JP2002029835A - 誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 内部電極３、４に卑金属を用いて焼成し、外
部電極８、９にＣ卑金属を用いて焼き付けしても、誘電
体層２が還元されず、優れた絶縁抵抗特性を有する誘電
体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックコンデンサ
とその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 主成分チタン酸バリウムに対して、副成
分としてＭｇ、ＤｙをＤｙ、Ｍｎ、Ｖ、Ｓｉ、Ａｌを規
定量添加して、Ｂａ／Ｔｉのモル比は１．００１〜１．
０５モルとした誘電体磁器組成物と、これを用いた積層
セラミックコンデンサとその製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器組成物及
びこれを用いて形成した積層セラミックコンデンサとそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図２は誘電体磁器組成物を用いて形成し
た従来の積層セラミックコンデンサの断面図である。図
２において、５１は積層セラミックコンデンサであり、
誘電体磁器組成物をシート状に形成した誘電体層５２に
内部電極５３、５４を交互に複数層重ね合わせて積層体
５５を形成し、前記内部電極５３、５４を前記積層体５
５の対向する両面５６、５７に形成した外部電極５８、
５９にそれぞれ接続して構成されている。

【０００３】そして、前記内部電極５３、５４及び外部
電極５８、５９は高価な貴金属から安価なＮｉなどの卑
金属に置き換えられてきている。

【０００４】以上のように構成された従来の積層セラミ
ックコンデンサについて、以下にその製造方法を説明す
る。

【０００５】先ず、誘電体層５２とＮｉなどの卑金属材
料よりなる内部電極５３、５４を交互に複数段重ね、こ
の最上段と最下段に無効層６０，６１を重ねて圧着し積
層体ブロック（図示せず）を得る。そして、この積層体
ブロックを所定サイズのチップ形状に切断した後に所定
の温度で焼成を行う。このとき、内部電極５３、５４の
酸化劣化を防止するために窒素ガス雰囲気などの還元性
雰囲気中で焼成を行う。

【０００６】次いで、内部電極５３、５４が露出した積
層体５５の両面５６、５７に卑金属材料よりなる外部電
極ペーストを塗布し、外部電極５８、５９が酸化劣化し
ないように窒素ガス雰囲気などの還元性雰囲気中で焼き
付けを行う。

【０００７】前記誘電体層５２の還元劣化を抑制する誘
電体磁器組成物として、特開昭６１−１５５２５５号公
報に開示されたものがある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開昭６１−１５５２５５号公報に示す誘電体磁器組成物
を用いた積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗特性
（ＩＲ寿命特性）の劣化が大きく、誘電体層を薄くして
いくと一層信頼性の確保が困難になり、静電容量の変化
率が大きいという問題点を有し、さらに、外部電極とし
て、内部電極にＮｉと固溶し易いＣｕを選択して還元性
雰囲気中で積層体に焼き付ける際に、誘電体層が還元さ
れて絶縁抵抗が小さくなるという問題点を有していた。

【０００９】そこで本発明は、内部電極にＮｉ等の卑金
属を用いて焼成し、外部電極にＣｕ等の卑金属を用いて
焼き付けしても誘電体層が還元されず、優れた絶縁抵抗
特性を有する誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラ
ミックコンデンサとその製造方法を提供することを目的
とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は以下の構成を有するものである。

【００１１】本発明の請求項１に記載の発明は、主成分
チタン酸バリウム１００モルに対し、副成分として少な
くともＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜５．０モル、Ｄ
ｙをＤｙ₂Ｏ₃に換算して０．１〜３．０モル、ＭｎをＭ
ｎＯ_4/3に換算して０．０１〜０．４モル、ＶをＶ₂Ｏ₅
に換算して、０．０１〜０．２６モル、ＳｉをＳｉＯ ₂
に換算して０．０１〜３．５モル添加し、前記チタン酸
バリウムのＢａ／Ｔｉのモル比は１．００１〜１．０５
モルとした誘電体磁器組成物の構成を有し、これによ
り、基本成分の過剰ＢａＯとＭｎＯ_4/3は誘電体組成物
の耐還元性を強化し、特にＭｎＯ_4/3は中性雰囲気中あ
るいは還元性雰囲気中での大量焼成において、誘電体組
成の絶縁抵抗の劣化を防ぐとともに、積層セラミックコ
ンデンサの静電容量のバラツキを抑制し均質な焼結体を
形成する作用、効果を有し、ＭｇＯ、Ｄｙ₂Ｏ₃の添加は
誘電率、静電容量温度特性、誘電正接等の満足した電気
特性を得る作用、効果を有し、また、ＳｉＯ₂は比較的
低い温度の焼成において誘電体組成の焼結を促進し、緻
密な焼結体を得て、絶縁抵抗を安定させ電気的性能を満
足させる作用、効果を有し、さらにＶ₂Ｏ₅はＴｉＯ₂の
還元を抑制して絶縁抵抗の劣化を防止して、高い絶縁抵
抗を得る作用効果を有し、したがって、内部電極にＮｉ
等の卑金属を用いて焼成し、外部電極にＣｕ等の卑金属
を用いて焼き付けしても、誘電体層が還元されず、優れ
た絶縁抵抗特性を有する誘電体磁器組成物が得られる。

【００１２】本発明の請求項２に記載の発明は、Ａｌを
Ａｌ₂Ｏ₃に換算して、チタン酸バリウム１００モルに対
して、さらに０．０１〜３．０モル添加した請求項１に
記載の誘電体磁器組成物の構成を有し、これにより焼結
体の表面に析出する２次相を抑制して均質な焼結体が得
られる。

【００１３】本発明の請求項３に記載の発明は、前記組
成において、Ｄｙに代えて、ＤｙとＨｏとをＤｙ／（Ｄ
ｙ＋Ｈｏ）のモル比が０．３〜０．９となるように、そ
れぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃に換算して合計で主成分チタ
ン酸バリウム１００モルに対して０．１〜３．０モル添
加した請求項１に記載の誘電体磁器組成物であり、これ
により、誘電体層を薄膜化（特に５μｍ以下）した積層
体を還元雰囲気中で大量焼成しても、絶縁抵抗特性を損
ねることなく、静電容量温度変化率の小さい積層セラミ
ックコンデンサが得られる。

【００１４】本発明の請求項４に記載の発明は、Ｄｙに
代えて、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比が０．３〜０．
９となるＤｙとＨｏとを、それぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃
に換算した合計で主成分チタン酸バリウム１００モルに
対して０．１〜３．０モル添加し、かつＡｌをＡｌ₂Ｏ₃
に換算して、チタン酸バリウム１００モルに対して、さ
らに０．０１〜３．０モル添加した請求項１に記載の誘
電体磁気組成物であり、これにより、誘電体層を薄膜化
（特に５μｍ以下）した積層体を還元雰囲気中で大量焼
成しても、絶縁抵抗特性を損ねることなく静電容量温度
変化率の小さくしかも焼成体表面に析出する２次相の発
生を抑制された均質な焼成体からなる積層セラミックコ
ンデンサが得られる。

