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JP2002158930A - Solid-state image pickup device, its manufacturing method and system - Google Patents

Solid-state image pickup device, its manufacturing method and system

Info

Publication number
JP2002158930A
JP2002158930A JP2000349871A JP2000349871A JP2002158930A JP 2002158930 A JP2002158930 A JP 2002158930A JP 2000349871 A JP2000349871 A JP 2000349871A JP 2000349871 A JP2000349871 A JP 2000349871A JP 2002158930 A JP2002158930 A JP 2002158930A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
state imaging
imaging device
chip
image pickup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000349871A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihisa Kabaya
欣尚 蒲谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000349871A priority Critical patent/JP2002158930A/en
Publication of JP2002158930A publication Critical patent/JP2002158930A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state image pickup device in which a warpage of a solid-state image pickup element chip 1 is avoided and disconnections of conductors between a TAB film 6 and bumps 4 and between the bumps 4 and bonding pads are avoided. SOLUTION: This solid-state image pickup device has a solid-state image pickup element chip 1 on which a plurality of solid-state image pickup elements are mounted, wirings 6 which are connected electrically to the solid-state image pickup element chip 1 and through which respective signals from the plurality of the solid-state image pickup elements are transmitted, and a protective cap 2 which is provided on the light incident side of the solid-state image pickup element chip 1 and protects the solid-state image pickup elements. The solid- state image pickup element chip 1 and the protective cap 2 are sealed with a soft sealing resin 3, and the wirings 6 and the protective cap 2 are bonded to each other with a hardening adhesive.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置、そ
の製造方法及びシステムに関し、特に、ビデオカメラ、
デジタルスチルカメラなどの固体撮像装置、その製造方
法及びシステムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state imaging device, a method and a system for manufacturing the same, and more particularly, to a video camera,
The present invention relates to a solid-state imaging device such as a digital still camera, a method of manufacturing the same, and a system.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ビデオカメラ、デジタルスチルカ
メラなどの画像入力機器に用いられるCCD撮像素子や
MOS型撮像素子は、シリコンウエハ等の半導体基板上
に形成されることが多い。半導体工程終了のシリコンウ
エハは、カラーフィルタ及びマイクロレンズ形成工程に
おいて、アクリル系材料を用いてカラーフィルタ、マイ
クロレンズの順で形成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, CCD image sensors and MOS image sensors used in image input devices such as video cameras and digital still cameras are often formed on semiconductor substrates such as silicon wafers. The silicon wafer after the semiconductor process is formed in the color filter and microlens forming step using an acrylic material in the order of the color filter and the microlens.

【0003】そして、後工程で必要な寸法に分割された
固体撮像素子チップは、セラミックパッケージなどに収
納され、ワイヤーボンディングにより、チップとリード
との間で電気的な接続がされ、ガラス基板のキャップを
パッケージ上に接着している。
[0003] The solid-state image pickup device chip, which has been divided into dimensions required in a post-process, is housed in a ceramic package or the like, and is electrically connected between the chip and the lead by wire bonding. Is glued on the package.

【0004】近年、デジタルカメラなどで機器の小型
化、薄型、軽量なパッケージ化が望まれており、特開平
7−99214号公報や、TOG(1998年10月
電子画像学会東芝発表)などに、このための技術が記載
されている。
In recent years, there has been a demand for smaller, thinner, and lighter packages for digital cameras and the like, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-99214 and TOG (October 1998).
The technology for this is described in, for example, IEICE Toshiba).

【0005】図4は、上記公報などに記載されている固
体撮像装置の模式的な断面図である。図4に示すように
従来の固体撮像装置は、CCD撮像素子やMOS型撮像
素子などの固体撮像素子を複数搭載しマイクロレンズ7
が備えられた固体撮像素子チップ1上に、バンプ4を介
してポリイミドフィルム62,63で挟まれた銅箔61
を有するTABフィルム6が電気的に接続されている。
FIG. 4 is a schematic sectional view of a solid-state imaging device described in the above publication. As shown in FIG. 4, a conventional solid-state image pickup device includes a plurality of solid-state image pickup devices such as a CCD image pickup device and a MOS type image pickup device.
A copper foil 61 sandwiched between polyimide films 62 and 63 via bumps 4 on a solid-state imaging device chip 1 provided with
Is electrically connected.

