JP2002015859A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置Info
- Publication number
- JP2002015859A JP2002015859A JP2000200353A JP2000200353A JP2002015859A JP 2002015859 A JP2002015859 A JP 2002015859A JP 2000200353 A JP2000200353 A JP 2000200353A JP 2000200353 A JP2000200353 A JP 2000200353A JP 2002015859 A JP2002015859 A JP 2002015859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- substrate
- film
- screen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 175
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 45
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 16
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 7
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- -1 SiN or AlN Chemical class 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 3
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-9h-carbazole Chemical class C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C=C APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n,4-n-tetrakis(4-methylphenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 SJADXKHSFIMCRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXYUIABODWXVIK-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n,n-bis(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 YXYUIABODWXVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 RMTFQLKKBBWGAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGQBAQHNKOWRLL-UHFFFAOYSA-N [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O Chemical compound [Eu].C(C1=CC=CC=C1)(=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C1=C(C(=NC2=C3N=CC=CC3=CC=C12)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C(C1=CC=CC=C1)=O)C(C1=CC=CC=C1)=O XGQBAQHNKOWRLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- YSZKOFNTXPLTCU-UHFFFAOYSA-N barium lithium Chemical compound [Li].[Ba] YSZKOFNTXPLTCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001109 fluorescent polymer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
性に優れた有機EL素子及び有機EL表示装置を提供す
る。 【解決手段】 基板上に、第1電極4と、有機化合物か
らなる発光材料を有する有機エレクトロルミネッセンス
層10と、第2電極8とをこの順で備え、上記基板が、
フィルム状金属基板2であり、上記第2電極8が、透光
性を有するであり、上記第1電極4と、上記有機エレク
トロルミネッセンス層10と、上記第2電極8とを備え
る構造体が上記基板上に直接形成されてなる。
Description
子等として利用される有機エレクトロルミネッセンス素
子(有機EL素子)及び有機エレクトロルミネッセンス
表示装置(有機EL表示装置)に関する。
L素子と呼ぶ。)は、蛍光性化合物に電場を加えること
で励起し、発光させる素子である。そして、EL素子は
自己発光性であるため視認性が高く、また完全固体素子
であるため、耐衝撃性に優れている等の特徴を有するこ
とから、発光材料として無機及び有機化合物を用いた種
々のEL素子が研究、開発されている。このようなEL
素子は、使用する蛍光性化合物により無機EL素子と、
有機EL素子とに分類できる。
とホール(正孔)とを注入し、それらが有機化合物から
なる発光層中で再結合し、このときの再結合エネルギー
によって発光中心を励起するものである。また、有機E
L素子は、直流で動作し、且つ無機EL素子に比べると
はるかに低電圧で駆動する。また、発光層及びキャリア
輸送層を陰極及び陽極の両電極で挟んだサンドイッチ構
造であり、電極の少なくとも一方を透明にすることよっ
て、面状発光体を得ることができる等の特徴を有する。
うな有機EL素子の用途としては、薄膜パネル、ベルト
状、円筒状等の種々の形状、例えば線、図面、画像等の
表示用途があり、このような用途に使用する有機EL素
子を作製するには、基板として、薄く且つ可撓性を有す
る基板を用いるのが好ましい。このような薄く且つ可撓
性を有する基板として、例えば、特開平2−25142
9号公報や特開平6−124785号公報では、高分子
フィルムが用いられている。しかしながら、これらの有
機EL素子の場合は、基板である高分子フィルムを透過
して有機EL素子内に侵入する酸素や水蒸気により有機
膜が劣化してしまうため、発光特性が不十分となり、ま
た、耐久性に不安がある。すなわち、良好な可撓性を備
え、且つ発光特性及び耐久性に優れた有機EL素子及び
有機エレクトロルミネッセンス表示装置(以下、有機E
L表示装置と呼ぶ。)は、まだ確立されていないのが現
状である。
情に鑑みて創案されたものであり、良好な可撓性を備
え、且つ発光特性及び耐久性に優れた有機EL素子及び
有機EL表示装置を提供することを目的とする。
トロルミネッセンス素子(以下有機EL素子と呼ぶ。)
は、基板上に、第1電極と有機化合物からなる発光材料
を有する有機エレクトロルミネッセンス層と第2電極と
をこの順で備え、基板がフィルム状金属基板であり、第
2電極が透光性を有する電極であり、第1電極と有機エ
レクトロルミネッセンス層と第2電極とを備える構造体
が基板上に直接形成されてなることを特徴とするもので
ある。
フィルム状金属基板が用いられているため、酸素や水蒸
気等が基板を透過して有機EL素子内に侵入・拡散する
ことが防止される。したがって、有機EL素子の外部の
酸素や水蒸気等が有機EL素子内に侵入・拡散すること
により、有機EL素子内部が劣化することがない。
ィルム状金属基板を用いているため、従来のガラス基板
を用いた有機EL素子と比較して大幅に軽量化される。
金属基板を用いているため、フィルム状金属基板が有す
る可撓性により有機EL素子自体も優れた可撓性を有す
るものとされる。そして、有機EL素子は、可撓性を有
することにより、この有機EL素子を用いて種々の機器
を構成した場合、例えばディスプレイ等を構成した場合
において、丸めて収納することが可能となるなど、種々
の使用形態に対応可能とされる。
に比べて落下等の衝撃に対する耐衝撃性に優れるフィル
ム状金属基板を用いているため、耐衝撃性に優れたもの
とされる。
L素子を構成する構造体が基板上に直接成膜されて素子
を形成している。したがって、この有機EL素子は、素
子の厚みが薄いものとされる。そして、有機EL素子の
厚みが薄くなることにより、有機EL素子を用いて機器
を構成する際に機器の小型化が可能とされ、機器構成の
自由度が大きくなる。
ることにより、有機EL素子の可撓性がさらに良好なも
のとされ、この有機EL素子を用いて種々の機器を構成
した場合の使用形態がさらに広がる。
が基板上に直接成膜されるため、有機EL素子作製の工
程が簡便なものとされ、生産効率に優れたものとされ
る。
ス表示装置(以下、有機EL表示装置と呼ぶ。)は、画
面部と当該画面部を駆動する回路部とを備え、画面部は
フィルム状金属基板上に直接形成された有機エレクトロ
ルミネッセンス素子と当該有機エレクトロルミネッセン
ス素子と回路部とを接続する配線とを有し、巻回収納可
能とされてなることを特徴とするものである。
面部が可撓性を有するフィルム状金属基板上に形成され
た有機EL素子を備えて構成されている。したがって、