【００１５】本発明の請求項５に記載の発明は、誘電体
層と卑金属を用いて作製した内部電極とを交互に積層し
た積層体と、この積層体の前記内部電極の露出した端面
に設けた外部電極とを備え、前記誘電体層は、主成分チ
タン酸バリウム１００モルに対し、副成分として少なく
ともＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜５．０モル、Ｄｙ
をＤｙ₂Ｏ₃に換算して０．１〜３．０モル、ＭｎをＭｎ
Ｏ_4/3に換算して０．０１〜０．４モル、ＶをＶ₂Ｏ₅に
換算して、０．０１〜０．２６モル、ＳｉをＳｉＯ₂に
換算して０．０１〜３．５モル添加して形成したもので
あり、Ｂａ／Ｔｉのモル比は１．００１〜１．０５モル
とした積層セラミックコンデンサであり、これにより、
絶縁性に優れ、静電容量の温度変化率の小さい信頼性の
優れた積層セラミックコンデンサが得られる。

【００１６】本発明の請求項６に記載の発明は、チタン
酸バリウムに対して、さらに、ＡｌをＡｌ₂Ｏ₃に換算し
て、０．０１〜３．０モル添加した誘電体層からなる請
求項５に記載の積層セラミックコンデンサであり、これ
により焼結体の表面の２次相の発生が抑えられ、実装性
に優れた積層セラミックコンデンサが得られる。

【００１７】本発明の請求項７に記載の発明は、Ｄｙに
代えて、ＤｙとＨｏとをＤｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比
が０．３〜０．９となるように、それぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈ
ｏ₂Ｏ₃に換算して合計で主成分チタン酸バリウム１００
モルに対して０．１〜３．０モル添加した請求項５に記
載の積層セラミックコンデンサであり、これにより、薄
層化した誘電体層でも絶縁抵抗特性に優れ、静電容量の
温度変化率の小さい信頼性の優れた積層セラミックコン
デンサが得られる。

【００１８】本発明の請求項８に記載の発明は、Ｄｙに
代えて、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比が０．３〜０．
９となるＤｙとＨｏとを、それぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃
に換算した合計で主成分チタン酸バリウム１００モルに
対して０．１〜３．０モル添加し、かつＡｌをＡｌ₂Ｏ₃
に換算して、チタン酸バリウム１００モルに対して、さ
らに０．０１〜３．０モル添加した請求項５に記載の積
層セラミックコンデンサであり、これにより、薄層化し
た誘電体層でも絶縁抵抗特性に優れ、静電容量の温度変
化率の小さい信頼性に優れ、かつ焼結体表面に２次相の
発生の少ない均質な焼結体からなる積層セラミックコン
デンサが得られる。

【００１９】本発明の請求項９に記載の発明は、誘電体
層と卑金属を用いて作製した内部電極とを交互に積層し
た積層体と、この積層体の前記内部電極層の露出した端
面に設けた外部電極とを備え、前記誘電体層は、主成分
チタン酸バリウム１００モルに対し、副成分として少な
くともＭｇをＭｇＯに換算して０．５〜５．０モル、Ｄ
ｙをＤｙ₂Ｏ₃に換算して０．１〜３．０モル、ＭｎをＭ
ｎＯ_4/3に換算して０．０１〜０．４モル、ＶをＶ₂Ｏ₅
に換算して、０．０１〜０．２６モル、ＳｉをＳｉＯ₂
に換算して０．０１〜３．５モル添加して形成したもの
であり、Ｂａ／Ｔｉのモル比は１．００１〜１．０５モ
ルである誘電体材料を用いて、セラミックシートを作製
する第１工程と、次にこのセラミックシートと卑金属を
主成分とする内部電極層とを交互に積層した積層体を作
製する第２工程と、次いで前記積層体を焼成する第３工
程と、その後前記積層体の前記内部電極層の露出した端
面に外部電極を形成する第４工程を備える積層セラミッ
クコンデンサの製造方法であり、これにより、絶縁抵抗
特性に優れ、静電容量の温度変化率の小さい信頼性の優
れた積層セラミックコンデンサが得られる。

【００２０】本発明の請求項１０に記載の発明は、外部
電極をＣｕを主成分とする金属を用いて形成する請求項
９に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であ
り、外部電極にＣｕを用いることにより、内部電極に卑
金属であるＮｉを用いた時でも合金化されるため、内部
電極と外部電極との接合がしっかりとしたものになり、
規定の静電容量を容易に得ることができ、静電容量値の
バラツキが少なく、熱衝撃や機械的ストレスにも耐久性
の優れた積層セラミックコンデンサが得られる。

【００２１】本発明の請求項１１に記載の発明は、比表
面積が２〜５ｍ²／ｇであるチタン酸バリウムを用いる
請求項９に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法
であり、これにより、絶縁性に優れ、静電容量の温度変
化率の小さい信頼性の優れた積層セラミックコンデンサ
が得られる。

【００２２】本発明の請求項１２に記載の発明は、Ｘ線
回折チャートにおいて、回折角２θ４５°における（２
００）面の回折線と（００２）面の回折線のピークが２
つに分かれているチタン酸バリウムを用いる請求項９に
記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、こ
れにより、焼成過程における結晶粒成長を抑え、均一な
誘電体が得られ、誘電体層を薄膜化しても静電容量の温
度特性の変化率の小さい積層セラミックコンデンサが得
られる。

【００２３】本発明の請求項１３に記載の発明は、Ｍｇ
Ｏの代わりに、Ｍｇ（ＯＨ）₂として、０．５〜５．０
モル添加する請求項９に記載の積層セラミックコンデン
サの製造方法であり、これにより、誘電体中のＭｇＯの
分散性を向上することができ、誘電体層を薄膜化（特に
５μｍ以下）した積層体を還元雰囲気中で一括して大量
焼成しても、均一な組成を維持できるため、絶縁抵抗特
性が良好であり、静電容量の温度特性が小さく、各電気
特性の安定した積層セラミックコンデンサが得られる。

【００２４】本発明の請求項１４に記載の発明は、第１
工程でＡｌ化合物をＡｌ₂Ｏ₃に変換してチタン酸バリウ
ム１００モルに対して、さらに０．１〜３．０モル添加
する請求項９に記載の積層セラミックコンデンサの製造
方法であり、これにより、Ａｌ₂Ｏ₃は多成分系誘電体磁
器組成物の焼成過程で、主成分以外の副成分に作用して
均一な成分相を形成し、焼結性と電気特性を安定させる
有効な作用を有し、機械強度の強い積層セラミックコン
デンサが得られる。

【００２５】本発明の請求項１５に記載の発明は、Ａｌ
化合物は、他の誘電体材料の仮焼後に添加する請求項９
に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、
これにより、さらに静電容量の温度特性の良好な積層セ
ラミックコンデンサが得られる。

【００２６】本発明の請求項１６に記載の発明は、Ｄｙ
に代えて、ＤｙとＨｏとをＤｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル
比が０．３〜０．９となるように、それぞれＤｙ₂Ｏ₃、
Ｈｏ ₂Ｏ₃に換算して合計で主成分チタン酸バリウム１０
０モルに対して０．１〜３．０モル添加する請求項９に
記載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、誘
電体層を薄膜化しても寿命特性を損ねることなく静電容
量の温度特性が優れた積層セラミックコンデンサが得ら
れる。

【００２７】本発明の請求項１７に記載の発明は、Ｄｙ
に代えて、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比が０．３〜
０．９となるＤｙとＨｏとを、それぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ
₂Ｏ₃に換算した合計で主成分チタン酸バリウム１００モ
ルに対して０．１〜３．０モル添加し、かつＡｌをＡｌ
₂Ｏ₃に換算して、チタン酸バリウム１００モルに対し
て、さらに０．０１〜３．０モル添加した請求項９に記
載の積層セラミックコンデンサの製造方法であり、これ
により誘電体層を薄膜化しても寿命特性を損ねることな
く静電容量の温度特性が優れ焼結体表面に２次相の発生
の少ない強度に優れた積層セラミックコンデンサが得ら
れる。

【００２８】本発明の請求項１８に記載の発明は、Ｄｙ
₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃の各単独成分に代えて、Ｄｙ₂
Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃の形にしてあらかじ
め混合された混合物を、合わせて０．１〜３．０モル添
加する請求項９に記載の積層セラミックコンデンサの製
造方法であり、有効層を薄膜化しても寿命特性を損ねる
ことなく静電容量温度特性の良好な積層セラミックコン
デンサが得られる。

【００２９】本発明の請求項１９に記載の発明は、Ｄｙ
₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ ₃の各単独成分に代
えて、それぞれＤｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ
₃、Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃の形にして
あらかじめ混合された混合物を合わせて、ＤｙとＨｏと
をＤｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比が０．３〜０．９とな
るように０．１〜３．０モル添加する請求項９に記載の
積層セラミックコンデンサの製造方法であり、これによ
り、誘電体層を薄膜化しても、寿命特性を損ねることな
く、さらに、静電容量の温度特性の良好な積層セラミッ
クコンデンサが得られる。

【００３０】本発明の請求項２０に記載の発明は、第３
工程の降温過程または、第３工程と第４工程の間に誘電
体層を再酸化する工程を設ける請求項９に記載の積層セ
ラミックコンデンサの製造方法であり、これにより、絶
縁抵抗特性の劣化を防止して高い絶縁抵抗特性を有し、
信頼性の優れた積層セラミックコンデンサが得られる。

【００３１】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、実施の形
態１を用いて、本発明の特に請求項１、５、９、１０、
２０に記載の発明について説明する。

【００３２】図１は本発明の実施の形態１における積層
セラミックコンデンサの断面図である。

【００３３】図１において、１は積層セラミックコンデ
ンサであり、誘電体磁器組成物をシート状に形成した誘
電体層２に、Ｎｉを主成分とする卑金属から成る内部電
極３、４を交互に重ね合わせて積層体５を形成し、前記
積層体５の対向する両面６、７に、Ｃｕを主成分とする
卑金属で形成した外部電極８、９を形成して前記内部電
極３、４にそれぞれ接続し、この外部電極８、９の表面
にニッケルメッキ層１０を、さらにこのニッケルメッキ
層１０の表面に半田メッキ層１１を形成している。

【００３４】以上のように構成された積層セラミックコ
ンデンサ１について、以下にその製造方法を説明する。

【００３５】第１工程として、出発原料からセラミック
シートを作製する製造方法を説明する。

【００３６】先ず、各出発原料をＢａＴｉＯ₃ １００
モルに対し、（表１）に示す組成となるように、ＢａＣ
Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＭｎＯ_4/3、ＢａＯ・ＳｉＯ₂
・Ｖ₂Ｏ₅をそれぞれ秤量し、イットリア部分安定化ジル
コニアボールを媒体として、ボールミルで１７ｈ時間湿
式混合粉砕を行った後、乾燥する。

【００３７】

【表１】

【００３８】次に、この脱水乾燥した混合材料を解砕
し、３２メッシュ篩を全通させた後、アルミナ質の坩堝
に入れ、１１００℃の温度で２時間保持し仮焼した。こ
の仮焼は、炭酸化物を分解し、主成分チタン酸バリウム
と副成分とが適度に反応した状態となるような温度で行
い、この際、仮焼温度が高すぎると得られた積層セラミ
ックコンデンサの静電容量の温度変化率が大きくなりす
ぎることがあるため、注意が必要である。

【００３９】次いで、仮焼原料を混合と同様、ボールミ
ルで平均粒径が１．０μｍ以下になるように湿式粉砕を
行った後、脱水乾燥と３２メッシュ篩を全通させ、誘電
体材料を作製した。

【００４０】作製した誘電体材料にバインダーとしてポ
リビニルブチラール樹脂、溶剤として酢酸ｎブチル、可
塑剤としてフタル酸ジブチルを加え、イットリア部分安
定化ジルコニアボールと共にボールミルで７２時間混合
しスラリーを作製した。

【００４１】得られたスラリーを、ドクターブレードに
より、図１に示す誘電体層２となるセラミックグリーン
シート（以降、グリーンシートと称する）をポリエステ
ルフィルム上に成形した。このグリーンシートは焼成後
１４μｍになる厚みに設定して作製した。

【００４２】次に、第２工程として、前記のグリーンシ
ートの表面にＮｉを主成分とする内部電極ペーストをス
クリーンで印刷し、乾燥を行った後にこのＮｉ内部電極
ペーストを印刷したグリーンシートを、１０枚積み重ね
て熱圧着し、グリーン積層体を形成した後、３．３ｍｍ
×１．７ｍｍの積層体グリーンチップ（以降、グリーン
チップと称する）形状に切断を行った。

