JP2002166217A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002166217A JP2002166217A JP2001270971A JP2001270971A JP2002166217A JP 2002166217 A JP2002166217 A JP 2002166217A JP 2001270971 A JP2001270971 A JP 2001270971A JP 2001270971 A JP2001270971 A JP 2001270971A JP 2002166217 A JP2002166217 A JP 2002166217A
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Abstract
着し難く、しかもそのような液がミスト状となって付着
或いは再付着し難い基板処理装置の提供。 【解決手段】 壁板71に樋部73が回転カップ42の
外周に沿って設けられているので、回転カップ42の流
出孔58から流出されるレジスト液をこの樋部73によ
り確実に回収することができるようになる。よって、例
えば樋部73がなく回転カップ42の流出孔58から流
出されるレジスト液が壁板71にそのまま当たるような
場合に比べてレジスト液がミスト状となって飛散するよ
うなことは少なくなる。
Description
置に使われるガラス基板上にレジスト液を塗布するレジ
スト塗布装置等の基板処理装置に関する。
製の矩形の基板上にレジスト液を塗布してレジスト膜を
形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、
これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフ
ィー技術により回路パターンが形成される。
としては、ガラス基板を回転させながらその上にレジス
ト液を供給し、遠心力によってガラス基板の全面にレジ
スト液を伸展する、いわゆるスピンコート方式が一般的
である。そして、その後、基板を再度回転させてレジス
ト膜の膜厚を整える工程が実施される。
ト液を塗布し、その後更に基板を再度回転させる場合、
ガラス基板の外周付近で強い気流が発生し、塗布ムラの
原因になる。そのため、例えばガラス基板を容器内に収
容してガラス基板の回転と同期させて容器自体も回転さ
せることが行われている。
ス基板から振り切られたレジスト液を容器外に排出する
ための流出孔が容器外周に設けられている。また、この
ような容器の外周を囲うように壁板を配置し、その壁板
の下方に排出口を設け、流出孔から排出されたレジスト
液を排出口を介して外部に排出するように構成されてい
る。更に、壁板の下方を跨いでその裏面側には排気通路
を設け、この排気通路に接続された排気口を介して気液
分離された気体を外部に排気するように構成されてい
る。
流出孔から排出されたレジスト液が壁板内に付着してレ
ジストの汚れが発生しやすい、という課題がある。特
に、容器の流出孔から排出されたレジスト液が壁板に当
たってミスト状態となり、このミスト状態のレジスト液
が排出口から排出されずに排気通路に及んでしまい、排
気通路の例えば上部に付着している。
ば40枚程度)に1回程度、壁板内を洗浄することが行
われている。このような洗浄は、例えば容器内に洗浄液
としてのシンナーを供給しながら容器を回転させて容器
の流出孔から壁板に向けてシンナーを排出させることに
より行われている。
壁板に直接当たったシンナーによりその部分のレジスト
汚れは取れるものの、シンナーがその部分に当たったこ
とにより上記のミストが発生し、排気通路のレジストの
付着を更に増進させる結果になる、という問題ある。
ので、容器の流出孔から排出された液が壁板等に付着し
難く、しかもそのような液がミスト状となって付着或い
は再付着し難い基板処理装置を提供することを目的とし
ている。
の使用量を極力減らし、しかも洗浄処理を短時間で行う
ことができる基板処理装置を提供することにある。
め、本発明の基板処理装置は、基板を回転可能に保持す
る保持部材と、上記保持部材により保持された基板に所
定の液を供給する供給部と、上記保持部材により保持さ
れた基板を収容すると共に、上記保持部材と同期して回
転可能で、かつ外周に上記液を排出可能な流出孔を有す
る容器と、上記流出孔から排出される液を受け入れる開
口が上記流出孔と対面するように設けられ、上記容器の
外周に沿って配置された樋部とを具備する。
れた液が樋部を介して回収されるので、樋部だけの局所
的な汚れだけに抑えることができる。また、ミストが樋
部内に封じ込められるようになるので、ミストが排気通
路等に飛散することは少なくなる。従って、本発明によ
れば、容器の流出孔から排出された液が壁板等に付着し
難く、しかもそのような液がミスト状となって付着或い
は再付着し難い基板処理装置を提供することができる。
また、本発明によれば、洗浄の範囲も樋部だけで良いの
で、シンナー等の洗浄液の使用量を極力減らし、しかも
洗浄処理を短時間で行うことができる。
に基づき説明する。
ト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェイス部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション1および
インターフェイス部3が配置されている。
処理部2との間で基板の搬送を行うための搬送機構10
を備えている。そして、カセットステーション1におい
てカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10
はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路10a
上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム
11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送
が行われる。
段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路1
2、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部15、16が設けられている。
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユ
ニット(UV)と冷却ユニット(COL)とが2段に重
ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(HP)
が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷却ユ
ニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック
27が配置されている。
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、
搬送路13の他方側には、加熱処理ユニット(HP)が
2段に重ねられてなる処理ブロック28、加熱処理ユニ
ット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重
ねられてなる処理ブロック29、およびアドヒージョン
処理ユニット(AD)と冷却ユニット(COL)とが上
下に重ねられてなる処理ブロック30が配置されてい
る。
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット(DEV)24
a、24b、24cが配置されており、搬送路14の他
方側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられて
なる処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット
(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねら
れてなる処理ブロック32、33が配置されている。
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うため
のスペース35が設けられている。
ぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、
および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Gを支持するアーム17a,18a,19aを有
している。
ーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬
出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部1
5との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2
bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さら
には中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を
有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との
間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各
処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはイ
ンターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレー
トとしても機能する。
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板G
の搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構
38はエクステンション36およびバッファステージ3
7の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動
可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39によ
り処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われ
る。
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが、処
理部2に搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの
処理ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面
改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(COL)
で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a,21
bでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック26のいず
れかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された後、
処理ブロック27のいずれかの冷却ユニット(COL)
で冷却される。
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の
上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化
処理(HMDS処理)され、下段の冷却処理ユニット
(COL)で冷却後、レジスト塗布ユニット(CT)2
2でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット
(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去さ
れる。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユ
ニット(HP)の一つでプリベーク処理され、処理ブロ
ック29または30の下段の冷却ユニット(COL)で
冷却される。
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cの処理ブロック31,32,3
3のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエク
スポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット
(DEV)24a,24b,24cのいずれかで現像処
理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理さ
れた基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理ユニッ
ト(HP)にてポストベーク処理が施された後、いずれ
かの冷却ユニット(COL)にて冷却され、主搬送装置
19,18,17および搬送機構10によってカセット
ステーション1上の所定のカセットに収容される。
レジスト塗布処理ユニット(CT)22について説明す
る。
(CT)22には、基板回転手段、例えば駆動装置40
により回転される保持部材としてのスピンチャック41
が回転自在に設けられ、このスピンチャック41上に
は、基板Gがその表面を水平にしながら吸着して載置さ
れるようになっている。また、このスピンチャック41
とともに同期して回転可能とされ、下方からスピンチャ
ック41および基板Gを包囲する有底円筒形状の回転カ
ップ42が設けられている。
ップ42の外周側と下方側を覆うドレインカップ44が
配置されている。
い装着アームにより、中央部に開口46を有する環状の
蓋体45が装着されるようになっている。この環状の蓋
体45は、回転カップ42が基板Gとともに回転される
際、回転カップ42とともに回転するようになってい
る。この蓋体45の開口46には、レジスト液の吐出
時、レジスト液の飛散を防止するための円筒状の筒状部
材47が立設されている。
着アームによって、外蓋60が装着されるようになって
いる。外蓋60の上方には、基板Gにレジスト液や溶剤
を供給するための噴頭49が図示を省略したアームによ
り待機位置と開口46上部との間で移動されるようにな
っている。この噴頭49には、塗布液吐出ノズル、例え
ばレジスト液を吐出するためのレジスト液吐出ノズル5
1と、シンナー等の溶剤を吐出するための溶剤吐出ノズ
ル52とからなる多系統のノズルユニットが設けられて
いる。
が装着されるように構成されている。この小蓋53は、
図示を省略したアームにより昇降可能とされている。
円周上に例えば内径4〜5mm程度の複数の流出孔58
が設けられており、環状の蓋体45の外周側部分には、
円周上に複数の空気の流入孔59が設けられている。回
転カップ42を回転させることにより、回転カップ42
内の空気に遠心力が働き、図2に矢印で示すように、回
転カップ42の流出孔58から空気及びレジスト液が外
部に流出されるとともに、蓋体45の流入孔59を介し
て外部から空気が流入されるような気流が形成される。
この流出孔58および流入孔59の大きさを変更して気
流を調整することにより、基板G周辺のレジスト液の乾
燥速度を調整して拡散速度を調整できるため、基板G周
辺のレジスト膜の膜厚を制御することができるととも
に、膜厚の均一性を維持することができるようになって
いる。
外周に沿って配置された壁板71を有する。この壁板7
1には、この壁板71自体を断面コの字状に凹ませるこ
とにより設けられた樋部73が回転カップ42の外周に
沿って設けられている。このように樋部73と壁板71
とを一体化することで、製造が容易で密閉性も良好とな
るが、樋部73を壁板71から着脱できるようにしても
よく、これによりメンテナンスを容易に行うことが可能
となる。また、樋部73は、回転カップ42の流出孔5
8と対面するように設けられ、回転カップ42の流出孔
58から排出されるレジスト液を受け入れる開口72を
有する。なお、樋部73の表面には、レジスト液が付着
し難いように、例えばテフロン(DUPONT社の登録
商標)等をコーティングするのが好ましい。
に向けて開放するように傾斜している。その傾斜角θ1
として10°〜45°、より好ましくは20°とされて
いる。そして、回転カップ42の流出孔58は天井部7
4の斜面に対面している。これにより、回転カップ42
の流出孔58から排出されるレジスト液が天井部74で
反射して樋部73の床部75に零れ落ち、排出されたレ
ジスト液を樋部73で確実に回収することができるよう
になる。
液を外部に排出するための排出口76が例えば同心円状
に等間隔で6個所に設けられている。また、樋部73か
らこの排出口76にレジスト液を流出させるための管7
7が樋部73の床部75から各排出口76に向けて配設
されている。これにより、樋部73で回収されたレジス
ト液及び樋部73で回収しきれないレジスト液を排出口
76を介して効率良く外部に排出することが可能とな
る。
から壁板71の背面側へ通じる第1の排気通路78が設
けられ、第1の排気通路78には排気口79が接続され
ている。排気口79には図示を省略した排気ポンプが接
続され、ドレインカップ44内の排気が行われるように
なっている。これにより、気液分離された気体を確実に
回収することが可能となる。また、ドレインカップ44
内での乱流の発生を防止でき、ミストの飛散を効果的に
防止できる。
71の上方から壁板71の背面側へ通じる第2の排気通
路80が設けられている。これにより、壁板71の背面
側の上方において渦等の乱流が発生することがなく、ミ
ストの飛散を効果的に防止できる。
挿入され、即ち管77の下端部を各排出口76上端部よ
り下方に配置させているので、管77を流れ落ちた後の
微小な液滴等が各排出口76内から第1の排気通路78
側に送出する可能性を低減している。また、第1の排気
通路78は、排気中に含まれる微小な液滴を除去する除
去機能も兼ねており、第1の排気通路78を上下に屈曲
させることにより、排気中に含まれる微小な液滴を第1
の排気通路78下方に分離、各排出口76に排出する可
能性を向上させている。
部74と同様に回転カップ42に向けて開放するように
傾斜している。そして、天井部74の傾斜角θ1と床部
75の傾斜角θ2はほぼ等しくなるようにされている。
このように床部75が傾斜することで、レジスト液を床
部75から管77を介して排出口76に向けて確実に排
出することが可能となる。また、天井部74の傾斜角と
床部75の傾斜角はほぼ等しくなるようにされているの
で、樋部73の背面側において天井部74裏面の傾斜角
と床部75裏面の傾斜角はほぼ等しくなり、第1の排気
通路78から排気口79に向けて流れる気流と第2の排
気通路80から排気口79に向けて流れる気流とがほぼ
同等の流れとなり、壁板71の背面側において渦等の乱
流が発生することがなくなり、ミストの飛散を効果的に
防止できる。
開放した案内板81が設けられている。これにより、ミ
ストが第1の排気通路78から壁板71の背面側に流入
することがなくなる。また、案内板81は樋部73にお
ける床部75の下方に設けられているので、案内板81
の高さを調節することで、第1の排気通路78の太さを
容易に調整することが可能となる。
の間には、メッシュ100が配置されている。これによ
り、排気口79側にミストが侵入することを防止してい
る。更に、排気口79にはダンパ101が介挿されてい
る。そして、基板G上にレジストを塗布しているときに
はダンパ101が開いた状態とされ、それ以外のときに
はダンパ101により排気口79が閉じられた状態とさ
れている。これによっても、排気口79側にミストが侵
入することを防止している。
処理ユニット(CT)22の動作を図3に基づき説明す
る。
転カップ42から外されると共に、基板Gが主搬送装置
18によりスピンチャック41上に搬送されて吸着され
る(ステップ1)。
より回転カップ42の上部開口に装着され(ステップ
2)、レジスト液吐出ノズル51及び溶液吐出ノズル5
2が基板Gの上方であって、蓋体45の開口46の上方
に位置され、基板Gの回転開始前に、溶液吐出ノズル5
2からシンナー等の溶剤が蓋体45の開口46を通して
基板Gに吐出される(ステップ3)。
スト液が蓋体45の開口46を通して基板Gに吐出され
ると(ステップ4)共に、基板G及び回転カップ42の
回転が開始される(ステップ5)。このようにレジスト
液を吐出させながら基板Gを回転させることにより、基
板G上でレジスト液が拡散し、基板G上にレジスト膜が
形成される。
レジスト液の吐出ならびに基板G及び回転カップ42の
回転が停止され(ステップ6)、図示を省略したアーム
により小蓋53が搬送されて、蓋体45の開口46に装
着される(ステップ7)。
転され、レジスト膜の膜厚が整えられる(ステップ
8)。本実施形態では、特に、このようにレジスト膜の
膜厚を整える際に、蓋体45の開口46に小蓋53が装
着されているため、レジスト液の外部への飛散が防止さ
れる。また、開口46からの空気の侵入を防止すること
ができ、基板周囲に処理に悪影響を及ぼす気流が生じ
ず、レジスト膜の膜厚が不均一になることが防止され
る。
が停止され(ステップ9)、外蓋60及び蓋体45が外
され、基板Gが次の工程に搬出される(ステップ1
0)。
させているときに(ステップ5及びステップ8)、回転
カップ42の流出孔58から回転カップ42の外周に向
けて気体及レジスト液が流出され、レジスト液について
は遠心力で樋部73に到達し、樋部73、管77及び排
出口76を介して外部に排出される。
に樋部73が回転カップ42の外周に沿って設けられて
いるので、回転カップ42の流出孔58から流出される
レジスト液をこの樋部73により確実に回収することが
できるようになる。よって、例えば樋部73がなく回転
カップ42の流出孔58から流出されるレジスト液が壁
板71にそのまま当たるような場合に比べてレジスト液
がミスト状となって飛散するようなことは少なくなる。
また、レジスト液によって汚れが生じる部分についても
ほぼ樋部73だけに局所化できるので、カップ洗浄時間
が短縮され、洗浄用のシンナーの使用量も低減できる。
処理ユニット(CT)22における洗浄工程について説
明する。以下の洗浄工程は例えば1ロット(基板40枚
程度)に1回程度実施される。
アームにより回転カップ42から外されると共に、基板
Gが主搬送装置18によりスピンチャック41上に搬送
されて吸着され、蓋体45が図示しない搬送アームによ
り回転カップ42の上部開口に装着され、レジスト液吐
出ノズル51及び溶液吐出ノズル52が基板Gの上方で
あって、蓋体45の開口46の上方に位置され、基板G
及び回転カップ42を回転させながら、溶液吐出ノズル
52からシンナーが蓋体45の開口46を通して基板G
に吐出される。これにより、回転カップ42の流出孔5
8から回転カップ42の外周に向けてシンナーが流出さ
れ、遠心力で樋部73に到達し、シンナーによって樋部
73の洗浄を行うことができる。
に、基板G及び回転カップ42の回転数を適宜可変する
ことにより、図4に示すように、シンナーによる洗浄位
置S(シンナーが到達する位置)を可変でき、これによ
り樋部73の全面を効率良く洗浄することができる。
を用いるようにしてもよく、或いは図5に示すように回
転カップ42内に専用の洗浄ノズル91を設け、洗浄ノ
ズル91から洗浄液を供給するようにしてもよい。
されない。
口76にそのまま接続することなく、例えば三方弁92
に接続し、例えば樋部73で回収されたレジスト液につ
いては再利用し、樋部73で回収されたシンナー等につ
いては排出するように構成しても構わない。これによ
り、レジスト液の消費量を削減することが可能となる。
に2分割し(樋部73a、73b)、表面を着脱可能な
保護部材94で覆うように構成してもよい。これによ
り、樋部73の洗浄を簡単にかつ確実に行うことが可能
となる。
テフロンコーティングを施した方が好ましいが、その場
合には、図8に示すように、樋部73のうち回転カップ
42の流出孔58から流出されるレジスト液が直接当た
る下部領域102にはテフロンコーティングを施し、樋
部73のうちレジスト液が直接当たらない上部領域10
3にはテフロンコーティングを施さない方が更に好まし
い。なお、樋部73は例えばSUS等の金属材料からな
り、従って上部領域103はこの金属材料が剥き出しと
なる。本発明者等の実験によると、図9(a)に示すよ
うに、樋部73全体にテフロンコーティングを施した場
合にはレジスト液の生液Aが付着しているのに対して、
図9(b)に示すように、樋部73のうちレジスト液が
直接当たらない上部領域103にテフロンコーティング
を施さない場合には上記と同部分で比較すればミスト状
のレジスト液が付着するだけとなった。従って、樋部7
3のうちレジスト液が直接当たらない上部領域103に
テフロンコーティングを施さない場合の方が洗浄性が向
上することになる。
井部74を湾曲形状としてもよい。これにより、これに
より、上記と同様に樋部73の天井部74にはミスト状
のレジスト液が付着するだけとなり、洗浄性が向上す
る。
2の外周で流出孔58の上部に庇部104を設けても良
い。これにより、ミストやレジスト液が上部に飛散する
のを防止することができる。
基板を例にとり説明したが、例えば半導体ウエハ等の他
の基板であっても本発明を適用することが可能である。
また、所定の液としてレジスト液を例にとり説明した
が、他の種類の液であっても当然本発明を適用できる。
容器の流出孔から排出された液が壁板等に付着し難く、
しかもそのような液がミスト状となって付着或いは再付
着し難い。また、シンナー等の洗浄液の使用量を極力減
らし、しかも洗浄処理を短時間で行うことができる。
処理システムを示す平面図である。
布処理ユニット(CT)の構成を示す断面図である。
T)の動作を説明するためのフロー図である。
処理ユニット(CT)の一部拡大断面図である。
の概略的断面図である。
る。
処理ユニット(CT)の一部拡大断面図である。
る。
った実験結果を示す写真である。
である。
略図である。
Claims (21)
- 【請求項1】 基板を回転可能に保持する保持部材と、 前記保持部材により保持された基板に所定の液を供給す
る供給部と、 前記保持部材により保持された基板を収容すると共に、
前記保持部材と同期して回転可能で、かつ外周に前記液
を排出可能な流出孔を有する容器と、 前記流出孔から排出される液を受け入れる開口が前記流
出孔と対面するように設けられ、前記容器の外周に沿っ
て配置された樋部とを具備することを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記容器の外周に沿って壁板が配置され、 前記壁板を断面コの字状に凹ませることにより前記樋部