【0006】さらに、保護ガラス2の一方の面と、TA
Bフィルム6が接続された固体撮像素子チップ1とが、
所望の隙間を空けて、フィラーが高充填されたエポキシ
系などの封止樹脂3により接着されている。このような
TABフィルム6を用いた固体撮像装置は、たとえばワ
イヤボンディングしたセラミックパッケージに比べ小型
で、薄型にすることができる。
Further, one surface of the protective glass 2 and TA
The solid-state imaging device chip 1 to which the B film 6 is connected
A desired gap is left therebetween, and they are bonded by a sealing resin 3 such as an epoxy resin filled with a high amount of filler. A solid-state imaging device using such a TAB film 6 can be smaller and thinner than, for example, a wire-bonded ceramic package.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術
は、保護ガラス2の一方の面と、TABフィルム6が接
続された固体撮像素子チップ1とを、フィラーが高充填
された硬い封止樹脂を用いて接着されているため、固体
撮像素子チップと保護ガラスとの線膨張係数差により、
固体撮像素子チップにソリが発生する場合がある。
However, in the prior art, one surface of the protective glass 2 and the solid-state image pickup device chip 1 to which the TAB film 6 is connected are hardened with a hard sealing resin filled with a high amount of filler. Due to the difference in linear expansion coefficient between the solid-state image sensor chip and the protective glass,
Warpage may occur in the solid-state imaging device chip.

【0008】一方、フィラーが少ない封止樹脂を用いれ
ば、封止樹脂が柔らかく緩衝層として働くため、ソリの
発生は防ぐことができる。但し、封止樹脂が柔らかいた
め、銅箔が機械的な力を受けたときに、銅箔とバンプと
間や、バンプとボンディングパッドとの間の断線などが
発生することがある。
On the other hand, if a sealing resin having a small amount of filler is used, the sealing resin is soft and functions as a buffer layer, so that warpage can be prevented. However, since the sealing resin is soft, disconnection between the copper foil and the bump or between the bump and the bonding pad may occur when the copper foil receives a mechanical force.

【0009】そこで、本発明は、固体撮像素子チップに
ソリが発生せず、かつ銅箔とバンプと間や、バンプとボ
ンディングパッドとの間の断線などが発生しない固体撮
像装置を提供することを課題とする。
Accordingly, the present invention provides a solid-state imaging device in which no warpage occurs in the solid-state imaging device chip and no disconnection occurs between the copper foil and the bump or between the bump and the bonding pad. Make it an issue.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、複数の固体撮像素子を搭載した固体撮像
素子チップと、前記固体撮像素子チップに電気的に接続
され複数の前記固体撮像素子の各々からの信号を伝達す
る配線と、前記固体撮像素子チップの光入射側に設けら
れ前記固体撮像素子チップを保護する保護キャップとを
備えた固体撮像装置において、前記固体撮像素子チップ
と前記保護キャップとを柔軟性を有する封止樹脂によっ
て封止し、前記配線と前記保護キャップとを硬化性を有
する接着材によって接着してなることを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a solid-state imaging device chip having a plurality of solid-state imaging devices mounted thereon, and a plurality of the solid-state imaging devices electrically connected to the solid-state imaging device chips. In a solid-state imaging device including wiring for transmitting signals from each of the elements and a protective cap provided on a light incident side of the solid-state imaging device chip to protect the solid-state imaging device chip, the solid-state imaging device chip and the The protective cap is sealed with a flexible sealing resin, and the wiring and the protective cap are bonded with a curable adhesive.

【0011】また、本発明は、複数の固体撮像素子を搭
載した固体撮像素子チップと、前記固体撮像素子チップ
に電気的に接続され複数の前記固体撮像素子の各々から
の信号を伝達する配線と、前記固体撮像素子チップの光
入射側に設けられ前記固体撮像素子チップを保護する保
護キャップとを備えた固体撮像装置の製造方法におい
て、前記配線と前記保護キャップとを硬化性を有する接
着材によって接着し、その後、前記固体撮像素子チップ
と前記保護キャップとを柔軟性を有する封止樹脂によっ
て封止することを特徴とする。
Further, the present invention provides a solid-state image sensor chip having a plurality of solid-state image sensors mounted thereon, and a wiring electrically connected to the solid-state image sensor chips for transmitting signals from each of the plurality of solid-state image sensors. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising: a protection cap provided on a light incident side of the solid-state imaging device chip to protect the solid-state imaging device chip; wherein the wiring and the protection cap are hardened by an adhesive having curability. The solid-state imaging device chip and the protective cap are sealed with a flexible sealing resin.