【００４３】次に、第３工程として、前記グリーンチッ
プをジルコニア敷粉と混ぜ合わせアルミナ質のサヤにい
れ、ニッケルが過度に酸化されない雰囲気で有機物の除
去を行う。次に、引き続き窒素、水素に炭酸ガスまたは
水蒸気を混合して構成したニッケルが過度に酸化されず
誘電体層２が焼結できる還元雰囲気中、最高温度１２２
０〜１３４０℃で２時間保持し積層体５の焼結を行う。
次いで降温過程の８００〜１２００℃で１時間、窒素、
水素に炭酸ガスまたは水蒸気を用いて構成し、ニッケル
が過度に酸化されない雰囲気中で、還元雰囲気中の焼成
工程で還元された誘電体層２の再酸化を行った後、室温
まで冷却し焼結体を作製した。

【００４４】尚、各組成の最適焼成温度は、それぞれの
誘電体層２の焼結体密度が最大となる温度を用いた。

【００４５】次に、第４工程として、前記焼結体をバレ
ル研磨機により表面および端面研磨した後、焼結体の端
面に露出した内部電極３、４と電気的に接続するよう
に、焼結体の対向する端面６、７に、Ｃｕ（銅）を主成
分とする外部電極ペーストを塗布し、窒素と酸素を混合
してＣｕ（銅）が過度に酸化されない雰囲気を構成し、
この雰囲気中において、８５０℃で１５分間の焼き付け
を行い、外部電極８、９を形成した。

【００４６】次に、前記外部電極８、９の表面に、電解
メッキ法を用いてニッケルメッキ層１０、更にニッケル
メッキ層１０の表面に半田メッキ層１１を形成し、図１
に示す積層セラミックコンデンサ１を完成した。

【００４７】得られた積層セラミックコンデンサ１を、
２０℃（室温）、周波数１ＫＨｚにおける誘電率、誘電
正接（ｔａｎδ）のバラツキ、及び−５５〜＋１２５℃
間の２０℃の静電容量に対する変化率を測定し、その結
果を（表２）に、また室温においてＤＣ電圧２５Ｖを印
加したときの絶縁抵抗値（ＩＲ）と、加速寿命試験とし
て１２５℃の温度下で、ＤＣ２００Ｖの電圧を２５０時
間連続印加した後の絶縁抵抗を測定し、ＩＲが１×１０
⁷Ω以下に劣化したものを不良としてカウントし、この
結果を（表２）に示す。（表２）から明らかなように、
本発明による誘電体組成物は初期性能としての誘電率と
誘電正接（ｔａｎδ）のバラツキ、絶縁抵抗、静電容量
の温度変化率、加速寿命試験後の絶縁抵抗のいずれも良
好である。

【００４８】

【表２】

【００４９】ここで、ＭｇＯの添加が０．５モルより少
ないと焼結不十分となり、５モルを超えると、積層セラ
ミックコンデンサの静電容量温度変化率が大きくなると
共に、静電容量の経時変化が大きくなる。Ｄｙ₂Ｏ₃が
０．１モル未満では静電容量の温度変化率が大きくなる
と共に、静電容量の経時変化率とｔａｎδが大きくなり
３モルを超えると誘電率が２０００以下に低下し実用的
でなくなる。従って、ＤｙはＤｙ₂Ｏ₃に換算して、チタ
ン酸バリウム１００モルに対して、０．１〜３．０モル
添加することが望ましい。また、Ｄｙ₂Ｏ₃は、比表面積
が７〜１５ｍ²／ｇのものを用いることにより、分散性
が向上し、上記効果より顕著になる。

【００５０】さらにＭｎＯ_4/3の添加は、ＴｉＯ₂の還元
を防止することができ、中性雰囲気中あるいは還元雰囲
気中で積層体を大量焼成したとしても、絶縁抵抗の劣化
を防ぐと共に静電容量のバラツキを抑制し、均質な焼結
体を得ることができるという効果がある。

【００５１】しかしながらその添加量が０．０１モル未
満では焼結体が部分的に半導体化され静電容量のバラツ
キが大きく、また絶縁抵抗値が小さくなり、その結果加
速寿命試験において絶縁抵抗値が大幅に劣化する。ま
た、０．４モルを超えると静電容量の温度変化率、経時
変化率も大きく、また絶縁抵抗の劣化も大きくなる。従
って、ＭｎはＭｎＯ_4/3に換算して、チタン酸バリウム
１００モルに対し、０．０１〜０．４モル添加すると有
効である。

【００５２】また、Ｖ₂Ｏ₅の添加はＴｉＯ₂の還元を抑
制し、絶縁抵抗を高くかつ絶縁抵抗の劣化を防止すると
いう効果を有する。しかしながら、Ｖ₂Ｏ₅添加量が０．
２６モルを超えると、静電容量の温度変化率が大きくな
ると共に、絶縁抵抗が劣化してしまう。また、０．０１
モル未満だと絶縁抵抗が低い上に、加速試験において劣
化してしまう。従って、Ｖ₂Ｏ₅の添加量はチタン酸バリ
ウム１００モルに対して０．０１〜０．２６モルが有効
である。

【００５３】また、ＳｉＯ₂の添加は、比較的低い温度
の焼成において誘電体層２の焼結を促進し、静電容量、
絶縁抵抗のバラツキを小さくする効果がある。

【００５４】しかしながらその添加量は、０．０１モル
未満では、十分な焼結体が得られず、静電容量、絶縁抵
抗にバラツキを生じ、実用的でなくなる。また、３．５
モルを超えると焼結性は向上するが誘電率が低下し、静
電容量の温度変化率が大きくなり実用的でない。従って
ＳｉＯ₂はチタン酸バリウム１００モルに対して０．０
１〜３．５モルが有効である。

【００５５】本実施の形態１においては、ＳｉＯ₂を、
ＢａＯ・ＳｉＯ₂・Ａｌ₂Ｏ₃系ガラスの形で添加してお
り、ガラスと別に添加している炭酸バリウム量、チタン
酸バリウムに含まれる過剰ＢａＯ量（本実施の形態１で
は０）とを合わせて、Ｂａ／Ｔｉモル比が、１．００１
〜１．０５となるようにしたものである。

【００５６】なお、本実施の形態１ではガラスの形態で
添加したが、仮焼合成物あるいは、Ｓｉ化合物、Ａｌ化
合物の形でそれぞれ添加してもかまわない。

【００５７】（実施の形態２）以下、実施の形態２を用
いて、本発明の特に請求項１１、１２に記載の発明につ
いて説明する。

【００５８】尚、本実施の形態２の積層セラミックコン
デンサの製造方法は、基本的に実施の形態１と同じ構成
であるので、詳細な説明は省略し、ここでは特徴とする
部分について説明する。

【００５９】先ず、（表３）に示すＢａＴｉＯ₃を用意
し、次にこのＢａＴｉＯ₃ １００モルに対して、ＢａＣ
Ｏ₃を０．２モル、ＭｇＯを２．５モル、Ｄｙ₂Ｏ₃を
１．０モル、ＭｎＯ_4/3を０．２モル、Ｖ₂Ｏ₅を０．１
５モル、ＢａＯ・ＳｉＯ₂系化合物２．１モルを秤量
し、これらの出発原料に純水を加え、部分安定化ジルコ
ニア玉石を媒体としてボールミルで１７時間湿式混合粉
砕を行った後、乾燥する。このときの各添加物は実施の
形態１と同様なものを使用した。

【００６０】

【表３】

【００６１】次に、この混合材料を用いて実施の形態１
と同様にして図１に示す積層セラミックコンデンサを作
製した。

【００６２】次いで、この積層セラミックコンデンサの
２０℃（室温）、周波数１ＫＨｚにおける静電容量から
計算される誘電率、誘電正接（ｔａｎδ）、及び−５５
〜＋１２５℃間の２０℃の静電容量に対する変化率を測
定し、その結果を（表４）に示した。また初期の絶縁抵
抗値（ＩＲ）と、加速寿命試験として１２５℃の温度下
で、ＤＣ２００Ｖの電圧を２５０時間連続印加した後の
絶縁抵抗値を測定し、絶縁抵抗値ＩＲが１×１０⁷Ω以
下に劣化したものを不良としてカウントし（表４）に示
した。

【００６３】

【表４】

【００６４】（表４）から明らかなように、本発明によ
る誘電体組成物は初期性能として誘電率が２０００以上
と高く、静電容量バラツキも±５％以内と小さく、更に
静電容量の変化率が±１５％以下と小さく、絶縁抵抗も
１×１０¹²Ωと高く、劣化は認められない。これに対
し、ＢａＴｉＯ₃中のＢａＯ／ＴｉＯ₂のモル比が１．０
００より小さいと十分な絶縁抵抗が得られず、静電容量
変化率も大きく好ましくない。

【００６５】さらに、比表面積が２ｍ²／ｇより小さい
と十分な焼結体は得られず、５ｍ²／ｇを超えると、誘
電率が下がり、温度変化率が大きくなってしまう。従っ
て、チタン酸バリウムの比表面積は２〜５ｍ²／ｇの範
囲が有効である。

【００６６】また、Ｘ線回折角２θが４０〜５０°にお
ける（００２）面と（２００）面のピークが分かれてい
ないものは、容量温度変化率が大きくなり実用的ではな
い。従ってＸ線回折角２θが４０〜５０°における（０
０２）面と（２００）面のピークが分かれているチタン
酸バリウムが有効である。

【００６７】（実施の形態３）以下、実施の形態３を用
いて、本発明の特に請求項３、７、１６に記載の発明に
ついて説明する。

【００６８】尚、本実施の形態３の積層セラミックコン
デンサとその製造方法は、基本的に実施の形態１と同じ
構成であるので、詳細な説明は省略し、ここでは特徴と
する部分について説明する。

【００６９】先ず、本発明の誘電体組成物はＢａＴｉＯ
₃ １００モルに対しＢａＣＯ₃を０．２モル、ＭｇＯを
２．５モル、ＭｎＯ₂を０．２モル、ＢａＯ・ＳｉＯ₂系
化合物２．１モルを添加した。これに更に（表５）に示
す量のＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃をそれぞれ秤量する。このと
き、実施の形態１と同様に調整されたＢａＴｉＯ₃を用
いた。

【００７０】

【表５】

【００７１】次いで、実施の形態１と同条件で材料粉末
を作製した後、誘電体層２の厚みは焼成後３μｍとなる
ようにした。

【００７２】その後、得られた積層セラミックコンデン
サの電気特性を実施の形態１と同様に評価した。但し、
加速寿命試験の印加電圧は、６４Ｖとした。この結果を
（表６）に示した。

【００７３】

【表６】

【００７４】（表６）に示すように、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈ
ｏ）モル比が０．３〜０．９になるようにＤｙ₂Ｏ₃とＨ
ｏ₂Ｏ₃を合わせて０．１〜３．０モル添加することで、
誘電体の厚みを５μｍ以下に薄膜化しても、絶縁抵抗の
劣化がなく高い絶縁抵抗を有し、静電容量の温度変化率
の小さい積層セラミックコンデンサが得られる。

【００７５】即ち、Ｄｙは絶縁抵抗の劣化を防止する効
果を有するが、誘電体層２を薄層化すると静電容量の温
度特性が悪化する傾向にある。しかし、Ｈｏを誘電体磁
器組成物に添加することにより、温度特性を向上させる
効果を有し、ＤｙとＨｏの両方を添加することにより、
誘電体層２を薄層化したとしても静電容量の温度特性が
良好で、絶縁抵抗の高い積層セラミックコンデンサが得
られる。

【００７６】このとき、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）モル比が
０．３未満では寿命特性の劣化を早めてしまい、０．９
を超えると静電容量の温度変化率が大きくなってしま
い、実用的に好ましくない。

【００７７】また、Ｄｙ₂Ｏ₃とＨｏ₂Ｏ₃の合計添加量
が、０．１モル未満では静電容量の温度変化率が大きく
なると共に、静電容量の経時変化率とｔａｎδが大きく
なり３モルを超えると誘電率が２０００以下に低下し、
実用的に好ましくない。

【００７８】従って、Ｄｙ₂Ｏ₃とＨｏ₂Ｏ₃の合計添加量
がチタン酸バリウム１００モルに対して０．１〜３．０
モル添加することが有効である。

【００７９】なお、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃とも比表面積が
７〜１５ｍ²／ｇであり、球状形状でかつ凝集粒子の少
ないものを用いることにより、分散性が向上し、上記効
果が顕著になる。

【００８０】（実施の形態４）以下、実施の形態４を用
いて、本発明の特に請求項１８、１９に記載の発明につ
いて説明する。

【００８１】尚、本実施の形態４の積層セラミックコン
デンサの製造方法は、基本的に実施の形態１と同じ構成
であるので、詳細な説明は省略し、ここでは特徴とする
部分について説明する。

