JP2002028599A - 再利用部品の洗浄方法 - Google Patents
再利用部品の洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】化学薬品の使用ができるだけ抑えられ、効率的
に堆積物が除去できる高信頼性の再利用部品の洗浄方法
を提供する。 【解決手段】半導体装置製造における薄膜形成工程にお
いて、成膜室（いわゆるベルジャや反応管など）の内部
にウェハと共に置かれる各種再利用部品は堆積物が徐々
に蓄積され、定期的に除去する必要があり、その洗浄方
法である。まず、大気圧プラズマ処理１により再利用部
品に付着した堆積物の最表面変質層の除去、次のオゾン
水洗浄処理２により有機物が除去される。次に、純水に
よる高圧ジェット洗浄処理３によって、メインの堆積物
が除去される。次に超音波洗浄処理４で、界面活性剤を
添加した溶液で所定周波数以上の超音波を与えて洗浄す
る。次の純水洗浄処理５で上記界面活性剤を除去し、乾
燥処理６に移行する。
に堆積物が除去できる高信頼性の再利用部品の洗浄方法
を提供する。 【解決手段】半導体装置製造における薄膜形成工程にお
いて、成膜室（いわゆるベルジャや反応管など）の内部
にウェハと共に置かれる各種再利用部品は堆積物が徐々
に蓄積され、定期的に除去する必要があり、その洗浄方
法である。まず、大気圧プラズマ処理１により再利用部
品に付着した堆積物の最表面変質層の除去、次のオゾン
水洗浄処理２により有機物が除去される。次に、純水に
よる高圧ジェット洗浄処理３によって、メインの堆積物
が除去される。次に超音波洗浄処理４で、界面活性剤を
添加した溶液で所定周波数以上の超音波を与えて洗浄す
る。次の純水洗浄処理５で上記界面活性剤を除去し、乾
燥処理６に移行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に薄膜形成装置の成膜室内における再利用部品
の堆積物を除去する再利用部品の洗浄方法に関する。
係り、特に薄膜形成装置の成膜室内における再利用部品
の堆積物を除去する再利用部品の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程（ウェハ工程）の一つに
薄膜形成工程がある。薄膜形成工程には、真空蒸着やス
パッタ蒸着などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition
）、気相成長技術、いわゆるＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition ）による成膜方法があげられる。
薄膜形成工程がある。薄膜形成工程には、真空蒸着やス
パッタ蒸着などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition
）、気相成長技術、いわゆるＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition ）による成膜方法があげられる。
【０００３】これらの薄膜形成工程は、成膜室（いわゆ
るベルジャや反応管など）の内部に、ウェハの他に各種
再利用部品が存在したまま実施される。再利用部品と
は、ウェハを支持するジグ（治具）や、室内で保護を要
する部分に設けられるシャッタ、あるいは内壁の成膜防
止用の防着板等である。
るベルジャや反応管など）の内部に、ウェハの他に各種
再利用部品が存在したまま実施される。再利用部品と
は、ウェハを支持するジグ（治具）や、室内で保護を要
する部分に設けられるシャッタ、あるいは内壁の成膜防
止用の防着板等である。
【０００４】これら再利用部品には、ウェハへの成膜に
伴って不要な堆積物が徐々に蓄積されていく。従って、
再利用部品の堆積物は定期的に除去する必要がある。こ
れにより、ウェハへのパーティクル等、悪影響をなくし
ている。
伴って不要な堆積物が徐々に蓄積されていく。従って、
再利用部品の堆積物は定期的に除去する必要がある。こ
れにより、ウェハへのパーティクル等、悪影響をなくし
ている。
【０００５】従来、このような再利用部品の堆積物を除
去する洗浄方法として、次の（１）、（２）の方法が一
般的であった。 （１）アルカリ系洗浄→酸系洗浄→純水／超純水（超音
波洗浄）→乾燥。 （２）ブラスト洗浄→酸系洗浄→純水／超純水（超音波
洗浄）→乾燥。
去する洗浄方法として、次の（１）、（２）の方法が一
般的であった。 （１）アルカリ系洗浄→酸系洗浄→純水／超純水（超音
波洗浄）→乾燥。 （２）ブラスト洗浄→酸系洗浄→純水／超純水（超音波
