリング層112が形成されたポリイミド基
板が用いられている。この銅スパッタリング層付きポリ
イミド基板は、量産されており、市場から安価に入手で
きるという利点がある。In the first embodiment, a polyimide substrate having a copper sputtering layer 112 formed on both surfaces is used as the substrate 111. This polyimide substrate with a copper sputtering layer is mass-produced and has the advantage that it can be obtained at low cost from the market.
【0016】第1実施形態の接触・非接触兼用型ICモ
ジュールの製造方法は、スパッタリング工程#11と、
貫通部形成工程#12と、めっき工程#13と、ICチ
ップ搭載工程#14と、接続工程#15と、封止工程#
16等とを備えている。The method of manufacturing the contact / non-contact type IC module according to the first embodiment includes a sputtering step # 11,
Penetration part formation step # 12, plating step # 13, IC chip mounting step # 14, connection step # 15, sealing step #
16 and the like.
【0017】スパッタリング工程#11は、基板111
の両面に銅スパッタリング層112を形成する工程であ
る。例えば、図1(a)に示すような25μmのポリイ
ミドフィルムからなる基板111の両面に、スパッタ装
置により銅スパッタリング層112を0.25μmの厚
みで形成する[図1(b)]。なお、この工程は、前述
した銅スパッタリング層付きポリイミド基板を用いる場
合には、省略することができる。In the sputtering step # 11, the substrate 111
This is a step of forming a copper sputtering layer 112 on both surfaces of the substrate. For example, a copper sputtering layer 112 having a thickness of 0.25 μm is formed on both surfaces of a substrate 111 made of a 25 μm polyimide film as shown in FIG. 1A by a sputtering apparatus [FIG. 1B]. This step can be omitted when the above-mentioned polyimide substrate with a copper sputtering layer is used.
【0018】貫通部形成工程#12は、基材111に、
接触用端子114Bの接続端子部に連通する貫通部11
8を、例えば、レーザ孔あけ機により形成する工程であ
る[図1(c)]。The penetrating portion forming step # 12 includes the steps of:
Penetration portion 11 communicating with connection terminal portion of contact terminal 114B
8 is, for example, a step of forming with a laser drilling machine [FIG. 1 (c)].
【0019】めっき工程#13は、基材111の両面
に、めっきにより、非接触通信用アンテナ114Aの導
電パターン,接触用端子114Bの導電パターン及び貫
通部118の導電パターン114Cを少なくとも1層積
み上げる工程である。まず、基板111の銅スパッタリ
ング層112に、感光性ドライフィルムレジスト113
を、両面にラミネートし、露光、現像して、めっきの開
口パターン113aを作製する[図1(d)]。開口パ
ターン113aに、銅めっき、ニッケルめっき、金めっ
き工程を、それぞれ水洗工程を間にはさみ、連続めっき
して、めっき層114を形成する[図1(e)]。感光
性ドライフィルムレジスト113を剥離し[図2
(f)]、銅スパッタリング層112をソフトエッチン
グ処理により除去して、非接触通信用アンテナ114
A,接触用端子114B及び貫通部118の導電パター
ン114Cを形成する[図2(g)]。The plating step # 13 is a step of stacking at least one layer of the conductive pattern of the non-contact communication antenna 114A, the conductive pattern of the contact terminal 114B, and the conductive pattern 114C of the through portion 118 on both surfaces of the base material 111 by plating. It is. First, a photosensitive dry film resist 113 is formed on the copper sputtering layer 112 of the substrate 111.
Is laminated on both sides, exposed and developed to produce an opening pattern 113a for plating [FIG. 1 (d)]. Copper plating, nickel plating, and gold plating steps are interposed between the opening pattern 113a and the water washing step, respectively, and are successively plated to form a plating layer 114 (FIG. 1E). The photosensitive dry film resist 113 is peeled off [FIG.
(F)], the copper sputtering layer 112 is removed by soft etching, and the non-contact communication antenna 114 is removed.
A, a contact terminal 114B and a conductive pattern 114C of the penetrating portion 118 are formed [FIG. 2 (g)].
【0020】ICチップ搭載工程#14は、基板111
の裏側にICチップ115を搭載する工程である。例え
ば、接触・非接触兼用型のICチップ115を接着剤で
接着する[図2(h)]。In the IC chip mounting step # 14, the substrate 111
This is the step of mounting the IC chip 115 on the back side of the device. For example, a contact / non-contact type IC chip 115 is bonded with an adhesive [FIG. 2 (h)].
