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JP2002289493A - Substrate cooler and substrate cooling method - Google Patents

Substrate cooler and substrate cooling method

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Publication number
JP2002289493A
JP2002289493A JP2001085867A JP2001085867A JP2002289493A JP 2002289493 A JP2002289493 A JP 2002289493A JP 2001085867 A JP2001085867 A JP 2001085867A JP 2001085867 A JP2001085867 A JP 2001085867A JP 2002289493 A JP2002289493 A JP 2002289493A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cooling
mounting surface
time
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001085867A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4152087B2 (en
Inventor
Satoshi Yamamoto
悟史 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cooler and a substrate cooling method capable of performing a cooling process with good surface-uniformity for a short time with suppressing electrostatic charge. SOLUTION: The substrate cooler comprises a cooling plate 12 having a mounting surface 1a for mounting a substrate W, a vacuuming mechanism 12 for evacuating through vacuum holes 10 formed at the mounting surface 1a to vacuum the substrate to the mounting surface, and support pins 3 for contacting/separating the substrate W relative to the mounting surface 1a. A controller 20 controls the operation of the vacuuming mechanism 12 and the vertical motion of the support pins 3. The controller 20 holds the vacuuming mechanism 12 nonactive for a first time in a state that the substrate W is mounted on the mounting surface 1a (non-vacuumed cooling process) and then actuates the mechanism 12 for a second time to vacuum the substrate W to the mounting surface 1a (vacuumed cooling process).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネ
ル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディス
ク用基板、磁気ディスク用基板および光磁気ディスク用
基板などの各種の基板を冷却するための基板冷却装置お
よび基板冷却方法に関する。
[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
A substrate cooling device and a substrate cooling device for cooling various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display panel, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a substrate for a magneto-optical disk. About the method.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】たと
えば、液晶表示装置の製造工程では、矩形のガラス基板
(以下、単に「基板」という。)の表面に微細な薄膜パ
ターンを形成するためのフォトリソグラフィ処理が不可
欠である。フォトリソグラフィ処理では、基板表面にフ
ォトレジストが塗布されるが、これに先だって、基板の
洗浄処理および加熱乾燥処理が行われる。加熱乾燥処理
後の基板は、基板冷却装置によって、室温に冷却され
る。
2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device, a photolithography for forming a fine thin film pattern on the surface of a rectangular glass substrate (hereinafter, simply referred to as "substrate") is performed. Lithographic processing is essential. In the photolithography process, a photoresist is applied to the substrate surface. Prior to this, the substrate is subjected to a cleaning process and a heat drying process. The substrate after the heating and drying treatment is cooled to room temperature by the substrate cooling device.

【0003】基板冷却装置は、プロキシミティ方式のも
のとコンタクト方式のものとに大別される。プロキシミ
ティ方式の基板冷却装置は、冷却プレートと、この冷却
プレートの表面に対して微小な間隔を保持した状態で基
板を支持する支持部材とを備えている。すなわち、プロ
キシミティ方式の基板冷却装置では、基板は冷却プレー
トの表面と接触することなく冷却処理を受ける。これに
対して、コンタクト方式の基板冷却装置は、冷却プレー
トと、この冷却プレートの表面に形成された吸着孔と、
この吸着孔を介する排気によって冷却プレートの表面に
基板を真空吸着させる排気装置とを備えている。
[0003] Substrate cooling devices are roughly classified into a proximity type and a contact type. The proximity type substrate cooling device includes a cooling plate and a support member that supports the substrate while maintaining a small distance from the surface of the cooling plate. That is, in the proximity type substrate cooling device, the substrate is subjected to a cooling process without contacting the surface of the cooling plate. On the other hand, a contact-type substrate cooling device includes a cooling plate, suction holes formed on the surface of the cooling plate,
An exhaust device is provided which vacuum-adsorbs the substrate to the surface of the cooling plate by exhausting through the suction holes.

【0004】コンタクト方式の基板冷却装置では、冷却
過程で基板が収縮すると、基板表面が冷却プレートの表
面に吸着された状態で、基板と冷却プレートとの間の摩
擦が生じる。この摩擦により、多量の静電気が生じ、空
中に浮遊しているパーティクルが基板表面に引きつけら
れ、基板の品質が損なわれるという問題がある。また、
基板を冷却プレートから引き離して上昇させる際に、基
板の位置ずれが生じやすく、このため、基板冷却装置と
基板を搬送するロボットとの間での受け渡しに不具合が
生じたりして、搬送不良が生じやすいという問題もあ
る。
In a contact-type substrate cooling device, when the substrate contracts during the cooling process, friction occurs between the substrate and the cooling plate in a state where the substrate surface is attracted to the surface of the cooling plate. Due to this friction, a large amount of static electricity is generated, and particles floating in the air are attracted to the surface of the substrate, which causes a problem that the quality of the substrate is impaired. Also,
When the substrate is lifted away from the cooling plate, the substrate is likely to be misaligned, which may cause a failure in the transfer between the substrate cooling device and the robot that transports the substrate, resulting in poor transport. There is also a problem that it is easy.

【0005】一方、プロキシミティ方式の基板冷却装置
は、冷却プレートと基板とが接触していないので、多量
の静電気が生じることはなく、したがって、冷却プレー
トに対して基板を上下動させるときに基板の位置ずれも
生じにくい。しかし、コンタクト方式の基板冷却装置に
比較して、冷却または温調処理が完了するまでの処理時
間が長く、しかも、基板表面の温度の面内均一性の点で
もコンタクト方式に劣る。
On the other hand, in the proximity type substrate cooling device, a large amount of static electricity is not generated because the cooling plate and the substrate are not in contact with each other, and therefore, when the substrate is moved up and down with respect to the cooling plate. Is unlikely to occur. However, as compared with the contact type substrate cooling apparatus, the processing time required for completing the cooling or temperature control processing is longer, and the substrate type is inferior to the contact type in terms of the in-plane uniformity of the substrate surface temperature.

【0006】特開平5−182900号公報には、基板
を冷却プレートの上方に保持して予冷した後に、冷却プ
レートの表面に吸着させて基板の冷却を行う装置が開示
されている。しかし、基板が冷却プレートの表面に密着
された状態で基板が収縮する点において、上記コンタク
ト方式の基板冷却装置と変わるところはなく、多量の静
電気の発生の問題や、それに起因する搬送不良の問題を
克服することができない。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-182900 discloses an apparatus for precooling a substrate by holding the substrate above a cooling plate and then adsorbing the substrate to the surface of the cooling plate to cool the substrate. However, there is no difference from the above-mentioned contact type substrate cooling device in that the substrate shrinks in a state in which the substrate is in close contact with the surface of the cooling plate. Can not overcome.

【0007】そこで、この発明の目的は、静電気の発生
を抑制しつつ、短時間で面内均一性の良好な冷却処理を
行うことのできる基板冷却装置および基板冷却方法を提
供することである。
An object of the present invention is to provide a substrate cooling apparatus and a substrate cooling method capable of performing a cooling process with good in-plane uniformity in a short time while suppressing generation of static electricity.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板
(W)が載置される載置面(1a)を有し、上記載置面
上の基板を冷却するための冷却プレート(1)と、上記
載置面に形成された吸着孔(10)を介して排気するこ
とによって、上記載置面に基板を吸着させる吸着手段
(12)と、基板を保持し、その基板を上記載置面に対
して接離するように変位させるための基板保持手段
(3)と、上記基板保持手段を制御して上記載置面に基
板を載置させ、基板が上記載置面に載置された状態で第
1の時間に渡って上記吸着手段を動作停止状態に制御
し、その後の第2の時間に渡って上記吸着手段を作動さ
せて基板を上記載置面に吸着させる制御手段(20)と
を含むことを特徴とする基板冷却装置である。なお、括
弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等
を表す。以下、この項において同じ。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided an image forming apparatus having a mounting surface (1a) on which a substrate (W) is mounted. A cooling plate (1) for cooling the substrate on the mounting surface, and suction means for sucking the substrate on the mounting surface by exhausting air through suction holes (10) formed in the mounting surface. 12), substrate holding means (3) for holding the substrate, and displacing the substrate so as to be in contact with or separated from the mounting surface, and controlling the substrate holding means to provide the substrate on the mounting surface. And controlling the suction means to be in an operation stop state for a first time in a state where the substrate is mounted on the mounting surface, and operating the suction means for a second time thereafter. And a control means (20) for causing the substrate to adhere to the mounting surface. It is a device. Note that the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components and the like in embodiments described later. Hereinafter, the same applies in this section.

【0009】請求項2記載の発明は、上記制御手段は、
上記基板保持手段を制御することにより、上記載置面に
基板を載置する前に、第3の時間に渡り、上記基板を上
記載置面との間に所定の間隔を開けた位置で保持させる
ものであることを特徴とする請求項1記載の基板冷却装
置である。請求項3記載の発明は、冷却プレートの載置
面に基板を載置し、この基板を上記載置面に吸着させる
ことなく第1の時間に渡って冷却する非吸着冷却工程
と、この非吸着冷却工程に続いて、上記載置面に置かれ
た基板を上記載置面に吸着させて第2の時間に渡って冷
却する吸着冷却工程とを含むことを特徴とする基板冷却
方法である。
According to a second aspect of the present invention, the control means includes:
By controlling the substrate holding means, the substrate is held at a position spaced a predetermined distance from the mounting surface for a third time before the substrate is mounted on the mounting surface. 2. The substrate cooling device according to claim 1, wherein the substrate is cooled. According to a third aspect of the present invention, there is provided a non-adsorption cooling step of mounting a substrate on a mounting surface of a cooling plate and cooling the substrate for a first time without adsorbing the substrate on the mounting surface. A suction cooling step of adsorbing the substrate placed on the mounting surface to the mounting surface and cooling the substrate for a second time, following the adsorption cooling step. .

【0010】請求項4記載の発明は、上記非吸着冷却工
程に先だって、上記基板を上記載置面から所定の間隔を
開けた位置で保持して第3の時間に渡って冷却する非接
触冷却工程をさらに含むことを特徴とする請求項3記載
の基板冷却工程である。請求項1または請求項3記載の
発明によれば、冷却プレートの載置面に基板を載置し
て、この基板を載置面に吸着させることなく第1の時間
にわたって基板の冷却処理(非吸着冷却処理)が行われ
る。このとき、冷却によって基板の収縮が生じるが、基
板は載置面に吸着されていないので、多量の静電気が生
じることはない。
According to a fourth aspect of the present invention, prior to the non-adsorption cooling step, the substrate is held at a position spaced a predetermined distance from the mounting surface and cooled for a third time. 4. The substrate cooling step according to claim 3, further comprising a step. According to the first or third aspect of the present invention, the substrate is placed on the mounting surface of the cooling plate, and the substrate is subjected to the cooling process (non- Adsorption cooling process). At this time, although the substrate shrinks due to cooling, a large amount of static electricity does not occur because the substrate is not attracted to the mounting surface.

【0011】非吸着冷却処理に引き続き、基板を載置面
に吸着させて、第2の時間にわたって冷却処理(吸着冷
却処理)が行われる。これにより、精密な冷却処理が可
能となり、基板温度に関し、精度の高い面内均一性を実
現できる。基板を載置面上に載置して行われる非吸着冷
却処理および吸着冷却処理により、基板が速やかに所望
の温度まで冷却され、かつ、冷却過程における基板収縮
の大部分は非吸着冷却工程において生じるので、基板に
多量の静電気が蓄積されることもない。そのため、冷却
プレートから基板を引き離す際に、基板に大きな位置ず
れが生じることもないので、基板の搬送不良を防止でき
る。
Subsequent to the non-adsorption cooling process, the substrate is adsorbed on the mounting surface, and the cooling process (adsorption cooling process) is performed for a second time. This enables precise cooling processing, and achieves highly accurate in-plane uniformity with respect to the substrate temperature. The substrate is quickly cooled to a desired temperature by the non-adsorption cooling process and the adsorption cooling process performed by mounting the substrate on the mounting surface, and most of the substrate shrinkage in the cooling process is performed in the non-adsorption cooling process. Therefore, a large amount of static electricity is not accumulated on the substrate. Therefore, when the substrate is separated from the cooling plate, a large displacement of the substrate does not occur, so that a defective transfer of the substrate can be prevented.

【0012】上記第1の時間は、冷却に伴う基板の収縮
がほぼ完了するのに十分な長さの時間に定められること
が好ましい。上記第2の時間は、基板温度の十分な面内
均一性が得られるように定められることが好ましい。請
求項2または請求項4記載の発明によれば、非吸着冷却
処理に先立って、基板を載置面との間に所定の間隔を開
けた位置(好ましくは載置面に近接した位置)で保持し
て基板の冷却処理(非接触冷却処理)が行われる。これ
により、非吸着冷却処理のために基板が冷却プレートの
載置面に載置されるときには、冷却に伴う基板収縮が概
ね終了しているので、基板と冷却プレートの載置面との
間の摩擦に起因する静電気の発生をさらに効果的に抑制
できる。
Preferably, the first time is set to a time long enough to substantially complete the contraction of the substrate due to cooling. The second time is preferably determined so that sufficient in-plane uniformity of the substrate temperature is obtained. According to the second or fourth aspect of the present invention, prior to the non-adsorption cooling process, the substrate is placed at a predetermined distance from the mounting surface (preferably a position close to the mounting surface). The substrate is cooled while being held (non-contact cooling process). Thereby, when the substrate is placed on the mounting surface of the cooling plate for the non-adsorption cooling process, since the substrate shrinkage due to the cooling is almost finished, the distance between the substrate and the mounting surface of the cooling plate is reduced. Generation of static electricity due to friction can be more effectively suppressed.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態に係る基板冷却装置の構成を説明する
ための図解的な断面図である。この基板冷却装置は、液
晶表示装置に使用される矩形のガラス基板等の基板Wを
冷却するための装置であって、基板Wが載置される載置
面1aを上面に有する冷却プレート1を備えている。こ
の冷却プレート1には、載置面1aに直交する方向(す
なわち鉛直方向)に沿って、たとえば5箇所に貫通孔2
が形成されている。この貫通孔2は、たとえば、載置面
1aを見下す平面視において、基板Wの外径よりも小さ
く、基板Wの外径とは略相似である矩形の各頂点、およ
び、対角線の交点にほぼ整合する位置に形成されてい
る。貫通孔2には、それぞれ、支持ピン3が挿通されて
いる。この支持ピン3は、載置面1aから先端3aまで
の高さが等しくなるように設けられている。支持ピン3
の先端3aは、ほぼ球面状に成形されていて、基板Wの
裏面に点接触するようになっている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an illustrative sectional view for explaining a configuration of a substrate cooling device according to an embodiment of the present invention. This substrate cooling device is a device for cooling a substrate W such as a rectangular glass substrate used for a liquid crystal display device, and includes a cooling plate 1 having a mounting surface 1a on which the substrate W is mounted on an upper surface. Have. The cooling plate 1 has, for example, five through holes 2 in a direction perpendicular to the mounting surface 1a (that is, in a vertical direction).
Are formed. For example, the through-hole 2 is substantially smaller than the outer diameter of the substrate W in plan view looking down on the mounting surface 1a, and is substantially at each vertex of a rectangle substantially similar to the outer diameter of the substrate W and at the intersection of diagonal lines. It is formed at the position where it matches. The support pins 3 are respectively inserted through the through holes 2. The support pins 3 are provided so that the height from the mounting surface 1a to the tip 3a is equal. Support pin 3
The tip 3a is formed into a substantially spherical shape so as to make point contact with the back surface of the substrate W.

【0014】支持ピン3の基端部は、支持部材4によっ
て共通に支持されている。この支持部材4には、ラック
軸5が結合されている。ラック軸5は鉛直方向に延びて
設けられており、そのギヤ部5aにはアイドルギヤ6
(ピニオン)が噛合している。このアイドルギヤ6に
は、サーボモータ7によって駆動されるモータプーリ8
が噛合している。したがって、サーボモータ7を正転/
逆転駆動することにより、モータプーリ8の回転がアイ
ドルギヤ6を介してラック軸5に伝達され、このラック
軸5の上下動に変換される。したがって、5本の支持ピ
ン3は貫通孔2に沿って上下動し、その先端3aに保持
されている基板Wが上下動されることになる。
The base end of the support pin 3 is commonly supported by a support member 4. A rack shaft 5 is connected to the support member 4. The rack shaft 5 is provided to extend in the vertical direction, and its gear portion 5a has an idle gear 6
(Pinion) is engaged. The idle gear 6 has a motor pulley 8 driven by a servomotor 7.
Are engaged. Therefore, the servo motor 7 is rotated forward /
By performing the reverse rotation, the rotation of the motor pulley 8 is transmitted to the rack shaft 5 via the idle gear 6, and is converted into the vertical movement of the rack shaft 5. Therefore, the five support pins 3 move up and down along the through hole 2, and the substrate W held at the tip 3a moves up and down.

【0015】冷却プレート1の載置面1aには、基板W
が載置される領域に、複数の吸着孔10が分散配置され
て形成されている。これらの吸着孔10は、冷却プレー
ト1の内部に形成された排気通路11と連通している。
この排気通路11は、排気パイプ13を介して、真空ポ
ンプ等の吸引機構12に結合されている。一方、冷却プ
レート1を所定の冷却温度に保持するために、冷却プレ
ート1の内部には冷却水通路(図示せず)が形成されて
いる。この冷却水通路には、温調器14によって温調さ
れた冷却水が冷却水供給パイプ15を介して供給され
る。冷却水通路から排出される冷却水は、冷却水帰還パ
イプ16を介して温調器14に帰還されるようになって
いる。
On the mounting surface 1a of the cooling plate 1, a substrate W
A plurality of suction holes 10 are formed in a distributed manner in a region where is mounted. These suction holes 10 communicate with an exhaust passage 11 formed inside the cooling plate 1.
The exhaust passage 11 is connected to a suction mechanism 12 such as a vacuum pump via an exhaust pipe 13. On the other hand, in order to maintain the cooling plate 1 at a predetermined cooling temperature, a cooling water passage (not shown) is formed inside the cooling plate 1. The cooling water whose temperature has been adjusted by the temperature controller 14 is supplied to the cooling water passage through a cooling water supply pipe 15. The cooling water discharged from the cooling water passage is returned to the temperature controller 14 via a cooling water return pipe 16.

【0016】サーボモータ7および吸引機構12の動作
は、マイクロコンピュータ等を含む制御部20によって
制御されるようになっている。この制御部20は、サー
ボモータ7を制御することによって、支持ピン3を上下
動させ、これにより支持ピン3の高さを図1に示す基板
受け渡し位置と、図2(a)に示す非接触冷却位置、
と、図2(b)に示す接触冷却位置とに制御する。図1
に示された基板受け渡し位置は、冷却プレート1の載置
面1aから十分に離隔した上方位置で基板Wを保持する
ことができる位置である。この基板受け渡し位置におい
て、支持ピン3と図示しない基板搬送ロボットとの間で
の基板Wの受け渡しが行われる。
The operations of the servo motor 7 and the suction mechanism 12 are controlled by a control unit 20 including a microcomputer and the like. The control unit 20 moves the support pin 3 up and down by controlling the servomotor 7, and thereby moves the height of the support pin 3 between the board transfer position shown in FIG. 1 and the non-contact position shown in FIG. Cooling position,
And the contact cooling position shown in FIG. Figure 1
Is a position where the substrate W can be held at an upper position sufficiently separated from the mounting surface 1a of the cooling plate 1. At this substrate transfer position, the transfer of the substrate W between the support pins 3 and a substrate transfer robot (not shown) is performed.

【0017】図2(a)に示されている非接触冷却位置
は、支持ピン3の先端3aを冷却プレート1の載置面1
aからわずかに突出させた上下位置である。この非接触
冷却位置にある支持ピン3に基板Wが保持された状態で
は、基板Wの裏面と冷却プレート1の載置面1aとの間
には、約0.3〜0.5mmのギャップ(プロキシミテ
ィギャップ)が形成されている。この非接触冷却位置に
おいて、プロキシミティ方式による基板Wの冷却を行う
ことができる。
In the non-contact cooling position shown in FIG. 2A, the tip 3a of the support pin 3 is placed on the mounting surface 1 of the cooling plate 1.
This is an upper and lower position slightly protruding from a. When the substrate W is held by the support pins 3 at the non-contact cooling position, a gap (about 0.3 to 0.5 mm) is provided between the back surface of the substrate W and the mounting surface 1a of the cooling plate 1. Proximity gap) is formed. At this non-contact cooling position, the substrate W can be cooled by the proximity method.

【0018】図2(b)に示されている接触冷却位置
は、支持ピン3の先端3aが貫通孔2内に没入して、冷
却プレート1の載置面1aよりも下方にある位置であ
る。基板Wを支持している支持ピン3をこの接触冷却位
置まで下降させる過程で、基板Wは冷却プレート1の載
置面1aに載置されて、この載置面1aと接触すること
になる。このとき、吸引機構12を非動作状態に保持す
れば、基板Wは冷却プレート1の載置面1aに吸着され
ていない接触状態で冷却されることになり、いわば非吸
着冷却処理を受けることになる。一方、基板Wが載置面
1aに載置された状態で、吸引機構12を作動させ、吸
着孔10を介する排気を行うと、基板Wは冷却プレート
1の載置面1aに吸着された状態で冷却処理を受ける。
すなわち、基板Wは吸着冷却処理を受けることになる。
The contact cooling position shown in FIG. 2B is a position where the tip 3a of the support pin 3 enters the through hole 2 and is lower than the mounting surface 1a of the cooling plate 1. . In the process of lowering the support pins 3 supporting the substrate W to the contact cooling position, the substrate W is placed on the mounting surface 1a of the cooling plate 1 and comes into contact with the mounting surface 1a. At this time, if the suction mechanism 12 is held in the non-operation state, the substrate W is cooled in a contact state where the substrate W is not adsorbed on the mounting surface 1a of the cooling plate 1, so that the substrate W is subjected to the non-adsorption cooling process Become. On the other hand, when the suction mechanism 12 is operated and the air is exhausted through the suction holes 10 in a state where the substrate W is mounted on the mounting surface 1a, the substrate W is sucked on the mounting surface 1a of the cooling plate 1. Undergoes cooling treatment.
That is, the substrate W undergoes the adsorption cooling process.

【0019】図3は、上記基板冷却装置による冷却処理
の一例を説明するための図であり、基板Wの温度の時間
変化が示されている。制御部20は、処理対象の基板W
が搬入される以前には、サーボモータ7を制御すること
により、支持ピン3を基板受け渡し位置(図1参照)に
保持する。この状態で、基板Wが支持ピン3に受け渡さ
れると、制御部20は、サーボモータ7を制御すること
により、支持ピン3を非接触冷却位置(図2(a)参
照)まで下降させ、基板Wを載置面1aに対して微小な
間隔を保持した近接位置に配置する。この状態で、制御
部20は、時間Tp(第3の時間:たとえば、15秒
間)にわたってサーボモータ7の動作を停止状態に保持
する。こうして、いわゆるプロキシミティ方式による基
板Wの冷却が進行する。この冷却に伴って基板Wの収縮
が生じるが、基板Wの下面は載置面1aと接触していな
いので、基板Wと載置面1aとの摩擦接触に起因する静
電気の発生が起きることがない。
FIG. 3 is a diagram for explaining an example of the cooling process performed by the substrate cooling device, and shows a change in the temperature of the substrate W with time. The control unit 20 controls the substrate W to be processed.
Before the is loaded, the support pins 3 are held at the substrate transfer position (see FIG. 1) by controlling the servomotor 7. In this state, when the substrate W is transferred to the support pins 3, the control unit 20 controls the servo motor 7 to lower the support pins 3 to the non-contact cooling position (see FIG. 2A). The substrate W is arranged at a position close to the mounting surface 1a with a small interval. In this state, the control unit 20 keeps the operation of the servomotor 7 stopped for a time Tp (third time: for example, 15 seconds). Thus, the cooling of the substrate W by the so-called proximity method proceeds. Although the substrate W contracts with this cooling, the lower surface of the substrate W is not in contact with the mounting surface 1a, so that static electricity may be generated due to frictional contact between the substrate W and the mounting surface 1a. Absent.

【0020】時間Tpにわたってプロキシミティ方式に
よる冷却を行った後、制御部20は、サーボモータ7を
制御し、支持ピン3を図2(b)に示す接触冷却位置ま
で下降させる。これによって、基板Wは載置面1a上に
載置され、接触冷却処理を受けることになる。ただし、
このとき、制御部20は吸引機構12を時間Tc_off
(第1の時間:たとえば、15秒間)にわたって、非作
動状態に保持する。すなわち、時間Tc_offにわたっ
て、基板Wは非吸着冷却処理を受ける。
After cooling by the proximity method for the time Tp, the control unit 20 controls the servomotor 7 to lower the support pins 3 to the contact cooling position shown in FIG. As a result, the substrate W is placed on the placement surface 1a and undergoes a contact cooling process. However,
At this time, the control unit 20 sets the suction mechanism 12 to the time Tc_off.
(The first time: for example, 15 seconds), and keep it inactive. That is, the substrate W undergoes the non-adsorption cooling process for the time Tc_off.

【0021】時間Tc_offの経過後、制御部20は、支
持ピン3を接触冷却位置に保持して、吸引機構12を作
動させる。これによって、吸着孔10を介する排気が行
われ、基板Wが載置面1aに吸着される。この状態が、
時間Tc_on(第2の時間:たとえば、20秒間)だけ継
続され、吸着冷却処理が行われる。時間Tc_onの経過後
には、制御部20は、吸引機構12を停止状態として、
基板Wの載置面1aへの吸着を解除する。その後、制御
部20は、サーボモータ7を制御して、支持ピン3を基
板受け渡し位置(図1参照)まで上昇させる。その後、
基板搬送ロボットが、支持ピン3から基板Wを受け取る
ことになる。
After elapse of the time Tc_off, the control unit 20 holds the support pin 3 at the contact cooling position and operates the suction mechanism 12. As a result, exhaust is performed through the suction holes 10, and the substrate W is suctioned to the mounting surface 1a. This state
The adsorption cooling process is performed for a time Tc_on (second time: for example, 20 seconds). After elapse of the time Tc_on, the control unit 20 sets the suction mechanism 12 to the stopped state,
The suction of the substrate W on the mounting surface 1a is released. After that, the control unit 20 controls the servomotor 7 to raise the support pins 3 to the board transfer position (see FIG. 1). afterwards,
The substrate transfer robot receives the substrate W from the support pins 3.

【0022】図3に示されているように、時間Tc_off
にわたる非吸着冷却処理により、基板Wの温度は急激に
下降する。この急激な温度降下に伴って、基板Wの収縮
が生じるが、このとき、基板Wは冷却プレート1の載置
面1aに吸着されていないので、基板Wと載置面1aと
の間での摩擦に起因する静電気の発生量は微量である。
そして、この非吸着冷却処理によって十分に温度が下げ
られた後に、時間Tc_onにわたる吸着冷却処理が行われ
る。この吸着冷却処理によって、基板Wの精密冷却が達
成され、基板温度に関する高精度な面内均一性を実現す
ることができる。また、時間Tc_offの非吸着冷却処理
に先立って、時間Tpにわたる非接触冷却処理が行われ
ることによって、非吸着冷却処理中における基板Wの収
縮量を抑制することができる。これによって、発生静電
気量のさらなる低減が図られている。
As shown in FIG. 3, time Tc_off
, The temperature of the substrate W sharply drops. The substrate W contracts due to the rapid temperature drop. At this time, since the substrate W is not attracted to the mounting surface 1a of the cooling plate 1, the substrate W and the mounting surface 1a The amount of static electricity generated by friction is very small.
Then, after the temperature is sufficiently lowered by the non-adsorption cooling process, the adsorption cooling process for the time Tc_on is performed. By this adsorption cooling process, precise cooling of the substrate W is achieved, and highly accurate in-plane uniformity with respect to the substrate temperature can be realized. Further, by performing the non-contact cooling process over the time Tp prior to the non-adsorption cooling process at the time Tc_off, the shrinkage amount of the substrate W during the non-adsorption cooling process can be suppressed. As a result, the amount of generated static electricity is further reduced.

【0023】このように、冷却処理中に多量の静電気が
発生することがないので、支持ピン3を上昇させて基板
Wを載置面1aから引き離すときに、基板Wの位置ずれ
が生じることがない。これにより、支持ピン3から基板
搬送ロボットへの基板Wの受け渡しに不具合が生じるこ
とがないので、基板の搬送不良を防止できる。図4に
は、上記基板冷却装置の他の動作例が表わされている。
制御部20は、処理対象の基板Wが支持ピン3に受け渡
された後、サーボモータ7を制御して、支持ピン3を図
2(a)に示す非接触冷却位置まで下降させる。この状
態で、時間Tp(第3の時間:たとえば、10秒間)に
わたっていわゆるプロキシミティ方式による基板冷却処
理を行う。
As described above, since a large amount of static electricity is not generated during the cooling process, when the support pins 3 are lifted to separate the substrate W from the mounting surface 1a, a positional shift of the substrate W may occur. Absent. Accordingly, there is no problem in transferring the substrate W from the support pins 3 to the substrate transfer robot, and thus, a transfer failure of the substrate can be prevented. FIG. 4 shows another operation example of the substrate cooling device.
After the substrate W to be processed is transferred to the support pins 3, the control unit 20 controls the servomotor 7 to lower the support pins 3 to the non-contact cooling position shown in FIG. In this state, the substrate cooling process by the so-called proximity method is performed for a time Tp (third time: for example, 10 seconds).

【0024】次に、制御部20は、サーボモータ7を制
御することにより、支持ピン3を図2(b)に示す接触
冷却位置まで下降させる。さらに、制御部20は吸引機
構12を作動させて、吸着孔10を介する排気を行わ
せ、基板Wを冷却プレート1の載置面1aに吸着させ
る。これによって、時間Tc_on1(たとえば、10秒
間)にわたって、吸着冷却処理が行われる。こうして、
時間Tpにわたるプロキシミティ方式による冷却に加え
て、時間Tc_on1にわたって吸着冷却処理を行うことに
より、基板Wの温度降下を速やかに起こさせることがで
きる。
Next, the control unit 20 controls the servomotor 7 to lower the support pin 3 to the contact cooling position shown in FIG. Further, the control unit 20 activates the suction mechanism 12 to perform exhaust through the suction holes 10, and causes the substrate W to be suctioned to the mounting surface 1 a of the cooling plate 1. Thus, the adsorption cooling process is performed for the time Tc_on1 (for example, 10 seconds). Thus,
By performing the adsorption cooling process for the time Tc_on1 in addition to the cooling by the proximity method over the time Tp, the temperature of the substrate W can be rapidly lowered.

【0025】次に、制御部20は、吸引機構12を非作
動状態に制御し、基板Wの載置面1aに対する吸着状態
を解除する。これによって、時間Tc_off(第1の時
間:たとえば、10秒間)にわたって非吸着冷却処理が
行われる。この非吸着冷却処理によって、基板Wの温度
は、目標冷却温度に向かって急激に下降していくことに
なる。この急激な温度変化に伴い、基板Wの収縮が生じ
るが、基板Wは載置面1aに吸着されていないので、載
置面1aと基板Wの裏面との間の摩擦に起因する多量の
静電気が生じることはない。
Next, the control unit 20 controls the suction mechanism 12 to be in a non-operation state, and releases the suction state of the substrate W on the mounting surface 1a. As a result, the non-adsorption cooling process is performed over the time Tc_off (first time: for example, 10 seconds). By the non-adsorption cooling process, the temperature of the substrate W rapidly decreases toward the target cooling temperature. The substrate W shrinks due to the rapid temperature change, but the substrate W is not adsorbed on the mounting surface 1a, so that a large amount of static electricity caused by friction between the mounting surface 1a and the back surface of the substrate W is generated. Does not occur.

【0026】次に、制御部20は、吸引機構12を再び
作動させて、基板Wを載置面1aに吸着させる。この状
態が、時間Tc_on2(第2の時間:たとえば、20秒
間)にわたって保持され、この吸着冷却処理により、基
板Wの温度が目標冷却温度に精密に制御される。すなわ
ち、基板Wの温度に関し、高精度な面内均一性を実現す
ることができる。この図4に示された処理では、プロキ
シミティ方式による基板冷却処理の後に吸着冷却処理を
行っていることにより、基板温度の降下を速やかに開始
させることができ、基板冷却処理に要する時間を短縮す
ることができる。
Next, the control unit 20 operates the suction mechanism 12 again to cause the substrate W to be sucked on the mounting surface 1a. This state is maintained for a time Tc_on2 (second time: for example, 20 seconds), and the temperature of the substrate W is precisely controlled to the target cooling temperature by the adsorption cooling process. That is, highly accurate in-plane uniformity of the temperature of the substrate W can be realized. In the process shown in FIG. 4, since the adsorption cooling process is performed after the substrate cooling process by the proximity method, the temperature of the substrate can be rapidly lowered, and the time required for the substrate cooling process can be reduced. can do.

【0027】また、基板Wは、時間Tpおよび時間Tc_
on1を経ることによって急激にその温度が降下する。そ
して、その温度降下に伴い、基板Wは大きく収縮し始め
る。しかし、大きく収縮し始めたときには時間Tc_off
に突入しており、非吸着冷却処理が施されることから基
板Wと冷却プレート1との間の摩擦は小さく、多量の静
電気が生じることはない。以上、この発明の一実施形態
について説明したが、この発明は他の形態で実施するこ
ともできる。たとえば、上記の実施形態では、基板Wを
冷却プレート1の載置面1aに接触させる前に、プロキ
シミティ方式による基板冷却処理を行っているが、この
処理は省かれてもよい。ただし、プロキシミティ方式に
よる基板冷却処理を行っておくことにより、基板Wの収
縮に起因する静電気の発生を抑制できるので、発生静電
気量を可及的に少なくするためには、プロキシミティ方
式による基板冷却処理を行うことが好ましい。
The substrate W has a time Tp and a time Tc_
The temperature drops rapidly after going on1. Then, with the temperature drop, the substrate W starts to largely contract. However, when a large contraction starts, the time Tc_off
, And the friction between the substrate W and the cooling plate 1 is small because the non-adsorption cooling process is performed, so that a large amount of static electricity is not generated. As described above, one embodiment of the present invention has been described, but the present invention can be embodied in other forms. For example, in the above embodiment, the substrate cooling process is performed by the proximity method before the substrate W is brought into contact with the mounting surface 1a of the cooling plate 1, but this process may be omitted. However, since the generation of static electricity due to the shrinkage of the substrate W can be suppressed by performing the substrate cooling process using the proximity method, the substrate method using the proximity method must be used in order to minimize the amount of generated static electricity. It is preferable to perform a cooling process.

【0028】また、上記の実施形態では、支持ピン3を
昇降させるために、サーボモータ7およびラック・アン
ド・ピニオン機構を用いているが、このような駆動機構
に代えて、エアシリンダを用いて支持ピン3を昇降させ
る駆動機構を採用してもよい。ただし、エアシリンダを
用いると、支持ピン3の高さを2段階または3段階程度
にしか設定できないのに対して、サーボモータ7を用い
た上記の実施形態の構成では、支持ピン3の高さを無段
階に調整することができる。これによって、基板の受け
渡しおよび基板の冷却を任意の高さで行えるので、制御
の自由度が増すという利点がある。
In the above embodiment, the servo motor 7 and the rack and pinion mechanism are used to raise and lower the support pin 3. However, instead of such a drive mechanism, an air cylinder is used. A drive mechanism for raising and lowering the support pin 3 may be employed. However, when the air cylinder is used, the height of the support pin 3 can be set to only about two or three steps, whereas in the configuration of the above-described embodiment using the servo motor 7, the height of the support pin 3 is set. Can be adjusted steplessly. As a result, the transfer of the substrate and the cooling of the substrate can be performed at an arbitrary height, so that there is an advantage that the degree of freedom of control is increased.

【0029】また、上記の実施形態では、基板Wを保持
するための基板保持手段として、球面形状の先端3aを
有する支持ピン3を用いているが、他の形態の基板保持
手段を用いてもよい。ただし、基板Wを保持するための
基板保持手段は、基板Wとの接触面積が小さく、基板W
の冷却に伴う収縮時における摩擦に起因する静電気の発
生量が少ないものが好ましい。この観点からは、基板保
持手段は、上述の実施形態の支持ピン3のような棒状部
材であることが好ましく、基板Wに点接触してこの基板
Wを保持できる形態のものがさらに好ましい。
In the above embodiment, the support pins 3 having the spherical tip 3a are used as the substrate holding means for holding the substrate W. However, other types of substrate holding means may be used. Good. However, the substrate holding means for holding the substrate W has a small contact area with the substrate W and the substrate W
It is preferable that the amount of generated static electricity due to friction at the time of shrinkage due to cooling is small. From this viewpoint, the substrate holding means is preferably a rod-shaped member like the support pin 3 of the above-described embodiment, and more preferably a form capable of holding the substrate W in point contact with the substrate W.

【0030】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態に係る基板冷却装置の構
成を説明するための図解的な断面図である。
FIG. 1 is an illustrative cross-sectional view for explaining a configuration of a substrate cooling device according to an embodiment of the present invention.

【図2】基板を支持する支持ピンの上下位置を示す図で
ある。
FIG. 2 is a view showing the upper and lower positions of support pins for supporting a substrate.

【図3】上記基板冷却装置による冷却処理の一例を説明
するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a cooling process by the substrate cooling device.

【図4】上記基板冷却装置による冷却処理の他の例を説
明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining another example of the cooling process by the substrate cooling device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 冷却プレート 1a 載置面 2 貫通孔 3 支持ピン 3a 先端 4 支持板 5 ラック軸 7 サーボモータ 10 吸着孔 11 排気経路 12 吸引機構 13 排気管 20 制御部 W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cooling plate 1a Mounting surface 2 Through hole 3 Support pin 3a Tip 4 Support plate 5 Rack shaft 7 Servo motor 10 Suction hole 11 Exhaust path 12 Suction mechanism 13 Exhaust pipe 20 Control unit W Substrate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板が載置される載置面を有し、上記載置
面上の基板を冷却するための冷却プレートと、 上記載置面に形成された吸着孔を介して排気することに
よって、上記載置面に基板を吸着させる吸着手段と、 基板を保持し、その基板を上記載置面に対して接離する
ように変位させるための基板保持手段と、 上記基板保持手段を制御して上記載置面に基板を載置さ
せ、基板が上記載置面に載置された状態で第1の時間に
渡って上記吸着手段を動作停止状態に制御し、その後の
第2の時間に渡って上記吸着手段を作動させて基板を上
記載置面に吸着させる制御手段とを含むことを特徴とす
る基板冷却装置。
An exhaust system has a mounting surface on which a substrate is mounted, and a cooling plate for cooling the substrate on the mounting surface, and exhausting through a suction hole formed in the mounting surface. A suction means for sucking the substrate on the mounting surface, a substrate holding means for holding the substrate, and displacing the substrate so as to be in contact with or separated from the mounting surface, and controlling the substrate holding means. Then, the substrate is placed on the placement surface, and the suction means is controlled to be in an operation stop state for a first time in a state where the substrate is placed on the placement surface, and for a second time thereafter. Control means for operating the suction means to cause the substrate to be sucked on the mounting surface.
【請求項2】上記制御手段は、上記基板保持手段を制御
することにより、上記載置面に基板を載置する前に、第
3の時間に渡り、上記基板を上記載置面との間に所定の
間隔を開けた位置で保持させるものであることを特徴と
する請求項1記載の基板冷却装置。
2. The method according to claim 1, wherein the control unit controls the substrate holding unit to place the substrate between the mounting surface and the mounting surface for a third time before mounting the substrate on the mounting surface. 2. The substrate cooling apparatus according to claim 1, wherein said substrate cooling apparatus is held at a position spaced apart by a predetermined distance.
【請求項3】冷却プレートの載置面に基板を載置し、こ
の基板を上記載置面に吸着させることなく第1の時間に
渡って冷却する非吸着冷却工程と、 この非吸着冷却工程に続いて、上記載置面に置かれた基
板を上記載置面に吸着させて第2の時間に渡って冷却す
る吸着冷却工程とを含むことを特徴とする基板冷却方
法。
3. A non-adsorption cooling step of mounting a substrate on a mounting surface of a cooling plate and cooling the substrate for a first time without adsorbing the substrate on the mounting surface. And a suction cooling step of adsorbing the substrate placed on the mounting surface to the mounting surface and cooling the substrate for a second time.
【請求項4】上記非吸着冷却工程に先だって、上記基板
を上記載置面から所定の間隔を開けた位置で保持して第
3の時間に渡って冷却する非接触冷却工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項3記載の基板冷却工程。
4. The method according to claim 1, further comprising, before the non-adsorption cooling step, a non-contact cooling step of cooling the substrate for a third time while holding the substrate at a predetermined distance from the mounting surface. The substrate cooling step according to claim 3, wherein:
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