【0012】さらに、本発明の固体撮像システムは、上
記固体撮像装置と、前記固体撮像装置へ光を結像する光
学系と、前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信
号処理回路とを有することを特徴とする。
Further, a solid-state imaging system according to the present invention includes the above-described solid-state imaging device, an optical system that forms light on the solid-state imaging device, and a signal processing circuit that processes an output signal from the solid-state imaging device. It is characterized by the following.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づいて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1の固体撮像装置の模式的な断面図である。図2は図1
の平面図である。図1,図2には、CCD撮像素子やM
OS型撮像素子などの固体撮像素子を複数搭載しマイク
ロレンズ7が備えられた固体撮像素子チップ1上に、バ
ンプ4を介してTAB(tape-automated bonding)フィ
ルム6が電気的に接続されている。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic sectional view of a solid-state imaging device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 2 shows FIG.
FIG. 1 and 2 show a CCD image pickup device and an M
A TAB (tape-automated bonding) film 6 is electrically connected via a bump 4 to a solid-state image sensor chip 1 provided with a plurality of solid-state image sensors such as an OS-type image sensor and provided with a microlens 7. .

【0015】なお、TABフィルム6は、たとえばポリ
イミドフィルムなどの絶縁フィルムで挟まれた配線であ
る銅箔を有している。また、TABフィルム6は、超音
波ボンディングにより固体撮像素子チップ1に接続した
り、異方導電膜あるいは導電ペーストを介して固体撮像
素子チップ1に接続してもよい。さらに、バンプ4の材
料は通常、金が用いられるが、銅、ニッケル等の他の金
属又は合金で形成し、表面に金めっきを施してもよい。
The TAB film 6 has a copper foil as a wiring sandwiched between insulating films such as a polyimide film. Further, the TAB film 6 may be connected to the solid-state imaging device chip 1 by ultrasonic bonding, or may be connected to the solid-state imaging device chip 1 via an anisotropic conductive film or a conductive paste. Furthermore, although the material of the bump 4 is usually gold, it may be formed of another metal or alloy such as copper or nickel and the surface may be plated with gold.

【0016】さらに、固体撮像素子を外気や水分などか
ら保護する保護キャップである保護ガラス2の一方の面
と、TABフィルム6が接続された固体撮像素子チップ
1とが、所望の隙間を空けて、たとえば、ウレタン系、
シリコーン系、スチレン系、エステル系、塩化ビニル
系、エポキシ系等であって、弾性率がたとえば1000
Mpa以下の封止樹脂3により接着され、固体撮像素子
チップ1が気密封止されている。
Further, one surface of the protective glass 2 which is a protective cap for protecting the solid-state image sensor from outside air, moisture, and the like, and the solid-state image sensor chip 1 to which the TAB film 6 is connected are separated by a desired gap. , For example, urethane-based,
Silicone-based, styrene-based, ester-based, vinyl chloride-based, epoxy-based, etc., having an elastic modulus of, for example, 1000
The solid-state imaging device chip 1 is hermetically sealed by bonding with a sealing resin 3 of Mpa or less.

【0017】また、図1における封止樹脂3の側面で
は、保護ガラス2とTABフィルム6とがたとえばシリ
カなどのフィラーが高充填されたエポキシ系、アクリル
系、フェノール系等であって、弾性率がたとえば100
Mpa以下の接着材8によって接着されている。
On the side surface of the sealing resin 3 in FIG. 1, the protective glass 2 and the TAB film 6 are made of epoxy, acrylic, phenol or the like filled with a high filler such as silica, and have an elastic modulus. Is 100
It is bonded by an adhesive material 8 of Mpa or less.

【0018】また、保護ガラス2には、たとえば無アル
カリガラスを材料として用いることを想定しているが、
石英などのように光を透過するものであって、固体撮像
素子を外気や水分から保護できるものであればよく、さ
らには、光学ローパスフィルターや赤外カットフィルタ
を積層してもよい。
The protective glass 2 is assumed to use, for example, non-alkali glass as a material.
Any material that transmits light, such as quartz, and can protect the solid-state imaging device from the outside air and moisture may be used. Further, an optical low-pass filter or an infrared cut filter may be laminated.