画面部は、可撓性を有することとなり、この可撓性によ
り画面部は巻回収納が可能とされる。
部を構成する有機EL素子が基板上に直接成膜されて素
子を形成している。したがって、この有機EL素子は、
素子の厚みが薄いものとされる。そして、有機EL素子
の厚みが薄くなることにより、画面部の厚みを薄くする
ことができるため、種々の使用形態に対応することが可
能となる。
EL素子を構成する際に多層薄膜が基板上に直接成膜さ
れるため、製造工程が簡便なものとされ、生産効率に優
れたものとされる。
クトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と呼
ぶ。)について図面を参照して詳説する。
一構成例を示した要部断面図である。
と、フィルム状金属基板2上に形成された絶縁層3と、
絶縁層3上に形成された陰極である第1電極4と、第1
電極4上に形成された有機EL層10と、有機EL層1
0上に形成された陽極である第2電極8と、第2電極8
上に形成された保護層9とを備えて構成される。
の支持体となるものであり、このフィルム状金属基板2
上に有機EL素子1を構成する各層が形成される。この
有機EL素子1では、基板としてフィルム状金属基板2
を用いることを特徴とする。
ルム状金属基板2を用いているため、酸素や水蒸気等が
基板を透過することを防止することができる。すなわ
ち、この有機EL素子1では、基板としてフィルム状金
属基板2を用いているため、有機EL素子1の外部の酸
素や水蒸気等が基板を透過して有機EL素子1内に侵入
することを防止することができる。有機EL素子では、
有機EL素子の外部から酸素や水蒸気等が有機EL素子
内に侵入すると、これらにより有機EL素子を構成する
各層、特に有機EL層が劣化してしまう。しかしなが
ら、この有機EL素子1では基板としてフィルム状金属
基板2を用いることにより基板を透過して酸素や水蒸気
等が有機EL素子1内に侵入することが防止されるた
め、外部から基板を透過して侵入した酸素や水蒸気等に
より、有機EL素子1を構成する各層、特に有機EL層
10が劣化することを防止することができる。したがっ
て、この有機EL素子1は、有機EL素子1内の劣化に
起因した発光特性や耐久性の劣化が防止され、発光特性
に優れ、また、耐久性に優れた有機EL素子1とされ
る。
てフィルム状金属基板2を用いているため、従来のガラ
ス基板を用いた有機EL素子に比べて、大幅に軽量化さ
れる。これにより、当該有機EL素子1を用いて種々の
機器を構成した場合、例えば大型ディスプレイ等を構成
した場合においても、機器を軽量化することが可能とな
るため、機器設計の自由度を大きくすることが可能とさ
れる。
して良好な可撓性を有するフィルム状金属基板2を用い
ているため、有機EL素子1自体も可撓性を備えること
となる。すなわち、この有機EL素子1では、基板とし
てフィルム状金属基板2を用いているため、従来のガラ
ス板等を基板として用いた場合と異なり、フィルム状金
属基板2自体の有する可撓性により有機EL素子1を良
好な可撓性を有するものとすることができる。そして、
この有機EL素子1は、基板としてフィルム状金属基板
2を用いることにより良好な可撓性を有するものとされ
るため、当該有機EL素子1を用いて種々の機器を構成
した場合、例えばディスプレイ等を構成した場合におい
て、丸めて収納することが可能となるなど種々の使用形
態をとることが可能となる。
基板のような脆性を示すことがない。したがって、この
ようなフィルム状金属基板2を用いた有機EL素子1
は、従来のガラス基板を用いた有機EL素子と比較し
て、落下等、外部からの衝撃により割れ易い、すなわ
ち、壊れ易いということがなく、外部からの衝撃に対す
る耐衝撃性を大幅に向上させることができる。
は、例えばステンレス、Fe、Al、Ni、Co、Cu
やこれらの合金等、常温・常圧においてフィルム状態と
することが可能な金属であれば何れの金属も用いること
ができる。
50μm以上500μm以下とすることが好ましい。こ
れは、フィルム状金属基板2の厚みを50μm未満とし
た場合には、フィルム状金属基板2自体が十分な平坦性
を保持することが難しいため、有機EL素子1を構成し
た際に、有機EL素子1の良好な平坦性を維持すること
が困難になる虞があるからである。また、フィルム状金
属基板2の厚みを500μmよりも厚くした場合には、
フィルム状金属基板2自体を自由に曲げることが困難に
なる、すなわちフィルム状金属基板2自体の可撓性が乏
しくなるため、有機EL素子1を構成した際に、有機E
L素子1の可撓性が悪くなるからである。
接形成されており、フィルム状金属基板2と陰極である
第1電極4とを絶縁するものである。この有機EL素子
1では、基板としてフィルム状金属基板2を用いている
ため、フィルム状金属基板2と陰極である第1電極4と
を絶縁しないと、フィルム状金属基板2と陰極である第
1電極4とが短絡してしまう虞がある。また、この有機
EL素子1では、基板としてフィルム状金属基板2を用
いているため、フィルム状金属基板2と陰極である第1
電極4とを絶縁しないと、有機EL素子1を複数形成す
ることにより機器を構成した場合等においてフィルム状
金属基板2により陰極である第1電極4同士が短絡して
しまう虞がある。したがって、これらの理由から、フィ
ルム状金属基板2と陰極である第1電極4とを絶縁する
ことが必要となる。
ム状金属基板2と陰極である第1電極4との間に絶縁層
3を設けることによって、フィルム状金属基板2と陰極
である第1電極4とが絶縁されているため、フィルム状
金属基板2と陰極である第1電極4とが短絡すること、
また、複数の有機EL素子1により機器を構成した場合
等においてフィルム状金属基板2により陰極である第1
電極4同士が短絡することが防止される。
AlN等の窒化物、SiO2やAl2O3等の酸化物、有
機系高分子材料等を用いることができる。その中でも、
特に酸素を含有しない窒化物を用いることが好ましい。
酸素を含有しない窒化物を絶縁層3の材料として用いる
ことにより、絶縁層3内の酸素が有機EL素子1内に拡
散する虞が皆無とすることができ、絶縁層3内から有機
EL素子1内に酸素が拡散し、有機EL素子1を構成す
る各層、特に有機EL層10を劣化させることを防止す
ることができる。
m程度とすることが好ましい。絶縁層3の厚みが、50
0nmよりも大幅に薄い場合には、フィルム状金属基板
2と陰極である第1電極4とを確実に絶縁することがで
きない虞があり、その場合、フィルム状金属基板2と陰
極である第1電極4とが短絡してしまう虞があるからで
ある。また、絶縁層3の厚みが、500nmよりも大幅
に厚い場合には、絶縁層3の平坦性が悪くなり、絶縁層
3上に形成される有機EL素子1の各層の平坦性も同様
に悪くなる。その結果、有機EL素子1自体の平坦性が
悪くなり、この有機EL素子1の平坦性の悪さに起因し
て有機EL素子1の特性が劣化する虞があるからであ
る。
しては、効率良く電子を注入するために、電極材料の真
空準位からの仕事関数が小さい金属を用いるのが好まし
い。
マグネシウム、銀、カルシウム、バリウムリチウム等の
仕事関数が小さい金属を単体で用いても良く、またこれ
らの金属を他の金属との合金として安定性を高めて使用
しても良い。
と、正孔輸送層7とを備えて構成され、これら各層がこ
の順で陰極である第1電極4上に形成されてなる。
ら注入された電子を発光層6まで輸送する。電子輸送層
5の材料として使用可能な材料としては、キノリン、ペ
リレン、ビススチリル、ピラジン、又はこれらの誘導体
が挙げられる。
ミニウム、アントラセン、ナフタリン、フェナントレ
ン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリ
ン、アクリジン、スチルベン、又はこれらの誘導体等が
挙げられる。
の結合エネルギーが光として放射される。図1において
は、発光層6が独立して設けられているが、正孔輸送層
7と発光層6とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送
層5と発光層6とを兼ねた電子輸送性発光層を用いるこ
ともできる。正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極
から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層に
よって閉じこめられるため、再結合効率が向上する。ま
た、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子
輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉
じこめられるため、正孔輸送性発光層を用いた場合と同
様に再結合効率が向上する。
極側から正孔を、また、陰極側から電子を注入できるこ
と、注入された電荷、すなわち正孔及び電子を移動さ
せ、正孔と電子が再結合する場を提供できること、発光
効率が高いこと、等の条件を満たしている例えば低分子
蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機材料を使
用することができる。
セン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、クリセ
ン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、ス
チルベン、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯
体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、トリ
(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム
錯体、ジトルイルビニルビフェニル等を挙げることがで
きる。
ら注入された正孔を発光層まで輸送する。正孔輸送材料
として使用可能な材料としては、ベンジン、スチリルア
ミン、トリフェニルメタン、ポルフィリン、トリアゾー
ル、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールア
ルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキサ
ゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、ス
チルベン、又はこれらの誘導体、並びにポリシラン系化
合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合
物、アニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマ、オ
リゴマ、ポリマ等が挙げられる。
ン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、
金属ナフタロシアニン、4,4’,4”−トリメチルト
リフェニルアミン、4,4’,4”−トリス(3−メチ
ルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)トリ
フェニルアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(p
−トリル)p−フェニレンジアミン、N,N,N’,
N’−テトラフェニル4,4’−ジアミノビフェニル、
N−フェニルカルバゾール、4−ジ−p−トリルアミノ
スチルベン、ポリ(パラフェニレンビニレン)、ポリ
(チオフェンビニレン)、ポリ(2,2’−チエニルピ
ロール)等が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。
しては、効率良くホールを注入するために電極材料の真
空準位からの仕事関数が大きく、また、陽極側から有機
電界発光を取り出せるように、透光性を有する材料を用
いるのが好ましい。
が挙げられる。特に、生産性、制御性の観点からは、I
TO(Indium Tin Oxide)を好ましく用いることができ
る。
ムを含んでいる場合、これらの酸素やインジウムが有機
EL層10と陽極との界面から有機EL層10中に侵入
・拡散する虞がある。そして、酸素やインジウムが有機
EL層10中に侵入・拡散した場合、この酸素やインジ
ウムにより有機EL層10が劣化し、これに起因して発
光特性の低下や耐久性の低下が生じる虞がある。したが
って、陽極を構成する陽極材料中には、極力、酸素やイ
ンジウムが含まれていないことがより好ましい。
は、窒化物を好適に用いることができる。ここで、窒化
物とは、酸素やインジウムを含まない窒素化合物をい
う。
り、陽極材料中に酸素やインジウムが存在しないため、
上述したように、陽極材料中の酸素やインジウムが有機
EL層10と陽極との界面から有機EL層10中に侵入
・拡散する虞がない。そして、陽極材料中の酸素やイン
ジウムが有機EL層10に侵入・拡散して、有機EL層
10を劣化させるという現象が生じないため、この有機
EL層10の劣化に起因して、発光特性の低下や耐久性
の低下が生じることがない。すなわち、陽極材料として
窒化物を用いることにより、陽極材料中の酸素やインジ
ウムに起因して発光特性の低下や耐久性の低下が生じる
ことが無くなるため、発光特性及び耐久性に優れた有機
EL素子を実現することができる。
きる窒化物としては、例えばTiNが挙げられが、これ
に限定されることはなく、電極材料の真空準位からの仕
事関数が大きく、透光性を有する材料であれば何れの材
料も用いることが可能である。
る場合には、TiNの厚みは、3μm以上10μm以下
とすることが好ましい。これは、TiNの厚みが3μm
未満の場合、厚みが薄すぎるために陽極として十分に機
能しなくなるからである。また、TiNの厚みが10μ
mよりも厚い場合には、可視光の透過率が悪くなり、実
用に適さなくなるからである。
性を確保するため、また、有機EL素子1の劣化を防止
するために、有機EL素子1を封止し、酸素や水分を遮
断する作用をするものである。保護層9に用いられる材
料としては、気密性を保つことが可能であり、また、発
光層6で発生した発光が透過可能な金属単体、若しくは
その合金等を適宜選択して用いることができる。
ニオブ、タンタル、チタン、酸化シリコン等を挙げるこ
とができる。
各層は、それぞれが複数層からなる積層構造とされてい
ても良い。
は、上述したように基板としてフィルム状金属基板2を
用いているため、酸素や水蒸気等が基板を透過すること
を防止することができる。すなわち、この有機EL素子
1では、基板としてフィルム状金属基板2を用いている
ため、有機EL素子1の外部の酸素や水蒸気等が基板を
透過して有機EL素子1内に侵入することを防止するこ
とができる。したがって、この有機EL素子1は、有機
EL素子1内の劣化に起因した発光特性や耐久性の劣化
が防止され、発光特性に優れ、また、耐久性に優れた有
機EL素子とされる。
てフィルム状金属基板2を用いているため、従来のガラ
ス基板を用いた有機EL素子に比べて、大幅に軽量化す
ることができる。これにより、当該有機EL素子1を用
いて種々の機器を構成した場合、例えば大型ディスプレ
イ等を構成した場合においても、機器を軽量化すること
が可能となるため、機器設計の自由度を大きくすること
が可能となる。
良好な可撓性を有するフィルム状金属基板2を用いてい
るため、有機EL素子1自体も良好な可撓性を有するも
のとされる。したがって、この有機EL素子1は、当該
有機EL素子1を用いて種々の機器を構成した場合、例
えばディスプレイ等を構成した場合において、種々の使
用形態に対応可能とされる。
て落下等の衝撃に対する耐衝撃性に優れるフィルム状金
属基板2を用いているため、耐衝撃性を大幅に向上させ
ることができる。
状金属基板2上に上述した各層が直接成膜されることに
より形成されているため、生産性に優れたものとされ
る。すなわち、この有機EL素子1では、有機EL素子
1を構成する各層は、フィルム状金属基板2以外の他の
基板やシート等の上に形成された後、フィルム状金属基
板2上に配されるのではなく、フィルム状金属基板2上
に直接上述した各層を成膜して形成されるため、生産工
程が簡便であり、生産効率の良いものとされている。ま
た、この有機EL素子1は、フィルム状金属基板2上に
上述した各層が直接成膜されるため、フィルム状金属基
板2以外に他の支持体等を使用することがなく、コスト
的にも優れたものとされる。
は、陰極である第1電極4と陽極である第2電極8との
間に直流電圧を選択的に印可することにより、陽極であ
る第2電極8から注入された正孔が正孔輸送層7を経
て、また陰極である第1電極4から注入された電子が電
子輸送層5を経て移動し、それぞれ発光層6に到達す
る。その結果、発光層においては、電子と正孔との再結
合が生じ、ここから所定の波長で発光が生じる。また、
発光層6の材料を選択することにより、R、G、Bの三
色を発光するフルカラー用、マルチカラー用の有機EL
素子とすることができる。この有機EL素子1は、例え
ばディスプレイ用として用いることができるが、その他
にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途
等に用いることが可能である。
は、例えば次にようにして作製することができる。
テンレスからなるフィルム状金属基板2を準備し、この
フィルム状金属基板2の主面上に絶縁層3として例えば
SiO2膜を真空蒸着法により成膜する。
に、陰極である第1電極4として例えばAlTi膜を1
00nmの厚みにスパッタリングにより成膜する。
に、有機EL層10を形成する。有機EL層10は、電
子輸送層5、発光層6、及び正孔輸送層7をこの順に真
空蒸着法により成膜することで形成する。ここで、電子
輸送層5は、例えばAlq3を成膜することにより形成
する。また、発光層6は、例えばα−NPDを成膜する
ことにより形成する。そして、正孔輸送層7は、例えば
m−MTDATAを成膜することにより形成する。そし
て、有機EL層10の厚みは、例えば150nmとす
る。
層10上に、陽極である第2電極8として例えばTiN
膜を10nmの厚みに反応性DCスパッタリングにより
成膜する。
ように例えばSiNからなる厚み1000nmの保護層
9をスパッタリングにより形成することにより有機EL
素子1を作製することができる。
ミネッセンス表示装置(以下、有機EL表示装置と呼
ぶ。)について説明する。
L表示装置の構成を示した概略斜視図である。図2は、
この有機EL表示装置11を使用する状態、すなわち画
面に表示を行う状態を示している。そして、図3は、こ
の有機EL表示装置11を収納した状態を示している。
この有機EL表示装置11は、画面部12と、画面部1
2の一側端部に配され、画面部12の駆動制御を行う駆
動回路、有機EL表示装置11全体に電源を供給する電
源回路、表示信号を受信する信号処理回路等が収納され
た回路収納部13と、回路収納部13を略中心としてそ
のまわりに配され、画面部12を収納する円筒状の画面
収納部14とを備えて構成されている。
機EL素子が多数形成されて構成された画素部21と、
各有機EL素子を駆動するために各有機EL素子と各駆
動回路とを接続し、縦配線22と横配線23とからなる
配線27が配された配線部28とを備えている。図4
に、この有機EL表示装置11を使用する状態、すなわ
ち、画面部12が収納部より引き出された状態の平面図
を示す。回路収納部13は、図4においては図示されて
いないが、画面収納部14の中心部に画面収納部14の
長手方向と平行に収納されている。また、ここでは、説
明の便宜上、画面部12における回路収納部13と対向
した辺を第1の辺24、回路収納部13及び第1の辺2
4と直交する2つの辺をそれぞれ第2の辺25、及び第
3の辺26と呼ぶこととする。
ス状に多数配列することにより形成されている。ここ
で、この有機EL表示装置11では、有機EL表示とし
て、上述した有機EL素子1を用いている。図5に有機
EL素子の構成を示す要部斜視図を示す。すなわち、こ
の画素部21は、図5に示すようにフィルム状金属基板
2上に絶縁層3が設けられ、その上にストライプ状(帯
状)に陰極である第1電極4が複数設けられ、その上に
電子輸送層5と発光層6と正孔輸送層7とが積層されて
なるシート状の有機EL層10が設けられている。そし
て、さらに陰極である第1電極4と直交するようにして
ストライプ状(帯状)の陽極である第2電極8が複数設
けられ、その上に保護層9が設けられて構成されたもの
で、陰極である第1電極4と陽極である第2電極8とが
交差する位置に有機EL素子1が形成されている。
子1により構成されており、有機EL素子1の基板とし
てフィルム状金属基板2を用いているため、酸素や水蒸
気等が基板を透過することを防止することができる。す
なわち、この有機EL素子1では、基板としてフィルム
状金属基板2を用いているため、有機EL素子1の外部
の酸素や水蒸気等が基板を透過して有機EL素子1内に
侵入することを防止することができる。有機EL素子で
は、有機EL素子の外部から酸素や水蒸気等が有機EL
素子内に侵入すると、これらにより有機EL素子を構成
する各層、特に有機EL層が劣化してしまう。しかしな
がら、この有機EL素子1では基板としてフィルム状金
属基板2を用いることにより基板を透過して酸素や水蒸
気等が有機EL素子1内に侵入することが防止されるた
め、外部から基板を透過して侵入した酸素や水蒸気等に
より、有機EL素子1を構成する各層、特に有機EL層
10が劣化することを防止することができる。したがっ
て、画素部21は、画素部21を構成する有機EL素子
1内の劣化に起因した発光特性や耐久性の劣化が防止さ
れ、発光特性に優れ、また、耐久性に優れた画素部とさ
れる。
成する有機EL素子1の基板としてフィルム状金属基板
2を用いているため、従来のガラス基板を用いた有機E
L素子を用いた場合と比較して大幅に軽量化される。
構成する有機EL素子1の基板として良好な可撓性を有
するフィルム状金属基板2を用いているため、有機EL
素子1自体も良好な可撓性を有するものとされる。そし
て、この有機EL素子1の可撓性により画素部21に可
撓性を付加することが可能となり、本発明に係る有機E
L表示装置11の特徴である画面部12の巻回収納が可
能される。
構成する有機EL素子1の基板として落下等の衝撃に対
する耐衝撃性に優れるフィルム状金属基板2を用いてい
るため、耐衝撃性を大幅に向上させることができる。そ
のため、有機EL表示装置11の耐衝撃性を大幅に向上
させることが可能とされる。
板2上に有機EL素子1を構成する各層が直接成膜され
ることにより形成されているため、生産性に優れたもの
とされる。すなわち、この画素部21では、有機EL素
子1を構成する各層が、フィルム状金属基板2以外の他
の基板やシート等の上に形成された後、フィルム状金属
基板2上に配されるのではなく、フィルム状金属基板2
上に直接上述した各層を成膜して形成されるため、生産
工程が簡便であり、生産効率の良いものとされている。
また、この画素部21では、有機EL素子1がフィルム
状金属基板2上に有機EL素子1を構成する各層が直接
成膜されるため、フィルム状金属基板2以外に他の支持
体等を使用することがなく、コスト的にも優れたものと
される。
機EL素子1の陰極である第1電極4と陽極である第2
電極8との間に直流電圧を選択的に印可することによ
り、陰極である第1電極4から注入された電子が電子輸
送層5を経て、また陽極である第2電極8から注入され
た正孔が正孔輸送層7を経て移動し、それぞれ発光層6
に到達する。その結果、発光層6においては、電子と正
孔との再結合が生じ、ここから所定の波長で発光が生じ
る。また、発光層6の材料を選択することにより、R、
G、Bの三色を発光するフルカラー用、マルチカラー用
の画素部とすることができる。
る第1電極4とから引き出された縦配線22と、陽極で
ある第2電極8から引き出された横配線23との2種類
の配線により構成された配線27が配されている。
引き出され、画素部21上において回路収納部13と直
交する方向、すなわち、回路収納部13と第1の辺24
とに略垂直な方向に配されている。そして、縦配線22
は、図4に示すように、画素部21からそのまま直線状
に回路収納部13まで配され、各有機EL素子1と輝度
信号回路(図示せず)とを接続している。
4より引き出され、画素部21上において回路収納部1
3と平行な方向、すなわち、第2の辺25と第3の辺2
6とに略垂直な方向に引き出され、回路収納部13まで
配される。すなわち、横配線23は、まず、画面部12
上において第2の辺25又は第3の辺26側の画素部2
1から外れた位置に陰極である第1電極4より引き出さ
れ、さらに縦配線22と平行な方向に屈曲させられるこ
とにより、直線状に回路収納部13まで配され、各有機
EL素子1と走査回路(図示せず)とを接続している。
と第3の辺26側との両方向に引き出されている。この
ように画素部21を画素部を画面部の第1の辺24と平
行な方向において、略中心部に配置し、横配線23を第
2の辺25側と第3の辺26側との両方向に引き出すこ
とにより、画素部21を画面部12の第1の辺24と平
行な方向において、略中心部に配置することができる。
また、画素部21の位置を画面部12の第1の辺24と
平行な方向において調整したい場合は、画素部21を所
望の位置に配置し、第2の辺25側と第3の辺26側と
で画素部21からの横配線23の引き出し長さを調整す
れば良い。そして、横配線23は、必ずしも第2の辺2
5側と第3の辺26側との両方向に引き出す必要はな
く、画素部21を画面部12の第1の辺24と平行な方
向において第2の辺25側又は第3の辺26側の一方に
偏った配置とする場合には、画素部21を所望の位置に
配置し、横配線23を第2の辺25側又は第3の辺26
側のどちらか一方のみに引き出せば良い。
しては、例えばAu、Cr、Al、Cu等の比抵抗率が
低く、安定性に優れた材料が挙げられる。
面部12の基板と、画素部21の基板、すなわち画素部
21を構成する有機EL素子1の基板とは兼用されてお
り、可撓性を有する基板が用いられている。画面部12
の基板として、可撓性を有する基板を用いることによ
り、画面部12に可撓性を付与することが可能となる。
そして、画面部12に可撓性が付与されることにより、
画面部12を折曲して巻回することが可能とされ、その
結果、画面部12を巻回収納することが可能とされる。
2の基板として十分な機械的強度及び巻回するための十
分な曲げ強度を有するものとして、有機EL表示装置1
1ではフィルム状金属基板を用いている。フィルム状金
属基板は、良好な可撓性を有し、且つ画面部12の基板
としても十分な機械的強度及び巻回するための十分な曲
げ強度を有するため、この主面上に有機EL素子や配線
等を配することにより、画面部12に可撓性を付与する
ことができ、画面部12を折曲して巻回することを可能
とするため、画面部12を巻回収納可能とすることがで
きる。
ことにより、従来のガラス基板を用いた場合には、不可
能であった画面部12の巻回収納が可能とされる。そし
て、従来のガラス基板を用いた場合には、有機EL表示
装置11の平面上の大きさ、すなわち、画面部12と平
行な面においての大きさは、ほぼ画面部12の大きさに
より決まってしまっていた。これは、画面部12の基板
として、ガラス基板を用いているため、ガラス基板の特
性上、画面部12に可撓性を付与することができなかっ
た。すなわち、画面部12が可撓性を有していないた
め、画面部12を折り畳んだり、巻回したりして画面部
12の面積を縮小することができなかった。
では、画面部12の基板として可撓性を有する基板を用
いているため、画面部12を巻回し、画面部12の面積
を縮小することが可能とされる。その結果、画面部12
全体を収納することが可能となる。
に配され、有機EL素子の輝度の制御を行う輝度信号回
路や有機EL素子の走査駆動を制御する走査回路等の画
面部12の駆動制御を行う駆動回路、有機EL表示装置
11全体に電源を供給する電源回路、表示信号を受信す
る信号処理回路等が収納されている。また、回路収納部
13は、回路類を回路収納ケースで覆うことにより構成
されている。回路収納ケースは、回路類を保護し、ま
た、画面部12を巻回収納する際の軸となるものであ
る。回路収納ケースの形状は、円筒形とされることが好
ましい。これは、画面部12を巻回収納する際に、画面
部12表面に傷を付けたり、不均一な応力がかからない
ようにするためである。また、画面部12を巻回収納す
る際の軸としての機能を考慮した場合、回路収納ケース
31の直径又は太さは、画面部12の基板の材質、機械
的強度等を考慮して所定の寸法とすることが好ましい。
する部分であり、図3に示すように回路収納ケースを略
中心として回路収納ケースを覆うように円筒状の画面収
納ケース31を配することにより構成されている。ここ
で、画面収納ケースには、図6に示すように、その長手
方向に沿って画面部12の厚みよりもやや大とされた幅
を有する開口部32が設けられている。当該開口部32
を設けることにより、画面部12を収納又は引き出す場
合には、この開口部32より画面部12が出入可能とさ
れる。
けられた辺と対向する一辺、すなわち第1の辺24の端
部には、図7に示すように画面収納ケース32に設けら
れた開口部31の幅よりもやや大とされた幅を有するス
トッパー33を設けておく。画面部12の回路収納部1
3が設けられた辺と対向する一辺、すなわち第1の辺2
4の端部にストッパー33を設けることにより、画面部
12が全て画面収納ケース31に入り込んでしまい。画
面部12が引き出せなくなる不具合を防止することがで
きる。図8にストッパー33を備えた有機EL表示装置
11を巻回収納した状態の斜視図を示す。ストッパー3
3は、画面部12の回路収納部13が設けられた辺と対
向する一辺、すなわち第1の辺24の端部全域に設ける
必要はなく、画面部12を巻回収納した際に、画面部1
2全体が画面収納ケース31に入り込むことを防止する
ことができる大きさで設けられれば良い。
31の形状は円筒状に限定されることはない。有機EL
表示装置を巻回収納した際に、机上等に載置したときの
安定性を考慮した場合には、外周部に少なくとも平坦な
一主面を有する形状とされれば良く、例えば立方体とさ
れても良い。
しては、例えば回路収納ケースの長手方向の両端を画面
収納ケース31の長手方向の両端から突出するように構
成し、この突出した回路収納ケースの両端を回転させる
ことにより画面部12を画面収納ケース31内に巻回収
納するようにすれば良い。そして、画面部12を画面収
納ケース31から引き出すときは、画面部12の回路収
納部13が設けられた辺と対向する一辺、すなわち第1
の辺24の端部に設けられたストッパー33又は画面収
納ケース31から突出している画面部12の一側端部を
持ち、引っ張れば良い。
を巻回収納する場合について説明したが、画面収納ケー
ス31内に、画面部12巻き取り機構を備えて、自動で
画面部12を巻回収納するようにしても良い。
11が画面収納ケース31を備えて、画面部12が画面
収納ケース31内に収納される場合について説明した
が、本発明に係る有機EL表示装置は、必ずしも画面収
納ケースを備えてる必要はない。
ずに、回路収納ケースを軸として画面部12を巻回収納
しても良い。この場合は、画面部12の一主面、すなわ
ち、画面部において画像等が表示される主面とは反対側
の主面に、保護シートを配しておくことが好ましい。保
護シートを配することにより、巻回収納した際に画面部
12に傷等が付くことを防止することができる。また、
撥水性を有する保護シートを用いることにより、巻回収
納した際に有機EL表示装置を外部の水分から保護する
ことができる。
は、画面部12を巻回収納した状態に保持する手段を設
けることが好ましい。例えば、単にバンド等により巻回
収納した画面部12が広がらないようにしても良い。ま
た、巻回収納した際に、最外周に位置する画面部12の
所定の位置とそれに対応する位置とを、図9に示すよう
にマジックテープ(登録商標)34により係止するよう
にしても良いし、図10に示すようにホック35により
掛止するようにしても良い。また、有機EL表示装置を
巻回収納した状態で、図11に示すように、その長手方
向の両端面を覆うようにキャップ36をはめることによ
り画面部12を巻回収納した状態に保持しても良い。こ
のようにキャップ36をはめることにより、画面部12
を巻回収納した状態に保持するとともに、巻回収納され
た有機EL表示装置11の長手方向の両端面を保護する
ことができる。
11は、走査回路及び輝度信号回路によって陰極である
第1電極4と陽極である第2電極8との交差位置におけ
る有機EL層10に時系列に信号電圧を印加することに
より有機EL層10が発光することにより所定の画像を
表示する。
11は、画面部12が可撓性を有することにより巻回収
納可能とされる。すなわち、有機EL表示装置11は、
画面部12が巻回収納可能とされるため、有機EL表示
装置自体の大きさを回路収納部13と略同等の大きさと
することが可能となり、有機EL表示装置の収納性・携
帯性に優れた有機EL表示装置とされる。そして、この
有機EL表示装置11においては、画面を大型化した場
合においても、回路収納部13と略同等の大きさに巻回
収納することが可能とされるため、画面の大型化が可能
であり、且つ収納性・携帯性に優れた有機EL表示装置
とされる。
いて、画素部21は図12に示すように構成されても良
い。図12は、有機EL表示装置11に形成する有機E
L素子1の他の例である。図12に示す画素部21は、
フィルム状金属基板2上に絶縁層3が設けられ、その上
にストライプ状(帯状)の陰極である第1電極4が設け
られ、その上に電子輸送層5と発光層6と正孔輸送層7
とからなるストライプ状の有機EL層10a、10b、
10c陰極である第1電極4と直交した状態に設けら
れ、さらにこれらのストライプ状(帯状)の有機EL層
10a、10b、10c上に、それぞれと略同寸法を有
するストライプ状(帯状)の陽極である第2電極8が設
けられた構成となっている。ここで、有機EL層10
a、10b、10cは、それぞれ、赤(R)、緑
(G)、青(B)に対応する発光特性を有しており、こ
れにより画素部21は、フルカラー又はマルチカラーの
表示が可能とされる。
11は、例えば以下のようにして作製することができ
る。
材料を塗布して絶縁層42を形成する。
43膜を成膜し、これをパターニングすることにより図
13に示すようなストライプ状の陰極、すなわち第1電
極43を形成する。
の第1電極43を覆った状態に第1電極43上に絶縁材
料を塗布して絶縁膜を成膜し、さらにこれをパターニン
グすることにより図14に示すように、陰極である第1
電極43上に開口部44を有する絶縁層45を形成す
る。
極43上の全面に有機EL層用の有機材料を成膜し、こ
れにより図15に示すように絶縁層45上を覆うととも
に、上述した開口部44内においては、陰極である第1
電極43上面に当接する有機EL層46を形成する。こ
こで、有機EL層46は、例えば電子輸送層、発光層、
及び正孔輸送層をこの順に真空蒸着により成膜すること
により形成する。
パターニングし、図16に示すように陽極に直交するス
トライプ状の陽極である第2電極47、及び有機EL層
46を積層した状態で並列して形成する。そして、陽極
である第2電極47を覆って絶縁層等を形成することに
より有機EL素子を用いた画面部を得ることができる。
定の一側端部、具体的には、陰極である第1電極43が
形作るストライプと平行な一辺の側端部に例えば輝度信
号回路、走査回路、電源回路等の回路を上述した一辺に
沿って配置する。
に関して説明する。ここで、図4における配線部28に
は、図17に示すようにマスクによるパターニングによ
り予め配線27、すなわち縦配線22及び横配線23が
形成されており、上記において陰極である第1電極43
を形成することにより、陰極である第1電極43と縦配
線22とはつながった状態とされている。
層46を形成した後に、陽極である第2電極47を形成
するが、陽極である第2電極47は図18に示すように
横配線23と重なる部分ができるように画素部21より
やや広い領域においてマスクによりパターニングし形成
する。このことにより、予め形成された横配線23と陽
極である第2電極47が接合される。このようにして、
陰極である第1電極43から縦配線22を、陽極である
第2電極47から横配線23を引き出す。
を例えば輝度信号回路に、また、横配線23を例えば走
査回路に接続することにより、各有機ELと回路とを接
続することができる。
類を回路収納ケースで覆う。
路収納ケースを覆うように円筒状の画面収納ケースを取
り付けることにより、図2に示すような有機EL表示装
置11を得ることができる。
ンス素子(以下有機EL素子と呼ぶ。)は、基板上に、
第1電極と有機化合物からなる発光材料を有する有機エ
レクトロルミネッセンス層と第2電極とをこの順で備
え、基板がフィルム状金属基板であり、第2電極が透光
性を有する電極であり、第1電極と有機エレクトロルミ
ネッセンス層と第2電極とを備える構造体が基板上に直
接形成されてなる。
金属フィルムが用いられているため、酸素や水蒸気等が
基板を透過して有機EL素子内に侵入・拡散することに
より有機EL素子内部が劣化することを防止することが
できる。これにより、この有機EL素子では、基板を透
過した酸素や水蒸気等による有機EL素子内の劣化に起
因した発光特性や耐久性の劣化が防止され、発光特性及
び耐久性を向上させることが可能である。
としてフィルム状金属基板を用いているため、従来のガ
ラス基板を用いた有機EL素子と比較して大幅に軽量化
することが可能であり、当該有機EL素子を用いて種々
の機器を構成した場合において、機器を軽量化すること
が可能となるため、機器設計の自由度を大きくすること
ができる。
性を有する基板であるフィルム状金属基板を用いている
ため、良好な可撓性を有するものとされ、当該有機EL
素子を用いて種々の機器を構成した場合において、丸め
て収納することが可能となるなど種々の使用形態をとる
ことが可能となる。
等の衝撃に対する耐衝撃性に優れるフィルム状金属基板
を用いているため、耐衝撃性を大幅に向上させることが
できる。
当該有機EL素子を構成する構造体が基板上に直接成膜
されて素子を形成しているため、素子の厚みが薄いもの
とされ、当該有機EL素子を用いて機器を構成する際に
機器の小型化が可能となるため機器構成の自由度を大き
くすることができる。
多層薄膜が基板上に直接成膜されて素子が形成されてい
るため、有機EL素子作製の工程が簡便なものとされ、
生産効率に優れたものとされる。
ッセンス表示装置(以下、有機EL表示装置と呼ぶ。)
は、画面部と当該画面部を駆動する回路部とを備え、画
面部は、フィルム状金属基板上に形成された有機エレク
トロルミネッセンス素子と当該有機エレクトロルミネッ
センス素子と上記回路部とを接続する配線とを有し、巻
回収納可能とされてなるものである。
面部が、上述した本発明に係る有機EL素子であり、可
撓性を有するフィルム状金属基板上に形成された有機E
L素子を備えて構成されている。これにより、画面部
は、可撓性を有することとなり、この可撓性により画面
部は巻回収納することが可能となる。
上述した本発明に係る有機EL素子を備えていることよ
り、軽量、且つ、発光特性及び耐久性に優れたものとさ
れる。
部を構成する有機EL素子が基板上に直接成膜されて素
子を形成している。したがって、この有機EL素子は、
素子の厚みが薄いものとされる。そして、有機EL素子
の厚みが薄くなることにより、画面部の厚みを薄くする
ことができるため、この有機EL表示装置は種々の使用
形態に対応することが可能となる。
EL素子を構成する際に多層薄膜が基板上に直接成膜さ
れるため、製造工程が簡便なものとされ、生産効率に優
れたものとされる。
性を備え、且つ発光特性及び耐久性に優れた有機EL素
子及び有機EL表示装置を提供するすることが可能とな
る。
す縦断面図である。
状態を示した概略斜視図である。
した状態を示す概略斜視図である。
収納部より引き出された状態を示す平面図である。
た有機EL素子の構成を示す要部斜視である。
た画面収納ケースの斜視図である。
一側端部にストッパーが配された状態を示す斜視図であ
る。
明を適用した有機EL表示装置を巻回収納した状態を示
す斜視図である。
した状態に保持する手段としてマジックテープを配した
状態を示す斜視図である。
納した状態に保持する手段としてホックを配した状態を
示す斜視図である。
納した状態に保持する手段としてキャップを配した状態
を示す斜視図である。
ある。
程を示す縦断面図である。
程を示す縦断面図である。
程を示す縦断面図である。
程を示す縦断面図である。
程を示す平面図である。
程を示す平面図である。
層、4 第1電極、5電子輸送層、6 発光層、7 正
孔輸送層、8第2電極、9 保護層、10有機EL層、
11 有機EL表示装置、12 画面部、13 回路収
納部、14画面収納部、21 画素部、22 縦配線、
23 横配線、31 画面収納ケース、32 開口部、
33 ストッパー、34 マジックテープ、35 ホッ
ク、36 キャップ
Claims (9)
- 【請求項1】 基板上に、第1電極と、有機化合物から
なる発光材料を有する有機エレクトロルミネッセンス層
と、第2電極とをこの順で備え、 上記基板が、フィルム状金属基板であり、 上記第2電極が、透光性を有する電極であり、 上記第1電極と、上記有機エレクトロルミネッセンス層
と、上記第2電極とを備える構造体が上記基板上に直接
形成されてなることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子。 - 【請求項2】 上記フィルム状金属基板の厚みが、50
μm以上500μm以下であることを特徴とする請求項
1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 上記第2電極が、窒化物からなる透光性
を有する電極であることを特徴とする請求項1記載の有
機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項4】 上記窒化物が、TiNであることを特徴
とする請求項3記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項5】 画面部と、当該画面部を駆動する回路部
とを備え、 上記画面部は、フィルム状金属基板上に直接形成された
有機エレクトロルミネッセンス素子と、当該有機エレク
トロルミネッセンス素子と上記回路部とを接続する配線
とを有し、巻回収納可能とされてなることを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項6】 上記回路部が、上記画面部の所定の一側
端部に配されることを特徴とする請求項5記載の有機エ
レクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項7】 上記画面部は、上記画面部における上記
回路部が配された辺と直交する辺を折曲させて巻回収納
可能とされることを特徴とする請求項5記載の有機エレ
クトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項8】 上記フィルム状金属基板の厚みが50μ
m以上500μm以下であることを特徴とする請求項5
記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項9】 上記画面部と上記回路部とを収納可能な
収納部を備えることを特徴とする請求項5記載のエレク
トロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000200353A JP4626018B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000200353A JP4626018B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002015859A true JP2002015859A (ja) | 2002-01-18 |
JP4626018B2 JP4626018B2 (ja) | 2011-02-02 |
Family
ID=18698241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000200353A Expired - Fee Related JP4626018B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4626018B2 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004127592A (ja) * | 2001-09-28 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2005191422A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、及び電子機器 |
JP2006331694A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子及び有機発光素子用基板 |
KR100688359B1 (ko) | 2005-11-29 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR100719553B1 (ko) | 2005-06-29 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 이의 제조방법 및 박막 트랜지스터 기판 |
WO2008050923A1 (en) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Lg Electronics Inc. | Electroluminescent device and the substrate therefor and method of making the same |
US7404751B2 (en) | 2002-09-17 | 2008-07-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting display panel and a light emitting display panel |
WO2010082241A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | シャープ株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
US7830086B2 (en) | 2004-12-09 | 2010-11-09 | Hitachi, Ltd. | Light emitting device, lighting device, and display device having light emitting device |
US7978275B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-07-12 | Fujifilm Corporation | Active matrix display and method for producing the same |
WO2011152092A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
WO2011152091A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
US8128447B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-03-06 | Fujifilm Corporation | Display device manufacturing method and display device produced thereby |
JP2012186155A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、表示装置およびそれらの作製方法 |
JP2015505639A (ja) * | 2012-02-03 | 2015-02-23 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Oled素子及びその製造 |
US9166202B2 (en) | 2002-06-07 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP2016024460A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | ローラブルディスプレイ装置 |
US9287330B2 (en) | 2002-04-23 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9412804B2 (en) | 2002-04-26 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
JP2022087208A (ja) * | 2008-10-16 | 2022-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5271007A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-14 | Toshiba Corp | Track branching device for magnetic floating car |
JPS5271997A (en) * | 1975-12-09 | 1977-06-15 | Schroeder Becky Jane | Portable field light emitting panel mechanism |
JPH03241695A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多段el素子 |
JPH07153571A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜el素子 |
JPH08124679A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Ibm Japan Ltd | エレクトロ・ルミネッセンス装置 |
JPH08288069A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-11-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH10112389A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多色発光装置 |
JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
JPH10308285A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-17 | Asahi Glass Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の電極構造及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH11111459A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000200353A patent/JP4626018B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5271007A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-14 | Toshiba Corp | Track branching device for magnetic floating car |
JPS5271997A (en) * | 1975-12-09 | 1977-06-15 | Schroeder Becky Jane | Portable field light emitting panel mechanism |
JPH03241695A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多段el素子 |
JPH07153571A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜el素子 |
JPH08124679A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Ibm Japan Ltd | エレクトロ・ルミネッセンス装置 |
JPH08288069A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-11-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH10125463A (ja) * | 1995-12-28 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
JPH10112389A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多色発光装置 |
JPH10308285A (ja) * | 1997-05-01 | 1998-11-17 | Asahi Glass Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の電極構造及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH11111459A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004127592A (ja) * | 2001-09-28 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
US9978811B2 (en) | 2002-04-23 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9287330B2 (en) | 2002-04-23 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US9412804B2 (en) | 2002-04-26 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US9853098B2 (en) | 2002-04-26 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US9166202B2 (en) | 2002-06-07 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US7404751B2 (en) | 2002-09-17 | 2008-07-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting display panel and a light emitting display panel |
JP2005191422A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、及び電子機器 |
US7830086B2 (en) | 2004-12-09 | 2010-11-09 | Hitachi, Ltd. | Light emitting device, lighting device, and display device having light emitting device |
JP2006331694A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機発光素子及び有機発光素子用基板 |
KR100719553B1 (ko) | 2005-06-29 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치 및 이의 제조방법 및 박막 트랜지스터 기판 |
US7863810B2 (en) | 2005-11-29 | 2011-01-04 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
