JP2002208571A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄化された半導体素子の取り扱いが簡単な半
導体装置を効率よく製造することができる半導体装置の
製造方法および半導体装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 半導体素子１’の電極形成面の裏面に低
弾性係数の樹脂接着材５を介してこの半導体素子１’よ
りも大きいバンパ部材４’を接合して成る半導体装置７
を製造する半導体装置７の製造方法において、薄化され
た半導体ウェハ１とバンパ板４を接着材５によって接合
した後、半導体ウェハ１を第１の切断具１３Ａによって
切断幅ｂ１で切断した後に切断幅ｂ１よりも狭い切断幅
ｂ２の第２の切断具１３Ｂによってバンパ板４を切断す
る。これにより、半導体装置７を効率よく製造すること
ができる。
導体装置を効率よく製造することができる半導体装置の
製造方法および半導体装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 半導体素子１’の電極形成面の裏面に低
弾性係数の樹脂接着材５を介してこの半導体素子１’よ
りも大きいバンパ部材４’を接合して成る半導体装置７
を製造する半導体装置７の製造方法において、薄化され
た半導体ウェハ１とバンパ板４を接着材５によって接合
した後、半導体ウェハ１を第１の切断具１３Ａによって
切断幅ｂ１で切断した後に切断幅ｂ１よりも狭い切断幅
ｂ２の第２の切断具１３Ｂによってバンパ板４を切断す
る。これにより、半導体装置７を効率よく製造すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の電極
形成面の裏面に接着材により補強部材を接合して成る半
導体装置の製造方法および半導体装置に関するものであ
る。
形成面の裏面に接着材により補強部材を接合して成る半
導体装置の製造方法および半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の基板などに実装される半導体
装置は、ウェハ状態で回路パターン形成が行われた半導
体素子にリードフレームのピンや金属バンプなどを接続
するとともに樹脂などで封止するパッケージング工程を
経て製造されている。最近の電子機器の小型化に伴って
半導体装置の小型化も進み、中でも半導体素子を薄くす
る取り組みが活発に行われている。
装置は、ウェハ状態で回路パターン形成が行われた半導
体素子にリードフレームのピンや金属バンプなどを接続
するとともに樹脂などで封止するパッケージング工程を
経て製造されている。最近の電子機器の小型化に伴って
半導体装置の小型化も進み、中でも半導体素子を薄くす
る取り組みが活発に行われている。
【０００３】薄化された半導体素子は外力に対する強度
が弱くハンドリング時のダメージを受けやすいことか
ら、従来より薄化された半導体素子を用いた半導体装置
は、半導体素子を補強のための樹脂層で封止する構造が
一般的である。
が弱くハンドリング時のダメージを受けやすいことか
ら、従来より薄化された半導体素子を用いた半導体装置
は、半導体素子を補強のための樹脂層で封止する構造が
一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄い半
導体素子の表面に樹脂層を形成する工程においては、樹
脂層形成時の硬化収縮による半導体素子の反りや割れな
どの不具合が発生しやすいものであった。この問題は半
導体素子が薄化するほど顕著となり、１００μｍ以下の
極薄の半導体素子では樹脂封止することすら困難な状況
となる。
導体素子の表面に樹脂層を形成する工程においては、樹
脂層形成時の硬化収縮による半導体素子の反りや割れな
どの不具合が発生しやすいものであった。この問題は半
導体素子が薄化するほど顕著となり、１００μｍ以下の
極薄の半導体素子では樹脂封止することすら困難な状況
となる。
【０００５】そこで本発明は、薄化された半導体素子の
取り扱いが簡単な半導体装置を効率よく製造することが
できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供す
ることを目的とする。
取り扱いが簡単な半導体装置を効率よく製造することが
できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の製造方法は、半導体素子の外部接続用の電極が形成
された電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介
してこの半導体素子よりも大きい補強部材を接合して成
る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であっ
て、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極
形成面の裏面を削る薄化工程と、薄化工程後の前記半導
体素子の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部
材を接合する接合工程と、接合工程後の半導体ウェハを
第１の切断具によって切断する第１切断工程と、第１切
断工程後に第１の切断具の切断幅よりも狭い切断幅を有
する第２の切断具によって前記補強部材を切断する第２
切断工程とを含む。
置の製造方法は、半導体素子の外部接続用の電極が形成
された電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介
してこの半導体素子よりも大きい補強部材を接合して成
る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であっ
て、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極
形成面の裏面を削る薄化工程と、薄化工程後の前記半導
体素子の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部
材を接合する接合工程と、接合工程後の半導体ウェハを
第１の切断具によって切断する第１切断工程と、第１切
断工程後に第１の切断具の切断幅よりも狭い切断幅を有
する第２の切断具によって前記補強部材を切断する第２
切断工程とを含む。
【０００７】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
半導体素子の外部接続用の電極が形成された電極形成面
の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介してこの半導体素
子よりも大きい補強部材を接合して成る半導体装置を製
造する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素
子が形成された半導体ウェハの電極形成面の裏面を削る
薄化工程と、薄化工程後の前記半導体素子の裏面に低弾
性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合する接合工
程と、接合された半導体素子と補強部材とを半導体素子
側の方が補強部材側よりも切断幅が大きいテーパ状切断
面を有する切断具によって切断する切断工程とを含む。
半導体素子の外部接続用の電極が形成された電極形成面
の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介してこの半導体素
子よりも大きい補強部材を接合して成る半導体装置を製
造する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素
子が形成された半導体ウェハの電極形成面の裏面を削る
薄化工程と、薄化工程後の前記半導体素子の裏面に低弾
性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合する接合工
程と、接合された半導体素子と補強部材とを半導体素子
側の方が補強部材側よりも切断幅が大きいテーパ状切断
面を有する切断具によって切断する切断工程とを含む。
【０００８】請求項３記載の半導体装置は、半導体素子
の外部接続用の電極が形成された電極形成面の裏面に低
弾性係数の樹脂接着材を介してこの半導体素子よりも大
きい補強部材を接合して成る半導体装置であって、複数
の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面の
裏面を削る薄化工程と、薄化工程後の前記半導体素子の
裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合
する接合工程と、接合工程後の半導体ウェハを第１の切
断具によって切断する第１切断工程と、第１切断工程後
に第１の切断具の切断幅よりも狭い切断幅を有する第２
の切断具によって前記補強部材を切断する第２切断工程
とを含む半導体装置の製造方法によって製造された。
の外部接続用の電極が形成された電極形成面の裏面に低
弾性係数の樹脂接着材を介してこの半導体素子よりも大
きい補強部材を接合して成る半導体装置であって、複数
の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面の
裏面を削る薄化工程と、薄化工程後の前記半導体素子の
裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合
する接合工程と、接合工程後の半導体ウェハを第１の切
断具によって切断する第１切断工程と、第１切断工程後
に第１の切断具の切断幅よりも狭い切断幅を有する第２
の切断具によって前記補強部材を切断する第２切断工程
とを含む半導体装置の製造方法によって製造された。
【０００９】請求項４記載の半導体装置は、半導体素子
の外部接続用の電極が形成された電極形成面の裏面に低
弾性係数の樹脂接着材を介してこの半導体素子よりも大
きい補強部材を接合して成る半導体装置であって、複数
の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面の
裏面を削る薄化工程と、薄化工程後の前記半導体素子の
裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合
する接合工程と、接合された半導体素子と補強部材とを
半導体素子側の方が補強部材側よりも切断幅が大きいテ
ーパ状切断面を有する切断具によって切断する切断工程
とを含む半導体装置の製造方法によって製造された。
の外部接続用の電極が形成された電極形成面の裏面に低
弾性係数の樹脂接着材を介してこの半導体素子よりも大
きい補強部材を接合して成る半導体装置であって、複数
の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面の
裏面を削る薄化工程と、薄化工程後の前記半導体素子の
裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合
する接合工程と、接合された半導体素子と補強部材とを
半導体素子側の方が補強部材側よりも切断幅が大きいテ
ーパ状切断面を有する切断具によって切断する切断工程
とを含む半導体装置の製造方法によって製造された。
【００１０】本発明によれば、薄化された半導体素子の
裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合
した後の切断工程において、半導体ウェハ側の切断幅と
補強部材側の切断幅が異なる切断具によって切断するこ
とにより、電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材
を介してこの半導体素子よりも大きい補強部材を接合し
て成る半導体装置を効率よく製造することができる。
裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接合
した後の切断工程において、半導体ウェハ側の切断幅と
補強部材側の切断幅が異なる切断具によって切断するこ
とにより、電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材
を介してこの半導体素子よりも大きい補強部材を接合し
て成る半導体装置を効率よく製造することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１、図２は本発明の一実施の形態
の半導体装置の製造方法の工程説明図、図３は本発明の
一実施の形態の半導体装置の斜視図、図４は本発明の一
実施の形態の半導体装置の実装方法の説明図、図５は本
発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法の工程説明
図である。なお、図１、図２は半導体装置の製造方法を
工程順に示している。
参照して説明する。図１、図２は本発明の一実施の形態
の半導体装置の製造方法の工程説明図、図３は本発明の
一実施の形態の半導体装置の斜視図、図４は本発明の一
実施の形態の半導体装置の実装方法の説明図、図５は本
発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法の工程説明
図である。なお、図１、図２は半導体装置の製造方法を
工程順に示している。
【００１２】図１（ａ）において、１は複数の半導体素
子が形成された半導体ウェハである。半導体ウェハ１の
上面には、外部接続用の電極であるバンプ２が形成され
ている。図１（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１の上
面のバンプ形成面（電極形成面）にはシート３が貼着さ
れ、シート３によって補強された状態で電極形成面の裏
面の薄化加工が行われる（薄化工程）。薄化加工手段と
しては、砥石を用いた研磨装置や、ドライエッチング装
置によるドライエッチング、さらには薬液の化学反応を
利用してエッチングを行うもの（ウェットエッチング）
がある。これにより、半導体ウェハ１は約５０μｍの厚
さまで薄化される。具体的な薄化加工方法としては、ま
ず砥石を用いた研磨装置で半導体ウェハ１の裏面の粗加
工を行い、ドライエッチングやウェットエッチングで仕
上げ加工を行う。この仕上げ加工では、粗加工によって
半導体ウェハの裏面に生じたマイクロクラックを除去す
るので、抗折強度に優れた極薄の半導体ウェハ１を得る
ことができる。
子が形成された半導体ウェハである。半導体ウェハ１の
上面には、外部接続用の電極であるバンプ２が形成され
ている。図１（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１の上
面のバンプ形成面（電極形成面）にはシート３が貼着さ
れ、シート３によって補強された状態で電極形成面の裏
面の薄化加工が行われる（薄化工程）。薄化加工手段と
しては、砥石を用いた研磨装置や、ドライエッチング装
置によるドライエッチング、さらには薬液の化学反応を
利用してエッチングを行うもの（ウェットエッチング）
がある。これにより、半導体ウェハ１は約５０μｍの厚
さまで薄化される。具体的な薄化加工方法としては、ま
ず砥石を用いた研磨装置で半導体ウェハ１の裏面の粗加
工を行い、ドライエッチングやウェットエッチングで仕
上げ加工を行う。この仕上げ加工では、粗加工によって
半導体ウェハの裏面に生じたマイクロクラックを除去す
るので、抗折強度に優れた極薄の半導体ウェハ１を得る
ことができる。
【００１３】次に、薄化された半導体ウェハ１の下面へ
バンパ板４が接合される（接合工程）。図１（ｃ）に示
すように、樹脂やセラミックあるいは金属などの材質を
板状に形成したバンパ板４の上面には接着材５が塗布さ
れる。ここで、接着材５は低弾性係数の樹脂接着材であ
り、エラストマーなど接合状態における弾性係数が小さ
く、小さな外力で容易に伸縮する材質が用いられる。
バンパ板４が接合される（接合工程）。図１（ｃ）に示
すように、樹脂やセラミックあるいは金属などの材質を
板状に形成したバンパ板４の上面には接着材５が塗布さ
れる。ここで、接着材５は低弾性係数の樹脂接着材であ
り、エラストマーなど接合状態における弾性係数が小さ
く、小さな外力で容易に伸縮する材質が用いられる。
【００１４】次にこの接着材５の塗布面に対して、薄化
された半導体ウェハ１を貼着する。このバンパ板４は、
各半導体素子毎に切り分けられて半導体装置を形成した
状態で、半導体装置のハンドリング用の保持部として機
能すると共に、半導体素子を外力や衝撃から保護する補
強部材としての役割をも有するものである。このためバ
ンパ板４は、半導体素子の曲げ剛性よりも大きな曲げ剛
性を有する充分な厚さとなっている。この後、図１
（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１を貼着後のバンパ
板４の下面には、ダイシング工程における保持用のシー
ト６が貼着され、シート３が電極形成面から剥離され
る。
された半導体ウェハ１を貼着する。このバンパ板４は、
各半導体素子毎に切り分けられて半導体装置を形成した
状態で、半導体装置のハンドリング用の保持部として機
能すると共に、半導体素子を外力や衝撃から保護する補
強部材としての役割をも有するものである。このためバ
ンパ板４は、半導体素子の曲げ剛性よりも大きな曲げ剛
性を有する充分な厚さとなっている。この後、図１
（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１を貼着後のバンパ
板４の下面には、ダイシング工程における保持用のシー
ト６が貼着され、シート３が電極形成面から剥離され
る。
【００１５】次いで、シート６によって保持されたバン
パ板４および半導体ウェハ１はダイシング工程に送られ
る。ここでは、複数の切断具を備えたダイシング装置に
よって、バンパ板４と半導体ウェハ１とを異なるダイシ
ング幅で切断する２段ダイシングが行われる。すなわち
図２（ａ）に示すように半導体ウェハ１は切断幅ｂ１の
第１の切断具１３Ａによって切断され、個片の半導体素
子１’に分割される（第１切断工程）。次いでバンパ板
４は、図２（ｂ）に示すようにｂ１よりも狭い切断幅ｂ
２を有する第２の切断具１３Ｂによって切断され、個片
のバンパ部材４’となる（第２切断工程）。これによ
り、シート６に保持されたバンパ板４および半導体ウェ
ハ１は、図２（ｃ）に示すようにそれぞれ異なる切断幅
ｂ１，ｂ２で切断され、個片に分離される。
パ板４および半導体ウェハ１はダイシング工程に送られ
る。ここでは、複数の切断具を備えたダイシング装置に
よって、バンパ板４と半導体ウェハ１とを異なるダイシ
ング幅で切断する２段ダイシングが行われる。すなわち
図２（ａ）に示すように半導体ウェハ１は切断幅ｂ１の
第１の切断具１３Ａによって切断され、個片の半導体素
子１’に分割される（第１切断工程）。次いでバンパ板
４は、図２（ｂ）に示すようにｂ１よりも狭い切断幅ｂ
２を有する第２の切断具１３Ｂによって切断され、個片
のバンパ部材４’となる（第２切断工程）。これによ
り、シート６に保持されたバンパ板４および半導体ウェ
ハ１は、図２（ｃ）に示すようにそれぞれ異なる切断幅
ｂ１，ｂ２で切断され、個片に分離される。
【００１６】そして、接着材５によって半導体素子１’
と接着されたバンパ部材４’をシート６から剥離するこ
とにより、図２（ｄ）に示すように個片の半導体装置７
が完成する。この半導体装置７は、外部接続用の電極で
あるバンプ２が形成された半導体素子１’と、この半導
体素子１’の電極形成面の裏面に接着材５により接合さ
れた補強部材としてのバンパ部材４’とを備えた構成と
なっており、バンパ部材４’のサイズＢ２は半導体素子
１’のサイズＢ１よりも大きく、その外周端は、半導体
素子１’の外周端よりも外側に突出している。バンパ部
材４’は半導体素子１’と接着材５によって接合された
構造となっている。接着材５は低弾性係数の樹脂接着材
であるので、半導体素子１’の変形を許容する状態で、
この半導体素子１’をバンパ部材４’に接合している。
と接着されたバンパ部材４’をシート６から剥離するこ
とにより、図２（ｄ）に示すように個片の半導体装置７
が完成する。この半導体装置７は、外部接続用の電極で
あるバンプ２が形成された半導体素子１’と、この半導
体素子１’の電極形成面の裏面に接着材５により接合さ
れた補強部材としてのバンパ部材４’とを備えた構成と
なっており、バンパ部材４’のサイズＢ２は半導体素子
１’のサイズＢ１よりも大きく、その外周端は、半導体
素子１’の外周端よりも外側に突出している。バンパ部
材４’は半導体素子１’と接着材５によって接合された
構造となっている。接着材５は低弾性係数の樹脂接着材
であるので、半導体素子１’の変形を許容する状態で、
この半導体素子１’をバンパ部材４’に接合している。
【００１７】図３に示すように、バンパ部材４’の上面
には、従来の樹脂封止型の電子部品の上面と同様に、識
別情報としての部品コード８が印字されており、コーナ
部には実装時の方向を特定する極性マーク９が形成され
ている。すなわち、バンパ部材４’の半導体素子１’と
の接合面の裏面は、識別情報の印加面となっている。
には、従来の樹脂封止型の電子部品の上面と同様に、識
別情報としての部品コード８が印字されており、コーナ
部には実装時の方向を特定する極性マーク９が形成され
ている。すなわち、バンパ部材４’の半導体素子１’と
の接合面の裏面は、識別情報の印加面となっている。
【００１８】この半導体装置７の実装について図４を参
照して説明する。図４（ａ）に示すように、半導体装置
７はバンパ部材４’の上面を実装ヘッド１０によって吸
着して保持され、実装ヘッド１０を移動させることによ
り、基板１１の上方に位置する。そして半導体装置７の
バンプ２を基板１１の電極１２に位置合わせした状態
で、実装ヘッド１０を下降させて半導体素子１’のバン
プ２を基板１１の電極１２の上に着地させる。
照して説明する。図４（ａ）に示すように、半導体装置
７はバンパ部材４’の上面を実装ヘッド１０によって吸
着して保持され、実装ヘッド１０を移動させることによ
り、基板１１の上方に位置する。そして半導体装置７の
バンプ２を基板１１の電極１２に位置合わせした状態
で、実装ヘッド１０を下降させて半導体素子１’のバン
プ２を基板１１の電極１２の上に着地させる。
【００１９】その後基板１１を加熱することにより、バ
ンプ２を電極１２に半田接合する。すなわち、半導体装
置７を基板１１へ搭載する際のハンドリングにおいて、
実装ヘッド１０によって、保持部であるバンパ部材４’
を保持する。なおバンプ２の電極１２との接合に、導電
性樹脂接着材による接合方法を用いてもよい。
ンプ２を電極１２に半田接合する。すなわち、半導体装
置７を基板１１へ搭載する際のハンドリングにおいて、
実装ヘッド１０によって、保持部であるバンパ部材４’
を保持する。なおバンプ２の電極１２との接合に、導電
性樹脂接着材による接合方法を用いてもよい。
【００２０】この半導体装置７を基板１１に実装して成
る実装構造は、半導体装置７の電極であるバンプ２をワ
ークである基板１１の電極１２に接合することにより半
導体装置７が基板１１に固定される形態となっている。
図４（ｃ）に示すように、実装後に基板１１に何らかの
外力により、撓み変形が発生した場合には、半導体素子
１’は薄くて撓みやすくしかも接着材５は低弾性係数の
変形しやすい材質を用いていることから、基板１１の撓
み変形に対して半導体素子１’と接着材５の接着層のみ
が追従して変形する。
る実装構造は、半導体装置７の電極であるバンプ２をワ
ークである基板１１の電極１２に接合することにより半
導体装置７が基板１１に固定される形態となっている。
図４（ｃ）に示すように、実装後に基板１１に何らかの
外力により、撓み変形が発生した場合には、半導体素子
１’は薄くて撓みやすくしかも接着材５は低弾性係数の
変形しやすい材質を用いていることから、基板１１の撓
み変形に対して半導体素子１’と接着材５の接着層のみ
が追従して変形する。
【００２１】これにより、実装後にアンダーフィル樹脂
を充填するなどの補強処理を必要とすることなく接合部
の応力が緩和され、単に半導体素子１’とバンパ部材
４’とを接着材５により接合するという簡易な形態のパ
ッケージ構造で、実装後の信頼性を確保が実現される。
を充填するなどの補強処理を必要とすることなく接合部
の応力が緩和され、単に半導体素子１’とバンパ部材
４’とを接着材５により接合するという簡易な形態のパ
ッケージ構造で、実装後の信頼性を確保が実現される。
【００２２】なお上記実施の形態では、図２に示す半導
体装置を個片に分離する工程（第１切断工程、第２切断
工程）において、切断幅の異なる２種類の第１の切断具
１３Ａ，第２の切断具１３Ｂを用いて、半導体ウェハ
１、バンパ板４を個別に切断する例を示しているが、図
５（ａ）に示すように、切断後に半導体素子１’側の方
がバンパ部材４’側よりも切断幅が大きくなるようなテ
ーパ状切断面を有する切断具１３Ｃによって、半導体ウ
ェハ１およびバンパ板４を同一切断工程で切断するよう
にしてもよい。この方法によっても、図５（ｂ）に示す
ように、バンパ部材４’のサイズＢ２が半導体素子１’
のサイズＢ１よりも大きい半導体装置７’を得ることが
できる。
体装置を個片に分離する工程（第１切断工程、第２切断
工程）において、切断幅の異なる２種類の第１の切断具
１３Ａ，第２の切断具１３Ｂを用いて、半導体ウェハ
１、バンパ板４を個別に切断する例を示しているが、図
５（ａ）に示すように、切断後に半導体素子１’側の方
がバンパ部材４’側よりも切断幅が大きくなるようなテ
ーパ状切断面を有する切断具１３Ｃによって、半導体ウ
ェハ１およびバンパ板４を同一切断工程で切断するよう
にしてもよい。この方法によっても、図５（ｂ）に示す
ように、バンパ部材４’のサイズＢ２が半導体素子１’
のサイズＢ１よりも大きい半導体装置７’を得ることが
できる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、薄化された半導体素子
の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接
合した後の切断工程において、半導体ウェハ側の切断幅
と補強部材側の切断幅が異なる切断具によって切断する
ようにしたので、電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂
接着材を介してこの半導体素子よりも大きい補強部材を
接合して成る半導体装置を効率よく製造することができ
る。
の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接
合した後の切断工程において、半導体ウェハ側の切断幅
と補強部材側の切断幅が異なる切断具によって切断する
ようにしたので、電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂
接着材を介してこの半導体素子よりも大きい補強部材を
接合して成る半導体装置を効率よく製造することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
の工程説明図
の工程説明図
【図２】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
の工程説明図
の工程説明図
【図３】本発明の一実施の形態の半導体装置の斜視図
【図４】本発明の一実施の形態の半導体装置の実装方法
の説明図
の説明図
【図５】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法
の工程説明図
の工程説明図
１ 半導体ウェハ １’ 半導体素子 ４ バンパ板 ４’ バンパ部材 ５ 接着材 ７、７’ 半導体装置 １３Ａ 第１の切断具 １３Ｂ 第２の切断具 １３Ｃ 切断具
Claims (4)
- 【請求項１】半導体素子の外部接続用の電極が形成され
た電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して
この半導体素子よりも大きい補強部材を接合して成る半
導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、複
数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面
の裏面を削る薄化工程と、薄化工程後の前記半導体素子
の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接
合する接合工程と、接合工程後の半導体ウェハを第１の
切断具によって切断する第１切断工程と、第１切断工程
後に第１の切断具の切断幅よりも狭い切断幅を有する第
２の切断具によって前記補強部材を切断する第２切断工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体素子の外部接続用の電極が形成され
た電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して
この半導体素子よりも大きい補強部材を接合して成る半
導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、複
数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面
の裏面を削る薄化工程と、薄化工程後の前記半導体素子
の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して補強部材を接
合する接合工程と、接合された半導体素子と補強部材と
を半導体素子側の方が補強部材側よりも切断幅が大きい
テーパ状切断面を有する切断具によって切断する切断工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体素子の外部接続用の電極が形成され
た電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して
この半導体素子よりも大きい補強部材を接合して成る半
導体装置であって、複数の半導体素子が形成された半導
体ウェハの電極形成面の裏面を削る薄化工程と、薄化工
程後の前記半導体素子の裏面に低弾性係数の樹脂接着材
を介して補強部材を接合する接合工程と、接合工程後の
半導体ウェハを第１の切断具によって切断する第１切断
工程と、第１切断工程後に第１の切断具の切断幅よりも
狭い切断幅を有する第２の切断具によって前記補強部材
を切断する第２切断工程とを含む半導体装置の製造方法
によって製造されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】半導体素子の外部接続用の電極が形成され
た電極形成面の裏面に低弾性係数の樹脂接着材を介して
この半導体素子よりも大きい補強部材を接合して成る半
導体装置であって、複数の半導体素子が形成された半導
体ウェハの電極形成面の裏面を削る薄化工程と、薄化工
程後の前記半導体素子の裏面に低弾性係数の樹脂接着材
を介して補強部材を接合する接合工程と、接合された半
導体素子と補強部材とを半導体素子側の方が補強部材側
よりも切断幅が大きいテーパ状切断面を有する切断具に
よって切断する切断工程とを含む半導体装置の製造方法
によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004689A JP3649129B2 (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004689A JP3649129B2 (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208571A true JP2002208571A (ja) | 2002-07-26 |
| JP3649129B2 JP3649129B2 (ja) | 2005-05-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001004689A Expired - Fee Related JP3649129B2 (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3649129B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7563343B2 (en) | 2002-11-29 | 2009-07-21 | Fujitsu Microelectronics Limited | Film lamination apparatus and method and a manufacturing method of a semiconductor apparatus |
| JP2011258881A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013219371A (ja) * | 2013-05-23 | 2013-10-24 | Nitto Denko Corp | フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途 |
| WO2016194893A1 (ja) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | リンテック株式会社 | 半導体用保護フィルム、半導体装置及び複合シート |
| US10211083B2 (en) | 2010-07-29 | 2019-02-19 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface and its use |
-
2001
- 2001-01-12 JP JP2001004689A patent/JP3649129B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| JP2011258881A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10211083B2 (en) | 2010-07-29 | 2019-02-19 | Nitto Denko Corporation | Film for flip chip type semiconductor back surface and its use |
| JP2013219371A (ja) * | 2013-05-23 | 2013-10-24 | Nitto Denko Corp | フリップチップ型半導体裏面用フィルム及びその用途 |
| WO2016194893A1 (ja) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | リンテック株式会社 | 半導体用保護フィルム、半導体装置及び複合シート |
| JP2017001188A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | リンテック株式会社 | 半導体用保護フィルム、半導体装置及び複合シート |
| KR20180002883A (ko) * | 2015-06-04 | 2018-01-08 | 린텍 가부시키가이샤 | 반도체용 보호 필름, 반도체 장치 및 복합 시트 |
| TWI646616B (zh) * | 2015-06-04 | 2019-01-01 | 日商琳得科股份有限公司 | 半導體用保護膜、半導體裝置以及複合片 |
| US10825790B2 (en) | 2015-06-04 | 2020-11-03 | Lintec Corporation | Protective film for semiconductors, semiconductor device, and composite sheet |
| KR102201459B1 (ko) * | 2015-06-04 | 2021-01-11 | 린텍 가부시키가이샤 | 반도체용 보호 필름, 반도체 장치 및 복합 시트 |
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| JP3649129B2 (ja) | 2005-05-18 |
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