【0019】さらにまた、図示していないが、保護ガラ
ス2には、バンプ4及び銅箔で、入射光が乱反射し画像
に悪影響を及ぼさないようにバンプ4及び銅箔を覆うよ
うに周辺に遮光膜が設けられる。
Although not shown, the protective glass 2 is covered with the bumps 4 and the copper foil so as to cover the bumps 4 and the copper foil so as to cover the bumps 4 and the copper foil so that the incident light is not irregularly reflected and does not adversely affect the image. A membrane is provided.

【0020】ここで、図2に示すように、TABフィル
ム6には、開口部5を設けている。このため、開口部5
によるアンカー効果によって、さらに強固に接着材8に
固定できるようにしている。
Here, as shown in FIG. 2, the TAB film 6 is provided with an opening 5. Therefore, the opening 5
By the anchor effect of the above, it is possible to more firmly fix to the adhesive 8.

【0021】また、本実施形態では、封止樹脂3によっ
て固体撮像素子チップと保護ガラス2とを接着する前
に、接着材8によってTABフィルム6と保護ガラス2
とを接着している。これは、仮に、接着順序を逆にする
と、流動性を有する封止樹脂3が保護ガラス2の端部へ
流れる場合があり、この状態では接着材8を封止樹脂3
上に塗布することになり、接着材8によるTABフィル
ム6と保護ガラス2との接着が不十分となることが考え
られるからである。
In this embodiment, before the solid-state image sensor chip and the protective glass 2 are bonded by the sealing resin 3, the TAB film 6 and the protective glass 2
And are glued. This is because if the bonding order is reversed, the sealing resin 3 having fluidity may flow to the end of the protective glass 2.
This is because the adhesive is applied on the TAB film 6 and the protective glass 2 by the adhesive 8 may be insufficient.

【0022】(実施形態2)図3は、実施形態1におい
て説明した固体撮像装置を用いた固体撮像システムの構
成図である。図3において、21はレンズのプロテクト
とメインスイッチを兼ねるバリア、22は被写体の光学
像を固体撮像素子24に結像させるレンズ、23はレン
ズを通った光量を可変するための絞り、24はレンズ2
2で結像された被写体を画像信号として取り込むための
固体撮像素子、25は固体撮像素子24から出力される
画像信号に各種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信
号処理回路、26は固体撮像素子24より出力される画
像信号のアナログ−ディジタル変換を行うA/D変換
器、27はA/D変換器26より出力された画像データ
に各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、
28は固体撮像素子24,撮像信号処理回路25,A/
D変換器26,信号処理部27に各種タイミング信号を
出力するタイミング発生部、29は各種演算とスチルビ
デオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、10は画
像データを一時的に記憶するためのメモリ部、11は記
録媒体に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御イ
ンターフェース部、12は画像データの記録又は読み出
しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、
13は外部コンピュータ等と通信するための外部インタ
ーフェース(I/F)部である。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a configuration diagram of a solid-state imaging system using the solid-state imaging device described in Embodiment 1. In FIG. 3, reference numeral 21 denotes a barrier functioning both as protection of the lens and as a main switch, 22 as a lens for forming an optical image of a subject on the solid-state imaging device 24, 23 as an aperture for varying the amount of light passing through the lens, and 24 as a lens. 2
A solid-state imaging device for capturing the subject formed in 2 as an image signal; 25, an imaging signal processing circuit for performing various corrections, clamping, and the like on an image signal output from the solid-state imaging device 24; An A / D converter for performing analog-digital conversion of an image signal output from the element 24; a signal processing unit 27 for performing various corrections on the image data output from the A / D converter 26 and compressing the data;
28 is a solid-state imaging device 24, an imaging signal processing circuit 25,
A timing generator for outputting various timing signals to the D converter 26 and the signal processor 27, an overall control / arithmetic unit 29 for controlling various arithmetic operations and the entire still video camera, and a numeral 10 for temporarily storing image data. A memory unit, 11 is a recording medium control interface unit for recording or reading on a recording medium, 12 is a detachable recording medium such as a semiconductor memory for recording or reading image data,
Reference numeral 13 denotes an external interface (I / F) unit for communicating with an external computer or the like.

【0023】次に、図3の動作について説明する。バリ
ア1がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコ
ントロール系の電源がオンし、さらに、A/D変換器6
などの撮像系回路の電源がオンされる。それから、露光
量を制御するために、全体制御・演算部9は絞り3を開
放にし、固体撮像素子4から出力された信号は、撮像信
号処理回路5をスルーしてA/D変換器6へ出力され
る。A/D変換器6は、その信号をA/D変換して、信
号処理部7に出力する。信号処理部7は、そのデータを
基に露出の演算を全体制御・演算部9で行う。
Next, the operation of FIG. 3 will be described. When the barrier 1 is opened, the main power is turned on, then the power of the control system is turned on, and the A / D converter 6 is turned on.
The power of the imaging system circuit is turned on. Then, in order to control the exposure amount, the overall control / arithmetic unit 9 opens the aperture 3 and the signal output from the solid-state imaging device 4 passes through the imaging signal processing circuit 5 to the A / D converter 6. Is output. The A / D converter 6 A / D converts the signal and outputs the signal to the signal processing unit 7. The signal processing unit 7 performs an exposure calculation based on the data in the overall control / calculation unit 9.

【0024】この測光を行った結果により明るさを判断
し、その結果に応じて全体制御・演算部9は絞りを制御
する。次に、固体撮像素子4から出力された信号をもと
に、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全
体制御・演算部9で行う。その後、レンズを駆動して合
焦か否かを判断し、合焦していないと判断したときは、
再びレンズを駆動し測距を行う。
The brightness is determined based on the result of the photometry, and the overall control / arithmetic unit 9 controls the aperture according to the result. Next, based on the signal output from the solid-state imaging device 4, high-frequency components are extracted, and the distance to the subject is calculated by the overall control / calculation unit 9. Thereafter, the lens is driven to determine whether or not the lens is focused, and when it is determined that the lens is not focused,
The lens is driven again to measure the distance.

【0025】そして、合焦が確認された後に本露光が始
まる。露光が終了すると、固体撮像素子4から出力され
た画像信号は、撮像信号処理回路5において補正等がさ
れ、さらにA/D変換器6でA/D変換され、信号処理
部7を通り全体制御・演算9によりメモリ部10に蓄積
される。その後、メモリ部10に蓄積されたデータは、
全体制御・演算部9の制御により記録媒体制御I/F部
を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体12に記録
される。また外部I/F部13を通り直接コンピュータ
等に入力して画像の加工を行ってもよい。
Then, after the focusing is confirmed, the main exposure starts. When the exposure is completed, the image signal output from the solid-state imaging device 4 is corrected in an imaging signal processing circuit 5, further A / D-converted by an A / D converter 6, and passed through a signal processing unit 7 to perform overall control. The data is stored in the memory unit 10 by the operation 9. Thereafter, the data stored in the memory unit 10 is
Under the control of the overall control / arithmetic unit 9, the data is recorded on a removable recording medium 12 such as a semiconductor memory through a recording medium control I / F unit. Further, the image may be processed by inputting it directly to a computer or the like through the external I / F unit 13.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、固体撮
像素子チップと保護キャップとを柔軟性を有する封止樹
脂によって封止し、配線と保護キャップとを封止樹脂よ
りも弾性率が低い接着材によって接着しているので、固
体撮像素子チップのソリの発生や、銅箔とバンプと間や
バンプとボンディングパッドとの間の断線などの発生を
防止することができる。
As described above, according to the present invention, the solid-state imaging device chip and the protective cap are sealed with a flexible sealing resin, and the wiring and the protective cap have a higher elastic modulus than the sealing resin. Since the bonding is performed with a low adhesive, it is possible to prevent the occurrence of warpage of the solid-state imaging device chip and the occurrence of disconnection between the copper foil and the bump or between the bump and the bonding pad.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1の固体撮像装置の模式的な
断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の平面図である。FIG. 2 is a plan view of FIG.

【図3】本発明の実施形態2の固体撮像装置を用いた固
体撮像システムの構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a solid-state imaging system using a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の固体撮像装置の模式的な断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of a conventional solid-state imaging device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 固体撮像素子チップ 2 保護ガラス 3 封止樹脂 4 バンプ 5 開口部 6 TABフィルム 7 マイクロレンズ 8 接着材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Solid-state image sensor chip 2 Protective glass 3 Sealing resin 4 Bump 5 Opening 6 TAB film 7 Micro lens 8 Adhesive

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 BA14 GC11 GC20 GD04 HA11 HA23 HA27 HA31 5C024 CY17 CY47 CY48 EX11 EX22 EX23 EX24 EX25 EX34 GY01 GY31 HX09 HX23 HX57 5F088 AB03 BA16 BB03 JA03 JA06 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 BA14 GC11 GC20 GD04 HA11 HA23 HA27 HA31 5C024 CY17 CY47 CY48 EX11 EX22 EX23 EX24 EX25 EX34 GY01 GY31 HX09 HX23 HX57 5F088 AB03 BA16 BB03 JA06 JA06

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の固体撮像素子を搭載した固体撮像
素子チップと、前記固体撮像素子チップに電気的に接続
され複数の前記固体撮像素子の各々からの信号を伝達す
る配線と、前記固体撮像素子チップの光入射側に設けら
れ前記固体撮像素子チップを保護する保護キャップとを
備えた固体撮像装置において、 前記固体撮像素子チップと前記保護キャップとを柔軟性
を有する封止樹脂によって封止し、 前記配線と前記保護キャップとを硬化性を有する接着材
によって接着してなることを特徴とする固体撮像装置。
1. A solid-state imaging device chip on which a plurality of solid-state imaging devices are mounted; a wiring electrically connected to the solid-state imaging device chip for transmitting signals from each of the plurality of solid-state imaging devices; In a solid-state imaging device including a protection cap provided on a light incident side of an element chip and protecting the solid-state imaging element chip, the solid-state imaging element chip and the protection cap are sealed with a flexible sealing resin. A solid-state imaging device, wherein the wiring and the protective cap are adhered with an adhesive having curability.
【請求項2】 前記接着材は、エポキシ系、アクリル
系、フェノール系等の樹脂であることを特徴とする請求
項1記載の固体撮像装置。
2. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the adhesive is a resin such as an epoxy resin, an acrylic resin, or a phenol resin.
【請求項3】 前記封止樹脂は、ウレタン系、シリコー
ン系、スチレン系、エステル系、塩化ビニル系、エポキ
シ系等の樹脂であることを特徴とする請求項1又は2記
載の固体撮像装置。
3. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the sealing resin is a resin of urethane type, silicone type, styrene type, ester type, vinyl chloride type, epoxy type or the like.
【請求項4】 前記接着材の弾性率は100Mpa以上
であって、 前記封止樹脂の弾性率は1000Mpa以下であること
を特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の固体
撮像装置。
4. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein an elastic modulus of the adhesive is 100 Mpa or more, and an elastic modulus of the sealing resin is 1000 Mpa or less. .
【請求項5】 前記固体撮像素子チップは、シリコンチ
ップであることを特徴とする請求項1から4のいずれか
1項記載の固体撮像装置。
5. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein said solid-state imaging device chip is a silicon chip.
【請求項6】 前記配線は絶縁フィルムで覆われてお
り、 該絶縁フィルムは、前記接着材の塗布面が異形であり又
は該塗布面に開口部が設けられていることを特徴とする
請求項1から5のいずれか1項記載の固体撮像装置。
6. The wiring, wherein the wiring is covered with an insulating film, and the insulating film has an irregular shape on an application surface of the adhesive or has an opening in the application surface. The solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 5.
【請求項7】 複数の固体撮像素子を搭載した固体撮像
素子チップと、前記固体撮像素子チップに電気的に接続
され複数の前記固体撮像素子の各々からの信号を伝達す
る配線と、前記固体撮像素子チップの光入射側に設けら
れ前記固体撮像素子チップを保護する保護キャップとを
備えた固体撮像装置の製造方法において、 前記配線と前記保護キャップとを硬化性を有する接着材
によって接着し、 その後、前記固体撮像素子チップと前記保護キャップと
を柔軟性を有する封止樹脂によって封止することを特徴
とする固体撮像装置の製造方法。
7. A solid-state imaging device chip on which a plurality of solid-state imaging devices are mounted; a wiring electrically connected to the solid-state imaging device chip to transmit signals from each of the plurality of solid-state imaging devices; A method for manufacturing a solid-state imaging device comprising: a protection cap provided on a light incident side of an element chip and protecting the solid-state imaging element chip; wherein the wiring and the protection cap are adhered to each other with a curable adhesive; A method of manufacturing the solid-state imaging device, wherein the solid-state imaging device chip and the protection cap are sealed with a sealing resin having flexibility.
【請求項8】 請求項1から6のいずれか1項記載の固
体撮像装置と、 前記固体撮像装置へ光を結像する光学系と、 前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回
路とを有することを特徴とする固体撮像システム。
8. A solid-state imaging device according to claim 1, an optical system that forms an image on the solid-state imaging device, and a signal processing circuit that processes an output signal from the solid-state imaging device. And a solid-state imaging system.
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