洗浄）→乾燥。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た（１）のアルカリ系、酸系の溶液を用いる洗浄は、化
学薬品の大量消費を招く。廃液の配慮が重要となり、環
境問題を考えると設備コストが高くなる。また、（２）
では、ブラスト洗浄後の部品表面には洗浄に用いたビー
ズ材が残留する場合があり、結局パーティクル汚染源と
なる懸念がある。
た（１）のアルカリ系、酸系の溶液を用いる洗浄は、化
学薬品の大量消費を招く。廃液の配慮が重要となり、環
境問題を考えると設備コストが高くなる。また、（２）
では、ブラスト洗浄後の部品表面には洗浄に用いたビー
ズ材が残留する場合があり、結局パーティクル汚染源と
なる懸念がある。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、化学薬品の使用ができるだけ抑えられ、効
率的に堆積物が除去できる高信頼性の再利用部品の洗浄
方法を提供しようとするものである。
れたもので、化学薬品の使用ができるだけ抑えられ、効
率的に堆積物が除去できる高信頼性の再利用部品の洗浄
方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る再利用部品
の洗浄方法は、再利用部品の表面の不要な堆積物を除去
する方法であって、大気圧プラズマにより少なくとも前
記堆積物の最表面層を除去する工程と、所定周波数以上
の超音波を与えながら行うオゾン水洗浄工程と、純水に
よる高圧ジェット洗浄工程と、純水に界面活性剤を添加
した溶液にて所定周波数以上の超音波を与えて行う超音
波洗浄工程と、前記界面活性剤を除去するための純水洗
浄工程と、純水を除去するための乾燥工程とを順に具備
したことを特徴とする。
の洗浄方法は、再利用部品の表面の不要な堆積物を除去
する方法であって、大気圧プラズマにより少なくとも前
記堆積物の最表面層を除去する工程と、所定周波数以上
の超音波を与えながら行うオゾン水洗浄工程と、純水に
よる高圧ジェット洗浄工程と、純水に界面活性剤を添加
した溶液にて所定周波数以上の超音波を与えて行う超音
波洗浄工程と、前記界面活性剤を除去するための純水洗
浄工程と、純水を除去するための乾燥工程とを順に具備
したことを特徴とする。
【０００９】本発明に係る再利用部品の洗浄方法によれ
ば、大気圧プラズマにより再利用部品に付着した堆積物
の最表面変質層が除去される。次のオゾン水洗浄工程に
より有機物が除去される。有機物の剥離効率を向上させ
るため、好ましくは、超音波を与えながらオゾン水洗浄
工程を行うことを特徴とする。また、オゾン水洗浄工程
に導入される際、対象となる前記再利用部品は５０℃以
上１００℃以下に温められていることを特徴とする。次
に、高圧ジェット洗浄工程によりメインの堆積物が除去
される。超音波洗浄工程は、好ましくはアニオン界面活
性剤及びカチオン界面活性剤をそれぞれ含んだ溶液で達
成されることを特徴とする。その後、上記界面活性剤を
除去する純水洗浄から乾燥に至る。
ば、大気圧プラズマにより再利用部品に付着した堆積物
の最表面変質層が除去される。次のオゾン水洗浄工程に
より有機物が除去される。有機物の剥離効率を向上させ
るため、好ましくは、超音波を与えながらオゾン水洗浄
工程を行うことを特徴とする。また、オゾン水洗浄工程
に導入される際、対象となる前記再利用部品は５０℃以
上１００℃以下に温められていることを特徴とする。次
に、高圧ジェット洗浄工程によりメインの堆積物が除去
される。超音波洗浄工程は、好ましくはアニオン界面活
性剤及びカチオン界面活性剤をそれぞれ含んだ溶液で達
成されることを特徴とする。その後、上記界面活性剤を
除去する純水洗浄から乾燥に至る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
る再利用部品の洗浄方法を示すフローチャートである。
半導体装置製造における薄膜形成工程において、成膜室
（いわゆるベルジャや反応管など）の内部に、ウェハと
共に置かれる各種再利用部品は堆積物が徐々に蓄積さ
れ、定期的に除去する必要がある。
る再利用部品の洗浄方法を示すフローチャートである。
半導体装置製造における薄膜形成工程において、成膜室
（いわゆるベルジャや反応管など）の内部に、ウェハと
共に置かれる各種再利用部品は堆積物が徐々に蓄積さ
れ、定期的に除去する必要がある。
【００１１】図２は、再利用部品の一例を示す概観図で
ある。ここでの再利用部品として、ウェハを支持するジ
グ（治具）であるサセプタ２１や、チャンバ内壁の成膜
防止用の防着板２２等を示す。本発明はこのような再利
用部品において、製造上やむを得ず蓄積されてしまった
堆積物を、環境にも配慮しつつ効率良く除去する。これ