【００８２】先ず、本発明の誘電体組成物はＢａＴｉＯ
₃ １００モルに対し、ＭｎＯ₂を０．２モル、ＭｇＯを
２．５モル添加し、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ｓ
ｉＯ ₂混合物、およびＨｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃・
ＳｉＯ₂を、（表７）、（表８）に示す量を添加した。
また、さらにＢａ／Ｔｉモル比は、１．０３になるよう
にＢａＣＯ₃を添加し、Ｓｉはトータル２．１モルにな
るように添加し、Ｄｙ₂Ｏ ₃・ＳｉＯ₂、あるいは、Ｄｙ₂
Ｏ₃・ＳｉＯ₂とＨｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂を合わせて、Ｓｉが
２．１モルに満たない分はＳｉＯ₂として補正添加し
た。また、Ａｌも同様に、トータル２．１モルとなるよ
うにし、２．１モルに満たない場合はＡｌ₂Ｏ₃として補
正添加した。

【００８３】

【表７】

【００８４】

【表８】

【００８５】次いで、実施の形態１と同条件で材料粉末
を作製した後、誘電体層２の厚みは焼成後３μｍとなる
ようにした以外は、実施の形態１と同様にして積層セラ
ミックコンデンサを作製した。

【００８６】その後、実施の形態１と同様に得られた積
層セラミックコンデンサを評価した。但し、加速寿命試
験の印加電圧は、６４Ｖとした。そのときの結果を（表
９）、（表１０）に示した。

【００８７】

【表９】

【００８８】

【表１０】

【００８９】（表９）、（表１０）に示すように、Ｄｙ
₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ ₂混合物を合わせ
て、０．１〜３．０モル添加することで、誘電体の厚み
を５μｍ以下に薄膜化しても、高い絶縁抵抗と絶縁抵抗
の劣化がなく、静電容量の温度変化率の小さい積層セラ
ミックコンデンサが得られる。

【００９０】また、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）モル比が０．
３〜０．９になるようにＤｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃
・Ａｌ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂Ｏ₃・Ａｌ
₂Ｏ₃、Ｈｏ ₂Ｏ₃とを合わせて０．１〜３．０モル添加す
ることで、誘電体の厚みを５μｍ以下に薄膜化しても、
それぞれ単独で添加した場合に比較し、容量温度特性が
向上し、高い絶縁抵抗を維持し、信頼性の高い積層セラ
ミックコンデンサが得られる。

【００９１】何故ならば、Ｄｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ
₃・Ａｌ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃
は、粒子形状を非常に小さく作製することが可能であ
り、誘電体材料中での分散性が向上し、焼結状態がより
均一となるためである。

【００９２】しかしながら、Ｄｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂
Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂
Ｏ₃は、それぞれ単独酸化物で添加した時と同様、チタ
ン酸バリウム１００モルに対し、（Ｄｙ₂Ｏ₃・Ｓｉ
Ｏ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃）あるいは（Ｄｙ₂Ｏ₃・Ｓｉ
Ｏ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃）と（Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈ
ｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃）合わせて０．１モル未満では静電容
量の温度変化率が大きくなると共に、静電容量の経時変
化率とｔａｎδが大きくなり３モルを超えると誘電率が
２０００以下に低下し実用的でなくなる。

【００９３】従って、（Ｄｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃
・Ａｌ₂Ｏ₃）あるいは（Ｄｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃
・Ａｌ₂Ｏ₃）と（Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂
Ｏ₃）合わせた添加量がチタン酸バリウム１００モルに
対して０．１〜３．０モル添加することが有効である。
さらには、これらのＤｙ混合物とＨｏ混合物を合わせて
添加する場合は、添加比率はＤｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）モル
比が０．３未満では寿命特性の劣化を早めてしまい、
０．９を超えると静電容量温度変化率が大きくなってし
まい、実用的ではなくなってしまう。

【００９４】従って、（Ｄｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃
・Ａｌ₂Ｏ₃）と（Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂
Ｏ₃）とを添加する場合は、その添加比率はＤｙ／（Ｄ
ｙ＋Ｈｏ）モル比が０．３〜０．９の範囲となるように
添加することが有効である。なお、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ｓｉ
Ｏ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂
Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃とも比表面積が１０〜４０ｍ²／ｇであ
り、分散性の良好な微粒子のものを用いることにより効
果はより顕著になる。

【００９５】（実施の形態５）以下、実施の形態５を用
いて、本発明の特に請求項１３に記載の発明について説
明する。

【００９６】尚、本実施の形態５の積層セラミックコン
デンサの製造方法は、基本的に実施の形態１と同じ構成
であるので、詳細な説明は省略し、ここでは特徴とする
部分について説明する。

【００９７】まず、チタン酸バリウム１００モルに対
し、ＢａＣＯ₃を０．２モル、ＭｎＯ_{4 /3}を０．２モル、
ＢａＯ・ＳｉＯ₂系ガラスを２．１モル、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｈ
ｏ₂Ｏ₃をＤｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比が０．７５にな
るように、Ｄｙ₂Ｏ₃とＨｏ₂Ｏ₃を合わせて１モルを添加
しさらに、気相法により合成したＭｇ（ＯＨ）₂を（表
１１）に示す量を添加した。

【００９８】

【表１１】

【００９９】次いで、誘電体層２の厚みが３μｍとなる
ようにした以外は実施の形態１と同条件で積層セラミッ
クコンデンサ１を作製した。

【０１００】その後、実施の形態１と同様に得られた積
層セラミックコンデンサを評価した。但し、加速寿命試
験の印加電圧は、６４Ｖとした。そのときの結果を（表
１２）に示した。

【０１０１】

【表１２】

【０１０２】（表１２）に示すように、Ｍｇ化合物とし
てＭｇ（ＯＨ）₂を用いることにより、ＭｇＯを用いた
場合と比較すると、さらに容量温度特性が向上し、絶縁
抵抗の劣化防止にも効果がある。何故なら気相法により
合成したＭｇ（ＯＨ）₂は、その粒子形状が球状でかつ
凝集体を形成しにくいので、誘電体中の分散性が向上す
るからである。

【０１０３】従って誘電体層２の厚みを５μｍ以下に薄
層化しても、絶縁抵抗の劣化がなく高い絶縁抵抗を有
し、静電容量の温度変化率の小さい積層セラミックコン
デンサが得られる。

【０１０４】しかしながら、ＭｇＯと同様にＭｇ（Ｏ
Ｈ）₂添加量がチタン酸バリウム１００モルに対して
０．５モル未満では焼結しない。また、５．０モルを超
えると、静電容量の温度変化率が大きくなってしまう。
従って、０．５〜５．０モルの範囲が有効である。

【０１０５】（実施の形態６）以下、実施の形態６を用
いて、本発明の特に請求項２、４、６、８、１４、１
５、１７に記載の発明について説明する。

【０１０６】尚、本実施の形態６の誘電体磁器組成物と
これを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法は、
基本的に実施の形態２と同じ構成であるので、詳細な説
明は省略し、ここでは特徴とする部分について説明す
る。

