JP2002214646A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハイブリッド・アラインド・ネマティック型
表示モードの液晶表示素子において、電極基板上に形成
される構造物が有する電極基板面内の凹凸の段差により
液晶分子の配向が乱れ、配向不良による表示不良を生じ
るのを防止して、表示品位を向上する。 【解決手段】 誘電率異方性が正極性（Δε＞０）のｐ
型液晶組成物１４を用いる液晶表示素子１０の、凹凸の
段差がより大きいＴＦＴ基板１１側に垂直配向膜２０を
成膜し、凹凸の段差が小さい対向基板１２側に７．５°
のプレチルト角のチルト配向膜２４を成膜する。これに
より、より大きい凹凸の段差が形成されるにもかかわら
ず、ＴＦＴ基板１１の垂直配向膜２０上では、電圧印加
時においても液晶分子１４ａがほとんど動かず、配向の
乱れを防止出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子に係
り、特にハイブリッド・アラインド・ネマティック型表
示モードの液晶表示素子にて高い表示品位を得る液晶表
示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、画像表示用や光スイッチなどに利
用される液晶表示素子は、薄型、軽量を特長として携帯
用デバイスに幅広く普及されている。この携帯用デバイ
スに使用される液晶表示素子としては、従来よりツイス
テッド・ネマティック型（以下ＴＮ型と略称する。）表
示モードの液晶表示素子が多用されている。そしてこの
ＴＮ型表示モードの液晶表示素子を用いた場合、例えば
バックライト付きの１０インチサイズの携帯デバイスで
あると、一般に約２．５Ｗの消費電力を要していた。

【０００３】他方、携帯用デバイスにあっては、低消費
電力化が進められ、液晶表示素子においても低消費電力
化が強く求められている。この液晶表示素子の低消費電
力化技術のひとつとして、一方の電極基板側に垂直配向
膜を成膜する一方、対向する電極基板側にチルト配向膜
を成膜して、液晶組成物中の液晶分子のプレチルト角を
徐々に変化させる分子配列を利用して画像表示を行う、
ハイブリッド・アラインド・ネマティック型（以下ＨＡ
Ｎ型と略称する。）表示モードの液晶表示素子の実用化
が進められている。このＨＡＮ型表示モードは、電圧印
加特性においてＴＮ型表示モードのようなしきい値がな
いため、液晶の低電圧駆動に効果的であるという特性を
有する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のＨＡＮ型表示モードの液晶表示素子にあっては、電極
基板上の信号線や走査線、トランジスタなどの画素電極
駆動素子あるいは、カラーフィルタ層等の構造物によ
り、通常電極基板面内に凹凸の段差を生じており、この
電極基板面内の凹凸の段差により液晶組成物中の液晶分
子が影響を受け、液晶分子の配向が乱れ、所望の配向状
態を得られず、配向不良による表示不良を起こすという
問題が発生していた。

【０００５】そこで本発明は上記課題を除去するもので
あり、液晶表示素子の低消費電力化の実現を図るＨＡＮ
型表示モードの液晶表示素子において、構造上電極基板
面に形成される凹凸の段差にかかわらず、この凹凸の段
差を原因とする、液晶組成物の配向不良を防止して、よ
り均一な配向を実現し、表示品位の高い液晶表示素子を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともい
ずれか一方に電極を有してなり、対向配置される一対の
基板と、この一対の基板のいずれか一方であって表面の
凹凸の段差がより大きい一方の基板に成膜され略垂直配
向機能を有する垂直配向膜と、この垂直配向膜が形成さ
れる前記一方の基板に対向する他方の基板に成膜されチ
ルト配向機能を有するチルト配向膜と、前記垂直配向膜
及び前記チルト配向膜とを対向するよう対向配置してな
る前記一対の基板の間隙に封入される正極性の誘電率異
方性を有する液晶組成物とを設けるものである。

【０００７】又本発明は、少なくともいずれか一方に電
極を有してなり、対向配置される一対の基板と、この一
対の基板のいずれか一方であって表面の凹凸の段差がよ
り大きい一方の基板に成膜されチルト配向機能を有する
チルト配向膜と、このチルト配向膜が形成される前記一
方の基板に対向する他方の基板に成膜され略垂直配向機
能を有する垂直配向膜と、前記チルト配向膜及び前記垂
直配向膜とを対向するよう対向配置してなる前記一対の
基板の間隙に封入される負極性の誘電率異方性を有する
液晶組成物とを設けるものである。

【０００８】上記構成により本発明は、ＨＡＮ型表示モ
ードの液晶表示素子に用いる電極基板上の垂直配向膜と
チルト配向膜の配置を、液晶組成物の誘電率異方性の極
性に応じて特定することにより、電極基板面内に形成さ
れる凹凸の段差にかかわらず、液晶分子は配向を乱され
る事無くほぼ均一な配向を保持出来、配向不良による表
示不良を防止して、表示品位の良い、信頼性の高い液晶
表示素子を得るものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】先ず本発明の原理について述べ
る。ＨＡＮ型表示モードでは、液晶組成物の材料として
誘電率異方性が正極性（Δε＞０）であるｐ型液晶を用
いる場合と、誘電率異方性が負極性（Δε＜０）である
ｎ型液晶を用いる場合がある。ｐ型液晶の場合は垂直配
向膜上で垂直に配向した液晶分子は、電圧を印加しても
ほとんど動かず、チルト配向膜上で０〜１０°のプレチ
ルト角に配向した液晶分子は、電圧印加に応じて、それ
以上のチルト角に変化する特性が有る。

【００１０】一方ｎ型液晶の場合は、チルト配向膜上で
０〜１０°のプレチルト角に配向した液晶分子は、電圧
を印加してもほとんど動かず、垂直配向膜上で垂直に配
向した液晶分子は、電圧印加に応じてチルト方向に変化
するという特性が有る。

【００１１】上記ｐ型液晶及びｎ型液晶のそれぞれの特
性から、ｐ型液晶であれば電極基板面内に形成される凹
凸の段差がより大きい電極基板側に垂直配向膜を形成
し、またｎ型液晶であれば凹凸の段差がより大きい電極
基板側にチルト配向膜を形成すれば、それぞれの液晶分
子は、電圧印加時に、凹凸段差のより大きい電極基板側
にてほとんど動かないので、凹凸段差により配向を乱さ
れる事が無く、配向を均一に保持出来るという原理を有
する。

【００１２】これに対して、ｐ型液晶であるにもかかわ
らず凹凸の段差のより大きい電極基板側にチルト配向膜
を形成し、またｎ型液晶であるにもかかわらず凹凸の段
差のより大きい電極基板側に垂直配向膜を形成すると、
電圧印加時に液晶分子が立ち上がる際にそれぞれ基板上
の凹凸に影響を受けて配向が不均一となり、表示不良を
発生するという原理を有する。

【００１３】次に上記原理に基づき本発明を図１に示す
第１の実施の形態を参照して説明する。図１は、ＴＦT
基板１１及び対向基板１２をスペーサ（図示せず）を介
して対向配置し、シール剤１３にて周囲を接着して成る
間隙に液晶分子１４ａからなる誘電率異方性が正極性
（Δε＞０）であるｐ型の液晶組成物１４を封入し、更
にＴＦＴ基板１１に偏光板１１ａを貼り付け、対向基板
１２に位相差板付き偏光板１２ａを貼り付けてなる、Ｈ
ＡＮ型表示モードの液晶表示素子１０を示す概略断面図
である。尚、図１の液晶表示素子１０の断面図中には、
液晶組成物１４に電圧を印加しない場合と、電圧を印加
した場合の液晶分子１４ａの配向変化をそれぞれ、点線
で囲う領域Ｅと領域Ｆに同時に示す。

【００１４】ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板１６上に液
晶駆動用の薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略称す
る。）素子１７と、インジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと
略称する。）からなりマトリクス状にパターン形成され
る画素電極１８を有し、更にこれらＴＦＴ素子１７と画
素電極１８の上にＳＥ−１２１１（日産化学工業（株）
社製）を塗布してなる垂直配向膜２０を有している。こ
のＴＦＴ基板１１面内の凹凸の段差の最大値は、ＴＦＴ
素子１７の頂点と画素電極１８表面間の高低差である約
１μmである。

【００１５】対向基板１２は、ガラス基板２１上に周囲
に額縁層２２ａを有するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
のカラーフィルタ層２２とＩＴＯからなるコモン電極２
３を有し、更にコモン電極２３上にＡＬ−３０４６（Ｊ
ＳＲ（株)製ポリイミド）を塗布して原材料膜とし、プ
レチルト角７．５°のチルト配向膜２４を有している。
この対向基板面１２内の凹凸の段差の最大値は、カラー
フィルタ層２２の成膜精度上生じるＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）各色毎の表面の高低差である約０．４
μmである。従って、ＴＦＴ基板１１面内の凹凸の段差
の方が、対向基板１２面内の凹凸の段差より大きい。

【００１６】この事から、液晶表示素子１０にあって
は、凹凸の段差がより大きく、液晶分子１４ａへの影響
がより大きいＴＦＴ基板１１側に垂直配向膜２０を成膜
する一方、凹凸の段差が小さい対向基板１２側にチルト
配向膜２４を成膜している。

【００１７】次に液晶表示素子１０の製造方法について
述べる。ＴＦＴ基板１１は、通常のフォトリソグラフィ
工程を繰り返してガラス基板１６上にＴＦＴ素子１７及
び画素電極１８を形成する。このＴＦＴ素子１７及び画
素電極１８上にＳＥ−１２１１（日産化学工業（株）社
製）を滴下し、スピンコートにより垂直配向膜２０を成
膜する。

【００１８】一方、対向基板１２は、ガラス基板２１上
にフォトリソグラフィ工程を繰り返してＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）のカラーフィルタ層２２及びコモン電
極２３を形成する。このコモン電極２３上にＡＬ−３０
４６（ＪＳＲ（株)製ポリイミド）を滴下し、スピンコ
ートによりチルト配向膜２４を成膜する。更にチルト配
向膜２４に、所定の紫外線、例えば非偏光であってピー
ク波長３６５ｎｍの紫外線を照射し、更にラビング処理
をして、プレチルト角７．５°のチルト配向機能を付与
する配向処理を実施する。

【００１９】この後対向基板１２上にシール剤１３とト
ランスファ剤（図示せず）を印刷塗布する一方、ＴＦＴ
基板１１にスペーサ（図示せず）を散布した後、ＴＦＴ
基板１１及び対向基板１２を、垂直配向膜２０及びチル
ト配向膜２４が対向する様貼り合わせ、シール剤１３を
加熱硬化して液晶セルを形成する。更に液晶セルの間隙
にｐ型の液晶組成物１４であるＺＬＩ−１５６５（Δε
＞０）（Ｅ．メルク社製）を封入後、ＴＦＴ基板１１に
偏光板１１ａを貼り付け、対向基板１２に位相差板付き
偏光板１２ａを貼り付けて液晶表示素子１０を完成す
る。

【００２０】この様にしてなるＨＡＮ型表示モードの液
晶表示素子１０のＴＦＴ基板１１側にて、ｐ型の液晶組
成物１４は、電圧印加前は領域Ｅに示すように液晶分子
１４ａは垂直配向膜２０上で垂直に配向しチルト配向膜
２４上では７．５°のプレチルト角にチルト配向してい
る。この後ＴＦＴ基板１１、対向基板１２間に電圧を印
加すると、領域Ｆに示すように、液晶分子１４ａは垂直
配向膜２０上ではほとんど動かずに垂直配向を保持しチ
ルト配向膜２４上ではより大きいプレチルト角にチルト
配向する。

【００２１】従って液晶組成物１４は、 ＴＦＴ基板１
１の凹凸の段差にかかわらず、電圧印加時に凹凸の段差
部分で液晶分子１４ａの配向の乱れを生じる事が無く全
面にわたりほぼ均一の配向を得られ、配向の乱れによる
表示不良が見られず、良好な表示画像を得られた。

【００２２】この様に構成すれば、ＨＡＮ型表示モード
の液晶表示素子１０にて、ｐ型の液晶組成物１４を用い
る場合に、面内の凹凸の段差がより大きいＴＦＴ基板１
１側に垂直配向膜２０を成膜して、凹凸の段差部分の液
晶分子１４ａの配向方向を平面部分と同様に常に一定の
垂直方向に保持し、全面にわたり均一な配向を得ること
により、凹凸の段差による配向の乱れを原因とする配向
不良による表示不良を防止して、高い表示品位を得られ
る。

【００２３】次に本発明を図２に示す第２の実施の形態
を参照して説明する。この第２の実施の形態は、第１の
実施の形態において、誘電率異方性が負極性（Δε＜
０）の液晶組成物を用い、ＴＦＴ基板１１側にチルト配
向膜を成膜し、対向基板１２側に垂直配向膜を成膜する
ものである。尚、第１の実施の形態と同一部分について
は同一符号を付しその説明を省略する。

【００２４】本実施の形態のＨＡＮ型表示モードの液晶
表示素子３０は、ＴＦT基板１１及び対向基板１２の間
隙に液晶分子３１ａからなる誘電率異方性が負極性（Δ
ε＜０）であるｎ型の液晶組成物３１を封入して成って
いる。尚、図２の液晶表示素子３０の断面図中には、液
晶組成物３１に電圧を印加しない場合と、電圧を印加し
た場合の液晶分子３１ａの配向変化をそれぞれ、点線で
囲う領域Ｈと領域Ｊに同時に示す。

【００２５】ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板１６上のＴ
ＦＴ素子１７と、画素電極１８の上にＡＬ−３０４６
（ＪＳＲ（株)製ポリイミド）を塗布後、紫外線照射及
びラビング処理を行い、プレチルト角７．５°のチルト
配向機能を付与してなるチルト配向膜３２を成膜され
る。対向基板１２は、ガラス基板２１上のコモン電極２
３上にＳＥ−１２１１（日産化学工業（株）社製）を塗
布してなる垂直配向膜３３を成膜される。

【００２６】このＴＦＴ基板１１及び対向基板１２を、
チルト配向膜３２及び垂直配向膜３３を対向する様対向
配置して液晶セルを形成し、その間隙にｎ型の液晶組成
物３１であるＭＪ９５７８５（Δε＜０）（Ｅ．メルク
社製）を封入する。更にＴＦＴ基板１１に偏光板１１ａ
を貼り付け、対向基板１２に位相差板付き偏光板１２ａ
を貼り付けて液晶表示素子３０を完成する。

【００２７】この様にしてなるＨＡＮ型表示モードの液
晶表示素子３０のＴＦＴ基板１１側にて、ｎ型の液晶組
成物３１は、電圧印加前は領域Ｈに示すように液晶分子
３１ａはチルト配向膜３２上で７．５°のプレチルト角
にチルト配向し、垂直配向膜３３上では垂直に配向して
いる。この後ＴＦＴ基板１１、対向基板１２間に電圧を
印加すると、領域Ｊに示すように、液晶分子２１ａはチ
ルト配向膜３２上ではほとんど動かずに７．５°のプレ
チルト角にチルト配向を保持し垂直配向膜３３上ではプ
レチルト角を有する様チルト配向する。

【００２８】従って液晶組成物３１は、ＴＦＴ基板１１
の凹凸の段差にかかわらず、電圧印加時に凹凸の段差部
分で液晶分子３１ａの配向の乱れを生じる事が無く全面
にわたりほぼ均一の配向を得られ、配向の乱れによる表
示不良が見られず、良好な表示画像を得られた。

【００２９】この様に構成すれば、ＨＡＮ型表示モード
の液晶表示素子３０にて、ｎ型の液晶組成物３１を用い
る場合に、面内の凹凸の段差がより大きいＴＦＴ基板１
１側にチルト配向膜３２を成膜して、凹凸の段差部分の
液晶分子３１ａの配向方向を平面部分と同様に常に一定
の７．５°のプレチルト角に保持し、全面にわたり均一
な配向を得ることにより、凹凸の段差による配向の乱れ
を原因とする配向不良による表示不良を防止して、高い
表示品位を得られる。

【００３０】一方これに対して、図３を参照して、（比
較例１）について述べる。この（比較例１）は、第１の
実施の形態におけるｐ型の液晶組成物１４をｎ型の液晶
組成物に変えたものである。即ち、垂直配向膜２０が成
膜されるＴＦＴ基板１１及びチルト配向膜２４が成膜さ
れる対向基板１２を対向してなる液晶セルの間隙にｎ型
の液晶組成物４１であるＭＪ９５７８５（Δε＜０）
（Ｅ．メルク社製）を封入後、ＴＦＴ基板１１に偏光板
１１ａを貼り付け、対向基板１２に位相差板付き偏光板
１２ａを貼り付けてＨＡＮ型表示モードの液晶表示素子
４０を完成する。

【００３１】この様にしてなる、ＨＡＮ型表示モードの
液晶表示素子４０の、ＴＦＴ素子１７と、画素電極１８
との凹凸の段差部分にて、ｎ型の液晶組成物４１は、電
圧印加前は、領域Ｋに示すように、液晶分子４１ａは垂
直配向膜２０上でほぼ垂直に配向し、チルト配向膜２４
上では７．５°のプレチルト角にチルト配向している。

【００３２】この後ＴＦＴ基板１１、対向基板１２間に
電圧を印加すると、領域Ｌに示すように、液晶分子４１
ａはチルト配向膜２４上ではほとんど動かずに７．５°
のプレチルト角にチルト配向を保持するものの、垂直配
向膜２０上では凹凸の段差部分の影響を受けて、配向方
向が例えば逆方向に乱れてしまい、この配向不良によ
り、表示品位が著しく劣ってしまった。

【００３３】次に第２の実施の形態におけるｎ型の液晶
組成物３１をｐ型の液晶組成物に変えた（比較例２）を
図４を参照して述べる。この（比較例２）は、チルト配
向膜３２が成膜されるＴＦＴ基板１１及び垂直配向膜３
３が成膜される対向基板１２を対向してなる液晶セルの
間隙にｐ型の液晶組成物５１であるＺＬＩ−１５６５
（Δε＞０）（Ｅ．メルク社製）を封入後、ＴＦＴ基板
１１に偏光板１１ａを貼り付け、対向基板１２に位相差
板付き偏光板１２ａを貼り付けてＨＡＮ型表示モードの
液晶表示素子５０を完成する。

【００３４】この様にしてなる、ＨＡＮ型表示モードの
液晶表示素子５０の、ＴＦＴ素子１７と、画素電極１８
との凹凸の段差部分にて、ｐ型の液晶組成物５１は、電
圧印加前に、領域Ｍに示すように、液晶分子５１ａは垂
直配向膜３３上でほぼ垂直に配向するものの、チルト配
向膜３２上では凹凸段差部部の影響により既にチルト配
向方向が、逆方向になる等の配向不良を生じている。

【００３５】更にこの後ＴＦＴ基板１１、対向基板１２
間に電圧を印加すると、領域Ｎに示すように、液晶分子
５１ａは垂直配向膜３３上ではほとんど動かずに垂直に
配向を保持するものの、チルト配向膜３２上では凹凸の
段差部分の影響を受けて、配向方向が逆方向のままプレ
チルト角がおおきくなり、更に乱れてしまい、この配向
不良により、表示品位が著しく劣ってしまった。

【００３６】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
で無く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば、垂直配向膜とチルト配向膜に用いる原材料
は限定されないし、ｐ型あるいはｎ型の液晶組成物の材
料も任意である。又チルト配向膜のプレチルト角度も任
意であるが、液晶分子の良好な配向を得るには０〜１０
°のプレチルト角を有する事がより好ましい。

【００３７】更に基板の構造も任意であり、ＴＦＴ基板
側にカラーフィルタ層を設ける等しても良いし、スペー
サも、ＴＦＴ基板あるいは対向基板のいずれかに柱状ス
ペーサを設ける等しても良い。尚基板面内に柱状スペー
サが形成される場合は、この柱状スペーサが、基板面内
にて最大の突出部分となるが、この柱状スペーサ部分で
は、対向配置される基板との間隙に液晶組成物が介在さ
れておらず、画像表示に寄与する液晶組成物が積層され
ない事から、基板面内の凹凸の段差を考慮する時の突出
部分と見なさない。即ち対向配置される基板面内のそれ
ぞれの凹凸の段差の大小を比較する場合は、柱状スペー
サを除いた範囲内での基板面内の構造物の凹凸の段差を
採用する。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、低
消費電力化の実現を図るＨＡＮ型表示モードの液晶表示
素子において、基板面内の凹凸の段差がより大きい基板
側の配向膜を、液晶組成物の誘電率異方性の極性に応じ
て、誘電率異方性が正極性の場合は凹凸の段差がより大
きい基板側に垂直配向膜を成膜する一方、誘電率異方性
が負極性の場合は凹凸の段差がより大きい基板側にチル
ト配向膜を成膜している。従って、凹凸の段差がより大
きいにもかかわらず、電圧印加時においても凹凸の段差
がより大きい基板側の液晶分子の配向がほとんど動かな
いので、液晶組成物は均一な配向を保持出来、凹凸の段
差による配向の乱れを原因とする配向不良による表示不
良を防止し、低消費電力でありながら、良好な表示品位
を有する液晶表示素子を得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における液晶表示素
子を示す概略説明図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態における液晶表示素
子を示す概略説明図である。

【図３】（比較例１）の液晶表示素子を示す概略説明図
である。

【図４】（比較例２）の液晶表示素子を示す概略説明図
である。

【符号の説明】

１０…液晶表示素子 １１…ＴＦＴ基板 １１ａ…偏光板 １２…対向基板 １２ａ…位相差板付き偏光板 １３…シール剤 １４…液晶組成物 １４ａ…液晶分子 １６…ガラス基板 １７…ＴＦＴ素子 １８…画素電極 ２０…垂直配向膜 ２１…ガラス基板 ２２…カラーフィルタ層 ２３…コモン電極 ２４…チルト配向膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 典弘 埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番２号 株式 会社東芝深谷工場内 Ｆターム(参考） 2H088 FA02 GA02 HA03 HA08 HA18 JA12 KA26 MA01 MA18 MA20 2H090 HC05 HD14 LA02 LA04 LA09 LA15 MA01 MA03 MA11

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくともいずれか一方に電極を有して
   なり、対向配置される一対の基板と、 この一対の基板のいずれか一方であって表面の凹凸の段
   差がより大きい一方の基板に成膜され略垂直配向機能を
   有する垂直配向膜と、 この垂直配向膜が形成される前記一方の基板に対向する
   他方の基板に成膜されチルト配向機能を有するチルト配
   向膜と、 前記垂直配向膜及び前記チルト配向膜とを対向するよう
   対向配置してなる前記一対の基板の間隙に封入される正
   極性の誘電率異方性を有する液晶組成物とを具備するこ
   とを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】 前記基板表面の前記凹凸の段差は、前記
   基板表面であって、画像表示に寄与する前記液晶組成物
   が積層される範囲内で比較する事を特徴とする請求項１
   に記載の液晶表示素子。
3. 【請求項３】 前記チルト配向膜のプレチルト角を０〜
   １０°とすることを特徴とする請求項１に記載の液晶表
   示素子。
4. 【請求項４】 少なくともいずれか一方に電極を有して
   なり、対向配置される一対の基板と、 この一対の基板のいずれか一方であって表面の凹凸の段
   差がより大きい一方の基板に成膜されチルト配向機能を
   有するチルト配向膜と、 このチルト配向膜が形成される前記一方の基板に対向す
   る他方の基板に成膜され略垂直配向機能を有する垂直配
   向膜と、 前記チルト配向膜及び前記垂直配向膜とを対向するよう
   対向配置してなる前記一対の基板の間隙に封入される負
   極性の誘電率異方性を有する液晶組成物とを具備するこ
   とを特徴とする液晶表示素子。
5. 【請求項５】 前記基板表面の前記凹凸の段差は、前記
   基板表面であって、画像表示に寄与する前記液晶組成物
   が積層される範囲内で比較する事を特徴とする請求項４
   に記載の液晶表示素子。
6. 【請求項６】 前記チルト配向膜のプレチルト角を０〜
   １０°とすることを特徴とする請求項４に記載の液晶表
   示素子。