JP2002171055A - 電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並びにこれらの製造方法 - Google Patents
電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並びにこれらの製造方法Info
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＳＩ等の電子部品のリペアを容易にし、か
つ信頼性の高く、短時間そして低コストとなる接続方法
を使用した電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並
びにこれらの製造方法を提供する。 【解決手段】 電子部品１と接続する電極端子４を有す
る電子回路基板５において、電極端子４は、主として金
属間化合物からなる金属突起３を有する。金属間化合物
は、銅−錫系化合物である。
つ信頼性の高く、短時間そして低コストとなる接続方法
を使用した電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並
びにこれらの製造方法を提供する。 【解決手段】 電子部品１と接続する電極端子４を有す
る電子回路基板５において、電極端子４は、主として金
属間化合物からなる金属突起３を有する。金属間化合物
は、銅−錫系化合物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路基板と電
子部品及び電子回路装置並びにこれらの製造方法であ
り、特にリペアを可能とし、信頼性の高い電子回路基板
と電子部品との接続方法に関する。
子部品及び電子回路装置並びにこれらの製造方法であ
り、特にリペアを可能とし、信頼性の高い電子回路基板
と電子部品との接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化に伴って、電子回路基
板と電子部品の接続はますます微細化、多点化してい
る。さらにＬＳＩの接続形態としては、ワイヤーボンデ
ィングなどによる方法から、フリップチップ接続方式が
広く採用されるようになってきている。これは、後者の
方法が接続面積は小さく、また、配線のインダクタンス
も減少できるからである。フリップチップ接続方式の場
合、接続用電極端子には、ＬＳＩのアルミ電極にはんだ
付け用金属層を形成した後にはんだバンプを形成する方
式もあるが、より低コスト化を狙って、ＬＳＩのアルミ
電極に金バンプを直接形成し、これを用いて電子回路基
板に接続する方法がよく用いられる。接続の手段として
は、（１）はんだ接続、（２）異方導電性フィルムを用
いた接続、（３）金−金の超音波圧着、（４）金−金の
熱圧着、などが用いられている。
板と電子部品の接続はますます微細化、多点化してい
る。さらにＬＳＩの接続形態としては、ワイヤーボンデ
ィングなどによる方法から、フリップチップ接続方式が
広く採用されるようになってきている。これは、後者の
方法が接続面積は小さく、また、配線のインダクタンス
も減少できるからである。フリップチップ接続方式の場
合、接続用電極端子には、ＬＳＩのアルミ電極にはんだ
付け用金属層を形成した後にはんだバンプを形成する方
式もあるが、より低コスト化を狙って、ＬＳＩのアルミ
電極に金バンプを直接形成し、これを用いて電子回路基
板に接続する方法がよく用いられる。接続の手段として
は、（１）はんだ接続、（２）異方導電性フィルムを用
いた接続、（３）金−金の超音波圧着、（４）金−金の
熱圧着、などが用いられている。
【０００３】これらの接続方法における最大の課題はリ
ペアである。ＬＳＩを上記（１）〜（４）のような方法
を用いて電子回路基板に接続した後、電気的な検査を
し、そして、不良であるＬＳＩをはずして新しいＬＳＩ
を搭載するというリペアを行う必要が出てくる場合があ
る。まず（１）のはんだによる接続方法の場合、加熱す
ることにより接続部分を溶融させ、不良のＬＳＩをはず
すことは可能である。しかし、はんだの量により、はん
だがすべて化合物化し、融点が上昇して取り外し不可と
なる場合がある。これを見越して多くのはんだを接続に
用いると、ＬＳＩの金バンプの根本まではんだが濡れ上
がり、ＬＳＩの電極食われが発生するため、接続信頼性
が著しく低下する。また、（２）（３）（４）の方式に
おいては、一旦接続すると、不良のＬＳＩの取り外しは
ほとんど不可能である。
ペアである。ＬＳＩを上記（１）〜（４）のような方法
を用いて電子回路基板に接続した後、電気的な検査を
し、そして、不良であるＬＳＩをはずして新しいＬＳＩ
を搭載するというリペアを行う必要が出てくる場合があ
る。まず（１）のはんだによる接続方法の場合、加熱す