【０１０７】まず、実施の形態２で用いたチタン酸バリ
ウム１００モルに対して、ＢａＣＯ ₃を０．２モル、Ｍ
ｇＯを２．５モル、Ｄｙ₂Ｏ₃を１．０モル、ＭｎＯ₂を
０．２モル、ＢａＯ・ＳｉＯ₂系化合物２．１モルを添
加したもの、また同ＢａＴｉＯ₃に対してＢａＣＯ₃を
０．２モル、ＭｇＯを２．５モル、ＭｎＯ₂を０．２モ
ル、ＢａＯ・ＳｉＯ₂系化合物を２．１モル、Ｄｙ₂Ｏ₃
とＨｏ₂Ｏ₃の比率が、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）とあらわし
たとき、０．４５となるようにＤｙ₂Ｏ₃とＨｏ₂Ｏ₃を合
わせて１．５モル添加し、仮焼後の粉砕時にさらに（表
１３）に示す量のＡｌ ₂Ｏ₃をそれぞれの組成に添加し
た。

【０１０８】

【表１３】

【０１０９】次いで、実施の形態１と同様にして積層セ
ラミックコンデンサを作製した。その後、実施の形態１
と同様に得られた積層セラミックコンデンサを評価し、
その結果を（表１４）に示した。

【０１１０】

【表１４】

【０１１１】本発明の誘電体磁器組成物は２次相を発生
しやすいものである。２次相が形成されると積層セラミ
ックコンデンサの機械強度が劣化してしまう恐れがあ
る。しかしながら、（表１４）に示すように、Ａｌ₂Ｏ₃
をさらに添加することにより、２次相の生成を抑制する
ことができ、特性を悪化させることなく機械的強度を向
上させることができる。

【０１１２】Ａｌ₂Ｏ₃の添加量が３．０モルを超える
と、静電容量の温度変化率と誘電損失が大きくなり、
０．１モル未満だと添加効果は顕著に表れない。

【０１１３】なお、このＡｌ₂Ｏ₃は他の出発原料を仮焼
した後に添加した。他の出発原料と同様、最初に添加し
てもかまわないのであるが、仮焼後に添加することによ
りさらに静電容量の温度特性を向上させることができ
る。

【０１１４】以上の結果から、本発明のＢａＴｉＯ₃を
主成分とし、これにＢａＯ、ＭｇＯ、Ｄｙ₂Ｏ₃、ＭｎＯ
₂、ＳｉＯ₂、Ｖ₂Ｏ₅を添加することにより、還元性雰囲
気での大量焼成において、誘電体の還元を防止し絶縁抵
抗性能を向上させ、またＡｌ ₂Ｏ₃を添加することにより
焼結体の表面に副成分の発生を抑制した積層セラミック
コンデンサが得られる、さらにはＤｙ₂Ｏ₃の一部をＨｏ
₂Ｏ₃に代えたり、Ｄｙ ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂
Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃に置き換
えたり、ＭｇＯをＭｇ（ＯＨ）₂に置き換えることによ
りさらに容量温度特性、絶縁抵抗に優れた積層セラミッ
クコンデンサが得られる。

【０１１５】

【発明の効果】以上本発明によれば、内部電極にＮｉ等
の卑金属を用いて焼成し、外部電極にＣｕ等の卑金属を
用いて焼き付けしても、誘電体層が還元されず、優れた
絶縁抵抗特性を有する誘電体磁器組成物とこれを用いた
積層セラミックコンデンサとその製造方法が得られる。

【０１１６】また、膜厚５μｍ以下の誘電体層を形成し
ても、絶縁抵抗が高くて、静電容量のバラツキの小さ
い、さらに、温度特性が良好で経時変化率の小さい信頼
性に優れた積層セラミックコンデンサが得られる。

【０１１７】尚、本発明は、積層セラミックコンデンサ
の外部電極に銀などの貴金属を用いて形成した場合にお
いても同様に優れた電気特性を有するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における積層セラミック
コンデンサの断面図

【図２】従来例の積層セラミックコンデンサの断面図

【符号の説明】

１ 積層セラミックコンデンサ ２ 誘電体層 ３，４ 内部電極 ５ 積層体 ６，７ 対向する両面 ８，９ 外部電極 １０ ニッケルメッキ層 １１ 半田メッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６４ Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１Ｃ ５Ｇ３０３ 4/30 ３０１ ３０１Ｅ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｔ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ Ｂ２８Ｂ 11/00 Ｚ (72)発明者 小林 恵治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 倉光 秀紀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA06 AA07 AA11 AA13 AA19 AA29 AA30 BA09 GA02 4G055 AA08 AC09 BA22 BA29 5E001 AB03 AC09 AE02 AE03 AE04 AJ01 AJ02 AJ03 5E082 AA01 AB03 BC35 EE04 EE11 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 FG46 FG54 GG10 GG11 GG28 JJ06 JJ23 KK01 LL01 MM24 PP03 PP08 PP10 5E346 AA12 AA13 AA15 AA33 AA36 CC17 CC21 CC32 CC37 DD13 DD24 EE24 EE27 EE29 GG04 GG08 GG14 GG24 GG26 GG28 HH08 5G303 AA01 AB01 AB06 AB11 BA12 CA01 CB01 CB03 CB17 CB18 CB30 CB35 CB36 CB41 CB43

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 主成分チタン酸バリウム１００モルに対
   し、副成分として少なくともＭｇをＭｇＯに換算して
   ０．５〜５．０モル、ＤｙをＤｙ₂Ｏ₃に換算して０．１
   〜３．０モル、ＭｎをＭｎＯ_4/3に換算して０．０１〜
   ０．４モル、ＶをＶ₂Ｏ₅に換算して０．０１〜０．２６
   モル、ＳｉをＳｉＯ₂に換算して０．０１〜３．５モル
   添加し、前記チタン酸バリウムのＢａ／Ｔｉのモル比は
   １．００１〜１．０５モルとした誘電体磁器組成物。
2. 【請求項２】 ＡｌをＡｌ₂Ｏ₃に換算して、チタン酸バ
   リウム１００モルに対して、さらに０．０１〜３．０モ
   ル添加した請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
3. 【請求項３】 Ｄｙに代えて、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）の
   モル比が、０．３〜０．９となるＤｙとＨｏとを、それ
   ぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃に換算した合計で主成分チタン
   酸バリウム１００モルに対して０．１〜３．０モル添加
   した請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
4. 【請求項４】 Ｄｙに代えて、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）の
   モル比が０．３〜０．９となるＤｙとＨｏとを、それぞ
   れＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃に換算した合計で主成分チタン酸
   バリウム１００モルに対して０．１〜３．０モル添加
   し、かつＡｌをＡｌ₂Ｏ₃に換算して、チタン酸バリウム
   １００モルに対して、さらに０．０１〜３．０モル添加
   した請求項１に記載の誘電体磁気組成物。
5. 【請求項５】 誘電体層と卑金属を用いて作製した内部
   電極とを交互に積層した積層体と、この積層体の前記内
   部電極の露出した端面に設けた外部電極とを備え、前記
   誘電体層は、主成分チタン酸バリウム１００モルに対
   し、副成分として少なくともＭｇをＭｇＯに換算して
   ０．５〜５．０モル、ＤｙをＤｙ₂Ｏ₃に換算して０．１
   〜３．０モル、ＭｎをＭｎＯ_4/3に換算して０．０１〜
   ０．４モル、ＶをＶ₂Ｏ₅に換算して、０．０１〜０．２
   ６モル、ＳｉをＳｉＯ₂に換算して０．０１〜３．５モ
   ル添加して形成したものであり、前記主成分チタン酸バ
   リウムのＢａ／Ｔｉのモル比は１．００１〜１．０５モ
   ルとした積層セラミックコンデンサ。
6. 【請求項６】 チタン酸バリウムに対して、さらに、Ａ
   ｌをＡｌ₂Ｏ₃に換算して、０．０１〜３．０モル添加し
   た誘電体層からなる請求項５に記載の積層セラミックコ
   ンデンサ。
7. 【請求項７】 Ｄｙに代えて、ＤｙとＨｏとをＤｙ／
   （Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比が０．３〜０．９となるよう
   に、それぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃に換算して合計で主成
   分チタン酸バリウム１００モルに対して０．１〜３．０
   モル添加した請求項５に記載の積層セラミックコンデン
   サ。
8. 【請求項８】 Ｄｙに代えて、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）の
   モル比が０．３〜０．９となるＤｙとＨｏとを、それぞ
   れＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃に換算した合計で主成分チタン酸
   バリウム１００モルに対して０．１〜３．０モル添加
   し、かつＡｌをＡｌ₂Ｏ₃に換算して、チタン酸バリウム
   １００モルに対して、さらに０．０１〜３．０モル添加
   した請求項５に記載の積層セラミックコンデンサ。
9. 【請求項９】 誘電体層と卑金属を用いて作製した内部
   電極とを交互に積層した積層体の前記内部電極の露出し
   た端面に外部電極を設けたコンデンサの製造方法におい
   て、セラミックシートを作製する第１工程と、次にこの
   セラミックシートと卑金属を主成分とする内部電極とを
   交互に積層した積層体を作製する第２工程と、次いで前
   記積層体を焼成する第３工程と、その後前記積層体の前
   記内部電極の露出した端面に外部電極を形成する第４工
   程を備え、前記誘電体層は、主成分チタン酸バリウム１
   ００モルに対し、副成分として少なくともＭｇをＭｇＯ
   に換算して０．５〜５．０モル、ＤｙをＤｙ₂Ｏ₃に換算
   して０．１〜３．０モル、ＭｎをＭｎＯ_4/3に換算して
   ０．０１〜０．４モル、ＶをＶ₂Ｏ₅に換算して、０．０
   １〜０．２６モル、ＳｉをＳｉＯ₂に換算して０．０１
   〜３．５モル添加して形成したものであり、前記主成分
   チタン酸バリウムのＢａ／Ｔｉのモル比は１．００１〜
   １．０５モルの誘電体材料を用いる積層セラミックコン
   デンサの製造方法。
10. 【請求項１０】 外部電極をＣｕを主成分とする金属を
    用いて形成する請求項９に記載の積層セラミックコンデ
    ンサの製造方法。
11. 【請求項１１】 比表面積が２〜５ｍ²／ｇであるチタ
    ン酸バリウムを用いる請求項９に記載の積層セラミック
    コンデンサの製造方法。
12. 【請求項１２】 Ｘ線回折チャートにおいて、回折角２
    θ ４５°における（２００）面の回折線と（００２）
    面の回折線のピークが２つに分かれているチタン酸バリ
    ウムを用いる請求項９に記載の積層セラミックコンデン
    サの製造方法。
13. 【請求項１３】 ＭｇＯに代えて、Ｍｇ（ＯＨ）₂を
    ０．５〜５．０モル添加する請求項９に記載の積層セラ
    ミックコンデンサの製造方法。
14. 【請求項１４】 第１工程でＡｌ化合物をＡｌ₂Ｏ₃に変
    換してチタン酸バリウム１００モルに対して、さらに
    ０．１〜３．０モル添加する請求項９に記載の積層セラ
    ミックコンデンサの製造方法。
15. 【請求項１５】 Ａｌ化合物を他の誘電体材料の仮焼後
    に添加する請求項９に記載の積層セラミックコンデンサ
    の製造方法。
16. 【請求項１６】 Ｄｙに代えて、ＤｙとＨｏとをＤｙ／
    （Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比が０．３〜０．９となるよう
    に、それぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃に換算して合計で主成
    分チタン酸バリウム１００モルに対して０．１〜３．０
    モル添加する請求項９に記載の積層セラミックコンデン
    サの製造方法。
17. 【請求項１７】 Ｄｙに代えて、Ｄｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）
    のモル比が０．３〜０．９となるＤｙとＨｏとを、それ
    ぞれＤｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃に換算した合計で主成分チタン
    酸バリウム１００モルに対して０．１〜３．０モル添加
    し、かつＡｌをＡｌ₂Ｏ₃に換算して、チタン酸バリウム
    １００モルに対して、さらに０．０１〜３．０モル添加
    した請求項９に記載の積層セラミックコンデンサの製造
    方法。
18. 【請求項１８】 Ｄｙ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃の各単
    独成分に代えて、Ｄｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂Ｏ₃・Ａｌ₂
    Ｏ₃の形にしてあらかじめ混合された混合物を合わせて
    ０．１〜３．０モル添加する請求項９に記載の積層セラ
    ミックコンデンサの製造方法。
19. 【請求項１９】 Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂
    Ｏ₃の各単独成分に代えて、Ｄｙ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｄｙ₂
    Ｏ₃・Ａｌ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂、Ｈｏ₂Ｏ₃・Ａｌ₂
    Ｏ₃の形にしてあらかじめ混合された混合物を合わせ
    て、ＤｙとＨｏとをＤｙ／（Ｄｙ＋Ｈｏ）のモル比が
    ０．３〜０．９となるように０．１〜３．０モル添加す
    る請求項９に記載の積層セラミックコンデンサの製造方
    法。
20. 【請求項２０】 第３工程の降温過程または第３工程と
    第４工程の間に誘電体層を再酸化する工程を設ける請求
    項９に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。