JP2002268206A - フォトレジスト用溶剤、その製造方法およびフォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト用溶剤、その製造方法およびフォトレジスト組成物Info
- Publication number
- JP2002268206A JP2002268206A JP2001064722A JP2001064722A JP2002268206A JP 2002268206 A JP2002268206 A JP 2002268206A JP 2001064722 A JP2001064722 A JP 2001064722A JP 2001064722 A JP2001064722 A JP 2001064722A JP 2002268206 A JP2002268206 A JP 2002268206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkoxy groups
- methyl group
- photoresist composition
- solvent
- tertiary alcohol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリ可溶性樹脂及び感放射線化合物を溶
剤に溶解してなるフォトレジスト組成物において、レジ
スト組成物の長期保存安定性を増大させること。また、
そのための溶剤とその製造法を提供する。 【解決手段】 アルカリ可溶性樹脂及び感放射線化合物
を溶剤に溶解してなるフォトレジスト組成物において、
既溶剤として1分子中にアルコキシ基2個を有する2級
または3級アルコール、あるいは、そのカルボン酸エス
テル誘導体の内、1種類または2種類以上を含有させる
ことにより、レジスト組成物の安定性を増大させること
ができた。
剤に溶解してなるフォトレジスト組成物において、レジ
スト組成物の長期保存安定性を増大させること。また、
そのための溶剤とその製造法を提供する。 【解決手段】 アルカリ可溶性樹脂及び感放射線化合物
を溶剤に溶解してなるフォトレジスト組成物において、
既溶剤として1分子中にアルコキシ基2個を有する2級
または3級アルコール、あるいは、そのカルボン酸エス
テル誘導体の内、1種類または2種類以上を含有させる
ことにより、レジスト組成物の安定性を増大させること
ができた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は新規なアルコキシ基
2個を有する2級または3級アルコール、あるいは、そ
のカルボン酸エステル誘導体および、それらの製造方法
に関する。
2個を有する2級または3級アルコール、あるいは、そ
のカルボン酸エステル誘導体および、それらの製造方法
に関する。
【0002】また、本発明の誘導体は、一般に種々の目
的の溶剤として使用することが可能であるが、特に紫外
線、遠紫外線、X線、電子線、イオン線、レーザー光等
の放射線を用いて半導体の微細加工を行うのに適したフ
ォトレジスト組成物に関する。
的の溶剤として使用することが可能であるが、特に紫外
線、遠紫外線、X線、電子線、イオン線、レーザー光等
の放射線を用いて半導体の微細加工を行うのに適したフ
ォトレジスト組成物に関する。
【0003】更に、好ましくはアルカリ可溶性樹脂およ
びキノンジアジド基含有化合物に代表されるような感放
射線性化合物を含むポジ型またはネガ型フォトレジスト
組成物用の溶剤として用いるとき、特に保存安定性に優
れている。
びキノンジアジド基含有化合物に代表されるような感放
射線性化合物を含むポジ型またはネガ型フォトレジスト
組成物用の溶剤として用いるとき、特に保存安定性に優
れている。
【0004】
【従来の技術】集積回路など微細レジストパターンをも
つ電子回路素子の形成には各種リソグラフィ技術が用い
られる。高精度の微細レジストパターンを形成するため
には、基盤上に塗布するレジスト組成物は解像度、感
度、塗布性、安全性など優れているばかりでなく、保存
安定性が高いことも要求されている。
つ電子回路素子の形成には各種リソグラフィ技術が用い
られる。高精度の微細レジストパターンを形成するため
には、基盤上に塗布するレジスト組成物は解像度、感
度、塗布性、安全性など優れているばかりでなく、保存
安定性が高いことも要求されている。
【0005】現在一般には、エチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート等を溶剤に用いたレジスト組成物が使用さ
れている。
チルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート等を溶剤に用いたレジスト組成物が使用さ
れている。
【0006】また、最近β−アルコキシイソ酪酸エステ
ル類を溶剤として使用することが提案されている(特公
2951165、特開平7−261377,特開平7−
271023)。
ル類を溶剤として使用することが提案されている(特公
2951165、特開平7−261377,特開平7−
271023)。
【0007】しかし、上記の溶剤は一分子中にアルコキ
シ基は一つを含んでいるのみであり、これまで本発明の
様な一分子中にアルコキシ基2個を有する2級または3
級アルコール、あるいは、その低級カルボン酸エステル
がレジスト組成物に使用された例は無い。
シ基は一つを含んでいるのみであり、これまで本発明の
様な一分子中にアルコキシ基2個を有する2級または3
級アルコール、あるいは、その低級カルボン酸エステル
がレジスト組成物に使用された例は無い。
【0008】一分子中にアルコキシ基2個を有する2級
または3級アルコールのエステルの合成については、藤
井らが特開平8−104663の中でグリセリンの1,
3−ジエーテル誘導体(1位と3位のアルコキシ基のア
ルキルは同一のもの)について述べている。藤井らの例
示の中には本発明の化合物で、含まれているものもある
が、実施例では高級カルボン酸エステルについて述べて
いるのみであり、酢酸、プロピオン酸等の低級カルボン
酸エステルについては、具体的な製造方法の記載は無
く、技術常識からしても、同様の方法で製造し得るとは
言えない。また、使用目的が化粧用油剤であり、分子量
も特に好ましいのは200〜500とあることから高級
カルボン酸エステルが必要とされているのは明らかであ
り、低級カルボン酸エステルについて具体的に例示され
てはいない。
または3級アルコールのエステルの合成については、藤
井らが特開平8−104663の中でグリセリンの1,
3−ジエーテル誘導体(1位と3位のアルコキシ基のア
ルキルは同一のもの)について述べている。藤井らの例
示の中には本発明の化合物で、含まれているものもある
が、実施例では高級カルボン酸エステルについて述べて
いるのみであり、酢酸、プロピオン酸等の低級カルボン
酸エステルについては、具体的な製造方法の記載は無
く、技術常識からしても、同様の方法で製造し得るとは
言えない。また、使用目的が化粧用油剤であり、分子量
も特に好ましいのは200〜500とあることから高級
カルボン酸エステルが必要とされているのは明らかであ
り、低級カルボン酸エステルについて具体的に例示され
てはいない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記のエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート等を溶剤として用いたレジスト
組成物はいずれも長期間の保存において感光剤が析出す
るという、レジストの保存安定性に問題がある。
ールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート等を溶剤として用いたレジスト
組成物はいずれも長期間の保存において感光剤が析出す
るという、レジストの保存安定性に問題がある。
【0010】製造方法に関しては特開平8−10466
3では、具体的なエステル化法として、脱水にベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の溶媒を別途用いるか、20
0℃以上の高温を必要とするか、酸クロライドを使用す
る等工業的に必ずしも実施しやすいものではない。
3では、具体的なエステル化法として、脱水にベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の溶媒を別途用いるか、20
0℃以上の高温を必要とするか、酸クロライドを使用す
る等工業的に必ずしも実施しやすいものではない。
【0011】本発明の目的は、高い保存安定性を有する
レジスト組成物を提供すると共にそれに用いる溶剤とそ
の工業的に有利な製造方法を提供することにある。
レジスト組成物を提供すると共にそれに用いる溶剤とそ
の工業的に有利な製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明者らは下記式
(1)
(1)
【0013】
【化7】 (式中、R1、R2は、それぞれ独立にメチル基またはエ
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示し、Yは、水素またはR3−CO−
(R3は、メチル基またはエチル基を示す。)を示
す。)に表すような、一分子中にアルコキシ基2個を有
する2級または3級アルコール、あるいはそのカルボン
酸エステル、特にカルボン酸エステルは、物性を測定し
た例がこれまでに無いため、上記式(1)で表される化
合物を実際に合成し、蒸発速度、粘度等の物性を測定し
た結果、これらがフォトレジスト組成物用の溶剤として
優れた特性を持つことを見出した。
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示し、Yは、水素またはR3−CO−
(R3は、メチル基またはエチル基を示す。)を示
す。)に表すような、一分子中にアルコキシ基2個を有
する2級または3級アルコール、あるいはそのカルボン
酸エステル、特にカルボン酸エステルは、物性を測定し
た例がこれまでに無いため、上記式(1)で表される化
合物を実際に合成し、蒸発速度、粘度等の物性を測定し
た結果、これらがフォトレジスト組成物用の溶剤として
優れた特性を持つことを見出した。
【0014】更に、フォトレジスト組成物成分として、
アルカリ可溶性樹脂および感放射線性化合物を溶解する
溶剤として、上記式(1)で表される一分子中にアルコ
キシ基2個を有する2級または3級アルコール、あるい
はそのカルボン酸エステルのうち、少なくとも1種類を
含有する溶剤を用いることによりフォトレジスト組成物
の長期保存安定性を改善できることを見出し、本発明を
完成するに至った。
アルカリ可溶性樹脂および感放射線性化合物を溶解する
溶剤として、上記式(1)で表される一分子中にアルコ
キシ基2個を有する2級または3級アルコール、あるい
はそのカルボン酸エステルのうち、少なくとも1種類を
含有する溶剤を用いることによりフォトレジスト組成物
の長期保存安定性を改善できることを見出し、本発明を
完成するに至った。
【0015】また、カルボン酸エステルの製造に関して
は、酢酸、プロピオン酸を使用することにより、特段別
の溶媒を使用しなくとも、減圧下100℃以下でエステ
ル化反応させうることを見い出し本発明を完成するに至
った。
は、酢酸、プロピオン酸を使用することにより、特段別
の溶媒を使用しなくとも、減圧下100℃以下でエステ
ル化反応させうることを見い出し本発明を完成するに至
った。
【0016】すなわち本発明は次の事項に関する。
【0017】[1]下記式(1)で表される、アルコキ
シ基2個を有する2級または3級アルコールあるいはそ
のカルボン酸エステル誘導体。
シ基2個を有する2級または3級アルコールあるいはそ
のカルボン酸エステル誘導体。
【0018】
【化8】 (式中、R1、R2は、それぞれ独立にメチル基またはエ
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示し、Yは、水素またはR3−CO−
(R3は、メチルまたはエチル基を示す。)を示す。) [2]下記式(2)で表される、アルコキシ基2個を有
する2級または3級アルコール誘導体。
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示し、Yは、水素またはR3−CO−
(R3は、メチルまたはエチル基を示す。)を示す。) [2]下記式(2)で表される、アルコキシ基2個を有
する2級または3級アルコール誘導体。
【0019】
【化9】 (式中、R1、R2は、それぞれ独立にメチル基またはエ
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。) [3]下記式(3)で表される、アルコキシ基2個を有
する2級または3級アルコールのカルボン酸エステル誘
導体。
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。) [3]下記式(3)で表される、アルコキシ基2個を有
する2級または3級アルコールのカルボン酸エステル誘
導体。
【0020】
【化10】 (式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立にメチル基ま
たはエチル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立
に水素またはメチル基を示す。) [4]1,3−ジメトキシ−2−プロピルアセテート。
たはエチル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立
に水素またはメチル基を示す。) [4]1,3−ジメトキシ−2−プロピルアセテート。
【0021】[5]下記式(4)で表されるエポキシド
とメタノールまたはエタノールを反応させることを特徴
とする、[2]に記載のアルコキシ基2個を有する2級
または3級アルコール誘導体の製造方法。
とメタノールまたはエタノールを反応させることを特徴
とする、[2]に記載のアルコキシ基2個を有する2級
または3級アルコール誘導体の製造方法。
【0022】
【化11】 (式中、R2は、メチル基またはエチル基を示し、X1、
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。) [6]下記式(5)で表されるエポキシドとメタノール
またはエタノールを反応させることを特徴とする、下記
式(6)で表されるアルコキシ基2個を有する2級また
は3級アルコール誘導体の製造方法。
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。) [6]下記式(5)で表されるエポキシドとメタノール
またはエタノールを反応させることを特徴とする、下記
式(6)で表されるアルコキシ基2個を有する2級また
は3級アルコール誘導体の製造方法。
【0023】
【化12】 (式中、Zは、ハロゲン原子を示し、X1、X2、X
3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示す。)
3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示す。)
【0024】
【化13】 (式中、R1は、メチル基またはエチル基を示し、X1、
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。) [7][2]に記載のアルコキシ基2個を有する2級ま
たは3級アルコール誘導体と酢酸またはプロピオン酸を
他に溶媒を使用することなく、減圧下100℃以下で、
水を留去しつつ製造する請求項3に記載のアルコキシ基
2個を有する2級または3級アルコールのカルボン酸エ
ステル誘導体の製造方法。
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。) [7][2]に記載のアルコキシ基2個を有する2級ま
たは3級アルコール誘導体と酢酸またはプロピオン酸を
他に溶媒を使用することなく、減圧下100℃以下で、
水を留去しつつ製造する請求項3に記載のアルコキシ基
2個を有する2級または3級アルコールのカルボン酸エ
ステル誘導体の製造方法。
【0025】[8]1,3−ジメトキシ−2−プロパノ
ールおよび酢酸を酢酸以外の溶剤を使用することなく、
減圧下100℃以下で、水を留去しつつ製造する1,3
−ジメトキシ−2−プロピルアセテートの製造方法。
ールおよび酢酸を酢酸以外の溶剤を使用することなく、
減圧下100℃以下で、水を留去しつつ製造する1,3
−ジメトキシ−2−プロピルアセテートの製造方法。
【0026】[9][1]に記載のアルコキシ基2個を
有する2級または3級アルコールあるいはそのカルボン
酸エステルの少なくとも1種を溶剤成分として含有する
溶液であることを特徴とするフォトレジスト組成物。
有する2級または3級アルコールあるいはそのカルボン
酸エステルの少なくとも1種を溶剤成分として含有する
溶液であることを特徴とするフォトレジスト組成物。
【0027】[10][2]に記載のアルコキシ基2個
を有する2級または3級アルコールの少なくとも1種を
溶剤成分として含有する溶液であることを特徴とするフ
ォトレジスト組成物。
を有する2級または3級アルコールの少なくとも1種を
溶剤成分として含有する溶液であることを特徴とするフ
ォトレジスト組成物。
【0028】[11][3]に記載のアルコキシ基2個
を有する2級または3級アルコールのカルボン酸エステ
ルの少なくとも1種を溶剤成分として含有する溶液であ
ることを特徴とするフォトレジスト組成物。
を有する2級または3級アルコールのカルボン酸エステ
ルの少なくとも1種を溶剤成分として含有する溶液であ
ることを特徴とするフォトレジスト組成物。
【0029】[12]1,3−ジメトキシ−2−プロパ
ノールまたは1,3−ジメトキシ−2−プロピルアセテ
ートを溶剤成分として含有する溶液であることを特徴と
するフォトレジスト組成物。
ノールまたは1,3−ジメトキシ−2−プロピルアセテ
ートを溶剤成分として含有する溶液であることを特徴と
するフォトレジスト組成物。
【0030】[13]アルカリ可溶性樹脂及び感放射線
性化合物を溶解している[9]〜[12]のいずれかに
記載のフォトレジスト組成物。
性化合物を溶解している[9]〜[12]のいずれかに
記載のフォトレジスト組成物。
【0031】[14]フォトレジスト組成物がポジ型フ
ォトレジスト組成物である[13]に記載されるいずれ
かのフォトレジスト組成物。
ォトレジスト組成物である[13]に記載されるいずれ
かのフォトレジスト組成物。
【0032】[15]感放射線性化合物がキノンジアジ
ド基含有化合物である[14]に記載されるいずれかの
ポジ型フォトレジスト組成物。
ド基含有化合物である[14]に記載されるいずれかの
ポジ型フォトレジスト組成物。
【0033】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
する。
【0034】本発明は溶剤として、一分子中にアルコキ
シ基2個を有する下記式(2)
シ基2個を有する下記式(2)
【0035】
【化14】 (式中、R1、R2は、それぞれ独立にメチル基またはエ
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。)で表される2級または3級ア
ルコール誘導体または、そのアルコールの下記式(3)
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。)で表される2級または3級ア
ルコール誘導体または、そのアルコールの下記式(3)
【0036】
【化15】 (式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立にメチル基ま
たはエチル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立
に水素またはメチル基を示す。)で表されるカルボン酸
エステル誘導体のうち、少なくとも1種を使用すること
を特徴とする。
たはエチル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立
に水素またはメチル基を示す。)で表されるカルボン酸
エステル誘導体のうち、少なくとも1種を使用すること
を特徴とする。
【0037】上記のアルコールまたはカルボン酸エステ
ル誘導体の具体例としては、1,3−ジメトキシ−2−
プロパノール、1,3−ジエトキシ−2−プロパノー
ル、1−メトキシ−3−エトキシ−2−プロパノール、
1、3−ジメトキシ−2−ブタノール、1、3−ジエト
キシ−2−ブタノール、1−メトキシ−3−エトキシ−
2−ブタノール、1−エトキシ−3−メトキシ−2−ブ
タノール、1,3−ジメトキシ−2−メチル−2−プロ
パノール、1,3−ジエトキシ−2−メチル−2−プロ
パノール、1−メトキシ−3−エトキシ−2−メチル−
2−プロパノール、1,3−ジメトキシ−2−プロピル
アセテート、1,3−ジエトキシ−2−プロピルアセテ
ート、1−メトキシ−3−エトキシ−2−プロピルアセ
テート、1、3−ジメトキシ−2−ブチルアセテート、
1、3−ジエトキシ−2−ブチルアセテート、1−メト
キシ−3−エトキシ−2−ブチルアセテート、1−エト
キシ−3−メトキシ−2−ブチルアセテート、1,3−
ジメトキシ−2−メチル−2−プロピルアセテート、
1,3−ジエトキシ−2−メチル−2−プロピルアセテ
ート、1−メトキシ−3−エトキシ−2−メチル−2−
プロピルアセテート、1,3−ジメトキシ−2−プロピ
ルプロピオネート、1,3−ジエトキシ−2−プロピル
プロピオネート、1−メトキシ−3−エトキシ−2−プ
ロピルプロピオネート、1、3−ジメトキシ−2−ブチ
ルプロピオネート、1、3−ジエトキシ−2−ブチルプ
ロピオネート、1−メトキシ−3−エトキシ−2−ブチ
ルプロピオネート、1−エトキシ−3−メトキシ−2−
ブチルプロピオネート、1,3−ジメトキシ−2−メチ
ル−2−プロピルプロピオネート、1,3−ジエトキシ
−2−メチル−2−プロピルプロピオネート、1−メト
キシ−3−エトキシ−2−メチル−2−プロピルプロピ
オネートがあげられる。
ル誘導体の具体例としては、1,3−ジメトキシ−2−
プロパノール、1,3−ジエトキシ−2−プロパノー
ル、1−メトキシ−3−エトキシ−2−プロパノール、
1、3−ジメトキシ−2−ブタノール、1、3−ジエト
キシ−2−ブタノール、1−メトキシ−3−エトキシ−
2−ブタノール、1−エトキシ−3−メトキシ−2−ブ
タノール、1,3−ジメトキシ−2−メチル−2−プロ
パノール、1,3−ジエトキシ−2−メチル−2−プロ
パノール、1−メトキシ−3−エトキシ−2−メチル−
2−プロパノール、1,3−ジメトキシ−2−プロピル
アセテート、1,3−ジエトキシ−2−プロピルアセテ
ート、1−メトキシ−3−エトキシ−2−プロピルアセ
テート、1、3−ジメトキシ−2−ブチルアセテート、
1、3−ジエトキシ−2−ブチルアセテート、1−メト
キシ−3−エトキシ−2−ブチルアセテート、1−エト
キシ−3−メトキシ−2−ブチルアセテート、1,3−
ジメトキシ−2−メチル−2−プロピルアセテート、
1,3−ジエトキシ−2−メチル−2−プロピルアセテ
ート、1−メトキシ−3−エトキシ−2−メチル−2−
プロピルアセテート、1,3−ジメトキシ−2−プロピ
ルプロピオネート、1,3−ジエトキシ−2−プロピル
プロピオネート、1−メトキシ−3−エトキシ−2−プ
ロピルプロピオネート、1、3−ジメトキシ−2−ブチ
ルプロピオネート、1、3−ジエトキシ−2−ブチルプ
ロピオネート、1−メトキシ−3−エトキシ−2−ブチ
ルプロピオネート、1−エトキシ−3−メトキシ−2−
ブチルプロピオネート、1,3−ジメトキシ−2−メチ
ル−2−プロピルプロピオネート、1,3−ジエトキシ
−2−メチル−2−プロピルプロピオネート、1−メト
キシ−3−エトキシ−2−メチル−2−プロピルプロピ
オネートがあげられる。
【0038】上記の中でも蒸発速度、粘度の点で1,3
−ジメトキシ−2−プロパノール、1−メトキシ−3−
エトキシ−2−プロパノール、1,3−ジメトキシ−2
−プロピルアセテートが好ましい。
−ジメトキシ−2−プロパノール、1−メトキシ−3−
エトキシ−2−プロパノール、1,3−ジメトキシ−2
−プロピルアセテートが好ましい。
【0039】本発明の溶剤は、単独または、2種類以上
を混合して使用することもできる。又、他の溶剤と混合
して用いることもできる。他の溶剤としては、例えば、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート等のセロソルブ類、プロピレング
リコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、α−ヒドロキシイソ酪酸
メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸エチル、β−メトキシ
プロピオン酸エチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢
酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、β−メトキシ
イソ酪酸エチル、β−エトキシイソ酪酸メチル、β−エ
トキシイソ酪酸エチル、乳酸エチル、乳酸メチル、酢酸
ブチル、酢酸エチル等をあげることができる。
を混合して使用することもできる。又、他の溶剤と混合
して用いることもできる。他の溶剤としては、例えば、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート等のセロソルブ類、プロピレング
リコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート、α−ヒドロキシイソ酪酸
メチル、α−ヒドロキシイソ酪酸エチル、β−メトキシ
プロピオン酸エチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢
酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、β−メトキシ
イソ酪酸エチル、β−エトキシイソ酪酸メチル、β−エ
トキシイソ酪酸エチル、乳酸エチル、乳酸メチル、酢酸
ブチル、酢酸エチル等をあげることができる。
【0040】本発明の2個のアルコキシ基を有する2級
または3級アルコールあるいはそのカルボン酸誘導体の
少なくとも1種を含む溶剤は、種々のレジスト組成物に
使用することが可能であるが、中でも、特にアルカリ可
溶性樹脂と感放射線性化合物を含むフォトレジスト組成
物に使用するのが好ましい。
または3級アルコールあるいはそのカルボン酸誘導体の
少なくとも1種を含む溶剤は、種々のレジスト組成物に
使用することが可能であるが、中でも、特にアルカリ可
溶性樹脂と感放射線性化合物を含むフォトレジスト組成
物に使用するのが好ましい。
【0041】本発明で用いられるアルカリ可溶性樹脂と
しては、微細レジストパターンを形成する際に、使用す
るアルカリ溶液からなる現像液に対して、溶解性を示す
樹脂であれば良い。このようなアルカリ可溶性樹脂とし
ては、例えばヒドロキシスチレン、ヒドロキシ−α−メ
チルスチレン、ビニル安息香酸、カルボキシメチルスチ
レン、カルボキシメトキシスチレン、(メタ)アクリル
酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン
酸、メサコン酸及びケイ皮酸で例示される酸性官能基を
有する少なくとも1種の単量体を重合もしくは共重合し
て得られる付加重合により製造された樹脂、ノボラック
樹脂に代表される縮合重合により製造された樹脂等を挙
げることができる。
しては、微細レジストパターンを形成する際に、使用す
るアルカリ溶液からなる現像液に対して、溶解性を示す
樹脂であれば良い。このようなアルカリ可溶性樹脂とし
ては、例えばヒドロキシスチレン、ヒドロキシ−α−メ
チルスチレン、ビニル安息香酸、カルボキシメチルスチ
レン、カルボキシメトキシスチレン、(メタ)アクリル
酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン
酸、メサコン酸及びケイ皮酸で例示される酸性官能基を
有する少なくとも1種の単量体を重合もしくは共重合し
て得られる付加重合により製造された樹脂、ノボラック
樹脂に代表される縮合重合により製造された樹脂等を挙
げることができる。
【0042】アルカリ可溶性樹脂が付加重合により製造
された樹脂である場合は、該樹脂は前記酸性官能基を有
する単量体に存在する重合性多重結合が開裂した繰返し
単位のみから構成されていてもよいが、アルカリ現像液
に可溶である限りでは、必要に応じて、他の繰返し単位
をさらに含有することができる。
された樹脂である場合は、該樹脂は前記酸性官能基を有
する単量体に存在する重合性多重結合が開裂した繰返し
単位のみから構成されていてもよいが、アルカリ現像液
に可溶である限りでは、必要に応じて、他の繰返し単位
をさらに含有することができる。
【0043】このような他の繰返し単位を与える単量体
としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、メト
キシスチレン、t−ブトキシスチレン、アセトキシスチ
レン、ビニルトルエン、無水マレイン酸、(メタ)アク
リロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、
フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリ
ル、イタコンニトリル、(メタ)アクリルアミド、クロ
トンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコン
アミド、シトラコンアミド、イタコンアミド、ビニルア
ニリン、ビニルピリジン、ビニル−ε−カプロラクタ
ム、ビニルピロリドン及びビニルイミダゾールをあげる
ことができる。
としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、メト
キシスチレン、t−ブトキシスチレン、アセトキシスチ
レン、ビニルトルエン、無水マレイン酸、(メタ)アク
リロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、
フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリ
ル、イタコンニトリル、(メタ)アクリルアミド、クロ
トンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコン
アミド、シトラコンアミド、イタコンアミド、ビニルア
ニリン、ビニルピリジン、ビニル−ε−カプロラクタ
ム、ビニルピロリドン及びビニルイミダゾールをあげる
ことができる。
【0044】また、アルカリ可溶性樹脂が縮合重合によ
り製造された樹脂である場合、該樹脂は、例えばノボラ
ック樹脂単位のみから構成されていてもよいが、生成し
た樹脂がアルカリ現像液に可溶である限りでは、他の縮
合重合により生成する単位をさらに有することもでき
る。このような樹脂は、1種以上のフェノール類と1種
以上のアルデヒド類とを、場合により他の縮合重合成分
と共に、酸性触媒の存在下、水媒質中または水と親水性
溶媒との混合媒質中で縮合重合又は共縮合重合すること
によって製造することができる。
り製造された樹脂である場合、該樹脂は、例えばノボラ
ック樹脂単位のみから構成されていてもよいが、生成し
た樹脂がアルカリ現像液に可溶である限りでは、他の縮
合重合により生成する単位をさらに有することもでき
る。このような樹脂は、1種以上のフェノール類と1種
以上のアルデヒド類とを、場合により他の縮合重合成分
と共に、酸性触媒の存在下、水媒質中または水と親水性
溶媒との混合媒質中で縮合重合又は共縮合重合すること
によって製造することができる。
【0045】前記フェノール類としては、例えばo−ク
レゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−
キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチ
ルフェノール等をあげることができる。前記アルデヒド
類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、
パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアル
デヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒ
ド等をあげることができる。
レゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−
キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノ
ール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、
2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチ
ルフェノール等をあげることができる。前記アルデヒド
類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、
パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアル
デヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒ
ド等をあげることができる。
【0046】アルカリ可溶性樹脂中における酸性官能基
を有する繰返し単位の含有率は、必要に応じて含有され
る他の繰返し単位の種類により一概に規定できないが、
通常、15〜100モル%、さらに好ましくは20〜1
00モル%である。
を有する繰返し単位の含有率は、必要に応じて含有され
る他の繰返し単位の種類により一概に規定できないが、
通常、15〜100モル%、さらに好ましくは20〜1
00モル%である。
【0047】アルカリ可溶性樹脂のMwは、レジスト溶
液の所望の特性に応じて変わるが、好ましくは1,00
0〜150,000、さらに好ましくは3,000〜10
0,000である。アルカリ可溶性樹脂は、炭素−炭素
不飽和結合を含有する繰返し単位を有する場合、水素添
加して用いることもできる。
液の所望の特性に応じて変わるが、好ましくは1,00
0〜150,000、さらに好ましくは3,000〜10
0,000である。アルカリ可溶性樹脂は、炭素−炭素
不飽和結合を含有する繰返し単位を有する場合、水素添
加して用いることもできる。
【0048】本発明で用いられる感放射線性化合物とし
ては、上記アルカリ可溶性樹脂と混合した後、放射線、
例えば、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、イオン線、
レーザー光などを照射することによって、アルカリ可溶
性樹脂の現像液に対する溶解性を変化させうる物質であ
ればよい。例えば、キノンジアジド基含有化合物、アジ
ド化合物、酸発生剤(オニウム塩化合物、ハロゲン含有
化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物)
などがあげられるが、好ましくは、キノンジアジド基含
有化合物をであり、具体的には、ベンゾキノンジアジド
スルホン酸エステル、ベンゾキノンジアジドスルホン酸
アミド、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ナ
フトキノンジアジドスルホン酸アミド等があげられる。
ては、上記アルカリ可溶性樹脂と混合した後、放射線、
例えば、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、イオン線、
レーザー光などを照射することによって、アルカリ可溶
性樹脂の現像液に対する溶解性を変化させうる物質であ
ればよい。例えば、キノンジアジド基含有化合物、アジ
ド化合物、酸発生剤(オニウム塩化合物、ハロゲン含有
化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物)
などがあげられるが、好ましくは、キノンジアジド基含
有化合物をであり、具体的には、ベンゾキノンジアジド
スルホン酸エステル、ベンゾキノンジアジドスルホン酸
アミド、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ナ
フトキノンジアジドスルホン酸アミド等があげられる。
【0049】更に詳しくキノンジアジド基含有化合物を
例示すれば、例えばポリヒドロキシ化合物の1,2−キ
ノンジアジドスルホン酸エステル化合物等をあげること
ができる。好ましいキノンジアジド化合物は、1,2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホニル基及び1,2−ナフ
トキノンジアジド−6−スルホニル基の1,2−キノン
ジアジドスルホニル基を有する化合物であり、特に1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基及び/又
は1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基を
有する化合物が好ましい。
例示すれば、例えばポリヒドロキシ化合物の1,2−キ
ノンジアジドスルホン酸エステル化合物等をあげること
ができる。好ましいキノンジアジド化合物は、1,2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホニル基及び1,2−ナフ
トキノンジアジド−6−スルホニル基の1,2−キノン
ジアジドスルホニル基を有する化合物であり、特に1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基及び/又
は1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基を
有する化合物が好ましい。
【0050】本発明のフォトレジスト組成物は、アルカ
リ可溶性樹脂と感放射線性化合物の組み合わせ及び架橋
剤等の補助剤を添加することにより、ネガ型またはポジ
型フォトレジストのいずれの組成物としても使用できる
が、特に好ましくは、上記キノンジアジド系化合物を使
用したポジ型フォトレジスト組成物である。
リ可溶性樹脂と感放射線性化合物の組み合わせ及び架橋
剤等の補助剤を添加することにより、ネガ型またはポジ
型フォトレジストのいずれの組成物としても使用できる
が、特に好ましくは、上記キノンジアジド系化合物を使
用したポジ型フォトレジスト組成物である。
【0051】本発明のレジスト組成物における各成分の
割合は、溶剤30質量%以上95質量%以下、アルカリ
可溶性樹脂4.9質量%以上40質量%以下、感放射線
性化合物0.1質量%以上30質量%以下が好ましく、
更に好ましくは、溶剤40質量%以上90.5質量%以
下、アルカリ可溶性樹脂9質量%以上40質量%以下、
感放射線性化合物0.5質量%以上20質量%以下であ
る。
割合は、溶剤30質量%以上95質量%以下、アルカリ
可溶性樹脂4.9質量%以上40質量%以下、感放射線
性化合物0.1質量%以上30質量%以下が好ましく、
更に好ましくは、溶剤40質量%以上90.5質量%以
下、アルカリ可溶性樹脂9質量%以上40質量%以下、
感放射線性化合物0.5質量%以上20質量%以下であ
る。
【0052】基板に対する塗布性を更に向上させるため
に、本発明のレジスト組成物に界面活性剤を添加するこ
とができる。界面活性剤としてはアニオン系界面活性
剤、カチオン系界面活性剤、非イオン性界面活性剤、フ
ッ素系界面活性剤等をあげることができる。界面活性剤
は溶剤に対して、1質量%以下が好ましく、0.1質量
%以下がより好ましい。
に、本発明のレジスト組成物に界面活性剤を添加するこ
とができる。界面活性剤としてはアニオン系界面活性
剤、カチオン系界面活性剤、非イオン性界面活性剤、フ
ッ素系界面活性剤等をあげることができる。界面活性剤
は溶剤に対して、1質量%以下が好ましく、0.1質量
%以下がより好ましい。
【0053】本発明の下記式(2)
【0054】
【化16】 (式中、R1、R2は、それぞれ独立にメチル基またはエ
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。)で表される一分子中にアルコ
キシ基2個を有する2級または3級アルコール誘導体
は、下記式(4)
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。)で表される一分子中にアルコ
キシ基2個を有する2級または3級アルコール誘導体
は、下記式(4)
【0055】
【化17】 (式中、R2は、メチル基またはエチル基を示し、X1、
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。)で表されるエポキシ誘導体とメタノールまたはエ
タノールを反応させることにより得られる。
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。)で表されるエポキシ誘導体とメタノールまたはエ
タノールを反応させることにより得られる。
【0056】また、特に下記式(6)
【0057】
【化18】 (式中、R1は、メチル基またはエチル基を示し、X1、
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。)で表されるアルコール誘導体は、下記式(5)
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。)で表されるアルコール誘導体は、下記式(5)
【0058】
【化19】 (式中、Zは、ハロゲン原子を示し、X1、X2、X
3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示す。)で
表されるハロゲン含有エポキシ化合物とアルコールを反
応させることにより製造することができる。
3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示す。)で
表されるハロゲン含有エポキシ化合物とアルコールを反
応させることにより製造することができる。
【0059】具体的には、グリシジルメチルエーテルと
メタノールを反応させるか、または、エピクロルヒドリ
ンとメタノールを反応させることにより、1,3−ジメ
トキシ−2−プロパノールを製造することができる。グ
リシジルエチルエーテルとメタノール、または、グリシ
ジルメチルエーテルとエタノールを反応させることによ
り、1−メトキシ−3−エトキシ−2−プロパノールを
製造することができる。
メタノールを反応させるか、または、エピクロルヒドリ
ンとメタノールを反応させることにより、1,3−ジメ
トキシ−2−プロパノールを製造することができる。グ
リシジルエチルエーテルとメタノール、または、グリシ
ジルメチルエーテルとエタノールを反応させることによ
り、1−メトキシ−3−エトキシ−2−プロパノールを
製造することができる。
【0060】更に、エピクロルヒドリンとメタノール、
エタノールを逐次的に反応させることによっても1−メ
トキシ−3−エトキシ−2−プロパノールを製造するこ
とができる。
エタノールを逐次的に反応させることによっても1−メ
トキシ−3−エトキシ−2−プロパノールを製造するこ
とができる。
【0061】次にエステル化方法について説明する。
【0062】エステル化はエステル化に使用するカルボ
ン酸である酢酸、プロピオン酸を下記式(2)
ン酸である酢酸、プロピオン酸を下記式(2)
【0063】
【化20】 (式中、R1、R2は、それぞれ独立にメチル基またはエ
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。)で表されるアルコールの1倍
等量から50倍等量好ましくは1.5倍等量から10倍
等量を使用し、パラトルエンスルホン酸、硫酸、スルホ
ン酸基を有する陽イオン交換樹脂等の不揮発性の強酸を
共存させて行う。反応は減圧下好ましくは5kPaから
30kPaで、100℃以下で水を留去しながら行う。
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。)で表されるアルコールの1倍
等量から50倍等量好ましくは1.5倍等量から10倍
等量を使用し、パラトルエンスルホン酸、硫酸、スルホ
ン酸基を有する陽イオン交換樹脂等の不揮発性の強酸を
共存させて行う。反応は減圧下好ましくは5kPaから
30kPaで、100℃以下で水を留去しながら行う。
【0064】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例によりなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれら実施例によりなんら限定され
るものではない。
【0065】蒸発速度は、下記に示す方法で測定し、酢
酸ブチルを100とした場合の相対速度で記載した。 <蒸発速度測定方法>25℃で風の影響を受けない室内
に天秤(METTLER PM480)を置き、中に6cmの高さの
架台を設置した。架台にろ紙(40mmφ)を乗せ、
0.000gとした。ろ紙を試料に浸した。軽く液滴を
切り、天秤内の架台に乗せた。天秤のフードをすべて閉
じ、重量を記録した。天秤の側面フードの一方を2cm
開とし、時間ごとに減量を記録した。蒸発率80%の時
間を酢酸ブチルと比較して、蒸発速度を算出した。
酸ブチルを100とした場合の相対速度で記載した。 <蒸発速度測定方法>25℃で風の影響を受けない室内
に天秤(METTLER PM480)を置き、中に6cmの高さの
架台を設置した。架台にろ紙(40mmφ)を乗せ、
0.000gとした。ろ紙を試料に浸した。軽く液滴を
切り、天秤内の架台に乗せた。天秤のフードをすべて閉
じ、重量を記録した。天秤の側面フードの一方を2cm
開とし、時間ごとに減量を記録した。蒸発率80%の時
間を酢酸ブチルと比較して、蒸発速度を算出した。
【0066】合成実施例1 <1,3−ジメトキシ−2−プロパノールの合成>メタ
ノール1730gに水酸化ナトリウム221gを溶解さ
せた。これにエピクロロヒドリン500gを加え、液温
50℃に保ちながら、48時間撹拌した。反応終了後、
濾過により塩化ナトリウムを除去し、更にロータリーエ
バポレーターにて未反応のメタノールを除去した。その
後、圧力8kPa、還流比2で蒸留して、純度99.9
%(ガスクロマトグラフにより分析)の標記物質を19
7g得た。(沸点:169℃ 密度:1.0079 g
/cm3(20℃)(京都電子工業(株)密度比重計DA-
520) 粘度:3.29 cP(20℃)(キャノンフェ
ンスケ(SO) 2611-0004) 蒸発速度:7.8(酢酸ブチ
ル100(25℃)として) 赤外吸収スペクトル:3
445cm-1(O−H伸縮)、3000〜2800cm
-1(脂肪族C−H伸縮)、1150〜1080cm
-1(脂肪族エーテルC−O−C伸縮、アルコールC−O
伸縮)、1455cm-1(脂肪族C−H変角)1H−N
MRスペクトル:2.80ppm(1H、d、J=4.
0Hz)、3.39ppm(6H、s)、3.42pp
m(2H、d−d、J=9.6、6.0Hz)、3.4
5ppm(2H、d−d、J=9.6、4.4Hz)、
3.96ppm(1H、multi))
ノール1730gに水酸化ナトリウム221gを溶解さ
せた。これにエピクロロヒドリン500gを加え、液温
50℃に保ちながら、48時間撹拌した。反応終了後、
濾過により塩化ナトリウムを除去し、更にロータリーエ
バポレーターにて未反応のメタノールを除去した。その
後、圧力8kPa、還流比2で蒸留して、純度99.9
%(ガスクロマトグラフにより分析)の標記物質を19
7g得た。(沸点:169℃ 密度:1.0079 g
/cm3(20℃)(京都電子工業(株)密度比重計DA-
520) 粘度:3.29 cP(20℃)(キャノンフェ
ンスケ(SO) 2611-0004) 蒸発速度:7.8(酢酸ブチ
ル100(25℃)として) 赤外吸収スペクトル:3
445cm-1(O−H伸縮)、3000〜2800cm
-1(脂肪族C−H伸縮)、1150〜1080cm
-1(脂肪族エーテルC−O−C伸縮、アルコールC−O
伸縮)、1455cm-1(脂肪族C−H変角)1H−N
MRスペクトル:2.80ppm(1H、d、J=4.
0Hz)、3.39ppm(6H、s)、3.42pp
m(2H、d−d、J=9.6、6.0Hz)、3.4
5ppm(2H、d−d、J=9.6、4.4Hz)、
3.96ppm(1H、multi))
【0067】合成実施例2 <1−メトキシ−3−エトキシ−2−プロパノールの合
成>エタノール520gに水酸化ナトリウム4.5gを
溶解させる。これにグリシジルメチルエーテル500g
を加え、液温50℃に保ちながら、48時間撹拌する。
反応終了後、ロータリーエバポレーターにて未反応のエ
タノールを除去する。その後、圧力8kPa、還流比2
で蒸留して、純度99.9%(ガスクロマトグラフによ
り分析)の標記物質を228g得る。
成>エタノール520gに水酸化ナトリウム4.5gを
溶解させる。これにグリシジルメチルエーテル500g
を加え、液温50℃に保ちながら、48時間撹拌する。
反応終了後、ロータリーエバポレーターにて未反応のエ
タノールを除去する。その後、圧力8kPa、還流比2
で蒸留して、純度99.9%(ガスクロマトグラフによ
り分析)の標記物質を228g得る。
【0068】合成実施例3 <1,3−ジメトキシ−2−プロピルアセテートの合成
>1,3−ジメトキシ−2−プロパノール500gに酢
酸500gと陽イオン交換樹脂(ダイヤイオンPK−2
16H、三菱化学社製)20gを加え、圧力13.3k
Pa以上26.7kPa以下、反応液温度100℃以下
の条件で、水を留去しながら反応を行った。反応終了
後、濾過によりイオン交換樹脂を分離した。その後、圧
力2kPa、還流比2で蒸留を行い、純度99.8%
(ガスクロマトグラフにより分析)の1,3−ジメトキ
シ−2−プロピルアセテートを175g得た。(沸点:
191℃ 密度:1.0298 g/cm3(20℃)
(京都電子工業(株)密度比重計DA-520) 粘度:2.
64 cP(20℃)(キャノンフェンスケ(SO) 2611-0
004) 蒸発速度:3.9(酢酸ブチル100(25
℃)として) 赤外吸収スペクトル:2985〜281
7cm-1(C−H伸縮)、1739cm-1(C=O伸
縮)、1455cm-1(C−H変角)、1374cm-1
(C−H変角)、1241cm-1(エステルC−O伸
縮)、1108cm-1(エーテルC−O伸縮) 1H−
NMRスペクトル:2.10ppm(3H、s)、3.
37ppm(6H、s)、3.54ppm(4H、d、
J=5.0Hz)、5.14ppm(1H、pent
a、J=5.0Hz))
>1,3−ジメトキシ−2−プロパノール500gに酢
酸500gと陽イオン交換樹脂(ダイヤイオンPK−2
16H、三菱化学社製)20gを加え、圧力13.3k
Pa以上26.7kPa以下、反応液温度100℃以下
の条件で、水を留去しながら反応を行った。反応終了
後、濾過によりイオン交換樹脂を分離した。その後、圧
力2kPa、還流比2で蒸留を行い、純度99.8%
(ガスクロマトグラフにより分析)の1,3−ジメトキ
シ−2−プロピルアセテートを175g得た。(沸点:
191℃ 密度:1.0298 g/cm3(20℃)
(京都電子工業(株)密度比重計DA-520) 粘度:2.
64 cP(20℃)(キャノンフェンスケ(SO) 2611-0
004) 蒸発速度:3.9(酢酸ブチル100(25
℃)として) 赤外吸収スペクトル:2985〜281
7cm-1(C−H伸縮)、1739cm-1(C=O伸
縮)、1455cm-1(C−H変角)、1374cm-1
(C−H変角)、1241cm-1(エステルC−O伸
縮)、1108cm-1(エーテルC−O伸縮) 1H−
NMRスペクトル:2.10ppm(3H、s)、3.
37ppm(6H、s)、3.54ppm(4H、d、
J=5.0Hz)、5.14ppm(1H、pent
a、J=5.0Hz))
【0069】実施例1 1,3−ジメトキシ−2−プロパノール20gを30℃
の水浴に入れ、溶剤の温度を30℃にした。これにノボ
ラック樹脂4gを溶解させた。樹脂溶解後、遮光して、
キノンジアジド基含有化合物(テトラヒドロキシベンゾ
フェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル)1.4gを溶解させた。キノンジアジド
基含有化合物が完全に溶解した後、濾過し、濾液を35
℃の恒温槽に入れ、経時変化を目視により調べた。溶液
中に固体が析出した時点を安定性試験の終点とした。
の水浴に入れ、溶剤の温度を30℃にした。これにノボ
ラック樹脂4gを溶解させた。樹脂溶解後、遮光して、
キノンジアジド基含有化合物(テトラヒドロキシベンゾ
フェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル)1.4gを溶解させた。キノンジアジド
基含有化合物が完全に溶解した後、濾過し、濾液を35
℃の恒温槽に入れ、経時変化を目視により調べた。溶液
中に固体が析出した時点を安定性試験の終点とした。
【0070】実施例2 溶剤に1,3−ジメトキシ−2−プロピルアセテートを
用いた他は、全て実施例1と同様にして行った。
用いた他は、全て実施例1と同様にして行った。
【0071】比較例1 溶剤にエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
トを用いた他は、全て実施例1と同様にして行った。
トを用いた他は、全て実施例1と同様にして行った。
【0072】比較例2 溶剤にプロピレングリコールモノメチルエーテルを用い
た他は、全て実施例1と同様にして行った。
た他は、全て実施例1と同様にして行った。
【0073】比較例3 溶剤にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ートを用いた他は、全て実施例1と同様にして行った。
ートを用いた他は、全て実施例1と同様にして行った。
【0074】実施例、比較例で行った安定性試験の結果
を表1に示す。
を表1に示す。
【0075】
【表1】
【発明の効果】本発明により、特にフォトレジスト用溶
剤として優れた、一分子中に2個のアルコキシ基を有す
る2級または3級アルコール誘導体あるいはそのカルボ
ン酸エステル誘導体を提供することができた。
剤として優れた、一分子中に2個のアルコキシ基を有す
る2級または3級アルコール誘導体あるいはそのカルボ
ン酸エステル誘導体を提供することができた。
【0076】また、フォトレジスト組成物に使用するの
に適した溶剤を製造する方法を提供することができた。
に適した溶剤を製造する方法を提供することができた。
【0077】更にそれら誘導体を用いることにより、長
期間の保存安定性に優れたフォトレジスト組成物を提供
することができた。
期間の保存安定性に優れたフォトレジスト組成物を提供
することができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河本 美佐江 山口県新南陽市開成町4980 昭和電工株式 会社徳山生産・技術統括部内 Fターム(参考) 2H025 AA01 AA02 AA11 AB16 AC01 AC04 AD03 BE01 CC03 FA16 4H006 AA01 AA02 AA03 AB76 AB80 AC42 AC43 AC48 BP10 GN06 GP01 GP10
Claims (15)
- 【請求項1】 下記式(1)で表される、アルコキシ基
2個を有する2級または3級アルコールあるいはそのカ
ルボン酸エステル誘導体。 【化1】 (式中、R1、R2は、それぞれ独立にメチル基またはエ
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示し、Yは、水素またはR3−CO−
(R3は、メチルまたはエチル基を示す。)を示す。) - 【請求項2】 下記式(2)で表される、アルコキシ基
2個を有する2級または3級アルコール誘導体。 【化2】 (式中、R1、R2は、それぞれ独立にメチル基またはエ
チル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立に水素
またはメチル基を示す。) - 【請求項3】 下記式(3)で表される、アルコキシ基
2個を有する2級または3級アルコールのカルボン酸エ
ステル誘導体。 【化3】 (式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立にメチル基ま
たはエチル基を示し、X1、X2、X3は、それぞれ独立
に水素またはメチル基を示す。) - 【請求項4】 1,3−ジメトキシ−2−プロピルアセ
テート。 - 【請求項5】 下記式(4)で表されるエポキシドとメ
タノールまたはエタノールを反応させることを特徴とす
る、請求項2に記載のアルコキシ基2個を有する2級ま
たは3級アルコール誘導体の製造方法。 【化4】 (式中、R2は、メチル基またはエチル基を示し、X1、
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。) - 【請求項6】 下記式(5)で表されるエポキシドとメ
タノールまたはエタノールを反応させることを特徴とす
る、下記式(6)で表されるアルコキシ基2個を有する
2級または3級アルコール誘導体の製造方法。 【化5】 (式中、Zは、ハロゲン原子を示し、X1、X2、X
3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示す。) 【化6】 (式中、R1は、メチル基またはエチル基を示し、X1、
X2、X3は、それぞれ独立に水素またはメチル基を示
す。) - 【請求項7】 請求項2に記載のアルコキシ基2個を有
する2級または3級アルコール誘導体と酢酸またはプロ
ピオン酸を他に溶媒を使用することなく、減圧下100
℃以下で、水を留去しつつ製造する請求項3に記載のア
ルコキシ基2個を有する2級または3級アルコールのカ
ルボン酸エステル誘導体の製造方法。 - 【請求項8】 1,3−ジメトキシ−2−プロパノール
および酢酸を酢酸以外の溶剤を使用することなく、減圧
下100℃以下で、水を留去しつつ製造する1,3−ジ
メトキシ−2−プロピルアセテートの製造方法。 - 【請求項9】 請求項1に記載のアルコキシ基2個を有
する2級または3級アルコールあるいはそのカルボン酸
エステルの少なくとも1種を溶剤成分として含有する溶
液であることを特徴とするフォトレジスト組成物。 - 【請求項10】 請求項2に記載のアルコキシ基2個を
有する2級または3級アルコールの少なくとも1種を溶
剤成分として含有する溶液であることを特徴とするフォ
トレジスト組成物。 - 【請求項11】 請求項3に記載のアルコキシ基2個を
有する2級または3級アルコールのカルボン酸エステル
の少なくとも1種を溶剤成分として含有する溶液である
ことを特徴とするフォトレジスト組成物。 - 【請求項12】 1,3−ジメトキシ−2−プロパノー
ルまたは1,3−ジメトキシ−2−プロピルアセテート
を溶剤成分として含有する溶液であることを特徴とする
フォトレジスト組成物。 - 【請求項13】 アルカリ可溶性樹脂及び感放射線性化
合物を溶解している請求項9〜12のいずれかに記載の
フォトレジスト組成物。 - 【請求項14】 フォトレジスト組成物がポジ型フォト
レジスト組成物である請求項13に記載されるいずれか
のフォトレジスト組成物。 - 【請求項15】 感放射線性化合物がキノンジアジド基
含有化合物である請求項14に記載されるいずれかのポ
ジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001064722A JP2002268206A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | フォトレジスト用溶剤、その製造方法およびフォトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001064722A JP2002268206A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | フォトレジスト用溶剤、その製造方法およびフォトレジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002268206A true JP2002268206A (ja) | 2002-09-18 |
Family
ID=18923503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001064722A Pending JP2002268206A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | フォトレジスト用溶剤、その製造方法およびフォトレジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002268206A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007063175A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Nagoya City | オリゴエチレンオキシド誘導体及びオリゴエチレンオキシド誘導体の製造方法 |
KR20140121789A (ko) | 2013-04-08 | 2014-10-16 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 레지스트용 용매 |
JP2015060962A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
-
2001
- 2001-03-08 JP JP2001064722A patent/JP2002268206A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007063175A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Nagoya City | オリゴエチレンオキシド誘導体及びオリゴエチレンオキシド誘導体の製造方法 |
KR20140121789A (ko) | 2013-04-08 | 2014-10-16 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 레지스트용 용매 |
US9146466B2 (en) | 2013-04-08 | 2015-09-29 | Jsr Corporation | Resist composition, resist pattern-forming method, and resist solvent |
JP2015060962A (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0275970B1 (en) | Positive-working photoresist composition | |
JP2700918B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
EP0443820A2 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
EP0440238A2 (en) | Positive photoresist composition | |
EP0345714A2 (en) | Dyed photoresist compositions and process | |
JP2568827B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
KR910004844B1 (ko) | 포지티브-워킹 포토레지스트 조성물 | |
JPH11263768A (ja) | 新規な光活性化合物を有するフォトレジスト | |
JP2002268206A (ja) | フォトレジスト用溶剤、その製造方法およびフォトレジスト組成物 | |
EP2137140B1 (en) | Novel diazonaphthoquinonesulfonic acid bisphenol derivative useful in photo lithographic sub micron patterning and a process for preparation thereof | |
JP2813033B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JPS632044A (ja) | ポジ型感放射線性樹脂組成物 | |
EP0735423B1 (en) | Radiation sensitive resin composition | |
JP2574692B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JPH06242599A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP3640078B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH0527430A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JP2985400B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP3968763B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JPH0519466A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JP3666000B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
JP3834852B2 (ja) | ペンタフェノール系化合物およびその用途 | |
JP2568867B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
JP3629692B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
JPS63234249A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 |