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JP2002189437A - Liquid crystal display device and electronic equipment - Google Patents

Liquid crystal display device and electronic equipment

Info

Publication number
JP2002189437A
JP2002189437A JP2000389505A JP2000389505A JP2002189437A JP 2002189437 A JP2002189437 A JP 2002189437A JP 2000389505 A JP2000389505 A JP 2000389505A JP 2000389505 A JP2000389505 A JP 2000389505A JP 2002189437 A JP2002189437 A JP 2002189437A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
column
liquid crystal
display
row
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000389505A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyohisa Matsui
清尚 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2000389505A priority Critical patent/JP2002189437A/en
Publication of JP2002189437A publication Critical patent/JP2002189437A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device capable of preventing the reduction (distortion) of a column voltage due to a voltage drop. SOLUTION: This display device can detect the position (display position) of the row electrode concerned with display by a display position detecting circuit 102. Then, a BGB(back gate bias) voltage generating circuit 103 is set so as to adjust the value of a column voltage which is to be outputted from a column electrode driving IC 105 based on the detected display position. As a result, it is made possible to compensate (cancel) the effect due to the voltage drop by the increase of the column voltage value in this device. Thus, the lowering of an effective voltage value of the column voltage to be applied from the column electrode driving IC 105 to a distant display position is suppressed and the degradation of picture quality due to crosstalk can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス型の液
晶表示装置、および、この液晶表示装置を用いた電子機
器に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a matrix type liquid crystal display device and an electronic apparatus using the liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、液晶,EL(エレクトロルミネッ
センス),LED(発光ダイオード)等からなる画素を
マトリクス状に配列して形成される画像表示装置が用い
られている。
2. Description of the Related Art Heretofore, an image display device formed by arranging pixels composed of liquid crystal, EL (electroluminescence), LED (light emitting diode) and the like in a matrix has been used.

【0003】このようなマトリクス型表示装置は、表示
部,電圧生成回路,行電極駆動ICおよび列電極駆動I
Cを備えている。表示部(表示画面)は、格子状に配列
された行電極と列電極とからなり、行電極と列電極との
交点(画素)で表示を行うように構成されている。電圧
生成回路は、行電極を駆動するための電圧(行電圧)、
および、列電極を駆動するための電圧(列電圧)を生成
する回路である。
[0003] Such a matrix type display device comprises a display section, a voltage generating circuit, a row electrode driving IC and a column electrode driving IC.
C is provided. The display unit (display screen) includes row electrodes and column electrodes arranged in a grid, and is configured to perform display at intersections (pixels) between the row electrodes and the column electrodes. The voltage generating circuit includes a voltage (row voltage) for driving the row electrode,
And a circuit for generating a voltage (column voltage) for driving the column electrode.

【0004】また、行電極駆動IC(行電極駆動回路)
は、行電極と電圧生成回路とを接続し、電圧生成回路か
ら出力される行電圧(VRH,VCM,VRL)を行電
極に印加するものである。同様に、列電極駆動IC(列
電極駆動回路)は、列電極と電圧生成回路とを接続し、
電圧生成回路から出力される列電圧(VDH,VC,V
DL)を列電極に印加するものである。
Further, a row electrode drive IC (row electrode drive circuit)
Connects a row electrode to a voltage generation circuit and applies a row voltage (VRH, VCM, VRL) output from the voltage generation circuit to the row electrode. Similarly, a column electrode drive IC (column electrode drive circuit) connects a column electrode and a voltage generation circuit,
The column voltages (VDH, VC, V
DL) is applied to the column electrodes.

【0005】マトリクス型表示装置の代表的なものとし
て、図19に示すようなマトリクス型液晶表示装置が挙
げられる。この装置では、表示部が、2枚の電極基板
(行電極基板および列電極基板)間で液晶を挟み込む構
造の液晶パネルから構成されている。そして、この液晶
パネルに対して複数レベルの行電圧・列電圧を選択的に
印加することで、液晶の光学特性を画素毎に変化させ、
所望の画像表示を行うようになっている(単純マトリク
ス型)。
A typical matrix type display device is a matrix type liquid crystal display device as shown in FIG. In this device, the display unit is constituted by a liquid crystal panel having a structure in which a liquid crystal is sandwiched between two electrode substrates (a row electrode substrate and a column electrode substrate). Then, by selectively applying a plurality of levels of row voltage and column voltage to the liquid crystal panel, the optical characteristics of the liquid crystal are changed for each pixel,
A desired image is displayed (simple matrix type).

【0006】また、マトリクス型液晶表示装置には、駆
動電圧を制御するための能動素子を画素毎に備えた、ア
クティブマトリクス型の装置もある。しかしながら、こ
の型の装置は、その複雑な構造のために、高精細な大画
面表示を行い難く、かつ、製造コストが高い。一方、単
純マトリクス型は、単純な構造であるため、比較的に低
コストでの大画面表示を実現できる。
[0006] In addition, there is an active matrix type liquid crystal display device having an active element for controlling a driving voltage for each pixel in the matrix type liquid crystal display device. However, this type of device is difficult to perform high-definition large-screen display due to its complicated structure, and has a high manufacturing cost. On the other hand, since the simple matrix type has a simple structure, a large-screen display can be realized at relatively low cost.

【0007】単純マトリクス型液晶表示装置では、通
常、電圧平均化法,複数行同時選択駆動法等を用いて、
行電極・列電極を駆動するようになっている(電圧平均
化法については、例えば、「液晶の最新技術(p.106,工
業調査会出版)」や、「液晶ディスプレイ入門(日刊工
業)」に記載されている)。
In a simple matrix type liquid crystal display device, usually, a voltage averaging method, a multiple-row simultaneous selection driving method, or the like is used.
It drives row and column electrodes (for the voltage averaging method, see, for example, “Latest Liquid Crystal Technology (p.106, Published by the Industrial Research Institute)” and “Introduction to Liquid Crystal Displays (Nikkan Kogyo)” It is described in).

【0008】また、電圧平均化法・複数行同時選択駆動
法は、以下のような基本原理に基づいている。すなわ
ち、この基本原理においては、行電圧波形を、直交行列
(単位行列やウォルシュ行列)で表すようになってい
る。その後、この直交行列によって表示情報を直交変換
することで、列電圧波形を取得する。次に、表示パネル
上で、この列電圧波形を表示情報へと逆変換すること
で、画像表示を行うように設定されている。
The voltage averaging method and the plural-row simultaneous selection driving method are based on the following basic principle. That is, in this basic principle, the row voltage waveform is represented by an orthogonal matrix (unit matrix or Walsh matrix). After that, the column information waveform is obtained by orthogonally transforming the display information using the orthogonal matrix. Next, on the display panel, an image is displayed by inversely converting the column voltage waveform into display information.

【0009】そして、この基本原理に基づいて、非選択
行(直交行列において、行列要素が0となる行に相当)
となる行電極に属する画素には、表示情報に依らず、一
定の実効電圧が印加される。一方、選択行(非選択行以
外の行)となる行電極に属する画素には、表示情報に基
づいた実効電圧が印加される。
On the basis of this basic principle, a non-selected row (corresponding to a row having zero matrix elements in an orthogonal matrix)
A constant effective voltage is applied to the pixels belonging to the row electrode irrespective of the display information. On the other hand, an effective voltage based on the display information is applied to the pixels belonging to the row electrodes that are selected rows (rows other than the non-selected rows).

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
単純マトリクス型液晶表示装置では、列電極駆動ICに
おける出力インピーダンス、列電極の電極抵抗、液晶な
どの負荷容量に起因して、列電圧波形に、鈍りや誘導に
よる歪(電圧降下による歪)が生じる。このため、表示
装置の表示領域を拡大(大画面化)すると、各画素に印
加される列電圧の実効電圧値が基本原理より小さな値と
なり、クロストークを発生させて画像劣化を引き起こ
す。また、このようなクロストークは、大画面化や高精
細化が進むにつれて、より顕著となる。
However, in an actual simple matrix type liquid crystal display device, the output voltage of the column electrode driving IC, the electrode resistance of the column electrode, the load capacitance of the liquid crystal, and the like, cause the column voltage waveform to change. Distortion due to dulling or induction (distortion due to voltage drop) occurs. For this reason, when the display area of the display device is enlarged (large screen), the effective voltage value of the column voltage applied to each pixel becomes smaller than the basic principle, and crosstalk occurs to cause image deterioration. Further, such crosstalk becomes more prominent as the screen size and the definition become higher.

【0011】本発明は、上記のような従来の問題点を解
決するために成されたものである。そして、その目的
は、電圧降下による列電圧の減少を防止できる液晶表示
装置と、この表示装置を用いた電子機器を提供すること
にある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of preventing a decrease in column voltage due to a voltage drop, and an electronic device using the display device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示装置(本表示装置)は、格子状
に配列された行電極と列電極との交点を画素として用い
る液晶パネルを備え、列電極に印加する列電圧を制御し
ながら、表示電圧を印加する行電極を走査することで画
像表示を行う液晶表示装置において、列電極の入力端に
列電圧を印加する列電圧印加部と、表示電圧の印加され
ている行電極の位置である表示位置を検出する表示位置
検出部と、列電極の入力端と表示位置との距離に応じ
て、列電圧印加部の出力する列電圧値を調整する電圧制
御部とを備えていることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a liquid crystal display device (the present display device) of the present invention uses a liquid crystal in which intersections between row electrodes and column electrodes arranged in a lattice are used as pixels. In a liquid crystal display device comprising a panel and displaying an image by scanning a row electrode to which a display voltage is applied while controlling a column voltage to be applied to a column electrode, a column voltage for applying a column voltage to an input terminal of the column electrode An application unit, a display position detection unit that detects a display position that is a position of a row electrode to which a display voltage is applied, and an output of the column voltage application unit according to a distance between an input end of the column electrode and the display position. A voltage control unit for adjusting a column voltage value.

【0013】本表示装置は、携帯電話やモバイル装置,
パーソナルコンピューター等の表示画面として用いられ
る、マトリクス型の液晶表示装置である。そして、本表
示装置における液晶パネルは、互いに略平行に配列され
た複数の行電極と、同じく互いに略平行に配列された複
数の列電極とを有している。
The present display device can be used for mobile phones, mobile devices,
This is a matrix type liquid crystal display device used as a display screen of a personal computer or the like. The liquid crystal panel of the present display device has a plurality of row electrodes arranged substantially in parallel with each other and a plurality of column electrodes similarly arranged in substantially parallel with each other.

【0014】また、これら行電極と列電極とは、互いに
交差するように格子状に配置されている。そして、本表
示装置では、行電極と列電極との交差部位を、画素とし
て用いるようになっている。
The row electrodes and the column electrodes are arranged in a grid so as to cross each other. In the present display device, an intersection between the row electrode and the column electrode is used as a pixel.

【0015】すなわち、本表示装置では、各画素に応じ
た列電極・行電極に電圧(列電圧,表示電圧)を印加す
ることで、画像を表示するようになっている。
That is, in the present display device, an image is displayed by applying a voltage (column voltage, display voltage) to the column electrode / row electrode corresponding to each pixel.

【0016】ここで、列電圧とは、列電極を駆動するた
めの電圧である。また、各列電極に印加される列電圧の
値は、表示データに応じて、列電極毎に設定されるよう
になっている。また、この列電圧は、列電圧印加部によ
って、列電極の一端(入力端)から印加されるように設
定されている。一方、表示電圧とは、表示にかかる行電
極を駆動するための電圧である(選択電圧と非選択電圧
とを使用する場合には、表示電圧は選択電圧となる)。
Here, the column voltage is a voltage for driving a column electrode. The value of the column voltage applied to each column electrode is set for each column electrode according to the display data. The column voltage is set so as to be applied from one end (input end) of the column electrode by the column voltage application unit. On the other hand, the display voltage is a voltage for driving a row electrode for display (when a selection voltage and a non-selection voltage are used, the display voltage is the selection voltage).

【0017】そして、本表示装置では、画像表示の際、
表示範囲内の列電極に印加する列電圧を制御しながら、
表示電圧を印加する行電極(表示行;1行あるいは複数
行)を走査するようになっている。すなわち、本表示装
置では、表示行の移行時に、表示データに基づいて、列
電極に印加する列電圧を設定するようになっている。こ
れにより、表示範囲における全ての画素を用いた表示を
行うことが可能となっている。
In this display device, when displaying an image,
While controlling the column voltage applied to the column electrodes within the display range,
A row electrode (display row; one row or a plurality of rows) to which a display voltage is applied is scanned. That is, in the present display device, the column voltage applied to the column electrode is set based on the display data when the display row is shifted. This makes it possible to perform display using all the pixels in the display range.

【0018】ところで、本表示装置では、電圧印加部
が、列電極の入力端に列電圧を印加するように設定され
ている。従って、列電極における入力端から遠い位置で
は、電圧降下によって、列電圧値(実効電圧値)が入力
直後の値よりも小さくなっている。
In the present display device, the voltage applying section is set so as to apply a column voltage to the input terminal of the column electrode. Therefore, at a position far from the input terminal of the column electrode, the column voltage value (effective voltage value) is smaller than the value immediately after the input due to the voltage drop.

【0019】そこで、このような電圧降下に対応するた
めに、本表示装置では、表示位置検出部によって、表示
行の位置(表示位置)を検出するようになっている。そ
して、検出された表示位置に基づいて、電圧制御部が、
列電圧印加部の出力する列電圧の値を調整するように設
定されている。すなわち、電圧制御部は、表示位置が入
力端から遠い場合、列電圧値を上昇させるようになって
いる。
Therefore, in order to cope with such a voltage drop, in the present display device, the position of the display row (display position) is detected by the display position detecting section. Then, based on the detected display position, the voltage control unit
It is set so as to adjust the value of the column voltage output from the column voltage application unit. That is, when the display position is far from the input terminal, the voltage control unit increases the column voltage value.

【0020】これにより、本表示装置では、電圧降下に
よる影響を、列電圧値の上昇によって補償する(相殺す
る)ことが可能となる。従って、入力端から離れた表示
位置における列電圧値の低下を抑制でき、クロストーク
による画質劣化を防止できるようになっている。
Thus, in the present display device, it is possible to compensate (cancel) the effect of the voltage drop by increasing the column voltage value. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the column voltage value at a display position distant from the input terminal, and to prevent image quality deterioration due to crosstalk.

【0021】また、上記の列電圧印加部は、電源電圧を
アナログスイッチによってスイッチングすることで、列
電極に列電圧を印加するように設定されていることが好
ましい。このようにすれば、列電圧印加部を簡単に構成
できる。
Preferably, the column voltage application section is set so as to apply a column voltage to column electrodes by switching a power supply voltage by an analog switch. With this configuration, the column voltage application unit can be easily configured.

【0022】また、この構成では、電圧制御部は、列電
圧印加部の出力する列電圧値の調整を、アナログスイッ
チにおける出力抵抗(出力インピーダンス)を変動させ
ることで行うことが好ましい。アナログスイッチからの
出力電圧値は、その出力抵抗に応じて変化する。従っ
て、アナログスイッチの出力抵抗を変動させることで、
列電圧印加部の出力電圧値を容易に調整できる。
In this configuration, it is preferable that the voltage control unit adjusts the column voltage output from the column voltage application unit by changing the output resistance (output impedance) of the analog switch. The output voltage value from the analog switch changes according to the output resistance. Therefore, by changing the output resistance of the analog switch,
The output voltage value of the column voltage application section can be easily adjusted.

【0023】また、この場合、電圧制御部は、アナログ
スイッチに印加するバックゲートバイアス電圧値(BG
バイアス値)を調節することで、アナログスイッチの出
力抵抗を変動させるように設定されていることが好まし
い。アナログスイッチの出力抵抗は、BGバイアス値の
増加に応じて減少するように設定されている。このた
め、BGバイアス値を調節することで、出力抵抗の変
動、および列電圧印加部における出力電圧値の調整を容
易に行える。
Further, in this case, the voltage control section controls the back gate bias voltage value (BG
It is preferable that the output voltage of the analog switch be changed by adjusting the bias value. The output resistance of the analog switch is set to decrease as the BG bias value increases. Therefore, by adjusting the BG bias value, it is possible to easily change the output resistance and adjust the output voltage value in the column voltage application unit.

【0024】また、列電圧印加部を、並列に接続された
複数のアナログスイッチからなるアナログスイッチ群を
用いて電源電圧をスイッチングすることで、列電極に列
電圧を印加するように構成してもよい。
Further, the column voltage application section may be configured to apply the column voltage to the column electrodes by switching the power supply voltage using an analog switch group including a plurality of analog switches connected in parallel. Good.

【0025】ここで、アナログスイッチの並列接続と
は、例えば、MOSFETであれば、ドレインならびに
ソースを互いに接続することである。そして、このよう
に並列接続された複数のアナログスイッチからなるアナ
ログスイッチ群を用いる場合、列電圧印加部の出力イン
ピーダンスは、ONとなっている(出力電圧を媒介す
る)アナログスイッチの出力抵抗を合成したもの(合成
抵抗)となる。
Here, the parallel connection of the analog switches means that, for example, in the case of a MOSFET, the drain and the source are connected to each other. When an analog switch group including a plurality of analog switches connected in parallel is used as described above, the output impedance of the column voltage application unit is combined with the output resistance of the analog switch that is ON (mediates the output voltage). (Combined resistance).

【0026】そこで、この構成では、電圧制御部が、O
Nとするアナログスイッチを変更することで、アナログ
スイッチ群における合成抵抗を変動させて、列電圧印加
部の出力する列電圧値を調整するように設定されている
ことが好ましい。これにより、列電圧値の調整を非常に
容易に行える。
Therefore, in this configuration, the voltage control unit
It is preferable that the setting is made such that by changing the analog switch set to N, the combined resistance in the analog switch group is changed to adjust the column voltage value output from the column voltage application unit. Thereby, the adjustment of the column voltage value can be performed very easily.

【0027】また、互いに異なる出力抵抗を有する複数
のアナログスイッチを用いる場合、ONとするアナログ
スイッチの組み合わせを変えることで、合成抵抗を大き
く変動させられる。従って、列電圧値の調整範囲を大幅
に拡大できる。
When a plurality of analog switches having mutually different output resistances are used, the combined resistance can be largely changed by changing the combination of the analog switches to be turned on. Therefore, the adjustment range of the column voltage value can be greatly expanded.

【0028】また、この構成においても、電圧制御部
は、ONとしたアナログスイッチに印加するBGバイア
ス値を調節することで、合成抵抗を変動させるようにし
てもよい。これにより、アナログスイッチの組み合わせ
方とBGバイアス値との双方によって、アナログスイッ
チ群における合成抵抗を変動させられる。これにより、
合成抵抗を広範囲かつ詳細に変動できるので、列電極に
印加する列電圧値を、広範囲かつ緻密に調整できる。
Also in this configuration, the voltage control section may vary the combined resistance by adjusting the BG bias value applied to the analog switch that is turned on. Thereby, the combined resistance in the analog switch group can be varied by both the combination of the analog switches and the BG bias value. This allows
Since the combined resistance can be varied over a wide range and in detail, the column voltage value applied to the column electrode can be adjusted over a wide range and precisely.

【0029】また、本発明の電子機器は、本表示装置
と、本表示装置を制御して画像表示を行わせる制御部と
を備えていることを特徴としている。この制御部は、本
表示装置に対して、表示データ,列電圧・表示電圧の印
加タイミングを設定するクロック信号,水平同期信号,
垂直同期信号等を与えることで、画像表示を実現させる
ものである。そして、この電子機器では、本表示装置を
用いているため、クロストークによる劣化の少ない、良
好な画像表示を行えるようになっている。
Further, the electronic apparatus of the present invention is characterized by including the present display device, and a control unit for controlling the present display device to perform image display. The control unit provides the display device with a clock signal for setting display data, a column voltage / display voltage application timing, a horizontal synchronization signal,
By providing a vertical synchronization signal or the like, image display is realized. And, in this electronic apparatus, since the present display device is used, it is possible to perform good image display with little deterioration due to crosstalk.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】〔実施の形態1〕本発明における
第1の実施形態について説明する。図1は、本実施の形
態にかかるマトリクス型液晶表示装置(本表示装置)の
構成を示すブロック図である。この図に示すように、本
表示装置は、電源回路101,列電極駆動IC105,
行電極駆動IC106および液晶パネル107を有する
単純マトリクス型の液晶表示装置である。
[First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a matrix type liquid crystal display device (the present display device) according to the present embodiment. As shown in this figure, the display device includes a power supply circuit 101, a column electrode driving IC 105,
This is a simple matrix type liquid crystal display device having a row electrode driving IC 106 and a liquid crystal panel 107.

【0031】液晶パネル107は、行方向に沿って平行
に配列された複数の行電極と、列方向に沿って平行に配
列された複数の列電極と(ともに図示せず)を有してい
る。また、行電極と列電極とは、液晶層(図示せず)を
間において、互いに直交するように格子状に配列されて
いる。また、列電極は、列電極駆動IC105に接続さ
れている。また、行電極は、行電極駆動IC106に接
続されている。
The liquid crystal panel 107 has a plurality of row electrodes arranged in parallel along the row direction and a plurality of column electrodes arranged in parallel along the column direction (both not shown). . The row electrodes and the column electrodes are arranged in a grid pattern so as to be orthogonal to each other with a liquid crystal layer (not shown) therebetween. The column electrodes are connected to a column electrode driving IC 105. The row electrodes are connected to a row electrode drive IC 106.

【0032】液晶パネル107では、これら行電極と列
電極との交差部分がマトリクス状に配列されており、こ
れらの交差部分が画素となっている。そして、各画素
は、行電圧(行電極に印加される電圧)と列電圧(列電
極に印加される電圧)との差に応じて液晶の光学特性を
変化させ、表示を行うようになっている。電源回路10
1は、図1に示すように、電圧生成回路104,表示位
置検出回路102,バックゲートバイアス電圧生成回路
(BGB電圧生成回路)103を備えている。
In the liquid crystal panel 107, the intersections between the row electrodes and the column electrodes are arranged in a matrix, and the intersections form pixels. Each pixel performs display by changing the optical characteristics of the liquid crystal according to the difference between the row voltage (voltage applied to the row electrode) and the column voltage (voltage applied to the column electrode). I have. Power supply circuit 10
1, includes a voltage generation circuit 104, a display position detection circuit 102, and a back gate bias voltage generation circuit (BGB voltage generation circuit) 103, as shown in FIG.

【0033】電圧生成回路104は、上記した行電極・
列電極を駆動するための、行電圧(VRH,VRL,V
CM)および列電圧(VDH,VDL,VC)を生成す
るものである。
The voltage generation circuit 104 is connected to the row electrodes
Row voltages (VRH, VRL, V
CM) and column voltages (VDH, VDL, VC).

【0034】表示位置検出回路102は、液晶パネル1
07において表示にかかる画素の位置(表示位置)を検
出するものである。すなわち、表示位置検出回路102
は、外部から入力される垂直同期信号YD・水平同期信
号(水平走査信号)LPより、表示位置を検出するよう
に設定されている。
The display position detecting circuit 102 is a liquid crystal panel 1
At 07, the position (display position) of a pixel for display is detected. That is, the display position detection circuit 102
Are set to detect the display position from a vertical synchronization signal YD and a horizontal synchronization signal (horizontal scanning signal) LP input from the outside.

【0035】BGB電圧生成回路103は、列電極駆動
ICl05・行電極駆動IC106に、バックゲートバ
イアス(BGバイアス;VRDH,VRDL,VRR
H,VRRL)を出力するものである。特に、このBG
B電圧生成回路103は、表示位置検出回路102によ
って検出された表示位置に応じて、BGバイアス値を変
更するようになっている。なお、BGB電圧生成回路1
03におけるBGバイアス値の設定については後述す
る。
The BGB voltage generation circuit 103 supplies a back gate bias (BG bias; VRDH, VRDL, VRR) to the column electrode driving ICl05 and the row electrode driving IC 106.
H, VRRL). In particular, this BG
The B voltage generation circuit 103 changes the BG bias value according to the display position detected by the display position detection circuit 102. Note that the BGB voltage generation circuit 1
The setting of the BG bias value in 03 will be described later.

【0036】列電極駆動IC105は、電圧生成回路1
04から出力される列電圧を、所定のタイミングで液晶
パネル107の列電極に印加するものである。列電圧
は、列電極を駆動するための電圧であり、表示データに
応じて、各列電極毎に設定される。なお、本表示装置で
は、VDH,VC,VDL(VDL<VC<VDH)の
いずれかの値となるように設定されている。また、列電
極駆動IC105は、1水平走査期間中、全ての列電極
に対し、同時に(一斉に)列電圧を出力するようになっ
ている。
The column electrode driving IC 105 includes a voltage generation circuit 1
The column voltage output from the column 04 is applied to the column electrode of the liquid crystal panel 107 at a predetermined timing. The column voltage is a voltage for driving the column electrodes, and is set for each column electrode according to display data. In the present display device, the values are set so as to take one of VDH, VC, and VDL (VDL <VC <VDH). In addition, the column electrode driving IC 105 outputs a column voltage to all the column electrodes simultaneously (simultaneously) during one horizontal scanning period.

【0037】行電極駆動IC106は、電圧生成回路1
04から出力される行電圧を、所定のタイミングで液晶
パネル107の行電極に印加するものである。行電圧
は、行電極を駆動するための電圧であり、本表示装置で
は、選択電圧(選択行に印加される電圧;表示電圧)V
RH・VRL,非選択電圧(非選択行に印加される電
圧)VCMのいずれかの値となるように設定されてい
る。なお、これらの電圧値は、VRL<VCM<VRH
を満たすような値となっている。
The row electrode driving IC 106 includes the voltage generation circuit 1
The row voltage output from the liquid crystal panel 04 is applied to the row electrodes of the liquid crystal panel 107 at a predetermined timing. The row voltage is a voltage for driving a row electrode, and in this display device, a selection voltage (a voltage applied to a selected row; a display voltage) V
RH · VRL and unselected voltage (voltage applied to unselected rows) VCM are set. Note that these voltage values are VRL <VCM <VRH
It is a value that satisfies.

【0038】また、行電極駆動IC106は、垂直走査
期間内において、全ての行電極を、最先端の行から順に
選択行とする(走査する)ように設定されている。ま
た、選択行の移行時(1水平期間後)には、列電圧の値
が再設定されるようになっている。なお、1度に選択さ
れる行電極の数は、1つであっても複数であってもよ
い。
Further, the row electrode drive IC 106 is set so that all the row electrodes are selected (scanned) in order from the top row in the vertical scanning period. Further, at the time of the transition of the selected row (after one horizontal period), the value of the column voltage is reset. The number of row electrodes selected at a time may be one or more.

【0039】図2は、列電極駆動IC105の全体的な
構成を示す説明図である。この図に示すように、列電極
駆動IC105は、各列電極に応じて、複数の列電極駆
動素子201を備えている。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the overall configuration of the column electrode driving IC 105. As shown in this figure, the column electrode driving IC 105 includes a plurality of column electrode driving elements 201 according to each column electrode.

【0040】図3は、この列電極駆動素子201の構成
を示す説明図である。この図に示すように、列電極駆動
素子201は、データラッチ回路301,ラインラッチ
回路302,レベルシフター303,デコーダ回路30
4,MOSFET305〜308,インバーター309
を備えている。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the configuration of the column electrode driving element 201. As shown in this figure, the column electrode driving element 201 includes a data latch circuit 301, a line latch circuit 302, a level shifter 303, and a decoder circuit 30.
4, MOSFET 305-308, inverter 309
It has.

【0041】データラッチ回路301は、外部から入力
されるクロック信号XCK(図2参照)に基づいて、各
列電極に応じた1水平走査期間の表示データを、データ
信号Data(図2参照)から取得するものである。
The data latch circuit 301 converts display data for one horizontal scanning period corresponding to each column electrode from the data signal Data (see FIG. 2) based on an externally input clock signal XCK (see FIG. 2). What you get.

【0042】ラインラッチ回路302は、データラッチ
回路301の取得した表示データを保持し、水平同期信
号LPに基づいて出力するものである。また、ラインラ
ッチ回路302から出力されるデータ信号のレベルは、
ロジック電圧VDDに応じた値である。
The line latch circuit 302 holds the display data obtained by the data latch circuit 301 and outputs the display data based on the horizontal synchronizing signal LP. The level of the data signal output from the line latch circuit 302 is
This is a value corresponding to the logic voltage VDD.

【0043】レベルシフター303は、ラインラッチ回
路302から出力されたデータ信号のレベルを、基準電
圧VEE1・VSS1に応じた値に変換し、デコーダ回
路304に出力するものである。
The level shifter 303 converts the level of the data signal output from the line latch circuit 302 into a value corresponding to the reference voltages VEE1 and VSS1, and outputs the value to the decoder circuit 304.

【0044】デコーダ回路304は、レベルシフター3
03から出力されたデータ信号をデジタル信号に変換し
て、MOSFET305〜308のON/OFFを制御
するためのゲート電圧(振幅値はVEE1あるいはVS
S1)として出力するものである。
The decoder circuit 304 includes a level shifter 3
03 is converted into a digital signal and a gate voltage (amplitude value is VEE1 or VS1) for controlling ON / OFF of MOSFETs 305 to 308.
This is output as S1).

【0045】MOSFET(絶縁ゲート型電解効果トラ
ンジスタ)305・306は、図3に示すように、ソー
ス電圧として列電圧VDH・VDLを入力するととも
に、デコーダ回路304の出力電圧をゲート電圧として
入力するようになっているアナログスイッチである。す
なわち、MOSFET305は、列電圧VDHを出力す
るためのスイッチであり、MOSFET306は、列電
圧VDLを出力するためのスイッチである。
As shown in FIG. 3, the MOSFETs (insulated gate type field effect transistors) 305 and 306 receive the column voltages VDH and VDL as the source voltages and input the output voltage of the decoder circuit 304 as the gate voltages. This is an analog switch. That is, the MOSFET 305 is a switch for outputting the column voltage VDH, and the MOSFET 306 is a switch for outputting the column voltage VDL.

【0046】また、図3に示すように、これらMOSF
ET305・306には、バックゲート電圧として、B
GB電圧生成回路103から出力されるBGバイアスV
RDH・VRDLが入力されている。
Also, as shown in FIG.
ETs 305 and 306 have a back gate voltage of B
BG bias V output from GB voltage generation circuit 103
RDH / VRDL is input.

【0047】さらに、MOSFET307・308は、
ソース電圧として列電圧VCを入力するとともに、ゲー
ト電圧・バックゲート電圧として、デコーダ回路304
からの出力電圧を入力するようになっているアナログス
イッチである。すなわち、MOSFET307・308
は、列電圧VCを出力するためのスイッチである。ま
た、これらMOSFET307・308のゲートは、イ
ンバーター309を介して接続されている。
Further, the MOSFETs 307 and 308
A column voltage VC is input as a source voltage, and a decoder circuit 304 is input as a gate voltage and a back gate voltage.
The analog switch is adapted to receive the output voltage from the analog switch. That is, MOSFETs 307 and 308
Is a switch for outputting the column voltage VC. The gates of these MOSFETs 307 and 308 are connected via an inverter 309.

【0048】そして、列電極駆動IC105では、外部
から入力される制御信号およびデータ信号に基づいて、
デコーダ回路304が、MOSFET305〜308の
いずれか1つをONするようになっている。そして、O
NとなったMOSFETのドレインから、VDH,VD
L,VCのいずれかのレベルを有する出力電圧が、出力
端子VOUTに出力されるように設定されている。
In the column electrode driving IC 105, based on a control signal and a data signal inputted from outside,
The decoder circuit 304 turns on any one of the MOSFETs 305 to 308. And O
VDH, VD
An output voltage having one of the levels of L and VC is set to be output to the output terminal VOUT.

【0049】なお、上記したように、VDH,VDL,
VCは、電圧生成回路104において生成されるもので
あり、VDH≦VEE1、VSS1≦VDL、VC=
(VDH+VDL)/2の関係を満足するように設定さ
れている。
As described above, VDH, VDL,
VC is generated in the voltage generation circuit 104, and VDH ≦ VEE1, VSS1 ≦ VDL, VC =
It is set so as to satisfy the relationship of (VDH + VDL) / 2.

【0050】また、MOSFET305・306に入力
されるBGバイアスVRDH・VRDLは、BGB電圧
生成回路103において生成されるものであり、VRD
H≦VDH≦VEE1、VSS1≦VDL≦VRDLの
関係を満足するような値となっている。また、BGB電
圧生成回路103で生成されたBGバイアスは、列電極
駆動IC105に設けられたBGバイアス用の入力端子
から入力され、各列電極駆動素子201に分配されるよ
うになっている。
The BG bias VRDH • VRDL input to the MOSFETs 305 and 306 is generated by the BGB voltage generation circuit 103,
The value satisfies the relationship of H ≦ VDH ≦ VEE1 and VSS1 ≦ VDL ≦ VRDL. The BG bias generated by the BGB voltage generation circuit 103 is input from a BG bias input terminal provided in the column electrode driving IC 105 and distributed to each column electrode driving element 201.

【0051】また、図4は、行電極駆動IC106の全
体的な構成を示す説明図である。この図に示すように、
行電極駆動IC106は、各行電極に応じて、複数の行
電極駆動素子202を備えている。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing the overall configuration of the row electrode drive IC 106. As shown in this figure,
The row electrode drive IC 106 includes a plurality of row electrode drive elements 202 according to each row electrode.

【0052】図5は、行電極駆動素子202の構成を示
す説明図である。この図に示すように、行電極駆動素子
202は、シフトレジスター401,レベルシフター4
02,デコーダ回路403,MOSFET404〜40
7,インバーター408を備えている。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing the configuration of the row electrode driving element 202. As shown in this figure, the row electrode drive element 202 includes a shift register 401, a level shifter 4
02, decoder circuit 403, MOSFETs 404 to 40
7, an inverter 408 is provided.

【0053】シフトレジスター401は、水平同期信号
LPに基づいて、垂直同期信号YDを順次的にシフトさ
せるものである。
The shift register 401 sequentially shifts the vertical synchronizing signal YD based on the horizontal synchronizing signal LP.

【0054】行電極駆動IC106は、垂直同期信号Y
Dに基づいて、最先端の行電極(行電極駆動IC106
に最も近い行電極)から順に選択行に設定するようにな
っている。すなわち、垂直同期信号YDを受信すると、
最先端の行電極に応じた行電極駆動素子202は、この
行電極に対し、1水平走査期間だけ、選択電圧を出力す
る。また、1水平走査期間後、この行電極駆動素子20
2のシフトレジスター401が、隣接する行電極駆動素
子202のシフトレジスター401に対して、選択行と
なることを伝達するようになっている。
The row electrode driving IC 106 receives the vertical synchronizing signal Y
D, the most advanced row electrode (row electrode drive IC 106
Are set in the selected row in order from the row electrode closest to the selected row electrode. That is, when the vertical synchronization signal YD is received,
The row electrode drive element 202 corresponding to the most advanced row electrode outputs a selection voltage to this row electrode only for one horizontal scanning period. After one horizontal scanning period, the row electrode driving element 20
The second shift register 401 transmits to the shift registers 401 of the adjacent row electrode drive elements 202 that the row is to be selected.

【0055】レベルシフター402は、電源のレベル
を、ロジック電圧VDDから基準電圧(液晶駆動電圧)
VEE2に、および、ロジック系接地電圧VSS1から
基準電圧(液晶駆動電圧)VSS2に切替えるものであ
る。
The level shifter 402 changes the power supply level from the logic voltage VDD to a reference voltage (liquid crystal drive voltage).
It switches to VEE2 and from the logic system ground voltage VSS1 to the reference voltage (liquid crystal drive voltage) VSS2.

【0056】デコーダ回路403は、MOSFET40
4〜407のON/OFFを制御するためのゲート電圧
(ゲート信号;振幅値はVEE2あるいはVSS2)を
出力するものである。
The decoder circuit 403 includes the MOSFET 40
A gate voltage (gate signal; amplitude value is VEE2 or VSS2) for controlling ON / OFF of 4-407 is output.

【0057】MOSFET404・405は、ソース電
圧として行電圧VRH・VRLを入力するとともに、ゲ
ート電圧としてデコーダ回路403からの出力信号を入
力するようになっているアナログスイッチである。すな
わち、MOSFET404は、行電圧VRHを出力する
スイッチであり、MOSFET405は、行電圧VRL
を出力するためのスイッチである。また、MOSFET
404・405には、バックゲート電圧として、BGB
電圧生成回路103から出力されるBGバイアスVRR
H・VRRLが入力されるように設定されている。
The MOSFETs 404 and 405 are analog switches configured to input the row voltages VRH and VRL as source voltages and to input output signals from the decoder circuit 403 as gate voltages. That is, the MOSFET 404 is a switch that outputs the row voltage VRH, and the MOSFET 405 is a switch that outputs the row voltage VRL.
Is a switch for outputting. Also, MOSFET
404 and 405 have BGB as back gate voltage.
BG bias VRR output from voltage generation circuit 103
H.VRRL is set to be input.

【0058】さらに、MOSFET406・407は、
ソース電圧として行電圧VCMを入力するとともに、ゲ
ート電圧・バックゲート電圧として、デコーダ回路40
3からの出力電圧を入力するようになっているアナログ
スイッチである。すなわち、MOSFET406・40
7は、行電圧VCMを出力するためのスイッチである。
また、これらMOSFET406・407のゲートは、
インバーター408を介して接続されている。
Further, the MOSFETs 406 and 407
A row voltage VCM is input as a source voltage, and a decoder circuit 40 is input as a gate voltage and a back gate voltage.
3 is an analog switch adapted to receive the output voltage from the analog switch. That is, MOSFETs 406 and 40
Reference numeral 7 denotes a switch for outputting the row voltage VCM.
The gates of these MOSFETs 406 and 407 are
They are connected via an inverter 408.

【0059】そして、デコーダ回路403は、自身の属
する行電極駆動素子202の駆動する行電極が選択行で
あるか否かに応じて、MOSFET404〜407のい
ずれか1つをONするようになっている。そして、ON
となったMOSFETのドレインから、選択電圧VRH
・VRLあるいは非選択電圧VCMのいずれかが、出力
端子VOUTに出力されるように設定されている。
The decoder circuit 403 turns on one of the MOSFETs 404 to 407 depending on whether the row electrode driven by the row electrode drive element 202 to which the decoder circuit 403 belongs is the selected row. I have. And ON
From the drain of the MOSFET that has become
-It is set so that either VRL or the non-selection voltage VCM is output to the output terminal VOUT.

【0060】なお、上記したように、選択電圧VRH・
VRL,非選択電圧VCMは、電圧生成回路104にお
いて生成されるものである。そして、VRH≦VEE
2、VSS2≦VRL、VCM=(VRH+VRL)/
2を満足するように設定されている。
As described above, the selection voltage VRH.
VRL and the non-selection voltage VCM are generated by the voltage generation circuit 104. Then, VRH ≦ VEE
2, VSS2 ≦ VRL, VCM = (VRH + VRL) /
2 is set.

【0061】また、MOSFET404・405に入力
されるBGバイアスVRRH・VRRLは、BGB電圧
生成回路103において生成されるものであり、VRH
≦VRRH≦VEE2,VSS2≦VRRL≦VRLの
関係を満足するような値となっている。また、BGB電
圧生成回路103で生成されたBGバイアスは、行電極
駆動IC106に設けられたBGバイアス用の入力端子
から入力され、各行電極駆動素子202に分配されるよ
うになっている。
The BG bias VRRH • VRRL input to the MOSFETs 404 and 405 is generated by the BGB voltage generation circuit 103,
≤VRRH≤VEE2, VSS2≤VRRL≤VRL. The BG bias generated by the BGB voltage generation circuit 103 is input from a BG bias input terminal provided in the row electrode drive IC 106 and distributed to each row electrode drive element 202.

【0062】次に、本表示装置の特徴的な構成である、
表示位置検出回路102とBGB電圧生成回路103と
の動作について説明する。上記したように、表示位置検
出回路102は、垂直同期信号YD・水平同期信号LP
に基づいて、表示位置を検出するものである。ここで、
表示位置とは、1垂直期間内における選択行の位置のこ
とである。
Next, a characteristic configuration of the present display device will be described.
The operation of the display position detection circuit 102 and the BGB voltage generation circuit 103 will be described. As described above, the display position detection circuit 102 outputs the vertical synchronization signal YD and the horizontal synchronization signal LP.
Is used to detect the display position. here,
The display position is the position of the selected row within one vertical period.

【0063】また、BGB電圧生成回路103は、表示
位置検出回路102によって検出された表示位置に応じ
て、列電極駆動ICl05に印加するBGバイアスVR
DH・VRDLを変更するようになっている。すなわ
ち、BGB電圧生成回路103は、BGバイアス値を変
化させることで、各MOSFET305・306から出
力される列電圧値(VDH,VDL)を調整する機能を
有している。
The BGB voltage generation circuit 103 applies a BG bias VR to be applied to the column electrode driving ICl 05 in accordance with the display position detected by the display position detection circuit 102.
DH / VRDL is changed. That is, the BGB voltage generation circuit 103 has a function of adjusting the column voltage values (VDH, VDL) output from the MOSFETs 305 and 306 by changing the BG bias value.

【0064】ここで、本表示装置におけるBGバイアス
値の変化による、列電圧値の調整について説明する。液
晶パネル107は、液晶等の負荷容量や、配線の電気抵
抗を有している。従って、液晶パネル107の行電極・
列電極は、平行版コンデンサーと配線抵抗とによって、
図6に示すような等価回路(N行×M列の液晶パネルの
等価回路)によって表現できる。また、一本の列電極
は、図7に示すような等価回路(抵抗R1 〜RM と容量
1〜CM とにおける分布定数回路)によって示され
る。
Here, adjustment of the column voltage value by changing the BG bias value in the present display device will be described. The liquid crystal panel 107 has a load capacitance of liquid crystal or the like and an electric resistance of wiring. Therefore, the row electrodes of the liquid crystal panel 107
The column electrode is formed by the parallel plate capacitor and wiring resistance.
It can be represented by an equivalent circuit as shown in FIG. 6 (an equivalent circuit of a liquid crystal panel of N rows × M columns). Also, one of the column electrodes is shown by the equivalent circuit (resistor R 1 to R M and the capacitance C 1 -C M and the distributed constant circuit) as shown in FIG.

【0065】また、図8は、列電極駆動IC105から
の距離(D)と、列電圧の実効電圧値(<E>)との関
係を示すグラフである。また、図9は、列電極に印加さ
れる列電圧のパルス(印加パルス)を示す説明図であ
る。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the distance (D) from the column electrode driving IC 105 and the effective column voltage (<E>). FIG. 9 is an explanatory diagram showing a pulse (applied pulse) of a column voltage applied to a column electrode.

【0066】図8に示すように、実効電圧値は、負荷容
量および電気抵抗によって、列電極駆動IC105から
離れるに従って低下するようになっている。
As shown in FIG. 8, the effective voltage value decreases as the distance from the column electrode driving IC 105 increases due to the load capacitance and the electric resistance.

【0067】すなわち、液晶パネル107に印加される
図9に示す列電圧のパルス波形は、列電極駆動IC10
5からの距離に応じた鈍り(電圧降下)を有するように
なり、この鈍りによって、実効電圧値が小さくなってし
まう。このため、列電圧の波形は、列電極駆動IC10
5からの距離に応じた濃淡(グラデーション)を有する
ようになる。
That is, the pulse waveform of the column voltage applied to the liquid crystal panel 107 shown in FIG.
5 has a bluntness (voltage drop) corresponding to the distance from the distance 5, and the blunting reduces the effective voltage value. For this reason, the waveform of the column voltage is
It has a gradation corresponding to the distance from 5.

【0068】従って、列電極駆動IC105から離れた
位置の行電極が選択された場合、この位置での列電圧に
おける実効電圧値が低下しすぎて、この値が基本原理か
ら外れ、クロストークによる画像劣化が生じてしまう可
能性がある。
Therefore, when a row electrode at a position distant from the column electrode drive IC 105 is selected, the effective voltage value of the column voltage at this position is too low, and this value deviates from the basic principle, and an image due to crosstalk is generated. Deterioration may occur.

【0069】一方、図10は、MOSFETのON抵抗
(rON;出力抵抗,出力インピーダンス)とBGバイア
ス値(VB ;VRDHあるいはVRDL)との関係を示
すグラフである。この図に示すように、MOSFETの
ON抵抗は、BGバイアス値の増加に従って低下する。
また、MOSFETでは、ON抵抗が小さくなるほど、
出力電圧値が大きくなる。
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the ON resistance (r ON ; output resistance and output impedance) of the MOSFET and the BG bias value (V B ; VRDH or VRDL). As shown in this figure, the ON resistance of the MOSFET decreases as the BG bias value increases.
In the MOSFET, as the ON resistance becomes smaller,
The output voltage value increases.

【0070】そこで、本表示装置では、表示位置と列電
極駆動IC105とが離れている場合、BGバイアス値
VRDH・VRDLを増加させることで、MOSFET
305・306のON抵抗を減少させ、電圧降下による
影響を相殺するように設定されている。
Therefore, in the present display device, when the display position is far from the column electrode driving IC 105, the BG bias value VRDH · VRDL is increased to increase the MOSFET.
It is set so as to reduce the ON resistances of the switches 305 and 306 and cancel the influence of the voltage drop.

【0071】すなわち、本表示装置では、表示位置検出
回路102が表示位置を検知するとともに、BGB電圧
生成回路103が、表示位置と列電極駆動IC105と
の距離の増加に応じて、MOSFET305・306に
印加するBGバイアス値を増加させるように設定されて
いる。これにより、MOSFET305・306から出
力される列電圧値を上昇させるようになっている。
That is, in the present display device, the display position detection circuit 102 detects the display position, and the BGB voltage generation circuit 103 controls the MOSFETs 305 and 306 in accordance with the increase in the distance between the display position and the column electrode driving IC 105. It is set so as to increase the applied BG bias value. As a result, the column voltage output from the MOSFETs 305 and 306 is increased.

【0072】従って、本表示装置では、列電極駆動IC
105から離れた表示位置に印加される列電圧の実効電
圧値の低下を抑制できる。従って、クロストークによる
画質劣化を防止できるようになっている。
Therefore, in this display device, the column electrode driving IC
It is possible to suppress a decrease in the effective voltage value of the column voltage applied to the display position distant from 105. Therefore, it is possible to prevent image quality deterioration due to crosstalk.

【0073】なお、BGB電圧生成回路103は、BG
バイアス値を、選択行(表示位置)が移行する度に変更
してもよいし、選択行が所定数だけ移行したときに変更
するようにしてもよい。
Note that the BGB voltage generation circuit 103
The bias value may be changed each time the selected row (display position) shifts, or may be changed when a predetermined number of selected rows shift.

【0074】また、BGB電圧生成回路103は、表示
位置が列電極駆動IC105に近い場合には、表示位置
での列電圧が最適な値となるように、BGバイアス値を
小さくするようになっている。
Further, when the display position is close to the column electrode drive IC 105, the BGB voltage generation circuit 103 reduces the BG bias value so that the column voltage at the display position has an optimum value. I have.

【0075】ここで、液晶パネル107におけるMOS
FETのON抵抗とBGバイアス値との関係、および、
列電極駆動IC105からの距離と実効電圧値との関係
について説明する。
Here, the MOS in the liquid crystal panel 107
The relationship between the ON resistance of the FET and the BG bias value, and
The relationship between the distance from the column electrode drive IC 105 and the effective voltage value will be described.

【0076】以下に、MOSFETの基本特性を示す式
を示す。MOSFETは、VDSと(VGS−Vth)との大
小関係によって、非飽和領域と飽和領域とに分けられ
る。すなわち、[VDS]<[VGS−Vth]の場合に非飽
和領域、[VDS]≧[VGS−Vth]の場合に飽和領域と
なる。ここで、VDSはドレイン−ソース間電圧、VGS
ゲート−ソース間電圧、Vthは閾値電圧を示す記号であ
る。また、[]は、絶対値を示す記号である。
An equation showing the basic characteristics of the MOSFET is shown below. MOSFETs are classified into an unsaturated region and a saturated region according to the magnitude relationship between V DS and (V GS −V th ). That is, a non-saturation region is obtained when [V DS ] <[V GS −V th ], and a saturation region is obtained when [V DS ] ≧ [V GS −V th ]. Here, V DS is a symbol indicating a drain-source voltage, V GS is a gate-source voltage, and V th is a symbol indicating a threshold voltage. [] Is a symbol indicating an absolute value.

【0077】また、MOSFETにおけるドレイン−ソ
ース間の電流(IDS)は、非飽和領域において(1)
式、飽和領域において(2)式のように表現できる。
The current (I DS ) between the drain and the source in the MOSFET is (1) in the unsaturated region.
Equation (2) can be expressed in the equation and the saturation region.

【0078】[0078]

【数1】 (Equation 1)

【0079】ここで、MOSFETの閾値電圧VthをB
Gバイアス値の式で示すと、以下の(3)式のようにな
る。
Here, the threshold voltage V th of the MOSFET is set to B
The expression of the G bias value is represented by the following expression (3).

【0080】[0080]

【数2】 (Equation 2)

【0081】また、MOSFETのON抵抗(出力イン
ピーダンス)rONは、以下の(4)式によって示され
る。そして、この(4)式にVthを代入し、MOSFE
TのON抵抗をBGバイアス値VB の関数で表すと、
(5)式となる。この(5)式より、BGバイアス値V
B を増加させることで、MOSFETのON抵抗rON
減少できることがわかる。
The ON resistance (output impedance) r ON of the MOSFET is expressed by the following equation (4). Then, V th is substituted into the equation (4), and MOSFE
Expressing ON resistance of T as a function of BG bias value V B,
Equation (5) is obtained. From equation (5), the BG bias value V
It can be seen that by increasing B , the ON resistance r ON of the MOSFET can be reduced.

【0082】[0082]

【数3】 (Equation 3)

【0083】また、図8において、列電極駆動IC10
5からの距離(D)と、列電圧の実効電圧値(<E>)
との関係を示すグラフで示したが、列電極駆動IC10
5からi番目の画素に加わる実効電圧値(<E>)は、
以下の(6)式を用いて表現できる。
In FIG. 8, the column electrode driving IC 10
5 and the effective voltage value of the column voltage (<E>)
Is shown in a graph showing the relationship between the column electrode driving IC 10
The effective voltage value (<E>) applied to the i-th pixel from the fifth is
It can be expressed using the following equation (6).

【0084】[0084]

【数4】 (Equation 4)

【0085】〔実施の形態2〕本発明における第2の実
施形態について説明する。なお、本実施の形態では、実
施の形態1に示した部材と同一の機能を有する部材に同
一の符号を付し、その説明を省略している。
[Second Embodiment] A second embodiment of the present invention will be described. Note that, in the present embodiment, members having the same functions as the members described in Embodiment 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

【0086】本実施の形態にかかるマトリクス型液晶表
示装置(本表示装置)は、実施の形態1に示したマトリ
クス型液晶表示装置の構成において、駆動IC105・
106に代えて、列電極駆動IC501および行電極駆
動IC502を備えた構成である。
The matrix type liquid crystal display device according to the present embodiment (this display device) has the same structure as that of the matrix type liquid crystal display device shown in the first embodiment except that the driving IC 105
A configuration including a column electrode driving IC 501 and a row electrode driving IC 502 instead of 106 is provided.

【0087】図11は、列電極駆動IC501の全体的
な構成を示す説明図である。この図に示すように、列電
極駆動IC501は、各列電極に応じて、複数の列電極
駆動素子601を備えている。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing the overall configuration of the column electrode driving IC 501. As shown in this figure, the column electrode driving IC 501 includes a plurality of column electrode driving elements 601 according to each column electrode.

【0088】図12は、この列電極駆動素子601の構
成を示す説明図である。この図に示すように、列電極駆
動素子601は、列電極駆動素子201(図3参照)と
同様に、データラッチ回路301,ラインラッチ回路3
02,レベルシフター303,MOSFET307・3
08,インバーター309を備えている。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing the structure of the column electrode driving element 601. As shown in this figure, the column electrode driving element 601 includes a data latch circuit 301 and a line latch circuit 3 similar to the column electrode driving element 201 (see FIG. 3).
02, level shifter 303, MOSFET 307.3
08 and an inverter 309.

【0089】また、この列電極駆動素子601は、列電
極駆動素子201におけるデコーダ回路304,MOS
FET305・306に代えて、デコーダ回路504,
MOSFET505(1)〜505(k)・506
(1)〜506(k)を備えている。
The column electrode driving element 601 is the same as the decoder circuit 304 and MOS
Instead of the FETs 305 and 306, a decoder circuit 504,
MOSFETs 505 (1) to 505 (k) · 506
(1) to (506) are provided.

【0090】デコーダ回路504は、レベルシフター3
03から出力されたデータ信号をデジタル信号に変換し
て、MOSFET505(1)〜505(k),MOS
FET506(1)〜506(k),MOSFET30
7・308のON/OFFを制御するためのゲート電圧
(振幅値はVEE1あるいはVSS1)として出力する
ものである。
The decoder circuit 504 includes the level shifter 3
03 is converted into a digital signal, and MOSFETs 505 (1) to 505 (k), MOS
FETs 506 (1) to 506 (k), MOSFET 30
It is output as a gate voltage (amplitude value is VEE1 or VSS1) for controlling ON / OFF of 7.308.

【0091】そして、列電極駆動素子601では、外部
からの制御信号およびデータ信号に基づいて、デコーダ
回路504が、MOSFETのいずれかをONするよう
になっている。すなわち、デコーダ回路504が、MO
SFET505(1)〜505(k)のいずれか(単数
あるいは複数)、MOSFET506(1)〜506
(k)のいずれか(単数あるいは複数)、MOSFET
307、あるいはMOSFET308をONするように
なっている。これにより、VDH,VDL,VCのいず
れかのレベルを有する出力電圧が、出力端子VOUTに
出力されるように設定されている。
In the column electrode drive element 601, the decoder circuit 504 turns on one of the MOSFETs based on an external control signal and data signal. That is, when the decoder circuit 504
Any one (single or plural) of SFETs 505 (1) to 505 (k), MOSFETs 506 (1) to 506
Any of (k) (single or multiple), MOSFET
307 or the MOSFET 308 is turned on. Thereby, the output voltage having any level of VDH, VDL, and VC is set to be output to the output terminal VOUT.

【0092】MOSFET505(1)〜505(k)
は、それぞれ異なるON抵抗を有し、互いに並列に接続
されたk個のMOSFETである。また、MOSFET
505(1)〜505(k)では、互いに接続されたソ
ースに対して列電圧VDHが入力されているとともに、
デコーダ回路504の出力電圧が、ゲート電圧として入
力されている。すなわち、MOSFET505(1)〜
505(k)は、互いに接続されたドレインから、列電
圧VDHを出力するためのアナログスイッチである。
MOSFETs 505 (1) to 505 (k)
Are k MOSFETs having different ON resistances and connected in parallel with each other. Also, MOSFET
In 505 (1) to 505 (k), the column voltage VDH is input to the sources connected to each other, and
The output voltage of the decoder circuit 504 is input as a gate voltage. That is, MOSFETs 505 (1) to
505 (k) is an analog switch for outputting the column voltage VDH from the drains connected to each other.

【0093】また、これらMOSFET505(1)〜
505(k)には、バックゲート電圧として、BGB電
圧生成回路103から出力されるBGバイアスVRDH
(VRDH≦VDH≦VEE1)が入力されている。
Further, these MOSFETs 505 (1) to 505 (1)
505 (k) includes a BG bias VRDH output from the BGB voltage generation circuit 103 as a back gate voltage.
(VRDH ≦ VDH ≦ VEE1) is input.

【0094】また、MOSFET506(1)〜506
(k)は、それぞれ異なるON抵抗を有し、互いに並列
に接続されたk個のMOSFETである。また、MOS
FET506(1)〜506(k)では、互いに接続さ
れたソースに対して列電圧VDLが入力されているとと
もに、デコーダ回路504の出力電圧が、ゲート電圧と
して入力されている。すなわち、MOSFET506
(1)〜506(k)は、互いに接続されたドレインか
ら、列電圧VDLを出力するためのアナログスイッチで
ある。
Also, MOSFETs 506 (1) to 506
(K) is k MOSFETs having different ON resistances and connected in parallel with each other. Also, MOS
In the FETs 506 (1) to 506 (k), the column voltage VDL is input to the sources connected to each other, and the output voltage of the decoder circuit 504 is input as the gate voltage. That is, MOSFET 506
(1) to 506 (k) are analog switches for outputting the column voltage VDL from the drains connected to each other.

【0095】また、これらMOSFET506(1)〜
506(k)には、バックゲート電圧として、BGB電
圧生成回路103から出力されるBGバイアスVRDL
(VSS1≦VDL≦VRDL)が入力されている。
The MOSFETs 506 (1) to 506 (1) to
506 (k) includes a BG bias VRDL output from the BGB voltage generation circuit 103 as a back gate voltage.
(VSS1 ≦ VDL ≦ VRDL) is input.

【0096】また、BGB電圧生成回路103で生成さ
れたBGバイアスVRDH・VRDLは、列電極駆動I
C501に設けられたBGバイアス用の入力端子から入
力され、各列電極駆動素子601に分配されるようにな
っている。
The BG bias VRDH / VRDL generated by the BGB voltage generation circuit 103 is applied to the column electrode drive I
Input is made from an input terminal for BG bias provided in C501 and distributed to each column electrode drive element 601.

【0097】一方、図13は、行電極駆動IC502の
全体的な構成を示す説明図である。この図に示すよう
に、行電極駆動IC502は、各列電極に応じて、複数
の行電極駆動素子602を備えている。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing the overall configuration of the row electrode driving IC 502. As shown in this figure, the row electrode drive IC 502 includes a plurality of row electrode drive elements 602 corresponding to each column electrode.

【0098】図14は、この行電極駆動素子602の構
成を示す説明図である。この図に示すように、行電極駆
動素子602は、行電極駆動素子202(図5参照)と
同様に、シフトレジスター401,レベルシフター40
2,MOSFET406・407,インバーター408
を備えている。
FIG. 14 is an explanatory diagram showing the configuration of the row electrode driving element 602. As shown in this figure, the row electrode drive element 602 includes a shift register 401 and a level shifter 40, similarly to the row electrode drive element 202 (see FIG. 5).
2, MOSFET 406/407, inverter 408
It has.

【0099】また、この行電極駆動素子602は、行電
極駆動素子202におけるデコーダ回路403,MOS
FET404・405に代えて、デコーダ回路603,
MOSFET604(1)〜604(k)・605
(1)〜605(k)を備えている。
The row electrode driving element 602 includes the decoder circuit 403 and the MOS
Instead of the FETs 404 and 405, a decoder circuit 603,
MOSFET 604 (1) to 604 (k) · 605
(1) to (605) are provided.

【0100】デコーダ回路603は、MOSFET60
4(1)〜604(k),MOSFET605(1)〜
605(k),MOSFET406・407のON/O
FFを制御するためのゲート電圧(ゲート信号;振幅値
はVEE2あるいはVSS2)を出力するものである。
The decoder circuit 603 includes a MOSFET 60
4 (1) to 604 (k), MOSFET 605 (1) to
605 (k), ON / O of MOSFET 406/407
The gate voltage (gate signal; amplitude value is VEE2 or VSS2) for controlling the FF is output.

【0101】そして、行電極駆動素子602では、デコ
ーダ回路603が、自身の属する行電極駆動素子602
の駆動する行電極が選択行であるか否かに応じて、これ
らMOSFETのいずれかをONするようになってい
る。すなわち、デコーダ回路603が、MOSFET6
04(1)〜604(k)のいずれか(単数あるいは複
数),MOSFET605(1)〜605(k)(単数
あるいは複数),MOSFET406、あるいはMOS
FET407をONするようになっている。これによ
り、選択電圧VRH・VRLあるいは非選択電圧VCM
のいずれかが、出力端子VOUTに出力されるようにな
っている。
Then, in the row electrode driving element 602, the decoder circuit 603 converts the row electrode driving element 602 to which the decoder circuit 603 belongs.
Is turned on depending on whether or not the row electrode to be driven is the selected row. That is, the decoder circuit 603 includes the MOSFET 6
04 (1) to 604 (k) (single or plural), MOSFETs 605 (1) to 605 (k) (single or plural), MOSFET 406, or MOS
The FET 407 is turned on. Thereby, the selection voltage VRH · VRL or the non-selection voltage VCM
Is output to the output terminal VOUT.

【0102】MOSFET604(1)〜604(k)
は、それぞれ異なるON抵抗を有し、互いに並列に接続
されたk個のMOSFETである。また、MOSFET
604(1)〜604(k)では、互いに接続されたソ
ースに対して行電圧VRHが入力されているとともに、
デコーダ回路603の出力電圧が、ゲート電圧として入
力されている。すなわち、MOSFET604(1)〜
604(k)は、互いに接続されたドレインから、行電
圧VRHを出力するためのアナログスイッチである。
MOSFETs 604 (1) to 604 (k)
Are k MOSFETs having different ON resistances and connected in parallel with each other. Also, MOSFET
In 604 (1) to 604 (k), the row voltage VRH is input to the sources connected to each other, and
The output voltage of the decoder circuit 603 is input as a gate voltage. That is, MOSFET 604 (1)-
604 (k) is an analog switch for outputting the row voltage VRH from the drains connected to each other.

【0103】また、これらMOSFET604(1)〜
604(k)には、バックゲート電圧として、BGB電
圧生成回路103から出力されるBGバイアスVRRH
(VRH≦VRRH≦VEE2)が入力されている。
Further, these MOSFETs 604 (1) to
604 (k) includes a BG bias VRRH output from the BGB voltage generation circuit 103 as a back gate voltage.
(VRH ≦ VRRH ≦ VEE2) is input.

【0104】MOSFET605(1)〜605(k)
は、それぞれ異なるON抵抗を有し、互いに並列に接続
されたk個のMOSFETである。また、MOSFET
605(1)〜605(k)では、互いに接続されたソ
ースに対して行電圧VRLが入力されているとともに、
デコーダ回路603の出力電圧が、ゲート電圧として入
力されている。すなわち、MOSFET605(1)〜
605(k)は、互いに接続されたドレインから、行電
圧VRLを出力するためのスイッチである。
MOSFETs 605 (1) to 605 (k)
Are k MOSFETs having different ON resistances and connected in parallel with each other. Also, MOSFET
In 605 (1) to 605 (k), the row voltage VRL is input to the sources connected to each other, and
The output voltage of the decoder circuit 603 is input as a gate voltage. That is, the MOSFETs 605 (1) to
605 (k) is a switch for outputting the row voltage VRL from the drains connected to each other.

【0105】また、これらMOSFET605(1)〜
605(k)には、バックゲート電圧として、BGB電
圧生成回路103から出力されるBGバイアスVRRL
(VSS2≦VRRL≦VRL)が入力されている。
In addition, these MOSFETs 605 (1) to
605 (k) includes a BG bias VRRL output from the BGB voltage generation circuit 103 as a back gate voltage.
(VSS2 ≦ VRRL ≦ VRL).

【0106】また、BGB電圧生成回路103で生成さ
れたBGバイアスVRRH・VRRLは、行電極駆動I
C502に設けられたBGバイアス用の入力端子から入
力され、各行電極駆動素子602に分配されるようにな
っている。
The BG bias VRRH / VRRL generated by the BGB voltage generation circuit 103 is applied to the row electrode drive I
Input is made from an input terminal for BG bias provided in C502 and distributed to each row electrode drive element 602.

【0107】このような構成を有する本表示装置では、
列電極駆動IC501の各列電極駆動素子601におい
て、MOSFET505(1)〜505(k),MOS
FET506(1)〜506(k)に対するゲート電圧
を制御することによって、各MOSFETのON・OF
Fを個別に制御できる。
In the present display device having such a configuration,
In each column electrode driving element 601 of the column electrode driving IC 501, MOSFETs 505 (1) to 505 (k),
By controlling the gate voltages to the FETs 506 (1) to 506 (k), the ON / OF of each MOSFET is controlled.
F can be controlled individually.

【0108】従って、ONとするMOSFETの組み合
わせにより、MOSFET505(1)〜505(k)
の合成抵抗、および、MOSFET506(1)〜50
6(k)の合成抵抗を所望の値に調整できる。
Therefore, the MOSFETs 505 (1) to 505 (k) are determined by the combination of the MOSFETs to be turned on.
And the MOSFETs 506 (1) to 506 (50)
The combined resistance of 6 (k) can be adjusted to a desired value.

【0109】ここで、図15は、本表示装置における一
本の列電極の等価回路を示す説明図である。そして、k
個のMOSFETの組み合わせによる合成抵抗(合成イ
ンピーダンス)rONは、以下の(7)式によって表現で
きる。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of one column electrode in the present display device. And k
The combined resistance (combined impedance) r ON by the combination of the MOSFETs can be expressed by the following equation (7).

【0110】[0110]

【数5】 (Equation 5)

【0111】また、図16は、図15に示した等価回路
における3つのMOSFETのON抵抗rON(1)〜r
ON(3)およびこれらの合成抵抗rONと、BGバイアス
値(VB )との関係を示すグラフである。このグラフに
示すように、MOSFETのON抵抗は、他のMOSF
ETのON抵抗と合成することによって、著しく減少さ
せられる。例えば、930Ω,840Ω,770ΩのO
N抵抗を有する3つのMOSFETを用い、これらのう
ちの2つをONとする場合、440Ω,420Ω,40
0Ωのいずれかの合成抵抗を得られる。
FIG. 16 shows ON resistances r ON (1) to r ON of the three MOSFETs in the equivalent circuit shown in FIG.
6 is a graph showing a relationship between ON (3) and the combined resistance r ON and a BG bias value (V B ). As shown in this graph, the ON resistance of the MOSFET is
It is significantly reduced by combining with the ET ON resistance. For example, 930Ω, 840Ω, 770Ω O
When using three MOSFETs having N resistance and turning on two of them, 440Ω, 420Ω, 40Ω
Any combined resistance of 0Ω can be obtained.

【0112】そして、本表示装置では、表示位置検出回
路102によって表示位置(選択される行電極の位置)
を検知するとともに、この表示位置と列電極駆動IC5
01との距離に応じて、MOSFET505(1)〜5
05(k)あるいはMOSFET506(1)〜506
(k)の合成抵抗を変化させるようになっている。さら
に、その後、MOSFET505(1)〜505(k)
あるいはMOSFET506(1)〜506(k)に印
加するBGバイアス値を変化させることで、列電圧の値
を変化させるようになっている。
In the present display device, the display position (the position of the selected row electrode) is displayed by the display position detection circuit 102.
And the display position and the column electrode driving IC 5
01, 505 (1) -5
05 (k) or MOSFETs 506 (1) to 506
The composite resistance of (k) is changed. Further, thereafter, MOSFETs 505 (1) to 505 (k)
Alternatively, the value of the column voltage is changed by changing the BG bias value applied to the MOSFETs 506 (1) to 506 (k).

【0113】すなわち、本表示装置では、ONとするM
OSFET505(1)〜505(k)・MOSFET
506(1)〜506(k)の組み合わせを変えること
によって、MOSFETの合成抵抗をデジタル的に(大
幅に)変化させるようになっている。そして、さらに、
本表示装置では、実施の形態1に示した表示装置と同様
に、MOSFET505(1)〜505(k)・MOS
FET506(1)〜506(k)に印加するBGバイ
アス値を変えることによって、MOSFETの合成抵抗
をアナログ的に(微小に)変化させるように設定されて
いる。従って、より大幅かつ詳細なON抵抗の制御が可
能となる。
That is, in the present display device, M
OSFET505 (1) -505 (k) · MOSFET
By changing the combination of 506 (1) to 506 (k), the combined resistance of the MOSFET is digitally (significantly) changed. And then,
In this display device, similar to the display device described in Embodiment 1, MOSFETs 505 (1) to 505 (k) .MOS
By changing the BG bias value applied to the FETs 506 (1) to 506 (k), the composite resistance of the MOSFET is set to be changed (smallly) in an analog manner. Therefore, more extensive and detailed control of the ON resistance can be performed.

【0114】これにより、本表示装置では、列電極駆動
IC501から離れた表示位置に印加される実効電圧値
の低下を、より広範囲に抑制できる。従って、液晶パネ
ル107を高精細化・大型化しても、クロストークによ
る画質劣化を防止できるようになっている。
As a result, in the present display device, a decrease in the effective voltage applied to the display position distant from the column electrode driving IC 501 can be suppressed in a wider range. Therefore, even if the liquid crystal panel 107 is increased in definition and size, deterioration in image quality due to crosstalk can be prevented.

【0115】すなわち、液晶パネル107の高精細化・
大型化を図ると、負荷容量や配線抵抗が増加し、電圧降
下が顕著となる。従って、1つのMOSFETにおける
ON抵抗(出力インピーダンス)のみを変化させるだけ
では、実効電圧値の低下を抑制することが困難となる。
そこで、本表示装置では、表示位置が列電極駆動IC5
01から離れている場合、合成のON抵抗が低くなるよ
うにMOSFET505(1)〜505(k)・MOS
FET506(1)〜506(k)を組み合わせ、その
後、BGバイアス値の変化による微調整を行うようにな
っている。
In other words, the liquid crystal panel 107 has a higher definition.
When the size is increased, the load capacitance and the wiring resistance increase, and the voltage drop becomes remarkable. Therefore, it is difficult to suppress a decrease in the effective voltage value only by changing only the ON resistance (output impedance) of one MOSFET.
Therefore, in the present display device, the display position is set to the column electrode driving IC5.
01, the MOSFETs 505 (1) to 505 (k) .MOS so that the combined ON resistance is low.
The FETs 506 (1) to 506 (k) are combined, and then fine adjustment is performed by changing the BG bias value.

【0116】ここで、表示位置での列電圧における実効
電圧値が低下しすぎると、クロストーク(画素が、隣接
画素の影響を受けること)により画像劣化の生じる原因
について説明する。
Here, a description will be given of the cause of image degradation due to crosstalk (pixels are affected by adjacent pixels) when the effective voltage value of the column voltage at the display position is too low.

【0117】N行×M列のマトリクスを有する液晶表示
装置では、i行j列における画素U ijの実効電圧値<E
ij>を、以下の(8)式によって表現できる。なお、こ
の式は、『Nehring,J and Kmetz,A., 「Ultimate Limit
s for Matrix Addressing ofRMS-Responding Liquid-Cr
ystal Display 」』、『A.R.Conner, T.J.Scheffer.,
「Pulse-Hight Modulation(PHM) Gray Shading Methods
for Passive Matrix LCDs」』等の文献より導出され
る。なお、この式におけるIijは、画素Uijにおける情
報(画素情報;表示データ)を示している。
Liquid crystal display having a matrix of N rows × M columns
In the device, the pixel U at the i row and the j column ijEffective voltage <E
ij> Can be expressed by the following equation (8). In addition, this
The formula of "Nehring, J and Kmetz, A.," Ultimate Limit
s for Matrix Addressing ofRMS-Responding Liquid-Cr
ystal Display ''), `` A.R.Conner, T.J.Scheffer.,
`` Pulse-Hight Modulation (PHM) Gray Shading Methods
 for Passive Matrix LCDs "
You. Note that I in this equationijIs the pixel UijInformation in
(Information (pixel information; display data)).

【0118】[0118]

【数6】 (Equation 6)

【0119】この(9)式は、同じj列上の他の画素に
おける表示パターンに依存せず、他の画素の実効電圧値
に影響を与えないことを意味している。
The equation (9) means that the effective voltage value of the other pixel is not affected without depending on the display pattern of the other pixel on the same j-th column.

【0120】一方、波形に鈍りが生じると、−1<Iij
<1となる。従って、(8)式中におけるAが1となら
ずに常に残り、任意の画素Uijにおける実効電圧値は、
他の画素における情報の影響を受けることになる。すな
わち、クロストークにより、各画素に印加される実効電
圧値が基本原理から外れることとなり、画質劣化が生じ
る。
On the other hand, if the waveform becomes dull, -1 <I ij
<1. Therefore, A in equation (8) always remains instead of 1 and the effective voltage value at any pixel U ij is:
It will be affected by information in other pixels. That is, due to the crosstalk, the effective voltage value applied to each pixel deviates from the basic principle, and image quality deteriorates.

【0121】例えば、波形の鈍りによって、本来であれ
ばONとなるべき画素に対して、(9)式に示すような
ONを実現する実効電圧値でなく、他の画素情報の影響
を受けた電圧値を印加してしまい、シャドーイングの原
因となる。また、液晶表示装置が大画面・高精細なもの
である場合、行電極および列電極の電極抵抗(電気抵
抗)、液晶等の負荷容量が増大する。このため、行電極
波形および列電極波形に鈍りや誘導による歪みが生じ
て、上記のようなクロストークの起こる可能性が高くな
る。
For example, due to the blunted waveform, the pixel which should be turned ON is affected not by the effective voltage value for realizing ON as shown in the equation (9) but by other pixel information. Applying a voltage value may cause shadowing. Further, when the liquid crystal display device has a large screen and high definition, the electrode resistance (electrical resistance) of the row electrode and the column electrode and the load capacitance of the liquid crystal and the like increase. For this reason, the row electrode waveform and the column electrode waveform become dull or distorted due to induction, and the possibility of occurrence of the above-described crosstalk increases.

【0122】また、実施の形態1・2では、列電極駆動
IC(および行電極駆動IC)のMOSFETに印加す
るBGバイアス値を変動させることで、出力電圧を変化
させるようになっている。これに対し、例えば、列電極
駆動ICあるいは行電極駆動ICにおける一方のソース
電圧を変動させる方法では、行電圧と列電圧との比であ
るバイアス比を変動させ、コントラスト(画像の濃淡)
の低下を招来してしまうため、好ましくない。また、列
電極駆動ICおよび行電極駆動ICにおける双方のソー
ス電圧を変動させる方法では、バイアス比は保てるもの
の、上記と同様に、コントラストの低下を招いてしま
う。
In the first and second embodiments, the output voltage is changed by changing the BG bias value applied to the MOSFET of the column electrode driving IC (and the row electrode driving IC). On the other hand, for example, in a method of changing one source voltage in a column electrode driving IC or a row electrode driving IC, a bias ratio, which is a ratio between a row voltage and a column voltage, is changed so that contrast (shading of an image)
Is undesirably caused. Further, in the method of changing both the source voltages of the column electrode drive IC and the row electrode drive IC, the bias ratio can be maintained, but the contrast is reduced as described above.

【0123】また、実施の形態1・2では、BGバイア
ス値が、VRH≦VRRH≦VEE2,VSS2≦VR
RL≦VRL、VRDH≦VDH≦VEE1、VSS1
≦VDL≦VRDLの範囲にあるとしている。しかしな
がら、これに限らず、BGバイアス値は、液晶表示装置
を製造するプロセスにおける耐圧の範囲内(VEE2−
VSS2間)であれば、どのような値にも設定できる。
In the first and second embodiments, the BG bias value is set to VRH ≦ VRRH ≦ VEE2, VSS2 ≦ VR
RL ≦ VRL, VRDH ≦ VDH ≦ VEE1, VSS1
≤ VDL ≤ VRDL. However, the present invention is not limited to this, and the BG bias value is within the range of the withstand voltage in the process of manufacturing the liquid crystal display device (VEE2-
(Between VSS2), any value can be set.

【0124】また、実施の形態1に示した液晶表示装置
に、装置の動作を制御するための制御部を設けるように
してもよい。そして、この制御部から、クロック信号,
表示データ,直同期信号YD・水平同期信号LP等の制
御信号を出力させるようにしてもよい。
Further, the liquid crystal display device described in Embodiment Mode 1 may be provided with a control unit for controlling the operation of the device. Then, from this control unit, a clock signal,
Control signals such as display data, a direct synchronizing signal YD and a horizontal synchronizing signal LP may be output.

【0125】また、実施の形態1・2では、行電極駆動
ICおよび列電圧駆動ICが、アナログスイッチとして
のMOSFETを備えているとしている。しかしなが
ら、行・列電極駆動ICに備えるアナログスイッチは、
MOSFETに限らず、BGバイアス値の変動によって
ON抵抗を変化させられるものであれば、どのようなス
イッチを用いてもよい。
In the first and second embodiments, the row electrode driving IC and the column voltage driving IC have MOSFETs as analog switches. However, the analog switch provided in the row / column electrode driving IC is
The switch is not limited to the MOSFET, and any switch may be used as long as the ON resistance can be changed by a change in the BG bias value.

【0126】また、実施の形態1・2では、本発明の液
晶表示装置を単体で示しているが、この表示装置は、携
帯電話や電子手帳等の携帯情報機器に対して好適に応用
できる。
In Embodiments 1 and 2, the liquid crystal display device of the present invention is shown as a single unit. However, this display device can be suitably applied to portable information devices such as a mobile phone and an electronic organizer.

【0127】図17は、実施の形態1に示した液晶表示
装置を備えた携帯情報機器の例を示す説明図である。こ
の図に示すように、この情報機器は、図1に示した液晶
表示装置における電源回路101,列電極駆動IC10
5および行電極駆動IC106,液晶パネル107に加
えて、これらを制御するためのCPU410を備えてい
る。このような構成とすることで、表示品位の高い携帯
型の情報機器を作成できる。
FIG. 17 is an explanatory diagram showing an example of a portable information device provided with the liquid crystal display device shown in the first embodiment. As shown in this figure, this information device is a power supply circuit 101 and a column electrode driving IC 10 in the liquid crystal display device shown in FIG.
5 and a row electrode drive IC 106, a liquid crystal panel 107, and a CPU 410 for controlling these components. With this configuration, a portable information device with high display quality can be created.

【0128】なお、この情報機器が携帯電話である場
合、CPU410に、液晶パネル107の表示範囲を限
定する(液晶パネル107における特定エリアだけを使
用して表示を行わせる)機能を持たせることが好まし
い。これにより、情報機器の低電力化を図れる。
When the information device is a mobile phone, CPU 410 may have a function of limiting the display range of liquid crystal panel 107 (displaying using only a specific area of liquid crystal panel 107). preferable. Thus, the power consumption of the information device can be reduced.

【0129】なお、この場合、CPU410は、液晶パ
ネル107の表示を、全面表示から特定エリア表示(部
分表示)に変更することとなる。このため、液晶パネル
107のデューティ比が変わる。
In this case, the CPU 410 changes the display on the liquid crystal panel 107 from the entire display to the specific area display (partial display). Therefore, the duty ratio of the liquid crystal panel 107 changes.

【0130】従って、CPU410は、変更後のデュー
ティ比に応じて、駆動電圧・バイアス比を、電圧平均化
法(工業調査会出版「液晶の最新技術」P106記載,
日刊工業「液晶ディスプレイ入門」)に合わせて設定す
ることが好ましい。すなわち、CPU410は、全画面
表示から特定エリア表示に表示領域を限定したとき、特
定エリア表示のデューティ比に応じて、駆動電圧・バイ
アス比を変更することが好ましい。
Therefore, the CPU 410 adjusts the drive voltage / bias ratio according to the duty ratio after the change by the voltage averaging method (described in “Latest Liquid Crystal Technology” published by the Industrial Research Institute, page 106,
It is preferable to set in accordance with Nikkan Kogyo “Introduction to liquid crystal displays”). That is, when the display area is limited from the full-screen display to the specific area display, the CPU 410 preferably changes the drive voltage / bias ratio according to the duty ratio of the specific area display.

【0131】なお、この場合、CPU410は、この変
更の命令を、電源回路101内の電圧生成回路104に
与える。これにより、電圧生成回路104が、列電極駆
動IC105および行電極駆動IC106に供給する電
圧値・バイアス値を変更するようになる。
In this case, CPU 410 gives this change instruction to voltage generation circuit 104 in power supply circuit 101. As a result, the voltage generation circuit 104 changes the voltage value / bias value supplied to the column electrode driving IC 105 and the row electrode driving IC 106.

【0132】また、部分表示の行われる場合、液晶パネ
ル107では、端部の行電極からではなく、表示範囲に
応じた任意の行電極から表示が開始される。このため、
CPU410は、行電極駆動IC106に対し、表示の
開始位置となる行電極を示す情報を供給する。
When partial display is performed, display on liquid crystal panel 107 is started not from the end row electrode but from an arbitrary row electrode corresponding to the display range. For this reason,
The CPU 410 supplies the row electrode drive IC 106 with information indicating a row electrode that is a display start position.

【0133】また、部分表示においても、表示位置検出
回路102は、垂直同期信号YDおよび水平同期信号L
Pによって表示位置の検出を行う。そして、検出した表
示位置のデータを、BGB電圧生成回路103に与え
る。その後、BGB電圧生成回路103において生成さ
れたBGバイアスは、列電極駆動IC105および行電
極駆動IC106に供給される。また、BGB電圧生成
回路103は、部分表示においても、列電極駆動IC1
05と表示位置との距離の増加に応じて、BGバイアス
値を増加させるように設定されている。
Also, in the partial display, the display position detecting circuit 102 outputs the vertical synchronizing signal YD and the horizontal synchronizing signal L.
The display position is detected by P. Then, data of the detected display position is provided to the BGB voltage generation circuit 103. Thereafter, the BG bias generated in the BGB voltage generation circuit 103 is supplied to the column electrode driving IC 105 and the row electrode driving IC 106. In addition, the BGB voltage generation circuit 103 also controls the column electrode driving IC 1 in the partial display.
The BG bias value is set so as to increase as the distance between the display position 05 and the display position increases.

【0134】また、図18は、実施の形態1に示した液
晶表示装置をパーソナルコンピューター(パソコン)に
応用した例を示す説明図である。この図に示すパソコン
は、パソコン本体と、本表示装置(液晶表示装置)とか
ら構成されている。そして、パソコン本体内には、CP
U701および表示コントローラ702が設けられてい
るとともに、本表示装置内に、ASIC(Application
Specific IntegratedCircuit )703が配されてい
る。
FIG. 18 is an explanatory diagram showing an example in which the liquid crystal display device described in Embodiment 1 is applied to a personal computer (personal computer). The personal computer shown in this figure is composed of a personal computer main body and the present display device (liquid crystal display device). And, in the PC body, CP
U701 and a display controller 702 are provided, and an ASIC (Application
Specific Integrated Circuit) 703 is provided.

【0135】表示コントローラ702は、CPU701
の指示により、表示の解像度に応じて、表示データおよ
びタイミング信号を発生するコントローラである。AS
IC703は、表示コントローラ702から与えられる
タイミング信号に基づいて、クロック信号,垂直同期信
号YDおよび水平同期信号LPを生成するICである。
The display controller 702 includes a CPU 701
Is a controller that generates display data and a timing signal in accordance with the display resolution in accordance with the instruction. AS
The IC 703 is an IC that generates a clock signal, a vertical synchronization signal YD, and a horizontal synchronization signal LP based on a timing signal provided from the display controller 702.

【0136】表示位置検出回路102は、ASIC70
3から垂直同期信号YD・水平同期信号LPを受け、こ
れらに基づいて表示位置を検出する。そして、検出した
表示位置のデータを、BGB電圧生成回路103に与え
る。BGB電圧生成回路103は、表示位置に応じたB
Gバイアスを生成し、列電極駆動IC105および行電
極駆動IC106に供給する。
The display position detection circuit 102 is an ASIC 70
3 receives the vertical synchronizing signal YD and the horizontal synchronizing signal LP, and detects the display position based on these signals. Then, data of the detected display position is provided to the BGB voltage generation circuit 103. The BGB voltage generation circuit 103 outputs a B signal corresponding to the display position.
A G bias is generated and supplied to the column electrode driving IC 105 and the row electrode driving IC.

【0137】なお、表示位置検出回路102をASIC
703内に取り込んで、これら表示位置検出回路102
とASIC703とを同一の部材として構成してもよ
い。この構成では、ASIC703が表示位置を検出
し、表示位置を示すデータをBGB電圧生成回路103
に供給するようになる。
The display position detecting circuit 102 is an ASIC.
The display position detection circuit 102
And the ASIC 703 may be configured as the same member. In this configuration, the ASIC 703 detects the display position and outputs data indicating the display position to the BGB voltage generation circuit 103.
Will be supplied.

【0138】また、本発明の液晶表示装置を、格子状に
配列された行電極と列電極との交点を画素として用いる
液晶パネルを備え、列電極に印加する列電圧を制御しな
がら、表示電圧を印加する行電極を走査することで画像
表示を行う液晶表示装置において、列電極の入力端に列
電圧を印加する列電圧印加部と、表示電圧の印加されて
いる行電極の位置である表示位置を検出する表示位置検
出部と、列電極の入力端と表示位置との間における距離
の増加に応じて、列電圧印加部の出力する列電圧を上昇
させる電圧制御部とを備えている構成である、と表現す
ることもできる。
Further, the liquid crystal display device of the present invention is provided with a liquid crystal panel that uses, as pixels, intersections of row electrodes and column electrodes arranged in a grid, and controls the display voltage while controlling the column voltage applied to the column electrodes. In a liquid crystal display device that performs image display by scanning a row electrode to which a column voltage is applied, a column voltage application unit that applies a column voltage to an input terminal of the column electrode, and a display that is a position of the row electrode to which a display voltage is applied A configuration comprising: a display position detection unit that detects a position; and a voltage control unit that increases a column voltage output from a column voltage application unit according to an increase in a distance between an input end of a column electrode and a display position. It can also be expressed as

【0139】また、本発明は、液晶表示装置だけでな
く、列電圧と行電圧とで表示を行うタイプの表示装置で
あれば、他の表示装置(EL(エレクトロルミネッセン
ス),LED(発光ダイオード)等を画素として用いる
表示装置)にも応用できるものである。
The present invention can be applied not only to a liquid crystal display device but also to other display devices (EL (electroluminescence), LED (light emitting diode)) as long as the display device performs display with a column voltage and a row voltage. And the like as a pixel).

【0140】また、本発明は、各種AV機器、OA機器
やゲーム機器等の広範囲に適用可能なマトリクス型表示
装置とマトリクス型表示装置の液晶駆動ICとに関する
ものであるといえる。また、マトリクス型表示装置とし
て代表的なマトリクス型液晶表示装置では、その表示部
は電極を有する2枚の電極基板で液晶を狭持した液晶パ
ネルで構成されており、該液晶パネルへの行電圧および
列電圧印加により液晶の光学特性を変化させて表示を行
わせる。さらに、マトリクス型液晶表示装置は、駆動電
圧を制御するための能動素子を各画素に具備しているア
クティブマトリクス型と、具備していない単純マトリク
ス型とに大別できる。
The present invention also relates to a matrix type display device applicable to a wide range of various AV devices, OA devices, game devices, and the like, and a liquid crystal drive IC of the matrix type display device. Further, in a typical matrix type liquid crystal display device as a matrix type display device, the display portion is constituted by a liquid crystal panel in which liquid crystal is sandwiched between two electrode substrates having electrodes, and a row voltage to the liquid crystal panel is applied. The display is performed by changing the optical characteristics of the liquid crystal by applying a column voltage. Further, the matrix type liquid crystal display device can be roughly classified into an active matrix type in which an active element for controlling a driving voltage is provided in each pixel, and a simple matrix type in which an active element is not provided.

【0141】また、単純マトリクス型液晶表示装置の原
理は、通常、電圧平均化法などで駆動される。さらに、
電圧平均化法や複数同時選択駆動法は、単位行列やウォ
ルッシュ行列などの直交行列で表される行電圧波形によ
って、該直交行列を用いて直交変換された情報で表され
る列電圧波形を液晶パネル上で表示情報へ逆変換し、表
示を得ることである。また、この基本原理では、該直交
行列の行列要素が0に相当する非選択行の各画素には表
示情報によらず一定の実効電圧が印加され、非選択行以
外の選択行の各画素には表示情報に基づいた実効電圧が
印加される。
The principle of a simple matrix type liquid crystal display device is usually driven by a voltage averaging method or the like. further,
The voltage averaging method and the multiple simultaneous selection driving method use a row voltage waveform represented by an orthogonal matrix such as a unit matrix or a Walsh matrix to display a column voltage waveform represented by information orthogonally transformed using the orthogonal matrix. Inverse conversion to display information on the panel to obtain the display. Further, according to this basic principle, a constant effective voltage is applied to each pixel of a non-selected row in which the matrix element of the orthogonal matrix is equal to 0, regardless of display information, and each pixel of a selected row other than the non-selected row is applied. Is applied with an effective voltage based on display information.

【0142】また、従来の単純マトリクス型液晶表示装
置では、行電極駆動ICおよび列電極ICにおける出力
インピーダンス、行電極および列電極の電極抵抗、液晶
などの負荷容量に起因して、行電圧波形および列電圧波
形に鈍りや誘導による歪が生じる。このため、各画素に
印加される実効電圧は基本原理から外れることになり、
クロストークとなって表示に現れる。このクロストーク
は、大画面や高精細が進むにつれて、より顕著となる。
In the conventional simple matrix type liquid crystal display device, the output voltage of the row electrode driving IC and the column electrode IC, the electrode resistance of the row electrode and the column electrode, the load capacitance of the liquid crystal, etc. Dull or induced distortion occurs in the column voltage waveform. For this reason, the effective voltage applied to each pixel deviates from the basic principle,
It appears on the display as crosstalk. This crosstalk becomes more remarkable as a large screen and high definition progress.

【0143】また、本発明の目的は、行電極駆動ICお
よび列電極ICにおける出力インピーダンスによる行電
圧波形および列電圧波形に鈍りや誘導による歪を軽減
し、各画素に印加される実効電圧が基本原理から外れる
ことによるクロストークを軽減することにあるといえ
る。また、列電極駆動ICから離れることによる表示の
濃淡(グラデーション)を軽減することを目的とすると
もいえる。
It is another object of the present invention to reduce distortion due to dullness or induction in row and column voltage waveforms due to output impedance in a row electrode driving IC and a column electrode IC, and to set an effective voltage applied to each pixel to a basic value. It can be said that the purpose is to reduce crosstalk due to deviation from the principle. It can also be said that the object is to reduce the density of display (gradation) due to separation from the column electrode driving IC.

【0144】また、図1に示した構成と図19に示した
従来技術との違いは、BGB電圧生成回路103および
表示位置検出回路102を、電圧生成回路104と組み
合わせ、電源回路101を構成している点であるといえ
る。
The difference between the configuration shown in FIG. 1 and the prior art shown in FIG. 19 is that the power supply circuit 101 is constructed by combining the BGB voltage generation circuit 103 and the display position detection circuit 102 with the voltage generation circuit 104. It can be said that it is.

【0145】電源回路101は、行電極を駆動する行電
圧および列電極を駆動する列電圧を生成する電圧生成回
路104と、列電極に列電圧を印加する列電極駆動IC
105および行電極に行電圧を印加する行電極駆動IC
l06の列電極駆動ICl05および行電極駆動IC1
06のバックゲートバイアスを制御するBGB電圧生成
回路103と表示の位置検出を行う表示位置検出回路1
02とを備えた電源回路である。また、列電極駆動IC
105および行電極駆動IC106は、行電極および列
電極から構成される液晶パネル107に接続されてい
る。表示位置検出回路102は、垂直同期信号YDと水
平同期信号LPより、位置を検出しBGB電圧生成回路
103に接続され、BGバイアスが設定され、列電極駆
動IC105および行電極駆動IC106に接続されて
いる。
The power supply circuit 101 includes a voltage generation circuit 104 for generating a row voltage for driving a row electrode and a column voltage for driving a column electrode, and a column electrode driving IC for applying a column voltage to a column electrode.
105 and row electrode drive IC for applying row voltage to row electrodes
106 column electrode drive ICl05 and row electrode drive IC1
BGB voltage generation circuit 103 for controlling the back gate bias 06 and a display position detection circuit 1 for detecting a display position
02. Also, a column electrode drive IC
The 105 and the row electrode driving IC 106 are connected to a liquid crystal panel 107 including a row electrode and a column electrode. The display position detecting circuit 102 detects a position based on the vertical synchronizing signal YD and the horizontal synchronizing signal LP, is connected to the BGB voltage generating circuit 103, sets a BG bias, and is connected to the column electrode driving IC 105 and the row electrode driving IC 106. I have.

【0146】また、データラッチ回路301およびライ
ンラッチ回路302は、1水平走査期間の表示データを
保持し、レベルシフター303で電源レベルをロジック
電圧(ロジック電源)VDDから液晶駆動電源VEE1
へ切替えるものである。
The data latch circuit 301 and the line latch circuit 302 hold display data for one horizontal scanning period, and the level shifter 303 changes the power supply level from the logic voltage (logic power supply) VDD to the liquid crystal drive power supply VEE1.
To switch to

【0147】また、デコーダ回路304は、保持された
表示データに応じて、MOSFET305〜308がO
NかOFFかのゲート電位を出力し、アナログスイッチ
であるMOSFET305,306および307,30
8と309で構成されるアナログスイッチのうち1つを
ONさせて出力端子VOUTに出力電位レベルVDH,
VDL,VCレベルのいずれか1つが出力されるともい
える。
In the decoder circuit 304, the MOSFETs 305 to 308 are turned off according to the display data held.
The gate potential of N or OFF is output, and MOSFETs 305, 306 and 307, 30 which are analog switches are output.
8 and 309, one of the analog switches is turned on, and the output potential level VDH,
It can also be said that one of the VDL and VC levels is output.

【0148】また、シフトレジスター401は、垂直同
期信号YDを水平同期信号LPで順次シフトさせ、レベ
ルシフター402で電源レベルをロジック電源VDDか
ら液晶駆動電源VEE2に切替え、ロジック系接地電位
から液晶駆動電源VSS2に切替え、デコーダ回路40
3が選択か非選択かに応じて、MOSFET404〜4
07にONかOFFかのゲート電位を出力し、アナログ
スイッチ404,405および406,407と408
で構成されるアナログスイッチのうち1つをONさせ出
力電圧値VRH,VRL,VCMのいずれかに選択され
るようになっていてもよい。
The shift register 401 sequentially shifts the vertical synchronizing signal YD by the horizontal synchronizing signal LP, switches the power supply level from the logic power supply VDD to the liquid crystal driving power supply VEE2 by the level shifter 402, and changes the power supply level from the logic system ground potential to the liquid crystal driving power supply. Switching to VSS2, decoder circuit 40
MOSFETs 404 to 4 depending on whether 3 is selected or not selected.
A gate potential of ON or OFF is output to the analog switch 07, and the analog switches 404, 405 and 406, 407 and 408 are output.
May be turned on to select one of the output voltage values VRH, VRL, and VCM.

【0149】また、本表示装置では、列電極駆動IC1
05および行電極駆動IC106、それぞれ構成してい
るVDH,VDL出力用のMOSFETおよびVRH、
VRL出力用MOSFETのバックゲート電圧の与え方
が従来と異なっており、表示位置検出回路102から表
示される行(選択される行)を検出し、選択される行毎
(水平走査期間毎)や複数行おきにBGB電圧生成回路
103がBGバイアス値を設定し、列電極駆動IC10
5および行電極駆動IC106に供給されるといえる。
In this display device, the column electrode driving IC 1
05 and the row electrode drive IC 106, the VDH and VDL output MOSFETs and VRH,
The manner in which the back gate voltage is applied to the VRL output MOSFET is different from that in the related art. A row displayed by the display position detection circuit 102 (selected row) is detected, and each row selected (every horizontal scanning period) or The BGB voltage generation circuit 103 sets a BG bias value every other row, and the column electrode driving IC 10
5 and the row electrode drive IC 106.

【0150】また、デコーダ回路504は、データラッ
チ回路301およびラインラッチ回路302が保持した
データに応じて、MOSFET505(1)〜505
(k)・506(1)〜506(k)で構成するアナロ
グスイッチとMOSFET307、MOSFET30
8、インバーター309で構成されるアナログスイッチ
にONかOFFかのゲート電位を出力し、VDH,V
C,VDL出力用のアナログスイッチをONさせ、出力
電圧値を選択するものであるといえる。
The decoder circuit 504 operates according to the data held by the data latch circuit 301 and the line latch circuit 302, according to the MOSFETs 505 (1) to 505.
(K) The analog switch composed of 506 (1) to 506 (k) and MOSFET 307, MOSFET 30
8. The gate potential of ON or OFF is output to the analog switch composed of the inverter 309, and VDH, VDH
It can be said that the analog switch for C and VDL output is turned on to select the output voltage value.

【0151】また、実施の形態2に示した表示装置で
は、VDH出力用のアナログスイッチは、複数のON抵
抗の異なるMOSFETが並列に接続され、前記複数の
MOSFETのバックゲート電圧は、VRDH≦VDH
≦VEE1を満足するようにBGB電圧生成回路103
で生成され、列電極駆動IC501に設けられたBGバ
イアス電圧制御用の入力端子に接続され制御されてもよ
い。
In the display device according to the second embodiment, the analog switch for VDH output includes a plurality of MOSFETs having different ON resistances connected in parallel, and the back gate voltage of the plurality of MOSFETs is VRDH ≦ VDH.
BGB voltage generation circuit 103 to satisfy ≦ VEE1
And may be connected to and controlled by a BG bias voltage control input terminal provided in the column electrode driving IC 501.

【0152】同様に、VDL出力用のアナログスイッチ
は、複数のON抵抗の異なるMOSFETが並列に接続
され、前記複数のMOSFETのバックゲート電圧は、
VSS1≦VDL≦VRDLを満足するようにBGB電
圧生成回路103で生成され、列電極駆動IC501に
設けられたBGバイアス電圧制御用の入力端子に接続さ
れ制御されてもよい。
Similarly, in the analog switch for VDL output, a plurality of MOSFETs having different ON resistances are connected in parallel, and the back gate voltage of the plurality of MOSFETs is
It may be generated by the BGB voltage generation circuit 103 so as to satisfy VSS1 ≦ VDL ≦ VRDL, and may be connected to and controlled by an input terminal for BG bias voltage control provided in the column electrode driving IC 501.

【0153】また、シフトレジスター401は、垂直同
期信号YDを水平同期信号LPで順次シフトさせ、レベ
ルシフター402で電源レベルをロジック電源VDDか
ら液晶駆動電源VEE2に切替え、ロジック系接地電位
から液晶駆動電源VSS2に切替え、デコーダ回路60
3が選択か非選択かに応じて、MOSFET604
(1)〜604(k)、MOSFET605(1)〜6
05(k)のアナログスイッチとMOSFET406、
MOSFET407、インバーター408で構成される
アナログスイッチにONかOFFかのゲート電位を出力
し、VRH,VCM,VRL出力用のアナログスイッチ
をONさせ、出力電圧値VRH,VCM,VRLを選択
するものであるといえる。
The shift register 401 sequentially shifts the vertical synchronizing signal YD by the horizontal synchronizing signal LP, switches the power supply level from the logic power supply VDD to the liquid crystal driving power supply VEE2 by the level shifter 402, and changes the power supply level from the logic system ground potential to the liquid crystal driving power supply. Switching to VSS2, decoder circuit 60
MOSFET 604 depending on whether 3 is selected or not selected.
(1) to 604 (k), MOSFET 605 (1) to 6
05 (k) analog switch and MOSFET 406,
A gate potential of ON or OFF is output to an analog switch composed of a MOSFET 407 and an inverter 408, and an analog switch for outputting VRH, VCM, VRL is turned ON to select an output voltage value VRH, VCM, VRL. It can be said that.

【0154】また、実施の形態2に示した表示装置で
は、VRH出力用のアナログスイッチは、複数のON抵
抗の異なるMOSFETが並列に接続され、前記複数の
MOSFETのバックゲート電圧は、VRH≦VRRH
≦VEE2を満足するようにBGB電圧生成回路103
で生成され、行電極駆動IC502に設けられたBGバ
イアス電圧制御用の入力端子に接続され制御されてもよ
い。
In the display device according to the second embodiment, a plurality of MOSFETs having different ON resistances are connected in parallel to the analog switch for VRH output, and the back gate voltage of the plurality of MOSFETs is VRH ≦ VRRH.
BGB voltage generation circuit 103 so as to satisfy ≦ VEE2
And may be connected to and controlled by a BG bias voltage control input terminal provided in the row electrode drive IC 502.

【0155】同様に、VRL出力用のアナログスイッチ
は、複数のON抵抗の異なるMOSFETが並列に接続
され、前記複数のMOSFETのバックゲート電圧は、
VSS2≦VRRL≦VRLを満足するようにBGB電
圧生成回路103で生成され、行電極駆動IC502に
設けられたBGバイアス電圧制御用の入力端子に接続さ
れ制御されてもよい。
Similarly, in the analog switch for VRL output, a plurality of MOSFETs having different ON resistances are connected in parallel, and the back gate voltage of the plurality of MOSFETs is
It may be generated by the BGB voltage generation circuit 103 so as to satisfy VSS2 ≦ VRRL ≦ VRL, and connected to and controlled by an input terminal for BG bias voltage control provided in the row electrode drive IC 502.

【0156】また、液晶パネル107に印加される行電
極駆動波形および列電極駆動波形は、行電極駆動ICお
よび列電極駆動ICから離れていくことで、コンデンサ
ーと配線抵抗とにより行電極駆動波形および列電極駆動
波形の鈍りは大きくなり、その鈍り分の実効値を失い、
行電極駆動ICおよび列電極駆動ICから離れていくこ
とで濃淡(グラデーション)を生じるといえる。
The row electrode driving waveform and the column electrode driving waveform applied to the liquid crystal panel 107 are separated from the row electrode driving IC and the column electrode driving IC. The bluntness of the column electrode drive waveform increases, losing the effective value of the bluntness,
It can be said that shading (gradation) is caused by moving away from the row electrode driving IC and the column electrode driving IC.

【0157】また、表示位置検出回路102は、選択さ
れる行電極位置を検出し、列電極駆動ICから離れるの
に応じ、列電極駆動ICおよび行電極駆動ICの出力イ
ンピーダンスを任意の水平走査期間毎に低くなるように
BGB電圧生成回路103からBGバイアス電圧を列電
極駆動ICおよび行電極駆動ICに供給するように設定
されていてもよい。
The display position detection circuit 102 detects the position of the selected row electrode, and changes the output impedance of the column electrode drive IC and the row electrode drive IC in an arbitrary horizontal scanning period as the distance from the column electrode drive IC increases. The setting may be made so that the BG bias voltage is supplied from the BGB voltage generation circuit 103 to the column electrode driving IC and the row electrode driving IC so as to become lower every time.

【0158】また、図17は、本発明の携帯電話、携帯
情報機器(電子手帳)に代表される電子機器での一構成
例であるといえる。列電極駆動IC105および行電極
駆動IC106と電源回路101は、CPU410と直
接接続され制御されている。携帯電話で使用されるCP
U410は、低電力化を図るため液晶パネル107を全
面表示から表示エリアの特定エリアを任意のデューティ
比表示させる機能である。全画面表示から部分表示に切
り替わるとき、駆動するデューティ比が変わるため、そ
のデューティに応じて、駆動電圧、バイアス比を電圧平
均化法に合わせて設定することが好ましい。前記設定
は、CPU410が、全画面表示から部分表示に切り替
わった時、そのデューティに応じて、駆動電圧、バイア
ス比を設定する命令は、電源回路101を構成する電圧
生成回路104に与え電圧生成回路104から列電極駆
動IC105および行電極駆動IC106に電圧を供給
するようにしてもよい。
FIG. 17 shows an example of a configuration of an electronic device typified by a mobile phone and a portable information device (electronic notebook) according to the present invention. The column electrode driving IC 105, the row electrode driving IC 106, and the power supply circuit 101 are directly connected to and controlled by the CPU 410. CP used in mobile phones
U410 is a function of displaying the liquid crystal panel 107 from a full screen to a specific area of the display area at an arbitrary duty ratio in order to reduce power consumption. When the display is switched from the full screen display to the partial display, the driving duty ratio changes. Therefore, it is preferable to set the driving voltage and the bias ratio according to the duty in accordance with the voltage averaging method. The setting is such that when the CPU 410 switches from full screen display to partial display, an instruction to set a drive voltage and a bias ratio in accordance with the duty is given to the voltage generation circuit 104 constituting the power supply circuit 101. A voltage may be supplied from 104 to the column electrode drive IC 105 and the row electrode drive IC 106.

【0159】また、部分表示は、液晶パネル107内の
任意の行から表示されるため、行電極駆動ICに表示を
開始する行電極の位置の命令がCPU410から供給さ
れることが好ましい。表示位置検出回路102は、垂直
同期信号YDと水平同期信号LPが供給され表示の位置
検出をし、検出データをBGバイアス電圧生成回路10
3に与え、生成されたバックゲート電圧は、列電極駆動
IC105および行電極駆動IC106に供給されるこ
とが好ましい。
Since the partial display is displayed from an arbitrary row in the liquid crystal panel 107, it is preferable that an instruction of the position of the row electrode for starting the display is supplied from the CPU 410 to the row electrode drive IC. The display position detecting circuit 102 is supplied with the vertical synchronizing signal YD and the horizontal synchronizing signal LP, detects the display position, and outputs the detected data to the BG bias voltage generating circuit 10.
3, and the generated back gate voltage is preferably supplied to the column electrode driving IC 105 and the row electrode driving IC 106.

【0160】列電極駆動IC105および行電極駆動I
C106は、部分表示される位置が列電極駆動IC10
5から離れるのに応じて高い出力インピーダンスになる
ようBGB電圧生成回路103は設定することが好まし
い。
Column electrode drive IC 105 and row electrode drive IC
C106 is a column electrode driving IC 10
It is preferable that the BGB voltage generation circuit 103 be set so as to have a higher output impedance as the distance from the VBG increases.

【0161】また、図18に示した表示コントローラ7
02は、CPU701からの命令を受け、TFT液晶モ
ードとSTN液晶モードの切替えや、表示の解像度に合
わせ、タイミングを発生するコントローラであってもよ
い。また、ASIC703は、表示コントローラ702
から与えられるタイミング信号を、液晶表示装置に合わ
せタイミングを生成するICであってもよい。
The display controller 7 shown in FIG.
02 may be a controller that receives a command from the CPU 701, switches between the TFT liquid crystal mode and the STN liquid crystal mode, and generates timing in accordance with display resolution. The ASIC 703 includes a display controller 702.
May be an IC that generates a timing by matching a timing signal given from a liquid crystal display device.

【0162】また、電源回路101を構成する表示位置
検出回路102は、表示コントローラ702から垂直同
期信号YDと水平同期信号LPを受け表示の位置を検出
し、検出データは、BGB電圧生成回路103に与え、
生成されたBGバイアスは列電極駆動IC105および
行電極駆動IC106に供給されてもよい。また、表示
位置検出回路102は、ASIC703に取込みASI
C703が表示位置を検出し、BGB電圧生成回路10
3に供給するようにしてもよい。
The display position detecting circuit 102 constituting the power supply circuit 101 receives the vertical synchronizing signal YD and the horizontal synchronizing signal LP from the display controller 702, detects the display position, and sends the detected data to the BGB voltage generating circuit 103. Give
The generated BG bias may be supplied to the column electrode driving IC 105 and the row electrode driving IC 106. Further, the display position detection circuit 102 loads the ASIC 703
C703 detects the display position, and outputs the BGB voltage generation circuit 10
3 may be supplied.

【0163】また、BGバイアス値を変動させることに
よる出力電圧値の調整は、バイアス比を保ち出力インピ
ーダンスの調整による駆動波形の時定数で行うことが可
能である。また、列電極の電極抵抗、液晶負荷容量によ
り、駆動ICから離れるに従い、液晶に印加される印加
波形の鈍りが大きくなるといえる。液晶パネル107
は、列電極駆動IC105から離れるに従い、波形の鈍
りにより各画素に印加される実効電圧が基本原理から外
れる。これを緩和するために、行電極側から1行→M行
に向かって駆動するに従い出力インピーダンスを大→小
にすることにより、液晶に印加される実効電圧値を列電
極に近い側と遠い側との差を緩和することにより、グラ
デーション(表示の濃淡)を緩和できる。
The adjustment of the output voltage value by changing the BG bias value can be performed with the time constant of the drive waveform by adjusting the output impedance while maintaining the bias ratio. In addition, it can be said that, due to the electrode resistance of the column electrode and the liquid crystal load capacitance, the bluntness of the waveform applied to the liquid crystal increases as the distance from the drive IC increases. LCD panel 107
As the distance from the column electrode driving IC 105 increases, the effective voltage applied to each pixel deviates from the basic principle due to the blunting of the waveform. In order to alleviate this, the output impedance is changed from large to small as driving from the row electrode side to the first row to the Mth row, so that the effective voltage value applied to the liquid crystal is changed between the side closer to the column electrode and the side farther from the column electrode. By alleviating the difference, gradation (shading of display) can be reduced.

【0164】また、クロストークによる影響では、本来
ONするところが(9)式から導き出されるONを表示
する実効電圧値でなく、他の画素情報から影響を受けた
実効電圧値となり、シャドーイングとして現れる。
Further, under the influence of crosstalk, the portion that is originally turned on is not the effective voltage value indicating ON derived from the equation (9), but the effective voltage value affected by other pixel information, and appears as shadowing. .

【0165】また、図8から、駆動ICからの距離が離
れる程、画素に加わる実効電圧値は減少することがわか
る。本発明では、駆動ICから離れる程、画素に加わる
実効電圧値の差を抑制するため、駆動ICに近いところ
では出力インピーダンスが高くなるようBGバイアスV
B を設定し、離れるに従い出力インピーダンスを低くな
るよう設定することが好ましい。
FIG. 8 shows that the effective voltage applied to the pixel decreases as the distance from the driving IC increases. In the present invention, in order to suppress the difference in the effective voltage value applied to the pixel as the distance from the drive IC increases, the BG bias V increases so that the output impedance increases near the drive IC.
It is preferable to set B so that the output impedance decreases as the distance increases.

【0166】また、本発明において、行電極のBGバイ
アス値を制御してもよい。列電極駆動ICから離れるに
従い画素に加わる実効電圧値は少なくなるが、行電極を
考慮した場合、列と行との差が画素に加わる電圧とする
と、行側からも制御可能であるからである。列電極駆動
ICから離れてゆくに従い行電極駆動ICの出力インピ
ーダンスを大から小にすることで、列電極駆動ICから
遠く離れた所と近い所とに加わる電圧の差を抑制でき
る。
In the present invention, the BG bias value of the row electrode may be controlled. This is because the effective voltage value applied to the pixel decreases as the distance from the column electrode driving IC increases, but if the difference between the column and the row is the voltage applied to the pixel in consideration of the row electrode, control can also be performed from the row side. . By decreasing the output impedance of the row electrode drive IC from large to small as the distance from the column electrode drive IC increases, it is possible to suppress a difference in voltage applied between a place far from the column electrode drive IC and a place near the column electrode drive IC.

【0167】また、本発明を、以下の第1・第2の液晶
表示装置,第1・第2の電子機器および第1・第2の列
電極駆動IC・行電極駆動ICとして表現することもで
きる。すなわち、第1の液晶表示装置は、マトリクス状
に配列された行電極および列電極と、前記行電極および
前記列電極を駆動する複数の電圧レベルを生成する電圧
生成手段と、前記複数の電圧レベルから前記行電極およ
び列電極へ印加する電圧レベルを選択する電極駆動手段
を備え、前記行電極と前記列電極との交点に形成される
画素で表示を行うマトリクス型表示装置において、前記
電圧生成手段とBGバイアス電圧生成手段と液晶パネル
の表示位置検出手段を備えた電源回路と、前記行電極へ
印加する電圧レベルを選択する電極駆動手段を具備した
行電極駆動ICおよび列電極へ印加する電圧レベルを選
択する電極駆動手段を具備した列電極駆動ICを備えた
構成である。この構成では、列電極駆動ICおよび行電
極駆動ICの出力インピーダンスを制御することによ
り、均一な液晶表示を実現できる。
The present invention can also be expressed as the following first and second liquid crystal display devices, first and second electronic devices, and first and second column electrode driving ICs and row electrode driving ICs. it can. That is, the first liquid crystal display device comprises: a row electrode and a column electrode arranged in a matrix; a voltage generating means for generating a plurality of voltage levels for driving the row electrode and the column electrode; A matrix-type display device, comprising: an electrode driving unit that selects a voltage level to be applied to the row electrode and the column electrode from a pixel, and displaying by a pixel formed at an intersection of the row electrode and the column electrode. And a power supply circuit having a BG bias voltage generating means and a display position detecting means of the liquid crystal panel, and a row electrode driving IC having an electrode driving means for selecting a voltage level to be applied to the row electrode, and a voltage level applied to the column electrode. And a column electrode driving IC provided with an electrode driving means for selecting the following. In this configuration, a uniform liquid crystal display can be realized by controlling the output impedance of the column electrode drive IC and the row electrode drive IC.

【0168】また、第2の液晶表示装置は、第1の液晶
表示装置において、列電極駆動ICおよび行電極駆動駆
動ICの電極駆動手段が、ある電圧レベルを選択する複
数個のMOSFET(絶縁ゲート型電解効果トランジス
タ)で構成されるアナログスイッチを具備し、前記複数
個のMOSFETのバックゲートが上記電源回路のBG
バイアス電圧生成回路と接続されている構成である。こ
の構成では、電極駆動手段に、複数個のMOSFET
(絶緑ゲート型電解効果トランジスタ)で構成されるア
ナログスイッチを具備し、複数個のアナログスイッチの
バックゲートを制御することにより、複数個のアナログ
スイッチの組み合わせで設定される複数の出力インピー
ダンス間の値をアナログ的にバックゲートで補間制御で
きるため、滑らかな出力インピーダンス制御が可能とな
り、より均一な液晶表示を実現できる。
The second liquid crystal display device is the same as the first liquid crystal display device, wherein the electrode drive means of the column electrode drive IC and the row electrode drive drive IC comprises a plurality of MOSFETs (insulated gates) for selecting a certain voltage level. Type field effect transistor), and the back gates of the plurality of MOSFETs are BG of the power supply circuit.
This is a configuration connected to a bias voltage generation circuit. In this configuration, the electrode driving means includes a plurality of MOSFETs.
(Equivalent green gate type field effect transistor), and by controlling the back gate of the plurality of analog switches, a plurality of output impedances set by a combination of the plurality of analog switches are controlled. Since the values can be interpolated and controlled by the back gate in an analog manner, smooth output impedance control becomes possible, and more uniform liquid crystal display can be realized.

【0169】また、第1の電子機器は、第1の液晶表示
装置を構成する電源回路、列電極駆動ICおよび行電極
駆動ICがCPUと接続され、CPUに制御されている
構成である。この構成では、第1の液晶表示装置を用い
ることにより、均一な液晶表示を備えた電子機器を提供
することが可能となる。
The first electronic apparatus has a configuration in which a power supply circuit, a column electrode driving IC, and a row electrode driving IC constituting a first liquid crystal display device are connected to a CPU and controlled by the CPU. In this configuration, by using the first liquid crystal display device, it is possible to provide an electronic device having a uniform liquid crystal display.

【0170】また、第2の電子機器は、第1の電子機器
において、CPUが、液晶表示エリアの特定エリアを任
意のデューティ比表示させる部分表示機能(パーシャル
表示)と全画面表示切替えを制御する機能を備えている
構成である。この構成では、携帯電話に代表される電子
機器において、部分表示と全画面表示を切替えても、均
一な液晶表示が可能となる。
Further, in the second electronic device, in the first electronic device, the CPU controls a partial display function (partial display) for displaying a specific area of the liquid crystal display area at an arbitrary duty ratio and switching of full screen display. This is a configuration having functions. With this configuration, in an electronic device typified by a mobile phone, a uniform liquid crystal display can be achieved even when switching between partial display and full screen display.

【0171】また、第1の列電極駆動ICは、電極駆動
手段にある電圧レベルを選択するMOSFET(絶縁ゲ
ート型電解効果トランジスタ)で構成されるアナログス
イッチを具備し、前記MOSFETのBGバイアス電圧
を制御するための入力端子を具備している構成である。
この構成では、ある電圧レベルを選択するMOSFET
のBGバイアス電圧を制御する入力端子を備えた列電極
駆動ICを用いることにより、均一な液晶表示の構成を
可能とする。
Further, the first column electrode driving IC includes an analog switch composed of a MOSFET (insulated gate type field effect transistor) for selecting a voltage level in the electrode driving means, and controls the BG bias voltage of the MOSFET. This is a configuration having an input terminal for control.
In this configuration, a MOSFET for selecting a certain voltage level
By using a column electrode drive IC having an input terminal for controlling the BG bias voltage, a uniform liquid crystal display can be configured.

【0172】また、第2の列電極駆動ICは、第1の列
電極駆動ICにおいて、電極駆動手段にある電圧レベル
を選択する複数個のMOSFET(絶緑ゲート型電解効
果トランジスタ)で構成されるアナログスイッチを具備
し、前記複数個のMOSFETのバックゲートが上記入
力端子に接続されている構成である。この構成では、列
電極駆動手段に、ある電圧レベルを選択する複数個のM
OSFET(絶縁ゲート型電解効果トランジスタ)で構
成されるアナログスイッチを具備し、前記複数個のMO
SFETのバックゲートを制御することにより、複数個
のアナログスイッチの組み合わせで設定される複数の出
力インピーダンス間の値をアナログ的にバックゲートで
補間制御できるため、滑らかな出力インピーダンス制御
が可能となり、より均一な液晶表示装置を構成すること
が可能となる。
Further, the second column electrode driving IC is different from the first column electrode driving IC in that it comprises a plurality of MOSFETs (green gate type field effect transistors) for selecting a certain voltage level in the electrode driving means. An analog switch is provided, and the back gates of the plurality of MOSFETs are connected to the input terminals. In this configuration, a plurality of Ms for selecting a certain voltage level are provided to the column electrode driving means.
An analog switch composed of an OSFET (insulated gate field effect transistor);
By controlling the back gate of the SFET, a value between a plurality of output impedances set by a combination of a plurality of analog switches can be analogously interpolated and controlled by the back gate, so that a smooth output impedance control becomes possible. It is possible to configure a uniform liquid crystal display device.

【0173】また、第1の行電極駆動ICは、電極駆動
手段にある電圧レベルを選択する複数個のMOSFET
(絶線ゲート型電解効果トランジスタ)で構成されるア
ナログスイッチを具備し、前記MOSFETのBGバイ
アス電圧を制御するための入力端子を具備している構成
である。この構成では、ある電圧レベルを選択するMO
SFETのBGバイアス電圧を制御する入力端子を備え
た行電極駆動ICを用いることにより、均一な液晶表示
の構成を可能とする。
The first row electrode driving IC includes a plurality of MOSFETs for selecting a voltage level in the electrode driving means.
(Absolute gate field effect transistor) and an input terminal for controlling the BG bias voltage of the MOSFET. In this configuration, the MO for selecting a certain voltage level
By using a row electrode driving IC having an input terminal for controlling the BG bias voltage of the SFET, a uniform liquid crystal display can be realized.

【0174】また、第2の行電極駆動ICは、第1の行
電極駆動ICにおいて、電極駆動手段にある電圧レベル
を選択する複数個のMOSFET(絶縁ゲート型電解効
果トランジスタ)で構成されるアナログスイッチを具備
し、前記複数個のMOSFETのバックゲートが上記入
力端子に接続されている構成である。この構成では、列
電極駆動手段に、ある電圧レベルを選択する複数個のM
OSFET(絶縁ゲート型電解効果トランジスタ)で構
成されるアナログスイッチを具備し、前記複数個のMO
SFETのバックゲートを制御することにより、複数個
のアナログスイッチの組み合わせで設定される複数の出
力インピーダンス間の値をアナログ的にバックゲートで
補間制御できるため、滑らかな出力インピーダンス制御
が可能となり、より均一な液晶表示装置を構成すること
が可能となる。
Further, the second row electrode drive IC is an analog of the first row electrode drive IC which is constituted by a plurality of MOSFETs (insulated gate type field effect transistors) for selecting a certain voltage level in the electrode drive means. A switch having a back gate connected to the input terminal. In this configuration, a plurality of Ms for selecting a certain voltage level are provided to the column electrode driving means.
An analog switch composed of an OSFET (insulated gate field effect transistor);
By controlling the back gate of the SFET, a value between a plurality of output impedances set by a combination of a plurality of analog switches can be analogously interpolated and controlled by the back gate, so that a smooth output impedance control becomes possible. It is possible to configure a uniform liquid crystal display device.

【0175】上記した第1・第2の液晶表示装置,第1
・第2の電子機器および第1・第2の列電極駆動IC・
行電極駆動ICの構成によれば、液晶駆動回路ICの出
力インピーダンスが任意の水平走査期間毎に出力インピ
ーダンスを制御する、あるいは全画面から表示エリアの
特定エリアを任意のデューティ比表示させるパーシャル
表示機能切り替わっても、出力インピーダンスを制御す
ることにより、液晶パネル面内ないし表示される位置に
依存しない均一な表示を実現できる。
The first and second liquid crystal display devices described above,
A second electronic device and first and second column electrode driving ICs;
According to the configuration of the row electrode driving IC, the output impedance of the liquid crystal driving circuit IC controls the output impedance at every arbitrary horizontal scanning period, or the partial display function of displaying a specific area of the display area at an arbitrary duty ratio from the entire screen. Even after switching, by controlling the output impedance, uniform display independent of the liquid crystal panel surface or the displayed position can be realized.

【0176】なお、特開平10−10497号公報にお
ける(発明の実施の形態)の(0042)に「また、本
構成例では、MOSFET154、155のゲート電位
を変化させたが、同様な構成でMOSFET154、1
55のバックゲートを変化させるようにしてもよい」と
あるが、具体的な構成が開示されていない。「同様な構
成で…」というところからの前後の文脈から考えられる
構成は、MOSFETのバックゲート電圧を抵抗とMO
SFETで構成する可変抵抗で分圧して与えるものと考
えられる。液晶駆動ICのように数百出力という駆動I
Cの各出力に抵抗とMOSFETで構成する可変抵抗を
負荷することは、素子の拡大化や精度ばらつきを一定に
するなど、容易なことではない。
In the embodiment of the present invention, the gate potential of the MOSFETs 154 and 155 is changed in (0042) of (Embodiment of the Invention) in JP-A-10-10497. , 1
55 may be changed. "However, a specific configuration is not disclosed. The configuration that can be considered from the context before and after "Similar configuration ..." is to set the back gate voltage of the MOSFET to
It is considered that the voltage is divided and applied by a variable resistor composed of an SFET. Drive I of several hundred outputs like liquid crystal drive IC
It is not easy to load a variable resistor composed of a resistor and a MOSFET on each output of C, such as enlarging the elements and keeping the accuracy variation constant.

【0177】[0177]

【発明の効果】以上のように、本発明の液晶表示装置
(本表示装置)は、格子状に配列された行電極と列電極
との交点を画素として用いる液晶パネルを備え、列電極
に印加する列電圧を制御しながら、表示電圧を印加する
行電極を走査することで画像表示を行う液晶表示装置に
おいて、列電極の入力端に列電圧を印加する列電圧印加
部と、表示電圧の印加されている行電極の位置である表
示位置を検出する表示位置検出部と、列電極の入力端と
表示位置との距離に応じて、列電圧印加部の出力する列
電圧値を調整する電圧制御部とを備えている構成であ
る。
As described above, the liquid crystal display device of the present invention (the present display device) includes the liquid crystal panel using the intersections of the row electrodes and the column electrodes arranged in a grid as pixels, and applies the voltage to the column electrodes. A column voltage application unit that applies a column voltage to an input terminal of a column electrode in a liquid crystal display device that performs image display by scanning a row electrode to which a display voltage is applied while controlling a column voltage to be applied, A display position detecting unit for detecting a display position, which is a position of a row electrode, and a voltage control for adjusting a column voltage value output from a column voltage applying unit according to a distance between an input terminal of the column electrode and the display position. Section.

【0178】本表示装置では、表示位置検出部によっ
て、表示行の位置(表示位置)を検出するようになって
いる。そして、検出された表示位置に基づいて、電圧制
御部が、列電圧印加部の出力する列電圧の値を調整する
ように設定されている。すなわち、電圧制御部は、表示
位置が入力端から遠い場合、列電圧値を上昇させるよう
になっている。
In the present display device, the position of the display row (display position) is detected by the display position detecting section. Then, based on the detected display position, the voltage control unit is set to adjust the value of the column voltage output from the column voltage application unit. That is, when the display position is far from the input terminal, the voltage control unit increases the column voltage value.

【0179】これにより、本表示装置では、列電極にお
ける電圧降下による影響を、列電圧値の上昇によって補
償する(相殺する)ことが可能となる。従って、入力端
から離れた表示位置における列電圧値の低下を抑制で
き、クロストークによる画質劣化を防止できるようにな
っている。
As a result, in the present display device, it is possible to compensate (cancel) the influence of the voltage drop at the column electrode by increasing the column voltage value. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the column voltage value at a display position distant from the input terminal, and to prevent image quality deterioration due to crosstalk.

【0180】また、上記の列電圧印加部は、電源電圧を
アナログスイッチによってスイッチングすることで、列
電極に列電圧を印加するように設定されていることが好
ましい。このようにすれば、列電圧印加部を簡単に構成
できる。
Preferably, the column voltage application section is set so as to apply the column voltage to the column electrodes by switching the power supply voltage by an analog switch. With this configuration, the column voltage application unit can be easily configured.

【0181】また、この構成では、電圧制御部は、列電
圧印加部の出力する列電圧値の調整を、アナログスイッ
チにおける出力抵抗(出力インピーダンス)を変動させ
ることで行うことが好ましい。アナログスイッチからの
出力電圧値は、その出力抵抗に応じて変化する。従っ
て、アナログスイッチの出力抵抗を変動させることで、
列電圧印加部の出力電圧値を容易に調整できる。
In this configuration, it is preferable that the voltage control unit adjusts the column voltage output from the column voltage application unit by changing the output resistance (output impedance) of the analog switch. The output voltage value from the analog switch changes according to the output resistance. Therefore, by changing the output resistance of the analog switch,
The output voltage value of the column voltage application section can be easily adjusted.

【0182】また、この場合、電圧制御部は、アナログ
スイッチに印加するバックゲートバイアス電圧値(BG
バイアス値)を調節することで、アナログスイッチの出
力抵抗を変動させるように設定されていることが好まし
い。アナログスイッチの出力抵抗は、BGバイアス値の
増加に応じて減少するように設定されている。このた
め、BGバイアス値を調節することで、出力抵抗の変
動、および列電圧印加部における出力電圧値の調整を容
易に行える。
Also, in this case, the voltage control section applies the back gate bias voltage value (BG
It is preferable that the output voltage of the analog switch be changed by adjusting the bias value. The output resistance of the analog switch is set to decrease as the BG bias value increases. Therefore, by adjusting the BG bias value, it is possible to easily change the output resistance and adjust the output voltage value in the column voltage application unit.

【0183】また、列電圧印加部を、並列に接続された
複数のアナログスイッチからなるアナログスイッチ群を
用いて電源電圧をスイッチングすることで、列電極に列
電圧を印加するように構成してもよい。
The column voltage application section may be configured to apply a column voltage to column electrodes by switching the power supply voltage using an analog switch group including a plurality of analog switches connected in parallel. Good.

【0184】ここで、アナログスイッチの並列接続と
は、例えば、MOSFETであれば、ドレインならびに
ソースを互いに接続することである。そして、このよう
に並列接続された複数のアナログスイッチからなるアナ
ログスイッチ群を用いる場合、列電圧印加部の出力イン
ピーダンスは、ONとなっている(出力電圧を媒介す
る)アナログスイッチの出力抵抗を合成したもの(合成
抵抗)となる。
Here, the parallel connection of the analog switches means that, for example, in the case of a MOSFET, the drain and the source are connected to each other. When an analog switch group including a plurality of analog switches connected in parallel is used as described above, the output impedance of the column voltage application unit is combined with the output resistance of the analog switch that is ON (mediates the output voltage). (Combined resistance).

【0185】そこで、この構成では、電圧制御部が、O
Nとするアナログスイッチを変更することで、アナログ
スイッチ群における合成抵抗を変動させて、列電圧印加
部の出力する列電圧値を調整するように設定されている
ことが好ましい。これにより、列電圧値の調整を非常に
容易に行える。
Therefore, in this configuration, the voltage control unit
It is preferable that the setting is made such that by changing the analog switch set to N, the combined resistance in the analog switch group is changed to adjust the column voltage value output from the column voltage application unit. Thereby, the adjustment of the column voltage value can be performed very easily.

【0186】また、互いに異なる出力抵抗を有する複数
のアナログスイッチを用いる場合、ONとするアナログ
スイッチの組み合わせを変えることで、合成抵抗を大き
く変動させられる。従って、列電圧値の調整範囲を大幅
に拡大できる。
When a plurality of analog switches having different output resistances are used, by changing the combination of the analog switches to be turned on, the combined resistance can be largely changed. Therefore, the adjustment range of the column voltage value can be greatly expanded.

【0187】また、この構成においても、電圧制御部
は、ONとしたアナログスイッチに印加するBGバイア
ス値を調節することで、合成抵抗を変動させるようにし
てもよい。これにより、アナログスイッチの組み合わせ
方とBGバイアス値との双方によって、アナログスイッ
チ群における合成抵抗を変動させられる。これにより、
合成抵抗を広範囲かつ詳細に変動できるので、列電極に
印加する列電圧値を、広範囲かつ緻密に調整できる。
[0187] Also in this configuration, the voltage control section may vary the combined resistance by adjusting the BG bias value applied to the analog switch that is turned on. Thereby, the combined resistance in the analog switch group can be varied by both the combination of the analog switches and the BG bias value. This allows
Since the combined resistance can be varied over a wide range and in detail, the column voltage value applied to the column electrode can be adjusted over a wide range and precisely.

【0188】また、本発明の電子機器は、本表示装置
と、本表示装置を制御して画像表示を行わせる制御部と
を備えている構成である。この制御部は、本表示装置に
対して、表示データ,列電圧・表示電圧の印加タイミン
グを設定するクロック信号,水平同期信号,垂直同期信
号等を与えることで、画像表示を実現させるものであ
る。そして、この電子機器では、本表示装置を用いてい
るため、クロストークによる劣化の少ない、良好な画像
表示を行えるようになっている。
Further, the electronic apparatus of the present invention is configured to include the present display device and a control section for controlling the present display device to perform image display. The control unit realizes image display by giving the display device a display data, a clock signal for setting the application timing of the column voltage and the display voltage, a horizontal synchronization signal, a vertical synchronization signal, and the like. . And, in this electronic apparatus, since the present display device is used, it is possible to perform good image display with little deterioration due to crosstalk.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態にかかるマトリクス型
液晶表示装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a matrix-type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示した液晶表示装置に設けられた列電極
駆動ICの全体的な構成を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing an overall configuration of a column electrode driving IC provided in the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】図2に示した列電極駆動ICにおける列電極駆
動素子の構成を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of a column electrode driving element in the column electrode driving IC shown in FIG. 2;

【図4】図1に示した液晶表示装置に設けられた行電極
駆動ICの全体的な構成を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing an overall configuration of a row electrode driving IC provided in the liquid crystal display device shown in FIG.

【図5】図4に示した行電極駆動ICにおける行電極駆
動素子の構成を示す説明図である。
5 is an explanatory diagram showing a configuration of a row electrode drive element in the row electrode drive IC shown in FIG.

【図6】図1に示した液晶表示装置に設けられた液晶パ
ネルにおける、行電極・列電極の等価回路を示す説明図
である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of a row electrode and a column electrode in a liquid crystal panel provided in the liquid crystal display device shown in FIG.

【図7】上記液晶パネルにおける一本の列電極の等価回
路を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of one column electrode in the liquid crystal panel.

【図8】列電極駆動ICからの距離と、列電圧の実効電
圧値との関係を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing a relationship between a distance from a column electrode driving IC and an effective voltage value of a column voltage.

【図9】列電極に印加される列電圧のパルスを示す説明
図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a pulse of a column voltage applied to a column electrode.

【図10】MOSFETのON抵抗とBGバイアス値と
の関係を示すグラフである。
FIG. 10 is a graph showing a relationship between an ON resistance of a MOSFET and a BG bias value.

【図11】本発明の第2の実施形態にかかるマトリクス
型液晶表示装置に設けられた、列電極駆動ICの全体的
な構成を示す説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing an overall configuration of a column electrode driving IC provided in a matrix type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図12】図11に示した列電極駆動ICにおける列電
極駆動素子の構成を示す説明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a configuration of a column electrode drive element in the column electrode drive IC shown in FIG.

【図13】上記液晶表示装置に設けられた行電極駆動I
Cの全体的な構成を示す説明図である。
FIG. 13 shows a row electrode drive I provided in the liquid crystal display device.
It is explanatory drawing which shows the whole structure of C.

【図14】図13に示した行電極駆動ICにおける行電
極駆動素子の構成を示す説明図である。
14 is an explanatory diagram showing a configuration of a row electrode drive element in the row electrode drive IC shown in FIG.

【図15】上記液晶表示装置における一本の列電極の等
価回路を示す説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of one column electrode in the liquid crystal display device.

【図16】図15に示した等価回路における3つのMO
SFETのON抵抗およびこれらの合成抵抗と、BGバ
イアス値との関係を示すグラフである。
16 shows three MOs in the equivalent circuit shown in FIG.
5 is a graph showing the relationship between the ON resistance of an SFET, their combined resistance, and the BG bias value.

【図17】上記した第1の実施形態にかかる液晶表示装
置を備えた携帯情報機器の例を示す説明図である。
FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating an example of a portable information device including the liquid crystal display device according to the first embodiment.

【図18】上記液晶表示装置をパーソナルコンピュータ
ーに応用した例を示す説明図である。
FIG. 18 is an explanatory diagram showing an example in which the liquid crystal display device is applied to a personal computer.

【図19】従来のマトリクス型表示装置を示す説明図で
ある。
FIG. 19 is an explanatory view showing a conventional matrix type display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 電源回路 102 表示位置検出回路(表示
位置検出部) 103 BGB電圧生成回路(電
圧制御部) 104 電圧生成回路 105 列電極駆動IC(列電圧
印加部) 106 行電極駆動IC 107 液晶パネル 201 列電極駆動素子(列電圧
印加部) 202 行電極駆動素子 304 デコーダ回路 305〜308 MOSFET(アナログ
スイッチ) 403 デコーダ回路 404〜407 MOSFET 410 CPU(表示制御部) 501 列電極駆動IC(列電圧
印加部) 502 行電極駆動IC 504 デコーダ回路 505(1)〜505(k) MOSFET(アナログ
スイッチ群) 505(1)〜505(k) MOSFET(アナログ
スイッチ群) 601 列電極駆動素子(列電圧
印加部) 602 行電極駆動素子 603 デコーダ回路 604(1)〜604(k) MOSFET 605(1)〜605(k) MOSFET 701 CPU(表示制御部) VRDH,VRDL BGバイアス VRRH,VRRL BGバイアス
Reference Signs List 101 power supply circuit 102 display position detection circuit (display position detection unit) 103 BGB voltage generation circuit (voltage control unit) 104 voltage generation circuit 105 column electrode drive IC (column voltage application unit) 106 row electrode drive IC 107 liquid crystal panel 201 column electrode Driving element (column voltage applying unit) 202 Row electrode driving element 304 Decoder circuit 305 to 308 MOSFET (analog switch) 403 Decoder circuit 404 to 407 MOSFET 410 CPU (display control unit) 501 Column electrode driving IC (column voltage applying unit) 502 Row electrode drive IC 504 Decoder circuit 505 (1) to 505 (k) MOSFET (analog switch group) 505 (1) to 505 (k) MOSFET (analog switch group) 601 Column electrode drive element (column voltage application unit) 602 Electrode drive element 603 decoder times Road 604 (1) to 604 (k) MOSFET 605 (1) to 605 (k) MOSFET 701 CPU (display control unit) VRDH, VRDL BG bias VRRH, VRRL BG bias

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/36 G09G 3/36 Fターム(参考) 2H093 NA07 NC11 NC21 NC22 NC26 NC52 NC65 ND05 ND09 ND15 ND36 ND60 NE03 5C006 AC21 AF46 AF52 BB12 BC16 BF03 BF04 BF15 BF42 BF46 FA18 FA26 FA37 5C080 AA10 BB05 DD10 EE28 FF07 JJ02 JJ03 JJ05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/36 G09G 3/36 F-term (Reference) 2H093 NA07 NC11 NC21 NC22 NC26 NC52 NC65 ND05 ND09 ND15 ND36 ND60 NE03 5C006 AC21 AF46 AF52 BB12 BC16 BF03 BF04 BF15 BF42 BF46 FA18 FA26 FA37 5C080 AA10 BB05 DD10 EE28 FF07 JJ02 JJ03 JJ05

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】格子状に配列された行電極と列電極との交
点を画素として用いる液晶パネルを備え、列電極に印加
する列電圧を制御しながら、表示電圧を印加する行電極
を走査することで画像表示を行う液晶表示装置におい
て、 列電極の入力端に列電圧を印加する列電圧印加部と、 表示電圧の印加されている行電極の位置である表示位置
を検出する表示位置検出部と、 列電極の入力端と表示位置との距離に応じて、列電圧印
加部の出力する列電圧値を調整する電圧制御部とを備え
ていることを特徴とする液晶表示装置。
1. A liquid crystal panel using, as a pixel, an intersection of a row electrode and a column electrode arranged in a grid, and scanning a row electrode to which a display voltage is applied while controlling a column voltage applied to the column electrode. In a liquid crystal display device that performs image display by means of a column electrode, a column voltage application unit that applies a column voltage to an input terminal of a column electrode, and a display position detection unit that detects a display position that is a position of a row electrode to which a display voltage is applied And a voltage control unit that adjusts a column voltage value output by a column voltage application unit according to a distance between an input terminal of a column electrode and a display position.
【請求項2】上記列電圧印加部は、電源電圧をアナログ
スイッチによってスイッチングすることで、列電極に列
電圧を印加するように設定されており、 上記電圧制御部は、上記のアナログスイッチにおける出
力抵抗を変動させることで、列電圧印加部の出力する列
電圧値を調整するように設定されていることを特徴とす
る請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The system according to claim 1, wherein the column voltage application unit is configured to apply a column voltage to a column electrode by switching a power supply voltage by an analog switch. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the column voltage value output from the column voltage application unit is adjusted by changing the resistance.
【請求項3】上記電圧制御部は、アナログスイッチに印
加するバックゲートバイアス電圧値を調節することで、
アナログスイッチの出力抵抗を変動させるように設定さ
れていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装
置。
3. The method according to claim 2, wherein the voltage control unit adjusts a back gate bias voltage value applied to the analog switch,
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the output resistance of the analog switch is set to fluctuate.
【請求項4】上記列電圧印加部は、並列に接続された複
数のアナログスイッチからなるアナログスイッチ群を用
いて電源電圧をスイッチングすることで、列電極に列電
圧を印加するように設定されており、 上記電圧制御部は、ONとするアナログスイッチを変更
することで、アナログスイッチ群における合成抵抗を変
動させて、列電圧印加部の出力する列電圧値を調整する
ように設定されていることを特徴とする請求項1に記載
の液晶表示装置。
4. The column voltage application section is configured to apply a column voltage to a column electrode by switching a power supply voltage using an analog switch group including a plurality of analog switches connected in parallel. The voltage control unit is set to change the analog switch to be turned on, thereby changing the combined resistance in the analog switch group, and adjusting the column voltage value output from the column voltage application unit. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【請求項5】上記電圧制御部は、ONとしたアナログス
イッチに印加するバックゲートバイアス電圧値を調節す
ることで、アナログスイッチ群における合成抵抗を変動
させるように設定されていることを特徴とする請求項4
に記載の液晶表示装置。
5. The voltage control section is set so as to vary a combined resistance in an analog switch group by adjusting a back gate bias voltage value applied to an analog switch turned on. Claim 4
3. The liquid crystal display device according to 1.
【請求項6】請求項1〜5のいずれかに記載の液晶表示
装置と、この液晶駆動装置を制御して画像表示を行わせ
る表示制御部とを備えていることを特徴とする電子機
器。
6. An electronic apparatus comprising: the liquid crystal display device according to claim 1; and a display control unit that controls the liquid crystal driving device to display an image.
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