JP2002215106A - 電気光学装置および電子機器並びに投射型表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶パネル等の電気光学装置において、画素
トランジスタのリーク電流による階調特性の変動を補償
する。 【解決手段】 画素用トランジスタと同一プロセスにお
いて、複数の測定用トランジスタ３０２，……，３０２
を形成し、これらを並列接続した。この並列回路から
は、画素用トランジスタのリーク電流に略比例するリー
ク電流Ｉdlが得られるため、リーク補正回路３１４にお
いて、該リーク電流Ｉdlに基づいてビデオデータの階調
特性（画素用トランジスタに印加する電圧値）を補正し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像情報の表示に
用いて好適な電気光学装置および電子機器並びに投射型
表示装置に関する。

【０００２】

【背景技術】電気光学装置、例えば、電気光学材料とし
て液晶を用いた液晶表示装置は、陰極線管（ＣＲＴ）に
代わるディスプレイデバイスとして、各種情報処理機器
の表示部や液晶テレビなどに広く用いられている。ここ
で、従来の電気光学装置は、例えば、次のように構成さ
れている。すなわち、従来の電気光学装置は、マトリク
ス状に配列した画素電極と、この画素電極に接続された
ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）の
ようなスイッチング素子などが設けられた素子基板と、
画素電極に対向する対向電極が形成された対向基板と、
これら両基板との問に充填された電気光学材料たる液晶
とから構成される。

【０００３】そして、このような構成において、走査線
を介してスイッチング素子に走査信号を印加すると、当
該スイッチング素子が導通状態となる。この導通状態の
際に、データ線を介して画素電極に、階調に応じた電圧
の画像信号を印加すると、当該画素電極および対向電極
の間の液晶層に画像信号の電圧に応じた電荷が蓄積され
る。電荷蓄積後、当該スイッチング素子をオフ状態とし
ても、当該液晶層における電荷の蓄積は、液晶層自身の
容量性や蓄積容量などによって維持される。このよう
に、各スイッチング素子を駆動させ、蓄積させる電荷量
を階調に応じて制御すると、画素毎に液晶の配向状態が
変化するので、画素毎に光が変調され表示する濃度が変
化することになる。このため、階調を表示することが可
能となるのである。

【０００４】この際、各画素の液晶層に電荷を蓄積させ
るのは１画面を表示するための期間に対して、その一部
の期間で良いため、第１に、走査線駆動回路によって、
各走査線を順次選択するとともに、その走査線の選択期
間において、第２に、データ線駆動回路によって、デー
タ線を順次選択し、第３に、選択されたデータ線に、階
調に応じた電圧の画像信号をサンプリングする構成によ
り、走査線およびデータ線を複数の画素について共通化
した時分割マルチプレックス駆動が可能となる。

【０００５】これにより、各画素毎に着目すると、液晶
層に印加される電圧は、理想的には１画面を表示するた
めに必要なフレーム周期の周期を半周期とする方形波状
になる。しかし、実際にはＴＦＴにおいてリーク電流が
生じるため、液晶層への印加電圧は完全な方形波状にな
らず、フレーム周期内で徐々にその絶対値が低下する。
このため、予めリーク電流の影響を加味して、液晶層に
印加される電圧を補正しておくことが一般的である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このリーク電
流は、液晶層に照射される光の照度に応じて大きく変動
し、またＴＦＴの経年変化によっても変動するため、画
一的に補正を行うことは困難である。特に、液晶プロジ
ェクタ等においては、液晶パネルに対する照度が強く、
しかもランプ温度、連続点灯時間に応じてランプの輝度
変化があり、個々の機器でも照度が異なり、さらにＲＧ
Ｂ各色によって（光の波長が異なるため）ＴＦＴへの照
射エネルギーが異なるため、ＴＦＴのリーク電流の大き
さが異なる。このような様々な状況に対応して階調特性
を調整することは、きわめて煩雑であった。なお、液晶
プロジェクタのランプの輝度を自動測定し階調特性を補
正する技術は知られている（特開平１０−５５０３０号
公報）が、かかる技術ではＴＦＴの経年変化等に対応で
きないという問題がある。この発明は上述した事情に鑑
みてなされたものであり、ＴＦＴ等スイッチング素子の
リーク電流に対して階調特性を自動的に補正できる電気
光学装置および電子機器並びに投射型表示装置を提供す
ることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明にあっては、下記構成を具備することを特徴とす
る。なお、括弧内は例示である。請求項１記載の構成に
あっては、素子基板（１０１）上に配置され、画素電圧
が印加される複数の画素電極（１１８）と、選択期間に
導通状態になることにより、前記画素電圧を前記画素電
極に印加し、非選択期間に非導通状態となることによ
り、前記画素電圧を前記画素電極に保持するスイッチン
グ素子（１１６）と、前記スイッチング素子（１１６）
のダミー素子（３０２）を含む電流源と、前記電流源に
流れる電流に応じて前記画素電圧を補正する補正回路
（二次ガンマ補正回路２０２）とを有することを特徴と
する。また、請求項２記載の構成にあっては、素子基板
上に配置され、画素電圧が印加される複数の画素電極
と、選択期間に導通状態になることにより、前記画素電
圧を前記画素電極に印加し、非選択期間に非導通状態と
なることにより、前記画素電圧を前記画素電極に保持す
るスイッチング素子（１１６）と、前記スイッチング素
子を光照射から遮光する遮光膜（データ線１１４）と、
前記スイッチング素子のダミー素子（３０２）を含む電
流源と、前記電流源に流れる電流に応じて前記画素電圧
を補正する補正回路（二次ガンマ補正回路２０２）とを
有することを特徴とする。さらに、請求項３記載の構成
にあっては、請求項２記載の電気光学装置において、前
記ダミー素子を光照射から遮光する遮光膜（遮光ライン
３８２）を有することを特徴とする。さらに、請求項４
記載の構成にあっては、請求項１乃至４記載の電気光学
装置において、前記電流源は、並列接続された複数の前
記ダミー素子を有することを特徴とする。さらに、請求
項５記載の構成にあっては、請求項１乃至４記載の電気
光学装置において、前記スイッチング素子は、ＴＦＴか
らなることを特徴とする。さらに、請求項６記載の構成
にあっては、請求項１乃至５記載の電気光学装置におい
て、前記ダミー素子は前記スイッチング素子と同一工程
で製造されることを特徴とする。さらに、請求項７記載
の構成にあっては、請求項１乃至６記載の電気光学装置
において、前記電流源は、前記素子基板（１０１）上に
配設された第１のライン（３６０）と、該第１のライン
（３６０）に略平行に配設された第２のライン（３６
４）と、該第１および第２のラインの間に介挿された第
３のライン（３６２）と、該第３のライン（３６２）上
に形成された複数のダミー素子（３０２）と、前記第１
または第２のラインの何れかと前記第３のライン（３６
２）とを接続する第１のリード線（３８０）と、前記第
１のライン（３６０）と前記複数のダミー素子の入力端
とを接続する第２のリード線（３６８，……，３６８）
と、前記第２のライン（３６０）と前記複数のダミー素
子の出力端とを接続する第３のリード線（３７４，…
…，３７４）とを有することを特徴とする。また、請求
項８記載の構成にあっては、請求項１乃至７の何れかに
記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。また、
請求項９記載の構成にあっては、光源（１４３１）と、
前記光源からの光を変調する光変調装置（１００Ｒ，１
００Ｇ，１００Ｂ）と、前記光変調装置により変調され
た光を投射する投射レンズ（１４３７）を有する投射型
表示装置（１４３０）において、前記光変調装置は、素
子基板（１０１）上に配置され、画素電圧が印加される
複数の画素電極（１１８）と、選択期間に導通状態にな
ることにより、前記画素電圧を前記画素電極に印加し、
非選択期間に非導通状態となることにより、前記画素電
圧を前記画素電極に保持するスイッチング素子（１１
６）と、前記スイッチング素子を光照射から遮光する遮
光膜（データ線１１４）と、前記スイッチング素子のダ
ミー素子（３０２）を含む電流源と、前記電流源に流れ
る電流に応じて前記画素電圧を補正する補正回路（二次
ガンマ補正回路２０２）とを有することを特徴とする。
さらに、請求項１０記載の構成にあっては、請求項９記
載の投射型表示装置において、前記ダミー素子を光照射
から遮光する遮光膜（遮光ライン３８２）を有すること
を特徴とする。さらに、請求項１１記載の構成にあって
は、請求項９または１０記載の投射型表示装置におい
て、前記電流源は、並列接続された複数の前記ダミー素
子を有することを特徴とする。さらに、請求項１２記載
の構成にあっては、請求項１０乃至１１記載の投射型表
示装置において、前記スイッチング素子は、ＴＦＴから
なることを特徴とする。さらに、請求項１３記載の構成
にあっては、請求項９乃至１２記載の投射型表示装置に
おいて、前記ダミー素子は前記スイッチング素子と同一
工程で製造されることを特徴とする。さらに、請求項１
４記載の構成にあっては、請求項９乃至１３記載の投射
型表示装置において、前記電流源は、前記素子基板（１
０１）上に配設された第１のライン（３６０）と、該第
１のライン（３６０）に略平行に配設された第２のライ
ン（３６４）と、該第１および第２のラインの間に介挿
された第３のライン（３６２）と、該第３のライン（３
６２）上に形成された複数のダミー素子（３０２）と、
前記第１または第２のラインの何れかと前記第３のライ
ンとを接続する第１のリード線（３８０）と、前記第１
のラインと前記複数のダミー素子の入力端とを接続する
第２のリード線（３６８，……，３６８）と、前記第２
のラインと前記複数のダミー素子の出力端とを接続する
第３のリード線（３７４，……，３７４）とを有するこ
とを特徴とする。

【０００８】

【発明の実施の形態】１．実施形態の構成 １．１．全体構成 次に、本発明の一実施形態の電気光学装置の構成を図
１，図２を参照し説明する。なお、図２は主として電気
光学装置の素子基板に実装される部分、図１は主として
素子基板とは別体として実装される回路部分のブロック
図である。図１において電気光学装置には、図示せぬ上
位装置から８ビットのビデオデータ、その垂直同期信号
Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、画素クロックＣ
ＬＫおよびＩ ²Ｃ ＢＵＳ（登録商標）制御信号が供給
される。２０２は二次ガンマ補正回路であり、該ビデオ
データの階調特性を補正し、９ビットのバス幅で、階調
補正された補正ビデオデータを出力する。

【０００９】２０４は多相展開回路であり、該補正ビデ
オデータを、多相展開（ここでは６層展開）する。すな
わち、補正ビデオデータにおける各ドットの画素値の持
続時間が６倍に伸張され、６ドットの画素値を同時にラ
ッチできるようにこれらのタイミングが補正される。次
に、２０６はデータ反転・非反転選択回路であり、１ド
ット毎に画素値の極性が反転するように、これら画素値
の一部を反転させる。２０８はデジタル／アナログ（Ｄ
／Ａ）コンバータであり、データ反転・非反転選択回路
２０６から出力された画素値をアナログ信号である多相
ビデオデータＶＩＤ１〜６に変換し出力する。この多相
ビデオデータＶＩＤ１〜６は、ビデオアンプ２１０−１
〜６を介して増幅される。

【００１０】２１２はＩ^２Ｃ制御回路であり、Ｉ^２Ｃ
ＢＵＳ制御信号に基づいて、電気光学装置内の各部を制
御する。２１４はＬＣＤタイミング発生回路であり、水
平同期信号Ｈｓｙｎｃ、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃに基づ
いて、各種タイミング信号を生成する。これらタイミン
グ信号のうち、主要なものについて説明しておく。な
お、これらタイミング信号の波形例を図８に示してお
く。

【００１１】まず、ＣＬＸは、電気光学装置の表示用の
クロック信号であり、画素クロックＣＬＫの相数倍（こ
こでは６倍）のクロック周期を有し、デューティ比５０
％の信号である。／ＣＬＸはその反転信号である（な
お、本明細書において、反転信号には信号名の先頭に
「／」を付すこととする）。ＤＸはラインスタートパル
スであり、電気光学装置における各ラインの先頭におい
て立ち上がる。ＮＲＧはプリチャージ信号であり、プリ
チャージを行うべきタイミングすなわちラインスタート
パルスＤＸよりも若干早く立ち上がる。ＥＮＢ１，ＥＮ
Ｂ２はラッチイネーブル信号であり、多相ビデオデータ
ＶＩＤ１〜６が安定するタイミングにおいて交互にＨレ
ベルに立ち上がる信号である。ＣＬＹは電気光学装置の
ラインクロック信号であり、所定のラインクロック周期
を有し、デューティ比５０％の信号である。ＤＹはフレ
ームスタートパルスであり、電気光学装置における各フ
レームの先頭において立ち上がる。ＢＩＡＳＯおよびＢ
ＩＡＳＥは奇数ドット極性信号および偶数ドット極性信
号であり、対応する画素に対する液晶層への印加電圧の
極性（換言すれば対応するビデオデータＶＩＤ１〜６の
極性）を示す信号である。すなわち、印加電圧の極性
は、これらの信号がＬレベルであれば正極性、Ｈレベル
であれば負極性であることを示す。

【００１２】２１６はＤ／Ａコンバータであり、Ｉ^２Ｃ
ＢＵＳ制御信号から必要なアナログ信号を生成する。
Sub Brightnessは輝度調整信号であり、ユーザのパネル
操作等に基づく輝度調整指令を示す信号である。Bias_C
OMは輝度調整信号Sub Brightnessの基準電位信号であ
る。ＮＲＳＨはプリチャージ電位最大値信号、ＮＲＳＬ
はプリチャージ電位最小値信号であり、各々プリチャー
ジ電位の最大値と最小値とを示す。ＬＣＣＯＭは対向電
極電位であり、対向電極に印加される。

【００１３】２２２は差動アンプであり、輝度調整信号
Sub Brightnessおよび基準電位信号Bias_COMの差分を増
幅し、その結果をゲイン信号として奇数ドットのビデオ
データＶＩＤ１，３，５を出力するビデオアンプ２１０
−１，３，５に与える。同様に、差動アンプ２２４は、
輝度調整信号Sub Brightnessおよび基準電位信号Bias_C
OMの差分を増幅し、その結果をゲインとして偶数ドット
のビデオデータＶＩＤ２，４，６を出力するビデオアン
プ２１０−２，４，６に与える。

【００１４】２１８，２２０はスイッチング回路であ
り、輝度調整信号Sub Brightnessおよび基準電位信号Bi
as_COMをストレート接続またはクロス接続して差動アン
プ２２２，２２４に供給する。スイッチング回路２１
８，２２０の接続状態（ストレートまたはクロス）は、
極性信号ＢＩＡＳＯ，ＢＩＡＳＥに応じて相補的に切り
換えられる。これにより、ビデオアンプ２１０−１，
３，５およびビデオアンプ２１０−２，４，６には、そ
れぞれ極性が異なり絶対値の等しいゲイン信号が供給さ
れることになる。

【００１５】次に、２３０，２３２は差動アンプであ
り、プリチャージ電位最大値信号ＮＲＳＨおよびプリチ
ャージ電位最小値信号ＮＲＳＬの差分を増幅し、各々奇
数ドットプリチャージ電位ＮＲＳ１および偶数ドットプ
リチャージ電位ＮＲＳ２を出力する。２２６，２２８は
スイッチング回路であり、スイッチング回路２１８，２
２０と同様に、極性信号ＢＩＡＳＯ，ＢＩＡＳＥに応じ
て相補的に接続状態（ストレートまたはクロス）を切り
換えてプリチャージ電位最大値信号ＮＲＳＨおよびプリ
チャージ電位最小値信号ＮＲＳＬを差動アンプ２３０，
２３２に供給する。これにより、プリチャージ電位ＮＲ
Ｓ１，ＮＲＳ２は、それぞれ極性が異なり絶対値の等し
い電位になる。

【００１６】次に、図２において、素子基板上における
表示領域１０１ａには、図においてＸ（行）方向に延在
して複数本の走査線１１２が形成されている。また、複
数本のデータ線１１４が、Ｙ（列）方向に沿って延在し
て形成されている。そして、画素１１０は、走査線１１
２とデータ線１１４との各交差に対応して設けられて、
マトリクス状に配列されている。ここで、説明の便宜
上、本実施形態では、走査線１１２の総本数をｍ本と
し、データ線１１４の総本数をｎ本として（ｍ、ｎはそ
れぞれ２以上の整数）、ｍ行×ｎ列のマトリクス型表示
装置として説明する。

【００１７】１．２．画素の構成 画素１１０の具体的な構成としては、例えば、図３
（ａ）に示されるものが挙げられる。この構成では、ト
ランジスタ（ＭＯＳ型ＦＥＴ）１１６のゲート端が走査
線１１２に、ソース端がデータ線１１４に、ドレイン端
が画素電極１１８に、それぞれ接続されるとともに、画
素電極１１８と対向電極１０８との間に電気光学材料た
る液晶１０５が挟持されて液晶層が形成されている。こ
こで、対向電極１０８は、後述するように、実際には画
素電極１１８と対向するように対向基板に一面に形成さ
れる透明電極である。また、画素電極１１８は蓄積容量
１１９の一端に接続され、蓄積容量１１９の他端には所
定電圧ＶＳＳＸ，ＶＳＳＹが印加され、液晶層に蓄積さ
れる電荷のリークを防止している。なお、この実施形態
では、蓄積容量１１９を画素電極１１８と所定電圧ＶＳ
ＳＸ，ＶＳＳＹとの間に形成したが、画素電極１１８と
対向電極１０８間、画素電極１１８と接地電位ＧＮＤ
間、あるいは画素電極１１８とゲート線間等に形成して
も良い。

【００１８】ここで、図３（ａ）に示される構成では、
トランジスタ１１６として一方のチャネル型のみが用い
られているために、オフセット電圧が必要となるが、図
３（ｂ）に示されるように、Ｐチャネル型トランジスタ
とＮチャネル型トランジスタとを相補的に組み合わせた
構成とすれば、オフセット電圧の影響をキャンセルする
ことができる。ただし、この相補型構成では、走査信号
として互いに排他的レベルを供給する必要が生じるた
め、１行の画素１１０に対して走査線１１２ａ，１１２
ｂの２本の走査線が必要となる。

【００１９】１．３．二次ガンマ補正回路２０２の構成 次に、二次ガンマ補正回路２０２の詳細構成を図５を参
照し説明するが、その前提としてトランジスタ（ＭＯＳ
型ＦＥＴ）を用いた照度測定の原理について説明してお
く。トランジスタのゲート端とドレイン端（ソース端で
もよい）を接続し、ソース−ドレイン間に０.３〜２[V]
程度の電圧VDDを印加すると、ドレイン端にはほとんど
電流が流れない。しかし、ここでトランジスタに光を照
射すると、照度に応じたリーク電流がドレイン端に流れ
る。

【００２０】電流の大きさはトランジスタの生成プロセ
ス等に応じて異なるが、ポリシリコンプロセスによって
形成されたトランジスタの一例では、５００[lx]で２０
[fA]，５００[klx]で２０[pA]，１[Mlx]で１５０[pA]程
度のリーク電流が発生する。従って、ドレイン電流を測
定することにより、照度を測定することが可能になる。
但し、トランジスタ１個あたりのリーク電流はきわめて
低いレベルであるため、数百〜数千個程度のトランジス
タを並列接続してリーク電流を測定すると好適である。

【００２１】図５において３０２，……，３０２は画素
ドライブ用トランジスタ１１６と同一プロセスにおいて
素子基板内に形成された測定用トランジスタであり、数
百〜数千個程度並列接続されている。従って、素子基板
に光が照射されると、これら測定用トランジスタの並列
回路にリーク電流Ｉdlが流れる。３０４，３０６は抵抗
器、３０８はオペアンプであり、これらによって増幅器
が形成されている。すなわち、リーク電流Ｉdlに対し
て、該増幅器より「−Ｉdl・R2」の電圧が出力される。

【００２２】３１０はアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）コ
ンバータであり、この増幅結果に基づいて、リーク電流
Ｉdlの測定値をデジタル値として出力する。３１２はル
ックアップテーブルであり、リーク電流Ｉdlが所定の基
準値であると仮定した状態におけるビデオデータの階調
補正特性が記憶されている。すなわち、液晶の透過率は
印加電圧に応じて図７(a)に示すようにノンリニアに変
化する（ノーマリーホワイトの場合）ため、同図(b)に
示すように、ビデオデータの階調に応じて透過率がリニ
アに変化するように、ビデオデータの階調に対応して液
晶層に印加すべき電圧指令値がルックアップテーブル３
１２に記憶されているのである。但し、リーク電流の増
加に応じて、同図(a)の特性は同図(c)のように変化す
る。すなわち、リーク電流が増加すると、同一の透過率
を得るためにより高い電圧を印加する必要が生じる。図
５において３１４はリーク補正回路であり、リーク電流
Ｉdlの測定値に基づいて上記電圧指令値を補正し、その
結果を多相展開回路２０４に供給する。この補正は、具
体的には液晶への印加電圧の増幅率を変化させるもので
あり、デジタル的な演算によって可能である。また図５
では、デジタル的な演算による例を挙げたが、オペアン
プ３０８からの電圧値を用い、アナログ増幅することに
よっても補正できる。ただし、デジタル演算では非線型
な演算が可能であり、液晶の非線型特性も加味したより
細かい調整が可能であること、液晶材料が変更された場
合にも演算データを簡単に変更可能である利点を有す
る。

【００２３】１．４．ドライバ等の構成 説明を再び図２に戻す。２５２，２５４はＹドライバで
あり、ｍ個（走査線１１２の本数）のラッチ回路から構
成されている。Ｙドライバ２５２，２５４においては、
フレームの最初に供給されるフレームスタートパルスＤ
Ｙがラインクロック信号ＣＬＹの立上がりおよび立下が
りタイミングに同期して各ラッチ回路に順次転送され、
ラッチされた結果が走査線１１２の各々に走査信号Ｇ1,
Ｇ2,Ｇ3,…,Ｇmとして順次排他的に供給される。なお、
Ｙドライバ２５２，２５４は全く同一の走査信号Ｇ1,Ｇ
2,Ｇ3,…,Ｇmを走査線１１２の両端から供給するが、こ
れは走査線１１２上のインピーダンスや寄生容量等の影
響を最小限に抑制するためである。

【００２４】次に、２５０はＸドライバであり、ｋ個
（データ線１１４の本数／６）のラッチ回路（図示せ
ず）から構成されている。Ｘドライバ２５０において
は、各ラインの最初に供給されるラインスタートパルス
ＤＸがクロック信号ＣＬＸの立上がりおよび立下がりタ
イミングに同期して各ラッチ回路に順次転送され、ラッ
チされた結果が信号Ｐ1,Ｐ2,Ｐ3,…,Ｐkとして出力され
る。図８に示すように、信号Ｐ1,Ｐ2,Ｐ3,…,Ｐkはクロ
ック信号ＣＬＸの１／２周期づつオーバーラップしてい
る。

【００２５】２５８−１〜ｋはアンド回路であり、上記
信号Ｐｉ（但し、ｉ=1,2,3, …,k）の添字ｉが奇数であ
る場合は信号Ｐｉとラッチイネーブル信号ＥＮＢ１との
論理積をラッチ信号Ｑｉとして出力する一方、添字ｉが
偶数である場合は信号Ｐｉとラッチイネーブル信号ＥＮ
Ｂ２との論理積をラッチ信号Ｑｉとして出力する。この
結果、ラッチ信号Ｑｉは、順次排他的に出力される。

【００２６】２５６はサンプルホールド回路であり、デ
ータ線１１４毎に設けられたトランジスタによって構成
されている。各トランジスタは、順次６個づつ組になっ
ており、各組を成すトランジスタのゲート端には、ラッ
チ信号Ｑ1，Ｑ2，……，Ｑkが印加される。これによ
り、その時点におけるビデオデータＶＩＤ１〜６が、対
応する６本のデータ線１１４に印加される。２６０はプ
リチャージ回路であり、データ線１１４毎に設けられた
複数のトランジスタから構成されている。これらトラン
ジスタのゲート端に、プリチャージ信号ＮＲＧが印加さ
れると、奇数ドットに対応するデータ線１１４には奇数
ドットプリチャージ電位ＮＲＳ１が、偶数ドットに対応
するデータ線１１４には偶数ドットプリチャージ電位Ｎ
ＲＳ２が同時に印加される。

【００２７】１．５．液晶装置の構成 次に、上述した電気光学装置の構造について、図４
(a)，(b)を参照して説明する。ここで、同図(a)は、電
気光学装置１００の構成を示す平面図であり、同図(b)
は、同図(a)におけるＡ−Ａ´断面図である。これらの
図において１０１は素子基板であり、その上面に画素電
極１１８などが形成されている。１０２は対向基板であ
り、その下面に対向電極１０８が形成されている。素子
基板１０１および対向電極１０８は、互いにシール材１
０４によって一定の間隙を保って貼り合わせられ、この
間隙に電気光学材料としての液晶１０５が挟持されてい
る。なお、実際には、シール材１０４には切欠部分があ
って、ここを介して液晶１０５が封入された後、封止材
により封止されるが、これらの図においては省略されて
いる。ここで、素子基板１０１および対向基板１０２は
ガラスや石英などの非晶質基板である。そして、画素電
極１１８等は、素子基板１０１に半導体簿膜を堆積して
成るＴＦＴによって形成されている。すなわち、電気光
学装置１００は、透過型として用いられることになる。

【００２８】さて、素子基板１０１において、シール材
１０４の内側かつ表示領域１０１ａの外側領域には、各
種回路が形成されている。すなわち、図上で表示領域１
０１ａの左右にはＹドライバ２５２，２５４が形成さ
れ、上方にはプリチャージ回路２６０が、また下方には
Ｘドライバ２５０が形成されている。さらに、表示領域
１０１ａの右上，左上，右下，左下方向の領域３０２ａ
においては、多数の測定用トランジスタ３０２，……，
３０２が形成されている。

【００２９】また、素子基板１０１において、Ｘドライ
バ２５０が形成される領域の外側であって、シール材１
０４を隔てた領域１０７には、複数の接続端子が形成さ
れ、ここから外側からの制御信号や電源電圧などが入力
される。一方、対向基板１０２の対向電極１０８は、基
板貼合部分における４隅のうち少なくとも１箇所におい
て設けられた導通材（図示省略）と、領域１０７に設け
られた接続端子とを介して、対向電極電位ＬＣＣＯＭが
対向電極１０８に印加される。

【００３０】ほかに、対向基板１０２には、電気光学装
置１００の用途に応じて、例えば、直視型であれば、第
１に、ストライプ状や、モザイク状、トライアングル状
等に配列したカラーフィルタが設けられ、第２に、例え
ば、金属材料や樹脂などからなる遮光膜（ブラックマト
リクス）が設けられる。なお、色光変調の用途の場合に
は、例えば、後述するプロジェクタのライトバルブとし
て用いる場合には、カラーフィルタは形成されない。ま
た、直視型の場合、電気光学装置１００に光を素子基板
１０１側から照射するバックライトが必要に応じて設け
られる。

【００３１】さらに、素子基板１０１およげ対向基板１
０２の電極形成面には、それぞれ所定の方向にラビング
処理された配向膜（図示省略）など設けられて、電圧無
印加状態における液晶分子の配向方向を規定する一方、
対向基板１０２の側には、配向方向に応じた偏光子（図
示省略）が設けられる。ただし、液晶１０５として、高
分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用
いれば、前述の配向膜や偏光子などが不要となる結果、
光利用効率が高まるので、高輝度化や低消費電力化など
の点において有効である。

【００３２】１．６．トランジスタの素子構造 次に、素子基板１０１上における画素用のトランジスタ
１１６の構造を図６(a)を参照し説明する。図６(a)にお
いてデータ線１１４は縦方向に延在して設けられ、走査
線１１２はデータ線１１４から絶縁されつつ横方向に延
在して設けられている。そして、両者の交差箇所におい
て走査線１１２の上部にトランジスタ１１６が形成さ
れ、同時にトランジスタ１１６のゲート端が走査線１１
２に接続されている。また、交差箇所近傍においてデー
タ線１１４にはコンタクト３５２が形成され、ここから
トランジスタ１１６の上方に向かってリード線３５４が
形成され、該リード線３５４の先端がトランジスタ１１
６のソース端に接続されている。

【００３３】また、画素電極１１８においてもコンタク
ト３５６が形成され、ここからデータ線１１４に向かい
途中で折れ曲がってトランジスタ１１６の上方に向かう
リード線３５８が形成されている。そして、該リード線
３５８の先端がトランジスタ１１６のドレイン端に接続
されている。電気光学装置１００が後述するプロジェク
タのライトバルブとして用いられる場合には、素子基板
１０１側から光が照射される。従って、データ線１１４
はトランジスタ１１６に照射される光を減衰させ、リー
ク電流を低減させる遮光膜としての役割を兼ねている。

【００３４】次に、測定用トランジスタ３０２，……，
３０２の構造を同図(b)を参照し説明する。図において
３６０はソースライン、３６２はゲートライン、３６４
はドレインラインであり、平行に延在して形成されてい
る。ゲートライン３６２およびドレインライン３６４の
端部には、各々コンタクト３７６，３７８が形成され、
両ラインはリード線３８０を介して結合されている。ゲ
ートライン３６２上には、ほぼ等間隔に測定用トランジ
スタ３０２，……，３０２が形成されている。

【００３５】これら測定用トランジスタ３０２，……，
３０２の形成位置を挟むように、ソースライン３６０お
よびドレインライン３６４には、コンタクト３６６，…
…，３６６および３７２，……，３７２が形成されてい
る。そして、コンタクト３６６，……，３６６および３
７２，……，３７２から測定用トランジスタ３０２，…
…，３０２の上方に向かって、リード線３６８，……，
３６８および３７４，……，３７４が形成されている。
リード線３６８，……，３６８の先端は測定用トランジ
スタ３０２，……，３０２のソース端に接続され、リー
ド線３７４，……，３７４の先端はこれらトランジスタ
のドレイン端に接続されている。

【００３６】そして、ソースライン３６０には、電圧VD
Dが印加され、図５に示した測定用トランジスタ３０
２，……，３０２の並列回路が実現されている。また、
各測定用トランジスタ３０２，……，３０２の下方に
は、ゲートライン３６２等と直交する方向に遮光ライン
３８２，……，３８２が形成されている。これら遮光ラ
イン３８２，……，３８２は、図６(a)におけるデータ
線１１４に代えて照射光を減衰させるために設けられた
ものであり、測定用トランジスタ３０２のリーク電流と
画素用トランジスタ１１６のリーク電流特性との間にほ
ぼリニアな比例関係を付与することが可能になる。

【００３７】２．実施形態の動作 次に、上述した実施形態に係る電気光学装置の動作につ
いて説明する。図８は、この電気光学装置の動作を説明
するためのタイミングチャートである。まず、フレーム
スタートパルスＤＹがＹドライバ２５２，２５４に供給
されると、クロック信号ＣＬＹにしたがった転送によっ
て、走査信号Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,…,Ｇmが１フレーム内で順次
排他的に出力される。

【００３８】さて、走査信号Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,…,Ｇmは、そ
れぞれクロック信号ＣＬＹの半周期に相当するパルス幅
を有し、また、上から数えて１本目の走査線１１２に対
応する走査信号Ｇ1は、スタートパルスＤＹが供給され
た後、クロック信号ＣＬＹが最初に立ち上がってから、
少なくともクロック信号ＣＬＹの半周期だけ遅延して出
力される。そして、各走査信号Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,…,Ｇmが立
ち上がると、プリチャージ信号ＮＲＧおよびラインスタ
ートパルスＤＸが順次立ち上がる。

【００３９】まず、上から１本目の走査線１１２に走査
信号Ｇ1が供給されると、表示領域１０１ａ内の１段目
の画素１１０内のトランジスタ１１６は全てオン状態に
なるが、各データ線１１４は全てハイインピーダンス状
態になっているため、蓄積容量１１９および画素電極１
１８の電位は変化しない。ここでプリチャージ信号ＮＲ
Ｇが立ち上がると、プリチャージ回路２６０内のトラン
ジスタが全てオン状態に設定される。これにより、奇数
ドットに対応するデータ線１１４には奇数ドットプリチ
ャージ電位ＮＲＳ１が、偶数ドットに対応するデータ線
１１４には偶数ドットプリチャージ電位ＮＲＳ２が同時
に印加される。従って、１段目の全ての画素１１０に
は、プリチャージ電位ＮＲＳ１またはＮＲＳ２が書き込
まれる。

【００４０】次に、ラインスタートパルスＤＸがＸドラ
イバ２５０に供給されると、クロック信号ＣＬＸに同期
して該ラインスタートパルスＤＸがＸドライバ２５０内
でシフトされてゆく。そして、クロック信号ＣＬＸの１
／２周期づつオーバーラップする信号Ｐ1,Ｐ2,Ｐ3,…,
Ｐkが、該シフトされたラインスタートパルスＤＸに基
づいて順次出力される。一方、ＬＣＤタイミング発生回
路２１４から出力されるラッチイネーブル信号ＥＮＢ
１，ＥＮＢ２は、多相ビデオデータＶＩＤ１〜６が安定
するタイミングにおいて交互にＨレベルに立ち上がる。

【００４１】また、アンド回路２５８−１〜ｋにおいて
は、上記信号Ｐｉ（但し、ｉ=1,2,3,…,k）の添字ｉが
奇数である場合は信号Ｐｉとラッチイネーブル信号ＥＮ
Ｂ１との論理積をラッチ信号Ｑｉとして出力する一方、
添字ｉが偶数である場合は信号Ｐｉとラッチイネーブル
信号ＥＮＢ２との論理積をラッチ信号Ｑｉとして出力す
る。この結果、ラッチ信号Ｑｉは、ビデオデータＶＩＤ
１〜６が安定する期間、順次排他的に出力される。

【００４２】ここで、走査信号Ｇ1が立ち上がり、さら
に信号Ｐ1が立ち上がる期間の動作についてさらに詳細
に説明しておく。信号Ｐ1が立ち上がった後暫くすると
ラッチイネーブル信号ＥＮＢ１が立ち上がり、これと同
期してラッチ信号Ｑ1が立ち上がる。これにより、図２
のサンプルホールド回路２５６内で最左端ないし左から
６番目のトランジスタがオン状態になり、ビデオデータ
ＶＩＤ１〜６が左から１本目ないし６本目のデータ線１
１４に印加される。

【００４３】その際、上から１本目の走査線１１２には
Ｈレベルの電圧が印加されているから、該走査線１１２
と左から１本目ないし６本目のデータ線１１４との交差
に対応する６個のトランジスタ１１６を介して、蓄積容
量１１９および画素電極１１８にビデオデータＶＩＤ１
〜６すなわち電圧が印加され、蓄積容量１１９および画
素電極１１８が充電される。なお、１本目の走査線１１
２と、左から７本目以降のデータ線１１４との交差に対
応するトランジスタ１１６もオン状態になるが、これら
データ線１１４はハイインピーダンス状態になっている
ため、蓄積容量１１９および画素電極１１８の電位は変
化しない。

【００４４】以後、同様にラッチ信号Ｑ2，Ｑ3，……，
Ｑkが順次立ち上がってゆくと、データ線１１４に６本
づつ排他的にビデオデータＶＩＤ１〜６が供給され、上
から１段目のトランジスタ１１６の６個づつにこれらビ
デオデータＶＩＤ１〜６が書き込まれてゆく。そして、
１段目の画素１１０に対する書き込みが全て終了する
と、上から２本目の走査線１１２には走査信号Ｇ2が供
給され（Ｈレベルの電圧が印加され）、２段目の画素１
１０に対して、２段目のビデオデータＶＩＤ１〜６が順
次書き込まれてゆく。以降同様な動作が、ｍ本目の走査
線１１２に対応する走査信号Ｇｍが出力されるまで繰り
返され、表示領域１０１ａ全体に渡ってビデオデータが
書き込まれる。さらに、フレームスタートパルスＤＹが
再び供給されると、表示領域１０１ａ全体に渡ってビデ
オデータが書き込まれる。以下同様な動作が、フレーム
スタートパルスＤＹが供給される毎に繰り返される。

【００４５】なお、画素１１０に書き込まれたビデオデ
ータ（画素電圧）は、次のフレームでプリチャージされ
るまで保持されると理想的であるが、実際には図８の最
下段に示すように、リーク電流によって画素電圧の絶対
値が低下してゆく。ここで、実線はリーク電流が少ない
場合の画素電圧特性であり、一点鎖線はリーク電流が多
い場合の画素電圧特性である。本実施形態においては、
画素用トランジスタ１１６に生ずるリーク電流にほぼ比
例するリーク電流が測定用トランジスタ３０２，……，
３０２を介して検出され、リーク補正回路３１４によっ
て階調のずれを補償するように信号レベルが補正される
から、リーク電流の増減が生じたとしても、高品質な画
像を得ることが可能である。

【００４６】３．電子機器の具体例 ３．１．＜プロジェクタ＞ 次に、上述した電気光学装置を具体的な電子機器に用い
た例のいくつかについて説明する。まず、上記実施形態
に係る電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型
表示装置であるプロジェクタ１４３０について説明す
る。図１２は、投射型表示装置の要部を示す概略構成図
である。図中、１４３１は光源、１４４２，１４４４は
ダイクロイックミラー、１４４３，１４４８，１４４９
は反射ミラー、１４４５は入射レンズ、１４４６はリレ
ーレンズ、１４４７は出射レンズ、１００Ｒ，１００
Ｇ，１００Ｂは上記電気光学装置による液晶光変調装
置、１４５１はクロスダイクロイックプリズム、１４３
７は投射レンズを示す。光源１４３１はメタルハライド
等のランプ１４４０とランプの光を反射するリフレクタ
１４４１とからなる。青色光・緑色光反射のダイクロイ
ックミラー１４４２は、光源１４３１からの光束のうち
の赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反
射する。透過した赤色光は反射ミラー１４４３で反射さ
れて、赤色光用液晶光変調装置１００Ｒに入射される。
一方、ダイクロイックミラー４２で反射された色光のう
ち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー１４４４
によって反射され、緑色光用液晶光変調装置１００Ｇに
入射される。一方、青色光は第２のダイクロイックミラ
ー１４４４も透過する。青色光に対しては、長い光路に
よる光損失を防ぐため、入射レンズ１４４５、リレーレ
ンズ１４４６、出射レンズ１４４７を含むリレーレンズ
系からなる導光手段が設けられ、これを介して青色光が
青色光用液晶光変調装置１００Ｂに入射される。各光変
調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイ
ックプリズム１４５１に入射する。このプリズムは４つ
の直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射
する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十
字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって
３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成さ
れる。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１
４３７によってスクリーン１４５２上に投射され、画像
が拡大されて表示される。

【００４７】次に、図９(a)は、反射型の上記実施形態
に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジ
ェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるよ
うに、プロジェクタ１１００内部には、偏光照明装置１
１１０がシステム光軸ＰＬに沿って配置されている。こ
の偏光照明装置１１１０において、ランプ１１１２から
の出射光は、リフレクタ１１１４による反射で略平行な
光束となって、第１のインテグレータレンズ１１２０に
入射する。これにより、ランプ１１１２からの出射光
は、複数の中間光束に分割される。この分割された中間
光束は、第２のインテグレータレンズを光入射側に有す
る偏光変換素子１１３０によって、偏光方向がほぼ揃っ
た一種類の偏光光束（ｓ偏光光束）に変換されて、偏光
照明装置１１１０から出射されることとなる。

【００４８】さて、偏光照明装置１１１０から出射され
たｓ偏光光束は、偏光ビームスプリッタ１１４０のｓ偏
光光束反射面１１４１によって反射される。この反射光
束のうち、青色光（Ｂ）の光束がダイクロイックミラー
１１５１の青色光反射層にて反射され、反射型の電気光
学装置１００Ｂによって変調される。また、ダイクロイ
ックミラー１１５１の青色光反射層を透過した光束のう
ち、赤色光（Ｒ）の光束は、ダイクロイックミラー１１
５２の赤色光反射層にて反射され、反射型の電気光学装
置１００Ｒによって変調される。一方、ダイクロイック
ミラー１１５１の青色光反射層を透過した光束のうち、
緑色光（Ｇ）の光束は、ダイクロイックミラー１１５２
の赤色光反射層を透過して、反射型の電気光学装置１０
０Ｇによって変調される。

【００４９】このようにして、電気光学装置１００Ｒ，
１００Ｇ，１００Ｂによってそれぞれ色光変調された赤
色、緑色、青色の光は、ダイクロイックミラー１１５
２、１１５１、偏光ビームスプリッタ１１４０によって
順次合成された後、投写光学系１１６０によって、スク
リーン１１７０に投写されることとなる。なお、電気光
学装置１００Ｒ、１００Ｂおよび１００Ｇには、ダイク
ロイックミラー１１５１、１１５２によって、Ｒ、Ｇ、
Ｂの各原色に対応する光束が入射するので、カラーフィ
ルタは必要ない。

【００５０】３．２．＜モバイル型コンピュータ＞ 次に、上記電気光学装置を、モバイル型のパーソナルコ
ンピュータに適用した例について説明する。図９(b)
は、このパーソナルコンピュータの構成を示す正面図で
ある。図において、モバイル型コンピュータ１２００
は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、表
示ユニット１２０６とから構成されている。この表示ユ
ニット１２０６は、先に述べた電気光学装置１００の後
方にバックライトを付加することにより構成されてい
る。

【００５１】３．３．＜携帯電話器＞ さらに、上記電気光学装置を、携帯電話器に適用した例
について説明する。図９(c)は、この携帯電話器の構成
を示す斜視図である。図において、携帯電話器１３００
は、複数の操作ボタン１３０２のほか、受話口１３０
４、送話口１３０６とともに、電気光学装置１００を備
えるものである。この電気光学装置１００にも、必要に
応じてその後方にバックライトが設けられる。

【００５２】３．４．＜その他＞ 電子機器としては、以上説明した他にも、液晶テレビ
や、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープ
レコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手
帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テ
レビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等な
どが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に対し
て、上述した電気光学装置が適用可能なのは言うまでも
ない。

【００５３】４．変形例 本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、
例えば以下のように種々の変形が可能である。 （１）上記実施形態においては、測定用トランジスタ３
０２，……，３０２の下方に遮光ライン３８２，……，
３８２を設け、測定用トランジスタ３０２，……，３０
２のリーク電流特性が画素用トランジスタ１１６の特性
に略比例するようにした（図６(b)参照）。しかし、測
定用トランジスタ３０２，……，３０２のリーク電流と
トランジスタ１１６のリーク電流との関係が既知である
ならば、同図(c)に示すように遮光ライン３８２，…
…，３８２を除去してもよい。かかる構成によれば、測
定用トランジスタ３０２，……，３０２に光が直接照射
されるため、より大きなリーク電流を得ることが可能に
なる。

【００５４】（２）また、測定用トランジスタ３０２，
……，３０２を配置する領域３０２ａも、図４に示す位
置に限定されるものではない。例えば、図１１に示すよ
うに、シール材１０４の内側であって、Ｙドライバ２５
２，２５４、プリチャージ回路２６０およびＸドライバ
２５０の外側の領域に領域３０２ａを設け、ここに測定
用トランジスタ３０２，……，３０２を形成してもよ
い。

【００５５】（３）電気光学装置１００の駆動回路は、
図１，図２に示すものに限られず、種々の方式の駆動回
路を用いることができる。その一例を図１０に示す。図
において二次ガンマ補正回路２０２は、上記実施形態の
ものと同様に構成されている。４０４は１相／２相展開
回路であり、二次ガンマ補正回路２０２から出力された
ビデオデータを２相のビデオデータに展開する。４０６
はデータ反転・非反転選択回路であり、該２相のビデオ
データのうち一方を反転し、他方を非反転状態に設定す
る。

【００５６】４０８，４１０はＤ／Ａコンバータであ
り、４０６から出力された２相のビデオデータをそれぞ
れアナログ信号に変換する。変換されたビデオデータ
は、差動アンプ４１２，４２４を介してサンプルホール
ド回路４１６に供給される。サンプルホールド回路４１
６はこれらビデオデータをラッチし、多相ビデオデータ
ＶＩＤ１〜６として出力する。この変形例においても、
測定用トランジスタ３０２，……，３０２から出力され
るリーク電流Ｉdlに基づいて、リーク補正回路３１４に
よって信号レベルが補正される。この信号レベルの補正
は、2次ガンマ補正２０２において行われる。これによ
り、上記実施形態と同様にリーク電流の増減が生じたと
しても、高品質な画像を得ることが可能である。

【００５７】（４）また、上記実施形態においては、電
気光学装置を構成する素子基板１０１をガラスや石英な
どの非晶質基板とし、ここに半導体簿膜を堆積してＴＦ
Ｔを形成したが、本発明は、これに限られない。例え
ば、素子基板１０１を不透明な半導体基板によって構成
し、画素電極１１８をアルミニウムなどの反射性金属か
ら形成し、対向基板１０２をガラスなどから構成する
と、電気光学装置１００を反射型として用いることがで
きる。

【００５８】（５）さらに、上記実施形態は本発明を液
晶を用いた電気光学装置に適用した例を説明したが、他
の電気光学装置、特に、画素に印加する電圧等に応じて
階調表示を行う電気光学装置のすべてに適用可能であ
る。このような電気光学装置としてはエレクトロルミネ
ッセンス（ＥＬ）装置やプラズマディスプレイ（ＰＤ
Ｐ）装置などが考えられる。特に有機ＥＬの場合は、液
晶のような交流駆動をする必要が無く、極性反転をしな
くて良い。ＥＬやＰＤＰの場合、自発光素子であるため
外部から強烈な光は入力されないが、自発光素子に近い
位置にＴＦＴが配置されているため、この光によってス
イッチング素子（ＴＦＴ）に光リークが発生する。この
場合、先の実施例のようにパネルの周辺に光リーク検出
素子を設けても良いが、より高精度な表示を実現するた
めには画素毎に光リーク検出素子を作り、制御すること
によって光リークによる画質劣化のない高画質な表示が
可能である。

【００５９】（６）上記実施形態においては、走査信号
Ｇ1,Ｇ2,Ｇ3,…,Ｇmを順次排他的に出力することによっ
て走査線１１２を上から順に選択する例を挙げたが、走
査線１１２の選択順序はこれに限定されるものではな
く、例えば走査信号を「Ｇ1,Ｇ11,Ｇ21,…,Ｇ2,Ｇ12,Ｇ
22,…,Ｇ3,Ｇ13,Ｇ23,…」の如く、複数ライン毎に飛ば
しながら出力し、１フレーム内で全ラインの走査線１１
２を選択するようにしてもよい。また、２系統のＹドラ
イバ２５２，２５４が必ずしも同一の走査信号を出力す
る必要はなく、例えばＹドライバ２５２は奇数ライン、
Ｙドライバ２５４は偶数ラインの走査信号を交互に出力
するようにしてもよい。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、素
子基板１０１上に配設された電流源から第１のリーク電
流に対応する第２のリーク電流が出力され、この第２の
リーク電流に基づいて、補正回路が画素電圧を補正する
から、スイッチング素子の第１のリーク電流に対して、
階調特性を自動的に補正することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施形態の電気光学装置の電気的
構成を示すブロック図（１／２）である。

【図２】 本発明の一実施形態の電気光学装置の電気的
構成を示すブロック図（２／２）である。

【図３】 上記実施形態における画素の構成例を示す図
である。

【図４】 上記実施形態における電気光学装置の構造図
である。

【図５】 二次ガンマ補正回路２０２の詳細構成を示す
ブロック図である。

【図６】 画素用のトランジスタ１１６、測定用トラン
ジスタ３０２，……，３０２およびその周辺部分の構造
図である。

【図７】 二次ガンマ補正回路２０２の動作説明図であ
る。

【図８】 上記実施形態の電気光学装置のタイミングチ
ャートである。

【図９】 同電気光学装置を適用した各種電子機器の例
を示す図である。

【図１０】 上記実施形態の変形例における要部のブロ
ック図である。

【図１１】 上記実施形態の他の変形例における電気光
学装置の構造図である。

【図１２】 上記電気光学装置を適用したプロジェクタ
の概略構成図である。

【符号の説明】

１００……電気光学装置 １００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ……液晶光変調装置 １０１……素子基板 １０１ａ……表示領域 １０２……対向基板 １０４……シール材 １０５……液晶 １０７……領域 １０８……対向電極 １１０……画素 １１２……走査線 １１４……データ線 １１６……画素用トランジスタ（スイッチング素子） １１８……画素電極 １１９……蓄積容量 ２０２……二次ガンマ補正回路 ２０４……多相展開回路 ２０６……データ反転・非反転選択回路 ２０８……Ｄ／Ａコンバータ ２１０−１〜６……ビデオアンプ ２１２……Ｉ^２Ｃ制御回路 ２１４……ＬＣＤタイミング発生回路 ２１６……Ｄ／Ａコンバータ ２１８，２２０……スイッチング回路 ２２２，２２４……差動アンプ ２２６，２２８……スイッチング回路 ２３０，２３２……差動アンプ ２５０……Ｘドライバ ２５２，２５４……Ｙドライバ ２５６……サンプルホールド回路 ２５８−１〜ｋ……アンド回路 ２６０……プリチャージ回路 ３０２，……，３０２……測定用トランジスタ（電流
源） ３０２ａ……領域 ３０４，３０６……抵抗器 ３０８……オペアンプ ３１０……Ａ／Ｄコンバータ ３１２……ルックアップテーブル ３１４……リーク補正回路 ３５２……コンタクト ３５４……リード線 ３５６……コンタクト ３５８……リード線 ３６０……ソースライン（第１のライン） ３６２……ゲートライン（第３のライン） ３６４……ドレインライン（第２のライン） ３６６，……，３６６……コンタクト ３６８，……，３６８……リード線 ３７２，……，３７２……コンタクト ３７４，……，３７４……リード線 ３７６，３７８……コンタクト ３８０……リード線 ３８２，……，３８２……遮光ライン ４０６……データ反転・非反転選択回路 ４０８，４１０……Ｄ／Ａコンバータ ４１２，４２４……差動アンプ ４１６……サンプルホールド回路 １４３０……プロジェクタ １４３１……光源 １４３７……投射レンズ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６２１Ｍ ５Ｃ０８０ ６４１ ６４１Ｃ ６４２ ６４２Ｃ ６４２Ｐ ６８０ ６８０Ｃ Ｈ０４Ｎ 5/66 Ｈ０４Ｎ 5/66 Ｂ Ｆターム(参考） 2H088 EA12 HA08 HA13 HA24 HA28 MA13 2H092 JA24 NA25 PA07 PA13 RA05 2H093 NA16 NA31 NA41 NA51 NC23 NC24 NC34 NC51 NC58 ND06 NE06 5C006 AA01 AA16 AC26 AF13 AF46 AF71 AF81 AF83 BB16 BB29 BC03 BC12 BC20 BF11 BF25 BF34 BF38 BF49 EA01 EB05 EC11 FA18 FA21 FA36 FA54 5C058 AA06 AA09 AB06 BA07 BA23 BB25 EA26 5C080 AA10 BB05 DD04 EE19 EE29 FF11 GG07 GG08 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 素子基板上に配置され、画素電圧が印加
   される複数の画素電極と、 選択期間に導通状態になることにより、前記画素電圧を
   前記画素電極に印加し、非選択期間に非導通状態となる
   ことにより、前記画素電圧を前記画素電極に保持するス
   イッチング素子と、 前記スイッチング素子のダミー素子を含む電流源と、 前記電流源に流れる電流に応じて前記画素電圧を補正す
   る補正回路とを有することを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 素子基板上に配置され、画素電圧が印加
   される複数の画素電極と、 選択期間に導通状態になることにより、前記画素電圧を
   前記画素電極に印加し、非選択期間に非導通状態となる
   ことにより、前記画素電圧を前記画素電極に保持するス
   イッチング素子と、 前記スイッチング素子を光照射から遮光する遮光膜と、 前記スイッチング素子のダミー素子を含む電流源と、 前記電流源に流れる電流に応じて前記画素電圧を補正す
   る補正回路とを有することを特徴とする電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記ダミー素子を光照射から遮光する遮
   光膜を有することを特徴とする請求項２記載の電気光学
   装置。
4. 【請求項４】 前記電流源は、並列接続された複数の前
   記ダミー素子を有することを特徴とする請求項１乃至４
   記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記スイッチング素子は、ＴＦＴからな
   ることを特徴とする請求項１乃至４記載の電気光学装
   置。
6. 【請求項６】 前記ダミー素子は前記スイッチング素子
   と同一工程で製造されることを特徴とする請求項１乃至
   ５記載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記電流源は、 前記素子基板上に配設された第１のラインと、 該第１のラインに略平行に配設された第２のラインと、 該第１および第２のラインの間に介挿された第３のライ
   ンと、 該第３のライン上に形成された複数のダミー素子と、 前記第１または第２のラインの何れかと前記第３のライ
   ンとを接続する第１のリード線と、 前記第１のラインと前記複数のダミー素子の入力端とを
   接続する第２のリード線と、 前記第２のラインと前記複数のダミー素子の出力端とを
   接続する第３のリード線とを有することを特徴とする請
   求項１乃至６記載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７の何れかに記載の電気光
   学装置を備えることを特徴とする電子機器。
9. 【請求項９】 光源と、前記光源からの光を変調する光
   変調装置と、前記光変調装置により変調された光を投射
   する投射レンズを有する投射型表示装置において、 前記光変調装置は、 素子基板上に配置され、画素電圧が印加される複数の画
   素電極と、 選択期間に導通状態になることにより、前記画素電圧を
   前記画素電極に印加し、非選択期間に非導通状態となる
   ことにより、前記画素電圧を前記画素電極に保持するス
   イッチング素子と、 前記スイッチング素子を光照射から遮光する遮光膜と、 前記スイッチング素子のダミー素子を含む電流源と、 前記電流源に流れる電流に応じて前記画素電圧を補正す
   る補正回路とを有することを特徴とする投射型表示装
   置。
10. 【請求項１０】 前記ダミー素子を光照射から遮光する
    遮光膜を有することを特徴とする請求項９記載の投射型
    表示装置。
11. 【請求項１１】 前記電流源は、並列接続された複数の
    前記ダミー素子を有することを特徴とする請求項９また
    は１０記載の投射型表示装置。
12. 【請求項１２】 前記スイッチング素子は、ＴＦＴから
    なることを特徴とする請求項１０乃至１１記載の投射型
    表示装置。
13. 【請求項１３】 前記ダミー素子は前記スイッチング素
    子と同一工程で製造されることを特徴とする請求項９乃
    至１２記載の投射型表示装置。
14. 【請求項１４】 前記電流源は、 前記素子基板上に配設された第１のラインと、 該第１のラインに略平行に配設された第２のラインと、 該第１および第２のラインの間に介挿された第３のライ
    ンと、 該第３のライン上に形成された複数のダミー素子と、 前記第１または第２のラインの何れかと前記第３のライ
    ンとを接続する第１のリード線と、 前記第１のラインと前記複数のダミー素子の入力端とを
    接続する第２のリード線と、 前記第２のラインと前記複数のダミー素子の出力端とを
    接続する第３のリード線とを有することを特徴とする請
    求項９乃至１３記載の投射型表示装置。