につき以下説明する。
ある。ここでの再利用部品として、ウェハを支持するジ
グ（治具）であるサセプタ２１や、チャンバ内壁の成膜
防止用の防着板２２等を示す。本発明はこのような再利
用部品において、製造上やむを得ず蓄積されてしまった
堆積物を、環境にも配慮しつつ効率良く除去する。これ
につき以下説明する。
【００１２】図１において、大気圧プラズマ処理１は、
大気圧プラズマにより再利用部品に付着した堆積物の最
表面変質層が除去される。例えばチャンバ内の成膜がＡ
ｌ（アルミニウム）であった場合、再利用部品に付着し
た堆積物は、チャンバ内雰囲気中のＯ2 や熱によって、
その表面がアルミナのような酸化物等の物質に変質す
る。そこで大気圧プラズマによって直接物理的な衝撃を
与えることで、少なくとも最表面変質層を除去するので
ある。大気圧プラズマは、対象となる再利用部品をいち
いちチャンバ内に入れる必要はなく十分に効果が期待で
きる。再利用部品は大きさも様々であるため、例えばベ
ルトコンベアー方式などを適用すれば連続的に処理でき
る。
大気圧プラズマにより再利用部品に付着した堆積物の最
表面変質層が除去される。例えばチャンバ内の成膜がＡ
ｌ（アルミニウム）であった場合、再利用部品に付着し
た堆積物は、チャンバ内雰囲気中のＯ2 や熱によって、
その表面がアルミナのような酸化物等の物質に変質す
る。そこで大気圧プラズマによって直接物理的な衝撃を
与えることで、少なくとも最表面変質層を除去するので
ある。大気圧プラズマは、対象となる再利用部品をいち
いちチャンバ内に入れる必要はなく十分に効果が期待で
きる。再利用部品は大きさも様々であるため、例えばベ
ルトコンベアー方式などを適用すれば連続的に処理でき
る。
【００１３】次の、オゾン水洗浄処理2では有機物が除
去される。この際、所定周波数以上の超音波を与えなが
ら行うようにしてもよい。これにより、有機物の剥離効
率が高められる。このようなことを考慮すると、オゾン
水洗浄処理２はバス方式が適当である。
去される。この際、所定周波数以上の超音波を与えなが
ら行うようにしてもよい。これにより、有機物の剥離効
率が高められる。このようなことを考慮すると、オゾン
水洗浄処理２はバス方式が適当である。
【００１４】なお、一般的にオゾンは、自己分解性が激
しい物質である（［Ｏ3 ］→Ｏ2 ＋［Ｏ* ］（ラジカル
オゾン））。すなわちオゾンの分解は、温度が高いほど
顕著になる。従って、オゾン濃度を高めたいなら水温は
ある程度低くしなければならない。一方、有機物剥離の
ための、有機物とオゾンの反応温度は高い方が反応速度
を増加させ、剥離効率が高められる。よって、大気圧プ
ラズマ処理１から搬送される再利用部品は１００℃以
下、好ましくは８０〜９０℃にしておくとよい。これに
より、オゾン水洗浄処理２に導入されれば剥離のための
反応（ＣＯ2化）を加速させることが可能となる。
しい物質である（［Ｏ3 ］→Ｏ2 ＋［Ｏ* ］（ラジカル
オゾン））。すなわちオゾンの分解は、温度が高いほど
顕著になる。従って、オゾン濃度を高めたいなら水温は
ある程度低くしなければならない。一方、有機物剥離の
ための、有機物とオゾンの反応温度は高い方が反応速度
を増加させ、剥離効率が高められる。よって、大気圧プ
ラズマ処理１から搬送される再利用部品は１００℃以
下、好ましくは８０〜９０℃にしておくとよい。これに
より、オゾン水洗浄処理２に導入されれば剥離のための
反応（ＣＯ2化）を加速させることが可能となる。
【００１５】次に、純水による高圧ジェット洗浄処理３
に移行する。再び物理的な衝撃によって、メインの堆積
物が除去される。それと共に純水による予備洗浄が行わ
れる利点もある。
に移行する。再び物理的な衝撃によって、メインの堆積
物が除去される。それと共に純水による予備洗浄が行わ
れる利点もある。
【００１６】次の超音波洗浄処理４は、微少な異物を除
去する工程及び母材表面の有機成分を除去する工程であ
る。好ましくは高圧ジェット洗浄処理３で用いた純水よ
り純度の高い超純水を用いて、界面活性剤を添加した溶
液にて所定周波数以上の超音波を与えて洗浄する。界面
活性剤としてアニオン界面活性剤及びカチオン界面活性
剤をそれぞれ含んだ溶液で超音波洗浄することが望まし
い。
去する工程及び母材表面の有機成分を除去する工程であ
る。好ましくは高圧ジェット洗浄処理３で用いた純水よ
り純度の高い超純水を用いて、界面活性剤を添加した溶
液にて所定周波数以上の超音波を与えて洗浄する。界面
活性剤としてアニオン界面活性剤及びカチオン界面活性
剤をそれぞれ含んだ溶液で超音波洗浄することが望まし
い。
【００１７】次に、純水洗浄処理５に移行する。好まし