KR100688359B1 (ko) | 2005-11-29 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2008050923A1 (en) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Lg Electronics Inc. | Electroluminescent device and the substrate therefor and method of making the same |
US8128447B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-03-06 | Fujifilm Corporation | Display device manufacturing method and display device produced thereby |
US7978275B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-07-12 | Fujifilm Corporation | Active matrix display and method for producing the same |
US11930668B2 (en) | 2008-10-16 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible light-emitting device and EL module including transparent conductive film |
JP2022087208A (ja) * | 2008-10-16 | 2022-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
WO2010082241A1 (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-22 | シャープ株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
US8791565B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-07-29 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrode foil and organic device |
US8816338B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-08-26 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrode foil and organic device |
TWI466772B (zh) * | 2010-06-04 | 2015-01-01 | Mitsui Mining & Smelting Co | Electrode foil and organic device |
WO2011152092A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
US8803135B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-08-12 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrode foil and organic device |
WO2011152091A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
JPWO2011152092A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2013-07-25 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
JP2012212675A (ja) * | 2010-06-04 | 2012-11-01 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電極箔および有機デバイス |
JP5010758B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2012-08-29 | 三井金属鉱業株式会社 | 電極箔および有機デバイス |
US9490440B2 (en) | 2010-06-04 | 2016-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Electrode foil and organic device |
JP2018056137A (ja) * | 2011-02-14 | 2018-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2012186155A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、表示装置およびそれらの作製方法 |
JP2016164893A (ja) * | 2011-02-14 | 2016-09-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2015505639A (ja) * | 2012-02-03 | 2015-02-23 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Oled素子及びその製造 |
US9788440B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-10-10 | Lg Display Co., Ltd. | Rollable display device |
US9629237B2 (en) | 2014-07-22 | 2017-04-18 | Lg Display Co., Ltd. | Rollable display device |
US10362689B2 (en) | 2014-07-22 | 2019-07-23 | Lg Display Co., Ltd. | Method of providing a rollable display device |
JP2016024460A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | ローラブルディスプレイ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4626018B2 (ja) | 2011-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4626018B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP6438528B2 (ja) | 照明装置 | |
KR101634814B1 (ko) | 유기 발광 소자, 및 이것을 구비한 표시장치 및 조명 장치 | |
CN101841004B (zh) | 照明装置 | |
JP2002015858A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2009048829A (ja) | 有機el白色発光パネルおよび電子機器 | |
JPH11329731A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JPH08315986A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2003115393A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、画像表示装置 | |
JP4646702B2 (ja) | 照明装置及びその作製方法 | |
WO2009093426A1 (ja) | 発光素子および表示装置 | |
JP2002015860A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4906137B2 (ja) | 照明装置 | |
JP3763325B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2009048828A (ja) | 有機elカラー表示装置および電子機器 | |
JP3605441B2 (ja) | 端面発光有機薄膜el素子 | |
JP2006245011A (ja) | 電界発光素子及びその製造方法 | |
JP2004134151A (ja) | 有機el素子 | |
JP2002184584A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2013206565A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101012 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101025 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |