JP2002289634A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の半導体装置の製造方法では、無電解メ
ッキ法により半導体基板上に突起電極を形成する場合、
半導体基板上の回路素子が光に曝された場合、光起電力
効果により、電極パッドがマイナスまたはプラスに帯電
してしまい、プラスに帯電した電極パッドでは、突起電
極が形成できないという問題点があった。 【解決手段】 突起電極を形成する部分の電極パッドを
半導体基板内の回路素子と電気的に導通する第１の電極
パッド７ａと回路素子から電気的に独立した第２の電極
パッド７ｂから構成しており、半導体基板内の回路素子
が光に曝された場合、光起電力効果により第２の電極パ
ッドがマイナスまたはプラスに帯電するという影響を受
けずに、無電解メッキ法により突起電極を形成すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に形
成する突起電極を有する半導体装置の構造およびその製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の実装方法の一つとしてフリ
ップチップ実装が行われており、半導体装置のアルミニ
ウムからなる電極パッド上に銅、金、ハンダなどの金属
で突起電極をメッキ法により形成している。

【０００３】図１１および図１２の断面図を用いて従来
技術の突起電極の形成方法を説明する。図１１に示すよ
うに、半導体基板１上には、ＰＮ接合を有する回路素子
（図示せず）およびアルミニウムからなる配線（図示せ
ず）と入出力パッド２を形成しており、入出力パッド２
が露出するように開口部を設けた絶縁層３を形成してい
る。

【０００４】つぎに、入出力パッド２上に無電解メッキ
法により突起電極５を形成するが、アルミニウムからな
る入出力パッド２上に直接、無電解メッキ法により金属
を析出させることは難しいため、メッキ前処理を行い、
入出力パッド２表面に亜鉛層を置換析出させる。

【０００５】その後、無電解ニッケルメッキ液に浸漬す
ることで、最初に亜鉛とニッケルの置換析出反応が起こ
り、つぎに、析出したニッケルの触媒効果によりニッケ
ルの析出反応が起こる。これにより、図１２に示すよう
に、アルミニウムからなる入出力パッド２上にニッケル
が析出して突起電極５が形成され、無電解メッキ法によ
り突起電極５を有する半導体装置を得る。このとき、ニ
ッケルは絶縁層３上にも形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】電解メッキ法により半
導体基板上に突起電極を形成する場合、電解メッキの電
極となる金属薄膜をスパッタリング法や真空蒸着法で形
成しており、高価な真空装置を用いる必要がある。ま
た、電解メッキ法による突起電極の形成工程は長く、生
産性が低いものであった。

【０００７】それに対して無電解メッキ法により半導体
基板１上に突起電極５を形成する場合、高価な真空装置
を用いる必要が無く、工程も短く、生産性も良好である
という利点を有する。しかしながら、半導体基板１に形
成されたダイオードやトランジスタなどから構成されて
いる回路素子が光に曝された場合、光起電力効果によ
り、入出力パッド２がマイナスまたはプラスに帯電して
しまう。

【０００８】このように帯電した状態で無電解メッキ処
理を行うと、マイナスに帯電した入出力パッド２では金
属が析出しやすく、プラスに帯電した入出力パッド２で
は金属が析出しないという現象が発生する。

【０００９】このことにより、無電解メッキ法により半
導体基板１上の入出力パッド２上に突起電極５を形成し
た場合、突起電極５が形成されない入出力パッド２が発
生してしまう。

【００１０】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決し、無電解メッキ法にて、確実に半導体基板上に
突起電極を形成することができる半導体装置およびその
製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置およびその製造方法において
は、下記記載の手段を採用する。

【００１２】本発明の半導体装置は、回路素子を形成し
た半導体基板上に設けた電極パッドと、前記電極パッド
が露出する開口部を設けた絶縁層と、前記電極パッド上
に設ける突起電極を有する半導体装置であって、前記電
極パッドは、前記回路素子と電気的に接続された第１の
電極パッドと、前記回路素子と電気的に絶縁された第２
の電極パッドとを有することを特徴としている。