くは１０ＭΩ以上の超純水を用いることが望ましい。こ
の超純水にて上記超音波洗浄処理４において用いた界面
活性剤を除去する。
くは１０ＭΩ以上の超純水を用いることが望ましい。こ
の超純水にて上記超音波洗浄処理４において用いた界面
活性剤を除去する。
【００１８】次の乾燥処理６は最終工程である。例え
ば、オーブン炉等の密封した容器内で８０℃以上の高温
で再利用部品の水分を蒸発させて乾燥させる。この乾燥
における温度については、より好ましくは１００℃以上
であるが、それ以下の温度でもよい。ただし、乾燥時間
が長くなる。
ば、オーブン炉等の密封した容器内で８０℃以上の高温
で再利用部品の水分を蒸発させて乾燥させる。この乾燥
における温度については、より好ましくは１００℃以上
であるが、それ以下の温度でもよい。ただし、乾燥時間
が長くなる。
【００１９】上記実施形態の方法によれば、大気圧プラ
ズマ処理１により、再利用部品に付着した堆積物の最表
面変質層が除去される。これにより、アルカリ系溶液を
使わずに済む。また、有機物の除去には、オゾン水洗浄
処理２で対処でき、メインの堆積物は純水による高圧ジ
ェット洗浄３で十分に除去可能となる。これにより、酸
系溶液を使用せずに堆積物除去が可能となる。また、ブ
ラスト洗浄も不要なため残留物の影響も解消できる。こ
の結果、廃液も大幅に削減でき、環境に配慮した洗浄が
可能である。
ズマ処理１により、再利用部品に付着した堆積物の最表
面変質層が除去される。これにより、アルカリ系溶液を
使わずに済む。また、有機物の除去には、オゾン水洗浄
処理２で対処でき、メインの堆積物は純水による高圧ジ
ェット洗浄３で十分に除去可能となる。これにより、酸
系溶液を使用せずに堆積物除去が可能となる。また、ブ
ラスト洗浄も不要なため残留物の影響も解消できる。こ
の結果、廃液も大幅に削減でき、環境に配慮した洗浄が
可能である。
【００２０】なお、成膜装置に関する再利用部品につい
て、図２に一例を示しただけで他にも様々考えられ、再
利用部品について限定されることはない。成膜装置に関
する再利用部品でなくとも、本発明の再利用部品の洗浄
方法が適用され得る可能性も十分考えられる。
て、図２に一例を示しただけで他にも様々考えられ、再
利用部品について限定されることはない。成膜装置に関
する再利用部品でなくとも、本発明の再利用部品の洗浄
方法が適用され得る可能性も十分考えられる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、大
気圧プラズマにより再利用部品に付着した堆積物の最表
面変質層の除去、次のオゾン水洗浄工程により有機物が
除去される。次に、高圧ジェット洗浄工程によりメイン
の堆積物が除去される。最終洗浄として界面活性剤入り
の超音波洗浄工程が行われる。その後、純水洗浄工程、
乾燥工程が行われ、洗浄時の異物除去、水分の蒸発がな
される。
気圧プラズマにより再利用部品に付着した堆積物の最表
面変質層の除去、次のオゾン水洗浄工程により有機物が
除去される。次に、高圧ジェット洗浄工程によりメイン
の堆積物が除去される。最終洗浄として界面活性剤入り
の超音波洗浄工程が行われる。その後、純水洗浄工程、
乾燥工程が行われ、洗浄時の異物除去、水分の蒸発がな
される。
【００２２】このような洗浄工程を経ることにより、廃
液大幅削減、環境に配慮した洗浄が可能であると共に、
再利用部品におけるパーティクル汚染源の大幅な低減が
達成できる。この結果、従来技術に比べて化学薬品の使
用ができるだけ抑えられ、効率的に堆積物が除去できる
高信頼性の再利用部品の洗浄方法を提供することができ
る。
液大幅削減、環境に配慮した洗浄が可能であると共に、
再利用部品におけるパーティクル汚染源の大幅な低減が
達成できる。この結果、従来技術に比べて化学薬品の使
用ができるだけ抑えられ、効率的に堆積物が除去できる
高信頼性の再利用部品の洗浄方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施形態に係る再利用部品の洗浄方
法を示すフローチャートである。
法を示すフローチャートである。
【図２】再利用部品の一例を示す概観図である。
１〜４…各処理 ２１…サセプタ ２２…防着板
Claims (4)
- 【請求項１】 再利用部品の表面の不要な堆積物を除去
する方法であって、 大気圧プラズマにより少なくとも前記堆積物の最表面層
を除去する工程と、 オゾン水洗浄工程と、 純水による高圧ジェット洗浄工程と、 純水に界面活性剤を添加した溶液にて所定周波数以上の
超音波を与えて行う超音波洗浄工程と、 前記界面活性剤を除去するための純水洗浄工程と、 純水を除去するための乾燥工程と、を順に具備したこと
を特徴とする再利用部品の洗浄方法。 - 【請求項２】 前記オゾン水洗浄工程は、所定周波数以
上の超音波を与えながら行うことを特徴とする請求項１
記載の再利用部品の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記オゾン水洗浄工程に導入される際、
対象となる前記再利用部品は５０℃以上１００℃以下に
温められていることを特徴とする請求項１または２記載
の再利用部品の洗浄方法。 - 【請求項４】 前記超音波洗浄工程は、前記界面活性剤
としてアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤をそれ
ぞれ含んだ溶液で達成されることを特徴とする請求項１
〜３いずれか一つに記載の再利用部品の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000219659A JP2002028599A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 再利用部品の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000219659A JP2002028599A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 再利用部品の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002028599A true JP2002028599A (ja) | 2002-01-29 |
Family
ID=18714402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000219659A Withdrawn JP2002028599A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 再利用部品の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002028599A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288020B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of blasting process |
| CN103513315A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩色滤光片返修工艺 |
| CN105903713A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-31 | 嘉盛半导体(苏州)有限公司 | 半导体产品清洗方法及装置 |
| CN107413760A (zh) * | 2017-08-29 | 2017-12-01 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种对雷达电子组件上的助焊剂的水基环保清洗方法及清洗装置 |
-
2000
- 2000-07-19 JP JP2000219659A patent/JP2002028599A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288020B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-10-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of blasting process |
| CN103513315A (zh) * | 2013-10-24 | 2014-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩色滤光片返修工艺 |
| CN105903713A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-31 | 嘉盛半导体(苏州)有限公司 | 半导体产品清洗方法及装置 |
| CN107413760A (zh) * | 2017-08-29 | 2017-12-01 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种对雷达电子组件上的助焊剂的水基环保清洗方法及清洗装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |