JP2002069077A - Method for producing trialkoxysilane - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、トリアルコキシシ
ランの製造方法に関し、特に、生成設備のコストおよび
運転コストの低減に有効なトリアルコキシシランの製造
方法に関する。[0001] The present invention relates to a method for producing trialkoxysilane, and more particularly to a method for producing trialkoxysilane which is effective in reducing the production equipment cost and operating cost.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体や太陽電池向けの高純度シリコン
は、原料鉱石である珪石をアーク炉還元して得られる金
属シリコンを、一旦、塩素化合物(トリクロロシラン)
とし、この塩素化合物を精製した後、再度還元または熱
分解させて製造している。2. Description of the Related Art High-purity silicon for semiconductors and solar cells is produced by reducing silicon metal, which is a raw material ore, in an arc furnace and then converting it to a chlorine compound (trichlorosilane).
The chlorine compound is purified and then reduced or thermally decomposed again to produce.
【0003】しかしこの方法は、多量の塩素をしかも高
温で用いるため、材料や設備の腐食対策、塩素の回収設
備や処理設備といった環境対策などに起因して、生成装
置および製品のコストが高くなることは避けられず、技
術的な課題も大きかった。However, since this method uses a large amount of chlorine at a high temperature, the cost of the generator and the product is increased due to measures against corrosion of materials and equipment, environmental measures such as chlorine recovery equipment and processing equipment, and the like. It was inevitable, and the technical challenges were great.
【0004】そこで、塩素などのハロゲンを用いない方
法による高純度シリコンの生成方法が検討され、次のよ
うなプロセスによる方法が検討されていた。Therefore, a method of producing high-purity silicon by a method not using halogen such as chlorine has been studied, and a method by the following process has been studied.
【0005】つまり、高純度シリコンの生成プロセスと
して、 (1)メタノールやエタノールなどのアルコールとシリ
コンとの反応による、トリアルコキシシランの合成。 (2)トリアルコキシシランの不均化反応によるモノシ
ランの製造。 の、2段階からなるプロセスを用いてモノシランを生成
し、このモノシランを原料として高純度シリコンを生成
する方法である。[0005] That is, as a process for producing high-purity silicon, (1) synthesis of trialkoxysilane by reaction of silicon with an alcohol such as methanol or ethanol. (2) Production of monosilane by disproportionation reaction of trialkoxysilane. In this method, monosilane is produced using a two-stage process, and high-purity silicon is produced using this monosilane as a raw material.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】この2段階のプロセス
を用いて高純度シリコンを生成する方法が経済性に優れ
たものであるための必要条件の一つに、トリアルコキシ
シランを安価に製造することが挙げられ、このために
は、トリアルコキシシランの高い生成速度および高い選
択率の達成が課題である。One of the prerequisites for a method of producing high-purity silicon using this two-stage process to be economically efficient is to produce trialkoxysilane at low cost. For this purpose, achieving a high production rate and high selectivity of trialkoxysilane is an issue.
【0007】トリアルコキシシランは、メタノールやエ
タノールなどのアルコールとシリコンとの反応により、
合成されることが知られている。[0007] Trialkoxysilane is formed by the reaction of silicon such as methanol or ethanol with silicon.
It is known to be synthesized.
【0008】しかし、従来は液相法が主流となってお
り、この方法では、比較的転化率が高いが、気相法に比
べて反応速度が遅く、また、生成したトリアルコキシシ
ランを溶媒や触媒と分離するのに複雑な工程が必要なた
め製造コストが高かった。Conventionally, however, the liquid phase method has been mainly used. In this method, although the conversion is relatively high, the reaction rate is lower than that in the gas phase method. The production cost was high because a complicated process was required to separate the catalyst.
【0009】一方、気相法は、液相法と比べて潜在的に
反応速度が大きい利点はあるものの、液相法に比べて選
択性が低いとされ、工業化が難しいと考えられてきた。[0009] On the other hand, the gas phase method has an advantage that the reaction rate is potentially higher than the liquid phase method, but it is considered that the selectivity is lower than the liquid phase method, and it has been considered that industrialization is difficult.
【0010】そこで本発明では、安価で高い反応成績を
有する気相法を用いたトリアルコキシシランの製造方法
を提供することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for producing trialkoxysilane using a gas phase method which is inexpensive and has high reaction results.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明のトリアルコキシ
シランの製造方法では、シリコンの表面に形成された酸
化物を除去する工程と、シリコンと銅化合物とを接触さ
せて熱処理を施す工程とを有すると共に、シリコンとア
ルコールとを気相反応させてトリアルコキシシランを製
造する。In the method for producing trialkoxysilane according to the present invention, the step of removing the oxide formed on the surface of silicon and the step of bringing silicon and a copper compound into contact with each other and performing a heat treatment are performed. In addition, silicon and alcohol are allowed to undergo a gas phase reaction to produce trialkoxysilane.
【0012】この構成では、トリアルコキシシランを気
相反応を用いて、高い反応成績で製造することができ
る。With this configuration, the trialkoxysilane can be produced with high reaction results by using a gas phase reaction.
【0013】また本発明では、金属製の反応器を用いて
トリアルコキシシランの製造を行うことができるため、
大型の反応装置を低コストで製造することができ、工業
化に対して大変有用である。In the present invention, trialkoxysilane can be produced using a metal reactor.
A large-sized reactor can be manufactured at low cost, which is very useful for industrialization.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】本発明のトリアルコキシシランの
製造方法における構成をブロック図を用いて図1に示
す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram showing the structure of a trialkoxysilane production method according to the present invention.
【0015】本発明では、シリコン表面をエッチング
(エッチング工程10)した後、シリコンと触媒を接触
させて熱処理(熱処理工程20)を施し、シリコンとア
ルコール(メタノールまたはエタノール)とを気相反応
させてトリアルコキシシラン(トリメトキシシランまた
はトリエトキシシラン)を生成(トリアルコキシシラン
生成工程30)する。In the present invention, after etching the silicon surface (etching step 10), heat treatment (heat treatment step 20) is performed by bringing silicon into contact with a catalyst, and silicon and an alcohol (methanol or ethanol) are caused to react in a gas phase. Trialkoxysilane (trimethoxysilane or triethoxysilane) is generated (trialkoxysilane generation step 30).
【0016】このとき、メタノールを用いた場合の反応
式は、 エタノールを用いた場合の反応式は、 となる。At this time, when methanol is used, the reaction formula is as follows: The reaction formula using ethanol is Becomes
【0017】まず、原料のシリコンに不可避的に近く形
成される酸化膜をフッ化水素などを用いてエッチングし
てシリコンの表面を露出させる。First, an oxide film formed inevitably near silicon as a raw material is etched using hydrogen fluoride or the like to expose the surface of silicon.
【0018】ここで、エッチングでは、湿式法として硝
酸、硫酸、塩酸、アンモニア、フッ化水素など、あるい
はこれらの混合物の水溶液などを用いることができ、ま
た乾式法としては、塩化水素やフッ化水素あるいはこれ
らの混合ガスが利用でき、好ましくは、フッ化水素水溶
液からの蒸気またはフッ化水素ガスを用いる。Here, in the etching, an aqueous solution of nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, ammonia, hydrogen fluoride or the like or a mixture thereof can be used as a wet method, and hydrogen chloride or hydrogen fluoride can be used as a dry method. Alternatively, a mixed gas of these can be used, and preferably, steam from a hydrogen fluoride aqueous solution or hydrogen fluoride gas is used.
【0019】上記シリコン表面の酸化物除去に湿式エッ
チング処理をした場合、シリコン表面に残存する水分を
除去乾燥する。When a wet etching process is performed to remove the oxide on the silicon surface, moisture remaining on the silicon surface is removed and dried.
【0020】具体的には、減圧加熱下で水分を除去する
ことができ、シリコン表面の水分濃度を1000ppm
以下とすることが好ましく、特に好ましくは500pp
m以下である。Specifically, water can be removed under heating under reduced pressure, and the water concentration on the silicon surface is 1000 ppm.
The following is preferable, and particularly preferably 500 pp
m or less.
【0021】なお、本実施の形態で用いられるシリコン
は、高純度のシリコンに限られるものではなく、金属シ
リコンの利用などが工業的には有用である。The silicon used in the present embodiment is not limited to high-purity silicon, and the use of metallic silicon is industrially useful.
【0022】次に、シリコンと触媒である塩化銅と接触
させ、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素などといった非
酸化性雰囲気中で熱処理を行い、合金化処理を施す。Next, silicon is brought into contact with copper chloride as a catalyst, heat-treated in a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen, argon, helium, hydrogen or the like, and subjected to alloying treatment.
【0023】なお、上記熱処理は、温度範囲を180℃
から280℃、処理時間は5時間以内とする。The temperature range of the heat treatment is 180 ° C.
To 280 ° C, and the processing time is within 5 hours.
【0024】そして、シリコンとアルコールとを気相反
応させることにより、シリコン合金核である銅シリレン
中の銅をアルコール中の官能基と置換させて、トリアル
コキシシランを生成する。Then, by subjecting silicon and alcohol to a gas phase reaction, copper in copper silylene, which is a silicon alloy nucleus, is replaced with a functional group in the alcohol to produce trialkoxysilane.
【0025】ここでは、熱処理を行った後にシリコンと
アルコールとを反応させて、トリアルコキシシランを製
造しているが、アルコールとシリコンとの反応と同時に
熱処理を行って合金化処理を施すことも可能であり、こ
の方法は、前処理として熱処理を行う方法よりも工業的
に有用である。In this case, trialkoxysilane is produced by reacting silicon and alcohol after heat treatment, but alloying treatment can be performed by heat treatment simultaneously with reaction between alcohol and silicon. This method is more industrially useful than a method in which heat treatment is performed as a pretreatment.
【0026】また、非酸化性雰囲気下でシリコンを粉砕
してシリコン粒子の形成を行うなどの方法により、シリ
コン粒子の表面に酸化膜が形成されることを防止すると
共に、シリコン粒子の表面が他の物質に覆われることな
く清浄に保たれている場合には、エッチングおよび洗浄
の工程を省くこともできる。Further, by forming silicon particles by pulverizing silicon in a non-oxidizing atmosphere, it is possible to prevent an oxide film from being formed on the surface of the silicon particles and to prevent the surface of the silicon particles from being changed. If it is kept clean without being covered by the substance, the steps of etching and cleaning can be omitted.
【0027】なお、気相反応における温度範囲は、18
0℃から285℃とし、アルコール蒸気の流量は、常
温、常圧下で、シリコン1gあたり1〜70L/h、好
ましくは、2〜160L/hとする。The temperature range in the gas phase reaction is 18
The temperature is from 0 ° C. to 285 ° C., and the flow rate of the alcohol vapor is 1 to 70 L / h, preferably 2 to 160 L / h per gram of silicon at normal temperature and normal pressure.
【0028】本発明の条件下では、生成されるトリアル
コキシシランは気体であるため、シリコン銅合金(銅シ
リレン)中のシリコンは反応によりトリアルコキシシラ
ンに形を変えて、固体シリコンの表面から離脱し、シリ
コンの表面では、新たに銅シリレンが形成され、同様の
反応メカニズムによりトリアルコキシシランが生成され
る。Under the conditions of the present invention, the generated trialkoxysilane is a gas, so that the silicon in the silicon-copper alloy (coppersilylene) is transformed into trialkoxysilane by a reaction and detached from the surface of the solid silicon. However, copper silylene is newly formed on the surface of silicon, and trialkoxysilane is generated by a similar reaction mechanism.
【0029】そしてトリアルコキシシランは、蒸留など
既知の方法を用いて、他の生成物や未反応原料などと分
離、精製される。The trialkoxysilane is separated and purified from other products and unreacted raw materials by using a known method such as distillation.
【0030】本実施の形態における、塩化銅触媒の粒径
は原料のシリコン粒子と同程度もしくはそれより小さい
ことが望ましい。In the present embodiment, the particle size of the copper chloride catalyst is desirably about the same as or smaller than the silicon particles of the raw material.
【0031】これは、合金化処理によってシリコン粒子
の表面に合金核である銅シリレンを1平方ミリメートル
あたり95個以上、好ましくは125個以上形成するた
め、シリコンと触媒との接触点の数および総接触面積が
大きいことが望ましいためである。This is because the alloying treatment forms at least 95, preferably at least 125, copper silylenes, which are alloy nuclei, on the surface of silicon particles per square millimeter. This is because a large contact area is desirable.
【0032】ここで、水酸化銅など銅シリレン種を形成
する銅化合物を、塩化銅に代えて触媒に用いることもで
きる。Here, a copper compound forming a copper silylene species such as copper hydroxide can be used as a catalyst instead of copper chloride.
【0033】また、合金化操作は、シリコン粒子と触媒
粒子が静止状態である固定層、移動状態である移動層や
流動層のいずれを用いることもできる。In the alloying operation, any of a fixed bed in which the silicon particles and the catalyst particles are in a stationary state, and a moving bed or a fluidized bed in a moving state can be used.
【0034】なお、連続操作が可能な複数の流動層から
なる構成を用いて、上流の流動層から抜き出したシリコ
ンおよび触媒を下流の流動層に供給する構成とすること
により、触媒の反応利用率が向上し、トリアルコキシシ
ランの製造コストを抑えることができる。The reaction utilization of the catalyst is improved by using a structure comprising a plurality of fluidized beds capable of continuous operation and supplying the silicon extracted from the upstream fluidized bed and the catalyst to the downstream fluidized bed. And the production cost of trialkoxysilane can be reduced.
【0035】また、合金核の形成方法として粒子・粒子
接触法について説明したが、触媒成分から発生するベー
パーを用いた気固反応を用いてシリコン粒子の表面にシ
リコン合金核を形成してもよい。Although the particle-particle contact method has been described as a method of forming the alloy nucleus, the silicon alloy nucleus may be formed on the surface of the silicon particle by using a gas-solid reaction using a vapor generated from the catalyst component. .
【0036】また、触媒を液体に溶解させ、その溶液中
にシリコンを浸した後、溶液を乾燥させることにより、
シリコンの表面に触媒成分を析出させ、シリコン合金核
を形成してもよい。Further, by dissolving the catalyst in a liquid, immersing silicon in the solution, and drying the solution,
A catalyst component may be deposited on the surface of silicon to form a silicon alloy core.
【0037】トリアルコキシシランが生成された後、新
たな銅シリレンを形成するためのシリコン合金核へのシ
リコンの供給は、固相拡散により行われるが、一般に固
相拡散の速度は遅いため拡散距離を短くすることが好ま
しく、合金核の大きさは5ミクロン以下、好ましくは1
ミクロン以下する。After the trialkoxysilane is generated, the supply of silicon to the silicon alloy nucleus for forming new copper silylene is performed by solid-phase diffusion. Is preferably shortened, and the size of the alloy core is 5 μm or less, preferably 1 μm or less.
Submicron.
【0038】トリアルコキシシラン合成反応によるシリ
コン消失速度と拡散によるシリコン供給速度とのバラン
スをとる必要があるため、過大な反応速度は避けなけれ
ばならないことから、気相反応時の温度は、先に述べた
温度範囲を越えないように厳密に制御する必要がある。Since it is necessary to balance the rate of silicon consumption by the trialkoxysilane synthesis reaction with the rate of silicon supply by diffusion, an excessive reaction rate must be avoided. Strict control is required so as not to exceed the stated temperature range.
【0039】これは、反応温度がこの温度範囲を越える
と次の何れかの問題点が発生するためである。 (1) 合金化処理温度の上昇に伴って合金核の成長速
度が増すため、トリアルコキシシランの生成によるシリ
コンの消費速度と固相拡散によるシリコンの供給速度と
のバランスが崩れ、反応に適したサイズを越える大きさ
の合金核が形成される。 (2) 反応温度の上昇に伴ってトリアルコキシシラン
の生成によるシリコンの消費速度が増大し、合金核への
シリコンの供給速度を大幅に上回ることにより、合金核
の大きさを適したサイズに維持することが困難となり、
トリアルコキシシランの選択性が低下する。This is because any one of the following problems occurs when the reaction temperature exceeds this temperature range. (1) Since the growth rate of alloy nuclei increases with an increase in the temperature of the alloying treatment, the balance between the consumption rate of silicon due to the formation of trialkoxysilane and the supply rate of silicon due to solid-phase diffusion is lost, and this is suitable for the reaction. An alloy core having a size exceeding the size is formed. (2) As the reaction temperature increases, the consumption rate of silicon due to the generation of trialkoxysilane increases, and significantly exceeds the supply rate of silicon to the alloy nucleus, thereby maintaining the size of the alloy nucleus at an appropriate size. Difficult to do,
The selectivity of trialkoxysilane decreases.
【0040】前処理工程では上記(1)の問題点が、反
応工程では上記(2)の問題点が発生しやすい。The problem (1) is apt to occur in the pretreatment step, and the problem (2) is liable to occur in the reaction step.
【0041】以下、実施例および比較例を用いて詳細に
説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples.
【0042】[0042]
【実施例1】本実施例では、シリコン(山石金属製、純
度98%)を45〜68μmに篩い分け、イオン交換水
で洗浄した後、このシリコン5gをフッ化水素酸(広田
化学工業製、特級)50ml中で1時間撹拌させ、その
後、テフロン(登録商標)ビーカー中の溶液をろ過、イ
オン交換水による洗浄を行った後、減圧(640mH
g)乾燥を用いて残留水分500ppm以下に乾燥させ
た(以下、「HF処理」という)。EXAMPLE 1 In this example, silicon (manufactured by Yamaishi Metal, purity 98%) was sieved to 45 to 68 μm, washed with ion-exchanged water, and 5 g of the silicon was treated with hydrofluoric acid (manufactured by Hirota Chemical Industry Co., Ltd.). After stirring for 1 hour in 50 ml of special grade, the solution in the Teflon (registered trademark) beaker was filtered, washed with ion-exchanged water, and then reduced in pressure (640 mH).
g) It was dried to a residual moisture of 500 ppm or less using drying (hereinafter, referred to as “HF treatment”).
【0043】そして、HF処理を施したシリコンと塩化
第1銅(和光純薬製、特級)を10分間混合した混合物
0.18gを固定層反応器(パイレックス(登録商標)
ガラス製、内径8mm)に充填した後、反応器を240
℃に加熱し、ヘリウムガスを8.0NL/hの流量で1
時間流通させて、熱処理を行った。Then, 0.18 g of a mixture obtained by mixing HF-treated silicon and cuprous chloride (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 10 minutes was added to a fixed-bed reactor (Pyrex (registered trademark)).
After filling into glass (8 mm inner diameter), the reactor was
Helium gas at a flow rate of 8.0 NL / h for 1 hour.
Heat treatment was performed by flowing the mixture for a time.
【0044】ここでシリコンと塩化第1銅を混合して形
成する触媒の触媒濃度は、次式で表される。 上記式により、触媒濃度が1〜15wt%となるように
調整を行う。Here, the catalyst concentration of the catalyst formed by mixing silicon and cuprous chloride is expressed by the following equation. According to the above equation, adjustment is performed so that the catalyst concentration becomes 1 to 15 wt%.
【0045】熱処理後、反応器温度を240℃に保持し
た状態で、メタノールを54mmol/hの流量で供給
して、トリメトキシシランの合成を行った。After the heat treatment, while maintaining the reactor temperature at 240 ° C., methanol was supplied at a flow rate of 54 mmol / h to synthesize trimethoxysilane.
【0046】ここで、予めメタノールの分圧が60kP
aとなるようにヘリウムガスの流量を調節した。Here, the partial pressure of methanol is previously 60 kP
The flow rate of the helium gas was adjusted so as to be a.
【0047】なお、反応器の出口から排出されるガスを
ガスクロマトグラフ分析計(充填剤SE−30、カラム
長さ2m、カラム温度150℃)に導入して、2.5分
毎に生成物の分析を行った。The gas discharged from the outlet of the reactor was introduced into a gas chromatograph (filler SE-30, column length 2 m, column temperature 150 ° C.), and the product was removed every 2.5 minutes. Analysis was carried out.
【0048】その結果、誘導期なしでメトキシシラン化
合物の生成(初期最大生成速度18mmol/h)が確
認され、その後反応開始後3時間で、メトキシシランの
生成が確認されなくなった。As a result, formation of a methoxysilane compound was observed without an induction period (initial maximum formation rate: 18 mmol / h). Thereafter, three hours after the start of the reaction, no formation of methoxysilane was observed.
【0049】このときのシリコン転化率は85%、トリ
メトキシシランの選択率は99.8%であり、トリメト
キシシラン以外のメトキシシラン生成物は、テトラメト
キシシランのみであった。At this time, the silicon conversion was 85%, the selectivity for trimethoxysilane was 99.8%, and the only methoxysilane product other than trimethoxysilane was tetramethoxysilane.
【0050】[0050]
【比較例1】金属珪素にHF処理を行わない点以外は、
実施例1と同様の処理および反応条件で反応させ、反応
生成物の分析を行った。Comparative Example 1 Except for not performing HF treatment on metallic silicon,
The reaction was carried out under the same treatment and reaction conditions as in Example 1, and the reaction product was analyzed.
【0051】約30分の誘導期の後、メトキシシランの
生成が認められたが、生成速度は最大で約1mmol/
hであり、実施例1と比較して、非常に小さかった。After an induction period of about 30 minutes, formation of methoxysilane was observed, but the formation rate was up to about 1 mmol /
h, which was much smaller than that of Example 1.
【0052】反応開始後9時間までのシリコンの転化率
は29%、トリメトキシシラン選択率は100%であっ
た。Up to 9 hours after the start of the reaction, the conversion of silicon was 29%, and the selectivity for trimethoxysilane was 100%.
【0053】[0053]
【実施例2】実施例2では、熱処理温度を260℃、2
80℃、300℃とした点以外は、実施例1と同様の処
理および反応条件で反応させて反応生成物の分析を行
い、シリコン転化率およびトリメトキシシラン選択率を
表1にまとめた。 表1 Example 2 In Example 2, the heat treatment temperature was set to 260 ° C.
Except that the temperature was changed to 80 ° C. and 300 ° C., the reaction was carried out under the same treatment and reaction conditions as in Example 1, and the reaction product was analyzed. The silicon conversion and the trimethoxysilane selectivity are summarized in Table 1. Table 1
【0054】[0054]
【実施例3】実施例3では、熱処理を行わずに反応を開
始させた点以外は、実施例1と同様の処理および反応条
件で反応を行った。Example 3 In Example 3, the reaction was carried out under the same treatment and reaction conditions as in Example 1 except that the reaction was started without performing the heat treatment.
【0055】反応開始後約4時間でメトキシシラン化合
物のピークが検出されなくなり、そのときのシリコン転
化率は73%、トリメトキシシラン選択率は100%で
あった。About 4 hours after the start of the reaction, the peak of the methoxysilane compound was no longer detected. At that time, the silicon conversion was 73% and the trimethoxysilane selectivity was 100%.
【0056】[0056]
【実施例4】HF処理を施したシリコンと塩化第1銅
(和光純薬製、特級)を10分間混合した混合物0.3
8g(触媒濃度5wt%)を固定層反応器(パイレック
スガラス製、内径12mm)に充填した後、反応器を2
40℃に加熱し、ヘリウムガスを6.5NL/hの流量
で1時間ダウンフローで流通させて、熱処理を行った。Example 4 A mixture obtained by mixing HF treated silicon and cuprous chloride (manufactured by Wako Pure Chemical, special grade) for 10 minutes 0.3.
After filling 8 g (catalyst concentration 5 wt%) into a fixed bed reactor (made of Pyrex glass, inner diameter 12 mm), 2 reactors were filled.
Heating was performed at 40 ° C., and helium gas was passed at a flow rate of 6.5 NL / h in a down flow for 1 hour to perform heat treatment.
【0057】熱処理後、反応器温度を240℃に保持し
た状態で、メタノールを50mmol/hの流量で供給
して、トリメトキシシランの合成を行った。After the heat treatment, while maintaining the reactor temperature at 240 ° C., methanol was supplied at a flow rate of 50 mmol / h to synthesize trimethoxysilane.
【0058】ここで、予めメタノールの分圧が18kP
aとなるようにヘリウムガスの流量を調節した。Here, the partial pressure of methanol was previously set at 18 kP.
The flow rate of the helium gas was adjusted so as to be a.
【0059】このときのシリコン転化率は88%、トリ
メトキシシラン選択率は88%であった。At this time, the silicon conversion was 88%, and the selectivity for trimethoxysilane was 88%.
【0060】[0060]
【実施例5】実施例5では、反応器の材質がSUS30
4であること以外は、実施例1と同様の処理および反応
条件で反応を行った。Example 5 In Example 5, the material of the reactor was SUS30.
Except that the reaction was 4, the reaction was carried out under the same treatment and reaction conditions as in Example 1.
【0061】反応開始後約6時間でメトキシシラン化合
物のピークが小さくなり、反応を打ち切った。About 6 hours after the start of the reaction, the peak of the methoxysilane compound became smaller, and the reaction was terminated.
【0062】このときのシリコン転化率は70%、トリ
メトキシシラン選択率は95%であった。At this time, the silicon conversion was 70%, and the selectivity for trimethoxysilane was 95%.
【0063】反応器がSUS材を用いている場合と石英
を用いている場合とを比較すると、SUS材を用いた場
合に反応成績の低下がわずかに見られるが、石英を用い
た場合と比べて大きな影響が無いことが分かる。When comparing the case where the reactor uses SUS material and the case where quartz is used, the reaction performance slightly decreases when the SUS material is used. No significant effect.
【0064】[0064]
【実施例6】実施例6では、熱処理時のヘリウムガスの
供給方向をアップフローとした点以外は、実施例4と同
様の処理および反応条件で反応を行った。Example 6 In Example 6, a reaction was carried out under the same processing and reaction conditions as in Example 4, except that the supply direction of the helium gas during the heat treatment was set to an upflow.
【0065】このときのシリコン転化率は60%、トリ
メトキシシラン選択率は45%であった。At this time, the silicon conversion was 60%, and the selectivity for trimethoxysilane was 45%.
【0066】[0066]
【実施例7】実施例7では、メタノールの供給速度を1
00mmol/h(分圧35kPa)、200mmol
/h(分圧70kPa)になるようにした点以外は、実
施例4と同様の処理および反応条件で反応を行い、シリ
コン転化率およびトリメトキシシラン選択率を表2にま
とめた。 表2 [Embodiment 7] In Embodiment 7, the supply rate of methanol was set to 1
00 mmol / h (partial pressure 35 kPa), 200 mmol
/ H (partial pressure 70 kPa), except that the reaction was carried out under the same treatment and reaction conditions as in Example 4, and the silicon conversion and trimethoxysilane selectivity were summarized in Table 2. Table 2
【0067】[0067]
【実施例8】実施例8では、触媒とシリコンとを予め1
時間加熱接触させて、前処理を行った固定層と、そのよ
うな前処理を行っていない流動層とを実施例1と同様の
処理および反応条件で反応を行い、シリコン転化率およ
びトリメトキシシラン選択率を表3にまとめた。 表3 [Embodiment 8] In Embodiment 8, the catalyst and silicon were previously set to 1
The fixed bed subjected to the pretreatment and the fluidized bed not subjected to such a pretreatment are reacted under the same treatment and reaction conditions as in Example 1 by heating and contacting with each other for a period of time to obtain a silicon conversion rate and trimethoxysilane. The selectivities are summarized in Table 3. Table 3
【0068】固定層に比べて流動層では選択率の低下が
わずかに見られたものの転化率は大幅に上昇しており、
シリコンと触媒とを加熱接触させる前処理操作を流動層
では必ずしも必要としていないことが分かる。Although the selectivity was slightly decreased in the fluidized bed compared to the fixed bed, the conversion was significantly increased,
It can be seen that a pretreatment operation of heating and contacting the silicon and the catalyst is not necessarily required in the fluidized bed.
【0069】[0069]
【実施例9】実施例9では、シリコンの重量を4.5g
または9.0g、シリコン1molに対するメタノール
の流量(mol/h)の比を1または2、メタノールの
分圧を30kPaまたは60kPaとした点以外は実施
例1と同様の処理および反応条件で流動層を用いて反応
を行い、シリコン転化率およびトリメトキシシラン選択
率を表4にまとめた。 表4 Embodiment 9 In Embodiment 9, the weight of silicon was 4.5 g.
Alternatively, a fluidized bed was prepared under the same treatment and reaction conditions as in Example 1 except that the ratio of the flow rate (mol / h) of methanol to 1 g of silicon was 1 or 2, and the partial pressure of methanol was 30 kPa or 60 kPa. The reaction was carried out using the same, and the silicon conversion and trimethoxysilane selectivity are summarized in Table 4. Table 4
【0070】1時間あたりのメタノール流量とシリコン
の量をモル比であらわすと、1.0から2.0の間で、良
好な値を得られることが分かる。It is understood that a good value can be obtained between 1.0 and 2.0 when the flow rate of methanol and the amount of silicon per hour are represented by a molar ratio.
【0071】[0071]
【実施例10】実施例10では、メタノールの流量を1
70mmol/h、触媒濃度を0.1〜10wt%とし
た点以外は実施例1と同様の処理および反応条件で流動
層を用いて反応を行い、シリコン転化率およびトリメト
キシシラン選択率を表5にまとめた。 表5 Example 10 In Example 10, the flow rate of methanol was set to 1
The reaction was carried out using a fluidized bed under the same treatment and reaction conditions as in Example 1 except that 70 mmol / h and the catalyst concentration were 0.1 to 10 wt%, and the silicon conversion and trimethoxysilane selectivity were determined as shown in Table 5. Summarized in Table 5
【0072】[0072]
【実施例11】実施例11では、パイレックス製の反応
器を用いた固定層とSUS製の反応器を用いた流動層と
を用いて、シリコン重量を4.5または9.0g、メタノ
ール流量を160または330mmol/hとした点以
外は実施例1と同様の処理および反応条件で反応を行
い、シリコン転化率およびトリメトキシシラン選択率を
表6にまとめた。 表6 Example 11 In Example 11, a fixed bed using a Pyrex reactor and a fluidized bed using a SUS reactor were used to adjust the silicon weight to 4.5 or 9.0 g and the methanol flow rate. The reaction was carried out under the same treatment and reaction conditions as in Example 1 except that the amount was 160 or 330 mmol / h. Table 6 summarizes the silicon conversion and trimethoxysilane selectivity. Table 6
【0073】このように、パイレックス製の固定層を反
応容器として用いた場合とほぼ同様の反応成績をSUS
製の流動層を用いた場合でも達成することができる。As described above, almost the same reaction results as in the case where the fixed layer made of Pyrex was used as the reaction vessel were obtained by SUS.
This can also be achieved using a fluidized bed made of
【0074】[0074]
【実施例12】実施例12では、反応容器の直径を12
mmまたは24mm、シリコン重量を9.0g、メタノ
ール流量を160または330mmol/hとした点以
外は実施例1と同様の処理および反応条件で流動層を用
いて反応を行い、シリコン転化率およびトリメトキシシ
ラン選択率を表7にまとめた。 表7 Example 12 In Example 12, the diameter of the reaction vessel was 12
mm or 24 mm, the weight of silicon was 9.0 g, and the flow rate of methanol was 160 or 330 mmol / h. Table 7 summarizes the silane selectivities. Table 7
【0075】この結果は、反応器のスケールアップに明
るい展望を示唆するものと考えられる。This result is considered to suggest a bright prospect for scale-up of the reactor.
【0076】[0076]
【実施例13】実施例13では、シリコンの粒径を直径
45から105μmまたは45μm以上、メタノール流
量を160mmol/hとした点以外は実施例1と同様
の処理および反応条件で流動層を用いて反応を行い、シ
リコン転化率およびトリメトキシシラン選択率を表8に
まとめた。 表8 Example 13 In Example 13, a fluidized bed was used under the same treatment and reaction conditions as in Example 1 except that the silicon particle diameter was 45 to 105 μm or 45 μm or more and the methanol flow rate was 160 mmol / h. The reaction was performed, and the silicon conversion and trimethoxysilane selectivity are summarized in Table 8. Table 8
【0077】[0077]
【実施例14】実施例14では、メタノール流量を16
0mmol/h、メタノールの分圧が44kPaになる
ようにヘリウムガスの流量を調整、シリコンを反応開始
時4.5g投入し、その後2時間おきに2gずつ4回投
入した点以外は実施例1と同様の処理および反応条件で
流動層を用いて反応を行った。Embodiment 14 In Embodiment 14, the methanol flow rate was set to 16
Example 1 was repeated except that the flow rate of helium gas was adjusted so that 0 mmol / h and the partial pressure of methanol became 44 kPa, 4.5 g of silicon were charged at the start of the reaction, and then 2 g were charged 4 times every 2 hours. The reaction was carried out using a fluidized bed under the same treatment and reaction conditions.
【0078】このときのシリコン転化率は78%、トリ
メトキシシラン選択率は95%であった。At this time, the silicon conversion was 78%, and the selectivity for trimethoxysilane was 95%.
【0079】この結果は、連続操作を行った場合の流動
相反応器性能が高い状態で維持できることを示す。The results show that the performance of the fluidized-phase reactor when the continuous operation is performed can be maintained at a high level.
【0080】[0080]
【実施例15】実施例15では、実施例1の条件で得ら
れたトリメトキシシラン中の不純物をICP発光分析を
用いて、分析、定量した結果を表9に示す。 表9 Example 15 In Example 15, the results of analysis and quantification of impurities in trimethoxysilane obtained under the conditions of Example 1 by ICP emission analysis are shown in Table 9. Table 9
【0081】この結果は、原料シリコンに含まれる不純
物の内、反応過程において反応生物に取り込まれる量は
極めて少ないことを示しており、反応生成物の精製工程
を簡略化することが期待できる。This result indicates that, among the impurities contained in the raw material silicon, the amount taken up by the reaction product in the reaction process is extremely small, and it can be expected that the purification step of the reaction product will be simplified.
【0082】[0082]
【発明の効果】本発明では、ハロゲン化物を経由するこ
となくトリアルコキシシランを生成することができるた
め、環境対策や安全対策に優れ、また製造コストを低く
抑えることができる。According to the present invention, trialkoxysilane can be produced without passing through a halide, so that it is excellent in environmental measures and safety measures, and the production cost can be kept low.
【0083】また、原料であるシリコン中に含まれる不
純物は、生成されるトリアルコキシシラン中にほとんど
含まれないため、純度の高いトリアルコキシシランを生
成することができる。Further, since impurities contained in silicon as a raw material are scarcely contained in the produced trialkoxysilane, highly pure trialkoxysilane can be produced.
【図1】本発明におけるトリアルコキシシランの製造方
法の構成を示すブロック図FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a method for producing trialkoxysilane in the present invention.
10…エッチング工程 20…熱処理工程 30…トリアルコキシシラン生成工程 10 Etching Step 20 Heat Treatment Step 30 Trialkoxysilane Generation Step
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邉 嘉之 茨城県東茨城郡大洗町成田町2205 日揮株 式会社技術研究所内 Fターム(参考) 4H049 VN01 VP01 VQ21 VR11 VR43 VS99 VT04 VT24 VU24 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yoshiyuki Watanabe 2205 Narita-cho, Oarai-machi, Higashiibaraki-gun, Ibaraki FJ-term in JGC Corporation Technical Research Institute 4H049 VN01 VP01 VQ21 VR11 VR43 VS99 VT04 VT24 VU24
Claims (4)
てトリアルコキシシランを製造するトリアルコキシシラ
ンの製造方法において、 シリコンの表面に形成された酸化物を除去する工程と、 シリコンと銅化合物とを加熱接触させて触媒合金核を形
成する工程とを具備することを特徴とするトリアルコキ
シシランの製造方法。1. A method for producing trialkoxysilane by producing a trialkoxysilane by subjecting silicon and alcohol to a gas phase reaction, comprising: removing an oxide formed on the surface of silicon; Forming a catalyst alloy nucleus by heat contact.
る請求項1記載のトリアルコキシシランの製造方法。2. The method for producing trialkoxysilane according to claim 1, wherein a metal reactor is used.
リコンの供給、抜き出し操作を行うことを特徴とする請
求項1または請求項2記載のトリアルコキシシランの製
造方法3. The process for producing trialkoxysilane according to claim 1, wherein a fluidized bed is used as the reactor, and the operation of continuously supplying and extracting silicon is performed.
に応じて適当量供給することを特徴とする請求項1記載
のトリアルコキシシランの製造方法。4. The method for producing trialkoxysilane according to claim 1, wherein the raw material alcohol is supplied in an appropriate amount according to the amount of silicon in the reactor.
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---|---|---|---|
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