【0021】接続工程#15は、ICチップ115の接
続端子部と、非接触通信用アンテナ114A及び貫通部
118の導電パターン114Cの接続端子部とを、ボン
ディングワイヤ116によって、電気的に接続する工程
である[図2(h)]。封止工程#16は、基板111
の裏面のICチップ115,ボンディングワイヤ116
等を封止材117で封止する工程である[図2
(i)]。The connection step # 15 is a step of electrically connecting the connection terminal of the IC chip 115 and the connection terminal of the non-contact communication antenna 114A and the conductive pattern 114C of the penetrating part 118 by the bonding wire 116. [FIG. 2 (h)]. The sealing step # 16 is performed on the substrate 111
IC chip 115 and bonding wire 116 on the back surface of
And the like are sealed with a sealing material 117 [FIG.
(I)].
【0022】第1実施形態によれば、非接触通信用アン
テナ114Aが基板111の裏面側に設けられているの
で、接触用の外部処理装置に挿入した場合に、接触し
て、アンテナがショートしたり、傷付いたりすることは
なくなった。According to the first embodiment, since the non-contact communication antenna 114A is provided on the back side of the substrate 111, when the antenna is inserted into the external processing device for contact, the antenna comes into contact and the antenna is short-circuited. No longer hurt or damaged.
【0023】また、めっきにより、非接触通信用アンテ
ナ114Aの導電パターン,接触用端子114Bの導電
パターン及び貫通部118の導電パターン114Cを一
度に形成しているので、工程が簡素化できる。特に、非
接触通信用アンテナ114Aの導電パターンは、めっき
により、微細化できる利点がある。つまり、細い線幅と
スペースが実現でき、ピッチを狭くできるので、非接触
通信用アンテナ114Aの導電パターンを高密度で形成
することができる。例えば、線幅20μm、スペース2
0μm(40μmのピッチ)が可能である。めっきは、
ホトレジストによって壁を立てて成長させるので、非常
にパターン形状がよく形成できるからである。従って、
SIMのような小型の媒体の場合には、コイルの巻数を
増やせるので好適である。なお、エッチングは、削って
いくので、サイドエッジが回り込み、線幅40μm、ス
ペース40μm(80μmのピッチ)がほぼ限界であ
る。Further, since the conductive pattern of the non-contact communication antenna 114A, the conductive pattern of the contact terminal 114B, and the conductive pattern 114C of the through portion 118 are formed at one time by plating, the process can be simplified. In particular, there is an advantage that the conductive pattern of the non-contact communication antenna 114A can be miniaturized by plating. That is, a thin line width and space can be realized and the pitch can be narrowed, so that the conductive pattern of the non-contact communication antenna 114A can be formed at a high density. For example, line width 20 μm, space 2
0 μm (pitch of 40 μm) is possible. The plating is
This is because the photoresist is grown upright, so that a very good pattern shape can be formed. Therefore,
In the case of a small medium such as a SIM, the number of turns of the coil can be increased, which is preferable. Since the etching is shaving, the side edge goes around and the line width is 40 μm and the space 40 μm (pitch of 80 μm) is almost the limit.
【0024】(第2実施形態)図4〜図6は、本発明に
よる接触・非接触兼用型ICモジュールとその製造方法
の第2実施形態を示す図である。なお、以下に示す各実
施形態では、前述した第1実施形態と同様な機能を果た
す部分には、同一の符号又は末尾に共通した符号を付し
て、重複する図面や説明を適宜省略する。(Second Embodiment) FIGS. 4 to 6 are views showing a contact / non-contact type IC module according to the present invention and a method of manufacturing the same according to a second embodiment. In the following embodiments, portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals or the same reference numerals at the end, and overlapping drawings and descriptions will be omitted as appropriate.
【0025】第2実施形態は、基材111−2として、
両面に銅箔層111−2が形成されたガラスクロス入り
エポキシ樹脂基板が用いられている。ガラスクロス入り
エポキシ樹脂基板は、強度や適度な柔軟性があり、可撓
性もあるうえ、衝撃にも強い。このガラスクロス入りエ
ポキシ樹脂基板も、量産されており、市場から安価に入
手できるという利点がある。また、第1実施形態のめっ
き工程#13の代わりに、エッチング工程#13−2が
行なわれる点で相違する。In the second embodiment, as the base material 111-2,
An epoxy resin substrate containing a glass cloth having a copper foil layer 111-2 formed on both surfaces is used. The glass cloth-containing epoxy resin substrate has strength, moderate flexibility, flexibility, and resistance to impact. This glass-cloth-containing epoxy resin substrate is also mass-produced and has the advantage that it can be obtained at low cost from the market. The difference is that an etching step # 13-2 is performed instead of the plating step # 13 of the first embodiment.
【0026】次に、第2実施形態の接触・非接触兼用型
ICモジュール110−2の構造を、その製造方法と共
に説明する。第2実施形態では、50μmのガラスエポ
キシ材からなる基材111−2の両面に、銅箔層112
−2を100μmの厚みで形成する[図4(b),銅箔
層形成工程#11−2)。なお、この工程は、前述した
ガラスクロス入りエポキシ樹脂基板を用いる場合には、
省略することができる。そして、レーザ孔あけ機によ
り、貫通部118を形成する[図4(c),貫通部形成
工程#12]。Next, the structure of the contact / non-contact type IC module 110-2 of the second embodiment will be described together with the method of manufacturing the same. In the second embodiment, a copper foil layer 112 is provided on both sides of a base material 111-2 made of a 50 μm glass epoxy material.
-2 with a thickness of 100 μm [FIG. 4 (b), copper foil layer forming step # 11-2]. This step is performed when the above-described epoxy resin substrate containing glass cloth is used.
Can be omitted. Then, a penetrating portion 118 is formed by a laser drilling machine [FIG. 4 (c), penetrating portion forming step # 12].
【0027】ついで、基材111−2の両面を、非接触
通信用アンテナの導電パターン,接触用端子の導電パタ
ーン及び貫通部118の導電パターンを、エッチングに
より形成するエッチング工程#13−2が行なわれる。
まず、無電解めっきによって、全面(基板111−2の
表裏面の銅箔層112−2及び貫通部118の内壁面)
に、5μmの無電解銅めっき層114−2を形成する
[図4(d)]。感光性ドライフィルムレジスト113
−2を両面にラミネート、露光、現像して、エッチング
パターンを作製する[図4(e)]。そして、このエッ
チングパターンをマスクとして、エッチングを行う[図
5(f)]。ついで、感光性ドライフィルムレジスト1
13−2を剥離して、非接触通信用アンテナ114−2
A,接触用端子114−2B及び貫通部118の導電パ
ターン114−2Cを形成する[図5(g)]。Next, an etching step # 13-2 is performed on both surfaces of the base material 111-2 to form a conductive pattern of the non-contact communication antenna, a conductive pattern of the contact terminal, and a conductive pattern of the through portion 118 by etching. It is.
First, the entire surface (the copper foil layers 112-2 on the front and back surfaces of the substrate 111-2 and the inner wall surfaces of the penetrating portions 118) are formed by electroless plating.
Then, a 5 μm electroless copper plating layer 114-2 is formed [FIG. 4 (d)]. Photosensitive dry film resist 113
-2 is laminated on both sides, exposed and developed to produce an etching pattern [FIG. 4 (e)]. Then, etching is performed using this etching pattern as a mask [FIG. 5 (f)]. Then, photosensitive dry film resist 1
13-2 is peeled off, and the contactless communication antenna 114-2 is removed.
A, the contact terminal 114-2B and the conductive pattern 114-2C of the penetrating part 118 are formed [FIG. 5 (g)].
【0028】さらに、基板111−2の裏側にICチッ
プ115を接着剤で接着し[図5(h),ICチップ搭
載工程#14]、ICチップ115の接続端子部と、非
接触通信用アンテナ114−2A及び貫通部118の導
電パターン114−2Cの接続端子部とを、ボンディン
グワイヤ116によって、電気的に接続する[図5
(h),接続工程#15]。最後に、基板111の裏面
のICチップ115,ボンディングワイヤ116等を封
止材117で封止する[図5(h),封止工程#1
6]。Further, the IC chip 115 is adhered to the back side of the substrate 111-2 with an adhesive [FIG. 5 (h), IC chip mounting step # 14], and the connection terminals of the IC chip 115 and the antenna for non-contact communication are provided. The connection terminals 114-2A and the connection terminals of the conductive patterns 114-2C of the through portions 118 are electrically connected by bonding wires 116 [FIG.
(H), connection step # 15]. Finally, the IC chip 115, the bonding wires 116, etc. on the back surface of the substrate 111 are sealed with a sealing material 117 [FIG. 5 (h), sealing step # 1].
6].
【0029】第2実施形態によれば、第1実施形態の製
造方法に比較して、さらに、簡単な工程で製造すること
ができる利点がある。According to the second embodiment, as compared with the manufacturing method of the first embodiment, there is an advantage that the manufacturing can be further performed by simple steps.
【0030】(第3実施形態)図7は、本発明による接
触・非接触兼用型ICモジュールの第3実施形態を示す
図である。第3実施形態の接触・非接触兼用型ICモジ
ュール110−3は、ボンディングワイヤ116の代わ
りに、ICチップ115にバンプ116−3を設け、I
Cチップ搭載工程と、接続工程とを同時に行なうように
して製造してある。従って、製造工程がさらに簡素化さ
れると共に、結線の安定性や信頼性が極めて高い、とい
う効果がある。なお、第3実施形態の場合には、封止材
による封止工程は、必ずしも必要ではなく、SIM等の
基材を成形する他のシートとラミネートするだけでも、
封止効果をあげることができる。(Third Embodiment) FIG. 7 is a view showing a contact / non-contact type IC module according to a third embodiment of the present invention. In the contact / non-contact type IC module 110-3 according to the third embodiment, a bump 116-3 is provided on an IC chip 115 instead of the bonding wire 116, and
It is manufactured so that the C chip mounting step and the connecting step are performed simultaneously. Therefore, the manufacturing process is further simplified, and the stability and reliability of the connection are extremely high. In the case of the third embodiment, the sealing step using a sealing material is not always necessary, and even if the sheet is laminated with another sheet for forming a base material such as a SIM,
The sealing effect can be improved.
【0031】(第4実施形態)図8は、本発明による接
触・非接触兼用型ICモジュールの第4実施形態を示す
図である。第4実施形態の接触・非接触兼用型ICモジ
ュール110−4では、非接触通信用アンテナ114−
4Aは、アンテナ内側領域Bに対して、接触用端子11
4−4Bを左側にずらして配置することにより、その接
触用端子114−4Bと干渉しないアンテナ有効領域C
が確保されている。具体的には、図8(b)のように、
接触用端子114−4Bは、外部接続端子部114−4
B−1が2列に配置されており、非接触通信用アンテナ
114−4Aは、2列の外部接続端子部114−4B−
1の間を通っていれば、より干渉の少ないアンテナ有効
領域Cが確保できると共に、アンテナ114−4Aの端
部114−4A−1をICチップの接続端子部に接続し
やすい。(Fourth Embodiment) FIG. 8 is a view showing a contact / non-contact type IC module according to a fourth embodiment of the present invention. In the contact / non-contact type IC module 110-4 of the fourth embodiment, the non-contact communication antenna 114-
4A is a contact terminal 11 with respect to the antenna inner area B.
By displacing 4-4B to the left, the antenna effective area C that does not interfere with the contact terminal 114-4B.
Is secured. Specifically, as shown in FIG.
The contact terminal 114-4B is connected to the external connection terminal 114-4.
B-1 are arranged in two rows, and the non-contact communication antenna 114-4A has two rows of external connection terminal sections 114-4B-
1, the antenna effective area C with less interference can be secured, and the end 114-4A-1 of the antenna 114-4A can be easily connected to the connection terminal of the IC chip.
【0032】非接触ICモジュールにおいて、大きな通
信距離を安定して確保するためには、非接触用アンテナ
(以下、コイルアンテナ)114−4Aの面積が大きけ
ればければ大きいほどよい。しかし、コイルアンテナ1
14−4Aが大きければ、製造コストは、材料費も含
め、面積に比例して大きくなることから、通信に必要な
最低限の大きさであればよい。コイル面積と通信特性に
ついて、検討した結果、ISO14443TypeA及びTypeB方式
を前提として、最低限必要なコイルの大きさは、コイル
の形状やピッチで異なるものの、面積として、概ね10
mm2 以上は最低必要であり、400mm2 あれば十分
であることが判明した。In the non-contact IC module, in order to stably secure a large communication distance, the larger the area of the non-contact antenna (hereinafter, coil antenna) 114-4A, the better. However, coil antenna 1
If 14-4A is large, the manufacturing cost, including the material cost, increases in proportion to the area, so that the minimum size required for communication is sufficient. As a result of studying the coil area and communication characteristics, the minimum required coil size differs depending on the coil shape and pitch, assuming ISO 14443 Type A and Type B methods.
It was found that at least mm 2 was the minimum required, and 400 mm 2 was sufficient.
【0033】さらに、カード又はモジュールの大きさ、
形状は、規格により大きさが決められている場合に、特
に、小型のモジュールで寸法が機器の制約で約2cm角
以内と限られている場合など、自ずとコイルアンテナ1
14−4Aの大きさをICモジュール110に対して、
全面に使うことが必要とされ、コイルアンテナ114−
4Aは、ICモジュール110の外周一杯に形成するこ
とが要求される。この制約から、コイルアンテナ114
−4Aのデザインルールとして、外周はなるべく大き
く、そのピッチを狭めて配置した方がよい。ピッチとし
ては、100μm以下、最も望ましくは、50μm以下
である。また、ピッチが20μm以下になると、安定し
て作製することが難しくなる。また、フエースダウン型
のフリップチップ実装を行うと、ICモジュール110
の厚みを薄くでき、望ましい。第3実施形態では、接触
用端子114−4Bの外部接続端子部114−4B−1
間をコイル配線が通るように設置する必要があり、この
場合も、ピッチを100μm以下、最も望ましくは、5
0μm以下にすると、デザイン上設計の自由度が確保で
き、コイルアンテナ114−4Aの内側面積を大きくす
ることができる。Further, the size of the card or module,
When the size is determined by the standard, especially when the size of a small module is limited to about 2 cm square or less due to the restriction of equipment, the coil antenna 1 is naturally used.
The size of 14-4A with respect to the IC module 110
It is necessary to use it on the entire surface, and the coil antenna 114-
4A is required to be formed over the entire outer periphery of the IC module 110. From this restriction, the coil antenna 114
According to the design rule of -4A, the outer circumference is as large as possible, and it is better to arrange the outer circumference with a smaller pitch. The pitch is 100 μm or less, most preferably 50 μm or less. Further, when the pitch is 20 μm or less, it is difficult to stably manufacture. When face-down type flip chip mounting is performed, the IC module 110
Can be reduced in thickness, which is desirable. In the third embodiment, the external connection terminal portion 114-4B-1 of the contact terminal 114-4B is used.
It is necessary to install the coil wiring so as to pass between them, and also in this case, the pitch is 100 μm or less,
When the thickness is 0 μm or less, the degree of freedom in design can be ensured, and the inner area of the coil antenna 114-4A can be increased.
【0034】また、コイルアンテナ114−4Aの膜厚
としては、デザインルールが小さくなると抵抗が大きく
なるため、望ましくは、5μm以上、最も望ましくは、
10μm以上である。コイルアンテナ114−4Aの膜
厚を大きくすると、安定して作製することが難しくなる
ため、30μm以下にすることが望ましい。これらのデ
ザインルールを満足するためには、コイルアンテナ11
4−4Aの作製方法は、エッチング法かめっきによるセ
ミアディテイブ法による方法のどちらかであるが、ピッ
チ50μm以下に作製する場合は、めっきによるセミア
デティブ法に限られる。The thickness of the coil antenna 114-4A is desirably 5 μm or more, and most desirably, because the resistance increases as the design rule decreases.
10 μm or more. When the film thickness of the coil antenna 114-4A is increased, it is difficult to stably manufacture the coil antenna 114-4A. In order to satisfy these design rules, the coil antenna 11
The method of producing 4-4A is either an etching method or a semi-additive method by plating. However, in the case of producing a pitch of 50 μm or less, the method is limited to the semi-additive method by plating.
【0035】また、接触・非接触兼用ICモジュール1
10においては、接触用端子114−4Bと非接触用ア
ンテナ114−4Aを、同一モジュール内に形成する必
要がある。一般に、非接触用アンテナ114−4Aの内
部に置かれた、金属部分は電磁波の遮蔽効果を持ち、通
信の障害となる。よって、ICカードのデザインでは、
金属製の接触用端子114−4Bの電磁波の遮蔽効果を
避けるために、その端子114−4Bからコイルアンテ
ナ114−4Aの中心をずらして配置することがが必要
である。この場合に、アンテナ有効面積Cは、モジュー
ル面積Aに対して、0.5A〜0.9Aが望ましいとい
う新規事実を得た。Further, a contact / non-contact IC module 1
In 10, the contact terminal 114-4B and the non-contact antenna 114-4A need to be formed in the same module. In general, a metal part placed inside the non-contact antenna 114-4A has an electromagnetic wave shielding effect, and hinders communication. Therefore, in the design of the IC card,
In order to avoid the electromagnetic wave shielding effect of the metal contact terminal 114-4B, it is necessary to displace the center of the coil antenna 114-4A from the terminal 114-4B. In this case, a new fact is obtained that the antenna effective area C is preferably 0.5 A to 0.9 A with respect to the module area A.
【0036】(変形形態)以上説明した実施形態に限定
されることなく、種々の変形や変更が可能であって、そ
れらも本発明の均等の範囲内である。 (1) 本実施形態では、携帯電話などに使用するSI
Mを例に説明したが、通常のICカードや、基材形状が
特定されないICタグなどであってもよい。 (2) 小型のICモジュール単体で必要な通信距離が
確保できなければ、外部にブースターコイルを別途作製
し、ICモジュールと近接させて共振回路を形成し、信
距離を確保することも可能である。このブースターコイ
ルは、ICモジュールを収納するケース、例えば、定期
入れなどに設置して使用してもよい。この場合も、金属
部分は電磁波の遮蔽効果をもち、少なからず通信の障害
となるため、コイルは電磁波に対して露出するように、
なるべく金属部品を避けて形成する必要がある。ブース
ターとして機能させる為にICモジュールのコイルとブ
ースターコイルは電磁気的に共振するように配置する事
は言うまでもない。(Modifications) Various modifications and changes are possible without being limited to the above-described embodiments, and these are also within the equivalent scope of the present invention. (1) In this embodiment, the SI used for a mobile phone or the like is used.
Although M has been described as an example, a normal IC card or an IC tag whose base material shape is not specified may be used. (2) If the required communication distance cannot be secured with a small IC module alone, a booster coil can be separately manufactured outside and a resonance circuit can be formed in close proximity to the IC module to secure the communication distance. . This booster coil may be installed and used in a case for accommodating an IC module, for example, a regular case. In this case as well, the metal portion has an electromagnetic wave shielding effect, which is a considerable obstacle to communication, so that the coil is exposed to the electromagnetic wave,
It is necessary to avoid metal parts as much as possible. It goes without saying that the coil of the IC module and the booster coil are arranged so as to resonate electromagnetically in order to function as a booster.
【0037】(3) 本発明の方式では、接触用端子と
非接触用アンテナを具備する構成であるが、場合によっ
ては、接触用端子と非接触用アンテナの接続端子部のみ
をICモジュールに設け、アンテナコイルを別途作製し
てもよい。このアンテナコイルは、ICモジュールを収
納するケース、例えば、定期入れなどに設置して、IC
モジュールを挿入することによって機能するようにして
もよい。この場合も、金属部分は電磁波の遮蔽効果をも
ち、少なからず通信の障害となるため、コイルは電磁波
に対して露出するように、なるべく金属部品を避けて形
成する必要がある。コイルはなるべく大きく、有効面積
として1〜200cm2 が望ましい。ケースの内側に形
成しても外側に形成しても良い。(3) In the method of the present invention, the contact terminal and the non-contact antenna are provided. In some cases, however, only the contact terminal and the connection terminal portion of the non-contact antenna are provided in the IC module. Alternatively, the antenna coil may be separately manufactured. This antenna coil is installed in a case for accommodating an IC module,
It may work by inserting a module. In this case as well, the metal portion has an electromagnetic wave shielding effect, which is a considerable obstacle to communication. Therefore, it is necessary to form the coil so as to avoid the metal component so as to be exposed to the electromagnetic wave. The coil is as large as possible, and preferably has an effective area of 1 to 200 cm 2 . It may be formed inside or outside the case.
【0038】[0038]
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、非接触通信用アンテナが基板の裏面側に設けられ
ているので、接触用の外部処理装置に挿入した場合に、
接触して、アンテナがショートしたり、傷付いたりする
ことはなくなった。また、めっき又はエッチングによ
り、非接触通信用アンテナの導電パターン,接触用端子
の導電パターン及び貫通部の導電パターンを一度に形成
しているので、工程が簡素化できる。特に、めっきによ
り、非接触通信用アンテナの導電パターンを形成した場
合には、微細化でき、導電パターンを高密度化すること
ができる。また、エッチングの場合には、より簡単な工
程で製造することができる。As described above in detail, according to the present invention, since the non-contact communication antenna is provided on the back side of the substrate, when the antenna is inserted into the external processing device for contact,
The antenna no longer shorts or is damaged by contact. Further, since the conductive pattern of the non-contact communication antenna, the conductive pattern of the contact terminal, and the conductive pattern of the penetrating portion are formed at one time by plating or etching, the process can be simplified. In particular, when a conductive pattern of a non-contact communication antenna is formed by plating, the conductive pattern can be miniaturized and the density of the conductive pattern can be increased. In the case of etching, it can be manufactured by a simpler process.
【図1】本発明による接触・非接触兼用型ICモジュー
ルとその製造方法の第1実施形態を示す図(その1)で
ある。FIG. 1 is a diagram (part 1) showing a first embodiment of a contact / non-contact type IC module and a method of manufacturing the same according to the present invention.
【図2】本発明による接触・非接触兼用型ICモジュー
ルとその製造方法の第1実施形態を示す図(その2)で
ある。FIG. 2 is a diagram (part 2) showing a first embodiment of a contact / non-contact type IC module and a method of manufacturing the same according to the present invention.
【図3】本発明による接触・非接触兼用型ICモジュー
ルとその製造方法の第1実施形態を示す図(その3)で
ある。FIG. 3 is a diagram (part 3) showing a first embodiment of a contact / non-contact type IC module and a method of manufacturing the same according to the present invention;
【図4】本発明による接触・非接触兼用型ICモジュー
ルとその製造方法の第2実施形態を示す図(その1)で
ある。FIG. 4 is a diagram (part 1) illustrating a contact / non-contact type IC module and a method of manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention;
【図5】本発明による接触・非接触兼用型ICモジュー
ルとその製造方法の第2実施形態を示す図(その2)で
ある。FIG. 5 is a diagram (part 2) illustrating a contact / non-contact type IC module according to a second embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same.
【図6】本発明による接触・非接触兼用型ICモジュー
ルとその製造方法の第2実施形態を示す図(その3)で
ある。FIG. 6 is a view (part 3) showing a contact / non-contact type IC module and a method of manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention;
【図7】本発明による接触・非接触兼用型ICモジュー
ルの第3実施形態を示す図である。FIG. 7 is a view showing a third embodiment of a contact / non-contact type IC module according to the present invention.
【図8】本発明による接触・非接触兼用型ICモジュー
ルの第4実施形態を示す図である。FIG. 8 is a view showing a fourth embodiment of a contact / non-contact type IC module according to the present invention.
110 接触・非接触兼用型ICモジュール 111 基板 112 銅スパッタリング層 112−2 銅箔層 114B 接触用端子 114A 非接触通信用アンテナ 114C 導電パターン 115 接触・非接触兼用型のICチップ 116 ボンディングワイヤ 117 封止材 118 貫通部 #11 スパッタリング工程 #12 貫通部形成工程 #13 めっき工程 #13−2 エッチング工程 #14 ICチップ搭載工程 #15 接続工程 #16 封止工程 110 Contact / non-contact type IC module 111 Substrate 112 Copper sputtering layer 112-2 Copper foil layer 114B Contact terminal 114A Non-contact communication antenna 114C Conductive pattern 115 Contact / non-contact type IC chip 116 Bonding wire 117 Sealing Material 118 penetration part # 11 sputtering step # 12 penetration part formation step # 13 plating step # 13-2 etching step # 14 IC chip mounting step # 15 connection step # 16 sealing step
Claims (7)
に電気的に接続する導電パターン付きの貫通部と、 前記基板の裏側に形成された非接触通信用アンテナと、 前記基板の裏側に搭載された接触・非接触兼用型のIC
チップと、 前記ICチップの接続端子部と前記貫通部の導電パター
ン及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部とを電気
的に接続する接続手段と、を備えた接触・非接触兼用型
ICモジュール。A substrate; a contact terminal formed on a front side of the substrate; a through-hole having a conductive pattern formed on the substrate and electrically connecting the contact terminal to a back side of the substrate; A non-contact communication antenna formed on the back side of the substrate, and a contact / non-contact type IC mounted on the back side of the substrate
A contact / non-contact type IC module comprising: a chip; and connection means for electrically connecting a connection terminal portion of the IC chip, a conductive pattern of the penetrating portion, and a connection terminal portion of the non-contact communication antenna. .
型ICモジュールにおいて、 前記非接触通信用アンテナは、アンテナ内側領域に対し
て前記接触用端子をずらして配置することにより、その
前記接触用端子と干渉しないアンテナ有効領域が確保さ
れていること、を特徴とする接触・非接触兼用型ICモ
ジュール。2. The contact / contactless type IC module according to claim 1, wherein the contactless communication antenna is arranged such that the contact terminal is displaced with respect to an antenna inner area. A contact / non-contact type IC module, wherein an effective antenna area which does not interfere with a contact terminal is secured.
型ICモジュールにおいて、 前記接触用端子は、外部接続端子部が2列に配置されて
おり、 前記非接触通信用アンテナは、前記2列の外部接続端子
部の間を通っていること、を特徴とする接触・非接触兼
用型ICモジュール。3. The contact / non-contact type IC module according to claim 2, wherein the contact terminal has external connection terminal portions arranged in two rows, and the non-contact communication antenna includes: A contact / non-contact type IC module which passes between two rows of external connection terminals.
項に記載された接触・非接触兼用型ICモジュールにお
いて、 前記基材は、両面に銅スパッタリング層が形成されたポ
リイミド基板であること、を特徴とする接触・非接触兼
用型ICモジュール。4. One of claims 1 to 3
The contact / non-contact type IC module according to the above item, wherein the substrate is a polyimide substrate having a copper sputtering layer formed on both surfaces.
項に記載された接触・非接触兼用型ICモジュールにお
いて、 前記基材は、両面に銅箔層が形成されたガラスクロス入
りエポキシ樹脂基板であること、を特徴とする接触・非
接触兼用型ICモジュール。5. The method according to claim 1, wherein:
In the contact / non-contact type IC module described in the paragraph, the base material is a glass cloth-containing epoxy resin substrate having a copper foil layer formed on both sides, wherein the substrate is a contact / non-contact type IC module. module.
項に記載の接触・非接触兼用型ICモジュールを製造す
る接触・非接触兼用ICモジュールの製造方法におい
て、 前記基材に、前記接触用端子の接続端子部に連通する貫
通部を形成する貫通部形成工程と、 前記基材の両面に、めっきにより、前記非接触通信用ア
ンテナの導電パターン,前記接触用端子の導電パターン
及び前記貫通部の導電パターンを少なくとも1層積み上
げるめっき工程と、 前記基板の裏側に前記ICチップを搭載するICチップ
搭載工程と、 前記ICチップの接続端子部と前記貫通部の導電パター
ン及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部とを電気
的に接続する接続工程と、を備える接触・非接触兼用I
Cモジュールの製造方法。6. One of claims 1 to 4
12. A method for manufacturing a contact / non-contact type IC module for manufacturing a contact / non-contact type IC module according to the above item, wherein a penetrating part is formed on the base material so as to communicate with a connection terminal part of the contact terminal. Forming a conductive pattern of the antenna for non-contact communication, a conductive pattern of the contact terminal, and a conductive pattern of the through portion by plating on both surfaces of the base material; An IC chip mounting step of mounting the IC chip on the back side, and a connection step of electrically connecting a connection terminal of the IC chip with a conductive pattern of the through portion and a connection terminal of the non-contact communication antenna. Contact / Non-contact I equipped with
Manufacturing method of C module.
れか1項に記載の接触・非接触兼用型ICモジュールを
製造する接触・非接触兼用ICモジュールの製造方法に
おいて、 前記基材に、前記接触用端子の接続端子部に連通する貫
通部を形成する貫通部形成工程と、 前記基材の両面に、前記非接触通信用アンテナの導電パ
ターン及び前記接触用端子の導電パターンを、エッチン
グにより形成するエッチング工程と、 前記基板の裏側に前記ICチップを搭載するICチップ
搭載工程と、 前記ICチップの接続端子部と前記貫通部の導電パター
ン及び前記非接触通信用アンテナの接続端子部とを電気
的に接続する接続工程と、を備える接触・非接触兼用I
Cモジュールの製造方法。7. A method for manufacturing a contact / non-contact type IC module for manufacturing the contact / non-contact type IC module according to claim 1, wherein the base material is provided. A penetrating portion forming step of forming a penetrating portion communicating with the connection terminal portion of the contact terminal, a conductive pattern of the non-contact communication antenna and a conductive pattern of the contact terminal on both surfaces of the base material, An etching step of forming by etching; an IC chip mounting step of mounting the IC chip on the back side of the substrate; a connection terminal of the IC chip, a conductive pattern of the through portion, and a connection terminal of the non-contact communication antenna. And a contact step of electrically connecting
Manufacturing method of C module.
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