JP2002217393A - マイクロレンズの形成方法 - Google Patents
マイクロレンズの形成方法Info
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 無集光領域の縮小さらには解消を図る。
【解決手段】 半導体基板上にマイクロレンズとするた
めの樹脂層を形成し、樹脂層の上にフォトレジスト層を
形成した後、同フォトレジスト層をフォトリソグラフィ
ーによってパターンニングして、マトリクス状に相互に
近接配置された平面視矩形の多数のフォトレジストパタ
ーンを形成する。ここで、フォトリソグラフィーに用い
るマスクとしては、各フォトレジストパターンにそれぞ
れ対応する各マスクパターン１６が、各角部１８に、対
角線方向で外側に延出するサブアイランドパターン２０
を備えたマスク１４を用いる。その後、フォトレジスト
パターンを熱溶融させて凸面状の転写用マイクロレンズ
パターンとし、全面ドライエッチングを行って、転写用
マイクロレンズパターンを転写してマイクロレンズを形
成する。
めの樹脂層を形成し、樹脂層の上にフォトレジスト層を
形成した後、同フォトレジスト層をフォトリソグラフィ
ーによってパターンニングして、マトリクス状に相互に
近接配置された平面視矩形の多数のフォトレジストパタ
ーンを形成する。ここで、フォトリソグラフィーに用い
るマスクとしては、各フォトレジストパターンにそれぞ
れ対応する各マスクパターン１６が、各角部１８に、対
角線方向で外側に延出するサブアイランドパターン２０
を備えたマスク１４を用いる。その後、フォトレジスト
パターンを熱溶融させて凸面状の転写用マイクロレンズ
パターンとし、全面ドライエッチングを行って、転写用
マイクロレンズパターンを転写してマイクロレンズを形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子など
におけるマイクロレンズの形成方法に関するものであ
る。
におけるマイクロレンズの形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子は半導体基板上にマトリク
ス状に配列された多数の光電変換素子を備え、各光電変
換素子の前方には入射光を光電変換素子に集光するマイ
クロレンズが各光電変換素子ごとに配列されている。こ
のマイクロレンズは、フォトレジスト層のパターンニン
グ、転写用マイクロレンズパターンの形成、同パターン
の樹脂層への転写などの工程により形成される。
ス状に配列された多数の光電変換素子を備え、各光電変
換素子の前方には入射光を光電変換素子に集光するマイ
クロレンズが各光電変換素子ごとに配列されている。こ
のマイクロレンズは、フォトレジスト層のパターンニン
グ、転写用マイクロレンズパターンの形成、同パターン
の樹脂層への転写などの工程により形成される。
【０００３】図６は従来の固体撮像素子用のマイクロレ
ンズを形成するためのマスクを示す部分平面図、図７は
従来のマイクロレンズ形成過程におけるフォトレジスト
パターンを示す部分平面図、図８は従来のマイクロレン
ズを示す部分平面図である。マイクロレンズの形成にあ
たっては、まず半導体基板上に配列された光電変換素子
の上にカラーフィルターなどを介して樹脂層が形成さ
れ、その上にフォトレジスト層が形成される。そして、
フォトレジスト層は、図６に示したようなマスク１０２
を用いてフォトリソグラフィーによりパターン化され
る。このマスク１０２には、各マイクロレンズに対応す
る平面視矩形のマスクパターン１０４が多数近接してマ
トリクス状に配列されており、その結果、フォトレジス
ト層は、図７に示したように、マトリクス状に相互に近
接配置された平面視略矩形の多数のフォトレジストパタ
ーン１０６にパターンニングされる。
ンズを形成するためのマスクを示す部分平面図、図７は
従来のマイクロレンズ形成過程におけるフォトレジスト
パターンを示す部分平面図、図８は従来のマイクロレン
ズを示す部分平面図である。マイクロレンズの形成にあ
たっては、まず半導体基板上に配列された光電変換素子
の上にカラーフィルターなどを介して樹脂層が形成さ
れ、その上にフォトレジスト層が形成される。そして、
フォトレジスト層は、図６に示したようなマスク１０２
を用いてフォトリソグラフィーによりパターン化され
る。このマスク１０２には、各マイクロレンズに対応す
る平面視矩形のマスクパターン１０４が多数近接してマ
トリクス状に配列されており、その結果、フォトレジス
ト層は、図７に示したように、マトリクス状に相互に近
接配置された平面視略矩形の多数のフォトレジストパタ
ーン１０６にパターンニングされる。
【０００４】その後、フォトレジストパターン１０６は
熱溶融によって凸面状の転写用マイクロレンズパターン
とされ、つづいて、この転写用マイクロレンズパターン
および樹脂層を全面エッチングすることで、転写用マイ
クロレンズパターンの立体形状が樹脂層に転写され、図
８に示したように、相互に近接配置された平面視略矩形
の多数のマイクロレンズ１０８が形成される。
熱溶融によって凸面状の転写用マイクロレンズパターン
とされ、つづいて、この転写用マイクロレンズパターン
および樹脂層を全面エッチングすることで、転写用マイ
クロレンズパターンの立体形状が樹脂層に転写され、図
８に示したように、相互に近接配置された平面視略矩形
の多数のマイクロレンズ１０８が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来のマイクロレンズ１０８の形成方法では、フォトレジ
スト層をパターンニングする際の解像度不足により、本
来エッチングされるべきでないマスクパターン１０４の
角部でエッチングが行われ、フォトレジストパターン１
０６は、各角部１１０の角が取れた形状となってしま
う。そのため、形成されるマイクロレンズ１０８も、図
８に示したように、同様に角部１１２は角のとれた形状
となり、マイクロレンズ１０８の面積が小さくなって無
集光領域１１４が拡大する。そして、無集光領域に入射
した光は光電変換素子には導かれず、固体撮像素子の感
度が低下する結果となる。
来のマイクロレンズ１０８の形成方法では、フォトレジ
スト層をパターンニングする際の解像度不足により、本
来エッチングされるべきでないマスクパターン１０４の
角部でエッチングが行われ、フォトレジストパターン１
０６は、各角部１１０の角が取れた形状となってしま
う。そのため、形成されるマイクロレンズ１０８も、図
８に示したように、同様に角部１１２は角のとれた形状
となり、マイクロレンズ１０８の面積が小さくなって無
集光領域１１４が拡大する。そして、無集光領域に入射
した光は光電変換素子には導かれず、固体撮像素子の感
度が低下する結果となる。
【０００６】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、無集光領域の縮小さらに
は解消が可能なマイクロレンズの形成方法を提供するこ
とにある。
なされたもので、その目的は、無集光領域の縮小さらに
は解消が可能なマイクロレンズの形成方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、マイクロレンズとするための合成樹脂による
樹脂層を基板上に形成し、前記樹脂層の上にフォトレジ
スト層を形成し、前記フォトレジスト層をフォトリソグ
ラフィーによりパターンニングしてマトリクス状に相互
に近接配置された平面視矩形の多数のフォトレジストパ
ターンを形成し、前記フォトレジストパターンを熱溶融
させて凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、前
記転写用マイクロレンズパターンおよび前記樹脂層の全
面エッチングにより前記転写用マイクロレンズパターン
の立体形状を前記樹脂層に転写して相互に近接配置され
た平面視矩形の多数のマイクロレンズを形成する方法で
あって、前記フォトレジスト層を前記フォトリソグラフ
ィーによりパターンニングする際に用いるマスクとし
て、前記フォトレジストパターンにそれぞれ対応する各
マスクパターンが、各角部に、対角線方向で外側に延出
するサブアイランドパターンを備えたマスクを用いるこ
とを特徴とする。
するため、マイクロレンズとするための合成樹脂による
樹脂層を基板上に形成し、前記樹脂層の上にフォトレジ
スト層を形成し、前記フォトレジスト層をフォトリソグ
ラフィーによりパターンニングしてマトリクス状に相互
に近接配置された平面視矩形の多数のフォトレジストパ
ターンを形成し、前記フォトレジストパターンを熱溶融
させて凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、前
記転写用マイクロレンズパターンおよび前記樹脂層の全
面エッチングにより前記転写用マイクロレンズパターン
の立体形状を前記樹脂層に転写して相互に近接配置され
た平面視矩形の多数のマイクロレンズを形成する方法で
あって、前記フォトレジスト層を前記フォトリソグラフ
ィーによりパターンニングする際に用いるマスクとし
て、前記フォトレジストパターンにそれぞれ対応する各
マスクパターンが、各角部に、対角線方向で外側に延出
するサブアイランドパターンを備えたマスクを用いるこ
とを特徴とする。
【０００８】このように本発明のマイクロレンズの形成
方法では、転写用フォトレジストパターンの形成に用い
るマスクとして、転写用フォトレジストパターンに対応
する各マスクパターンが上記サブアイランドパターンを
備えたマスクを用い、そして、サブアイランドパターン
は、フォトレジスト層をパターンニングする際の解像度
不足によりフォトレジストパターンの各角部が角の取れ
た形状となることを補正するように作用する。その結
果、各フォトレジストパターンを正しく平面視矩形に形
成することができ、無集光領域を縮小あるいは解消する
ことが可能となる。
方法では、転写用フォトレジストパターンの形成に用い
るマスクとして、転写用フォトレジストパターンに対応
する各マスクパターンが上記サブアイランドパターンを
備えたマスクを用い、そして、サブアイランドパターン
は、フォトレジスト層をパターンニングする際の解像度
不足によりフォトレジストパターンの各角部が角の取れ
た形状となることを補正するように作用する。その結
果、各フォトレジストパターンを正しく平面視矩形に形
成することができ、無集光領域を縮小あるいは解消する
ことが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態例につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明によるマイク
ロレンズの形成方法の一例で使用するマスクを示す部分
平面図、図２の（Ａ）ないし（Ｄ）は、実施の形態例の
マイクロレンズの形成方法にもとづくマイクロレンズの
各形成工程を示す部分断面側面図である。また、図３は
実施の形態例のマイクロレンズの形成方法により形成さ
れるフォトレジストパターンを示す部分平面図、図４は
実施の形態例のマイクロレンズの形成方法により形成さ
れるマイクロレンズを示す部分平面図である。
て図面を参照して説明する。図１は本発明によるマイク
ロレンズの形成方法の一例で使用するマスクを示す部分
平面図、図２の（Ａ）ないし（Ｄ）は、実施の形態例の
マイクロレンズの形成方法にもとづくマイクロレンズの
各形成工程を示す部分断面側面図である。また、図３は
実施の形態例のマイクロレンズの形成方法により形成さ
れるフォトレジストパターンを示す部分平面図、図４は
実施の形態例のマイクロレンズの形成方法により形成さ
れるマイクロレンズを示す部分平面図である。
【００１０】ここでは、一例としてＣＣＤ（Ｃｈａｒｇ
ｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）固体撮像素子のマ
イクロレンズを形成するものとし、図１に示したカラー
フィルター層２の上にマイクロレンズを形成するものと
する。カラーフィルター層２は、たとえばプラズマナイ
トライドから成る平坦化膜４の上に形成されており、図
では省略されているが、平坦化膜４の下には、シリコン
から成る半導体基板上に多数の光電変換素子（図示せ
ず）が電極などとともにマトリクス状に配列され、その
上には光電変換素子の受光部を除く箇所に斜光膜などが
形成されている。マイクロレンズは上記光電変換素子ご
とに入射光を集光すべく各光電変換素子ごとに配列す
る。
ｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）固体撮像素子のマ
イクロレンズを形成するものとし、図１に示したカラー
フィルター層２の上にマイクロレンズを形成するものと
する。カラーフィルター層２は、たとえばプラズマナイ
トライドから成る平坦化膜４の上に形成されており、図
では省略されているが、平坦化膜４の下には、シリコン
から成る半導体基板上に多数の光電変換素子（図示せ
ず）が電極などとともにマトリクス状に配列され、その
上には光電変換素子の受光部を除く箇所に斜光膜などが
形成されている。マイクロレンズは上記光電変換素子ご
とに入射光を集光すべく各光電変換素子ごとに配列す
る。
【００１１】まず、図２の（Ａ）に示したように、半導
体基板上にマイクロレンズ６とするための合成樹脂によ
る透明な樹脂層８を形成する。つづいて、図２の（Ｂ）
に示したように、樹脂層８の上にフォトレジスト層１０
を形成し、同フォトレジスト層をフォトリソグラフィー
によってパターンニングして、図３に示したように、マ
トリクス状に相互に近接配置された平面視矩形の多数の
フォトレジストパターン１２を形成する。
体基板上にマイクロレンズ６とするための合成樹脂によ
る透明な樹脂層８を形成する。つづいて、図２の（Ｂ）
に示したように、樹脂層８の上にフォトレジスト層１０
を形成し、同フォトレジスト層をフォトリソグラフィー
によってパターンニングして、図３に示したように、マ
トリクス状に相互に近接配置された平面視矩形の多数の
フォトレジストパターン１２を形成する。
【００１２】ここで、上記フォトレジスト層１０をフォ
トリソグラフィーによりパターンニングする際に用いる
マスクとしては、図１に示したように、平面視矩形のフ
ォトレジストパターン１２にそれぞれ対応する各マスク
パターン１６が、各角部１８に、対角線方向で外側に延
出するサブアイランドパターン２０を備えたマスク１４
を用いる。
トリソグラフィーによりパターンニングする際に用いる
マスクとしては、図１に示したように、平面視矩形のフ
ォトレジストパターン１２にそれぞれ対応する各マスク
パターン１６が、各角部１８に、対角線方向で外側に延
出するサブアイランドパターン２０を備えたマスク１４
を用いる。
【００１３】次に、図２の（Ｂ）に示したように、フォ
トレジストパターン１２を熱溶融させて凸面状の転写用
マイクロレンズパターン２２とする。その後、転写用マ
イクロレンズパターン２２および樹脂層８の全面ドライ
エッチングを行って、転写用マイクロレンズパターン２
２の立体形状を樹脂層８に転写して、図２の（Ｃ）およ
び図４に示したように、相互に近接配置された平面視矩
形の多数のマイクロレンズ６を形成する。
トレジストパターン１２を熱溶融させて凸面状の転写用
マイクロレンズパターン２２とする。その後、転写用マ
イクロレンズパターン２２および樹脂層８の全面ドライ
エッチングを行って、転写用マイクロレンズパターン２
２の立体形状を樹脂層８に転写して、図２の（Ｃ）およ
び図４に示したように、相互に近接配置された平面視矩
形の多数のマイクロレンズ６を形成する。
【００１４】このように、本実施の形態例のマイクロレ
ンズの形成方法では、転写用フォトレジストパターンの
形成に用いるマスクとして、上述のように転写用フォト
レジストパターンに対応する各マスクパターン１６が上
記サブアイランドパターン２０を備えたマスク１４を用
い、そして、サブアイランドパターン２０は、フォトレ
ジスト層１０をパターンニングする際の解像度不足によ
りフォトレジストパターン１２の各角部１２Ａが従来の
ように角の取れた形状となることを補正するように作用
する。
ンズの形成方法では、転写用フォトレジストパターンの
形成に用いるマスクとして、上述のように転写用フォト
レジストパターンに対応する各マスクパターン１６が上
記サブアイランドパターン２０を備えたマスク１４を用
い、そして、サブアイランドパターン２０は、フォトレ
ジスト層１０をパターンニングする際の解像度不足によ
りフォトレジストパターン１２の各角部１２Ａが従来の
ように角の取れた形状となることを補正するように作用
する。
【００１５】その結果、図３に示したように、各フォト
レジストパターン１２を正しく平面視矩形に形成するこ
とができ、図４に示したマイクロレンズ６の配列におい
て、従来の場合の図８と比較して明らかなように、無集
光領域２４を縮小することが可能となる。よって、固体
撮像素子の各光電変換素子に入射する光の量が多くな
り、固体撮像素子の感度が向上する。
レジストパターン１２を正しく平面視矩形に形成するこ
とができ、図４に示したマイクロレンズ６の配列におい
て、従来の場合の図８と比較して明らかなように、無集
光領域２４を縮小することが可能となる。よって、固体
撮像素子の各光電変換素子に入射する光の量が多くな
り、固体撮像素子の感度が向上する。
【００１６】なお、図２の（Ｃ）の状態からさらにドラ
イエッチングを適切に行うことで、図２の（Ｄ）に示し
たように、上記無集光領域２４（図４）を含め、各マイ
クロレンズ６の周辺部の無集光領域の解消を図ることも
可能である。このようなドライエッチングは、反応性イ
オンエッチング装置（ＲＩＥ装置）により、ＣＦ4（四
フッ化炭素）、または酸素およびＣＦ4の混合ガスをプ
ロセスガスに用いて行うことで、望ましい結果が得られ
る。図５の（Ａ）は、さらなるドライエッチングにより
マイクロレンズ周辺部の無集光領域の解消を図った場合
の、実施の形態例のマイクロレンズの形成方法により形
成したマイクロレンズ６を示す部分平面図、（Ｂ）は従
来のマイクロレンズの形成方法によるマイクロレンズ１
０８を示す部分平面図である。従来の方法では、無集光
領域１１４は縮小するものの解消されることはないが、
本実施の形態例では、上記無集光領域２４を含め、マイ
クロレンズ周辺部の無集光領域を解消することができ
る。
イエッチングを適切に行うことで、図２の（Ｄ）に示し
たように、上記無集光領域２４（図４）を含め、各マイ
クロレンズ６の周辺部の無集光領域の解消を図ることも
可能である。このようなドライエッチングは、反応性イ
オンエッチング装置（ＲＩＥ装置）により、ＣＦ4（四
フッ化炭素）、または酸素およびＣＦ4の混合ガスをプ
ロセスガスに用いて行うことで、望ましい結果が得られ
る。図５の（Ａ）は、さらなるドライエッチングにより
マイクロレンズ周辺部の無集光領域の解消を図った場合
の、実施の形態例のマイクロレンズの形成方法により形
成したマイクロレンズ６を示す部分平面図、（Ｂ）は従
来のマイクロレンズの形成方法によるマイクロレンズ１
０８を示す部分平面図である。従来の方法では、無集光
領域１１４は縮小するものの解消されることはないが、
本実施の形態例では、上記無集光領域２４を含め、マイ
クロレンズ周辺部の無集光領域を解消することができ
る。
【００１７】なお、本実施の形態例ではＣＣＤ固体撮像
素子の場合を例に説明したが、本発明は、ＭＯＳ型固体
撮像素子に対しても無論有効であり、さらには、液晶表
示装置の液晶セルごとに形成するマイクロレンズに対し
ても有効である。また、カラーフィルター層２上に、下
に凸で上面は平坦な層内レンズを形成し、その上に、上
に凸のマイクロレンズをさらに形成するような場合に
も、同マイクロレンズを形成する段階で本発明を適用す
ることができる。
素子の場合を例に説明したが、本発明は、ＭＯＳ型固体
撮像素子に対しても無論有効であり、さらには、液晶表
示装置の液晶セルごとに形成するマイクロレンズに対し
ても有効である。また、カラーフィルター層２上に、下
に凸で上面は平坦な層内レンズを形成し、その上に、上
に凸のマイクロレンズをさらに形成するような場合に
も、同マイクロレンズを形成する段階で本発明を適用す
ることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のマイクロレ
ンズの形成方法では、転写用フォトレジストパターンの
形成に用いるマスクとして、転写用フォトレジストパタ
ーンに対応する各マスクパターンが上記サブアイランド
パターンを備えたマスクを用い、そして、サブアイラン
ドパターンは、フォトレジスト層をパターンニングする
際の解像度不足によりフォトレジストパターンの各角部
が角の取れた形状となることを補正するように作用す
る。その結果、各フォトレジストパターンを正しく平面
視矩形に形成することができ、無集光領域を縮小あるい
は解消することが可能となる。よって、たとえば固体撮
像素子の場合には各光電変換素子に入射する光の量が多
くなり、固体撮像素子の感度を高めることができる。
ンズの形成方法では、転写用フォトレジストパターンの
形成に用いるマスクとして、転写用フォトレジストパタ
ーンに対応する各マスクパターンが上記サブアイランド
パターンを備えたマスクを用い、そして、サブアイラン
ドパターンは、フォトレジスト層をパターンニングする
際の解像度不足によりフォトレジストパターンの各角部
が角の取れた形状となることを補正するように作用す
る。その結果、各フォトレジストパターンを正しく平面
視矩形に形成することができ、無集光領域を縮小あるい
は解消することが可能となる。よって、たとえば固体撮
像素子の場合には各光電変換素子に入射する光の量が多
くなり、固体撮像素子の感度を高めることができる。
【図１】本発明によるマイクロレンズの形成方法の一例
で使用するマスクを示す部分平面図である。
で使用するマスクを示す部分平面図である。
【図２】（Ａ）ないし（Ｄ）は、実施の形態例のマイク
ロレンズの形成方法にもとづくマイクロレンズの各形成
工程を示す部分断面側面図である。
ロレンズの形成方法にもとづくマイクロレンズの各形成
工程を示す部分断面側面図である。
【図３】実施の形態例のマイクロレンズの形成方法によ
り形成されるフォトレジストパターンを示す部分平面図
である。
り形成されるフォトレジストパターンを示す部分平面図
である。
【図４】実施の形態例のマイクロレンズの形成方法によ
り形成されるマイクロレンズを示す部分平面図である。
り形成されるマイクロレンズを示す部分平面図である。
【図５】（Ａ）は、さらなるドライエッチングによりマ
イクロレンズ周辺部の無集光領域の解消を図った場合
の、実施の形態例のマイクロレンズの形成方法により形
成したマイクロレンズを示す部分平面図、（Ｂ）は従来
のマイクロレンズの形成方法によるマイクロレンズを示
す部分平面図である。
イクロレンズ周辺部の無集光領域の解消を図った場合
の、実施の形態例のマイクロレンズの形成方法により形
成したマイクロレンズを示す部分平面図、（Ｂ）は従来
のマイクロレンズの形成方法によるマイクロレンズを示
す部分平面図である。
【図６】従来の固体撮像素子用のマイクロレンズを形成
するためのマスクを示す部分平面図である。
するためのマスクを示す部分平面図である。
【図７】従来のマイクロレンズ形成過程におけるフォト
レジストパターンを示す部分平面図である。
レジストパターンを示す部分平面図である。
【図８】従来のマイクロレンズを示す部分平面図であ
る。
る。
２……カラーフィルター層、４……平坦化膜、６……マ
イクロレンズ、８……樹脂層、１０……フォトレジスト
層、１２……フォトレジストパターン、１４……マス
ク、１６……マスクパターン、１８……角部、２０……
サブアイランドパターン、２２……転写用マイクロレン
ズパターン、２４……無集光領域、１０２……マスク、
１０４……マスクパターン、１０６……フォトレジスト
パターン、１０８……マイクロレンズ、１１０……角
部、１１２……角部、１１４……無集光領域。
イクロレンズ、８……樹脂層、１０……フォトレジスト
層、１２……フォトレジストパターン、１４……マス
ク、１６……マスクパターン、１８……角部、２０……
サブアイランドパターン、２２……転写用マイクロレン
ズパターン、２４……無集光領域、１０２……マスク、
１０４……マスクパターン、１０６……フォトレジスト
パターン、１０８……マイクロレンズ、１１０……角
部、１１２……角部、１１４……無集光領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｂ２９Ｄ 11/00 // Ｂ２９Ｄ 11/00 Ｂ２９Ｋ 105:32 Ｂ２９Ｋ 105:32 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ Ｆターム(参考） 2H095 BB02 BB36 2H097 LA17 LA20 4F213 AA44 AH74 WA02 WA53 WA58 WA67 WA86 WB01 4M118 AA10 AB01 BA10 BA14 GD04 GD06 GD07 5C024 CX41 CY47 EX43 GY01 GY31
Claims (7)
- 【請求項１】 マイクロレンズとするための合成樹脂に
よる樹脂層を基板上に形成し、前記樹脂層の上にフォト
レジスト層を形成し、前記フォトレジスト層をフォトリ
ソグラフィーによりパターンニングしてマトリクス状に
相互に近接配置された平面視矩形の多数のフォトレジス
トパターンを形成し、前記フォトレジストパターンを熱
溶融させて凸面状の転写用マイクロレンズパターンと
し、前記転写用マイクロレンズパターンおよび前記樹脂
層の全面エッチングにより前記転写用マイクロレンズパ
ターンの立体形状を前記樹脂層に転写して相互に近接配
置された平面視矩形の多数のマイクロレンズを形成する
方法であって、 前記フォトレジスト層を前記フォトリソグラフィーによ
りパターンニングする際に用いるマスクとして、前記フ
ォトレジストパターンにそれぞれ対応する各マスクパタ
ーンが、各角部に、対角線方向で外側に延出するサブア
イランドパターンを備えたマスクを用いることを特徴と
するマイクロレンズの形成方法。 - 【請求項２】 前記転写用マイクロレンズパターンおよ
び前記樹脂層に対し全面ドライエッチングを行って、前
記転写用マイクロレンズパターンの立体形状を前記樹脂
層に転写することを特徴とする請求項１記載のマイクロ
レンズの形成方法。 - 【請求項３】 前記転写用マイクロレンズパターンおよ
び前記樹脂層の全面エッチングは反応性イオンエッチン
グ装置によりＣＦ4、または酸素およびＣＦ4の混合ガス
をプロセスガスとして用いて行うことを特徴とする請求
項１記載のマイクロレンズの形成方法。 - 【請求項４】 前記マイクロレンズは固体撮像素子の光
電変換素子ごとに形成することを特徴とする請求項１記
載のマイクロレンズの形成方法。 - 【請求項５】 前記固体撮像素子はＣＣＤ撮像素子また
はＭＯＳ型撮像素子であることを特徴とする請求項４記
載のマイクロレンズの形成方法。 - 【請求項６】 前記マイクロレンズは液晶表示装置の液
晶セルごとに形成することを特徴とする請求項１記載の
マイクロレンズの形成方法。 - 【請求項７】 前記マイクロレンズは層内レンズの上に
形成することを特徴とする請求項１記載のマイクロレン
ズの形成方法。
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