【００１３】本発明の半導体装置の製造方法は、回路素
子を形成した半導体基板上に電極パッドを形成し、前記
電極パッド上に突起電極を形成する半導体装置の製造方
法であって、前記電極パッドが露出するように絶縁層に
開口を形成する工程と、前記電極パッドを、前記回路素
子と電気的に接続された第１の電極パッドと前記回路素
子と電気的に絶縁された第２の電極パッドとにパターン
形成する工程と、無電解メッキ処理を行うことにより、
前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの上に
前記突起電極を形成する工程を有することを特徴とす
る。

【００１４】本発明の半導体装置の製造方法は、回路素
子を形成した半導体基板上に電極パッドを形成し、前記
電極パッド上に突起電極を形成する半導体装置の製造方
法であって、電極パッド材料を全面に形成し、該電極パ
ッド材料を、前記回路素子と電気的に接続された第１の
電極パッドと前記回路素子と電気的に絶縁された第２の
電極パッドとにパターン形成する工程と、全面に絶縁層
材料を形成し、該絶縁層材料を、前記第１の電極パッド
と前記第２の電極パッドが露出する開口を有する絶縁層
にパターン形成する工程と、無電解メッキ処理を行うこ
とにより、前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッ
ドとの上に前記突起電極を形成する工程を有することを
特徴とする。

【００１５】本発明の半導体装置の製造方法における無
電解メッキ処理を行うことにより、前記第１の電極パッ
ドと前記第２の電極パッドとの上に前記突起電極を形成
する工程の前に、無電解メッキ前処理を行うことを特徴
とする。

【００１６】本発明の半導体装置の製造方法における前
記無電解メッキ前処理は、前記第１の電極パッドと前記
第２の電極パッド表面に亜鉛層を形成する処理であるこ
とを特徴とする。

【００１７】本発明の半導体装置の製造方法における前
記無電解メッキ前処理を行う前に、前記第１の電極パッ
ドと前記第２の電極パッドとの表面の酸化膜を除去する
ことを特徴とする。

【００１８】本発明の半導体装置の製造方法において
は、前記回路素子と電気的に接続された第１の電極パッ
ドと前記回路素子と電気的に絶縁された第２の電極パッ
ドとにパターン形成する工程後で、無電解メッキ処理を
行うことにより前記第１の電極パッドと前記第２の電極
パッドとの上に前記突起電極を形成する工程前に、前記
第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが露出する
開口を有するメッキレジストを形成する工程を行うこと
を特徴とする。

【００１９】〔作用〕本発明では、回路素子を形成した
半導体基板上に電極パッドと、電極パッドが露出する開
口部を設けた絶縁層と、電極パッド上に設ける突起電極
を有する半導体装置において、電極パッドは、回路素子
と電気的に接続された第１の電極パッドと、回路素子と
電気的に絶縁された第２の電極パッドを有している。

【００２０】半導体基板上に形成されたダイオードやト
ランジスタなどから構成されている回路素子が光に曝さ
れた場合、光起電力効果により回路素子と電気的に接続
している第１の電極パッドはマイナスまたはプラスに帯
電するが、回路素子から電気的に絶縁している第２の電
極パッドはマイナスまたはプラスに帯電するということ
はない。

【００２１】無電解メッキを行うと、まずはじめに回路
素子と電気的に絶縁されている第２の電極パッド上にメ
ッキ膜が形成される。回路素子と電気的に絶縁されてい
る第２の電極パッド上にメッキ膜が形成されれば、その
第２の電極パッド上に形成されたメッキ膜を核として、
その後はメッキ膜は成長し続けて、回路素子と電気的に
接続されている第１の電極パッド上にも、無電解メッキ
膜が形成される。

【００２２】その後は、メッキ膜が等方的に成長し、第
１の電極パッドと第２の電極パッドからなる電極パッド
上に突起電極を形成することができる。このように、半
導体基板に形成されたダイオードやトランジスタなどか
ら構成されている回路素子が光に曝されても、電極パッ
ドのマイナスまたはプラスの帯電状態に左右されずに無
電解メッキの析出反応が継続する。

【００２３】このことにより、本発明の半導体装置およ
びその製造方法においては、突起電極を電極パッド上に
確実に形成することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の最適な
実施形態における半導体装置およびその製造方法を説明
する。はじめに半導体装置の実施形態を説明する。

【００２５】〔半導体装置構造の説明〕本発明の半導体
装置は、図１に示すように、回路素子（図示せず）を形
成した半導体基板１上に電極パッドと、電極パッドが露
出する開口部を設けた絶縁層３と、電極パッド上に設け
る突起電極５を有する半導体装置において、電極パッド
は、回路素子と電気的に接続された第１の電極パッド７
ａと、回路素子と電気的に絶縁された第２の電極パッド
７ｂとを有する構造となっている。

【００２６】半導体基板１上に形成されたダイオードや
トランジスタなどから構成されている回路素子が光に曝
された場合、光起電力効果により回路素子と電気的に接
続している第１の電極パッド７ａはマイナスまたはプラ
スに帯電するが、回路素子から電気的に独立している第
２の電極パッド７ｂはマイナスまたはプラスに帯電する
ことはない。

【００２７】無電解メッキを行うと、まずはじめに回路
素子と電気的に絶縁されている第２の電極パッド７ｂ上
にメッキ膜が形成される。回路素子と電気的に絶縁され
ている第２の電極パッド７ｂ上にメッキ膜が形成されれ
ば、その第２の電極パッド７ｂ上に形成されたメッキ膜
を核として、その後はメッキ膜は成長し続けて、回路素
子と電気的に接続されている第１の電極パッド７ａ上に
も、無電解メッキ膜が形成される。

【００２８】その後は、メッキ膜が等方的に成長し、第
１の電極パッド７ａと第２の電極パッド７ｂからなる電
極パッド７上に突起電極５を形成することができる。

【００２９】このように、半導体基板に形成されたダイ
オードやトランジスタなどから構成されている回路素子
が光に曝されても、電極パッド７のマイナスまたはプラ
スの帯電状態に左右されずに無電解メッキの析出反応が
継続する。

【００３０】このことにより、本発明の半導体装置で
は、突起電極５を電極パッド７上に確実に形成すること
ができる。

【００３１】〔半導体装置の製造方法における第１の実
施形態〕つぎに、本発明の半導体装置の製造方法におけ
る第１の実施形態について、図面を用いて説明する。

【００３２】図２の断面図に示すように、半導体基板１
上にダイオードやトランジスタなどのＰＮ接合構造をも
つ回路素子（図示せず）やアルミニウムからなる配線
（図示せず）や電極パッド７を形成しており、電極パッ
ド７が露出する開口部を形成した絶縁層３を有する。

【００３３】製造方法の第１の実施形態では、この図２
に示すように、半導体基板１に電極パッド７が露出する
開口部を形成した絶縁層３が形成された状態から突起電
極形成工程を開始する実施形態である。

【００３４】はじめに図３に示すように、半導体基板１
上にエッチングレジスト６となる感光性樹脂を回転塗布
法により全面に形成し、その電極パッド７のエッチング
する部分が開口するように、露光現像処理によりエッチ
ングレジスト６をパターン形成する。感光性樹脂の全面
形成と、露光現像処理による感光性樹脂のパターン形成
をフォトリソグラフィー処理という。

【００３５】エッチングレジスト６としては、東京応化
工業のＢＭＲ Ｃ−１０００（ＰＭ）を使用し、前乾燥
として１１０℃で５分間の熱処理を行った後、露光現像
処理を行い所定の形状にエッチングレジスト６をパター
ン形成する。このとき、エッチングレジスト６の厚さ
は、５μｍとなるように形成した。

【００３６】つぎに、図５に示すように、エッチングレ
ジスト６をエッチングマスクとして使用し、エッチング
液として水酸化ナトリウムを用いて、アルミニウムから
なる電極パッド７をエッチングするエッチング処理を行
う。

【００３７】この結果、電極パッド７を、半導体基板１
に形成された回路素子と電気的に導通した第１の電極パ
ッド７ａと、回路素子から電気的に独立した第２の電極
パッド７ｂとにパターン形成する。なお、フォトリソグ
ラフィー処理とその後のエッチング処理とを総称してフ
ォトエッチング処理という。

【００３８】その後、図６に示すようにエッチングマス
クとして使用したエッチングレジスト６の除去を行う。
エッチングレジスト６を除去する剥離液としては、東京
応化工業の剥離液ＥＧを使用し、６５℃で５分揺動を行
いエッチングレジスト６を除去した。

【００３９】この第２の電極パッド７ｂのパターン形状
は、この第２の電極パッド７ｂがＰＮ接合を持つ回路素
子と電気的に導通しないような形状であればよく、多角
形や櫛歯などとくに限定されるものではない。本実施形
態では、図４に示すような、回路素子と電気的に接続し
た第１の電極パッド７ａと電気的に絶縁された八角形状
の第２の電極パッド７ｂを形成した。

【００４０】つぎに、希硝酸および水酸化ナトリウムを
用いて第１の電極パッド７ａおよび第２の電極パッド７
ｂの表面に形成されている図示していない酸化膜（酸化
アルミニウム）を除去する酸化膜除去工程を行う。

【００４１】つぎに無電解メッキ処理により突起電極を
形成する前に、無電解メッキ前処理を行う。これはアル
ミニウム上に直接無電解メッキを行うことは難しく、無
電解メッキのメッキ前処理として、第１の電極パッド７
ａと第２の電極パッド７ｂ表面に亜鉛置換メッキを行う
メッキ前処理（ジンケート処理）を行う。

【００４２】本実施形態では、日本カニゼンのシューマ
ーＫ−１０２を使用し、薬液の温度を２５℃にして半導
体基板１を２０秒間浸漬した。この結果、第１の電極パ
ッド７ａと第２の電極パッド７ｂの表面に、厚さが１０
〜１００ｎｍ程度の亜鉛層（図示せず）が形成された。

【００４３】アルミニウムからなる第１の電極パッド７
ａと第２の電極パッド７ｂ表面に形成した亜鉛層は、メ
ッキ前処理工程を行った後に、第１の電極パッド７ａと
第２の電極パッド７ｂ表面に酸化膜が形成されるのを防
止するとともに、無電解ニッケルメッキ液に浸漬した際
に、はじめにニッケルが亜鉛との置換反応により析出
し、その後は析出したニッケルの触媒効果により無電解
メッキが継続する役割をもっている。

【００４４】続いて半導体基板１を無電解ニッケルメッ
キ液に浸漬し、メッキ処理を行い、図１に示すように、
突起電極５を第１の電極パッド７ａと第２の電極パッド
７ｂ上に形成する。前述のように、電極パッド７は回路
素子から電気に独立した第２の電極パッド７ｂが形成し
てあるので、はじめに形成された第２の電極パッド７ｂ
上のニッケル膜を核にして第１の電極パッド７ａにもニ
ッケル膜が形成され、電極パッド７上にニッケルからな
る突起電極５を形成することができる。

【００４５】本実施形態では無電解ニッケルメッキ液と
して、日本カニゼンの無電解ニッケルメッキ液Ｓ−６８
０を使用し、メッキ液の温度を９０℃にして、半導体基
板１を４０分間浸漬することにより、高さが２０μｍの
突起電極５を形成した。

【００４６】無電解ニッケルメッキを行った後に、無電
解金メッキ液に浸漬して、ニッケルからなる突起電極５
表面に金薄膜層を形成する。突起電極５表面に金薄膜層
を形成することによって、導電接着剤や異方性導電フィ
ルムを用いてフリップチップ実装を行うとき、接続抵抗
を低減させることができる。

【００４７】本実施形態では、奥野製薬工業の無電解金
メッキ液フラッシュゴールドＮＢを使用し、メッキ液の
温度を９０℃にして、半導体基板１を１５分間浸漬する
ことにより、ニッケル表面に５０ｎｍの金メッキ膜を形
成した。

【００４８】なお、各工程間に純水洗浄、アルカリ脱脂
洗浄、および酸洗浄などの洗浄工程を行う。

【００４９】〔半導体装置の製造方法における第２の実
施形態〕以上の説明と異なる第２の実施形態における突
起電極の形成方法を以下説明する。この第２の実施形態
はアルミニウムからなる第１の電極パッド７ａと第２の
電極パッド７ｂのパターン形成を、回路素子間を接続す
る配線のパターン形成と同時に行う製造方法である。

【００５０】まずはじめに図７に示すように、半導体基
板１上の全面に、アルミニウムからなる回路素子間を接
続する配線材料ともなる電極パッド材料７ｃをスパッタ
リング法で形成する。その後、電極パッド材料７ｃ上に
エッチングレジスト６となる感光性樹脂を回転塗布法に
より形成し、電極パッド材料７ｃのエッチングする部分
が開口したエッチングレジスト６を露光現像処理のフォ
トリソグラフィー処理によりパターン形成する。

【００５１】エッチングレジスト６としては、東京応化
工業のＢＭＲ Ｃ−１０００（ＰＭ）を使用し、前乾燥
として１１０℃５分間行った後、露光現像を行い所定の
パターンを形成した。エッチングレジスト６の厚さは、
２μｍとなるように形成した。

【００５２】つぎに、エッチングレジスト６をエッチン
グマスクとして使用し、エッチング液として水酸化ナト
リウムを用いて、アルミニウムからなる電極パッド材料
７ｃをエッチングする。この結果、半導体基板１に形成
された回路素子と電気的に導通した第１の電極パッド７
ａと、回路素子から電気的に独立した第２の電極パッド
７ｂとをパターン形成する。このとき、同時に回路素子
間を接続する配線もパターン形成する。

【００５３】その後、図８に示すようにエッチングマス
クとして使用したエッチングレジスト６の除去を行う。
エッチングレジスト６を除去する剥離液としては、東京
応化工業の剥離液ＥＧを使用し、６５℃で５分揺動を行
いエッチングレジスト６を除去した。

【００５４】その電極パッド材料７ｃのエッチング後の
第１の電極パッド７ａと第２の電極パッド７ｂの平面パ
ターン形状を図４に示す。電極パッドの平面パターン形
状は、第２の電極パッド７ｂがＰＮ接合を持つ回路素子
と電気的に導通しないような形状であればよく、多角形
や櫛歯などとくに限定されるものではない。本実施形態
では、図４に示すような、回路素子と電気的に接続した
第１の電極パッド７ａと電気的に絶縁した八角形状の第
２の電極パッド７ｂを形成した。

【００５５】つぎに図６に示すように、不純物を含む酸
化シリコン膜または窒化シリコン膜からなる絶縁層３を
半導体基板１の全面に化学的気相成長法により形成す
る。その後、フォトエッチング処理を行い、第１の電極
パッド７ａと第２の電極パッド７ｂが露出するように絶
縁層３に開口をパターン形成する。

【００５６】その後、製造方法の第１の実施形態と同様
に、第１の電極パッド７ａと第２の電極パッド７ｂ表面
の酸化膜除去工程と、無電解メッキ前処理による亜鉛層
の形成工程と、無電解ニッケルメッキおよび無電解金メ
ッキを行うことにより、図１に示すように、半丘形状の
突起電極５を半導体基板１上に形成する。

【００５７】〔半導体装置の製造方法における第３の実
施形態〕以上の説明と異なる第３の実施形態における突
起電極の形成方法を以下説明する。この第３の実施形態
は突起電極の断面形状が矩形状のいわゆるストレートウ
ォール形状の突起電極を形成する製造方法である。

【００５８】突起電極５の形状をストレートウォール形
状にする場合は、製造方法の第１の実施形態または第２
の実施形態で説明した工程の第１の電極パッド７ａと第
２の電極パッド７ｂを形成した後、図９に示すように感
光性樹脂のメッキレジスト４を、突起電極高さ以上に厚
く形成し、露光現像処理を行い突起電極５を形成する部
分が開口したメッキレジスト４を形成する。

【００５９】メッキレジスト４としては、この第３の実
施形態においては、東京応化工業のＢＭＲ Ｃ−１００
０（ＰＭ）を使用し、前乾燥を１１０℃５分間行った
後、露光現像処理を行い所定のパターンを形成する。メ
ッキレジスト４の厚さは、２０μｍとなるように形成し
た。

【００６０】その後、第１および第２の実施形態と同様
に、第１の電極パッド７ａと第２の電極パッド７ｂ表面
の酸化膜除去工程と、メッキ前処理による亜鉛層の形成
工程と、無電解ニッケルメッキ処理工程とを行い突起電
極５を形成する。このとき形成した突起電極の高さは２
０μｍとした。

【００６１】無電解ニッケルメッキ処理工程後に、図１
０に示すように、剥離液に浸漬してメッキレジスト４の
除去工程を行う。

【００６２】メッキレジスト４の除去には、東京応化工
業の剥離液ＥＧを使用し、６５℃で５分間揺動し、メッ
キレジスト４を除去した。

【００６３】メッキレジスト４を除去した後、半導体基
板１を無電解金メッキ液に浸漬してニッケル表面に金メ
ッキ膜の形成を行い、ニッケル表面に金を形成した突起
電極５を形成した。この金メッキ処理は、第１の実施形
態と同じメッキ液およびメッキ条件で行った。金メッキ
の厚さは５０ｎｍとした。

【００６４】第３の実施形態の製造方法により、寸法精
度に優れたストレートウォール形状の突起電極５を半導
体基板１上に確実に形成することができた。

【００６５】また、以上の各実施形態では半導体基板１
上に形成された配線および電極パッド７の材質がアルミ
ニウムの場合について説明したが、半導体基板１上に形
成する配線および電極パッド７の材質が金や銅などの場
合、電極パッド７上に直接無電解メッキを行うことがで
き、酸化膜を除去する工程、およびジンケート処理など
のメッキ前処理を行わずに無電解メッキ法により突起電
極５を形成することができる。

【００６６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体装置およびその製造方法は、回路素子を形成し
た半導体基板上に電極パッドと、電極パッド部分が露出
する開口部を設けた絶縁層と、電極パッド上に設ける突
起電極を有する半導体装置において、電極パッドは、回
路素子と電気的に接続された第１の電極パッドと、回路
素子と電気的に絶縁された第２の電極パッドからなる。

【００６７】半導体基板上に形成されたダイオードやト
ランジスタなどから構成されている回路素子が光に曝さ
れた場合、光起電力効果により回路素子と電気的に接続
している第１の電極パッドはマイナスまたはプラスに帯
電するが、回路素子から電気的に独立している第２の電
極パッドはマイナスまたはプラスに帯電するということ
はない。

【００６８】無電解メッキ処理を行うと、まずはじめに
回路素子と電気的に絶縁されている第２の電極パッド上
にメッキ膜が形成される。回路素子と電気的に絶縁され
ている第２の電極パッド上にメッキ膜が形成されれば、
その第２の電極パッド上に形成されたメッキ膜を核とし
て、その後はメッキ膜は成長し続けて、回路素子と電気
的に接続されている第１の電極パッド上にも、無電解メ
ッキ膜を形成することができる。

【００６９】その後は、メッキ膜が等方的に成長し、第
１の電極パッドと第２の電極パッドからなる電極パッド
上に突起電極を形成することができる。

【００７０】このように、半導体基板に形成されたダイ
オードやトランジスタなどから構成されている回路素子
が光に曝されても、電極パッドのマイナスまたはプラス
の帯電状態に左右されずに無電解メッキの析出反応が継
続する。

【００７１】このことにより、工程が簡素で、寸法精度
に優れた突起電極を電極パッド上に確実に形成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す断面図である。

【図２】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す断面図である。

【図３】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す断面図である。

【図４】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す平面図である。

【図５】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す断面図である。

【図６】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す断面図である。

【図７】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す断面図である。

【図８】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す断面図である。

【図９】本発明の実施形態における半導体装置およびそ
の製造方法を示す断面図である。

【図１０】本発明の実施形態における半導体装置および
その製造方法を示す断面図である。

【図１１】従来技術における半導体装置の製造方法を示
す断面図である。

【図１２】従来技術における半導体装置を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１：半導体基板 ２：入出力パッド
３：絶縁層 ４：メッキレジスト ５：突起電極 ６：エッチングレジスト ７：電極パッド ７ａ：第１の電極パッド ７ｂ：第２の電極パ
ッド ７ｃ：電極パッド材料７ｃ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路素子を形成した半導体基板上に設け
   た電極パッドと、前記電極パッドが露出する開口部を設
   けた絶縁層と、前記電極パッド上に設けた突起電極を有
   する半導体装置であって、 前記電極パッドは、前記回路素子と電気的に接続された
   第１の電極パッドと、前記回路素子と電気的に絶縁され
   た第２の電極パッドを有することを特徴とする半導体装
   置。
2. 【請求項２】 回路素子を形成した半導体基板上に電極
   パッドを形成し、前記電極パッド上に突起電極を形成す
   る半導体装置の製造方法であって、 前記電極パッドが露出するように絶縁層に開口を形成す
   る工程と、 前記電極パッドを、前記回路素子と電気的に接続された
   第１の電極パッドと前記回路素子と電気的に絶縁された
   第２の電極パッドとにパターン形成する工程と、 無電解メッキ処理を行うことにより前記第１の電極パッ
   ドと前記第２の電極パッドとの上に前記突起電極を形成
   する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 回路素子を形成した半導体基板上に電極
   パッドを形成し、前記電極パッド上に突起電極を形成す
   る半導体装置の製造方法であって、 電極パッド材料を全面に形成し、該電極パッド材料を、
   前記回路素子と電気的に接続された第１の電極パッドと
   前記回路素子と電気的に絶縁された第２の電極パッドと
   にパターン形成する工程と、 全面に絶縁層材料を形成し、該絶縁層材料を、前記第１
   の電極パッドと前記第２の電極パッドが露出する開口を
   有する絶縁層にパターン形成する工程と、 無電解メッキ処理を行うことにより前記第１の電極パッ
   ドと前記第２の電極パッドとの上に前記突起電極を形成
   する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
4. 【請求項４】 無電解メッキ処理を行うことにより、前
   記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの上に前
   記突起電極を形成する工程の前に、 無電解メッキ前処理を行うことを特徴とする請求項２ま
   たは３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記無電解メッキ前処理は、 前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッド表面に亜
   鉛層を形成する処理であることを特徴とする請求項４に
   記載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記無電解メッキ前処理を行う前に、 前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとの表面
   の酸化膜を除去することを特徴とする請求項４に記載の
   半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記回路素子と電気的に接続された第１
   の電極パッドと、前記回路素子と電気的に絶縁された第
   ２の電極パッドとにパターン形成する工程後で、無電解
   メッキ処理を行うことにより前記第１の電極パッドと前
   記第２の電極パッドとの上に前記突起電極を形成する工
   程前に、 前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドとが露出
   する開口を有するメッキレジストを形成する工程を行う
   ことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置
   の製造方法。