が構成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置におい
て、 前記断面コの字状の樋部の天井部が前記容器に向けて開
放するように傾斜していることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項4】 請求項3に記載の基板処理装置におい
て、 前記天井部が湾曲形状とされていることを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項5】 請求項2から請求項4のうちいずれか1
項に記載の基板処理装置において、 前記壁板の下方には前記液を排出するための排出口が設
けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載の基板処理装置におい
て、 前記樋部から前記排出口に液を流出させるための管が前
記樋部の床部から前記排出口に向けて配設されているこ
とを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項7】 請求項4から請求項6のうちいずれか1
項に記載の基板処理装置において、 前記壁板の下方から前記壁板の背面側へ通じる第1の排
気通路が設けられ、 前記第1の排気通路には排気口が接続されていることを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項8】 請求項7に記載の基板処理装置におい
て、 前記第1の排気通路と前記排気口との間にメッシュ部材
が配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項9】 請求項7に記載の基板処理装置におい
て、 前記排気口には当該排気口を開閉するためのダンパが介
挿されていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項10】 請求項7に記載の基板処理装置におい
て、 前記壁板の上方から前記壁板の背面側へ通じる第2の排
気通路が設けられていることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項11】 請求項10に記載の基板処理装置にお
いて、 前記樋部の天井部の傾斜角と床部の傾斜角がほぼ等しい
ことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項12】 請求項7から請求項11のうちいずれ
か1項に記載の基板処理装置において、 前記第1の排気通路上には上部が開放した案内板が設け
られていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項13】 請求項12に記載の基板処理装置にお
いて、 前記案内板は前記樋部における床部の下方に設けられて
いることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項14】 請求項3から請求項13のうちいずれ
か1項に記載の基板処理装置において、 前記流出孔は前記天井部の斜面に対面していることを特
徴とする基板処理装置。 - 【請求項15】 請求項1から請求項14のうちいずれ
か1項に記載の基板処理装置において、 前記容器内に洗浄液を供給する手段を更に有し、 前記洗浄液を供給しながら前記容器を回転させることに
より前記流出孔から洗浄液を排出させて、前記排出した
洗浄液によって前記樋部内を洗浄することを特徴とする
基板処理装置。 - 【請求項16】 請求項15に記載の基板処理装置にお
いて、 前記洗浄液によって前記樋部内を洗浄する際に前記容器
の回転速度を制御する手段を更に具備することを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項17】 請求項15又は請求項16に記載の基
板処理装置において、 前記樋部で回収された所定の液を再利用し、前記樋部で
回収された洗浄液を排出するための切り替え弁を更に具
備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項18】 請求項1から請求項17のうちいずれ
か1項に記載の基板処理装置において、 前記樋部内の表面は着脱可能な保護部材で覆われている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項19】 請求項1から請求項17のうちいずれ
か1項に記載の基板処理装置において、 前記樋部はテフロンコーティングが施されていることを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項20】 請求項19に記載の基板処理装置にお
いて、 前記樋部のうち前記容器の流出孔から排出される液が直
接当たる第1の領域にはテフロンコーティングが施さ
れ、前記第1の領域より上部の第2の領域にはテフロン
コーティングが施されていないことを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項21】 請求項19に記載の基板処理装置にお
いて、 上記容器外周の流出孔の上部に庇部が設けられているこ
とを特徴とする基板処理装置。
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