ることにより接続部分を溶融させ、不良のＬＳＩをはず
すことは可能である。しかし、はんだの量により、はん
だがすべて化合物化し、融点が上昇して取り外し不可と
なる場合がある。これを見越して多くのはんだを接続に
用いると、ＬＳＩの金バンプの根本まではんだが濡れ上
がり、ＬＳＩの電極食われが発生するため、接続信頼性
が著しく低下する。また、（２）（３）（４）の方式に
おいては、一旦接続すると、不良のＬＳＩの取り外しは
ほとんど不可能である。
【０００４】金属突起を形成して接続する方法が提案さ
れている（米国特許５，１８５，０７３号明細書参
照）。この提案における金属突起の形成方法は、メッキ
や化学的蒸着方法であって、金属間化合物を形成するの
とは異なり、処理時間が長くなり、そして、コストがか
かっていた。
れている（米国特許５，１８５，０７３号明細書参
照）。この提案における金属突起の形成方法は、メッキ
や化学的蒸着方法であって、金属間化合物を形成するの
とは異なり、処理時間が長くなり、そして、コストがか
かっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
問題を解決するものであり、ＬＳＩ等の電子部品のリペ
アを容易にし、かつ信頼性の高く、短時間そして低コス
トとなる接続方法を使用した電子回路基板と電子部品及
び電子回路装置並びにこれらの製造方法を提供すること
を目的とする。
問題を解決するものであり、ＬＳＩ等の電子部品のリペ
アを容易にし、かつ信頼性の高く、短時間そして低コス
トとなる接続方法を使用した電子回路基板と電子部品及
び電子回路装置並びにこれらの製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための方法】本発明は、電子部品と接
続する電極端子部を設けた電子回路基板において、前記
電極端子部は、主として金属間化合物からなる金属突起
を有する電子回路基板である。
続する電極端子部を設けた電子回路基板において、前記
電極端子部は、主として金属間化合物からなる金属突起
を有する電子回路基板である。
【０００７】また、本発明は、上記金属間化合物は、銅
−錫系化合物である電子回路基板である。
−錫系化合物である電子回路基板である。
【０００８】そして、本発明は、上記金属間化合物は、
ニッケル−錫系化合物である電子回路基板である。
ニッケル−錫系化合物である電子回路基板である。
【０００９】更に、本発明は、上記金属間化合物は、銅
−インジウム系化合物である電子回路基板である。
−インジウム系化合物である電子回路基板である。
【００１０】また、本発明は、上記金属間化合物は、銀
−錫系化合物である電子回路基板である。
−錫系化合物である電子回路基板である。
【００１１】そして、本発明は、電子回路基板と接続す
る部品端子を設けた電子部品において、前記部品端子
は、主として金属間化合物からなる金属突起を有する電
子部品である。
る部品端子を設けた電子部品において、前記部品端子
は、主として金属間化合物からなる金属突起を有する電
子部品である。
【００１２】更に、本発明は、上記金属間化合物は、銅
−錫系化合物である電子部品である。
−錫系化合物である電子部品である。
【００１３】また、本発明は、上記金属間化合物は、ニ
ッケル−錫系化合物である電子部品である。
ッケル−錫系化合物である電子部品である。
【００１４】そして、本発明は、上記金属間化合物は、
銅−インジウム系化合物である電子部品である。
銅−インジウム系化合物である電子部品である。
【００１５】更に、本発明は、上記金属間化合物は、銀
−錫系化合物である電子部品である。
−錫系化合物である電子部品である。
【００１６】また、本発明は、電子回路基板と電子部品
とを備える電子回路装置であって、前記電子回路基板
は、上記に記載の電子回路基板である電子回路装置であ
る。
とを備える電子回路装置であって、前記電子回路基板
は、上記に記載の電子回路基板である電子回路装置であ
る。
【００１７】そして、本発明は、電子回路基板と電子部
品とを備える電子回路装置であって、前記電子部品は、
上記に記載の電子部品である電子回路装置である。
品とを備える電子回路装置であって、前記電子部品は、
上記に記載の電子部品である電子回路装置である。
【００１８】更に、本発明は、上記電子回路基板の電極
端子部と電子部品の部品端子とは、金属突起による接続
及び他の端子間接続により接続される電子回路装置であ
る。
端子部と電子部品の部品端子とは、金属突起による接続
及び他の端子間接続により接続される電子回路装置であ
る。
【００１９】また、本発明は、上記電子回路基板の電極
端子部と電子部品の部品端子とは、金属突起による接続
のみにより接続される電子回路装置である。
端子部と電子部品の部品端子とは、金属突起による接続
のみにより接続される電子回路装置である。
【００２０】そして、本発明は、上記電子回路基板の電
極端子部と電子部品の部品端子とは、金属突起と異方導
電性フィルムとによる接続により接続される電子回路装
置である。
極端子部と電子部品の部品端子とは、金属突起と異方導
電性フィルムとによる接続により接続される電子回路装
置である。
【００２１】更に、本発明は、銅からなる電極端子部を
有する電子回路基板を錫メッキ処理し、加熱して主とし
て銅−錫系金属間化合物からなる金属突起を電極端子部
に形成する電子回路基板の製造方法である。
有する電子回路基板を錫メッキ処理し、加熱して主とし
て銅−錫系金属間化合物からなる金属突起を電極端子部
に形成する電子回路基板の製造方法である。
【００２２】また、本発明は、銅からなる電極端子部を
有する電子回路基板を錫ディップ処理し、加熱して主と
して銅−錫系金属間化合物からなる金属突起を電極端子
部に形成する電子回路基板の製造方法である。
有する電子回路基板を錫ディップ処理し、加熱して主と
して銅−錫系金属間化合物からなる金属突起を電極端子
部に形成する電子回路基板の製造方法である。
【００２３】そして、本発明は、ニッケルからなる電極
端子部を有する電子回路基板を錫メッキ処理し、加熱し
て主としてニッケル−錫系金属間化合物からなる金属突
起を電極端子部に形成する電子回路基板の製造方法であ
る。
端子部を有する電子回路基板を錫メッキ処理し、加熱し
て主としてニッケル−錫系金属間化合物からなる金属突
起を電極端子部に形成する電子回路基板の製造方法であ
る。
【００２４】更に、本発明は、ニッケルからなる電極端
子部を有する電子回路基板を錫ディップ処理し、加熱し
て主としてニッケル−錫系金属間化合物からなる金属突
起を電極端子部に形成する電子回路基板の製造方法であ
る。
子部を有する電子回路基板を錫ディップ処理し、加熱し
て主としてニッケル−錫系金属間化合物からなる金属突
起を電極端子部に形成する電子回路基板の製造方法であ
る。
【００２５】また、本発明は、銅又はニッケルからなる
部品端子を有する電子部品を、錫メッキ処理又は錫ディ
ップ処理し、加熱して主として金属間化合物からなる金
属突起を部品端子に形成する電子部品の製造方法であ
る。
部品端子を有する電子部品を、錫メッキ処理又は錫ディ
ップ処理し、加熱して主として金属間化合物からなる金
属突起を部品端子に形成する電子部品の製造方法であ
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を説明する。本
発明の電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並びに
これらの製造方法の実施例について、図１〜図４を用い
て説明する。図１は、実施例１の電子回路基板上に形成
した金属突起の写真説明図である。図２は、実施例１の
電子回路基板と電子部品とを圧着した接続構造の断面の
写真説明図である。図３は、実施例１の電子回路基板の
電極端子に形成した金属突起の写真説明図である。図４
は、実施例４における信頼性試験結果の説明図表であ
る。
発明の電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並びに
これらの製造方法の実施例について、図１〜図４を用い
て説明する。図１は、実施例１の電子回路基板上に形成
した金属突起の写真説明図である。図２は、実施例１の
電子回路基板と電子部品とを圧着した接続構造の断面の
写真説明図である。図３は、実施例１の電子回路基板の
電極端子に形成した金属突起の写真説明図である。図４
は、実施例４における信頼性試験結果の説明図表であ
る。
【００２７】実施例１を説明する。本実施例の電子回路
基板は、図１に示すように、電子部品と接続する電極端
子部に主として銅−錫系化合物の金属間化合物からなる
金属突起を有する。本実施例の電子回路基板の製造方法
の一例を説明する。表面に１２０μｍピッチで５０μｍ
幅の銅の配線があるプリント基板を準備する。次に、こ
の銅配線上に厚さ１０μｍの錫メッキを施した。これを
２５０度に加熱し、10分間保持した。この間に銅と錫の
金属間化合物が成長する。１０分の保持後、余分な錫を
除去する目的で、加熱状態のまま、銅板を配線面に押し
付けた。これを２回繰りかえした後、冷却した。こうし
て得られたプリント基板上の電極端子部表面には、銅と
錫からなる金属間化合物による金属突起が形成されてい
る。
基板は、図１に示すように、電子部品と接続する電極端
子部に主として銅−錫系化合物の金属間化合物からなる
金属突起を有する。本実施例の電子回路基板の製造方法
の一例を説明する。表面に１２０μｍピッチで５０μｍ
幅の銅の配線があるプリント基板を準備する。次に、こ
の銅配線上に厚さ１０μｍの錫メッキを施した。これを
２５０度に加熱し、10分間保持した。この間に銅と錫の
金属間化合物が成長する。１０分の保持後、余分な錫を
除去する目的で、加熱状態のまま、銅板を配線面に押し
付けた。これを２回繰りかえした後、冷却した。こうし
て得られたプリント基板上の電極端子部表面には、銅と
錫からなる金属間化合物による金属突起が形成されてい
る。
【００２８】次に、実施例１で得られた金属間化合物に
よる金属突起による接続を説明する。別途、部品端子に
金バンプが形成された電子部品ＬＳＩを準備する。これ
を、フリップチップボンダーを用いて先に金属突起を電
極端子部表面に形成した電子回路基板に位置合わせして
加圧して接続する。こうして得られた接続を利用して、
ＬＳＩの電気的テストを行う。不合格の場合は、ＬＳＩ
を電子回路基板から取り外す。金属突起を利用して押さ
えつけられているだけであるから、比較的容易にはずす
ことができる。また、テスト結果が合格の場合には、ア
ンダーフィルを用いて、ＬＳＩと電子回路基板の接続強
度を向上させる。こうして得られたＬＳＩ１の金バンプ
からなる部品端子２と電子回路基板５の電極端子部４と
を金属突起３及びアンダーフィル６とで接続する断面の
写真説明図を図２に示す。また、アンダーフィル６で補
強する前に、加熱保持して金属突起３と金バンプ２を表
面拡散させることにより、より強固な金属結合を得るこ
とも可能である。
よる金属突起による接続を説明する。別途、部品端子に
金バンプが形成された電子部品ＬＳＩを準備する。これ
を、フリップチップボンダーを用いて先に金属突起を電
極端子部表面に形成した電子回路基板に位置合わせして
加圧して接続する。こうして得られた接続を利用して、
ＬＳＩの電気的テストを行う。不合格の場合は、ＬＳＩ
を電子回路基板から取り外す。金属突起を利用して押さ
えつけられているだけであるから、比較的容易にはずす
ことができる。また、テスト結果が合格の場合には、ア
ンダーフィルを用いて、ＬＳＩと電子回路基板の接続強
度を向上させる。こうして得られたＬＳＩ１の金バンプ
からなる部品端子２と電子回路基板５の電極端子部４と
を金属突起３及びアンダーフィル６とで接続する断面の
写真説明図を図２に示す。また、アンダーフィル６で補
強する前に、加熱保持して金属突起３と金バンプ２を表
面拡散させることにより、より強固な金属結合を得るこ
とも可能である。
【００２９】実施例２を説明する。実施例１は銅−錫系
の金属間化合物による金属突起を有する電子回路基板に
おける接続方法に関するものであるが、実施例２は、ニ
ッケル−錫系の金属間化合物による例である。まず、表
面に１２０μｍピッチで５０μｍ幅の銅の配線があるプ
リント基板を準備する。次に、この銅配線上に厚さ５μ
ｍのニッケルメッキを施した。次に、これを２５０度に
加熱溶融させた錫溶融液の中に漬け、１０分間保持し
た。この間にニッケル−錫系の金属間化合物が成長す
る。１０分の保持後取り出し、余分な錫を除去する目的
で、加熱状態のまま、熱風を配線表面に吹き付けた。こ
うして得られた電子回路基板上の銅配線からなる電極端
子部の表面を図３に示す。表面には、ニッケルと錫から
成る合金による金属間化合物が形成されている。これを
用いて、実施例１と同様に、ＬＳＩの金バンプと接続・
リペアを行うことが出来た。
の金属間化合物による金属突起を有する電子回路基板に
おける接続方法に関するものであるが、実施例２は、ニ
ッケル−錫系の金属間化合物による例である。まず、表
面に１２０μｍピッチで５０μｍ幅の銅の配線があるプ
リント基板を準備する。次に、この銅配線上に厚さ５μ
ｍのニッケルメッキを施した。次に、これを２５０度に
加熱溶融させた錫溶融液の中に漬け、１０分間保持し
た。この間にニッケル−錫系の金属間化合物が成長す
る。１０分の保持後取り出し、余分な錫を除去する目的
で、加熱状態のまま、熱風を配線表面に吹き付けた。こ
うして得られた電子回路基板上の銅配線からなる電極端
子部の表面を図３に示す。表面には、ニッケルと錫から
成る合金による金属間化合物が形成されている。これを
用いて、実施例１と同様に、ＬＳＩの金バンプと接続・
リペアを行うことが出来た。
【００３０】実施例３を説明する。本実施例は、金−錫
系の金属間化合物の例である。電子回路基板の一例とし
て、表面に１２０μｍピッチで５０μｍ幅の銅の配線が
あるプリント基板を準備する。次に、この銅配線上に厚
さ５μｍの金メッキを施した。次に、このプリント基板
の配線上に、厚さ１０μｍの錫箔をおいて、２６０度に
加熱し、１５分間保持した。こうすることにより、電極
端子部に金−錫系の合金の金属間化合物による金属突起
が形成される。
系の金属間化合物の例である。電子回路基板の一例とし
て、表面に１２０μｍピッチで５０μｍ幅の銅の配線が
あるプリント基板を準備する。次に、この銅配線上に厚
さ５μｍの金メッキを施した。次に、このプリント基板
の配線上に、厚さ１０μｍの錫箔をおいて、２６０度に
加熱し、１５分間保持した。こうすることにより、電極
端子部に金−錫系の合金の金属間化合物による金属突起
が形成される。
【００３１】以上、金属突起を形成する金属間化合物の
例として、銅−錫合金、ニッケル−錫合金及び金−錫合
金を例として示したが、合金の組成はこれに限定される
ものではない。また、その組成も一種類でなくてもよ
い。特に低温で化合物を形成させたい場合には、錫−イ
ンジウムや錫−ビスマスなどの低融点の共晶合金と電子
回路基板上の配線金属（例えば銅）を低温で反応させて
金属間化合物を形成させることもできる。
例として、銅−錫合金、ニッケル−錫合金及び金−錫合
金を例として示したが、合金の組成はこれに限定される
ものではない。また、その組成も一種類でなくてもよ
い。特に低温で化合物を形成させたい場合には、錫−イ
ンジウムや錫−ビスマスなどの低融点の共晶合金と電子
回路基板上の配線金属（例えば銅）を低温で反応させて
金属間化合物を形成させることもできる。
【００３２】また、電子回路基板はプリント基板とは限
らず、フレキシブル基板やセラミック基板でもよい。さ
らに、上記では電子回路基板の電極端子部上に金属間化
合物による金属突起を形成する実施例を示したが、金属
突起は必ずしも電子回路基板の電極端子部側に形成され
なくてもよい。ＬＳＩなどの電子部品の部品端子側に形
成してもよい。
らず、フレキシブル基板やセラミック基板でもよい。さ
らに、上記では電子回路基板の電極端子部上に金属間化
合物による金属突起を形成する実施例を示したが、金属
突起は必ずしも電子回路基板の電極端子部側に形成され
なくてもよい。ＬＳＩなどの電子部品の部品端子側に形
成してもよい。
【００３３】実施例４を説明する。本実施例は、電子回
路基板の電極端子部又は電子部品の部品端子として、異
方導電性フィルムを使用する例である。実施例１〜３で
形成された電極端子部上の金属突起は、リペアを容易に
するだけでなく、最終的な接続信頼性を向上させる効果
もあり、例えばＬＳＩの部品端子に金バンプを形成し、
これを電子回路基板上に設けた異方導電性フィルムを利
用して接続することができる。異方導電性フィルムには
導電性粒子が含有されていて、これがＬＳＩの金バンプ
と電子回路基板の間に挟まることにより、確実な電気的
導通を得ることができる。従来技術におけるプリント基
板の配線の表面は、図５に示すように、平坦である。こ
れに対して、本実施例による金属突起を形成した電極端
子部を有する電子回路基板に対して接続すると、金属突
起が異方導電性フィルムの中の導電性粒子を保持する役
割を果たすため、より安定した、信頼性の向上した電気
接続が得られる。これを検証するため、本実施例による
金属突起を形成した電極端子部を有する電子回路基板
と、比較のため、図５に示すような従来技術による配線
電極を有するプリント基板とを用意し、周辺に金バンプ
が形成された１０ｍｍ角のＬＳＩを、異方導電性フィル
ムを用いて接続した。これをそれぞれ５個作成し、−５
５度、１２５度の温度サイクル試験層に投入し、接続端
子の電気抵抗上昇について、１００、２５０、５００、
７５０及び１０００サイクル毎にチェックした。接続抵
抗値２０ｍオーム以上を接続不良とした。初期接続抵抗
はいずれも２０ｍオーム以下であった。結果を図４に示
す。これでわかるように、従来技術の配線を有するプリ
ント基板に接続したサンプルでは、５００サイクルから
接続不良が発生したのに対し、本実施例による金属突起
を形成した電極端子部を有する電子回路基板に接続した
サンプルでは、１０００サイクルを越えても不良は発生
していない。本実施例による接続方式は、接続信頼性も
向上させることが明らかになった。
路基板の電極端子部又は電子部品の部品端子として、異
方導電性フィルムを使用する例である。実施例１〜３で
形成された電極端子部上の金属突起は、リペアを容易に
するだけでなく、最終的な接続信頼性を向上させる効果
もあり、例えばＬＳＩの部品端子に金バンプを形成し、
これを電子回路基板上に設けた異方導電性フィルムを利
用して接続することができる。異方導電性フィルムには
導電性粒子が含有されていて、これがＬＳＩの金バンプ
と電子回路基板の間に挟まることにより、確実な電気的
導通を得ることができる。従来技術におけるプリント基
板の配線の表面は、図５に示すように、平坦である。こ
れに対して、本実施例による金属突起を形成した電極端
子部を有する電子回路基板に対して接続すると、金属突
起が異方導電性フィルムの中の導電性粒子を保持する役
割を果たすため、より安定した、信頼性の向上した電気
接続が得られる。これを検証するため、本実施例による
金属突起を形成した電極端子部を有する電子回路基板
と、比較のため、図５に示すような従来技術による配線
電極を有するプリント基板とを用意し、周辺に金バンプ
が形成された１０ｍｍ角のＬＳＩを、異方導電性フィル
ムを用いて接続した。これをそれぞれ５個作成し、−５
５度、１２５度の温度サイクル試験層に投入し、接続端
子の電気抵抗上昇について、１００、２５０、５００、
７５０及び１０００サイクル毎にチェックした。接続抵
抗値２０ｍオーム以上を接続不良とした。初期接続抵抗
はいずれも２０ｍオーム以下であった。結果を図４に示
す。これでわかるように、従来技術の配線を有するプリ
ント基板に接続したサンプルでは、５００サイクルから
接続不良が発生したのに対し、本実施例による金属突起
を形成した電極端子部を有する電子回路基板に接続した
サンプルでは、１０００サイクルを越えても不良は発生
していない。本実施例による接続方式は、接続信頼性も
向上させることが明らかになった。
【００３４】以上、実施例で説明したように、電子回路
基板側の電極端子部にあらかじめ金属突起を形成してお
き、ＬＳＩの部品端子の金バンプなどをいったんこれに
押し付けて仮接続とし、電気的な検査を行い、そして、
電気的な試験を行って不合格ならこれを外し、合格なら
最終的な接続を行って完成させることができる。最終的
な接続方法としては、低温加熱により金属拡散を行わせ
る方法、アンダーフィルを注入して加熱硬化させ、その
圧縮力で接続を補強する方法、また、金属突起を融点の
低い金属で形成させておき、それを加熱溶融させて金バ
ンプと金属接続をとる方法、あるいは、これらの組合せ
などがあり、いずれも有効である。
基板側の電極端子部にあらかじめ金属突起を形成してお
き、ＬＳＩの部品端子の金バンプなどをいったんこれに
押し付けて仮接続とし、電気的な検査を行い、そして、
電気的な試験を行って不合格ならこれを外し、合格なら
最終的な接続を行って完成させることができる。最終的
な接続方法としては、低温加熱により金属拡散を行わせ
る方法、アンダーフィルを注入して加熱硬化させ、その
圧縮力で接続を補強する方法、また、金属突起を融点の
低い金属で形成させておき、それを加熱溶融させて金バ
ンプと金属接続をとる方法、あるいは、これらの組合せ
などがあり、いずれも有効である。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、ＬＳＩ等の電子部品の
リペアを容易にし、かつ信頼性の高く、短時間そして低
コストとなる接続方法を使用した電子回路基板と電子部
品及び電子回路装置を得ることができる。
リペアを容易にし、かつ信頼性の高く、短時間そして低
コストとなる接続方法を使用した電子回路基板と電子部
品及び電子回路装置を得ることができる。
【図１】実施例１の電子回路基板上に形成した金属突起
の写真説明図。
の写真説明図。
【図２】実施例１の電子回路基板と電子部品とを圧着し
た接続構造の断面の写真説明図。
た接続構造の断面の写真説明図。
【図３】実施例１の電子回路基板の電極端子に形成した
金属突起の写真説明図。
金属突起の写真説明図。
【図４】実施例４における信頼性試験結果の説明図表。
【図５】従来技術におけるプリント基板上の配線の写真
説明図。
説明図。
１ ＬＳＩ ２ 金バンプ ３ 金属突起 ４ 電極端子 ５ 電子回路基板
フロントページの続き (72)発明者 牛房 信之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 依田 智子 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山下 志郎 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5E319 AC01 AC15 AC17 BB01 BB16 CC12 CC22 CC61 CD04 CD13 CD15 CD57 GG15 5F044 KK18 KK19 LL09 LL13 RR00
Claims (20)
- 【請求項１】 電子部品と接続する電極端子部を設けた
電子回路基板において、 前記電極端子部は、主として金属間化合物からなる金属
突起を有することを特徴とする電子回路基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子回路基板において、 上記金属間化合物は、銅−錫系化合物であることを特徴
とする電子回路基板。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子回路基板において、 上記金属間化合物は、ニッケル−錫系化合物であること
を特徴とする電子回路基板。 - 【請求項４】 請求項１記載の電子回路基板において、 上記金属間化合物は、銅−インジウム系化合物であるこ
とを特徴とする電子回路基板。 - 【請求項５】 請求項１記載の電子回路基板において、 上記金属間化合物は、銀−錫系化合物であることを特徴
とする電子回路基板。 - 【請求項６】 電子回路基板と接続する部品端子を設け
た電子部品において、 前記部品端子は、主として金属間化合物からなる金属突
起を有することを特徴とする電子部品。 - 【請求項７】 請求項６記載の電子部品において、 上記金属間化合物は、銅−錫系化合物であることを特徴
とする電子部品。 - 【請求項８】 請求項６記載の電子部品において、 上記金属間化合物は、ニッケル−錫系化合物であること
を特徴とする電子部品。 - 【請求項９】 請求項６記載の電子部品において、 上記金属間化合物は、銅−インジウム系化合物であるこ
とを特徴とする電子部品。 - 【請求項１０】 請求項６記載の電子部品において、 上記金属間化合物は、銀−錫系化合物であることを特徴
とする電子部品。 - 【請求項１１】 電子回路基板と電子部品とを備える電
子回路装置であって、 前記電子回路基板は、請求項１〜５のいずれか１項に記
載の電子回路基板であることを特徴とする電子回路装
置。 - 【請求項１２】 電子回路基板と電子部品とを備える電
子回路装置であって、 前記電子部品は、請求項６〜１０のいずれか１項に記載
の電子部品であることを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項１３】 請求項１１又は１２に記載の電子回路
装置において、 上記電子回路基板の電極端子部と電子部品の部品端子と
は、金属突起による接続及び他の端子間接続により接続
されることを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項１４】 請求項１１又は１２に記載の電子回路
装置において、 上記電子回路基板の電極端子部と電子部品の部品端子と
は、金属突起による接続のみにより接続されることを特
徴とする電子回路装置。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の電子回路装置におい
て、 上記電子回路基板の電極端子部と電子部品の部品端子と
は、金属突起と異方導電性フィルムとによる接続により
接続されることを特徴とする電子回路装置。 - 【請求項１６】 銅からなる電極端子部を有する電子回
路基板を錫メッキ処理し、加熱して主として銅−錫系金
属間化合物からなる金属突起を電極端子部に形成する電
子回路基板の製造方法。 - 【請求項１７】 銅からなる電極端子部を有する電子回
路基板を錫ディップ処理し、加熱して主として銅−錫系
金属間化合物からなる金属突起を電極端子部に形成する
電子回路基板の製造方法。 - 【請求項１８】 ニッケルからなる電極端子部を有する
電子回路基板を錫メッキ処理し、加熱して主としてニッ
ケル−錫系金属間化合物からなる金属突起を電極端子部
に形成する電子回路基板の製造方法。 - 【請求項１９】 ニッケルからなる電極端子部を有する
電子回路基板を錫ディップ処理し、加熱して主としてニ
ッケル−錫系金属間化合物からなる金属突起を電極端子
部に形成する電子回路基板の製造方法。 - 【請求項２０】 銅又はニッケルからなる部品端子を有
する電子部品を、錫メッキ処理又は錫ディップ処理し、
加熱して主として金属間化合物からなる金属突起を部品
端子に形成する電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000366842A JP2002171055A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並びにこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000366842A JP2002171055A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並びにこれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002171055A true JP2002171055A (ja) | 2002-06-14 |
Family
ID=18837389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000366842A Pending JP2002171055A (ja) | 2000-12-01 | 2000-12-01 | 電子回路基板と電子部品及び電子回路装置並びにこれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002171055A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212437A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 半導体モジュールの製造方法 |
| WO2015105089A1 (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 株式会社村田製作所 | 補修方法および補修材 |
| WO2017179250A1 (ja) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | 株式会社村田製作所 | 半導体パッケージの製造方法及びＣｕ合金の切断方法 |
| JP2018093001A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 富士通株式会社 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
| KR20190059972A (ko) * | 2016-12-01 | 2019-05-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 칩형 전자 부품 |
-
2000
- 2000-12-01 JP JP2000366842A patent/JP2002171055A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212437A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Seiko Epson Corp | 半導体モジュールの製造方法 |
| WO2015105089A1 (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 株式会社村田製作所 | 補修方法および補修材 |
| US10994366B2 (en) | 2014-01-07 | 2021-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Repair method and repair material |
| WO2017179250A1 (ja) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | 株式会社村田製作所 | 半導体パッケージの製造方法及びＣｕ合金の切断方法 |
| JPWO2017179250A1 (ja) * | 2016-04-15 | 2018-12-20 | 株式会社村田製作所 | 半導体パッケージの製造方法及びＣｕ合金の切断方法 |
| JP2018093001A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 富士通株式会社 | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
| KR20190059972A (ko) * | 2016-12-01 | 2019-05-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 칩형 전자 부품 |
| CN110024065A (zh) * | 2016-12-01 | 2019-07-16 | 株式会社村田制作所 | 芯片型电子部件 |
| CN110024065B (zh) * | 2016-12-01 | 2021-03-19 | 株式会社村田制作所 | 芯片型电子部件 |
| US10971301B2 (en) | 2016-12-01 | 2021-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip electronic component |
| CN112908692A (zh) * | 2016-12-01 | 2021-06-04 | 株式会社村田制作所 | 芯片型电子部件 |
| KR102443777B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2022-09-16 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 칩형 전자 부품 |
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